TWI580027B - 有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法 - Google Patents

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Description

有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法
申請案主張於2012年8月7日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2012-0086229號之優先權及效益，其針對有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法的全部內容係於此併入作為參考。
本發明的例示性實施例係有關於有機發光顯示器(OLED)裝置以及製造有機發光顯示裝置之方法。更特別的是，本發明的例示性實施例係有關於包含有以有微細非均勻結構之像素定義層形成之均勻有機發光結構的有機發光顯示裝置，以及製造有機發光顯示裝置的方法。
通常，顯示彩色影像的有機發光顯示裝置可包含安置在基板上的下電極、形成在下電極上的像素定義層、形成在像素定義層與下電極上的有機層、以及位於有機層與像素定義層上的上電極。像素定義層可位於覆蓋底層結構(underlying structure)以及下電極的絕緣層上，而像素定義層定義有機發光顯示裝置之顯示區，且可絕緣鄰近像素之有機層。
在像素定義層定義的顯示區中，根據顏色像素，有機層可包含紅色有機發光層(EL)、綠色有機發光層與藍色有機發光層，而有機層可另外包含電洞注入層(HIL)、電子注入層(EIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)等等。在此，有機發光層可使用有相對低分子量的有機聚合物或有機材料形成。
通常，有機層可用雷射引發熱成像(LITI)製程形成，在該製程 中施體基板之有機傳輸層含有光熱轉變層而有機傳輸層可轉移到有機發光顯示裝置之下電極上。在雷射引發熱成像製程中，施體基板可層疊在像素定義層上，而雷射能量可施加至施體基板致使有機傳輸層可擴展而從施體基板脫離。如此，有機層可形成在像素定義層內且被像素定義層環繞之左邊暴露的下電極之部分，像素定義層係藉由從施體基板分離的有機層之轉移。。然而，在傳統製造有機發光顯示裝置的方法，氣體可容易保持受困在顯示區之兩端部分(即，在下電極之兩個端部分上)。在下電極表面上的剩餘受困氣體可防止有機層形成在下電極上且防止特定地形成在顯示區之端部分上。有機層無法黏合可稱為“邊緣啟開錯誤(edge open failure)”。當邊緣啟開錯誤出現在顯示區中，有機發光顯示裝置之壽命可能會減少，而有機發光顯示裝置顯示的影像之一致性可能會惡化。
例示性實施例提供一種含有微細非均勻結構之像素定義層的有機發光顯示裝置，以改進使用壽命以及加強影像品質。
例示性實施例提供一種製造有機發光顯示裝置的方法。該方法包含形成具有微細非均勻結構的像素定義層，其具有藉由改進裝置之有機發光結構之表面均勻性以增強所顯示之影像品質的效果，從而增加有機發光顯示裝置之使用壽命。
根據例示性實施例，提供一有機發光顯示裝置，包含第一基板、安置在第一基板上的第一電極、安置在第一電極與第一基板上的像素定義層、安置在第一電極上的有機發光結構、安置在有機發光結構與像素定義層上的第二電極、安置在第二電極上的第二基板等等。像素定義層可定義出顯示區與非顯示區。像素定義層可包含位於顯示區與非顯示區中的微細非均勻結構。
在例示性實施例中，每一第一電極與第二電極可包含有反射率之材料與有透光率之材料中的其中一種。例如，第一電極可包含鋁(Al)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、銥(Ir)或其合金等等。第二電極可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鋅(ZnOx)、氧化鎵(GaOx)、氧化錫(SnOx)等等。
在一些例示性實施例中，第一電極可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鋅(ZnOx)、氧化鎵(GaOx)、氧化錫(SnOx)等等。第二電極可包含鋁(Al)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、銥(Ir)或其合金等等。
在例示性實施例中，像素定義層可包含暴露顯示區中之第一電極的開口，而微細非均勻結構可位於形成顯示區的開口之側壁上且亦在非顯示區中之像素定義層上。
在例示性實施例中，微細非均勻結構可包含溝槽與凹槽中的其中一種，而溝槽與凹槽中的其中一種可配置在一預設方向上。
在一些例示性實施例中，微細非均勻結構可包含溝槽、凹槽以及凹痕中的其中一個，其可沿著複數個方向配置。
在一些例示性實施例中，溝槽、凹槽與凹痕中的其中一個可部分地或完全地與另一個相通。
在例示性實施例中，像素定義層可包含有機材料與無機材料中的其中一個。例如，像素定義層可包含苯並環丁烯(BCB)、光阻、苯酚系(phenol-based)的樹脂、聚丙烯系(polyacryl-based)的樹脂、聚醯亞胺系(polyimide-based)的樹脂、丙烯酸系(acryl-based)的樹脂、氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)、碳氧化矽(SiOxCy)，等等。
根據例示性實施例，提供一種製造有機發光顯示裝置的方法。根據該方法，可提供第一基板。第一電極可形成在第一基板上。像素定義層可形成在第一電極上而且在第一基板上定義顯示區與非顯示區。微細非均勻結構可形成在像素定義層內以安置在顯示區與非顯示區。有機發光結構可形成在第一電極上。第二電極可形成在有機發光結構與像素定義層上。第二基板可形成在第二電極上。
在例示性實施例中，含有開關裝置與絕緣層的底層結構可形成在第一基板與第一電極之間。
根據例示性實施例之像素定義層之形成，暴露第一電極的開口可藉由部分地蝕刻像素定義層而形成在顯示區中。微細非均勻結構可形成在顯示區的開口之側壁上以及在非顯示區的像素定義層上。
根據例示性實施例之微細非均勻結構之形成，具有配置在預設方向上之剛毛的滾筒可接觸像素定義層當像素定義層藉由第一基板運送而相對於滾筒平移。
根據例示性實施例之形成微細非均勻結構之另一方法，當第一基板相對於雷射平移時，可使用具有配置在預設方向上之微小孔洞的遮罩讓雷射發射到像素定義層上。
在根據例示性實施例之微細非均勻結構之形成中，當第一基板在第一方向上相對於滾筒平移時，具有配置在一預設方向上之剛毛的滾筒可接觸像素定義層，然後當滾筒可接觸像素定義層第一基板在不同於第一方向的第二方向移動時，滾筒可接觸像素定義層。
在根據例示性實施例之微細非均勻結構之形成中，當在第一方向上移動第一基板時，可使用具有配置在一預設方向上之微小孔洞的遮罩讓雷射可發射到像素定義層上，然後當第一基板沿著不同於第一方向的第二方向移動時，可使用遮罩讓雷射可發射到像素定義層上。
在例示性實施例中，有機發光結構可使用具有有機轉移層的施體基板以雷射引發熱成像製程形成。在將從施體基板轉移有機轉移層至像素定義層中之開口內的第一電極表面的雷射引發熱成像製程期間，在像素定義層之開口的受困空氣或氣體可透過微細非均勻結構排出。
根據例示性實施例，透過含有具在一預設方向或各種方向配置上的複數個溝槽、複數個凹槽或複數個凹痕之微細非均勻結構的像素定義層，有機發光結構可大致上均勻地形成在顯示基板上。因此，含有該有機發光結構的有機發光顯示裝置可確保增加壽命，與亦可改進顯示影像之品質。
10、100、200‧‧‧第一基板
15、105、205‧‧‧第一電極
20、110、210‧‧‧像素定義層
25、125、225‧‧‧微細非均勻結構
50‧‧‧滾筒
55‧‧‧底部
60‧‧‧剛毛
150‧‧‧有機轉移層
155‧‧‧光熱轉變層
160‧‧‧基膜
170‧‧‧施體基板
230‧‧‧有機發光結構
本發明更完整的理解及其許多附隨優點將藉由考量配合其附圖參考下列詳細描述而變得顯而易見，且同時變得更利於理解，其中相似參考符號係代表相同或相似構件其中：第1圖係為根據例示性實施例之含有像素定義層的有機發光顯示裝置之顯示基板的剖面圖； 第2圖係為根據例示性實施例之含有像素定義層的有機發光顯示裝置之顯示基板的部分剖面透視圖；第3圖係為根據例示性實施例之在像素定義層上形成微細非均勻結構之製程的部分剖面透視圖；第4圖係為根據一些例示性實施例之含有像素定義層的有機發光顯示裝置之顯示基板的部分剖面透視圖；第5圖係為繪示根據例示性實施例之施體基板的剖面圖；以及第6圖係根據例示性實施例之製造有機發光顯示裝置的方法的剖面圖。
各種實施例將參閱其中顯示一些實施例之附圖而更完整地描述。 然而，本發明可體現成許多不同形式而不應受限於上述實施例而解釋。相反地，提供此些實施例是為了使本說明書將徹底且完整且將充分傳遞本發明之範疇予本技術領域具有通常知識者。於附圖中，層與部位之尺寸以及相對尺寸係為了清楚說明而誇張呈現。
將瞭解的是當一元件或一層係指在另一元件或另一層「上(on)」、或者「連接(connected to)」或「耦接(coupled to)」另一元件或另一層，其可以是直接在另一元件上、直接連接或直接耦接另一元件或另一層，或者其間可存在中介元件或中介層。相反的，當一元件係指「直接」在另一元件或另一層「上」、或者「直接連接」或「直接耦接」另一元件或另一層時，其間並無存在中介元件或層。於整份說明書中相似之編號係參考相似之元件。當在此所使用，“及/或”之用語包含相關聯的所列項目之一個或更多個之任意結合或所有的結合。
應理解的是，雖然在此可能使用用語第一、第二、第三等等描述各種複數個元件、構件、區域、層及/或部分，但是這些元件、構件、區域、層及/或部分不應被這些用語所限制。這些用語僅用於一元件、一構件、一區域、一層、一部分與另一區域、另一層、或另一部分之間的區別。如此，以下討論的第一元件、第一構件、第一區域、第一層、或第一部分可在未脫離該發明之 教示下改稱為第二元件、第二構件、第二區域、第二層、或第二部分。
空間相關的詞彙，例如「之下(beneath)」、「下方(below)」、「較低(lower)」、「上方(above)」、「上面的(upper)」，以及其他相似詞彙為描述容易而在此可能使用以描述元件或特徵與另一元件或另一特徵的關係如圖式中所繪示。應理解的是，除了圖式中描畫的方位之外，空間相關的詞彙係有意的包含使用或操作中的裝置之不同方位。例如，如果圖式中的裝置翻轉，描述在其他元件或特徵「下方(below)」或「下面(beneath)」的元件將面向其他元件或特徵的「上方(above)」。如此，例示性用語「下方(below)」可包含上方(above)與下方(below)的方向。裝置可為其他方位(例如旋轉90度或其他方位)，而在此使用的空間相關的描述詞也做相對應的解釋。
在此所用之術語係僅為描述特定實施例之目的而不視為對本發明的限制。當在此使用時，除非文中另行明確地表示，否則「一”(a)」、「一(an)」、「此(the)」等單數型式亦旨在包含複數型式。應理解的是，當用語「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」，用於說明書中時，係指明所述特性、整數、步驟、操作、元件及/或構件的存在，但是不排除一個或更多其他特性、整數、步驟、操作、元件、構件及/或及其群組的存在或增添。
在此所述的複數個實施例係參考理想化實施例(與中間結構)之示意性繪圖的剖面圖。就其真正的意義來說，可期待繪圖形式變化，例如製造技術及/或公差之結果。如此，複數個實施例不應受限於在此繪示區域之特定形式來解釋但是包含形式的偏差，例如來自製造的結果。例如，繪示成長方形的植入區，相比於二元性改變，通常在從植入區到非植入區的邊緣上有圓形或彎曲特性及/或植入濃度梯度。同樣地，藉由植入形成的隱埋區可導致在隱埋區與植入發生表面之間的區域有一些植入。如此，圖式中繪示的區域係性質上示意而其形式非有意繪示裝置之區域的實際形狀，且非為限制本發明的範圍。
除非有其他定義，否則在此使用的所有用語(包含技術用語與科學用語)都有相同意義，如同此發明所屬技術領域中的通常知識者可通常理解的意義。應理解的是，例如那些定義在通常使用之字典的用語應該解釋成相關技術領域之上下文中具有意義一致性的意義，且除非有明白地定義否則將不做理想化解釋或過度地正式語意的解釋。
第1圖係為根據例示性實施例之含有像素定義層的有機發光顯示 裝置之顯示基板的剖面圖。第2圖係為根據例示性實施例之含有像素定義層的有機發光顯示裝置之顯示基板的部分剖面透視圖。
請參閱第1圖，根據例示性實施例的有機發光顯示裝置可包含第一基板10、第一電極15、像素定義層20等等。雖然其圖中未繪示，有機發光顯示裝置可包含提供在第一電極15上的有機發光結構、安置在有機發光結構與像素定義層20上的第二電極、以及位於第二電極上的第二基板等等。
第一基板10可包含絕緣基板。例如，第一基板10可包含玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板、金屬氧化物基板等等。在一些例示性實施例中，第一基板10可包含可撓式基板。
雖然其圖中未繪示，開關裝置可提供在第一基板10上。在例示性實施例中，開關裝置可包含薄膜電晶體(TFT)、氧化物半導體等等。當開關裝置包含薄膜電晶體時，第一電極15可電性連接至薄膜電晶體之汲極電極。在此，至少一絕緣層可安置在開關裝置與第一電極15之間。至少一絕緣層可包含有機材料。例如，絕緣層可包含光阻、丙烯酸系(acryl-based)的聚合物、聚醯亞胺系(polyimide-based)的聚合物、聚醯胺系(polyamide-based)的聚合物、矽氧烷系(siloxane-based)的聚合物、酚醛清漆樹脂(novolak resin)、鹼溶性樹脂等等。這些可單獨使用或結合使用。在一些例示性實施例中，絕緣層可使用無機材料形成，例如矽化合物、金屬、金屬氧化物等等。例如，絕緣層可包含氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)、碳氧化矽(SiOxCy)、矽氮化碳(SiCxNy)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鋅(Zn)、鉿(Hf)、誥(Zr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、氧化鋁(AlOx)、氧化鈦(TiOx)、鎂氧化物(MgOx)、氧化鋅(ZrOx)、氧化鉿(HfOx)、氧化鋯(ZrOx)、氧化鈦(TiOx)、氧化鉭(TaOx)等等。這些可單獨使用或結合使用。
請參閱第1圖，第一電極15可安置在第一基板10上，且在兩者之間插入至少一絕緣層。根據有機發光顯示裝置之發光類型，第一電極15可包含具有反射率或透光率的材料。例如，當有機發光顯示裝置為頂發光型類型，第一電極15可包含鋁(Al)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、銥(Ir)、其合金等等。這些可單獨使用或結合使用。第一電極15可具有單層結構或多層結構，其可包含金屬薄膜及/或合金薄膜。同時，當有機發光顯示裝置為底發光型類型，第一電極15可包含透明導電氧化物，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、 氧化鋅(ZnOx)、氧化鎵(GaOx)、氧化錫(SnOx)等等。
請參閱第1圖與第2圖，像素定義層20可安置在第一基板10上以部分地暴露第一電極15。例如像素定義層20可包含苯並環丁烯(BCB)、光阻、苯酚系(phenol-based)的樹脂、聚丙烯系(polyacryl-based)的樹脂、聚醯亞胺系(polyimide-based)的樹脂、丙烯酸系(acrylic-based)的樹脂等等。在一些例示性實施例中，像素定義層20可包含無機材料。例如，像素定義層20可包含氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)、碳氧化矽(SiOxCy)等等。
像素定義層20可定義有機發光顯示裝置之顯示區與非顯示區。 像素定義層20可具有一開口，其係露出第一電極15之一部分。像素定義層20之開口可大致上定義出有機發光顯示裝置之顯示區與非顯示區。例如，具有像素定義層20之開口的顯示面板之一部分可為顯示區，而大致上環繞像素定義層20之開口的顯示面板之另一部分可為非顯示區。依據像素定義層20之合成物而決定，像素定義層20之開口可形成透過乾蝕刻製程或溼蝕刻製程。在用於形成像素定義層20之開口的溼蝕刻製程，可在低於約200℃的溫度下進行蝕刻製程中使用腐蝕劑部分地蝕刻像素定義層20，從而形成部分暴露第一電極15的開口。
像素定義層20之開口可具有相對於第一基板10傾斜一預設角度的側壁，形成底部為中央之第一電極表面的碗型。例如，像素定義層20之開口可具有上寬度大致上大於下寬度，下寬度係在碗型之底部與鄰近第一電極表面。
在例示性實施例中，像素定義層20可包含微細非均勻結構25。 微細非均勻結構25可形成在顯示區中的像素定義層之開口之側壁上，以及非顯示區中的像素定義層20上。如第2圖中所繪示，微細非均勻結構25可包含複數個溝槽或複數個凹槽，其可沿著預設方向延伸。在此情形中，溝槽或凹槽可具有大致上相同的尺寸。另一選擇，溝槽或凹槽可分別地具有不同尺寸。例如，鄰近溝槽或鄰近凹槽可具有大致上相同的寬度與深度，或者可具有不同寬度與不同深度。
第3圖係為根據例示性實施例之在像素定義層上形成微細非均勻結構之製程的部分剖面透視圖。
請參閱第2圖與第3圖，可使用底部55具有配置在預設方向上之 複數個剛毛(bristles)60的滾筒50，以在含有有機材料的像素定義層20上形成微細非均勻結構25。例如，具有像素定義層20的第一基板10可放置在支撐板上(圖中未繪示)，然後當第一基板10相對於滾筒平移時旋轉滾筒50可接觸像素定義層20，致使複數個溝槽或複數個凹槽可形成在像素定義層20上。如此，有沿著預設方向延伸之複數個溝槽或複數個凹槽的微細非均勻結構25可形成在像素定義層20上。在此，藉由調整剛毛60之配置與尺寸，溝槽或凹槽可同步地形成在像素定義層20之開口之側壁上以及像素定義層20之其他部分上。
在一些例示性實施例中，當像素定義層20包含無機材料，透過使用有微小孔洞之遮罩(圖中未繪示)的雷射照射製程，微小孔洞以線性方式配置在一預設方向上，微細非均勻結構25可形成在像素定義層20上。例如，具有微小孔洞的遮罩可放置在像素定義層20上方，然後當第一基板10在垂直預設方向之方向上移動時，雷射可透過遮罩發射在像素定義層20上，致使複數個溝槽(trenches)或複數個凹槽(grooves)可形成在像素定義層20上。在此情形中，遮罩之每一微小孔洞之直徑大致上小於每一溝槽的寬度或每一凹槽的寬度。
在用於在顯示區中的第一電極15上形成有機發光結構(圖中未繪示)的雷射引發熱成像(LITI)製程中，當具有有機轉移層的施體基板(圖中未繪示)可在平行於基板表面之平面的方向上移動時，有機發光結構可形成在第一電極15上，二個基板係安置致使其有附著層疊材料界面的平行表面大致上相對於第一基板10移動的方向。在此情形中，空氣或其他氣體可保持在第一電極15之兩側(例如，像素定義層20之開口之兩側)。當在空氣或其他氣體保持在第一電極15上的條件之下執行雷射引發熱成像(LITI)製程時，有機發光結構可能不會形成在第一電極15之表面之部分之兩側上，其係被暴露在像素定義層的開口內。然而，當如上所述之具有溝槽或凹槽的微細非均勻結構25提供在像素定義層20上時，有機發光結構可均勻地形成在第一電極15上因為剩餘在第一電極15上的空氣或氣體可在雷射引發熱成像(LITI)製程期間從像素定義層20之開口排出。在此，溝槽或凹槽可沿著大致上平行於在雷射引發熱成像(LITI)製程中第一基板10移動或施體基板移動之方向的方向延伸。如此，空氣或剩餘氣體可容易沿著形成在像素定義層中的溝槽或凹槽從像素定義層20之開口排出。其結果是，藉由具有遍及顯示區均勻地形成的有機發光結構，本發明的有機發光顯示裝置結構可呈現改善的影像之品質，與此結構亦可確保更長的裝置壽 命。
雖然不繪示於第1圖中，第二電極可安置在顯示區中第一電極15的有機發光結構上。如上所述，從施體基板之有機轉移層形成的有機發光結構可包含多層結構，其可具有有機發光層(EL)、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等等。根據有機發光顯示裝置之像素，有機發光結構可包含用於產生不同顏色光，例如紅色光(R)、綠色(G)光與藍色光(B)的發光材料。在一些例示性實施例中，有機發光結構可包含用於產生紅色光、綠色光與藍色光的複數個堆疊發光材料，從而發出白色光。
與第一電極15大致相似，根據有機發光顯示裝置之發光類型，第二電極可包含透明材料或反射性材料。例如，當有機發光顯示裝置為頂發光型類型時，第二電極可包含透明導電氧化物，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鋅(ZnOx)、氧化鎵(GaOx)、氧化錫(SnOx)等等。另一選擇，當有機發光顯示裝置係底發光型類型時，第二電極可包含鋁(Al)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、銥(Ir)、其合金等等。這些可單獨使用或結合使用。
安置在第二電極上的第二基板可包含絕緣基板。例如，第二基板可包含玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板、金屬氧化物基板等等。另一選擇，第二基板可包含可撓式基板。
第4圖係為根據一些例示性實施例之含有像素定義層的有機發光顯示裝置之顯示基板的部分剖面透視圖。如同在第4圖中繪示的顯示基板，與第2圖中之顯示基板大致相同的元件之詳細描述將省略。
請參閱第4圖，根據一些例示性實施例之有機發光顯示裝置可包含第一基板100、第一電極105、具有微細非均勻結構125的像素定義層110等等。雖然圖中未繪示，有機發光顯示裝置可另外包含有機發光結構、第二電極、第二基板等等。
根據有機發光顯示裝置之發光類型，第一基板100可包含絕緣基板，而第一電極105可包含具有反射率或透光率的材料。在此，包含開關裝置、接觸件、墊片、導電性圖樣、導電線、絕緣層等等的底層結構(圖中未繪示)可提供在第一基板100與第一電極105之間。
像素定義層110可位於第一基板100與第一電極105上。像素定義層110可定義出有機發光顯示裝置之顯示區與非顯示區。像素定義層110可包含部分地露出第一電極105的開口。微細非均勻結構125可形成在像素定義層110之開口之側壁上以及像素定義層110之其他部分。亦即，微細非均勻結構125可位於顯示區與非顯示區中。
在例示性實施例中，微細非均勻結構125可包含溝槽，凹槽或凹痕(dents)，其任何一個可沿著複數個方向配置。在此，微細非均勻結構125之溝槽、凹槽或凹痕可部分地或完全地與另一個相通。例如，鄰近溝槽，鄰近凹槽或鄰近凹痕可部分地或完全地與另一個相通。
當微細非均勻結構125包含有機材料時，藉由使用含有以線性方式或螺旋線性方式沿著大致彼此平行或大致彼此垂直的複數個方向配置之複數個剛毛的圓柱滾筒，具有配置在各種方向上的溝槽、凹槽或凹痕的微細非均勻結構125可形成在像素定義層110上。在一些例示性實施例中，可藉由重複地執行使用具有配置在預設方向上之剛毛的滾筒的製程，以取得具有在複數個方向上配置的溝槽、凹槽或凹痕的微細非均勻結構125。例如，當在第一方向上移動第一基板100時，可使用滾筒在像素定義層110上形成沿著第一方向延伸的複數個溝槽或複數個凹槽，然後當在第二方向上移動第一基板100時，可使用滾筒在像素定義層110上形成沿著第二方向延伸的複數個溝槽或複數個凹槽。在此，第一方向係大致上不同於第二方向。例如，第一方向可大致上垂直第二方向，或者第一方向可與第二方向形成預設的非垂直角度。如此，具有在各種方向上配置的溝槽、凹槽或凹痕的微細非均勻結構125可提供在像素定義層110上。
同時，當像素定義層110包含無機材料時，透過使用具有在複數個方向上配置的微小孔洞之遮罩的雷射照射製程，微細非均勻結構125可形成在像素定義層110上。例如，具有在各種方向上配置之微小孔洞的遮罩可放置在像素定義層110上方，然後當第一基板100在一預設方向上移動時，雷射可透過遮罩照射到像素定義層110上。如此，具有複數個溝槽、複數個凹槽或複數個凹痕的微細非均勻結構125可形成在像素定義層110上。另外，可重複地執行使用具有在預設方向上配置之複數個微小孔洞之遮罩的雷射照射製程，以形成具有複數個溝槽、複數個凹槽或複數個凹痕的微細非均勻結構125。例如，當在第一方向上移動第一基板100，使用具有在預設方向上配置的複數個微小孔洞的 遮罩的雷射照射製程可在像素定義層110上執行，然後當在第二方向上移動第一基板100時，可再次在像素定義層110上執行雷射照射製程，致使具有在各種方向上配置的溝槽、凹槽或凹痕的微細非均勻結構125可形成在像素定義層110上。
如上所述，像素定義層110可包含微細非均勻結構125，致使因為在像素定義層110之開口上剩餘的空氣或氣體可在藉由使用施體基板的雷射引發熱成像製程在第一電極105上形成有機發光結構時透過微細非均勻結構125排出，有機發光結構可均勻地形成在第一電極105上。因此，有機發光結構顯示裝置可確保改進的使用壽命而且亦可改進顯示影像之品質。
第5圖係為繪示根據例示性實施例之施體基板的剖面圖。
請參閱第5圖，根據例示性實施例的施體基板可包含基膜160、光熱轉變層155、有機轉移層150等等。
基膜160可包含具有預設可撓性與預設強度的材料。例如，基膜160可包含透明聚合物，例如聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚酯(polyester)、聚丙烯(polyacryl)、聚環氧(polyepoxy)、聚乙烯(polyethylene)、聚本乙烯(polystyrene)等等。當基膜160有相對小的厚度，施體基板170之處理可是困難的。進一步，當基膜160有相對地大的厚度時，因為施體基板170之相對高的重量，施體基板170之裝載與傳輸可是困難的。如此，較佳地，基膜160可有約10μm至約500μm之厚度。基膜160可支撐施體基板170之元件。
光熱轉變層155可安置在基膜160上。光熱轉變層155可包含能夠將雷射照射轉換成熱能的光學吸收材料。在例示性實施例中，光熱轉變層155可包含有金屬的薄膜，該金屬包含鋁(Al)、鉬(Mo)、及其氧化物、及其硫化物等等。在此，含有金屬的薄膜可具有約10μm至約500μm之相對小厚度。 在一些例示性實施例中，光熱轉變層155可包含有有機材料的薄膜，而碳黑、石墨及/或紅外線染料可加入該有機材料中。在此，含有有機材料的層可具有約10μm之相對大的厚度。藉由雷射照射到光熱轉變層155上產生的熱能量可改變有機轉移層150與光熱轉變層155之間的黏接強度，如此藉由雷射照射到光熱轉變層155上產生的熱能能以預設圖樣結構傳移有機轉移層150到顯示基板上。
在一些例示性實施例中，緩衝層(圖中未繪示)可另外安置在光熱轉變層155與有機轉移層150之間。例如，緩衝層可有約5μm至約300μm的 厚度。
現請參閱第5圖，有機轉移層150可安置在光熱轉變層155上。 有機發光結構可藉由使用具有有機轉移層150的施體基板170之雷射引發熱成像製程形成在顯示基板上。在例示性實施例中，有機轉移層150可包含有機發光層(EL)、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等等。含有複數個有機層的有機發光結構可從具有多層結構的有機轉移層150形成在顯示基板上。
第6圖係根據例示性實施例之製造有機發光顯示裝置的方法的剖面圖。第6圖繪示製造具有與參考第1圖描述的有機發光顯示裝置大致相同或大致相似的構造的有機發光顯示裝置的方法。藉由在像素定義層210上形成與先前描述形成在像素定義層110上的微細非均勻結構125相似的微細非均勻結構225，亦可取得具有與參考第4圖描述之有機發光顯示裝置大致相同或大致相似的構造的有機發光顯示裝置。
請參閱第6圖，第一電極205可形成在第一基板200上。第一基板200可包含絕緣基板。在例示性實施例中，在形成第一電極205之前，具有開關裝置、絕緣層、接觸件等等的底層結構可形成在第一基板200上。在此情形中，第一電極205可電性接觸開關裝置。當開關裝置包含薄膜電晶體(TFT)時，開關裝置可包含閘極絕緣層、閘極電極、源極電極、汲極電極、半導體圖樣等等。
在例示性實施例中，第一電極205可為提供電洞給有機發光結構230的陽極。依據有機發光顯示裝置之發光類型而決定，第一電極205可為透光電極或反射電極。例如，可使用透明導電性材料、反射性金屬、反射性合金等等形成第一電極205。
像素定義層210可形成在第一基板200與第一電極205上。像素定義層210可使用有機材料或無機材料形成。可部分地蝕刻像素定義層210以形成部分地暴露第一電極205的開口。因穿透像素定義層210開口之形成，像素定義層210可定義出有機發光顯示裝置之顯示區與非顯示區。
在例示性實施例中，如上所述，依據用於形成像素定義層210的材料而決定，可藉由執行使用滾筒或雷射的製程在像素定義層210上形成微細非均勻結構225。微細非均勻結構225可形成在顯示區的開口之側壁上以及在非 顯示區的像素定義層210上。微細非均勻結構225可包含複數個溝槽或複數個凹槽，其任一個可沿著預設方向延伸。另一選擇，微細非均勻結構225可包含複數個溝槽，複數個凹槽或複數個凹痕，其任何一個可沿著各種方向延伸。
現在參閱第6圖，參考第5圖描述的施體基板170可貼合在具有微細非均勻結構225的像素定義層210上。在例示性實施例中，第一基板200可支撐在支撐構件上(圖中未繪示)，然後施體基板170可對準於第一基板200。 然後，可藉由使用合適的製程加壓施體基板170，將施體基板170貼合在像素定義層210上。
如使用第6圖所繪示之箭頭，藉由照射雷射到施體基板170上，施體基板170之有機轉移層150可轉移到第一基板200上被暴露的第一電極205上。在此情形中，雷射可照射到施體基板170對應於第一電極205所在的顯示區的部分上。例如，雷射照射可來自雷射源，例如氙氣(Xe)燈、閃光燈等等。
在雷射引發熱成像製程中，當雷射照射到施體基板170之部分上時，有機轉移層150與第一電極205之間的黏接強度可大致上大於光熱轉變層155附著至有機轉移層150的黏接強度。如此，藉由分離有雷射照射其上的有機轉移層150與光熱轉變層155，有機發光結構230可形成在顯示區中的第一電極205上。在此，有機發光結構230可具有多層結構，其可包含有機發光層(EL)、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等等。進一步，根據有機發光顯示裝置之顏色像素，有機發光顯示裝置230之有機發光層可包含可包含用於產生不同顏色光的發光材料，例如紅色光(R)、綠色光(G)光與藍色光(B)。另一選擇，有機發光結構230之有機發光層可包含用於產生紅色光、綠色光與藍色光之複數個堆疊發光材料，從而發出白色光。
根據例示性實施例，因為包含在像素定義層210上的具有微細非均勻結構225，有機發光結構230可均勻地形成在第一電極205上，在像素定義層210之開口中剩餘的空氣或氣體可在藉由使用施體基板170的雷射引發熱成像製程在第一電極205上發光結構230之形成期間透過微細非均勻結構225排出。 其結果是，有機發光結構顯示裝置可展現出增加之使用壽命與亦可在顯示之影像中顯示改進的品質。
雖然在第6圖中未繪示，第二電極可形成在有機發光結構230與 像素定義層210上，而且第二基板可安置在第二電極上。根據有機發光顯示裝置之發光類型，第二電極可使用反射性金屬、反射性合金、透明導電性材料等等形成。第二基板可包含透明絕緣基板。
根據本發明的例示性實施例，藉由含有微細非均勻結構的像素定義層之技術，有機發光結構可大致上均勻地形成在顯示基板上，致使含有有機發光結構的有機發光顯示裝置可顯示出改進的使用壽命且可提高影像顯示之品質。具有改進的使用壽命與改進的影像品質的有機發光顯示裝置可有利地應用在各種電子設備與電氣設備，例如電視、移動式電話、可攜式顯示裝置、醫療設備等等。
上述內容係说明性質的實施例，而非為受其限制而解釋。雖然已描述幾個實施例，但是熟悉此領域之技術者將輕易體認到在不重大脫離本發明的新穎教示與優點下在實施例中許多修改係為可能。因此，所有修改係視為包含在申請專利範圍所定義的本發明之範圍內。在申請專利範圍中，手段功能條款係有意的涵蓋在此所述執行所述功能的結構而不僅涵蓋結構的同義體且涵蓋等效結構。因此，應理解的是前述內容係各種說明性的實施例且不受所揭露特定實施例限制解釋，而對所揭露之實施例的修改，如同其他實施例，係視為包含在附加申請專利範圍之範圍內。
10‧‧‧第一基板
15‧‧‧第一電極
20‧‧‧像素定義層
25‧‧‧微細非均勻結構

Claims (19)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包含：一第一基板；一第一電極，係位在該第一基板上；一像素定義層，係安置在該第一電極與該第一基板上以定義一顯示區與一非顯示區，該像素定義層包含暴露在該顯示區中之該第一電極的一開口，該像素定義層含有位於該顯示區與該非顯示區的一微細非均勻結構，且該微細非均勻結構包括用以將該開口中的空氣與氣體的至少一種排出的多個路徑；一有機發光結構，係安置在該第一電極上；一第二電極，係安置在該有機發光結構與該像素定義層上；以及一第二基板，係安置在該第二電極上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中每一該第一電極與該第二電極包含具有一反射率的材料與具有一透光率的材料中的其中一種。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極包含選自鋁(Al)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、銥(Ir)與其合金中之至少一種，而該第二電極包含選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鋅(ZnOx)、氧化鎵(GaOx)與氧化錫(SnOx)。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極包含選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鋅(ZnOx)、氧化鎵(GaOx)與氧化錫(SnOx)，而該第二電極包含選自鋁(Al)、銀(Ag)、 鉑(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、銥(Ir)與其合金中之至少一種。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該微細非均勻結構係位於該開口之一側壁上以及在該非顯示區中的該像素定義層上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示裝置，其中該微細非均勻結構包含複數個溝槽與複數個凹槽中的其中一種，而該複數個溝槽與該複數個凹槽中的其中一種係配置在一預設方向上。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示裝置，其中該微細非均勻結構包含複數個溝槽、複數個凹槽與複數個凹痕中的其中一種，該複數個溝槽、該複數個凹槽與該複數個凹痕中的其中一種係配置在複數個方向上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個溝槽、該複數個凹槽與該複數個凹痕中的其中一種係部分地或完全地與另一種相通。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素定義層包含一有機材料與一無機材料中的其中一個。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素定義層包含苯並環丁烯(BCB)、光阻、苯酚系(phenol-based)的樹脂、聚丙烯系(polyacryl-based)的樹脂、聚酰亞胺系(polyimide-based)的樹脂、丙烯酸系(acryl-based)的樹脂、氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)與碳氧化矽(SiOxCy)中的其中一個。
  11. 一種製造一有機發光顯示裝置的方法，包含下列步驟：提供一第一基板；在該第一基板上形成一第一電極； 在該第一電極與該第一基板上形成一像素定義層，該像素定義層係定義一顯示區與一非顯示區；藉由部分地蝕刻該像素定義層而形成暴露在該顯示區中之該第一電極的一開口；在該像素定義層內形成一微細非均勻結構，該微細非均勻結構係安置在該顯示區與該非顯示區中，且該微細非均勻結構包括用以將該開口中的空氣與氣體的至少一種排出的多個路徑；在該第一電極上形成一有機發光結構；在該有機發光結構與該像素定義層上形成一第二電極；以及在該第二電極上形成一第二基板。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，進一步包含在該第一基板與該第一電極之間形成具有一開關裝置與一絕緣層的一底層結構。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該微細非均勻結構係形成在該開口之一側壁上以及在該非顯示區的該像素定義層上。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中形成該微細非均勻結構之步驟包含移動該第一基板時，將具有在一預設方向上配置之複數個剛毛的一滾筒接觸該像素定義層。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中形成該微細非均勻結構之步驟包含當移動該第一基板時，使用具有配置在一預設方向上之複數個微小孔洞的一遮罩，照射一雷射到該像素定義層上。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中形成該微細非均勻結構之步驟進一步包含：在一第一方向上移動該第一基板時，將具有在一預設方向上配置之複數個剛毛的一滾筒接觸該像素定義層；以及 在不同於該第一方向的一第二方向上移動該第一基板時，將該滾筒接觸該像素定義層。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中形成該微細非均勻結構之步驟進一步包含：當在一第一方向上移動該第一基板時，使用具有配置在一預設方向上之複數個微小孔洞的一遮罩，照射一雷射到該像素定義層上；以及在不同於該第一方向的一第二方向上移動該第一基板時，使用該遮罩將該雷射照射到該像素定義層上。
  18. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該有機發光結構係使用具有一有機轉移層的一施體基板以一雷射引發熱成像製程而形成。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中在該像素定義層之該開口中的空氣與氣體的至少一種係在該雷射引發熱成像製程中透過該微細非均勻結構排出。
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