CN111403442A

CN111403442A - 一种显示基板及其制备方法、显示装置

Info

Publication number: CN111403442A
Application number: CN202010206345.8A
Authority: CN
Inventors: 王红琴; 孙佳; 史横舟; 王思元; 王允军
Original assignee: Suzhou Xingshuo Nanotech Co Ltd
Current assignee: Suzhou Xingshuo Nanotech Co Ltd
Priority date: 2020-03-23
Filing date: 2020-03-23
Publication date: 2020-07-10
Anticipated expiration: 2040-03-23
Also published as: CN111403442B

Abstract

本发明的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可避免显示基板漏电。一种显示基板包括：衬底；形成在所述衬底上的像素界定层，用于界定出子像素发光区域，所述像素界定层包括顶部平台，所述顶部平台设置有凹槽结构；形成于所述顶部平台上的第一载流子传输层，所述第一载流子传输层位于所述顶部平台靠近所述子像素发光区域的边缘区域；形成于所述凹槽结构上的绝缘材料层，所述绝缘材料层延伸覆盖所述第一载流子传输层。

Description

一种显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

电致发光二极管如有机电致发光二极管(OLED)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，量子点发光二极管(QLED)具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调、使用寿命长等优点，是目前显示器件研究的两个主要方向。采用溶液加工制作OLED显示器和QLED显示器的工艺具有成本低、产能高、易于实现大尺寸等优点，是未来显示技术发展的重要方向。同时，印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。

电致发光二极管被应用于显示领域，其通常为层叠结构，至少包括基板、阴极、发光层和阳极，还包括用于空穴和电子传输的载流子传输层等。

现有技术在制备发光二极管时，会将形成发光层和载流子传输层的溶液通过喷墨打印、旋涂、喷涂等方式设置在像素界定层中。

但是，在制备空穴注入层或者空穴传输层或者电子传输层等载流子传输层时，由于溶液会沿着像素界定层的坡面攀爬，存在溶液的爬坡现象，甚至攀爬到像素界定层的顶部平台区域，电流直接从载流子传输层中连通阳极和阴极而不经过电致发光层，造成发光二极管的漏电流较大，从而极大的影响了电致发光器件的性能，使得OLED显示器或者QLED显示器的效率降低、寿命减短。

因而，为了解决发光二极管的顶部平台区域的载流子传输层带来的漏电流问题，必须对发光二极管的制备方法进行改进。

现在大家普遍做法是，通过改进像素界定层材料或像素界定层的结构来克服爬坡问题。再或者有些公司通过改进打印方式或者打印墨水来克服爬坡问题。

但是，无论是从像素界定层角度进行改善，还是从打印方式或打印墨水进行改进，都是在空穴注入层或空穴传输层打印前进行的。

如果已经打印好的像素基板中已经存在部分载流子传输层有爬坡问题而发生漏电时，这个像素基板基本等于报废。

因而，在打印完一层载流子传输层后，对该载流子传输层进行防漏电处理再打印量子点层，就尤为重要。

发明内容

针对上述技术问题，本申请提供一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底；

形成于所述衬底上的像素界定层，用于界定出子像素发光区域，所述像素界定层包括顶部平台，所述顶部平台设置有凹槽结构；

第一载流子传输层，位于所述顶部平台靠近所述子像素发光区域的边缘区域；

形成于所述凹槽结构上的绝缘材料层，所述绝缘材料层延伸覆盖所述第一载流子传输层。

进一步地，绝缘材料层的电阻率为10¹⁰～10²²Ω·m；

优选地，所述绝缘材料层的材料包括高分子材料或者无机氧化物；

优选地，所述绝缘材料层的材料包括有机硅、氮化硅、硫酸钡、三氧化二铝、氧化镁、环氧树脂、酚醛树脂、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯亚胺、苯丙噁烃、聚苯醚、碳氢树脂、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种。

进一步地，所述凹槽结构的深度小于像素界定层的厚度，和/或，所述凹槽结构的宽度小于相邻所述子像素发光区域的间距。

进一步地，所述凹槽结构的开口面积自靠近所述基板一侧至远离所述基板一侧的方向上逐渐增加。

进一步地，所述凹槽结构位于相邻的所述子像素发光区域之间的中间区域。

进一步地，所述第一载流子传输层包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。

本申请还提供一种显示装置，包括上述的显示基板。

本申请还提供一种显示基板的制备方法，包括：

S1：提供一衬底；

S2：在所述衬底上形成像素界定层，所述像素界定层用于界定子像素发光区域，所述像素界定层包括顶部平台，所述顶部平台设置有凹槽结构；

S3：在所述顶部平台上形成第一载流子传输层，所述第一载流子传输层位于所述顶部平台靠近所述子像素发光区域的边缘区域；

S6：在所述凹槽结构上形成绝缘材料层，所述绝缘材料层延伸覆盖所述第一载流子传输层。

进一步地，所述S3和所述S6之间包括：

S4：在所述凹槽结构中喷墨打印绝缘材料墨水，所述绝缘材料墨水延伸覆盖所述第一载流子传输层；

S5：对所述绝缘材料墨水进行固化。

进一步地，还包括：

S7：在所述子像素发光区域形成发光层。

本发明的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置中，在像素界定层的顶部平台上设置凹槽结构，在凹槽结构中形成绝缘材料层，绝缘材料层延伸覆盖非像素区的所述第一载流子传输层，从而能够避免显示基板漏电，保证显示装置获得较高的发光效率以及较长寿命。

附图说明

图1为本申请中一个实施方式的显示基板的结构示意图；

图2为本申请中一个实施方式的显示基板的俯视示意图；

图3为本申请中一实施例的显示基板的制备工艺流程图；

图4为本申请一实施例的显示基板的制备示意图；

图5为本申请一实施例的显示基板的制备示意图；

图6为本申请一实施例的显示基板的制备示意图；

图7为本申请另一实施例的显示基板的制备工艺流程图。

在附图中相同的部件使用了相同的附图标记。附图仅示意性地显示了本申请的实施方案。

具体实施方式

下面将结合本申请实施方式，对本申请实施例中的技术方案进行详细地描述。应注意的是，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部实施方式。示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本申请公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。

此外，附图仅为本申请公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。

正如背景技术中所描述，目前电致发光二极管器件采用印刷工艺时存在漏电问题进而影响器件的发光效率和寿命，申请人经研究发现，在电致发光二极管器件的像素坑打印空穴传输层墨水和空穴注入层墨水后，空穴传输层和空穴注入层的墨水会沿着像素界定层侧壁爬坡至像素界定层远离底电极的顶部平台，而量子点一般很难完全覆盖住已经形成的载流子传输层。由于载流子传输层为半导体材料，位于像素界定层的顶部平台的未被量子点覆盖的载流子传输层将与顶电极连接形成漏电通道，使电致发光二极管器件产生漏电流，进而影响整个显示器件的效率和寿命。

针对该问题，本申请提供一种显示基板，如图1和图2所示，显示基板10包括衬底1；形成于衬底1上的像素界定层9，用于界定子像素发光区域11，所述像素界定层9包括顶部平台7，顶部平台7设置有凹槽结构4；第一载流子传输层3，所述第一载流子传输层3位于所述顶部平台7靠近所述子像素发光区域11的边缘区域8；形成于所述凹槽结构4上的绝缘材料层5，所述绝缘材料层5延伸覆盖顶部平台7上的所述第一载流子传输层3。通过在凹槽结构4中设置绝缘材料层5，遮挡住像素界定层9上靠近子像素发光区域11的第一载流子传输层3，有效防止像素界定层9靠近子像素发光区域11的边缘区域8处的第一载流子传输层3与顶电极接触导致漏电。

其中，本申请的子像素发光区域11指可以发出红光、绿光、蓝光的区域，像素界定层9围成的子像素发光区域11可以称为像素坑，像素界定层9为非像素区域，在像素界定层9上设置凹槽结构4可用于承载绝缘材料层5，使绝缘材料层5基于凹槽区域爬坡覆盖顶部平台7上的第一载流子传输层3，使得沿着像素界定层9的坡面攀爬到像素界定层9的顶部平台7的第一载流子传输层3被绝缘材料层5覆盖，从而第一载流子传输层和顶电极之间不会直接接触，从而避免漏电流，解决了发光二极管的漏电问题。在本申请的一个优选实施方式，绝缘材料层5的电阻率为10¹⁰～10²²Ω·m。

可以理解的是，本申请的顶部平台指在子像素发光区域之外的像素界定层远离衬底1的一侧的平台，本申请的顶部平台7靠近所述子像素发光区域11的边缘区域8是指在进行喷墨打印工艺制备载流子传输层2时，会有部分载流子传输层2爬坡并沉积于顶部平台7上靠近子像素发光区域11处的区域。本申请把爬坡至顶部平台7的载流子传输层称为第一载流子传输层3，第一载流子传输层3对应边缘区域8。

在本申请的一个具体实施方式中，绝缘材料层5的材料包括高分子材料或者无机氧化物。在本申请的一个具体实施方式中，绝缘材料层5的材料包括有机硅、氮化硅、硫酸钡、三氧化二铝、氧化镁、环氧树脂、酚醛树脂、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯亚胺、苯丙噁烃、聚苯醚、碳氢树脂、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种，但是本申请的示例性实施方式并不限于此。

可以理解的是，本申请的绝缘材料层的材料可以通过常规沉积方法进行沉积，只要符合能覆盖顶部平台的第一载流子传输层即可，本申请对此不进行限制。

在本申请一实施方式中，凹槽结构4的长度不限，可以为相邻两行或者两列子像素发光区域11之间贯穿的凹槽结构4，也可以为任意相邻的子像素发光区域11之间的分段式凹槽结构4或者贯穿式凹槽结构4，凹槽结构4的深度小于像素界定层9的厚度，凹槽结构4的宽度小于相邻所述子像素发光区域11的间距。从而在凹槽结构4中形成绝缘材料时，能够使绝缘材料爬坡覆盖住像素界定层9的顶部平台7的靠近子像素发光区域11的边缘区域8处的第一载流子传输层3。

在本申请一具体实施方式中，凹槽结构4的开口面积自靠近所述基板一侧至远离所述基板一侧的方向上逐渐增加。从而在凹槽结构4中加入绝缘材料层5的墨水时，绝缘材料层5的墨水能更好爬坡铺展至像素界定层9的顶部平台7的第一载流子传输层3上并覆盖第一载流子传输层3，以断开此处的第一载流子传输层3与顶电极之间的连接。

在本申请一具体实施方式中，凹槽结构4位于相邻的所述子像素发光区域11之间的中间区域。当凹槽结构4位于像素界定图案顶部的中间区域时，绝缘材料层5爬坡铺展至凹槽结构4周边的第一载流子传输层3上并均匀覆盖像素界定图案顶部上的第一载流子传输层3。

在一具体实施方式中，第一载流子传输层3包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。在喷墨打印工艺中，由于第一载流子传输层3如空穴传输层、空穴注入层、电子传输层或电子注入层易沿着像素坑侧壁爬坡至像素界定层9的顶部平台7并在顶部平台7上形成漏电通道，本申请通过使绝缘材料层5爬坡并盖住像素界定层9的顶部平台7的第一载流子传输层3，有效避免像素界定层9的顶部平台7上发生漏电。

其中，第一载流子传输层3可以为单层结构，如空穴传输层或电子传输层；第一载流子传输层3也可以为双层结构，如空穴传输层、空穴注入层堆叠结构，或，电子传输层和电子注入层的堆叠结构；第一载流子传输层3还可以为三层结构，如空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层的堆叠结构，或，电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层的堆叠结构。

本申请的空穴传输层的材料可选自具有空穴传输能力的有机材料，包括但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、C60中的一种或多种。所述空穴传输层还可选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于掺杂或非掺杂的MoOx、VOx、WOx、CrOx、CuO、MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、CuS中的一种或多种。

本申请的空穴注入层的材料包括但不限于PEDOT:PSS、过渡金属氧化物、金属硫系化合物中的一种或多种，只要符合本申请发明目的的空穴注入层2的材料均可使用，本发明对此不进行限定。

电子传输层的材料包括但不限于由纳米粒子构成的传输层薄膜，其中的纳米粒子可以为二氧化钛(TiO2)纳米粒子或者氧化锌(ZnO)纳米粒子、镁掺杂氧化锌纳米粒子以及铝掺杂氧化锌纳米粒子中的一种或多种，该电子传输层例如可以为ZnO纳米粒子，且该ZnO纳米粒子的粒径不大于5nm。

本申请的电子注入层的材料包括但不限于由纳米粒子构成的传输层薄膜，其中的纳米粒子可以为二氧化钛(TiO2)纳米粒子或者氧化锌(ZnO)纳米粒子、镁掺杂氧化锌纳米粒子以及铝掺杂氧化锌纳米粒子中的一种或多种，该电子注入层例如可以为ZnO纳米粒子，且该ZnO纳米粒子的粒径不大于5nm。

本申请的顶电极、底电极分别对应阳极、阴极，即当顶电极为阳极时，底电极则为阴极；当顶电极为阴极时，则底电极则为阳极。

本申请的阳极包括但不限于掺杂金属氧化物；其中，所述掺杂金属氧化物包括但不限于铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、铟掺杂氧化锌(IZO)、镁掺杂氧化锌(MZO)、铝掺杂氧化镁(AMO)中的一种或多种。阳极还可选自掺杂或非掺杂的透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，其中包括但不限于AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。

本申请的阴极包括但不限于各种导电碳材料、导电金属氧化物材料、金属材料中的一种或多种；其中导电碳材料包括但不限于掺杂或非掺杂碳纳米管、掺杂或非掺杂石墨烯、掺杂或非掺杂氧化石墨烯、C60、石墨、碳纤维、多孔碳中的一种或多种；导电金属氧化物材料包括但不限于ITO、FTO、ATO、AZO中的一种或多种；金属材料包括但不限于Al、Ag、Cu、Mo、Au、或它们的合金；其中所述金属材料中，其形态包括但不限于致密薄膜、纳米线、纳米球、纳米棒、纳米锥、纳米空心球中的一种或多种；优选地，所述阴极为Ag或Al。

在需要的情况下，如为倒置电致发光二极管器件时，底电极为阴极，阴极材料可以如上所述，顶电极为阳极，阳极材料可以如上所述，本申请对此不进行限制。

本申请还提供一种显示装置，包括如上任一所述的显示基板。显示装置包括但不限于手机、电脑、车载显示器、AR显示器、VR显示器、智能手表、显示屏、显示面板等装置或部件，部件如可以为QLED器件、OLED器件、PLED器件或Micro-LED器件等电致发光二极管器件，根据电致发光二极管器件的材料需要选择不同的基板、载流子传输层2、发光层、绝缘材料层5等材料。

本申请还提供一种显示基板的制备方法，如图1、图2、图3所示，包括如下步骤：

S1：提供一衬底；

其中，本申请的衬底1可以为刚性衬底或柔性衬底；其中，所述刚性衬底包括但不限于玻璃、金属箔片中的一种或多种；所述柔性衬底包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯乙烯(PS)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚芳基酸酯(PAT)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚氯乙烯(PV)、聚乙烯(PE)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、纺织纤维中的一种或多种。

S2：在所述衬底上形成像素界定层，所述像素界定层用于界定子像素发光区域，所述像素界定层的顶部平台设置有凹槽结构；

如图4所示，在像素界定层9的顶部平台7上形成凹槽结构4，本申请的像素界定层9界定出子像素发光区域11，子像素发光区域11位于像素坑，像素坑用于打印时填入红色、蓝色或绿色的发光材料墨水，像素坑对应区域为子像素发光区域11，也即红色、蓝色或绿色子像素所在区域，子像素发光区域11用于发出红色光、蓝色光或绿色光，像素界定层9的顶部平台7为非像素区，非像素区用于间隔发光材料，非像素区不发光。

S3：在所述像素界定层上形成第一载流子传输层，所述第一载流子传输层覆盖所述像素界定层靠近所述子像素发光区域的边缘区域；

本申请中，在形成载流子传输层2时，像素坑中的载流子传输层2的墨水材料会溢流至像素界定层9的顶部平台7，在像素界定层9的顶部平台7上形成第一载流子传输层3，第一载流子传输层3覆盖所述像素界定层9靠近子像素发光区域11的边缘区域8，此处的第一载流子传输层3可与顶电极直接电性连接形成漏电，这是我们需要避免的漏电。

S6：在所述凹槽结构上形成绝缘材料层，所述绝缘材料层覆盖所述第一载流子传输层。

绝缘材料层5覆盖第一载流子传输层3，从而断开第一载流子传输层3和顶电极的连接，有效避免像素界定层9的顶部平台7产生漏电。

具体的，如图7所示，步骤S3和步骤S6之间包括：

S4：在所述凹槽结构中喷墨打印绝缘材料墨水，所述绝缘材料墨水覆盖第一载流子传输层；

如图5和图6所示，喷墨打印机6把绝缘材料墨水61打印进凹槽结构4，绝缘材料层5的墨水在凹槽结构4中进行沉积并发生爬坡作用，绝缘材料墨水61攀爬覆盖像素界定层9的顶部平台7区域的边缘区域8。

S5：对所述绝缘材料墨水进行固化。

其中，固化可以为挥发除去绝缘材料墨水中溶剂从而形成绝缘材料层5，固化也可以为绝缘材料墨水经过光固化或者热固化等形式后形成绝缘材料层5。

本申请在凹槽结构4中填充绝缘材料墨水，使绝缘材料墨水发生爬坡作用以覆盖像素界定层9的顶部平台7的有机功能层，避免像素界定层9的顶部平台7形成漏电通道。

继续如图7所示，在步骤S6之后还包括：

S7：在所述子像素发光区域形成发光层。

其中，发光层的材料可以为有机发光材料。发光层的材料也可以为无机发光材料，如量子点发光材料，量子点发光层材料包括但不限于II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、IIIV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种，或所述量子点发光层为无机钙钛矿型半导体、有机-无机杂化钙钛矿型半导体中的一种或多种。

以下将参考实施例更详细地描述根据本申请的一些示例性实施方式的制备方法；然而，本申请的示例性实施方式不限于此。

实施例1

对绿色CdSe量子点的显示基板进行防漏电处理：

S1、提供一已经形成ITO导电层的15mm*15mm的柔性衬底；

S2、在柔性衬底上形成像素界定层，所述像素界定层用于界定子像素发光区域，所述像素界定层包括顶部平台，所述顶部平台设置有凹槽结构；

S3、在子像素发光区域的ITO导电层上依次打印PEDOT:PSS层和TFB层，TFB层爬坡覆盖至像素界定层的顶部平台的边缘区域；

S4、在凹槽结构中打印聚氯乙烯溶液，经过固化，聚氯乙烯层延伸覆盖顶部平台上的TFB层；

S5、在子像素发光区域依次形成绿色CdSe量子点发光层、氧化锌电子传输层和阴极。

最后，对绿色CdSe量子点的显示基板进行通电，启动电压为3.5V，调节电压至5V，维持绿色CdSe量子点的显示基板的发光亮度较亮且无变化后，对绿色CdSe量子点的显示基板的电流进行测量，电流的测量值为8mA。

对比例1

对绿色CdSe量子点的显示基板不进行防漏电处理：

S1、提供一已经形成ITO导电层的15mm*15mm的柔性衬底；

S2、在柔性衬底上依次形成PEDOT:PSS层、TFB层、绿色CdSe量子点发光层、氧化锌电子传输层和阴极。

最后，对绿色CdSe量子点的显示基板的进行通电，启动电压为3.5V，调节电压至5V，维持绿色CdSe量子点的显示基板的发光亮度较亮且无变化后，对绿色CdSe量子点的显示基板的电流进行测量，电流的测量值为35mA。

实施例2

对红色InP量子点的显示基板进行防漏电处理；

S1、提供一已经形成ITO导电层的15mm*15mm的玻璃衬底；

S2、在所述玻璃衬底上形成像素界定层，所述像素界定层用于界定子像素发光区域，所述像素界定层包括顶部平台，所述顶部平台设置有凹槽结构；

S4、在凹槽结构中打印聚氯乙烯溶液，经固化，聚氯乙烯层延伸覆盖顶部平台上的TFB层；

S5、在子像素发光区域依次形成红色InP量子点发光层、氧化锌电子传输层和阴极。

最后，对红色InP量子点的显示基板进行通电，启动电压为3.5V，调节电压至5V，维持红色InP量子点的显示基板发光亮度较亮且无变化后，对红色InP量子点的显示基板的电流进行测量，电流的测量值为10mA。

对比例2

对红色InP量子点的显示基板不进行防漏电处理：

S1、提供一已经形成ITO导电层的15mm*15mm的玻璃衬底；

S2、在子像素发光区域的ITO导电层上依次形成PEDOT:PSS层、TFB层、红色InP量子点发光层、氧化锌电子传输层和阴极。

最后，对红色InP量子点的显示基板进行通电，启动电压为3.5V，调节电压至5V，维持红色InP量子点的显示基板的发光亮度较亮且无变化后，对红色InP量子点的显示基板的电流进行测量，电流的测量值为60mA。

测试结果对比如下表所示：

	量子点	电流
			实施例1	绿色CdSe量子点	8mA
对比例1	绿色CdSe量子点	35mA
			实施例2	红色InP量子点	10mA
对比例2	红色InP量子点	60mA

由上表格可知，在凹槽结构中加入绝缘材料层，使绝缘材料层延伸覆盖像素界定层的顶部平台上的第一载流子传输层，对显示基板进行如此防漏电处理后，与未进行防漏电处理相比，无论是绿色CdSe量子点的显示基板还是红色InP量子点的显示基板，电流减小明显，可知显示基板的漏电流得到了有效抑制。

尽管发明人已经对本申请的技术方案做了较详细的阐述和列举，应当理解，对于本领域技术人员来说，对上述实施例作出修改和/或变通或者采用等同的替代方案是显然的，都不能脱离本申请精神的实质，本申请中出现的术语用于对本申请技术方案的阐述和理解，并不能构成对本申请的限制。

Claims

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底；

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，绝缘材料层的电阻率为10¹⁰～10²²Ω·m；

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述凹槽结构的深度小于像素界定层的厚度，和/或，所述凹槽结构的宽度小于相邻所述子像素发光区域的间距。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述凹槽结构的开口面积自靠近所述基板一侧至远离所述基板一侧的方向上逐渐增加。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述凹槽结构位于相邻的所述子像素发光区域之间的中间区域。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一载流子传输层包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。

7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～6任一所述的显示基板。

8.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

S1：提供一衬底；

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述S3和所述S6之间包括：

S5：对所述绝缘材料墨水进行固化。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：

S7：在所述子像素发光区域形成发光层。