CN112877740A - 纳米材料薄膜的制作方法及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种纳米材料薄膜的制作方法及显示面板。该纳米材料薄膜的制作方法包括：提供相互绝缘的第一电极以及第二电极；提供第一溶液，第一溶液包括具有第一电性的第一纳米材料；提供电源，电源的两极分别与第一电极以及第二电极电连接以使第一电极具有第一电性，第二电极具有第二电性，使得第二电极上形成第一纳米材料层。本发明利用第一电极以及第二电极产生的电场驱动带电荷的纳米材料在电场中运动和聚集，获得均匀沉积的图案化的纳米材料薄膜，实现了图案化的纳米材料薄膜的大规模生产，有利于纳米材料薄膜的工业化应用。

Description

纳米材料薄膜的制作方法及显示面板
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种纳米材料薄膜的制作方法及显示面板。
背景技术
纳米发光材料，如量子点等，具备小尺寸、高能量转换效率等特点，且亮度高、发射窄、发光颜色可调、稳定性好，是近年来最具潜力的应用于显示技术的材料。
在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，纳米材料(如量子点)的图案化主要采用喷墨打印或光刻制程，喷墨打印对于墨水要求过高，目前难以实现成熟稳定的量产且重复性差，而光刻制程涉及加热、紫外固化、显影液冲洗等步骤，影响量子点稳定性，导致纳米材料在显示技术领域的应用受限。
因此，亟需一种纳米材料薄膜的制作方法及显示面板以解决上述技术问题。
发明内容
本发明提供了一种纳米材料薄膜的制作方法及显示面板，用于解决纳米材料(如量子点)的图案化受制于制程工艺导致其在显示技术领域应用受限的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明实施例提供一种纳米材料薄膜的制作方法，包括：
提供相互绝缘的第一电极以及第二电极；
提供第一溶液，所述第一溶液包括具有第一电性的第一纳米材料；
提供电源，所述电源的两极分别与所述第一电极以及所述第二电极电连接以使所述第一电极具有所述第一电性，所述第二电极具有第二电性，使得所述第二电极上形成第一纳米材料层。
在一实施例中，在所述第二电极上形成第一纳米材料层的步骤之后，还包括：
提供第二溶液，所述第二溶液包括具有所述第二电性的第二纳米材料，使得所述第一电极上形成第二纳米材料层。
在一实施例中，在所述第二电极上形成第一纳米材料层的步骤之后，还包括：
提供第三溶液，所述第三溶液包括具有所述第一电性的第三纳米材料；
互换所述第一电极与所述第二电极的电性，使得在所述第一电极上形成第三纳米材料层。
在一实施例中，在所述第二电极上形成第一纳米材料层的步骤之后，还包括：
提供第四溶液，所述第四溶液包括具有所述第一电性或所述第二电性的第四纳米材料；
提供与所述第一电极以及所述第二电极绝缘的第三电极，所述第三电极具有所述第一电性或所述第二电性，使得在所述第三电极上形成第四纳米材料层。
在一实施例中，所述电源的两极分别与所述第一电极以及所述第三电极电连接以使所述第三电极具有所述第二电性；或者，
所述电源的两极分别与所述第二电极以及所述第三电极电连接以使所述第三电极具有所述第一电性。
在一实施例中，提供所述第一电极、所述第二电极及所述第三电极的步骤，包括：
提供一衬底，在所述衬底上形成电极材料层；
图案化处理所述电极材料层以形成所述第一电极、所述第二电极以及所述第三电极。
在一实施例中，所述第一电极与所述第二电极相对设置，所述第三电极包括第一部分以及与所述第一部分桥接的第二部分；
所述第一部分位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述第二部分位于所述第一电极远离所述第二电极的一侧或所述第二电极远离所述第一电极的一侧。
在一实施例中，所述第一电极包括第一主体以及第一分支电极，所述第二电极包括第二主体以及第二分支电极，所述第三电极包括第三主体以及第三分支电极；
所述第一主体、所述第二主体以及所述第三主体相对设置，所述第三主体位于所述第三电极的所述第二部分；
所述第一分支电极、所述第二分支电极以及位于所述第三电极的所述第一部分内的所述第三分支电极位于所述第一主体与所述第二主体之间，在与所述第一主体平行的方向上，所述第一分支电极、所述第二分支电极以及所述第三分支电极交替设置。
在一实施例中，所述纳米材料薄膜为量子点材料薄膜。
本申请实施例还提供一种显示面板，包括由如前所述的纳米材料薄膜的制作方法所制备的纳米材料薄膜。
有益效果：本发明利用第一电极以及第二电极产生的电场驱动带电荷的纳米材料在电场中运动和聚集，获得均匀沉积的图案化的纳米材料薄膜，实现了图案化的纳米材料薄膜的大规模生产，有利于纳米材料薄膜的工业化应用。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明的纳米材料薄膜的制作方法的示意图。
图2为本发明的电极层的第一种结构示意图。
图3为本发明的纳米材料薄膜的第一种结构示意图。
图4为本发明的电极层的第二种结构示意图。
图5为本发明的纳米材料薄膜的第二种结构示意图。
图6为本发明的纳米材料薄膜的第三种结构示意图。
图7为本发明的纳米材料薄膜的第四种结构示意图
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
现有的图案化的纳米材料薄膜，受制于现有的制程工艺，导致图案化的纳米材料薄膜的大规模工业化生产受到限制，难以实现在显示技术领域等领域的工业化应用的问题。基于此，本申请提出了一种纳米材料薄膜的制作方法及显示面板。
请参阅图1至图7，所述纳米材料薄膜的制作方法包括：
S100、提供相互绝缘的第一电极102以及第二电极103。
S200、提供第一溶液，所述第一溶液包括具有第一电性的第一纳米材料。
S300、提供电源，所述电源的两极分别与所述第一电极102以及所述第二电极103电连接以使所述第一电极102具有所述第一电性，所述第二电极103具有第二电性，使得所述第二电极103上形成第一纳米材料层105。
本发明利用第一电极102以及第二电极103产生的电场驱动带电荷的纳米材料在电场中运动和聚集，获得均匀沉积的图案化的纳米材料薄膜，实现了图案化的纳米材料薄膜的大规模生产，有利于纳米材料薄膜的工业化应用。
现结合具体实施例对本发明的技术方案进行描述。
实施例一
请参阅图1至图7，本实施例中，所述第一电极102以及所述第二电极103可以形成在同一衬底101上，或所述第二电极103形成在所述衬底101上、所述第一电极102为外设电极。
当所述第一电极102以及所述第二电极103形成在所述衬底101上时，所述衬底101上可以沉积两种纳米材料层；当所述第二电极103形成在所述衬底101上、所述第一电极102为外设电极时，所述衬底101上可以整层图案化沉积一种纳米材料层。所述第一电极102以及所述第二电极103的具体形成方式，由所需形成的所述纳米材料薄膜的种类决定。
当所述第一电极102以及所述第二电极103形成在所述衬底101上时，步骤S100、提供相互绝缘的第一电极102以及第二电极103，具体可以包括：
S110、提供一所述衬底101，在所述衬底101上形成一第一电极材料层。
本实施例中，所述衬底101的材料可以为玻璃、有机玻璃或其他硬质绝缘材料，所述衬底101的材料也可以为聚酰亚胺或其他柔性绝缘材料，在此不作具体限定。
S120、所述第一电极材料层经第一图案化处理形成所述第一电极102以及所述第二电极103。
本实施例中，所述第一电极102以及所述第二电极103的材料可以为ITO(IndiumTin Oxide，氧化铟锡)、石墨烯、金属、过渡金属硫化物(如MoS2、MoSe2、WS2、WSe2等)或其他导电材料。
本实施例中，所述衬底101上还可以形成第三电极，所述第一电极102、所述第二电极103、所述第三电极106相互绝缘。
本实施例中，当所述电极层包括所述第一电极102、所述第二电极103以及所述第三电极时，步骤S100可以包括：
S130、提供一所述衬底101，在所述衬底101上形成电极材料层。
S140、经图案化处理所述电极材料层以形成所述第一电极102、所述第二电极103以及所述第三电极106。
本实施例中，所述电极材料层可以包括第二电极材料层以及位于所述第二电极材料层上的第三电极材料层，所述第二电极材料层与所述第三电极材料层之间还包括第一绝缘层以实现所述第一电极102、所述第二电极103以及所述第三电极106的绝缘。
本实施例中，所述第一电极102、所述第二电极103以及所述第三电极106可以经多次图案化处理形成。例如：
S130包括：
S131、提供一衬底101，在所述衬底101上形成第二电极103材料层。
S132、所述第二电极103材料层经第二图案化处理形成所述第一电极102以及所述第三电极106。
S133、在所述衬底101上形成第一绝缘材料层。
S134、所述第一绝缘材料层经第三图案化处理形成第一绝缘层。
S135、在所述衬底101上形成第三电极106材料层。
S140包括：
S141、所述第三电极106材料层经第四图案化处理形成所述第二电极103。
本实施例中，所述第一电极102与所述第二电极103相对设置，所述第三电极106包括第一部分以及与所述第一部分桥接的第二部分。
所述第一部分位于所述第一电极102与所述第二电极103之间，所述第二部分位于所述第一电极102远离所述第二电极103的一侧或所述第二电极103远离所述第一电极102的一侧。
本实施例中，所述第三电极106的所述第一部分可以与所述第二电极103同层设置，所述第三电极106的所述第一部分可以与所述第二电极103异层设置。即，所述第三电极106的所述第二部分可以由所述第二电极材料层图案化形成，所述第三电极106的所述第一部分可以由所述第三电极材料层图案化形成。
本实施例中，所述第一电极102包括第一主体以及第一分支电极，所述第二电极103包括第二主体以及第二分支电极，所述第三电极106包括第三主体以及第三分支电极。
所述第一主体、所述第二主体以及所述第三主体相对设置，所述第三主体位于所述第三电极106的所述第二部分。
所述第一分支电极、所述第二分支电极以及位于所述第三电极106的所述第一部分内的所述第三分支电极位于所述第一主体与所述第二主体之间，在与所述第一主体平行的方向上，所述第一分支电极、所述第二分支电极以及所述第三分支电极交替设置。
本实施例中，所述纳米材料薄膜可以形成在所述第一分支电极、所述第二分支电极以及所述第三分支电极上。
本实施例中，所述衬底101上还可以形成第四电极、第五电极......等，具体电极种数根据实际需要沉积的纳米材料的种数决定。同样，各电极相互绝缘。
本实施例中，在所述第二电极103上形成第一纳米材料层105的步骤可以包括：
S311、所述第一纳米材料在所述第一溶液中、所述第一电场下经过第一沉积时间后，在所述第二电极103上形成第一纳米材料层105。
S312、清洁所述第一纳米材料层105。
本实施例中，步骤S312中，可以将所述衬底101连同所述衬底101上的所述电极层以及所述第一纳米材料层105从所述第一溶液中取出，使用所述第一溶液中的第一溶剂或其他能溶解所述第一纳米材料的溶剂以清洗所述第一纳米材料层105以除去非必要沉积的所述第一纳米材料以及残留与所述衬底101上的所述第一溶液。
本实施例中，所述第一纳米材料层105的第一清洁时间可以为10至30秒，以实现所述第一纳米材料层105的完全清洁。
本实施例中，所述电源的两极分别为正极和负极，当所述电源的正极与所述第一电极102连接，所述电源的负极与所述第二电极103连接时，所述第一电性为正电性，所述第二电性为负电性；当所述电源的负极与所述第一电极102连接，所述电源的正极与所述第二电极103连接时，所述第一电性为负电性，所述第二电性为正电性。
本实施例中，所述第一电极102与所述第二电极103形成第一电场，所述第一电场的电场强度的大小大于0且小于或等于100伏特每微米。
当所述第一电场的电场强度的大小控制在小于或等于100伏特每微米时，纳米材料沉积速度适宜，所述纳米薄膜材料的图案化精度更容易控制。
本实施例中，所述第一电场的电场方向可以为所述第一电极102指向所述第二电极103的方向，也可以为所述第二电极103指向所述第一电极102的方向，由所述第一电极102与所述第二电极103的具体电性决定，在此不作具体限定。
本实施例中，所述第一纳米材料在所述第一电场的作用下沉积在具有相反电性的所述第二电极103上形成所述第一纳米材料层105，所述第一纳米材料层105的图案由所述第二电极103的图案决定，可以为长方形、圆形、三角形或其他根据需求设计的形状。
本实施例中，在所述第二电极103上形成第一纳米材料层105的步骤之后还可以包括：
S420、提供一第二溶液，所述第二溶液包括具有所述第二电性的第二纳米材料，使得所述第一电极102上形成第二纳米材料层104。
本实施例中，由于所述第二纳米材料的所述第二电性与所述第一电性相反，因此，当使用所述第二电性的所述第二纳米材料进行电沉积时，保持所述第一电极102以及所述第二电极103的电性与步骤S300中的相同即可。
本实施例中，步骤S420包括：
S421、将所述第一电极102以及所述第二电极103浸没至所述第二溶液中。
S422、所述第二纳米材料在所述第一电极102上形成第二纳米材料层104。
本实施例中，与所述第一纳米材料层105类似，所述第二纳米材料在所述第一电场的作用下沉积在具有相反电性的所述第一电极102上形成所述第二纳米材料层104，所述第二纳米材料层104的图案由所述第一电极102的图案决定，可以为长方形、圆形、三角形或其他根据需求设计的形状。
本实施例中，步骤S422包括：
S422a、所述第二纳米材料在所述第二溶液中、所述第一电场下经过第二沉积时间后，在所述第一电极102上形成第二纳米材料层104。
S422b、清洁所述第二纳米材料层104。
本实施例中，步骤S422b中，可以将所述衬底101连同所述衬底101上的所述电极层以及所述第二纳米材料层104从所述第二溶液中取出，使用所述第二溶液中的第二溶剂或其他能溶解所述第二纳米材料的溶剂以清洗所述第二纳米材料层104以除去非必要沉积的所述第二纳米材料以及残留与所述衬底101上的所述第二溶液。
本实施例中，所述第二纳米材料层104的第二清洁时间可以为10秒至30秒，以实现所述第二纳米材料层104的完全清洁。
或者，本实施例中，在所述第二电极103上形成第一纳米材料层105的步骤之后还可以包括：
S430、提供第三溶液，所述第三溶液包括具有第一电性的第三纳米材料；
本实施例中，步骤S430可以包括：
S430a、将所述第一电极102以及所述第二电极103浸没至所述第三溶液中。
S431、互换所述第一电极102与所述第二电极103的电性，使得所述第一电极102上形成所述第三纳米材料层。
本实施例中，由于所述第三纳米材料具有所述第一电性，因此，当使用所述第一电性的所述第二纳米材料进行电沉积时，所述第一电极102以及所述第二电极103的电性需要交换以形成第二电场。此时，所述第一电极102具有所述第二电性，所述第二电极103具有所述第一电性。
所述第二电场的电场强度的大小的范围与所述第一电场的电场强度的大小范围相同，大于0且小于或等于100伏特每微米。选择该范围的原因与选择所述第一电场的电场强度的大小范围的原因相同，在此不再赘述。
所述第二电场的电场方向与所述第一电场的电场方向相反，以使具有所述第一电性的所述第二纳米材料与具有所述第一电性的所述第一纳米材料在电场中的移动方向相反。
本实施例中，步骤S431包括：
S431a、互换所述第一电极102与所述第二电极103的电性，所述第三纳米材料在所述第三溶液中、所述第二电场下经过第三沉积时间后，在所述第一电极102上形成第三纳米材料层。
S431b、清洁所述第三纳米材料层。
本实施例中，步骤S431b中，可以将所述衬底101连同所述衬底101上的所述电极层以及所述第三纳米材料层从所述第三溶液中取出，使用所述第三溶液中的第三溶剂或其他能溶解所述第三纳米材料的溶剂以清洗所述第三纳米材料层以除去非必要沉积的所述第三纳米材料以及残留与所述衬底101上的所述第三溶液。
本实施例中，所述第三纳米材料层的第三清洁时间可以为10至30秒，以实现所述第三纳米材料层的完全清洁。
或者，本实施例中，在所述第一纳米材料层105以及所述第二纳米材料层104形成或所述第一纳米材料层105以及所述第三纳米材料层形成后，还可以包括：
S441、提供第四溶液，所述第四溶液包括具有所述第一电性或所述第二电性的第四纳米材料。
当所述第一电极102、所述第二电极103以及所述第三电极106形成在同一所述衬底101上时，步骤S441可以包括：
S441a、将所述第一电极102、所述第二电极103以及所述第三电极106浸没至所述第四溶液中。
S442、提供与所述第一电极102以及所述第二电极103绝缘的第三电极106，所述第三电极106具有所述第一电性或所述第二电性，使得所述第三电极106上形成第四纳米材料层。
本实施例中，步骤S442包括：
S442a、提供第三电极106，所述第三电极106与所述第一电极102以及所述第二电极103绝缘。
S442b、所述电源的两极分别与所述第一电极102以及所述第三电极106电连接以使所述第三电极106具有所述第二电性，使得所述第三电极106上形成第四纳米材料层。
或者，
S443c、所述电源的两极分别与所述第二电极103以及所述第三电极106电连接以使所述第三电极106具有所述第一电性，使得所述第三电极106上形成第四纳米材料层。
本实施例中，当所述第四纳米材料具有所述第一电性时，所述电源的两极分别与所述第一电极102以及所述第三电极106电连接以使所述第三电极106具有所述第二电性。
当所述第四纳米材料具有所述第二电性时，所述电源的两极分别与所述第二电极103以及所述第三电极106电连接以使所述第三电极106具有所述第一电性。
本实施例中，所述电源两极分别与所述第一电极102以及所述第三电极106连接，所述第二电极103不与所述电源连接时，所述第一电极102与所述第三电极106形成第三电场。
所述第三电场的电场强度的大小的范围与所述第一电场的电场强度的大小范围相同，大于0且小于或等于100伏特每微米。选择该范围的原因与选择所述第一电场的电场强度的大小范围的原因相同，在此不再赘述。
本实施例中，所述第三电场的电场方向可以为所述第一电极102指向所述第三电极106的方向，也可以为所述第三电极106指向所述第一电极102的方向，由所述第一电极102与所述第三电极106的具体电性决定，在此不作具体限定。
本实施例中，步骤S443的具体步骤可以与步骤S433的具体步骤相同或相似，在此不再赘述。
本实施例中，所述电源两极分别与所述第二电极103以及所述第三电极106连接，所述第一电极102不与所述电源连接时，所述第二电极103与所述第三电极106形成第四电场。
所述第四电场的电场强度的大小的范围与所述第一电场的电场强度的大小范围相同，大于0且小于或等于100伏特每微米。选择该范围的原因与选择所述第一电场的电场强度的大小范围的原因相同，在此不再赘述。
本实施例中，所述第四电场的电场方向可以为所述第二电极103指向所述第三电极106的方向，也可以为所述第三电极106指向所述第二电极103的方向，由所述第二电极103与所述第三电极106的具体电性决定，在此不作具体限定。
本实施例中，所述纳米材料薄膜可以为量子点薄膜，或其他纳米材料薄膜。当所述纳米材料薄膜为量子点薄膜时，纳米材料薄膜的材料可以为核-壳型量子点、钙钛矿量子点或其他复合型量子点。当纳米材料薄膜的材料为核-壳型量子点时，发光核可以为ZnCdSe2，InP，Cd2SSe，CdSe，Cd2SeTe，InAs或其他发光核材料中的一种或多种，壳体可以为CdS，ZnSe，ZnCdS2，ZnS，ZnO或其他壳体材料中的一种或多种；当纳米材料薄膜的材料为其他复合型量子点时，纳米材料薄膜的材料可以为水凝胶装载的量子点、CdSe-SiO2或其他复合型量子点中的一种或多种；当纳米材料薄膜的材料为量子点时，量子点的表面配体可以为胺、酸、巯醇、有机磷或其他有机配体中的一种或多种。
本实施例中，所述纳米材料薄膜的材料为其他纳米材料时，可以为其他无机纳米材料，如贵金属纳米材料、胶体纳米片、胶体纳米棒等纳米材料。
本实施例中，所述纳米材料薄膜，尤其是所述纳米材料薄膜的材料为量子点材料时，可以用于显示装置的彩膜层、色转换层、发光材料层等。
本发明提供的纳米材料薄膜的制作方法形成的所述纳米材料薄膜的厚度可以在纳米级也可以在微米级，具体厚度可以根据实际需求控制。
例如，当所述纳米材料薄膜用于色转换层时，所述纳米材料薄膜的厚度可以为3微米至15微米；当所述纳米材料薄膜用于QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)显示面板的发光材料层时，所述纳米材料薄膜的厚度可以为15纳米至30纳米。当所述纳米材料薄膜用于发光材料层或其他需要电极驱动的膜层时，所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极可以用作显示面板的驱动电极。
本实施例中，所述纳米材料薄膜的材料为量子点材料时，溶解有用于形成纳米材料层的纳米材料的溶液，如所述第一溶液、所述第二溶液、所述第三溶液、所述第四溶液、所述第五溶液等，的浓度可以为0.1mg/mL到1000mg/mL，具体浓度可以根据需要的所述纳米材料薄膜的厚度决定。
本实施例中，所述纳米材料薄膜通过在不同电极上形成纳米材料层，纳米材料层的图案由其所沉积的电极的图案决定，因此，本发明的纳米材料薄膜的尺寸精度由所述电极层的尺寸精度决定，尺寸精度可以达到1微米，有利于所述纳米材料薄膜的图案的精确控制。可以通过对所述纳米材料薄膜、所述衬底101以及所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极进行整体切割，获得目标图案的所述纳米材料薄膜。
本实施例中，所述纳米材料薄膜的形成可以在电沉积装置中进行，所述电沉积装置包括电沉积容器。
所述电沉积容器可以为长方体或其他立体形状，用于容置溶解有用于形成纳米材料层的纳米材料的溶液，如所述第一溶液、所述第二溶液、所述第三溶液、所述第四溶液、所述第五溶液等，以及容置待形成所述纳米材料薄膜的所述衬底101。
所述电沉积容器包括进液口以及出液口，用于保持所述电沉积容器中溶解有用于形成纳米材料层的纳米材料的溶液的浓度，当进行电沉积时，所述进液口以及所述出液口保持关闭，以减少所述电沉积容器内的液体流动对电沉积造成影响。所述电沉积容器内具有凹槽，用于固定所述衬底101。此外，多个所述衬底101可以同时在所述电沉积容器内进行电沉积以形成纳米材料层，有利于提高支撑效率。
请参阅图5至图7，为发明人提供的多种图案化的纳米材料层的荧光显微照片，各图中展示了两种形成在不同电极上、具有不同发光颜色的纳米材料层。本发明提供的纳米材料薄膜的制作方法可以实现多种图案化、多种颜色的纳米材料层的同层沉积，有利于纳米材料薄膜的工业化应用。
本实施例提供的纳米材料薄膜的制作方法，利用所述第一电极102以及所述第二电极103产生的电场驱动带电荷的纳米材料在电场中运动和聚集，获得均匀沉积的图案化的所述纳米材料薄膜，实现了图案化的所述纳米材料薄膜的大规模生产，有利于所述纳米材料薄膜的工业化应用。
本发明还提出了一种显示面板，包括由如前所述的纳米材料薄膜的制作方法制备的纳米材料薄膜。
所述纳米材料薄膜可以应用于所述显示面板的彩膜层、发光材料层、色转换层等膜层。所述显示面板可以为液晶显示面板、OLED(Organic Electroluminescence Display，有机电致发光二极管)显示面板、QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)显示面板或其他类型显示面板。
本发明还提出了一种显示装置，包括由如前所述的纳米材料薄膜的制作方法制备的纳米材料薄膜。
所述显示装置包括显示面板，所述纳米材料薄膜可以应用于所述显示面板的彩膜层、发光材料层、色转换层等膜层中。
所述显示面板可以为液晶显示面板、OLED显示面板、QLED显示面板或其他类型显示面板，当所述显示面板为液晶显示面板时，所述显示装置还包括背光模组，所述纳米材料薄膜可以应用于所述背光模组中，如位于所述背光模组中的色转换层等膜层。
本发明提出了一种纳米材料薄膜的制作方法及显示面板。该纳米材料薄膜的制作方法包括：提供相互绝缘的第一电极以及第二电极；提供第一溶液，第一溶液包括具有第一电性的第一纳米材料；提供电源，电源的两极分别与第一电极以及第二电极电连接以使第一电极具有第一电性，第二电极具有第二电性，使得第二电极上形成第一纳米材料层。本发明利用第一电极以及第二电极产生的电场驱动带电荷的纳米材料在电场中运动和聚集，获得均匀沉积的图案化的纳米材料薄膜，实现了图案化的纳米材料薄膜的大规模生产，有利于纳米材料薄膜的工业化应用。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种纳米材料薄膜的制作方法及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种纳米材料薄膜的制作方法，其特征在于，包括：
提供相互绝缘的第一电极以及第二电极；
提供第一溶液，所述第一溶液包括具有第一电性的第一纳米材料；
提供电源，所述电源的两极分别与所述第一电极以及所述第二电极电连接以使所述第一电极具有所述第一电性，所述第二电极具有第二电性，使得所述第二电极上形成第一纳米材料层。
2.根据权利要求1所述的纳米材料薄膜的制作方法，其特征在于，在所述第二电极上形成第一纳米材料层的步骤之后，还包括：
提供第二溶液，所述第二溶液包括具有所述第二电性的第二纳米材料，使得所述第一电极上形成第二纳米材料层。
3.根据权利要求1所述的纳米材料薄膜的制作方法，其特征在于，在所述第二电极上形成第一纳米材料层的步骤之后，还包括：
提供第三溶液，所述第三溶液包括具有所述第一电性的第三纳米材料；
互换所述第一电极与所述第二电极的电性，使得在所述第一电极上形成第三纳米材料层。
4.根据权利要求2或3所述的纳米材料薄膜的制作方法，其特征在于，在所述第二电极上形成第一纳米材料层的步骤之后，还包括：
提供第四溶液，所述第四溶液包括具有所述第一电性或所述第二电性的第四纳米材料；
提供与所述第一电极以及所述第二电极绝缘的第三电极，所述第三电极具有所述第一电性或所述第二电性，使得在所述第三电极上形成第四纳米材料层。
5.根据权利要求4所述的纳米材料薄膜的制作方法，其特征在于，
所述电源的两极分别与所述第一电极以及所述第三电极电连接以使所述第三电极具有所述第二电性；或者，
所述电源的两极分别与所述第二电极以及所述第三电极电连接以使所述第三电极具有所述第一电性。
6.根据权利要求4所述的纳米材料薄膜的制作方法，其特征在于，提供所述第一电极、所述第二电极及所述第三电极的步骤，包括：
提供一衬底，在所述衬底上形成电极材料层；
图案化处理所述电极材料层以形成所述第一电极、所述第二电极以及所述第三电极。
7.根据权利要求6所述的纳米材料薄膜的制作方法，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极相对设置，所述第三电极包括第一部分以及与所述第一部分桥接的第二部分；
所述第一部分位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述第二部分位于所述第一电极远离所述第二电极的一侧或所述第二电极远离所述第一电极的一侧。
8.根据权利要求7所述的纳米材料薄膜的制作方法，其特征在于，所述第一电极包括第一主体以及第一分支电极，所述第二电极包括第二主体以及第二分支电极，所述第三电极包括第三主体以及第三分支电极；
所述第一主体、所述第二主体以及所述第三主体相对设置，所述第三主体位于所述第三电极的所述第二部分；
所述第一分支电极、所述第二分支电极以及位于所述第三电极的所述第一部分内的所述第三分支电极位于所述第一主体与所述第二主体之间，在与所述第一主体平行的方向上，所述第一分支电极、所述第二分支电极以及所述第三分支电极交替设置。
9.根据权利要求1所述的纳米材料薄膜的制作方法，其特征在于，所述纳米材料薄膜为量子点材料薄膜。
10.一种显示面板，其特征在于，包括由如权利要求1～9中任一项所述的纳米材料薄膜的制作方法所制备的纳米材料薄膜。
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