CN111200000A - 显示面板及显示装置 - Google Patents

显示面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111200000A
CN111200000A CN202010022496.8A CN202010022496A CN111200000A CN 111200000 A CN111200000 A CN 111200000A CN 202010022496 A CN202010022496 A CN 202010022496A CN 111200000 A CN111200000 A CN 111200000A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
layer
emitting
display panel
emitting layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010022496.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111200000B (zh
Inventor
颜志敏
孟辉辉
李灏
刘强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yungu Guan Technology Co Ltd
Original Assignee
Yungu Guan Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yungu Guan Technology Co Ltd filed Critical Yungu Guan Technology Co Ltd
Priority to CN202010022496.8A priority Critical patent/CN111200000B/zh
Publication of CN111200000A publication Critical patent/CN111200000A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111200000B publication Critical patent/CN111200000B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示面板及显示装置。显示面板包括:阵列基板;第一电极层,设置于阵列基板的一侧;像素定义层,设置于第一电极层背离阵列基板的一侧,像素定义层具有与第一电极一一对应的像素开口;第一功能层,覆盖像素定义层以及像素开口;第一发光层,设置于第一功能层背离阵列基板的一侧;第二电极层,设置于第一发光层背离阵列基板的一侧;以及第二发光层,设置于第一功能层与第二电极之间,第二发光层在像素定义层上的正投影至少部分位于像素定义层上,沿第一功能层移动的载流子能够在第二发光层内复合以使第二发光层发出非可见光。本发明公开的显示面板能够避免载流子向邻近的其他子像素移动导致其他子像素发光,能够提高显示效果。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示具有成本低、视角宽、驱动电压低、响应速度快、发光色彩丰富、制备工艺简单、可实现大面积柔性显示等优点,被认为最具发展前景的显示技术之一。
OLED显示面板制备过程中,位于发光层两侧的空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层等功能层通常采用公共掩膜板(common mask)蒸镀,这些功能层沿平行于显示面板方向连接各子像素。当点亮一些子像素时,电流会通过横向传输到相邻的子像素,造成其他子像素发光,从而导致混色,影响显示效果。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置,旨在避免显示面板的混色现象。
第一方面,本发明提供一种显示面板,包括:阵列基板;第一电极层,设置于阵列基板的一侧,第一电极层包括阵列排布的多个第一电极;像素定义层,设置于第一电极层背离阵列基板的一侧,像素定义层具有与第一电极一一对应的像素开口;第一功能层,覆盖像素定义层以及像素开口;第一发光层,设置于第一功能层背离阵列基板的一侧,第一发光层包括多个第一发光单元,各第一发光单元对应设置于像素开口中;第二电极层,设置于第一发光层背离阵列基板的一侧;以及第二发光层,设置于第一功能层与第二电极之间,第二发光层在像素定义层上的正投影至少部分位于像素定义层上,沿第一功能层移动的载流子能够在第二发光层内复合以使第二发光层发出非可见光。
根据本发明的一个方面,第二发光层的能隙差小于第一发光单元的能隙差。
根据本发明的一个方面,显示面板还包括第二功能层,第二功能层位于第一发光层与第二电极层之间;第二发光层的最高占据分子轨道HOMO、最低未占分子轨道LUMO分别与第一功能层、第二功能层的HOMO和LUMO相匹配;优选的,第二发光层的HOMO与第一功能层的HOMO的差值的绝对值小于0.1eV,第二发光层的LUMO与第二功能层的LUMO的差值的绝对值小于0.1eV。
根据本发明的一个方面,第二发光层的厚度为10nm~50nm。
根据本发明的一个方面,第二发光层的量子效率为0.8~1。
根据本发明的一个方面,第二发光层为近红外发光层,近红外发光层用于发出近红外光。
根据本发明的一个方面,近红外发光层元的材料为具有吸收可见光作用的近红外发光材料,近红外发光层用于对各第一发光单元的侧向的光线进行吸收。
根据本发明的一个方面,多个第一发光单元中包括红色第一发光单元、绿色第一发光单元和蓝色第一发光单元;第二发光层包括多个近红外发光单元,多个近红外发光单元中包括对红色第一发光单元的光线吸收的第一近红外发光单元、对绿色第一发光单元发出的光线吸收的第二近红外发光单元以及对蓝色第一发光单元的光线吸收的第三近红外发光单元,其中,第一近红外发光单元、第二近红外发光单元、第三近红外发光单元分别靠近其对应的第一发光单元设置。
根据本发明的一个方面,第一功能层包括第一载流子的注入层、第一载流子的传输层和第二载流子的阻挡层中的至少一者,第二功能层包括第二载流子的注入层、第二载流子的传输层和第一载流子的阻挡层中的至少一者,其中,第一载流子、第二载流子中的一者为空穴,另一者为电子。
第二方面,本发明提供一种显示装置,包括上述任一实施例的显示面板。
本发明实施例中,将第二发光层对应像素定义层设置于相邻的子像素之间,在像素电路驱动相应的子像素发光时,载流子在第一功能层内横向移动,当移动至第二发光层下方时,载流子在第二发光层内发生复合释放出非可见光,能够避免载流子向邻近的其他子像素移动而导致其他子像素发光,而导致混色,影响显示效果的问题,并且,由于第二发光层发出的为非可见光,因此,不会对显示面板的显示效果造成影响。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例提供的显示面板的俯视结构示意图;
图2是本发明一种实施例提供的显示面板在图1中的A-A剖视图;
图3是本发明一实施例提供的显示面板的透视图;
图4是本发明另一实施例提供的显示面板的透视图;
图5是本发明另一实施例提供的显示面板在图1中的A-A剖视图;
图6是本发明又一实施例提供的显示面板在图1中的A-A剖视图;
图7是本发明再一实施例提供的显示面板在图1中的A-A剖视图;
图8是本发明又一实施例提供的显示面板的透视图;
图9是本发明再一实施例提供的显示面板的透视图。
图中:
100-显示面板;10-阵列基板;20-像素定义层;30-子像素;31-第一电极层;311-第一电极;32-第一功能层;321-空穴注入层;322-空穴传输层;33-第一发光层;331-第一发光单元;34-第二功能层;341-空穴阻挡层;342-电子传输层;343-电子注入层;35-第二电极层;40-第二发光层;41-第一近红外发光单元;42-第二近红外发光单元;43-第三近红外发光单元。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例,为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及具体实施例,对本发明进行进一步详细描述。应理解,此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明,并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说,本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
应当理解,在描述部件的结构时,当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时,可以指直接位于另一层、另一个区域上面,或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且,如果将部件翻转,该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
下面结合图1至图9对本发明实施例的显示面板及显示装置进行详细描述。为了清楚的示出与本发明相关的结构,图中对一些公知的结构进行了隐藏或透明绘制。
请参阅图1所示,图1本发明一实施例提供的显示面板的俯视结构示意图,显示面板100具有阵列排布的多个子像素30。
图2是本发明一种实施例提供的显示面板在图1中的A-A剖视图。显示面板100包括层叠设置的阵列基板10、第一电极层31、像素定义层20、第一功能层32、第一发光层33、第二发光层40和第二电极层35。
阵列基板10包括衬底以及位于衬底上的器件层。衬底可以采用玻璃、聚酰亚胺(Polyimide,PI)等制成。器件层可以包括用于驱动各子像素30显示的像素电路。
第一电极层31设置于阵列基板10上,第一电极层31包括阵列排布的多个第一电极311。像素定义层20设置于第一电极层31背离阵列基板10的一侧,像素定义层20具有多个像素开口,像素开口与第一电极311一一对应设置。像素定义层20限定出显示面板100的发光区域也即子像素30的位置,位于像素开口区域的结构用于实现显示面板100的显示功能。第一功能层32覆盖像素定义层20以及像素开口。第一发光层33设置于第一功能层32背离阵列基板10的一侧,第一发光层33包括多个第一发光单元331,第一发光单元331位于对应的像素开口中。第二电极层35设置于第一发光层33背离阵列基板10的一侧。每个第一电极311与对应的像素定义层20的像素开口内的第一发光单元331以及对应的第一功能层32、第二电极层35形成一个子像素30,每个子像素30可以与阵列基板10的像素电路连接,使得像素电路驱动对应的子像素30显示。为了简化制备工艺,第一功能层32与第二电极层35均为公共层,利用common mask对相应的材料进行蒸镀形成。
第一电极层31、第二电极层35其中一个为阳极层、另一个为阴极层。本实施例中,以第一电极层31为阳极层,第二电极层35为阴极层为例进行说明。
本文中,“功能层”是指子像素30中与载流子相关的功能层,包括但不限于是实现载流子注入、载流子传输、或阻挡载流子等功能的层结构。
第二发光层40设置于第一功能层32与第二电极35之间,第二发光层40在像素定义层20上的正投影至少部分位于像素定义层20上,第二发光层40能够发出非可见光。显示面板100的部分子像素30在对应的第一电极311和第二电极层35加载相应的电信号,驱动该部分子像素30发光显示时,部分载流子在第一功能层32上横向(平行于显示面板的方向)移动至部分第二发光层40下方,横向移动的载流子可以在第二发光层内复合,可以使该部分第二发光层发出非可见光。本文中所说的非可见光是与可见光相对的,通常可见光的波长范围为380nm~780nm,因此,本文中的非可见光是指波长范围未在380nm~780nm范围之内,也即,波长小于380nm或波长大于780nm的光。
根据本发明实施例的显示面板,将第二发光层40对应像素定义层20设置于相邻的子像素30之间,在像素电路驱动相应的子像素30发光时,载流子在第一功能层32内横向移动,当移动至第二发光层40下方时,载流子在第二发光层40内发生复合释放出非可见光,能够避免载流子向邻近的其他子像素30移动而导致其他子像素30发光,而导致混色,影响显示效果的问题,并且,由于第二发光层40发出的为非可见光,因此,不会对显示面板100的显示效果造成影响。
在一些可选的实施例中,第二发光层40在像素定义层20上的正投影位于像素定义层20上,也即第二发光层40的面积小于或等于像素定义层20的面积。请参阅图3和图4所示,图3是本发明一实施例提供的显示面板的透视图,图4是本发明另一实施例提供的显示面板的透视图。第二发光层40具有多个镂空区域,镂空区域对应各子像素30设置,且第二发光层40的镂空区域的面积大于或等于各子像素30的面积,以防止第二发光层40对子像素30遮挡而影响出光面积。
在一些可选的实施例中,第二发光层40的能隙差小于第一发光单元331的能隙差。第二发光层40的能隙差小于第一发光单元331的能隙差,第二发光层40的能隙差较小,容易吸收第一发光单元331的光,从而避免了混色,提高显示效果。
本文中的能隙差是指第一发光单元331或第二发光层40的最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular Orbital,HOMO)和最低未占分子轨道(Lowest UnoccupiedMolecular Orbital,LUMO)之间的差值。
在一些可选的实施例中,请参阅图5所示,图5是本发明另一实施例提供的显示面板在图1中的A-A剖视图。显示面板100还包括第二功能层34,第二功能层34位于第一发光层33和第二电极层35之间。第二发光层40的HOMO、LOMO与第一功能层、第二功能层的HOMO和LOMO相匹配。能够保证横向的载流子在第二发光层40内复合,以非可见光的形式释放。
在一些可选的实施例中,第一功能层32包括第一载流子的注入层、第一载流子的传输层和第二载流子的阻挡层中的至少一者。第二功能层34包括第二载流子的注入层、第二载流子的传输层和第一载流子的阻挡层中的至少一者。其中,第一载流子、第二载流子中的一者为空穴,另一者为电子。
例如,请参阅图6所示,图6是本发明又一实施例提供的显示面板在图1中的A-A剖视图。第一功能层32包括依次层叠设置空穴注入层(Hole Injecting Layer,HIL)321、空穴传输层(Hole Transporting Layer,HTL)322。第二功能层34包括依次层叠设置的空穴阻挡层(Hole Blocking Layer,HBL)341、电子传输层(Electron Transporting Layer,ETL)342、电子注入层(Electron Injecting Layer,EIL)343。则第二发光层40位于空穴传输层322和空穴阻挡层341之间,空穴注入层321和空穴传输层322内的空穴会沿横向传输,部分空穴会在第二发光层40内与电子复合,发出非可见光,以防止空穴沿横向移动至相邻的子像素30,以使相邻子像素30发光造成混色。
本实施例中,第二发光层40位于空穴传输层322与空穴阻挡层341之间,则第二发光层40的HOMO、LUMO分别与空穴传输层322的HOMO、空穴阻挡层341的LUMO相匹配,其注入势垒通常小于0.1eV,也即,第二发光层40的HOMO与空穴传输层322的HOMO的差值的绝对值小于0.1eV,且第二发光层40的LUMO与空穴阻挡层341的LUMO的差值的绝对值小于0.1eV。能够有效地降低空穴传输层322、第二发光层40、空穴阻挡层341之间的注入势垒,提高载流子向第二发光层40的传输效率。
在一些可选的实施例中,第二发光层40的量子效率为0.8~1。第二发光层40具有较高的能量效率,能够将第一功能层32的流向第二发光层40的载流子复合后更有效地以非可见光的形式释放,提高载流子释放效率。
在上述实施例中,第二发光层40的厚度为10nm~50nm,既可以保证载流子可以在第二发光层40内有效的复合,以非可见光的形式释放,又可以避免第二发光层40厚度过大,导致显示面板整体的厚度增大。
在上述实施例中,第二发光层40发出的非可见光可以为任意一种或多种非可见光。
在一些可选的实施例中,第二发光层40发出的非可见光可以为近红外光,近红外光为波长范围在780nm~2526nm的光。相应的,第二发光层40为近红外发光层,本文所说的近红外发光层是指采用能够发出近红外光线的近红外发光材料制备形成的层结构,载流子在近红外发光层内复合可以发出近红外光,近红外光能量小于且最接近红光,能有效吸收可见光,且相比远红外光,近红外材料往往荧光效率更高。对于具体的能够发出近红外光材料的类型本发明不做限制,例如,可以为苯丙(二噻二唑)衍生物、金属铂配合物、金属铱配合物中能够发出近红外光的材料。
在一些可选的实施例中,第二发光层40选用具有吸收可见光作用的近红外发光材料。选用具有光线吸收作用的近红外发光材料,能够对各第一发光单元331侧向的光线进行吸收,避免各相邻的第一发光单元331相互之间的光线串扰,提升显示面板100的显示效果。本实施例中,第二发光层40采用具有光线吸收作用的近红外发光材料,既可以避免第一功能层32中载流子横向传输导致相邻第一发光单元331发光,而导致混色,影响显示效果,还可以防止相邻的第一发光单元331同时发光时光线的串扰,提升显示效果。
进一步的,在一些可选的实施例中,请参阅图7所示,图7是本发明再一实施例提供的显示面板在图1中的A-A剖视图。多个第一发光单元331中包括红色第一发光单元R、绿色第一发光单元G和蓝色第一发光单元B,以实现显示面板的彩色化显示。近红外发光层包括多个近红外发光单元,多个近红外发光单元中包括分别对不同颜色的光线具有较强吸收作用的第一近红外发光单元41、第二近红外发光单元42和第三近红外发光单元42。其中,第一近红外发光单元41靠近红色第一发光单元R的一侧设置,用于对红色光线进行吸收。第二近红外发光单元42靠近绿色第一发光单元G的一侧设置,用于对绿色光线进行吸收。第三近红外发光单元43靠近蓝色第一发光单元B的一侧设置,用于对蓝色光线进行吸收。请参阅图8和图9所示,图8是本发明又一实施例提供的显示面板的透视图,图9是本发明再一实施例提供的显示面板的透视图。本发明实施例的第二发光层40由多个近红外发光单元拼接形成。各第一近红外发光单元41、第二近红外发光单元42和第三近红外发光单元43可以相互连接也可以相互之间具有间隙,对此,本发明不做限制。本实施例中,将不同位置的近红外发光单元选用不同的近红外发光材料,以对不同颜色的光线具有针对的吸收作用,提升光线吸收效率。
上述实施例中,对于第一近红外发光单元41、第二近红外发光单元42和第三近红外发光单元43的材料的类型不做限制,例如:
第一近红外发光单元41例如可以选用以式(1)所示的化合物
Figure BDA0002361309250000091
第二近红外发光单元42可以选用式(2)所示的化合物
Figure BDA0002361309250000092
第三近红外发光单元43可以选用式(3)所示的化合物
Figure BDA0002361309250000093
本发明还提供了一种显示装置,本实施例的装置包括上述任一实施例的显示面板100。由于本发明实施例的显示装置包括上述任一实施例的显示面板100,因此,具有上述实施例的显示面板100的有益效果,在此不再赘述。
依照本发明如上文所述的实施例,这些实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然,根据以上描述,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本发明的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;
第一电极层,设置于所述阵列基板的一侧,所述第一电极层包括阵列排布的多个第一电极;
像素定义层,设置于所述第一电极层背离所述阵列基板的一侧,所述像素定义层具有与所述第一电极一一对应的像素开口;
第一功能层,覆盖所述像素定义层以及所述像素开口;
第一发光层,设置于所述第一功能层背离所述阵列基板的一侧,所述第一发光层包括多个第一发光单元,各所述第一发光单元对应设置于所述像素开口中;
第二电极层,设置于所述第一发光层背离所述阵列基板的一侧;以及
第二发光层,设置于所述第一功能层与所述第二电极之间,第二发光层在所述像素定义层上的正投影至少部分位于所述像素定义层上,沿所述第一功能层移动的载流子能够在所述第二发光层内复合以使所述第二发光层发出非可见光。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二发光层的能隙差小于所述第一发光单元的能隙差。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第二功能层,所述第二功能层位于所述第一发光层与所述第二电极层之间;
所述第二发光层的最高占据分子轨道HOMO、最低未占分子轨道LUMO分别与所述第一功能层、第二功能层的HOMO和LUMO相匹配;
优选的,所述第二发光层的HOMO与所述第一功能层的HOMO的差值的绝对值小于0.1eV,所述第二发光层的LUMO与所述第二功能层的LUMO的差值的绝对值小于0.1eV。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二发光层的厚度为10nm~50nm。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二发光层的量子效率为0.8~1。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二发光层为近红外发光层,所述近红外发光层用于发出近红外光。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述近红外发光层元的材料为具有吸收可见光作用的近红外发光材料,所述近红外发光层用于对各所述第一发光单元的侧向的光线进行吸收。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述多个第一发光单元中包括红色第一发光单元、绿色第一发光单元和蓝色第一发光单元;
所述第二发光层包括多个近红外发光单元,多个所述近红外发光单元中包括对所述红色第一发光单元的光线吸收的第一近红外发光单元、对所述绿色第一发光单元发出的光线吸收的第二近红外发光单元以及对所述蓝色第一发光单元的光线吸收的第三近红外发光单元,
其中,所述第一近红外发光单元、所述第二近红外发光单元、所述第三近红外发光单元分别靠近其对应的第一发光单元设置。
9.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一功能层包括第一载流子的注入层、第一载流子的传输层和第二载流子的阻挡层中的至少一者,所述第二功能层包括第二载流子的注入层、第二载流子的传输层和第一载流子的阻挡层中的至少一者,
其中,所述第一载流子、所述第二载流子中的一者为空穴,另一者为电子。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述的显示面板。
CN202010022496.8A 2020-01-09 2020-01-09 显示面板及显示装置 Active CN111200000B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010022496.8A CN111200000B (zh) 2020-01-09 2020-01-09 显示面板及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010022496.8A CN111200000B (zh) 2020-01-09 2020-01-09 显示面板及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111200000A true CN111200000A (zh) 2020-05-26
CN111200000B CN111200000B (zh) 2022-05-03

Family

ID=70747142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010022496.8A Active CN111200000B (zh) 2020-01-09 2020-01-09 显示面板及显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111200000B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113363301A (zh) * 2021-06-02 2021-09-07 南京昀光科技有限公司 硅基oled显示面板及其制备方法
CN114256432A (zh) * 2021-12-16 2022-03-29 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090284144A1 (en) * 2008-05-16 2009-11-19 Sony Corporation Display unit
CN103579284A (zh) * 2012-08-07 2014-02-12 三星显示有限公司 有机发光显示设备以及制造有机发光显示设备的方法
US20160118449A1 (en) * 2014-10-28 2016-04-28 Japan Display Inc. Display device
CN106206675A (zh) * 2016-09-30 2016-12-07 昆山国显光电有限公司 Oled显示屏及其制造方法
CN106531770A (zh) * 2016-12-23 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN107464833A (zh) * 2017-09-28 2017-12-12 京东方科技集团股份有限公司 叠层oled显示面板及其制造方法、显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090284144A1 (en) * 2008-05-16 2009-11-19 Sony Corporation Display unit
CN103579284A (zh) * 2012-08-07 2014-02-12 三星显示有限公司 有机发光显示设备以及制造有机发光显示设备的方法
US20160118449A1 (en) * 2014-10-28 2016-04-28 Japan Display Inc. Display device
CN106206675A (zh) * 2016-09-30 2016-12-07 昆山国显光电有限公司 Oled显示屏及其制造方法
CN106531770A (zh) * 2016-12-23 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN107464833A (zh) * 2017-09-28 2017-12-12 京东方科技集团股份有限公司 叠层oled显示面板及其制造方法、显示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113363301A (zh) * 2021-06-02 2021-09-07 南京昀光科技有限公司 硅基oled显示面板及其制备方法
CN113363301B (zh) * 2021-06-02 2024-05-17 南京昀光科技有限公司 硅基oled显示面板及其制备方法
CN114256432A (zh) * 2021-12-16 2022-03-29 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN114256432B (zh) * 2021-12-16 2024-02-23 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN111200000B (zh) 2022-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8829542B2 (en) Organic light emitting diode device
KR100821774B1 (ko) 유기 핀-형 발광 다이오드에 대한 구조물 및 이의 제조방법
KR100823511B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR101242630B1 (ko) 백색광 발광 oled 디바이스, 백색광 발광 oled 디스플레이 및 직렬 백색광 발광 oled 디바이스
KR102053443B1 (ko) 유기전계발광소자
JP4408382B2 (ja) 有機発光表示装置
US9293736B2 (en) Organic light emitting element having emission layers and an electron injection layer including fullerene and lithium quinolate
US9076978B2 (en) Organic light emitting diode device
KR20100113081A (ko) 청색 발광층을 갖는 백색 oled
JP2009510696A (ja) Oledデバイスの電極と光学材料のパターニング
EP2747161B1 (en) Organic light emitting diode
US7659543B2 (en) Organic light emitting display and method of fabricating the same
CN111200000B (zh) 显示面板及显示装置
US10355053B2 (en) Organic light-emitting diode, display panel and display device
KR101815247B1 (ko) 전기루미네선스 디바이스
US9634274B2 (en) Monochrome OLED and method for manufacturing the same, and OLED display panel
US11991892B2 (en) Organic electroluminescent devices containing a near-infrared down-conversion layer
KR102009804B1 (ko) 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11374191B2 (en) Organic light emitting diode, display panel and display device
EP3742494B1 (en) Oled display panel with unpatterned emissive stack
JP3555736B2 (ja) 有機電界発光素子
JP5853575B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネル
US20220131100A1 (en) Optoelectronic device including charge generation layer stack

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant