CN109244263B - 使用有机发光二极管的照明设备 - Google Patents

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Abstract

本发明的照明设备包括位于第一基板上并且由第一电极、有机发光层和第二电极形成的有机发光二极管，并且在每个像素中，所述第一电极由具有2800Ω至5500Ω的电阻的透明导电材料构成。因此，即使第一电极和第二电极彼此接触以去除像素中有机发光层的电阻，也可通过第一电极的电阻抑制过电流施加至像素。此外，连接至像素中的第一电极的、由低电阻透明导电材料形成的至少一个导电图案设置用来抑制由具有高电阻的第一电极导致的亮度降低。

Description

使用有机发光二极管的照明设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年7月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0088075号的优先权，通过引用将上述专利申请的公开内容结合在此。
技术领域
本发明涉及一种其中由短路引起的故障被抑制的照明设备。
背景技术
目前，主要使用荧光灯或白炽灯作为照明设备。其中，白炽灯具有良好的显色指数(CRI)，但具有非常低的能量效率。此外，荧光灯具有良好的效率，但却具有低显色指数并且包含汞，这可能会造成环境问题。
为了解决现有技术的照明设备的问题，近来，提出了将发光二极管(LED)作为照明设备。发光二极管由无机发光材料制成。发光效率在蓝色波长范围内最高，并且发光效率朝向红色波长范围和绿色波长范围(具有最高可见性)降低。因此，在将红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管组合以发射白光时具有发光效率降低的问题。此外，还有另外一个问题：当使用红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管时，由于发射峰(emission peak)的宽度较窄，因此显色性能也会下降。
为了解决上述问题，已经提出了代替红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管的组合，通过将蓝色发光二极管与黄色荧光材料组合以输出白光的照明设备。提出如上所述配置的发光二极管的原因是，仅使用具有高效率的蓝光发光二极管和接收蓝色光以针对其余颜色发射黄色光的荧光材料比使用具有低发光效率的绿色发光二极管更加有效。
然而，在将蓝色发光二极管与黄色荧光材料组合以输出白光的照明设备的情形中，由于发射黄色光的荧光材料具有低发光效率，因此在提高照明设备的发光效率方面具有局限性。
为了解决发光效率下降的问题，已提出了利用由有机发光材料形成的有机发光二极管的照明设备。一般地，相较于无机发光二极管，有机发光二极管具有相对优异的红色光和绿色光的发光效率。此外，有机发光二极管的蓝色光、红色光和绿色光的发射峰比无机发光二极管的发射峰相对更宽，使得显色性能得以改善。因此，优点在于发光装置的光更类似于太阳光。
有机发光二极管由阳极、阴极、以及二者之间的有机发光层组成。然而，在用于照明设备的有机发光二极管中，阳极与阴极之间的距离较小，使得阳极和阴极因异物的渗透导致的穿孔或裂纹、有机发光二极管的内部结构的台阶、以及堆叠层的粗糙度而彼此直接接触，使得在阳极与阴极之间造成短路。此外，由于形成有机发光层时的工艺故障或工艺误差，有机发光层形成得比设定厚度薄，使得可能存在阳极和阴极电短路的问题。
当阳极和阴极电短路时，短路区域形成电流流过的低电阻路径，使得电流仅在短路区域中流动，而流经有机发光二极管的其他区域的电流大大减少，或者在极端情况下，没有电流流动。因此，有机发光二极管的发光输出减少或有机发光二极管不发光。
当将这种有机发光二极管应用于照明设备时，由于阳极和阴极的短路导致发射出亮度低于设定亮度的光，使得照明设备的质量下降或者甚至照明设备不工作。此外，当将该有机发光二极管应用于显示装置时，对应于短路区域的像素变成有缺陷的像素，使得显示装置的质量下降。
一般而言，由于有机发光二极管是在洁净室中制造的，因此避免了在制造工艺期间由于诸如灰尘之类的异物导致的阳极和阴极的短路。实际上，即使在洁净室中，也不能完全避免异物的渗透，并且不能避免由于诸如有机发光二极管的内部结构的台阶和堆叠层的粗糙度之类的结构性问题而导致的短路。因此，不能完全避免由于短路而导致的故障。
发明内容
本发明所要实现的一个目的是提供一种照明设备，其中有机发光二极管的第一电极由具有等于或高于设定值的高电阻的透明导电材料形成，以抑制由于第一电极和第二电极的接触而导致的短路。
本发明所要实现的另一目的是提供一种照明设备，其中形成与多个像素中的第一电极接触的具有低电阻的至少一个导电图案，以通过具有高电阻的第一电极抑制亮度的下降。
根据本发明的一个方面，一种照明设备，包括：包括多个像素的第一基板；和有机发光二极管，所述有机发光二极管设置在所述第一基板的所述多个像素的每一个中并且包括第一电极、有机发光层和第二电极，其中在每个像素中所述第一电极由电阻为所述有机发光层的电阻的至少一半的透明导电材料制成。因此，由于第一电极的电阻，即使第一电极和第二电极彼此接触以去除像素中有机发光层的电阻，也可抑制过电流施加到像素上。
根据本发明的另一方面，一种发光装置，包括：第一基板；位于所述第一基板上的辅助电极，所述辅助电极设置成矩阵形式以将所述第一基板划分为多个像素；位于所述第一基板上的第一电极，所述第一电极电连接至所述辅助电极；位于所述第一电极上的有机发光层；和位于所述有机发光层上的第二电极，其中所述第一电极由电阻为所述有机发光层的电阻的至少一半的透明导电材料制成。
根据本发明，形成有机发光二极管的第一电极由具有高电阻的透明导电材料形成，使得即使有机发光二极管的第一电极和第二电极彼此接触，也可抑制有机发光二极管的短路。因此，可抑制由于通过其中产生接触的像素施加的过电流而导致的照明设备的亮度降低或照明设备的驱动故障。
具体地说，根据本发明，在不形成单独的电阻层或电阻图案的情况下，由于第一电极和第二电极的接触而导致的短路得到抑制，使得可抑制制造工艺的复杂性和开口率的下降。
此外，根据本发明，在多个像素的每一个中形成电连接至第一电极的具有低电阻的至少一个透明导电图案，使得像素中的第一电极的导电性得到局部改善，使得可抑制由于具有高电阻的第一电极而导致的照明设备的亮度降低。
附图说明
从下面结合附图的详细描述将更加清楚地理解本发明的上述和其他方面、特征和其他优点，其中：
图1是图解根据本发明的照明设备的结构的平面图；
图2是沿图1的线I-I’截取的截面图；
图3A和图3B是示意性地图解照明设备中设置的有机发光二极管的电路的视图；
图4A和图4B是包括单独的短路减少电阻器的有机发光二极管的电路图；
图5A是图解当在有机发光二极管的像素中未产生短路时，施加至像素的像素电流与短路减少电阻之间的关系的曲线图；
图5B是图解当在有机发光二极管的像素中产生短路时，施加至短路像素的短路电流与短路减少电阻之间的关系的曲线图；
图6是图解通过在像素中形成单独的图案而包括短路减少电阻器的照明设备的结构示例的视图；
图7A和图7B是图解根据本发明的其中第一电极由具有高电阻的导电材料形成的有机发光二极管的电路的视图；
图8A和图8B是图解由于穿孔等导致第一电极和第二电极在像素中的预定区域中彼此接触的视图；
图9A至图9D是图解根据本发明的照明设备的制造方法的平面图；
图10A至图10D是图解根据本发明的照明设备的制造方法的截面图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述本发明。
在本发明中，提供了一种包括由有机材料形成的有机发光二极管的照明设备，而不是包括由无机材料形成的无机发光二极管的照明设备。
相较于无机发光二极管，由有机发光材料形成的有机发光二极管具有相对优异的红色光和绿色光的发光效率。此外，有机发光二极管的蓝色光、红色光和绿色光的发射峰的宽度比无机发光二极管的发射峰相对更宽，使得显色性能得以改善。因此，优点在于：发光装置的光更类似于太阳光。
具体地说，本发明提供了一种包括有机发光二极管的发光装置，其可在有机发光二极管的一些像素短路时抑制发光装置的发光效率下降或抑制照明设备的不发光。
图1是图解根据本发明的使用有机发光二极管的照明设备的结构的平面图。
如图1中所示，根据本发明的照明设备100是面发光照明设备，第一电极124和第二电极126设置在第一基板110的整个表面上，有机发光层130设置在第一电极124与第二电极126之间以形成有机发光二极管。在具有如上所述结构的照明设备100中，信号施加至有机发光二极管的第一电极124和第二电极126，以使有机发光层130发光，使得从整个基板110输出光。
辅助电极122以矩阵形式设置在第一基板110上。辅助电极122由具有良好导电性的金属制成，以给设置在第一基板110的整个区域中的第一电极124施加均匀电压，使得大尺寸照明设备100可发射具有均匀亮度的光。
此外，至少一个导电图案128设置在第一电极124上方或下方。在这种情况下，至少一个导电图案128设置在辅助电极122的闭合曲线中。
有机发光层130由输出白光的有机发光材料制成。例如，有机发光层130可由蓝色有机发光层、红色有机发光层、和绿色有机发光层构成，或者有机发光层130可由包括蓝色发光层和黄绿色发光层的串联结构(tandem structure)构成。然而，本发明的有机发光层130并不限于上述结构，可以采用各种结构。
此外，本发明的有机发光层130可进一步包括：分别将电子和空穴注入到有机发光层的电子注入层和空穴注入层；分别将注入的电子和空穴传输至有机发光层的电子传输层和空穴传输层；以及产生诸如电子和空穴之类的电荷的电荷产生层。
尽管图中未示出，但分别连接至第一电极124和第二电极126以从外部施加电压的第一焊盘和第二焊盘设置在第一基板110上。在这种情况下，第一焊盘和第二焊盘可形成在第一基板110的一个边缘处或者可分别形成在两个边缘处。此外，多个第一焊盘和第二焊盘可被提供为设置在第一基板110的四个边缘处。
图2是沿图1的线I-I’截取的截面图，将参照图2更加详细地描述根据本发明的照明设备100。
如图2中所示，第一电极124和至少一个导电图案128设置在第一基板110上，第一基板110由诸如塑料之类的具有柔性的可弯曲透明材料或诸如玻璃之类的刚性透明材料形成。上述导电图案128由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明金属氧化物形成。此外，第一电极124使用具有高电阻的透明导电材料，其原因将在下面详细描述。
第一电极124设置在除第一基板110的外边缘区域之外的区域上，但至少一个导电图案128被设置为具有预定尺寸。导电图案128和第一电极124彼此直接接触以电性连接。尽管在附图中，导电图案128设置在第一电极124下方以电性连接，但导电图案128可设置在第一电极124上方以连接至第一电极。
尽管图中未示出，但第一焊盘和第二焊盘可设置在第一基板110的边缘处。在这种情况下，第一焊盘和第二焊盘可由与第一电极124相同的材料通过相同的工艺形成。
辅助电极122设置在第一基板110上以电连接至第一电极124。第一电极124由透明导电材料形成，以具有如下优点：所发射的光可穿过第一电极，但也具有以下缺点：与金属相比，电阻非常高。因此，当制造大尺寸照明设备100时，由于透明导电材料的高电阻，导致施加至较大照明区域的电流分布不均匀，由于不均匀的电流分布，大尺寸照明设备100可能不会发射具有均匀亮度的光。
辅助电极122设置在整个第一基板110上以具有呈较小厚度的矩阵型、网格型、六边形、八边形或圆形，以允许均匀的电压施加至整个第一基板110的第一电极124。因此，可从大尺寸照明设备100发射具有均匀亮度的光。
尽管在图中辅助电极122设置在第一电极124下方，但辅助电极122可设置在第一电极124上方。辅助电极122由具有良好导电性的金属，诸如Al、Au、Cu、Ti、W、Mo或它们的合金制成。尽管在图中，辅助电极122具有单层结构，但辅助电极122可由包括两个或更多个层的多个层构成。
此外，辅助电极122设置成矩阵形式以将第一基板110划分为多个像素单元。也就是说，辅助电极122相较于第一电极124具有非常低的电阻，使得基本上，第一电极124的电压不是经由第一焊盘直接施加至第一电极124，而是经由辅助电极122施加。因此，尽管第一电极124形成在整个第一基板110之上，但第一电极124被辅助电极122划分为多个像素。
在本发明中，辅助电极122形成为具有大约40μm至60μm的宽度，但是辅助电极122可由诸如待使用的金属类型、照明设备100的面积、或像素的尺寸之类的各种因素确定。
如图1和图2中所示，至少一个导电图案128设置在每个像素中以彼此间隔开。具体地说，至少一个导电图案128设置在每个像素的发光区域中。尽管在图中，导电图案128配置为具有方形，但导电图案128的形状并不局限于诸如方形之类的特定形状，而是可由诸如包括圆形、椭圆形、三角形或五角形的多边形之类的各种形状形成。此外，尽管在图中，预定数量的导电图案128规则地设置成矩阵形式，但导电图案128不设置成具有特定数量或特定形状，而是可设置成具有各种数量和各种形状。至少一个导电图案128可由与辅助电极122相同的材料形成。
保护层112层叠在第一基板110的第一电极124上方。保护层112配置为覆盖辅助电极122和辅助电极122上方的第一电极124。由于辅助电极122由不透明的金属制成，因此光不输出至形成辅助电极122的区域。因此，保护层112仅设置在辅助电极122上方而不设置在实际发光区域(即，像素)中，使得光只从像素的发光区域发射以被输出。
此外，保护层112形成为围绕辅助电极122，以减小由辅助电极122产生的台阶。因此，之后形成的各层稳定地形成而不断开。
此外，辅助电极122的剖面可具有锥形形状，保护层112的剖面可具有相同的锥形形状。
保护层112由诸如SiOx或SiNx之类的无机层形成。然而，保护层112可由诸如光学亚克力(photoacryl)之类的有机层构成，或者保护层112还可由包括无机层和有机层的多个层构成。
有机发光层130和第二电极126设置在第一电极124和保护层112上方。
有机发光层130是白色发光层，并且可由红色发光层、蓝色发光层、和绿色发光层构成，或者，有机发光层130可由包括蓝色发光层和黄绿色发光层的串联结构构成。此外，有机发光层130可进一步包括：分别将电子和空穴注入到有机发光层的电子注入层和空穴注入层；分别将注入的电子和空穴传输至有机发光层的电子传输层和空穴传输层；以及产生诸如电子和空穴之类的电荷的电荷产生层。
对于有机发光层130来说，从空穴传输层和电子传输层接收空穴和电子以使空穴和电子耦合而发射可见光区域中的光并且对于荧光或磷光具有良好量子效率的材料是理想的。这种有机材料的示例可包括8-羟基喹啉铝络合物(Alq3)、咔唑类化合物、二聚苯乙烯化合物、BAlq、10-羟基苯并喹啉-金属化合物、苯并恶唑、苯并噻唑和苯并咪唑类化合物、以及聚(对-亚苯基乙烯撑)(PPV)，但并不限于此。
此外，第二电极126可由金属，诸如Ca、Ba、Mg、Al、Ag或它们的合金构成。尽管图中未示出，但连接至第二电极126以将电压施加至第二电极126的第二焊盘设置在第一基板110的外边缘上方。
第一电极124、有机发光层130和第二电极126构成有机发光二极管。在这种情况下，第一电极124用作有机发光二极管的阳极，第二电极126用作有机发光二极管的阴极。当电压施加至第一电极124和第二电极126时，来自第二电极126的电子注入到有机发光层130中并且来自第一电极124的空穴注入到有机发光层130中。之后，在有机发光层130中产生激子。随着激子衰变，产生与发光层的最低未占分子轨道(LUMO)与最高占有分子轨道(HOMO)之间的能量差相对应的光并沿向下方向(在图中为朝向基板110)发射。
保护层112设置在辅助电极122上方，使得辅助电极122上方的有机发光层130不与第一电极124直接接触。因此，在辅助电极122上方不形成有机发光二极管。换句话说，照明设备100中的有机发光二极管仅形成在以矩阵形式形成的辅助电极122之间的像素中。
粘合剂118施加在配备有有机发光二极管的第一基板110上，并且第二基板170设置在粘合剂118上，使得第二基板170通过粘合剂118贴附。这样，照明设备100被密封。粘合剂118可使用光固化粘合剂或热固性粘合剂。第二基板170可由各种材料构成。如图中所示，粘合剂118还设置在有机发光二极管的侧面上，以完全密封有机发光二极管。
提供第二基板170是为了抑制湿气或空气从外部渗入，从而可使用执行上述功能的任何材料。例如，第二基板170可由诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)之类的聚合物或诸如铝之类的薄金属箔构成。
此外，尽管图中未示出，但由有机层和/或无机层构成的保护层以及由环氧化合物、丙烯酸酯化合物或丙烯酸化合物构成的封装剂可设置在第二电极126上以及有机发光二极管的侧面上。
同时，在本发明中，第一电极124由具有高电阻的透明导电材料制成，使得可抑制当第一电极124和第二电极126彼此电接触时产生的短路而导致的故障，下面将对此进行更详细的描述。
图3A是示意性地图解设置在照明设备中的有机发光二极管的电路的视图。如图3A中所示，电压V1和V2分别施加至第一电极124和第二电极126，并且有机发光层130的电阻器RE1、RE2、...、REn；第一电极124的电阻器R11、R12、...、R1n；和第二电极126的电阻器R21、R22、...、R2n串联连接在第一电极124与第二电极126之间。
设置在照明设备中的有机发光二极管包括多个像素P1、P2、...、Pn，并且各像素与其他像素并联连接。
在具有上述结构的有机发光二极管中，多个像素并联连接，以将电压V1和V2分别施加至第一电极124和第二电极126。因此，电流I1、I2、...、In施加至像素P1、P2、...、Pn的有机发光层LED1、LED2、...、LEDn，使得有机发光层LED1、LED2、...、LEDn发射光。在这种情况下，具有设定幅值的电压V1可施加至第一电极124，第二电极126可接地。
在多个像素中形成近似相同的电阻(尽管电阻可根据形成在每个像素P1、P2、...、Pn中的电极124和126以及有机发光层130的厚度误差而变化，但差别不明显)。因此，从多个像素发射出具有近似相同亮度的光，使得从整个照明设备输出均匀的光。
同时，有机发光二极管的有机发光层130形成为具有几百
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的薄厚度。因此，当由于工艺故障导致异物渗入有机发光层130中时，在有机发光层130中产生穿孔或裂纹。因此，第一电极124和第二电极126经由有机发光层130彼此接触，这可能会导致短路。此外，在照明设备的情形中，各金属层和绝缘层形成在有机发光层130下方。在这种情况下，有机发光层130由于金属层和绝缘层的台阶而破裂，使得第一电极124和第二电极126可彼此接触。此外，由于在有机发光层130的层压工艺期间的工艺故障或工艺误差，有机发光材料被不均匀地施加，因而第一电极124和第二电极126可彼此电连接。
图3B是图解当在第一电极124和第二电极126中产生电短路时，有机发光二极管的电路的视图。
如图3B中所示，在有机发光二极管的多个像素P1、P2、...、Pn之中的一个像素P2中，当第一电极124和第二电极126彼此接触或彼此电连接时，有机发光层130的电阻RE2从像素中去除，使得仅剩余第一电极124和第二电极126的导电材料的电阻R12和R22。
当第一电极124由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的具有相对良好导电性的透明金属氧化物材料形成时，第一电极124的电阻R11、R12、...、R1n为大约20Ω。此外，由金属形成的第二电极126的电阻R21、R22、...、R2n为大约0.1Ω。相比之下，有机发光层130的电阻RE1、RE2、...、REn为大约1MΩ。因此，有机发光层130的电阻RE1、RE2、...、REn比第一电极124的电阻R11、R12、...、R1n和第二电极126的电阻R21、R22、...、R2n高得多。因此，像素P1、P2、...、Pn的总电阻Rt1、Rt2、...、Rtn实质上等于有机发光层130的电阻RE1、RE2、...、REn(Rt≈RE)。
因此，当第二像素P2的第一电极124和第二电极126彼此接触而使得第二像素P2短路时，像素P2的有机发光二极管的电阻RE2被去除而变为零。因此，第二像素P2的总电阻Rt2比其他像素P1、...、Pn的总电阻Rt1、...、Rn低得多(Rt2<<Rt1、...、Rtn)。
结果，第一电极124与第二电极126之间的电流Ie大部分流经短路的像素P2，而几乎不流经其他像素P1、...、Pn。因此，像素P1、...、Pn的有机发光层的亮度迅速降低或有机发光层不发光。具有良好导电性的辅助电极122设置在照明设备中，信号实质上经由辅助电极122施加至像素P1、P2、...、Pn的每一个的第一电极124。因此，即使特定像素P2短路，也可藉由辅助电极122使其他像素P1、...、Pn中的电流下降最小化。然而，在这种情况下，其他像素P1、...、Pn受短路的像素P2影响，使得整个照明设备的亮度降低。
此外，过电流Ie在短路的像素P2中流动，使得短路区域的温度增加，从而使有机发光二极管的有机发光层130劣化。
为了抑制这种故障，在本发明中，第一电极124由具有相对较高电阻的透明导电材料形成，使得在有机发光二极管的像素P1、P2、...、Pn的每一个中提供单独的短路减少电阻器。
图4A和图4B是包括单独的短路减少电阻器的有机发光二极管的电路图。
如图4A中所示，在并联连接的多个像素P1、P2、...、Pn中，不但串联连接有机发光层130的电阻器RE1、RE2、...、REn；第一电极124的电阻器R11、R12、...、R1n；和第二电极126的电阻器R21、R22、...、R2n，而且还串联连接短路减少电阻器RSR1、RSR2、...、RSRn。
在具有如上所述结构的有机发光二极管中，电压V1和V2分别施加至第一电极124和第二电极126。因此，电流施加至像素P1、P2、...、Pn的有机发光层LED1、LED2、...、LEDn，以使有机发光层LED1、LED2、...、LEDn发光。
由于在多个像素P1、P2、...、Pn中形成近似相同的电阻，因此从多个像素发射出具有近似相同亮度的光，使得可从整个照明设备输出均匀的光。
如图4B中所示，当有机发光二极管的多个像素P1、P2、...、Pn之中的一个像素P2的第一电极124和第二电极126彼此接触时，有机发光层130的电阻RE2被去除，使得仅剩余第一电极124和第二电极126的导电材料的电阻R12和R22以及短路减少电阻RSR2。
当第一电极124由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的具有相对良好导电性的透明金属氧化物材料形成时，第一电极124的电阻R11、R12、...、R1n为大约20Ω。此外，由金属形成的第二电极126的电阻R21、R22、...、R2n为大约0.1Ω。相比之下，有机发光层130的电阻RE1、RE2、...、REn为大约1MΩ。因此，当未提供短路减少电阻器RSR1、RSR2、...、RSRn时，有机发光层130的电阻RE1、RE2、...、REn比第一电极124的电阻R11、R12、...、R1n和第二电极126的电阻R21、R22、...、R2n高得多。因此，像素P1、P2、...、Pn的每一个的总电阻Rt1、Rt2、...、Rtn实质上等于有机发光层130的电阻RE1、RE2、...、REn(Rt≈RE)。
然而，如图中所示，当在每个像素中设置单独的短路减少电阻器RSR1、RSR2、...、RSRn时，像素P1、P2、...、Pn的总电阻Rt1、Rt2、...、Rtn实质上不等于有机发光层130的电阻RE1、RE2、...、REn。
类似于第一电极124的电阻R11、R12、...、R1n和第二电极126的电阻R21、R22、...、R2n，当短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn形成为几十Ω或更低而使得短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn比有机发光层130的电阻RE1、RE2、...、REn低得多时，像素P1、P2、...、Pn的总电阻Rt1、Rt2、...、Rtn实质上等于有机发光层130的电阻RE1、RE2、...、REn。
然而，当与有机发光层130的电阻RE1、RE2、...、REn相比，短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn显著较高时，像素P1、P2、...、Pn的总电阻Rt1、Rt2、...、Rtn实质上等于有机发光层130的电阻RE1、RE2、...、REn和短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn之和(Rt1、Rt2、...、Rtn≈RE1、RE2、...、REn+RSR1、RSR2、...、RSRn)。
如上所述，当在像素P1、P2、...、Pn中设置具有预定幅值的短路减少电阻器RSR1、RSR2、...、RSRn时，若第二像素P2的第一电极124和第二电极126彼此接触，则像素P2的有机发光二极管的电阻RE2被去除而变为零。因此，第二像素P2的总电阻Rt2实质上等于短路减少电阻RSR2(Rt2≈RSR2)。
然而，短路减少电阻RSR2不比有机发光层130的电阻RE2低很多，而是具有显著的幅值。因此，第一电极124与第二电极126之间的电流没有大部分流经短路的像素P2，而是预定量的电流I’2流经像素P2。在这种情况下，尽管由于第二像素P2与其他像素P1、...、Pn的总电阻的差异而导致流经第二像素P2的电流的量与流经其他像素P1、...、Pn的电流的量不同(I’2≠I’1,...,I’n)，但是电流流经全部像素P1、P2、...、Pn。因此，多个像素P1、...、Pn的有机发光层的亮度迅速降低或有机发光层不发光的现象可被抑制。
在本发明中，短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn的幅值被适当地设定，以使得即使多个像素P1、P2、...、Pn之中的一个像素的第一电极124和第二电极126彼此接触，过电流也不会流经短路的像素，而是设定的电流流经短路的像素。因此，有机发光二极管的亮度降低可被抑制。
根据本发明，第一电极124可由电阻为有机发光层130的电阻的至少一半的透明导电材料制成，例如，第一电极124的电阻可为2800Ω至5500Ω。当由多个像素P1、P2、...、Pn形成的有机发光二极管的短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn的幅值为大约2800Ω至5500Ω时，即使当特定像素的第一电极124和第二电极126彼此接触时，过电流也不会流经短路的像素，而是设定的电流流经短路的像素。因此，有机发光二极管的所有像素P1、P2、...、Pn可发射光。
图5A是图解当在有机发光二极管的像素P1、P2、...、Pn中未产生短路时，施加至像素P1、P2、...、Pn的像素电流与短路减少电阻之间的关系的曲线图，图5B是图解当在有机发光二极管的像素P1、P2、...、Pn中产生短路时，施加至短路像素P1、P2、...、Pn的短路电流与短路减少电阻之间的关系的曲线图。在图5A和图5B的曲线图中，图解了当像素P1、P2、...、Pn的尺寸分别为500×500μm2、300×300μm2、100×100μm2时的短路减少电阻与电流之间的关系。
如图5A中所示，当在有机发光二极管的像素P1、P2、...、Pn中未产生短路时，有机发光二极管被正常驱动以从整个有机发光二极管发射光。在这种情况下，正常驱动有机发光二极管所需的电流可根据像素P1、P2、...、Pn的尺寸而变化。例如，在给其中像素P1、P2、...、Pn的尺寸为500×500μm2的有机发光二极管施加大约3.0μA至5.0μA的电流的情形中，有机发光二极管被正常驱动以发射光。在给其中像素P1、P2、...、Pn的尺寸为300×300μm2的有机发光二极管施加大约1.5μA至1.8μA的电流的情形中，有机发光二极管被正常驱动以发射光。此外，当给其中像素P1、P2、...、Pn的尺寸为100×100μm2的有机发光二极管施加大约0.19μA至0.20μA的电流时，有机发光二极管被正常驱动以发射光。
如图5A中所示，当有机发光二极管的像素P1、P2、...、Pn的短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn的幅值增加时，施加至有机发光二极管的像素P1、P2、...、Pn的像素电流快速下降。例如，当短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn增加至5500Ω或更高时，施加至有机发光二极管的具有不同尺寸的像素P1、P2、...、Pn的电流下降至3.0μA或更低、1.5μA或更低、以及0.19μA或更低，使得有机发光二极管的亮度显著降低。因此，当有机发光二极管的像素P1、P2、...、Pn的短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn的幅值为5500Ω或更高时，产生由于亮度的下降而导致的故障。
如图5B中所示，当在有机发光二极管的像素P1、P2、...、Pn中产生短路时，短路电流施加至短路的像素，使得有机发光二极管未被正常驱动。
根据本发明，当在有机发光二极管的短路像素中流动的短路电流超过大约1.34mA时，由于短路像素的过电流导致施加至其他像素的电流迅速降低，使得有机发光二极管的整体亮度降低。
如图5B中所示，当有机发光二极管的像素P1、P2、...、Pn的短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn的幅值减小时，施加至有机发光二极管的短路像素的短路电流迅速增加。例如，当短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn降低至2800Ω时，施加至有机发光二极管的短路像素的短路电流超过1.34mA。因而，有机发光二极管的整体亮度降低。此外，当短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn进一步降低至2800Ω或更低时，短路电流进一步增加，使得有机发光二极管无法被驱动。因此，当短路像素的短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn的幅值为2800Ω或更低时，由于短路电流增加导致有机发光二极管无法被驱动。
如上所述，在本发明中，当多个像素P1、P2、...、Pn的短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn为5500Ω或更高时，有机发光二极管的亮度显著降低。此外，当多个像素P1、P2、...、Pn的短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn为2800Ω或更低时，有机发光二极管的整体亮度降低。因此，多个像素P1、P2、...、Pn的短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn理想地被设定在2800Ω≤RSR≤5500Ω的范围内。
同时，短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn可配置为具有各种形状。例如，在具有图2中所示结构的照明设备100的情形中，具有预定电阻，例如2800Ω至5500Ω的电阻层设置在第一电极124与有机发光层130之间和/或设置在第二电极126与有机发光层130之间，以给有机发光二极管的像素P1、P2、...、Pn的每一个添加短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn。然而，在这种情况下，存在以下问题：由于电阻层，导致增加了用于形成单独的电阻层的工艺，使得制造工艺复杂化，不仅增加了制造成本，而且增加了有机发光二极管和包括该有机发光二极管的照明设备的厚度。
此外，给具有图1中所示结构的照明设备100的每个像素添加具有设定电阻的电阻图案，以给像素P1、P2、...、Pn添加短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn。
例如，在将具有图1中所示结构的照明设备100的每个像素中的辅助电极122和第一电极124电分离之后，添加单独的电阻图案，以添加短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn。
图6是图解通过在像素中形成单独的图案而包括短路减少电阻器的照明设备的结构示例的视图。
如图6中所示，在被辅助电极222划分的像素P中，第一电极224形成为与辅助电极222间隔开预定距离，并且辅助电极222和第一电极224通过具有相对较高电阻的电阻图案224a彼此电连接。
在具有如上所述结构的照明设备100中，施加至辅助电极222的信号经由电阻图案224a施加至第一电极224，使得可通过将电阻图案224a形成得足够长(即，通过使信号流过的路径足够长)来形成具有期望幅值的短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn。
在这种情况下，在附图中，通过在包括辅助电极222的上部在内的整个照明设备之上形成第一电极224并形成通过去除第一电极224的一部分而获得的开口区域225来形成由与第一电极224相同的材料形成的电阻图案224a。然而，在单独形成第一电极224和辅助电极222之后，可由与第一电极224相同的材料或不同的材料通过与第一电极224不同的工艺形成电阻图案224a。
然而，在包括如上所述的单独的电阻图案224a的照明设备中，形成电阻图案224a的区域不发光，使得照明设备的开口率(发光区域的比率)下降。
具体地说，电阻图案224a需要形成为具有设定宽度和设定长度，以形成设定电阻，使得无论像素的面积如何，电阻图案224a都需要在像素中形成为具有预定面积。因此，在像素的尺寸较小的高清晰度照明设备的情形中，由于电阻图案224a导致开口率下降为设定值或更低，使得照明设备可能有缺陷。因此，当通过电阻图案224a形成短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn时，像素的开口率下降，使得不能制造高清晰度照明设备。
在本发明中，利用具有高电阻的导电材料形成第一电极124而不设置单独的电阻层或电阻图案，以在每个像素中形成短路减少电阻RSR1、RSR2、...、RSRn。如上所述，在本发明中，未设置单独的电阻层或电阻图案，使得可解决增加工艺、开口率下降、以及不能制造高清晰度照明设备的问题。
用于本发明的第一电极124的具有高电阻的透明导电材料将像素中的电阻设置为大约2800Ω至5500Ω。因此，即使第一电极和第二电极彼此接触，仍可抑制由于像素的短路导致的照明设备100的故障。在本发明中，可使用具有上述范围内的电阻的任何透明导电材料，例如，可使用导电聚合物、碳类材料或纳米线类材料。
图7A和图7B是图解根据本发明的其中第一电极124由具有高电阻的导电材料形成的有机发光二极管的电路的视图。
如图7A中所示，在并联连接的多个像素P1、P2、...、Pn中，有机发光层130的电阻器RE1、RE2、...、REn；第一电极124的电阻器R’11(SR1)、R’12(SR2)、...、R’1n(SRn)；和第二电极126的电阻器R21、R22、...、R2n串联连接。在这种情况下，由诸如Ca、Ba、Mg、Al、或Ag或它们的合金之类的金属形成的第二电极126的电阻R21、R22、...、R2n为大约0.1Ω，有机发光层130的电阻RE1、RE2、...、REn为大约1MΩ。此外，由诸如导电聚合物、碳类材料或纳米线类材料之类的高电阻导电材料形成的第一电极124的电阻R’11(SR1)、R’12(SR2)、...、R’1n(SRn)为大约2800Ω至5500Ω。
在图4A中所示的有机发光二极管中，即，在具有其中形成有单独的电阻层或电阻图案的结构的有机发光二极管中，设置单独的短路减少电阻。相比之下，在图7A中所示的本发明的包括具有高电阻的导电材料的有机发光二极管中，未形成单独的短路减少电阻，而是第一电极124具有高电阻以充当短路减少电阻器。
在具有上述结构的有机发光二极管中，随着电压V1和V2分别施加至第一电极124和第二电极126，电流I1、I2、...、In施加至像素的有机发光层LED1、LED2、...、LEDn，使得有机发光层LED1、LED2、...、LEDn发射光。在这种情况下，由于在多个像素P1、P2、...、Pn中形成近似相同的电阻，所以从多个像素发射出具有近似相同亮度的光，使得可从照明设备整体上输出均匀的光。
如图7B中所示，当有机发光二极管的多个像素P1、P2、...、Pn之中的一个像素P2的第一电极124和第二电极126彼此接触时，有机发光层130的电阻RE2被去除，使得在有机发光二极管的像素中仅剩余第一电极124的导电材料的电阻R’12和第二电极126的R22。
电阻R’11(SR1)、R’12(SR2)、...、R’1n(SRn)为大约2800Ω至5500Ω，有机发光层130的电阻RE1、RE2、...、REn为大约1MΩ。因此，即使第二像素P2的有机发光层130的电阻RE2由于第一电极124和第二电极126的接触被去除，但在短路的第二像素P2中仍剩余第一电极124的高电阻透明导电材料的电阻R’12(SR2)。然而，相较于其他像素P1、...、Pn的总电阻的幅值，电阻R’12(SR2)的幅值是不可忽略的。
因此，当第二像素P2的第一电极124和第二电极126彼此接触而使得第二像素P2短路时，像素P2的有机发光二极管的电阻RE2被去除而变为零。因此，第二像素P2的总电阻Rt2实质上等于第一电极124的电阻R’12(SR2)(Rt2≈R’12(SR2))。
然而，第一电极124的电阻R’12(SR2)不比有机发光层130的电阻RE2低很多，而是具有显著的幅值。因此，第一电极124与第二电极126之间的电流未大部分流经短路的像素P2，而是预定量的电流I’2流经像素P2。在这种情况下，尽管由于第二像素P2与其他像素P1、...、Pn的总电阻的差异导致流经第二像素P2的电流的量与流经其他像素P1、...、Pn的电流的量不同，但是电流流经全部像素P1、P2、...、Pn。因此，多个像素P1、P2、...、Pn的有机发光层的亮度迅速降低或有机发光层不发光的现象可被抑制。
具体地说，在本发明中，在不设置单独的电阻层的情况下抑制了像素P1、P2、...、Pn的短路，使得可抑制由工艺的增加导致的成本增加或生产率的下降。此外，在不设置单独的电阻图案的情况下抑制了像素P1、P2、...、Pn的短路，使得抑制了照明设备的开口率下降。具体而言，其更有效地用于具有300×300μm2的像素面积的高清晰度照明设备。
同时，再次参照图1和图2，在本发明中，位于由具有高电阻的导电材料形成的第一电极124下方(或上方)的具有设定尺寸的至少一个导电图案128设置在像素中。导电图案128提高了每个像素P1、P2、...、Pn中的导电性，以提高有机发光二极管的亮度。
如上所述，在本发明中，充当阳极的第一电极124由具有高电阻的透明导电材料制成，使得即使第一电极124和第二电极126彼此接触，也可在不设置短路减少电阻器的情况下抑制像素的短路。
然而，在具有如上所述结构的有机发光二极管的情形中，电阻比相关技术中已使用的诸如ITO或IZO之类的透明金属氧化物的电阻高得多。也就是说，相关技术中已使用的诸如ITO或IZO之类的透明金属氧化物的电阻为大约20Ω，但本发明中使用的高电阻导电材料的电阻为大约2800Ω至5500Ω。因此，本发明的高电阻导电材料的电阻比透明金属氧化物的电阻高得多。因此，当第一电极124由高电阻透明导电材料形成时，可抑制像素的短路。然而，由于相对较高的电阻，有机发光二极管的亮度降低。
导电图案128抑制因由高电阻导电材料构成的第一电极124导致的亮度降低。也就是说，至少一个导电图案128在电连接至第一电极124的同时在像素P1、P2、...、Pn中形成为岛形，以针对每个区域提高像素P1、P2、...、Pn中的第一电极124的导电性。
因此，通过导电图案128和由高电阻导电材料形成的第一电极124抑制了有机发光二极管的像素P1、P2、...、Pn的短路，并且有机发光二极管的亮度降低也得到抑制。
同时，在本发明的照明设备100中，至少一个导电图案128设置在每个像素P1、P2、...、Pn中，使得导电图案128和第二电极126彼此接触。因此，像素可能会短路。然而，同样在这种情形中，由于导电图案128和第二电极126的接触导致的短路被限制在像素的预定区域中，使得可抑制整个像素的缺陷。
图8A和图8B是图解在根据本发明的发光二极管中，由于穿孔或裂纹导致第一电极124和第二电极126彼此电接触的状态的视图，其中图8A是平面图，图8B是截面图。
如图8A和图8B中所示，至少一个导电图案128设置在由辅助电极122划分出的像素P中，导电图案128设置在第一电极124下方(或上方)以与第一电极124完全接触。
当信号经由辅助电极122施加至第一电极124时，电流施加在第一电极124与第二电极126之间，以使有机发光层130发射光。在这种情况下，设置在像素P中的第一电极124由具有高电阻的透明导电材料形成，但具有相对较低电阻的导电图案128形成在像素P中。因此，在第一电极124和导电图案128彼此接触的区域中，由于导电图案128而去除了第一电极124的电阻，仅剩余导电图案128的电阻。
因此，像素P中的第一电极124的总电阻Rt由于导电图案128而减小。具体而言，总电阻Rt的减小比率对应于像素P的面积a1与导电图案128的面积a2之比。也就是说，其中形成有导电图案128的像素的总电阻Rt’为Rt’＝Rt(1-a2/a1)，使得照明设备100的像素P的总电阻由于导电图案128而减小。结果，照明设备100的亮度增加。
当在照明装置100的制造工艺期间，由于诸如异物的渗透之类的工艺故障导致在像素P中产生穿孔或裂纹时，产生了其中第一电极124和第二电极126彼此电接触的接触区域C。此外，由于第一电极124与导电图案128接触，因此导电图案128和第二电极126经由接触区域C电连接。
因此，当信号经由辅助电极122施加至第一电极124时，过电流在导电图案128与第二电极126之间流动。然而，由于导电图案128仅形成在像素P的预定区域中并且通过第一电极124与其他导电图案128分离(即，第一电极124设置在导电图案128之间)，因此由于短路而形成过电流的区域被限制于形成接触区域C的导电图案128，并且通过其中形成接触区域C的导电图案128周围的第一电极124的电阻而与其他区域分离。因此，其中形成接触区域C的导电图案128的短路不影响其他区域。
换句话说，由于短路导致的故障仅使像素P中的接触区域C有缺陷，其他区域不存在缺陷。因此，像素P中的除了接触区域C之外的其他区域发射光，使得可抑制像素P的缺陷。
如上所述，在本发明中，第一电极124使用具有高电阻的透明导电材料，使得第一电极充当短路减少电阻器，而不设置单独的电阻层或电阻图案。因此，即使第一电极和第二电极彼此接触，也可抑制由于有机发光二极管的短路而导致的故障。
此外，由于未设置单独的电阻层，所以可抑制由于工艺的增加而导致的成本增加或生产率的下降。此外，由于未设置单独的电阻图案，因而可抑制照明设备的开口率下降。本发明的照明设备的每个像素的开口率可至少为80％。
例如，在具有500×500μm2的像素尺寸的照明设备中，在具有电阻图案的结构中，开口率为大约84.1％。然而，如本发明中所描述的，当第一电极由高电阻透明导电材料形成时，开口率为大约93.3％。因此，相较于具有包括电阻图案的结构的照明设备，根据本发明的照明设备的开口率提高了大约9％。
此外，在具有300×300μm2的像素尺寸的照明设备中，在具有电阻图案的结构中，开口率为大约74.1％。然而，如本发明中所描述的，当第一电极由高电阻透明导电材料形成时，开口率为大约89％。因此，相较于具有包括电阻图案的结构的照明设备，根据本发明的照明设备的开口率提高了大约15％。
如上所述，相较于包括电阻图案的结构，本发明的开口率得到提高，并且在具有较小像素面积的高清晰度照明设备中，开口率的改善程度更为明显。
在具有200×200μm2的像素尺寸的照明设备中，在具有电阻图案的结构中，开口率为大约62.1％。然而，如本发明中所描述的，当第一电极由高电阻透明导电材料形成时，开口率为大约83.7％。因此，本发明可应用于具有200×200μm2的像素尺寸的照明设备，而包括电阻图案的结构因开口率的下降而不能用于200×200μm2的照明设备。
此外，在本发明中，具有低电阻和良好导电性的至少一个导电图案128设置在每个像素中，以抑制由具有高电阻的第一电极124导致的亮度降低。
因此，本发明的照明设备100可抑制亮度的降低，并且还可抑制即使当第一电极124和第二电极126因工艺误差而彼此接触时由于短路导致的故障。
下文中，将参照附图详细地描述根据本发明的照明设备100的制造方法。
图9A至图9D和图10A至图10D是图解照明设备100的制造方法的视图，其中图9A至图9D是平面图，图10A至图10D是截面图。
首先，如图9A和图10A中所示，通过在由诸如塑料之类的柔性材料或诸如玻璃之类的刚性材料形成的透明第一基板110上层压和蚀刻诸如Al、Au、Cu、Ti、W、Mo或它们的合金之类的金属形成由单层或多层形成的辅助电极122之后，通过在第一基板110上层压和蚀刻诸如ITO或IZO之类的透明金属氧化物在由辅助电极122划分的多个像素上形成至少一个导电图案128。
在这种情况下，辅助电极122在水平方向和垂直方向上设置成矩阵形式以在整个第一基板110之上具有带形集合(strip shape set)，但是辅助电极122可形成为具有网格型、六边形、八边形或圆形。此外，至少一个导电图案128可设置成具有诸如多边形、三角形、或圆形之类的各种形状。
辅助电极122可形成为具有大约45μm至55μm的宽度。然而，辅助电极122并不限于具有特定宽度，而是辅助电极122可根据照明设备的面积、像素的尺寸、和辅助电极122的材料而形成为具有各种宽度。
如上所述，可在形成辅助电极122之后形成导电图案128，但可在多个像素中形成导电图案128之后形成辅助电极122。
接着，在将诸如大约1wt％至10wt％的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)：聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)之类的导电聚合物溶解在诸如大约80wt％至90wt％的水或乙醇之类的溶剂中之后，混合诸如大约10wt％至20wt％的TEOS(原硅酸四乙酯)、SSQ(硅倍半氧烷)或聚硅氧烷之类的硅酮粘合剂或丙烯酸粘合剂，并添加1wt％内的诸如匀染剂(leveling agent)和表面活性剂之类的添加剂，从而形成具有高电阻的透明导电材料。
此外，在将诸如大约1wt％至10wt％的石墨烯、单壁碳纳米管(SWCNT)或多壁纳米管(MWCNT)之类的碳类材料溶解在诸如大约80wt％至90wt％的水或乙醇之类的溶剂中之后，混合诸如大约10wt％至20wt％的TEOS(原硅酸四乙酯)、SSQ(硅倍半氧烷)或聚硅氧烷之类的硅酮粘合剂或丙烯酸粘合剂，并添加1wt％内的诸如匀染剂和表面活性剂之类的添加剂，从而形成具有高电阻的透明导电材料。
此外，在将诸如大约1wt％至10wt％的Cu-纳米线、Ag-纳米线、或Au-纳米线之类的纳米线类材料溶解在诸如大约80wt％至90wt％的水或乙醇之类的溶剂中之后，混合诸如大约10wt％至20wt％的TEOS(原硅酸四乙酯)、SSQ(硅倍半氧烷)或聚硅氧烷之类的硅酮粘合剂或丙烯酸粘合剂，并添加1wt％内的诸如匀染剂和表面活性剂之类的添加剂，从而形成具有高电阻的透明导电材料。
在包括辅助电极122和导电图案128的上表面在内的整个第一基板110之上层压和蚀刻如上所述的高电阻透明导电材料，以形成第一电极124。在这种情况下，第一电极124可根据导电材料的类型而形成为具有不同的厚度。例如，当导电聚合物被用作导电材料时，第一电极124形成为具有大约150nm至200nm的厚度，当碳类材料被用作导电材料时，第一电极124可形成为具有大约50nm至100nm的厚度。
此外，可在第一基板110上形成第一电极124之后在第一电极124上形成辅助电极122和导电图案128。
如上所述，在形成第一电极124之后，可通过在第一电极124上层压和蚀刻无机绝缘材料或有机绝缘材料，在辅助电极122上方的第一电极124上形成保护层112。在这种情况下，保护层112可由无机绝缘层或有机绝缘层的单层构成，或者可由无机绝缘层和有机绝缘层的多个层构成。
接下来，如图9B和图10B中所示，通过在第一基板110上方沉积有机发光材料形成有机发光层130。在这种情况下，可通过在其上形成多个照明设备的母基板(mothersubstrate)上设置掩模之后沉积有机发光材料来形成有机发光层130。
接下来，如图9C和图10C中所示，通过在有机发光层130上方沉积和蚀刻诸如Ca、Ba、Mg、Al或Ag之类的金属形成第二电极126。
之后，如图9D和图10D中所示，在第一基板110上涂覆由光固化粘合剂材料或热固性粘合剂材料形成的粘合剂118，将第二基板170定位在粘合剂118上，然后将粘合剂118硬化以贴附第二基板170。之后，将接合的第一基板110和第二基板170切割，以分离完整的照明设备100并完成单个照明设备100。
在这种情况下，诸如PET之类的聚合物膜、薄金属箔或玻璃可用于第二基板170。
本发明的示例性实施方式也可描述如下：
根据本发明的一个方面，一种照明设备，包括：包括多个像素的第一基板；和有机发光二极管，所述有机发光二极管设置在所述第一基板的每一个像素中并且包括第一电极、有机发光层和第二电极，其中在每个像素中所述第一电极由电阻为所述有机发光层的电阻的至少一半的透明导电材料制成。
根据另一方面，所述第一电极的电阻可为2800Ω至5500Ω。
根据另一方面，所述第一电极可具有50nm至200nm的厚度。
根据另一方面，所述照明设备可进一步包括：设置在所述第一基板上并连接至所述第一电极的辅助电极。
根据另一方面，所述辅助电极被布置成矩阵型、网格型、八边形、六边形或圆形。
根据另一方面，所述辅助电极可具有45μm至55μm的宽度。
根据另一方面，所述第一电极可由从导电聚合物、碳类材料和纳米线类材料构成的组中选择的至少一种材料构成。
根据另一方面，所述照明设备可进一步包括设置在所述多个像素的每一个中并电连接至所述第一电极的至少一个导电图案。
根据另一方面，所述至少一个导电图案可设置在每个像素的发光区域中。
根据另一方面，所述至少一个导电图案可由与所述辅助电极相同的材料形成。
根据另一方面，所述照明设备可进一步包括设置在所述辅助电极上的保护层，其中所述辅助电极的剖面具有锥形形状。
根据另一方面，所述保护层的剖面可具有与所述辅助电极相同的锥形形状。
根据另一方面，所述至少一个导电图案可在每个像素中设置成具有岛形。
根据另一方面，所述至少一个导电图案可接触所述第一电极。
根据另一方面，所述至少一个导电图案的每一个可由多边形、圆形或椭圆形构成。
根据另一方面，所述至少一个导电图案可减小所述像素中的所述第一电极的电阻。
根据另一方面，随着所述至少一个导电图案相对于像素面积的面积比增加，所述像素中的所述第一电极的电阻可减小，使得像素的亮度增加。
根据另一方面，所述照明设备可进一步包括：第二基板，所述第二基板通过粘合剂贴附至所述第一基板。
根据另一方面，每个像素的开口率可至少为80％。
根据本发明的另一个方面，一种发光装置，包括：第一基板；位于所述第一基板上的辅助电极，所述辅助电极设置成矩阵形式以将所述第一基板划分为多个像素；位于所述第一基板上的第一电极，所述第一电极电连接至所述辅助电极；位于所述第一电极上的有机发光层；和位于所述有机发光层上的第二电极，其中所述第一电极由电阻为所述有机发光层的电阻的至少一半的透明导电材料制成。
根据另一方面，所述第一电极的电阻可为2800Ω至5500Ω。
根据另一方面，所述发光装置可进一步包括设置在所述多个像素的每一个中并电连接至所述第一电极的至少一个导电图案。
本发明的各种修改或基于本发明容易想到的结构应包括在本发明的范围内。因此，本发明的范围不应由前述详细描述确定，而是应由所附权利要求书确定。

Claims (18)

1.一种照明设备，包括：
包括多个像素的第一基板；
有机发光二极管，所述有机发光二极管设置在所述第一基板的所述多个像素的每一个中并且包括第一电极、有机发光层和第二电极，其中所述有机发光层与所述第一电极和所述第二电极接触而设置在所述第一电极与所述第二电极之间，信号施加至所述第一电极和所述第二电极，以使所述有机发光层发光，所述第一电极是所述有机发光二极管的阳极，并且所述第二电极是所述有机发光二极管的阴极；
设置在所述多个像素的每一个中并电连接至所述第一电极的多个导电图案；和
设置在所述第一基板上并且连接至所述第一电极的辅助电极，其中所述辅助电极布置成矩阵型或网格型，以将所述第一基板划分为所述多个像素，
其中在每个像素中所述第一电极由电阻为所述有机发光层的电阻的至少一半的透明导电材料制成，
其中所述多个导电图案的电阻小于所述第一电极的电阻，并且
其中所述第一电极设置在所述多个导电图案和所述辅助电极上。
2.根据权利要求1所述的照明设备，其中所述第一电极的电阻为2800Ω至5500Ω。
3.根据权利要求1所述的照明设备，其中所述第一电极具有50nm至200nm的厚度。
4.根据权利要求1所述的照明设备，其中所述辅助电极具有45μm至55μm的宽度。
5.根据权利要求1所述的照明设备，其中所述第一电极由从导电聚合物、碳类材料和纳米线类材料构成的组中选择的至少一种材料制成。
6.根据权利要求1所述的照明设备，其中所述多个导电图案设置在每个像素的发光区域中。
7.根据权利要求1所述的照明设备，其中所述多个导电图案由与所述辅助电极相同的材料形成。
8.根据权利要求1所述的照明设备，进一步包括设置在所述辅助电极上的保护层，
其中所述辅助电极的剖面具有锥形形状。
9.根据权利要求8所述的照明设备，其中所述保护层的剖面具有与所述辅助电极相同的锥形形状。
10.根据权利要求1所述的照明设备，其中所述多个导电图案在每个像素中设置成具有岛形。
11.根据权利要求10所述的照明设备，其中所述多个导电图案接触所述第一电极。
12.根据权利要求10所述的照明设备，其中所述多个导电图案的每一个为多边形、圆形或椭圆形。
13.根据权利要求1所述的照明设备，其中所述多个导电图案减小所述像素中的所述第一电极的电阻。
14.根据权利要求13所述的照明设备，其中随着所述多个导电图案相对于像素面积的面积比增加，所述像素中的所述第一电极的电阻减小，使得所述像素的亮度增加。
15.根据权利要求1所述的照明设备，进一步包括：
第二基板，所述第二基板通过粘合剂贴附至所述第一基板。
16.根据权利要求1所述的照明设备，其中每个像素的开口率至少为80％。
17.一种发光装置，包括：
第一基板；
位于所述第一基板上的辅助电极，所述辅助电极设置成矩阵形式以将所述第一基板划分为多个像素；
位于所述第一基板上的第一电极，所述第一电极电连接至所述辅助电极；
位于所述第一电极上的有机发光层；
位于所述有机发光层上的第二电极，其中所述有机发光层与所述第一电极和所述第二电极接触而设置在所述第一电极与所述第二电极之间，信号施加至所述第一电极和所述第二电极，以使所述有机发光层发光，其中所述第一电极、所述有机发光层和所述第二电极构成有机发光二极管，所述第一电极是所述有机发光二极管的阳极，并且所述第二电极是所述有机发光二极管的阴极；和
设置在所述多个像素的每一个中并电连接至所述第一电极的多个导电图案，
其中所述第一电极由电阻为所述有机发光层的电阻的至少一半的透明导电材料制成，
其中所述多个导电图案的电阻小于所述第一电极的电阻，并且
其中所述第一电极设置在所述多个导电图案和所述辅助电极上。
18.根据权利要求17所述的发光装置，其中所述第一电极的电阻为2800Ω至5500Ω。
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