CN111834536B - 一种oled面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种OLED面板及其制备方法，OLED面板包括基板；第一挡墙，设于基板的表面，且第一挡墙覆盖导电单元；第一开孔，贯穿第一挡墙，第一开孔对应第一挡墙覆盖的导电单元；第一微纳结构，设于第一开孔的内侧壁以及第一挡墙的外侧表面。本发明的有益效果在于本发明的OLED面板及其制备方法，第一挡墙外表面的第一微纳结构能够提升第一挡墙与像素墨水的接触面积，从而进一步增强第一档墙的亲水性，增加像素墨水的附着力。第二挡墙外表面的第二微纳结构在第二挡墙外表面形成“绒状结构”从而使得像素墨水与第二挡墙之间存在一空气垫层，从而进一步增强第二挡墙的疏水性，提升像素墨水的凝聚力，更好的“束缚”像素墨水的位置。

Description

一种OLED面板及其制备方法

技术领域

本申请涉及OLED领域，具体涉及一种OLED面板及其制备方法。

背景技术

随着OLED技术的发展，除了传统的蒸镀工艺外，使用IJP(喷墨打印)的方法制备OLED面板的高效率和材料的高利用率优势使其成为OLED面板的制造的另一重要方法之一。其中准确的控制打印的膜厚成为了其至关重要的一环，包括液滴控制、打印方式、前处理、墨水特性、干燥工艺、挡墙设计等；在实际开发过程中，单一的疏水挡墙会表现为墨水两边薄中间厚的现象，单一亲水挡墙由于具有较大的表面张力，墨水干燥后会出现两边厚中间薄的技术问题，而为了保证干燥后像素区内墨水的膜厚均匀，我们已经开发出双挡墙的技术。但实际过程中又有如下问题：

1.第一挡墙的亲水性不够，导致墨水没有完全铺展至第二挡墙。

2.如图1所示，随着像素密度的提高，子像素间隔变窄，第二挡墙140由于疏水性不够，在子像素之间的墨水151会出现桥连混色现象。

发明内容

本申请实施例提供一种OLED面板及其制备方法，用以解决现有技术中，由于双挡墙亲水性或疏水性不足，导致像素墨水无法完全铺展或相邻像素墨水出现混色的技术问题。

解决上述技术问题的技术方案是：本发明提供了一种OLED面板，包括基板；若干导电单元，均匀分布于所述基板的一侧表面；若干第一挡墙，设于所述基板的所述表面，且一第一挡墙覆盖一导电单元；若干第一开孔，贯穿所述第一挡墙，每一第一开孔对应该第一挡墙覆盖的导电单元；第一微纳结构，设于所述第一开孔的内侧壁以及所述第一挡墙的外侧表面；像素层，设于所述第一开孔内。

进一步的，还包括若干第二挡墙，设于所述基板的所述表面，且一第二挡墙覆盖一第一挡墙；若干第二开孔，贯穿所述第二挡墙，且第二开孔对应该第二挡墙覆盖的第一开孔；第二微纳结构，设于所述第二开孔内侧壁以及第二挡墙的外侧表面。

进一步的，所述微纳结构为纳米级氧化锌或纳米氧化硅材料。

进一步的，所述第一开孔在所述基板上的投影完全落于所述第二开孔在所述基板上的投影内。

本发明还提供了一种OLED面板的制备方法，包括如下步骤：提供一基板；在所述基板上制备若干导电单元；在每一导电单元上制备一层第一挡墙材料，第一挡墙材料覆盖所述导电单元且延伸至所述基板上，固化后，形成第一挡墙，且所述第一挡墙外表面设有第一微纳结构；在所述第一挡墙上开设第一开孔，所述第一开孔对应该第一挡墙覆盖的导电单元，所述第一开孔内侧壁设有所述第一微纳结构；在所述第一开孔内制备像素层。

进一步的，在所述第一挡墙上开设第一开孔步骤后，还包括以下步骤：在所述第一挡墙上制备一层第二挡墙材料，所述第二挡墙材料覆盖所述第一挡墙且填充所述第一开孔，固化后，形成第二挡墙，所述第二挡墙外表面设有第二微纳结构；在所述第二挡墙上第二开孔，其中，所述第二开孔对应该第二挡墙填充的第一开孔，所述第二开孔内侧壁设有所述第二微纳结构；刻蚀所述第一开孔内的第二挡墙材料。

进一步的，所述第一挡墙材料的制备步骤如下：提供亲水性材料，在所述亲水性材料中添加纳米氧化硅颗粒，进行6-8小时磁力搅拌后得到所述第一挡墙材料。

进一步的，所述纳米氧化硅颗粒与所亲水性材料的质量比为0.2:1～0.02:1。

进一步的，所述第二挡墙材料的制备步骤如下：提供疏水性材料，在所述疏水性材料中添加纳米氧化硅颗粒，进行6-8小时磁力搅拌后得到所述第二挡墙材料。

进一步的，所述像素层的具体制备步骤如下：在所述第一开孔和所述第二开孔内滴入像素墨水，干燥固化后，所述像素墨水在所述第一开孔内形成所述像素层。

本发明的有益效果在于：本发明的OLED面板及其制备方法，第一挡墙采用亲水性挡墙，第一挡墙外表面的第一微纳结构能够提升第一挡墙与像素墨水的接触面积，从而进一步增强第一挡墙的亲水性，达到超亲水的效果，增加像素墨水的附着力。第二挡墙为疏水性挡墙，第二挡墙外表面的第二微纳结构在第二挡墙外表面形成“绒状结构”从而使得像素墨水与第二挡墙之间存在一空气垫层，从而进一步增强第二挡墙的疏水性，达到超疏水的效果，从而提升像素墨水的凝聚力，更好的“束缚”像素墨水的位置。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1是背景技术中的OLED面板半成品结构示意图。

图2是实施例中的OLED面板半成品结构示意图。

图3是实施例中像素墨水与第二挡墙接触示意图。

图4是实施例中像素墨水与第一挡墙接触示意图。

图5是实施例中第一挡墙示意图。

图6是实施例中第一开孔示意图。

图7是实施例中第二挡墙示意图。

图8是实施例中第二开孔示意图。

图9是实施例中OLED面板结构示意图。

图中标号

基板110； 导电单元120；

第一挡墙130； 第二挡墙140；

像素层150； 第一开孔131；

第一微纳结构132； 第二开孔141；

第二微纳结构142； 像素墨水151。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

实施例

如图2和图9所示，本实施例中，本发明的OLED面板包括基板110、导电单元120、第一挡墙130、第二挡墙140以及像素层150；

基板110为TFT阵列基板，其上设有若干电路结构，用于传递电信号，以及承接各膜层。

导电单元120设于基板110的一侧表面，其中，基板110上分布有若干导电单元120，导电单元120能够电性连接基板110上的电路结构，使得导电单元120的整个表面充满电信号，能够提升设于导电层120上表面。

本实施例中，像素层150需要设于导电单元120的上表面，但一般像素层150的制备为喷墨打印，即通过墨水干燥固化后方可形成像素层150，为了更好的约束像素层150的形状，业界通常在导电单元120上制备挡墙结构，并在导电单元对应位置开孔，从而形成承接像素墨水151的“容器”。

具体的，本实施例中，每一第一挡墙130覆盖一导电单元120，且第一挡墙130延伸至该导电单元120边侧的基板110表面上，为了承接像素墨水151，第一挡墙130对应导电单元120处开设有第一开孔131，使得部分导电单元130裸露于第一开孔131内。

第一挡墙130的材料为亲水性材料，亲水性材料含有极性基团的分子，对水或液体具有较大的亲和能力，能够很好的吸附像素墨水151，使其能够填充满第一开孔131，且贴附第一开孔131内壁。

为了增强第一挡墙130的亲水效果，本实施例中，在亲水性材料中添加纳米氧化锌颗粒，如图4所示，在形成第一挡墙130时，纳米氧化锌颗粒会浮于第一挡墙130的表面，在第一挡墙130表面形成第一微纳结构132，第一微纳结构132在第一挡墙130的外表面形成“绒毛状”，通过增大于像素墨水151的接触面积，从而增强第一挡墙130的亲水效果。

特别的，由于纳米氧化锌颗粒是混合于第一挡墙130材料内部，在第一挡墙130开设第一开孔131后，纳米氧化锌颗粒同时也会浮于第一开孔131的内侧壁上，即第一开孔131的内侧壁也设有第一微纳结构132，便于后续像素墨水151于第一微纳结构132接触。

具体的，第一微纳结构132的形状为若干纳米柱或纳米针状结构，相邻纳米柱或纳米针状结构之间具有细微间隙，用以增大与像素墨水151的接触面积。

第二挡墙140设于第一挡墙130上，且覆盖第一挡墙130并部分延伸至基板110的表面。

第二挡墙140为疏水性材料，能够有效抑制液体的延展，本实施例中，在第二挡墙140对应第一开孔131处开设有第二开孔141，其中，第二开孔141的开口大于第一开孔131的开孔，便于在第一开孔131和第二开孔141中制备像素墨水151，第二挡墙140的疏水性能够有效“聚集”于第二开孔141和第一开孔131内，防止像素墨水151溢出。

为了增强第二挡墙140的疏水性，本实施例中，在疏水性材料中添加纳米氧化锌颗粒，如图3所示，在形成第二挡墙140时，纳米氧化锌颗粒会浮于第二挡墙140的表面，在第二挡墙140表面形成第二微纳结构142，第二微纳结构142在第二挡墙140的外表面形成“荷叶表面的绒毛状结构”，由于第二挡墙142具有疏水性特点，在像素墨水151接触第二挡墙142时，会使得像素墨水151与第二挡墙142表面之间存在一空气垫层，从而增强第二挡墙140的疏水性。

特别的，由于纳米氧化锌颗粒是混合于第二挡墙140材料内部，在第二挡墙140开设第二开孔141后，纳米氧化锌颗粒同时也会浮于第二开孔141的内侧壁上，即第二开孔141的内侧壁也设有第二微纳结构142，便于后续像素墨水151于第二微纳结构142接触。

具体的，第二微纳结构142的形状为若干纳米柱或纳米针状结构，相邻纳米柱或纳米针状结构之间具有细微间隙，用以承接像素墨水151。

为了更好的解释本发明，本实施例还提供一种OLED面板的制备方法，其具体步骤包括：

提供一基板，所述基板为TFT阵列基板，其上设有若干电路元件，用以传递电信号。

在所述基板上制备若干导电单元，每一导电单元对应并电性连接所述基板上的电路元件。

如图5所示，在每一导电单元上制备一层第一挡墙材料，第一挡墙材料覆盖所述导电单元且延伸至所述基板上，固化后，形成第一挡墙，且所述第一挡墙外表面设有第一微纳结构。

其中第一挡墙材料的制备步骤如下：

提供亲水性材料，在所述亲水性材料中添加纳米氧化锌颗粒形成混合溶液，所述纳米氧化锌颗粒与所亲水性材料的质量比为0.2:1～0.02:1，在本发明的其他优选实施例中，纳米氧化锌颗粒可以用纳米氧化硅颗粒或其他非导电纳米颗粒替代，将混合溶液进行6-8小时磁力搅拌后得到所述第一挡墙材料。

如图6所示，在所述第一挡墙上开设第一开孔，所述第一开孔对应该第一挡墙覆盖的导电单元，所述第一开孔内侧壁设有所述第一微纳结构。

如图7所示，在所述第一挡墙上制备一层第二挡墙材料，所述第二挡墙材料覆盖所述第一挡墙且填充所述第一开孔，固化后形成第二挡墙，所述第二挡墙外表面设有第二微纳结构。

其中，所述第二挡墙材料的制备步骤如下：

提供疏水性材料，在所述疏水性材料中添加纳米氧化锌颗粒形成混合溶液，所述纳米氧化锌颗粒与所亲水性材料的质量比为0.2:1～0.02:1，在本发明的其他优选实施例中，纳米氧化锌颗粒可以用纳米氧化硅颗粒或其他非导电纳米颗粒替代，将混合溶液进行6-8小时磁力搅拌后得到所述第二挡墙材料。

如图8所示，在所述第二挡墙上第二开孔，其中，所述第二开孔对应该第二挡墙填充的第一开孔，所述第二开孔内侧壁设有所述第二微纳结构。

刻蚀所述第一开孔内的第二挡墙材料，使得第一开孔对应的导电单元重新裸露于第一开孔。

在第一开孔和第二开孔内滴入像素墨水，所述第一挡墙为亲水性挡墙，所述第一微纳结构能够提升第一挡墙与像素墨水的接触面积，从而增强第一挡墙的亲水性，增加像素墨水的附着力。所述第二挡墙为疏水性挡墙，所述第二微纳结构在第二挡墙外表面形成“绒状结构”从而使得像素墨水与第二挡墙之间存在一空气垫层，增强第二挡墙的疏水性，提升像素墨水的凝聚力，更好的将像素墨水“限制”在第二开孔区域内，所述像素墨水干燥固化后形成像素层，于导电单元电性连接。

本实施例的有益效果在于：本实施例的OLED面板及其制备方法，通过双挡墙结构实现像素墨水的制备，保证像素层能够平整的分布在导电单元上，第一挡墙采用亲水性挡墙，第一挡墙外表面的第一微纳结构能够提升第一挡墙与像素墨水的接触面积，从而增强第一挡墙的亲水性，增加像素墨水的附着力。第二挡墙为疏水性挡墙，第二挡墙外表面的第二微纳结构在第二挡墙外表面形成“绒状结构”从而使得像素墨水与第二挡墙之间存在一空气垫层，增强第二挡墙的疏水性，提升像素墨水的凝聚力，更好的“限制”像素墨水的位置，本实施例的OLED面板的制备方法通过将纳米氧化锌或纳米氧化硅混合至亲水性材料中形成第一挡墙，通过将纳米氧化锌或纳米氧化硅混合至疏水性材料中形成第二挡墙，在干燥后，第一挡墙和第二挡墙外表面会分布有纳米氧化锌或纳米氧化硅，其制备步骤简单，无需增加制备步骤，便于大批量生产。

以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (4)

1.一种OLED面板，其特征在于，包括

基板；

若干导电单元，均匀分布于所述基板的一侧表面；

若干第一挡墙，设于所述基板的所述表面，且一第一挡墙覆盖一导电单元；

若干第一开孔，贯穿所述第一挡墙，每一第一开孔对应该第一挡墙覆盖的导电单元；

第一微纳结构，设于所述第一开孔的内侧壁以及所述第一挡墙的外侧表面；

若干第二挡墙，设于所述基板的所述表面，且一第二挡墙覆盖一第一挡墙；

若干第二开孔，贯穿所述第二挡墙，且第二开孔对应该第二挡墙覆盖的第一开孔；

第二微纳结构，设于所述第二开孔内侧壁以及第二挡墙的外侧表面；以及

像素层，设于所述第一开孔内；

其中所述第一微纳结构及所述第二微纳结构为纳米级氧化锌或纳米氧化硅材料；所述第一微纳结构及所述第二微纳结构的形状为若干纳米柱或纳米针状结构；所述像素层通过在所述第一开孔和所述第二开孔内滴入像素墨水干燥固化后形成，所述第一挡墙为亲水性挡墙以增加与像素墨水的附着力，所述第二微纳结构为疏水性挡墙使得所述像素墨水与所述第二挡墙之间存在一空气垫层，以增加像素墨水的凝聚力。

2.根据权利要求1所述的OLED面板，其特征在于，

所述第一开孔在所述基板上的投影完全落于所述第二开孔在所述基板上的投影内。

3.一种OLED面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一基板；

在所述基板上制备若干导电单元；

在每一导电单元上制备一层第一挡墙材料，第一挡墙材料覆盖所述导电单元且延伸至所述基板上，固化后，形成第一挡墙，且所述第一挡墙外表面设有第一微纳结构；

在所述第一挡墙上开设第一开孔，所述第一开孔对应该第一挡墙覆盖的导电单元，所述第一开孔内侧壁设有所述第一微纳结构；

在所述第一挡墙上制备一层第二挡墙材料，所述第二挡墙材料覆盖所述第一挡墙且填充所述第一开孔，固化后，形成第二挡墙，所述第二挡墙外表面设有第二微纳结构；

在所述第二挡墙上第二开孔，其中，所述第二开孔对应该第二挡墙填充的第一开孔，所述第二开孔内侧壁设有所述第二微纳结构；

刻蚀所述第一开孔内的第二挡墙材料；

在所述第一开孔和所述第二开孔内滴入像素墨水，干燥固化后，所述像素墨水在所述第一开孔内形成所述像素层；

其中，所述第一挡墙材料的制备步骤如下：提供亲水性材料，在所述亲水性材料中添加纳米氧化硅或纳米氧化硅颗粒，进行6-8小时磁力搅拌后得到所述第一挡墙材料；

其中，所述第二挡墙材料的制备步骤如下：提供疏水性材料，在所述疏水性材料中添加纳米氧化硅或纳米氧化硅颗粒，进行6-8小时磁力搅拌后得到所述第二挡墙材料。

4.根据权利要求3所述的OLED面板的制备方法，其特征在于，

所述纳米氧化硅或纳米氧化硅颗粒与所亲水性材料的质量比为0.2:1～0.02:1。

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