CN112420942A - 掩膜板、有机显示器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种掩膜板、有机显示器件及其制备方法。所述有机显示器件中包括基板和电极层。所述电极层设于所述基板上，其具有第一电极区和围绕所述第一电极区的第二电极区，所述第二电极区的厚度小于所述第一电极区的厚度。

Description

掩膜板、有机显示器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示器件领域，特别是一种掩膜板、有机显示器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)，因其高亮度、自发光、响应快以及低驱动电压等优点，已成为显示领域的新兴技术，但由于真空热蒸发制备成本高，限制了它的大范围商业化。喷墨打印具有材料利用率高等优点，是解决大尺寸OLED显示成本问题的关键技术，此方法是利用多个喷嘴将功能材料墨水滴入预定的像素区域，之后通过干燥获得所需薄膜。

有机功能层的厚度及形貌对OLED发光特性至关重要。随着用户对分辨率的要求越来越高，而顶发射结构的OLED会受到开口率的限制，难以实现较高的分辨率。越来越多的厂家将精力转向顶发射OLED的开发，以期望实现更高的分辨率。顶发射利用微腔结构改善出光光色和效率，对薄膜形状要求会更高。在溶液加工过程中，由于毛细流动会导致薄膜呈现咖啡环效应。打印工艺制作的薄膜形状呈现出像素开口四周厚中间偏薄的现象(如图1所示)。对于顶发射器件微腔效应，不同厚度产生的出光光谱不同，最终薄膜厚度不均会导致光谱加宽，效率偏低。

发明内容

本发明的目的是提供一种掩膜板、有机显示器件及其制备方法，以解决现有技术中顶发射OLED由于薄膜厚度不均而导致光谱加宽、发光效率低等问题。

为实现上述目的，本发明提供一种掩膜板，所述掩膜板中包括板体以及设于所述板体上的若干透光区，每一透光区包括第一区域以及围绕所述第一区域的第二区域，所述第二区域的透光率小于所述第一区域的透光率。

进一步地，所述第二区域的透光率为所述第一区域的30％-40％。

进一步地，所述透光区成阵列排布，所述透光区为环形、圆形、多边形中的至少一种。

本发明中还提供一种有机显示器件，所述有机显示器件中包括基板和电极层。所述电极层设于所述基板上，其具有第一电极区和围绕所述第一电极区的第二电极区，所述第二电极区的厚度小于所述第一电极区的厚度。

进一步地，所述电极层为阳极。

进一步地，所述第一电极区的厚度小于或等于60纳米。

进一步地，所述第二电极区的厚度为15-100纳米。

进一步地，所述第一电极区的宽度小于或等于10纳米。

进一步地，所述第一电极层的材料为金属氧化物。

本发明还提供一种有机显示器件的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基板：在所述基板上形成电极层，并在所述电极层上形成光刻胶层；提供如上所述的掩膜板，并将该掩膜板放置于所述光刻胶层的上方；对所述光刻胶层进行曝光显影以及蚀刻，在对应掩膜板的第一区域形成第一电极区，在对应所述掩膜板的第二区域形成第二电极区，所述第二电极区的厚度小于所述第一电极区的厚度。

进一步地，在对所述光刻胶层进行曝光显影步骤中包括去除对应所述掩膜板的非透光区域中的所述光刻胶层以及去除对应所述掩膜板的第二区域中的部分厚度的所述光刻胶层。

本发明的优点是：本发明的一种有机显示器件，通过将电极层的四周与中间形成厚度差，将有机显示器件的中间凹陷部位垫高，使有机显示器件的中间与四周厚度相同，从而解决现有技术中会出现的咖啡环效应，进而提高有机显示器件的发光效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中有机显示器件的层状结构示意图；

图2为本发明实施例中有机显示器件的层状结构示意图；

图3为本发明实施例中的第一电极层的区域分布示意图；

图4为本发明实施例中步骤S20中的层状结构示意图；

图5为本发明实施例中步骤S20中的层状结构示意图；

图6为本发明实施例中第一电极层的结构示意图；

图7为本发明实施例中掩膜板透光区的分布示意图。

图中部件表示如下：

有机显示器件1；

基板10；电极层20；

第一电极层21；第一电极区211；

第二电极区212；第二电极层22；

发光层30；有机功能层40；

空穴注入层41；空穴传输层42；

电子注入层43；电子传输层44；

光刻胶层2；掩膜板3；

板体31；透光区32

第一区域321；第二区域322。

具体实施方式

以下参考说明书附图介绍本发明的优选实施例，证明本发明可以实施，所述发明实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本发明，使其技术内容更加清楚和便于理解。本发明可以通过许多不同形式的发明实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。

如图2所示，所述有机显示器件1其具有基板10、电极层20、发光层30以及有机功能层40。

所述电极层20包括一第一电极层21和一第二电极层22。所述第一电极层21设于所述基板10的一表面上，所述第二电极层22设于所述第一电极层21远离所述基板10的一侧。在本发明实施例中，所述有机显示器件1为顶发射有机电极发光二极管，故其设于所述基板10上的第一电极层21为阳极，所述第二电极层22即为阴极。

如图3所示，所述第一电极层21中具有一第一电极区211和一第二电极区212，所述第二电极区212围绕所述第一电极区211。如图2所示，所述第一电极区211和所述第二电极区212之间具有一和厚度差，所述第二电极区212的厚度小于所示第一电极区211的厚度。其中，所述第一电极区211的厚度为15-100纳米。所述第二电极区212的厚度为5-60纳米，其宽度为1-10纳米。

如图2所示，所述发光层30设于所述第一电极层21和所述第二电极层22之间，在所述发光与所述第一电极层21和所述发光层30与所述第二电极层22之间都具有多层有机功能层40。所述有机功能层40包括空穴注入层41、空穴传输层42、电子注入层43以及电子传输层44。

所述空穴注入层41和所述空穴传输层42叠层设于所述发光层30和所述第一电极层21之间。其中，所述空穴注入层41与所述第一电极层21连接，所述空穴传输层42与所述发光层30连接。所述空穴注入层41用于将第一电极层21中的空穴注入至所述空穴传输层42内。所述空穴传输层42用于将注入的空穴迁移至发光层30内。

所述电子注入层43和所述电子传输层44叠层设于所述发光层30和所述第二电极层22之间。其中，所述电子注入层43与所述第二电极层22连接，所述电子传输层44与所述发光层30连接。所述电子注入层43用于将第二电极层22中的电子注入至所述电子传输层44内。所述电子传输层44用于将注入的电子迁移至发光层30内。

当所述有机显示器件1通电后，所述第一电极层21中的空穴和所述第二电极层22中的电子在电流和电压的作用下发生迁移，并在发光层30内相遇结合产生激子，激子在电场作用下将能量传递给发光层30中的有机发光分子，并激发有机分子中的电子从基态跃迁到激发态，从而将电能转换为光能，实现电致发光。

在本发明的其他实施例中，所述有机显示器件1还具有电子阻挡层和空穴阻挡层。所述电子阻挡层设于所述发光层30与所述空穴传输层42之间，其用防止所述发光层30中的电子进入所述空穴传输层42内。所述空穴阻挡层设于所述发光层30与所述电子传输层44之间，其用于防止所述发光层30内的空穴进入所述电子传输层44内。

本发明实施例中还提供一种有机显示器件1的制备方法，其包括以下制备方法：

步骤S10)提供一基板10。

步骤S20)形成第一电极层21：在所述基板10的一表面上沉积一层金属氧化物，所述金属氧化物可以为氧化铟锌或氧化铟锡，形成所述第一电极层21。在所述第一电极层21上涂抹一层光刻胶，形成光刻胶层2。如图4所示，将掩膜板3移动至所述光刻胶层2上方，然后对所述光刻胶层2进行曝光显影，去除对应所述掩膜板3的非透光区域中的光刻胶层2和对应所述掩膜板3的第二区域322中的部分厚度的光刻胶层2，形成如图5所示的四周厚度低、中间厚度高的结构。最后将光刻胶层2作为掩膜，蚀刻所述第一电极层21，如图6所示，在对应掩膜板3的第一区域321形成厚度高的第一电极区211，在对应所述掩膜板3的第二区域322形成厚度低的第二电极区212。

其中，如图7所示，所述掩膜板3的遮光板体31上具有若干透光区32，所述透光区32阵列排布在所述板体31上，其为环形、圆形、多边形中一种。每一透光区32都包括一第一区域321和一第二区域322，所述第二区域322围绕所述第一区域321。所述第一区域321与所述第一电极层21中的第一电极区211相对应，所述第二区域322与所述第二电极区212相对应。所述第二区域322的透光率为第一区域321的30％-40％，从而产生曝光强度上的差异，被曝光强度高的第一区域321所曝光的光刻胶层2不易被去除，而被曝光强度弱的第二区域322所曝光的光刻胶层2会有部分被去除，进而产生四周厚度小于中间厚度的光刻胶层2。

步骤S30)在所述第一电极层21上通过喷墨打印或其他溶液制程依次形成空穴注入层41、空穴传输层42、发光层30、电子传输层44以及电子注入层43。

步骤S40)在所述电子注入层43远离所述电子传输层44的一表面上形成第二电极层22，最终形成如图2所示的有机显示器件1。

在OLED显示器件的制备过程中通常会使用喷墨打印等溶液加工方式制备发光层和有机功能层，在加工的过程中由于毛细流动会导致所制备的薄膜呈现出四周厚中间偏薄的凹陷现象，影响有机显示器件1的发光效率。而本发明实施例中所提供的有机显示器件1中，其第一电极层21中位于中间位置的第一电极区211高于位于其四周的第二电极区212，从而可以将有机显示器件1的凹陷部位垫高，使有机显示器件1的中间与四周厚度相同，防止出现咖啡环效应，提高有机显示器件1的发光效率。

虽然在本文中参照了特定的实施方式来描述本发明，但是应该理解的是，这些实施例仅仅是本发明的原理和应用的示例。因此应该理解的是，可以对示例性的实施例进行许多修改，并且可以设计出其他的布置，只要不偏离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围。应该理解的是，可以通过不同于原始权利要求所描述的方式来结合不同的从属权利要求和本文中所述的特征。还可以理解的是，结合单独实施例所描述的特征可以使用在其他所述实施例中。

Claims (10)

1.一种掩膜板，其特征在于，包括：板体以及设于所述板体上的若干透光区，每一透光区包括第一区域以及围绕所述第一区域的第二区域，所述第二区域的透光率小于所述第一区域的透光率。

2.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第二区域的透光率为所述第一区域的30％-40％。

3.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述透光区成阵列排布，所述透光区为环形、圆形、多边形中的至少一种。

4.一种有机显示器件，其特征在于，包括：

基板；

电极层，其具有第一电极区和围绕所述第一电极区的第二电极区，所述第二电极区的厚度小于所述第一电极区的厚度。

5.如权利要求4所述的有机显示器件，其特征在于，所述电极层为阳极，所述第一电极层的材料为金属氧化物。

6.如权利要求4所述的有机显示器件，其特征在于，所述第一电极区的厚度小于或等于60纳米。

7.如权利要求4所述的有机显示器件，其特征在于，所述第二电极区的厚度为15-100纳米。

8.如权利要求4所述的有机显示器件，其特征在于，所述第一电极区的宽度小于或等于10纳米。

9.一种有机显示器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板：

在所述基板上形成电极层，并在所述电极层上形成光刻胶层；

提供如权利要求1至3中任意一项所述的掩膜板，并将该掩膜板放置于所述光刻胶层的上方；

对所述光刻胶层进行曝光显影以及蚀刻，在对应掩膜板的第一区域形成第一电极区，在对应所述掩膜板的第二区域形成第二电极区，所述第二电极区的厚度小于所述第一电极区的厚度。

10.如权利要求9所述的有机显示器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在对所述光刻胶层进行曝光显影步骤中，包括去除对应所述掩膜板的非透光区域中的所述光刻胶层以及去除对应所述掩膜板的第二区域中的部分厚度的所述光刻胶层。

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