CN112310330A - 一种量子点材料、量子点发光器件、显示装置及制作方法 - Google Patents

一种量子点材料、量子点发光器件、显示装置及制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种量子点材料、量子点发光器件、显示装置及制作方法，以改善现有技术中量子点图案化受限，量子点发光器件分辨率低的问题。所述量子点材料，包括：量子点本体，阴离子型配体，以及连接所述量子点本体和所述阴离子型配体的连接基团，其中，所述阴离子型配体被配置为与环状分子通过静电力进行结合。

Description

一种量子点材料、量子点发光器件、显示装置及制作方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种量子点材料、量子点发光器件、显示装置及制作方法。
背景技术
量子点(QD)作为新型的发光材料，具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，成为目前新型LED发光材料的研究热点。因此，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)成为了目前新型显示器件研究的主要方向。
主动式电致量子点发光显示(AMQLED)由于其在宽色域、高寿命等方面的潜在优势也得到了越来越广泛的关注，其研究日益深入，量子效率不断提升，基本达到产业化的水平，进一步采用新的工艺和技术来实现其产业化已成为未来的趋势。
量产中，QD的图形化主要是喷墨打印工艺，但是受到设备限制，其分辨率受限在200ppi以下，因此需要更高分辨率的图形化方法。
发明内容
本发明提供一种量子点材料、量子点发光器件、显示装置及制作方法，以改善现有技术中量子点图案化受限，量子点发光器件分辨率低的问题。
本发明实施例提供一种量子点材料，包括：量子点本体，阴离子型配体，以及连接所述量子点本体和所述阴离子型配体的连接基团，其中，所述阴离子型配体被配置为与环状分子通过静电力进行结合。
在一种可能的实施方式中，所述环状分子包括氢原子，所述阴离子型配体具体被配置为与所述氢原子通过静电力进行结合。
在一种可能的实施方式中，所述量子点材料还包括与所述阴离子型配体匹配的阳离子型配体，所述阳离子型配体被配置为对所述阴离子型配体的电荷进行平衡。
在一种可能的实施方式中，所述阳离子型配体包括以下之一或组合：
Figure BDA0002753298590000021
NH4 +；
Na+。
在一种可能的实施方式中，所述阴离子型配体为以下之一：
Figure BDA0002753298590000031
ClO4 -；
Cl-；
PF6 -；
BF3 -。
在一种可能的实施方式中，所述连接基团包括以下之一或组合：
-SH-；
-COOH-；
-NH2-。
本发明实施例还提供一种量子点发光器件，包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧的功能层，位于所述功能层的背离所述衬底基板一侧的量子点膜层，以及位于所述功能层与所述量子点膜层之间的连接层；其中，所述量子点膜层包括图案区域；
所述图案化区域的所述量子膜点层包括如本发明实施例提供的所述的量子点材料；
所述连接层在与所述图案化区域对应的区域包括：环状分子，与所述环状分子连接的第一结构，以及连接所述第一结构与所述功能层的连接结构；其中，所述环状分子与所述阴离子型配体通过静电力进行结合，所述第一结构被配置为在预设条件使所述环状分子与所述连接结构连接或脱离。
在一种可能的实施方式中，所述环状分子具有氢原子，所述环状分子通过所述氢原子与所述阴离子配体通过静电力结合。
在一种可能的实施方式中，所述第一结构为光降解基团，所述光降解基团被配置为经紫外光照射时使所述环状分子与所述连接结构脱离。
在一种可能的实施方式中，所述光降解基团包括：羰基或环氧基。
在一种可能的实施方式中，所述第一结构包括由第一光固化基团和第二光固化基团经紫外光照发生相互交联后的结构，其中，所述第一光固化基团连接于所述环状分子，所述第二光固化基团连接于所述连接结构。
在一种可能的实施方式中，所述第一光固化基团和所述第二光固化基团相同。
在一种可能的实施方式中，所述第一光固化基团包括以下之一或组合：
烯基；
炔基；
氰基。
在一种可能的实施方式中，所述环状分子包括由n个重复单元依次连接组成的环状分子结构，其中，4≤n≤10。
在一种可能的实施方式中，所述环状分子包括：苯乙烯的聚合物或苯乙烯衍生物的聚合物。
在一种可能的实施方式中，所述环状分子的结构为
Figure BDA0002753298590000051
其中，4≤n≤10。
在一种可能的实施方式中，所述环状分子为以下结构：
Figure BDA0002753298590000052
在一种可能的实施方式中，所述连接结构包括：硅烷基链、或者硅氧烷基链。
在一种可能的实施方式中，所述连接结构还包括由与硅原子连接的以下基团之一或组合经与所述功能层结合形成的结构：
-Cl；
-OCH3；
-OH。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括如本发明实施例提供的所述量子点发光器件。
本发明实施例还提供一种如本发明实施例提供的所述量子点发光器件的制作方法，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成功能层；
在所述功能层的背离所述衬底基板的一侧形成连接层，其中，所述连接层包括：具有环状分子，与所述环状分子连接的第一结构，以及连接所述第一结构与所述功能层的连接结构；
在所述连接层背离所述功能层的一侧形成量子点薄膜，其中，所述量子点薄膜包括：量子点本体，阴离子型配体，以及连接所述量子点本体与所述阴离子型配体的连接基团；
通过预设条件对所述量子点薄膜以及所述连接层处理，形成图案化的所述量子点膜层。
在一种可能的实施方式中，所述第一结构包括由第一光固化基团和第二光固化基团经紫外光照发生相互交联后的结构，所述第一光固化基团连接于所述环状分子，所述第二光固化基团连接于所述连接结构；所述通过预设条件对所述量子点薄膜以及所述连接层处理，以形成图案化的所述量子点薄膜，包括：
对去除所述量子点薄膜的区域进行遮住，通过紫外光照射，以使被照射区域的所述第一光固化基团与所述第二光固化基团交联，所述量子点薄膜被保留。
在一种可能的实施方式中，所在所述功能层的背离所述衬底基板的一侧形成连接层，包括：
所述功能层的背离所述衬底基板的一侧形成第一子连接层，其中，所述第一子连接层包括连接结构，以及与所述连接结构连接的所述第二光固化基团；
在所述第一子连接层的背离所述功能层的一侧形成第二子连接层，其中，所述第二子连接层包括所述环状分子，以及与所述环状分子连接的第一光固化基团。
在一种可能的实施方式中，在通过预设条件对所述量子点薄膜以及所述连接层处理，形成图案化的所述量子点膜层之后，所述制作方法还包括：
复用当前被遮挡区域未被去除的所述第一子连接层作为制作下一种出光颜色量子点薄膜的所述第一子连接层。
在一种可能的实施方式中，所述第一结构为光降解基团；所述通过预设条件对所述量子点薄膜以及所述连接层处理，以形成图案化的所述量子点薄膜，包括：
对保留所述量子点薄膜的区域进行遮挡，并通过紫外光照射，以使被照射区域的所述光降解基团分解，所述环状分子与所述连接结构脱离，所述量子点薄膜被去除。
在一种可能的实施方式中，所述所在所述功能层的背离所述衬底基板的一侧形成连接层，包括：
所述功能层的背离所述衬底基板的一侧形成包括有所述环状分子、与所述光降解基团、所述连接结构的所述连接层。
本发明实施例有益效果如下：本发明实施例中，通过在功能层的背离衬底基板的一侧形成连接层，连接层包括：环状分子，与环状分子连接的第一结构，以及连接第一结构与功能层的连接结构，其中，环状分子可以与量子点材料的阴离子型配体通过静电力结合，而第一结构在预设条件可以使环状分子与连接结构连接或脱离，可以实现根据需要使部分区域的量子点材料被去除，而部分区域的量子点材料保留，实现量子点图案化，避免采用喷墨打印时，量子点图案化工艺受限，量子点发光器件的分辨率较低的问题。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种量子点材料的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种量子点材料的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种具体的量子点材料的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种具体的量子点材料的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种量子点发光器件的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的连接层包括的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种量子点发光器件的制作示意图；
图8为本发明实施例提供的另一种量子点发光器件的制作示意图；
图9为本发明实施例提供的一种量子点发光器件的制作流程示意图。
具体实施方式
为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。
参见图1，本发明实施例提供一种量子点材料，包括：量子点本体QD，阴离子型配体W-，以及连接量子点本体QD和阴离子型配体W-的连接基团X，其中，阴离子型配体W-被配置为与环状分子P(如图6所示)通过静电力进行结合。具体的，环状分子P内含有氢原子，阴离子型配体W-可以通过与环状分子P内的氢原子通过静电力进行结合。
本发明实施例中，阴离子型配体W-带负电，而环状分子P，如图6所示，其分子骨架上的一些氢原子集中分布在环内，氢原子贡献的电子更偏向于环状分子P中的碳原子，处于少电子状态，因此环内的区域是一个缺电子的空间，这个区域可以捕捉一些富电子的化合物或者阴离子，与他们通过静电力(库伦相互作用)产生紧密的结合力，可以与阴离子型配体W-进行结合，进而在通过该量子点材料形成量子点发光器件的量子点膜层图案时，通过先形成连接层，并使连接层包括具有氢原子的环状分子，与环状分子连接的第一结构，以及连接第一结构与衬底基板功能层的连接结构，因环状分子的氢原子与量子点材料的阴离子型配体结合，而通过第一结构在预设条件的连接或脱离，可以实现根据需要使部分区域的量子点材料被去除，而部分区域的量子点材料保留，实现量子点图案化，避免采用喷墨打印时，量子点图案化工艺受限，量子点发光器件的分辨率较低的问题。
在具体实施时，参见图2所示，量子点材料还包括与阴离子型配体W-匹配的阳离子型配体V+，阳离子型配体V+被配置为对阴离子型配体W-的电荷进行平衡。具体的，阳离子型配体V+包括以下之一或组合：
Figure BDA0002753298590000091
NH4 +；
Na+。
在具体实施时，阴离子型配体W-为以下之一：
Figure BDA0002753298590000101
ClO4 -；
Cl-；
PF6 -；
BF3 -。
在具体实施时，连接基团X包括以下之一或组合：
-SH-；
-COOH-；
-NH2-。
为了更清楚地理解本发明实施提供的量子点发光材料，以下进行详细说明：
本发明实施例中的量子点材料，采用含有离子型配合物的配体，配体结构如图3和图4所示，其两端含有-X，-YZ两种基团，其中X作为连接基团，可以是一些如-SH-，-COOH-，-NH2-等可以与量子点结合的基团，Y则是含有阴(或阳)离子型配合物的基团，Z为Y的平衡离子，主要起到电荷平衡作用。阴(或阳)离子型配合物，具体可以为有机金属配合物，其中，配合物部分可以是稀土金属(如Ir、La、Nd、Eu等)以及其它金属(如Cu、In、Pb、Pt等)的有机配合物，有机配合物可以是：邻菲咯啉、2-苯基吡啶、苯基恶二唑吡啶、氟代苯基吡啶、联吡啶等及其衍生物，与金属进行结合，形成阳离子型的配合物(Y+)，例如，
Figure BDA0002753298590000111
有机配合物也可以是四(五氟苯基)硼酸、四[(三氟甲基)苯基]硼酸、四[双(三氟甲基)苯基]硼酸、六(五氟苯基)磷酸、六[(三氟甲基)苯基]磷酸、六[双(三氟甲基)苯基]磷酸等及其衍生物，与金属进行结合，形成阴离子型的配合物(Y-)，例如，
Figure BDA0002753298590000112
如选用阳离子型配合物Y+，其平衡阴离子Z可以选用大位阻的阴离子型配合物，也可以选用ClO4 -、Cl-、PF6 -、BF3 -等小分子，此时，Z-可以作为与环状分子中质子结合的阴离子型配体W-，Y+作为阳离子型配体V+；如选用阴离子型配合物Y-，其平衡阳离子Z可以选用大位阻的阳离子型配合物，也可以选用NH4 +、Na+等小分子，此时Y-可以与环状分子中质子结合的阴离子型配体W-，Z+作为阳离子型配体V+。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种量子点发光器件，参见图5和图6所示，其中，图6为连接层3包括结构的一种放大结构示意图，包括：衬底基板1，位于衬底基板1一侧的功能层2，位于功能层2的背离衬底基板1一侧的量子点膜层4，以及位于功能层2与量子点膜层4之间的连接层3；其中，量子点膜层4包括图案区域41和去除区域42；
图案化区域41的量子膜点层4包括如本发明实施提供的量子点材料，即，量子点材料包括：量子点本体QD，阴离子型配体W-，以及连接量子点本体QD和阴离子型配体W-的连接基团X，其中，阴离子型配体W-被配置为与环状分子内的氢原子进行结合；
连接层3在与图案化区域41对应的区域包括：环状分子P，与环状分子P连接的第一结构M，以及连接第一结构M与功能层2的连接结构Q；其中，环状分子P与阴离子型配体W-通过静电力进行结合，第一结构M被配置为在预设条件使环状分子P与连接结构Q连接或脱离。具体的，环状分子P具有氢原子，环状分子P通过氢原子与阴离子型配体W-通过静电力进行结合。
本发明实施例中，通过在功能层的背离衬底基板的一侧形成连接层3，连接层3包括：具有氢原子的环状分子P，与环状分子P连接的第一结构M，以及连接第一结构M与功能层2的连接结构Q，其中，环状分子P中的质子可以与量子点材料的阴离子型配体W-结合，而第一结构M在预设条件可以使环状分子P与连接结构Q连接或脱离，可以实现根据需要使部分区域的量子点材料被去除，而部分区域的量子点材料保留，实现量子点图案化，避免采用喷墨打印时，量子点图案化工艺受限，量子点发光器件的分辨率较低的问题。
在具体实施时，功能层2与衬底基板1之间还可以设置有第一电极层(图中未示出)，量子点膜层4的背离连接层3的一侧还可以设置有第二电极层。具体的，第一电极层可以为阴极，第二电极层可以为阳极。功能层2具体可以为电子传输层，电子传输层的材料具体可以为氧化锌。氧化锌的表面具体可以含有-OH、-O等基团。去除区域42具体可以为在一种出光颜色的量子点薄膜图案化过程中，当前出光颜色的量子点薄膜需要被去除的区域，该去除区域42可以用于制作下一种出光颜色的量子点图案。
在具体实施时，结合图7所示，第一结构M为光降解基团，光降解基团被配置为经紫外光照射时使环状分子P与连接结构Q脱离。具体的，光降解基团包括：羰基或环氧基。本发明实施例中，第一结构M为光降解基团，进而在对量子点薄膜进行图案化时，对于需要保留量子点薄膜的区域(如图7中案区域41)，可以通过掩膜板进行遮挡，而对于需要去除量子点薄膜的区域(如图7中去除区域42)，可以使其暴露在紫外光照射下，经过紫外光照射后，需要保留量子点薄膜的区域(如图7中案区域41)，第一结构M未发生断键，量子点薄膜被保留，而需要去除量子点薄膜的区域(如图7中去除区域42)，第一结构M发生断键，量子点薄膜被去除，进而可以实现量子点薄膜的图案化。
在具体实施时，参见图8所示，第一结构M包括由第一光固化基团M1和第二光固化基团M2经紫外光照发生相互交联后的结构，其中，第一光固化基团M1连接于环状分子P，第二光固化基团M 2连接于连接结构Q。具体的，第一光固化基团M1和第二光固化基团M2相同。具体的，第一光固化基团M1包括以下之一或组合：烯基；炔基；氰基。本公开实施例中，第一结构M包括由第一光固化基团M1和第二光固化基团M2经紫外光照发生相互交联后的结构，进而在对量子点薄膜进行图案化时，对于需要保留量子点薄膜的区域，可以使其暴露在紫外光照射下，而对于需要去除量子点薄膜的区域，可以通过掩膜板进行遮挡，经过紫外光照射后，需要保留量子点薄膜的区域，第一光固化基团M1和第二光固化基团M2发生相互交联，量子点薄膜被固化交联，被保留，而需要去除量子点薄膜的区域，第一光固化基团M1和第二光固化基团M2没有发生相互交联，与环状分子P连接的第一光固化基团M1以及量子点本体QD可以被清洗去除，在后续清洗时，可以被清洗去除，进而量子点薄膜也被去除，可以实现量子点薄膜的图案化。
在具体实施时，环状分子P包括由n个重复单元依次连接组成的环状分子结构，其中，4≤n≤10。具体的，环状分子P包括：苯乙烯的聚合物或苯乙烯衍生物的聚合物。具体的，环状分子的结构可以为
Figure BDA0002753298590000141
其中，4≤n≤10。具体的，环状分子P为以下结构：
Figure BDA0002753298590000142
其中，n＝5。即，环状分子P由多个重复单元逐个连接成环，其中间为中空结构，含有较多质子，因而能够与阴离子产生紧密结合。
在具体实施时，结合图6所示，连接结构Q包括：硅烷基链、或者硅氧烷基链。具体的，连接结构Q还包括由与硅原子连接的以下基团之一或组合经与功能层结合形成的结构：-Cl；-OCH3；-OH，与功能层结合后形成-Si-O-基团。具体的，可以是在环状分子P侧链末端含有硅烷基链、或者硅氧烷基链的硅烷衍生物中的一种，其硅氧键的一端的Si-Cl，Si-OH，Si-OCH3等可以直接与氧化锌功能层2表面的-OH、-O等基团结合。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置，包括如本发明实施例提供的量子点发光器件。
基于同一发明构思，参见图9所示，本发明实施例还提供一种如本发明实施例提供的量子点发光器件的制作方法，包括：
步骤S100、提供一衬底基板；
步骤S200、在衬底基板的一侧形成功能层；
步骤S300、在功能层的背离衬底基板的一侧形成连接层，其中，连接层包括：环状分子，与环状分子连接的第一结构，以及连接第一结构与功能层的连接结构；
步骤S400、在连接层背离功能层的一侧形成量子点薄膜，其中，量子点薄膜包括：量子点本体，阴离子型配体，以及连接量子点本体与阴离子型配体的连接基团；
步骤S500、通过预设条件对量子点薄膜以及连接层处理，形成图案化的量子点膜层。
在具体实施时，第一结构M为光降解基团；对于步骤S500，通过预设条件对量子点薄膜以及连接层处理，以形成图案化的量子点薄膜，包括：对保留量子点薄膜的区域进行遮挡，并通过紫外光照射，以使被照射区域的光降解基团分解，环状分子与连接结构脱离，量子点薄膜被去除。相应的，对于步骤S300，所在功能层的背离衬底基板的一侧形成连接层，包括：功能层的背离衬底基板的一侧形成包括有环状分子、光降解基团、连接结构的连接层。即，可以通过一步直接形成同时含有环状分子、光降解基团、连接结构的连接层。
在具体实施时，第一结构M包括由第一光固化基团和第二光固化基团经紫外光照发生相互交联后的结构，其中，第一光固化基团连接于环状分子，第二光固化基团连接于连接结构；对于步骤S500，通过预设条件对量子点薄膜以及连接层处理，以形成图案化的量子点薄膜，包括：对去除量子点薄膜的区域进行遮住，通过紫外光照射，以使被照射区域的第一光固化基团与第二光固化基团交联，量子点薄膜被保留。相应的，对于步骤S300，在功能层的背离衬底基板的一侧形成连接层，包括：在功能层的背离衬底基板的一侧形成第一子连接层，其中，第一子连接层包括连接结构，以及与连接结构连接的第二光固化基团；在第一子连接层的背离功能层的一侧形成第二子连接层，其中，第二子连接层包括环状分子，以及与环状分子连接的第一光固化基团。即，可以通过两个步骤来形成连接层。相应的，在步骤S500之后，在通过预设条件对量子点薄膜以及连接层处理，形成图案化的量子点膜层之后，制作方法还包括：复用当前被遮挡区域未被去除的第一子连接层作为制作下一种出光颜色量子点薄膜的第一子连接层。即，需要去除量子点薄膜的区域(也即制作当前出光颜色的量子点薄膜过程中被遮挡的区域)内，与功能层2连接的连接结构Q以及与连接结构Q连接的第二光固化基团M2可以保留，复用作为制作下一种量子点薄膜时的结构，以简化工艺步骤。
为了更清楚地理解本发明实施例提供的量子点发光器件的制作方法，以下进行进一步说明如下：
在一种实施例中，采用阳离子型配合物Y+，其平衡阴离子采用PF6 -、ClO4 -，可以用n＝5个的重复单元连接形成的环状分子P，第一结构M采用光降解基团进行制作量子点发光器件，结合图7所示；
步骤一、在特定衬底基板1上沉积第一电极层，该衬底基板1可以是玻璃、或者是柔性PET基底，第一电极层可以是透明的ITO、FTO或者导电聚合物等，也可以是不透明的Al、Ag等金属电极，作为阴极层；
步骤二、在第一电极层上以磁控溅射方式沉积ZnO或者Mg、Al、Zr、Y等掺杂的ZnO薄膜作为电子传输层(功能层2)，各子像素电子传输层厚度可根据需要进行沉积，厚度在50nm-300nm之间；
步骤三、制备连接层3，将含有环状分子P的硅烷衍生物溶于四氢呋喃(THF)中，并与盐酸混合，搅拌备用。制备前用聚四氟乙烯(PTFE)滤膜过滤，并在环氧己烷中稀释，将配备好溶液滴在形成有功能层2的表面，或者将形成有功能层2的衬底基板1浸泡在配备好的溶液中，室温下5min-20min后，取下衬底基板1，用环氧己烷冲洗，脱离的量子点本体QD以及去除区域42连接层3剩余的结构被一并洗去；
步骤四、沉积一种量子点薄膜(20nm-50nm)，量子点薄膜可以与环状分子P内部的质子结合；
步骤五、采用光刻工艺，将需要留下量子点薄膜的部分遮住，照射紫外光(UV)的地方由于环状分子P与衬底基板1脱落，可采用溶剂洗去，不照UV的地方量子点留下；具体的，还可以进一步将被UV光照射后区域的剩余结构(如连接结构Q)进行去除，以在该区域制作下一种出光颜色的量子点薄膜的图案；
步骤六、利用相似工艺制备其它出光颜色的量子点膜层；
步骤七、依次沉积空穴传输层、空穴注入层、第二电极层，第二电极层可以是金属Al、Ag等，亦可以采用磁控溅射的方式沉积IZO，其厚度可以是10nm-100nm。
在另一种可能的实施例中，采用阳离子型配合物Y+，其平衡阴离子采用PF6 -、ClO4 -等，用n＝5个的重复单元连接形成的环状分子P，采用第一结构M包括第一光固化基团M1和第二光固化基团M2进行制作量子点发光器件，结合图8所示；
步骤一、在特定衬底基板1上沉积第一电极层，该衬底基板1可以是玻璃、或者是柔性PET基底，第一电极层可以是透明的ITO、FTO或者导电聚合物等，也可以是不透明的Al、Ag等金属电极，作为阴极层；
步骤二、在第一电极层上以磁控溅射方式沉积ZnO或者Mg、Al、Zr、Y等掺杂的ZnO薄膜作为电子传输层(功能层2)，各子像素电子传输层厚度可根据需要进行沉积，厚度在50-300nm之间；
步骤三、首先沉积一层末端同样含有烯、炔、氰基等第二光固化基团M2的硅烷基链、或者硅氧烷基链的硅烷衍生物(作为连接结构Q)，将含有环状分子P的硅烷衍生物溶于四氢呋喃(THF)中，并与盐酸混合，搅拌备用，制备前用聚四氟乙烯(PTFE)滤膜过滤，并在环氧己烷中稀释,将配备好溶液滴在形成有功能层2的衬底基板1的表面，或者将形成有功能层2的衬底基板1浸泡在配备好的溶液中，室温下5min-20min后，取下衬底基板1，用环氧己烷冲洗，没有被固定环状分子P以及被遮挡区域连接层3剩余的结构被一并洗去；
步骤四、沉积连接层3，需要说明的是，此步仅是成膜，没有反应条件，下一步紫外光照射之后，第一光固化基团M1和第二光固化基团M2发生交联；
步骤五、采用光刻工艺，将不需要沉积量子点薄膜的部分遮住，照射UV的地方由于环状分子P侧链与形成有功能层2的衬底基板1交联，不能洗去，不照射UV的地方未交联，可以采用溶剂洗去；制作当前颜色量子点薄膜过程中需要去除量子点薄膜的区域(也即制作当前出光颜色的量子点薄膜过程中被遮挡的区域)内，与功能层2连接的连接结构Q以及与连接结构Q连接的第二光固化基团M2可以保留，复用作为制作下一种量子点薄膜时的第一子连接层，以简化工艺步骤；
步骤六、沉积一种量子点薄膜(20nm-50nm)，量子点薄膜可以在保留了环状分子P的部位结合；
步骤七、相似工艺制备其它出光颜色的量子点膜层；
步骤八、依次沉积空穴传输层、空穴注入层、第二电极层，第二电极层可以是金属Al、Ag等，亦可以采用磁控溅射的方式沉积IZO，其厚度可以是10nm-100nm。
本发明实施例有益效果如下：本发明实施例中，通过在功能层的背离衬底基板的一侧形成连接层3，连接层3包括：环状分子P，与环状分子P连接的第一结构M，以及连接第一结构M与功能层2的连接结构Q，其中，环状分子P中可以与量子点材料的阴离子型配体W-通过静电力结合，而第一结构M在预设条件可以使环状分子P与连接结构Q连接或脱离，可以实现根据需要使部分区域的量子点材料被去除，而部分区域的量子点材料保留，实现量子点图案化，避免采用喷墨打印时，量子点图案化工艺受限，量子点发光器件的分辨率较低的问题。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (26)

1.一种量子点材料，其特征在于，包括：量子点本体，阴离子型配体，以及连接所述量子点本体和所述阴离子型配体的连接基团，其中，所述阴离子型配体被配置为与环状分子通过静电力进行结合。
2.如权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述环状分子包括氢原子，所述阴离子型配体具体被配置为与所述氢原子通过静电力进行结合。
3.如权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述量子点材料还包括与所述阴离子型配体匹配的阳离子型配体，所述阳离子型配体被配置为对所述阴离子型配体的电荷进行平衡。
4.如权利要求3所述的量子点材料，其特征在于，所述阳离子型配体包括以下之一或组合：
Figure FDA0002753298580000011
NH4 +；
Na+。
5.如权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述阴离子型配体为以下之一：
Figure FDA0002753298580000021
ClO4 -；
Cl-；
PF6 -；
BF3 -。
6.如权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述连接基团包括以下之一或组合：
-SH-；
-COOH-；
-NH2-。
7.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧的功能层，位于所述功能层的背离所述衬底基板一侧的量子点膜层，以及位于所述功能层与所述量子点膜层之间的连接层；其中，所述量子点膜层包括图案区域；
所述图案化区域的所述量子膜点层包括如权利要求1-6任一项所述的量子点材料；
所述连接层在与所述图案化区域对应的区域包括：环状分子，与所述环状分子连接的第一结构，以及连接所述第一结构与所述功能层的连接结构；其中，所述环状分子与所述阴离子型配体通过静电力进行结合，所述第一结构被配置为在预设条件使所述环状分子与所述连接结构连接或脱离。
8.如权利要求7所述的量子点发光器件，其特征在于，所述环状分子具有氢原子，所述环状分子通过所述氢原子与所述阴离子配体通过静电力结合。
9.如权利要求7所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一结构为光降解基团，所述光降解基团被配置为经紫外光照射时使所述环状分子与所述连接结构脱离。
10.如权利要求9所述的量子点发光器件，其特征在于，所述光降解基团包括：羰基或环氧基。
11.如权利要求7所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一结构包括由第一光固化基团和第二光固化基团经紫外光照发生相互交联后的结构，其中，所述第一光固化基团连接于所述环状分子，所述第二光固化基团连接于所述连接结构。
12.如权利要求11所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一光固化基团和所述第二光固化基团相同。
13.如权利要求12所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一光固化基团包括以下之一或组合：
烯基；
炔基；
氰基。
14.如权利要求7所述的量子点发光器件，其特征在于，所述环状分子包括由n个重复单元依次连接组成的环状分子结构，其中，4≤n≤10。
15.如权利要求14所述的量子点发光器件，其特征在于，所述环状分子包括：苯乙烯的聚合物或苯乙烯衍生物的聚合物。
16.如权利要求14所述的量子点发光器件，其特征在于，所述环状分子的结构为
Figure FDA0002753298580000041
17.如权利要求16所述的量子点发光器件，其特征在于，所述环状分子为以下结构：
Figure FDA0002753298580000042
18.如权利要求7所述的量子点发光器件，其特征在于，所述连接结构包括：硅烷基链、或者硅氧烷基链。
19.如权利要求18所述的量子点发光器件，其特征在于，所述连接结构还包括由与硅原子连接的以下基团之一或组合经与所述功能层结合形成的结构：
-Cl；
-OCH3；
-OH。
20.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7-19任一项所述的量子点发光器件。
21.一种如权利要求7-19任一项所述的量子点发光器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成功能层；
在所述功能层的背离所述衬底基板的一侧形成连接层，其中，所述连接层包括：环状分子，与所述环状分子连接的第一结构，以及连接所述第一结构与所述功能层的连接结构；
在所述连接层背离所述功能层的一侧形成量子点薄膜，其中，所述量子点薄膜包括：量子点本体，阴离子型配体，以及连接所述量子点本体与所述阴离子型配体的连接基团；
通过预设条件对所述量子点薄膜以及所述连接层处理，形成图案化的所述量子点膜层。
22.如权利要求21所述的制作方法，其特征在于，所述第一结构包括由第一光固化基团和第二光固化基团经紫外光照发生相互交联后的结构，所述第一光固化基团连接于所述环状分子，所述第二光固化基团连接于所述连接结构；所述通过预设条件对所述量子点薄膜以及所述连接层处理，以形成图案化的所述量子点薄膜，包括：
对去除所述量子点薄膜的区域进行遮住，通过紫外光照射，以使被照射区域的所述第一光固化基团与所述第二光固化基团交联，所述量子点薄膜被保留。
23.如权利要求22所述的制作方法，其特征在于，所述在所述功能层的背离所述衬底基板的一侧形成连接层，包括：
在所述功能层的背离所述衬底基板的一侧形成第一子连接层，其中，所述第一子连接层包括连接结构，以及与所述连接结构连接的所述第二光固化基团；
在所述第一子连接层的背离所述功能层的一侧形成第二子连接层，其中，所述第二子连接层包括所述环状分子，以及与所述环状分子连接的第一光固化基团。
24.如权利要求23所述的制作方法，其特征在于，在通过预设条件对所述量子点薄膜以及所述连接层处理，形成图案化的所述量子点膜层之后，所述制作方法还包括：
复用当前被遮挡区域未被去除的所述第一子连接层作为制作下一种出光颜色量子点薄膜的所述第一子连接层。
25.如权利要求21所述的制作方法，其特征在于，所述第一结构为光降解基团；所述通过预设条件对所述量子点薄膜以及所述连接层处理，以形成图案化的所述量子点薄膜，包括：
对保留所述量子点薄膜的区域进行遮挡，并通过紫外光照射，以使被照射区域的所述光降解基团分解，所述环状分子与所述连接结构脱离，所述量子点薄膜被去除。
26.如权利要求25所述的制作方法，其特征在于，所述所在所述功能层的背离所述衬底基板的一侧形成连接层，包括：
所述功能层的背离所述衬底基板的一侧形成包括有所述环状分子、所述光降解基团、所述连接结构的所述连接层。
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