TWI553933B - 發光元件、電極結構與其製作方法 - Google Patents

Description

發光元件、電極結構與其製作方法

本發明是有關於一種發光元件、電極結構與其製作方法。

有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)元件的特色有：厚度薄；為全固態組件，抗震性好，能適應惡劣環境；主要是自體發光，故幾乎沒有視角問題。藉此，應用有機發光二極體元件的有機發光裝置擁有多重優勢。舉例來說，有機發光裝置屬擴散式發光面光源，故其所發出的光線較為柔和，且兼具輕薄外觀。再者，若有機發光裝置採用可撓式基板製作，則可變化成不同形狀。另外，若有機發光裝置採用透明電極，則在不發光時，有機發光裝置的透光度有如玻璃般。因此，有機發光裝置的照明應用範圍可較其它照明技術更加廣泛。

更進一步地說，有機發光二極體元件為電流驅動元件，其通常藉由兩片層狀的透明電極作為陽極(anode)與陰極(cathode)，以驅動夾置於其中的發光層發光，但陽極與陰極的型態不限於透明電極。以採用透明電極為例，隨著有機發光裝置的 面積增大，透明電極的阻抗值可能隨著距離上升而增加。此舉將使有機發光裝置出光不均勻，進而在局部產生熱能而影響有機發光裝置的壽命。藉此，為了改善透明電極的阻抗值，其中一個透明電極(例如下層透明電極)上方可另配置輔助電極，藉以改善有機發光二極體元件的出光效率(例如是出光均勻性)。

然而，所述輔助電極通常是藉由印刷製程配置在下層透明電極上的金屬導線/金屬網格，故其表面粗糙度過高。此舉將使後續配置在下層透明電極與輔助電極上的發光層在輔助電極處產生分布不均勻或者斷裂，使輔助電極透過發光層的斷裂處接觸上層透明電極而導致短路。藉此，目前亦有作法是更在輔助電極上配置絕緣層，以避免輔助電極接觸發光層。

本發明實施例提供一種發光元件，可降低電極結構的阻抗值以及短路機率，並可提升其出光面積與出光效率。

本發明實施例提供一種電極結構與其製作方法，可降低電極結構的阻抗值以及短路機率。

本發明一實施例的發光元件包括一基板、一第一電極結構、一有機發光結構以及一第二電極結構。第一電極結構配置於基板上，包括一第一透明導電層、一圖案化導電層以及一第二透明導電層。第一透明導電層配置於基板上。圖案化導電層配置於第一透明導電層上。第二透明導電層配置於圖案化導電層與第一 透明導電層上，其中圖案化導電層在基板的一厚度方向上插置於第二透明導電層與第一透明導電層之間。有機發光結構配置於基板上。第二電極結構配置於基板上，且有機發光結構在基板的厚度方向上位於第一電極結構與第二電極結構之間。

本發明一實施例的電極結構適於配置於一基板上，包括一第一透明導電層、一圖案化導電層以及一第二透明導電層。第一透明導電層配置於基板上。圖案化導電層配置於第一透明導電層上。第二透明導電層配置於圖案化導電層與第一透明導電層上，其中圖案化導電層在基板的一厚度方向上插置於第二透明導電層與第一透明導電層之間。

本發明一實施例的電極結構的製作方法適於形成一電極結構於一基板上，包括下列步驟：形成一第一透明導電層於基板上。形成一圖案化導電層於第一透明導電層上，且圖案化導電層藉由一印刷製程形成。形成一第二透明導電層於圖案化導電層與第一透明導電層上，其中圖案化導電層在基板的一厚度方向上插置於第二透明導電層與第一透明導電層之間。

基於上述，在本發明實施例的發光元件、電極結構與其製作方法中，圖案化導電層配置於第一透明導電層上，以減少電極結構的阻抗值，而第二透明導電層配置於圖案化導電層與第一透明導電層上，使圖案化導電層在基板的厚度方向上插置於第二透明導電層與第一透明導電層之間，以提升電極結構的平坦度，進而避免發光元件產生短路。再者，發光元件還可藉由第二透明 導電層的導電性提升其出光面積與出光效率。據此，本發明實施例的發光元件、電極結構與其製作方法可降低電極結構的阻抗值以及短路機率，且發光元件可藉此提升其出光面積與出光效率。

為讓本發明能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

1、1’‧‧‧發光元件

100、100a、100b、100c‧‧‧發光單元

102‧‧‧基板

110、110a、110b、110c‧‧‧第一電極結構

1102‧‧‧第一透明導電層

1104、1104a、1104b、1104c、1104d、1104e‧‧‧圖案化導電層

1106、1106a‧‧‧第二透明導電層

1108‧‧‧絕緣層

120‧‧‧有機發光結構

121‧‧‧第一載子注入層

122‧‧‧第一載子傳輸層

123‧‧‧第二載子阻擋層

124‧‧‧發光層

125‧‧‧第一載子阻擋層

126‧‧‧第二載子傳輸層

127‧‧‧第二載子注入層

130‧‧‧第二電極結構

140、150‧‧‧封裝層

C1、C2‧‧‧圓弧角

d1、d2‧‧‧厚度

D1‧‧‧厚度方向

I1、I2、I3‧‧‧絕緣圖案

L1、L2、L3‧‧‧線狀圖案

O、OA、OB、OC、OD、OE‧‧‧開口

P1‧‧‧頂部

P2、P3‧‧‧側部

PL‧‧‧線距

R‧‧‧區域

S1104、S1106、S1108‧‧‧外表面

WL‧‧‧線寬

圖1是本發明一實施例的發光元件的示意圖。

圖2是本發明另一實施例的發光元件的示意圖。

圖3是圖1的發光單元的示意圖。

圖4是本發明另一實施例的發光單元的示意圖。

圖5A是圖3的第一電極結構的放大示意圖。

圖5B是圖5A的圖案化導電層的剖面微結構圖。

圖6與圖7是本發明其他實施例的發光單元的示意圖。

圖8A至圖8E是圖3的圖案化導電層的多種俯視示意圖。

圖1是本發明一實施例的發光元件的示意圖。請參考圖1，在本實施例中，發光元件1包括基板102、第一電極結構110、有機發光結構120以及第二電極結構130。第一電極結構110配置於基板102上。有機發光結構120配置於基板102上。第二電極 結構130配置於基板102上，且有機發光結構120在基板102的厚度方向D1上位於第一電極結構110與第二電極結構130之間。換言之，有機發光結構120夾置於第一電極結構110與第二電極結構130之間。其中，圖1將第一電極結構110與第二電極結構130繪示為單一結構層，但實際上其亦可為複合結構層(如圖3所繪示的第一電極結構110)。藉此，第一電極結構110與第二電極結構130可分別作為陽極(anode)與陰極(cathode)，以用於驅動有機發光結構120發光，而第一電極結構110、有機發光結構120與第二電極結構130可構成配置於基板102上的發光單元100。

具體而言，在本實施例中，基板102例如是可撓式基板，例如採用聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)或者其他適用的軟性材料所製成。然而，在其他未繪示的實施例中，基板亦可採用玻璃或是其他硬質材料所製成。或者，基板102也可採用由具有阻水氣功能的多層有機材料及/或無機材料所製成的複合基板，使其具有阻水氣的功能，本發明並不限制基板102的種類與組成。

再者，在本實施例中，發光元件1更採用封裝層140作為阻水氧結構。所述封裝層140配置在基板102上，且與基板102一同包覆封裝第一電極結構110、有機發光結構120與第二電極結構130。類似地，請參考圖2，其中圖2是本發明另一實施例的發光元件的示意圖。在圖2的實施例中，發光元件1’與前述的發光 元件1具有類似的結構，其主要差異在於，發光元件1’更包括封裝層150。所述封裝層150配置在基板102與第一電極結構110之間，且與封裝層140一同包覆封裝第一電極結構110、有機發光結構120與第二電極結構130。所述封裝層150包括至少一層有機材料層及/或至少一層無機材料層。由此可知，本發明實施例並不限制封裝層140與150的組成以及配置與否。

請參考圖1，在本實施例中，有機發光結構120包括從第一電極結構110至第二電極結構130依序配置的第一載子注入層(carrier injection layer)121、第一載子傳輸層(carrier transmission layer)122、第二載子阻擋層(carrier blocking layer)123、發光層(emission layer)124、第一載子阻擋層125、第二載子傳輸層126以及第二載子注入層127。所述第一載子與第二載子為不同類型的載子，例如第一載子為電洞，而第二載子為電子，但本發明實施例不以此為限制，其可依據需求調整。然而，在其他未繪示的實施例中，有機發光結構可為僅包括前述的發光層124，而省略配置前述的第一載子注入層121、第一載子傳輸層122、第二載子阻擋層123、第一載子阻擋層125、第二載子傳輸層126以及第二載子注入層127，本發明實施例不限制有機發光結構120的組成。

圖3是圖1的發光單元的示意圖，其中圖3將發光單元100的有機發光結構120與第二電極結構130繪示為單一結構層，但其實際上可為複合結構層(如圖1繪示的有機發光結構120)。請參考圖1與圖3，在本實施例中，第一電極結構110為複合結構 層，其適於配置於基板102(繪示於圖1)上。第一電極結構110包括第一透明導電層1102、圖案化導電層1104以及第二透明導電層1106。第一透明導電層1102配置於基板102上。圖案化導電層1104配置於第一透明導電層1102上。第二透明導電層1106配置於圖案化導電層1104與第一透明導電層1102上，其中圖案化導電層1104在基板102的厚度方向D1上插置於第二透明導電層1106與第一透明導電層1102之間。換言之，圖案化導電層1104可視為是夾置在第一透明導電層1102與第二透明導電層1106之間。藉此，圖案化導電層1104可被第二透明導電層1106覆蓋，使圖案化導電層1104不接觸配置在第一電極結構110與第二電極結構130之間的有機發光結構120。

在本實施例中，第一透明導電層1102可由透明導電材料製成。所述透明導電材料可為金屬氧化物(metal oxide)，例如是銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)、鋅錫氧化物(zinc tin oxide，ZTO)、鋅氧化物(zinc oxide，ZnO)或其他適用的材料，或者是導電高分子(conductive polymer)，例如是聚噻吩(Polythiophene)、聚3,4-二氧乙基噻吩(poly-3,4-ethylenedioxythiophene，PEDOT)或其他適用的材料。此外，第一透明導電層1102亦可採用奈米碳管(carbon nanotube，CNT)、石墨烯(graphene)、奈米線(nano-wire)，例如奈米銀線、奈米金線、奈米鉑線、金屬網格(metal mesh)等非透明的導電材料製成結構(如線徑)細微的第一透明導電層1102，而使其在視 覺上呈現透明。此外，第一透明導電層1102亦可採用多種上述導電材料複合組成複合結構層。藉此，本發明實施例並不限制第一透明導電層1102的材質與組成。較佳地，第一透明導電層1102可選用銦錫氧化物製成可覆蓋基板102的透明導電層，使第一透明導電層1102具有較低的表面粗糙度，而利於形成圖案化導電層1104。

再者，在本實施例中，圖案化導電層1104採用具有導電性的導電材料製成，且較佳地，圖案化導電層1104的導電性優於第一透明導電層1102的導電性。藉此，圖案化導電層1104的材料可為金屬材料，例如是銅(copper)、銀(silver)、鉑(platinum)、鉬(molybdenum)，但本發明實施例並不以此為限制。由於圖案化導電層1104具有良好的導電性，故圖案化導電層1104的設置有助於提升第一透明導電層1102的導電性，進而減少第一電極結構110的阻抗值。藉此，圖案化導電層1104可視為是第一透明導電層1102的輔助電極(auxiliary electrode)。

在本實施例中，圖案化導電層1104包括多個線狀圖案，如圖3所示的線狀圖案L1、L2、L3。線狀圖案L1、L2、L3分布於第一透明導電層1102上，而可定義出開口O。其中，各線狀圖案L1、L2、L3的線寬WL與線狀圖案L1、L2、L3之間的線距(line pitch)PL(或稱線狀圖案L1、L2、L3的排列週期)的比值大於1/500，甚至大於1/300，且各線狀圖案L1、L2、L3的線寬WL小於200微米(μm)，且較佳地可達到線寬為30μm。藉此，由多個 線狀圖案L1、L2、L3所構成的圖案化導電層1104可構成柵狀(grid)導電層或者網格狀(mesh)導電層(繪示於後續的圖8A至圖8E)。構成圖案化導電層1104的線狀圖案L1、L2、L3均勻分布在第一透明導電層1102上，使第一透明導電層1102具有均勻的電性傳輸效率，有助於使發光單元100/發光元件1具有均勻的發光效率。然而，線狀圖案L1、L2、L3的位置與排列方式可依據需求調整，本發明實施例不以此為限制。

在本實施例中，作為輔助電極的圖案化導電層1104由非透明的金屬材料組成，但其可由多個線狀圖案L1、L2、L3分布於第一透明導電層1102上所構成，並可透過線狀圖案L1、L2、L3定義出開口O，故圖案化導電層1104在視覺上呈現透明，並允許有機發光結構120所發出的光線通過圖案化導電層1104。然而，即使圖案化導電層1104設置有助於降低第一電極結構110的阻抗值而提升發光單元100/發光元件1的發光效率，且圖案化導電層1104上的開口O允許光線通過，但圖案化導電層1104仍可能對發光效率的均勻度產生影響，例如發光單元100/發光元件1對應於線狀圖案L1、L2、L3處的出光效率低於發光單元100/發光元件1對應於開口O處的出光效率。此外，圖案化導電層1104通常採用印刷製程將導電材料印刷於第一透明導電層1102上，故圖案化導電層1104的表面粗糙度較高。因此，若直接將有機發光結構120配置在圖案化導電層1104與第一透明導電層1102上，可能使有機發光結構120在對應於圖案化導電層1104處因表面粗糙度太 高而產生分布不均勻甚至導致斷裂的狀況。此舉將使第一電極結構110通過圖案化導電層1104斷裂處而接觸第二電極結構130，進而導致發光單元100/發光元件1產生短路。藉此，本實施例更採用了第二透明導電層1106的設計來改善上述情況。

具體而言，在本實施例中，第二透明導電層1106可採用類似於第一透明導電層1102的材料製成，且其材質可相同或不同，本發明實施例不以此為限制。較佳地，第二透明導電層1106可選用銦錫氧化物製成可覆蓋圖案化導電層1104的透明導電層，以使第二透明導電層1106具有較低的表面粗糙度。更進一步地說，第二透明導電層1106在基板102的厚度方向D1上的厚度d1小於或等於第一透明導電層1102在厚度方向D1上的厚度d2。此外，在本實施例中，第一透明導電層1102與第二透明導電層1106各自的光穿透率(light transmission rate)大於70%，亦可能因製程種類的選擇而大於80%。再者，第一透明導電層1102與第二透明導電層1106各自的阻抗值(impedance)小於100歐姆/單位面積(ohm/sq)，亦可能小於50歐姆/單位面積或小於15歐姆/單位面積，但本發明實施例不以此為限制。藉此，在第二透明導電層1106配置於第一透明導電層1102上之後，第一透明導電層1102與第二透明導電層1106的總光穿透率小於第一透明導電層1102與第二透明導電層1106各自的光穿透率，而第一透明導電層1102與第二透明導電層1106的總阻抗值小於第一透明導電層1102與第二透明導電層1106各自的阻抗值。

此外，在本實施例中，為了使圖案化導電層1104在厚度方向D1上插置於第一透明導電層1102與第二透明導電層1106之間而不接觸有機發光結構120，第二透明導電層1106覆蓋整個圖案化導電層1104。藉此，第二透明導電層1106接觸第一透明導電層1102，例如是第二透明導電層1106透過圖案化導電層1104的開口O接觸第一透明導電層1102，以將圖案化導電層1104包覆於其中。藉此，第二透明導電層1106的寬度大於圖案化導電層1104的寬度(例如線寬WL)，亦即第二透明導電層1106的覆蓋範圍需大於圖案化導電層1104的覆蓋範圍。舉例而言，在本實施例中，第二透明導電層1106的覆蓋範圍大於圖案化導電層1104的覆蓋範圍，且大致上等於第一透明導電層1102的覆蓋範圍，故第二透明導電層1106可覆蓋圖案化導電層1104。藉此，第二透明導電層1106與第一透明導電層1102可構成覆蓋層(blanket)，使圖案化導電層1104封裝於其中。

然而，請參考圖4，其中圖4是本發明另一實施例的發光單元的示意圖。在圖4的實施例中，發光單元100a中的第一電極結構110a所採用的第二透明導電層1106a與前述的第二透明導電層1106的主要差異在於，前述的第二透明導電層1106為層狀結構，而本實施例的第二透明導電層1106a為多個線狀圖案所構成。藉此，第二透明導電層1106a的覆蓋範圍小於第一透明導電層1102的覆蓋範圍，但其仍大於圖案化導電層1104的覆蓋範圍，而可對應覆蓋整個圖案化導電層1104的線狀圖案L1、L2、L3。如此， 第二透明導電層1106a同樣能接觸第一透明導電層1102，並與第一透明導電層1102構成覆蓋層，以將圖案化導電層1104封裝包覆於其中。

圖5A是圖3的第一電極結構的放大示意圖，即圖3中區域R的第一電極結構放大示意圖。圖5B是圖5A的圖案化導電層的剖面微結構圖。請參考圖3、圖5A與圖5B，在本實施例中，由於圖案化導電層1104通常採用印刷製程將導電材料印刷於第一透明導電層1102上所形成，故由具有不同粒徑的導電材料粒子(如圖5B所示)所構成的圖案化導電層1104的表面粗糙度較高。換言之，圖案化導電層1104可視為是藉由印刷製程將多個導電材料粒子堆疊而成，而具有凹凸不平的表面。通常，圖案化導電層1104的外觀例如是高度、厚度或表面粗糙度取決於印刷製程的速度、導電材料的黏性、固化溫度或其他製程條件。在印刷製程中，在相同的參數條件下，圖案化導電層1104的線寬與厚度成正相關。亦即，當圖案化導電層1104的線寬增加，圖案化導電層1104的厚度亦隨之增加，反之亦然。

如前所述，由於圖案化導電層1104的表面粗糙度較高，若直接將有機發光結構120配置在圖案化導電層1104上使其接觸圖案化導電層1104，則可能使有機發光結構120在對應於圖案化導電層1104處產生分布不均勻或斷裂，進而使第一電極結構110通過圖案化導電層1104斷裂處接觸第二電極結構130而產生短路。因此，在本實施例中，第二透明導電層1106覆蓋整個圖案化 導電層1104，進而區隔圖案化導電層1104與有機發光結構120。再者，第二透明導電層1106相對於基板102的外表面S1106的表面粗糙度小於圖案化導電層1104相對於基板102的外表面S1104的表面粗糙度，且第二透明導電層1106的厚度d1較佳地大於圖案化導電層104的表面粗糙度，如圖5A所示，其中圖5A為圖3的第一電極結構110於區域R的放大示意圖。藉此，第二透明導電層1106的設置可降低第一電極結構110用以接觸有機發光結構120的表面(即外表面S1106)的表面粗糙度，而避免第一電極結構110與第二電極結構130產生短路。

再者，在本實例中，圖案化導電層1104的各線狀圖案(圖5A以線狀圖案L1為例)在基板102的厚度方向D1上的橫截面包括頂部P1及兩側部P2、P3。兩側部P2、P3實質上分別以對應的兩圓弧角C1、C2連接至頂部P1的相對兩側。換言之，圖案化導電層1104的線狀圖案L1的頂部P1與側部P2夾傾斜角，而兩者之間以圓弧角C1彼此連接。頂部P1與側部P3亦然。然而，在其他未繪示的實施例中，兩側部P2、P3實質上亦可分別以對應的兩尖角連接至頂部P1的相對兩側，本發明並不以此為限制。此外，圖案化導電層1104的線狀圖案L1的各側部P2、P3與其底部(接觸第一透明導電層1102的局部)夾銳角。上述的結構特徵係由於圖案化導電層1104採用印刷製程形成所導致。若圖案化導電層採用顯影蝕刻製程，則其側部與底部應為垂直或為銳角。

由此可知，在本實施例中，將第一電極結構110設計為 複合結構層，除了可降低其阻抗(藉由配置圖案化導電層1104達成)以及短路機率(藉由配置第二透明導電層1106達成)，由於第一透明導電層1102、圖案化導電層1104與第二透明導電層1106都具有良好的導電性，且第二透明導電層1106接觸第一透明導電層1102，故第二透明導電層1106的各個區域都可接收到與第一透明導電層1102相同的電壓值，而使有機發光結構120的各個區域都可被第一電極結構110均勻地驅動，進而具有均勻的出光效果。藉此，本實施例採用第一電極結構110的發光單元100/發光元件1亦可提升其出光面積，並具有均勻的出光效率。

基於上述，本實施例更提出一種電極結構的製作方法，適於形成電極結構(如前述的第一電極結構110)於基板102上，其包括下列步驟：首先，形成第一透明導電層1102於基板102上。接著，形成圖案化導電層1104於第一透明導電層1102上，且圖案化導電層1104藉由印刷製程形成。其中，所述形成圖案化導電層1104於第一透明導電層1102上的步驟包括形成多個線狀圖案L1、L2、L3於第一透明導電層1102上，線狀圖案L1、L2、L3定義出開口O。此外，由於圖案化導電層1104係由印刷製程所形成，故在形成線狀圖案L1、L2、L3於第一透明導電層1102上的步驟中，各線狀圖案L1、L2、L3在基板102的厚度方向D1上的橫截面包括頂部P1及兩側部P2、P3，而兩側部P2、P3實質上分別以對應的兩圓弧角C1、C2或未繪示的兩尖角連接至頂部P1的相對兩側。

最後，在形成圖案化導電層1104於第一透明導電層1102上之後，進一步形成第二透明導電層1106於圖案化導電層1104與第一透明導電層1102上，其中圖案化導電層1104在基板102的厚度方向D1上插置於第二透明導電層1106與第一透明導電層1102之間，且第二透明導電層1106透過由圖案化導電層1104的各線狀圖案L1、L2、L3所定義的開口O接觸第一透明導電層1102。有關基板102、第一透明導電層1102、圖案化導電層1104與第二透明導電層1106的結構與材料等相關描述可參考前述說明，在此不多加贅述。藉此，具有上述結構特徵的電極結構(如前述的第一電極結構110)即可形成於基板102上，而後用於形成發光單元100與發光元件1(繪示於圖1)。

圖6與圖7是本發明其他實施例的發光單元的示意圖。請先參考圖6，在本實施例中，發光單元100b與前述的發光單元100(繪示於圖3)的主要差異在於，發光單元100b的第一電極結構110b更包括絕緣層1108。絕緣層1108配置圖案化導電層1104上，並對應於圖案化導電層1104。更進一步地說，本實施例將絕緣層1108配置在圖案化導電層1104與第二透明導電層1106之間，使絕緣層1108對應覆蓋圖案化導電層1104。換言之，第一透明導電層1102、圖案化導電層1104、絕緣層1108與第二透明導電層1106沿基板102的厚度方向D1依序配置在基板102上。藉此，圖案化導電層1104可視為是在基板102的厚度方向D1上插置於第一透明導電層1102與絕緣層1108之間，使第一透明導電 層1102與絕緣層1108包覆圖案化導電層1104，且圖案化導電層1104與絕緣層1108可視為是在厚度方向D1上插置於第一透明導電層1102與第二透明導電層1106之間，使第一透明導電層1102與第二透明導電層1106包覆圖案化導電層1104與絕緣層1108。

再者，本實施例中，絕緣層1108的寬度需大於圖案化導電層1104的寬度，即絕緣層1108的覆蓋範圍需大於圖案化導電層1104的覆蓋範圍，以將圖案化導電層1104封裝於其中。此外，絕緣層1108相對於基板102的外表面S1108的表面粗糙度小於圖案化導電層1104相對於基板102的外表面S1104的表面粗糙度，故絕緣層1108的配置亦可改善前述圖案化導電層1104表面粗糙度不佳所帶來的短路問題。此外，第二透明導電層1106的厚度d1較佳地大於絕緣層1108的外表面S1108的表面粗糙度，故第二透明導電層1106的設置可降低第一電極結構110b用以接觸有機發光結構120的表面(即外表面S1106)的表面粗糙度，而避免第一電極結構110b與第二電極結構130產生短路。

另外，在本實施例中，絕緣層1108係由不具有導電性的絕緣材料製成，故其本身無法藉由電性傳輸而致使有機發光結構120於對應處發光。藉此，絕緣層1108較佳地亦製作成多個絕緣圖案I1、I2、I3。所述絕緣圖案I1、I2、I3的位置與形狀大致上對應於圖案化導電層1104的線狀圖案L1、L2、L3，但絕緣圖案I1、I2、I3的寬度大於線狀圖案L1、L2、L3的寬度，使絕緣圖案I1、I2、I3可對應覆蓋線狀圖案L1、L2、L3並接觸第一透明導電 層1102，而將圖案化導電層1104封裝於其中。此外，絕緣層1108的各絕緣圖案I1、I2、I3之間暴露出第一透明導電層1102，使第二透明導電層1106可直接接觸第一透明導電層1102。藉此，即使絕緣層1108不具有導電性，但其周邊對應於第一透明導電層1102與第二透明導電層1106(被第一透明導電層1102與第二透明導電層1106包圍)，而仍具有電性傳輸功能。如此，第一電極結構110b的各個區域都具有良好的電性傳輸效率，使採用第一電極結構110b的發光單元100b與採用發光單元100b的發光元件1(繪示於圖1)可據此提升其出光面積，並具有均勻的出光效率。

基於上述，本實施例亦提出一種電極結構(例如第一電極結構110b)的製作方法，其與前述的第一電極結構110的製作方法類似，主要差異在於，本實施例更包括下列步驟：形成絕緣層1108於圖案化導電層1104上，且絕緣層1108對應於圖案化導電層1104。其中，形成絕緣層1108於圖案化導電層1104上的步驟在形成圖案化導電層1104於第一透明導電層1102上的步驟之後，且在形成第二透明導電層1106於圖案化導電層1104與第一透明導電層1102上的步驟之前。藉此，第一透明導電層1102、圖案化導電層1104、絕緣層1108與第二透明導電層1106沿基板102的厚度方向D1依序形成於基板102上，使圖案化導電層1104在厚度方向D1上插置於第一透明導電層1102與絕緣層1108之間，且圖案化導電層1104與絕緣層1108在厚度方向D1上插置於第一透明導電層1102與第二透明導電層1106之間。有關第一透明導 電層1102、圖案化導電層1104、絕緣層1108與第二透明導電層1106的結構說明可參考前述內容，在此不多加贅述。

類似地，請參考圖7，在本實施例中，發光單元100c與前述的發光單元100b(繪示於圖6)具有類似結構，其主要差異在於，第一電極結構110c的絕緣層1108配置在第二透明導電層1106與有機發光結構120之間。更進一步地說，本實施例將絕緣層1108配置在第二透明導電層1106上方，並使絕緣層1108對應於圖案化導電層1104。藉此，第一透明導電層1102、圖案化導電層1104、第二透明導電層1106與絕緣層1108沿厚度方向D1依序配置在基板102上，使圖案化導電層1104在厚度方向D1上插置於第一透明導電層1102與第二透明導電層1106之間，且絕緣層1108在厚度方向D1上插置於第二透明導電層1106與有機發光結構120之間並對應於圖案化導電層1104，而第二透明導電層1106與第一透明導電層1102包覆圖案化導電層1104。有關第一透明導電層1102、圖案化導電層1104、絕緣層1108與第二透明導電層1106的結構說明可參考前述內容，在此不多加贅述。

基於上述，本實施例亦提出一種電極結構(例如第一電極結構110c)的製作方法，其與前述的第一電極結構110b的製作方法類似，主要差異在於，形成絕緣層1108於圖案化導電層1104上的步驟在形成第二透明導電層1106於圖案化導電層1104與第一透明導電層1102上的步驟之後。藉此，第一透明導電層1102、圖案化導電層1104、第二透明導電層1106與絕緣層1108沿基板 102的厚度方向D1依序形成於基板102上，使圖案化導電層1104在厚度方向D1上插置於第一透明導電層1102與第二透明導電層1106之間，且絕緣層1108在厚度方向D1上插置於第二透明導電層1106與有機發光結構120之間。有關第一透明導電層1102、圖案化導電層1104、絕緣層1108與第二透明導電層1106的結構說明可參考前述內容，在此不多加贅述。圖8A至圖8E是圖3的圖案化導電層的多種俯視示意圖。請先參考圖3與圖8A，在本實施例中，圖案化導電層1104a如前述為多個線狀圖案L1、L2、L3(繪示於圖3)所構成，而其在俯視狀態下呈現柵狀，而定義出呈現條狀且平行排列的多個開口OA。相對地，在圖8B的實施例中，圖案化導電層1104b在俯視狀態下呈現網格狀(mesh)，而定義出呈現矩形且陣列排列的多個開口OB。類似地，在圖8C的實施例中，圖案化導電層1104c在俯視狀態下呈現網格狀，而定義出呈現三角形且陣列排列的多個開口OC。在圖8D的實施例中，圖案化導電層1104d在俯視狀態下呈現網格狀，而定義出呈現菱形且陣列排列的多個開口OD。在圖8E的實施例中，圖案化導電層1104e在俯視狀態下呈現網格狀，而定義出呈現六角形且陣列排列的多個開口OE。由此可知，本發明實施例並不限制圖案化導電層中的線狀圖案的排列方式，其可依據需求透過印刷製程形成，並依據需求定義出所需形狀的開口。

綜上所述，在本發明實施例的發光元件、電極結構與其製作方法中，圖案化導電層配置於第一透明導電層上，以減少電 極結構的阻抗值，而第二透明導電層配置於圖案化導電層與第一透明導電層上，使圖案化導電層在基板的厚度方向上插置於第二透明導電層與第一透明導電層之間，以提升電極結構的平坦度，進而避免發光元件產生短路。此外，由於第二透明導電層與第一透明導電層彼此接觸，使第一電極結構的各個區域都具有良好的電性傳輸效率，故發光元件(採用具有上述設計的電極結構)還可藉由第二透明導電層的導電性提升其出光面積與出光效率。據此，本發明實施例的發光元件、電極結構與其製作方法可降低電極結構的阻抗值以及短路機率，且發光元件可據此提升其出光面積與出光效率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧發光單元

110‧‧‧第一電極結構

1102‧‧‧第一透明導電層

1104‧‧‧圖案化導電層

1106‧‧‧第二透明導電層

120‧‧‧有機發光結構

130‧‧‧第二電極結構

d1、d2‧‧‧厚度

D1‧‧‧厚度方向

L1、L2、L3‧‧‧線狀圖案

O‧‧‧開口

PL‧‧‧線距

R‧‧‧區域

WL‧‧‧線寬

Claims (23)

1. 一種發光元件，包括：一基板；一第一電極結構，配置於該基板上，包括：一第一透明導電層，配置於該基板上；一圖案化導電層，配置於該第一透明導電層上；以及一第二透明導電層，配置於該圖案化導電層與該第一透明導電層上，其中該圖案化導電層在該基板的一厚度方向上插置(interposed)於該第二透明導電層與該第一透明導電層之間；一有機發光結構，配置於該基板上；以及一第二電極結構，配置於該基板上，且該有機發光結構在該基板的該厚度方向上位於該第一電極結構與該第二電極結構之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該第二透明導電層接觸該第一透明導電層。
3. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該圖案化導電層包括多個線狀圖案，該些線狀圖案定義出至少一開口，使該第二透明導電層透過該開口接觸該第一透明導電層。
4. 如申請專利範圍第3項所述的發光元件，其中各該線狀圖案在該基板的該厚度方向上的一橫截面包括一頂部及兩側部， 該兩側部實質上分別以對應的兩圓弧角或兩尖角連接至該頂部的相對兩側。
5. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該第二透明導電層在該基板的該厚度方向上的一厚度小於或等於該第一透明導電層在該厚度方向上的一厚度。
6. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該第二透明導電層覆蓋整個該圖案化導電層。
7. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該第二透明導電層相對於該基板的一外表面的一表面粗糙度小於該圖案化導電層相對於該基板的一外表面的一表面粗糙度。
8. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該第一電極結構更包括一絕緣層，該絕緣層配置在該圖案化導電層與該第二透明導電層之間。
9. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該第一電極結構更包括一絕緣層，該絕緣層配置在該第二透明導電層與該有機發光結構之間。
10. 一種電極結構，適於配置於一基板上，包括：一第一透明導電層，配置於該基板上；一圖案化導電層，配置於該第一透明導電層上；以及一第二透明導電層，配置於該圖案化導電層與該第一透明導電層上，其中該圖案化導電層在該基板的一厚度方向上插置於該第二透明導電層與該第一透明導電層之間。
11. 如申請專利範圍第10項所述的電極結構，其中該第二透明導電層接觸該第一透明導電層。
12. 如申請專利範圍第10項所述的電極結構，其中該圖案化導電層包括多個線狀圖案，該些線狀圖案定義出至少一開口，使該第二透明導電層透過該開口接觸該第一透明導電層。
13. 如申請專利範圍第12項所述的電極結構，其中各該線狀圖案在該基板的該厚度方向上的一橫截面包括一頂部及兩側部，該兩側部實質上分別以對應的兩圓弧角或兩尖角連接至該頂部的相對兩側。
14. 如申請專利範圍第10項所述的電極結構，其中該第二透明導電層在該基板的該厚度方向上的一厚度小於或等於該第一透明導電層在該厚度方向上的一厚度。
15. 如申請專利範圍第10項所述的電極結構，其中該第二透明導電層覆蓋該圖案化導電層。
16. 如申請專利範圍第10項所述的電極結構，其中該第二透明導電層相對於該基板的一外表面的一表面粗糙度小於該圖案化導電層相對於該基板的一外表面的一表面粗糙度。
17. 如申請專利範圍第10項所述的電極結構，更包括一絕緣層，該絕緣層配置在該圖案化導電層與該第二透明導電層之間。
18. 如申請專利範圍第10項所述的電極結構，更包括一絕緣層，該絕緣層配置在該第二透明導電層與該有機發光結構之間。
19. 一種電極結構的製作方法，適於形成一電極結構於一基板上，包括：形成一第一透明導電層於該基板上；形成一圖案化導電層於該第一透明導電層上，且該圖案化導電層藉由一印刷製程形成；以及形成一第二透明導電層於該圖案化導電層與該第一透明導電層上，其中該圖案化導電層在該基板的一厚度方向上插置於該第二透明導電層與該第一透明導電層之間。
20. 如申請專利範圍第19項所述的電極結構的製作方法，其中形成該圖案化導電層於該第一透明導電層上的步驟包括形成多個線狀圖案於該第一透明導電層上，該些線狀圖案定義出至少一開口，使該第二透明導電層透過該開口接觸該第一透明導電層。
21. 如申請專利範圍第20項所述的電極結構的製作方法，其中在形成該些線狀圖案於該第一透明導電層上的步驟中，各該線狀圖案在該基板的該厚度方向上的一橫截面包括一頂部及兩側部，該兩側部實質上分別以對應的兩圓弧角或兩尖角連接至該頂部的相對兩側。
22. 如申請專利範圍第19項所述的電極結構的製作方法，更包括形成一絕緣層於該圖案化導電層上，其中形成該絕緣層於該圖案化導電層上的步驟在形成該第二透明導電層於該圖案化導電層與該第一透明導電層上的步驟之前。
23. 如申請專利範圍第19項所述的電極結構的製作方法，更包括形成一絕緣層於該圖案化導電層上，其中形成該絕緣層於該圖案化導電層上的步驟在形成該第二透明導電層於該圖案化導電層與該第一透明導電層上的步驟之後。