CN112018267B - 显示面板、显示装置及制备方法 - Google Patents
显示面板、显示装置及制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112018267B CN112018267B CN202010948599.7A CN202010948599A CN112018267B CN 112018267 B CN112018267 B CN 112018267B CN 202010948599 A CN202010948599 A CN 202010948599A CN 112018267 B CN112018267 B CN 112018267B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- insulator material
- material layer
- bis
- electrode material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 51
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 50
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 46
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims abstract description 34
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 14
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 8
- MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinaphthalen-1-yl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=C2C(C3=NN=C(O3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZGNCKIDXVHSMJL-UHFFFAOYSA-N 2-methylquinoline-8-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C(C(O)=O)C2=NC(C)=CC=C21 ZGNCKIDXVHSMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ADENFOWRGOZGCW-UHFFFAOYSA-N 3,5-bis(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 ADENFOWRGOZGCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 4-naphthalen-1-yl-3,5-diphenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(N1C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=NN=C1C1=CC=CC=C1 AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 9-(3-carbazol-9-ylphenyl)carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LKXFMLDAUIXMGY-UHFFFAOYSA-N 9-(3-phenylphenyl)carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=C1 LKXFMLDAUIXMGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)C=C1 BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 195
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请公开了一种显示面板、显示装置及制备方法，其中显示面板，包括像素界定层，所述像素界定层具有多个开口区；阴极层，所述阴极层形成于所述像素界定层上，所述开口区的边缘具有蒸镀阴影区；有机金属拓扑绝缘体材料层，所述有机金属拓扑绝缘体材料层形成于所述阴极层上，且所述有机金属拓扑绝缘体材料层于所述蒸镀阴影区不连续；电极材料层，所述电极材料层形成于所述有机金属拓扑绝缘体材料层上，且所述电极材料层位于所述蒸镀阴影区，所述电极材料相对于所述有机金属拓扑绝缘体材料层的有机金属拓扑绝缘体材料的亲疏性为相疏。上述方案克服了蒸镀阴影区域存在阴极穿刺甚至阴极断裂的问题。
Description
技术领域
本发明一般涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板、显示装置及制备方法。
背景技术
硅基有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode；OLED)产品以其超高像素密度(Pixels Per Inch；PPI)的优势，目前广泛应用在增强现实(Augmented Reality；AR)、虚拟现实(Virtual Reality；VR)、相机取景器或瞄准镜等诸多领域。
为了提高OLED的亮度及在高亮度下发光器件的寿命，会在发光器件中设置高导电的空穴注入层(Hole Injection Layer；HIL)、电荷产生层(Charge Generation Layer；CGL)，为了阻断载流子在不同子像素间横向传输，需要将像素界定层用于定义开口区的侧壁的坡度做的比较大，这样在开口区的边缘会造成蒸镀阴影，引起蒸镀阴影区域阴极穿刺甚至阴极断裂。
发明内容
本申请期望提供一种显示面板、显示装置及制备方法，用于解决现有技术中蒸镀阴影区域存在阴极穿刺甚至阴极断裂的问题。
第一方面，本发明提供一种显示面板，包括：
像素界定层，所述像素界定层具有多个开口区；
阴极层，所述阴极层形成于所述像素界定层上；
所述开口区的边缘具有蒸镀阴影区；
有机金属拓扑绝缘体材料层，所述有机金属拓扑绝缘体材料层形成于所述阴极层上，且所述有机金属拓扑绝缘体材料层于所述蒸镀阴影区不连续；
电极材料层，所述电极材料层形成于所述有机金属拓扑绝缘体材料层上，且所述电极材料层位于所述蒸镀阴影区，所述电极材料相对于所述有机金属拓扑绝缘体材料层的有机金属拓扑绝缘体材料的亲疏性为相疏。
作为可实现方式，所述有机金属拓扑绝缘体材料层的厚度在 2nm-10nm。
作为可实现方式，所述有机金属拓扑绝缘体材料包括：
2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1，3，4-噁二唑、
2-(4-联苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑、
1，3-双(N-咔唑基)苯、
3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑、
N，N′-二苯基-N，N′-二(2-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺、
4-(1-萘基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑、
3，5-双[4-(1，1-二甲基乙基)苯基]-4-苯基-4H-1，2，4-三唑、
2，5-双(1-萘基)-1，3，4-噁二唑、
2-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽、
4，4′-双(N-咔唑基)-1，1′-联苯基、
双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-(苯基苯酚合)铝、
9-[1，1′-联苯基]-3-基-9H-咔唑、以及
三[2-苯基苯基吡啶合-C2，N]铱(III)中的至少任一种。
作为可实现方式，所述电极材料包括镁和铜中的至少任一种。
作为可实现方式，所述有机金属拓扑绝缘体材料层上形成有光学调整层，所述光学调整层上形成有封装层。
第二方面，本发明提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
第三方面，本发明提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：
形成像素界定层，所述像素界定层具有多个开口区，所述开口区的边缘具有蒸镀阴影区；
在至少部分所述开口区形成发光器件；
在所述像素界定层上形成阴极层；
在所述阴极层上形成有机金属拓扑绝缘体材料层，且所述有机金属拓扑绝缘体材料层于所述蒸镀阴影区不连续；
在所述有机金属拓扑绝缘体材料层上形成电极材料层，且所述电极材料层位于所述蒸镀阴影区，所述电极材料相对于所述有机金属拓扑绝缘体材料层的有机金属拓扑绝缘体材料的亲疏性为相疏。
作为可实现方式，所述有机金属拓扑绝缘体材料层的厚度在 2nm-10nm。
作为可实现方式，所述有机金属拓扑绝缘体材料包括：
2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1，3，4-噁二唑、
2-(4-联苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑、
1，3-双(N-咔唑基)苯、
3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑、
N，N′-二苯基-N，N′-二(2-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺、
4-(1-萘基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑、
3，5-双[4-(1，1-二甲基乙基)苯基]-4-苯基-4H-1，2，4-三唑、
2，5-双(1-萘基)-1，3，4-噁二唑、
2-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽、
4，4′-双(N-咔唑基)-1，1′-联苯基、
双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-(苯基苯酚合)铝、
9-[1，1′-联苯基]-3-基-9H-咔唑、以及
三[2-苯基苯基吡啶合-C2，N]铱(III)中的至少任一种。
作为可实现方式，所述电极材料包括镁和铜中的至少任一种。
上述方案，在阴极层上形成有机金属拓扑绝缘体材料层，并且有机金属拓扑绝缘体材料层于蒸镀阴影区不连续，可以认为在蒸镀阴影区有机金属拓扑绝缘体材料层是断裂的，在有机金属拓扑绝缘体材料层上形成电极材料层时，由于电极材料层的电极材料相对于有机金属拓扑绝缘体材料层的有机金属拓扑绝缘体材料的亲疏性为相疏，那么电极材料会在蒸镀阴影区，也即在有机金属拓扑绝缘体材料层的断裂处堆积(成膜)，使得电极材料与阴极层电连接，堆积在蒸镀阴影区的电极材料相当于将蒸镀阴影区的阴极层进行加厚或填充阴极层的断裂，因此克服了蒸镀阴影区存在阴极穿刺甚至阴极断裂的问题。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2为不同阴极层厚度下的视角-色偏图；
图3为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
如图1所示，本发明实施例提供一种显示面板，包括：像素界定层1，所述像素界定层1具有多个开口区W；阴极层3，所述阴极层3 形成于所述像素界定层1上；所述开口区W的边缘具有蒸镀阴影区S；有机金属拓扑绝缘体材料层4，所述有机金属拓扑绝缘体材料层4形成于所述阴极层3上，且所述有机金属拓扑绝缘体材料层4于所述蒸镀阴影区S不连续；电极材料层5，所述电极材料层5形成于所述有机金属拓扑绝缘体材料层4上，且所述电极材料层5位于所述蒸镀阴影区S，所述电极材料相对于所述有机金属拓扑绝缘体材料层4的有机金属拓扑绝缘体材料的亲疏性为相疏。
一般地，像素界定层1可以形成于阳极层8上，通过在阳极层8 上沉积或涂覆用于形成像素界定层1的材料，例如但不限于，可以在阳极层8上涂覆用于形成像素界定层1光刻胶层，然后对光刻胶层进行图案化，形成具有多个开口区W的像素界定层1。每个开口区W对应一个子像素。例如，通过蒸镀的方式在开口区W形成发光器件2。
发光器件2可以是单器件，也可以是复合器件。
单器件例如是独立发出红、绿、蓝三原色的红光器件、绿光器件、蓝光器件，其结构可以包括自阳极层8叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层，其中，发光层对应为对应发出红、绿、蓝三原色的红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层。
复合器件例如是白光器件(WOLED)，其结构可以包括自阳极层 8叠设置的第一空穴注入层，第一空穴传输层、红光发光层、绿光发光层、第一电子传输层、电子注入层、电荷产生层、第二空穴注入层，第二空穴传输层、蓝光发光层、第二电子传输层、电子注入层。在采用白光器件的情况下，在阴极层3的上方还需要设置彩膜基板，彩膜基板上设置有与开口区W排布方式一致的色阻，例如但不限于，色阻包括红色色阻、绿色色阻、蓝色色阻。阴极层3的材料可以选用镁和银中的至少任一种。
电子注入层与阴极层3电连接。
由于发光器件2中设置高导电的空穴注入层和/或电荷产生层、为了阻断载流子在不同子像素间横向传输，需要将像素界定层1用于定义开口区W的侧壁的坡度θ做的比较大，例如但不限于75°以上，这里的数字仅是用于示例性说明，并非是对本发明的唯一性限定。如此大角度的坡度θ，导致在开口区W的边缘处形成蒸镀阴影区S，该蒸镀阴影区S相当于是在像素界定层1顶面与发光器件2顶面之间具有足够的段差，使得空穴注入层和/或电荷产生层在该蒸镀阴影区S产生断层，阻断载流子在不同子像素间横向传输，但是由于该段差的存在，在其后形成的阴极层3也会存在，于蒸镀阴影区S的厚度较薄甚至出现断裂，为了解决该问题，现有技术中是加大阴极层3的厚度，但是随着阴极层3厚度的增加，发光器件2的视场角的色偏会变劣。
在某些情况下，为了更好的隔断空穴注入层和/或电荷产生层，像素界定层1除了具有形成发光器件2的多个开口区W外，在两个开口区W相邻的像素界定层1的侧壁上，还可以形成另外的开口区W’；开口区W’若同样存在蒸镀阴影区的情况下，该区域的有机金属拓扑绝缘体材料层4同样是不连续的，在该不连续的位置，电极材料同样可以成膜。
如图2所示，在阴极层3的厚度分别为 随着阴极厚度的增加，视角越大，色偏越严重，反之随着阴极厚度的减小，视角越大，色偏越小，如图2中箭头所示。
而本申请的技术方案，可以在不增加阴极层3厚度的情况下，克服了蒸镀阴影区S存在阴极穿刺甚至阴极断裂的问题。此外，由于电极材料层5形成于有机金属拓扑绝缘体材料层4上，且是位于蒸镀阴影区S，而不是位于子像素的显示区域，因此对显示效果没有负面的影响。
本文所指的电极材料层5形成于有机金属拓扑绝缘体材料层4上，是指先形成有机金属拓扑绝缘体材料层4，然后再在有机金属拓扑绝缘体材料层4上沉积电极材料层5，一般通过蒸镀的方式进行电极材料层5的制备。由于电极材料层5的电极材料相对于有机金属拓扑绝缘体材料层4的有机金属拓扑绝缘体材料的亲疏性为相疏，在蒸镀阴影区S之外的区域是具有有机金属拓扑绝缘体材料，而在蒸镀阴影区 S内没有有机金属拓扑绝缘体材料，那么电极材料会在蒸镀阴影区S 成膜，而在其他区域不成膜(也即在有机金属拓扑绝缘体材料上无法沉积电极材料)，这样电极材料会特异性的在蒸镀阴影区S，也即阴极层3穿刺或断裂的区域成膜。
综上所述，本方案中由于在阴极层3上形成有机金属拓扑绝缘体材料层4，并且有机金属拓扑绝缘体材料层4于蒸镀阴影区S不连续，可以认为在蒸镀阴影区S有机金属拓扑绝缘体材料层4是断裂的，在有机金属拓扑绝缘体材料层4上形成电极材料层5时，由于电极材料层5的电极材料相对于有机金属拓扑绝缘体材料层4的有机金属拓扑绝缘体材料的亲疏性为相疏，那么电极材料会在蒸镀阴影区S，也即在有机金属拓扑绝缘体材料层4的断裂处堆积(成膜)，使得电极材料与阴极层3电连接，堆积在蒸镀阴影区S的电极材料相当于将蒸镀阴影区S的阴极层3进行加厚或填充阴极层3的断裂，因此克服了蒸镀阴影区S存在阴极穿刺甚至阴极断裂的问题。
作为可实现方式，一般地阴极层3穿刺的深度，也即像素界定层 1顶面与发光器件2顶面之间的段差会大于10nm，为了使机金属拓扑绝缘体材料层可以在蒸镀阴影区S形成不连续的结构，也即在蒸镀阴影区S发生断裂，有机金属拓扑绝缘体材料层4的厚度可以选择在 2nm-10nm。除了此范围外，根据实际需要亦可采用其他的范围，只要是有机金属拓扑绝缘体材料层4的厚度小于像素界定层1顶面与发光器件2顶面之间的段差，均应归于本发明的保护范围之内。
作为可实现方式，所述有机金属拓扑绝缘体材料包括：
2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1，3，4-噁二唑、
2-(4-联苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑、
1，3-双(N-咔唑基)苯、
3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑、
N，N′-二苯基-N，N′-二(2-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺、
4-(1-萘基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑、
3，5-双[4-(1，1-二甲基乙基)苯基]-4-苯基-4H-1，2，4-三唑、
2，5-双(1-萘基)-1，3，4-噁二唑、
2-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽、
4，4′-双(N-咔唑基)-1，1′-联苯基、
双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-(苯基苯酚合)铝、
9-[1，1′-联苯基]-3-基-9H-咔唑、以及
三[2-苯基苯基吡啶合-C2，N]铱(III)中的至少任一种。
例如，可以采用蒸镀的方式以上述任一一种材料来形成机金属拓扑绝缘体材料层，当然还可以采用上述任意两种或两种以上材料来形成有机金属拓扑绝缘体材料层4。有机金属拓扑绝缘体材料层4可以是一种材料的单层结构，也可以是上述任意两种以上材料的复合层结构。
作为可实现方式，所述电极材料包括镁和铜中的至少任一种。
作为可实现方式，所述有机金属拓扑绝缘体材料层4上形成有光学调整层(Capping Layer，CPL)，所述光学调整层上形成有封装层。通过设置光学调整层以调节光学干涉距离，抑制外光反射，抑制表面等离子体能移动引起的消光，从而提高光的取出效率，提升OLED器件的发光效率。
下面以一种更为具体的示例来说明本发明的显示面板。
如图1及图3所示，该示例中，显示面板包括硅基底6，在硅基底6上依次设置互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor；CMOS)电路7、阳极层8、像素界定层1、形成于像素界定层1各开口区W的发光器件2，形成于像素界定层1上的阴极层3，在阴极层3上蒸镀形成有机金属拓扑绝缘体材料层4，有机金属拓扑绝缘体材料层4的厚度应保证可以在蒸镀阴影区S发生断裂的厚度范围以内，然后通过蒸镀的方式形成电极材料层5，电极材料层5 的电极材料在蒸镀阴影区S，有机金属拓扑绝缘体材料层4断裂的位置成膜，在进行电极材料层5蒸镀的工艺中，可以采用Open Mask，然后再形成光学调整层4，在光学调整层4上形成封装层。封装层可以包括层叠设置的第一无机层10、有机层11及第二无机层12。第一无机层10及第二无机层12的材料可以为SiN、SiO、SiON中的至少任一种。
第二方面，本发明提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
第三方面，如图4所示，本发明提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：
S1：形成像素界定层1，所述像素界定层1具有多个开口区W，所述开口区W的边缘具有蒸镀阴影区S；
例如但不限于，在阳极层8上涂覆光刻胶，对光刻胶进行图案化，形成具有多个开口的像素界定层1。
S2：在至少部分所述开口区W形成发光器件2；
通过蒸镀有机发光材料，在开口区W形成发光器件2。
S3：在所述像素界定层1上形成阴极层3；
通过蒸镀的方式在像素界定层1上形成阴极层3，阴极层3的材料可以为镁和银中的至少任一种。
S4：在所述阴极层3上形成有机金属拓扑绝缘体材料层4，且所述有机金属拓扑绝缘体材料层4于所述蒸镀阴影区S不连续；
通过蒸镀有机金属拓扑绝缘体材料，在阴极层3上形成有机金属拓扑绝缘体材料层4。
S5：在所述有机金属拓扑绝缘体材料层4上形成电极材料层5，且所述电极材料层5位于所述蒸镀阴影区S，所述电极材料相对于所述有机金属拓扑绝缘体材料层4的有机金属拓扑绝缘体材料的亲疏性为相疏。
通过蒸镀电极材料形成电极材料层5。由于电极材料相对于有机金属拓扑绝缘体材料层4的有机金属拓扑绝缘体材料的亲疏性为相疏，因此在蒸镀过程中，只有有机金属拓扑绝缘体材料层4的断裂处，也即在蒸镀阴影区S电极材料才能成膜。
本制备方法是用于形成上述实施例的显示面板，其具体效果及原理参见上述显示面板实施例，这里不再赘述。
作为可实现方式，一般地阴极层3穿刺的深度，也即像素界定层1顶面与发光器件2顶面之间的段差会大于10nm，为了使机金属拓扑绝缘体材料层可以在蒸镀阴影区S形成不连续的结构，也即在蒸镀阴影区S发生断裂，有机金属拓扑绝缘体材料层4的厚度可以选择在 2nm-10nm。除了此范围外，根据实际需要亦可采用其他的范围，只要是有机金属拓扑绝缘体材料层4的厚度小于像素界定层1顶面与发光器件2顶面之间的段差，均应归于本发明的保护范围之内。
作为可实现方式，所述有机金属拓扑绝缘体材料包括：
2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1，3，4-噁二唑、
2-(4-联苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑、
1，3-双(N-咔唑基)苯、
3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑、
N，N′-二苯基-N，N′-二(2-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺、
4-(1-萘基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑、
3，5-双[4-(1，1-二甲基乙基)苯基]-4-苯基-4H-1，2，4-三唑、
2，5-双(1-萘基)-1，3，4-噁二唑、
2-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽、
4，4′-双(N-咔唑基)-1，1′-联苯基、
双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-(苯基苯酚合)铝、
9-[1，1′-联苯基]-3-基-9H-咔唑、以及
三[2-苯基苯基吡啶合-C2，N]铱(III)中的至少任一种。
作为可实现方式，所述电极材料包括镁和铜中的至少任一种。
需要理解的是，上文如有涉及术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
Claims (10)
1.一种显示面板，包括：
像素界定层，所述像素界定层具有多个开口区；
阴极层，所述阴极层形成于所述像素界定层上，其特征在于，
所述开口区的边缘具有蒸镀阴影区；
有机金属拓扑绝缘体材料层，所述有机金属拓扑绝缘体材料层形成于所述阴极层上，且所述有机金属拓扑绝缘体材料层于所述蒸镀阴影区不连续；
电极材料层，所述电极材料层形成于所述有机金属拓扑绝缘体材料层上，且所述电极材料层位于所述蒸镀阴影区，所述电极材料相对于所述有机金属拓扑绝缘体材料层的有机金属拓扑绝缘体材料的亲疏性为相疏；
所述蒸镀阴影区处的所述阴极层与所述电极材料层膜厚叠加不小于所述开口区处所述阴极层膜厚。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有机金属拓扑绝缘体材料层的厚度在2nm-10nm。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述有机金属拓扑绝缘体材料包括：
2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1，3，4-噁二唑、
2-(4-联苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑、
1，3-双(N-咔唑基)苯、
3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑、
N，N′-二苯基-N，N′-二(2-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺、
4-(1-萘基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑、
3，5-双[4-(1，1-二甲基乙基)苯基]-4-苯基-4H-1，2，4-三唑、
2，5-双(1-萘基)-1，3，4-噁二唑、
2-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽、
4，4′-双(N-咔唑基)-1，1′-联苯基、
双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-(苯基苯酚合)铝、
9-[1，1′-联苯基]-3-基-9H-咔唑、以及
三[2-苯基吡啶合-C2，N]铱(III)中的至少任一种。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述电极材料包括镁和铜中的至少任一种。
5.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述有机金属拓扑绝缘体材料层上形成有光学调整层，所述光学调整层上形成有封装层。
6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的显示面板。
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
形成像素界定层，所述像素界定层具有多个开口区，所述开口区的边缘具有蒸镀阴影区；
在至少部分所述开口区形成发光器件；
在所述像素界定层上形成阴极层；
在所述阴极层上形成有机金属拓扑绝缘体材料层，且所述有机金属拓扑绝缘体材料层于所述蒸镀阴影区不连续；
在所述有机金属拓扑绝缘体材料层上形成电极材料层，且所述电极材料层位于所述蒸镀阴影区，所述电极材料相对于所述有机金属拓扑绝缘体材料层的有机金属拓扑绝缘体材料的亲疏性为相疏；
所述蒸镀阴影区处的所述阴极层与所述电极材料层膜厚叠加不小于所述开口区处所述阴极层膜厚。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述有机金属拓扑绝缘体材料层的厚度在2nm-10nm。
9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述有机金属拓扑绝缘体材料包括：
2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1，3，4-噁二唑、
2-(4-联苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑、
1，3-双(N-咔唑基)苯、
3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑、
N，N′-二苯基-N，N′-二(2-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺、
4-(1-萘基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑、
3，5-双[4-(1，1-二甲基乙基)苯基]-4-苯基-4H-1，2，4-三唑、
2，5-双(1-萘基)-1，3，4-噁二唑、
2-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽、
4，4′-双(N-咔唑基)-1，1′-联苯基、
双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-(苯基苯酚合)铝、
9-[1，1′-联苯基]-3-基-9H-咔唑、以及
三[2-苯基吡啶合-C2，N]铱(III)中的至少任一种。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述电极材料包括镁和铜中的至少任一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010948599.7A CN112018267B (zh) | 2020-09-10 | 2020-09-10 | 显示面板、显示装置及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010948599.7A CN112018267B (zh) | 2020-09-10 | 2020-09-10 | 显示面板、显示装置及制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112018267A CN112018267A (zh) | 2020-12-01 |
| CN112018267B true CN112018267B (zh) | 2024-04-05 |
Family
ID=73522572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010948599.7A Active CN112018267B (zh) | 2020-09-10 | 2020-09-10 | 显示面板、显示装置及制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112018267B (zh) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111403442A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-07-10 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102085320B1 (ko) * | 2013-06-18 | 2020-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2020
- 2020-09-10 CN CN202010948599.7A patent/CN112018267B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111403442A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-07-10 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112018267A (zh) | 2020-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101988217B1 (ko) | 유기 발광 다이오드 마이크로-캐비티 구조 및 그 제조 방법 | |
| US9065079B2 (en) | Fabrication method of a pixel structure of an electroluminescent display panel | |
| CN108321175B (zh) | 基板及其制造方法、显示装置 | |
| US10804499B2 (en) | Light emitting element, display element, and method for producing light emitting element | |
| CN110649078B (zh) | 一种显示用基板及显示装置 | |
| CN109390372B (zh) | 像素结构及其形成方法、显示屏 | |
| US10157967B2 (en) | Organic electroluminescence device, illumination device, and display device | |
| KR19990072987A (ko) | 컬러표시장치 | |
| KR101591743B1 (ko) | 전자발광 스크린을 갖는 다색 전자 디스플레이 장치 | |
| KR20140127688A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| CN111415970B (zh) | Oled显示面板 | |
| WO2017170063A1 (ja) | 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| JP2010174305A (ja) | 蒸着装置及び有機ｅｌ表示装置 | |
| WO2016031757A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、照明装置、および表示装置 | |
| WO2024055821A9 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示面板 | |
| CN112018267B (zh) | 显示面板、显示装置及制备方法 | |
| US20230263012A1 (en) | Descending etching resistance in advanced substrate patterning | |
| JP2009164049A (ja) | 有機ｅｌデバイス | |
| US9960215B2 (en) | Organic electroluminescent display device | |
| KR20160094567A (ko) | 전면 발광형 유기발광소자, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 표시장치 | |
| CN110581162A (zh) | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 | |
| US11665931B2 (en) | Descending etching resistance in advanced substrate patterning | |
| WO2022239576A1 (ja) | 表示装置及び電子機器 | |
| JP5320267B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイ | |
| WO2022209588A1 (ja) | 表示装置、電子機器、ならびに表示装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |