CN108447999B - 量子点层图案化方法及显示装置的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种量子点层图案化方法及显示装置的制作方法，用于解决现有的量子点层的高分辨率图案化方法操作困难，难以实现量产的问题。其中所述量子点层图案化方法包括：在基板上制作量子点层，所述量子点层包括保留部分和待移除部分；在量子点层上压上具有多个凸起部的转印模板，使待移除部分与转印模板的多个凸起相结合；移除转印模板，使待移除部分随转印模板移除，保留部分保留在基板上。上述量子点层图案化方法应用于量子点发光二极管显示装置的子像素制作过程中，能够实现高分辨率子像素的制作。

Description

量子点层图案化方法及显示装置的制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点层图案化方法及显示装置的制作方法。
背景技术
随着量子点制备技术的深入发展，量子点的稳定性以及发光效率不断提升，量子点发光二极管的研究不断深入，量子点发光二极管(Quantum Dot Light EmittingDiodes，简称QLED)显示装置在显示领域的应用前景日渐光明。理论上来讲，相对于常规有机发光二极管显示装置，量子点发光二极管显示装置具有光源稳定性更好、寿命更长、色域更广、成本更低廉等优点。
但是，目前量子点发光二极管显示装置仍没有达到量产水平，其中一个重要原因是量子点发光二极管的高分辨率图案化技术还没有取得突破。量子点的无机纳米粒子特征使其无法通过蒸镀成膜并图案化，而通过喷墨打印法很难达到较高的分辨率。
转印法是一种可能的实现量子点层高分辨率图案化的方法。目前，采用转印法进行量子点层图案化的大致流程为：在载体上制备某种颜色的量子点层，使用转印模板吸附载体上特定区域的量子点层，然后再将所吸附的量子点层转移至基板上相应颜色的子像素区域，形成相应颜色的子像素。
然而，上述方法需要进行两次转移：第一次转移是将特定区域的量子点层转移到转印模板上，这需要量子点层与转印模板的吸附力大于量子点层与载体的吸附力；第二次转移是将特定区域的量子点层转移到基板的子像素区域，这需要量子点层与转印模板的吸附力小于量子点层与基板的吸附力。两次转移使得对与量子点层相接触的材料的要求，及对两次转移过程的工艺条件的要求较苛刻，造成操作难度较高。
发明内容
针对上述现有技术中所存在的问题，本发明实施例提供一种量子点层图案化方法及显示装置的制作方法，能够实现量子点层的高分辨率图案化，并且操作简单、易实现，为量子点发光二极管显示装置的量产提供技术支撑。
为达到上述目的，本发明实施例采用如下技术方案：
第一方面，本发明实施例提供了一种量子点层图案化方法，所述量子点层图案化方法包括：在基板上制作量子点层，所述量子点层包括保留部分和待移除部分；在所述量子点层上压上具有多个凸起部的转印模板，使所述待移除部分与所述多个凸起部相结合；移除所述转印模板，使所述待移除部分随所述转印模板移除，所述保留部分保留在所述基板上。
在上述量子点层图案化方法中，只需要一次转移：将量子点层的待移除部分由基板转移至转印模板上，这次转移仅需要量子点层与转印模板的吸附力大于量子点层与基板的吸附力，而现有技术中的转印法需要进行两次转移，显然本发明的技术方案相对于现有技术减少了转移次数，这有利于降低对与量子点层相接触的材料的要求，及对转移过程的工艺条件的要求，从而降低了量子点层高分辨率图案化的操作难度，为量子点发光二极管显示装置的量产提供了技术支撑。
基于上述量子点层图案化方法，可选的，所述待移除部分与所述多个凸起部通过化学键相连。
可选的，所述量子点层中具有第一基团，所述多个凸起部中具有第二基团，所述第一基团与所述第二基团之间能够通过化学键相连；所述使所述待移除部分与所述多个凸起部相结合，包括：对所述待移除部分与所述多个凸起部进行紫外光照射和/或加热，使所述待移除部分中的第一基团与所述多个凸起部中的第二基团形成通过化学键相连。
可选的，所述第一基团包括巯基、氨基、具有双键的基团和具有三键的基团中的至少一种，所述第二基团包括巯基、氨基、具有双键的基团和具有三键的基团中的至少一种，且所述第一基团与所述第二基团之间能够通过化学键相连。
可选的，所述在基板上制作量子点层之前，还包括制备配体修饰的量子点材料的步骤，该步骤包括：制备具有所述第一基团的配体材料，然后采用量子点和所述配体材料，制备配体修饰的量子点材料；所述在基板上制作量子点层包括：采用所述配体修饰的量子点材料，制作所述量子点层。
可选的，所述在所述量子点层上压上具有多个凸起部的转印模板之前，还包括制作所述转印模板的步骤；该步骤包括：制备具有所述第二基团的转印模板材料，采用具有所述第二基团的转印模板材料制作所述转印模板，所述转印模板具有所述多个凸起部，所述凸起部中具有所述第二基团；或者，该步骤包括：制作转印模板本体，所述转印模板本体具有所述多个凸起部，将所述转印模板本体浸泡在具有所述第二基团的溶液中，使所述多个凸起部中具有所述第二基团；或者，该步骤包括：制作转印模板本体，所述转印模板本体具有所述多个凸起部，将所述转印模板本体与具有所述第二基团的材料进行表面化学反应，使所述多个凸起部中具有所述第二基团。
可选的，对所述待移除部分与所述转印模板的对应区域仅进行紫外光照射，所采用的光强度为50mJ/cm2～200mJ/cm2；或者，对所述待移除部分与所述转印模板的对应区域仅进行加热，所采用的温度为80℃～120℃。
可选的，所述在所述量子点层上压上具有多个凸起部的转印模板，包括：将所述转印模板与所述量子点层进行对位，使所述转印模板的多个凸起部与所述待移除部分的位置相对应，然后将所述转印模板压在所述量子点层上。
可选的，所述移去所述转印模板之后，还包括：对所述保留部分进行紫外光照射和/或加热，使所述保留部分中的配体修饰的量子点材料交联。
可选的，对所述保留部分仅进行紫外光照射，所采用的光强度为50mJ/cm2～200mJ/cm2；或者，对所述保留部分仅进行加热，所采用的温度为80℃～120℃。
第二方面，本发明实施例提供了一种显示装置的制作方法，所述制作方法包括：采用如第一方面所述的量子点层图案化方法，在基板上分别子像素。
上述显示装置的制作方法所能产生的有益效果与第一方面所提供的量子点层图案化方法的有益效果相同，此处不再赘述。
第三方面，本发明实施例提供了一种配体修饰的量子点材料，所述配体修饰的量子点材料包括：量子点，及包覆所述量子点的配体材料，所述配体材料中具有第一基团，所述第一基团能够与其它基团通过化学键相连。
上述配体修饰的量子点材料所能产生的有益效果与第一方面所提供的量子点层图案化方法的有益效果相同，此处不再赘述。
基于上述配体修饰的量子点材料，可选的，所述第一基团包括巯基、氨基、具有双键的基团和具有三键的基团中的至少一种。
第四方面，本发明实施例提供了一种转印模板，所述转印模板包括：转印模板本体，所述转印模板本体具有多个凸起部；分散于所述多个凸起部中的第二基团，所述第二基团能够与其它基团通过化学键相连。
上述转印模板所能产生的有益效果与第一方面所提供的量子点层图案化方法的有益效果相同，此处不再赘述。
基于上述转印模板，可选的，所述第二基团包括巯基、氨基、具有双键的基团和具有三键的基团中的至少一种。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例所提供的量子点层图案化方法的基本流程图；
图2为本发明实施例所提供的量子点层图案化方法的具体流程图；
图3～图7为本发明实施例所提供的量子点层图案化方法的各工艺步骤图；
图8～图10为本发明实施例所提供的显示装置的子像素的制作过程的各步骤图。
附图标记说明：
1-基板； 2-量子点层；
21-保留部分； 22-待移除部分；
3-转印模板； 31-凸起部；
32-支撑板。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。
本实施例提供一种量子点层图案化方法，如图1、及图3～图7所示，该量子点层图案化方法包括以下步骤：
S1：如图3所示，在基板1上制作量子点层2，该量子点层2包括保留部分和待移除部分。
在上述步骤S1中，量子点层2可采用配体修饰的量子点材料经旋涂涂覆形成，其中，配体修饰的量子点材料是在量子点表面配位上配体材料制成的。量子点层2采用配体修饰的量子点材料制成，能够减少量子点表面的缺陷，并且改善量子点与量子点层2中的基体材料的相容性。
另外，所述“待移除部分”具体可为量子点层2中除“保留部分”以外的部分。
若上述量子点层图案化方法应用于制作量子点发光二极管显示装置的子像素，则经过量子点层2所发出的光的颜色为量子点发光二极管显示装置中子像素的某种颜色，如：红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)等。
基于此，对于一次量子点层的图案化过程，其目标是要形成某一种颜色的子像素，因此在本步骤中，可称基板1上需要形成该颜色子像素的目标区域为待形成子像素区域。需要强调的是，本实施例中所述的“待形成子像素区域”是指基板1上某一种颜色的待形成的子像素所对应的区域，而非全部颜色的待形成的子像素所对应的区域。从而量子点层2的保留部分是指量子点层2中对应基板1的待形成子像素区域的部分，量子点层2中除保留部分以外的部分为待移除部分。
S2：如图4所示，在量子点层2上压上具有多个凸起部31的转印模板3，使量子点层2的待移除部分与转印模板3的多个凸起部31相结合。
在上述步骤S2中，转印模板可选用PDMS(英文全称为：Polydimethylsiloxane，中文名称为：聚二甲基硅氧烷)材料一体成型制成的转印模板。
转印模板3采用如下结构：请继续参见图4，转印模板3包括：支撑板32，及设置于支撑板32一面上的多个凸起部31。当转印模板3压在量子点层2上时，转印模板3的多个凸起部31能够与量子点层2的待移除部分相对应，从而在后续步骤中，可通过将转印模板3的多个凸起部31与量子点层2的待移除部分相结合，最终实现量子点层2的待移除部分的移除，不会出现转印模板3的其它部分与量子点层2相结合，而导致量子点层2中不需要被移除的部分被移除的问题。
基于转印模板3的上述结构，上述步骤S2具体可包括如下过程：将转印模板3与量子点层2进行对位，使转印模板3的多个凸起部31与量子点层2的待移除部分的位置相对应，然后将转印模板3压在量子点层2上，使转印模板3的凸起部31与量子点层2的待移除部分相接触。此外，在将转印模板3压在量子点层2上后，可向转印模板3施加一定的压力，这有利于后续步骤中转印模板3的凸起部31与量子点层2的待移除部分结合得更加紧密、牢固。
在上述步骤S2中，将量子点层2的待移除部分与转印模板3的多个凸起部31相结合的结合方式可以采用化学键相连，相对于其它结合方式，化学键相连能够使量子点层2与转印模板3的结合更牢固，从而便于在后续步骤中能够更顺利、更干净彻底地通过转印模板3与量子点层2的结合作用力，移除量子点层2的待移除部分。本实施例中所谓的“化学键相连”是指分别对量子点层2的待移除部分和转印模板3的凸起部31进行化学修饰，使二者各自带有活性基团，通过二者所带有的活性基团的化学键的结合，使二者相结合。
具体的，上述技术方案可采用如下实现方式：量子点层2中具有第一基团，转印模板3中，具体是转印模板3的多个凸起部31具有第二基团，第一基团与第二基团之间能够通过化学键相连；请再次参见图5，在将量子点层2的待移除部分与转印模板3的多个凸起部31相结合时，对量子点层2的待移除部分与转印模板3的多个凸起部31进行紫外光(Ultraviolet Rays，简称UV光)照射和/或加热，使量子点层2的待移除部分中的第一基团与转印模板的多个凸起部31中的第二基团通过化学键相连。
需要说明的是，若对量子点层2的待移除部分与转印模板3的多个凸起部31仅进行紫外光照射，则所采用的光强度可为50mJ/cm2～150mJ/cm2；若对量子点层2的待移除部分与转印模板3的多个凸起部31仅进行加热，则所采用的温度可为80℃～120℃。
其中，第一基团可包括巯基、氨基、具有双键的基团和具有三键的基团等中的至少一种，第二基团可包括巯基、氨基、具有双键的基团和具有三键的基团等中的至少一种，并且要求第一基团与第二基团之间能够通过化学键相连。可形成化学键相连的第一基团与第二基团的组合可为：第一基团包括巯基，第二基团包括具有双键的基团；或者，第一基团包括具有双键的基团，第二基团包括巯基；或者，第一基团包括巯基，第二基团包括具有三键的基团；或者，第一基团包括具有三键的基团，第二基团包括巯基；等等。
以第一基团包括巯基，第二基团包括具有双键的基团为例，二者形成化学键相连的方程式如下：
Figure GDA0002589649070000071
请参见图2，在本实施例中的量子点层图案化方法中，为了使量子点层2中具有第一基团，可在制作量子点层2的步骤S1之前，设置制备配体修饰的量子点材料的步骤。示例性的，该步骤具体可为：首先制备具有第一基团的配体材料，然后采用量子点和配体材料，制备配体修饰的量子点材料。其中，制备配体材料时，可在特定有机材料中掺入含有第一基团的材料制成配体材料；在形成配体修饰的量子点材料的过程中，配体材料与量子点之间发生配位反应，使二者之间通过配位键相连，最终配体材料附着在量子点表面。通过前述步骤制备好具有第一基团的配体修饰的量子点材料，然后使用该配体修饰的量子点材料制作量子点层2，量子点层2中自然具有第一基团。
请参见图2，在本实施例中的量子点层图案化方法中，为了使转印模板3中具有第二基团，可在量子点层2上压上转印模板3的步骤S2之前，设置制作转印模板的步骤。示例性的，该步骤具体为：首先制备具有第二基团的转印模板材料，然后采用具有第二基团的转印模板材料，制作转印模板，该转印模板具有多个凸起部，凸起部中具有第二基团；或者，首先制作转印模板本体，该转印模板本体具有多个凸起部，然后将转印模板本体浸泡在具有第二基团的溶液中，使多个凸起部中具有第二基团；或者，首先制作转印模板本体，该转印模板本体具有多个凸起部，然后将转印模板本体与具有第二基团的材料进行表面化学反应，使多个凸起部中具有第二基团。制作转印模板的方法包括但不限于前述几种方法，此处不再一一列举。
S3：如图6所示，移去转印模板3，由于量子点层的待移除部分22与转印模板3的凸起部31相结合，因此量子点层2的待移除部分22随着转印模板3移去而移除，而量子点层2的保留部分21保留在基板1上。
若上述量子点层图案化方法用于制作量子点发光二极管显示装置的子像素，则经过步骤S3后，量子点层2的保留部分21保留在基板1的待形成子像素区域上，从而量子点层2的保留部分21可作为需要形成的子像素。
在上述步骤S3中，为了保证移除量子点层2的待移除部分22的过程中，待移除部分22移除彻底，不在基板1上有残留，可控制量子点层2的厚度不要过厚。示例性的，量子点层2的整体厚度可为10nm～20nm，最好不要超过30nm。对于由多层(如2～3层)薄膜层叠而成的量子点层2，可通过控制配体修饰的量子点材料溶液的浓度及旋涂量子点层2时的加热温度，使量子点层2的各层薄膜之间结合的更紧密一些，从而避免移除时残留的产生。
请参见图1、图2及图7，在本实施例中的量子点层图案化方法中，为了防止在后续步骤中，比如清洗、制作另外颜色的子像素等步骤，量子点层2的保留部分21出现受损、剥落等问题，可在步骤S3之后，设置一步骤S4，该步骤S4具体包括：对量子点层2的保留部分21进行紫外光照射和/或加热，使保留部分21中的配体修饰的量子点材料交联，从而使保留部分21的结构更稳固。
需要说明的是，若对量子点层2的保留部分21仅进行紫外光照射，则所采用的光强度可为50mJ/cm2～150mJ/cm2；若对量子点层2的保留部分21仅进行加热，则所采用的温度可为80℃～120℃。
由上述量子点层图案化方法的整体工艺流程不难看出：本实施例中的图案化方法只需要一次转移：将量子点层2的待移除部分22由基板1转移至转印模板3上，这次转移仅需要量子点层2与转印模板3之间的吸附力大于量子点层2与基板1的吸附力，而在背景技术部分我们已经提到，现有技术中的转印法进行图案化需要进行两次转移，显然本实施例的技术方案相对于现有技术减少了转移次数，这有利于降低对与量子点层2相接触的材料的要求，及对转移过程的工艺条件的要求，从而降低了量子点层2高分辨率图案化的操作难度，为量子点发光二极管显示装置的量产提供了技术支撑。
另外，现有技术中的转印法需要两次对位：第一次对位是将转印模板与承载量子点层的载体进行对位；第二次对位是将转印模板与需要制备子像素的基板进行对位。两次对位一方面造成操作步骤繁琐，生产周期延长，另一方面由于对位精度的高低直接影响产品良率，因此多次对位会对产品良率产生不利影响。与此相比，采用本实施例中的技术方案，仅需要依次对位：转印模板3与基板1对位，减少了对位次数，对位次数减少能够简化操作步骤，缩短生产周期，并且减少对位精度对产品良率的不利影响，提高产品良率。
需要说明的是，通过上述量子点层图案化的工艺流程，能够在基板1上形成某种目标颜色的子像素，重复上述工艺流程，且每次重复使用能够发出目标颜色光的配体修饰的量子点材料，可依次形成所需要的其余颜色的子像素。
基于本实施例所提供的量子点层图案化方法，本实施例还提供了一种显示装置的制作方法，该制作方法包括：采用如本实施例所提供的量子点层图案化方法，在基板上制作子像素。该制作方法适用于量子点发光二极管显示器中子像素的制作，能够实现量子点层的高分辨率图案化，并且操作简单、易实现，从而可推动量子点发光二极管显示装置的量产进程。当然，该制作方法还可应用于其他任何需要对量子点层进行图案化的场景，比如普通显示装置中量子点彩膜层的制作。
本实施例中以量子点发光二极管显示器的制作为例进行说明。
比如，对于RGB三基色的量子点发光二极管显示装置，如图8所示，可使用能够发红色光的配体修饰的量子点材料，采用本实施例所提供的量子点层图案化方法的工艺流程，在基板1上形成红色子像素；如图9所示，然后使用能够发绿色光的配体修饰的量子点材料，再重复一遍上述工艺流程，在基板1上形成绿色子像素；如图10所示，最后使用能够发蓝色光的配体修饰的量子点材料，再重复一遍上述工艺流程，在基板1上形成蓝色子像素。
需要说明的是，在制作某种颜色(下面称X颜色)的子像素的最后，可对X颜色的子像素(即X颜色的量子点层的保留部分)进行紫外光照和/或加热，使其交联，交联后X颜色的子像素能够非常牢固的固定在基板上，并且X颜色的子像素自身的结构也会非常牢固。这样在制作完X颜色的子像素后，制作另一种颜色(下面称Y颜色)的子像素时，可直接将能够发Y颜色光的配体修饰的量子点材料涂覆在X颜色的子像素背向基板的一侧形成Y颜色的量子点层，由于X颜色的子像素非常牢固的固定在基板上，且X颜色的子像素自身的结构也非常牢固，因此使用转印模板移除能够发Y颜色光的量子点层的待移除部分(该待移除部分有一部分覆盖在X颜色的子像素)的过程中，不会造成X颜色的子像素从基板剥落，也不会损伤X颜色的子像素。
并且，直接将能够发Y颜色光的配体修饰的量子点材料涂覆在X颜色的子像素背向基板的一侧形成能够发Y颜色光的量子点层，能够发Y颜色光的量子点层可能会在X颜色的子像素的边缘形成台阶，为避免后续步骤中移除能够发Y颜色光的量子点层的待移除部分时，台阶处残留能够发Y颜色光的配体修饰的量子点材料，在移除过程中可选用质地柔软的转印模板，如：PDMS转印模板。当移除能够发Y颜色光的量子点层的待移除部分时，由于转印模板的质地柔软，因此当转印模板压在能够发Y颜色光的量子点层上时，其凸起部能够比较服帖的与能够发Y颜色光的量子点层的待移除部分(包括台阶处)接触，从而转印模板的凸起部能够与台阶处的能够发Y颜色光的量子点层紧密结合，将台阶处的能够发Y颜色光的量子点层移除干净。进一步的，为了进一步减少台阶处能够发Y颜色光的配体修饰的量子点材料残留，可在转印模板压在能够发Y颜色光的量子点层上时，对转印模板的凸起部所在的区域，特别是转印模板的凸起部对应台阶处的位置，施加压力，使转印模板的凸起部能够与台阶处的能够发Y颜色光的量子点层结合地更加紧密。
对于常规的发光二极管显示装置(包括量子点发光二极管显示装置)，在采用蒸镀法或打印法制作子像素之前，需要制作像素界定层(Pixel Defining Layer，简称PDL)，以使后续制作的各子像素之间相互隔绝。与此相比，在本实施例所提供的量子点发光二极管显示装置的制作方法中，由于本实施例中采用上述量子点层图案化方法制作子像素，这种量子点层图案化方法的可控性强、精准度高，因此各子像素形成后自然就是相互隔开的，从而无需在制作子像素之前制作像素界定层，也就省去了像素界定层及其制作步骤，有利于简化产品膜层结构和工艺步骤。
在本实施例所提供的量子点发光二极管显示装置的制作方法中，在制作各种颜色的子像素的步骤之前，还可包括：在基板1上依次制作第一电极、第一载流子注入层和第一载流子传输层。同时，在制作各种颜色的子像素的步骤之后，还可包括：在各种颜色的子像素背向基板1的一侧依次制作第二载流子传输层、第二载流子注入层和第二电极。从而相对应层叠的第一电极、第一载流子注入层、第一载流子传输层、子像素、第二载流子传输层、第二载流子注入层和第二电极构成量子点发光二极管，当第一电极和第二电极上各自被施加电压，产生电压差时，子像素中的量子点能够发出相应颜色的光。
作为一种可能的实现方式，第一电极可为阳极，第一载流子注入层为空穴注入层，第一载流子传输层空穴传输层；第二电极为阴极，第二载流子注入层为电子注入层，第二载流子传输层电子传输层。
另外，在基板1上制作第一电极之前，还可包括在基板1上制作薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，简称TFT)阵列的步骤。在显示装置中，各量子点发光二极管的第一电极均对应有薄膜晶体管，可将第一电极与对应的薄膜晶体管相连，以实现对相应量子点发光二极管的驱动控制。
基于本实施例所提供的量子点层图案化方法，本实施例还提供了一种配体修饰的量子点材料，该配体修饰的量子点材料包括：量子点，及包覆量子点的配体材料。其中，配体材料中具有第一基团，第一基团能够与其它基团形成化学键相连，以使得配体修饰的量子点材料所制成的量子点层能够与具有相匹配基团的转印模板实现化学键相连。需要说明的是，此处所说的“相匹配”是指两种基团能够实现化学键相连。
其中，配体材料中所具有的第一基团可包括巯基、具有双键的基团、具有三键的基团、氨基等中的至少一种。
上述配体修饰的量子点材料的制备过程可参见上面量子点层图案化方法中制备配体修饰的量子点材料的步骤的相关描述，此处不再重复。
基于本实施例所提供的量子点层图案化方法，本实施例还提供了一种转印模板，该转印模板包括：转印模板本体，该转印模板本体具有多个凸起部；分散于多个凸起部中的第二基团。其中，第二基团能够与其它基团形成化学键相连，以使得转印模板的多个凸起部能够与具有相匹配基团的量子点层实现化学键相连。需要说明的是，此处所说的“相匹配”是指两种基团能够实现化学键相连。
其中，第二基团可包括具有双键的基团、具有三键的基团、氨基、巯基等中的至少一种。在使用本实施例中的转印模板对量子点层进行图案化时，转印模板中的第二基团与对量子点层中的第一基团应对应设置，具体可参见上面量子点层图案化方法中对第一基团和第二基团的组合的相关描述，此处不再重复。
以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种量子点层图案化方法，其特征在于，所述量子点层图案化方法包括：
在基板上制作量子点层，所述量子点层包括保留部分和待移除部分；
在所述量子点层上压上具有多个凸起部的转印模板，使所述待移除部分与所述多个凸起部相结合；
移除所述转印模板，使所述待移除部分随所述转印模板移除，所述保留部分保留在所述基板上；
其中，所述量子点层采用以配体修饰的量子点材料直接地形成于所述基板上，且所述量子点层的所述保留部分始终保持于所述基板上。
2.根据权利要求1所述的量子点层图案化方法，其特征在于，所述待移除部分与所述多个凸起部通过化学键相连。
3.根据权利要求2所述的量子点层图案化方法，其特征在于，所述量子点层中具有第一基团，所述多个凸起部中具有第二基团，所述第一基团与所述第二基团之间能够通过化学键相连；
所述使所述待移除部分与所述多个凸起部相结合，包括：对所述待移除部分与所述多个凸起部进行紫外光照射和/或加热，使所述待移除部分中的第一基团与所述多个凸起部中的第二基团通过化学键相连。
4.根据权利要求3所述的量子点层图案化方法，其特征在于，所述第一基团包括巯基、氨基、具有双键的基团和具有三键的基团中的至少一种，所述第二基团包括巯基、氨基、具有双键的基团和具有三键的基团中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的量子点层图案化方法，其特征在于，所述在基板上制作量子点层之前，还包括制备配体修饰的量子点材料的步骤，该步骤包括：制备具有所述第一基团的配体材料，然后采用量子点和所述配体材料，制备配体修饰的量子点材料；
所述在基板上制作量子点层包括：采用所述配体修饰的量子点材料，制作所述量子点层。
6.根据权利要求3所述的量子点层图案化方法，其特征在于，所述在所述量子点层上压上具有多个凸起部的转印模板之前，还包括制作所述转印模板的步骤；
该步骤包括：制备具有所述第二基团的转印模板材料，采用具有所述第二基团的转印模板材料制作所述转印模板，所述转印模板具有所述多个凸起部，所述凸起部中具有所述第二基团；或者，
该步骤包括：制作转印模板本体，所述转印模板本体具有所述多个凸起部，将所述转印模板本体浸泡在具有所述第二基团的溶液中，使所述多个凸起部中具有所述第二基团；或者，
该步骤包括：制作转印模板本体，所述转印模板本体具有所述多个凸起部，将所述转印模板本体与具有所述第二基团的材料进行表面化学反应，使所述多个凸起部中具有所述第二基团。
7.根据权利要求3所述的量子点层图案化方法，其特征在于，对所述待移除部分与所述多个凸起部仅进行紫外光照射，所采用的光强度为50mJ/cm2～200mJ/cm2；或者，
对所述待移除部分与所述多个凸起部仅进行加热，所采用的温度为80℃～120℃。
8.根据权利要求1～7任一项所述的量子点层图案化方法，其特征在于，所述在所述量子点层上压上具有多个凸起部的转印模板，包括：将所述转印模板与所述量子点层进行对位，使所述转印模板的多个凸起部与所述待移除部分的位置相对应，然后将所述转印模板压在所述量子点层上。
9.根据权利要求1～7任一项所述的量子点层图案化方法，其特征在于，所述移除所述转印模板之后，还包括：对所述保留部分进行紫外光照射和/或加热，使所述保留部分中的配体修饰的量子点材料交联。
10.根据权利要求9所述的量子点层图案化方法，其特征在于，对所述保留部分仅进行紫外光照射，所采用的光强度为50mJ/cm2～200mJ/cm2；或者，
对所述保留部分仅进行加热，所采用的温度为80℃～120℃。
11.一种显示装置的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：采用如权利要求1～10任一项所述的量子点层图案化方法，在基板上制作子像素。
12.一种配体修饰的量子点材料，其特征在于，所述配体修饰的量子点材料为权利要求1～10任一项所述的量子点层图案化方法中形成所述量子点层所使用的配体修饰的量子点材料，所述配体修饰的量子点材料包括：量子点，及包覆所述量子点的配体材料，所述配体材料中具有第一基团，所述第一基团能够与其它基团通过化学键相连；以使得所述配体修饰的量子点材料所制成的量子点层能够与具有相匹配基团的转印模板实现化学键相连。
13.根据权利要求12所述的配体修饰的量子点材料，其特征在于，所述第一基团包括巯基、氨基、具有双键的基团和具有三键的基团中的至少一种。
14.一种转印模板，其特征在于，所述转印模板为权利要求1～10任一项所述的量子点层图案化方法中所使用的转印模板，所述转印模板包括：转印模板本体，所述转印模板本体具有多个凸起部；分散于所述多个凸起部中的第二基团，所述第二基团能够与其它基团通过化学键相连；以使得所述转印模板的所述多个凸起部能够与具有相匹配基团的量子点层实现化学键相连。
15.根据权利要求14所述的转印模板，其特征在于，所述第二基团包括巯基、氨基、具有双键的基团和具有三键的基团中的至少一种。
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