CN108899349B - 显示面板及其制造方法和显示装置 - Google Patents
显示面板及其制造方法和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108899349B CN108899349B CN201810762740.7A CN201810762740A CN108899349B CN 108899349 B CN108899349 B CN 108899349B CN 201810762740 A CN201810762740 A CN 201810762740A CN 108899349 B CN108899349 B CN 108899349B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- bank
- substrate
- electrode
- notch
- display panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000007373 indentation Methods 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 description 48
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- -1 polysiloxanes Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical group CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical group FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
- H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/341—Short-circuit prevention
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
公开了一种显示面板及其制造方法和显示装置。该显示面板包括：基板；位于所述基板上的像素界定层，该像素界定层包括多个开口以及围设在每个开口的隔堤，所述隔堤包括顶面、底面和连接所述顶面和所述底面的至少一个侧面，所述顶面的面积大于所述底面的面积，并且至少一个侧面包括缺口，以及第一电极，位于每个开口的底部并且延伸到所述缺口中，其中相对于所述基板，所述第一电极的高度小于或等于所述缺口的最大高度。由于第一电极的高度小于或等于缺口相对于基板的表面的最大高度，使第一电极无法爬升到隔堤的上部，减少了漏电的风险。
Description
技术领域
本公开实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制造方法和显示装置。
背景技术
在现有有机电致发光器件中，像素界定层通常具有大致梯形的形状，上部宽度比下部宽度小，然而该结构很容易造成墨水爬坡的情况，即阳极的一部分形成在像素界定层的侧壁和上部，导致阳极和阴极之间短路，或者造成漏电的风险，从而影响有机电致发光器件的显示效果。
发明内容
本公开实施例提供了一种显示面板及其制造方法，至少可以解决以上至少一个问题。
本公开第一方面提供了一种显示面板。该显示面板包括：基板；像素界定层，位于所述基板上，该像素界定层包括：多个开口；以及隔堤，围设在所述多个开口的每个开口，所述隔堤包括顶面、底面和连接所述顶面和所述底面的至少一个侧面，所述顶面的面积大于所述底面的面积，并且至少一个侧面包括缺口，以及第一电极，位于每个开口的底部并且延伸到所述缺口中，其中相对于所述基板，所述第一电极的高度小于或等于所述缺口的最大高度。
本公开第二方面提供了一种显示装置，包括前述的显示面板。
本公开第三方面提供了一种显示面板的制造方法，包括：提供基板；在所述基板上形成像素界定层，所述像素界定层包括多个开口和围设每个开口的隔堤，所述隔堤包括顶面、底面和连接所述顶面和所述底面的至少一个侧面，所述顶面的面积大于所述底面的面积，并且所述至少一个侧面包括缺口；以及在所述每个开口的底部形成第一电极，所述第一电极延伸到所述缺口中，其中相对于所述基板，所述第一电极的高度小于或等于所述缺口的最大高度。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1是根据本公开实施例的显示面板的俯视图；
图2是沿图1的I-I线的截面图；
图3是根据本公开实施例的隔堤的立体图；
图4是根据本公开实施例的隔堤的结构示意图；
图5是根据本公开另一实施例的隔堤的结构示意图；
图6是根据本公开再一实施例的隔堤的结构示意图；
图7是根据本公开又一实施例的隔堤的结构示意图；
图8是根据本公开另一实施例的隔堤的结构示意图；
图9是根据本公开再一实施例的隔堤的结构示意图；
图10是根据本公开又一实施例的隔堤的结构示意图；
图11是根据本公开另一实施例的隔堤的结构示意图；
图12是根据本公开再一实施例的隔堤的结构示意图；
图13是根据本公开实施例的显示面板的制造方法中制造像素界定层的流程图；
图14(a)至图14(f)是根据本公开实施例的显示面板的制造方法的各步骤中基板的结构示意图；
图15(a)至图15(c)是根据本公开另一实施例的显示面板的制造方法的各步骤中基板的结构示意图；
图16是根据本公开实施例的显示面板的俯视图；
图17是沿图16的II-II线的截面图；
图18是根据本公开另一实施例的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。
本公开实施例的显示面板可以应用到有机电致发光显示装置或无机电致发光显示装置中。为便于理解，本公开以显示面板应用到有机电致发光显示装置为例进行详细说明。
本公开实施例提供一种显示面板。参见图1至图2，显示面板包括：基板100；位于基板100上的像素界定层200，该像素界定层200包括：多个开口220和隔堤240，隔堤240围设在多个开口220的每个开口，隔堤240包括顶面242、底面244和连接顶面242和底面244的至少一个侧面246(例如，图1中的隔堤包括四个侧面246)，顶面242的面积大于底面244的面积，并且每个侧面246包括缺口260(图2中虚线框所示)；该显示面板还包括第一电极400，位于每个开口220的底部并且延伸到缺口260中，其中相对于基板100的表面，第一电极400的高度T小于或等于缺口260的最大高度Hmax。
需要说明的是，在本公开的所有实施例中，“第一电极的高度”以及“缺口的高度”均相对于基板的表面测量。例如，“第一电极的高度”指从第一电极的顶面到基板表面之间的距离。“第一电极的顶面”可以理解为“第一电极的上表面”，然而，当第一电极的上表面没有处于同一水平面内时，“第一电极的顶面”指距离基板最远的上表面。“缺口的高度”指从缺口的顶壁到基板表面之间的距离。“缺口的顶壁”指缺口的距离基板最远的壁面。当从缺口的顶壁到基板表面之间的距离为固定值时，缺口的最大高度等于缺口的高度；当从缺口的顶壁到基板表面之间的距离为可变值，缺口的最大高度等于上述距离的最大值。例如，如图3所示，缺口260的顶壁262到基板100表面的距离为固定值H，那么缺口260的高度则为H，该高度也可以看做缺口的最大高度Hmax，即H＝Hmax。在本申请所有实施例中，缺口260并不局限于图2和图3所示的形状，因为，设置有缺口的至少一个侧面可以具有非平面形状，例如斜面、曲面或阶梯型面，相应的，缺口260的顶壁262到基板100之间的距离可以是变化的。因此，“缺口的最大高度”表示缺口260的顶壁262到基板100之间的最大距离。
上述显示面板中，第一电极例如为有机电致发光显示面板中的阳极，由于阳极的高度小于或等于缺口相对于基板的表面的最大高度，即阳极的高度不高于缺口相对于基板的最大高度，使阳极无法爬升到隔堤的上部，减少了漏电的风险，避免了与后续在隔堤上部附近形成的第二电极(例如为有机电致发光显示面板中的阴极)之间的短路，提高了显示面板的显示效果。
至少一些实施例中，如图1至图3所示，每个开口220包括多个侧面，例如由四个侧面246围设而成，可以通过例如切削、刻蚀、光刻等加工方法去掉隔堤240的一部分，这样，每个侧面246上形成一缺口260，四个缺口260彼此连通，环绕在第一电极400的四周。缺口260的存在导致在隔堤的侧面周界上形成一断面，每个侧面246不再是一个连续且平坦的表面，由于容纳在缺口260中的第一电极400位于该断面之下，第一电极400无法向隔堤240的上部240a爬升。“断面”可以理解为平行于基板且经过缺口的顶壁距离基板最大处的平面，该断面把隔堤分为上部和下部。例如，如图3所示，断面以虚线示出，该断面将隔堤240分为上部240a和下部240b。
至少一些实施例中，如图2和图3所示，隔堤240包括靠近基板100的上部240a和远离基板的下部240b，缺口260设置在隔堤240靠近基板100的下部240b中，即，下部240b的侧面向内凹，在隔堤240和基板100之间产生一空隙，该空隙为缺口260，而远离基板100的上部240a中没有缺口260。在垂直于基板100的平面中，缺口260的截面形状为近似长方形，缺口260的顶壁262与基板100的表面彼此大致平行，缺口260的最大高度Hmax等于缺口260的顶壁262上任一点到基板100的表面的垂直距离H。缺口260形成在隔堤的下部240b中，降低了后续制作隔堤的难度。例如，当分开制作上部240a和下部240b时，缺口的形状可以通过构图化下部240b时直接形成，即在形成下部240b的同时形成缺口，由此简化制作工艺，降低制作成本。
至少一些实施例中，缺口可以被第一电极部分或全部填充。例如，如图2所示，第一电极400填满整个缺口260。例如，第一电极400与缺口260的顶壁262和侧壁264均彼此接触，缺口260中几乎没有空隙。例如，第一电极400的顶面与缺口260的顶壁262近似可以看做彼此共面，因此，相对于基板100，第一电极400的高度T等于该缺口260的最大距离Hmax，即T＝Hmax。把第一电极全部填充在缺口260中，能够使第一电极最大程度地延伸到缺口中，避免多余的电极材料向隔堤的上部240a爬升，降低漏电风险。
至少一些实施例中，如图4所示，第一电极400填充部分缺口260，即第一电极400没有填满整个缺口260，例如，第一电极400的顶面与缺口260的顶壁262之间还留有一些未被填充的空隙。相对于基板100，第一电极400的高度T小于缺口260的最大高度Hmax，即T<Hmax。虽然电极400没有填满整个缺口260，但是第一电极延伸到缺口之中，同样避免了向隔堤的上部240a爬升，降低漏电风险。
至少一些实施例中，第一电极包括延伸到缺口中的延伸部，该延伸部的长度与隔堤的最大宽度之比大于或等于1/3。例如，如图4所示，第一电极400包括延伸到缺口260中的延伸部402。延伸部402指第一电极400位于缺口260中的部分，因此，第一电极位于缺口260之外的部分不属于延伸部402所定义的范畴。如图3所示，假设隔堤240沿着第一方向z延伸，那么在垂直于z方向的xy平面内，延伸部402的长度为L，隔堤240的最大宽度为Wmax，延伸部402的长度L与隔堤240的最大宽度Wmax之比大于或等于1/3。第一电极400往隔堤240中延伸得越长，越不易使第一电极400向隔堤240的上部240a爬升，因此，上述比例大于或等于1/4，优选为大于或等于1/3。优选地，隔堤的下部240b顶面的宽度与下部240b的底面的宽度之比为小于或等于1/3。如图4所示，隔堤的最大宽度指隔堤上部240a的最大宽度。例如，延伸部402的长度L大约为10微米。
至少一些实施例中，设置有缺口的至少一个侧面的形状可以包含多种，例如为非平面形状。该非平面形状包括规则形状和不规则形状，例如，该非平面形状包括但不限于相对于基板倾斜的斜面、曲面或阶梯形面等等。
示例性的，如图6所示，形成缺口260a的隔堤的侧面为相对于基板的倾斜面248a，该倾斜面248a与基板表面之间的夹角θ大于0度且小于或等于90度，例如，该θ夹角大于30度且小于60度。与图2至图5不同的是，图6中缺口260的顶壁(即倾斜面248a)到基板100表面的距离是可变的，并且该距离从内到外逐渐增大，因此，缺口260相对于基板100的最大高度Hmax是从缺口260a的最外顶边缘266a到基板100之间距离。第一电极400可以填满或部分填满缺口260a，相应的，第一电极400的高度T等于或小于缺口260a的最大高度Hmax。例如，如图6所示，第一电极400填充缺口260a的一部分，因此，相对于基板，第一电极400的高度T小于缺口260a的最大高度Hmax。
示例性的，如图7所示，形成缺口260b的隔堤的侧面为曲面(或称弧面)248b，该曲面248b。缺口260b的顶壁(即曲面248b)到基板100表面的距离也是可变的，此时，缺口260b相对于基板100的最大高度Hmax是从缺口260的最外顶边缘266b到基板之间距离。第一电极400可以填满或部分填满缺口260b，相应的，第一电极400的高度T等于或小于缺口260b的最大高度Hmax。如图7所示，第一电极400填充缺口260a的一部分，因此，相对于基板，第一电极400的高度T小于缺口260a的最大高度Hmax。
示例性的，形成缺口的隔堤的侧面为阶梯面，该阶梯面可以具有一个(如图2至5所示)、两个或更多个台阶。如图8至图10所示，形成缺口260c的隔堤的侧面具有三个台阶A、B、C。因此，在三个台阶处，缺口260c的顶壁(即阶梯面248c)到基板100表面的距离彼此不同，分别是H3>H2>H1，此时，缺口260c相对于基板100的最大高度Hmax＝H3。第一电极400可以填满或部分填满缺口260c，相应的，第一电极400的高度T等于或小于缺口260c的最大高度Hmax。如图8所示，第一电极400填满整个缺口260c，即填充到缺口260a的第三个台阶C处，因此，相对于基板，第一电极400的高度T等于缺口260a的最大高度Hmax，即T＝Hmax＝H3。如图9所示，第一电极400填充到缺口260a的第二个台阶B处，因此，相对于基板，第一电极400的高度T小于缺口260a的最大高度Hmax，即T<Hmax且T＝H2。如图10所示，第一电极400填充到缺口260a的第一个台阶A处，因此，相对于基板，第一电极400的高度T小于缺口260a的最大高度Hmax，即T<Hmax且T＝H1。
示例性的，如图11所示，形成缺口260d的隔堤的侧面具有不规则形状。缺口260d的顶壁248d是斜面和竖直面的组合，第一电极400可以填满或部分填满缺口260d，相应的，第一电极400的高度T等于或小于缺口260d的最大高度Hmax。
至少一些实施例中，在垂直于隔堤的延伸方向上的平面，隔堤上部的截面形状为正梯形(即上窄下宽)、倒梯形(即上宽下窄)或矩形，类似地，隔堤下部的截面形状为正梯形、倒梯形或长方形，上部和下部的形状可以彼此相同，也可以彼此不同。例如，图2至图5所示，隔堤的上部240a和下部240b具有相同的正梯形形状。如图12所示，隔堤的上部240a和下部240b具有相同的矩形形状。可以理解的是，本领域技术人员可以根据实际需要选择合适的隔堤的上、下部的截面形状。
至少一些实施例中，隔堤的上部和下部可以是一体成型，也可以是分体成型。例如，先通过构图工艺形成由同一材料隔堤的上部和下部，然后在下部通过刻蚀等方式形成缺口。至少一些实施例中，隔堤通常采用有机绝缘材料(例如，丙烯酸类树脂)或者无机绝缘材料(例如，氮化硅SiNx或者氧化硅SiOx)形成。再例如，先利用一种材料形成隔堤的下部，然后再利用另一种材料形成隔堤的上部。例如，为了避免不同颜色的像素区域的混色问题，隔堤240的上部240a可以形成为疏液性，对有机电致发光材料的溶液具有排斥性，而下部240b形成为亲液性，对有机电致发光材料的溶液具有吸引性。采用上部和下部具有不同浸润性的像素分隔体，当有机电致发光材料落在具有疏液性的上部时，二者之间的排斥作用会使得液滴状有机电致发光材料容易朝向基板方向自动滑落回对应颜色的像素区域内，而不会流到相邻其他颜色的像素区域内。由此避免了相邻不同颜色的像素区域的有机发光材料混色的问题。
示例性的，隔堤240的上部240a可以由疏液性材料形成，而其下部240b可以由亲液性材料形成。示例性地，由于亲液性和疏液性是相对于有机电致发光材料来定义的，因此，无论有机电致发光材料为疏液性材料还是亲液性材料，隔堤240的上部240a均由表面能小于有机电致发光材料的材料形成，而隔堤240的下部240b则由表面能大于有机电致发光材料的材料形成，例如，当形成有机电致发光层的墨水的溶剂为乙二醇乙醚时，隔堤240的上部240a的形成材料可以包括聚硅氧烷类、氟碳氢类等，隔堤240的下部240b的形成材料可以包括聚酰胺类聚合物、环氧树脂等。示例性地，隔堤240还可以由上下异性双功能像素分隔材料，例如，旭硝子双功能像素分隔材料制成，利用上下异性双功能像素分隔材料形成的隔堤240上部240a具有疏液性而下部240b具有亲液性。例如，由旭硝子双功能像素分隔材料形成的隔堤的上部为氟树脂，下部为聚酰亚胺树脂。由于氟树脂密度小，又不溶于溶剂，在旋涂工艺及真空干燥过程中氟树脂会逐渐上升到薄膜的表面。通过曝光、显影等工艺得到图案化的像素界定层，之后再通过后烘工艺，使薄膜彻底固化，从而形成上部为疏液性下部为亲液性的隔堤。
至少一些实施例中，隔堤的上部240a和下部240b彼此相接，并且在彼此相接的交界面(即前述的断面)中，上部240a的底面面积大于下部240b的顶面面积。进一步地，下部240b的顶面在基板100上的正投影位于上部240a的底面在基板100上的正投影中。然而，本申请对上部240a的顶面和底面之间的大小关系，以及下部240b的顶面和底面之间的大小关系不做任何限定。例如，图12示出隔堤的上部240a的顶面面积等于其底面面积，并且下部240b的顶面面积等于其底面面积。
至少一些实施例中，显示面板还包括位于第一电极之上的有机功能层和第二电极。示例性的，第二电极形成在整个基板上，覆盖每个开口，因此第二电极位于缺口的最大高度之上。
示例性的，再参考图5，显示面板还包括位于第一电极400之上的有机功能层600和第二电极800，第二电极800位于与第一电极相同的开口中且第二电极800位于缺口260的最大高度之上。隔堤240的位于缺口260之上的部分240a环绕在第二电极800周围。如图5所示，有机功能层600的一部分设置在该未被第一电极400填充的空隙中，然后在有机功能层600上设置第二电极800。虽然第一电极400没有填满整个缺口260，但是由于有机功能层600的存在，第一电极400仍然无法爬升到隔堤的上部246b，避免了与设置在隔堤上部240a附近的第二电极800之间的短路，提高了有机电致发光显示面板的显示效果。可以理解的是，如果未填充的空隙足够大，也可以将全部有机功能层全部填充在该空隙中，即缺口被第一电极和有机功能层二者填满。至少一些实施例中，第一电极和第二电极可以采用同一材料，适于制作电极的材料例如包括金属或合金材料、导电的高分子材料以及透明导电材料。在本公开实施例中，第一电极和第二电极均采用诸如聚噻吩、聚苯胺等导电高分子材料，或者采用诸如纳米Ag墨水等金属纳米颗粒墨水，或者采用诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)等透明导电材料。至少一些实施例中，有机功能层包括发光层、电子注入层、电子传输层、空穴注入层和空穴传输层。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括前面任一实施例的显示面板。该显示装置例如为有机电致发光显示装置或无机电致发光显示装置。
上述显示装置中，由于第一电极的高度小于或等于缺口相对于基板的表面的最大高度，使第一电极无法爬升到隔堤的上部，减少了漏电的风险，避免了与后续在隔堤上部附近形成的第二电极之间的短路，提高了显示装置的显示效果。
如前所述，至少一些实施例中，有机电致发光显示装置(OLED)中设置有第一电极(例如阳极)、有机功能层和第二电极(例如阴极)，阳极或阴极用于驱动有机发光材料发光以进行显示操作。
至少一些实施例中，无机电致发光显示装置为量子点发光显示装置(QLED)，例如QLED包括第一电极(例如阳极)、量子点发光层和第二电极(例如阴极)，阳极或阴极用于驱动量子点发光层发光以进行显示操作。
无论是在OLED还是QLED中，至少一些实施例中，当阳极的材料为透明或半透明导电材料时，阴极的材料可以为反射性金属，则为底部发光型显示装置；当阴极的材料为透明或半透明导电材料时，阳极可以为反射性金属，则为顶部发光型显示装置。当阳极及阴极均为透明或半透明时，则为双面发光型显示装置。
本公开实施例还提供一种显示面板的制造方法，包括：提供基板100；在基板100上形成像素界定层200，像素界定层200包括多个开口220和围设每个开口220的隔堤240，隔堤240包括顶面242、底面244和连接顶面和底面的至少一个侧面，顶面242的面积大于底面244的面积，并且每个侧面246包括缺口260；显示面板还包括第一电极400，位于每个开口220的底部并且延伸到缺口260中，其中相对于基板100的表面，第一电极400的高度T小于或等于缺口260的最大高度Hmax。
上述显示面板的制造方法中，第一电极例如为有机电致发光显示面板中的阳极，由于阳极的高度小于或等于缺口相对于基板的表面的最大高度，即阳极的高度不高于缺口相对于基板的最大高度，使阳极无法爬升到隔堤的上部，减少了漏电的风险，避免了与后续在隔堤上部附近形成的第二电极(例如为有机电致发光显示面板中的阴极)之间的短路，提高了显示面板的显示效果。
本公开实施例中，隔堤的结构、材料、形状和尺寸，以及缺口的形状和尺寸可以参考前面实施例中的相关描述，此处不再赘述。
至少一些实施例中，如图13和14(a)至14(f)所示，在基板上形成像素界定层包括：
S101，在基板上形成隔堤的靠近基板的下部，缺口形成在隔堤的下部中。
例如，在基板上形成隔堤的下部和位于其上的光刻胶。例如，如图14(a)所示，在玻璃基板100上依次形成第一材料层300和光刻胶302，第一材料层300例如采用无机亲液材料；然后，采用掩模板对光刻胶302进行曝光和显影，形成光刻胶保留区域和去除区域；接着，刻蚀掉与光刻胶去除区域对应的第一材料层300，从而形成隔堤的下部240b和剩余的光刻胶302，如图14(b)所示。
S102，在基板上形成牺牲层，其中牺牲层位于隔堤的下部的附近并且与隔堤的下部彼此接触。
例如，如图14(c)所示，在形成有隔堤240a和光刻胶302的基板上形成薄膜304；然后利用掩模板306刻蚀薄膜304，其中掩模板306包括透光区T2和遮光区T1，遮光区T1对应要形成牺牲层的位置，通过刻蚀去掉薄膜304的与透光区T2对应的部分，从而形成位于隔堤下部240b附近的牺牲层500，如图14(d)所示。示例性的，牺牲层500的厚度与隔堤的下部240b的厚度相等，以使牺牲层500的顶面与隔堤的下部240b的顶面彼此共面。例如，该用于形成牺牲层500的薄膜304可以是金属或合金材料，例如铝或钼。
S103，在牺牲层和隔堤的下部上形成隔堤的远离基板的上部，缺口为隔堤与基板之间的空隙。
例如，在图14(d)所示的基板上依次形成第二材料层和光刻胶，然后，利用掩模板对光刻胶进行刻蚀，去除掉与光刻胶去除区域对应的部分第二材料层，去除剩余的光刻胶，从而在下部240b和牺牲层500上形成隔堤的上部240a，如图14(e)所示。
例如，隔堤的第一材料层为亲液性的，隔堤的第二材料层为疏液性的。例如，第一材料层由无机亲液材料形成，包括但不限于二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。例如，第二材料层为有机疏液层，包括但不限于含氟聚甲基丙烯酸甲酯，含氟聚酰亚胺等。有机疏液层的厚度一般是0.5-3微米，优选0.5-1.5微米，过低墨水容易溢流，过高墨水攀爬严重，不利于成膜。
S104，去除牺牲层。
例如，利用化学方法(例如溶液法腐蚀)去除掉牺牲层500，得到包含上部240a和下部240b的隔堤，由此形成像素界定层，如图14(f)所示。
至少一些实施例中，牺牲层还可以用水溶性材料，例如光刻胶形成。在此情况下，上述制造方法可以得到简化。
例如，该显示面板的制造方法包括：
S201，按前述工艺制作如图14(b)所示的基板后，去除掉剩余的光刻胶302，即基板上仅保留隔堤的下部240b，如图15(a)所示；
S202，利用光刻胶材料在整个基板上制作牺牲层500’，使其顶面与隔堤的下部240b的顶面共面，如图15(b)所示；
S203，在牺牲层500’和下部240b上制作第二材料层，图案化该第二材料层，形成隔堤的上部240a，如图15(c)所示；
S204，利用显影工艺去除掉牺牲层500’，最终得到与图14(f)所示相同的基板。
至少一些实施例中，第一电极利用喷墨打印方法形成。相比于常规的溶液法和真空蒸镀的制作方法，喷墨打印方法具有高材料利用率、低成本的优势，而且本申请实施例中隔堤的结构设计有利于阳极墨水的铺展，并能减少漏电的风险。例如，通过喷墨打印机将所需要的墨水喷墨打印到像素区内，然后真空干燥去除有机溶剂，真空度一般是控制在小于10pa，最后在高温下去除溶剂，例如温度是高于100℃。
至少一些实施例中，在基板上形成像素界定层包括：
S301：在基板上形成限定多个开口的围堰结构。
例如，在基板100上形成一薄膜，该薄膜例如采用适于用作像素界定层的材料，然后利用图案化工艺形成围堰结构308，限定了多个开口120，如图16和17所示。
S302：刻蚀围堰结构，以形成包含缺口的隔堤。
例如，通过反应离子刻蚀方法刻蚀围堰结构的靠近基板100的部分，以形成包含缺口260的隔堤240，如图18所示。
至少一些实施例中，上述显示面板的制造方法还包括：在第一电极之上形成有机功能层和第二电极，第二电极位于每个开口中且位于缺口的最大高度之上。如图5所示，在第一电极400之上形成有机功能层600和第二电极800，第二电极800位于与第一电极相同的开口中且第二电极800位于缺口260的最大高度之上。隔堤240的位于缺口260之上的部分240a环绕在第二电极800周围。
在本公开实施例的显示面板及其制造方法和显示装置中，由于第一电极的高度小于或等于缺口相对于基板的表面的最大高度，使第一电极无法爬升到隔堤的上部，减少了漏电的风险，避免了与后续在隔堤上部附近形成的第二电极之间的短路，提高了显示面板的显示效果。
本文中，有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。
(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述仅是本公开的示范性实施方式，而非用于限制本公开的保护范围，本公开的保护范围由所附的权利要求确定。
Claims (10)
1.一种显示面板，包括：
基板；
像素界定层，位于所述基板上，
该像素界定层包括：
多个开口；以及
隔堤，围设在所述多个开口的每个开口，所述隔堤包括顶面、底面和连接所述顶面和所述底面的至少一个侧面，所述顶面的面积大于所述底面的面积，并且所述至少一个侧面包括缺口，形成所述缺口的所述至少一个侧面具有多个台阶，以及
第一电极，位于每个开口的底部并且延伸到所述缺口中，其中相对于所述基板，所述第一电极的高度小于或等于所述缺口的最大高度，
其中，所述隔堤的顶面的宽度最大，所述隔堤的底面的宽度最小，并且在多个所述台阶处，所述缺口的顶壁到所述基板的表面的距离沿朝向所述基板的方向依次减小。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述隔堤包括多个侧面，每个侧面包括缺口，多个缺口彼此连通，环绕在所述第一电极的四周。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述隔堤包括靠近所述基板的第一部分和远离所述基板的第二部分，所述缺口设置在所述隔堤的第一部分中，所述缺口为形成在所述隔堤与所述基板之间的空隙。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述缺口被所述第一电极部分填充或全部填充。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述第一电极包括延伸到所述缺口中的延伸部，所述延伸部的长度与所述隔堤的最大宽度之比大于或等于1/3。
6.一种显示装置，包括权利要求1至5任一项所述的显示面板。
7.一种显示面板的制造方法，包括：
提供基板；
在所述基板上形成像素界定层，所述像素界定层包括多个开口和围设每个开口的隔堤，所述隔堤包括顶面、底面和连接所述顶面和所述底面的至少一个侧面，所述顶面的面积大于所述底面的面积，并且所述至少一个侧面包括缺口，形成所述缺口的所述至少一个侧面具有多个台阶；以及
利用喷墨打印方法在所述每个开口的底部形成第一电极，所述第一电极延伸到所述缺口中，其中相对于所述基板，所述第一电极的高度小于或等于所述缺口的最大高度，
其中，所述隔堤的顶面的宽度最大，所述隔堤的底面的宽度最小，并且在多个所述台阶处，所述缺口的顶壁到所述基板的表面的距离沿朝向所述基板的方向依次减小，
其中在所述基板上形成像素界定层包括：
在所述基板上形成所述隔堤的靠近所述基板的第一部分，所述缺口形成在所述隔堤的第一部分中；
在所述基板上形成牺牲层，其中所述牺牲层位于所述隔堤的所述第一部分的附近并且与所述第一部分彼此接触；
在所述牺牲层和所述隔堤的所述第一部分上形成所述隔堤的远离所述基板的第二部分，所述缺口为所述隔堤与所述基板之间的空隙；以及
去除所述牺牲层。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其中所述牺牲层的厚度与所述隔堤的所述第一部分的厚度相等，以使所述牺牲层的顶面与所述隔堤的所述第一部分的顶面彼此共面。
9.根据权利要求7所述的制造方法，其中所述牺牲层为水溶性材料。
10.根据权利要求7所述的制造方法，其中在所述基板上形成像素界定层包括：
在所述基板上形成限定所述多个开口的围堰结构；以及
刻蚀所述围堰结构，以形成包含所述缺口的所述隔堤。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810762740.7A CN108899349B (zh) | 2018-07-12 | 2018-07-12 | 显示面板及其制造方法和显示装置 |
| PCT/CN2019/075235 WO2020010847A1 (zh) | 2018-07-12 | 2019-02-15 | 显示面板及其制造方法和显示装置 |
| US16/482,466 US11387298B2 (en) | 2018-07-12 | 2019-02-15 | Display panel, fabrication method thereof, and display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810762740.7A CN108899349B (zh) | 2018-07-12 | 2018-07-12 | 显示面板及其制造方法和显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108899349A CN108899349A (zh) | 2018-11-27 |
| CN108899349B true CN108899349B (zh) | 2021-01-22 |
Family
ID=64348860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810762740.7A Active CN108899349B (zh) | 2018-07-12 | 2018-07-12 | 显示面板及其制造方法和显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11387298B2 (zh) |
| CN (1) | CN108899349B (zh) |
| WO (1) | WO2020010847A1 (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108899349B (zh) * | 2018-07-12 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法和显示装置 |
| JP7257032B2 (ja) * | 2019-02-08 | 2023-04-13 | 株式会社Joled | 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 |
| CN110164948B (zh) * | 2019-06-13 | 2021-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素界定层、制作方法和显示面板 |
| CN110299389B (zh) * | 2019-06-26 | 2021-06-04 | 合肥视涯技术有限公司 | 一种有机发光显示装置 |
| CN211654861U (zh) * | 2019-12-13 | 2020-10-09 | 南京国兆光电科技有限公司 | 有源矩阵式有机发光显示器 |
| CN111370456A (zh) * | 2020-03-19 | 2020-07-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及制程方法 |
| CN111834536B (zh) * | 2020-07-07 | 2022-04-26 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种oled面板及其制备方法 |
| KR20220039941A (ko) * | 2020-09-22 | 2022-03-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN114203890B (zh) * | 2021-12-10 | 2024-01-26 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104393192A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素界定层及其制作方法、显示面板、显示装置 |
| CN107452779A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
| CN107819017A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定结构、显示基板及其制作方法和显示装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060159843A1 (en) | 2005-01-18 | 2006-07-20 | Applied Materials, Inc. | Method of substrate treatment for manufacturing of color filters by inkjet printing systems |
| KR100838086B1 (ko) * | 2007-05-22 | 2008-06-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR100918403B1 (ko) * | 2008-02-12 | 2009-09-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR101974112B1 (ko) * | 2012-08-07 | 2019-05-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| CN103413819B (zh) | 2013-07-22 | 2016-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板、像素界定层及其制作方法 |
| JP6220300B2 (ja) * | 2014-03-20 | 2017-10-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
| KR102484645B1 (ko) * | 2015-12-15 | 2023-01-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN108011050B (zh) * | 2016-11-01 | 2019-11-08 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el显示面板的制造方法及墨干燥装置 |
| KR20180062291A (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 패널 |
| CN106920828B (zh) * | 2017-03-29 | 2019-11-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及制备方法 |
| CN108899349B (zh) | 2018-07-12 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法和显示装置 |
-
2018
- 2018-07-12 CN CN201810762740.7A patent/CN108899349B/zh active Active
-
2019
- 2019-02-15 WO PCT/CN2019/075235 patent/WO2020010847A1/zh active Application Filing
- 2019-02-15 US US16/482,466 patent/US11387298B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104393192A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素界定层及其制作方法、显示面板、显示装置 |
| CN107452779A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
| CN107819017A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定结构、显示基板及其制作方法和显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020010847A1 (zh) | 2020-01-16 |
| US20210359042A1 (en) | 2021-11-18 |
| CN108899349A (zh) | 2018-11-27 |
| US11387298B2 (en) | 2022-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108899349B (zh) | 显示面板及其制造方法和显示装置 | |
| EP3699961B1 (en) | Display device | |
| US9466650B2 (en) | Display panel with pixel defining layer and manufacturing method of pixel defining layer | |
| CN107689390B (zh) | 像素界定层及其制造方法、显示基板、显示面板 | |
| CN107819017B (zh) | 像素界定结构、显示基板及其制作方法和显示装置 | |
| CN108321175B (zh) | 基板及其制造方法、显示装置 | |
| KR101818776B1 (ko) | 표시 패널 장치 및 표시 패널 장치의 제조 방법 | |
| CN109920825B (zh) | 像素界定结构及其制作方法、显示面板及显示装置 | |
| KR20040098006A (ko) | 유기 ｅｌ 디스플레이 | |
| KR102602193B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| CN108630734B (zh) | 像素界定结构及其制备方法以及显示面板和显示装置 | |
| US20190221621A1 (en) | Pixel defining layer, display panel and display device | |
| CN108962936B (zh) | 像素界定结构及其制作方法、显示面板 | |
| US11233115B2 (en) | Display panel and manufacturing method thereof, and display device | |
| CN109728030B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示面板 | |
| US20220336552A1 (en) | Display substrates and methods of manufacturing the same, display panels, and display apparatuses | |
| JP2011181304A (ja) | 有機ｅｌ装置及びその製造方法 | |
| CN112018131B (zh) | 柔性显示面板及其制备方法 | |
| US12022693B2 (en) | Display panel and manufacturing method thereof, display device with improved brightness uniformity | |
| JP6083122B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| CN110649185B (zh) | 显示基板及其喷墨打印方法、显示装置 | |
| CN110085625B (zh) | 顶发射型显示器件及其制作方法 | |
| CN113571668A (zh) | 一种阵列基板、其制备方法及显示装置 | |
| CN114613921B (zh) | 显示面板及移动终端 | |
| CN117460310A (zh) | 显示面板和显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |