KR102332038B1 - 임프린트 리소그래피 방법, 이를 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿 - Google Patents

임프린트 리소그래피 방법, 이를 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿 Download PDF

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Abstract

임프린트 리소그래피 방법은 베이스 기판 상에 제1 영역 및 상기 제1 영역과 접하는 제2 영역 내에 마스크층을 형성하는 단계, 상기 제1 영역 내의 상기 마스크층의 두께를 줄이는 단계, 상기 마스크층 상에 상기 제1 및 제2 영역들 내에 제1 평탄화층을 형성하는 단계, 상기 제1 평탄화층 상에 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 임프린트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제1 평탄화층을 부분적으로 식각하여, 제1 평탄화층-패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 평탄화층-패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 마스크층을 부분적으로 식각하여, 상기 제1 영역 내에 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 마스크 패턴 및 상기 마스크층 상에 상기 제1 및 제2 영역들 내에 제2 평탄화층을 형성하는 단계, 상기 제2 평탄화층 상에 제2 임프린트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 임프린트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제2 평탄화층을 부분적으로 식각하여, 제2 평탄화층-패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제2 평탄화층-패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 마스크층을 부분적으로 식각하여, 상기 제2 영역 내에 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

임프린트 리소그래피 방법, 이를 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿{Imprint lithography method, method for manufacturing master template using the method and master template manufactured by the method}
본 발명은 임프린트 리소그래피 방법, 상기 임프린트 리소그래피 방법을 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대면적 공정에 이용되는 임프린트 리소그래피 방법, 상기 임프린트 리소그래피 방법을 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿에 관한 것이다.
최근 들어, 기술의 발전에 힘입어 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 뛰어난 디스플레이 제품들이 생산되고 있다. 지금까지 디스플레이 장치에는 기존 브라운관 텔레비전(cathode ray tube: CRT)이 성능이나 가격 면에서 많은 장점을 가지고 널리 사용되었으나, 소형화 또는 휴대성의 측면에서 CRT의 단점을 극복하고, 소형화, 경량화 및 저전력 소비 등의 장점을 갖는 액정 표시 장치가 주목을 받고 있다.
상기 액정 표시 장치는 액정의 특정한 분자 배열에 전압을 인가하여 분자 배열을 변환시키고, 이러한 분자 배열의 변환에 의해 발광하는 액정셀의 복굴절성, 선광성, 2색성 및 광산란 특성 등의 광학적 성질의 변화를 시각 변화로 변환하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치이다.
상기 액정 표시 장치는 상기 액정의 분자 배열을 제어하기 위한 편광판, 표시 패널, 광학시트 및 백라이트 어셈블리를 포함한다. 최근, 상기 편광판이 상기 패널 내부에 배치되는 구조(in-cell polarizer)가 사용되는데, 예를 들면 와이어 그리드 편광 소자(wire grid polarizer) 가 사용될 수 있다. 상기 와이어 그리드 편광 소자는 임프린트 리소그래피 공정(imprint lithography)의해 제조될 수 있다. 그러나, 상기 임프린트 리소그래피 공정에서 사용하는 마스터 템플릿의 크기가 제한되어 있으므로, 대형 패널의 제작에 어려움이 있었다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 대면적 공정이 가능한 임프린트 리소그래피 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 임프린트 리소그래피 방법을 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 제조 방법에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 임프린트 리소그래피 방법은 베이스 기판 상에 제1 영역 및 상기 제1 영역과 접하는 제2 영역 내에 마스크층을 형성하는 단계, 상기 제1 영역 내의 상기 마스크층의 두께를 줄이는 단계, 상기 마스크층 상에 상기 제1 및 제2 영역들 내에 제1 평탄화층을 형성하는 단계, 상기 제1 평탄화층 상에 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 임프린트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제1 평탄화층을 부분적으로 식각하여, 제1 평탄화층-패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 평탄화층-패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 마스크층을 부분적으로 식각하여, 상기 제1 영역 내에 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 마스크 패턴 및 상기 마스크층 상에 상기 제1 및 제2 영역들 내에 제2 평탄화층을 형성하는 단계, 상기 제2 평탄화층 상에 제2 임프린트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 임프린트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제2 평탄화층을 부분적으로 식각하여, 제2 평탄화층-패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제2 평탄화층-패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 마스크층을 부분적으로 식각하여, 상기 제2 영역 내에 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 마스크층의 두께를 줄이는 단계는 상기 마스크층 상에 상기 제2 영역 내에 제1 식각방지층을 형성하는 단계, 및 상기 제1 식각방지층을 이용하여 상기 마스크층을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 식각방지층과 상기 마스크층은 식각 선택비를 가질 수 있다. 상기 제1 평탄화층과 상기 제1 식각방지층은 식각 선택비를 가질 수 있다. 상기 제2 평탄화층과 상기 마스크층은 식각 선택비를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 식각방지층은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 상기 마스크층은 알루미늄등의 금속을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 평탄화층은 유기물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 마스크층은 상기 제2 영역에서 제1 두께를 갖고, 상기 제1 영역에서 제2 두께를 갖고, 상기 제1 두께는 상기 제2 두께 보다 클 수 있다. 상기 제1 두께 및 상기 제2 두께는 상기 마스크층과 상기 제1 평타화층의 식각 선택비를 고려하여 결정될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 마스크층의 식각 조건에서 상기 제1 두께의 마스크층을 식각하는 동안, 상기 제1 평탄화층이 소모(consume)되는 두께가 상기 제1 두께와 상기 제2 두께의 차이 보다 작을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 방법은 상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계 전에, 상기 제1 평탄화층의 상면의 평탄도를 향상시키기 위해, 상기 제1 평탄화층에 대해 에치백 공정 또는CMP (chemical mechanical polishing)공정을 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계는 상기 제1 평탄화층 상에 수지 용액을 제공하는 단계, 임프린트 몰드를 사용하여 상기 수지 용액으로부터 원시 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 원시 패턴을 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 제1 임프린트 패턴은 상기 제1 영역 및 상기 제1 영역과 인접한 상기 제2 영역의 일부까지 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 임프린트 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 제2 임프린트 패턴은 상기 제2 영역 및 상기 제2 영역과 인접한 상기 제1 영역의 일부까지 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 임프린트 패턴 및 상기 제2 임프린트 패턴은 와이어 그리드 패턴에 대응되는 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 방법은 상기 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계와 상기 제2 평탄화층을 형성하는 단계 사이에, 잔류하는 상기 제1 임프린트 패턴, 상기 제1 평탄화층-패턴 및 상기 식각방지층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 방법은 상기 마스크층을 형성하는 단계 전에, 상기 베이스 기판 상에 제1 층을 형성하는 단계, 및 상기 제2 영역 내에 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 형성된 상기 마스크 패턴을 식각 장벽으로 이용하여 상기 제1 층을 부분적으로 식각하여, 제1 층 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 평탄화층-패턴을 형성하는 단계에서는 상기 제2 영역의 상기 마스크층이 노출될때 까지 상기 제2 평탄화층을 식각할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 방법은 상기 제2 평탄화층을 형성하는 단계 전에, 상기 제1 영역 내의 상기 제1 마스크 패턴 및 상기 제2 영역 내의 상기 마스크층 상에 제2 식각방지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 평탄화층-패턴을 형성하는 단계에서는 상기 제2 영역의 상기 제2 식각방지층이 노출될 때까지 상기 제2 평탄화층을 식각할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 식각방지층은 실리콘 산화물(SiOx), 알루미늄 산화물(AlOx), 티타늄 산화물(TiOx), 티타늄 질화물(TiNx) 및 알루미늄 질화물(AlNx) 중 어느 하나이상을 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법은 베이스 기판 상에 제1 영역 및 상기 제1 영역과 접하는 제2 영역 내에 마스크층을 형성하는 단계, 상기 제1 영역 내의 상기 마스크층의 두께를 줄이는 단계, 상기 마스크층 상에 상기 제1 영역 및 상기 제1 영역과 인접하는 상기 제2 영역의 일부 내에 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 임프린트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 마스크층을 부분적으로 식각하여, 상기 제1 영역 내에 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계, 상기 마스크층 상에 상기 제2 영역 및 상기 제2 영역과 인접하는 상기 제1 영역의 일부 내에 제2 임프린트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 임프린트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제2 영역 내에 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제1 및 제2 마스크 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제1 및 제2 마스크 패턴의 하부를 식각하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 마스크층의 두께를 줄이는 단계는 상기 마스크층 상에 상기 제2 영역 내에 제1 식각방지층을 형성하는 단계, 및 상기 제1 식각방지층을 이용하여 상기 마스크층을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 대각선 길이 300mm 이상의 면적의 기판, 및 상기 기판 상에 제1 영역 및 상기 제1 영역과 인접하는 제2 영역에 형성된 와이어 그리드 패턴을 포함한다. 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계에서의 상기 와이어 그리드 패턴의 피치의 오차는 1/2피치 이하이다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 층 패턴이 상기 베이스 기판 상에 배치되는 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿을 제조할 수 있다. 상기 마스터 템플릿은 상기 임프린트 몰드보다 큰 면적에 대해 임프린트 공정을 진행할 수 있다. 예를 들면, 상기 마스터 템플릿은 표시 패널에 사용되는 인-셀(in-cell) 와이어 그리드 편광자(wire grid polarizer)를 형성하는데 사용될 수 있다.
상기 임프린트 몰드는 일반적인 웨이퍼 크기(300mm) 이하이나, 상기 마스터 템플릿은 상기 임프린트 몰드의 면적의 수 배의 크기로 형성될 수 있으므로, 대면적 임프린트 공정이 가능하다. 따라서 상기 마스터 템플릿의 상기 베이스 기판은 300mm 이상일 수 있다.
또한, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이의 패턴의 오차는 최대 1/2 피치(pitch)의 이하이므로, 상기 마스터 템플릿을 사용하여 제조한 와이어 그리드 편광판의 경우, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이의 seam 부분이 사용자에게 시인되지 않을 수 있다.
또한, 상기 마스터 템플릿을 제조하는 것 외에도, 상기 방법을 이용하여 표시 패널에 사용되는 인-셀(in-cell) 와이어 그리드 편광자(wire grid polarizer)를 직접 제조할 수도 있다.
도 1a 내지 1m는 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 임프린트 리소그래피 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2a 내지 2h는 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 임프린트 리소그래피 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1a 내지 1m는 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 임프린트 리소그래피 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1a를 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 제1 층(110)을 형성한다. 상기 베이스 기판(100)은 광투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(100)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 구성될 수 있다. 이 경우, 상기 투명 수지 기판은 폴리이미드계(polyimide-based) 수지, 아크릴계(acryl-based) 수지, 폴리아크릴레이트계(polyacrylate-based) 수지, 폴리카보네이트계(polycarbonate-based) 수지, 폴리에테르계(polyether-based) 수지, 술폰산계(sulfonic acid-based) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트계(polyethyleneterephthalate-based) 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 층(110)은 자외선을 투과시키는 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 층(110)은 투명한 실리콘 화합물 등의 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 층(110)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 상기 제1 층(110)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
이후, 마스크층(120)이 상기 제1 층 (110) 상에 형성된다. 상기 마스크층(120)은 상기 제1 층(110)에 대해 식각 선택비를 갖는다. 즉, 상기 마스크층(120)은 상기 제1 층(110)의 식각 조건에서 상기 제1 층(110)에 비해 식각 속도가 낮은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 층(110)이 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하는 경우, 상기 마스크층(120)은 알루미늄등의 금속층일 수 있다. 반대로 상기 제1 층(110)이 알루미늄을 포함하는 경우, 상기 마스크층(120)은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함할 수 있다.
도 1b를 참조하면, 상기 마스크층(120) 상에 제1 영역(A1)에 인접하는 제2 영역(A2) 내에 제1 식각방지층(130)을 형성한다. 상기 제1 식각방지층(130)은 상기 마스크층(120)에 대해 식각 선택비를 갖는다. 즉, 상기 제1 식각방지층(130)은 상기 마스크층(120)의 식각 조건에서 상기 마스크층(120)에 비해 식각 속도가 낮은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 식각방지층(130)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등의 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 1c를 참조하면, 상기 제1 식각방지층(130)을 이용하여 상기 마스크층(120)을 식각한다. 이에 따라 상기 마스크층(120)은 상기 제1 식각방지층(130)이 형성되지 않은 부분인 상기 제1 영역(A1) 내에서 제2 두께(t2)를 가질 수 있다. 상기 마스크층(120)은 상기 제1 식각방지층(130)이 형성된 부분인 상기 제2 영역(A2) 내에서 제1 두께(t1)를 가질 수 있다. 상기 제2 두께(t2)는 상기 제1 두께(t1)보다 작으며, 상기 제1 두께(t1)와 상기 제2 두께(t2)의 차이(d)는, 후술할 도 1j 의 공정에서의 제1 평탄화층의 두께, 상기 마스크층(120)의 두께 및 상기 마스크층(120)의 상기 제1 평탄화층에 대한 선택 식각비 등에 의해 결정될 수 있다.
도 1d를 참조하면, 상기 제1 식각방지층(130) 및 상기 마스크층(120) 상에 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2) 내에 제1 평탄화층(140)이 형성된다. 상기 제1 평탄화층(140)은 상기 마스크층(120) 및 상기 제1 식각방지층(130)에 의해 형성된 상기 제1 영역(A1)과 상기 제2 영역(A2) 사이의 경계에 형성된 단차를 평탄화하도록, 상기 제1 식각방지층(130) 및 상기 마스크층(120) 상에 형성된다.
상기 제1 평탄화층(140)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 평탄화층(140)은 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계(siloxane-based) 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
상기 제1 평탄화층(140)의 상면의 평탄도를 향상시키기 위한 추가적인 공정이 수행될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 평타화층(140)의 전면에 대해 에치백 공정 또는 CMP (chemical mechanical polishing)공정이 수행될 수 있다.
도 1e를 참조하면, 상기 제1 평탄화층(140) 상에 제1 임프린트 패턴(200)을 형성한다. 상기 제1 임프린트 패턴(200)은 상기 제1 영역(A1) 내에 형성된다. 또한, 상기 제1 임프린트 패턴(200)은 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제1 영역(A1)과 인접한 상기 제2 영역(A2)의 일부에 까지 형성될 수 있다.
상기 제1 임프린트 패턴(200)은 와이어 그리드 편광판의 와이어 그리드 패턴에 대응되는 형상으로 일정한 형상의 복수의 돌출부들이 일정한 간격으로 상기 제1 평탄화층(140) 상에 위치하는 것일 수 있다. 상기 복수의 돌출부들은 약 50nm(나노미터) 내지 150nm의 피치(pitch)를 가질 수 있다. 상기 피치는 상기 돌출부들의 각각의 폭과 이웃하는 돌출부들 사이의 거리의 합을 말한다.
상기 제1 임프린트 패턴(200)은 임프린트 공정에 의해 형성될 수 있다.
예를 들면, 수지 용액은 복수의 방울(droplet) 형태로 상기 제1 평탄화층(140) 상에 잉크젯 방식으로 드랍(drop)되어 제공될 수 있다. 상기 수지 용액은 점성(viscosity)이 낮은 자외선 경화성 수지 조성물일 수 있다.
이후, 임프린트 몰드(미도시)와 상기 베이스 기판(100) 사이의 거리가 가까워 짐에 따라, 상기 수지 용액은 상기 임프린트 몰드에 의해 제1 원시 패턴(미도시)을 형성할 수 있다. 상기 임프린트 몰드는 상기 제1 원시 패턴에 반전 대응하는 형상을 갖는 몰드 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제1 원시 패턴은 상기 제1 평탄화층(140) 상에 형성되는 잔류층 및 상기 잔류층 상에 돌출되는 복수의 돌출부들을 포함할 수 있다.
이후, 상기 제1 원시 패턴에 자외선을 조사하여, 상기 제1 원시 패턴의 수지 용액을 경화시킬 수 있다. 상기 임프린트 몰드는 자외선을 투과시키므로, 상기 자외선은 상기 임프린트 몰드를 통해 상기 제1 원시 패턴에 도달하고, 상기 제1 원시 패턴의 수지 용액을 경화시킬 수 있다.
이후, 상기 제1 원시 패턴이 전체적으로 식각되어, 상기 돌출 패턴들 사이의 상기 잔류층이 제거되어 상기 제1 임프린트 패턴(200)이 형성될 수 있다.
도 1f를 참조하면, 상기 제1 임프린트 패턴(200)을 마스크로 하여, 상기 제1 평탄화층(140)을 부분적으로 제거한다. 이에 따라, 상기 제1 영역(A1)에 제1 평탄화층 패턴(140a)를 형성할 수 있다.
예를 들면 상기 제1 임프린트 패턴(200)을 식각 장벽(etch barrier)으로하여 상기 제1 평탄화층(140)을 건식 식각(dry etching)할 수 있다. 이에 따라 상기 제1 영역(A1) 내의 상기 마스크층(120)이 노출된다. 이때, 상기 식각방지층(130)이 상기 제2 영역(A2)을 커버하고 있으므로, 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 제1 평탄화층(140)이 제거되어 상기 식각 방지층(130)이 노출되더라도, 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 마스크층(120)은 그대로 유지될 수 있다. 상기 제1 평탄화층(140)은 상기 식각 방지층(130)에 대해 식각 선택비를 갖는다.
도 1g를 참조하면, 잔류하는 상기 제1 임프린트 패턴(200), 상기 제1 평탄화층 패턴(140a) 및 상기 식각방지층(130)을 마스크로 하여, 상기 제1 영역(A1) 내의 상기 마스크층(120)을 부분적으로 제거한다. 이에 따라, 상기 제1 영역(A1)에 마스크 패턴(120a)를 형성할 수 있다.
예를 들면, 잔류하는 상기 제1 임프린트 패턴(200), 상기 제1 평탄화층 패턴(140a) 및 상기 식각방지층(130)을 식각 장벽(etch barrier)으로하여 상기 마스크층(120)을 건식 식각(dry etching)할 수 있다. 이에 따라 상기 제1 영역(A1) 내의 상기 제1 층(110)이 노출된다. 이때, 상기 식각방지층(130)이 상기 제2 영역(A2)을 커버하고 있으므로, 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 마스크층(120)은 그대로 유지될 수 있다. 상기 마스크층(120)은 상기 식각 방지층(130)에 대해 식각 선택비를 갖는다.
도 1h를 참조하면, 상기 마스크층(120) 상의 잔류하는 층들을 제거한다. 상기 마스크층(120) 및 상기 마스크 패턴(120a) 상의 잔류하는 임프린트 패턴(200), 잔류하는 제1 평탄화층 패턴(140a) 및 잔류하는 식각 방지층(130)을 제거한다. 이에 따라, 상기 제1 영역(A1) 내에 상기 마스크 패턴(120a)이 노출되고, 상기 제2 영역(A2) 내에 상기 마스크층(120)이 노출된다. 상기 제1 영역(A1) 내의 상기 마스크 패턴(120a)은 상기 도 1c에서의 공정에 의해 상기 제2 영역(A1) 내의 상기 마스크층(120) 보다 작은 두께를 갖는다.
도 1i를 참조하면, 상기 마스크 패턴(120a) 및 상기 마스크층(120) 상에 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2) 내에 제2 평탄화층(150)이 형성된다. 상기 제2 평탄화층(150)은 상기 마스크층(120) 및 상기 마스크 패턴(120a)에 의해 형성된 단차들을 평탄화하도록 상기 마스크 패턴(120a) 및 상기 마스크층(120) 상에 형성된다.
상기 제2 평탄화층(150)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 평탄화층(150)은 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계(siloxane-based) 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
상기 제2 평탄화층(150)의 상면을 평탄화 하기 위한 추가적인 공정이 수행될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 평타화층(150)의 전면에 대해 에치백 공정 또는 CMP (chemical mechanical polishing)공정이 수행될 수 있다.
이후, 상기 제2 평탄화층(150) 상에 제2 임프린트 패턴(210)이 형성된다.
상기 제2 임프린트 패턴(210)은 상기 제2 영역(A2) 내에 형성된다. 또한, 상기 제2 임프린트 패턴(210)은 상기 제2 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A1)과 인접한 상기 제1 영역(A1)의 일부에 까지 형성될 수 있다.
상기 제2 임프린트 패턴(220)은 와이어 그리드 편광판의 와이어 그리드 패턴에 대응되는 형상으로 일정한 형상의 복수의 돌출부들이 일정한 간격으로 상기 제1 평탄화층(140) 상에 위치하는 것일 수 있다. 상기 제2 임프린트 패턴(220)은 상기 제1 임프린트 패턴(210)과 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다.
상기 제2 임프린트 패턴(210)은 상기 제1 임프린트 패턴(200)과 실질적으로 동일한 임프린트 공정에 의해 형성될 수 있다.
예를 들면, 수지 용액은 복수의 방울(droplet) 형태로 상기 제2 평탄화층(150) 상에 잉크젯 방식으로 드랍(drop)되어 제공될 수 있다. 상기 수지 용액은 점성(viscosity)이 낮은 자외선 경화성 수지 조성물일 수 있다.
이후, 상기 임프린트 몰드와 상기 베이스 기판(100) 사이의 거리가 가까워 짐에 따라, 상기 수지 용액은 상기 임프린트 몰드에 의해 제2 원시 패턴(미도시)을 형성할 수 있다. 상기 임프린트 몰드는 상기 제2 원시 패턴에 반전 대응하는 형상을 갖는 몰드 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제2 원시 패턴은 상기 제2 평탄화층(150) 상에 형성되는 잔류층 및 상기 잔류층 상에 돌출되는 복수의 돌출부들을 포함할 수 있다.
이후, 상기 제2 원시 패턴에 자외선을 조사하여, 상기 제2 원시 패턴의 수지 용액을 경화시킬 수 있다. 상기 임프린트 몰드는 자외선을 투과시키므로, 상기 자외선은 상기 임프린트 몰드를 통해 상기 제2 원시 패턴에 도달하고, 상기 제2 원시 패턴의 수지 용액을 경화시킬 수 있다.
이후, 상기 제2 원시 패턴이 전체적으로 식각되어, 상기 돌출 패턴들 사이의 상기 잔류층이 제거되어 상기 제2 임프린트 패턴(210)이 형성될 수 있다.
도 1j를 참조하면, 상기 제2 임프린트 패턴(210)을 마스크로 하여 상기 제2 평탄화층(150)을 부분적으로 제거한다. 이에 따라, 상기 제2 영역(A2)에 제2 평탄화층 패턴(150a)를 형성할 수 있다.
예를 들면 상기 제2 임프린트 패턴(210)을 식각 장벽(etch barrier)으로하여 상기 제2 평탄화층(150)을 건식 식각(dry etching)할 수 있다. 이에 따라 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 마스크층(120)이 노출된다. 이때, 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 마스크층(120)의 상기 제1 두께(t1)는 상기 제1 영역(A1) 내의 마스크 패턴(120a)의 상기 제2 두께(t2)보다 크다. 따라서, 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 마스크층(120)이 노출되더라도, 상기 제1 영역(A1) 내의 상기 마스크 패턴(120a)는 여전히 상기 제1 평탄화층(140)에 의해 커버되어 있을 수 있다.
도 1k를 참조하면, 잔류하는 상기 제2 임프린트 패턴(210), 상기 제2 평탄화층 패턴(150a) 및 잔류하는 상기 제2 평탄화층(150)을 마스크로 하여, 상기 마스크층(120)을 부분적으로 제거한다. 이에 따라, 상기 제2 영역(A2)에 마스크 패턴(120a)을 형성할 수 있다.
예를 들면 잔류하는 상기 제2 임프린트 패턴(210), 상기 제2 평탄화층 패턴(150a) 및 잔류하는 상기 제2 평탄화층(150)을 식각 장벽(etch barrier)으로하여 상기 마스크층(120)을 건식 식각(dry etching)할 수 있다. 이에 따라 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 제1 층(110)이 노출된다.
상기 마스크층(120)은 상기 마스크층(120)의 식각 조건에서, 상기 제2 평탄화층(150)에 대해 식각 선택비를 갖는다.
이때, 잔류하는 상기 제2 평탄화층(150)이 상기 제1 영역(A1)을 커버하고 있으므로, 상기 제1 영역(A1) 상기 마스크 패턴(120a)는 유지될 수 있다.
상기 제1 두께(t1)와 상기 제2 두께(t2)의 차이(d)는 상기 마스크층(120)의 상기 제2 평탄화층(140)에 대한 식각 선택비에 따라 결정될 수 있다. 예를 들어, 상기 마스크층(120)의 식각 조건에서, 상기 제2 영역(A2) 내에 상기 마스크층(120)의 상기 제1 두께(t1)가 모두 식각되는 동안에, 상기 제1 영역(A1) 내에 상기 제2 평탄화층(150)이 소모(consume)되더라도 상기 마스크 패턴(120a)이 노출되지 않도록, 상기 제1 두께(t1) 및 상기 제2 두께(t2)가 결정될 수 있다.
상기 제2 영역(A2) 내에 상기 마스크 패턴(120a)이 형성되는 동안 상기 제1 영역(A2) 내에 상기 마스크 패턴(120a)은 그대로 유지되고, 상기 제1 임프린트 패턴(200)과 상기 제2 임프린트 패턴(210)은 상기 제1 영역(A1)과 상기 제2 영역(A2)의 경계에서 중첩되게 형성되므로, 이에 따라 상기 경계에서의 상기 마스크 패턴(120a)의 피치(pitch)의 오차는 최대 1/2 피치 이하일 수 있다.
도 1l를 참조하면, 상기 마스크 패턴(120a) 및 상기 제1 층(110) 상에 잔류하는 상기 제2 평탄화층(150), 상기 제2 평탄화 패턴(150a) 및 잔존하는 제2 임프린트 패턴(210)을 제거한다. 이에 따라, 상기 제1 층(110)이 상기 마스크 패턴(120a) 에 의해 부분적으로 노출된다.
도 1m를 참조하면, 상기 마스크 패턴(120a)을 마스크로 상기 제1 층(110)을 부분적으로 제거한다. 이에 따라, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2) 내에 제1 층 패턴(110a)을 형성할 수 있다. 예를 들면 상기 마스크 패턴(120a)을 식각 장벽(etch barrier)으로하여 상기 제1 층(110)을 건식 식각(dry etching)할 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 층 패턴(110a)이 상기 베이스 기판(100) 상에 배치되는 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿을 제조할 수 있다. 상기 마스터 템플릿은 상기 임프린트 몰드보다 큰 면적에 대해 임프린트 공정을 진행할 수 있다. 예를 들면, 상기 마스터 템플릿은 표시 패널에 사용되는 인-셀(in-cell) 와이어 그리드 편광자(wire grid polarizer)를 형성하는데 사용될 수 있다.
상기 임프린트 몰드는 일반적인 웨이퍼 크기(300mm) 이하이나, 상기 마스터 템플릿은 상기 임프린트 몰드의 면적의 수 배의 크기로 형성될 수 있으므로, 대면적 임프린트 공정이 가능하다. 따라서 상기 마스터 템플릿의 상기 베이스 기판(100)은 300mm 이상일 수 있다.
또한, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2) 사이의 패턴의 오차는 최대 1/2 피치(pitch)의 이하이므로, 상기 마스터 템플릿을 사용하여 제조한 와이어 그리드 편광판의 경우, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이의 seam 부분이 사용자에게 시인되지 않을 수 있다.
또한, 상기 마스터 템플릿을 제조하는 것 외에도, 상기 방법을 이용하여 표시 패널에 사용되는 인-셀(in-cell) 와이어 그리드 편광자(wire grid polarizer)를 직접 제조할 수도 있다.
도 2a 내지 2h는 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 임프린트 리소그래피 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2a를 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 제1 층(110)을 형성한다. 상기 제1 층 상에 제1 영역(A1) 내에 마스크 패턴(120a) 및 제2 영역(A2) 내에 마스크층(120)을 형성한다.
상기 베이스 기판(100), 상기 제1 층(110), 상기 마스크 패턴(120a) 및 상기 마스크층(120)을 형성하는 방법은 도 1a 내지 도 1h 에 나타난 임프린트 리소그래피 방법과 실질적으로 동일하다. 따라서 중복되는 설명은 생략한다.
도 2b를 참조하면, 상기 마스크 패턴(120a) 및 상기 마스크층(120) 상에 제2 식각방지층(125)을 형성한다. 상기 제2 식각방지층(125)은 후속하는 식각 공정에서 식각을 원치 않는 부분의 식각을 방지할 수 있다.
상기 제2 식각방지층(125)은 상기 마스크층(120)에 대해 식각 선택비를 갖는다. 즉, 상기 제2 식각방지층(125)은 상기 마스크층(120)의 식각 조건에서 상기 마스크층(120)에 비해 식각 속도가 낮은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 식각방지층(125)은 실리콘 산화물(SiOx), 알루미늄 산화물(AlOx), 티타늄 산화물(TiOx), 티타늄 질화물(TiNx) 및 알루미늄 질화물(AlNx) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 2c를 참조하면, 상기 제2 식각방지막(125) 상에 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2) 내에 제2 평탄화층(150)이 형성된다. 상기 제2 평탄화층(150)은 상기 마스크층(120) 및 상기 마스크 패턴(120a)에 의해 형성된 단차들을 평탄화하도록 상기 식각방지막(125) 상에 형성된다.
상기 제2 평탄화층(150)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 평탄화층(150)은 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계(siloxane-based) 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
상기 제2 평탄화층(150)의 상면을 평탄화 하기 위한 추가적인 공정이 수행될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 평타화층(150)의 전면에 대해 에치백 공정 또는 CMP (chemical mechanical polishing)공정이 수행될 수 있다.
이후, 상기 제2 평탄화층(150) 상에 제2 임프린트 패턴(210)이 형성된다.
상기 제2 임프린트 패턴(210)은 상기 제2 영역(A2) 내에 형성된다. 또한, 상기 제2 임프린트 패턴(210)은 상기 제2 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A1)과 인접한 상기 제1 영역(A1)의 일부에 까지 형성될 수 있다.
상기 제2 임프린트 패턴(220)은 와이어 그리드 편광판의 와이어 그리드 패턴에 대응되는 형상으로 일정한 형상의 복수의 돌출부들이 일정한 간격으로 상기 제1 평탄화층(140) 상에 위치하는 것일 수 있다. 상기 제2 임프린트 패턴(220)은 상기 제1 임프린트 패턴(210)과 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다.
상기 제2 임프린트 패턴(210)은 상기 제1 임프린트 패턴(200)과 실질적으로 동일한 임프린트 공정에 의해 형성될 수 있다.
예를 들면, 수지 용액은 복수의 방울(droplet) 형태로 상기 제2 평탄화층(150) 상에 잉크젯 방식으로 드랍(drop)되어 제공될 수 있다. 상기 수지 용액은 점성(viscosity)이 낮은 자외선 경화성 수지 조성물일 수 있다.
이후, 상기 임프린트 몰드와 상기 베이스 기판(100) 사이의 거리가 가까워 짐에 따라, 상기 수지 용액은 상기 임프린트 몰드에 의해 제2 원시 패턴(미도시)을 형성할 수 있다. 상기 임프린트 몰드는 상기 제2 원시 패턴에 반전 대응하는 형상을 갖는 몰드 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제2 원시 패턴은 상기 제2 평탄화층(150) 상에 형성되는 잔류층 및 상기 잔류층 상에 돌출되는 복수의 돌출부들을 포함할 수 있다.
이후, 상기 제2 원시 패턴에 자외선을 조사하여, 상기 제2 원시 패턴의 수지 용액을 경화시킬 수 있다. 상기 임프린트 몰드는 자외선을 투과시키므로, 상기 자외선은 상기 임프린트 몰드를 통해 상기 제2 원시 패턴에 도달하고, 상기 제2 원시 패턴의 수지 용액을 경화시킬 수 있다.
이후, 상기 제2 원시 패턴이 전체적으로 식각되어, 상기 돌출 패턴들 사이의 상기 잔류층이 제거되어 상기 제2 임프린트 패턴(210)이 형성될 수 있다.
도 2d를 참조하면, 상기 제2 임프린트 패턴(210)을 마스크로 하여 상기 제1 평탄화층(140)을 부분적으로 제거한다. 이에 따라, 상기 제1 영역(A1)에 제1 평탄화층 패턴(140a)를 형성할 수 있다.
예를 들면 상기 제2 임프린트 패턴(210)을 식각 장벽(etch barrier)으로하여 상기 제2 평탄화층(150)을 건식 식각(dry etching)할 수 있다. 이에 따라 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 제2 식각방지층(125)이 노출된다. 이때, 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 마스크층(120)의 상기 제1 두께(t1)는 상기 제1 영역(A1) 내의 마스크 패턴(120a)의 상기 제2 두께(t2)보다 크다. 따라서, 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 제2 식각방지층(125)이 노출되더라도, 상기 제1 영역(A1) 내의 상기 마스크 패턴(120a)는 여전히 상기 제1 평탄화층(140)에 의해 커버되어 있을 수 있다.
도 2e를 참조하면, 상기 제2 영역(A2) 내에 노출된 상기 제2 식각방지막(125)의 일부를 제거한다. 이에 따라 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 마스크층(120)이 노출된다. 이때 상기 제1 영역(A1) 내의 상기 제2 식각방지막(125)은 상기 제2 평탄화층(150)에 의해 커버되어 있으므로, 그대로 유지될 수 잇다.
도 2f를 참조하면, 잔류하는 상기 제2 임프린트 패턴(210), 상기 제2 평탄화층 패턴(150a), 잔류하는 상기 제2 평탄화층(150) 및 상기 제1 영역(A1) 내의 상기 제2 식각방지층(125)을 마스크로 하여, 상기 마스크층(120)을 부분적으로 제거한다. 이에 따라, 상기 제2 영역(A2)에 마스크 패턴(120a)을 형성할 수 있다.
예를 들면 잔류하는 상기 제2 임프린트 패턴(210), 상기 제2 평탄화층 패턴(150a), 잔류하는 상기 제2 평탄화층(150) 및 상기 제1 영역(A1) 내의 상기 제2 식각방지층(125)을 식각 장벽(etch barrier)으로하여 상기 마스크층(120)을 건식 식각(dry etching)할 수 있다. 이에 따라 상기 제2 영역(A2) 내의 상기 제1 층(110)이 노출된다.
이때, 상기 제1 영역(A1) 내에 상기 제2 식각방지층(125)이 상기 마스크 패턴(120a)을 커버하고 있으므로, 상기 제1 영역(A1) 내의 상기 마스크 패턴(120a)은 유지될 수 있다.
도 2g를 참조하면, 상기 마스크 패턴(120a) 및 상기 제1 층(110) 상에 잔류하는 상기 제2 평탄화층(150), 상기 제2 평탄화 패턴(150a), 상기 제2 임프린트 패턴(210), 및 상기 제2 식각방지층(125)을 제거한다. 이에 따라, 상기 제1 층(110)이 상기 마스크 패턴(120a) 에 의해 부분적으로 노출된다.
도 2h를 참조하면, 상기 마스크 패턴(120a)을 마스크로 상기 제1 층(110)을 부분적으로 제거한다. 이에 따라, 상기 제1 영역(A1) 및 상기 제2 영역(A2) 내에 제1 층 패턴(110a)을 형성할 수 있다. 예를 들면 상기 마스크 패턴(120a)을 식각 장벽(etch barrier)으로하여 상기 제1 층(110)을 건식 식각(dry etching)할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 층 패턴이 상기 베이스 기판 상에 배치되는 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿을 제조할 수 있다. 상기 마스터 템플릿은 상기 임프린트 몰드보다 큰 면적에 대해 임프린트 공정을 진행할 수 있다. 예를 들면, 상기 마스터 템플릿은 표시 패널에 사용되는 인-셀(in-cell) 와이어 그리드 편광자(wire grid polarizer)를 형성하는데 사용될 수 있다.
상기 임프린트 몰드는 일반적인 웨이퍼 크기(300mm) 이하이나, 상기 마스터 템플릿은 상기 임프린트 몰드의 면적의 수 배의 크기로 형성될 수 있으므로, 대면적 임프린트 공정이 가능하다. 따라서 상기 마스터 템플릿의 상기 베이스 기판은300mm 이상일 수 있다.
또한, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이의 패턴의 오차는 최대 1/2 피치(pitch)의 이하이므로, 상기 마스터 템플릿을 사용하여 제조한 와이어 그리드 편광판의 경우, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이의 seam 부분이 사용자에게 시인되지 않을 수 있다.
또한, 상기 마스터 템플릿을 제조하는 것 외에도, 상기 방법을 이용하여 표시 패널에 사용되는 인-셀(in-cell) 와이어 그리드 편광자(wire grid polarizer)를 직접 제조할 수도 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 베이스 기판 110: 제1 층
110a: 제1 층 패턴 120: 마스크층
120a: 마스크 패턴 130: 제1 식각방지층
140: 제1 평탄화층 150: 제2 평탄화층
A1: 제1 영역 A2: 제2 영역

Claims (20)

  1. 베이스 기판 상에 제1 영역 및 상기 제1 영역과 접하는 제2 영역 내에 마스크층을 형성하는 단계;
    상기 제1 영역 내의 상기 마스크층의 두께를 줄이는 단계;
    상기 마스크층 상에 상기 제1 및 제2 영역들 내에 제1 평탄화층을 형성하는 단계;
    상기 제1 평탄화층 상에 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 임프린트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제1 평탄화층을 부분적으로 식각하여, 제1 평탄화층-패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 평탄화층-패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 마스크층을 부분적으로 식각하여, 상기 제1 영역 내에 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 마스크 패턴 및 상기 마스크층 상에 상기 제1 및 제2 영역들 내에 제2 평탄화층을 형성하는 단계;
    상기 제2 평탄화층 상에 제2 임프린트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 임프린트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제2 평탄화층을 부분적으로 식각하여, 제2 평탄화층-패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 평탄화층-패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 마스크층을 부분적으로 식각하여, 상기 제2 영역 내에 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 마스크층은 상기 제2 영역에서 제1 두께를 갖고, 상기 제1 영역에서 제2 두께를 갖고, 상기 제1 두께는 상기 제2 두께 보다 큰 임프린트 리소그래피 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 마스크층의 두께를 줄이는 단계는
    상기 마스크층 상에 상기 제2 영역 내에 제1 식각방지층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 식각방지층을 이용하여 상기 마스크층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 식각방지층과 상기 마스크층은 식각 선택비를 갖고,
    상기 제1 평탄화층과 상기 제1 식각방지층은 식각 선택비를 갖고,
    상기 제2 평탄화층과 상기 마스크층은 식각 선택비를 갖는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 식각방지층은 실리콘 화합물을 포함하고, 상기 마스크층은 알루미늄등의 금속을 포함하고, 상기 제1 및 제2 평탄화층은 유기물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 두께 및 상기 제2 두께는 상기 마스크층과 상기 제1 평탄화층의 식각 선택비를 고려하여 결정되는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 마스크층의 식각 조건에서 상기 제1 두께의 마스크층을 식각하는 동안, 상기 제1 평탄화층이 소모(consume)되는 두께가 상기 제1 두께와 상기 제2 두께의 차이 보다 작은 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계 전에,
    상기 제1 평탄화층의 상면의 평탄도를 향상시키기 위해, 상기 제1 평탄화층에 대해 에치백 공정 또는 CMP (chemical mechanical polishing)공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계는
    상기 제1 평탄화층 상에 수지 용액을 제공하는 단계;
    임프린트 몰드를 사용하여 상기 수지 용액으로부터 원시 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 원시 패턴을 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계에서,
    상기 제1 임프린트 패턴은 상기 제1 영역 및 상기 제1 영역과 인접한 상기 제2 영역의 일부까지 형성되는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제2 임프린트 패턴을 형성하는 단계에서,
    상기 제2 임프린트 패턴은 상기 제2 영역 및 상기 제2 영역과 인접한 상기 제1 영역의 일부까지 형성되는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 임프린트 패턴 및 상기 제2 임프린트 패턴은 와이어 그리드 패턴에 대응되는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  12. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계와 상기 제2 평탄화층을 형성하는 단계 사이에,
    잔류하는 상기 제1 임프린트 패턴, 상기 제1 평탄화층-패턴 및 상기 제1 식각방지층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 마스크층을 형성하는 단계 전에, 상기 베이스 기판 상에 제1 층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 영역 내에 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 형성된 상기 마스크 패턴을 식각 장벽으로 이용하여 상기 제1 층을 부분적으로 식각하여, 제1 층 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 평탄화층-패턴을 형성하는 단계에서는
    상기 제2 영역의 상기 마스크층이 노출될때 까지 상기 제2 평탄화층을 식각하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 평탄화층을 형성하는 단계 전에,
    상기 제1 영역 내의 상기 제1 마스크 패턴 및 상기 제2 영역 내의 상기 마스크층 상에 제2 식각방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제2 평탄화층-패턴을 형성하는 단계에서는
    상기 제2 영역의 상기 제2 식각방지층이 노출될 때까지 상기 제2 평탄화층을 식각하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제2 식각방지층은 실리콘 산화물(SiOx), 알루미늄 산화물(AlOx), 티타늄 산화물(TiOx), 티타늄 질화물(TiNx) 및 알루미늄 질화물(AlNx) 중 어느 하나이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
  18. 베이스 기판 상에 제1 영역 및 상기 제1 영역과 접하는 제2 영역 내에 마스크층을 형성하는 단계;
    상기 제1 영역 내의 상기 마스크층의 두께를 줄이는 단계;
    상기 마스크층 상에 상기 제1 영역 및 상기 제1 영역과 인접하는 상기 제2 영역의 일부 내에 제1 임프린트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 임프린트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 마스크층을 부분적으로 식각하여, 상기 제1 영역 내에 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 마스크층 상에 상기 제2 영역 및 상기 제2 영역과 인접하는 상기 제1 영역의 일부 내에 제2 임프린트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 임프린트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제2 영역 내에 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 및 제2 마스크 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 제1 및 제2 마스크 패턴의 하부를 식각하는 단계를 포함하고,
    상기 마스크층은 상기 제2 영역에서 제1 두께를 갖고, 상기 제1 영역에서 제2 두께를 갖고, 상기 제1 두께는 상기 제2 두께 보다 큰 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 마스크층의 두께를 줄이는 단계는
    상기 마스크층 상에 상기 제2 영역 내에 제1 식각방지층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 식각방지층을 이용하여 상기 마스크층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법.
  20. 삭제
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