CN111354861A - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
一种显示面板及其制备方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111354861A CN111354861A CN202010206411.1A CN202010206411A CN111354861A CN 111354861 A CN111354861 A CN 111354861A CN 202010206411 A CN202010206411 A CN 202010206411A CN 111354861 A CN111354861 A CN 111354861A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- carrier layer
- display panel
- light emitting
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 15
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 14
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 191
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 14
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 4
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- LGDCSNDMFFFSHY-UHFFFAOYSA-N 4-butyl-n,n-diphenylaniline Polymers C1=CC(CCCC)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LGDCSNDMFFFSHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021649 silver-doped titanium dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]ethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]acetic acid Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN(CCN(CC(O)=O)CC=2C(=C(C)N=CC=2CO)O)CC(O)=O)=C1O RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003184 C60 fullerene group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 229910019923 CrOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013032 Hydrocarbon resin Substances 0.000 description 1
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910003090 WSe2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229920006270 hydrocarbon resin Polymers 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052961 molybdenite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002110 nanocone Substances 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATGUVEKSASEFFO-UHFFFAOYSA-N p-aminodiphenylamine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 ATGUVEKSASEFFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003055 poly(ester-imide) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001909 styrene-acrylic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明的实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可避免显示面板漏电。本申请的显示面板包括基板；第一载流子层，设置在所述基板上；像素界定层，设置在所述第一载流子层上；其中，所述像素界定层设置有像素坑，所述像素坑露出至少部分所述第一载流子层。通过在像素界定层之前形成第一载流子层，可有效避免现有技术中第一载流子层爬坡至像素界定层顶部平台上形成漏电。
Description
技术领域
本申请属于显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
电致发光二极管如有机电致发光二极管(OLED)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，量子点发光二极管(QLED)具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调、使用寿命长等优点，是目前显示器件研究的两个主要方向。采用溶液加工制作OLED显示器和QLED显示器的工艺具有成本低、产能高、易于实现大尺寸等优点，是未来显示技术发展的重要方向。同时，印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。
电致发光二极管被应用于显示领域，其通常为层叠结构，至少包括基板、阴极、发光层和阳极，还包括用于空穴和电子传输的载流子层等。
现有技术在制备发光二极管时，会将形成发光层和载流子层的溶液通过喷墨打印方式设置在像素界定层中。但是，在制备空穴注入层或者空穴传输层或者电子传输层等载流子层时，由于溶液会沿着像素界定层的坡面攀爬，存在溶液的爬坡现象，甚至攀爬到像素界定层的顶部平台区域，电流直接从载流子层中连通阳极和阴极而不经过电致发光层，造成发光二极管的漏电流较大，从而极大的影响了电致发光器件的性能，使得OLED显示器或者QLED显示器的效率降低、寿命减短。
因而，为了解决发光二极管的顶部平台区域的载流子层带来的漏电流问题，必须对发光二极管进行改进。
现在大家普遍做法是，通过改进像素界定层材料或像素界定层的结构来克服爬坡问题。再或者有些公司通过改进打印方式或者打印墨水来克服爬坡问题。
但是，无论是从像素界定层角度进行改善，还是从打印方式或打印墨水进行改进，都会造成工艺繁琐，结构复杂。
因而，需要寻找一种工艺简便的方法，制备出结构简单的显示器。
发明内容
针对上述技术问题，本申请提供一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
第一载流子层，设置在所述基板上；
像素界定层，设置在所述第一载流子层上；
其中，所述像素界定层设置有像素坑，所述像素坑露出至少部分所述第一载流子层。
进一步地，还包括：
底电极，设置在所述基板上；
优选地，所述第一载流子层设置于所述底电极上。
进一步地，还包括：
发光层，设置在所述像素坑露出的所述第一载流子层上；
优选地，所述发光层为量子点发光层和/或有机发光层。
进一步地，还包括：
第二载流子层，设置在所述发光层上。
进一步地，还包括：
顶电极，设置在所述第二载流子层上。
进一步地，所述第一载流子层包括空穴传输层；或，
所述第一载流子层包括空穴注入层和空穴传输层；或，
所述第一载流子层包括电子传输层；或，
所述第一载流子层包括电子注入层和电子传输层。
进一步地，所述像素界定层的材料为绝缘材料。
本申请还提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
本申请还提供一种显示面板的制备方法，包括：
S1：提供一基板；
S2：在所述基板上形成第一载流子层；
S3：在所述第一载流子层上形成像素界定层，所述像素界定层设置有像素坑，所述像素坑露出至少部分所述第一载流子层。
进一步地，所述S2包括：
S21：在所述基板上形成底电极；
S22：在所述底电极上形成第一载流子层；
优选地，在所述S3后还包括：
S4：在所述第一载流子层上形成发光层；
S5：在所述发光层上形成第二载流子层；
S6：在所述第二载流子层上形成顶电极。
有益效果：本发明的实施例提供的一种显示面板及其制备方法，显示装置中，在基板上先形成第一载流子层，再在第一载流子层上形成像素界定层，像素界定层设置有像素坑，像素坑露出至少部分第一载流子层，由于第一载流子层是在像素界定层之前形成，所以杜绝了第一载流子层沿像素坑爬坡至顶部平台形成漏电流的现象，保证显示装置获得较高的发光效率以及较长寿命。
附图说明
图1为本申请中第一个实施方式的显示面板的结构示意图；
图2为本申请中第二个实施方式的显示面板的结构示意图；
图3为本申请中第三个实施方式的显示面板的结构示意图；
图4为本申请中第四个实施方式的显示面板的结构示意图；
图5为本申请中第五个实施方式的显示面板的结构示意图；
图6为本申请一实施方式的显示面板的制备工艺流程图；
图7为本申请另一实施方式的显示面板的制备工艺流程图。
在附图中相同的部件使用了相同的附图标记。附图仅示意性地显示了本申请的实施方案。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式，对本申请实施例中的技术方案进行详细地描述。应注意的是，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部实施方式。示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本申请公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。
本文中使用的术语仅用于描述具体实施方式的目的且不意图为限制性的。如果未另外定义，说明书中的所有术语(包括技术和科学术语)可如本领域技术人员通常理解的那样定义。常用字典中定义的术语应被解释为具有与它们在相关领域的背景和本公开内容中的含义一致的含义，并且不可以理想方式或者过宽地解释，除非清楚地定义。此外，除非明确地相反描述，措辞“包括”和措辞“包含”当用于本说明书中时表明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、要素、和/或组分，但是不排除存在或添加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、要素、组分、和/或其集合。因此，以上措辞将被理解为意味着包括所陈述的要素，但不排除任何其它要素。
可以理解的是，尽管术语第一、第二、等可在本文中用于描述各种元件、组分、区域、层和/或部分，但这些元件、组分、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组分、区域、层或部分区别于另外的元件、组分、区域、层或部分。因而，在不背离本实施方式的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组分、区域、层或部分可称为第二元件、组分、区域、层或部分。
除非上下文另做清楚规定，否则如本文使用的，单数形式“一个”和“所述”包括多个指代物。除非上下文另做清楚规定，否则提到一个对象可包括多个对象。
此外，附图仅为本申请公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。
正如背景技术中所描述，目前电致发光二极管器件采用印刷工艺时存在漏电问题进而影响器件的发光效率和寿命，申请人经研究发现，在电致发光二极管器件的像素坑打印空穴传输层墨水和空穴注入层墨水后，空穴传输层墨水和空穴注入层墨水会沿着像素界定层侧壁爬坡至像素界定层远离底电极的顶部平台，而之后打印的量子点一般很难完全覆盖住已经形成的上述载流子层。由于载流子层为半导体材料，位于像素界定层的顶部平台的未被量子点覆盖的载流子层将与顶电极连接形成漏电通道，使电致发光二极管器件产生漏电流，进而影响整个显示器件的效率和寿命。
针对该问题，本申请提供一种显示面板，如图1所示为本申请第一个实施方式的显示面板的结构示意图，显示面板包括基板1；形成在所述基板上的第一载流子层2，形成在所述第一载流子层2上的像素界定层3，所述像素界定层3设置有像素坑8，所述像素坑8露出至少部分所述第一载流子层2。通过在像素界定层3之前形成第一载流子层2，有效防止第一载流子层2的墨水沿像素坑侧壁爬坡至像素界定层顶部平台与顶电极接触导致漏电。
其中，本申请的像素坑8为子像素发光区域，即可以发出单色光，例如红光、绿光或蓝光的区域。像素坑8以外的区域为非像素区域。可以理解的是，本申请的像素界定层3的顶部平台指在像素坑之外的像素界定层远离基板1一侧的平台。
在本申请的一个具体实施方式中，如图2所示为本申请第二个实施方式的显示面板的结构示意图，显示面板还包括形成在基板上的底电极7。本申请的底电极7可以为阳极，也可以为阴极，当显示面板为正置结构时，底电极为阳极，当显示面板为倒置结构时，底电极为阴极。底电极用于使显示面板产生电流，生成图像。如图4所示为本申请第四个实施方式的显示面板的结构示意图，第一载流子层2与底电极7在基板1上的正投影重合。
在一个更优实施方式中，如图5所示为本申请第五个实施方式的显示面板的结构示意图，第一载流子层2设置于底电极7上，即第一载流子层为整层铺设于底电极7上，有效简化工艺。
在本申请一个具体实施方式中，如图3所示的本申请第三个实施方式的显示面板的结构示意图，该显示面板还包括形成在所述像素坑8露出的第一载流子层2上的发光层4，像素界定层3形成于第一载流子层2上，像素坑8露出的第一载流子层2不会沿像素界定层的侧壁爬坡至顶部平台，发光层4形成在像素坑8露出的第一载流子层2上，将有效提高显示面板的电流效率。
在本申请一个优选实施方式中，本申请的显示面板的发光层可为量子点发光层，也可以为有机发光层，还可以为量子点发光层和有机发光层的结合发光层，可以根据实际需要进行发光层的选择，本申请对此不进行限制。
其中，量子点发光层的材料包括但不限于II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、IIIV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种，或所述量子点发光层为无机钙钛矿型半导体、有机-无机杂化钙钛矿型半导体中的一种或多种。有机发光层的材料一般选用有机高分子材料，本申请对此不进行限制，只要是满足本申请的显示面板的发光性能的发光材料即可。
在本申请一个具体实施方式中，继续如图3所示，本申请的显示面板还包括形成在发光层上的第二载流子层5，第二载流子层5用于把第二载流子传输至发光层。第二载流子可以为空穴，也可以为电子，当显示面板为正置结构时，第二载流子为电子，当显示面板为倒置结构时，第二载流子为空穴。本申请的第二载流子层5与第一载流子层2向发光层4中分别输入第二载流子和第一载流子，通过有效控制第二载流子和第一载流子的传输速率，第一载流子和第二载流子得以在发光层中有效复合发光，使显示面板的发光效率显著提高。
在本申请一个具体实施方式中，继续如图3所示，显示面板的第二载流子层上为顶电极6。顶电极6与底电极7共同构成发光层两端的电极，使显示面板的发光层有效发光。本申请的顶电极6和底电极7的极性不同，例如显示面板为正置结构时，底电极7为阳极，则顶电极6为阴极；而显示面板为倒置结构时，底电极7为阴极，则顶电极6为阳极。顶电极用于产生第二载流子，第二载流子通过第二载流子层传输至发光层，与从底电极传导至发光层的第一载流子共同复合，使显示面板有效发光。
在本申请一具体实施方式中，本申请的显示面板的第一载流子层包括空穴传输层；或，第一载流子层包括空穴注入层和空穴传输层；或，第一载流子层包括电子传输层；或，第一载流子层包括电子注入层和电子传输层。在喷墨打印工艺中，由于阻断了第一载流子层与顶电极的直接电性连接，有效避免像素界定层的顶部平台上产生漏电。
其中，第一载流子层2还可以为三层结构，如空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层的依次堆叠结构，或，电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层的依次堆叠结构，根据实际情况对第一载流子层的结构进行选择。
在本申请一个具体实施方式中，像素界定层的材料为绝缘材料，该绝缘材料的电阻率可以为1010～1022Ω·m，本申请的像素界定层用于间隔子像素，以及将第一载流子层和顶电极阻隔开来以防止第一载流子层产生漏电。
本申请像素界定层的绝缘材料包括有机硅、氮化硅、硫酸钡、三氧化二铝、氧化镁、环氧树脂、酚醛树脂、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯亚胺、苯丙噁烃、聚苯醚、碳氢树脂、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种，但是本申请的示例性实施方式并不限于此，只要是能满足本申请的像素界定层的子像素阻隔性能并使显示面板正常发光的绝缘材料均可。
可以理解的是，本申请的绝缘材料层的材料可以通过常规方法制备，只要能有效间隔子像素以及阻断第一载流子层和顶电极的电性连接即可，本申请对此不进行限制。
本申请的基板可以为刚性基板或柔性基板；其中，所述刚性基板包括但不限于玻璃、金属箔片中的一种或多种；所述柔性基板包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯乙烯(PS)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚芳基酸酯(PAT)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚氯乙烯(PV)、聚乙烯(PE)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、纺织纤维中的一种或多种。
本申请的空穴传输层的材料可选自具有空穴传输能力的有机材料，包括但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、C60中的一种或多种。所述空穴传输层还可选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于掺杂或非掺杂的MoOx、VOx、WOx、CrOx、CuO、MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、CuS中的一种或多种。
本申请的空穴注入层的材料包括但不限于PEDOT:PSS、过渡金属氧化物、金属硫系化合物中的一种或多种，只要符合本申请发明目的的空穴注入层2的材料均可使用，本发明对此不进行限定。
本申请的电子传输层的材料包括但不限于由纳米粒子构成的传输层薄膜，其中的纳米粒子可以为二氧化钛(TiO2)纳米粒子或者氧化锌(ZnO)纳米粒子、镁掺杂氧化锌纳米粒子以及铝掺杂氧化锌纳米粒子中的一种或多种，该电子传输层例如可以为ZnO纳米粒子。
本申请的电子注入层的材料包括但不限于由纳米粒子构成的传输层薄膜，其中的纳米粒子可以为二氧化钛(TiO2)纳米粒子或者氧化锌(ZnO)纳米粒子、镁掺杂氧化锌纳米粒子以及铝掺杂氧化锌纳米粒子中的一种或多种，该电子注入层例如可以为ZnO纳米粒子。
本申请的顶电极、底电极分别对应阳极、阴极，即当顶电极为阳极时，底电极则为阴极；当顶电极为阴极时，则底电极则为阳极。
本申请的阳极包括但不限于掺杂金属氧化物；其中，所述掺杂金属氧化物包括但不限于铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、铟掺杂氧化锌(IZO)、镁掺杂氧化锌(MZO)、铝掺杂氧化镁(AMO)中的一种或多种。阳极还可选自掺杂或非掺杂的透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，其中包括但不限于AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
本申请的阴极包括但不限于各种导电碳材料、导电金属氧化物材料、金属材料中的一种或多种；其中导电碳材料包括但不限于掺杂或非掺杂碳纳米管、掺杂或非掺杂石墨烯、掺杂或非掺杂氧化石墨烯、C60、石墨、碳纤维、多孔碳中的一种或多种；导电金属氧化物材料包括但不限于ITO、FTO、ATO、AZO中的一种或多种；金属材料包括但不限于Al、Ag、Cu、Mo、Au、或它们的合金；其中所述金属材料中，其形态包括但不限于致密薄膜、纳米线、纳米球、纳米棒、纳米锥、纳米空心球中的一种或多种；优选地，所述阴极为Ag或Al。
可以理解的是，在需要的情况下，如为倒置电致发光二极管器件时，底电极为阴极，阴极材料可以如上所述，顶电极为阳极，阳极材料可以如上所述，本申请对此不进行限制。
本申请的显示面板可以为QLED显示面板、OLED显示面板、PLED显示面板或Micro-LED显示面板等电致发光二极管器件，根据电致发光二极管显示面板的类型不同需要选择不同的基板、底电极、第一载流子层、发光层、第二载流子层、顶电极等材料。
本申请还提供一种显示装置，包括如上任一所述的显示面板。本申请的显示装置包括但不限于手机、电脑、车载显示器、AR显示器、VR显示器、智能手表、显示屏等装置。
本申请还提供一种显示面板的制备方法，如图6所示为本申请一实施方式的制备方法，显示面板的制备方法包括如下步骤：
S1：提供一基板；
其中，本申请的基板用于承载显示面板的其他功能层。
S2：在所述基板上形成第一载流子层；
其中，在基板上形成第一载流子层，第一载流子层的形成方法可以为旋涂，也可以为打印。第一载流子层可以在基板上整面铺设形成，也可以在基板上形成第一载流子层的图案，本申请对此不进行限制，可以根据实际情况选择，只要能实现显示面板发光功能即可。
S3：在所述第一载流子层上形成像素界定层，所述像素界定层设置有像素坑，所述像素坑露出至少部分所述第一载流子层。
本申请中，形成像素界定层的方法可以采用光刻法，也可以采用激光转印法，使像素界定层上形成像素坑，像素坑区域为子像素发光区域，像素坑使至少部分第一载流子层露出。
具体的，如图7所示为本申请另一显示面板的制备方法中，显示面板制备方法中的步骤S2可以包括：
S21：在所述基板上形成底电极；
其中，底电极可以通过溅射的方式制备，例如ITO，也可以通过溶液法制备例如纳米银线等，本申请对此不进行限制，可以根据实际选用的底电极材料来选择常规的制备方法，只要制备得到的底电极满足显示面板显示功能的要求即可。
S22：在所述底电极上形成第一载流子层。
其中，第一载流子层可以采用旋涂法制备，也可以采用打印法制备，还可以采用纳米压印法或转印法制备。
在一个具体实施方式中，继续如图7所示，显示面板的制备方法的S3步骤后还包括：
S4：在所述第一载流子层上形成发光层；
S5：在所述发光层上形成第二载流子层；
S6：在所述第二载流子层上形成顶电极。
其中，本申请根据选择的发光层材料不同而进行不同制备方法的选用，例如当发光层为有机发光层时，可以采用蒸镀法制备发光层，当发光层为量子点层时，可以采用喷墨打印法制备发光层，本申请对此不进行限制，只要满足显示面板的发光性能要求即可。本申请的第二载流子层可以采用溶液法制备，也可以采用蒸镀法制备，根据采用的制备工艺不同，选择不同的第二载流子层的材料，本申请对此不进行限制。本申请的顶电极可以采用现有的制备顶电极的制备方法，本申请对此不进行限制。
尽管发明人已经对本申请的技术方案做了较详细的阐述和列举，应当理解，对于本领域技术人员来说，对上述实施例作出修改和/或变通或者采用等同的替代方案是显然的，都不能脱离本申请精神的实质，本申请中出现的术语用于对本申请技术方案的阐述和理解，并不能构成对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
第一载流子层，设置在所述基板上；
像素界定层，设置在所述第一载流子层上；
其中，所述像素界定层设置有像素坑，所述像素坑露出至少部分所述第一载流子层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
底电极，设置在所述基板上；
优选地，所述第一载流子层设置于所述底电极上。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
发光层，设置在所述像素坑露出的所述第一载流子层上；
优选地，所述发光层为量子点发光层和/或有机发光层。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括：
第二载流子层，设置在所述发光层上。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，还包括：
顶电极，设置在所述第二载流子层上。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一载流子层包括空穴传输层；或，
第一载流子层包括空穴注入层和空穴传输层；或，
第一载流子层包括电子传输层；或，
第一载流子层包括电子注入层和电子传输层。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素界定层的材料为绝缘材料。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～7任一所述的显示面板。
9.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
S1：提供一基板；
S2：在所述基板上形成第一载流子层；
S3：在所述第一载流子层上形成像素界定层，所述像素界定层设置有像素坑，所述像素坑露出至少部分所述第一载流子层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述S2包括：
S21：在所述基板上形成底电极；
S22：在所述底电极上形成第一载流子层；
优选地，在所述S3后还包括：
S4：在所述第一载流子层上形成发光层；
S5：在所述发光层上形成第二载流子层；
S6：在所述第二载流子层上形成顶电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010206411.1A CN111354861A (zh) | 2020-03-23 | 2020-03-23 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010206411.1A CN111354861A (zh) | 2020-03-23 | 2020-03-23 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111354861A true CN111354861A (zh) | 2020-06-30 |
Family
ID=71194655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010206411.1A Pending CN111354861A (zh) | 2020-03-23 | 2020-03-23 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111354861A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102308671A (zh) * | 2009-02-10 | 2012-01-04 | 松下电器产业株式会社 | 发光元件的制造方法和发光元件、以及发光装置的制造方法和发光装置 |
| US20140284560A1 (en) * | 2013-03-22 | 2014-09-25 | Woo Sub SHIM | Organic light emitting diode, organic light emitting display panel including the same, and method of manufacturing the organic light emitting display panel |
| CN107046048A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-08-15 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 像素界定层及其制备方法和应用 |
| CN110660932A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-01-07 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 一种电致发光器件的制作方法、电致发光器件和显示装置 |
-
2020
- 2020-03-23 CN CN202010206411.1A patent/CN111354861A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102308671A (zh) * | 2009-02-10 | 2012-01-04 | 松下电器产业株式会社 | 发光元件的制造方法和发光元件、以及发光装置的制造方法和发光装置 |
| US20140284560A1 (en) * | 2013-03-22 | 2014-09-25 | Woo Sub SHIM | Organic light emitting diode, organic light emitting display panel including the same, and method of manufacturing the organic light emitting display panel |
| CN107046048A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-08-15 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 像素界定层及其制备方法和应用 |
| CN110660932A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-01-07 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 一种电致发光器件的制作方法、电致发光器件和显示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10826009B2 (en) | Quantum dot light-emitting diode and display apparatus thereof | |
| US11349094B2 (en) | Organic light emitting diode and organic light emitting diode display device including the same | |
| US9570532B2 (en) | Pixel structure, display panel and display apparatus | |
| CN111403442B (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| JP6110695B2 (ja) | 発光装置 | |
| WO2021114969A1 (zh) | 一种发光结构、显示装置及照明装置 | |
| CN110660932B (zh) | 一种电致发光器件的制作方法、电致发光器件和显示装置 | |
| US20180366672A1 (en) | Display panels of quantum-dot light emitting diodes (qleds) and the manufacturing methods thereof | |
| JP2020525967A (ja) | エレクトロルミネセントダイオードアレイ基板及びその製造方法並びに表示パネル | |
| CN105789260B (zh) | 一种透明显示面板及其制备方法 | |
| CN109524437B (zh) | Oled结构及其制备方法、显示面板以及电子设备 | |
| WO2019095565A1 (zh) | 串联量子点发光器件、面板即显示器 | |
| US20160276617A1 (en) | Opposed substrate of an oled array substrate and method for preparing the same, and display device | |
| US20170271552A1 (en) | Light emitting element and display device including the same | |
| CN111564564B (zh) | 一种电致发光器件及其制备方法、显示装置及照明装置 | |
| CN110957434A (zh) | 一种电致发光元件、透明显示装置和电致发光元件的制作方法 | |
| CN109285947B (zh) | 印刷用led薄膜led衬底、led薄膜led器件及其制备方法 | |
| CN210429885U (zh) | 量子点发光单元 | |
| CN109378409B (zh) | 一种电致发光器件及其制造方法 | |
| CN111354861A (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| US20230337448A1 (en) | Display device | |
| WO2020215882A1 (zh) | 发光结构、显示面板和显示装置 | |
| WO2020059024A1 (ja) | 発光素子、及び発光素子の製造方法 | |
| CN113130794A (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN112164741B (zh) | 电荷传输层及发光器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |