KR20120019241A - 박막 패턴의 제조 방법 - Google Patents

박막 패턴의 제조 방법 Download PDF

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이남석
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 잔막없이 박막 패턴을 균일하게 형성할 수 있는 박막 패턴 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 박막 패턴 제조 방법은 기판 상에 감광성 수지층을 형성하는 단계와; 상기 기판 상부에 돌출 형태의 차광 패턴과 홈 형태의 노광 패턴을 가지는 마스크형 롤 몰드를 마련하는 단계와; 상기 마스크형 롤 몰드가 상기 기판 상에서 회전함과 동시에 상기 감광성 수지층을 선택적으로 노광하는 단계와; 상기 감광성 수지층을 선택적으로 현상하여 감광성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

박막 패턴의 제조 방법{METHOD OF FABRICATING THIN FILM PATTERN}
본 발명은 잔막없이 박막 패턴을 균일하게 형성할 수 있는 박막 패턴 제조 방법에 관한 것이다.
통상, 액정 표시 장치는 전계를 이용하여 유전 이방성을 갖는 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이러한 액정 표시 장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다.
액정 표시 장치는 롤을 이용한 임프린팅 공정을 통해 기판 상에 박막 패턴을 형성한다. 구체적으로, 임프린팅 수지가 형성된 기판 상에서 홈 패턴과 돌출 패턴을 가지는 롤 몰드가 회전함으로써 도 1a에 도시된 바와 같이 임프린팅 수지 패턴(34)이 형성된다. 그러나, 롤 몰드의 돌출 패턴과 대응하는 영역에는 임프린팅 수지(32)가 잔류하게 된다. 이 때, 잔류하는 임프린팅 수지(32)는 도 1b에 도시된 바와 같이 에싱 공정을 통해 제거된다. 에싱 공정 후 임프린팅 수지 패턴(34)을 마스크로 이용한 식각 공정을 통해 박막(20)이 패터닝됨으로써 도 1c에 도시된 바와 같이 기판(10) 상에 박막 패턴(22)이 형성된다.
이와 같은 종래 임프린팅 공정은 불필요한 잔류 임프린팅 수지를 제거하기 위한 에싱 공정이 필요하므로 공정이 복잡할 뿐만 아니라 제조 비용이 상승한다. 또한, 잔류하는 임프린팅 수지의 두께가 균일하지 않으므로 에싱 공정 시간 선정이 어려울 뿐만 아니라 에싱 공정으로 인한 임프린팅 수지의 선폭 변형이 일어나 균일한 패턴 형성이 어려운 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 잔막없이 박막 패턴을 균일하게 형성할 수 있는 박막 패턴 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 박막 패턴 제조 방법은 기판 상에 감광성 수지층을 형성하는 단계와; 상기 기판 상부에 돌출 형태의 차광 패턴과 홈 형태의 노광 패턴을 가지는 마스크형 롤 몰드를 마련하는 단계와; 상기 마스크형 롤 몰드가 상기 기판 상에서 회전함과 동시에 상기 감광성 수지층을 선택적으로 노광하는 단계와; 상기 감광성 수지층을 선택적으로 현상하여 감광성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 박막 패턴의 제조 방법은 상기 감광성 수지 패턴을 마스크로 이용한 식각 공정을 통해 상기 감광성 수지 패턴 하부에 위치하는 박막 패턴을 식각하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 감광성 수지층을 선택적으로 노광하는 단계는 상기 롤 몰드 내에 위치하는 광원으로부터 출사된 광이 상기 노광 패턴을 투과하고 상기 차광 패턴에서 차단되므로 상기 노광 패턴과 대응하는 영역의 감광성 수지층을 노광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 감광성 패턴을 형성하는 단계는 현상 공정을 통해 상기 노광된 감광성 수지층을 제거하고, 상기 치광 패턴과 대응하는 영역의 비노광된 감광성 수지층을 잔류시키는 단계인 것을 특징으로 한다.
상기 박막 패턴은 박막트랜지스터 기판의 금속 패턴인 것을 특징으로 한다.
상기 감광성 수지 패턴은 박막트랜지스터 기판의 보호막인 것을 특징으로 한다.
상기 마스크형 롤 몰드를 마련하는 단계의 제1 실시 예는 베이스 롤러 상에 불투명층 및 임프린팅 수지를 형성하는 단계와; 상기 베이스 롤러가 마스터 기판 상에서 회전하여 상기 임프린팅 수지를 패터닝함으로써 임프린팅 수지 패턴을 형성하는 단계와; 상기 임프린팅 수지 패턴을 마스크로 이용하여 상기 불투명층을 식각함으로써 상기 차광 패턴을 형성하는 단계와; 상기 차광 패턴을 마스크로 이용하여 상기 베이스 롤러를 식각함으로써 상기 노광 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 베이스 롤러는 석영으로 형성되며 상기 불투명층은 크롬으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 마스크형 롤 몰드를 마련하는 단계의 제2 실시 예는 베이스 롤러 상에 불투명층, 완충층 및 임프린팅 수지를 형성하는 단계와; 상기 베이스 롤러가 마스터 기판 상에서 회전하여 상기 임프린팅 수지를 패터닝함으로써 임프린팅 수지 패턴을 형성하는 단계와; 상기 임프린팅 수지 패턴을 마스크로 이용하여 상기 불투명층을 식각함으로써 상기 차광 패턴을 형성하는 단계와; 상기 차광 패턴을 마스크로 이용하여 상기 완충층을 식각함으로써 상기 노광 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 베이스 롤러는 석영으로 형성되며, 상기 불투명층은 크롬으로 형성되며, 상기 완충층은 테프론으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 박막 패턴은 진공 상태에서 이루어지는 에싱 공정없이 박막을 잔막없이 패터닝할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 에싱 공정을 생략할 수 있으므로 비용을 절감할 수 있으며, 에싱 공정으로 인한 포토레지스트 패턴의 손상을 방지할 수 있어 패턴 정밀도가 높아진다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 박막 패턴의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 마스크형 롤 몰드를 나타내는 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 마스크형 롤 몰드를 나타내는 단면도이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 마스크형 롤 몰드를 이용한 박막 패턴 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명에 따른 마스크형 롤 몰드를 이용한 박막트랜지스터 기판의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 마스크형 롤 몰드의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
도 2a에 도시된 바와 같이 돌출 패턴(120a)과 홈 패턴(112b)을 가지는 마스터 기판(120)을 마련한다.
마스터 기판(120)은 빛을 투과시킬 수 있는 석영(Quartz) 또는 유리로 형성된다. 이 마스터 기판(120) 상에는 포토레지스트 등과 같은 유기 계열 재료가 도포된 후 포토리소그래피, 홀로그래픽 리소그래피, 레이저 가공, 전자빔 가공, 또는 집속 이온빔 가공 등을 이용한 공정을 통해 패터닝됨으로써 돌출 패턴(120a)과 홈 패턴(112b)이 형성된다. 이러한 마스터 기판(120)은 추후에 베이스 롤러(102)에 형성된 수지층(112)과의 이형(박리) 공정이 용이해지도록 자가 조립 단분자 물질(Self-Assembled Monolayer; SAM)로 표면 처리된다. 이에 따라, 수지층(112)이 도포된 베이스 롤러(102)가 마스터 기판(120)에서 회전시 마스터 기판(120)에 수지층(112)이 흡착되는 것을 방지할 수 있다. 이러한 자가 조립 단분자 물질(SAM)은 FOTS(Flurooctyl-Trichloro-Silance) 또는 HDFS((heptadecafluoro-1,1,2,3-tetra-hydrodecyl)trichlorosilane)과 같은 소수성 재질로 형성된다.
이러한 마스터 기판(120) 상에 불투명층(114) 및 수지층(112)이 순차적으로 도포된 베이스 롤러(102)가 정렬된다. 베이스 롤러(102)는 빛을 투과시킬 수 있는 석영(Quartz)으로 형성된다. 불투명층(114)은 베이스 롤러(102)와 수지층(112) 사이에 형성된다. 이 불투명층(114)은 베이스 롤러(102)의 식각시 마스크로 사용될 수 있는 크롬(Cr)등과 같은 금속층으로 형성된다. 수지층(112)은 불투명층(114)이 도포된 베이스 롤러(102) 상에 우레탄 아크릴레이트(Urethane-acrylate) 또는 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane)과 같은 임프린팅 수지가 도포됨으로써 형성된다.
정렬된 베이스 롤러(102)는 마스터 기판(120) 상에 회전함으로써 마스터 기판(120) 상의 홈 패턴(120b)과 돌출 패턴(120a)이 수지층(112)에 반전전사됨으로써 수지 패턴(116)이 형성된다. 즉, 수지 패턴(116)은 마스터 기판(120) 상의 홈 패턴(120b)과 대응하는 영역에 형성되며, 마스터 기판(120) 상의 돌출 패턴(120a)과 대응하는 영역의 수지층(112)은 베이스 롤러(102) 상의 불투명층(114)을 노출시키도록 형성된다.
이 때, 수지층(112)이 도포된 베이스 롤러(102)가 마스터 기판(120) 상에 회전시 마스터 기판(120)의 배면에 조사되는 광을 통해 수지층(112)은 광경화된다. 이외에도 수지층(112)은 베이스 롤러(102) 상에 수지 패턴(116)으로 형성된 후 경화될 수도 있으며, 광경화 대신에 열경화될 수도 있다.
그런 다음, 수지 패턴(116)을 마스크로 이용한 건식 식각 또는 습식 식각공정을 통해 불투명층(114)이 패터닝됨으로써 도 2b에 도시된 바와 같이 차광 패턴(104)이 형성된다. 차광 패턴(104)은 수지 패턴(116)과 중첩되는 영역에 잔존하게 되고 수지 패턴(116)과 비중첩되는 베이스 롤러(102)를 노출시키도록 형성된다.
그런 다음, 차광 패턴(104)을 마스크로 이용한 건식 식각 또는 습식 식각 공정을 통해 노출된 베이스 롤러(102)를 패터닝함으로써 도 2c에 도시된 바와 같이 베이스 롤러(102) 상에 소정 깊이의 홈 형태의 노광 패턴(106)이 형성된다. 이에 따라, 홈 형태의 노광 패턴(106)과, 베이스 롤러(102) 상에 돌출 형태로 형성되는 차광 패턴(104)을 가지는 마스크형 롤 몰드(110)가 완성된다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 마스크형 롤 몰드의 제조 방법을 나타내는 단면도이다. 도 3a 내지 도 3c에 도시된 마스크형 롤 몰드의 제조 방법은 도 2a 내지 도 2c에 도시된 제조 방법과 대비하여 불투명층(114)과 베이스 롤러(102) 상에 완충층(118)을 추가로 구비하는 것을 제외하고는 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 3a에 도시된 바와 같이 돌출 패턴(120a)과 홈 패턴(112b)을 가지는 마스터 기판(120)을 마련한다. 이러한 베이스 기판(120) 상에 완충층(118)과 불투명층(114) 및 수지층(112) 순차적으로 도포된 베이스 롤러(102)가 정렬된다.
완충층(118)은 베이스 롤러(102)와 불투명층(114) 사이에 테프론(Teflon)등과 같은 폴리머로 형성된다. 완충층(118)은 마스크형 롤 몰드(110)가 박막이 형성된 기판(도 4a의 101) 상에서 회전시 마스크형 롤 몰드(110)로부터 기판(101)에 가해지는 충격을 완충시킨다. 이 경우, 박막이 형성된 기판(101)과 마스크형 롤 몰드(110)의 접촉력이 향상된다. 또한, 완충층(118)은 마스크형 롤 몰드(110)의 제조 공정시 베이스 롤러(102)가 마스터 기판(120) 상에서 회전시 베이스 롤러(102)로부터 마스터 기판(120)에 가해지는 충격을 완충시킨다. 이 경우, 수지층(112)이 도포된 베이스 롤러(102)와 마스터 기판(120)의 접촉력이 향상된다.
불투명층(114)은 완충층(118)과 수지층(112) 사이에 형성된다. 이 불투명층(114)은 베이스 롤러(102)의 식각시 마스크로 사용될 수 있는 크롬(Cr)등의 금속으로 형성된다.
수지층(112)은 불투명층(114)이 도포된 베이스 롤러(102) 상에 우레탄 아크릴레이트(Urethane-acrylate) 또는 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane)과 같은 임프린팅 수지가 도포됨으로써 형성된다.
정렬된 베이스 롤러(102)는 마스터 기판(120) 상에 회전함으로써 마스터 기판(120) 상의 홈 패턴(120b)과 돌출 패턴(120a)이 수지층(112)에 반전전사됨으로써 수지 패턴(116)이 형성된다.
그런 다음, 수지 패턴(116)을 마스크로 이용한 건식 식각 또는 습식 식각공정을 통해 불투명층(114)을 패터닝함으로써 도 3b에 도시된 바와 같이 차광 패턴(104)이 형성된다.
차광 패턴(104)을 마스크로 이용한 건식 식각 또는 습식 식각 공정을 통해 노출된 완충층(118)를 패터닝함으로써 도 3c에 도시된 바와 같이 완충 패턴(108)과, 완충패턴들(108) 사이에 홈 형태의 노광 패턴(106)이 형성된다. 이에 따라, 홈 형태의 노광 패턴(106)과, 베이스 롤러(102) 상에 형성되는 돌출 형태의 차광 패턴(104)과, 차광 패턴(104)과 동일 패턴의 완충 패턴(108)을 가지는 마스크형 롤 몰드(110)가 완성된다.
도 4a 내지 도 4d는 도 2c에 도시된 마스크형 롤 몰드를 이용한 박막 패턴의 제조 방법의 제1 실시 예를 나타내는 단면도이다.
도 4a를 참조하면, 기판(101) 상에 금속 박막(146)과 포토레지스트(144)를 순차적으로 형성한다. 그런 다음, 도 2c 또는 도 3c에 도시된 마스크형 롤 몰드(110)를 기판(101) 상에 정렬한다. 여기서는 도 2c에 도시된 마스크형 롤 몰드(110)를 예로 들어 설명하기로 한다. 이러한 마스크형 롤 몰드(110) 내부에는 포토레지스트(144)에 광을 조사하는 광원(130)이 위치하게 된다. 이 광원(130)은 자외선을 생성하며, 광원(130)은 광원 하우징(도시하지 않음)에 의해 일부 감싸지도록 형성된다. 여기서, 광원(130) 및 광원 하우징은 마스크형 롤 몰드(110)의 회전시 마스크형 롤 몰드(110)를 따라 회전하지 않고 고정된 상태를 유지한다.
그런 다음, 도 4b에 도시된 바와 같이 마스크형 롤 몰드(110)는 포토레지스트(144)가 형성된 기판(101)과 접촉하도록 기판(101) 상에서 회전하게 된다. 이에 따라, 기판(101) 상의 포토레지스트(144)가 패터닝됨으로써 롤 몰드(110)의 홈 형태의 노광 패턴(106)과 대응하는 영역에 포토레지스트 패턴(144a)이 형성된다. 여기서, 롤 몰드(110)의 돌출 형태의 차광 패턴(104)과 대응하는 영역에 포토레지스트(144b)가 잔류하기도 한다.
이와 동시에 롤 몰드(110) 내부에 위치하는 광원(130)을 이용한 현상 공정을 통해 포토레지스트 패턴(144a)에 광을 조사한다. 이 경우, 롤 몰드(110)의 노광 패턴(106)과 대응하는 영역에 포토레지스트 패턴(144a)은 노광되고, 롤 몰드(110)의 차광 패턴(104)과 대응하는 영역의 잔류 포토레지스트(144b)는 비노광된다.
그런 다음, 현상 공정을 통해 비노광된 잔류 포토레지스트(144b)는 제거되고 노광된 포토레지스트 패턴(144a)은 도 4c에 도시된 바와 같이 금속 박막(146) 상에 잔류하게 된다.
이 잔류된 포토레지스트 패턴(144a)을 마스크로 이용한 식각 공정을 통해 금속 박막(146)을 식각함으로써 도 4d에 도시된 바와 같이 기판(101) 상에 금속 패턴(150)이 형성된다.
이와 같이, 본 발명에 따른 박막 패턴은 진공 상태에서 이루어지는 에싱 공정없이 금속 박막을 잔막없이 패터닝할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 에싱 공정을 생략할 수 있으므로 비용을 절감할 수 있으며, 에싱 공정으로 인한 포토레지스트 패턴의 손상을 방지할 수 있어 패턴 정밀도가 높아진다.
도 5a 내지 도 5f는 도 2c에 도시된 마스크형 롤 몰드를 이용하여 박막트랜지스터 기판의 컨택홀을 가지는 보호막의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 기판(101) 상에 게이트 전극(162), 게이트 절연막(172), 활성층(164), 오믹 접촉층(166), 소스 전극(168), 드레인 전극(170)을 포함하는 박막트랜지스터와, 게이트 패드 하부 전극(178) 및 데이터 패드 하부 전극(184)이 형성된다. 여기서, 활성층 및 오믹 접촉층(166)을 포함하는 반도체 패턴과, 소스 전극(168) 및 드레인 전극(170)과 데이터 패드 하부 전극(184)을 포함하는 소스/드레인 패턴은 동일 마스크를 이용한 패터닝 공정을 통해 동시에 형성되거나 개별적인 마스크를 이용한 개별 패터닝 공정을 통해 개별적으로 형성될 수 있다.
그런 다음, 박막트랜지스터와, 게이트 패드 하부 전극(178) 및 데이터 패드 하부 전극(184)이 형성된 기판(101) 상에 상에 스핀 코팅 등의 방법으로 감광성 유기 절연 패턴이 도포됨으로써 보호막(174)이 형성된다. 그 보호막(174) 상에 마스크형 롤 몰드(110)가 정렬된다.
그런 다음, 마스크형 롤 몰드(110)는 보호막(174)가 형성된 기판(101)과 접촉하도록 기판(101)의 일측에서 타측 방향으로 회전하게 된다. 이에 따라, 기판(101) 상의 보호막(174)이 패터닝됨으로써 화소 컨택홀(176), 게이트 컨택홀(180) 및 데이터 컨택홀(186)이 형성된다. 여기서, 화소 컨택홀(176)은 마스크형 롤 몰드(110)의 제1 차광 패턴(104a)과 대응하는 영역에 형성되며, 게이트 컨택홀(180)은 마스크형 롤 몰드(110)의 제2 차광 패턴(104b)과 대응하는 영역에 형성되며, 데이터 컨택홀(186)은 마스크형 롤 몰드(110)의 제3 차광 패턴(104c)과 대응하는 영역에 형성된다.
이와 동시에 광원(130)을 통해 보호막(174)에 광이 조사됨으로써 노광 공정이 이루어진다. 구체적으로, 마스크형 롤 몰드(110)의 홈 형태의 노광 패턴(106)과 대응하는 영역의 보호막(174)은 노광되고, 마스크형 롤 몰드(110)의 돌출 형태의 차광 패턴(104)과 대응하는 영역의 보호막(174)은 비노광된다.
그런 다음, 현상 공정을 통해 비노광된 보호막(174)이 제거됨으로써 도 5c 및 도 5d에 도시된 바와 같이 화소 컨택홀(176), 게이트 컨택홀(180) 및 데이터 컨택홀(186) 내에 잔류하는 보호막(174)이 제거되어 드레인 전극(170), 게이트 패드 하부 전극(178) 및 데이터 패드 하부 전극(184)이 노출된다.
그런 다음, 화소 컨택홀(176), 게이트 컨택홀(180) 및 데이터 컨택홀(186)을 가지는 보호막(174)이 형성된 기판(101) 상에 투명 도전막이 도포된 후, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 그 투명 도전막이 패터닝됨으로써 도 5e 및 도 5f에 도시된 바와 같이 화소 전극(160), 게이트 패드 상부 전극(182) 및 데이터 패드 상부 전극(188)이 형성된다.
이와 같이, 본 발명에 따른 박막 패턴의 제조 방법은 진공 상태에서 이루어지는 에싱 공정없이 보호막을 잔막없이 패터닝할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 에싱 공정을 생략할 수 있으므로 비용을 절감할 수 있으며, 에싱 공정으로 인한 보호막의 손상을 방지할 수 있어 패턴 정밀도가 높아진다.
한편, 본 발명에 따른 박막 패턴은 박막트랜지스터 기판의 금속 배선(패턴), 컨택홀을 가지는 보호막 뿐만 아니라 인쇄회로기판(FPCB), 무선인식시스템(RFID)등의 금속 배선에 적용될 수도 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
102 : 베이스 롤러 104: 차광 패턴
106 : 노광 패턴 108 : 완충층
110: 롤 몰드 130 : 광원

Claims (10)

  1. 기판 상에 감광성 수지층을 형성하는 단계와;
    상기 기판 상부에 돌출 형태의 차광 패턴과 홈 형태의 노광 패턴을 가지는 마스크형 롤 몰드를 마련하는 단계와;
    상기 마스크형 롤 몰드가 상기 기판 상에서 회전함과 동시에 상기 감광성 수지층을 선택적으로 노광하는 단계와;
    상기 감광성 수지층을 선택적으로 현상하여 감광성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 패턴을 마스크로 이용한 식각 공정을 통해 상기 감광성 수지 패턴 하부에 위치하는 박막 패턴을 식각하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 감광성 수지층을 선택적으로 노광하는 단계는
    상기 롤 몰드 내에 위치하는 광원으로부터 출사된 광이 상기 노광 패턴을 투과하고 상기 차광 패턴에서 차단되므로 상기 노광 패턴과 대응하는 영역의 감광성 수지층을 노광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 감광성 패턴을 형성하는 단계는
    현상 공정을 통해 상기 노광된 감광성 수지층을 제거하고, 상기 치광 패턴과 대응하는 영역의 비노광된 감광성 수지층을 잔류시키는 단계인 것을 특징으로 하는 박막 패턴의 제조 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 박막 패턴은 박막트랜지스터 기판의 금속 패턴인 것을 특징으로 하는 박막 패턴의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 패턴은 박막트랜지스터 기판의 보호막인 것을 특징으로 하는 박막 패턴의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 마스크형 롤 몰드를 마련하는 단계는
    베이스 롤러 상에 불투명층 및 임프린팅 수지를 형성하는 단계와;
    상기 베이스 롤러가 마스터 기판 상에서 회전하여 상기 임프린팅 수지를 패터닝함으로써 임프린팅 수지 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 임프린팅 수지 패턴을 마스크로 이용하여 상기 불투명층을 식각함으로써 상기 차광 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 차광 패턴을 마스크로 이용하여 상기 베이스 롤러를 식각함으로써 상기 노광 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 베이스 롤러는 석영으로 형성되며 상기 불투명층은 크롬으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 패턴의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 마스크형 롤 몰드를 마련하는 단계는
    베이스 롤러 상에 불투명층, 완충층 및 임프린팅 수지를 형성하는 단계와;
    상기 베이스 롤러가 마스터 기판 상에서 회전하여 상기 임프린팅 수지를 패터닝함으로써 임프린팅 수지 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 임프린팅 수지 패턴을 마스크로 이용하여 상기 불투명층을 식각함으로써 상기 차광 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 차광 패턴을 마스크로 이용하여 상기 완충층을 식각함으로써 상기 노광 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 베이스 롤러는 석영으로 형성되며, 상기 불투명층은 크롬으로 형성되며, 상기 완충층은 테프론으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 패턴의 제조 방법.
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