JP6082917B2 - 発光素子およびトランジスタ - Google Patents
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Description
有機表示素子は、有機発光層が厚み1μm以下の薄膜で形成されるため低電圧で駆動できること、自発光するため低消費電力が期待されることなど、ディスプレイパネル用として優れた特徴を有する。また、有機化合物を材料とした有機機能層は、インクジェット法などの塗布法による作製が可能である。
このような隔壁は、例えばフォトリソグラフィ法によって形成される。フォトリソグラフィ法で隔壁を形成する方法は、感光性の樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜を露光および現像によりパターニングする工程、および現像した樹脂膜を焼成する工程を有する。隔壁の材料には、滴下インクを保持する機能を高めるために、撥液性の高い樹脂(例えばフッ素含有樹脂)が混合されることがある。
本発明の一態様に係る発光素子は、第1の電極を含む下地層と、長軸と短軸を有する形状からなる開口部を、前記下地層上に規定する隔壁と、前記開口部内に位置し、前記下地層の上面と接する機能層と、前記機能層を介して前記第1の電極と対向する第2の電極と、を有し、前記隔壁は、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記下地層の上面を基準としたときに、高さh0に位置する上面と、前記隔壁の上面と連続して前記h0未満の高さhに位置する前記開口部を臨む周面を有し、前記周面の高さhを、前記長軸に沿った方向における前記隔壁の上面と周面との境界からの距離xで2次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界において連続しており、かつ、0近傍から負に変位する変位点が、高さ0.9h0以上に位置し、前記機能層の上面が、前記変位点の近傍において前記周面と接している。
また、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記機能層の上面と前記周面との境界は、前記変位点よりも下方に位置し、前記境界は前記変位点から前記高さ方向において40nm以内に位置することとしてもよい。
また、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記機能層の上面と前記周面との境界は、前記変位点よりも前記隔壁の上面に対して離れて位置し、前記境界は前記変位点から、前記長軸に沿った方向において440nm以内に位置することとしてもよい。
また、前記隔壁の周面を2次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界から前記下地層と前記周面との境界までの間において、連続していることとしてもよい。
本発明の一態様に係るトランジスタは、長軸と短軸を有する形状からなる開口部を規定する隔壁と、前記開口部の下方又は上方に位置するゲート電極と、前記ゲート電極よりも前記開口部に近接した領域に位置するゲート絶縁膜と、前記隔壁の下側に位置し、前記開口部内に少なくとも一部が位置するソース電極およびドレイン電極を有する下地層と、前記開口部内であって、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向する領域に位置し、前記下地層と接する半導体層と、を有し、前記隔壁は、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記下地層の上面を基準としたときに、高さh0に位置する上面と、前記隔壁の上面と連続して前記h0未満の高さhに位置する前記開口部を臨む周面を有し、前記周面の高さhを、前記長軸に沿った方向における前記隔壁の上面と周面との境界からの距離xで2次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界において連続しており、かつ、0近傍から負に変位する変位点が、高さ0.9h0以上に位置し、前記半導体層の上面が、前記変位点の近傍において前記周面と接している。
また、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記半導体層の上面と前記周面との境界は、前記変位点よりも下方に位置し、前記境界は前記変位点から前記高さ方向において40nm以内に位置することとしてもよい。
また、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記半導体層の上面と前記周面との境界は、前記変位点よりも前記隔壁の上面に対して離れて位置し、前記境界は前記変位点から、前記長軸に沿った方向において440nm以内に位置することとしてもよい。
また、前記隔壁の周面を2次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界から前記下地層と前記周面との境界までの間において、連続していることとしてもよい。
以下、本発明に係る発光素子およびトランジスタについて、実施の形態に基づいて説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置および接続形態、製造ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、本発明は、請求の範囲だけによって特定される。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示したものではない。
(有機EL装置)
図1は、実施の形態1に係る有機EL装置1の概略構成を示すブロック図である。
有機EL装置1は、有機EL表示パネル10と、これに接続された駆動制御部11とを備えてなる。
駆動制御部11は、一例として4つの駆動回路12〜15と制御回路16とで構成されている。駆動回路の数はこれ以外でも良い。
有機EL装置1の利用形態としては、例えば図2に示すようにオーディオ装置と組み合わせたテレビジョンシステムの一部とすることができる。有機EL装置1は液晶ディスプレイ(LCD)のようにバックライトを必要としないので薄型化に適しており、システムデザイン設計という観点から優れた特性を発揮する。
図3(a)は有機EL素子100R,100G,100Bの基本構成を示す、有機EL表示パネル10の部分断面図である。当図は図1の有機EL表示パネル10のA−A’矢視断面図を示している。また図3(b)は、有機EL表示パネル10の部分的な正面図である。
以下、各構成要素を説明する。
(基板101)
基板101は有機EL表示パネル10のベースとなる部分であり、実施の形態2で述べる基板本体1011とその上に形成されたTFT配線部(不図示)で構成される。基板本体1011は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料をベースとして形成されている。
(陽極102)
陽極102は、導電性材料からなる単層、あるいは複数の層が積層されてなる積層体から構成される。例えば、Ag(銀)、APC(銀、パラジウム、銅の合金)、ARA(銀、ルビジウム、金の合金)、MoCr(モリブデンとクロムの合金)、NiCr(ニッケルとクロムの合金)などを用い形成される。陽極102は前記した層間絶縁膜を貫通するコンタクトホール(不図示)を介し、TFT配線部中のTFTのゲート・ドレイン電極と電気接続されている。
(電極被覆層103)
電極被覆層103は、例えば、ITO(酸化インジウムスズ)を用いて形成されており、陽極102の上面を被覆するように配される。
ホール注入層104は、例えば、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)などの酸化物からなる層である。このような酸化金属からなるホール注入層104は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、各有機発光層106R,106G,106Bに対しホールを注入および輸送する機能を有する。
また、ホール注入層104と有機発光層106R,106G,106Bの間にはホール輸送層を形成してもよい。
隔壁105は、図3(b)に示すように、基板101の上方におけるホール注入層104の表面に対し、行列(XY)方向にわたって格子状に形成され、いわゆるピクセルバンク構造をなしている。パネルを平面視した際、隔壁105は図3(a)に示すように、複数の開口部(塗布対象領域101R,101G,101B等)が並列して存在するように形成される。これによりX方向で隣接する、異なる発光色の有機EL素子100R,100G,100Bと、バスバー領域100Xとをそれぞれ規定している。
(有機発光層106R,106G,106B)
有機発光層106R,106G,106Bは、本発明における機能膜の一つであって、電圧印加時に陽極102から注入されたホールと、陰極108から注入された電子とが再結合されることにより励起状態が生成されて発光する機能を有する。有機発光層106は、ウェットプロセスに基づき、機能性材料(発光性有機材料)を含むインクを陽極102の上方に塗布し、これを乾燥させて構成される。
電子輸送層107は、陰極108から注入された電子を効率よく有機発光層106R,106G,106Bへ輸送する機能を有する。例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、あるいはこれらの組み合わせで形成することが好ましい。
(陰極108)
陰極108は、例えば、ITO、IZO(酸化インジウム亜鉛)などで形成される。トップエミッション型の有機EL表示パネル10の場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。光透過性については、透過率が80[%]以上とすることが好ましい。
封止層109は、有機発光層106などが水分や空気に晒されるのを抑制する機能を有し、例えば、SiN(窒化シリコン)、SiON(酸窒化シリコン)などの材料で形成される。トップエミッション型の有機EL表示パネル10では、光透過性材料で形成することが好ましい。
バスバー領域100Xは、隣接する画素間の素子100Bと素子100Rの間に設けられる。これは有機EL表示パネル10全体の素子100R,100G,100Bにおける陰極108の良好な導通性を確保するものであり、陰極108がバスバー(補助電極102A)と電極被覆層103Aを介して電気接続される。
なお、上述の例では、有機EL表示パネルを下部電極(陽極102)側からEL発光を取り出すボトムエミッション型として説明したが、上部電極(陰極108)側からEL発光を取り出すトップエミッション型であってもよい。
図4に、本発明の有機EL表示パネルにおいて、複数の開口部(塗布対象領域101R,101G,101B)の俯瞰図を示す。図3を用いて説明したとおり、有機EL素子100R,100G,100Bにおいて、インクの塗布対象領域101R,101G,101Bは隔壁105によって規定される。画素形状や開口部の大きさは任意であるが、インクが濡れ拡がり易いという観点から、画素端部に円弧状の曲線を有する形状が好ましい。また、塗布対象領域101R,101G,101Bに対し、領域幅の狭い方向にとった軸20を短軸、領域幅の広い方向にとった軸21を長軸とする。ただし縦横で領域幅が同一である場合は、どちらの方向を短軸あるいは長軸ととってもよい。隔壁105は下地層110上に形成されており、隔壁105には、下地層110に近づくほど開口が小さくなる順テーパー形状の開口部を有する。
図5(a)は、有機EL装置1の図4に示す領域22を、基板101の上面に垂直且つ長軸を含む面で切断した断面図であって、有機発光層106R,106G,106B、電子輸送層107および陰極108は省略されている。基板101上に、層間絶縁膜、陽極102、電極被覆層103およびホール注入層104を積層した下地層110が形成され、その上に隔壁105が形成されている。なお、下地層110は、層間絶縁膜、陽極102、電極被覆層103およびホール注入層104を積層した構成に限定されず、それら層のうちの一部の層で構成されていても良いし、それら層の一部または全部に加えてそれ以外の層が含まれた構成であっても良い。
開口部内のインク30は、時間経過とともに乾燥(インク30中の溶媒の蒸発)により体積が減少する。この時、インク30の上面31と開口部を臨む周面105cとの境界(塗布対象領域101R,101G,101Bに滴下されたインク30の上面31のうち隔壁105の表面105aと接触する部分)32は、隔壁105の上面105bから開口部を臨む周面105cへと後退し、その後、周面105cに沿って下地層110側へとさらに後退する。
したがって、隔壁105に対する境界32の後退の制御は、インクジェット法による有機発光層106R,106G,106Bの成膜において非常に重要な役割を担う。未濡れを抑制し、安定した膜形状を実現するには、境界32の後退を小さくし、隔壁105の周面105cの比較的高い位置でインク30をピンニングすることが望ましい。
上記の原理を鑑みると、インク30の乾燥過程において、CCAモードによってインク30が乾燥する割合が多いほど、境界32の後退が大きくなり、インクのピンニング位置は隔壁105の周面105cの低い位置となる。したがって、インク30のピンニング位置を高く保つためには、CCRモードによる乾燥を促し、CCAモードによる乾燥を抑制することが必要である。そのため、滴下直後のCCRモードから、一度はCCAモードに移行してしまったとしても、再度CCRモードに移行した後は、CCAモードに再度移行させずにCCRモードを保つことが必要となる。
グラフ42は、隔壁105の高さhを、xで2次微分した値を示す。隔壁105の高さの2次微分値は、接触角増加分δθの増減、すなわち隔壁105の周面105cの傾斜角度の変化を意味している。グラフ42において、2次微分した値が0近傍から負に変位している点(以下、変位点と呼ぶ)は、開口部のテーパー形状について、隔壁105の表面105aの傾斜が急になる(隔壁105の周面105cの接線と、下地層110の上面とのなす角度が増大する)方向に推移していることを意味し、傾斜が急になることでCCRモードを維持しやすくなると推定される。
以下に、各隔壁105の形状の詳細を示す。
(実験1)
機能層の材料を有機溶媒に添加して作製したインク(粘度=3.8mPa・s、表面張力=33mN/m)を用いて、インクジェット法により、隔壁で規定された塗布対象領域に塗布を行い、10Pa以下の真空中で乾燥した後、180℃以上のプレート上で焼成し、機能層を成膜した。
実験1では、隔壁の断面形状の2次微分値の変位点の高さはh=0.55μmであり、隔壁高さh0=0.92μmに対して0.60h0に位置した。前記変位点とピンニング位置の長軸方向の位置ずれ量△xは1.23μm、高さ方向の位置ずれ量△yは0.22μmであり、他の実験と比較してずれ量が大きかった。本実験では、隔壁の周面の傾斜に対して2次微分値の立下りが遅い、すなわち隔壁の周面の高い位置での接触角増加分δθの変化が小さいために、隔壁の周面の形状によるピンニング位置制御が有効に行えず、CCAモードによる機能層の上面と隔壁の周面との境界の後退を伴う蒸発でピンニングが発生したと推察される。その結果、隔壁の周面にピンニング位置が形成されず、未濡れが発生する場合もあった。
機能層は、実験1と同様の工程で成膜した。
図13に、上述の工程により得られた隔壁および機能層の断面テーパープロファイルおよびその勾配の2次微分値を示す。
実験2では、隔壁の断面形状の2次微分値変位点の高さはh=0.99μmであり、隔壁高さh0=1.06μmに対して0.93h0に位置した。前記変位点とピンニング位置の長軸方向の位置ずれ量△xは0.44μm、高さ方向の位置ずれ量△yは0.040μmであった。本実験では、隔壁の周面の前記変位点近傍で安定してピンニング位置が形成され、未濡れは発生しなかった。
機能層は、実験1と同様の工程で成膜した。
図14に、上述の工程により得られた隔壁および機能層の断面テーパープロファイルおよびその勾配の2次微分値を示す。
実験3では、隔壁の断面形状の2次微分値変位点の高さはh=0.99μmであり、隔壁高さh0=1.01μmに対して0.98h0に位置した。前記変位点とピンニング位置の長軸方向の位置ずれ量△xは0.26μm、高さ方向の位置ずれ量△yは0.038μmであった。本実験では、隔壁の周面の前記変位点近傍で安定してピンニング位置が形成され、未濡れは発生しなかった。
機能層は、実験1と同様の工程で成膜した。
図15に、上述の工程により得られた隔壁および機能層の断面テーパープロファイルおよびその勾配の2次微分値を示す。
実験4では、隔壁の断面形状の2次微分値変位点の高さはh=0.88μmであり、隔壁高さh0=0.98μmに対して0.90h0に位置した。前記変位点とピンニング位置の長軸方向の位置ずれ量△xは0μm、高さ方向の位置ずれ量△yは0μmであった。本実験では、隔壁の周面の前記変位点近傍で安定してピンニング位置が形成され、未濡れは発生しなかった。
機能層は、インクジェット法により形成した。正孔注入材料を溶かしたインク(粘度=12.7mPa・s、表面張力=33mN/m)を用い、10Pa以下の真空中で乾燥した後、220℃以上のプレート上で焼成し、成膜した。
図16に、上述の工程により得られた隔壁および機能層の断面テーパープロファイルおよびその勾配の2次微分値を示す。
なお、変位点が複数存在する場合には、最も隔壁の上面に近い位置に位置する変位点が0.9h0以上1.0h0未満であることが好ましい。3回目以降にCCRモード時を維持するよりも、2回目のCCRモード時に、CCRモードを維持できることにより、ピンニング位置を高く保つことが出来るためである。
また、機能層のインクとしては、粘度3.8mPa・sから12.7mPa・sのインクを使ったが、機能層のインクが異なっている場合であっても、変位点が0.9h0以上となることで未濡れ現象を抑制できるという同様の効果を得られることを確認した。
また、未濡れが観測されなかった系においては、機能層の上面と隔壁の周面との境界が変位点から高さ方向において40nm以内に位置していることが見て取れる。これは、2回目のCCRモードから再度CCAモードに移行せずに変位点のピンニングできていることで、ピンニング位置を高く保つことが出来ているためである。
なお、隔壁の上面と周面との境界において2次微分値が連続していることが好ましいことを述べたが、隔壁の上面と周面との境界だけでなく、上面と周面との境界から下地層と周面との境界までの間の周面形状の2次微分値においても非連続が存在しないことが好ましい。
第2の電極上には、有機発光層の水分や酸素による劣化を抑制するために、封止膜を設けてもよい。
実施の形態1に係る有機EL表示パネル10の製造方法の一例について図19(a)および図20を用いて説明する。当然ながら、この製造方法は一例に過ぎず、隔壁形成工程以外は、その他の公知の方法でも有機EL表示パネル10を製造できる。
先ず、基板本体を準備し(図19(a)のステップS1)、その表面にTFT(薄膜トランジスタ)を含む配線部を形成する(図19(a)のステップS2)。そして、配線部中の駆動TFTのゲート・ドレイン電極に対応する位置にコンタクトホールを存在させつつ、前記配線部の上に平坦化膜を一様に形成する(図19(a)のステップS3)。これにより基板101を得る。
ここで陽極102の形成は、例えばスパッタリング法や真空蒸着法を用いAg薄膜を製膜した後、フォトリソグラフィ法を用いて当該Ag薄膜をパターニングすることにより行う。
また、ホール注入層104の形成方法として、先ず、電極被覆層103の表面を含む基板101の表面に対し、スパッタリング法などを用いて金属膜を製膜する。その後、形成された金属膜を酸化してホール注入層104を得る。
次に隔壁材料層1050の上方に、隔壁105を形成しようとする箇所に所定パターンの開口部502が設けられたマスク501を配する。ここでは開口部502の幅D0を隔壁105の幅に合わせ、マスクのX方向幅を形成すべき隔壁105のX方向間隙(発光領域およびバスバー領域のX方向幅)に相当するS1またはS2に設定している。
なお、隔壁105の材料に無機材料を用いる場合、隔壁材料層1050の形成方法としては、有機材料を用いる場合と同様に塗布法等を採用できる。前記無機材料のパターニングは、フォトエッチング法に基づき、所定のエッチング液(テトラメチルアンモニウムハイドロキシオキサイド(TMAH)溶液等)を用いてエッチングすることで行う。
次に、隔壁105で規定された開口部である各塗布対象領域101R,101G,101Bに、所定のウェットプロセスに基づいて有機発光材料を含むインク液滴を滴下し、塗布する。
インクを塗布した後は、ベーキング処理または室温状態にて溶媒を蒸発乾燥させる。これにより適切に各有機発光層106R,106G,106Bが形成される(図19(a)のステップS8)。
その後、陰極108の上面に封止層109を形成することにより、有機EL表示パネル10が完成する(図19(a)のステップS11)。
隔壁105は、アクリル樹脂をベースとして、感光剤および撥液剤を添加したものを材料として使用し、フォトリソグラフィにより形成した。フォトリソグラフィによる隔壁105の形成では、露光波長や露光量、現像後に2次露光(追加露光)を行うなどによって開口部のテーパー形状を制御することができるが、本実施例では、露光工程は、光源にg−h−i線(g線=436nm、h線=405nm、i線=365nm)を使用し、露光量を50〜500mJの範囲で、適宜露光量を調節しながら所望の隔壁105の形状を形成した。その後の現像工程、焼成工程を経て、高さ1μmの隔壁105を形成した。
<実施の形態2>
次に、本発明の別の態様として、図19(b)および図21〜図23を用い、TFTの製造方法(およびTFT基板の製造方法)を例示する。
図21(a)に示すように、基板本体1011の主面上にゲート電極1012a,1012bを形成する(図19(b)のステップS21)。ゲート電極1012a,1012bの形成に関しては、上記陽極102の形成方法と同様の方法とすることができる。
次に、図21(b)に示すように、ゲート電極1012a,1012bおよび基板本体1011の上を覆うように、絶縁層1013を積層形成する(図19(b)のステップS22)。
次に、図22(a)に示すように、ソース電極1014a,1014b、ドレイン電極1014c、1014d、接続配線1015、さらには絶縁層1013の露出部1013a,1013b上を覆うように、隔壁1016を形成するための感光性レジスト材料膜10160を堆積させる(図19(b)のステップS24)。
次に、有機半導体インク10170a,10170bを乾燥させることにより(図19(b)のステップS28)、図23(b)に示すように、開口部1016b,1016cに対して、有機半導体層1017a,1017bを各々形成することができる(図19(b)のステップS29)。
なお、上記TFT基板101は、ボトムゲート構造のトランジスタの例であるが、本実施の一態様に係るトランジスタは、トップゲート構造であっても良い。
隔壁1016の側面形状は、下地層の上面(具体的には、ソース電極1014a又はドレイン電極1014cの上面)を基準としたときに、高さh0に位置する上面と、上面と連続して前記h0未満の高さhに位置する側面を有し、側面の高さhを、開口部の長軸に沿った方向における隔壁の上面と周面との境界からの距離xで2次微分した値が0近傍から負に変位する変位点が、0.9h0以上であることが好ましい。
そのため、開口部の長軸に沿った方向における隔壁の上面と周面との境界からの距離xで2次微分した値が0近傍から負に変位する変位点が、0.9h0以上1.0h0未満であることが好ましい。
本発明の機能膜の製造方法を有機EL表示パネルの製造方法に適用する場合は、当然ながら有機発光層の製造のみならず、ホール注入層104や正孔輸送層等、ウェットプロセスにて材料を塗布する工程を持つ、その他の機能層の製造にも適用することが可能である。
また上記実施の形態1、2では、表示素子やトランジスタに隔壁が使用された形態について述べたが、隔壁の使用用途はこれらに限定されず、照明、デバイスに使用されるものであってもよい。
101 基板
102 陽極(第1の電極)
103 電極被覆層
104 ホール注入層
105,1016 隔壁
106 有機発光層(機能層)
107 電子輸送層
108 陰極(第2の電極)
109 封止層
110 下地層
1011 基板
1012 ゲート電極
1013 絶縁層
1014 ソース電極、ドレイン電極
1017 有機半導体層(半導体層)
Claims (12)
- 第1の電極を含む下地層と、
長軸と短軸を有する形状からなる開口部を、前記下地層上に規定する隔壁と、
前記開口部内に位置し、前記下地層の上面と接する機能層と、
前記機能層を介して前記第1の電極と対向する第2の電極と、を有し、
前記隔壁は、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記下地層の上面を基準としたときに、高さh0に位置する上面と、前記隔壁の上面と連続して前記h0未満の高さhに位置する前記開口部を臨む周面を有し、前記周面の高さhを、前記長軸に沿った方向における前記隔壁の上面と周面との境界からの距離xで2次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界において連続しており、かつ、0近傍から負に変位する変位点が、高さ0.9h0以上に位置し、
前記機能層の上面が、前記変位点において前記周面と接していることを特徴とする発光素子。 - 前記変位点が、高さ0.93h0以上に位置することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記機能層の上面と前記周面との境界は、前記変位点よりも下方に位置し、前記境界は前記変位点から前記高さ方向において40nm以内に位置することを特徴とする請求項1又は2に記載の発光素子。
- 前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記機能層の上面と前記周面との境界は、前記変位点よりも前記隔壁の上面に対して離れて位置し、前記境界は前記変位点から、前記長軸に沿った方向において440nm以内に位置することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の発光素子。
- 前記機能層が塗布法により形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の発光素子。
- 前記隔壁の周面を2次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界から前記下地層と前記周面との境界までの間において、連続していることを特徴する請求項1〜5のいずれかに記載の発光素子。
- 長軸と短軸を有する形状からなる開口部を規定する隔壁と、
前記開口部の下方又は上方に位置するゲート電極と、
前記ゲート電極よりも前記開口部に近接した領域に位置するゲート絶縁膜と、
前記隔壁の下側に位置し、前記開口部内に少なくとも一部が位置するソース電極およびドレイン電極を有する下地層と、
前記開口部内であって、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向する領域に位置し、前記下地層と接する半導体層と、を有し、
前記隔壁は、前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記下地層の上面を基準としたときに、高さh0に位置する上面と、前記隔壁の上面と連続して前記h0未満の高さhに位置する前記開口部を臨む周面を有し、前記周面の高さhを、前記長軸に沿った方向における前記隔壁の上面と周面との境界からの距離xで2次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界において連続しており、かつ、0近傍から負に変位する変位点が、高さ0.9h0以上に位置し、
前記半導体層の上面が、前記変位点において前記周面と接していることを特徴とするトランジスタ。 - 前記変位点が、高さ0.93h0以上に位置することを特徴とする請求項7に記載のトランジスタ。
- 前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記半導体層の上面と前記周面との境界は、前記変位点よりも下方に位置し、前記境界は前記変位点から前記高さ方向において40nm以内に位置することを特徴とする請求項7又は8に記載のトランジスタ。
- 前記開口部の長軸に沿ってかつ前記下地層の上面に垂直な断面において、前記半導体層の上面と前記周面との境界は、前記変位点よりも前記隔壁の上面に対して離れて位置し、前記境界は前記変位点から、前記長軸に沿った方向において440nm以内に位置することを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載のトランジスタ。
- 前記半導体層が塗布法により形成されていることを特徴とする請求項7〜10のいずれかに記載のトランジスタ。
- 前記隔壁の周面を2次微分した値が、前記隔壁の上面と前記周面との境界から前記下地層と前記周面との境界までの間において、連続していることを特徴する請求項7〜11のいずれかに記載のトランジスタ。
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