CN103579284A - 有机发光显示设备以及制造有机发光显示设备的方法 - Google Patents

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Abstract

一种有机发光显示设备和一种制造有机发光显示设备的方法，该有机发光显示设备可包括第一基板、设置在第一基板上的第一电极、设置在第一电极和第一基板上的像素限定层、设置在第一电极上的有机发光结构、设置在有机发光结构和像素限定层上的第二电极、设置在第二电极上的第二基板等。像素限定层可包括定位在显示区域和非显示区域中的细微凹凸结构。有机发光结构可通过具有细微凹凸结构的像素限定层被大体上均匀地形成在第一电极上，从而有机发光显示设备可表现增加的寿命并可显示改进的图像质量。

Description

有机发光显示设备以及制造有机发光显示设备的方法
相关申请的交叉引用
本申请引用2012年8月7日于韩国知识产权局在先递交的并在韩国知识产权局被正式指定的第10-2012-0086229号“有机发光显示设备以及制造有机发光显示设备的方法”的申请，将该申请合并于此，并要求该申请所有权益。
技术领域
本发明的示例实施例涉及有机发光显示（OLED）设备以及制造有机发光显示设备的方法。更具体而言，本发明的示例实施例涉及包括通过具有细微凹凸结构的像素限定层形成的均匀有机发光结构的有机发光显示设备以及制造该有机发光显示设备的方法。
背景技术
通常，显示彩色图像的有机发光显示设备可包括设置在基板上方的下部电极、形成在下部电极上的像素限定层、形成在像素限定层和下部电极上的有机层以及定位在有机层和像素限定层上的上部电极。像素限定层可位于覆盖底层结构和下部电极的绝缘层上，并且像素限定层可使相邻像素的有机层绝缘，同时限定有机发光显示设备的显示区域。
在由像素限定层限定的显示区域中，根据彩色像素，有机层可包括红色有机发光层（EL）、绿色有机发光层和蓝色有机发光层，并且有机层可另外包括空穴注入层（HIL）、电子注入层（EIL）、空穴转移层（HTL）、电子转移层（ETL）等。这里，可使用有机聚合物或具有相对低的分子量的有机材料来形成有机发光层。
典型地，可通过激光诱导热成像（LITI）工艺来形成有机层，其中包括光热转化层和有机转移层的供体基板的有机转移层可被转移到有机发光显示设备的下部电极上。在激光诱导热成像工艺中，供体基板可被层压在像素限定层上，并且激光能量可被应用到供体基板，从而有机转移层可膨胀并从供体基板分离。因此，有机层可通过转移从供体基板分离的有机层而被形成在下部电极的暴露在像素限定层中并被像素限定层围绕的部分上。然而，在制造有机发光显示设备的常规方法中，气体可容易地保持捕获在显示区域的两个端部处（即，在下部电极的两个端部上）。下部电极表面上保持捕获的气体可阻止有机层被正确地形成在下部电极上，特别是显示区域的端部上。有机层的这种粘附故障可被称为“边缘开裂故障”。当在显示区域发生边缘开裂失效时，有机发光显示设备的寿命可被减少，并且由有机发光显示设备显示的图像的均匀性可被恶化。
发明内容
示例实施例提供一种有机发光显示设备，该有机发光显示设备包括具有用于改进寿命和提高图像质量的细微凹凸结构的像素限定层。
示例实施例提供一种制造有机发光显示设备的方法。该方法包括形成具有细微凹凸结构的像素限定层，该像素限定层通过改进所述设备的有机发光结构的表面均匀性而具有提高所显示图像的质量的效果，由此增加所述有机发光显示设备的寿命。
根据示例实施例，提供一种有机发光显示设备，包括：第一基板、设置在所述第一基板上的第一电极、设置在所述第一电极和所述第一基板上的像素限定层、设置在所述第一电极上的有机发光结构、设置在所述有机发光结构和所述像素限定层上的第二电极、设置在所述第二电极上的第二基板等。所述像素限定层可限定显示区域和非显示区域。所述像素限定层可包括定位在所述显示区域和所述非显示区域中的细微凹凸结构。
在示例实施例中，所述第一电极和所述第二电极中的每一个可包括具有反射性的材料和具有透射性的材料中的一种。例如，所述第一电极可包括铝（Al）、银（Ag）、铂（Pt）、金（Au）、铬（Cr）、钨（W）、钼（Mo）、钛（Ti）、钯（Pd）、铱（Ir）、其合金等。所述第二电极可包括铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、铟镓氧化物（IGO）、锌氧化物（ZnOx）、镓氧化物（GaOx）、锡氧化物（SnOx）等。
在一些示例实施例中，所述第一电极可包括铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、铟镓氧化物（IGO）、锌氧化物（ZnOx）、镓氧化物（GaOx）、锡氧化物（SnOx）等。所述第二电极可包括铝（Al）、银（Ag）、铂（Pt）、金（Au）、铬（Cr）、钨（W）、钼（Mo）、钛（Ti）、钯（Pd）、铱（Ir）、其合金等。
在示例实施例中，所述像素限定层可包括在所述显示区域中暴露所述第一电极的开口，并且所述细微凹凸结构可被定位在形成所述显示区域的所述开口的侧壁上以及所述非显示区域中的所述像素限定层上。
在示例实施例中，所述细微凹凸结构可包括多个沟和多个槽中的一种，并且所述多个沟和所述多个槽中的所述一种可沿预定方向被布置。
在一些示例实施例中，所述细微凹凸结构可包括多个沟、多个槽和多个凹痕中的一种，所述多个沟、所述多个槽和所述多个凹痕中的任一种可沿多个方向被布置。
在一些示例实施例中，所述多个沟、所述多个槽和所述多个凹痕中的一种可彼此部分或全部连通。
在示例实施例中，所述像素限定层可包括有机材料和无机材料中的一种。例如，所述像素限定层可包括苯并环丁烯（BCB）、光致抗蚀剂、苯酚基树脂、聚丙烯基树脂、聚酰亚胺基树脂、丙烯基树脂、硅氧化物（SiOx）、硅氮化物（SiNx）、硅氮氧化物（SiOxNy）、硅碳氧化物（SiOxCy）等。
根据示例实施例，提供一种制造有机发光显示设备的方法。根据所述方法，第一基板可被提供。第一电极可被形成在所述第一基板上。像素限定层可被形成在所述第一电极和所述第一基板上以限定显示区域和非显示区域。细微凹凸结构可被形成在所述像素限定层内以便被设置在所述显示区域和所述非显示区域中。有机发光结构可被形成在所述第一电极上。第二电极可被形成在所述有机发光结构和所述像素限定层上。第二基板可被形成在所述第二电极上。
在示例实施例中，包括开关设备和绝缘层的底层结构可被形成在所述第一基板与所述第一电极之间。
在形成根据示例实施例的所述像素限定层时，暴露所述第一电极的开口可通过部分蚀刻所述像素限定层而被形成在所述显示区域中。所述细微凹凸结构可被形成在所述显示区域中的所述开口的侧壁上以及所述非显示区域中的所述像素限定层上。
在形成根据示例实施例的所述细微凹凸结构时，具有沿预定方向布置的刷毛的辊可接触所述像素限定层同时由所述第一基板承载的所述像素限定层相对于所述辊平移。
在形成根据示例实施例的所述细微凹凸结构的另一方法中，可使用具有沿预定方向布置的微孔的掩膜将所述激光辐射到所述像素限定层上同时相对于激光平移所述第一基板。
在形成根据示例实施例的所述细微凹凸结构时，具有沿预定方向布置的刷毛的辊可接触所述像素限定层同时所述第一基板相对于所述辊沿第一方向平移，并且随后所述辊可接触所述像素限定层同时沿不同于所述第一方向的第二方向移动所述第一基板。
在形成根据示例实施例的所述细微凹凸结构时，可使用具有沿预定方向布置的微孔的掩膜将激光辐射到所述像素限定层上同时沿第一方向移动所述第一基板，并且随后可使用所述掩膜将激光辐射到所述像素限定层上同时沿不同于所述第一方向的第二方向移动所述第一基板。
在示例实施例中，可使用具有有机转移层的供体基板通过激光诱导热成像工艺来形成所述有机发光结构。所述像素限定层的所述开口中所捕获的空气或气体可在将所述有机转移层从所述供体基板转移到所述像素限定层中的所述开口内的所述第一电极表面的所述激光诱导热成像工艺期间通过所述细微凹凸结构被排出。
根据示例实施例，所述有机发光结构可通过包括具有沿预定方向或各个方向布置的所述多个沟、所述多个槽或所述多个凹痕的所述细微凹凸结构的所述像素限定层被大体上均匀地形成在显示基板上。因此，包括所述有机发光结构的所述有机发光显示设备可确保增加的寿命，并且还改进所显示图像的质量。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参考下面的详细描述，由于本发明的更完整的理解及其许多随之产生的优点变得更好理解而因此将变得非常清楚，在附图中相似的附图标记表示相同或相似的部件，其中：
图1为例示根据示例实施例的包括像素限定层的有机发光显示设备的显示基板的剖视图；
图2为例示根据示例实施例的包括像素限定层的有机发光显示设备的显示基板的局部剖切透视图；
图3为例示根据示例实施例的用于在像素限定层上形成细微凹凸结构的工艺的局部剖切透视图；
图4为例示根据一些示例实施例的包括像素限定层的有机发光显示设备的显示基板的局部剖切透视图；
图5为例示根据示例实施例的供体基板的剖视图；以及
图6为例示根据示例实施例的制造有机发光显示设备的方法的剖视图。
具体实施方式
将在下文中参照附图更充分描述各实施例，在附图中示出一些实施例。然而，本发明可以实施为不同的形式，而且不应该被解释为限于在此提出的各实施例。相反，这些实施例被提供为以使本文字描述将是全面和完整的，并将把本发明的范围充分传达给本领域技术人员。在附图中，为例示清楚起见，层和区域的尺寸和相对尺寸可能被夸大。
将要理解，当元件或层被提及为在另一元件或层“上”，“被连接到”或“被联接到”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上，被直接连接或联接到另一元件或层，或者可存在中间元件或层。相比之下，当元件被提及为“直接”在另一元件或层“上”，“被直接连接到”或“被直接联接到”另一元件或层时，则不存在中间元件或层。相似的附图标记始终指代相似的元件。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多关联的所列项目中的任意和所有组合。
将理解，尽管术语第一、第二、第三等在此可被用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区别开。因此，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不背离本发明的教导。
为易于描述，诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等的空间相关术语在此可被用于描述如图中例示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解，空间相关术语意欲涵盖设备在使用或运行时的除了图中所描绘的方位之外的不同方位。例如，如果各图中的设备被翻转，被描述为在另外的元件或特征“下方”或“之下”的元件于是将被定向为在另外的元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可涵盖上方和下方两种方位。设备可以被以另外的方式定向（旋转90度或在其它方位），并且在此使用的空间相关描述词语可被相应地解释。
在此使用的术语仅用于描述各特定实施例的目的，并不意欲限制本发明。如在此使用的单数形式的“一”、“一个”和“所述”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确表示。将被进一步理解的是，术语“包括”和/或“包含”当被用于本说明书中时，其明确说明所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或更多其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其集合的存在或增加一个或更多其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其集合。
在此参照代表性例示描述各实施例，代表性例示为理想实施例（和中间结构）的示意性例示。照此，例如由于制造技术和/或公差引起的例示的形状的变化将被预计到。因此，实施例不应被解释为限制于在此例示的区域的特定形状，而是将包括例如由于制造引起的形状偏差。例如，例示为矩形的植入区域将典型地在其边缘处具有圆形的或弯曲特征和/或植入浓度梯度，而不是从植入区域到非植入区域的二元改变。类似地，通过植入形成的埋入区域可导致在埋入区域与植入发生所通过的表面之间的区域的一些植入。因此，图中例示的区域实际上为示意性的，并且它们的形状不是意欲例示设备的区域的实际形状，并且不是意欲限制本发明的范围。
除非以另外的方式限定，在此使用的所有术语（包括技术和科学术语）具有与本发明所属领域中的普通技术人员中的一个通常理解的含义相同的含义。将被进一步理解的是，诸如在通常使用的词典中定义的那些术语应该被解释为具有与它们在相关领域背景中的含义一致的含义，而且将不会以理想化或过于形式化的意义被解释，除非在此被这样明确地限定。
图1为例示根据示例实施例的包括像素限定层的有机发光显示设备的显示基板的剖视图。图2为例示根据示例实施例的包括像素限定层的有机发光显示设备的显示基板的局部剖切透视图。
参见图1，根据示例实施例的有机发光显示设备可包括第一基板10、第一电极15、像素限定层20等。尽管未被例示，但是有机发光显示设备可包括提供在第一电极15上的有机发光结构、设置在有机发光结构和像素限定层20上的第二电极、定位在第二电极上的第二基板等。
第一基板10可包括绝缘基板。例如，第一基板10可包括玻璃基板、石英基板、透明树脂基板、金属氧化物基板等。在一些示例实施例中，第一基板10可包括柔性基板。
尽管未被例示，开关设备可被提供在第一基板10上。在示例实施例中，开关设备可包括薄膜晶体管（TFT）、氧化物半导体设备等。当开关设备包括TFT时，第一电极15可被电连接到TFT的漏电极。这里，至少一个绝缘层可被设置在开关设备与第一电极15之间。该至少一个绝缘层可包括有机材料。例如，绝缘层可包括光致抗蚀剂、丙烯基聚合物、聚酰亚胺基聚合物、聚酰胺基聚合物、硅氧烷基聚合物、酚醛清漆树脂、碱可溶性树脂等。这些可被单独使用或组合使用。在一些示例实施例中，可使用诸如硅化合物、金属、金属氧化物等的无机材料来形成绝缘层。例如，绝缘层可包括硅氧化物（SiOx）、硅氮化物（SiNx）、硅氧氮化物（SiOxNy）、硅碳氧化物（SiOxCy）、硅碳氮化物（SiCxNy）、铝（Al）、镁（Mg）、锌（Zn）、铪（Hf）、锆（Zr）、钛（Ti）、钽（Ta）、铝氧化物（AlOx）、钛氧化物（TiOx）、镁氧化物（MgOx）、锌氧化物（ZnOx）、铪氧化物（HfOx）、锆氧化物（ZrOx）、钛氧化物（TiOx）、钽氧化物（TaOx）等。这些可被单独使用或组合使用。
现在参见图1，第一电极15可被设置在第一基板10上，在它们之间插入至少一个绝缘层。根据有机发光显示设备的发射类型，第一电极15可包括具有反射性或透射性的材料。例如，当有机发光显示设备具有顶发射型时，第一电极15可包括铝（Al）、银（Ag）、铂（Pt）、金（Au）、铬（Cr）、钨（W）、钼（Mo）、钛（Ti）、钯（Pd）、铱（Ir）、其合金等，这些可被单独使用或组合使用。第一电极15可具有单层结构或多层结构，该单层结构或多层结构可包括金属膜和/或合金膜。同时，当有机发光显示设备具有底发射型时，第一电极15可包括透明导电氧化物，诸如铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、铟镓氧化物（IGO）、锌氧化物（ZnOx）、镓氧化物（GaOx）、锡氧化物（SnOx）等。
参见图1和图2，像素限定层20可被设置在第一基板10上，以部分暴露第一电极15。例如，像素限定层20可包括苯并环丁烯（BCB）、光致抗蚀剂、苯酚基树脂、聚丙烯基树脂、聚酰亚胺基树脂、丙烯酸基树脂等。在一些示例实施例中，像素限定层20可包括无机材料。例如，像素限定层20可包括硅氧化物（SiOx）、硅氮化物（SiNx）、硅氧氮化物（SiOxNy）、硅碳氧化物（SiOxCy）等。
像素限定层20可限定有机发光显示设备的显示区域和非显示区域。像素限定层20可具有暴露第一电极15的一部分的开口。像素限定层20的开口可大体上限定有机发光显示设备的显示区域和非显示区域。例如，显示面板的具有像素限定层20的开口的部分可为显示区域，而显示面板的大体上围绕像素限定层20的开口的另外的部分可为非显示区域。根据像素限定层20的成分，像素限定层20的开口可通过干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺而被形成。在用于形成像素限定层20的开口的湿法蚀刻工艺中，可在低于大约200℃的温度实施的蚀刻工艺中使用蚀刻剂部分地蚀刻像素限定层20，由此形成部分暴露第一电极15的开口。
像素限定层20的开口可具有相对于第一基板10倾斜预定角度的侧壁，从而形成在其基底处具有中心第一电极表面的碗状物。例如，像素限定层20的开口可具有大体上比其下部宽度大的上部宽度，下部宽度位于碗状物的基底并与第一电极表面相邻。
在示例实施例中，像素限定层20可包括细微凹凸结构25。细微凹凸结构25可被形成在像素限定层20的定位在显示区域的开口的侧壁上，并形成在位于非显示区域的像素限定层上。如图2所示，细微凹凸结构25可包括可沿着预定方向延伸的多个沟或多个槽。在这种情况下，沟或槽可具有大体上相同的尺寸。替代地，沟或槽可分别具有不同的尺寸。例如，相邻的沟或相邻的槽可具有大体上相同的宽度和深度，或者可具有不同的宽度和深度。
图3为例示根据示例实施例的用于在像素限定层上形成细微凹凸结构的工艺的局部剖切透视图。
参见图2和图3，可使用具有基底55的辊50在包括有机材料的像素限定层20上形成细微凹凸结构25，基底55具有沿预定方向布置的刷毛60。例如，具有像素限定层20的第一基板10可被放置在支撑板（未例示）上，并且随后旋转的辊50可接触像素限定层20同时第一基板10相对于辊平移，从而多个沟或多个槽可被形成在像素限定层10上。因此，具有多个沟或多个槽的细微凹凸结构25可被形成在像素限定层10上，该沟或槽可沿预定方向延伸。这里，可通过调整刷毛60的布置和尺寸而将沟或槽同时形成在像素限定层20的开口的侧壁上和像素限定层20的其它部分上。
在一些示例实施例中，当像素限定层20包括无机材料时，可使用掩膜（未例示）通过激光辐射工艺在像素限定层20上形成细微凹凸结构25，掩膜具有以直线方式沿预定方向布置的微孔。例如，具有微孔的掩膜可被放置在像素限定层20上方，并且随后可通过掩膜将激光辐射到像素限定层20上同时沿垂直于预定方向的方向移动第一基板10，从而多个沟或多个槽可被形成在像素限定层20上。在这种情况下，掩膜的微孔中的每个可具有大体上比每个沟的宽度或每个槽的宽度小的直径。
在用于将有机发光结构（未例示）形成在显示区域中的第一电极15上的激光诱导热成像（LITI）工艺中，在具有有机转移层的供体基板（未例示）可沿平行于基板表面的平面并大体上与第一基板10移动的方向相对的方向移动，两个基板被设置为使得它们的平行表面具有附接层材料的界面的同时，有机发光结构可被形成在第一电极15上。在这种情况下，空气或其它气体可保持在第一电极15的两侧（例如，像素限定层20的开口的两侧）。当在空气或其它气体保持在第一电极15上的条件下执行激光诱导热成像（LITI）工艺时，有机发光结构可能不会形成在第一电极15的表面的暴露在像素限定层的开口中的部分的两侧上。然而，当具有沟或槽的细微凹凸结构25如上所述被提供在像素限定层20上时，由于保持在第一电极15上的空气或气体可在激光诱导热成像（LITI）工艺期间从像素限定层20的开口排出，有机发光结构可被均匀地形成在第一电极15上。这里，沟或槽可沿与激光诱导热成像（LITI）工艺中第一基板10移动或供体基板移动所沿方向大体上平行的方向延伸。因此，空气或保持的气体可从像素限定层20的开口沿形成在像素限定层中的沟或槽被容易地排出。结果，本发明的有机发光显示设备结构由于在整个显示区域具有均匀形成的有机发光结构而可表现改进的图像质量，并且这种结构还可确保更加延长的设备寿命。
尽管在图1中未例示，第二电极可被设置在定位在显示区域中的第一电极15上的有机发光结构上。如上所述，从供体基板的有机转移层形成的有机发光结构可包括多层结构，该多层结构可具有有机发光层（EL）、空穴注入层（HIL）、空穴转移层（HTL）、电子转移层（ETL）、电子注入层（EIL）等。有机发光结构可包括用于根据有机发光显示设备的像素产生诸如红色（R）光、绿色（G）光和蓝色（B）光的不同颜色光的发光材料。在一些示例实施例中，有机发光结构可包括用于产生红色光、绿色光和蓝色光的多个堆叠的发光材料，由此发射白色光。
大体上类似于第一电极15，第二电极可根据有机发光显示设备的发射类型而包括透明材料或反射材料。例如，当有机发光显示设备为顶发射型时，第二电极可包括透明导电氧化物，诸如铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、铟镓氧化物（IGO）、锌氧化物（ZnOx）、镓氧化物（GaOx）、锡氧化物（SnOx）等。替代地，当有机发光显示设备为底发射型时，第二电极可包括铝（Al）、银（Ag）、铂（Pt）、金（Au）、铬（Cr）、钨（W）、钼（Mo）、钛（Ti）、钯（Pd）、铱（Ir）、其合金等。这些可被单独使用或组合使用。
设置在第二电极上的第二基板可包括绝缘基板。例如，第二基板可包括玻璃基板、石英基板、透明树脂基板、金属氧化物基板等。替代地，第二基板可包括柔性基板。
图4为例示根据一些示例实施例的包括像素限定层的有机发光显示设备的显示基板的局部剖切透视图。就图4中例示的显示基板而言，与图2中的显示基板的那些元件大体上相同的元件的详细描述将被省略。
参见图4，根据一些示例实施例的有机发光显示设备可包括第一基板100、第一电极105、具有细微凹凸结构125的像素限定层等。尽管未被例示，有机发光显示设备可另外包括有机发光结构、第二电极、第二基板等。
第一基板100可包括绝缘基板，并且第一电极105可根据有机发光显示设备的发射类型而包括具有反射性或透射性的材料。这里，可包括开关设备、触点、焊接区、导电图、导线、绝缘层等的底层结构（未例示）可被提供在第一基板100与第一电极105之间。
像素限定层110可被定位在第一基板100和第一电极105上。像素限定层110可限定有机发光显示设备的显示区域和非显示区域。像素限定层110可包括部分暴露第一电极105的开口。细微凹凸结构125可被形成在像素限定层110的开口的侧壁和像素限定层110的其它部分上。也就是说，细微凹凸结构125可被定位在显示区域和非显示区域二者中。
在示例实施例中，细微凹凸结构125可包括沟、槽或凹痕，沟、槽或凹痕中的任何一种可沿多个方向被布置。这里，细微凹凸结构125的沟、槽或凹痕可部分或全部彼此连通。例如，相邻的沟、相邻的槽或相邻的凹痕可部分或全部彼此连接。
当细微凹凸结构125包括有机材料时，可使用包括以直线或螺旋型直线方式沿大体上彼此平行或大体上彼此垂直的多个方向布置的刷毛的圆柱形辊将具有沿各个方向布置的沟、槽或凹痕的细微凹凸结构125形成在像素限定层110上。在一些示例实施例中，具有沿多个方向布置的沟、槽或凹痕的细微凹凸结构125可通过重复执行使用具有沿预定方向布置的刷毛的辊的工艺来获得。例如，可使用辊将沿第一方向延伸的多个沟或多个槽形成在像素限定层110上同时沿第一方向移动第一基板100，并且随后可使用辊将沿第二方向延伸的多个沟或多个槽形成在像素限定层110上同时沿第二方向移动第一基板100。这里，第一方向大体上不同于第二方向。例如，第一方向可大体上垂直于第二方向，或者第一方向可与第二方向形成预定的非垂直角。因此，具有沿各个方向布置的沟、槽或凹痕的细微凹凸结构125可被提供在像素限定层110上。
同时，当像素限定层110包括无机材料时，可使用具有沿多个方向布置的微孔的掩膜通过激光辐射工艺将细微凹凸结构125形成在像素限定层110上。例如，具有沿各个方向布置的微孔的掩膜可被放置在像素限定层110的上方，并且随后可通过掩膜将激光辐射到像素限定层110上同时沿预定方向移动第一基板100。因此，具有多个沟、多个槽或多个凹痕的细微凹凸结构125可被形成在像素限定层110上。另外，可通过使用具有沿预定方向布置的多个微孔的掩膜重复执行激光辐射工艺来形成具有多个沟、多个槽或多个凹痕的细微凹凸结构125。例如，可在像素限定层110上实施使用具有沿预定方向布置的多个微孔的掩膜的激光辐射工艺同时沿第一方向移动第一基板100，并且随后可再次在像素限定层110上执行激光辐射工艺同时沿第二方向移动第一基板100，从而可在像素限定层110上形成具有沿各个方向布置的沟、槽或凹痕的细微凹凸结构125。
如上所述，像素限定层110可包括细微凹凸结构125，从而由于保持在像素限定层110的开口上的空气或气体可在通过使用供体基板的激光诱导热成像工艺在第一电极105上形成有机发光结构时通过细微凹凸结构125被排出，所以有机发光机构可被均匀地形成在第一电极105上。因此，有机发光结构显示设备可确保改进的寿命，并且还可改进所显示的图像的质量。
图5为例示根据示例实施例的供体基板的剖视图。
参见图5，根据示例实施例的供体基板可包括基膜160、光热转化层155、有机转移层150等。
基膜160可包括具有预定柔性和预定强度的材料。例如，基膜160可包括诸如聚对苯二甲酸乙二酯、聚酯、聚丙烯、聚环氧、聚乙烯、聚苯乙烯等的透明聚合物。当基膜160具有相对小的厚度时，供体基板170的处理可能是困难的。此外，当基膜160具有相对大的厚度时，供体基板170的装载和转移可能由于供体基板170的相对高的重量而是困难的。因此，基膜160可有利地具有大约10μm至大约500μm的厚度。基膜160可支撑供体基板170的元件。
光热转化层155可被设置在基膜160上。光热转化层155可包括能够将激光辐射转化成热能的光吸收材料。在示例实施例中，光热转化层155可包括膜，该膜包含包括铝（Al）、钼（Mo）、其氧化物、其硫化物等的金属。这里，包含金属的膜可具有大约10μm至大约500μm的相对小的厚度。在一些示例实施例中，光热转化层155可包括包含有机材料的膜，炭黑、石墨和/或红外染料可被添加到有机材料中。这里，包含有机材料的层可具有大约10μm的相对大的厚度。通过辐射到光热转化层155上的激光产生的热能可改变有机转移层150与光热转化层155之间的粘附强度，从而通过辐射到光热转化层155上的激光产生的热能可将有机转移层150以预定的图案结构转移到显示基板上。
在一些示例实施例中，缓冲层（未例示）可被另外设置在光热转化层155与有机转移层150之间。例如，缓冲层可具有大约5μm至300μm的厚度。
现在参见图5，有机转移层150可被设置在光热转化层155上。可使用具有有机转移层150的供体基板170通过激光诱导热成像工艺将有机发光结构形成在显示基板上。在示例实施例中，有机转移层150可包括有机发光层（EL）、空穴注入层（HIL）、空穴转移层（HTL）、电子转移层（ETL）、电子注入层（EIL）等。包括多个有机层的有机发光结构可从具有多层结构的有机转移层150被形成在显示基板上。
图6为例示根据示例实施例的制造有机发光显示设备的方法的剖视图。图6例示制造具有与参照图1描述的有机发光显示设备的构造大体上相同或大体上相似的构造的有机发光显示设备的方法。具有与参照图4描述的有机发光显示设备的构造大体上相同或大体上相似的构造的有机发光显示设备也可如前述在像素限定层110上形成细微凹凸结构125那样通过在像素限定层210上形成细微凹凸结构225来获得。
参见图6，第一电极205可被形成在第一基板200上。第一基板200可包括绝缘基板。在示例实施例中，在形成第一电极205之前，具有开关设备、绝缘层、触点等的底层结构可被形成在第一基板200上。在这种情况下，第一电极205可与开关设备电接触。当开关设备包括薄膜晶体管（TFT）时，开关设备可包括栅绝缘层、栅电极、源电极、漏电极、半导体图案等。
在示例实施例中，第一电极205可为将空穴提供到有机发光结构230的阳极。根据有机发光显示设备的发射类型，第一电极205可为透射电极或反射电极。例如，第一电极205可使用透明导电材料、具有反射性的金属、具有反射性的合金等形成。
像素限定层210可被形成在第一基板200和第一电极205上。像素限定层210可使用有机材料或无机材料来形成。像素限定层210可被部分蚀刻，由此形成部分暴露第一电极205的开口。随着通过像素限定层210的开口的形成，像素限定层210可限定有机发光显示设备的显示区域和非显示区域。
在示例实施例中，如上所述，根据用于形成像素限定层210的材料，可通过执行使用辊或激光的工艺而在像素限定层210上形成细微凹凸结构225。细微凹凸结构225可被形成在显示区域中的开口的侧壁上和非显示区域中的像素限定层210上。细微凹凸结构225可包括多个沟或多个槽，多个沟或多个槽中的任何一种可沿预定方向延伸。替代地，细微凹凸结构225可包括多个沟、多个槽或多个凹痕，多个沟、多个槽或多个凹痕中的任何一种可沿各个方向延伸。
现在参见图6，参照图5描述的供体基板170可被层压到具有细微凹凸结构225的像素限定层210上。在示例实施例中，第一基板200可被支撑在支撑构件（未例示）上，并且随后供体基板170可相对于第一基板200对准。随后，可通过使用合适的工艺挤压供体基板170而将供体基板170层压在像素限定层210上。
如图6中使用箭头所例示，可通过将激光辐射到供体基板170上而将供体基板170的有机转移层150转移到第一基板200上的暴露的第一电极205上。在这种情况下，激光可被辐射到供体基板170的对应于第一电极205所处的显示区域的部分。例如，激光辐射可源自诸如氙（Xe）灯、闪光灯等的激光源。
在激光诱导热成像工艺中，当激光可被辐射到供体基板170的一部分上时，有机转移层150与第一电极205之间的粘附强度可大体上大于将光热转化层155附接到有机转移层150的粘附强度。因此，有机发光结构230可通过将有机转移层150从光热转化层155分离而被形成在显示区域中的第一电极205上，激光被辐射在光热转化层155上。这里，有机发光结构230可具有包括有机发光层（EL）、空穴注入层（HIL）、空穴转移层（HTL）、电子转移层（ETL）、电子注入层（EIL）等的多层结构。此外，有机发光结构230的有机发光层可包括用于根据有机发光显示设备的彩色像素产生诸如红色（R）光、绿色（G）光和蓝色（B）光的不同颜色的光的发光材料。替代地，有机发光结构230的有机发光层可包括用于产生红色光、绿色光和蓝色光的多个堆叠的发光材料，由此发射白色光。
根据示例实施例，因为保持在像素限定层210的开口中的空气或气体由于在像素限定层210上包括细微凹凸结构225而可通过激光诱导热成像工艺使用供体基板170在第一电极205上形成有机发光结构230期间通过细微凹凸结构225排出，所以有机发光结构230可被均匀地形成在第一电极205上。结果，有机发光显示结构显示设备可表现增加的寿命，并且还可在显示的图像中显示改进的质量。
尽管在图6中未例示，第二电极可被形成在有机发光结构230和像素限定层210上，并且第二基板可被设置在第二电极上。根据有机发光显示设备的发射类型，可使用具有反射性的金属、具有反射性的合金、透明导电材料等来形成第二电极。第二基板可包括透明绝缘基板。
根据本发明的示例实施例，可通过包括细微凹凸结构的像素限定层将有机发光结构大体上均匀地形成在显示基板上，从而包括有机发光结构的有机发光显示设备可显示改进的寿命并可提高所显示图像的质量。具有改进的寿命和改进的图像质量的有机发光显示设备可被有利地用于诸如电视、移动电话、便携式显示装置、医疗装置等的各种电子和电气装置中。
前述内容用于例示实施例，并且将不被解释为限制实施例。尽管少数实施例已经被描述，但是本领域技术人员将容易意识到在实施例中，许多修改是可能的，而不会在实质上背离本发明的新的教导和优点。相应地，所有这种修改意欲被包括在如权利要求书所限定的本发明的范围内。在权利要求书中，方法加功能从句意欲覆盖在此被描述为执行所述功能的结构，不仅覆盖结构性的等价物而且覆盖等价结构。因此，将要理解，前述内容例示各实施例，并将不被解释为被限制于所公开的特定实施例，而且所公开的实施例的修改以及其它实施例意欲被包括在所附权利要求书的范围内。

Claims (20)

1.一种有机发光显示设备，包括：
第一基板；
设置在所述第一基板上的第一电极；
设置在所述第一电极和所述第一基板上以限定显示区域和非显示区域的像素限定层，所述像素限定层包括定位在所述显示区域和所述非显示区域中的细微凹凸结构；
设置在所述第一电极上的有机发光结构；
设置在所述有机发光结构和所述像素限定层上的第二电极；以及
设置在所述第二电极上的第二基板。
2.如权利要求1所述的有机发光显示设备，所述第一电极和所述第二电极中的每一个包括具有反射性的材料和具有透射性的材料中的一种。
3.如权利要求2所述的有机发光显示设备，所述第一电极包括从铝（Al）、银（Ag）、铂（Pt）、金（Au）、铬（Cr）、钨（W）、钼（Mo）、钛（Ti）、钯（Pd）、铱（Ir）及其合金中选择的至少一种，并且所述第二电极包括从铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、铟镓氧化物（IGO）、锌氧化物（ZnOx）、镓氧化物（GaOx）和锡氧化物（SnOx）中选择的一种。
4.如权利要求2所述的有机发光显示设备，所述第一电极包括从铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、铟镓氧化物（IGO）、锌氧化物（ZnOx）、镓氧化物（GaOx）和锡氧化物（SnOx）中选择的一种，并且所述第二电极包括从铝（Al）、银（Ag）、铂（Pt）、金（Au）、铬（Cr）、钨（W）、钼（Mo）、钛（Ti）、钯（Pd）、铱（Ir）及其合金中选择的至少一种。
5.如权利要求1所述的有机发光显示设备，所述像素限定层包括在所述显示区域中暴露所述第一电极的开口，并且所述细微凹凸结构被定位在所述开口的侧壁上以及所述非显示区域中的所述像素限定层上。
6.如权利要求5所述的有机发光显示设备，所述细微凹凸结构包括多个沟和多个槽中的一种，并且所述多个沟和所述多个槽中的所述一种沿预定方向被布置。
7.如权利要求5所述的有机发光显示设备，所述细微凹凸结构包括多个沟、多个槽和多个凹痕中的一种，所述多个沟、所述多个槽和所述多个凹痕中的所述一种沿多个方向被布置。
8.如权利要求7所述的有机发光显示设备，所述多个沟、所述多个槽和所述多个凹痕中的一种彼此部分或全部连通。
9.如权利要求5所述的有机发光显示设备，所述像素限定层包括有机材料和无机材料中的一种。
10.如权利要求9所述的有机发光显示设备，所述像素限定层包括苯并环丁烯（BCB）、光致抗蚀剂、苯酚基树脂、聚丙烯基树脂、聚酰亚胺基树脂、丙烯基树脂、硅氧化物（SiOx）、硅氮化物（SiNx）、硅氮氧化物（SiOxNy）和硅碳氧化物（SiOxCy）中的一种。
11.一种制造有机发光显示设备的方法，包括：
提供第一基板；
在所述第一基板上形成第一电极；
在所述第一电极和所述第一基板上形成像素限定层，所述像素限定层限定显示区域和非显示区域；
在所述像素限定层中形成细微凹凸结构，所述细微凹凸结构被设置在所述显示区域和所述非显示区域中；
在所述第一电极上形成有机发光结构；
在所述有机发光结构和所述像素限定层上形成第二电极；以及
在所述第二电极上形成第二基板。
12.如权利要求11所述的方法，进一步包括在所述第一基板与所述第一电极之间形成具有开关设备和绝缘层的底层结构。
13.如权利要求11所述的方法，形成所述像素限定层的步骤进一步包括通过部分蚀刻所述像素限定层来形成在所述显示区域中暴露所述第一电极的开口。
14.如权利要求13所述的方法，所述细微凹凸结构被形成在所述开口的侧壁上以及所述非显示区域中的所述像素限定层上。
15.如权利要求13所述的方法，形成所述细微凹凸结构的步骤包括使具有沿预定方向布置的刷毛的辊与所述像素限定层接触同时移动所述第一基板。
16.如权利要求13所述的方法，形成所述细微凹凸结构的步骤包括使用具有沿预定方向布置的微孔的掩膜将激光辐射到所述像素限定层上同时移动所述第一基板。
17.如权利要求13所述的方法，形成所述细微凹凸结构的步骤进一步包括：
使具有沿预定方向布置的刷毛的辊与所述像素限定层接触同时沿第一方向移动所述第一基板；以及
使所述辊与所述像素限定层接触同时沿不同于所述第一方向的第二方向移动所述第一基板。
18.如权利要求13所述的方法，形成所述细微凹凸结构的步骤进一步包括：
使用具有沿预定方向布置的微孔的掩膜将激光辐射到所述像素限定层上同时沿第一方向移动所述第一基板；以及
使用所述掩膜将激光辐射到所述像素限定层上同时沿不同于所述第一方向的第二方向移动所述第一基板。
19.如权利要求13所述的方法，通过激光诱导热成像工艺使用具有有机转移层的供体基板形成所述有机发光结构。
20.如权利要求19所述的方法，所述像素限定层的所述开口中的空气和气体中的至少一种在所述激光诱导热成像工艺中通过所述细微凹凸结构被排出。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105097673A (zh) * 2015-08-20 2015-11-25 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板结构的制作方法
CN106449719A (zh) * 2016-11-17 2017-02-22 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板、装置及制作方法
CN106953025A (zh) * 2017-02-22 2017-07-14 信利（惠州）智能显示有限公司 有机发光显示装置的制造方法
CN107104061A (zh) * 2016-02-23 2017-08-29 三星显示有限公司 发光二极管移送器
CN107204359A (zh) * 2017-07-24 2017-09-26 深圳市华星光电技术有限公司 发光器件、像素界定层及其制造方法
CN109461825A (zh) * 2018-08-29 2019-03-12 云谷（固安）科技有限公司 柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置
CN109461822A (zh) * 2018-08-30 2019-03-12 云谷（固安）科技有限公司 Oled器件及其制备方法、显示装置
CN110224007A (zh) * 2019-05-29 2019-09-10 苏州星烁纳米科技有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
CN110265452A (zh) * 2019-06-25 2019-09-20 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
WO2020010847A1 (zh) * 2018-07-12 2020-01-16 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法和显示装置
CN111200000A (zh) * 2020-01-09 2020-05-26 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
CN112991969A (zh) * 2016-07-11 2021-06-18 三星显示有限公司 像素结构、显示设备以及制造该像素结构的方法
WO2023205920A1 (zh) * 2022-04-24 2023-11-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102409955B1 (ko) * 2015-08-25 2022-06-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR20180083469A (ko) * 2017-01-12 2018-07-23 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN107104129B (zh) * 2017-05-19 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件制造方法、oled器件及显示面板
KR102525822B1 (ko) * 2017-07-06 2023-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 소자 및 그 제조 방법
KR20200096367A (ko) * 2019-02-01 2020-08-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20200135682A (ko) * 2019-05-24 2020-12-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
TWI740484B (zh) * 2020-05-04 2021-09-21 宏碁股份有限公司 顯示裝置與其製造方法
WO2023021621A1 (ja) * 2021-08-18 2023-02-23 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100646936B1 (ko) * 2005-10-18 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광소자 및 그 제조방법
US20080238303A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Lee Dong-Won Organic light emitting display device having desicant layer and method of manufacturing the same
US20110175073A1 (en) * 2010-01-19 2011-07-21 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6919162B1 (en) * 1998-08-28 2005-07-19 Agilent Technologies, Inc. Method for producing high-structure area texturing of a substrate, substrates prepared thereby and masks for use therein
KR100685811B1 (ko) 2005-01-04 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
US20070000020A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Surgical glove with modified frictional interface and method for producing same
JP2007048571A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器
KR100742374B1 (ko) 2005-12-20 2007-07-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP2011034717A (ja) 2009-07-30 2011-02-17 Sharp Corp 有機ｅｌ発光装置、及びその製造方法
KR101030028B1 (ko) * 2009-11-30 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 레이저 열전사 방법, 그를 이용한 유기막 패터닝 방법 및 유기전계발광표시장치의 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100646936B1 (ko) * 2005-10-18 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광소자 및 그 제조방법
US20080238303A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Lee Dong-Won Organic light emitting display device having desicant layer and method of manufacturing the same
US20110175073A1 (en) * 2010-01-19 2011-07-21 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105097673A (zh) * 2015-08-20 2015-11-25 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板结构的制作方法
CN105097673B (zh) * 2015-08-20 2018-01-30 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板结构的制作方法
CN107104061A (zh) * 2016-02-23 2017-08-29 三星显示有限公司 发光二极管移送器
CN107104061B (zh) * 2016-02-23 2022-12-20 三星显示有限公司 发光二极管移送器
CN112991969A (zh) * 2016-07-11 2021-06-18 三星显示有限公司 像素结构、显示设备以及制造该像素结构的方法
CN112991969B (zh) * 2016-07-11 2023-09-12 三星显示有限公司 像素结构、显示设备以及制造该像素结构的方法
CN106449719A (zh) * 2016-11-17 2017-02-22 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板、装置及制作方法
CN106953025A (zh) * 2017-02-22 2017-07-14 信利（惠州）智能显示有限公司 有机发光显示装置的制造方法
CN106953025B (zh) * 2017-02-22 2018-10-12 信利（惠州）智能显示有限公司 有机发光显示装置的制造方法
CN107204359A (zh) * 2017-07-24 2017-09-26 深圳市华星光电技术有限公司 发光器件、像素界定层及其制造方法
WO2020010847A1 (zh) * 2018-07-12 2020-01-16 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法和显示装置
US11387298B2 (en) 2018-07-12 2022-07-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, fabrication method thereof, and display device
CN109461825B (zh) * 2018-08-29 2020-11-13 云谷（固安）科技有限公司 柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置
CN109461825A (zh) * 2018-08-29 2019-03-12 云谷（固安）科技有限公司 柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置
CN109461822A (zh) * 2018-08-30 2019-03-12 云谷（固安）科技有限公司 Oled器件及其制备方法、显示装置
CN110224007A (zh) * 2019-05-29 2019-09-10 苏州星烁纳米科技有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
CN110224007B (zh) * 2019-05-29 2022-06-10 苏州星烁纳米科技有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
CN110265452A (zh) * 2019-06-25 2019-09-20 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN110265452B (zh) * 2019-06-25 2021-10-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN111200000B (zh) * 2020-01-09 2022-05-03 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
CN111200000A (zh) * 2020-01-09 2020-05-26 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
WO2023205920A1 (zh) * 2022-04-24 2023-11-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置

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