WO2013179355A1 - 発光素子、トランジスタおよび隔壁 - Google Patents

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WO2013179355A1
WO2013179355A1 PCT/JP2012/003617 JP2012003617W WO2013179355A1 WO 2013179355 A1 WO2013179355 A1 WO 2013179355A1 JP 2012003617 W JP2012003617 W JP 2012003617W WO 2013179355 A1 WO2013179355 A1 WO 2013179355A1
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partition wall
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opening
boundary
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PCT/JP2012/003617
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康宏 関本
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パナソニック株式会社
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    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting element, a transistor, and a partition wall.
  • An organic display element which is an example of a light-emitting element, is composed of an organic functional layer centered on an organic light-emitting layer disposed between an anode and a cathode, and both electrodes. Molecular organic compounds are used.
  • Organic display elements have excellent characteristics for display panels, such as being capable of being driven at a low voltage because the organic light emitting layer is formed of a thin film having a thickness of 1 ⁇ m or less, and low power consumption is expected due to self-emission.
  • An organic functional layer made of an organic compound can be manufactured by a coating method such as an inkjet method.
  • the organic functional layer is produced by a coating method, it is necessary to prevent ink from penetrating into adjacent pixels that emit light of other colors. Therefore, for example, in the ink jet method, a method is known in which a partition is formed on a coating surface, and an ink containing an organic functional material is dropped in a region defined by the partition (see, for example, Patent Document 1).
  • Such a partition is formed by, for example, a photolithography method.
  • a method for forming a partition wall by a photolithography method includes a step of forming a photosensitive resin film, a step of patterning the resin film by exposure and development, and a step of baking the developed resin film.
  • the partition wall material may be mixed with a highly liquid-repellent resin (for example, a fluorine-containing resin) in order to enhance the function of holding the dropped ink.
  • the ink may not be sufficiently wetted and spread within the region defined by the partition wall, and an “unwetted” state in which a part of the organic film is not formed may occur.
  • it is important to maintain the coating ink in the partition wall in the inkjet method, it is desired to improve the liquid repellency of the partition wall, but the stability against unwetting decreases as the liquid repellency increases. The non-wetting causes a short circuit between the anode and the cathode and degrades the display quality of the organic display element.
  • the present invention has been made in view of such points, and an object thereof is to provide a light-emitting element that suppresses the occurrence of non-wetting and has high process stability.
  • a base layer including a first electrode and an opening having a shape having a major axis and a minor axis are defined on the base layer.
  • a partition wall, a functional layer located in the opening and in contact with the upper surface of the base layer, and a second electrode facing the first electrode through the functional layer, the partition wall In a cross section along the long axis of the opening and perpendicular to the top surface of the base layer, the top surface located at a height h0 and the top surface of the partition wall are continuous with respect to the top surface of the base layer.
  • a peripheral surface facing the opening located at a height h less than h0, the height h of the peripheral surface being a distance from the boundary between the upper surface of the partition wall and the peripheral surface in the direction along the major axis a value obtained by second-order differentiation with x is continuous at the boundary between the upper surface of the partition wall and the peripheral surface, and Displacement point displaced from the vicinity negatively, located above the height 0.9H, an upper surface of the functional layer, characterized in that in contact with the circumferential surface in the vicinity of said displacement point.
  • the light-emitting element according to one embodiment of the present invention can suppress the occurrence of non-wetting in the opening portion defined by the partition wall.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an organic EL device 1 according to Embodiment 1.
  • FIG. 1 is an external perspective view showing an example of an external appearance of a set including an organic EL device 1.
  • FIG. Partial sectional view and front view of display panel 10 The bird's-eye view of an application object field and a partition upper surface.
  • a light-emitting element includes a base layer including a first electrode, a partition defining a shape having a major axis and a minor axis on the base layer, and a position in the opening. And a functional layer in contact with the upper surface of the base layer, and a second electrode facing the first electrode through the functional layer, the partition along the major axis of the opening.
  • the upper surface located at a height h0 and the upper surface of the partition wall are located at a height h lower than h0 continuously with respect to the upper surface of the underlayer.
  • a peripheral surface facing the opening and a value obtained by secondarily differentiating the height h of the peripheral surface by a distance x from a boundary between the upper surface of the partition wall and the peripheral surface in a direction along the major axis.
  • Displacement point that is continuous at the boundary between the upper surface of the partition wall and the peripheral surface and that is negatively displaced from the vicinity of 0 , Located above the height 0.9H, an upper surface of said functional layer is in contact with the circumferential surface in the vicinity of said displacement point.
  • the displacement point may be located at a height of 0.93 h or more.
  • the boundary between the upper surface of the functional layer and the peripheral surface is located below the displacement point, and the boundary is It may be located within 40 nm in the height direction from the displacement point.
  • the boundary between the upper surface of the functional layer and the peripheral surface is farther from the upper surface of the partition wall than the displacement point.
  • the boundary may be located within 440 nm in the direction along the long axis from the displacement point.
  • the functional layer may be formed by a coating method.
  • a value obtained by second-order differentiation of the peripheral surface of the partition wall is continuous between the end portions from the boundary between the upper surface of the partition wall and the peripheral surface to the boundary between the base layer and the peripheral surface. It is good.
  • a transistor includes a partition that defines an opening having a shape having a major axis and a minor axis, a gate electrode located below or above the opening, and the opening more than the gate electrode
  • a gate insulating film located in a region adjacent to the base, a base layer having a source electrode and a drain electrode located at a part of the opening located below the partition, and in the opening,
  • a semiconductor layer located in a region facing the gate electrode through a gate insulating film and in contact with the base layer, wherein the partition wall extends along the long axis of the opening and on the upper surface of the base layer In a vertical cross section, when the upper surface of the base layer is used as a reference, the upper surface located at a height h0 and the circumference facing the opening located at a height h lower than the h0 continuously with the upper surface of the partition wall.
  • a value obtained by secondarily differentiating the height h of the surface by the distance x from the boundary between the upper surface of the partition wall and the peripheral surface in the direction along the major axis is continuous at the boundary between the upper surface of the partition wall and the peripheral surface.
  • the displacement point that is negatively displaced from the vicinity of 0 is located at a height of 0.9 h or more, and the upper surface of the semiconductor layer is in contact with the peripheral surface in the vicinity of the displacement point.
  • the displacement point may be located at a height of 0.93 h or more.
  • a boundary between the upper surface of the semiconductor layer and the peripheral surface is located below the displacement point, and the boundary is It may be located within 40 nm in the height direction from the displacement point.
  • the boundary between the upper surface of the semiconductor layer and the peripheral surface is farther from the upper surface of the partition wall than the displacement point.
  • the boundary may be located within 440 nm in the direction along the long axis from the displacement point.
  • the semiconductor layer may be formed by a coating method.
  • the value obtained by second-order differentiation of the peripheral surface of the partition wall may be continuous from the boundary between the upper surface of the partition wall and the peripheral surface to the boundary between the base layer and the peripheral surface.
  • a partition wall according to one embodiment of the present invention is a partition wall that defines an opening having a shape having a major axis and a minor axis on a base layer, and the partition wall extends along the major axis of the opening and In a cross section perpendicular to the upper surface of the underlayer, the upper surface located at a height h0 and the upper surface of the partition wall at a height h lower than the h0 continuously with respect to the upper surface of the underlayer.
  • a peripheral surface facing the opening and a value obtained by secondarily differentiating the height h of the peripheral surface by a distance x from a boundary between the upper surface and the peripheral surface of the partition wall in a direction along the major axis,
  • a displacement point that is continuous at the boundary between the upper surface of the partition wall and the peripheral surface and is negatively displaced from the vicinity of 0 is located at a height of 0.9 h or more.
  • a light-emitting element is located in a base layer including a first electrode, a partition wall defining a shape having a major axis and a minor axis on the base layer, and the opening.
  • a functional layer in contact with the upper surface of the base layer, and a second electrode facing the first electrode through the functional layer, the partition along the major axis of the opening and In a cross section perpendicular to the upper surface of the underlayer, the upper surface located at a height h0 and the upper surface of the partition wall are located at a height h lower than h0 continuously with respect to the upper surface of the underlayer.
  • a peripheral surface facing the opening and a value obtained by secondarily differentiating the height h of the peripheral surface by a distance x from a boundary between the upper surface of the partition wall and the peripheral surface in a direction along the major axis, Displacement point that is continuous at the boundary between the upper surface of the partition wall and the peripheral surface and that is negatively displaced from the vicinity of 0 , Located above the height 0.9H.
  • a transistor includes a partition that defines an opening having a shape having a major axis and a minor axis, a gate electrode located below or above the opening, and the opening more than the gate electrode
  • a gate insulating film located in a region adjacent to the base, a base layer having a source electrode and a drain electrode located at a part of the opening located below the partition, and in the opening,
  • a semiconductor layer located in a region facing the gate electrode through a gate insulating film and in contact with the base layer, wherein the partition wall extends along the long axis of the opening and on the upper surface of the base layer In a vertical cross section, when the upper surface of the base layer is used as a reference, the upper surface located at a height h0 and the circumference facing the opening located at a height h lower than the h0 continuously with the upper surface of the partition wall.
  • a value obtained by secondarily differentiating the height h of the surface by the distance x from the boundary between the upper surface of the partition wall and the peripheral surface in the direction along the major axis is continuous at the boundary between the upper surface of the partition wall and the peripheral surface.
  • the displacement point that is negatively displaced from the vicinity of 0 is located at a height of 0.9 h or more.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an organic EL device 1 according to the first embodiment.
  • the organic EL device 1 includes an organic EL display panel 10 and a drive control unit 11 connected thereto.
  • organic EL display panel 10 a plurality of organic EL elements (light emitting elements) are arranged in a matrix in the X direction and the Y direction that intersect with each other (here, orthogonal).
  • the drive control unit 11 includes four drive circuits 12 to 15 and a control circuit 16 as an example.
  • the number of drive circuits may be other than this.
  • the organic EL device 1 As a usage form of the organic EL device 1, for example, as shown in FIG. 2, it can be a part of a television system combined with an audio device.
  • the organic EL device 1 does not require a backlight unlike a liquid crystal display (LCD) and is therefore suitable for thinning, and exhibits excellent characteristics from the viewpoint of system design design.
  • LCD liquid crystal display
  • FIG. 3A is a partial cross-sectional view of the organic EL display panel 10 showing the basic configuration of the organic EL elements 100R, 100G, and 100B. This figure shows a cross-sectional view of the organic EL display panel 10 of FIG.
  • FIG. 3B is a partial front view of the organic EL display panel 10.
  • the EL elements 100 ⁇ / b> B are repeatedly arranged in the same order along the X direction in each light emitting region defined by the partition wall 105.
  • each of the elements 100R, 100G, and 100B constitutes a light emitting region as a sub-pixel, and one pixel (pixel) is configured with three adjacent organic EL elements 100R, 100G, and 100B as one set.
  • a bus bar region 100X continuous in the Y direction is provided between the pixels in the X direction.
  • an organic EL display panel 10 includes a TFT substrate 101 (hereinafter simply referred to as “substrate 101”) and an anode (first electrode) stacked in the same order on the upper surface thereof. 102, an electrode coating layer 103, and a hole injection layer 104. On the hole injection layer 104, any one of the organic light emitting layers 106R, 106G, and 106B, an electron transport layer 107, a cathode (second electrode) 108, and a sealing layer 109 are further stacked in the same order. .
  • the anode 102, the electrode coating layer 103, and the organic light emitting layers 106R, 106G, and 106B are individually formed for each of the organic EL elements 100R, 100G, and 100B.
  • the hole injection layer 104, the electron transport layer 107, the cathode 108, and the sealing layer 109 are uniformly formed over the entire top surface of the substrate 101.
  • the organic EL elements 100R, 100G, and 100B are of a top emission type as an example.
  • the auxiliary electrode 102A and the electrode coating layer 103A are stacked in the same order in the bus bar region 100X.
  • the substrate 101 is a portion serving as a base of the organic EL display panel 10 and includes a substrate main body 1011 described in the second embodiment and a TFT wiring portion (not shown) formed thereon.
  • the substrate body 1011 is, for example, non-alkali glass, soda glass, non-fluorescent glass, phosphoric acid glass, boric acid glass, quartz, acrylic resin, styrene resin, polycarbonate resin, epoxy resin, polyethylene, polyester, silicone type. It is formed based on an insulating material such as resin or alumina.
  • the TFT wiring portion is formed so as to have wirings (wirings including thin film transistors such as driving TFTs and switching TFTs, power supply lines, and signal lines) for driving the organic EL elements 100R, 100G, and 100B by an active matrix driving method. Yes.
  • the surface of the TFT wiring portion is covered with an unillustrated interlayer insulating film (such as a planarizing film).
  • the anode 102 is composed of a single layer made of a conductive material or a laminated body in which a plurality of layers are laminated. For example, Ag (silver), APC (silver, palladium, copper alloy), ARA (silver, rubidium, gold alloy), MoCr (molybdenum and chromium alloy), NiCr (nickel and chromium alloy), etc. Is done.
  • the anode 102 is electrically connected to the gate and drain electrodes of the TFT in the TFT wiring portion via a contact hole (not shown) penetrating the interlayer insulating film.
  • the anode 102 is preferably formed of a highly reflective material.
  • the electrode coating layer 103 is formed using, for example, ITO (indium tin oxide), and is disposed so as to cover the upper surface of the anode 102.
  • ITO indium tin oxide
  • the hole injection layer 104 is a layer made of an oxide such as silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), vanadium (V), tungsten (W), nickel (Ni), or iridium (Ir). is there.
  • the hole injection layer 104 made of such a metal oxide has a function of injecting and transporting holes to each of the organic light emitting layers 106R, 106G, and 106B in a stable manner or assisting the generation of holes.
  • the hole injection layer 104 can be formed by using PEDOT (mixture of polythiophene and polystyrene sulfonic acid) or the like in addition to the metal oxide as described above.
  • PEDOT mixture of polythiophene and polystyrene sulfonic acid
  • a hole transport layer may be formed between the hole injection layer 104 and the organic light emitting layers 106R, 106G, and 106B.
  • Partition wall 105 As shown in FIG. 3B, the partition wall 105 is formed in a lattice shape over the matrix (XY) direction with respect to the surface of the hole injection layer 104 above the substrate 101 and has a so-called pixel bank structure. When the panel is viewed in plan, the partition 105 is formed such that a plurality of openings (application target regions 101R, 101G, 101B, etc.) are present in parallel as shown in FIG. Accordingly, the organic EL elements 100R, 100G, and 100B having different emission colors and the bus bar region 100X that are adjacent in the X direction are respectively defined.
  • the material of the partition 105 is not particularly limited, but an insulating organic material (for example, an acrylic resin, a polyimide resin, a novolac type phenol resin, or the like) is preferable. Since an etching process, a baking process, etc. are performed at the time of manufacture, it is preferable that it is a highly resistant material which does not produce an excessive deformation
  • the structure of the partition wall 105 not only a structure as a single layer shown in FIG. 3 (a) but also a multilayer structure in which two or more layers are stacked may be employed.
  • the organic material layers or the inorganic material layers, or the inorganic material layer and the organic material layer may be stacked.
  • Organic light emitting layer 106R, 106G, 106B Organic light emitting layer 106R, 106G, 106B
  • the organic light emitting layers 106R, 106G, and 106B are one of the functional films in the present invention, and are excited by recombination of holes injected from the anode 102 and electrons injected from the cathode 108 when a voltage is applied. It has a function of generating a state and emitting light.
  • the organic light emitting layer 106 is configured by applying an ink containing a functional material (light emitting organic material) on the anode 102 and drying it based on a wet process.
  • luminescent organic materials include, for example, oxinoid compounds, perylene compounds, coumarin compounds, azacoumarin compounds, oxazole compounds, oxadiazole compounds, perinone compounds, pyrrolopyrrole compounds described in JP-A-5-163488, Naphthalene compound, anthracene compound, fluorene compound, fluoranthene compound, tetracene compound, pyrene compound, coronene compound, quinolone compound and azaquinolone compound, pyrazoline derivative and pyrazolone derivative, rhodamine compound, chrysene compound, phenanthrene compound, cyclopentadiene compound, stilbene compound, diphenyl Quinone compounds, styryl compounds, butadiene compounds, dicyanomethylenepyran compounds, dicyanomethylenethiopyran compounds, full Resin compounds, pyrylium compounds, thiapyrylium compounds, serenapyrylium compounds,
  • the electron transport layer 107 has a function of efficiently transporting electrons injected from the cathode 108 to the organic light emitting layers 106R, 106G, and 106B.
  • the cathode 108 is made of, for example, ITO or IZO (indium zinc oxide).
  • ITO indium zinc oxide
  • permeability shall be 80 [%] or more.
  • the cathode 108 may be made of, for example, an alkali metal or an alkaline earth metal, or a layer containing a halide thereof and a layer containing silver in this order.
  • the layer containing silver may be formed of silver alone or a silver alloy.
  • a refractive index adjusting layer having high transparency can be provided on the silver-containing layer.
  • the sealing layer 109 has a function of suppressing exposure of the organic light emitting layer 106 and the like to moisture and air, and is formed of a material such as SiN (silicon nitride) or SiON (silicon oxynitride), for example.
  • the top emission type organic EL display panel 10 is preferably formed of a light transmissive material.
  • bus bar area 100X The bus bar region 100X is provided between the element 100B and the element 100R between adjacent pixels. This is to ensure good conductivity of the cathode 108 in the elements 100R, 100G, and 100B of the entire organic EL display panel 10, and the cathode 108 is electrically connected to the bus bar (auxiliary electrode 102A) via the electrode coating layer 103A.
  • bus bar area 100X there is no limitation on the position where the bus bar area 100X is provided. For example, it is also possible to provide for every several pixels or every sub pixel along the X direction. Alternatively, it may be provided for every several tens of elements along the X direction.
  • the organic EL display panel has been described as a bottom emission type in which EL emission is extracted from the lower electrode (anode 102) side.
  • the organic EL display panel is a top emission type in which EL emission is extracted from the upper electrode (cathode 108) side. Also good.
  • FIG. 4 shows an overhead view of a plurality of openings (application target regions 101R, 101G, 101B) in the organic EL display panel of the present invention.
  • the ink application target regions 101 ⁇ / b> R, 101 ⁇ / b> G, and 101 ⁇ / b> B are defined by the partition walls 105.
  • the shape of the pixel and the size of the opening are arbitrary, but a shape having an arc-like curve at the pixel end is preferable from the viewpoint that the ink easily wets and spreads.
  • the axis 20 taken in the direction in which the region width is narrow is the short axis
  • the axis 21 taken in the direction in which the region width is wide is the long axis.
  • the region width is the same in both length and width, either direction may be taken as the short axis or the long axis.
  • the partition wall 105 is formed on the base layer 110, and the partition wall 105 has a forward taper-shaped opening portion in which the opening becomes smaller toward the base layer 110.
  • FIG. 5A is a cross-sectional view of the region 22 shown in FIG. 4 of the organic EL device 1 taken along a plane perpendicular to the top surface of the substrate 101 and including the long axis, and the organic light emitting layers 106R, 106G, 106B, The electron transport layer 107 and the cathode 108 are omitted.
  • a base layer 110 in which an interlayer insulating film, an anode 102, an electrode covering layer 103, and a hole injection layer 104 are stacked is formed on a substrate 101, and a partition wall 105 is formed thereon.
  • the underlayer 110 is not limited to a configuration in which the interlayer insulating film, the anode 102, the electrode coating layer 103, and the hole injection layer 104 are stacked, and may be configured by a part of these layers. A configuration in which other layers are included in addition to some or all of the layers may be employed.
  • FIG. 5B shows a state when ink is dropped by an ink jet method into the opening having the cross-sectional structure shown in FIG.
  • the ink 30 dropped on the application target regions 101R, 101G, and 101B is held in the opening due to the liquid repellency of the partition wall 105.
  • the volume of the ink 30 in the opening decreases as time passes by drying (evaporation of the solvent in the ink 30).
  • a boundary between the upper surface 31 of the ink 30 and the peripheral surface 105c facing the opening (a portion of the upper surface 31 of the ink 30 dropped on the application target regions 101R, 101G, and 101B that contacts the surface 105a of the partition wall 105) 32.
  • the retreating process of the boundary 32 strongly depends on the state of the surface 105a of the partition wall 105, and “unwetting” may occur. There may be multiple factors that cause unwetting. For example, when a liquid repellent resin is used as the partition wall material, a part of the liquid repellent resin may remain as a residue on the surface of the ink dropping region after development or after the partition surface treatment. For example, if a liquid-repellent residue generated after photolithography is distributed on the surface 105a of the partition wall 105, the ink 30 may be liquid-repelled by the residue, thereby causing non-wetting. The non-wetting causes a film formation failure of the organic light emitting layers 106R, 106G, and 106B, and may cause a short circuit between the electrodes 102 and 108.
  • the shape of the peripheral surface 105c of the partition wall 105 greatly affects the film shape of the organic light emitting layers 106R, 106G, and 106B. This variation directly affects the variation in film shape.
  • the control of the receding of the boundary 32 with respect to the partition wall 105 plays a very important role in the formation of the organic light emitting layers 106R, 106G, and 106B by the ink jet method.
  • FIG. 6 to 10 show an outline of the retreat process of the boundary 32.
  • FIG. In the drying process of the ink 30, the Constant Contact Angle (CCA) mode in which the boundary 32 recedes as the volume of the ink 30 decreases, and the boundary 32 does not recede even if the volume of the ink 30 decreases.
  • CCA Constant Contact Angle
  • CCR Constant Contact Radius
  • the ink 30 immediately after application is dried in the CCR mode.
  • the boundary 32 maintains the position P 1 , but the height of the ink 30 decreases.
  • the angle formed between the surface 105a of the partition wall 105 and the upper surface 31 of the ink 30, that is, the contact angle of the ink 30 also decreases.
  • the height of the ink 30 decreases, the upper surface 31 of the ink 30 is retracted from the position U 1 to the position U 2, was greater than the receding contact angle theta R contact angle theta 1 is a receding contact angle theta R Decreasing to an equal contact angle ⁇ 2 .
  • the ink 30 is dried in the CCR mode.
  • the ink 30 is dried in the CCA mode.
  • the boundary 32 moves.
  • the contact angle is maintained at the receding contact angle ⁇ R even if the boundary 32 is retreated, but in the case of the ink 30 existing on the inclined surface such as the peripheral surface 105c, 7, when the boundary 32 is retracted, the inclination of the peripheral surface 105c increases, so that the contact angle increases by the contact angle increment ⁇ .
  • the contact angle ⁇ 3 again exceeds the receding contact angle ⁇ R.
  • the ink 30 dries in the CCA mode.
  • the ink 30 is dried again in the CCR mode.
  • the drying continues while the boundary 32 maintains the position P 2 until the contact angle ⁇ 3 decreases and becomes equal to the receding contact angle ⁇ R.
  • the upper surface 31 of the ink 30 retreats from the position U 3 to the position U 4 , and the contact angle ⁇ 4 becomes equal to the receding contact angle ⁇ R again.
  • the ink 30 is dried in the CCR mode.
  • the ink 30 is dried again in the CCA mode.
  • the boundary 32 moves back from the position P 2 to the position P 3
  • the upper surface 31 of the ink 30 moves back from the position U 4 to the position U 5
  • the contact angle ⁇ 5 is set again.
  • the receding contact angle ⁇ R is exceeded.
  • the ink 30 is dried in the CCA mode.
  • the boundary 32 moves backward while repeating the CCA mode and the CCR mode, and the boundary 32 is fixed at the position P n when the ink density near the boundary 32 reaches the critical density.
  • the upper surface 31 of the ink 30 is fixed at the position U n , and the ink pinning is completed at the contact angle ⁇ n .
  • FIG. 11 shows a schematic diagram of a cross-sectional shape of the partition wall 105.
  • h0 indicates the height of the partition wall 105
  • h indicates the height of the partition wall 105 from the upper surface of the base layer 110 located below the partition wall 105.
  • x represents the distance from the boundary between the upper surface 105b and the peripheral surface 105c of the partition wall 105 in the direction along the major axis of the opening. Note that the direction in which the height of the partition 105 decreases (the direction in which the forward taper descends) is set as the positive x-axis (the direction indicated by the x-axis arrow in FIG. 11).
  • Graph 41 shows a value obtained by differentiating height h of partition wall 105 once by x.
  • the angle formed between the tangent line of the peripheral surface 105c of the partition wall 105 and the upper surface of the base layer 110 is large.
  • Graph 42 shows a value obtained by secondarily differentiating the height h of the partition wall 105 by x.
  • the secondary differential value of the height of the partition wall 105 means an increase or decrease in the contact angle increase ⁇ , that is, a change in the inclination angle of the peripheral surface 105c of the partition wall 105.
  • a point where the second-order differentiated value is negatively displaced from near zero hereinafter referred to as a displacement point
  • the angle between the tangent line of the peripheral surface 105c of the layer 105 and the upper surface of the underlayer 110 increases), and it is estimated that the CCR mode can be easily maintained due to the steep inclination. .
  • the ink pinning position is set at a high position on the peripheral surface 105c of the partition wall 105. 30 non-wetting can be suppressed.
  • it is effective to use the change in the inclination angle (first derivative value) of the peripheral surface 105 c in the cross section of the partition wall 105, that is, the second derivative value.
  • the ink can be pinned in the vicinity of the displacement point and not wet. It is thought that it can be suppressed.
  • each partition wall 105 The details of the shape of each partition wall 105 are shown below.
  • FIG. 12 shows the sectional taper profiles of the partition walls and functional layers obtained by the above-described steps and the second derivative values of the gradients thereof.
  • the cross-sectional taper profile of a partition and a functional layer was measured with the atomic force microscope (AFM).
  • the displacement amount ⁇ x in the major axis direction of the displacement point and the pinning position was 1.23 ⁇ m, and the displacement amount ⁇ y in the height direction was 0.22 ⁇ m, which was larger than in other experiments.
  • the second-order differential value falls slowly with respect to the inclination of the peripheral surface of the partition wall, that is, the change in the contact angle increase ⁇ at a high position on the peripheral surface of the partition wall is small.
  • FIG. 13 shows the cross-sectional taper profile of the partition walls and functional layers obtained by the above-described steps and the second derivative value of the gradient.
  • the displacement ⁇ x in the major axis direction between the displacement point and the pinning position was 0.44 ⁇ m, and the displacement ⁇ y in the height direction was 0.040 ⁇ m.
  • the pinning position was stably formed in the vicinity of the displacement point on the peripheral surface of the partition wall, and no wetting occurred.
  • FIG. 14 shows the sectional taper profiles of the partition walls and functional layers obtained by the above-described steps and the second derivative values of the gradients thereof.
  • a displacement ⁇ x in the major axis direction between the displacement point and the pinning position was 0.26 ⁇ m, and a displacement ⁇ y in the height direction was 0.038 ⁇ m.
  • the pinning position was stably formed in the vicinity of the displacement point on the peripheral surface of the partition wall, and no wetting occurred.
  • FIG. 15 shows the sectional taper profiles of the partition walls and functional layers obtained by the above-described steps and the second derivative values of the gradients thereof.
  • a displacement ⁇ x in the major axis direction between the displacement point and the pinning position was 0 ⁇ m, and a displacement ⁇ y in the height direction was 0 ⁇ m.
  • the pinning position was stably formed in the vicinity of the displacement point on the peripheral surface of the partition wall, and no wetting occurred.
  • FIG. 16 shows the sectional taper profiles of the partition walls and functional layers obtained by the above-described steps and the second derivative values of the gradients thereof.
  • a displacement ⁇ x in the major axis direction between the displacement point and the pinning position was 0 ⁇ m, and a displacement ⁇ y in the height direction was 0 ⁇ m.
  • the pinning position was stably formed in the vicinity of the displacement point on the peripheral surface of the partition wall, and no wetting occurred.
  • the cross-sectional shape of the partition wall in the present invention is as shown in FIG.
  • the taper shape of the opening portion is defined by a peripheral surface facing an upper surface located at a height h0 and an opening portion located at a height h lower than h0 continuously with the upper surface of the partition wall when the upper surface of the base layer is used as a reference.
  • a displacement point at which the value obtained by secondarily differentiating the height h of the peripheral surface by the distance x from the boundary between the upper surface and the peripheral surface of the partition wall in the direction along the major axis of the opening is negatively displaced from near zero Is preferably 0.9 h0 or more.
  • the second derivative shows a discontinuous behavior at the boundary between the upper surface and the peripheral surface of the partition wall
  • the shape at the boundary between the upper surface and the peripheral surface of the partition wall is gradually displaced from the upper surface to the peripheral surface. Rather, it means that the inclination angle changes abruptly, resulting in an angular shape. That is, the tangent line on the upper surface and the tangent line on the peripheral surface change abruptly at the boundary between the upper surface and the peripheral surface.
  • the cathode and the sealing layer formed above the organic light emitting layer it causes structural defects such as step breakage of the upper layer, cracks, and poor adhesion of the laminated portion at the boundary, thereby deteriorating the quality of the organic EL device. It is not suitable because of fear.
  • the second-order differentiated value by the distance x from the boundary between the upper surface of the partition wall and the peripheral surface in the direction along the major axis of the opening is continuous at the boundary between the upper surface of the partition wall and the peripheral surface,
  • the displacement point that is negatively displaced from the vicinity of 0 is located at a height of 0.9 h0 or more.
  • the displacement point located closest to the upper surface of the partition wall is 0.9 h0 or more and less than 1.0. This is because the pinning position can be kept high by maintaining the CCR mode during the second CCR mode rather than maintaining the CCR mode after the third time.
  • FIG. 18 shows the sectional differential taper profile of the partition walls and the functional layer and the second derivative value of the gradient when unwetting occurs without satisfying the conditions.
  • no pinning position was formed on the peripheral surface of the partition wall, and pinning was performed on the upper surface of the base layer, so that unwetting occurred, resulting in poor film formation.
  • the displacement point will be supplemented. Since there are some variations in the secondary differential values obtained from the experimental results, it is necessary to allow some errors for the displacement points obtained from the secondary differential values. More specifically, in the “near 0” range, the range of ⁇ 6.5 ⁇ 10 ⁇ 5 to 6.5 ⁇ 10 ⁇ 5 nm in Experiment 2 and ⁇ 1.0 ⁇ 10 ⁇ 4 to 0 nm in Experiment 3. range, a range of experiments 4, -1.3 ⁇ 10 -4 ⁇ 7.0 ⁇ 10 -5 nm , in the range of experiment 5, -1.3 ⁇ 10 -4 ⁇ 7.0 ⁇ 10 -5 nm The secondary differential values varied.
  • the variation in Experiment 2, the variation is 1.3 ⁇ 10 ⁇ 4 , in Experiment 3, the variation is 1.0 ⁇ 10 ⁇ 4 , in Experiment 4, the variation is 2.0 ⁇ 10 ⁇ 4 , and in Experiment 5 It varied in a width of 2.0 ⁇ 10 ⁇ 4 . Therefore, a point where the secondary differential value is displaced in the negative direction by 1.0 ⁇ 10 ⁇ 4 nm or more in “near 0” may be determined as the displacement point.
  • the allowable range may be further widened, and a point displaced by 1.3 ⁇ 10 ⁇ 4 nm or more may be determined as a displacement point. Furthermore, the allowable range may be widened and a point that is displaced by 2.0 ⁇ 10 ⁇ 4 nm or more may be determined as a displacement point.
  • the partition walls were formed using a material mainly composed of acrylic resin.
  • the material from which a composition differs was also used as a material which has acrylic resin as a main component, even if it is a case where the composition of a material differs, a pinning position is kept high by a displacement point becoming 0.9 or more, There was no change in the effect of suppressing the unwetting phenomenon.
  • the ink of the functional layer an ink having a viscosity of 3.8 mPa ⁇ s to 12.7 mPa ⁇ s was used. Even when the ink of the functional layer is different, the displacement point is 0.9 or more. As a result, it was confirmed that the same effect that the unwetting phenomenon can be suppressed can be obtained.
  • the displacement point at which the value obtained by second-order differentiation of the height of the peripheral surface along the major axis with the distance from one end of the upper surface is displaced from 0 to negative is 0.93 h or higher I can read.
  • the boundary between the upper surface of the functional layer and the peripheral surface of the partition wall is located within 40 nm in the height direction from the displacement point. This is because the pinning position can be kept high by pinning the displacement point without shifting from the second CCR mode to the CCA mode again.
  • the boundary between the upper surface of the functional layer and the peripheral surface of the partition wall is located within 440 nm in the direction along the long axis from the displacement point. You can see that too. This is also because the pinning position can be kept high by pinning the displacement point without shifting from the second CCR mode to the CCA mode again.
  • the number of passes through the CCA mode before pinning is not limited to a specific value such as 2 times. That is, the number of passes through the CCR mode is two or more, and as a result, the pinning position of the displacement point only needs to be high.
  • the second-order differential value is continuous at the boundary between the upper surface and the peripheral surface of the partition wall, not only the boundary between the upper surface and the peripheral surface of the partition wall but also the boundary between the upper surface and the peripheral surface It is preferable that there is no discontinuity even in the secondary differential value of the peripheral surface shape from the boundary to the boundary between the underlayer and the peripheral surface.
  • the inclination angle of the peripheral surface is changing abruptly (that is, there is a point where the shape of the peripheral surface is angular).
  • the risk of functional layer breakage increases.
  • the displacement point where the secondary differential value is negatively displaced from near 0 is located at a height of 0.9 h or more.
  • the upper surface of the partition wall has a surface parallel to the base layer, and the upper surface and the peripheral surface are described separately.
  • the upper surface of the partition wall may not be parallel to the base layer, and the upper surface may be a simple point.
  • the upper surface of the partition wall may be inclined with respect to the surface of the base layer, and the “upper surface” may mean a point having the highest height among the partition walls.
  • the second electrode is disposed on the organic light emitting layer so as to be in contact with the organic light emitting layer.
  • An electron transport layer or an electron injection layer may be disposed between the organic light emitting layer and the second electrode as necessary. In this case, the second electrode is disposed in contact with the electron transport layer or the electron injection layer.
  • a sealing film may be provided on the second electrode in order to suppress deterioration of the organic light emitting layer due to moisture or oxygen.
  • a substrate body is prepared (step S1 in FIG. 19A), and a wiring portion including a TFT (thin film transistor) is formed on the surface (step S2 in FIG. 19A). Then, a flattening film is uniformly formed on the wiring portion while a contact hole is present at a position corresponding to the gate / drain electrode of the driving TFT in the wiring portion (step S3 in FIG. 19A). . Thereby, the substrate 101 is obtained.
  • a TFT thin film transistor
  • the anode 102 and the transparent conductive film are formed on the upper surface of the substrate 101 in accordance with the respective formation scheduled areas for forming the organic EL elements (light emitting elements) 100R, 100B, and 100G and the bus bar area 100X. Laminate sequentially.
  • the auxiliary electrode 102A and the electrode covering layer 103A are sequentially stacked in the bus bar region 100X. (Step S4 in FIG. 19A, step S5, FIG. 20A). At this time, the anode 102 and the SD electrode of the wiring part are electrically connected through the contact hole.
  • the hole injection layer 104 is formed so as to cover the entire upper surface of the substrate 101 including the electrode coating layer 103 (step S6 in FIG. 19A).
  • the anode 102 is formed by, for example, forming an Ag thin film using a sputtering method or a vacuum deposition method, and then patterning the Ag thin film using a photolithography method.
  • the electrode coating layer 103 is formed by forming an ITO thin film on the surface of the anode 102 using a sputtering method or the like and patterning the ITO thin film using a photolithography method or the like.
  • a metal film is formed on the surface of the substrate 101 including the surface of the electrode coating layer 103 by using a sputtering method or the like. Thereafter, the formed metal film is oxidized to obtain the hole injection layer 104.
  • a partition material layer 1050 is formed so as to cover the hole injection layer 104 by using, for example, a spin coating method.
  • the partition wall material layer 1050 can be formed using a photosensitive resist material such as an ultraviolet curable resin, an acrylic resin, a polyimide resin, or a novolac phenol resin.
  • a mask 501 provided with openings 502 having a predetermined pattern is disposed above the partition wall material layer 1050 where a partition wall 105 is to be formed.
  • the width D 0 of the opening 502 is matched to the width of the partition 105, and S 1 or S corresponding to the X-direction gap (X-direction width of the light emitting region and the bus bar region) of the partition 105 where the X-direction width of the mask is to be formed. 2 is set.
  • an ultraviolet ray (UV) is irradiated through the opening 502 of the mask 501 to perform an exposure process.
  • the partition 105 can be formed by performing predetermined development processing and baking processing (step S7 in FIG. 19A, FIG. 20C).
  • coating method etc. are employable similarly to the case where an organic material is used.
  • Patterning of the inorganic material is performed by etching using a predetermined etching solution (tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution or the like) based on a photoetching method.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • ink droplets containing an organic light emitting material are dropped and applied to the application target regions 101R, 101G, and 101B, which are openings defined by the partition walls 105, based on a predetermined wet process.
  • the solvent is evaporated and dried in a baking process or at room temperature.
  • the organic light emitting layers 106R, 106G, and 106B are appropriately formed (step S8 in FIG. 19A).
  • the electron transport layer 107 and the cathode 108 are sequentially formed over the upper surface of the organic light emitting layers 106R, 106G, and 106B and the surface 105a of the partition wall 105 based on a vacuum deposition method or the like (step S9 in FIG. 19A, step S9). S10, FIG. 20 (d)).
  • the organic EL display panel 10 is completed by forming the sealing layer 109 on the upper surface of the cathode 108 (step S11 in FIG. 19A).
  • the partition wall 105 was formed by photolithography using an acrylic resin as a base material with a photosensitive agent and a liquid repellent added thereto.
  • the taper shape of the opening can be controlled by performing the exposure wavelength, the exposure amount, the secondary exposure (additional exposure) after development, etc.
  • a shape was formed. Through the subsequent development process and baking process, a partition wall 105 having a height of 1 ⁇ m was formed.
  • gate electrodes 1012a and 1012b are formed on the main surface of the substrate body 1011 (step S21 in FIG. 19B). Regarding the formation of the gate electrodes 1012a and 1012b, a method similar to the method for forming the anode 102 can be used.
  • an insulating layer 1013 is formed so as to cover the gate electrodes 1012a and 1012b and the substrate body 1011 (step S22 in FIG. 19B).
  • the source electrodes 1014a and 1014b, the drain electrodes 1014c and 1014d, and the connection wiring 1015 are formed on the main surface of the insulating layer 1013 (step S23 in FIG. 19B). .
  • the partition wall 1016 is formed so as to cover the source electrodes 1014a and 1014b, the drain electrodes 1014c and 1014d, the connection wiring 1015, and the exposed portions 1013a and 1013b of the insulating layer 1013.
  • a photosensitive resist material film 10160 is deposited (step S24 in FIG. 19B).
  • a mask 501 is disposed on the deposited photosensitive resist material film 10160, and mask exposure and patterning are performed (FIG. 19B). Step S25).
  • windows 501a, 501b, 501c, and 501d are opened at portions where the partition wall 1016 is to be formed.
  • the mask 501 is provided with a window portion in a portion where the partition wall 1016 is formed in addition to the region where the window portions 501a, 501b, 501c, and 501d are opened. It has been.
  • the partition wall 1016 shown in FIG. 22C can be formed (step S26 in FIG. 19B).
  • the tapered shape of the opening can be controlled by performing exposure wavelength, exposure amount, secondary exposure (additional exposure) after development, and the like.
  • the desired shape of the partition wall 1016 was formed by appropriately changing these conditions.
  • the partition wall 1016 defines a plurality of openings including openings 1016a, 1016b, and 1016c.
  • the opening 1016a surrounds the connection wiring 1015
  • the opening 1016b surrounds the source electrode 1014a and the drain electrode 1014c
  • the opening 1016c surrounds the source electrode 1014b and the drain electrode 1014d.
  • the source electrodes 1014a and 1014b and the drain electrodes 1014c and 1014d are respectively arranged with a predetermined positional relationship.
  • organic semiconductor layers (semiconductor layers) 1017a and 1017b are formed in the coating target regions (openings 1016b and 1016c) defined by the partition 1016.
  • Organic semiconductor inks 10170a and 10170b are applied (step S27 in FIG. 19B).
  • step S28 in FIG. 19B After drying the organic semiconductor inks 10170a and 10170b (step S28 in FIG. 19B), as shown in FIG. 23B, the organic semiconductor layers 1017a and 1017b with respect to the openings 1016b and 1016c. Can be formed (step S29 in FIG. 19B).
  • a passivation film 1018 is formed so as to cover the entire region except for the contact region including the opening 1016a (step S30 in FIG. 19B), whereby the TFT substrate 101 is formed. Is completed.
  • the TFT substrate 101 is an example of a bottom-gate transistor
  • the transistor according to one embodiment of the present invention may have a top-gate structure.
  • the side wall shape of the partition wall 1016 is such that the upper surface located at a height h0 and the upper surface are continuous with respect to the upper surface of the base layer (specifically, the upper surface of the source electrode 1014a or the drain electrode 1014c).
  • the displacement point that is negatively displaced from the vicinity of 0 is preferably 0.9 h0 or more.
  • the pinning position of the functional layer can be kept high, and the non-wetting of the functional layer can be suppressed.
  • the displacement point at which the second-order differential value of the distance x from the boundary between the upper surface and the peripheral surface of the partition in the direction along the major axis of the opening is negatively displaced from near 0 is 0.9 h0 or more and 1.0. It is preferable that it is less than.
  • the value obtained by second-order differentiation of the shape of the partition wall is in a discontinuous state at the boundary between the upper surface and the peripheral surface. This means that the side surfaces change abruptly with each boundary. In this case, in the formation of the layer formed above the functional layer, there is a risk of step breakage or voids at the boundary, which may impair the quality of the thin film transistor. Therefore, it is preferable that the second-order differentiated value is continuous at the boundary between the upper surface and the peripheral surface.
  • the anode 102 is disposed below the organic light emitting layers 106R, 106G, and 106B, and the cathode 108 is disposed above the organic light emitting layers 106R, 106G, and 106B.
  • the present invention is not limited to this configuration.
  • the positions of the anode 102 and the cathode 108 can be reversed. In the case of a top emission type in which the positions of the anode 102 and the cathode 108 are reversed, it is necessary to use the cathode 108 as a reflective electrode layer and the anode 102 as a transparent electrode layer.
  • the organic light emitting layers 106R, 106G, and 106B corresponding to the respective RGB emission colors are formed.
  • each combination color other than RGB or an organic light emitting layer for only one color is formed. May be.
  • the partition wall is used for the display element and the transistor.
  • the usage of the partition wall is not limited to these, and may be used for lighting and devices. .
  • the partition 105 has a pixel partition structure, but the present invention is not limited to this, and the partition may have a line partition structure.
  • the partition may have a line partition structure.
  • the light-emitting element of the present invention is useful as a display of an electronic information terminal such as a television, a mobile phone, or a personal computer, and as a lighting element.
  • Organic EL device (light emitting device) 101 Substrate 102 Anode (first electrode) 103 Electrode coating layer 104 Hole injection layer 105,1016 Partition wall 106 Organic light emitting layer (functional layer) 107 Electron transport layer 108 Cathode (second electrode) 109 Sealing layer 110 Underlayer 1011 Substrate 1012 Gate electrode 1013 Insulating layer 1014 Source electrode and drain electrode 1017 Organic semiconductor layer (semiconductor layer)

Abstract

インク滴下領域において未濡れが発生し難い発光素子を提供することを目的とし、第１の電極１０２を含む下地層１１０と、長軸と短軸を有する形状からなる開口部を、前記下地層１１０上に規定する隔壁１０５と、前記開口部内に位置し、前記下地層１１０の上面と接する機能層１０６と、前記機能層１０６を介して前記第１の電極１０２と対向する第２の電極１０８と、を有し、前記隔壁１０５は、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層１１０の上面に垂直な断面において、前記下地層１１０の上面を基準としたときに、高さｈ０に位置する上面１０５ｂと、前記隔壁１０５の上面１０５ｂと連続して前記ｈ０未満の高さｈに位置する前記開口部を臨む周面１０５ｃを有し、前記周面１０５ｃの高さｈを、前記長軸に沿った方向における前記隔壁１０５の上面１０５ｂと周面１０５ｃとの境界３２からの距離ｘで２次微分した値が、前記隔壁１０５の上面１０５ｂと前記周面１０５ｃとの境界３２において連続しており、かつ、０近傍から負に変位する変位点が、高さ０．９ｈ以上に位置し、前記機能層１０６の上面が、前記変位点の近傍において前記周面１０５ｃと接している構成とする。

Description

発光素子、トランジスタおよび隔壁
　本発明は、発光素子、トランジスタおよび隔壁に関する。
　発光素子の一例である有機表示素子は、陽極および陰極、ならびに両電極の間に配置された有機発光層を中心とした有機機能層からなり、有機機能層の材料としては低分子有機化合物や高分子有機化合物が利用される。
　有機表示素子は、有機発光層が厚み１μｍ以下の薄膜で形成されるため低電圧で駆動できること、自発光するため低消費電力が期待されることなど、ディスプレイパネル用として優れた特徴を有する。また、有機化合物を材料とした有機機能層は、インクジェット法などの塗布法による作製が可能である。
　有機機能層を塗布法によって作製する場合、隣接する他の色の光を発する画素にインクが浸入しないようにする必要がある。そこで、例えばインクジェット法では、塗布面上に隔壁を形成し、隔壁によって規定された領域内に有機機能材料を含むインクを滴下する方法が知られている（例えば特許文献１参照）。
　このような隔壁は、例えばフォトリソグラフィ法によって形成される。フォトリソグラフィ法で隔壁を形成する方法は、感光性の樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜を露光および現像によりパターニングする工程、および現像した樹脂膜を焼成する工程を有する。隔壁の材料には、滴下インクを保持する機能を高めるために、撥液性の高い樹脂（例えばフッ素含有樹脂）が混合されることがある。
特開２００６－００４７４３号公報
　しかしながら、隔壁によって規定された領域内でインクが十分に濡れ拡がらず、有機膜が一部形成されない「未濡れ」状態が発生することがある。また、インクジェット法では隔壁での塗布インクの保持が重要であることから隔壁の撥液性を高めたいが、撥液性を高めるほど未濡れに対する安定性が低下する。未濡れは陽極と陰極の間での短絡を引き起こし、有機表示素子の表示品質を低下させる。
　本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、未濡れの発生を抑制し、プロセス安定性の高い発光素子を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る発光素子は、第１の電極を含む下地層と、長軸と短軸を有する形状からなる開口部を、前記下地層上に規定する隔壁と、前記開口部内に位置し、前記下地層の上面と接する機能層と、前記機能層を介して前記第１の電極と対向する第２の電極と、を有し、前記隔壁は、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記下地層の上面を基準としたときに、高さｈ０に位置する上面と、前記隔壁の上面と連続して前記ｈ０未満の高さｈに位置する前記開口部を臨む周面を有し、前記周面の高さｈを、前記長軸に沿った方向における前記隔壁の上面と周面との境界からの距離ｘで２次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界において連続しており、かつ、０近傍から負に変位する変位点が、高さ０．９ｈ以上に位置し、前記機能層の上面が、前記変位点の近傍において前記周面と接していることを特徴とする。
　本発明の一態様に係る発光素子は、隔壁によって規定された開口部において未濡れの発生を抑制することができる。
実施の形態１に係る有機ＥＬ装置１の概略構成を示すブロック図。 有機ＥＬ装置１を含むセットの外観の一例を示す外観斜視図。 表示パネル１０の部分断面図と正面図 塗布対象領域および隔壁上面の俯瞰図。 （ａ）隔壁の側面形状の模式図（ｂ）塗布対象領域にインクを塗布した直後の状態を示す模式図 隔壁傾斜部近傍におけるインク端面の後退メカニズムを示す第１の模式図 隔壁傾斜部近傍におけるインク端面の後退メカニズムを示す第２の模式図 隔壁傾斜部近傍におけるインク端面の後退メカニズムを示す第３の模式図 隔壁傾斜部近傍におけるインク端面の後退メカニズムを示す第４の模式図 隔壁傾斜部近傍におけるインク端面の後退メカニズムを示す第５の模式図 隔壁の断面と、形状プロファイルを示す図 実験１における隔壁および機能層の断面形状を示す図 実験２における隔壁および機能層の断面形状を示す図 実験３における隔壁および機能層の断面形状を示す図 実験４における隔壁および機能層の断面形状を示す図 実験５における隔壁および機能層の断面形状を示す図 実験１～５の結果をまとめた表 未濡れが生じた場合の隔壁および機能層の断面形状を示す図 有機ＥＬ表示パネルの製造プロセスを示す図 有機ＥＬ表示パネルの製造プロセスを示す図 薄膜トランジスタの製造工程を示す図 薄膜トランジスタの製造工程を示す図 薄膜トランジスタの製造工程を示す図
　＜本発明の一態様の概要＞
　本発明の一態様に係る発光素子は、第１の電極を含む下地層と、長軸と短軸を有する形状からなる開口部を、前記下地層上に規定する隔壁と、前記開口部内に位置し、前記下地層の上面と接する機能層と、前記機能層を介して前記第１の電極と対向する第２の電極と、を有し、前記隔壁は、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記下地層の上面を基準としたときに、高さｈ０に位置する上面と、前記隔壁の上面と連続して前記ｈ０未満の高さｈに位置する前記開口部を臨む周面を有し、前記周面の高さｈを、前記長軸に沿った方向における前記隔壁の上面と周面との境界からの距離ｘで２次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界において連続しており、かつ、０近傍から負に変位する変位点が、高さ０．９ｈ以上に位置し、前記機能層の上面が、前記変位点の近傍において前記周面と接している。
　また、前記変位点が、高さ０．９３ｈ以上に位置することとしてもよい。
　また、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記機能層の上面と前記周面との境界は、前記変位点よりも下方に位置し、前記境界は前記変位点から前記高さ方向において４０ｎｍ以内に位置することとしてもよい。
　また、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記機能層の上面と前記周面との境界は、前記変位点よりも前記隔壁の上面に対して離れて位置し、前記境界は前記変位点から、前記長軸に沿った方向において４４０ｎｍ以内に位置することとしてもよい。
　また、前記機能層が塗布法により形成されていることとしてもよい。
　また、前記隔壁の周面を２次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界から前記下地層と前記周面との境界までの端部の間において、連続していることとしてもよい。
　本発明の一態様に係るトランジスタは、長軸と短軸を有する形状からなる開口部を規定する隔壁と、前記開口部の下方又は上方に位置するゲート電極と、前記ゲート電極よりも前記開口部に近接した領域に位置するゲート絶縁膜と、前記隔壁の下側に位置し、前記開口部内に少なくとも一部が位置するソース電極およびドレイン電極を有する下地層と、前記開口部内であって、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向する領域に位置し、前記下地層と接する半導体層と、を有し、前記隔壁は、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記下地層の上面を基準としたときに、高さｈ０に位置する上面と、前記隔壁の上面と連続して前記ｈ０未満の高さｈに位置する前記開口部を臨む周面を有し、前記周面の高さｈを、前記長軸に沿った方向における前記隔壁の上面と周面との境界からの距離ｘで２次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界において連続しており、かつ、０近傍から負に変位する変位点が、高さ０．９ｈ以上に位置し、前記半導体層の上面が、前記変位点の近傍において前記周面と接している。
　また、前記変位点が、高さ０．９３ｈ以上に位置することとしてもよい。
　また、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記半導体層の上面と前記周面との境界は、前記変位点よりも下方に位置し、前記境界は前記変位点から前記高さ方向において４０ｎｍ以内に位置することとしてもよい。
　また、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記半導体層の上面と前記周面との境界は、前記変位点よりも前記隔壁の上面に対して離れて位置し、前記境界は前記変位点から、前記長軸に沿った方向において４４０ｎｍ以内に位置することとしてもよい。
　また、前記半導体層が塗布法により形成されていることとしてもよい。
　また、前記隔壁の周面を２次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界から前記下地層と前記周面との境界までの間において、連続していることとしてもよい。
　本発明の一態様に係る隔壁は、長軸と短軸を有する形状からなる開口部を、下地層上に規定する隔壁であって、前記隔壁は、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記下地層の上面を基準としたときに、高さｈ０に位置する上面と、前記隔壁の上面と連続して前記ｈ０未満の高さｈに位置する前記開口部を臨む周面を有し、前記周面の高さｈを、前記長軸に沿った方向における前記隔壁の上面と周面との境界からの距離ｘで２次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界において連続しており、かつ、０近傍から負に変位する変位点が、高さ０．９ｈ以上に位置する。
　本発明の一態様に係る発光素子は、第１の電極を含む下地層と、長軸と短軸を有する形状からなる開口部を前記下地層上に規定する隔壁と、前記開口部内に位置し、前記下地層の上面と接する機能層と、前記機能層を介して前記第１の電極と対向する第２の電極と、を有し、前記隔壁は、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記下地層の上面を基準としたときに、高さｈ０に位置する上面と、前記隔壁の上面と連続して前記ｈ０未満の高さｈに位置する前記開口部を臨む周面を有し、前記周面の高さｈを、前記長軸に沿った方向における前記隔壁の上面と周面との境界からの距離ｘで２次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界において連続しており、かつ、０近傍から負に変位する変位点が、高さ０．９ｈ以上に位置する。
　本発明の一態様に係るトランジスタは、長軸と短軸を有する形状からなる開口部を規定する隔壁と、前記開口部の下方又は上方に位置するゲート電極と、前記ゲート電極よりも前記開口部に近接した領域に位置するゲート絶縁膜と、前記隔壁の下側に位置し、前記開口部内に少なくとも一部が位置するソース電極およびドレイン電極を有する下地層と、前記開口部内であって、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向する領域に位置し、前記下地層と接する半導体層と、を有し、前記隔壁は、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記下地層の上面を基準としたときに、高さｈ０に位置する上面と、前記隔壁の上面と連続して前記ｈ０未満の高さｈに位置する前記開口部を臨む周面を有し、前記周面の高さｈを、前記長軸に沿った方向における前記隔壁の上面と周面との境界からの距離ｘで２次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界において連続しており、かつ、０近傍から負に変位する変位点が、高さ０．９ｈ以上に位置する。
　以下、本発明に係る発光素子、トランジスタ、および隔壁について、実施の形態に基づいて説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置および接続形態、製造ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、本発明は、請求の範囲だけによって特定される。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示したものではない。
　＜実施の形態１＞
　（有機ＥＬ装置）
　図１は、実施の形態１に係る有機ＥＬ装置１の概略構成を示すブロック図である。
　有機ＥＬ装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０と、これに接続された駆動制御部１１とを備えてなる。
　有機ＥＬ表示パネル１０は、複数の有機ＥＬ素子（発光素子）が、互いに交差する（ここでは直交する）Ｘ方向およびＹ方向にマトリクス状に配設されている。
　駆動制御部１１は、一例として４つの駆動回路１２～１５と制御回路１６とで構成されている。駆動回路の数はこれ以外でも良い。
　有機ＥＬ装置１の利用形態としては、例えば図２に示すようにオーディオ装置と組み合わせたテレビジョンシステムの一部とすることができる。有機ＥＬ装置１は液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のようにバックライトを必要としないので薄型化に適しており、システムデザイン設計という観点から優れた特性を発揮する。
　（有機ＥＬ表示パネル１０）
　図３（ａ）は有機ＥＬ素子１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂの基本構成を示す、有機ＥＬ表示パネル１０の部分断面図である。当図は図１の有機ＥＬ表示パネル１０のＡ－Ａ’矢視断面図を示している。また図３（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の部分的な正面図である。
　有機ＥＬ表示パネル１０では図３（ｂ）のように、赤（Ｒ）色発光色の有機ＥＬ素子１００Ｒ、緑（Ｇ）色発光色の有機ＥＬ素子１００Ｇ、青（Ｂ）色発光色の有機ＥＬ素子１００Ｂが、隔壁１０５で規定された各発光領域において、Ｘ方向に沿って同順に繰り返し配置されている。有機ＥＬ表示パネル１０では、各素子１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂがサブピクセルとしての発光領域を構成し、隣接する３つの有機ＥＬ素子１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂを１組として１画素（ピクセル）が構成される。なお、Ｘ方向における画素と画素との間には、Ｙ方向に連続するバスバー領域１００Ｘが設けられている。
　図３（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０は、ＴＦＴ基板１０１（以下、単に「基板１０１」と記載する。）と、その上面に同順に積層された陽極（第１の電極）１０２と、電極被覆層１０３と、ホール注入層１０４とを有する。ホール注入層１０４の上には、さらに同順に積層された有機発光層１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂのいずれかと、電子輸送層１０７と、陰極（第２の電極）１０８と、封止層１０９とを有する。
　このうち陽極１０２、電極被覆層１０３、有機発光層１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂは、各有機ＥＬ素子１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ毎に個別に形成される。ホール注入層１０４、電子輸送層１０７、陰極１０８、封止層１０９は基板１０１の基板の上面全体にわたり一様に形成される。有機ＥＬ素子１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂは、一例としてトップエミッション型としている。
　バスバー領域１００Ｘには補助電極１０２Ａおよび電極被覆層１０３Ａが同順に積層されている。
　以下、各構成要素を説明する。
　（基板１０１）
　基板１０１は有機ＥＬ表示パネル１０のベースとなる部分であり、実施の形態２で述べる基板本体１０１１とその上に形成されたＴＦＴ配線部（不図示）で構成される。基板本体１０１１は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料をベースとして形成されている。
　ＴＦＴ配線部は、有機ＥＬ素子１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂをアクティブマトリクス駆動方式で駆動するための配線（駆動ＴＦＴおよびスイッチングＴＦＴ等の薄膜トランジスタ、電源線、信号線を含む配線）を有するように形成している。なおＴＦＴ配線部の表面は、不図示の層間絶縁膜（平坦化膜等）で被覆されている。
　（陽極１０２）
　陽極１０２は、導電性材料からなる単層、あるいは複数の層が積層されてなる積層体から構成される。例えば、Ａｇ（銀）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などを用い形成される。陽極１０２は前記した層間絶縁膜を貫通するコンタクトホール（不図示）を介し、ＴＦＴ配線部中のＴＦＴのゲート・ドレイン電極と電気接続されている。
　なお、有機ＥＬ表示パネル１０をトップエミッション型とする場合には、陽極１０２は高反射性の材料で形成することが好ましい。
　（電極被覆層１０３）
　電極被覆層１０３は、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）を用いて形成されており、陽極１０２の上面を被覆するように配される。
　（ホール注入層１０４）
　ホール注入層１０４は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物からなる層である。このような酸化金属からなるホール注入層１０４は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、各有機発光層１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂに対しホールを注入および輸送する機能を有する。
　なお、ホール注入層１０４については、上記のような金属酸化物を以って形成する他に、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などを用いて形成することもできる。
　また、ホール注入層１０４と有機発光層１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂの間にはホール輸送層を形成してもよい。
　（隔壁１０５）
　隔壁１０５は、図３（ｂ）に示すように、基板１０１の上方におけるホール注入層１０４の表面に対し、行列（ＸＹ）方向にわたって格子状に形成され、いわゆるピクセルバンク構造をなしている。パネルを平面視した際、隔壁１０５は図３（ａ）に示すように、複数の開口部（塗布対象領域１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂ等）が並列して存在するように形成される。これによりＸ方向で隣接する、異なる発光色の有機ＥＬ素子１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂと、バスバー領域１００Ｘとをそれぞれ規定している。
　隔壁１０５の材料は特に限定されないが、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）が好適である。製造時にエッチング処理およびベーク処理などが施されるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などを生じない耐性の高い材料であることが好ましい。また、隔壁で塗布インクの保持を良好に行うために、隔壁は撥液性を有することが好ましい。例えば、表面に撥水性を持たせるため、フッ素処理を施すこともできる。
　隔壁１０５の構造としては、図３（ａ）に示す単一層としての構造だけでなく、二層以上の層を積層した多層構造とすることもできる。この場合は、有機材料の層同士または無機材料の層同士、或いは無機材料の層と有機材料の層とを積層して構成することができる。
　（有機発光層１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂ）
　有機発光層１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂは、本発明における機能膜の一つであって、電圧印加時に陽極１０２から注入されたホールと、陰極１０８から注入された電子とが再結合されることにより励起状態が生成されて発光する機能を有する。有機発光層１０６は、ウェットプロセスに基づき、機能性材料（発光性有機材料）を含むインクを陽極１０２の上方に塗布し、これを乾燥させて構成される。
　具体的な発光性の有機材料としては、例えば、特開平５－１６３４８８号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質を挙げることができる。
　（電子輸送層１０７）
　電子輸送層１０７は、陰極１０８から注入された電子を効率よく有機発光層１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂへ輸送する機能を有する。例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、あるいはこれらの組み合わせで形成することが好ましい。
　（陰極１０８）
　陰極１０８は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）などで形成される。トップエミッション型の有機ＥＬ表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
　陰極１０８は、上記の他に、例えばアルカリ金属やアルカリ土類金属で構成するか、またはそれらのハロゲン化物を含む層と銀を含む層とをこの順で積層して構成することもできる。銀を含む層は、銀単独で形成してもよいし、銀合金で形成してもよい。また、光取出し効率の向上を図るためには、銀を含む層の上から透明度の高い屈折率調整層を設けることもできる。
　（封止層１０９）
　封止層１０９は、有機発光層１０６などが水分や空気に晒されるのを抑制する機能を有し、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料で形成される。トップエミッション型の有機ＥＬ表示パネル１０では、光透過性材料で形成することが好ましい。
　（バスバー領域１００Ｘ）
　バスバー領域１００Ｘは、隣接する画素間の素子１００Ｂと素子１００Ｒの間に設けられる。これは有機ＥＬ表示パネル１０全体の素子１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂにおける陰極１０８の良好な導通性を確保するものであり、陰極１０８がバスバー（補助電極１０２Ａ）と電極被覆層１０３Ａを介して電気接続される。
　なおバスバー領域１００Ｘを設ける位置に限定はない。例えばＸ方向に沿って複数画素毎、或いはサブピクセル毎に設けることも可能である。或いはＸ方向に沿って数十個の素子毎に設けるようにしてもよい。
　なお、上述の例では、有機ＥＬ表示パネルを下部電極（陽極１０２）側からＥＬ発光を取り出すボトムエミッション型として説明したが、上部電極（陰極１０８）側からＥＬ発光を取り出すトップエミッション型であってもよい。
　＜開口部の形状＞
　図４に、本発明の有機ＥＬ表示パネルにおいて、複数の開口部（塗布対象領域１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂ）の俯瞰図を示す。図３を用いて説明したとおり、有機ＥＬ素子１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂにおいて、インクの塗布対象領域１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂは隔壁１０５によって規定される。画素形状や開口部の大きさは任意であるが、インクが濡れ拡がり易いという観点から、画素端部に円弧状の曲線を有する形状が好ましい。また、塗布対象領域１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂに対し、領域幅の狭い方向にとった軸２０を短軸、領域幅の広い方向にとった軸２１を長軸とする。ただし縦横で領域幅が同一である場合は、どちらの方向を短軸あるいは長軸ととってもよい。隔壁１０５は下地層１１０上に形成されており、隔壁１０５には、下地層１１０に近づくほど開口が小さくなる順テーパー形状の開口部を有する。
　以下、テーパー形状の開口部のについて詳細に説明する。
　図５（ａ）は、有機ＥＬ装置１の図４に示す領域２２を、基板１０１の上面に垂直且つ長軸を含む面で切断した断面図であって、有機発光層１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂ、電子輸送層１０７および陰極１０８は省略されている。基板１０１上に、層間絶縁膜、陽極１０２、電極被覆層１０３およびホール注入層１０４を積層した下地層１１０が形成され、その上に隔壁１０５が形成されている。なお、下地層１１０は、層間絶縁膜、陽極１０２、電極被覆層１０３およびホール注入層１０４を積層した構成に限定されず、それら層のうちの一部の層で構成されていても良いし、それら層の一部または全部に加えてそれ以外の層が含まれた構成であっても良い。
　図５（ｂ）に、図５（ａ）で表した断面構造を有する開口部に対してインクジェット法によりインクを滴下した時の様子を示す。塗布対象領域１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂに滴下されたインク３０は、隔壁１０５の撥液性により、開口部内で保持される。
　開口部内のインク３０は、時間経過とともに乾燥（インク３０中の溶媒の蒸発）により体積が減少する。この時、インク３０の上面３１と開口部を臨む周面１０５ｃとの境界（塗布対象領域１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂに滴下されたインク３０の上面３１のうち隔壁１０５の表面１０５ａと接触する部分）３２は、隔壁１０５の上面１０５ｂから開口部を臨む周面１０５ｃへと後退し、その後、周面１０５ｃに沿って下地層１１０側へとさらに後退する。
　この境界３２の後退過程は、隔壁１０５の表面１０５ａの状態に強く依存し、「未濡れ」が発生することがある。なお、未濡れが発生する要因は複数考えられる。例えば、隔壁の材料に撥液性の樹脂を用いた場合、現像後や隔壁表面処理後にインク滴下領域の表面上に撥液性樹脂の一部が残渣として残存することがある。例えば隔壁１０５の表面１０５ａにフォトリソグラフィ後に生じる撥液性の残渣などが分布していると、その残渣によってインク３０が撥液されることにより未濡れが引き起こされる場合がある。未濡れは有機発光層１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂの成膜不良の要因となり、電極１０２，１０８間の短絡を引き起こすおそれがある。
　また、インクジェット法による有機発光層１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂの成膜では、隔壁１０５の周面１０５ｃの形状が有機発光層１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂの膜形状に大きく影響することから、境界３２の後退過程のばらつきは膜形状のばらつきにも直結する。
　したがって、隔壁１０５に対する境界３２の後退の制御は、インクジェット法による有機発光層１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂの成膜において非常に重要な役割を担う。未濡れを抑制し、安定した膜形状を実現するには、境界３２の後退を小さくし、隔壁１０５の周面１０５ｃの比較的高い位置でインク３０をピンニングすることが望ましい。
　図６～図１０に、境界３２の後退過程の概略を示す。インク３０の乾燥過程には、インク３０の体積の減少に伴なって境界３２が後退するＣｏｎｓｔａｎｔ　Ｃｏｎｔａｃｔ　Ａｎｇｌｅ（ＣＣＡ）モードと、インク３０の体積が減少しても境界３２は後退せずに、インク３０の高さが減少するＣｏｎｓｔａｎｔ　Ｃｏｎｔａｃｔ　Ｒａｄｉｕｓ（ＣＣＲ）モードがある。
　塗布直後のインク３０は、ＣＣＲモードで乾燥する。図６に示すように、ＣＣＲモードでは、境界３２は位置Ｐ1を維持するが、インク３０の高さは減少する。インク３０の高さが減少すると、隔壁１０５の表面１０５ａとインク３０の上面３１とのなす角、すなわちインク３０の接触角も減少する。例えば、インク３０の高さが減少して、インク３０の上面３１が位置Ｕ1から位置Ｕ2まで後退すると、後退接触角θRよりも大きかった接触角θ1が、後退接触角θRと等しい接触角θ2まで減少する。このように、インク３０の上面３１が位置Ｕ2まで後退する間においては、インク３０はＣＣＲモードで乾燥する。
　接触角θ2が後退接触角θRと等しくなってからは、インク３０はＣＣＡモードで乾燥する。ＣＣＡモードでは境界３２が移動する。平坦面上に存在するインク３０の場合、境界３２が後退しても接触角は後退接触角θRに保たれるが、周面１０５ｃのような傾斜面上に存在するインク３０の場合、図７に示すように、境界３２が後退すると周面１０５ｃの傾きが増加するため、接触角増加分δθだけ接触角は増加する。例えば、境界３２が位置Ｐ1から位置Ｐ2に後退し、インク３０の上面３１が位置Ｕ2から位置Ｕ3に後退すると、接触角θ3が再び後退接触角θRを超える。このように、インク３０の上面３１が位置Ｕ2から位置Ｕ3まで後退する間においては、インク３０はＣＣＡモードで乾燥する。
　接触角が再び後退接触角θRを超えると、インク３０は再度ＣＣＲモードで乾燥する。図８に示すように、このＣＣＲモードでは、接触角θ3が減少し後退接触角θRと等しくなるまで、境界３２が位置Ｐ2を維持したまま乾燥が継続される。そして、インク３０の上面３１が位置Ｕ3から位置Ｕ4まで後退して、再び接触角θ4が後退接触角θRと等しくなる。このように、インク３０の上面３１が位置Ｕ3から位置Ｕ4まで後退する間においては、インク３０はＣＣＲモードで乾燥する。
　接触角θ4が再び後退接触角θRに等しくなると、インク３０は再度ＣＣＡモードで乾燥する。図９に示すように、このＣＣＡモードでは、境界３２が位置Ｐ2から位置Ｐ3に後退し、インク３０の上面３１が位置Ｕ4から位置Ｕ5に後退して、接触角θ5は再び後退接触角θRを超える。このように、インク３０の上面３１が位置Ｕ4から位置Ｕ5まで後退する間においては、インク３０はＣＣＡモードで乾燥する。
　図１０に示すように、以降もＣＣＡモードとＣＣＲモードを繰り返しながら境界３２は後退し、境界３２近傍のインク濃度が臨界濃度に達した時点で位置Ｐnに境界３２は固定される。これによって、インク３０の上面３１は位置Ｕnに固定され、接触角θnでインクのピンニングが完了する。
　上記の原理を鑑みると、インク３０の乾燥過程において、ＣＣＡモードによってインク３０が乾燥する割合が多いほど、境界３２の後退が大きくなり、インクのピンニング位置は隔壁１０５の周面１０５ｃの低い位置となる。したがって、インク３０のピンニング位置を高く保つためには、ＣＣＲモードによる乾燥を促し、ＣＣＡモードによる乾燥を抑制することが必要である。そのため、滴下直後のＣＣＲモードから、一度はＣＣＡモードに移行してしまったとしても、再度ＣＣＲモードに移行した後は、ＣＣＡモードに再度移行させずにＣＣＲモードを保つことが必要となる。
　図１１に、隔壁１０５の断面形状の模式図を示す。ｈ０は隔壁１０５の高さを示し、ｈは隔壁１０５の下部に位置する下地層１１０の上面からの隔壁１０５の高さを示す。ｘは開口部の長軸に沿った方向における隔壁１０５の上面１０５ｂと周面１０５ｃとの境界からの距離を示す。なお、隔壁１０５の高さが減少する方向（順テーパー形状を下る方向）をｘ軸の正（図１１においてｘ軸の矢印が示す方向）と設定した。
　グラフ４１は、隔壁１０５の高さｈを、ｘで１回微分した値を示す。グラフ４１において、隔壁１０５の１次微分値の絶対値が大きくなっている領域では、隔壁１０５の周面１０５ｃの接線と下地層１１０の上面とのなす角度が大きくなっている。
　グラフ４２は、隔壁１０５の高さｈを、ｘで２次微分した値を示す。隔壁１０５の高さの２次微分値は、接触角増加分δθの増減、すなわち隔壁１０５の周面１０５ｃの傾斜角度の変化を意味している。グラフ４２において、２次微分した値が０近傍から負に変位している点（以下、変位点と呼ぶ）は、開口部のテーパー形状について、隔壁１０５の表面１０５ａの傾斜が急になる（隔壁１０５の周面１０５ｃの接線と、下地層１１０の上面とのなす角度が増大する）方向に推移していることを意味し、傾斜が急になることでＣＣＲモードを維持しやすくなると推定される。
　すなわち、傾斜による接触角増加分δθが隔壁１０５の周面１０５ｃの高い位置で大きくなるよう隔壁１０５の形状を設計することにより、インクのピンニング位置を隔壁１０５の周面１０５ｃの高い位置とし、インク３０の未濡れを抑制することができる。ここで、接触角増加分δθの変化を表現する上では、隔壁１０５の断面における周面１０５ｃの傾斜角（１次微分値）の変化、すなわち、２次微分値を用いるのが有効である。２次微分値がゼロから変位する変位点（＝δθが増加し始める点）が隔壁１０５の周面１０５ｃの高い位置に存在すれば、前記変位点近傍でインクをピンニングすることができ、未濡れを抑制することができると考えられる。
　このような考えに基づき、下記実施例に示す検証を実施し、未濡れ抑制に効果的な隔壁１０５の形状の設計を行った。
　以下に、各隔壁１０５の形状の詳細を示す。
　（実験１）
　機能層の材料を有機溶媒に添加して作製したインク（粘度＝３．８ｍＰａ・ｓ、表面張力＝３３ｍＮ／ｍ）を用いて、インクジェット法により、隔壁で規定された塗布対象領域に塗布を行い、１０Ｐａ以下の真空中で乾燥した後、１８０℃以上のプレート上で焼成し、機能層を成膜した。
　図１２に、上述の工程により得られた隔壁および機能層の断面テーパープロファイルおよびその勾配の２次微分値を示す。なお、隔壁および機能層の断面テーパープロファイルは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定した。
　実験１では、隔壁の断面形状の２次微分値の変位点の高さはｈ＝０．５５μｍであり、隔壁高さｈ０＝０．９２μｍに対して０．６０ｈ０に位置した。前記変位点とピンニング位置の長軸方向の位置ずれ量△ｘは１．２３μｍ、高さ方向の位置ずれ量△ｙは０．２２μｍであり、他の実験と比較してずれ量が大きかった。本実験では、隔壁の周面の傾斜に対して２次微分値の立下りが遅い、すなわち隔壁の周面の高い位置での接触角増加分δθの変化が小さいために、隔壁の周面の形状によるピンニング位置制御が有効に行えず、ＣＣＡモードによる機能層の上面と隔壁の周面との境界の後退を伴う蒸発でピンニングが発生したと推察される。その結果、隔壁の周面にピンニング位置が形成されず、未濡れが発生する場合もあった。
　（実験２）
　機能層は、実験１と同様の工程で成膜した。
　図１３に、上述の工程により得られた隔壁および機能層の断面テーパープロファイルおよびその勾配の２次微分値を示す。
　実験２では、隔壁の断面形状の２次微分値変位点の高さはｈ＝０．９９μｍであり、隔壁高さｈ０＝１．０６μｍに対して０．９３ｈ０に位置した。前記変位点とピンニング位置の長軸方向の位置ずれ量△ｘは０．４４μｍ、高さ方向の位置ずれ量△ｙは０．０４０μｍであった。本実験では、隔壁の周面の前記変位点近傍で安定してピンニング位置が形成され、未濡れは発生しなかった。
　（実験３）
　機能層は、実験１と同様の工程で成膜した。
　図１４に、上述の工程により得られた隔壁および機能層の断面テーパープロファイルおよびその勾配の２次微分値を示す。
　実験３では、隔壁の断面形状の２次微分値変位点の高さはｈ＝０．９９μｍであり、隔壁高さｈ０＝１．０１μｍに対して０．９８ｈ０に位置した。前記変位点とピンニング位置の長軸方向の位置ずれ量△ｘは０．２６μｍ、高さ方向の位置ずれ量△ｙは０．０３８μｍであった。本実験では、隔壁の周面の前記変位点近傍で安定してピンニング位置が形成され、未濡れは発生しなかった。
　（実験４）
　機能層は、実験１と同様の工程で成膜した。
　図１５に、上述の工程により得られた隔壁および機能層の断面テーパープロファイルおよびその勾配の２次微分値を示す。
　実験４では、隔壁の断面形状の２次微分値変位点の高さはｈ＝０．８８μｍであり、隔壁高さｈ０＝０．９８μｍに対して０．９０ｈ０に位置した。前記変位点とピンニング位置の長軸方向の位置ずれ量△ｘは０μｍ、高さ方向の位置ずれ量△ｙは０μｍであった。本実験では、隔壁の周面の前記変位点近傍で安定してピンニング位置が形成され、未濡れは発生しなかった。
　（実験５）
　機能層は、インクジェット法により形成した。正孔注入材料を溶かしたインク（粘度＝１２．７ｍＰａ・ｓ、表面張力＝３３ｍＮ／ｍ）を用い、１０Ｐａ以下の真空中で乾燥した後、２２０℃以上のプレート上で焼成し、成膜した。
　図１６に、上述の工程により得られた隔壁および機能層の断面テーパープロファイルおよびその勾配の２次微分値を示す。
　実験５では、隔壁の断面形状の２次微分値変位点の高さはｈ＝０．８８μｍであり、隔壁高さｈ０＝０．９８μｍに対して０．９０ｈ０に位置した。前記変位点とピンニング位置の長軸方向の位置ずれ量△ｘは０μｍ、高さ方向の位置ずれ量△ｙは０μｍであった。本実験では、隔壁の周面の前記変位点近傍で安定してピンニング位置が形成され、未濡れは発生しなかった。
　これらの結果を、図１７にまとめて示す。図１７から、本発明における隔壁の断面形状を図１１に示すような形状とした。開口部のテーパー形状は、下地層の上面を基準としたときに、高さｈ０に位置する上面と、隔壁の上面と連続してｈ０未満の高さｈに位置する開口部を臨む周面を有し、周面の高さｈを、開口部の長軸に沿った方向における隔壁の上面と周面との境界からの距離ｘで２次微分した値が０近傍から負に変位する変位点が、０．９ｈ０以上であることが好ましい。
　ここで、隔壁の上面と周面との境界において２次微分値が不連続な挙動を示す場合とは、隔壁の上面と周面との境界における形状が、上面から周面へとなだらかに変位するのではなく、傾斜角度が急激に変化し、角張った形状となることを意味する。すなわち、上面の接線と周面の接線とが、上面と周面との境界において急激に変化する。この場合、有機発光層より上層に形成する陰極や封止層の形成において、前記境界において上層の段切れ、クラック、積層部の密着性低下といった構造欠陥の原因となり、有機ＥＬ装置の品質を損なう恐れがあるため、不適である。
　そのため、開口部の長軸に沿った方向における隔壁の上面と周面との境界からの距離ｘで２次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界において連続しており、かつ、０近傍から負に変位する変位点が、高さ０．９ｈ０以上に位置することが好ましい。
　なお、変位点が複数存在する場合には、最も隔壁の上面に近い位置に位置する変位点が０．９ｈ０以上１．０未満であることが好ましい。３回目以降にＣＣＲモード時を維持するよりも、２回目のＣＣＲモード時に、ＣＣＲモードを維持できることにより、ピンニング位置を高く保つことが出来るためである。
　なお、上記実験１では、２次積分値変位点の値が０．６ｈ０であったにも拘わらず、未濡れが発生しなかった。このように、２次微分値変位点が最適でない場合においても、未濡れが発生しないケースはありえる。しかしながら、図１１に示すような好ましい位置にピンニングすることは出来ず、ピンニング位置が非常に低くなるため、未濡れが発生する確率が高く、それを他の技術でカバーするのは非常に困難であり、結局のところ歩留まりが非常に低くなってしまう。特に、近年の画素の微細化により塗布条件が厳しくなった状況では、生産に見合うだけの歩留まりを実現することは難しい。
　図１８に、条件を満たさずに未濡れが生じた場合の隔壁および機能層の断面テーパープロファイルおよびその勾配の２次微分値を示す。図１８に示す例では、隔壁の断面形状の２次微分値変位点の高さはｈ＝０．７３μｍであり、隔壁高さｈ０＝１．０８μｍに対して０．６８ｈ０に位置した。この例では、隔壁の周面にピンニング位置が形成されず、下地層の上面にピンニングされたため未濡れが発生し、成膜不良となった。
　次に、変位点について補足するが、実験結果から得られる２次微分値には多少のばらつきがあるため、２次微分値から得られる変位点についても多少の誤差を許容する必要がある。具体的に説明すると、「０近傍」において、実験２では－６．５×１０-5～６．５×１０-5ｎｍの範囲で、実験３では－１．０×１０-4～０ｎｍの範囲で、実験４では－１．３×１０-4～７．０×１０-5ｎｍの範囲で、実験５では－１．３×１０-4～７．０×１０-5ｎｍの範囲で２次微分値がばらついていた。すなわち、実験２では１．３×１０-4の幅でばらつき、実験３では１．０×１０-4の幅でばらつき、実験４では２．０×１０-4の幅でばらつき、実験５では２．０×１０-4の幅でばらついていた。このことから、「０近傍」において、２次微分値が負の方向へ１．０×１０-4のｎｍ以上変位する点を変位点と判断しても良い。より許容範囲を広くして、１．３×１０-4ｎｍ以上変位する点を変位点と判断しても良い。さらに許容範囲を広くして、２．０×１０-4ｎｍ以上変位する点を変位点と判断しても良い。
　なお、隔壁は、いずれもアクリル樹脂を主成分とする材料を使用して形成した。なお、アクリル樹脂を主成分とする材料として、組成が異なる材料も使用したが、材料の組成が異なる場合であっても、変位点が０・９以上となることで、ピンニング位置を高く保ち、未濡れ現象を抑制するという効果には変わりがなかった。
　また、機能層のインクとしては、粘度３．８ｍＰａ・ｓから１２．７ｍＰａ・ｓのインクを使ったが、機能層のインクが異なっている場合であっても、変位点が０・９以上となることで未濡れ現象を抑制できるという同様の効果を得られることを確認した。
　また、図１７から、周面の高さを長軸に沿って上面の一端からの距離で２次微分した値が０から負に変位する変位点が、高さ０．９３ｈ以上あることが好ましいことが読み取れる。
　また、未濡れが観測されなかった系においては、機能層の上面と隔壁の周面との境界が変位点から高さ方向において４０ｎｍ以内に位置していることが見て取れる。これは、２回目のＣＣＲモードから再度ＣＣＡモードに移行せずに変位点のピンニングできていることで、ピンニング位置を高く保つことが出来ているためである。
　同様に、未濡れが観測されなかった系においては、機能層の上面と隔壁の周面との境界が、前記境界は前記変位点から、長軸に沿った方向において４４０ｎｍ以内に位置していることも見て取れる。これも、２回目のＣＣＲモードから再度ＣＣＡモードに移行せずに変位点のピンニングできていることで、ピンニング位置を高く保つことが出来ているためである。
　なお、上述のケースは、２回目のＣＣＲモードの際に、ＣＣＡモードに移行せず、機能層がピンニングする場合を例に説明した。しかしながら、ピンニングするまでにＣＣＡモードを経る回数は２回等の具体的な数値に限られるものではない。すなわち、ＣＣＲモードを経る回数は２回以上であり、結果として変位点のピンニング位置が高くなればよい。
　なお、隔壁の上面と周面との境界において２次微分値が連続していることが好ましいことを述べたが、隔壁の上面と周面との境界だけでなく、上面と周面との境界から下地層と周面との境界までの間の周面形状の２次微分値においても非連続が存在しないことが好ましい。
　周面形状の２次微分値に非連続点が存在する場合は、周面の傾斜角度が急激に変化している（すなわち周面の形状が角張った点が存在している）ことを意味し、周面の角度が急激に変化している部分が成す角度によっては、機能層の段切れのリスクが高まってしまう。これに対して、上面と周面の接合部、及び側面形状そのものがなだらかである状態で、かつ、２次微分値が０近傍から負に変位する変位点が高さ０．９ｈ以上に位置することで、段切れのリスクを抑制しながらピンニング位置を高くすることができる。
　また、本実施の形態は、隔壁の上面が下地層と平行な面を有していることを図示して説明し、上面と周面を分けて記載した。しかし、隔壁の上面は下地層と平行でなくてもよく、また上面は単なる点であってもよい。例えば、隔壁の上面が下地層表面に対して傾斜している形状であり、「上面」とは隔壁のうち最も高さが高い点を意味するものであってもよい。
　第２の電極は、有機発光層上に、有機発光層と接するように配置される。有機発光層と第２の電極の間には、必要に応じて電子輸送層あるいは電子注入層を配置してもよい。この場合、第２の電極は、電子輸送層あるいは電子注入層と接するように配置される。
　第２の電極上には、有機発光層の水分や酸素による劣化を抑制するために、封止膜を設けてもよい。
　（有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法）
　実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法の一例について図１９（ａ）および図２０を用いて説明する。当然ながら、この製造方法は一例に過ぎず、隔壁形成工程以外は、その他の公知の方法でも有機ＥＬ表示パネル１０を製造できる。
　先ず、基板本体を準備し（図１９（ａ）のステップＳ１）、その表面にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を含む配線部を形成する（図１９（ａ）のステップＳ２）。そして、配線部中の駆動ＴＦＴのゲート・ドレイン電極に対応する位置にコンタクトホールを存在させつつ、前記配線部の上に平坦化膜を一様に形成する（図１９（ａ）のステップＳ３）。これにより基板１０１を得る。
　次に、基板１０１の上面に、各有機ＥＬ素子（発光素子）１００Ｒ，１００Ｂ，１００Ｇ、バスバー領域１００Ｘを形成する各形成予定領域に合わせ、陽極１０２と透明導電膜（電極被覆層１０３）とを順に積層形成する。また、バスバー領域１００Ｘには、補助電極１０２Ａと電極被覆層１０３Ａとを順に積層形成する。（図１９（ａ）のステップＳ４、ステップＳ５、図２０（ａ））。このとき前記コンタクトホールを介して陽極１０２と前記配線部のＳＤ電極とを電気接続する。
　次に、電極被覆層１０３を含む基板１０１の基板上面全体を覆うように、ホール注入層１０４を積層形成する（図１９（ａ）のステップＳ６）。
　ここで陽極１０２の形成は、例えばスパッタリング法や真空蒸着法を用いＡｇ薄膜を製膜した後、フォトリソグラフィ法を用いて当該Ａｇ薄膜をパターニングすることにより行う。
　また、電極被覆層１０３の形成は、例えば陽極１０２の表面に対し、スパッタリング法などを用いＩＴＯ薄膜を製膜し、当該ＩＴＯ薄膜をフォトリソグラフィ法などを用いパターニングして行う。
　また、ホール注入層１０４の形成方法として、先ず、電極被覆層１０３の表面を含む基板１０１の表面に対し、スパッタリング法などを用いて金属膜を製膜する。その後、形成された金属膜を酸化してホール注入層１０４を得る。
　次に、図２０（ｂ）に示すように、例えばスピンコート法などを用い、ホール注入層１０４の上を覆うように、隔壁材料層１０５０を形成する。隔壁材料層１０５０の形成には、感光性レジスト材料、例えば紫外線硬化型樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などの絶縁性を有する有機材料を用いることができる。
　次に隔壁材料層１０５０の上方に、隔壁１０５を形成しようとする箇所に所定パターンの開口部５０２が設けられたマスク５０１を配する。ここでは開口部５０２の幅Ｄ0を隔壁１０５の幅に合わせ、マスクのＸ方向幅を形成すべき隔壁１０５のＸ方向間隙（発光領域およびバスバー領域のＸ方向幅）に相当するＳ1またはＳ2に設定している。
　この状態でマスク５０１の開口部５０２を通して紫外線（ＵＶ）を照射し、露光処理を行う。その後は所定の現像処理とベーク処理を実施することで隔壁１０５を形成できる（図１９（ａ）のステップＳ７、図２０（ｃ））。
　なお、隔壁１０５の材料に無機材料を用いる場合、隔壁材料層１０５０の形成方法としては、有機材料を用いる場合と同様に塗布法等を採用できる。前記無機材料のパターニングは、フォトエッチング法に基づき、所定のエッチング液（テトラメチルアンモニウムハイドロキシオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液等）を用いてエッチングすることで行う。
　この隔壁１０５の製造方法については、後ほど詳述する。
　次に、隔壁１０５で規定された開口部である各塗布対象領域１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂに、所定のウェットプロセスに基づいて有機発光材料を含むインク液滴を滴下し、塗布する。
　インクを塗布した後は、ベーキング処理または室温状態にて溶媒を蒸発乾燥させる。これにより適切に各有機発光層１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂが形成される（図１９（ａ）のステップＳ８）。
　次に、真空蒸着法等に基づき、有機発光層１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂの上面および隔壁１０５の表面１０５ａにわたり、電子輸送層１０７、陰極１０８を順次形成する（図１９（ａ）のステップＳ９、ステップＳ１０、図２０（ｄ））。
　その後、陰極１０８の上面に封止層１０９を形成することにより、有機ＥＬ表示パネル１０が完成する（図１９（ａ）のステップＳ１１）。
　（隔壁１０５の製造方法）
　隔壁１０５は、アクリル樹脂をベースとして、感光剤および撥液剤を添加したものを材料として使用し、フォトリソグラフィにより形成した。フォトリソグラフィによる隔壁１０５の形成では、露光波長や露光量、現像後に２次露光（追加露光）を行うなどによって開口部のテーパー形状を制御することができるが、本実施例では、露光工程は、光源にｇ－ｈ－ｉ線（ｇ線＝４３６ｎｍ、ｈ線＝４０５ｎｍ、ｉ線＝３６５ｎｍ）を使用し、露光量を５０～５００ｍＪの範囲で、適宜露光量を調節しながら所望の隔壁１０５の形状を形成した。その後の現像工程、焼成工程を経て、高さ１μｍの隔壁１０５を形成した。
　隔壁１０５を形成後、ＵＶ－Ｏ3処理を隔壁１０５の表面１０５ａに施し、アニソールに対して５０°以上６０°以下の接触角となるよう、隔壁１０５の表面１０５ａの撥液性を制御した。
＜実施の形態２＞
　次に、本発明の別の態様として、図１９（ｂ）および図２１～図２３を用い、ＴＦＴの製造方法（およびＴＦＴ基板の製造方法）を例示する。
　（ＴＦＴ基板１０１の形成方法）
　図２１（ａ）に示すように、基板本体１０１１の主面上にゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂを形成する（図１９（ｂ）のステップＳ２１）。ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂの形成に関しては、上記陽極１０２の形成方法と同様の方法とすることができる。
　次に、図２１（ｂ）に示すように、ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂおよび基板本体１０１１の上を覆うように、絶縁層１０１３を積層形成する（図１９（ｂ）のステップＳ２２）。
　そして、図２１（ｃ）に示すように、絶縁層１０１３の主面上に、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、接続配線１０１５をそれぞれ形成する（図１９（ｂ）のステップＳ２３）。
　次に、図２２（ａ）に示すように、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ、１０１４ｄ、接続配線１０１５、さらには絶縁層１０１３の露出部１０１３ａ，１０１３ｂ上を覆うように、隔壁１０１６を形成するための感光性レジスト材料膜１０１６０を堆積させる（図１９（ｂ）のステップＳ２４）。
　そして、図２２（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法に基づき、堆積させた感光性レジスト材料膜１０１６０に対し、上方にマスク５０１を配し、マスク露光およびパターニングを施す（図１９（ｂ）のステップＳ２５）。ここで、マスク５０１には、隔壁１０１６を形成しようとする部分に窓部５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃ，５０１ｄが開けられている。なお、図２２（ｂ）では、図示を省略しているが、マスク５０１には、窓部５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃ，５０１ｄが開けられた領域以外にも隔壁１０１６を形成する部分に窓部が設けられている。
　上記のようにして、図２２（ｃ）に示す隔壁１０１６を形成することができる（図１９（ｂ）のステップＳ２６）。なお、隔壁１０１６の形成に当たっては、実施の形態１に示したように、露光波長や露光量、現像後に２次露光（追加露光）を行うなどによって開口部のテーパー形状を制御することができる。本実施例では、これらの条件を適宜変更することにより、所望の隔壁１０１６の形状を形成した。
　隔壁１０１６は、開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃを含む複数の開口部を規定する。開口部１０１６ａでは、接続配線１０１５が囲繞され、開口部１０１６ｂでは、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃが囲繞され、開口部１０１６ｃでは、その底部でソース電極１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｄが囲繞されている。そして、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃの各々においては、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄが、それぞれ所定の位置関係を以って配置されている。
　次に、塗布装置を用いて、図２３（ａ）に示すように、隔壁１０１６により規定される塗布対象領域（開口部１０１６ｂ，１０１６ｃ）に対し、有機半導体層（半導体層）１０１７ａ，１０１７ｂを形成するための有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂを塗布する（図１９（ｂ）のステップＳ２７）。
　次に、有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂを乾燥させることにより（図１９（ｂ）のステップＳ２８）、図２３（ｂ）に示すように、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃに対して、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂを各々形成することができる（図１９（ｂ）のステップＳ２９）。
　最後に、図２３（ｂ）に示すように、開口部１０１６ａを含むコンタクト領域など除く全体を覆うように、パッシベーション膜１０１８を形成することにより（図１９（ｂ）のステップＳ３０）、ＴＦＴ基板１０１が完成する。
　なお、上記ＴＦＴ基板１０１は、ボトムゲート構造のトランジスタの例であるが、本実施の一態様に係るトランジスタは、トップゲート構造であっても良い。
　（隔壁１０１６の側面形状）
　隔壁１０１６の側面形状は、下地層の上面（具体的には、ソース電極１０１４ａ又はドレイン電極１０１４ｃの上面）を基準としたときに、高さｈ０に位置する上面と、上面と連続して前記ｈ０未満の高さｈに位置する側面を有し、側面の高さｈを、開口部の長軸に沿った方向における隔壁の上面と周面との境界からの距離ｘで２次微分した値が０近傍から負に変位する変位点が、０．９ｈ０以上であることが好ましい。
　この構成より、機能層のピンニング位置を高く保つことができ、機能層の未濡れを抑制することができる。
　そのため、開口部の長軸に沿った方向における隔壁の上面と周面との境界からの距離ｘで２次微分した値が０近傍から負に変位する変位点が、０．９ｈ０以上１．０未満であることが好ましい。
　なお、実施の形態１で述べたように、隔壁の形状を２次微分した値が上面と周面の境界において非連続状態となることは、隔壁１０１６の上面と側面の境界における、前記上面と前記側面が境界を境にしてそれぞれの傾斜角度が急激に変化することを意味する。この場合、機能層より上層に形成する層の形成において、境界において段切れあるいはボイドの原因となり、薄膜トランジスタの品質を損なう恐れがある。そのため、２次微分した値が上面と周面の境界において連続していることが好ましい。
　３．その他の事項
　本発明の機能膜の製造方法を有機ＥＬ表示パネルの製造方法に適用する場合は、当然ながら有機発光層の製造のみならず、ホール注入層１０４や正孔輸送層等、ウェットプロセスにて材料を塗布する工程を持つ、その他の機能層の製造にも適用することが可能である。
　表示パネル１０では、有機発光層１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂの下方に陽極１０２、有機発光層１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂの上方に陰極１０８を配設したが、本発明はこの構成に限定されない。例えば陽極１０２と陰極１０８の位置を逆に配設することもできる。陽極１０２と陰極１０８の位置を逆に配設する構成でトップエミッション型とする場合、陰極１０８を反射電極層とし、陽極１０２を透明電極層とする必要がある。
　また上記実施の形態１では、ＲＧＢ各発光色に対応する各有機発光層１０６Ｒ，１０６Ｇ，１０６Ｂを形成したが、表示パネル上にはＲＧＢ以外の組み合わせの各色や、単色だけの有機発光層を形成してもよい。
　また上記実施の形態１、２では、表示素子やトランジスタに隔壁が使用された形態について述べたが、隔壁の使用用途はこれらに限定されず、照明、デバイスに使用されるものであってもよい。
　また、上記実施の形態１では、隔壁１０５をピクセル隔壁構造としたが、本発明はこれに限定されず、隔壁をライン隔壁構造とすることもできる。ライン隔壁を採用した場合には、隔壁の両端部の形状に本発明を適用することで、同様の効果を期待できる。
　本発明の発光素子は、テレビや携帯電話、パーソナルコンピュータなどの電子情報端末のディスプレイ、また照明素子として有用である。
　１００　有機ＥＬ素子（発光素子）
　１０１　基板
　１０２　陽極（第１の電極）
　１０３　電極被覆層
　１０４　ホール注入層
　１０５，１０１６　隔壁（隔壁）
　１０６　有機発光層（機能層）
　１０７　電子輸送層
　１０８　陰極（第２の電極）
　１０９　封止層
　１１０　下地層
　１０１１　基板
　１０１２　ゲート電極
　１０１３　絶縁層
　１０１４　ソース電極、ドレイン電極
　１０１７　有機半導体層（半導体層）

Claims (15)

  1. 第１の電極を含む下地層と、
    長軸と短軸を有する形状からなる開口部を、前記下地層上に規定する隔壁と、
    前記開口部内に位置し、前記下地層の上面と接する機能層と、
    前記機能層を介して前記第１の電極と対向する第２の電極と、を有し、
    前記隔壁は、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記下地層の上面を基準としたときに、高さｈ０に位置する上面と、前記隔壁の上面と連続して前記ｈ０未満の高さｈに位置する前記開口部を臨む周面を有し、前記周面の高さｈを、前記長軸に沿った方向における前記隔壁の上面と周面との境界からの距離ｘで２次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界において連続しており、かつ、０近傍から負に変位する変位点が、高さ０．９ｈ以上に位置し、
    前記機能層の上面が、前記変位点の近傍において前記周面と接していることを特徴とする発光素子。
  2. 前記変位点が、高さ０．９３ｈ以上に位置することを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  3. 前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記機能層の上面と前記周面との境界は、前記変位点よりも下方に位置し、前記境界は前記変位点から前記高さ方向において４０ｎｍ以内に位置することを特徴とする請求項１又は２に記載の発光素子。
  4. 前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記機能層の上面と前記周面との境界は、前記変位点よりも前記隔壁の上面に対して離れて位置し、前記境界は前記変位点から、前記長軸に沿った方向において４４０ｎｍ以内に位置することを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の発光素子。
  5. 前記機能層が塗布法により形成されていることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の発光素子。
  6. 前記隔壁の周面を２次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界から前記下地層と前記周面との境界までの端部の間において、連続していることを特徴する請求項１～５のいずれかに記載の発光素子。
  7. 長軸と短軸を有する形状からなる開口部を規定する隔壁と、
    前記開口部の下方又は上方に位置するゲート電極と、
    前記ゲート電極よりも前記開口部に近接した領域に位置するゲート絶縁膜と、
    前記隔壁の下側に位置し、前記開口部内に少なくとも一部が位置するソース電極およびドレイン電極を有する下地層と、
    前記開口部内であって、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向する領域に位置し、前記下地層と接する半導体層と、を有し、
    前記隔壁は、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記下地層の上面を基準としたときに、高さｈ０に位置する上面と、前記隔壁の上面と連続して前記ｈ０未満の高さｈに位置する前記開口部を臨む周面を有し、前記周面の高さｈを、前記長軸に沿った方向における前記隔壁の上面と周面との境界からの距離ｘで２次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界において連続しており、かつ、０近傍から負に変位する変位点が、高さ０．９ｈ以上に位置し、
    前記半導体層の上面が、前記変位点の近傍において前記周面と接していることを特徴とするトランジスタ。
  8. 前記変位点が、高さ０．９３ｈ以上に位置することを特徴とする請求項７に記載のトランジスタ。
  9. 前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記半導体層の上面と前記周面との境界は、前記変位点よりも下方に位置し、前記境界は前記変位点から前記高さ方向において４０ｎｍ以内に位置することを特徴とする請求項７又は８に記載のトランジスタ。
  10. 前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記半導体層の上面と前記周面との境界は、前記変位点よりも前記隔壁の上面に対して離れて位置し、前記境界は前記変位点から、前記長軸に沿った方向において４４０ｎｍ以内に位置することを特徴とする請求項７～９のいずれかに記載のトランジスタ。
  11. 前記半導体層が塗布法により形成されていることを特徴とする請求項７～１０のいずれかに記載のトランジスタ。
  12. 前記隔壁の周面を２次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界から前記下地層と前記周面との境界までの間において、連続していることを特徴する請求項７～１１のいずれかに記載のトランジスタ。
  13. 長軸と短軸を有する形状からなる開口部を、下地層上に規定する隔壁であって、
    前記隔壁は、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記下地層の上面を基準としたときに、高さｈ０に位置する上面と、前記隔壁の上面と連続して前記ｈ０未満の高さｈに位置する前記開口部を臨む周面を有し、前記周面の高さｈを、前記長軸に沿った方向における前記隔壁の上面と周面との境界からの距離ｘで２次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界において連続しており、かつ、０近傍から負に変位する変位点が、高さ０．９ｈ以上に位置することを特徴とする隔壁。
  14. 第１の電極を含む下地層と、
    長軸と短軸を有する形状からなる開口部を前記下地層上に規定する隔壁と、
    前記開口部内に位置し、前記下地層の上面と接する機能層と、
    前記機能層を介して前記第１の電極と対向する第２の電極と、を有し、
    前記隔壁は、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記下地層の上面を基準としたときに、高さｈ０に位置する上面と、前記隔壁の上面と連続して前記ｈ０未満の高さｈに位置する前記開口部を臨む周面を有し、前記周面の高さｈを、前記長軸に沿った方向における前記隔壁の上面と周面との境界からの距離ｘで２次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界において連続しており、かつ、０近傍から負に変位する変位点が、高さ０．９ｈ以上に位置することを特徴とする発光素子。
  15. 長軸と短軸を有する形状からなる開口部を規定する隔壁と、
    前記開口部の下方又は上方に位置するゲート電極と、
    前記ゲート電極よりも前記開口部に近接した領域に位置するゲート絶縁膜と、
    前記隔壁の下側に位置し、前記開口部内に少なくとも一部が位置するソース電極およびドレイン電極を有する下地層と、
    前記開口部内であって、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向する領域に位置し、前記下地層と接する半導体層と、を有し、
    前記隔壁は、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記下地層の上面を基準としたときに、高さｈ０に位置する上面と、前記隔壁の上面と連続して前記ｈ０未満の高さｈに位置する前記開口部を臨む周面を有し、前記周面の高さｈを、前記長軸に沿った方向における前記隔壁の上面と周面との境界からの距離ｘで２次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界において連続しており、かつ、０近傍から負に変位する変位点が、高さ０．９ｈ以上に位置することを特徴とするトランジスタ。
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