CN110911465B - 阵列基板及其制备方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置。该制备方法包括：先后在背板上形成第一导电结构、中间膜层和第二导电结构，在形成中间膜层之后且在形成第二导电结构之前还包括：在中间膜层上形成整面压印胶，纳米压印压印胶使其表层形成高度不同的纳米压印结构阵列；形成刻蚀阻挡层及其中第一过孔的图形；第一过孔与第一导电结构的位置相对应；以刻蚀阻挡层为掩膜板刻蚀形成贯穿压印胶和中间膜层的第二过孔，以使第一导电结构局部暴露；第二过孔包括开设在压印胶中的第一子过孔和开设在中间膜层中的纳米过孔阵列。该制备方法能够减少或避免出现过孔残留不良，从而确保第二导电结构与第一导电结构实现连接，进而确保阵列基板能正常点亮。

Description

阵列基板及其制备方法和显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法和显示装置。
背景技术
在目前高分辨率显示器件中，接线Pad(电极)区的面积要求越来越小(如为若干微米)，这使得接线Pad区通过过孔连接其他导电结构的过孔尺寸要求也越来越小，在显示器件的制备过程中，过孔尺寸太小会导致过孔内残留后续制备膜层材料，使过孔出现残留不良，从而导致显示器件无法点亮。
发明内容
本发明针对现有显示器件中过孔残留不良的问题，提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置。该制备方法通过采用纳米压印形成压印胶表层高度不同的纳米压印结构阵列，以便后续在中间膜层中刻蚀形成纳米过孔阵列，能够减少或避免出现过孔残留不良，从而确保第二导电结构与第一导电结构实现连接，进而确保阵列基板能正常点亮。
本发明提供一种阵列基板的制备方法，包括：先后在背板上形成第一导电结构、中间膜层和第二导电结构，在形成所述中间膜层之后且在形成所述第二导电结构之前还包括：
在所述中间膜层上形成整面压印胶，纳米压印所述压印胶使其表层形成高度不同的纳米压印结构阵列；
形成刻蚀阻挡层及其中第一过孔的图形；所述第一过孔与所述第一导电结构的位置相对应；
以所述刻蚀阻挡层为掩膜板刻蚀形成贯穿所述压印胶和所述中间膜层的第二过孔，以使所述第一导电结构局部暴露；所述第二过孔包括开设在所述压印胶中的第一子过孔和开设在所述中间膜层中的纳米过孔阵列。
优选的，形成所述中间膜层包括先后形成平坦层和第一膜层；
所述第二过孔还包括开设在所述第一膜层中的第二子过孔，所述纳米过孔阵列开设在所述平坦层中。
优选的，形成所述第二过孔之后且在形成所述第二导电结构之前还包括：
去除所述刻蚀阻挡层；
形成过孔保护层的图形；所述过孔保护层对应覆盖所述纳米过孔阵列区域；
依次去除所述压印胶、所述第一膜层和所述过孔保护层。
优选的，所述压印胶采用丙烯酸酯、环氧树脂或者溶剂多位乳酸乙酯材料。
优选的，所述第一膜层采用氧化硅或者氮化硅材料；所述平坦层采用透明树脂材料。
优选的，所述刻蚀阻挡层采用氧化铟锡或铟镓锌氧化物材料。
优选的，所述过孔保护层采用PR胶材料。
优选的，所述过孔保护层的厚度范围为100nm-5μm。
本发明还提供一种阵列基板，所述阵列基板采用上述制备方法制备形成。
本发明还提供一种显示装置，包括上述阵列基板。
本发明的有益效果：本发明所提供的阵列基板的制备方法，通过采用纳米压印形成压印胶表层高度不同的纳米压印结构阵列，以便后续在中间膜层中刻蚀形成纳米过孔阵列，能够减少或避免出现过孔残留不良，从而确保第二导电结构与第一导电结构实现连接，进而确保阵列基板能正常点亮。
本发明所提供的显示装置，通过采用上述制备方法制备的阵列基板，提升了该显示装置的品质。
附图说明
图1为本发明实施例阵列基板制备方法中形成压印胶及纳米压印结构的结构剖视图；
图2为本发明实施例阵列基板制备方法中形成刻蚀阻挡层及其中第一过孔的结构剖视图；
图3为本发明实施例阵列基板制备方法中形成第二过孔的结构剖视图；
图4为本发明实施例阵列基板制备方法中去除刻蚀阻挡层的结构剖视图；
图5为本发明实施例阵列基板制备方法中形成过孔保护层的结构剖视图；
图6为本发明实施例阵列基板制备方法中去除压印胶、第一膜层的结构剖视图；
图7为本发明实施例阵列基板制备方法中去除过孔保护层的结构剖视图；
图8为本发明实施例阵列基板制备方法中形成第二导电结构的结构剖视图；
图9为采用本发明实施例阵列基板制备方法形成的一种阵列基板的结构剖视图。
其中附图标记为：
1、背板；2、第一导电结构；3、平坦层；4、第一膜层；5、第二导电结构；6、压印胶；61、纳米压印结构；7、刻蚀阻挡层；71、第一过孔；8、过孔保护层；101、第一子过孔；102、纳米过孔；103、第二子过孔；9、玻璃基板；10、缓冲层；11、晶体管；12、阳极。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明一种阵列基板及其制备方法和显示装置作进一步详细描述。
现有显示器件制备工艺中，过孔残留不良的原因主要是涂胶厚度均一性和刻蚀均一性不够好，导致有些过孔并未完全刻蚀，以至于过孔中有待刻蚀材料(通常为后续制备膜层材料)残留。
基于现有技术中存在的上述问题，本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，如图1-图8所示，包括：先后在背板1上形成第一导电结构2、中间膜层和第二导电结构5，在形成中间膜层之后且在形成第二导电结构5之前还包括：
步骤S01：在中间膜层上形成整面压印胶6，纳米压印压印胶6使其表层形成高度不同的纳米压印结构61阵列。
其中，压印胶6采用丙烯酸酯、环氧树脂或者溶剂多位乳酸乙酯材料。该步骤中，纳米压印采用高度不一的模版，从而能形成压印图形高度不一的纳米压印结构61。
步骤S02：形成刻蚀阻挡层7及其中第一过孔71的图形。第一过孔71与第一导电结构2的位置相对应。
其中，刻蚀阻挡层7采用氧化铟锡或铟镓锌氧化物材料。
步骤S03：以刻蚀阻挡层7为掩膜板刻蚀形成贯穿压印胶6和中间膜层的第二过孔，以使第一导电结构2局部暴露。第二过孔包括开设在压印胶6中的第一子过孔101和开设在中间膜层中的纳米过孔102阵列。
其中，采用纳米压印方法在压印胶6中形成的高度不同的纳米压印结构61阵列，是为后续在中间膜层中形成纳米过孔102阵列做准备。后续以刻蚀阻挡层7为掩膜板，通过干法刻蚀能形成中间膜层中的纳米过孔102阵列，其原理为高度不同的纳米压印结构61在紫外线光刻过程中，高度较小的纳米结构被全部刻蚀掉，形成中间膜层中的纳米过孔102；高度较大的纳米结构未被全部刻蚀掉，形成中间膜层中纳米过孔102之间的阻隔墙。需要说明的是，压印胶6和中间膜层均采用干刻能够去除的材料。
通过上述制备方法制备形成的阵列基板，通过制备纳米过孔102阵列，能够增加过孔数量，提完全刻蚀的概率，众多纳米过孔102中，即使有些纳米过孔102未刻透(有过孔残留)，但阵列中必然存在被刻透的纳米过孔102，所以，相对于现有制备工艺形成单个过孔的情况，能够提高过孔完全刻蚀的概率，减少或避免过孔残留的发生，本实施例中，由于纳米过孔阵列中一定存在被刻透的纳米过孔102，所以能够确保第二导电结构5与第一导电结构2连接，从而解决阵列基板局部无法点亮的问题。
该阵列基板的制备方法，通过采用纳米压印形成压印胶6表层高度不同的纳米压印结构61阵列，以便后续在中间膜层中刻蚀形成纳米过孔102阵列，能够减少或避免出现过孔残留不良，从而确保第二导电结构5与第一导电结构2实现连接，进而确保阵列基板能正常点亮。
本实施例中，形成中间膜层包括先后形成平坦层3和第一膜层4。第二过孔还包括开设在第一膜层4中的第二子过孔103，纳米过孔102阵列开设在平坦层3中。
其中，第一膜层4采用氧化硅或者氮化硅材料；平坦层3采用透明树脂材料。第一膜层4的形成能保证第一膜层4与压印胶6以及第一膜层4与平坦层3都具有较大的刻蚀选择比，从而使刻蚀形成的各膜层中过孔的图形都更加精准。
步骤S03中，干法刻蚀压印胶6的气氛可以是氧气等；干法刻蚀第一膜层4的刻蚀气氛可以是CHF3、Ar或H2等；干法刻蚀平坦层3的刻蚀气氛可以是氧气等。
本实施例中，形成第二过孔之后且在形成第二导电结构5之前还包括：
步骤S04：去除刻蚀阻挡层。
该步骤中，采用湿刻去除刻蚀阻挡层，可以采用稀硫酸、醋酸或稀盐酸等刻蚀液。
步骤S05：形成过孔保护层8的图形。过孔保护层8对应覆盖纳米过孔102阵列区域。
其中，过孔保护层8采用PR胶材料。过孔保护层8的厚度范围为100nm-5μm。
步骤S06：依次去除压印胶、第一膜层和过孔保护层。
在压印胶和第一膜层的去除过程中，过孔保护层也会相应的减薄，所以，具有上述厚度的过孔保护层减薄后也能覆盖住平坦层3中的纳米过孔102阵列，使纳米过孔102阵列不会在压印胶和第一膜层的去除过程中被损坏或发生材料残留。采用剥离液去除过孔保护层。
本实施例中，最终形成的阵列基板，第二导电结构5通过纳米过孔102阵列连接第一导电结构2。第一导电结构2包括晶体管的源极或漏极，第二导电结构5包括发光元件的阳极。即本实施例中的阵列基板为OLED阵列基板。
需要说明的是，LCD(液晶显示)阵列基板中的连接上下导电结构的过孔也可以采用本实施例中的制备方法制备，具有相同的效果。
基于上述阵列基板的制备方法，本实施例还提供一种上述制备方法制备形成的阵列基板，如图9所示，该阵列基板包括玻璃基板9、缓冲层10、设置在缓冲层10上方的晶体管11、覆盖晶体管11的平坦层3和设置在平坦层3上的阳极12，平坦层3中开设有纳米过孔102阵列，阳极12通过纳米过孔102阵列连接晶体管11的源极或漏极。其中，晶体管11包括氧化物半导体晶体管、非晶硅晶体管、低温多晶硅晶体管中的一种或多种。
阵列基板的其他结构均为传统结构，这里不再赘述。
本实施例的有益效果：本实施例所提供的阵列基板的制备方法，通过采用纳米压印形成压印胶表层高度不同的纳米压印结构阵列，以便后续在中间膜层中刻蚀形成纳米过孔阵列，能够减少或避免出现过孔残留不良，从而确保第二导电结构与第一导电结构实现连接，进而确保阵列基板能正常点亮。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述实施例中的阵列基板。
通过采用上述阵列基板，提升了该显示装置的品质。
本发明所提供的显示装置可以为OLED面板、OLED电视、LCD面板、LCD电视、显示器、手机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制备方法，包括：先后在背板上形成第一导电结构、中间膜层和第二导电结构，其特征在于，在形成所述中间膜层之后且在形成所述第二导电结构之前还包括：
在所述中间膜层上形成整面压印胶，纳米压印所述压印胶使其表层形成高度不同的纳米压印结构阵列；
形成刻蚀阻挡层及其中第一过孔的图形；所述第一过孔与所述第一导电结构的位置相对应；
以所述刻蚀阻挡层为掩膜板刻蚀形成贯穿所述压印胶和所述中间膜层的第二过孔，以使所述第一导电结构局部暴露；所述第二过孔包括开设在所述压印胶中的第一子过孔和开设在所述中间膜层中的纳米过孔阵列。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，形成所述中间膜层包括先后形成平坦层和第一膜层；
所述第二过孔还包括开设在所述第一膜层中的第二子过孔，所述纳米过孔阵列开设在所述平坦层中。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，形成所述第二过孔之后且在形成所述第二导电结构之前还包括：
去除所述刻蚀阻挡层；
形成过孔保护层的图形；所述过孔保护层对应覆盖所述纳米过孔阵列区域；
依次去除所述压印胶、所述第一膜层和所述过孔保护层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述压印胶采用丙烯酸酯、环氧树脂或者溶剂多位乳酸乙酯材料。
5.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一膜层采用氧化硅或者氮化硅材料；所述平坦层采用透明树脂材料。
6.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层采用氧化铟锡或铟镓锌氧化物材料。
7.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述过孔保护层采用PR胶材料；所述PR胶材料为光刻胶材料。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述过孔保护层的厚度范围为100nm-5μm。
9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用权利要求1-8任意一项所述的制备方法制备形成。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。
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