CN113013211B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

显示基板及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113013211B
CN113013211B CN202110210135.0A CN202110210135A CN113013211B CN 113013211 B CN113013211 B CN 113013211B CN 202110210135 A CN202110210135 A CN 202110210135A CN 113013211 B CN113013211 B CN 113013211B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
flexible light
layer
sub
transmitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110210135.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113013211A (zh
Inventor
夏维
王彦强
郭远征
韩永占
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202110210135.0A priority Critical patent/CN113013211B/zh
Publication of CN113013211A publication Critical patent/CN113013211A/zh
Priority to US17/925,855 priority patent/US20230200151A1/en
Priority to PCT/CN2021/129394 priority patent/WO2022179178A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113013211B publication Critical patent/CN113013211B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种显示基板，包括：柔性透光基底；设置在所述柔性透光基底一侧的遮光层；以及，设置在所述遮光层远离所述柔性透光基底一侧的多个子像素。所述柔性透光基底的一侧具有多个凹槽。所述遮光层包括多个遮光图案，一个遮光图案位于一个凹槽内；所述遮光图案包括第一子遮光图案和第二子遮光图案，所述第一子遮光图案覆盖在所述凹槽的侧壁上，所述第二子遮光图案覆盖在所述凹槽的底面上。各子像素包括像素驱动电路和发光器件。其中，所述像素驱动电路包括多个晶体管，一个晶体管的有源层位于一个凹槽内；相对于所述柔性透光基底，所述有源层靠近所述柔性透光基底的一侧表面，低于所述第一子遮光图案远离所述柔性透光基底的一侧表面。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着科学技术的发展，透明显示技术愈发引起人们的关注。
透明显示屏既能够显示图像，又能够具有一定的光线透过率，透过透明显示屏，能够看到另外一侧的景象。透明显示屏可以广泛应用于建筑物外墙、展示橱窗、展会展板、机场、酒店或舞台等场合。
发明内容
一方面，提供一种显示基板。所述显示基板包括：柔性透光基底；设置在所述柔性透光基底一侧的遮光层；以及，设置在所述遮光层远离所述柔性透光基底一侧的多个子像素。所述柔性透光基底的一侧具有多个凹槽。所述遮光层包括多个遮光图案，一个遮光图案位于一个凹槽内；所述遮光图案包括第一子遮光图案和第二子遮光图案，所述第一子遮光图案覆盖在所述凹槽的侧壁上，所述第二子遮光图案覆盖在所述凹槽的底面上。各子像素包括像素驱动电路和发光器件。其中，所述像素驱动电路包括多个晶体管，一个晶体管的有源层位于一个凹槽内；相对于所述柔性透光基底，所述有源层靠近所述柔性透光基底的一侧表面，低于所述第一子遮光图案远离所述柔性透光基底的一侧表面。
在一些实施例中，相对于所述柔性透光基底，所述有源层远离所述柔性透光基底的一侧表面，与所述第一子遮光图案远离所述柔性透光基底的一侧表面持平，或者，低于所述第一子遮光图案远离所述柔性透光基底的一侧表面。
在一些实施例中，一个凹槽内设置有多个有源层。所述多个有源层属于至少一个像素驱动电路中的晶体管。
在一些实施例中，所述第一子遮光图案和所述第二子遮光图案之间的夹角大于或等于90°。
在一些实施例中，所述显示基板，还包括：设置在所述柔性透光基底和所述多个子像素之间的阻隔层。所述阻隔层具有多个开口，所述多个开口暴露所述多个凹槽。所述第一子遮光图案在所述柔性透光基底上的正投影，与所述阻隔层在所述柔性透光基底上的正投影相切或部分重叠。
在一些实施例中，所述遮光层包括金属层。所述遮光层接地设置。
在一些实施例中，所述显示基板，还包括：设置在所述遮光图案和所述有源层之间的缓冲层。所述缓冲层覆盖所述第一子遮光图案和所述第二子遮光图案。沿平行于所述柔性透光基底的方向，所述第一子遮光图案和所述有源层之间具有间距。
在一些实施例中，所述晶体管的栅极位于所述晶体管的有源层远离所述柔性透光基底的一侧。
另一方面，提供一种显示基板的制备方法。所述显示基板的制备方法包括：提供柔性透光薄膜；对所述柔性透光薄膜进行图案化处理，形成多个凹槽，得到柔性透光基底；在所述柔性透光基底的一侧形成遮光层；在所述遮光层远离所述柔性透光基底的一侧形成多个子像素。所述遮光层包括多个遮光图案，一个遮光图案位于一个凹槽内；所述遮光图案包括第一子遮光图案和第二子遮光图案，所述第一子遮光图案覆盖在所述凹槽的侧壁上，所述第二子遮光图案覆盖在所述凹槽的底面上。各子像素包括像素驱动电路和发光器件。其中，所述像素驱动电路包括多个晶体管，一个晶体管的有源层位于一个凹槽内；相对于所述柔性透光基底，所述有源层靠近所述柔性透光基底的一侧表面，低于所述第一子遮光图案远离所述柔性透光基底的一侧表面。
在一些实施例中，所述对所述柔性透光薄膜进行图案化处理，形成多个凹槽，包括：在所述柔性透光薄膜的一侧形成阻隔薄膜；在所述阻隔薄膜远离所述柔性透光薄膜的一侧形成第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层进行图案化，以图案化后的第一光刻胶层为掩膜，对所述阻隔薄膜进行图案化，形成多个开口，得到阻隔层；以所述阻隔层为掩膜，对所述柔性透光薄膜进行图案化，形成多个凹槽，得到所述柔性透光基底。
在一些实施例中，所述对所述柔性透光薄膜进行图案化处理，形成多个凹槽，包括：在所述柔性透光薄膜的一侧形成阻隔薄膜；在所述阻隔薄膜远离所述柔性透光薄膜的一侧形成第二光刻胶层；对所述第二光刻胶层进行图案化，以图案化后的第二光刻胶层为掩膜，对所述阻隔薄膜进行图案化，形成多个开口，得到阻隔层，并对所述柔性透光薄膜进行图案化，形成多个凹槽，得到所述柔性透光基底。
在一些实施例中，所述在所述柔性透光基底的一侧形成遮光层，包括：在所述柔性透光基底的形成有所述多个凹槽的一侧形成遮光薄膜；在所述遮光薄膜远离所述柔性透光基底的一侧形成第三光刻胶层；对所述第三光刻胶层进行图案化，以图案化后的第三光刻胶层为掩膜，对所述遮光薄膜进行图案化，形成位于凹槽内的遮光图案，得到所述遮光层。
在一些实施例中，所述提供柔性透光薄膜，包括：提供刚性衬底；在所述刚性衬底上形成柔性透光薄膜。所述显示基板的制备方法还包括：在形成所述多个子像素之后，去除所述刚性衬底。
在一些实施例中，所述在所述遮光层远离所述柔性透光基底的一侧形成多个子像素，包括：在所述遮光层远离所述柔性透光基底的一侧形成有源薄膜；在所述有源薄膜远离所述柔性透光基底的一侧形成第四光刻胶层；对所述第四光刻胶层进行图案化，以图案化后的第四光刻胶层为掩膜，对所述有源薄膜进行图案化，得到位于各凹槽内的有源层。
在一些实施例中，所述在所述遮光层远离所述柔性透光基底的一侧形成多个子像素，还包括：在位于各凹槽内的有源层远离所述柔性透光基底的一侧形成相应晶体管的栅极。
又一方面，提供一种显示装置。所述显示装置，包括：如上述任一实施例中所述的显示基板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程等的限制。
图1为根据本公开一些实施例中的一种显示基板的结构图；
图2为根据本公开一些实施例中的一种子像素的结构图；
图3为根据本公开一些实施例中的一种柔性透光基底、遮光层及有源层的结构图；
图4为图3所示结构的沿M-M＇向的一种剖视图；
图5为图3所示结构的沿M-M＇向的另一种剖视图；
图6为根据本公开一些实施例中的另一种柔性透光基底、遮光层及有源层的结构图；
图7为根据本公开一些实施例中的另一种显示基板的结构图；
图8为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；
图9为根据本公开一些实施例中的一种显示基板的制备方法的流程图；
图10为图9所示流程图中S100的一种流程图；
图11为图9所示流程图中S200的一种流程图；
图12为图9所示流程图中S200的另一种流程图；
图13为图9所示流程图中S300的一种流程图；
图14为图9所示流程图中S400的一种流程图；
图15a～图15n为根据本公开一些实施例中的一种显示基板的制备步骤图；
图16a～图16c为根据本公开一些实施例中的一种遮光层的制备步骤图；
图17为根据本公开一些实施例中的一种显示装置的结构图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时，可能使用了“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
本文中“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
如本文所使用的那样，“约”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
在相关技术中，透明显示屏基本为刚性显示屏。但是刚性显示屏难以进行弯折，这样限制了透明显示屏的应用范围。
而且，透明显示屏中的子像素包括像素驱动电路，该像素驱动电路包括多个晶体管。外界环境光容易照射到晶体管的有源层上，导致有源层的载流子迁移率下降，影响晶体管的工作性能，进而影响透明显示屏的显示质量。
基于此，本公开的一些实施例提供了一种显示基板100。下面结合附图对显示基板100的结构进行示意性说明。
在一些示例中，如图1、图7和图8所示，上述显示基板100可以包括：柔性透光基底1。
示例性的，上述柔性透光基底1具有较好的柔韧性、支撑强度和较高的光线透过率。这样可以利用柔性透光基底1的支撑强度为后续形成的结构形成支撑，可以利用柔性透光基底1的柔韧性，使得显示基板100具有可折叠功能，还可以利用柔性透光基底1的较高光线透过率，使得显示基板100实现透明显示。这样有利于扩大显示基板100的应用范围。
上述柔性透光基底1的材料包括多种，可以根据实际需要选择设置，能够使得显示基板100具备折叠功能且能实现透明显示即可。
示例性的，上述柔性透光基底1的材料可以为无色聚酰亚胺(ColorlessPolyimide，简称CPI)、聚丙烯(Polypropylene，简称PP)、聚乙烯(Polyethylene，简称PE)或聚苯乙烯(Polystyrene，简称PS)等。
在一些示例中，如图1所示，上述显示基板100还可以包括：设置在柔性透光基底1一侧的多个子像素2。该多个子像素2例如可以呈阵列状排布。
示例性的，如图2所示，各子像素2包括像素驱动电路21和发光器件22。该发光器件22可以设置在像素驱动电路21远离柔性透光基底1的一侧，且与像素驱动电路21电连接。像素驱动电路21被配置为提供驱动电压至与其电连接的发光器件22，以控制该发光器件22的发光状态。这样多个子像素2的发光器件22可以相互配合，使得显示基板100能够进行图像显示。
示例性的，发光器件22可以为OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)。
示例性的，如图2所示，上述像素驱动电路21包括多个晶体管211。
此处，像素驱动电路21的结构包括多种，可以根据实际需要选择设置。例如，像素驱动电路21的结构可以包括“2T1C”、“6T1C”、“7T1C”、“6T2C”或“7T2C”等结构。此处，“T”表示为晶体管，位于“T”前面的数字表示为晶体管的数量，“C”表示为存储电容器，位于“C”前面的数字表示为存储电容器的数量。也即，像素驱动电路21所包括的晶体管211的数量，可以根据其结构而定。如图2所示，本公开以像素驱动电路21为“2T1C”结构为例进行示意性说明。
像素驱动电路21所包括的晶体管211的结构包括多种，可以根据实际需要选择设置。示例性的，晶体管211可以为顶栅型晶体管，或者，晶体管211也可以为底栅型晶体管。
本公开以像素驱动电路21所包括的多个晶体管211均为顶栅型晶体管为例，进行示意性说明。
示例性的，如图7和图8所示，晶体管211包括：有源层2111和栅极2112。其中，在晶体管211的结构为顶栅型晶体管的情况下，栅极2112位于有源层2111远离柔性透光基底1的一侧。
此处，显示基板100还可以包括设置在有源层2111和栅极2112之间的栅绝缘层。这样可以利用栅绝缘层将有源层2111和栅极2112隔开，使得两者相互绝缘，避免两者形成短接。
示例性的，如图7和图8所示，晶体管211还可以包括：源极2113和漏极2114。其中，源极2113和漏极2114可以设置在栅极2112远离柔性透光基底1的一侧。
此处，显示基板100还可以包括设置在源极2113和栅极2112及漏极2114和栅极2112之间的层间介质层。这样可以利用层间介质层将源极2113和栅极2112及漏极2114和栅极2112隔开，避免源极2113和栅极2112及漏极2114和栅极2112形成短接。
在此基础上，栅绝缘层和层间介质层中均可以具有暴露有源层2111的一部分的过孔。各源极2113可以分别通过相应的过孔与相应的有源层2111接触，形成电连接；各漏极2114可以分别通过相应的过孔与相应的有源层2111接触，形成电连接。
需要说明的是，晶体管211可以包括源极2113和漏极2114，也可以不包括源极2113和漏极2114，可以根据像素驱动电路21的实际版图设计而定。
在一些示例中，如图4、图5、图7和图8所示，上述柔性透光基底1的一侧具有多个凹槽A。
示例性的，如图7和图8所示，上述多个子像素2可以设置在柔性透光基底1的具有多个凹槽A的一侧。其中，一个晶体管211的有源层2111可以位于一个凹槽A内。
这也就意味着，一个凹槽A内可以设置有至少一个晶体管211的有源层2111。
例如，如图3～图5及图7所示，一个凹槽A内设置一个有源层2111。此时，凹槽A的数量可以大于或等于有源层2111的数量。
又如，如图6及图8所示，一个凹槽A内设置有多个有源层2111。此时，凹槽A的数量小于有源层2111的数量。该凹槽A内设置的多个有源层2111可以属于至少一个像素驱动电路21中的晶体管211。
可选的，上述多个有源层2111可以属于一个像素驱动电路21中的晶体管211。该多个有源层2111可以属于该像素驱动电路21中多个晶体管211的一部分晶体管211，也可以属于该像素驱动电路21中的所有晶体管211。
可选的，上述多个有源层2111可以属于多个像素驱动电路21中的晶体管211。该多个像素驱动电路21可以属于相邻的多个子像素2，该多个子像素2可以为相同颜色的子像素2(例如均为红色子像素、绿色子像素或蓝色子像素)，也可以为不同颜色的子像素2(例如为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的至少两种)。
示例性的，如图4、图5、图7和图8所示，每个凹槽A包括：侧壁A1和底面A2。该侧壁A1呈环状，且侧壁A1的一端与底面A2的边缘相连接。
上述凹槽A的剖面形状包括多种，可以根据实际需要选择设置。示例性的，如图4和图5所示，凹槽A的剖面形状可以为矩形或梯形等。其中，在凹槽A的剖面形状为矩形的情况下，侧壁A1和底面A2之间相互垂直；在凹槽A的剖面形状为梯形的情况下，侧壁A1和底面A2之间的夹角大于90°。
上述凹槽A的俯视形状包括多种。由于有源层2111设置在凹槽A内，凹槽A的俯视形状可以根据有源层2111的实际版图设计选择设置。凹槽A的俯视形状与其底面A2的平面形状基本相同。
在有源层2111和凹槽A一一对应设置的情况下，凹槽A的俯视形状，可以与有源层2111在柔性透光基底1上的正投影形状基本相同。例如，有源层2111在柔性透光基底1上的正投影形状为矩形，则凹槽A的俯视形状为矩形；有源层2111在柔性透光基底1上的正投影形状为梯形，则凹槽A的俯视形状为梯形；如图3所示，有源层2111在柔性透光基底1上的正投影形状为U形，则凹槽A的俯视形状为U形。
在一个凹槽A内设置有多个有源层2111的情况下，如图6所示，凹槽A的俯视形状，可以与该多个有源层2111在柔性透光基底1上的正投影形状的外轮廓基本相同。例如，该多个有源层2111在柔性透光基底1上的正投影形状的外轮廓为矩形，则凹槽A的俯视形状为矩形。
此处，考虑到制备形成凹槽A的工艺，难以避免地会具有一定的工艺误差，在制备形成凹槽A后，凹槽A的侧壁A1和/或底面A2可能不会绝对平整，也即，凹槽A的侧壁A1和/或底面A2可能会凹凸不平。这样凹槽A的剖面形状可能是不规整的矩形或梯形，凹槽A的俯视形状可能是不规整的矩形、梯形或U形。其中，不规整指的是，由于工艺误差，凹槽A的剖面形状或凹槽A的俯视形状的边是曲线段，而不是直线段。
在一些示例中，如图3～图8所示，上述显示基板100还可以包括：设置柔性透光基底1一侧的遮光层3。该遮光层3被配置为，对光线进行遮挡(例如吸收或反射)，避免光线透过遮光层3自身，从遮光层3的一侧入射至相对的另一侧。
上述遮光层3例如可以设置在柔性透光基底1的具有多个凹槽A的一侧。基于此，上述多个子像素2可以设置在该遮光层3远离柔性透光基底1的一侧。各遮光图案31则位于相应的凹槽A和相应的有源层2111之间。
示例性的，如图6～图8所示，遮光层3包括多个遮光图案31，一个遮光图案31位于一个凹槽A内。
遮光图案31的数量可以根据实际需要选择设置。例如，遮光图案31的数量小于或等于凹槽A的数量。其中，在遮光图案31的数量等于凹槽A的数量的情况下，遮光图案31和凹槽A可以一一对应设置。
示例性的，如图4、图5、图7和图8所示，遮光图案31可以包括第一子遮光图案311和第二子遮光图案312。第一子遮光图案311覆盖在凹槽A的侧壁A1上，第二子遮光图案312覆盖在凹槽A的底面A2上。其中，第一子遮光图案311呈环状，且第一子遮光图案311的一端与第二子遮光图案312的边缘相连接。
如图4、图5、图7和图8所示，遮光图案31与相应的凹槽A直接接触，遮光图案31的形状与相应的凹槽A的形状相同或基本相同。这样遮光图案31也便可以形成与凹槽A形状基本相同的槽状结构，进而可以对其所围成的内部空间进行遮光。关于遮光图案31的形状可以参照对凹槽A的形状的说明，此处不再赘述。
在一些示例中，如图4、图5、图7和图8所示，位于凹槽A内的有源层2111中，相对于柔性透光基底1，该有源层2111靠近柔性透光基底1的一侧表面，低于第一子遮光图案311远离柔性透光基底1的一侧表面。
需要说明的是，考虑到制备形成遮光图案31的工艺，难以避免地会具有一定的工艺误差，在制备形成遮光图案31后，遮光图案31中第一子遮光图案311远离柔性透光基底1的一侧表面可能不会绝对平整，也即，第一子遮光图案311远离柔性透光基底1的一侧表面可能会凹凸不平。
基于此，有源层2111靠近柔性透光基底1的一侧表面，低于第一子遮光图案311远离柔性透光基底1的一侧表面，可以指的是，有源层2111靠近柔性透光基底1的一侧表面与柔性透光基底1之间的间距(例如最小间距)，小于第一子遮光图案311远离柔性透光基底1的一侧表面与柔性透光基底1之间的最大间距。这样可以确保有源层2111的至少一部分沉入遮光图案31所围成的空间内，进而可以利用遮光图案31对有源层2111靠近柔性透光基底1的一侧表面及侧面的至少一部分进行遮光。
由此，本公开的一些实施例所提供的显示基板100，通过将多个子像素2设置在柔性透光基底1的一侧，可以利用柔性透光基底1实现柔性显示，扩大显示基板100的应用范围。
而且，通过在柔性透光基底1和该多个子像素2之间设置遮光层3，使得遮光层3所包括的遮光图案31仅位于柔性透光基底1所具有的凹槽A内，并将子像素2中晶体管211的有源层2111设置在凹槽A内，使得有源层2111靠近柔性透光基底1的一侧表面，相对于柔性透光基底1低于遮光图案31中第一子遮光图案311远离柔性透光基底1的一侧表面，可以确保有源层2111的至少一部分沉入遮光图案31所围成的空间内。这样不仅可以确保射向柔性透光基底1的未设置有遮光图案31的部分的光线能够透过柔性透光基底1，使得显示基板100能够实现柔性透明显示，还可以利用遮光图案31对射向透过柔性透光基底1的相应部分(也即设置有遮光图案31的部分)的光线进行遮挡，也即，可以利用第一子遮光图案311对射向有源层2111的侧面的至少一部分光线进行遮挡，可以利用第二子遮光图案312对射向有源层2111靠近柔性透光基底1的一侧表面的光线进行遮挡，使得遮光图案31对有源层2111具有较大的光线遮挡范围，从而可以有效地减少射向有源层2111的光线的量，进而可以避免影响晶体管211的载流子迁移率，避免影响晶体管211的工作性能，提高显示基板100的显示质量。
此外，在晶体管211为顶栅型晶体管的情况下，还可以利用栅极2112对射向有源层2111远离柔性透光基底1的一侧表面的光线进行遮挡，这样栅极2112可以和遮光图案31相配合，对有源层2111形成较为全面的光线遮挡范围，进一步减少射向有源层2111的光线的量，避免影响晶体管211的载流子迁移率，进一步避免影响晶体管211的工作性能，提高显示基板100的显示质量。
在一些实施例中，如图5、图7和图8所示，相对于柔性透光基底1，有源层2111远离柔性透光基底1的一侧表面，与第一子遮光图案311远离柔性透光基底1的一侧表面持平，或者，低于第一子遮光图案311远离柔性透光基底1的一侧表面。
这也就意味着，有源层2111远离柔性透光基底1的一侧表面与柔性透光基底1之间的间距(例如最大间距)，小于或等于，第一子遮光图案311远离柔性透光基底1的一侧表面与柔性透光基底1之间的最大间距。有源层2111可以全部沉入遮光图案31所围成的空间内。
这样可以利用第一子遮光图案311对有源层2111的侧面进行完全或较为完全的遮光，避免光线射向有源层2111的侧面。这样进一步扩大了对有源层2111的侧面的遮光范围，从而可以进一步减少射向有源层2111的光线的量，避免影响晶体管211的载流子迁移率，进一步避免影响晶体管211的工作性能，提高显示基板100的显示质量。
在一些实施例中，如图4、图5、图7和图8所示，遮光图案31中，第一子遮光图案311和第二子遮光图案312之间的夹角大于或等于90°。
在一些示例中，遮光图案31的厚度均匀性较高。第一子遮光图案311和第二子遮光图案312之间的夹角可以指的是，第一子遮光图案311靠近凹槽A的侧壁A1的一侧表面和第二子遮光图案312靠近凹槽A的底面A2的一侧表面之间的夹角，或者，第一子遮光图案311远离凹槽A的侧壁A1的一侧表面和第二子遮光图案312远离凹槽A的底面A2的一侧表面之间的夹角。
在另一些示例中，遮光图案31的厚度均匀性较低。第一子遮光图案311和第二子遮光图案312之间的夹角可以指的是，第一子遮光图案311靠近凹槽A的侧壁A1的一侧表面和第二子遮光图案312靠近凹槽A的底面A2的一侧表面之间的夹角。
也即，第一子遮光图案311和第二子遮光图案312之间的夹角，与凹槽A的侧壁A1和底面A2之间的夹角基本相等。
需要说明的是，如果将遮光图案设置为面状结构，平铺在柔性透光基底1的一侧，则需要较大面积的遮光图案，以便于能够利用面状结构的遮光图案对有源层2111的侧面进行遮光。但是这样也便增大了该面状结构的遮光图案与柔性透光基底1之间的面积比，降低光线透过率，影响柔性透明显示的效果。
本公开通过将遮光图案31设置为相连接的第一子遮光图案311和第二子遮光图案312，并使得第一子遮光图案311和第二子遮光图案312之间的夹角，与凹槽A的侧壁A1和底面A2之间的夹角基本相等，可以利用较小面积的第一子遮光图案311对有源层2111的侧面的至少一部分进行遮光，减小遮光图案31在柔性透光基底1上的正投影与柔性透光基底1之间的面积比，确保显示基板100具有较高的光线透过率，进而确保显示基板100具有较好的柔性透明显示效果。
在一些示例中，沿垂直于柔性透光基底1的方向，第一子遮光图案311的尺寸分量的范围可以为1μm～3μm。例如，该尺寸分量可以为1μm、1.5μm、2μm、2.6μm或3μm等。
这样既可以使得第一子遮光图案311具有较小的面积，避免减小显示基板100的光线透过率，又可以实现对有源层2111的侧面的至少一部分的遮光。
由于第一子遮光图案311覆盖在凹槽A的侧壁A1上，因此，沿垂直于柔性透光基底1的方向，第一子遮光图案311的尺寸分量和凹槽A的侧壁A1的尺寸分量可以大致相等。相应的，沿垂直于柔性透光基底1的方向，凹槽A的侧壁A1的尺寸分量的范围可以为1μm～3μm。
上述遮光层3的厚度可以根据实际需要选择设置。示例性的，遮光层3的厚度可以为50nm～300nm。例如，遮光层3的厚度可以为50nm、100nm、200nm、270nm或300nm等。
这样既可以确保遮光层3对光线的遮挡效果，又可以避免增大显示基板100的厚度，减少遮光材料的使用量。
在一些实施例中，遮光层3的材料包括多种，可以根据实际需要选择设置。
在一些示例中，遮光层3的材料可以为金属材料，也即，遮光层3为金属层。在此情况下，遮光层3接地设置。这样可以避免遮光层3对有源层2111产生不良影响。
示例性的，遮光层3的材料可以为银、铜、铝或钼等。
在另一些示例中，遮光层3的材料可以为金属氧化物或有机材料等。
示例性的，遮光层3的材料可以为氧化铜、氧化亚铜或过氧化银等；或者，遮光层3的材料可以为非晶硅；或者，遮光层3的材料可以为掺杂有黑色粒子(例如碳、铜或铬等)的聚苯乙烯、环氧树脂或聚丙烯酸酯等。
在一些实施例中，如图4、图5、图7和图8所示，上述显示基板100还可以包括：设置在遮光图案311和有源层2111之间的缓冲层4。该缓冲层4覆盖第一子遮光图案311和第二子遮光图案312。有源层2111和缓冲层4可以直接接触。
在一些示例中，第一子遮光图案311和第二子遮光图案312在柔性透光基底1上的正投影，位于缓冲层4在柔性透光基底1上的正投影范围内。缓冲层4对第一子遮光图案311和第二子遮光图案312形成遮挡及保护，避免在制备形成后续的薄膜(例如有源层2111或栅极2112等)的过程中，对遮光图案31造成损伤。
示例性的，如图4、图5、图7和图8所示，缓冲层4为整层结构。这样缓冲层4在对第一子遮光图案311和第二子遮光图案312形成遮挡及保护的同时，还对柔性透光基底1的表面形成遮挡及保护，避免在制备形成后续的薄膜(例如有源层2111或栅极2112等)的过程中，对柔性透光基底1造成损伤。
在一些示例中，如图4、图5、图7和图8所示，沿平行于柔性透光基底1的方向，第一子遮光图案311和有源层2111之间具有间距。
示例性的，上述间距大于或等于缓冲层4的厚度。这样可以利用缓冲层4将第一子遮光图案311和有源层2111隔开。在遮光层3为金属层的情况下，还可以利用缓冲层4使得遮光层3和有源层2111之间相互绝缘。
示例性的，缓冲层4的厚度范围可以为300nm～1000nm。例如，缓冲层4的厚度可以为300nm、400nm、510nm、730nm或1000nm等。
在一些实施例中，如图5、图7和图8所示，上述显示基板100还可以包括：设置在柔性透光基底1和多个子像素2之间的阻隔层5。该阻隔层5具有多个开口K，该多个开口K暴露多个凹槽A。第一子遮光图案311在柔性透光基底1上的正投影，与阻隔层5在柔性透光基底1上的正投影相切或部分重叠。
在一些示例中，阻隔层5呈网格状，对柔性透光基底1靠近多个子像素2的一侧表面形成覆盖，仅通过上述多个开口K暴露多个凹槽A。该多个开口K和多个凹槽A一一对应。每个开口K的边界，例如可以与相应凹槽A的侧壁A1远离地面A2的一侧边缘重合。
在一些示例中，阻隔层5相比遮光层3在先形成。这样在制备形成遮光层3后，遮光图案31中第一子遮光图案311的至少一部分可以搭接在阻隔层5靠近开口K的部分上，使得第一子遮光图案311在柔性透光基底1上的正投影，与阻隔层5在柔性透光基底1上的正投影部分重叠；或者，遮光层3在柔性透光基底1上的正投影，与阻隔层5在柔性透光基底1上的正投影互补，也即，第一子遮光图案311在柔性透光基底1上的正投影，与阻隔层5在柔性透光基底1上的正投影相切。
当然，第一子遮光图案311在柔性透光基底1上的正投影边界，与阻隔层5在柔性透光基底1上的正投影边界之间，可以无交叠，且两者之间具有间距。
在一些示例中，在显示基板100还包括缓冲层4的情况下，阻隔层5位于柔性透光基底1和缓冲层4之间。也即，阻隔层5相比缓冲层4在先形成。
本公开的一些实施例提供了一种显示基板的制备方法，如图9所示，该制备方法包括：S100～S400。
S100，提供柔性透光薄膜1a。
示例性的，上述柔性透光薄膜1a可以采用无色聚酰亚胺(Colorless Polyimide，简称CPI)、聚丙烯(Polypropylene，简称PP)、聚乙烯(Polyethylene，简称PE)或聚苯乙烯(Polystyrene，简称PS)等形成。
在一些示例中，如图10所示，在上述S100中，提供柔性透光薄膜1a，可以包括：S110～S120。
S110，提供刚性衬底1b。
刚性衬底1b的材料包括多种，可以根据实际需要选择设置，以能够对后续形成的柔性透光薄膜1a形成稳定的支撑，且在后续去除刚性衬底1b的过程中，不会对柔性透光基底1等形成损伤为准。
示例性的，刚性衬底1b例如可以为玻璃衬底或PMMA(Polymethyl methacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)衬底等。
S120，如图15a所示，在刚性衬底1b上形成柔性透光薄膜1a。
示例性的，基于柔性透光薄膜1a的材料为有机材料，在形成柔性透光薄膜1a的过程中，可以依次采用涂覆工艺(例如喷涂工艺或旋涂工艺等)及固化工艺(例如UV固化工艺)形成。柔性透光薄膜1a的厚度例如大于或等于6μm。
柔性透光薄膜1a具有较好的柔韧性。通过在刚性衬底1b上形成柔性透光薄膜1a，可以利用刚性衬底1b对柔性透光薄膜1a形成较为稳定的支撑，避免后续对柔性透光薄膜1a进行图案化处理的过程中形成弯折，进而可以确保后续形成的凹槽A的尺寸、形状等的准确性，提高显示基板100的良率。
S200，对柔性透光薄膜1a进行图案化处理，形成多个凹槽A，得到柔性透光基底1。
此处，对柔性透光薄膜1a进行图案化处理以形成多个凹槽A的方式包括多种，可以根据实际需要选择设置。
在一些示例中，如图11所示，对柔性透光薄膜1a进行图案化处理，形成多个凹槽A，包括：S210a～S240a。
S210a，如图15b所示，在柔性透光薄膜1a的一侧形成阻隔薄膜5a。
示例性的，阻隔薄膜5a的材料为无机材料。例如，该无机材料可以为SiN或SiO2等。
示例性的，可以采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition，简称PECVD)工艺形成阻隔薄膜5a。
在对柔性透光薄膜1a进行图案化的过程中，可以采用光刻工艺。由于柔性透光薄膜1a的材料为有机材料，因此难以采用具有图案的光刻胶层为掩膜对柔性透光薄膜1a进行刻蚀。
通过在柔性透光薄膜1a的一侧形成阻隔薄膜5a，可以利用阻隔薄膜5a将柔性透光薄膜1a及后续形成的光刻胶隔开，以便能够采用光刻工艺对柔性透光薄膜1a进行图案化。
S220a，如图15c所示，在阻隔薄膜5a远离柔性透光薄膜1a的一侧形成第一光刻胶层6a。
示例性的，可以采用涂覆工艺(例如喷涂工艺或旋涂工艺等)形成第一光刻胶层6a。该第一光刻胶层6a的材料例如为正性光刻胶。
S230a，如图15d所示，对第一光刻胶层6a进行图案化，以图案化后的第一光刻胶层6b为掩膜，对阻隔薄膜5a进行图案化，形成多个开口K，得到阻隔层5。
示例性的，在对第一光刻胶层6a进行图案化的过程中，可以在第一光刻胶层6a远离阻隔薄膜5a的一侧设置掩膜板，该掩膜板具有与待形成的凹槽A的俯视形状相同的图案；然后通过该掩膜板对第一光刻胶层6a进行曝光；然后对第一光刻胶层6a进行显影，去除第一光刻胶层6a中被曝光的部分，得到图案化后的第一光刻胶层6b。图案化后的第一光刻胶层6b暴露阻隔薄膜5a的一部分，该部分所在位置与待形成的凹槽A所在位置相对应。
示例性的，在得到图案化后的第一光刻胶层6b后，便可以以图案化后的第一光刻胶层6b为掩膜，对阻隔薄膜5a进行图案化(也即刻蚀)，去除阻隔薄膜5a中被图案化后的第一光刻胶层6b暴露的部分，形成多个开口K，也便得到了阻隔层5。
在得到阻隔层5后，例如可以去除图案化后的第一光刻胶层6b。
S240a，如图15e所示，以阻隔层5为掩膜，对柔性透光薄膜1a进行图案化，形成多个凹槽A，得到柔性透光基底1。
上述阻隔层5中的多个开口K暴露柔性透光薄膜1a的一部分，该部分则对应为待形成的凹槽A所在的位置。
在得到阻隔层5后，便可以以阻隔层5为掩膜，对柔性透光薄膜1a进行图案化(也即刻蚀)，部分去除柔性透光薄膜1a中被多个开口K暴露的一部分，形成多个凹槽A，也便得到了柔性透光基底1。
示例性的，对柔性透光薄膜1a进行刻蚀的深度，可以根据所需形成的凹槽A沿垂直于柔性透光基底1的方向上的尺寸而定。
例如，沿垂直于柔性透光基底1的方向，凹槽A的尺寸范围可以为1μm～3μm。该尺寸与柔性透光薄膜1a的厚度之间的比例小于或等于1/2，这样既可以避免影响柔性透光基底1的整体结构稳定性，又可以确保后续形成的遮光层3能够对晶体管211的有源层2111形成较好的遮光效果。
在另一些示例中，如图12所示，对柔性透光薄膜1a进行图案化处理，形成多个凹槽A，包括：S210b～S230b。
S210b，如图15b所示，在柔性透光薄膜1a的一侧形成阻隔薄膜5a。
关于S210b的说明可以参照上述S210a的说明，此处不再赘述。
S220b，如图16a所示，在阻隔薄膜5a远离柔性透光薄膜1a的一侧形成第二光刻胶层7a。
示例性的，可以采用涂覆工艺形成第二光刻胶层7a。该第二光刻胶层7a的材料例如为正性光刻胶。
S230b，如图16b和图16c所示，对第二光刻胶层7a进行图案化，以图案化后的第二光刻胶层7b为掩膜，对阻隔薄膜5a进行图案化，形成多个开口K，得到阻隔层5，并对柔性透光薄膜1a进行图案化，形成多个凹槽A，得到柔性透光基底1。
对第二光刻胶层7a进行图案化的过程，可以参照S230a中对第一光刻胶层6a进行图案化的过程，此处不再赘述。
示例性的，在得到图案化后的第二光刻胶层7b后，可以以图案化后的第二光刻胶层7b为掩膜，同时对阻隔薄膜5a和柔性透光薄膜1a进行图案化(也即刻蚀)。也就是说，可以在同一次刻蚀工艺中，对阻隔薄膜5a和柔性透光薄膜1a进行刻蚀，依次得到阻隔层5和柔性透光基底1。
此处，在对阻隔薄膜5a和柔性透光薄膜1a进行图案化的过程中，需要保留图案化后的第二光刻胶层7b。
S300，在柔性透光基底1的一侧形成遮光层3。遮光层3包括多个遮光图案31，一个遮光图案31位于一个凹槽A内。遮光图案31包括第一子遮光图案311和第二子遮光图案312，第一子遮光图案311覆盖在凹槽A的侧壁A1上，第二子遮光图案312覆盖在凹槽A的底面A2上。
在一些示例中，如图13所示，上述S300中，在柔性透光基底1的一侧形成遮光层3，包括：S310～S330。
S310，如图15f所示，在柔性透光基底2的形成有上述多个凹槽A的一侧形成遮光薄膜3a。
示例性的，在遮光薄膜3a的材料为金属材料的情况下，可以采用磁控溅射工艺形成遮光薄膜3a；在遮光薄膜3a的材料为无机材料的情况下，可以采用PECVD工艺形成遮光薄膜3a；在遮光薄膜3a的材料为有机材料的情况下，可以采用涂覆工艺形成遮光薄膜3a。
上述遮光薄膜3a覆盖上述多个凹槽A，并覆盖阻隔层5的至少一部分。
S320，如图15g所示，在遮光薄膜3a远离柔性透光基底1的一侧形成第三光刻胶层8a。
示例性的，可以采用涂覆工艺形成第三光刻胶层8a。该第三光刻胶层8a的材料例如为正性光刻胶。
S330，如图15h和图15i所示，对第三光刻胶层8a进行图案化，以图案化后的第三光刻胶层8b为掩膜，对遮光薄膜3a进行图案化，形成位于凹槽A内的遮光图案31，得到遮光层3。
示例性的，在对第三光刻胶层8a进行图案化的过程中，可以在第三光刻胶层8a远离柔性透光基底1的一侧设置掩膜板，该掩膜板具有与待形成的遮光层的形状互补的图案；然后通过该掩膜板对第三光刻胶层8a进行曝光；然后对第三光刻胶层8a进行显影，去除第三光刻胶层8a中被曝光的部分，得到图案化后的第三光刻胶层8b。图案化后的第三光刻胶层8b对遮光薄膜3a的位于凹槽A内的部分形成保护、遮挡。
示例性的，在得到图案化后的第三光刻胶层8b后，便可以以图案化后的第三光刻胶层8b为掩膜，对遮光薄膜3a进行图案化(也即刻蚀)，去除遮光薄膜3a中未被图案化后的第三光刻胶层8b遮挡、保护的部分，保留遮光薄膜3a中被图案化后的第三光刻胶层8b遮挡、保护的部分，该部分包括多个图案，每个图案位于凹槽A内，这样也便得到了包括多个遮光图案31的遮光层3。
关于遮光图案31的形状、结构等，可以参照上述一些实施例中的说明，此处不再赘述。
S400，在遮光层3远离柔性透光基底1的一侧形成多个子像素2。各子像素2包括像素驱动电路21和发光器件22。其中，像素驱动电路21包括多个晶体管211，一个晶体管211的有源层2111位于一个凹槽A内。相对于柔性透光基底1，该有源层2111靠近柔性透光基底1的一侧表面，低于第一子遮光图案31远离柔性透光基底1的一侧表面。
示例性的，如图15j所示，在形成上述多个子像素2之前，显示基板的制备方法还包括：在遮光层3远离柔性透光基底1的一侧形成缓冲层4。
例如，本公开可以采用PECVD工艺形成该缓冲层4。
关于缓冲层4的形状、结构等，可以参照上述一些实施例中的说明，此处不再赘述。
在一些示例中，如图14所示，上述S400中，在遮光层3远离柔性透光基底1的一侧形成多个子像素2，包括：S410～S430。
S410，如图15j所示，在遮光层3远离柔性透光基底1的一侧形成有源薄膜2111a。
示例性的，本公开可以采用PECVD工艺形成依次层叠的三层薄膜，该三层薄膜构成有源薄膜2111a。该有源薄膜2111a覆盖遮光层3以及柔性透光基底1中未被遮光层3覆盖的部分。
例如，上述三层薄膜中，一层薄膜的材料为氮化硅(SiN)，一层薄膜的材料为氧化硅(SiO)，一层薄膜的材料为非晶硅(a-Si)。
S420，如图15k所示，在有源薄膜2111a远离柔性透光基底1的一侧形成第四光刻胶层9a。
示例性的，可以采用涂覆工艺形成第四光刻胶层9a。该第四光刻胶层9a的材料例如为正性光刻胶。
S430，如图15l和图15m所示，对第四光刻胶层9a进行图案化，以图案化后的第四光刻胶层9b为掩膜，对有源薄膜2111a进行图案化，得到位于各凹槽A内的有源层2111。
示例性的，S430中对第四光刻胶层9a进行图案化的过程，与上述S330中对第三光刻胶层8a进行图案化的过程相同，S430中对有源薄膜2111a进行图案化的过程，与上述S330中对遮光薄膜3a进行图案化的过程相同，具体可以参照上述S330中的说明，此处不再赘述。
关于有源层2111的形状、结构及设置方式等，可以参照上述一些实施例中的说明，此处不再赘述。
在一些示例中，如图14所示，上述S400中，在遮光层3远离柔性透光基底1的一侧形成多个子像素2，还包括：S440。
S440，如图15n所示，在位于各凹槽A内的有源层2111远离柔性透光基底1的一侧形成相应晶体管211的栅极2112。
示例性的，本公开可以依次采用磁控溅射工艺及光刻工艺形成上述栅极2112。
在制备形成栅极2112后，便可以依次制备形成像素驱动电路21中晶体管2111的源极2113、漏极2114，以及发光器件22等。
本公开的一些实施例所提供的显示基板的制备方法所能实现的有益效果，与上述一些实施例中所提供的显示基板100所能实现的有益效果相同，此处不再赘述。
在一些实施例中，显示基板的制备方法还包括：在形成上述多个子像素2之后，去除刚性衬底1b。
示例性的，本公开可以采用激光剥离技术去除刚性衬底1b。去除刚性衬底1b后，便可以得到具有柔性透明显示功能的显示基板100。
本公开的一些实施例提供了一种显示装置1000。如图17所示，该显示装置1000包括：如上述任一实施例所述的显示基板100。
示例性的，如图17所示，显示装置100还可以包括承载框架200。该承载框架可以对显示基板100进行承载。
本公开的一些实施例所提供的显示装置1000所能实现的有益效果，与上述一些实施例中所提供的显示基板100所能实现的有益效果相同，此处不再赘述。
在一些实施例中，显示装置1000可以是显示不论运动(例如，视频)还是固定(例如，静止图像)的且不论文字还是图像的任何装置。更明确地说，预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联，所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(Personal Digital Assistant，简称PDA)、手持式或便携式计算机、全球定位系统(Global Positioning System，简称GPS)接收器/导航器、相机、动态图像专家组(Moving Picture Experts Group 4，简称MP4)视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如，车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如，对于一件珠宝的图像的显示器)等。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：
柔性透光基底；所述柔性透光基底的一侧具有多个凹槽；
设置在所述柔性透光基底一侧的遮光层；所述遮光层包括多个遮光图案，一个遮光图案位于一个凹槽内；所述遮光图案包括第一子遮光图案和第二子遮光图案，所述第一子遮光图案覆盖在所述凹槽的侧壁上，所述第二子遮光图案覆盖在所述凹槽的底面上；以及，
设置在所述遮光层远离所述柔性透光基底一侧的多个子像素；各子像素包括像素驱动电路和发光器件；
其中，所述像素驱动电路包括多个晶体管，一个晶体管的有源层位于一个凹槽内；一个凹槽内设置有多个有源层；所述多个有源层属于至少一个像素驱动电路中的晶体管；相对于所述柔性透光基底，所述有源层靠近所述柔性透光基底的一侧表面，低于所述第一子遮光图案远离所述柔性透光基底的一侧表面。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，相对于所述柔性透光基底，所述有源层远离所述柔性透光基底的一侧表面，与所述第一子遮光图案远离所述柔性透光基底的一侧表面持平，或者，低于所述第一子遮光图案远离所述柔性透光基底的一侧表面。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一子遮光图案和所述第二子遮光图案之间的夹角大于或等于90°。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：设置在所述柔性透光基底和所述多个子像素之间的阻隔层；
所述阻隔层具有多个开口，所述多个开口暴露所述多个凹槽；
所述第一子遮光图案在所述柔性透光基底上的正投影，与所述阻隔层在所述柔性透光基底上的正投影相切或部分重叠。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述遮光层包括金属层；
所述遮光层接地设置。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：设置在所述遮光图案和所述有源层之间的缓冲层；
所述缓冲层覆盖所述第一子遮光图案和所述第二子遮光图案；
沿平行于所述柔性透光基底的方向，所述第一子遮光图案和所述有源层之间具有间距。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述晶体管的栅极位于所述晶体管的有源层远离所述柔性透光基底的一侧。
8.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供柔性透光薄膜；
对所述柔性透光薄膜进行图案化处理，形成多个凹槽，得到柔性透光基底；
在所述柔性透光基底的一侧形成遮光层；所述遮光层包括多个遮光图案，一个遮光图案位于一个凹槽内；所述遮光图案包括第一子遮光图案和第二子遮光图案，所述第一子遮光图案覆盖在所述凹槽的侧壁上，所述第二子遮光图案覆盖在所述凹槽的底面上；
在所述遮光层远离所述柔性透光基底的一侧形成多个子像素；各子像素包括像素驱动电路和发光器件；
其中，所述像素驱动电路包括多个晶体管，一个晶体管的有源层位于一个凹槽内；一个凹槽内设置有多个有源层；所述多个有源层属于至少一个像素驱动电路中的晶体管；相对于所述柔性透光基底，所述有源层靠近所述柔性透光基底的一侧表面，低于所述第一子遮光图案远离所述柔性透光基底的一侧表面。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述对所述柔性透光薄膜进行图案化处理，形成多个凹槽，包括：
在所述柔性透光薄膜的一侧形成阻隔薄膜；
在所述阻隔薄膜远离所述柔性透光薄膜的一侧形成第一光刻胶层；
对所述第一光刻胶层进行图案化，以图案化后的第一光刻胶层为掩膜，对所述阻隔薄膜进行图案化，形成多个开口，得到阻隔层；
以所述阻隔层为掩膜，对所述柔性透光薄膜进行图案化，形成多个凹槽，得到所述柔性透光基底。
10.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述对所述柔性透光薄膜进行图案化处理，形成多个凹槽，包括：
在所述柔性透光薄膜的一侧形成阻隔薄膜；
在所述阻隔薄膜远离所述柔性透光薄膜的一侧形成第二光刻胶层；
对所述第二光刻胶层进行图案化，以图案化后的第二光刻胶层为掩膜，对所述阻隔薄膜进行图案化，形成多个开口，得到阻隔层，并对所述柔性透光薄膜进行图案化，形成多个凹槽，得到所述柔性透光基底。
11.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在所述柔性透光基底的一侧形成遮光层，包括：
在所述柔性透光基底的形成有所述多个凹槽的一侧形成遮光薄膜；
在所述遮光薄膜远离所述柔性透光基底的一侧形成第三光刻胶层；
对所述第三光刻胶层进行图案化，以图案化后的第三光刻胶层为掩膜，对所述遮光薄膜进行图案化，形成位于凹槽内的遮光图案，得到所述遮光层。
12.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述提供柔性透光薄膜，包括：
提供刚性衬底；
在所述刚性衬底上形成柔性透光薄膜；
所述显示基板的制备方法还包括：
在形成所述多个子像素之后，去除所述刚性衬底。
13.根据权利要求8～12中任一项所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在所述遮光层远离所述柔性透光基底的一侧形成多个子像素，包括：
在所述遮光层远离所述柔性透光基底的一侧形成有源薄膜；
在所述有源薄膜远离所述柔性透光基底的一侧形成第四光刻胶层；
对所述第四光刻胶层进行图案化，以图案化后的第四光刻胶层为掩膜，对所述有源薄膜进行图案化，得到位于各凹槽内的有源层。
14.根据权利要求13所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在所述遮光层远离所述柔性透光基底的一侧形成多个子像素，还包括：
在位于各凹槽内的有源层远离所述柔性透光基底的一侧形成相应晶体管的栅极。
15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：如权利要求1～7中任一项所述的显示基板。
CN202110210135.0A 2021-02-24 2021-02-24 显示基板及其制备方法、显示装置 Active CN113013211B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110210135.0A CN113013211B (zh) 2021-02-24 2021-02-24 显示基板及其制备方法、显示装置
US17/925,855 US20230200151A1 (en) 2021-02-24 2021-11-08 Display substrate and manufacturing method therefor, and display device
PCT/CN2021/129394 WO2022179178A1 (zh) 2021-02-24 2021-11-08 显示基板及其制备方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110210135.0A CN113013211B (zh) 2021-02-24 2021-02-24 显示基板及其制备方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113013211A CN113013211A (zh) 2021-06-22
CN113013211B true CN113013211B (zh) 2022-10-25

Family

ID=76386130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110210135.0A Active CN113013211B (zh) 2021-02-24 2021-02-24 显示基板及其制备方法、显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230200151A1 (zh)
CN (1) CN113013211B (zh)
WO (1) WO2022179178A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113013211B (zh) * 2021-02-24 2022-10-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN114545695A (zh) * 2022-02-16 2022-05-27 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示终端
KR20240022009A (ko) * 2022-08-10 2024-02-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003229283A (ja) * 2002-02-04 2003-08-15 Toshiba Corp 平面表示装置およびその製造方法
CN111816087A (zh) * 2020-07-17 2020-10-23 昆山国显光电有限公司 像素结构及显示面板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100790866B1 (ko) * 2006-01-06 2008-01-03 삼성전자주식회사 컬러 필터용 블랙 매트릭스 및 그 제조방법
TWI382207B (zh) * 2008-12-08 2013-01-11 Chimei Innolux Corp 彩色濾光基板、多視液晶顯示裝置及彩色濾光基板的製作方法
CN108695394A (zh) * 2017-04-06 2018-10-23 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置
CN108573956B (zh) * 2018-04-17 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN111312722A (zh) * 2019-11-13 2020-06-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
CN212485328U (zh) * 2020-06-16 2021-02-05 山东电子职业技术学院 一种具有凹槽结构的阵列基板及显示面板
CN113013211B (zh) * 2021-02-24 2022-10-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003229283A (ja) * 2002-02-04 2003-08-15 Toshiba Corp 平面表示装置およびその製造方法
CN111816087A (zh) * 2020-07-17 2020-10-23 昆山国显光电有限公司 像素结构及显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
US20230200151A1 (en) 2023-06-22
CN113013211A (zh) 2021-06-22
WO2022179178A1 (zh) 2022-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113013211B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN109300957B (zh) 一种oled基板及透明显示器
US20220085330A1 (en) Display substrate and manufacturing method therefor, and display device
US9709864B2 (en) Array substrate and its manufacturing method and display device
WO2020020186A1 (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
CN109343735B (zh) 一种触控显示基板及其制备方法、触控显示装置
TWI483049B (zh) 液晶顯示裝置和其製造方法，以及電子裝置
US11616113B2 (en) Display substrate, preparation method therefor, and display device
US20220367581A1 (en) Display substrate and preparation method therefor, and display apparatus
CN109801954B (zh) 阵列基板及其制造方法、显示面板及显示装置
US8283197B2 (en) Method for fabricating pixel structure
US9508867B2 (en) Thin film transistor, array substrate, method of fabricating same, and display device
US11482694B2 (en) Display panel, method for fabricating the same, and display device
US20200105793A1 (en) Display substrate, method for manufacturing same, and display device
US11450839B2 (en) Display device and manufacturing method thereof comprising patterning light-emitting layer in opening region
US11675237B2 (en) Array substrate and method for manufacturing the same, display panel and display device
US11882716B2 (en) Display panel, method for manufacturing same, and display apparatus
CN109003989B (zh) 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
US20210191181A1 (en) Array substrate, fabrication method thereof and display device
CN111509140B (zh) 显示用基板及其制备方法、显示装置
US10942403B2 (en) Display substrate and display apparatus
WO2020177666A1 (zh) 像素单元及其制造方法、显示基板
US20160033754A1 (en) Display device and method for fabricating the same
KR20200047832A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20210313409A1 (en) Display panel and fabrication method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant