CN108389785B - 一种转印基板、显示基板、显示面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种转印基板、显示基板、显示面板及其制作方法。该转印基板包括转印衬底和间隔布置在转印衬底上的多个转印单元，转印单元与待转印材料之间的粘结力大于转印衬底与待转印材料之间的粘结力。使用该转印基板转印待转印材料时，与转印单元粘结性较好的待转印材料仍然粘结在转印单元上，而与转印衬底粘结性较差的待转印材料会转印至目标对象上。基于上述转印机理，可以通过调整未被转印单元覆盖的转印衬底的图案及尺寸，改变转印至目标对象上的待转印材料的图案及尺寸。同时，转印至目标对象上的待转印材料的图案具有边缘清晰、膜厚度均匀以及膜层薄等特点。

Description

一种转印基板、显示基板、显示面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是一种转印基板、显示基板、显示面板及其制作方法。
背景技术
量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)利用量子点(quantum dot，简称QD)发光，由于量子点具有纯度高、发光效率高、水氧耐受性强以及性能稳定等特点，使得QLED技术广泛应用于显示和照明等领域，制备出性能优异的显示产品和照明产品。
发明内容
本发明提供了一种转印基板、显示基板、显示面板及其制作方法。
一方面，提供了一种转印基板，包括转印衬底和多个转印单元，所述多个转印单元间隔布置在所述转印衬底上；
所述转印单元与待转印材料之间的粘结力大于所述转印衬底与所述待转印材料之间的粘结力。
进一步地，所述转印衬底包括层叠设置的基底层和金属层，所述转印单元形成在所述金属层上。
进一步地，所述转印单元为自组装单层膜。
进一步地，所述自组装单层膜为自组装硫醇分子膜。
进一步地，所述转印单元的材料携带第一官能团；
所述第一官能团能够和所述待转印材料携带的第二官能团相互吸引。
进一步地，所述待转印材料为量子点材料；
所述第一官能团为氨基或锆离子；
所述第二官能团为磺酸基团、膦酸基团或羧酸基团。
进一步地，所述待转印材料还携带疏水单元，所述第二官能团位于所述疏水单元上；
所述疏水单元包括由亚苯基亚乙炔基形成的重复单元或由亚苯基亚乙烯基形成的重复单元。
另一方面，还提供了一种上述的转印基板的制作方法，所述方法包括：
形成转印衬底；
形成多个转印单元，多个所述转印单元间隔布置在所述转印衬底上；
其中，所述转印单元与待转印材料之间的粘结力大于所述转印衬底与所述待转印材料之间的粘结力。
进一步地，所述形成转印衬底包括：
提供基底层；
在所述基底层上形成金属层，其中，所述转印单元形成在所述金属层上。
进一步地，所述形成多个转印单元包括：
在所述金属层上形成转印层；
对所述转印层采用构图工艺形成所述多个转印单元。
另一方面，还提供了一种显示基板的制作方法，所述方法包括：
在上述的转印基板上形成待转印材料；
形成衬底基板，所述衬底基板的表面形成有功能层；
将所述转印基板与所述衬底基板进行对位；
将所述转印基板上形成的所述待转印材料压合在所述衬底基板的所述功能层上，其中，所述待转印材料与所述功能层之间的粘合力小于所述待转印材料与所述转印单元之间的粘合力，所述待转印材料与所述功能层之间的粘合力大于所述待转印材料与所述转印基板的转印衬底之间的粘合力；
移除所述转印基板，使所述转印单元之间的待转印材料粘覆在所述功能层上。
进一步地，所述转印单元的材料携带第一官能团，所述待转印材料为量子点材料，所述方法还包括：
在所述在转印基板上形成待转印材料之前，对所述量子点材料进行配体交换处理，使得所述量子点材料携带疏水单元；
对携带所述疏水单元的所述量子点材料进行改性，使得所述疏水单元携带第二官能团，其中，所述第一官能团和所述第二官能团能够相互吸引。
进一步地，所述功能层为电子传输材料层或空穴传输材料层。
另一方面，还提供了一种显示基板，是根据上述的制作方法制作的。
另一方面，还提供了一种显示面板，包括上述的显示基板。
与现有技术相比，本发明包括以下优点：
本发明实施例提供了一种转印基板、显示基板、显示面板及其制作方法。该转印基板包括转印衬底和间隔布置在转印衬底上的多个转印单元，转印单元与待转印材料之间的粘结力大于转印衬底与待转印材料之间的粘结力。使用该转印基板转印待转印材料时，与转印单元粘结性较好的待转印材料仍然粘结在转印单元上，而与转印衬底粘结性较差的待转印材料会转印至目标对象上。基于上述转印机理，可以通过调整未被转印单元覆盖的转印衬底的图案及尺寸，改变转印至目标对象上的待转印材料的图案及尺寸。同时，转印至目标对象上的待转印材料的图案具有边缘清晰、膜厚度均匀以及膜层薄等特点。
使用本发明实施例提供的转印基板转印量子点材料至衬底基板上时，可以通过减小未被转印单元覆盖的转印衬底的尺寸，转印较小尺寸的量子点材料至衬底基板上，从而得到高分辨率显示基板以及显示面板。同时，转印至衬底基板上的量子点材料的图案具有边缘清晰、膜厚度均匀以及膜层薄等特点，制作的显示基板及显示面板具有优异的显示性能。
附图说明
图1是本发明实施例提供的转印基板的结构示意图；
图2是在图1所示的转印基板上形成待转印材料的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的转印基板的制作方法的方法流程图；
图4是本发明实施例提供的转印基板的制作方法的流程示意图；
图5是本发明实施例提供的显示基板的制作方法的方法流程图；
图6是本发明实施例提供的一种显示基板的制作方法的流程示意图；
图7是本发明实施例提供的第一转印基板的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的第二转印基板的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的第三转印基板的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的另一种显示基板的制作方法的流程示意图。
附图标记说明
1、转印衬底 2、转印单元 3、待转印材料层
11、基底层 12、金属层 a1、基底层 a2、金属层
a3、转印层 A、掩膜板 a4、转印单元
b11、衬底层 b12、阳极 b13、像素界定层
b14、空穴注入/空穴传输材料层 b21、第一转印衬底
b211、裸露的第一转印衬底 b22、第一转印单元
b23、红色量子点层 b31、第二转印衬底
b311、裸露的第二转印衬底 b32、第二转印单元
b33、绿色量子点层 b41、第三转印衬底
b411、裸露的第三转印衬底 b42、第三转印单元
b43、蓝色量子点层 b3、电子传输材料层 b4、阴极
c11、衬底层 c12、阳极 c13、像素界定层
c14、空穴注入/空穴传输材料层 c21、转印衬底 c22、转印单元
c23、红色量子点层 c24、绿色量子点层 c25、蓝色量子点层
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的机或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
本发明实施例提供了一种转印基板。转印基板包括转印衬底和多个转印单元，多个转印单元间隔布置在转印衬底上，转印单元与待转印材料之间的粘结力大于转印衬底与待转印材料之间的粘结力。
转印基板用于转印待转印材料，转印时，待转印材料形成在转印基板上，具体形成在转印基板的转印单元以及相邻的转印单元之间的转印衬底上。可以根据转印需要，选择待转印材料的种类，例如，待转印材料可以是量子点材料或其他适用材料，待转印材料与转印基板需要满足上述的粘结力要求。待转印材料可以通过多种方式形成在转印基板上，如涂覆、喷涂等，可以根据实际进行设置。
转印基板中的转印衬底和多个转印单元的结构和尺寸可以根据实际进行设置。
使用该转印基板转印待转印材料时，与转印单元粘结性较好的待转印材料仍然粘结在转印单元上，而与转印衬底粘结性较差的待转印材料会转印至目标对象上。基于上述转印机理，可以通过调整未被转印单元覆盖的转印衬底的图案及尺寸，改变转印至目标对象上的待转印材料的图案及尺寸。同时，转印至目标对象上的待转印材料的图案具有边缘清晰、膜厚度均匀以及膜层薄等特点。
示例性地，参考图1，图1所示的转印基板包括转印衬底1和多个转印单元2，转印衬底1包括层叠设置的基底层11和金属层12，多个转印单元2间隔布置在转印衬底1上。使用图1所示的转印基板转印待转印材料时，待转印材料形成在转印单元2以及相邻的转印单元2之间的金属层12上，如图2所示，形成待转印材料层3。当待转印材料为量子点材料时，形成的待转印材料层3为量子点层。
实际中，相邻两个转印单元2之间的金属层12可以被进一步刻蚀掉，待转印材料层3可以覆盖在转印单元2以及相邻两个转印单元2之间的基底层11上。
基于材料种类不同，转印单元2可以有多种，例如，转印单元可以是由自组装材料形成的自组装单层膜(Self-Assembled Monolayer，SAM)。自组装单层膜是自组装材料的分子通过化学键相互作用，自发吸附在金属层表面上形成的热力学稳定和能量低的单分子层，自组装单层膜与金属层之间可实现牢固粘结。
自组装单层膜可以有多种，例如自组装硫醇分子膜，自组装硫醇分子膜携带的硫醇基团可以与金属层11中的金属发生相互作用，牢固地形成在金属层11上。
基底层11的材料可以有多种，例如玻璃或透明有机聚合物，透明有机聚合物可以有多种，例如聚酯、聚丙烯酸、聚环氧树脂、聚二甲基硅氧烷、聚乙烯以及聚苯乙烯等中的一种或多种。相应地，基底层11可以包括玻璃层或透明有机聚合物层。
金属层12形成在基底层11上，形成金属层12的材料可以有多种，金属层12的厚度等尺寸可以根据实际进行设置。例如，金属层12可以包括层叠色设置的第一金属层和第二金属层，第一金属层设置在基底层11上，第一金属层可以是由包含金属钛、金属铬和金属镍等中的一种或多种的材料制成的底漆层或粘结层，第一金属层的厚度为1-5nm；第二金属层可以是由货币金属或贵金属材料(如铂、钯、金、银、铜等)制成的金属层，第二金属层的厚度为10-200nm。对于基底层11和金属层12的材料以及厚度等参数，上述仅进行举例，并不做限制，凡是适用的材料和尺寸均可。
为增强转印单元与待转印材料之间的粘结力，可以限定转印单元的材料可以携带第一官能团，待转印材料可以携带第二官能团，第一官能团和第二官能团相互吸引，使得待转印材料可以牢固形成在转印单元上。
可以根据实际设置第一官能团的种类和第二官能团的种类，例如，当待转印材料为量子点材料时，第一官能团可以为氨基或锆离子，第二官能团可以为磺酸基团、膦酸基团或羧酸基团。实际中，转印单元的材料可以同时携带硫醇基团和氨基。对于第一官能团和第二官能团的种类，上述仅进行举例，并不做限制，凡是适用的官能团均可。
当待接触的两种材料携带电性相反的官能团时，两种材料之间的粘结力的大小可以用两种材料之间的相互作用力的大小来衡量。例如，当转印单元和待转印材料携带电性相反的官能团时，转印单元与待转印材料之间的粘结力大小可以用转印单元与待转印材料之间的相互作用力大小来衡量。
待转印材料可以携带疏水单元，以使待转印材料具有较好的疏水性能。可以根据实际设置疏水单元的结构。例如，当待转印材料为量子点材料时，量子点材料可以携带疏水单元，这时疏水单元可以包括由亚苯基亚乙炔基形成的重复单元或由亚苯基亚乙烯基形成的重复单元，重复单元为共轭链结构，重复单元中的单体的数目可以根据实际进行设置，例如重复单元中的单体数目可以为2-8个。具体结构中，待转印材料可以携带疏水单元，疏水单元携带第二官能团。
基于上述官能团等结构的设置，量子点层可以与转印单元牢固粘接，而量子点发光材料(小于50mJ/m2)与转印单元之间的转印衬底的材料仅形成较弱的相互作用。此外，由于亚苯基亚乙炔基形成的重复单元或由亚苯基亚乙烯基形成的重复单元的存在，使得功能配体呈现刚性扁平链，倾向于形成固态的π堆叠，基π堆叠的存在，使得量子点发光材料的功能配体之间具有较强的疏水作用，量子点发光材料具有较强的疏水性能。
本发明实施例还提供了一种制作上述转印基板的方法。如图3所示，转印基板的制作方法包括：
步骤101、形成转印衬底。
本发明实施例提供的转印基板包括转印衬底，转印基板的其他结构形成在转印衬底上，在制作转印基板时，首先制作转印基板。
上述中转印衬底可以包括层叠设置的基底层和金属层，这时形成转印衬底的步骤可以包括：第一步，提供基底层；第二步，在基底层上形成金属层，这时转印单元形成在金属层上。
步骤102、形成多个转印单元，多个转印单元间隔布置在转印衬底上。
在形成转印衬底后，在转印衬底上形成多个转移单元，多个转印单元间隔布置在转印衬底上。
当转印衬底包括层叠设置的基底层和金属层时，基于转印衬底的结构和材料种类，形成多个转印单元的步骤可以包括：
首先，在金属层上形成转印层。
转印层是由制作转印单元的材料形成的整层结构。
在金属层上形成转印层的方式可以有多种，例如，可以将新制备的或清洁的金属层浸入功能试剂中，通过自组装的方式，在金属层上组装成携带硫醇基团的转印层。功能试剂可以有多种，例如，乙醇、四氢呋喃、二甲基甲酰胺、乙腈、环辛烷、甲苯的烯硫醇溶液，烯硫醇溶液的浓度可以根据实际进行设置。可以根据实际设置烯硫醇溶液的温度，便于转印层形成在金属层上，例如，烯硫醇溶液的温度可以为25-50℃。
其次，对转印层采用构图工艺形成多个转印单元。
根据需要对转印层进行图案化处理，形成多个转印单元。图案化处理的方式可以有多种，例如，可以利用掩膜板并使用紫外光对所述转印层进行曝光处理，对转印单元进行刻蚀处理等。
可以根据待转印材料的图案及尺寸的需求，设置掩膜板的具体结构，使得转印基板具有转印所需图案及尺寸的待转印材料的功能。
例如，首先，当转印衬底包括层叠设置的基底层和金属层时，在金属层上形成携带硫醇基团的转印层，转印层携带的硫醇基团与金属层相互作用，使得转印层牢固形成在金属层上；其次，使用掩模板对转印层进行紫外光(UV)照射，使部分材料携带的硫醇基团转化为磺酸盐基团，具体地，在紫外光线曝光过程中，暴露于紫外光线照射下的转印层发生光解反应，暴露于紫外光线照射下的转印层的材料携带的硫醇基团转化为磺酸盐基团，使得暴露于紫外光线照射下的转印层的材料转化成烷基磺酸盐，而未暴露于紫外光线照射下的转印层的材料仍牢固地附着在金属层上；最后，将照射后的转印层浸入溶剂中，去除携带磺酸盐基团的部分材料，使得转印层转变成间隔布置在金属层上的多个转印单元。
用于浸泡照射后的转印层的溶剂用于溶解携带磺酸盐基团的部分材料，可以有多种，例如试剂水等，可以根据实际进行选择。
将多个转印单元形成在金属层上后，可以对未被转印单元覆盖的金属层进行刻蚀，裸露出转印单元之间的基底层，以使部分量子点层形成在转印单元之间的基底层上。
为使本领域技术人员更加清楚地理解本发明实施例提供的转印基板的制作方法，现通过以下示例对转印基板的制作方法进行详细说明。
示例
图4提供了一种转印基板的制作方法的流程示意图，参考图3，转印基板的制作方法包括：
第一步，选取基底层a1，在基底层a1上依次形成金属层a2和转印层a3。
第二步，使用掩膜板A，对转印层a3进行UV照射。
图4中的箭头方向为UV光线的照射方向。UV照射后，位于曝光区B的转印层a3的材料由烷基硫醇转变成烷基磺酸盐，位于非曝光区的转印层的材料仍为烷基硫醇。
第三步，将曝光后的结构浸入去离子水中，去除转印层a3中的位于曝光区B的烷基磺酸盐，形成多个转印单元a4，得到转印基板。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法。参照图5，显示基板的制作方法包括：
步骤201、在本发明实施例上述制作的转印基板上形成待转印材料。
在转印基板上形成待转印材料，待转印材料覆盖在转印基板的多个转印单元以及转印单元之间的衬底基板上，待转印材料与转印单元之间的粘结力大于待转印材料与转印衬底之间的粘结力。形成有待转印材料的转印基板的结构如图2所示。
在转印基板上形成待转印材料的方式可以有多种，例如溶液或悬浮液旋涂方式、狭缝涂布方式等，从而将待转印材料涂覆在转印基板上。当采用溶液或悬浮液旋涂方式时，转印至转印基板上的待转印材料的尺寸可以通过溶液浓度、旋涂过程中的旋转速度等参数进行控制；当采用狭缝涂布方式时，转印至转印基板上的待转印材料的尺寸可以通过狭缝涂布过程中的流量、涂布宽度以及速度等参数进行控制。待转印材料、转印单元以及转印衬底的材料种类已在上述描述中介绍，本发明在此不再赘述，具体材料种类可以根据实际进行设置。
步骤202、形成衬底基板，衬底基板的表面形成有功能层。
基于待制作的显示基板的种类不同，在转印基板上形成待转印材料后，需要形成相应种类的衬底基板。衬底基板的表面形成有功能层，功能层可能是原始衬底基板的结构层，也可以是相比于原始衬底基板新增的结构层，可以根据实际进行设置。
例如，当待制作的显示基板为量子点发光二极管显示基板时，本步骤形成的衬底基板为量子点基板，功能层可以为原始量子点基板的公共材料层如电子传输材料层或空穴传输材料层。当待制作的显示基板为液晶显示基板时，本步骤形成的衬底基板为彩膜基板，功能层可以是相比于原始彩膜基板新增的材料层。
步骤203、将转印基板与衬底基板进行对位。
可以根据转印基板上的对位标记和衬底基板上的对位标记，将制作好的转印基板和衬底基板对位。
步骤204、将转印基板上形成的待转印材料压合在衬底基板的功能层上，其中，待转印材料与功能层之间的粘合力小于待转印材料与转印单元之间的粘合力，待转印材料与功能层之间的粘合力大于待转印材料与转印基板的转印衬底之间的粘合力。
EQT指代量子点层与转印衬底之间的粘合力，EQC指代量子点层与功能层之间的粘合力，EQS指代量子点层和转印单元之间的粘合力，EQQ指代量子点层中疏水单元之间的粘合力，存在如下关系：EQT<EQC<EQS<EQQ。
操作中，可以在真空条件下或惰性气体(氮气、氩气等)气氛下，将转印基板和衬底基板对准并压合。压合所施加的压力大小可以根据器件的材质和结构确定。
例如，当衬底基板的功能层为公共材料层如空穴传输层，转印单元携带正电荷的功能性氨基，量子点层携带功能配体亚苯基亚乙炔基形成的重复单元或由亚苯基亚乙烯基形成的重复单元，且功能配体上携带负电荷的官能团，如磺酸基团、膦酸基团、羧酸基团等，基于上述结构，压合转印基板和衬底基板所施加的压力可以为50-100g/cm2，这时转印基板上的量子点层与衬底基板的公共材料层的表面能非常高，可以达到200mJ/m2，基于量子点层与衬底基板的公共材料层之间的高表面能的存在，量子点层可以附着在衬底基板的公共材料层上，完成量子点材料的转印。
量子点材料可以携带功能配体，功能配体的种类可以有多种，如由亚苯基亚乙炔基形成的重复单元或由亚苯基亚乙烯基形成的重复单元，重复单元为共轭链结构，重复单元中的单体的数目可以根据实际进行设置，例如重复单元中的单体数目可以为2-8个，上述功能配体可以被带负电荷的官能团官能化，带负电荷的官能团可以有多种，例如磺酸基团、膦酸基团、羧酸基团等，带负电荷的官能团的种类可以根据实际进行设置。
步骤205、移除转印基板，使转印单元之间的待转印材料粘覆在功能层上。
在将转印基板上形成的待转印材料压合在衬底基板的功能层上后，使待转印材料与功能层发生粘结，压合一段时间后从衬底基板上移除转印基板，基于转印基板的转印单元、转印衬底、待转印材料以及衬底基板的功能层之间的粘结力关系，转印单元之间的待转印材料粘覆在功能层上，从而实现转印待转印材料至衬底基板上。
为了增强转印单元与待转印材料之间的粘结力，在转印基板上形成待转印材料之前，可以对待转印材料进行改性处理，使得待转印材料携带第二官能团，第二官能团能够与转印单元的材料携带的第一官能团发生相互吸引，基于官能团的吸引作用，增强了转印单元与待转印材料之间的粘结力。为了提高待转印材料的疏水性能，还可以让待转印材料携带疏水单元。
当待转印材料为量子点材料，量子点材料同时携带疏水单元和第二官能团时，第二官能团可以位于疏水单元上，量子点材料携带的第二官能团能够与转印基板携带的第一官能团相互吸引。为制备出上述材料结构，本发明实施例在执行步骤201之前，可以先对不携带疏水结构和第二官能团的量子点材料进行配体交换处理，使得量子点材料携带疏水单元；再对携带疏水单元的量子点材料进行改性，使疏水单元携带第二官能团。
当显示基板包括多种待转印材料图案时，可以依次使用形成有不同待转印材料的转印基板，在衬底基板的功能层上形成多种待转印材料图案。例如，显示基板包括红色量子点图案、绿色量子点图案以及蓝色量子点图案，可以依次使用形成有红色量子点层、绿色量子点层以及蓝色量子点层的转印基板，转印红色量子点图案、绿色量子点图案以及蓝色量子点图案至衬底基板的功能层上。
使用本发明实施例提供的转印基板转印量子点材料至衬底基板上时，可以通过减小未被转印单元覆盖的转印衬底的尺寸，转印较小尺寸的量子点材料至衬底基板上，实际能够转印尺寸如小于5μm的量子点图案至衬底基板上，得到高分辨率显示基板以及显示面板。同时，转印至衬底基板上的量子点材料的图案具有边缘清晰、膜厚度均匀以及膜层薄等特点，制作的显示基板及显示面板具有优异的显示性能。
本发明实施例还提供了一种显示基板，是根据本发明实施例上述提供的显示基板的制作方法制作的，具有高分辨率等特点。
本发明实施例还提供了一种显示面板，是由本发明实施例上述提供的显示基板组装得到的，具有高分辨率等特点。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例上述提供的显示面板，具有高分辨率等特点。
为使本领域技术人员更加清楚地理解本发明实施例提供的显示基板的制作方法，现通过以下示例对显示基板的制作方法进行详细说明。
示例1
本示例提供了一种显示基板的制作方法。如图6所示，本示例提供的显示基板的制作方法包括以下步骤：
第一步，形成衬底基板、第一转印基板、第二转印基板以及第三转印基板。
图6所示的衬底基板包括衬底层b11、图案化后呈阵列排布的阳极b12、像素界定层b13以及空穴注入/空穴传输材料层b14。
图6所示的第一转印基板包括第一转印衬底b21和形成在第一转印衬底上的多个第一转印单元b22。在图6所示的第一转印基板上形成红色量子点层b23，红色量子点层b23覆盖在第一转印单元b22以及第一转印单元b22之间的裸露的第一转印衬底上。
图7为本示例形成的第一转印基板的俯视图，图7中虚线框形成的区域为第一转印单元b22之间的区域，标记b211代表未被第一转印单元b22覆盖的裸露的第一转印衬底。
图6所示的第二转印基板包括第二转印衬底b31和形成在第二转印衬底b31上的多个第二转印单元b32。在图6所示的第二转印基板上形成绿色量子点层b33，绿色量子点层b33覆盖在第二转印单元b32以及第二转印单元b32之间的裸露的第二转印衬底b31上。第二转印基板上与已转印至衬底基板上的红色量子点层b23相对的区域上的绿色量子点层b33被刻蚀掉。
图8为本示例形成的第二转印基板的俯视图，图8中虚线框形成的区域为第二转印单元b32之间的区域，标记b311代表未被第二转印单元b32覆盖的裸露的第二转印衬底。
图6所示的第三转印基板包括第三转印衬底b41和形成在第三转印衬底b41上的多个第三转印单元b42。在图6所示的第三转印基板上形成蓝色量子点层b43，蓝色量子点层b43覆盖在第三转印单元b42和第三转印单元b42之间的裸露的第三转印衬底b41上。第三转印基板上与已转印至衬底基板上的红色量子点层b23相对的区域上的蓝色量子点层b43被刻蚀掉，第三转印基板上与已转印至衬底基板上的绿色量子点层b33相对的区域上的蓝色量子点层b43被刻蚀掉。
图9为本示例形成的第三转印基板的俯视图，图9中的虚线框形成的区域为第三转印单元b42之间的区域，标记b411代表未被第三转印单元b42覆盖的裸露的第三转印衬底。
图7、图8以及图9所示的三种转印基板的设置，使得依次使用三种转印基板转印三种量子点层，能够将三种量子点层依次转印到衬底基板的指定位置上。基于本发明实施例提供的转印基板的转印机理，可以根据实际设置转印基板的具体结构，本示例仅做举例，并不做限制。
第二步，将第一转印基板的红色量子点层b23压合在衬底基板的空穴传输材料层b14上，移除第一转印基板，使第一转印单元b22之间的红色量子点层b23即裸露的第一转印衬底b211上的红色量子点层b23粘覆在衬底基板的空穴传输材料层b14上，与第一转印单元b22粘结的红色量子点层b23仍然与第一转印单元b22保持粘结并随第一转印单元b22移开。
第三步，将第二转印基板的绿色量子点层b33压合在衬底基板的空穴传输材料层b14上，移除第二转印基板，使第二转印单元b32之间的绿色量子点层b33即裸露的第二转印衬底b311上的绿色量子点层b33粘覆在衬底基板的空穴传输材料层b14上，与第二转印单元b32粘结的绿色量子点层b33仍然与第二转印单元b32保持粘结并随第二转印单元b32移开。
第四步，将第三转印基板的蓝色量子点层b43压合在衬底基板的空穴传输材料层b14上，移除第三转印基板，使第三转印单元b42之间的蓝色量子点层b43即裸露的第三转印衬底b411上的蓝色量子点层b43粘覆在衬底基板的空穴传输材料层b14上，第三转印单元b42粘结的蓝色量子点层b43仍然与第三转印单元b42保持粘结并随第三转印单元b42移开。图6中的箭头方向为量子点层的掉落方向。
第五步，在量子点层上形成电子传输材料层b3。
第六步，在电子传输材料层b3上形成阴极b4。
对于图6所示的器件结构的反转器件结构，衬底基板上的电极可以是阴极，阴极上形成的材料层是电子传输层，量子点层上形成的材料层是空穴注入/空穴传输层，空穴注入/空穴传输层上形成阳极。
示例2
本示例提供了一种显示基板的制作方法。如图10所示，本示例提供的显示基板的制作方法包括以下步骤：
第一步，形成衬底基板以及转印基板。
图10所示的衬底基板包括衬底层c11、图案化后呈阵列排布的阳极c12、像素界定层c13以及空穴注入/空穴传输材料层c14。转印基板包括转印衬底c21和形成在转印衬底上的多个转印单元c22。
转印基板转印红色量子点层c23至衬底基板上时，在该转印基板上形成红色量子点层c23，红色量子点层c23覆盖在转印单元c22以及转印单元c22之间的裸露的转印衬底上。通过对位转印基板和衬底基板、压合转印基板的红色量子点层c23至衬底基板的空穴注入/空穴传输材料层c14上以及移开转印基板多个步骤，将转印单元c22之间的红色量子点层c23转印至衬底基板上。
当待转印的多种量子点层满足一定排布规律时，可以使用同一转印基板转印所有量子点层，从而简化转印基板的图案设计。例如，当待转印的红绿蓝三种量子点层均按照等间隔排布时，相邻两个红色量子点层之间的距离等于相邻两个绿色电子层之间的距离，相邻两个绿色电子层之间的距离等于相邻两个蓝色电子层之间的距离，这时可以使用同一转印基板转印上述三种量子点层。
具体地，在红色量子点层c23转印结束后，可以对该转印基板进行清洗，在清洗后的转印基板上形成绿色量子点层c24，转印绿色量子点层c24时转印基板与衬底基板的对位位置发生变化，转印基板需要移动至预设位置，使得转印单元之间的绿色量子点层c24粘附在衬底基板的指定位置。具体转印过程可参照上述红色量子点层c23的转印过程。
同理，在绿色量子点层c24转印结束后，可以对该转印基板进行清洗，在清洗后的转印基板上形成蓝色量子点层c25，转印蓝色量子点层c25时转印基板与衬底基板的对位位置再次发生变化，转印基板需要再次移动预设位置，使得转印单元之间的蓝色量子点层c25粘附在衬底基板的指定位置。具体转印过程可参照上述红色量子点层c23的转印过程。图10中的箭头方向为量子点层的掉落方向。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
以上对本发明所提供的一种转印基板、显示基板、显示面板及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (14)

1.一种转印基板，其特征在于，包括转印衬底和多个转印单元，所述多个转印单元间隔布置在所述转印衬底上；
所述转印单元与待转印材料之间的粘结力大于所述转印衬底与所述待转印材料之间的粘结力；
所述转印单元的材料携带第一官能团；
所述第一官能团能够和所述待转印材料携带的第二官能团相互吸引。
2.根据权利要求1所述的转印基板，其特征在于，所述转印衬底包括层叠设置的基底层和金属层，所述转印单元形成在所述金属层上。
3.根据权利要求2所述的转印基板，其特征在于，所述转印单元为自组装单层膜。
4.根据权利要求3所述的转印基板，其特征在于，所述自组装单层膜为自组装硫醇分子膜。
5.根据权利要求1所述的转印基板，其特征在于，所述待转印材料为量子点材料；
所述第一官能团为氨基或锆离子；
所述第二官能团为磺酸基团、膦酸基团或羧酸基团。
6.根据权利要求5所述的转印基板，其特征在于，所述待转印材料还携带疏水单元，所述第二官能团位于所述疏水单元上；
所述疏水单元包括由亚苯基亚乙炔基形成的重复单元或由亚苯基亚乙烯基形成的重复单元。
7.一种如权利要求1-6任一项所述的转印基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
形成转印衬底；
形成多个转印单元，多个所述转印单元间隔布置在所述转印衬底上；
其中，所述转印单元与待转印材料之间的粘结力大于所述转印衬底与所述待转印材料之间的粘结力。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述形成转印衬底包括：
提供基底层；
在所述基底层上形成金属层，其中，所述转印单元形成在所述金属层上。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述形成多个转印单元包括：
在所述金属层上形成转印层；
对所述转印层采用构图工艺形成所述多个转印单元。
10.一种显示基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在如权利要求1-6任一项所述的转印基板上形成待转印材料；
形成衬底基板，所述衬底基板的表面形成有功能层；
将所述转印基板与所述衬底基板进行对位；
将所述转印基板上形成的所述待转印材料压合在所述衬底基板的所述功能层上，其中，所述待转印材料与所述功能层之间的粘合力小于所述待转印材料与所述转印单元之间的粘合力，所述待转印材料与所述功能层之间的粘合力大于所述待转印材料与所述转印基板的转印衬底之间的粘合力；
移除所述转印基板，使所述转印单元之间的待转印材料粘覆在所述功能层上。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述转印单元的材料携带第一官能团，所述待转印材料为量子点材料，所述方法还包括：
在所述在如权利要求1-6任一项所述的转印基板上形成待转印材料之前，对所述量子点材料进行配体交换处理，使得所述量子点材料携带疏水单元；
对携带所述疏水单元的所述量子点材料进行改性，使得所述疏水单元携带第二官能团，其中，所述第一官能团和所述第二官能团能够相互吸引。
12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述功能层为电子传输材料层或空穴传输材料层。
13.一种显示基板，其特征在于，是根据权利要求10-12任一项所述的制作方法制作的。
14.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求13所述的显示基板。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3487269A1 (en) * 2017-11-21 2019-05-22 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Light induced selective transfer of components
CN110875344A (zh) * 2018-08-31 2020-03-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种led显示器件的制备方法及led显示器件
CN112018250B (zh) * 2019-05-31 2021-12-17 京东方科技集团股份有限公司 量子点电致发光器件及制作方法、显示装置
US10790246B1 (en) * 2019-07-10 2020-09-29 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method of transferring different types of micro devices
CN111258111B (zh) * 2020-03-18 2022-09-30 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板及其制备方法、显示面板
CN112652651B (zh) * 2020-12-22 2023-10-27 北京维信诺科技有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN112863377B (zh) * 2021-01-11 2023-01-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种量子点彩色滤光片的制作方法及显示面板
WO2022222049A1 (zh) * 2021-04-20 2022-10-27 京东方科技集团股份有限公司 量子点图案、量子点发光器件、显示装置及制作方法
CN113359343A (zh) * 2021-06-11 2021-09-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 量子点彩色滤光片及制作方法、显示面板及制作方法
CN113363406A (zh) * 2021-06-25 2021-09-07 安徽熙泰智能科技有限公司 一种适用于Micro OLED的旋涂方法及Micro OLED结构
CN114709242A (zh) * 2022-03-24 2022-07-05 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板的封装方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106299144A (zh) * 2016-09-23 2017-01-04 京东方科技集团股份有限公司 一种辅助基板、图案制备方法、qled显示基板及其制备方法
CN107004737A (zh) * 2014-11-28 2017-08-01 Seoul大学校 一种量子点电子设备及量子点转印方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6207369B1 (en) * 1995-03-10 2001-03-27 Meso Scale Technologies, Llc Multi-array, multi-specific electrochemiluminescence testing
US20040191564A1 (en) * 2002-12-17 2004-09-30 Samsung Sdi Co., Ltd. Donor film for low molecular weight full color organic electroluminescent device using laser induced thermal imaging method and method for fabricating low molecular weight full color organic electroluminescent device using the film

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107004737A (zh) * 2014-11-28 2017-08-01 Seoul大学校 一种量子点电子设备及量子点转印方法
CN106299144A (zh) * 2016-09-23 2017-01-04 京东方科技集团股份有限公司 一种辅助基板、图案制备方法、qled显示基板及其制备方法

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