KR20180034776A - 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법 - Google Patents

임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법은 베이스 기판 상에 원시 패턴층을 형성하는 단계, 상기 원시 패턴층 상에 제1 영역에 접하는 제2 영역에만 제1 층 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 영역 내의 상기 원시 패턴층 상에 제1 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 임프린트 레진 패턴 및 상기 제1 층 패턴을 이용하여 상기 제1 영역 내의 상기 원시 패턴층을 패터닝하여, 상기 제1 영역 내에 패턴층을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 영역 내에 상기 패턴층 및 상기 제1 층 패턴 상에 제2 층을 형성하는 단계, 상기 제2 층 상에 제2 포토 레지스트 층을 형성하는 단계, 상기 제2 포토 레지스트 층을 배면 노광을 통해 노광하여, 상기 제1 영역 내에 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 포토 레지스트 패턴을 이용하여, 상기 제2 영역 내의 상기 제2 층 및 상기 제1 층 패턴을 제거하여, 상기 제1 영역 내에 제2 층 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 영역 내의 상기 원시 패턴층 상에 제2 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제2 임프린트 레진 패턴 및 상기 제2 층 패턴을 이용하여 상기 제2 영역 내의 상기 원시 패턴층을 패터닝하여, 상기 제2 영역 내에 패턴층을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING IMPRINT MASTER TEMPLATE}
본 발명은 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대면적 임프린트 공정이 가능한 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 들어, 기술의 발전에 힘입어 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 뛰어난 디스플레이 제품들이 생산되고 있다. 지금까지 디스플레이 장치에는 기존 브라운관 텔레비전(cathode ray tube: CRT)이 성능이나 가격 면에서 많은 장점을 가지고 널리 사용되었으나, 소형화 또는 휴대성의 측면에서 CRT의 단점을 극복하고, 소형화, 경량화 및 저전력 소비 등의 장점을 갖는 표시 장치, 예를 들면 플라즈마 표시 장치, 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 등이 주목을 받고 있다.
상기 액정 표시 장치는 액정의 특정한 분자 배열에 전압을 인가하여 분자 배열을 변환시키고, 이러한 분자 배열의 변환에 의해 발광하는 액정셀의 복굴절성, 선광성, 2색성 및 광산란 특성 등의 광학적 성질의 변화를 시각 변화로 변환하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치이다.
상기 액정 표시 장치는 상기 액정의 분자 배열을 제어하기 위한 편광판, 표시 패널, 광학시트 및 백라이트 어셈블리를 포함한다. 최근, 상기 편광판이 상기 패널 내부에 배치되는 구조(in-cell polarizer)가 사용되는데, 예를 들면 와이어 그리드 편광 소자(wire grid polarizer) 가 사용될 수 있다. 상기 와이어 그리드 편광 소자는 임프린트 리소그래피 공정(imprint lithography)의해 제조될 수 있다. 그러나, 상기 임프린트 리소그래피 공정에서 사용하는 마스터 템플릿의 크기가 제한되어 있으므로, 대형 패널의 제작에 어려움이 있었다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 대면적 임프린트 공정이 가능한 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법은 베이스 기판 상에 원시 패턴층을 형성하는 단계, 상기 원시 패턴층 상에 제1 영역에 접하는 제2 영역에만 제1 층 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 영역 내의 상기 원시 패턴층 상에 제1 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 임프린트 레진 패턴 및 상기 제1 층 패턴을 이용하여 상기 제1 영역 내의 상기 원시 패턴층을 패터닝하여, 상기 제1 영역 내에 패턴층을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 영역 내에 상기 패턴층 및 상기 제1 층 패턴 상에 제2 층을 형성하는 단계, 상기 제2 층 상에 제2 포토 레지스트 층을 형성하는 단계, 상기 제2 포토 레지스트 층을 배면 노광을 통해 노광하여, 상기 제1 영역 내에 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 포토 레지스트 패턴을 이용하여, 상기 제2 영역 내의 상기 제2 층 및 상기 제1 층 패턴을 제거하여, 상기 제1 영역 내에 제2 층 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 영역 내의 상기 원시 패턴층 상에 제2 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제2 임프린트 레진 패턴 및 상기 제2 층 패턴을 이용하여 상기 제2 영역 내의 상기 원시 패턴층을 패터닝하여, 상기 제2 영역 내에 패턴층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 층 패턴과 상기 제2 층은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 층 패턴은 알루미늄을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 층 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 제1 층 패턴의 두께는 100Å(옹스트롬) 내지 500Å일 수 있다. 상기 제2 층을 형성하는 단계에서, 상기 제2 층의 두께는 300Å(옹스트롬) 내지 700Å일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 층을 형성하는 단계에서, 상기 제2 영역 내의 상기 제2 층 및 상기 제1 층 패턴의 두께의 합은 800이상 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 원시 패턴층은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실로콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 포토 레지스트 패턴은 네거티브 타입의 포토 레지스트 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 층 패턴을 형성하는 단계는 상기 원시 패턴층 상에 포토 레지스트 층을 형성하는 단계, 추가적인 마스크를 이용하여 상기 포토 레지스트 층을 노광 및 현상하여 상기 제2 영역에 대응하는 부분만 잔류시켜 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제1 포토 레지스트 패턴을 이용하여, 상기 제1 층을 부분적으로 제거하여, 상기 제2 영역에 상기 제1 층 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계는, 상기 제1 영역내의 상기 원시 패턴층 상에 레진층을 형성하는 단계, 및 임프린트 몰드로 상기 레진층을 가압하고, 상기 레진층을 경화시켜 상기 제1 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 패턴층은 50nm(나노미터) 내지 150nm의 피치(pitch)를 갖는 와이어 그리드 패턴일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제조 방법은 상기 원시 패턴층을 형성하는 단계 후에, 상기 원시 패턴층 상에 하드 마스크층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제조 방법은 상기 제2 층 패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 제2 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계 전에, 상기 제2 포토 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 포토 레지스트 패턴은 애슁(ashing) 공정을 통해 제거될 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법은 베이스 기판 상에 원시 패턴층을 형성하는 단계, 상기 원시 패턴층 상에 하드 마스크층을 형성하는 단계, 상기 하드 마스크층 상에 제1 영역과 상기 제1 영역과 이격되는 제3 영역에만 제1 층 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 영역과 상기 제3 영역 사이에 위치하는 제2 영역 내의 상기 하드 마스크층 상에 제1 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 임프린트 레진 패턴 및 상기 제1 층 패턴을 이용하여 상기 제3 영역 내의 상기 하드 마스크층을 패터닝하여, 상기 제3 영역 내에 하드 마스크 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 내지 제3 영역들 내에 상기 하드 마스크 패턴층 및 상기 제1 층 패턴 상에 제2 층을 형성하는 단계, 상기 제2 영역 내에 상기 제2 층 상에 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 포토 레지스트 패턴을 이용하여, 상기 제1 및 제3 영역들 내의 상기 제2 층 및 상기 제1 층 패턴을 제거하여, 상기 제2 영역 내에 제2 층 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제3 영역들 내의 상기 하드 마스크층 상에 제2 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 임프린트 레진 패턴 및 상기 제2 층 패턴을 이용하여 상기 제1 및 제3 영역들 내의 상기 하드 마스크층을 패터닝하여, 상기 제1 및 제3 영역들 내에 하드 마스크 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제1 내지 제3 영역에 형성된 상기 하드 마스크 패턴을 이용하여 상기 원시 패턴층을 패터닝하여 패턴층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계는, 상기 제2 층 상에 네거티브 타입의 포토 레지스트 물질을 포함하는 원시 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 원시 제2 포토 레지스트 패턴을 배면 노광을 통해 노광하여, 상기 제2 영역 내에 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 원시 제2 포토 레지스트 패턴의 일부는 상기 제1 및 제2 영역에 까지 형성될 수 있다. 상기 일부는 상기 배면 노광에 의해 노광되지 않아, 현상액에 의해 제거될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 층 패턴과 상기 제2 층은 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 층 패턴은 알루미늄을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 층 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 제1 층 패턴의 두께는 100Å(옹스트롬) 내지 500Å일 수 있다. 상기 제2 층을 형성하는 단계에서, 상기 제2 층의 두께는 300Å(옹스트롬) 내지 700Å일 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법은 베이스 기판 상에 원시 패턴층을 형성하는 단계;
상기 원시 패턴층 상에 제2 영역에 제1 층 패턴을 형성하는 단계;
상기 제2 영역과 인접하는 제1 영역 내의 상기 원시 패턴층 상에 제1 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계;
상기 제1 임프린트 레진 패턴 및 상기 제1 층 패턴을 이용하여 상기 제1 영역 내의 상기 원시 패턴층을 패터닝하여, 상기 제1 영역 내에 패턴층을 형성하는 단계, 상기 패턴층 및 상기 제1 층 패턴 상에 제2 층을 형성하는 단계, 상기 제1 영역 내에 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 포토 레지스트 패턴을 이용하여, 상기 제2 영역 내의 상기 제2 층 및 상기 제1 층 패턴을 제거하여, 상기 제1 영역 내에 제2 층 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 영역 내의 상기 원시 패턴층 상에 제2 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제2 임프린트 레진 패턴 및 상기 제2 층 패턴을 이용하여 상기 제2 영역 내의 상기 원시 패턴층을 패터닝하여, 상기 제2 영역 내에 패턴층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계는 상기 제2 층 상에 네거티브 타입의 포토 레지스트 물질을 포함하는 제2 포토 레지스트 층을 형성하는 단계, 및 상기 제2 포토 레지스트 층을 배면 노광을 통해 노광하여, 상기 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 일부 영역에만 형성되는 제1 층 패턴과, 전체 영역에서 형성되는 제2 층을 형성한 후, 배면 노광(back exposure)을 실시한다. 이때, 상기 제1 층 패턴 및 상기 제2 층이 중첩하는 영역에서는 광이 투과되지 않고, 상기 제2 층만 형성된 영역에서는 광이 투과되므로, 자가 정렬(self align) 방식에 의해 임프린트가 진행될 영역이 구분되므로, 스티치 라인(stitch line)의 크기가 최소화 될 수 있다. 이에 따라, 표시 장치의 표시 품질이 향상될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1a 내지 도 1p는 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 2a 내지 도 2l는 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1a 내지 도 1p는 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 1a를 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 원시 패턴층(110)을 형성할 수 있다. 상기 원시 패턴층(110) 상에 제1 층(130)을 형성할 수 있다.
상기 원시 패턴층(110)은 투명한 무기 절연물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 원시 패턴층(110)은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실로콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON) 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 층(130)은 금속을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 층(130)은 알루미늄을 포함할 수 있다.
상기 제1 층(130)이 알루미늄을 포함하는 경우, 상기 제1 층(130)의 두께는 약 100Å(옹스트롬) 내지 500Å일 수 있다. 상기 제1 층(130)의 두께는 후술하는 1차 임프린트 단계에서 단차에 의한 임프린트 불량이 문제되지 않을 정도로 얇되, 후술하는 제2 층(140)의 두께와 합하여 상기 제2 영역(A2)에서 광이 상기 제1 및 제2 층을 투과하지 못할 정도로 두껍도록 적절한 두께를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 제1 층(130)의 두께는 약 300Å(옹스트롬)일 수 있다.
도 1b를 참조하면, 상기 제1 층(130) 상에 제2 영역(A2)내에 제1 포토 레지스트 패턴(200)을 형성할 수 있다.
상기 베이스 기판(100)은 제1 영역(A1) 및 상기 제1 영역(A1)과 접하는 제2 영역(A2)을 포함한다. 상기 제1 영역(A1)은 후술하는 제1 임프린트 단계(도 1e 참조)가 진행될 영역이고, 상기 제2 영역(A2)은 후술하는 제2 임프린트 단계(도 1m 참조)가 진행될 영역이다.
상기 제1 포토 레지스트 패턴(200)은 상기 제1 층(130) 상에 포토 레지스트 층을 형성한 후, 추가적인 마스크를 이용하여 상기 포토 레지스트 층을 노광 및 현상하여, 상기 제2 영역(A2)에 대응되는 부분만 잔류시켜 형성할 수 있다.
도 1c를 참조하면, 상기 제1 포토 레지스트 패턴(200)을 마스크로 사용하여, 상기 제1 층(130)을 부분적으로 제거하여, 상기 제2 영역(A2)에 제1 층 패턴(132)을 형성할 수 있다.
예를 들면, 상기 제1 포토 레지스트 패턴(200)을 식각 장벽(etch barrier)으로하여 상기 제1 층(130)을 식각(etching)할 수 있다. 이때, 상기 제1 포토 레지스트 패턴(200)이 상기 제2 영역(A2)을 커버하고 있으므로, 상기 제2 영역(A2)에 대응하는 상기 제1 층(130)은 그대로 유지되고, 상기 제1 영역(A1) 내의 상기 제1 층(130)은 제거되어, 상기 제1 층 패턴(132)을 형성할 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 영역(A1) 내의 상기 원시 패턴층(110)이 노출될 수 있다.
도 1d를 참조하면, 상기 제1 포토 레지스트 패턴(200)을 제거할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 포토 레지스트 패턴(200) 상에 스트리핑(stripping) 조성물이 제공되어, 상기 제1 포토 레지스트 패턴(200)이 스트리핑 될 수 있다.
이에 따라, 상기 제2 영역(A2) 내에 상기 제1 층 패턴(132)이 노출될 수 있다.
도 1e를 참조하면, 상기 제1 영역(A1) 내에 상기 원시 패턴층(110) 상에 원시 제1 임프린트 레진 패턴(300)이 형성될 수 있다.
상기 원시 제1 임프린트 레진 패턴(300)은 상기 제1 영역(A1)내의 상기 원시 패턴층(110) 상에 레진층을 형성한 후, 임프린트 몰드(미도시)로 상기 레진층을 가압하고, 상기 레진층을 경화시켜 형성할 수 있다. 상기 임프린트 몰드는 웨이퍼를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 임프린트 몰드는 와이어 그리드 편광 소자 패턴을 형성하기 위해, 일정한 간격으로 형성되고 동일한 형상을 갖는 돌출 패턴들을 포함할 수 있다. 상기 돌출 패턴들은 약 50nm(나노미터) 내지 150nm의 피치(pitch)를 가질 수 있다. 상기 피치는 상기 돌출 패턴의 폭과 이웃하는 돌출 패턴들 사이의 거리의 합을 말한다.
이에 따라 1차 임프린트가 진행될 수 있다.
이때, 상기 원시 제1 임프린트 레진 패턴(300)은 일부가 상기 제1 영역(A1)과 상기 제2 영역(A2)의 경계를 넘어 상기 제2 영역(A2) 내에 상기 제1 층 패턴(132) 상에도 형성될 수 있으나, 상기 제2 영역(A2)에는 상기 제1 층 패턴(132)이 상기 원시 패턴층(110)을 커버하고 있으므로, 후술 하는 단계에서의 상기 제1 영역(A1)의 상기 원시 패턴층(110)의 패터닝에는 영향을 미치지 않을 수 있다.
도 1f를 참조하면, 상기 원시 제1 임프린트 레진 패턴(300)의 잔막(residual layer)을 제거하여 제1 임프린트 레진 패턴(310)을 형성할 수 있다.
도 1g를 참조하면, 상기 제1 임프린트 레진 패턴(310) 및 상기 제1 층 패턴(132)을 이용하여 상기 원시 패턴층(110)을 패터닝할 수 있다.
예를 들면, 상기 제1 임프린트 레진 패턴(310) 및 상기 제1 층 패턴(132)을 식각 장벽으로 이용하여 상기 원시 패턴층(110)을 식각할 수 있다. 이때, 상기 제2 영역(A2)의 상기 원시 패턴층(110)은 상기 제1 층 패턴(132)에 의해 커버되므로, 상기 제1 영역(A1)에 패턴층(112)이 형성되고, 상기 제2 영역(A2)에는 상기 원시 패턴층(110)이 그대로 남을 수 있다.
이후, 남아있는 상기 제1 임프린트 레진 패턴(310)을 제거할 수 있다.
도 1h를 참조하면, 상기 패턴층(112) 및 상기 제1층 패턴(132) 상에 제2 층(140)을 형성할 수 있다.
상기 제2 층(140)은 금속을 포함할 수 있다. 상기 제2 층(140)은 상기 제1 층(130)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 층(140)은 알루미늄을 포함할 수 있다.
상기 제2 층(140)이 알루미늄을 포함하는 경우, 상기 제2 층(140)의 두께는 약 300Å(옹스트롬) 내지 700Å일 수 있다.
상기 제2 층(140)의 두께는 상기 제2 영역(A2)에서, 상기 제1 층(130) 및 사익 제2 층(140)에 의해 배면 노광(도 1i 참조)시 광이 투과되지 않을 만큼 두꺼워야 하며, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 광이 상기 제2 층(140)을 투과하도록 얇도록 형성되어야 한다.
예를 들면, 상기 제1 층(130) 및 상기 제2 층(140)이 알루미늄을 포함하는 경우, 상기 제2 영역(A2)에서 상기 제1 층(130)의 두께 및 상기 제2 층(140)의 두께의 합이 800Å이상인 것이 바람직하다. 이때, 상기 제1 영역(A2)에서의 상기 제2 층(140)의 두께는 800Å이하 이어야 한다.
예를 들면, 상기 제1 층(130) 및 상기 제2 층(140)이 알루미늄을 포함하고, 상기 제1 층(130)이 300Å의 두께로 형성된 경우, 상기 제2 층(140)의 두께는 약 500Å(옹스트롬)일 수 있다.
도 1i를 참조하면, 상기 제2 층(140) 상에 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2) 내에 제2 포토 레지스트 층(400)을 형성할 수 있다. 상기 제2 포토 레지스트 층(400)은 노광된 부분이 경화되어 잔류하는 네거티브 타입의 포토 레지스트 물질을 포함할 수 있다.
이후, 상기 베이스 기판(100)에서 상기 제2 포토 레지스트 층(400) 방향으로 배면 노광(back exposure)을 통해, 상기 제1 영역(A1)내의 상기 제2 포토 레지스트 층(400)을 노광하여 경화시킬 수 있다. 상기 제1 영역(A1)의 상기 베이스 기판(100)은 투명하고, 상기 제1 층 패턴(112)은 투명한 무기 절연물질을 포함하므로, 광을 통과시키고, 상기 제2 층(140)은 광을 통과시키도록 충분히 얇게 형성되므로, 상기 배면 노광을 통하여 상기 제1 영역(A1) 내의 상기 제2 포토 레지스트 층(400)이 노광될 수 있다.
이때, 상기 제2 영역(A2)내의 상기 제1 층 패턴(132) 및 상기 제2 층(140)은 서로 중첩하여, 광을 투과시키지 않도록 충분히 두꺼운 두께를 가지므로, 상기 배면 노광을 통해 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 제2 포토 레지스트 층(400)은 노광되지 못한다.
도 1j를 참조하면, 노광되지 않은 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 제2 포토 레지스트 층(400)을 제거할 수 있다. 예를 들면, 현상액에 의해 현상되어 상기 제2 포토 레지스트 층(400)이 제거될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 영역(A1)에만 상기 제2 포토 레지스트 패턴(410)이 형성될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 배면 노광에 의해, 상기 제1 임프린트 단계가 진행되는 상기 제1 영역(A1)과 후술할 제2 임프린트 단계가 진행될 상기 제2 영역(A2)이 자가 정렬(self align)방식에 의해 구분되므로, 상기 제1 영역(A1)과 상기 제2 영역(A2)의 경계에서 패턴이 불균일할게 형성된 부분인 스티치 라인(stitch line)의 크기가 최소화 될 수 있다.
도 1k를 참조하면, 상기 제2 포토 레지스트 패턴(410)을 이용하여, 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 제2 층(140) 및 상기 제1 층 패턴(132)을 제거하여, 상기 제1 영역(A1) 내에 제2 층 패턴(142)을 형성할 수 있다.
예를 들면, 상기 제2 포토 레지스트 패턴(410)을 식각 장벽(etch barrier)으로하여 상기 제2 층(140) 및 상기 제1 층(130)을 식각(etching)할 수 있다. 이때, 상기 제2 포토 레지스트 패턴(410)이 상기 제2 영역(A1)을 커버하고 있으므로, 상기 제1 영역(A1)에 대응하는 상기 제2 층(140)은 그대로 유지되고, 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 제2 층(140) 및 상기 제1 층(130)은 제거되어, 상기 제2 층 패턴(142)을 형성할 수 있다.
이에 따라, 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 원시 패턴층(110)이 노출될 수 있다.
도 1l를 참조하면, 상기 제2 포토 레지스트 패턴(410)을 제거할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 포토 레지스트 패턴(410)은 애슁(ashing) 공정을 통해 제거될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 영역(A1) 내에 상기 제2 층 패턴(142)이 노출될 수 있다.
도 1m를 참조하면, 상기 제2 영역(A2) 내에 상기 원시 패턴층(110) 상에 원시 제2 임프린트 레진 패턴(500)이 형성될 수 있다.
상기 원시 제2 임프린트 레진 패턴(500)은 상기 제2 영역(A2)내의 상기 원시 패턴층(110) 상에 레진층을 형성한 후, 상기 임프린트 몰드로 상기 레진층을 가압하고, 상기 레진층을 경화시켜 형성할 수 있다. 상기 임프린트 몰드는 상기 제1 임프린트 단계에서의 임프린트 몰드와 동일한 것일 수 있다.
이에 따라 2차 임프린트가 진행될 수 있다.
이때, 상기 원시 제2 임프린트 레진 패턴(500)은 일부가 상기 제2 영역(A2)과 상기 제1 영역(A1)의 경계를 넘어 상기 제1 영역(A1) 내에 상기 제2 층 패턴(142) 상에도 형성될 수 있으나, 상기 제1 영역(A1)에는 상기 제2 층 패턴(142)이 상기 패턴층(112)을 커버하고 있으므로, 후술 하는 단계에서의 상기 제2 영역(A2)의 상기 원시 패턴층(110)의 패터닝에는 영향을 미치지 않을 수 있다.
도 1n를 참조하면, 상기 원시 제2 임프린트 레진 패턴(500)의 잔막(residual layer)을 제거하여 제2 임프린트 레진 패턴(510)을 형성할 수 있다.
도 1o를 참조하면, 상기 제2 임프린트 레진 패턴(510) 및 상기 제2 층 패턴(142)을 이용하여 상기 원시 패턴층(110)을 패터닝할 수 있다.
예를 들면, 상기 제2 임프린트 레진 패턴(510) 및 상기 제2 층 패턴(142)을 식각 장벽으로 이용하여 상기 원시 패턴층(110)을 식각할 수 있다. 이때, 상기 제1 영역(A1)의 상기 패턴층(112)은 상기 제2 층 패턴(142)에 의해 커버되므로, 상기 제2 영역(A2)에 패턴층(112)이 형성되고, 상기 제2 영역(A1)내의 상기 패턴층(112)은 그대로 남을 수 있다.
이후, 남아있는 상기 제2 임프린트 레진 패턴(510)을 제거할 수 있다.
도 1p를 참조하면, 상기 제2 층 패턴(142)을 제거하여, 상기 베이스 기판(100) 및 상기 베이스 기판(100) 상에 형성된 상기 패턴층(112)을 포함하는 임프린트 마스터 템플릿을 제조할 수 있다.
도시하지 않았으나, 상기 임프린트 마스터 템플릿을 이용하여, 필름 몰드를 형성한 후, 상기 필름 몰드를 이용하여, 표시 장치의 대면적 와이어 그리드 편광 소자를 임프린트 리소그래피 방법으로 형성할 수 있다.
도 2a 내지 도 2l는 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 상기 제조 방법은 하드 마스크층(120)을 이용하여 일괄 에칭하는 것을 제외하면, 도 1a 내지 1p에 나타난 제조 방법과 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 반복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.
도 2a를 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 원시 패턴층(110)을 형성할 수 있다. 상기 원시 패턴층(110) 상에 하드 마스크층(120)을 형성할 수 있다. 상기 하드 마스크층(120) 상에 제1 층(130)을 형성할 수 있다.
상기 하드 마스크층(120)은 상기 원시 패턴층(110)의 식각 조건에서 상기 원시 패턴층(110)에 비해 식각 속도가 낮은 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 층(130) 상에 제1 영역(B1) 및 제3 영역(B3) 내에 제1 포토 레지스트 패턴(200)을 형성할 수 있다. 상기 베이스 기판(100)은 상기 제1 영역(B1), 제2 영역(B2) 및 상기 제3 영역(B3)을 포함할 수 있다. 상기 제3 영역(B3)은 상기 제1 영역(B1)과 이격되고, 상기 제2 영역(B2)은 상기 제1 영역(B1) 및 상기 제3 영역(B3) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2 영역(B2))은 후술하는 제1 임프린트 단계(도 2c 참조)가 진행될 영역이고, 상기 제1 및 제3 영역들(B1, B3)은 후술하는 제2 임프린트 단계(도 2i 참조)가 진행될 영역이다.
도 2b를 참조하면, 상기 제1 포토 레지스트 패턴(200)을 마스크로 사용하여, 상기 제1 층(130)을 부분적으로 제거하여, 상기 제1 영역(B1) 및 상기 제3 영역(B3)에 제1 층 패턴(132)을 형성할 수 있다.
이에 따라, 상기 제2 영역(B2) 내의 상기 하드 마스크층(120)이 노출될 수 있다. 이후, 상기 제1 포토 레지스트 패턴(200)을 제거할 수 있다.
도 2c를 참조하면, 상기 제2 영역(B1) 내에 상기 하드 마스크층(120) 상에 원시 제1 임프린트 레진 패턴(300)이 형성될 수 있다.
상기 원시 제1 임프린트 레진 패턴(300)은 상기 제2 영역(B1)내의 상기 하드 마스크층(120) 상에 레진층을 형성한 후, 임프린트 몰드(미도시)로 상기 레진층을 가압하고, 상기 레진층을 경화시켜 형성할 수 있다.
이에 따라 1차 임프린트가 진행될 수 있다.
이때, 상기 원시 제1 임프린트 레진 패턴(300)은 일부가 상기 제2 영역(B2)과 상기 제1 영역(B1)의 경계를 넘어 상기 제1 영역(B1) 내에 상기 제1 층 패턴(132) 상에도 형성될 수 있고, 상기 원시 제1 임프린트 레진 패턴(300)은 일부가 상기 제2 영역(B1)과 상기 제3 영역(B3)의 경계를 넘어 상기 제3 영역(B3) 내에 상기 제1 층 패턴(132) 상에도 형성될 수 있으나, 상기 제1 및 제3 영역들(B1, B3)에는 상기 제1 층 패턴(132)이 상기 하드 마스크층(120)을 커버하고 있으므로, 후술 하는 단계에서의 상기 제1 및 제3 영역들(B1, B3)의 상기 하드 마스크층(120)의 패터닝에는 영향을 미치지 않을 수 있다.
이후, 상기 원시 제1 임프린트 레진 패턴(300)의 잔막(residual layer)을 제거하여 제1 임프린트 레진 패턴을 형성할 수 있다.
도 2d를 참조하면, 상기 제1 임프린트 레진 패턴 및 상기 제1 층 패턴(132)을 이용하여 상기 하드 마스크층(120)을 패터닝할 수 있다.
예를 들면, 상기 제1 임프린트 레진 패턴 및 상기 제1 층 패턴(132)을 식각 장벽으로 이용하여 상기 하드 마스크층(120)을 식각할 수 있다. 이때, 상기 제1 및 제3 영역들(B1, B3)의 상기 하드 마스크층(120)은 상기 제1 층 패턴(132)에 의해 커버되므로, 상기 제2 영역(B2)에 하드 마스크 패턴(122)이 형성되고, 상기 제1 및 제3 영역들(B1, B3)에는 상기 하드 마스크층(120)이 그대로 남을 수 있다.
이후, 남아있는 상기 제1 임프린트 레진 패턴을 제거할 수 있다.
도 2d를 참조하면, 상기 패턴층(112) 및 상기 하드마스크 패턴(122) 상에 제2 층(140)을 형성할 수 있다. 상기 제2 층(140)은 상기 제1 층(130)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
도 2e를 참조하면, 상기 제2 층(140) 상에 상기 제2 영역(B2) 내에 원시 제2 포토 레지스트 패턴(400)을 형성할 수 있다. 상기 원시 제2 포토 레지스트 패턴(400)은 노광된 부분이 경화되어 잔류하는 네거티브 타입의 포토 레지스트 물질을 포함할 수 있다.
이때, 상기 원시 제2 포토 레지스트 패턴(400)의 일부가 상기 제2 영역(B2)과 상기 제1 영역(B1)의 경계를 넘어 상기 제1 영역(B1) 내에 상기 제2 층(140) 상에도 형성될 수 있고, 상기 원시 제2 포토 레지스트 패턴(400)의 일부가 상기 제2 영역(B1)과 상기 제3 영역(B3)의 경계를 넘어 상기 제3 영역(B3) 내에 상기 제2 층(140) 상에도 형성될 수 있다.
도 2f를 참조하면, 상기 베이스 기판(100)에서 상기 원시 제2 포토 레지스트 패턴(400) 방향으로 배면 노광(back exposure)을 통해, 상기 제2 영역(B2)내의 상기 원시 제2 포토 레지스트 패턴(400)을 노광하여 경화시킬 수 있다. 이에 따라 제2 포토 레지스트 패턴(410)이 형성될 수 있다. 상기 제2 영역(B2)의 상기 베이스 기판(100)은 투명하고, 상기 제1 층(110) 및 상기 하드 마스크 패턴(122)은 투명한 물질을 포함하여 광을 통과시키고, 상기 제2 층(140)은 광을 통과시키도록 충분히 얇게 형성되므로, 상기 배면 노광을 통하여 상기 제2 영역(B2) 내의 상기 원시 제2 포토 레지스트 패턴(400)이 노광될 수 있다.
이때, 상기 제1 및 제3 영역들(B1, B3)내의 상기 제1 층 패턴(132) 및 상기 제2 층(140)은 서로 중첩하여, 광을 투과시키지 않도록 충분히 두꺼운 두께를 가지므로, 상기 배면 노광을 통해 상기 제1 및 제3 영역들(B1, B3) 내의 상기 원시 제2 포토 레지스트 패턴(400)의 상기 일부들(412)은 노광되지 못한다.
도 2g를 참조하면, 노광되지 않은 상기 제1 및 제3 영역들(B1, B3) 내의 상기 원시 제2 포토 레지스트 패턴(400)의 상기 일부들(412)을 제거할 수 있다.
이후, 상기 제2 포토 레지스트 패턴(410)을 이용하여, 상기 제1 및 제3 영역들(B1, B3) 내의 상기 제2 층(140) 및 상기 제1 층 패턴(132)을 제거하여, 상기 제2 영역(B2) 내에 제2 층 패턴(142)을 형성할 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 및 제3 영역들(B1, B3) 내의 상기 하드 마스크층(120)이 노출될 수 있다.
도 2h를 참조하면, 상기 제2 포토 레지스트 패턴(410)을 제거할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 영역(B2) 내에 상기 제2 층 패턴(142)이 노출될 수 있다.
도 2i를 참조하면, 상기 제1 및 제3 영역들(B1, B3) 내에 상기 하드 마스크층(120) 상에 원시 제2 임프린트 레진 패턴(500)이 형성될 수 있다.
상기 원시 제2 임프린트 레진 패턴(500)은 상기 제1 및 제3 영역들(B1, B3) 내의 상기 하드 마스크층(120) 상에 레진층을 형성한 후, 상기 임프린트 몰드로 상기 레진층을 가압하고, 상기 레진층을 경화시켜 형성할 수 있다.
이에 따라 2차 임프린트가 진행될 수 있다.
이때, 상기 원시 제2 임프린트 레진 패턴(500)은 일부가 상기 제2 영역(B2)내에 상기 제2 층 패턴(142) 상에도 형성될 수 있으나, 상기 제2 영역(B2)에는 상기 제2 층 패턴(142)이 상기 하드 마스크 패턴(122)을 커버하고 있으므로, 상기 하트 마스크 패턴(122)에는 영향을 미치지 않을 수 있다.
이후, 상기 원시 제2 임프린트 레진 패턴(500)의 잔막(residual layer)을 제거하여 제2 임프린트 레진 패턴(도 2j 의 510 참조)을 형성할 수 있다.
도 2j를 참조하면, 상기 제2 임프린트 레진 패턴(510) 및 상기 제2 층 패턴(142)을 이용하여 상기 하드 마스크층(120)을 패터닝하여 상기 제1 및 제3 영역(B1, B3)에 하드 마스크 패턴(122)을 형성할 수 있다.
이후, 남아있는 상기 제2 임프린트 레진 패턴(510)을 제거할 수 있다.
도 2k를 참조하면, 상기 제2 층 패턴(142)을 제거하여, 상기 하드 마스크 패턴(122)을 노출시킬 수 있다.
도 2l를 참조하면, 상기 하드 마스크 패턴(122)을 이용하여, 상기 원시 패턴층(110)을 패터닝하여 패턴층(112)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 하드 마스크 패턴(122)을 식각 장벽(etch barrier)으로하여 상기 원시 패턴층(110)을 식각(etching)할 수 있다. 이후, 상기 하드 마스크 패턴(122)을 제거할 수 있다.
이에 따라, 상기 베이스 기판(100) 및 상기 베이스 기판(100) 상에 형성된 상기 패턴층(112)을 포함하는 임프린트 마스터 템플릿을 제조할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 패턴층(112)이 상기 베이스 기판(100) 전체에 대해서 일괄적으로 식각되어 형성되므로, 상기 패턴층(112)이 복수의 영역에 대해 나뉘어 형성되는 경우에 비해, 균일하게 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 일부 영역에만 형성되는 제1 층 패턴과, 전체 영역에서 형성되는 제2 층을 형성한 후, 배면 노광(back exposure)을 실시한다. 이때, 상기 제1 층 패턴 및 상기 제2 층이 중첩하는 영역에서는 광이 투과되지 않고, 상기 제2 층만 형성된 영역에서는 광이 투과되므로, 자가 정렬(self align) 방식에 의해 임프린트가 진행될 영역이 구분되므로, 스티치 라인(stitch line)의 크기가 최소화 될 수 있다. 이에 따라, 표시 장치의 표시 품질이 향상될 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 베이스 기판 110: 원시 패턴층
112: 패턴층 120: 하드 마스크층
122: 하드 마스크 패턴 130: 제1 층
132: 제1 층 패턴 140: 제2 층
142: 제2 층 패턴 200: 제1 포토 레지스트 패턴
300: 원시 제1 임프린트 레진 패턴 310: 제1 임프린트 레진 패턴
400: 제2 포토 레지스트 층 410: 제2 포토 레지스트 패턴
500; 원시 제2 임프린트 레진 패턴 510: 제2 임프린트 레진 패턴

Claims (20)

  1. 베이스 기판 상에 원시 패턴층을 형성하는 단계;
    상기 원시 패턴층 상에 제1 영역에 접하는 제2 영역에만 제1 층 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 영역 내의 상기 원시 패턴층 상에 제1 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 임프린트 레진 패턴 및 상기 제1 층 패턴을 이용하여 상기 제1 영역 내의 상기 원시 패턴층을 패터닝하여, 상기 제1 영역 내에 패턴층을 형성하는 단계;
    상기 제1 및 제2 영역 내에 상기 패턴층 및 상기 제1 층 패턴 상에 제2 층을 형성하는 단계;
    상기 제2 층 상에 제2 포토 레지스트 층을 형성하는 단계;
    상기 제2 포토 레지스트 층을 배면 노광을 통해 노광하여, 상기 제1 영역 내에 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 포토 레지스트 패턴을 이용하여, 상기 제2 영역 내의 상기 제2 층 및 상기 제1 층 패턴을 제거하여, 상기 제1 영역 내에 제2 층 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 영역 내의 상기 원시 패턴층 상에 제2 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 임프린트 레진 패턴 및 상기 제2 층 패턴을 이용하여 상기 제2 영역 내의 상기 원시 패턴층을 패터닝하여, 상기 제2 영역 내에 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 층 패턴과 상기 제2 층은 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 층 패턴은 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 층 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 제1 층 패턴의 두께는 100Å(옹스트롬) 내지 500Å이고,
    상기 제2 층을 형성하는 단계에서, 상기 제2 층의 두께는 300Å(옹스트롬) 내지 700Å인 것을 특징으로 하는 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 층을 형성하는 단계에서,
    상기 제2 영역 내의 상기 제2 층 및 상기 제1 층 패턴의 두께의 합은 800이상 이하인 것을 특징으로 하는 마스터 템플릿의 제조 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 원시 패턴층은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실로콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON) 등의 무기 절연 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스터 템플릿의 제조 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 포토 레지스트 패턴은 네거티브 타입의 포토 레지스트 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스터 템플릿의 제조 방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 층 패턴을 형성하는 단계는
    상기 원시 패턴층 상에 포토 레지스트 층을 형성하는 단계;
    추가적인 마스크를 이용하여 상기 포토 레지스트 층을 노광 및 현상하여 상기 제2 영역에 대응하는 부분만 잔류시켜 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 포토 레지스트 패턴을 이용하여, 상기 제1 층을 부분적으로 제거하여, 상기 제2 영역에 상기 제1 층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스터 템플릿의 제조 방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 제1 영역내의 상기 원시 패턴층 상에 레진층을 형성하는 단계; 및
    임프린트 몰드로 상기 레진층을 가압하고, 상기 레진층을 경화시켜 상기 제1 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스터 템플릿의 제조 방법.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 패턴층은 50nm(나노미터) 내지 150nm의 피치(pitch)를 갖는 와이어 그리드 패턴인 것을 특징으로 하는 마스터 템플릿의 제조 방법.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 원시 패턴층을 형성하는 단계 후에,
    상기 원시 패턴층 상에 하드 마스크층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스터 템플릿의 제조 방법.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 층 패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 제2 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계 전에,
    상기 제2 포토 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스터 템플릿의 제조 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 포토 레지스트 패턴은 애슁(ashing) 공정을 통해 제거되는 것을 특징으로 하는 마스터 템플릿의 제조 방법.
  14. 베이스 기판 상에 원시 패턴층을 형성하는 단계;
    상기 원시 패턴층 상에 하드 마스크층을 형성하는 단계;
    상기 하드 마스크층 상에 제1 영역과 상기 제1 영역과 이격되는 제3 영역에만 제1 층 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 영역과 상기 제3 영역 사이에 위치하는 제2 영역 내의 상기 하드 마스크층 상에 제1 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 임프린트 레진 패턴 및 상기 제1 층 패턴을 이용하여 상기 제3 영역 내의 상기 하드 마스크층을 패터닝하여, 상기 제3 영역 내에 하드 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 내지 제3 영역들 내에 상기 하드 마스크 패턴층 및 상기 제1 층 패턴 상에 제2 층을 형성하는 단계;
    상기 제2 영역 내에 상기 제2 층 상에 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 포토 레지스트 패턴을 이용하여, 상기 제1 및 제3 영역들 내의 상기 제2 층 및 상기 제1 층 패턴을 제거하여, 상기 제2 영역 내에 제2 층 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 및 제3 영역들 내의 상기 하드 마스크층 상에 제2 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 임프린트 레진 패턴 및 상기 제2 층 패턴을 이용하여 상기 제1 및 제3 영역들 내의 상기 하드 마스크층을 패터닝하여, 상기 제1 및 제3 영역들 내에 하드 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 내지 제3 영역에 형성된 상기 하드 마스크 패턴을 이용하여 상기 원시 패턴층을 패터닝하여 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 제2 층 상에 네거티브 타입의 포토 레지스트 물질을 포함하는 원시 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 원시 제2 포토 레지스트 패턴을 배면 노광을 통해 노광하여, 상기 제2 영역 내에 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 원시 제2 포토 레지스트 패턴의 일부는 상기 제1 및 제2 영역에 까지 형성되고,
    상기 일부는 상기 배면 노광에 의해 노광되지 않아, 현상액에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 층 패턴과 상기 제2 층은 동일한 물질을 포함하고,
    상기 제1 층 패턴은 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 층 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 제1 층 패턴의 두께는 100Å(옹스트롬) 내지 500Å이고,
    상기 제2 층을 형성하는 단계에서, 상기 제2 층의 두께는 300Å(옹스트롬) 내지 700Å인 것을 특징으로 하는 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법.
  19. 베이스 기판 상에 원시 패턴층을 형성하는 단계;
    상기 원시 패턴층 상에 제2 영역에 제1 층 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 영역과 인접하는 제1 영역 내의 상기 원시 패턴층 상에 제1 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 임프린트 레진 패턴 및 상기 제1 층 패턴을 이용하여 상기 제1 영역 내의 상기 원시 패턴층을 패터닝하여, 상기 제1 영역 내에 패턴층을 형성하는 단계;
    상기 패턴층 및 상기 제1 층 패턴 상에 제2 층을 형성하는 단계;
    상기 제1 영역 내에 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 포토 레지스트 패턴을 이용하여, 상기 제2 영역 내의 상기 제2 층 및 상기 제1 층 패턴을 제거하여, 상기 제1 영역 내에 제2 층 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 영역 내의 상기 원시 패턴층 상에 제2 임프린트 레진 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 임프린트 레진 패턴 및 상기 제2 층 패턴을 이용하여 상기 제2 영역 내의 상기 원시 패턴층을 패터닝하여, 상기 제2 영역 내에 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계는
    상기 제2 층 상에 네거티브 타입의 포토 레지스트 물질을 포함하는 제2 포토 레지스트 층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 포토 레지스트 층을 배면 노광을 통해 노광하여, 상기 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법.
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