KR20160119896A - 임프린트 리소그래피 방법, 이를 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿 - Google Patents

임프린트 리소그래피 방법, 이를 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿 Download PDF

Info

Publication number
KR20160119896A
KR20160119896A KR1020150048220A KR20150048220A KR20160119896A KR 20160119896 A KR20160119896 A KR 20160119896A KR 1020150048220 A KR1020150048220 A KR 1020150048220A KR 20150048220 A KR20150048220 A KR 20150048220A KR 20160119896 A KR20160119896 A KR 20160119896A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
region
imprint
layer
mask
Prior art date
Application number
KR1020150048220A
Other languages
English (en)
Inventor
김태우
남중건
강민혁
이대영
조국래
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150048220A priority Critical patent/KR20160119896A/ko
Priority to US14/881,909 priority patent/US20160288373A1/en
Publication of KR20160119896A publication Critical patent/KR20160119896A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/3842—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
    • B29K2995/0018—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular optical properties, e.g. fluorescent or phosphorescent
    • B29K2995/0026—Transparent
    • B29K2995/0027—Transparent for light outside the visible spectrum

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

임프린트 리소그래피 방법은 제1 영역, 상기 제1 영역과 인접하는 제2 영역, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계에 접하고 상기 제2 영역의 일부인 제3 영역 및 상기 경계에 접하고 상기 제1 영역의 일부인 제4 영역을 포함하는 베이스 기판을 제공하는 단계, 상기 베이스 기판 상에, 상기 제1 및 제3 영역 내에 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 임프린트 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에, 상기 제2 영역을 커버하는 제1 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 임프린트 패턴 및 상기 제1 레지스트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제1 임프린트 패턴 하부를 식각하는 단계, 상기 제1 레지스트 패턴을 제거하는 단계, 상기 베이스 기판 상에, 상기 제2 영역 및 상기 제4 영역 내에 제2 임프린트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 임프린트 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에, 상기 제1 영역을 커버하는 제2 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 임프린트 패턴 및 상기 제2 레지스트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제2 임프린트 패턴 하부를 식각하는 단계, 및 상기 제2 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.

Description

임프린트 리소그래피 방법, 이를 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿{Imprint lithography method, method for manufacturing master template using the method and master template manufactured by the method}
본 발명은 임프린트 리소그래피 방법, 상기 임프린트 리소그래피 방법을 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대면적 공정에 이용되는 임프린트 리소그래피 방법, 상기 임프린트 리소그래피 방법을 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿에 관한 것이다.
최근 들어, 기술의 발전에 힘입어 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 뛰어난 디스플레이 제품들이 생산되고 있다. 지금까지 디스플레이 장치에는 기존 브라운관 텔레비전(cathode ray tube: CRT)이 성능이나 가격 면에서 많은 장점을 가지고 널리 사용되었으나, 소형화 또는 휴대성의 측면에서 CRT의 단점을 극복하고, 소형화, 경량화 및 저전력 소비 등의 장점을 갖는 액정 표시 장치가 주목을 받고 있다.
상기 액정 표시 장치는 액정의 특정한 분자 배열에 전압을 인가하여 분자 배열을 변환시키고, 이러한 분자 배열의 변환에 의해 발광하는 액정셀의 복굴절성, 선광성, 2색성 및 광산란 특성 등의 광학적 성질의 변화를 시각 변화로 변환하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치이다.
상기 액정 표시 장치는 상기 액정의 분자 배열을 제어하기 위한 편광판, 표시 패널, 광학시트 및 백라이트 어셈블리를 포함한다. 최근, 상기 편광판이 상기 패널 내부에 배치되는 구조(in-cell polarizer)가 사용되는데, 예를 들면 와이어 그리드 편광 소자(wire grid polarizer) 가사용될 수 있다. 상기 와이어 그리드 편광 소자는 임프린트 리소그래피 공정(imprint lithography)의해 제조될 수 있다. 그러나, 상기 임프린트 리소그래피 공정에서 사용하는 마스터 템플릿의 크기가 제한되어 있으므로, 대형 패널의 제작에 어려움이 있었다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 대면적 공정이 가능한 임프린트 리소그래피 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 임프린트 리소그래피 방법을 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 제조 방법에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 임프린트 리소그래피 방법은 제1 영역, 상기 제1 영역과 인접하는 제2 영역, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계에 접하고 상기 제2 영역의 일부인 제3 영역 및 상기 경계에 접하고 상기 제1 영역의 일부인 제4 영역을 포함하는 베이스 기판을 제공하는 단계, 상기 베이스 기판 상에, 상기 제1 및 제3 영역 내에 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 임프린트 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에, 상기 제2 영역을 커버하는 제1 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 임프린트 패턴 및 상기 제1 레지스트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제1 임프린트 패턴 하부를 식각하는 단계, 상기 제1 레지스트 패턴을 제거하는 단계, 상기 베이스 기판 상에, 상기 제2 영역 및 상기 제4 영역 내에 제2 임프린트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 임프린트 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에, 상기 제1 영역을 커버하는 제2 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 임프린트 패턴 및 상기 제2 레지스트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제2 임프린트 패턴 하부를 식각하는 단계, 및 상기 제2 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계는 상기 베이스 기판의 상기 제1 영역 및 상기 제3 영역 상에 제1 수지 용액을 제공하는 단계, 및 임프린트 몰드를 상기 제1 수지 용액에 접촉시킨 후 상기 제1 수지 용액을 경화시켜 상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계는 임프린트 몰드를 상기 제1 수지 용액에 접촉시킨 후 상기 제1 수지 용액을 경화시켜 상기 기판 상에 형성되는 잔류층 및 상기 잔류층 상에 돌출되는 복수의 돌출 패턴들을 포함하는 원시 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 돌출 패턴들 사이에 대응하는 상기 잔류층의 부분을 제거하여 상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 임프린트 패턴을 형성하는 단계는 상기 베이스 기판의 상기 제2 영역 및 상기 제4 영역 상에 제2 수지 용액을 제공하는 단계, 및 상기 임프린트 몰드를 상기 제2 수지 용액에 접촉시킨 후 상기 제2 수지 용액을 경화시켜 상기 제2 임프린트 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 임프린트 몰드는 일정한 간격으로 형성되고 동일한 형상을 갖는 돌출 패턴들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 돌출 패턴들은 50nm(나노미터) 내지 150nm의 피치(pitch)를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 방법은 상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계 전에, 상기 베이스 기판 상에 자외선을 투과시키는 투명한 물질을 포함하는 제1 층을 형성하는 단계, 및 상기 제1 층 상에 마스크층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 임프린트 패턴 하부를 식각하는 단계는 상기 마스크층을 부분적으로 식각하여 제1 마스크 패턴을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 레지스트 패턴을 형성하는 단계는 상기 제2 임프린트 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 자외선이 상기 베이스 기판, 상기 제1 층 및 상기 제1 마스크 패턴을 투과하여 상기 포토레지스트층에 조사되어, 상기 제1 영역 내의 상기 포토레지스트층을 경화하는 단계, 및 상기 포토레지스트층을 현상하여, 상기 제2 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 임프린트 패턴 하부를 식각하는 단계는 상기 마스크층을 부분적으로 식각하여 제2 마스크 패턴을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 마스크 패턴 및 상기 제2 마스크 패턴은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 형성되어, 상기 기판 상에 연속된 영역에 형성될 수 있다. 상기 방법은 상기 제1 및 제2 마스크 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제1 층을 부분적으로 식각하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 층은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 방법은 상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계 전에, 상기 베이스 기판 상에 금속층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 임프린트 패턴 하부를 식각하는 단계는 상기 금속층을 부분적으로 식각하여 제1 금속층 패턴을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다. 상기 제2 임프린트 패턴 하부를 식각하는 단계는 상기 금속층을 부분적으로 식각하여 제2 금속층 패턴을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속층 패턴은 와이어 그리드 패턴을 형성하고, 상기 와이어 그리드 패턴의 세선의 폭과 이웃하는 세선들 사이의 거리는 피치(pitch)로 정의될 수 있다. 상기 피치는 상기 제1 금속층 패턴과 상기 제2 금속층 패턴의 경계에 가장 근접하는 세선들의 피치는 50% 이하의 오차를 가질 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법은 베이스 기판상에 제1 층 및 마스크층을 차례로 형성하는 단계, 상기 마스크층의 제1 부분 상에 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 임프린트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 마스크층의 상기 제1 부분을 부분적으로 식각하여 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 마스크 패턴과 인접한 상기 마스크층의 제2 부분 상에 제2 임프린트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 임프린트 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트층을 백노광(back exposure) 및 현상하여 상기 제1 마스크 패턴 상에 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 임프린트 패턴 및 상기 레지스트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 마스크층의 상기 제2 부분을 부분적으로 식각하여 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제1 및 제2 마스크 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제1 층을 부분적으로 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계는 상기 마스크층의 일부 상에 제1a 임프린트 패턴 및 상기 제1 임프린트 패턴과 이격되는 제1b 임프린트 패턴을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다. 상기 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계는 상기 제1a 및 제1b 임프린트 패턴들을 식각 장벽으로 하여 상기 마스크층을 부분적으로 식각하여 제1a 마스크 패턴 및 상기 제1 a 마스크 패턴과 이격된 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿은 제1 영역 및 상기 제1 영역과 접하는 제2 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 내에 배치되는 마스터 패턴을 포함할 수 있다. 상기 마스터 패턴은 상기 제1 및 제2 영역 내에 일정한 간격으로 형성되고 동일한 형상을 갖는 돌출 패턴들을 포함하고, 상기 돌출 패턴의 폭과 이웃하는 돌출 패턴들 사이의 거리는 피치(pitch)로 정의될 수 있다. 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역이 접하는 경계에 가장 근접하는 상기 돌출 패턴들은 상기 피치의 1/2 내지 3/2의 피치를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 상기 돌출 패턴들의 상기 피치는 50nm(나노미터) 내지 150nm일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 전체의 대각선 길이는 300mm 이상일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 임프린트 리소그래피 방법은 제1 영역과 제2 영역을 포함하는 베이스 기판을 준비하는 단계, 상기 제1 영역에 임프린트를 진행하는 단계 및 상기 제2 영역에 임프린트를 진행하는 단계를 포함한다. 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계에서 백노광(back exposure)에 의한 자기정렬(self-align)을 이용하므로, 상기 경계에서의 패턴 오차를 최소화 수 있다.
또한, 상기 방법을 이용하여 형성된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿을 이용하면, 대면적 임프린트 리소그래피 공정을 진행할 수 있다.
도 1a 내지 1p는 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 임프린트 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2a 내지 2n는 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 임프린트 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a 내지 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 임프린트 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1a 내지 1p는 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 임프린트 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 제1 층(110)을 형성한다. 상기 베이스 기판(100)은 광투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(100)은 광투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트층 및 폴리아크릴 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게, 상기 베이스 기판(100)은 자외선이 투과되는 경질의 재료인 쿼츠(quartz) 또는 유리 이거나, 자외선이 투과되는 연질의 재료인 PET(Polyethylene Terephthalate) 또는 PC(Polycarbonate)일 수 있다. 상기 베이스 기판(100)은 자외선의 투과되는 물질을 포함하므로, 후술할 백노광 단계(도 1k 참조)에서 자외선을 통과시킬 수 있다.
상기 제1 층(110)은 자외선을 투과시키는 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 층(110)은 투명한 실리콘 화합물 등의 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 층(110)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 상기 제1 층(110)은 실리콘 화합물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 제1 층(110)은 자외선의 투과되는 물질을 포함하므로, 후술할 백노광 단계(도 1k 참조)에서 자외선을 통과시킬 수 있다.
상기 제1 층(110)은 스핀 코팅(spin coating) 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착(HDP-CVD) 공정, 프린팅(printing) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
이후, 상기 제1 층(110) 상에 마스크층(120)을 형성한다. 상기 마스크층(120)은 상기 제1 층(110)에 비해 건식 식각률이 낮은 물질을 포함한다. 예를 들면, 상기 마스크층(120)은 알루미늄 등의 금속으로 형성된 하드 마스크일 수 있다.
상기 마스크층(120)은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착(PLD) 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층(ALD) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
도 1b를 참조하면, 수지 용액(200)이 상기 마스크층(120) 상에, 제1 영역(A1) 및 제3 영역(A3) 내에 제공된다. 상기 수지 용액(200)은 복수의 방울(droplet) 형태로 상기 마스크층(120) 상에 제공될 수 있다. 예를 들면, 상기 수지 용액(200)은 상기 마스크층(120) 상에 잉크젯 방식으로 드랍(drop)될 수 있다.
상기 제1 영역(A1)은 상기 베이스 기판(100)의 일부 영역으로, 1차 임프린트가 진행되는 영역이다. 상기 제1 영역(A1)은 2차 임프린트가 진행될 제2 영역(A2)에 인접한다. 상기 제3 영역(A3)은 상기 제1 영역(A1)과 인접하는 상기 제2 영역(A2)의 일부이다. 따라서 상기 수지 용액(200)은 상기 제1 영역(A1)보다 크게 제공되어, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제3 영역(A3)에서 상기 마스크층(120)을 커버한다.
상기 수지 용액(200)은 점성(viscosity)이 낮은 자외선 경화성 수지 조성물일 수 있다.
도 1c를 참조하면, 임프린트 몰드(M)와 상기 베이스 기판(100) 사이의 거리가 가까워 짐에 따라, 상기 수지 용액(200)은 상기 임프린트 몰드(M)에 의해 원시 패턴(210)을 형성한다. 이에 따라, 1차 임프린트가 진행된다. 상기 수지 용액(200)은 점성이 낮으므로, 모세관 현상에 의해, 상기 임프린트 몰드(M)와 상기 기판 사이에서 상기 원시 패턴(210)을 형성할 수 있다.
상기 임프린트 몰드(M)는 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제3 영역(A3)에 대응하는 부분에 위치하는 몰드 패턴을 포함한다. 상기 임프린트 몰드(M)는 자외선을 투과시키도록 투명한 재질로 형성될 수 있다. 상기 몰드 패턴은 상기 원시 패턴(210)에 반전 대응하는 형상을 갖는다. 예를 들면, 와이어 그리드 패턴에 대응되는 상기 원시 패턴을 형성하기 위해, 일정한 간격으로 형성되고 동일한 형상을 갖는 돌출 패턴들을 포함할 수 있다. 상기 돌출 패턴들은 약 50nm(나노미터) 내지 150nm의 피치(pitch)를 가질 수 있다. 상기 피치는 상기 돌출 패턴의 폭과 이웃하는 돌출 패턴들 사이의 거리의 합을 말한다.
상기 수지 용액(200)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제3 영역(A3)에 위치하므로, 상기 원시 패턴(210)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제3 영역(A3)에 형성된다. 상기 1차 임프린트가 진행되면서, 상기 수지 용액(200)의 일부가 상기 제3 영역(A3) 외부로 유출되어 상기 제2 영역(A2)으로 넘쳐(overflow) 오버플로우 부분(overflowed portion; 210a)을 형성할 수 있다.
상기 원시 패턴(210)은 상기 마스크층(120) 상에 형성되는 잔류층 및 상기 잔류층 상에 돌출되는 복수의 돌출 패턴들을 포함한다. 상기 원시 패턴(210)의 각각의 상기 돌출 패턴들은 상기 임프린트 몰드(M)의 상기 몰드 패턴의 각각의 상기 돌출 패턴들 사이에 위치하게된다.
이후, 상기 원시 패턴(210)에 자외선을 조사하여, 상기 원시 패턴(210)의 수지 용액을 경화시킨다. 상기 임프린트 몰드(M)는 자외선을 투과시키므로, 상기 자외선은 상기 임프린트 몰드(M)를 통해 상기 원시 패턴(210)에 도달하고, 상기 원시 패턴(210)의 수지 용액을 경화시킬 수 있다.
도 1d를 참조하면, 상기 원시 패턴(210)의 상기 잔류층을 제거하여 임프린트 패턴(220)을 형성한다. 상기 임프린트 패턴(220)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제3 영역(A3)에 형성된다. 상기 원시 패턴(210)이 전체적으로 식각되어 상기 돌출 패턴들 사이의 상기 잔류층이 제거되어 상기 임프린트 패턴(220)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 오버플로우 부분(210a)는 일부 제거되어 상기 제2 영역(A2) 내에 잔류-오버플로우 부분(220a)을 형성한다.
도 1e를 참조하면, 상기 임프린트 패턴(220)이 형성된 상기 마스크층(120) 상에, 상기 제2 영역(A2) 내에 제1 레지스트 패턴(300)을 형성한다. 상기 제1 레지스트 패턴(300)은 상기 제3 영역(A3)에 형성된 상기 임프린트 패턴(220) 및 상기 잔류-오버플로우 부분(220a)을 커버한다.
이때, 상기 제1 레지스트 패턴(300)은 일반적인 수준의 정밀도로 형성되고, 상기 제1 레지스트 패턴(300)이 형성되지 않은 부분이 상기 제1 영역(A1)에 대응하게 된다. 따라서, 상기 제1 임프린트와 후술할 제2 임프린트 공정에 있어서, 경계 부분을 정밀 정렬할 필요가 없다.
상기 제1 레지스트 패턴(300)은 상기 임프린트 패턴(220)이 형성된 상기 마스크층(120) 상에 포토레지스트층을 형성한 후, 추가적인 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층을 노광 및 현상하여, 상기 제2 영역(A2)에 대응되는 부분만 잔류시켜 형성할 수 있다.
도 1f를 참조하면, 상기 임프린트 패턴(220)을 마스크로 하여, 상기 마스크층(120)을 부분적으로 제거한다. 이에 따라, 상기 제1 영역(A1)에 마스크 패턴(120a)를 형성할 수 있다. 예를 들면 상기 임프린트 패턴(220)을 식각 장벽(etch barrier)으로하여 상기 마스크층(120)을 건식 식각(dry etching)할 수 있다. 이때, 상기 제1 레지스트 패턴(300)이 상기 제2 영역(A2)을 커버하고 있으므로, 상기 제2 영역(A2)에 대응하는 상기 마스크층(120)은 그대로 유지되고, 상기 제1 영역(A1) 내의 상기 마스크층(120)이 상기 마스크 패턴(120a)으로 패터닝 된다.
이후, 상기 제1 영역(A1) 내의 잔류하는 상기 임프린트 패턴(220)을 제거할 수 있다.
도 1g를 참조하면, 상기 제1 레지스트 패턴(300)과 상기 제3 영역(A3) 내에 잔류하는 상기 임프린트 패턴(220) 및 상기 잔류-오버플로우 부분(220a)을 제거한다. 이에 따라, 상기 제2 영역(A2)의 상기 마스크층(120)이 노출된다.
도 1h를 참조하면, 수지 용액(200)이 상기 마스크층(120) 상에, 제2 영역(A2) 및 제4 영역(A4) 내에 제공된다. 상기 수지 용액(200)은 복수의 방울(droplet) 형태로 상기 마스크층(120) 상에 제공될 수 있다. 예를 들면, 상기 수지 용액(200)은 상기 마스크층(120) 상에 잉크젯 방식으로 드랍(drop)될 수 있다.
상기 제2 영역(A2)은 상기 베이스 기판(100)의 일부 영역으로, 2차 임프린트가 진행되는 영역이다. 상기 제2 영역(A2)은 1차 임프린트가 진행된 상기 제1 영역(A1)에 인접한다. 상기 제4 영역(A4)은 상기 제2 영역(A2)과 인접하는 상기 제1 영역(A1)의 일부이다. 상기 수지 용액(220)은 상기 제4 영역(A4) 내에도 제공되므로, 상기 마스크 패턴(120a)의 일부 상에 제공될 수 있다. 따라서, 상기 수지 용액(200)은 상기 제2 영역(A2)보다 크게 제공되어, 상기 제2 영역(A2) 및 상기 제4 영역(A4)에서 상기 마스크층(120) 및 상기 마스크 패턴(120a)의 일부를 커버한다.
상기 수지 용액(200)은 점성(viscosity)이 낮은 자외선 경화성 수지 조성물일 수 있다.
도 1i를 참조하면, 상기 임프린트 몰드(M)와 상기 베이스 기판(100) 사이의 거리가 가까워 짐에 따라, 상기 수지 용액(200)은 상기 임프린트 몰드(M)에 의해 원시 패턴(210)을 형성한다. 이에 따라, 2차 임프린트가 진행된다. 상기 수지 용액(200)은 점성이 낮으므로, 모세관 현상에 의해, 상기 임프린트 몰드(M)와 상기 기판 사이에서 상기 원시 패턴(210)을 형성할 수 있다.
상기 임프린트 몰드(M)는 상기 제2 영역(A2) 및 상기 제4 영역(A4)에 대응하는 부분에 위치하는 몰드 패턴을 포함한다. 상기 임프린트 몰드(M)는 상기 제1 임프린트에서 사용된 임프린트 몰드(M)와 동일하다. 따라서, 상기 임프린트 몰드(M)크기 보다 큰 영역에 임프린트 리소그래피를 진행할 수 있다.
상기 임프린트 몰드(M)는 일반적인 웨이퍼의 크기 (300mm) 이하 일 수 있으며, 이에 따라 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)의 면적의 합은 상기 일반적인 웨이퍼의 크기 이상일 수 있다.
상기 수지 용액(200)은 상기 제2 영역(A2) 및 상기 제4 영역(A4)에 위치하므로, 상기 원시 패턴(210)은 상기 제2 영역(A2) 및 상기 제4 영역(A4)에 형성된다. 상기 2차 임프린트가 진행되면서, 상기 수지 용액(200)의 일부가 상기 제4 영역(A3) 외부로 유출되어 상기 제1 영역(A1)으로 넘쳐(overflow) 오버플로우 부분(overflowed portion; 210a)을 형성할 수 있다.
상기 원시 패턴(210)은 상기 마스크층(120) 상에 형성되는 잔류층 및 상기 잔류층 상에 돌출되는 복수의 돌출 패턴들을 포함한다. 상기 원시 패턴(210)의 각각의 상기 돌출 패턴들은 상기 임프린트 몰드(M)의 상기 몰드 패턴의 각각의 상기 돌출 패턴들 사이에 위치하게된다.
이후, 상기 원시 패턴(210)에 자외선을 조사하여, 상기 원시 패턴(210)의 수지 용액을 경화시킨다. 상기 임프린트 몰드(M)는 자외선을 투과시키므로, 상기 자외선은 상기 임프린트 몰드(M)를 통해 상기 원시 패턴(210)에 도달하고, 상기 원시 패턴(210)의 수지 용액을 경화시킬 수 있다.
도 1j를 참조하면, 상기 원시 패턴(210)의 상기 잔류층을 제거하여 임프린트 패턴(220)을 형성한다. 상기 임프린트 패턴(220)은 상기 제2 영역(A2) 및 상기 제4 영역(A4)에 형성된다. 상기 원시 패턴(210)이 전체적으로 식각되어 상기 돌출 패턴들 사이의 상기 잔류층이 제거되어 상기 임프린트 패턴(220)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 오버플로우 부분(210a)는 일부 제거되어 상기 제1 영역(A1) 내에 잔류-오버플로우 부분(220a)을 형성한다.
도 1k를 참조하면, 상기 임프린트 패턴(220)이 형성된 상기 마스크층(120) 및 상기 마스크 패턴(120a) 상에 포토레지스트층을 형성한다. 상기 포토레지스트층은 노광된 부분이 경화되는 네거티브 타입의 포토레지스트 물질을 포함할 수 있다. 상기 포토레지스트층은 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 임프린트 패턴(220), 상기 제1 영역(A1) 내의 잔류-오버플로우 부분(220a) 및 상기 제1 영역(A1) 내의 상기 마스크 패턴(120a)을 커버한다.
이후, 상기 베이스 기판(100)의 배면으로 자외선을 조사한다. 이때, 상기 자외선이 상기 베이스 기판(100), 상기 제1 층(110) 및 상기 제1 영역(A1)의 상기 마스크 패턴(120a)을 투과하여 상기 포토레지스트층을 경화시킨다.
상기 베이스 기판(100)과 상기 제1 층(110)은 투명하여 자외선을 통과시키고, 상기 제1 영역(A1)의 상기 마스크 패턴(120a)은 와이어 그리드 패턴에 대응하므로, 상기 자외선이 투과될 수 있다. 이때, 상기 제2 영역(A2)에는 상기 마스크층(120)이 패터닝되지 않고 그대로 남아있으므로, 상기 자외선이 투과되지 않고, 따라서 상기 제2 영역(A2)의 상기 포토레지스트층은 노광되지 않고, 상기 제1 영역(A1)의 상기 포토레지스트층만 노광될 수 있다. 즉, 백노광(back exposure)에 의해 상기 제1 영역(A1)과 상기 제2 영역(A2)의 경계에서 상기 마스크층(120) 및 상기 마스크 패턴(120a)에 의한 자기정렬(self-align)에 의해 상기 제1 영역(A1)에 대응하는 상기 포토레지스트층의 부분만 노광되어 경화될 수 있다.
도 1l를 참조하면, 상기 포토레지스트층을 현상하여, 상기 제1 영역(A1) 내에 제2 포토레지스트 패턴(400a)을 형성한다. 상기 제2 포토레지스트 패턴(400a)은 상기 제1 영역(A1)에 형성된 상기 임프린트 패턴(220) 및 상기 잔류-오버플로우 부분(220a)을 커버한다.
도 1m를 참조하면, 상기 임프린트 패턴(220)을 마스크로 하여, 상기 마스크층(120)을 부분적으로 제거한다. 이에 따라, 상기 제2 영역(A2)에 마스크 패턴(120a)를 형성할 수 있다. 예를 들면 상기 임프린트 패턴(220)을 식각 장벽(etch barrier)으로하여 상기 마스크층(120)을 건식 식각(dry etching)할 수 있다. 이때, 상기 제2 레지스트 패턴(400a)이 상기 제1 영역(A1)을 커버하고 있으므로, 상기 제1 영역(A1)의 상기 마스크 패턴(120a)은 그대로 유지되고, 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 마스크층(120)이 상기 마스크 패턴(120a)으로 패터닝 된다.
이후, 상기 제2 영역(A2) 내의 잔류하는 상기 임프린트 패턴(220)을 제거할 수 있다.
도 1n를 참조하면, 상기 제2 레지스트 패턴(400a)과 상기 제4 영역(A4) 내에 잔류하는 상기 임프린트 패턴(220) 및 상기 잔류-오버플로우 부분(220a)을 제거한다. 이에 따라, 상기 제1 영역(A1)의 상기 마스크 패턴(120a)이 노출된다.
도 1o를 참조하면, 상기 제1 및 제2 마스크 패턴(120a)을 마스크로 하여 상기 제1 층(110)을 부분적으로 제거한다. 이에 따라, 제1 층 패턴(110a)를 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 및 제2 마스크 패턴(120a)을 식각 장벽으로 하여, 상기 제1 층(110)을 건식 식각(dry etching)할 수 있다.
도 1p를 참조하면, 상기 제1 및 제2 마스크 패턴(120a)을 제거한다. 이에 따라, 상기 제1 층 패턴(110a)이 상기 베이스 기판(110) 상에 배치되는 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿을 제조할 수 있다. 상기 마스터 템플릿은 상기 몰드(M)보다 큰 면적에 대해 임프린트 공정을 진행할 수 있다. 예를 들면, 상기 마스터 템플릿은 표시 패널에 사용되는 인-셀(in-cell) 와이어 그리드 편광자(wire grid polarizer)를 형성하는데 사용될 수 있다.
상기 몰드(M)는 일반적인 웨이퍼 크기(300mm) 이하이나, 상기 마스터 템플릿은 상기 몰드(M)의 면적의 수 배의 크기로 형성될 수 있으므로, 대면적 임프린트 공정이 가능하다. 따라서 상기 마스터 템플릿의 상기 베이스 기판(100)은 300mm 이상일 수 있다.
또한, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이의 패턴의 오차는 상기 자기정렬에 의해 피치(pitch)의 50% 이하이므로, 상기 마스터 템플릿을 사용하여 제조한 와이어 그리드 편광판의 경우, 상기 제 1영역 및 상기 제2 영역 사이의 seam 부분이 사용자에게 시인되지 않을 수 있다.
또한, 상기 마스터 템플릿을 제조하는 것 외에도, 상기 방법을 이용하여 표시 패널에 사용되는 인-셀(in-cell) 와이어 그리드 편광자(wire grid polarizer)를 직접 제조할 수도 있다.
도 2a 내지 2n는 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 임프린트 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2a를 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 제1 층(110)을 형성한다. 상기 베이스 기판(100)은 광투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(100)은 광투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트층 및 폴리아크릴 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게, 상기 베이스 기판(100)은 자외선이 투과되는 경질의 재료인 쿼츠(quartz) 또는 유리 이거나, 자외선이 투과되는 연질의 재료인 PET(Polyethylene Terephthalate) 또는 PC(Polycarbonate)일 수 있다. 상기 베이스 기판(100)은 자외선의 투과되는 물질을 포함하므로, 후술할 백노광 단계(도 1k 참조)에서 자외선을 통과시킬 수 있다.
상기 제1 층(110)은 금속층일 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 층(110)은 와이어 그리드 패턴을 형성하기 위한 알루미늄등을 포함하는 금속층일 수 있다. 상기 제1 층(110)은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착(PLD) 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층(ALD) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
도 2b를 참조하면, 수지 용액(200)이 상기 제1 층(110) 상에, 제1 영역(A1) 및 제3 영역(A3) 내에 제공된다. 상기 수지 용액(200)은 복수의 방울(droplet) 형태로 상기 제1 층(110) 상에 제공될 수 있다. 예를 들면, 상기 수지 용액(200)은 상기 제1 층(110) 상에 잉크젯 방식으로 드랍(drop)될 수 있다.
상기 제1 영역(A1)은 상기 베이스 기판(100)의 일부 영역으로, 1차 임프린트가 진행되는 영역이다. 상기 제1 영역(A1)은 2차 임프린트가 진행될 제2 영역(A2)에 인접한다. 상기 제3 영역(A3)은 상기 제1 영역(A1)과 인접하는 상기 제2 영역(A2)의 일부이다. 따라서 상기 수지 용액(200)은 상기 제1 영역(A1)보다 크게 제공되어, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제3 영역(A3)에서 상기 제1 층(110)을 커버한다.
상기 수지 용액(200)은 점성(viscosity)이 낮은 자외선 경화성 수지 조성물일 수 있다.
도 2c를 참조하면, 임프린트 몰드(M)와 상기 베이스 기판(100) 사이의 거리가 가까워 짐에 따라, 상기 수지 용액(200)은 상기 임프린트 몰드(M)에 의해 원시 패턴(210)을 형성한다. 이에 따라, 1차 임프린트가 진행된다. 상기 수지 용액(200)은 점성이 낮으므로, 모세관 현상에 의해, 상기 임프린트 몰드(M)와 상기 기판 사이에서 상기 원시 패턴(210)을 형성할 수 있다.
상기 임프린트 몰드(M)는 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제3 영역(A3)에 대응하는 부분에 위치하는 몰드 패턴을 포함한다. 상기 임프린트 몰드(M)는 자외선을 투과시키도록 투명한 재질로 형성될 수 있다. 상기 몰드 패턴은 상기 원시 패턴(210)에 반전 대응하는 형상을 갖는다. 예를 들면, 와이어 그리드 패턴에 대응되는 상기 원시 패턴을 형성하기 위해, 일정한 간격으로 형성되고 동일한 형상을 갖는 돌출 패턴들을 포함할 수 있다. 상기 돌출 패턴들은 약 50nm(나노미터) 내지 150nm의 피치(pitch)를 가질 수 있다. 상기 피치는 상기 돌출 패턴의 폭과 이웃하는 돌출 패턴들 사이의 거리의 합을 말한다.
상기 수지 용액(200)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제3 영역(A3)에 위치하므로, 상기 원시 패턴(210)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제3 영역(A3)에 형성된다. 상기 1차 임프린트가 진행되면서, 상기 수지 용액(200)의 일부가 상기 제3 영역(A3) 외부로 유출되어 상기 제2 영역(A2)으로 넘쳐(overflow) 오버플로우 부분(overflowed portion; 210a)을 형성할 수 있다.
상기 원시 패턴(210)은 상기 제1 층(110) 상에 형성되는 잔류층 및 상기 잔류층 상에 돌출되는 복수의 돌출 패턴들을 포함한다. 상기 원시 패턴(210)의 각각의 상기 돌출 패턴들은 상기 임프린트 몰드(M)의 상기 몰드 패턴의 각각의 상기 돌출 패턴들 사이에 위치하게된다.
이후, 상기 원시 패턴(210)에 자외선을 조사하여, 상기 원시 패턴(210)의 수지 용액을 경화시킨다. 상기 임프린트 몰드(M)는 자외선을 투과시키므로, 상기 자외선은 상기 임프린트 몰드(M)를 통해 상기 원시 패턴(210)에 도달하고, 상기 원시 패턴(210)의 수지 용액을 경화시킬 수 있다.
도 2d를 참조하면, 상기 원시 패턴(210)의 상기 잔류층을 제거하여 임프린트 패턴(220)을 형성한다. 상기 임프린트 패턴(220)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제3 영역(A3)에 형성된다. 상기 원시 패턴(210)이 전체적으로 식각되어 상기 돌출 패턴들 사이의 상기 잔류층이 제거되어 상기 임프린트 패턴(220)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 오버플로우 부분(210a)는 일부 제거되어 상기 제2 영역(A2) 내에 잔류-오버플로우 부분(220a)을 형성한다.
도 2e를 참조하면, 상기 임프린트 패턴(220)이 형성된 상기 제1 층(110) 상에, 상기 제2 영역(A2) 내에 제1 레지스트 패턴(300)을 형성한다. 상기 제1 레지스트 패턴(300)은 상기 제3 영역(A3)에 형성된 상기 임프린트 패턴(220) 및 상기 잔류-오버플로우 부분(220a)을 커버한다.
이때, 상기 제1 레지스트 패턴(300)은 일반적인 수준의 정밀도로 형성되고, 상기 제1 레지스트 패턴(300)이 형성되지 않은 부분이 상기 제1 영역(A1)에 대응하게 된다. 따라서, 상기 제1 임프린트와 후술할 제2 임프린트 공정에 있어서, 경계 부분을 정밀 정렬할 필요가 없다.
상기 제1 레지스트 패턴(300)은 상기 임프린트 패턴(220)이 형성된 상기 제1 층(110) 상에 포토레지스트층을 형성한 후, 추가적인 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층을 노광 및 현상하여, 상기 제2 영역(A2)에 대응되는 부분만 잔류시켜 형성할 수 있다.
도 2f를 참조하면, 상기 임프린트 패턴(220)을 마스크로 하여, 상기 제1 층(110)을 부분적으로 제거한다. 이에 따라, 상기 제1 영역(A1)에 제1 패턴(110a)를 형성할 수 있다. 예를 들면 상기 임프린트 패턴(220)을 식각 장벽(etch barrier)으로하여 상기 제1 층(110)을 건식 식각(dry etching)할 수 있다. 이때, 상기 제1 레지스트 패턴(300)이 상기 제2 영역(A2)을 커버하고 있으므로, 상기 제2 영역(A2)에 대응하는 상기 제1 층(110)은 그대로 유지되고, 상기 제1 영역(A1) 내의 상기 제1 층(110)이 상기 제1 패턴(110a)으로 패터닝 된다.
이후, 상기 제1 영역(A1) 내의 잔류하는 상기 임프린트 패턴(220)을 제거할 수 있다.
도 2g를 참조하면, 상기 제1 레지스트 패턴(300)과 상기 제3 영역(A3) 내에 잔류하는 상기 임프린트 패턴(220) 및 상기 잔류-오버플로우 부분(220a)을 제거한다. 이에 따라, 상기 제2 영역(A2)의 상기 제1 층(110)이 노출된다.
도 2h를 참조하면, 수지 용액(200)이 상기 제1 층(110) 상에, 제2 영역(A2) 및 제4 영역(A4) 내에 제공된다. 상기 수지 용액(200)은 복수의 방울(droplet) 형태로 상기 제1 층(110) 상에 제공될 수 있다. 예를 들면, 상기 수지 용액(200)은 상기 마스크층(120) 상에 잉크젯 방식으로 드랍(drop)될 수 있다.
상기 제2 영역(A2)은 상기 베이스 기판(100)의 일부 영역으로, 2차 임프린트가 진행되는 영역이다. 상기 제2 영역(A2)은 1차 임프린트가 진행된 상기 제1 영역(A1)에 인접한다. 상기 제4 영역(A4)은 상기 제2 영역(A2)과 인접하는 상기 제1 영역(A1)의 일부이다. 상기 수지 용액(220)은 상기 제4 영역(A4) 내에도 제공되므로, 상기 제1 패턴(110a)의 일부 상에 제공될 수 있다. 따라서, 상기 수지 용액(200)은 상기 제2 영역(A2)보다 크게 제공되어, 상기 제2 영역(A2) 및 상기 제4 영역(A4)에서 상기 제1 층(110) 및 상기 제1 패턴(110a)의 일부를 커버한다.
상기 수지 용액(200)은 점성(viscosity)이 낮은 자외선 경화성 수지 조성물일 수 있다.
도 2i를 참조하면, 상기 임프린트 몰드(M)와 상기 베이스 기판(100) 사이의 거리가 가까워 짐에 따라, 상기 수지 용액(200)은 상기 임프린트 몰드(M)에 의해 원시 패턴(210)을 형성한다. 이에 따라, 2차 임프린트가 진행된다. 상기 수지 용액(200)은 점성이 낮으므로, 모세관 현상에 의해, 상기 임프린트 몰드(M)와 상기 기판 사이에서 상기 원시 패턴(210)을 형성할 수 있다.
상기 임프린트 몰드(M)는 상기 제2 영역(A2) 및 상기 제4 영역(A4)에 대응하는 부분에 위치하는 몰드 패턴을 포함한다. 상기 임프린트 몰드(M)는 상기 제1 임프린트에서 사용된 임프린트 몰드(M)와 동일하다. 따라서, 상기 임프린트 몰드(M)크기 보다 큰 영역에 임프린트 리소그래피를 진행할 수 있다.
상기 임프린트 몰드(M)는 일반적인 웨이퍼의 크기 (300mm) 이하 일 수 있으며, 이에 따라 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2)의 면적의 합은 상기 일반적인 웨이퍼의 크기 이상일 수 있다.
상기 수지 용액(200)은 상기 제2 영역(A2) 및 상기 제4 영역(A4)에 위치하므로, 상기 원시 패턴(210)은 상기 제2 영역(A2) 및 상기 제4 영역(A4)에 형성된다. 상기 2차 임프린트가 진행되면서, 상기 수지 용액(200)의 일부가 상기 제4 영역(A3) 외부로 유출되어 상기 제1 영역(A1)으로 넘쳐(overflow) 오버플로우 부분(overflowed portion; 210a)을 형성할 수 있다.
상기 원시 패턴(210)은 상기 마스크층(120) 상에 형성되는 잔류층 및 상기 잔류층 상에 돌출되는 복수의 돌출 패턴들을 포함한다. 상기 원시 패턴(210)의 각각의 상기 돌출 패턴들은 상기 임프린트 몰드(M)의 상기 몰드 패턴의 각각의 상기 돌출 패턴들 사이에 위치하게된다.
이후, 상기 원시 패턴(210)에 자외선을 조사하여, 상기 원시 패턴(210)의 수지 용액을 경화시킨다. 상기 임프린트 몰드(M)는 자외선을 투과시키므로, 상기 자외선은 상기 임프린트 몰드(M)를 통해 상기 원시 패턴(210)에 도달하고, 상기 원시 패턴(210)의 수지 용액을 경화시킬 수 있다.
도 2j를 참조하면, 상기 원시 패턴(210)의 상기 잔류층을 제거하여 임프린트 패턴(220)을 형성한다. 상기 임프린트 패턴(220)은 상기 제2 영역(A2) 및 상기 제4 영역(A4)에 형성된다. 상기 원시 패턴(210)이 전체적으로 식각되어 상기 돌출 패턴들 사이의 상기 잔류층이 제거되어 상기 임프린트 패턴(220)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 오버플로우 부분(210a)는 일부 제거되어 상기 제1 영역(A1) 내에 잔류-오버플로우 부분(220a)을 형성한다.
도 2k를 참조하면, 상기 임프린트 패턴(220)이 형성된 상기 제1 층(110) 및 상기 제1 패턴(110a) 상에 포토레지스트층을 형성한다. 상기 포토레지스트층은 노광된 부분이 경화되는 네거티브 타입의 포토레지스트 물질을 포함할 수 있다. 상기 포토레지스트층은 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 임프린트 패턴(220), 상기 제1 영역(A1) 내의 잔류-오버플로우 부분(220a) 및 상기 제1 영역(A1) 내의 상기 제1 패턴(110a)을 커버한다.
이후, 상기 베이스 기판(100)의 배면으로 자외선을 조사한다. 이때, 상기 자외선이 상기 베이스 기판(100) 및 상기 제1 영역(A1)의 상기 제1 패턴(110a)을 투과하여 상기 포토레지스트층을 경화시킨다.
상기 베이스 기판(100)은 투명하여 자외선을 통과시키고, 상기 제1 영역(A1)의 상기 제1 패턴(110a)은 와이어 그리드 패턴에 대응하므로, 상기 자외선이 투과될 수 있다. 이때, 상기 제2 영역(A2)에는 상기 제1 층(110)이 패터닝되지 않고 그대로 남아있으므로, 상기 자외선이 투과되지 않고, 따라서 상기 제2 영역(A2)의 상기 포토레지스트층은 노광되지 않고, 상기 제1 영역(A1)의 상기 포토레지스트층만 노광될 수 있다. 즉, 백노광(back exposure)에 의해 상기 제1 영역(A1)과 상기 제2 영역(A2)의 경계에서 상기 제1 층(110) 및 상기 제1 패턴(110a)에 의한 자기정렬(self-align)에 의해 상기 제1 영역(A1)에 대응하는 상기 포토레지스트층의 부분만 노광되어 경화될 수 있다.
도 2l를 참조하면, 상기 포토레지스트층을 현상하여, 상기 제1 영역(A1) 내에 제2 포토레지스트 패턴(400a)을 형성한다. 상기 제2 포토레지스트 패턴(400a)은 상기 제1 영역(A1)에 형성된 상기 임프린트 패턴(220) 및 상기 잔류-오버플로우 부분(220a)을 커버한다.
도 2m를 참조하면, 상기 임프린트 패턴(220)을 마스크로 하여, 상기 제1 층(110)을 부분적으로 제거한다. 이에 따라, 상기 제2 영역(A2)에 제2 패턴(110a)를 형성할 수 있다. 예를 들면 상기 임프린트 패턴(220)을 식각 장벽(etch barrier)으로하여 상기 제1 층(110)을 건식 식각(dry etching)할 수 있다. 이때, 상기 제2 레지스트 패턴(400a)이 상기 제1 영역(A1)을 커버하고 있으므로, 상기 제1 영역(A1)의 상기 제1 패턴(110a)은 그대로 유지되고, 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 제1 층(110)이 상기 제2 패턴(110a)으로 패터닝 된다.
이후, 상기 제2 영역(A2) 내의 잔류하는 상기 임프린트 패턴(220)을 제거할 수 있다.
도 2n를 참조하면, 상기 제2 레지스트 패턴(400a)과 상기 제4 영역(A4) 내에 잔류하는 상기 임프린트 패턴(220) 및 상기 잔류-오버플로우 부분(220a)을 제거한다. 이에 따라, 상기 제1 영역(A1)의 상기 제1 층(110a)이 노출된다.
이에 따라, 상기 베이스 기판(100) 상에 대면적 패턴을 형성할 수 있다.
도 3a 내지 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 임프린트 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도면에 표시된 사각형은 임프린트 몰드가 패턴을 전사하는 영역을 나타낸다. 상기 대면적 임프린트 방법은 위에 설명된 임프린트 리소그래피 방법을 이용할 수 있다.
도 3a를 참조하면, 기판은 제1 방향(D1) 및 상기 제1 방향(D1)과 실질적으로 수직한제2 방향(D2)으로 연장되는 평면을 포함한다. 상기 기판 상에 제1 부분(10a) 및 상기 제1 부분(10a)과 상기 제1 방향(D1)으로 이격된 제2 부분(10b)에 임프린트 몰드를 사용하여 패턴을 전사한다. 상기 제1 부분(10a) 및 상기 제2 부분(10b)의 공정은 동시에 또는 순차적으로 진행될 수 있다. 이후, 전사된 패턴을 이용하여 기판을 식각한다.
도 3b를 참조하면, 상기 기판 상에 제3 부분(20a) 및 제4 부분(20b)에 임프린트 몰드를 사용하여 패턴을 전사한다. 상기 제3 부분(20a)은 상기 제1 부분(10a) 및 상기 제2 부분(10b) 사이에 위치하고, 상기 제4 부분(20b)은 상기 제1 방향(D1)으로 상기 제2 부분(10b)에 인접하여 위치한다. 상기 제3 부분(20a)의 상기 제1 방향(D1)의 양 끝 가장자리 부분은 상기 제1 부분(10a) 및 상기 제2 부분(10b)와 중첩한다. 상기 제4 부분(20b)의 상기 제1 방향(D1)의 가장자리는 상기 제2 부분(10b)과 중첩한다. 상기 제3 부분(20a) 및 상기 제4 부분(20b)의 공정은 동시에 또는 순차적으로 진행될 수 있다. 이후, 전사된 패턴을 이용하여 기판을 식각한다. 이에 따라 상기 제1 방향(D1)으로 긴 형태의 마스터 템플릿의 형성이 가능하다. 상기 마스터 템플릿은 상기 제1 방향(D1)으로 제1 길이(L1)을 갖고, 상기 제2 방향(D2)으로 제2 길이(L2)를 가질 수 있다.
도 3c를 참조하면, 상기 마스터 템플릿을 이용하여, 상기 제2 방향(D2)으로 도 3a 및 3b의 공정과 유사한 공정을 진행할 수 있다.
기판은 상기 제1 방향(D1) 및 상기 제2 방향(D2)으로 연장되는 평면을 포함한다. 상기 기판 상에 제1 부분(30a) 및 상기 제1 부분(30a)과 상기 제2 방향(D2)으로 이격된 제2 부분(30b)에 상기 마스터 템플릿을 사용하여 패턴을 전사한다. 상기 제1 부분(30a) 및 상기 제2 부분(30b)의 공정은 동시에 또는 순차적으로 진행될 수 있다. 이후, 전사된 패턴을 이용하여 기판을 식각한다.
도 3d를 참조하면, 상기 기판 상에 제3 부분(40a) 및 제4 부분(40b)에 상기 마스터 템플릿을 사용하여 패턴을 전사한다. 상기 제3 부분(40a)은 상기 제1 부분(30a) 및 상기 제2 부분(30b) 사이에 위치하고, 상기 제4 부분(40b)은 상기 제2 방향(D2)으로 상기 제2 부분(30b)에 인접하여 위치한다. 상기 제3 부분(40a)의 상기 제2 방향(D2)의 양 끝 가장자리 부분은 상기 제1 부분(30a) 및 상기 제2 부분(30b)와 중첩한다. 상기 제4 부분(20b)의 상기 제2 방향(D2)의 가장자리는 상기 제2 부분(30b)과 중첩한다. 상기 제3 부분(40a) 및 상기 제4 부분(40b)의 공정은 동시에 또는 순차적으로 진행될 수 있다. 이후, 전사된 패턴을 이용하여 기판을 식각한다. 이에 따라 상기 제1 및 제2 방향(D1, D2)으로 확장된 형태의 대면적 마스터 템플릿의 형성이 가능하다. 상기 대면적 마스터 템플릿은 상기 제1 방향(D1)으로 제1 길이(L1)을 갖고, 상기 제2 방향(D2)으로 제3 길이(L3)를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 임프린트 리소그래피 방법은 제1 영역과 제2 영역을 포함하는 베이스 기판을 준비하는 단계, 상기 제1 영역에 임프린트를 진행하는 단계 및 상기 제2 영역에 임프린트를 진행하는 단계를 포함한다. 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계에서 백노광(back exposure)에 의한 자기정렬(self-align)을 이용하므로, 상기 경계에서의 패턴 오차를 최소화 수 있다.
또한, 상기 방법을 이용하여 형성된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿을 이용하면, 대면적 임프린트 리소그래피 공정을 진행할 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 베이스 기판 110: 제1 층
110a: 제1 층 패턴 120: 마스크층
120a: 마스크 패턴 200: 수지 용액
210: 원시 패턴 210a: 오버플로우 부분
220: 임프린트 패턴 220a: 잔류-오버플로우 부분
300: 제1 레지스트 패턴 400: 제2 레지스트 패턴
M: 임프린트 몰드 A1-A4: 제1 내지 제4 영역
10a: 제1 부분 10b: 제2 부분

Claims (20)

  1. 제1 영역, 상기 제1 영역과 인접하는 제2 영역, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계에 접하고 상기 제2 영역의 일부인 제3 영역 및 상기 경계에 접하고 상기 제1 영역의 일부인 제4 영역을 포함하는 베이스 기판을 제공하는 단계;
    상기 베이스 기판 상에, 상기 제1 및 제3 영역 내에 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 임프린트 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에, 상기 제2 영역을 커버하는 제1 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 임프린트 패턴 및 상기 제1 레지스트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제1 임프린트 패턴 하부를 식각하는 단계;
    상기 제1 레지스트 패턴을 제거하는 단계;
    상기 베이스 기판 상에, 상기 제2 영역 및 상기 제4 영역 내에 제2 임프린트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 임프린트 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에, 상기 제1 영역을 커버하는 제2 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 임프린트 패턴 및 상기 제2 레지스트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제2 임프린트 패턴 하부를 식각하는 단계; 및
    상기 제2 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 임프린트 리소그래피 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계는
    상기 베이스 기판의 상기 제1 영역 및 상기 제3 영역 상에 제1 수지 용액을 제공하는 단계; 및
    임프린트 몰드를 상기 제1 수지 용액에 접촉시킨 후 상기 제1 수지 용액을 경화시켜 상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계는
    임프린트 몰드를 상기 제1 수지 용액에 접촉시킨 후 상기 제1 수지 용액을 경화시켜 상기 기판 상에 형성되는 잔류층 및 상기 잔류층 상에 돌출되는 복수의 돌출 패턴들을 포함하는 원시 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 돌출 패턴들 사이에 대응하는 상기 잔류층의 부분을 제거하여 상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 임프린트 패턴을 형성하는 단계는
    상기 베이스 기판의 상기 제2 영역 및 상기 제4 영역 상에 제2 수지 용액을 제공하는 단계; 및
    상기 임프린트 몰드를 상기 제2 수지 용액에 접촉시킨 후 상기 제2 수지 용액을 경화시켜 상기 제2 임프린트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 임프린트 몰드는 일정한 간격으로 형성되고 동일한 형상을 갖는 돌출 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 돌출 패턴들은 50nm(나노미터) 내지 150nm의 피치(pitch)를 갖는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계 전에,
    상기 베이스 기판 상에 자외선을 투과시키는 투명한 물질을 포함하는 제1 층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 층 상에 마스크층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 임프린트 패턴 하부를 식각하는 단계는
    상기 마스크층을 부분적으로 식각하여 제1 마스크 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 레지스트 패턴을 형성하는 단계는
    상기 제2 임프린트 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    자외선이 상기 베이스 기판, 상기 제1 층 및 상기 제1 마스크 패턴을 투과하여 상기 포토레지스트층에 조사되어, 상기 제1 영역 내의 상기 포토레지스트층을 경화하는 단계; 및
    상기 포토레지스트층을 현상하여, 상기 제2 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제2 임프린트 패턴 하부를 식각하는 단계는
    상기 마스크층을 부분적으로 식각하여 제2 마스크 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 마스크 패턴 및 상기 제2 마스크 패턴은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 형성되어, 상기 기판 상에 연속된 영역에 형성되고,
    상기 제1 및 제2 마스크 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제1 층을 부분적으로 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 층은 실리콘 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계 전에,
    상기 베이스 기판 상에 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 임프린트 패턴 하부를 식각하는 단계는
    상기 금속층을 부분적으로 식각하여 제1 금속층 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하고,
    상기 제2 임프린트 패턴 하부를 식각하는 단계는
    상기 금속층을 부분적으로 식각하여 제2 금속층 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 금속층 패턴은 와이어 그리드 패턴을 형성하고, 상기 와이어 그리드 패턴의 세선의 폭과 이웃하는 세선들 사이의 거리는 피치(pitch)로 정의되고,
    상기 피치는 상기 제1 금속층 패턴과 상기 제2 금속층 패턴의 경계에 가장 근접하는 세선들의 피치는 50% 이하의 오차를 갖는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  16. 베이스 기판상에 제1 층 및 마스크층을 차례로 형성하는 단계;
    상기 마스크층의 제1 부분 상에 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 임프린트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 마스크층의 상기 제1 부분을 부분적으로 식각하여 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 마스크 패턴과 인접한 상기 마스크층의 제2 부분 상에 제2 임프린트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 임프린트 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트층을 백노광(back exposure) 및 현상하여 상기 제1 마스크 패턴 상에 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 임프린트 패턴 및 상기 레지스트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 마스크층의 상기 제2 부분을 부분적으로 식각하여 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 및 제2 마스크 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제1 층을 부분적으로 식각하는 단계를 포함하는 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계는
    상기 마스크층의 일부 상에 제1a 임프린트 패턴 및 상기 제1 임프린트 패턴과 이격되는 제1b 임프린트 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하고,
    상기 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계는
    상기 제1a 및 제1b 임프린트 패턴들을 식각 장벽으로 하여 상기 마스크층을 부분적으로 식각하여 제1a 마스크 패턴 및 상기 제1 a 마스크 패턴과 이격된 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법.
  18. 제1 영역 및 상기 제1 영역과 접하는 제2 영역을 포함하는 베이스 기판; 및
    상기 베이스 기판 상에, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 내에 배치되는 마스터 패턴을 포함하고,
    상기 마스터 패턴은 상기 제1 및 제2 영역 내에 일정한 간격으로 형성되고 동일한 형상을 갖는 돌출 패턴들을 포함하고, 상기 돌출 패턴의 폭과 이웃하는 돌출 패턴들 사이의 거리는 피치(pitch)로 정의되고,
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역이 접하는 경계에 가장 근접하는 상기 돌출 패턴들은 상기 피치의 1/2 내지 3/2의 피치를 갖는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 상기 돌출 패턴들의 상기 피치는 50nm(나노미터) 내지 150nm인 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 전체의 대각선 길이는 300mm 이상인 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿.
KR1020150048220A 2015-04-06 2015-04-06 임프린트 리소그래피 방법, 이를 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿 KR20160119896A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150048220A KR20160119896A (ko) 2015-04-06 2015-04-06 임프린트 리소그래피 방법, 이를 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿
US14/881,909 US20160288373A1 (en) 2015-04-06 2015-10-13 Imprint lithography method, method for manufacturing master template using the method, and master template manufactured by the method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150048220A KR20160119896A (ko) 2015-04-06 2015-04-06 임프린트 리소그래피 방법, 이를 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160119896A true KR20160119896A (ko) 2016-10-17

Family

ID=57016735

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150048220A KR20160119896A (ko) 2015-04-06 2015-04-06 임프린트 리소그래피 방법, 이를 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20160288373A1 (ko)
KR (1) KR20160119896A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11868042B2 (en) 2018-08-31 2024-01-09 Samsung Display Co., Ltd. Master stamp for nano imprint and method for manufacturing the same

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180034776A (ko) 2016-09-27 2018-04-05 삼성디스플레이 주식회사 임프린트 마스터 템플릿의 제조 방법
TWI646389B (zh) * 2017-09-12 2019-01-01 友達光電股份有限公司 壓印模具以及壓印模具製造方法
US20210373217A1 (en) * 2018-10-16 2021-12-02 Scivax Corporation Fine pattern forming method, imprint mold manufacturing method, imprint mold, and optical device
CN109240041B (zh) * 2018-11-19 2020-06-26 京东方科技集团股份有限公司 拼接式压印模板及其制备方法和母模板
CN110824835B (zh) * 2019-11-26 2023-05-12 京东方科技集团股份有限公司 拼接式纳米压印模板、其拼接缝的修复方法及其制作方法
CN116113882A (zh) * 2020-09-30 2023-05-12 镭亚电子(苏州)有限公司 印制模板及其制造方法
KR20230020035A (ko) * 2021-08-02 2023-02-10 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11868042B2 (en) 2018-08-31 2024-01-09 Samsung Display Co., Ltd. Master stamp for nano imprint and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20160288373A1 (en) 2016-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20160119896A (ko) 임프린트 리소그래피 방법, 이를 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿
US7759180B2 (en) Display substrate and method of manufacturing the same
US9379148B2 (en) Array substrate and method of manufacturing the same, and display device
US9065001B2 (en) Light-emitting display backplane, display device and manufacturing method of pixel define layer
US9268169B2 (en) Display panel with pixel define layer, manufacturing method of pixel define layer of display panel, and display device
US8932804B1 (en) Method for patterning flexible substrate
US10281817B2 (en) Method of manufacturing imprint master template
TW201327832A (zh) 薄膜電晶體基板與其製作方法、顯示器
CN109273501B (zh) 柔性基底及其制造方法、显示装置
KR20160053073A (ko) 편광자, 편광자의 제조 방법 및 표시 패널
CN107402498B (zh) 压印光刻法、用于压印的主模板、线栅偏振器和显示基底
KR102332038B1 (ko) 임프린트 리소그래피 방법, 이를 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿
WO2014005404A1 (zh) 薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法
US9000064B2 (en) Composition for forming pattern and in-plane printing method using the same
CN103794630A (zh) 用于制造有机电致发光显示器的方法
CN113013211B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
KR20090111019A (ko) 표시기판 및 이의 제조방법
KR102666843B1 (ko) 나노 임프린트용 스탬프 및 이의 제조 방법
JP2010002925A5 (ko)
US7678626B2 (en) Method and system for forming a thin film device
US11714353B2 (en) Mask and method of manufacturing the same, evaporation apparatus and display device
KR102563532B1 (ko) 임프린트 리소그래피 방법, 이를 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿
US20080182415A1 (en) Semiconductor device and method for fabricating the same
US20190354008A1 (en) Stamp for nano imprinting process and method of fabricating the stamp
US8043770B2 (en) Photomask and method of forming overlay vernier of semiconductor device using the same