KR100646936B1 - 유기 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레이저 열전사 방법에 의해 발광층을 형성할 시, 기판 상에 발광층을 전사하는 과정에서 정공수송층(HTL:hole transfer layer)이 도너필름 쪽으로 탈리되는 현상을 방지할 수 있는 유기 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기 발광소자는 제1 전극층과, 상기 제1 전극층 상에 형성되며, 표면의 적어도 일영역에 요철면이 형성되고, 상기 제1 전극층의 적어도 일영역을 노출시키는 개구부를 구비하는 화소정의막과, 상기 화소정의막 상에 형성되며, 상기 요철면과의 계면은 상기 요철면의 형상에 맞추어 형성되는 정공수송층과, 상기 정공수송층 상에 형성되는 발광층 및, 상기 발광층 상에 형성되는 제2 전극층을 포함한다. 이러한 구성에 의하여, 발광층에서 혼색이 일어나는 것을 방지함으로써, 색균일도를 향상시킬 수 있다.
레이저 열전사 방법, 요철면

Description

유기 발광소자 및 그 제조방법 {ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 레이저 열전사 방법을 이용하여 발광층을 전사시키는 제조단계별 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 유기 발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 레이저 열전사 방법을 이용하여 발광층을 전사시키는 제조단계별 단면도이다.
도 4는 요철면을 형성하는 또다른 방법을 나타내는 개략적인 단면도이다.
♣ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣
210, 410 : 화소정의막 211, 411 : 정공수송층
214, 414 : 발광층 216 : 나노파티클
220, 420 : 요철면 419 : 롤러
본 발명은 유기 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 레이저 열전사 방법에 의해 발광층을 형성할 시, 기판 상에 발광층을 전사하는 과 정에서 정공수송층(HTL:hole transfer layer)이 도너필름 쪽으로 탈리되는 현상을 방지할 수 있는 유기 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 유기 발광소자는 절연기판 상에 하부전극인 제1 전극층이 형성되고, 제1 전극층 상에 유기막층이 형성되며, 유기막층 상에 상부전극인 제2 전극층이 형성된다. 유기막층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층 중 적어도 하나를 포함한다.
유기막층을 형성하는 방법으로는 증착법과 리소그라피법이 있다. 증착법은 새도우 마스크를 이용하여 유기발광물질을 진공증착하여 유기막층을 형성하는 방법으로, 마스크의 변형 등에 의해 고정세의 미세패턴을 형성하기 어렵고, 대면적 표시장치에 적용하기 어렵다. 리소그라피법은 유기발광물질을 증착한 다음 포토레지스트를 이용해 패터닝하여 유기막층을 형성하는 방법으로, 고정세의 미세패턴을 형성하는 것은 가능하지만, 포토레지스트(photo resist) 패턴을 형성하기 위한 현상액 또는 유기발광물질의 식각액 등에 의해 유기막층의 특성이 저하되는 문제점이 있다.
증착법과 리소그라피법의 문제점을 해결하기 위하여, 직접 유기막층을 패터닝하는 잉크젯 방식이 제안되었다. 잉크젯 방식은 발광재료를 용매에 용해 또는 분산시켜 토출액으로써 잉크젯 프린트 장치의 헤드로부터 토출시켜 유기막층을 형성하는 방법이다. 잉크젯 방식은 공정이 비교적 간단하지만, 수율저하나 막두께의 불균일성이 발생되고, 대면적의 표시장치에 적용하기 어려운 문제점이 있다.
한편, 레이저 열전사 방법을 이용하여 유기막층을 형성하는 방법이 제안되었 는데, 건식식각 공정이기 때문에 전사층의 용해성 특성에 영향을 받지 않는다는 장점이 있다. 따라서, 언더레이어와 같은 유기 가공성 정공 전사층을 도입하여 유기 발광소자의 성능을 향상시킬 수 있다. 레이저 열전사 방법은 광원에서 나온 빛을 열에너지로 변환하고, 변환된 열에너지에 의해 이미지 형성물질을 유기 발광소자의 기판으로 전사시켜 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 유기막층을 형성하는 방법이다. 레이저 열전사 방법은 레이저로 유도된 이미징 프로세스로 고해상도의 패턴 형성, 필름 두께의 균일성, 멀티레이어 적층 능력, 대형 마더글래스로의 확장성과 같은 고유한 이점을 가지고 있다.
이러한 레이저 열전사 방법은 액정표시소자용 컬러필터 제조에 이용되기도 하며, 또한 발광물질의 패턴을 형성하기 위하여 이용되는 경우도 있다.(미국특허 제 5,998,085호)
이하에서는 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 레이저 열전사 방법을 이용한 유기 발광소자 및 그 제조방법에 대해 구체적으로 설명한다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 레이저 열전사 방법을 이용하여 발광층을 전사시키는 제조단계별 단면도이다.
먼저, 도 1a를 참조하면, 종래의 레이저 열전사 방법은 기판(100)과 도너필름(115)을 준비하고, 기판(100)의 상부와 도너필름(115)의 하부가 대향하도록 위치시킨다.
상기 도너필름(115)은 기재기판(base film;112), 상기 기재기판(112) 상에 형성된 광-열 변환층(LTHC:light to heat conversion;113), 상기 광-열 변환층 (113) 상에 발광층(114)이 형성되어 있다. 상기 광-열 변환층(113)과 상기 발광층(114) 사이에 층간삽입층(미도시)을 더 포함할 수 있다.
그리고, 기판(100)을 구체적으로 설명하면, 기판(100) 상에는 적어도 하나의 박막트랜지스터(107)가 형성되며, 상기 박막트랜지스터(107) 상에 평탄화막(108)이 형성되고, 상기 평탄화막(108)의 일영역 상에 상기 박막트랜지스터(107)의 소스 및 드레인 전극(106a, 106b) 중 어느 하나와 연결된 제1 전극층(109)이 형성된다. 상기 제1 전극층(109) 및 평탄화막(108) 상에는 상기 제1 전극층(109)을 적어도 부분적으로 노출시키는 개구부(118)를 포함하는 화소정의막(110)이 형성되며, 상기 화소정의막(110) 및 상기 개구부(118) 상에 정공수송층(111)이 형성된다.
그 다음, 도 1b를 참조하면, 상기 도너필름(115)의 하부와 기판(100)의 상부를 밀착시키고, 상기 도너필름(115)에 레이저를 조사한다. 상기 광-열 변환층(113)이 레이저를 열로 변환시켜 열을 방출하면서 팽창하게 되며, 이에 따라 발광층(114)도 팽창되어 도너필름(115)으로부터 분리되어, 기판으로 패터닝된 발광층(114)이 전사된다.
이 후, 도 1c를 참조하면, 기판(100)에 발광층(114)이 전사되면 도너필름(115)과 기판(100)을 분리한다. 그러나, 도너필름(115)과 기판(100)을 분리하는 과정에서 화소정의막(110)과 정공수송층(HTL:hole transfer layer;111)의 접착력이 약하기 때문에, 정공수송층(111)이 도너필름(115) 쪽으로 탈리되는 현상이 발생하게 된다. 정공수송층(111)이 탈리됨으로써, 혼색이 일어나게 되어 색균일도가 저하된다. 또한, 탈리된 정공수송층(111) 상부의 발광층(114) 역시 기판(100)에 전 사되지 못하게 되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 전술한 종래의 문제점들을 해결하기 위해 고안된 발명으로, 본 발명의 목적은 레이저 열전사 방법에 의해 발광층을 형성할 시, 기판 상에 발광층을 전사하는 과정에서 정공수송층(HTL:hole transfer layer)이 도너필름 쪽으로 탈리되는 현상을 방지할 수 있는 유기 발광소자 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 발광소자는 제1 전극층과, 상기 제1 전극층 상에 형성되며, 표면의 적어도 일영역에 요철면이 형성되고, 상기 제1 전극층의 적어도 일영역을 노출시키는 개구부를 구비하는 화소정의막과, 상기 화소정의막 상에 형성되며, 상기 요철면과의 계면은 상기 요철면의 형상에 맞추어 형성되는 정공수송층과, 상기 정공수송층 상에 형성되는 발광층 및, 상기 발광층 상에 형성되는 제2 전극층을 포함한다.
바람직하게, 상기 요철면의 높이는 0.1㎛ 내지 0.5㎛로 형성되며, 상기 화소정의막 표면의 전부에 형성된다. 또한, 상기 화소정의막의 두께는 1000Å 내지 3000Å의 범위로 형성되고, 상기 제1 전극층은 비어홀을 통해 박막트랜지스터의 소스 및 드레인 전극 중 어느 하나와 연결된다.
본 발명에 따른 유기 발광소자의 제조방법은 기판 상에 제1 전극층을 형성하는 단계와, 상기 제1 전극층 상의 적어도 일영역에 요철면이 형성된 화소정의막을 형성하는 단계와, 상기 제1 전극층의 적어도 일영역을 노출시키는 개구부를 형성하는 단계와, 상기 화소정의막 상에 상기 요철면과의 계면이 상기 요철면의 형상에 맞추어지는 정공수송층을 형성하는 단계와, 상기 정공수송층 상에 발광층을 레이저 열전사 방법에 의해 형성하는 단계와, 상기 정공수송층 및 발광층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
바람직하게, 상기 화소정의막을 형성하는 단계에서 상기 요철면은 나노파티클을 분사하여 형성하거나, 또는 표면이 요철된 롤러를 롤링함으로써 형성한다. 상기 요철면의 높이는 0.1㎛ 내지 0.5㎛로 형성하고, 상기 나노파티클은 상기 박막트랜지스터의 구동에 영향을 미치지 않는 부도체 물질이며, 상기 부도체 물질은 SiO2 또는 TiO2이다.
이하에서는 본 발명의 실시예를 도시한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 유기 발광소자 및 그 제조방법을 구체적으로 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 유기 발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 2에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 발광소자는 기판(200) 상에 형성된 적어도 하나의 박막트랜지스터(207)와, 발광층(214)이 형성되어 있다.
기판(200) 상에 형성된 박막트랜지스터(207)의 구조를 간단히 설명하면, 상기 기판(200) 상에 버퍼층(201)이 형성되고, 상기 버퍼층(201)의 일영역 상에 액티브 채널층(202a)과 오믹콘택층(202b) 사이에 LDD층(미도시)을 포함하는 반도체층(202)이 형성된다. 상기 반도체층(202) 상에는 게이트 절연막(203)과 게이트 전극 (204)이 패터닝되어 순차적으로 형성된다. 상기 게이트 전극(204) 상에 형성되며, 상기 반도체층(202) 중 오믹콘택층(202b)이 노출되도록 형성된 층간절연층(205)과, 노출된 상기 오믹콘택층(202b)에 접촉되도록 소스 및 드레인 전극(206a, 206b)이 상기 층간절연층(205)의 일영역 상에 형성된다.
그리고, 상기 박막트랜지스터(207) 상에 평탄화막(208)을 형성하고, 상기 평탄화막(208) 상에는 상기 평탄화막(208)의 일영역을 에칭하여 상기 소스 및 드레인 전극(206a, 206b) 중 어느 하나가 노출되도록 형성된 비어홀(미도시)을 통해, 상기 소스 및 드레인 전극(206a, 206b) 중 어느 하나와 제1 전극층(209)이 전기적으로 연결된다. 상기 제1 전극층(209)은 상기 평탄화막(208)의 일영역에 형성되며, 상기 평탄화막(208) 상에 요철면(220)을 가지며, 상기 제1 전극층(209)을 적어도 부분적으로 노출시키는 개구부(218)가 형성된 화소정의막(210)이 형성된다. 상기 화소정의막(210) 및 상기 개구부(218) 상에는 정공수송층(211)이 형성되어 있으며, 상기 정공수송층(211) 상에 상기 요철면(220)의 일영역 및 개구부(218) 상에 발광층(214)이 형성되어 있다. 그리고, 화소정의막(210) 및 발광층(214) 상에는 제2 전극층(221)이 형성되어 있다.
상기 화소정의막(210)의 요철면(220) 상에 형성된 상기 정공수송층(211) 및 상기 발광층(214)은 요철면(220)을 갖도록 형성된다. 상기 화소정의막(210) 상에 상기 요철면(220)을 형성하여 접촉 표면적을 넓힘으로써, 상기 정공수송층(211)과 상기 화소정의막(210)의 접착력을 증가시킬 수 있다.
그리고, 상기 요철면(220)을 가지는 상기 화소정의막(210)의 두께는 1000Å 내지 3000Å의 범위로 형성된다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 레이저 열전사 방법을 이용하여 발광층을 전사시키는 제조단계별 단면도로, 설명의 편의상, 전술한 도 2와 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 특히, 박막트랜지스터 및 발광층이 형성된 기판에 대한 설명은 생략한다.
먼저, 도 3a에서 보는 바와 같이, 박막트랜지스터(207) 및 평탄화막(208), 그리고 제1 전극층(209)이 형성된 기판(200) 상에 화소정의막(PDL:pixel defined layer;210)을 형성한다.
상기 화소정의막(210)은 산화실리콘(SiO2)과 질화실리콘(SiNx) 등의 무기절연물질 또는 아크릴(Acryl)계 유기화합물, 폴리아미드, 폴리이미드 등의 유기절연물질 등이 이용되며, 이에 한정되지 않는다.
그 다음, 도 3b에서 보는 바와 같이, 분사 장치(217)를 이용하여 화소정의막(210) 상에 나노파티클(216)을 스퍼터링 방법에 의해 분사한다. 상기 나노파티클(216)의 지름은 0.1㎛ 내지 0.5㎛로 형성되며, 박막트랜지스터(207)의 구동에 영향을 미치지 않는 부도체 물질로 구성된다. 상기 부도체 물질에는 SiO2 또는 TiO2 등이 있으며, 이에 한정되지 않는다.
그리고 나서, 도 3c에서 보는 바와 같이, 상기 나노파티클(216)에 의해 상기 화소정의막(210) 상에 요철면(220)을 형성한다. 상기 나노파티클(216)은 상기 화소정의막(210) 상에 달라붙거나 또는 상기 화소정의막(210)에 부딪혀 튕겨나가면서 상기 화소정의막(210)에 홈을 내어, 요철면(220)을 형성한다. 상기 나노파티클(216)의 지름은 상기 요철면(220)보다 적어도 동일한 크기로 형성된다.
또한, 상기 요철면(220)은 상기 화소정의막(210)을 건조시키기 전에 형성하여도 되고, 화소정의막(210)을 건조시킨 뒤에 형성하여도 된다.
이 후, 도 3d에서 보는 바와 같이, 상기 화소정의막(210)의 일영역을 에칭하여 상기 제1 전극층(209)이 적어도 부분적으로 노출되도록 개구부(218)를 형성한다. 개구부(218)를 형성할 때에는 포토레지스터 공정을 이용하여 에칭한다. 화소정의막(210)의 일영역 상에 포토레지스트(photo resist)를 균일하게 도포하고, 이것을 선택적으로 노광, 현상 처리하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이 패턴을 마스크로 하여 화소정의막(210)을 선택적으로 에칭하고, 불필요한 포토레지스트 층을 에칭용액으로 제거한다.
그리고, 도 3e에서 보는 바와 같이, 상기 화소정의막(210) 및 상기 개구부(218) 상에 정공수송층(211)을 형성한다. 상기 정공수송층(211)은 마스크를 사용하여 진공증착에 의해 형성한다. 마스크는 0.1㎜ 정도의 두께를 가지는 SUS, Ni, Fe, Ni 합금(예를 들어, Ni-Fe 합금) 또는 실리콘 등의 반도체를 에칭 등에 의해 가공하여 제조한 메탈(metal) 마스크가 일반적으로 사용된다.
그 다음, 도 3f에서 보는 바와 같이, 기판(200) 상에 도너필름(215)을 위치시키고, 발광층(214)이 전사될 영역에 도너필름(215) 상에서 레이저를 조사한다. 도 1b에서 설명한 것처럼, 도너필름(215) 상에 레이저가 조사되는 부분의 광-열 변환층(213)이 팽창함에 따라 발광층(214)이 팽창하면서 도너필름(215)으로부터 분리 되어 기판(200)으로 패터닝된 발광층(214)이 전사된다.
레이저 전사용 도너필름(215)은, 기재기판(212), 상기 기재기판(212) 상에 형성된 광-열 변환층(213) 및 상기 광-열 변환층(213) 상에 형성된 발광층(214)을 포함한다. 상기 광-열 변환층(213) 및 상기 발광층(214) 사이에 층간삽입층(미도시)을 더 포함할 수 있다.
도너필름(215)을 구체적으로 설명하면, 기재기판(212)은 지지체 역할을 하며, 광투과율이 90% 이상인 기판을 사용한다. 기재기판(212)을 형성하는 물질로는 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리올레핀, 폴리비닐수지 등을 사용하는데, 그 중에서도 투명성이 우수한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)가 가장 많이 사용된다.
광-열 변환층(213)은 발광층(214)이 기판(200) 등과 같은 수용체 상에 전사될 수 있는 전사에너지를 제공하는 역할을 하며, 레이저를 흡수하여 열에너지로 변환시켜 주는 광흡수재(radiation absorber)를 포함한다. 광-열 변환층(213)이 너무 얇게 형성되는 경우에는 에너지 흡수율이 낮아 광이 열로 변화되는 에너지 양이 작게 되어 팽창압력이 낮아지고, 투과되는 에너지가 커지게 되어 유기 발광소자의 기판 회로에 손상을 주게 되므로, 1㎛ 내지 5㎛ 정도로 형성된다.
광-열 변환층(213)은 금속성 및 금속화합물을 이용하여 박막 형태로 형성된다. 보다 상세하게는, 스퍼터링 및 증발성 증착과 같은 건식 방법에 의해 형성될 수 있으며, 입상코팅은 결합제 및 임의의 적합한 건조 또는 습식코팅 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 광-열 변환층(213)을 보호하기 위한 층간삽입층(미도시)은 광-열 변환층(213)의 이물질이 발광층(214)에 들어가지 않도록 하는 역할을 한다.
이 후, 도 3g에서 보는 바와 같이, 기판(200)에 발광층(214)이 전사되면 도너필름(215)과 기판(200)을 분리시킨다. 분리된 기판(200) 상에는 정공수송층(211) 일영역의 요철면(220) 및 개구부(218)를 따라 발광층(214)이 전사되며, 도너필름(215) 하부의 발광층(214) 중 레이저가 조사된 영역의 발광층(214)만 전사되고, 레이저가 조사되지 않은 영역의 발광층(214)은 도너필름(215) 상에 그대로 남아있게 된다. 발광층(214)이 전사된 뒤, 화소정의막(210) 및 발광층(214) 상에 제2 전극층(221)을 형성한다.
화소정의막(210)에 형성된 요철면(220)으로 인해 화소정의막(210)과 정공수송층(211)의 접착력이 향상됨으로써, 레이저 열전사 방법에 의해 발광층(214)을 전사할 시, 정공수송층(211)이 도너필름(215)을 따라 탈리되는 현상을 방지할 수 있다.
도 4는 요철면을 형성하는 또다른 방법을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 4를 참조하면, 기판(400) 상에 형성된 화소정의막(410) 상에 다수개의 요철을 가지는 롤러(419)를 위치시킨다. 롤러(419)가 굴러감에 따라, 롤러(419)에 형성된 요철에 의해 화소정의막(410)의 표면을 깎아내어, 다수개의 요철면(420)을 형성시킨다.
전술한 실시예에서는 화소정의막 전체 영역에 요철면을 형성하였지만, 발광층이 전사되는 화소정의막에만 국부적으로 요철면을 형성할 수 있음은 물론이다. 또한, 나노파티클 또는 롤러를 이용하여 화소정의막에 요철면을 형성하였지만, 화소정의막의 표면을 러빙처리하여 요철면을 형성할 수도 있다. 그리고, 본 발명에 서는 전면 발광을 하는 유기 발광소자에 대한 실시예를 설명하였지만, 배면 발광을 하는 유기 발광소자에도 적용 가능하다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 레이저 열전사 방법에 의해 발광층을 형성할 시, 화소정의막(PDL:pixel define layer)의 표면적을 증가시켜서 화소정의막과 정공수송층 사이의 접착력을 증가시킴으로써, 레이저 열전사 방법에 의해 발광층을 형성할 시, 기판 상에 발광층을 전사하는 과정에서 정공수송층(HTL:hole transfer layer)이 도너필름 쪽으로 탈리되는 현상을 미연에 방지함으로써, 혼색이 일어나지 않아 색균일도를 향상시킬 수 있다.

Claims (11)

  1. 제1 전극층과,
    상기 제1 전극층 상에 형성되며, 표면의 적어도 일영역에 요철면이 형성되고, 상기 제1 전극층의 적어도 일영역을 노출시키는 개구부를 구비하는 화소정의막과,
    상기 화소정의막 상에 형성되며, 상기 요철면과의 계면은 상기 요철면의 형상에 맞추어 형성되는 정공수송층과,
    상기 정공수송층 상에 형성되는 발광층 및,
    상기 발광층 상에 형성되는 제2 전극층을 포함하는 유기 발광소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 요철면의 높이는 0.1㎛ 내지 0.5㎛로 형성된 유기 발광소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 요철면은 상기 화소정의막 표면의 전부에 형성된 유기 발광소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 화소정의막의 두께는 1000Å 내지 3000Å의 범위로 형성된 유기 발광소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극층은 비어홀을 통해 박막트랜지스터의 소스 및 드레인 전극 중 어느 하나와 연결되는 유기 발광소자.
  6. 기판 상에 제1 전극층을 형성하는 단계와,
    상기 제1 전극층 상의 적어도 일영역에 요철면이 형성된 화소정의막을 형성하는 단계와,
    상기 제1 전극층의 적어도 일영역을 노출시키는 개구부를 형성하는 단계와,
    상기 화소정의막 상에 상기 요철면과의 계면이 상기 요철면의 형상에 맞추어지는 정공수송층을 형성하는 단계와,
    상기 정공수송층 상에 발광층을 레이저 열전사 방법에 의해 형성하는 단계와,
    상기 정공수송층 및 발광층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광소자의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 화소정의막을 형성하는 단계에서 상기 요철면은 나노파티클을 분사하여 형성하는 유기 발광소자의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 화소정의막을 형성하는 단계에서 상기 요철면은 표면이 요철된 롤러를 롤링함으로써 형성하는 유기 발광소자의 제조방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 요철면의 높이는 0.1㎛ 내지 0.5㎛로 형성하는 유기 발광소자의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 나노파티클은 상기 박막트랜지스터의 구동에 영향을 미치지 않는 부도체 물질인 유기 발광소자의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 부도체 물질은 SiO2 또는 TiO2인 유기 발광소자의 제조방법.
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