CN111463354A - 纳米粒子发光器件的制备方法和装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了纳米粒子发光器件的制备方法以及装置,该方法包括:提供第一电极和第二电极;在第一电极的一侧设置第一传输层;将多个纳米粒子置于第一传输层远离第一电极的一侧,多个纳米粒子的电性相同;向第一电极提供与纳米粒子的电性相异的电信号,并向第二电极提供与纳米粒子的电性相同的电信号,多个纳米粒子在第一电极和第二电极之间形成的电场的作用下,在第一传输层远离第一电极的一侧形成发光层。该方案将两个呈相异电性的电极,作用于位于第一传输层上的多个电性相同的纳米粒子,以在第一传输层上形成发光层,提高了纳米粒子发光器件的制备效率和可靠性。

Description

纳米粒子发光器件的制备方法和装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及显示面板制造技术领域,具体涉及纳米粒子发光器件的制备方法以及用于制备纳米粒子发光器件的装置。
背景技术
QD(Quantum Dots,量子点)因其小尺寸、高亮度、窄发射、发光颜色可调、高稳定等特性,近年来成为了显示面板的发光材料的较佳选择。
然而,QD易受热量和水分影响,无法通过蒸镀制备发光层,只能通过喷墨印刷制程制备发光层,但目前针对QD材料的喷墨印刷制程存在效率低、可靠性低、溶液制程研发困难等制约因素。
综上所述,有必要提供纳米粒子发光器件的制备方法以及用于制备纳米粒子发光器件的装置,以提高纳米粒子发光器件的制备效率和可靠性。
发明内容
本申请实施例提供纳米粒子发光器件的制备方法以及装置,在相对设置的两个呈相异电性的电极之间、或者在同层设置的两个呈相异电性的电极之上,放置多个电性相同的纳米粒子,通过两个电极之间的电场力对纳米粒子的作用,在两个呈相异电性的电极之间、或者在同层设置的两个呈相异电性的电极之上,形成相应的发光层;以解决QD材料因采用喷墨印刷制程造成的效率低、可靠性低的问题。
本申请实施例提供纳米粒子发光器件的制备方法,所述方法包括:
提供第一电极和第二电极;
在所述第一电极的一侧设置第一传输层;
将多个纳米粒子置于所述第一传输层远离所述第一电极的一侧,所述多个纳米粒子的电性相同;
向所述第一电极提供与所述纳米粒子的电性相异的电信号,并向所述第二电极提供与所述纳米粒子的电性相同的电信号,所述多个纳米粒子在所述第一电极和所述第二电极之间形成的电场的作用下,在所述第一传输层远离所述第一电极的一侧形成发光层。
在一实施例中,所述向所述第一电极提供与所述纳米粒子的电性相异的电信号,并向所述第二电极提供与所述纳米粒子的电性相同的电信号,所述多个纳米粒子在所述第一电极和所述第二电极之间形成的电场的作用下,在所述第一传输层远离所述第一电极的一侧形成发光层的步骤之前,还包括:
将所述第一电极和所述第二电极相对设置,用于当所述第一电极和所述第二电极具有电性相异的电信号时,以在所述第一电极和所述第二电极之间形成与所述第一电极垂直的电场。
在一实施例中,所述第一电极包括多个第一子电极,所述第二电极包括多个第二子电极,所述将所述第一电极和所述第二电极相对设置,用于当所述第一电极和所述第二电极具有电性相异的电信号时,在所述第一电极和所述第二电极之间形成与所述第一电极垂直的电场的步骤,包括:
将所述多个第一子电极同层设置,并将所述多个第二子电极与所述多个第一子电极相对设置,所述第一子电极与所述第二子电极一一对应设置。
在一实施例中,所述向所述第一电极提供与所述纳米粒子的电性相异的电信号,并向所述第二电极提供与所述纳米粒子的电性相同的电信号,所述多个纳米粒子在所述第一电极和所述第二电极之间形成的电场的作用下,在所述第一传输层远离所述第一电极的一侧形成发光层的步骤之前,还包括:
将所述第一电极和所述第二电极同层设置,用于当所述第一电极和所述第二电极具有电性相异的电信号时,在所述第一电极和所述第二电极之间形成与所述第一电极平行的电场。
在一实施例中,所述第一电极包括多个第一子电极,所述第二电极包括多个第二子电极,所述将所述第一电极和所述第二电极同层设置,用于当所述第一电极和所述第二电极具有电性相异的电信号时,在所述第一电极和所述第二电极之间形成与所述第一电极平行的电场的步骤,包括:
将所述多个第一子电极和所述多个第二子电极同层设置,并将所述第一子电极与所述第二子电极间隔设置,相邻两所述第一子电极之间至少设置一所述第二子电极。
在一实施例中,所述纳米粒子具有配体,所述配体为胺、有机磷、酸或者巯醇中的一种。
在一实施例中,所述第一传输层的组成材料为氧化锌、氧化镁锌、氧化锡、硫化锌、氧化亚镍或三氧化钨。
在一实施例中,所述在所述第一电极的一侧设置第一传输层的步骤,包括:
在所述第一电极的一侧设置支撑框,所述支撑框具有中空区域;
在所述支撑框的中空区域中设置第一传输层。
本申请实施例还提供纳米粒子发光器件的制备装置,用于实现如上任一所述的纳米粒子发光器件的制备方法,用于制备所述纳米粒子发光器件的多个纳米粒子的电性相同,所述纳米粒子发光器件的制备装置包括:
第一电极,所述第一电极的电性与所述多个纳米粒子的电性相异;
第一传输层,所述第一传输层设于所述第一电极的一侧,所述第一传输层远离所述第一电极的一侧用于放置所述多个纳米粒子;
第二电极,所述第二电极的电性与所述多个纳米粒子的电性相同,所述多个纳米粒子在所述第一电极和所述第二电极之间形成的电场的作用下,在所述第一传输层远离所述第一电极的一侧形成发光层。
在一实施例中,所述第一传输层的组成材料为氧化锌、氧化镁锌、氧化锡、硫化锌、氧化亚镍或三氧化钨。
本申请实施例提供的纳米粒子发光器件的制备方法以及装置,该方法包括:提供第一电极和第二电极;在第一电极的一侧设置第一传输层;将多个纳米粒子置于第一传输层远离第一电极的一侧,多个纳米粒子的电性相同;向第一电极提供与纳米粒子的电性相异的电信号,并向第二电极提供与纳米粒子的电性相同的电信号,多个纳米粒子在第一电极和第二电极之间形成的电场的作用下,在第一传输层远离第一电极的一侧形成发光层。该方案通过将两个呈相异电性的电极作用于位于第一传输层上的多个电性相同的纳米粒子,以在第一传输层上形成对应的发光层,避免通过喷墨印刷制程来制作纳米发光器件,可以提高纳米粒子发光器件的制备效率和可靠性。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的纳米粒子发光器件的制备方法的流程图。
图2为本申请实施例提供的第一种纳米粒子发光器件的制备方法的场景示意图。
图3为本申请实施例提供的第二种纳米粒子发光器件的制备方法的场景示意图。
图4为本申请实施例提供的第三种纳米粒子发光器件的制备方法的场景示意图。
图5为本申请实施例提供的第四种纳米粒子发光器件的制备方法的场景示意图。
图6为本申请实施例提供的第五种纳米粒子发光器件的制备方法的场景示意图。
图7为本申请实施例提供的一种纳米粒子发光器件的制备装置的截面示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、连续地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“远离”、“靠近”、“上”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。在本文中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是,本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。本申请实施例提供一种纳米粒子分离方法,所述方法包括但不限于以下实施例。
在一实施例中,所述纳米粒子发光器件的制备方法包括如图1所示的步骤。
S10,提供第一电极和第二电极。
其中,所述第一电极和/或所述第二电极的组成材料包括氧化铟锡或者金属材料,其中,所述金属材料可以为金、铂或者其它金属材料。进一步的,所述第一电极和所述第二电极的组成材料可以相同,以保证所述第一电极和所述第二电极材料的一致性,使得所述第一电极和所述第二电极具有相同的物理和化学特性。
S20,在所述第一电极上的一侧设置第一传输层。
在一实施例中,所述第一传输层的组成材料为氧化锌、氧化镁锌、氧化锡、硫化锌、氧化亚镍或三氧化钨。当所述第一传输层的组成材料为上述材料时,可以避免对所述第一电极和所述第二电极的电学特性造成影响,具体的,所述第一传输层不会对所述第一电极和所述第二电极之间的电场造成干扰。
在一实施例中,所述步骤S20可以包括如下步骤。
S201,在所述第一电极的一侧设置支撑框,所述支撑框具有中空区域。
其中,所述支撑框的组成材料可以为绝缘材料,以免对所述第一电极和所述第二电极的电学特性造成影响。
具体的,如图2所示,所述第一电极01可以包括边缘区域和被所述边缘区域包围的中间区域,所述边缘区域的外边缘和所述第一电极01的外边缘重合,可以理解的,从第一电极01的外边缘向中间延伸一预设距离可以形成所述边缘区域。进一步的,所述支撑框10可以设置在所述第一电极01的边缘区域,以形成一封闭的框体。
S202,在所述支撑框的中空区域中设置第一传输层。
具体的,如图2所示,所述第一传输层02被所述支撑框10包围,并且所述支撑框10的厚度可以大于所述第一传输层02的厚度,以保证在制作过程中所述第一传输层02可以完全设于所述第一电极01的中间区域,避免所述第一传输层02在制作时原料溢出所述支撑框10以造成污染。
S30,将多个纳米粒子置于所述第一传输层远离所述第一电极的一侧,所述多个纳米粒子的电性相同。
在一实施例中,所述纳米粒子可以为量子点纳米材料、金属纳米材料、金属氧化物纳米材料或者有机-无机复合纳米材料中的至少一种材料的粒子。
特别的,当所述纳米粒子为所述量子点纳米材料的粒子时,所述纳米粒子可以包括发光核、无机保护壳层。其中,所述发光核可以由绿光材料或者红光材料组成,所述绿光材料可以为ZnCdSe2、InP、Cd2SSe中的至少一种,所述红光材料可以为CdSe,Cd2SeTe,InAs中的至少一种;所述无机保护壳层可以包括CdS、ZnSe、ZnCdS2、ZnS、ZnO中的至少一种。或者,所述所述纳米粒子也可以为高稳定性复合量子点的粒子或者钙钛矿量子点的粒子,其中,所述高稳定性复合量子点可以为水凝胶装载量子点结构或者CdSe-SiO2。
特别的,所述纳米粒子的表面的包含配体,所述配体带有不同的定性,使得对应的纳米粒子呈现不同的电性。对于量子点纳米材料的粒子而言,当所述纳米粒子的配体包括酸或者巯醇中的至少一种时,所述纳米粒子呈负电性;当所述纳米粒子的配体包括胺或者有机磷中中的至少一种时,所述纳米粒子呈正电性。
在其他一些实施例中,所述纳米粒子可以为所述金属纳米材料的粒子,所述金属纳米材料可以包括金、银、铜或者合金中的至少一种;所述纳米粒子还可以为所述金属氧化物纳米材料的粒子,所述金属氧化物纳米材料可以包括氧化锌、氧化锡、氧化钛或者其他金属氧化物中的至少一种;所述纳米粒子还可以为所述有机-无机复合纳米材料的粒子,所述有机-无机复合纳米材料中可以包括表面活性剂和/或偶联剂,所述表面活性剂和/或偶联剂的吸附作用可以将有机材料吸附于无机材料上。进一步的,所述金属纳米材料可以呈现为贵金属纳米粒子的形式,所述金属氧化物纳米材料、所述有机-无机复合纳米材料可以呈现为胶体纳米片、胶体纳米棒或者其它的形式。具体的,所述金属纳米材料、所述金属氧化物纳米材料、所述有机-无机复合纳米材料中的纳米粒子的表面也具有有机配体,使得所述纳米粒子呈现正电性或者负电性。
进一步的,如图2所示,可以将包含所述多个纳米粒子的量子点纳米材料分散于无色透明的有机试剂或者无色透明的无机试剂中以形成对应的量子点溶液03,再将所述量子点溶液03滴落在所述第一传输层02远离所述第一电极01的一侧。可以理解的,由于所述量子点溶液03呈溶液或者胶体状态,所述多个纳米粒子可以均匀分布于所述量子点溶液03中,有利于所述多个纳米粒子运动。需要注意的,所述支撑框10的上表面可以高于所述量子点溶液03的上表面,避免所述量子点溶液03溢出所述支撑框10以造成污染。
S40,向所述第一电极提供与所述纳米粒子的电性相异的电信号,并向所述第二电极提供与所述纳米粒子的电性相同的电信号,所述多个纳米粒子在所述第一电极和所述第二电极之间形成的电场的作用下,在所述第一传输层远离所述第一电极的一侧形成发光层。
需要注意的,如图2所示,所述支撑框10的上表面可以高于所述发光层06的上表面,避免所述发光层06在制作时原料溢出所述支撑框10以造成污染。
在一实施例中,所述步骤S40之前,可以包括以下步骤。
S01,将所述第一电极和所述第二电极相对设置,用于当所述第一电极和所述第二电极具有电性相异的电信号时,在所述第一电极和所述第二电极之间形成与所述第一电极垂直的电场。
可以理解的,如图2所示,由于第一电极01和所述第二电极04相对设置,当所述第一电极01和所述第二电极04具有电性相异的电信号,在所述第一电极01和所述第二电极04之间形成与所述第一电极01垂直的电场05。例如,当所述纳米粒子呈正电性时,可以向所述第一电极01提供低电压信号,并向所述第二电极02提供高电压信号,所述高电压信号大于所述低电压信号,这样,所述第一电极01和所述第二电极04之间形成电场05,所述电场05的方向由所述第二电极04指向所述第一电极01。因此,呈正电性的所述多个纳米粒子在所述电场05的作用下,受到竖直向下的电场力,可以向所述第一电极01紧靠,以在所述第一传输层02远离所述第一电极01的一侧形成发光层06。
可以理解的,如图2所示,所述第一电极01和所述第二电极04均可以为一整面连续的膜层;进一步的,所述第一电极01和所述第二电极04的尺寸和厚度可以一致,以保持两者的均匀性和一致性;再进一步的,所述第一电极01和所述第二电极04在竖直方向的投影可以重合,使得所述第一电极01的各个区域和所述第二电极04的各个区域在竖直方向可以一一对应。这样,在所述第一传输层02远离所述第一电极01的一侧的整个表面上均被所述纳米粒子覆盖,形成了一整面连续的发光层06。
在一实施例中,在步骤S01相对应的实施例中,在所述步骤S40之后,可以包括以下步骤。
S02,移除所述第二电极,并在所述发光层远离所述第一传输层的一侧形成第二传输层。
可以理解的,如图2所示,由于所述第二电极04设置在所述发光层06上,移除所述第二电极04后,可以在所述发光层06远离所述第一传输层02的一侧形成第二传输层07,所述第二传输层07的材料和功能可以和所述第一传输层02的材料和功能相对应。例如,当所述第一传输层02的本质为分别空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层时,所述第二传输层07的本质对应为电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层;当然,所述第一传输层02的本质为空穴注入层、空穴传输层或者电子阻挡层任一项时,所述第二传输层07的本质也可以为电子注入层、电子传输层或者空穴阻挡层任一项。所述第一传输层02和所述第二传输层07的组成材料和制作工艺可以根据其本质进行相应的选择。可以理解的,所述第一传输层02、所述发光层06和所述第二传输层07共同构成一所述纳米粒子发光器件,进一步的,所述第一电极01可以保留在所述第一传输层02的一侧,作为所述纳米粒子发光器件的阳极使用。再进一步的,还可以在所述第二传输层07上制作所述发光层06的阴极。
在一实施例中,如图3所示,所述第一电极包括多个第一子电极011,所述第二电极包括多个第二子电极041,所述步骤S01可以包括以下步骤。
S011,将所述多个第一子电极同层设置,并将所述多个第二子电极与所述多个第一子电极相对设置,所述第一子电极与所述第二子电极一一对应设置。
具体的,如图3所示,所述多个第一子电极011可以设置在第一基板08上,所述第二子电极041可以设置在第二基板09上,其中,所述第一基板08和所述第二基板09的组成材料均为绝缘材料,以免对所述第一子电极011和所述第二子电极041的电学特性造成影响。具体的,可以先在所述第一基板08上形成所述多个第一子电极011,以及在所述第二基板09上形成所述多个第二子电极041,再将所述第一基板08与所述第二基板09相对设置,使得所述多个第一子电极011和所述多个第二子电极041相对设置。同理,所述第一子电极011和对应的第二子电极041的尺寸可以相等,所述多个第一子电极011和所述多个第二子电极041的厚度均相等,以保持两者的均匀性和一致性。
具体的,如图3所示,所述多个第一子电极011可以相互平行设置,任意相邻两所述第一子电极011之间的距离可以相等或者不相等,所述多个第二子电极041也相互平行设置,并且所述多个第二子电极041的布局和所述多个第一子电极011的布局一致,使得所述第一子电极011和所述第二子电极041在竖直方向可以一一对应。
同理,如图3所示,每一第一子电极011和所述第二子电极041相对设置,例如,当所述纳米粒子呈正电性时,可以向所述多个第一子电极011提供低电压信号,并向所述多个第二子电极041提供高电压信号,所述高电压信号大于所述低电压信号,这样,每一组所述第一子电极011和对应的第二子电极041之间均形成电场11,每一电场11的方向由所述第二子电极041指向对应的第一电极011。因此,在多组所述第一子电极011和所述第二子电极041之间的电场11的作用下,每一所述第一子电极011上的所述纳米粒子均受到竖直向下的电场力,可以向对应的第一子电极011紧靠,以在所述第一传输层02远离所述第一电极01的一侧上的每一与第一子电极011相对应的区域中形成对应的发光部061,多个所述发光部061构成发光层。
可以理解的,当所述多个第一子电极011排布为其它的图案化的形状时,所述多个第二子电极041也设置为与所述多个第一子电极011相对应的形状,对应的,在所述第一传输层02远离所述第一电极01的一侧上,也会形成与所述多个第一子电极011排布的形状相对应的发光层06。
在一实施例中,在步骤S011相对应的实施例中,在所述步骤S40之后,可以包括以下步骤。
S012,移除所述多个第二子电极,并在所述发光层远离所述第一传输层的一侧形成第二传输层。
其中,如图4所示,关于图4中第二传输层12的相关描述,可以参考上文图2中的所述第二传输层07相关描述。特别的,由于所述发光层包括多个发光部061,且每一所述发光部061可以用于形成一所述纳米粒子发光器件,此处可以在所述多个发光部061远离所述第一传输层02的一侧、以及在所述第一传输层02远离所述多个第一子电极011的一侧均形成所述第二传输层12,以确保每一所述发光部061和位于其上方的第二传输层12、以及位于其下方的第一传输层02均可以构成一所述纳米粒子发光器件。
可以理解的,如图4所示,由于所述多个第一子电极011平行设置,且所述第一传输层02上与每一所述第一子电极011对应的区域均形成了对应的发光部061,因此可以保留所述多个第一子电极011作为所述发光部061的阳极使用。进一步的,还可以在所述第二传输层12上制作一整面连续的电极层作为所述发光层的阴极。
在一实施例中,所述步骤S40之前,可以包括与所述步骤S01并列的以下步骤。
S03,将所述第一电极和所述第二电极同层设置,用于当所述第一电极和所述第二电极具有电性相异的电信号时,在所述第一电极和所述第二电极之间形成与所述第一电极平行的电场。
可以理解的,如图5所示,由于所述第一电极01和所述第二电极04同层设置,当所述第一电极01和所述第二电极04具有电性相异的电信号,在所述第一电极01和所述第二电极04之间形成与所述第一电极01平行的电场15。例如,当所述纳米粒子呈正电性时,若向所述第一电极01提供高电压信号,并向所述第二电极04提供低电压信号,所述高电压信号大于所述低电压信号,这样,所述第一电极01和所述第二电极04之间形成电场15,所述电场15的方向由所述第一电极01指向所述第二电极04。因此,呈正电性的所述多个纳米粒子在所述电场15的作用下,受到水平向右的电场力,可以向所述第二电极04紧靠,以在所述第一传输层02远离所述第一电极01的一侧上与所述第二电极04对应的区域中形成发光层06。
可以理解的,如图5所示,所述第一电极01和所述第二电极04均可以为一整面连续的膜层;进一步的,所述第一电极01和所述第二电极04的尺寸和厚度可以一致,以保持两者的均匀性和一致性。这样,在所述第一传输层02远离所述第一电极01的一侧上与所述第二电极04对应的区域均被所述纳米粒子覆盖,形成了一连续的发光层06。
在一实施例中,在步骤S03相对应的实施例中,在所述步骤S40之后,可以包括以下步骤。
S04,在所述发光层远离所述第一传输层的一侧形成第二传输层。
可以理解的,如图5所示,由于所述第二电极04和所述第一电极01在所述第一传输层02的一侧同层设置,可以在所述发光层06远离所述第一传输层02的一侧形成第二传输层,所述第二传输层与所述发光层06的尺寸一致,所述第二传输层的相关描述可以参考图2中的第二传输层07的相关描述。可以理解的,所述第一传输层02、所述发光层06和所述第二传输层共同构成一所述纳米粒子发光器件,进一步的,所述第二电极04可以保留在所述第一传输层02的一侧,作为所述纳米粒子发光器件的阳极使用。再进一步的,还可以在所述第二传输层上制作所述发光层06的阴极。
在一实施例中,如图6所示,所述第一电极包括多个第一子电极011,所述第二电极包括多个第二子电极041,所述步骤S03可以包括以下步骤。
S031,将所述多个第一子电极011和所述多个第二子电极041同层设置,并将所述第一子电极011与所述第二子电极041间隔设置,相邻两所述第一子电极011之间至少设置一所述第二子电极041。
具体的,如图6所示,所述多个第一子电极011和所述多个第二子电极041可以设置在第三基板13上,其中,所述第三基板13的组成材料为绝缘材料,以免对所述第一子电极011和所述第二子电极041的电学特性造成影响。具体的,可以先在所述第三基板13上形成所述多个第一子电极011和所述多个第二子电极041,使得所述多个第一子电极011和所述第二子电极041同层设置。同理,所述多个第一子电极011和所述多个第二子电极041的厚度均相等,以保持两者的均匀性和一致性。例如,可以在所述第三基板13上涂布一整面的氧化铟锡或者金属材料以形成膜层,再根据需要,将所述膜层划分为所述第一子电极011和所述第二子电极041,进一步的,所述第一电极011和所述第二电极041的尺寸可以相等。
具体的,如图6所示,当所述第一子电极011和所述第二子电极041的尺寸相等时,所述多个第一子电极011和所述多个第二子电极041均可以沿同一方向相互平行设置。进一步的,所述第一子电极011和所述第二子电极041可以间隔设置,例如相邻两所述第一子电极011之间可以设置一所述第二子电极041,使得第一子电极011分别和位于其两侧的第二子电极041之间可以形成电场14,相邻的两所述电场14的大小相等、方向相反。例如,当所述纳米粒子呈正电性时,若向所述第一子电极011提供低电压信号,并向所述第二子电极041提供高电压信号,所述高电压信号大于所述低电压信号,这样,所述第一子电极011和所述第二子电极041之间形成电场14,所述电场14的方向由所述第二子电极041指向所述第一子电极011。因此,呈正电性的所述多个纳米粒子在所述电场14的作用下,受到向右或者向左的电场力,可以向所述多个第一子电极011紧靠,以在所述第一传输层02远离所述第三基板13的一侧上每一与所述第一子电极011对应的区域中均形成发光部062,多个所述发光部062构成发光层。
可以理解的,当所述多个第一子电极011和所述多个第二子电极041同层排布为其它图案时,对应的,在所述第一传输层02远离所述第三基板13的一侧,也会形成与所述多个第一子电极011的形状相对应的发光层。
在一实施例中,在步骤S031相对应的实施例中,在所述步骤S40之后,可以包括以下步骤。
S032,在所述发光层远离所述第一传输层的一侧形成第二传输层。
其中,如图6所示,由于所述多个第一子电极011和所述多个第二子电极011在所述第一传输层02的一侧同层设置,所述第二传输层的相关描述可以参考图2中的第二传输层07的相关描述。可以理解的,如图6所示,由于所述多个第一子电极011平行设置,且所述第一传输层02上与每一所述第一子电极011对应的区域均形成了对应的发光部062,因此可以保留所述多个第一子电极011作为多个所述发光部061的阳极使用。进一步的,还可以在所述第二传输层上制作一整面连续的电极层作为所述发光层的阴极。
本申请实施例还提供一种纳米粒子发光器件的制备装置,用于实现如上任一所述的纳米粒子发光器件的制备方法,用于制备所述纳米粒子发光器件的多个纳米粒子的电性相同,所述纳米粒子发光器件的制备装置包括但不限于以下实施例。
在一实施例中,如图7所示,所述纳米粒子发光器件的制备装置00包括第一电极、第一传输层003和第二电极,所述第一电极包括多个第一子电极006、所述第二电极包括多个第二子电极007。所述第一电极的电性与所述多个纳米粒子的电性相异;所述第一传输层003设于所述第一电极的一侧,所述第一传输层003远离所述第一电极的一侧用于放置所述多个纳米粒子;所述第二电极的电性与所述多个纳米粒子的电性相同,所述多个纳米粒子在所述第一电极和所述第二电极之间形成的电场004的作用下,在所述第一传输层003远离所述第一电极的一侧形成发光层。其中,所述发光层由多个发光部构成,所述发光部构成与所述第一子电极006一一对应。
其中,所述纳米粒子发光器件的制备装置00还可以包括第一基板001和第二基板002,所述第一基板001用于承载所述多个第一子电极006,所述第二基板002用于承载所述多个第二子电极007。所述第一子电极006和所述第二子电极007一一对应设置,当所述多个纳米粒子呈正电性时,即所述多个第一子电极006呈负电性,所述多个第二子电极007呈正电性,在每一组第一子电极006和对应的第二子电极007之间形成指向所述第一子电极006的电场004,所述多个纳米粒子在所述电场004的作用下,在所述第一传输层003上与所述第一子电极006相对应的区域中形成发光部,多个所述发光部构成所述发光层。具体的,所述第一子电极006和所述第二子电极007可以参考上文图3中第一子电极011和所述第二子电极041的相关描述。
在其它实施例中,所述纳米粒子发光器件的制备装置00中的所述第一电极、所述第一传输层和所述第二电极的设置方式还可以参考上文图2、3、5、6中的设置方式,进一步的,为了避免在制作所述发光层时有溶液溢出,还可以在所述第一传输层远离所述第一电极的一侧设置支撑框,所述支撑框的结构具体可以参考上文图2中的相关描述。
在一实施例中,所述第一传输层的组成材料为氧化锌、氧化镁锌、氧化锡、硫化锌、氧化亚镍或三氧化钨。当所述第一传输层的组成材料为上述材料时,可以避免对所述第一电极和所述第二电极的电学特性造成影响,具体的,所述第一传输层不会对所述第一电极和所述第二电极之间的电场造成干扰。
本申请实施例提供的纳米粒子发光器件的制备方法以及装置,该方法包括:提供第一电极和第二电极;在第一电极的一侧设置第一传输层;将多个纳米粒子置于第一传输层远离第一电极的一侧,多个纳米粒子的电性相同;向第一电极提供与纳米粒子的电性相异的电信号,并向第二电极提供与纳米粒子的电性相同的电信号,多个纳米粒子在第一电极和第二电极之间形成的电场的作用下,在第一传输层远离第一电极的一侧形成发光层。该方案通过将两个呈相异电性的电极作用于位于第一传输层上的多个电性相同的纳米粒子,以在第一传输层上形成对应的发光层,避免通过喷墨印刷制程来制作纳米发光器件,可以提高纳米粒子发光器件的制备效率和可靠性。
以上对本申请实施例所提供的纳米粒子发光器件的制备方法以及装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种纳米粒子发光器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
提供第一电极和第二电极;
在所述第一电极的一侧设置第一传输层;
将多个纳米粒子置于所述第一传输层远离所述第一电极的一侧,所述多个纳米粒子的电性相同;
向所述第一电极提供与所述纳米粒子的电性相异的电信号,并向所述第二电极提供与所述纳米粒子的电性相同的电信号,所述多个纳米粒子在所述第一电极和所述第二电极之间形成的电场的作用下,在所述第一传输层远离所述第一电极的一侧形成发光层。
2.如权利要求1所述的纳米粒子发光器件的制备方法,其特征在于,所述向所述第一电极提供与所述纳米粒子的电性相异的电信号,并向所述第二电极提供与所述纳米粒子的电性相同的电信号,所述多个纳米粒子在所述第一电极和所述第二电极之间形成的电场的作用下,在所述第一传输层远离所述第一电极的一侧形成发光层的步骤之前,还包括:
将所述第一电极和所述第二电极相对设置,用于当所述第一电极和所述第二电极具有电性相异的电信号时,在所述第一电极和所述第二电极之间形成与所述第一电极垂直的电场。
3.如权利要求2所述的纳米粒子发光器件的制备方法,其特征在于,所述第一电极包括多个第一子电极,所述第二电极包括多个第二子电极,所述将所述第一电极和所述第二电极相对设置,用于当所述第一电极和所述第二电极具有电性相异的电信号时,在所述第一电极和所述第二电极之间形成与所述第一电极垂直的电场的步骤,包括:
将所述多个第一子电极同层设置,并将所述多个第二子电极与所述多个第一子电极相对设置,所述第一子电极与所述第二子电极一一对应设置。
4.如权利要求1所述的纳米粒子发光器件的制备方法,其特征在于,所述向所述第一电极提供与所述纳米粒子的电性相异的电信号,并向所述第二电极提供与所述纳米粒子的电性相同的电信号,所述多个纳米粒子在所述第一电极和所述第二电极之间形成的电场的作用下,在所述第一传输层远离所述第一电极的一侧形成发光层的步骤之前,还包括:
将所述第一电极和所述第二电极同层设置,用于当所述第一电极和所述第二电极具有电性相异的电信号时,在所述第一电极和所述第二电极之间形成与所述第一电极平行的电场。
5.如权利要求4所述的纳米粒子发光器件的制备方法,其特征在于,所述第一电极包括多个第一子电极,所述第二电极包括多个第二子电极,所述将所述第一电极和所述第二电极同层设置,用于当所述第一电极和所述第二电极具有电性相异的电信号时,在所述第一电极和所述第二电极之间形成与所述第一电极平行的电场的步骤,包括:
将所述多个第一子电极和所述多个第二子电极同层设置,并将所述第一子电极与所述第二子电极间隔设置,相邻两所述第一子电极之间至少设置一所述第二子电极。
6.如权利要求1所述的纳米粒子发光器件的制备方法,其特征在于,所述纳米粒子具有配体,所述配体为胺、有机磷、酸或者巯醇中的一种。
7.如权利要求1所述的纳米粒子发光器件的制备方法,其特征在于,所述第一传输层的组成材料为氧化锌、氧化镁锌、氧化锡、硫化锌、氧化亚镍或三氧化钨。
8.如权利要求1所述的纳米粒子发光器件的制备方法,其特征在于,所述在所述第一电极的一侧设置第一传输层的步骤,包括:
在所述第一电极的一侧设置支撑框,所述支撑框具有中空区域;
在所述支撑框的中空区域中设置第一传输层。
9.一种纳米粒子发光器件的制备装置,其特征在于,用于实现如权利要求1-8任一所述的纳米粒子发光器件的制备方法,用于制备所述纳米粒子发光器件的多个纳米粒子的电性相同,所述纳米粒子发光器件的制备装置包括:
第一电极,所述第一电极的电性与所述多个纳米粒子的电性相异;
第一传输层,所述第一传输层设于所述第一电极的一侧,所述第一传输层远离所述第一电极的一侧用于放置所述多个纳米粒子;
第二电极,所述第二电极的电性与所述多个纳米粒子的电性相同,所述多个纳米粒子在所述第一电极和所述第二电极之间形成的电场的作用下,在所述第一传输层远离所述第一电极的一侧形成发光层。
10.如权利要求9所述的纳米粒子发光器件的制备装置,其特征在于,所述第一传输层的组成材料为氧化锌、氧化镁锌、氧化锡、硫化锌、氧化亚镍或三氧化钨。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113707781A (zh) * 2021-08-04 2021-11-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 基板及其制备方法
CN114023798A (zh) * 2021-10-28 2022-02-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106374056A (zh) * 2016-11-28 2017-02-01 武汉华星光电技术有限公司 Qled显示面板制造方法及qled显示器
CN106450016A (zh) * 2016-10-17 2017-02-22 Tcl集团股份有限公司 一种发光器件及制备方法
KR20170108342A (ko) * 2016-03-17 2017-09-27 삼성전자주식회사 코어쉘 구조의 나노 입자를 포함하는 발광 소자
CN109309165A (zh) * 2017-07-28 2019-02-05 上海和辉光电有限公司 一种有机发光二极管以及有机发光装置
CN110098338A (zh) * 2018-01-31 2019-08-06 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种量子点发光二极管qled器件及其制作方法、装置
CN110265585A (zh) * 2019-06-18 2019-09-20 京东方科技集团股份有限公司 一种纳米粒子膜的制备方法、电子组件、显示基板和显示装置
CN110961254A (zh) * 2019-12-03 2020-04-07 Tcl华星光电技术有限公司 纳米粒子分离方法以及纳米粒子分离装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170108342A (ko) * 2016-03-17 2017-09-27 삼성전자주식회사 코어쉘 구조의 나노 입자를 포함하는 발광 소자
CN106450016A (zh) * 2016-10-17 2017-02-22 Tcl集团股份有限公司 一种发光器件及制备方法
CN106374056A (zh) * 2016-11-28 2017-02-01 武汉华星光电技术有限公司 Qled显示面板制造方法及qled显示器
CN109309165A (zh) * 2017-07-28 2019-02-05 上海和辉光电有限公司 一种有机发光二极管以及有机发光装置
CN110098338A (zh) * 2018-01-31 2019-08-06 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种量子点发光二极管qled器件及其制作方法、装置
CN110265585A (zh) * 2019-06-18 2019-09-20 京东方科技集团股份有限公司 一种纳米粒子膜的制备方法、电子组件、显示基板和显示装置
CN110961254A (zh) * 2019-12-03 2020-04-07 Tcl华星光电技术有限公司 纳米粒子分离方法以及纳米粒子分离装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113707781A (zh) * 2021-08-04 2021-11-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 基板及其制备方法
CN113707781B (zh) * 2021-08-04 2023-12-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 基板及其制备方法
CN114023798A (zh) * 2021-10-28 2022-02-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN114023798B (zh) * 2021-10-28 2024-04-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

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