ITMI952610A1 - Dispositivi organici di emissione di luce multicolore - Google Patents
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Abstract
Una struttura di dispositivo emettitore di luce multicolore (LED), comprendente: una pluralità di almeno un primo ed un secondo dispositivo organico emettitore di luce (LED) impilati uno sopra l'altro, per formare una struttura a strati, con ogni LED separato dall'altro da uno strato conduttivo trasparente per abilitare ogni dispositivo a ricevere un potenziale di polarizzazione per funzionare ad emettere luce attraverso la pila.
Description
Descrizione della domanda di brevetto per invenzione industriale dal titolo: Dispositivi organici di emissione di luce multicolore
CAMPO DELL'INVENZIONE
Questa invenzione riguarda dispositivi organici di emissione di luce multicolore e più in particolare quei dispositivi da usarsi in visualizzatori (display) elettronici a pannello piatto.
STATO DELL’ARTE DELL'INVENZIONE
Il visualizzatore (display) elettronico è un mezzo indispensabile nella società moderna per distribuire informazioni e viene utilizzato in televisori, terminali di calcolatori e in una quantità di altre applicazioni. Nessun altro mezzo offre la sua velocità, la sua versatilità e la sua interattività. Tecnologie per display note comprendono display a plasma, diodi ad emissione di luce (gli LED), display elettroluminescenti a pellicola sottile, e così via.
La tecnologia primaria non emissiva fa uso delle proprietà elettro-ottiche di una famiglia di molecole organiche note come cristalli liquidi (i LC) oppure display a cristalli liquidi (gli LCD). Gli LCD funzionano in modo discretamente affidabile sebbene offrano un contrasto ed una risoluzione relativamente basse e richiedano una illuminazione dello sfondo ad alta potenza. Display a matrice attiva impiegano una matrice di transistore, ognuno dei quali è in grado di attivare un singolo pixel di LC. Non c è nessun dubbio che la tecnologia che riguarda i display a pannello piatto sia di significativa importanza e che vengano fatti continuamente dei progressi. Si veda un articolo intitolato "Fiat Panel Displays" (Display a pannello piatto), Scientific American, Marzo 1993. pagine 90-97. di S.W.Depp e W.E.Howard. In questo articolo, si indica che entro l'anno 1995 ci si attende che i soli display a pannello piatto andranno a formare un mercato del valore compreso fra 4 e 5 miliardi di dollari. Fattori desiderabili per una qualsiasi tecnologia di display, è la capacità di fornire un display a colore pieno ad alta risoluzione ad un buon livello di luce e a prezzo competitivo. I display a colori funzionano con i tre colori primari rosso (R), verde (G) e blu (B). Si è fatto un considerevole progresso nel porre in atto dispositivi di emissione di luce (LED) rossa, verde e blu utilizzando sostanze organiche in pellicola sottile. Queste sostanze in pellicola sottile vengono depositate in condizioni di vuoto spinto. Tali tecniche sono state sviluppate in numerosi centri in giro per il mondo e questa tecnologia è stata perfezionata in numerosi siti di ricerca.
Al momento attuale, ci si riferisce alla struttura emissiva maggiormente preferita di tipo organico ad alta efficienza come alla eterostruttura LED doppia che viene illustrata in fig. 1A e che viene indicata come appartenente allo stato dell'arte. Questa struttura è molto simile alle sostanze utilizzate nei LED convenzionali ed inorganici quali GaAs e InP.
Nel dispositivo mostrato in fig. 1A. uno strato di supporto di vetro 10 è rivestito da uno strato sottile di ossido di indio e stagno (ITO) 11, ove gli strati 10 e 11 formano il substrato 8. Poi, un sottile (100-500 A) strato organico, fondamentalmente a trasporto di lacune (HTL) 12 viene depositato sullo strato 11 di ITO. Sulla superficie dello strato HTL 12 viene depositato un sottile (50-100 A) strato ad emissione 13 (EL). Se gli strati sono troppo sottili, ci può essere soluzione di continuità nella pellicola e pellicole più spesse tendono ad avere una alta resistenza interna che richiede un funzionamento con una più alta potenza. Lo strato emissivo (EL) 13 fornisce il sito di ricombinazione per gli elettroni iniettati da uno strato 14 spesso 100-500 A a trasporto di elettroni (ETL) con lacune provenienti dallo strato 12 HTL. La sostanza ETL è caratterizzata dalla sua mobilità considerevolmente più alta per gli elettroni che non per le lacune. Esempi di sostanze ETL, EL e HTL appartenenti allo stato della tecnica vengono descritte nel brevetto U.S. n. 5.294,870 intitolato "Organic Electroluminescent Multicolor Image Display Device" (Dispositivo elettroluminescente organico per display per immagini multicolori), concesso il 15 marzo 1994 a Tang e al .
Spesso, lo strato EL 13 viene drogato con un colorante altamente fluorescente per modulare il colore e incrementare la efficienza elettroluminescente del LED. Il dispositivo che viene mostrato in fig. 1A viene completato depositando contatti metallici 15, 16 e un elettrodo superiore 17- I contatti 15 e 16 vengono tipicamente realizzati a partire da indio o da Ti/Pt/Au. L'elettrodo 17 è
spesso una struttura duale a strati che comprende una lega quale una lega Mg/Ag 17' direttamente a contatto con lo strato organico ETL 14, e uno spesso strato metallico 17" con un'alta funzione di lavoro, quale oro (Au), o argento (Ag) sulla lega Mg/Ag. Il metallo spesso 17" è opaco. Quando viene applicato un'appropriata tensione di polarizzazione fra l'elettrodo superiore 17 ed i contatti 15 e 16, attraverso il substrato di vetro 10 ha luogo una emissione di luce. Un dispositivo LED come quello di fig. 1A presenta tipicamente efficienze quantiche di luminescenza verso l'esterno varianti dallo 0,05 percento al 4 percento, a seconda del colore di emissione e della sua struttura.
Un'altra struttura emissiva nota di tipo organico, cui si fa riferimento come a eterostruttura singola, viene illustrata in figura 1B e viene indicata anch'essa come appartenente allo stato dell'arte. La differenza fra questa struttura e quella di figura 1A sta nel fatto che lo strato EL 13 funziona anche come strato ETL. eliminando così lo strato ETL 14 di figura 1A. Comunque, il dispositivo della figura 1B, per un suo funzionamento efficiente, deve incorporare uno strato EL 13 avente una buona capacità di trasporto di elettroni,altrimenti deve essere incluso uno strato ETL 14 separato come mostrato per il dispositivo di figura 1A. Al momento attuale,le efficienze più alte si sono osservate nei LED verdi. Inoltre, si sono raggiunte tensioni di funzionamento da 3 a 10 volt. Queste prime evidenze sperimentali molto promettenti utilizzavano strati organici amorfi o altamente policristallini. Queste strutture limitano senza dubbio la mobilità del portatore di carica attraverso il film ciò che, a sua volta, limita la corrente ed incrementa la tensione di funzionamento necessaria. La migrazione e la crescita delle cristalliti che emergono dallo stato policristallino è un marcato segnale del guastarsi di tali dispositivi. La degradazione del contatto dell'elettrodo è anch'essa un meccanismo pronunciato di guasto.
Un altro dispositivo LED noto viene mostrato anche in fig.1C, che illustra una tipica vista in sezione trasversale di un singolo strato (polimerico) LED. Come viene mostrato, il dispositivo comprende uno strato di supporto 1 in vetro, rivestito con uno strato sottile 3 di ITO, per formare il substrato di base. Sullo strato 3 di ITO viene ad esempio creato uno strato organico sottile 5 di polimero rivestito a spin, strato che fornisce tutte le funzionalità degli strati HTL,ETL e EL dei dispositivi precedentemente descritti. Uno strato metallico 6 di elettrodo viene creato sullo strato organico 5. Il metallo è tipicamente Mg, Ca, oppure altri metalli convenzionalmente usati.
Un esempio di dispositivo per display ad immagine elettroluminescente multicolore che utilizzi composti organici per pixel emettitori di luce, viene descritto in Tang et al., Brevetto U.S. n. 5.294.870. Questo brevetto descrive una pluralità di pixel emettitori di luce che contengono un mezzo organico per emettere luce blu in regioni di subpixel emettitori di blu. Mezzi fluorescenti sono disposti distanziati lateralmente dalla regione di subpixel ad emissione blu. I mezzi fluorescenti assorbono la luce emessa dal mezzo organico e emettono luce rossa e verde in regioni di subpixel differenti. L'uso di sostanze drogate con coloranti fluorescenti per emettere luce verde o rossa per assorbimento di luce blu da una regione di subpixel blu è meno efficiente che non la formazione diretta per mezzo di LED verdi o rossi. La ragione è che l'efficienza sarà il prodotto di (efficienza quantica per EL)*(efficienza quantica per fluorescenza)*(1-trasmittanza). Così, uno svantaggio di questo display è che per ogni colore emesso sono necessarie regioni di subpixel diverse collocate lateralmente a distanza.
SOMMARIO
Uno scopo della presente invenzione è quello di rendere disponibile un dispositivo di tipo organico di emissione di luce multicolore che impieghi parecchi tipi di mezzi elettroluminescenti di tipo organico, ognuno dei quali emette un colore distinto.
Un ulteriore scopo della presente invenzione è quello di fornire un tale dispositivo in un display multicolore ad alta definizione in cui i mezzi di tipo organico sono organizzati in una configurazione a pila, in modo tale che ogni colore possa essere emesso da una regione comune del display.
Costituisce un ulteriore scopo della presente invenzione quello di fornire un dispositivo di emissione di luce a tre colori di tipo organico che sia estremamente affidabile e relativamente poco costoso da produrre.
Costituisce un ulteriore scopo quello di fornire tale dispositivo in modo che sia costruito per crescita di sostanze organiche simili a quelle usate nei diodi elettroluminescenti, in modo da ottenere un LED di tipo organico che sia altamente affidabile, compatto, efficiente e richieda basse tensioni di funzionamento per il suo utilizzo in display RGB.
In una forma di realizzazione della presente invenzione, una struttura di un dispositivo di emissione di luce multicolore (LED) comprende almeno un primo ed un secondo LED di tipo organico impilati l'uno sull'altro, ove preferibilmente ne comprende tre, in modo tale da formare una struttura a strati, con ogni LED separato dall'altro da uno strato conduttore trasparente in modo tale da rendere ogni dispositivo capace di ricevere un potenziale di polarizzazione differente ed emettere cosi luce attraverso la pila di strati.
BREVE DESCRIZIONE DEI DISEGNI
Fig. 1A è una vista in sezione trasversale di un tipico dispositivo di emissione di luce (LED) di tipo organico e dalla eterostruttura doppia, secondo lo stato della tecnica.
Fig. 1B è una vista in sezione trasversale di un tipico dispositivo di emissione di luce (LED) di tipo organico e dalla eterostruttura singola, secondo lo stato della tecnica.
Fig. 1C è una vista in sezione trasversale di una struttura nota di LED in polimero a strato singolo, secondo lo stato della tecnica.
Le Figure 2A, 2B, e 2C sono viste in sezione trasversale di un pixel a tre colori integrato che usa dispositivi di emissione di luce (LED) di tipo organico cristallino, secondo altrettante forme di realizzazione della presente invenzione.
Le Figure 3-1 mostrano una varietà di composti organici che possono essere utilizzati per costituire gli strati ad emissione attiva che generano gli svariati colori.
Le Figure 12(A-E) illustrano un processo a mascheramento ad ombre per la fabbricazione di un LED multicolore secondo la presente invenzione.
Le Figure 13(A-F) illustrano un processo di incisione a secco per la fabbricazione di un LED multicolore secondo la presente invenzione.
La Fig. 14A mostra un LED multicolore di una forma di realizzazione di questa invenzione configurato per facilitarne l'imballaggio.
La Figura 14B mostra una vista in sezione trasversale di un imballaggio ermetico per una altra forma di realizzazione della presente invenzione.
La Figura 14C è una vista in sezione trasversale presa lungo la linea 14C-14C di figura 14B.
Figura 15 è un diagramma a blocchi che mostra un display RGB che utilizza dispositivi LED secondo la presente invenzione insieme con la circuitazione di comando del display.
Figura 16 mostra un dispositivo LED secondo una altra forma di realizzazione dell'invenzione che estende il numero di LED impilati a N, ove N è un numero intero 1, 2, 3. ··· N.
DESCRIZIONE DETTAGLIATA DELL'INVENZIONE
Figura 1A è stata descritta; essa riporta un dispositivo di emissione di luce di tipo organico ad eterostruttura doppia dello stato dell'arte. La costruzione di base del dispositivo di figura 1A viene usato in questa invenzione così come verrà descritto. Facendo riferimento a Fig. 2A, viene mostrata una sezione schematica trasversale di una struttura di pixel RGB integrato molto compatto, che viene costruito da strati organici fatti crescere o depositati sotto vuoto, in una forma di realizzazione della presente invenzione. In base alla capacità di far crescere sostanze organiche su una larga varietà di materiali (ivi inclusi i metalli e l'ITO), in una forma di realizzazione della presente invenzione si può costruire una pila di eterostrutture di LED doppie (DH), indicate con 20, 21 e 22. A scopo illustrativo, nell'esempio di figura 2A il LED 20 viene considerato trovarsi in una parte sul fondo della pila, il LED 21 in una parte intermedia della pila, ed il LED 22 in una parte in cima alla pila. Inoltre la pila viene mostrata in figura 2A orientata verticalmente, mentre il LED può essere orientato diversamente. In altre forme di realizzazione, una pila di LED dalla eterostruttura singola (SH) (vedi fig.1B) oppure una pila di dispositivi LED a base di polimeri (vedi fig. 1C) costituisce un'alternativa percorribile rispetto ai LED DH, con i dispositivi SH che sono utilizzabili in maniera equivalente rispetto ai dispositivi DH per emettitori di luce. Inoltre, i dispositivi SH e DH che comprendono una combinazione di sostanze emittenti luce depositate sotto vuoto e polimeriche vengono considerati come rientranti nello spirito e nell'ambito della presente invenzione.
Ogni struttura di dispositivo quale il dispositivo 20, consiste di uno strato HTL 20H depositato sotto vuoto oppure fattovi crescere o altrimenti depositato sulla superficie di uno strato 35 di ITO. Uno strato superiore ETL 20T imprigiona uno strato EL 20E fra sè e lo strato HTL 20H, come viene ad esempio mostrato nella costruzione del dispositivo di figura 2A. Lo strato ETL 20T e gli altri strati ETL da descrivere sono composti di sostanze organiche quali M(8-idrossichinolato)n (M=ione metallico; n=2-4). Esempi di altre sostanze organiche ETL adatte possono essere ritrovati nel brevetto US n. 5.294,870 attribuito a Tang et al.
Sulla parte superiore dello strato ETL 20T, viene costruito uno strato metallico 26M sottile e trasparente, con una bassa funzione di lavoro (preferibilmente <4 eV), strato avente tipicamente uno spessore inferiore a 50Α. Candidati adatti allo scopo comprendono Mg, Mg/Ag, e As. Sulla parte superiore dello strato metallico 26M viene depositato un altro strato 26l di ITO, trasparente, sottile e conduttore. (Per attuale convenienza, ci si riferisce alla struttura a doppio strato dello strato metallico 26M e dello strato 261 di ITO come agli strati ITO/metallo 26.). Ogni dispositivo a eterostruttura doppia quale il dispositivo 20, 21 e 22, ha uno strato di fondo HTL formato su di uno strato trasparente conduttore di ITO 26l o 35. Successivamente viene depositato uno strato EL e poi un altro strato ETL. Ogni strato HTL, ETL, di ITO, metallico ed organico EL è trasparente a causa della propria composizione e della estrema sottigliezza. Ogni strato HTL può essere spesso 50-1000 A; ogni strato EL può essere spesso 50-200 A; ogni strato ETL può essere spesso 50-1000 A; ogni strato metallico 26M può essere spesso 50-100 A; e ogni strato 26l e 35 di ITO può essere spesso 1000-4000 A. Per una ottima funzionalità, ogni strato dovrebbe essere preferibilmente tenuto verso i valori inferiori degli intervalli sopra indicati. Così, ogni LED 20, 21 e 22 (escludendo gli strati ITO/metallo) presentano preferibilmente uno spessore vicino ai 200 A.
Se come LED 20 , 21 e 22 vengono usati dispositivi LED SH , piuttosto che dispositivi LED DH , gli strati ETL e EL sono costituiti da uno strato singolo, quale lo strato 13, cosi come descritto precedentemente per il LED SH di figura 1B. Questo strato 13 è tipicamente un alchinolato. Questo viene mostrato in figura 2B, in cui gli strati EL 20E, 21E e 22E garantiscono le funzioni sia degli strati EL che di quelli ETL. Comunque, un vantaggio della pila LED DH delia figura 2A, rispetto alla pila LED SH di figura 2B, è che la pila LED DH permette una costruzione complessivamente più sottile con un alto valore di efficienza.
Nelle figure 2A e 2B, anche se i centri di ogni LED sono eccentrici l'uno rispetto all’altro, il raggio totale di luce proveniente da ogni dispositivo è sostanzialmente coincidente fra i LED 20, 21 e 22. Mentre i raggi di luce sono coincidenti nella configurazione concentrica, il dispositivo emittente o nonemittente più vicino al substrato di vetro sarà trasparente al o ai dispositivi emittenti molto più in là rispetto al substrato di vetro. Comunque, non c'è bisogno che i diodi 20, 21 e 22 siano eccentrici l'uno rispetto all'altro e possono essere in alternativa impilati concentricamente l'uso sull'altro, dopo di che il raggio di luce proveniente da ogni dispositivo è interamente coincidente con gli altri. Una configurazione concentrica, che verrà descritta più avanti facendo riferimento ai processi di fabbricazione, viene mostrata in figura 12E. Si prenda nota del fatto che non c'è differenza nella funzionalità fra le configurazioni eccentriche e concentriche. Ogni dispositivo emette luce attraverso un substrato di vetro 37 in uno schema sostanzialmente omnidirezionale. Le tensioni attraverso i tre LED nella pila 29 vengono controllate in modo tale da fornire un desiderato colore ed una desiderata lucentezza di emissione risultante per il particolare pixel in ogni istante di tempo. Così, ad ogni LED 22, 21 e 20 può essere fornita energia simultaneamente con, ad esempio, rispettivi raggi R, G e B che sono diretti e sono visibili attraverso gli strati trasparenti, come mostrato schematicamente nelle figure 2A e 2B. Ogni struttura DH 20, 21 e 22 è capace di emettere una luce di colore differente applicando una tensione di polarizzazione opportuna. Il LED 20 a eterostruttura doppia emette luce blu. Il LED 21 a eterostruttura doppia emette luce verde, mentre il LED 22 a eterostruttura (DH) doppia emette luce rossa. Combinazioni differenti di LED 20, 21 e 22 ovvero ognuno di essi preso singolarmente, possono essere attivati per ottenere selettivamente un colore desiderato di luce per il rispettivo pixel, parzialmente dipendente dalla grandezza della corrente in ognuno dei LED 20, 21 e 22.
Negli esempi di figura 2A e 2B, i LED 20, 21 e 22 sono polarizzati da batterie 32, 31 e 30, rispettivamente. La corrente fluisce dal polo positivo di ogni batteria 32, 31 e 30 all'anodo 40. 41 e 42, rispettivamente, del rispettivo LED associato 20, 21 e 22. attraverso gli strati di ogni corrispondente dispositivo, e dai poli 21, 21 e 43 che servono come catodi ai poli negativi di ogni batteria 32, 31 e 30, rispettivamente. Come risultato, viene emessa luce da ognuno dei LED 20, 21 e 22. I dispositivi LED 20, 21 e 22 sono caricati di energia in modo selettivo includendovi mezzi (non mostrati) per connettere e disconnettere in maniera selettiva le corrispondenti batterie 32, 31 e 30, con il rispettivo LED.
Nelle forme di realizzazione dell'invenzione, relativamente alle figure 2A e 2B, il contatto superiore 26I di ITO per il LED 22 è trasparente, rendendo il dispositivo a tre colori mostrato utile per applicazioni in display a doppia direzione. Comunque, in altre forme di realizzazione dell'invenzione, il contatto superiore 26I è costituito da un metallo opaco, quale Mg/Ag. In. Ag o Au, per riflettere la luce emessa verso l'alto indietro attraverso il substrato 13. sostanzialmente per migliorare l'efficienza del dispositivo. Inoltre, l'efficienza globale del dispositivo può essere aumentata costituendo una pellicola sottile dielettrica multistrato di rivestimento fra il substrato vetroso 37 e lo strato 35 di ITO, in modo tale da fornire una superficie anti-riflesso. Sono necessari tre complessi di strati anti-riflesso, ognuno per costituire un rivestimento antiriflesso per ogni lunghezza d'onda emessa dai vari strati.
In un'altra forma di realizzazione, il dispositivo di figura 2A viene costruito in maniera opposta o invertita, per fornire l’emissione luminosa in direzione uscente dalla cima della pila piuttosto che dal fondo come nella prima forma di realizzazione. Un esempio di struttura invertita, facendo riferimento alla figura 2C, è quello di sostituire lo strato 35 di ITO con uno strato metallico opaco e riflettente. Il LED 20 blu viene poi dato dal mutuo scambio fra lo strato HTL 20H e lo strato ETL 20T, ove lo strato EL 20E rimane inserito fra questi ultimi due strati. Inoltre, lo strato 26M di contatto metallico viene ora depositato sulla parte superiore dello strato ITO 26l. Le porzioni di LED 21 verde e di LED 22 rosso della pila sono ognuna costruita con strati invertiti (gli strati HTL e ED di ognuna vengono intercambiati, facendo seguire l'inversione degli strati di metallo e di ITO) come descritto per il LED 20 blu. Si noti che nella struttura invertita, il dispositivo blu 20 deve essere in alto e che il dispositivo rosso 22 deve essere in fondo. Inoltre, anche le polarità delle batterie 30, 31 e 32 vengono ribaltate. Come risultato, il flusso di corrente attraverso i rispettivi dispositivi 20, 21 e 22 avviene in direzione opposta rispetto alla forma di realizzazione della figura 2A, quando eccitata in avanti per emettere luce.
Il dispositivo in vista in sezione trasversale, ha in questo esempio un profilo a gradini, ovvero a scalini. Le aree di contatto trasparenti 261 (ITO) permettono l'eccitazione separata di ogni elemento di pixel nella pila, ove, oltre a ciò, il materiale stesso può essere usato come ferma-incisione durante le fasi ai produzione. La polarizzazione separata di ogni struttura LED DH 20, 21 e 22 permette la modulazione in lunghezza d'onda dell'uscita del pixel fino ad arrivare ad ogni possibile colore che si desideri dello spettro visibile come definito nello standard di cromaticità della CIE (Commissione internazione dell'illuminazione). Il LED 20 che emette il blu è collocato in fondo alla pila e, dei tre dispositivi, è quello a maggior ampiezza. Il blu è sul fondo perchè esso è trasparente alla luce rossa e verde. Infine, la "ripartizione" dei materiali che fa uso gli strati 26 trasparenti di ITO/metallo facilita il processo di produzione di questo dispositivo, così come verrà descritto. Sono gli aspetti assolutamente unici della crescita sotto vuoto e dei processi di fabbricazioni connessi con i composti organici che rendono possibili i dispositivi LED a pixel mostrati nelle figure 2A, 2B e 2C. La strutturazione a strati verticale mostrata nelle figure 2A, 2B e 2C permette la fabbricazione di pixel a tre colori con la superficie minima possibile, rendendo perciò questi pixel ideali per display ad alta definizione.
Come si vede nelle figure 2A, 2B e 2C, ogni struttura di dispositivo DH 20, 21 e 22 può emettere luce indicata dalle freccie B, G e R, rispettivamente, sia simultaneamente che separatamente. Si noti che la luce viene sostanzialmente emessa dall'intera porzione trasversale di ogni LED 20, 21 e 22, ove le frecce R, G e B non sono rappresentative della ampiezza della corrispondente ed effettiva luce emessa. In questo modo, l'aggiunta o la sottrazione di colori quali R, G e B viene integrata dall'occhio, ciò che permette di cogliere differenti colori e sfumature. Questo è ben noto nel campo della visione dei colori e della colorimetria dei display. Nella configurazione eccentrica mostrata, i raggi di luce rossa, verde e blu sono sostanzialmente coincidenti. Se i dispositivi vengono fatti piccoli abbastanza, vale a dire 50 micron o meno ancora, qualsiasi colore può essere prodotto a partire dalla pila di dispositivi. Comunque sia, esso apparirà come un unico colore che ha origine da un singolo pixel.
Le sostanze organiche usate nelle strutture DH vengono fatte crescere una sulla parte superiore dell'altra oppure vengono impilate in verticale con il dispositivo 22 a lunghezza d'onda maggiore indicativo della luce rossa in cima e l'elemento a lunghezza d'onda minore 20 indicativo della luce blu sul fondo. In questo modo, si rende minimo l'assorbimento di luce nel pixel o nei dispositivi. Ogni dispositivo LED DH viene separato dagli altri per mezzo di strati 26 di ITO/metallo (specificatamente, strati metallici semitrasparenti 26M e strati 261 di ossido di indio e stagno). Gli strati 26l di ITO possono venir ulteriormente trattati per deposizione metallica per dar vita ad aree di contatto distinte sulle superfici di ITO esposte, quali i contatti 40, 4l, 42 e 43- Questi contatti 40, 4l, 42 e 43 sono fabbricati a partire da indio, platino, oro, argento oppure leghe quali ad esempio Ti/Pt/Au, Cr/Au oppure Mg/Ag. Tecniche di deposizione di contatti usando la deposizione di metalli convenzionale oppure la deposizione da fase vapore sono ben note. I contatti, quali i contatti 40, 41, 42 e 43 rendono possibile un eccitamento separato di ogni LED nella pila. Le significative differenze di tipo chimico fra le sostanze per LED organiche e gli elettrodi 26I trasparenti, permettono agli elettrodi di agire come strati di fermo-incisione. Questo permette l'incisione selettiva e la esposizione di ogni elemento di pixel durante la lavorazione del dispositivo.
Ogni LED 20, 21 e 22 ha sua propria sorgente di potenziale di polarizzazione, in questo esempio illustrata schematicamente con le rispettive batterie 32, 31 e 30, ciò che fa sì che ogni LED possa emettere luce. Si capisce che segnali adatti possono essere impiegati in luogo delle rispettive batterie 30, 31 e 32. Come è noto, il LED richiede una tensione minima di soglia per emettere luce (ogni LED DH) e per ciò questa tensione di attivazione viene indicata schematicamente con il simbolo della batteria.
Gli strati EL 20E, 21E, 22E possono essere fabbricati a partire da composti organici scelti secondo la loro capacità di produrre tutti i colori primari ed i loro intermedi. I composti organici sono generalmente selezionati da complessi metallici trivalenti di chinolato, da complessi a ponte metallici trivalenti di chinolato, da complessi divalenti di metallo di basi di Schiff, da complessi metallici di stagno (iv), da complessi metallici di acetilacetonato, da complessi metallici a legante bidentato, da bifosfonati, da complessi metallici divalenti di maleonitrileditiolato, da complessi molecolari a trasferimento di carica, da polimeri aromatici ed eterociclici, e da chelati misti di terre rare, come verrà qui di seguito descritto.
I complessi metallici trivalenti di chinolato sono rappresentati dalla formula strutturale mostrata in figura 3. in cui M è uno ione metallico trivalente selezionato fra i gruppi 3-13 della tavola periodica e dai lantanidi. Al<+3>, Ga<+3 >e In<+3 >sono gli ioni metallici trivalenti preferiti.
R in figura 3 comprende idrogeno, gruppi alchile sostituiti o non sostituiti, gruppi arile e gruppi eterociclici. Il gruppo alchilico può essere a catena diritta o ramificata e preferibilmente ha da 1 a 8 atomi di carbonio. Esempi di gruppi alchilici adatti sono metile ed etile. Il gruppo arile preferito è il fenile ed esempi di gruppo eterociclico per quanto riguarda R comprendono piridile, imidazolo, furano e tiofene.
I gruppi alchile, arile e eterociclici di R possono essere sostituiti con almeno un sostituente selezionato fra arile, alogeni, ciano ed alcossi che abbiano preferibilmente da 1 a 8 atomi di carbonio. L'alogeno preferito è il cloro.
Il gruppo L di figura 3 rappresenta un legante che comprende picolilmetilchetone, aldeide salicilica sostituita e non sostituita, (ad esempio aldeide salicilica sostituita con acido barbiturico), un gruppo della formula R(0)CO- in cui R è come definito sopra, e chinolati (ad esempio 8-idrossichinolina) e loro derivati (ad esempio chinolati sostituiti con acido barbiturico). Complessi preferiti coperti dalla formula mostrata in figura 3 sono quei complessi in cui H è Ga<+3 >e L è cloro. Tali composti generano una emissione blu. Quando M equivale a Ga<+3 >e L è un metilcarbossilato si generano complessi che emettono nella regione che va dal blu al blu/verde. Ci si aspetta una emissione nel giallo o nel rosso quando si usa come gruppo L o una aldeide salicilica sostituita con acido barbiturico oppure una 8-idrossichinolina sostituita con acido barbiturico. Emissioni nel verde possono essere prodotte usando come gruppo L un chinolato. I complessi di chinolato di metalli trivalenti a ponte che possono venir impiegati nella presente invenzione vengono mostrati nelle figure 4A e 4B. Questi complessi generano emissioni nel verde e mostrano una stabilità ambientale superiore se confrontata con i trichinolati (complessi di figura 3 in cui L è un chinolato) utilizzati nei dispositivi dell'arte nota. Lo ione metallico trivalente M usato in questi complessi è quello già definito sopra, ove risultano preferiti Al <+>, Ga <+3 >oppure In<+>3. Il gruppo Z mostrato in figura 4A presenta la formula SiR in cui R corrisponde a quello definito sopra. Z può anche essere un gruppo dalla formula P=0 che forma un fosfato.
I complessi metallici divalenti delle basi di Schiff comprendendo i complessi mostrati nelle figure 5A e 5B in cui è un metallo divalente selezionato nei gruppi 2-12 della tavola periodica, preferibilmente Zn (vedi Y.Hanada, et al., "Blue Electroluminescence in Thin Films of Axomethin - Zinc Complexes ", (Elettroluminescenza blu in pellicole sottili di complessi di assometina-zinco), Japanese Journal of Applied Physics Vol.32, pagg. L511 - L5I3 (1993). Il gruppo R1 viene selezionato fra le formule di struttura mostrate nelle figure 5A e 5B. Il gruppo R<1 >è preferibilmente coordinato al metallo del complesso attraverso l'ammina o l'azoto del gruppo piridile. X viene selezionato fra idrogeno, alchile, alcossi, ognuno avente da 1 a 8 atomi di carbonio, arile, un gruppo eterociclico, fosfino, alogenuro e ammina. Il gruppo arile preferito è il fenile e il gruppo eterociclico preferito viene selezionato fra piridile, imidazolo, furano e tiofene. I gruppi X influenzano la solubilità dei complessi metallici divalenti di basi di Schiff in solventi organici. Il particolare complesso metallico divalente di base di Schiff illustrato in figura 5B emette ad una lunghezza d'onda di 520 nm.
I complessi metallici di stagno (iv) impiegati nella presente invenzione negli strati EL generano emissioni nel verde. Fra questi complessi risultano inclusi quelli che hanno la formula in cui L è selezionato fra aldeidi saliciliche, acido salicilico oppure chinolati (ad esempio 8-idrossichinolina). L <2 >comprende tutti i gruppi come essi sono stati definiti per quanto riguarda R con l'eccezione dell'idrogeno. Ad esempio, complessi metallici di stagno (iv) in cui L è un chinolato e L è un fenile hanno una lunghezza d'onda d'emissione (lambdaem) pari a 504 nm, ove questa lunghezza d'onda risulta da misure di fotoluminescenza nello stato solido.
I complessi metallici di stagno (iv) comprendono anche quelli che hanno la formula di struttura di figura 6, in cui Y è uno zolfo oppure NR in cui R viene selezionato fra idrogeno e alchile e arile sostituito o non sostituito. Il gruppo alchile può essere a catena diritta o a catena ramificata e ha preferibilmente da 1 a 8 atomi di carbonio. Il gruppo arile preferito è il fenile. I sostituenti dei gruppi alchile e arile comprendono alchile e alcossi aventi da 1 a 8 atomi di carbonio, ciano ed alogeni. può essere selezionato fra alchile, arile, alogenuro, chinolati (ad esempio 8-idrossichinolina), aldeidi saliciliche, acido salicilico, e maleonitrileditiolato ("mnt"). Ci si attende un'emissione fra il rosso e l'arancione quando A è zolfo e Y è CN e è "mnt”.
I complessi di M(acetilacetonato)3 mostrati in figura 7 generano un emissione blu. Lo ione metallo M viene scelto fra i metalli trivalenti dei gruppi 3-13 della tavola periodica ed i lantanidi. Gli ioni metallici preferiti sono . Il gruppo R di figura 7 è lo stesso che è stato definito R in figura 3- Ad esempio, se R è metile, e M viene selezionato rispettivamente fra le lunghezze d'onda risultanti dalle misure di fotoluminescenza nello stato solido corrispondono rispettivamente a 415nm, 445nm e 457nm (vedi J.Kido et al., "Organic Electroluminescent Devices using Lanthanide Complexes", (Dispositivi elettroluminescenti di tipo organico che utilizzano complessi di lantanidi) Journal of Alloys and Compounds, Vol. 92, pagg. 30-33 (1993)·
I complessi metallici bidentati impiegati nella presente invenzione producono generalmente emissioni blu.
Tali complessi hanno la formula in cui M viene selezionato fra i metalli trivalenti dei gruppi 3-13 della tavola periodica e fra i lantanidi. Gli ioni metallici preferiti sono
D è un legante bidentato, per il quale in figura 8A vengono riportati degli esempi. Più specificatamente, il legante bidentato D comprende 2-picolilchetoni, 2-chinaldilchetoni e chetoni di 2-(o-fenossi)piridina in cui i gruppi R sono come quelli sopra definiti.
I gruppi preferiti per comprendono l'acetilacetonato; composti della formula in cui viene selezionato fra Si, C e R viene scelto fra gli stessi gruppi sopra descritti; 3.5-di(terbutil)fenolo; 2,6-di(ter-butil)fenolo; 2,6-di(ter-butil)cresolo; e questi ultimi essendo rappresentati rispettivamente nelle figure 8B-8E.
A scopo esemplificativo, la lunghezza d'onda (lambdaem) risultante da misure di fotoluminescenza allo stato solido di bis[2,6-di(ter-butil)fenossido] di picolilmetilchetone di alluminio è pari a 420 nm. Il derivato cresolico del composto di cui sopra aveva anch'esso una lunghezza d'onda misurata di 420 nm . Il di picoiilmetilchetone di alluminio e il bis(acetilacetonato) di 4-metossi-picolilmetilchetone di scandio avevano ognuno una lunghezza d' onda misurata di 433 nm, mentre per il bis[2, 6-di ( ter-butil) fenossido] di 2-{0-fenossi)piridina di alluminio essa valeva 450 nm.
I composti bifosfonati sono un ' altra classe di composti che possono essere usati secondo la presente invenzione per gli strati EL . I bifosfonati sono rappresentati dalla formula generale:
M<2 >è uno ione metallico. Esso è uno ione metallico tetravalente (ad esempio se sia x che y sono uguali a 1. Se x vale 3 e y vale 2, lo ione metallico M<2 >è nel suo stato divalente e comprende, ad esempio, Il termine "organico" che è stato usato nella formula di cui sopra, sta ad indicare ogni composto fluorescente aromatico o eterociclico che può essere reso bifunzionale con gruppi fosfonati.
I composti bifosfonati preferiti comprendono i bifosfonati fenilene vinilene come quelli ad esempio mostrati in figura 9A e 9B. Specificatamente, la figura 9A mostra bifosfonati betastirenil stilbene e la figura 9B mostra di(vinilfosfonati) 4,4'-bifenilici in cui R è quello precedentemente descritto e viene selezionato fra i gruppi alchile sostituiti e non sostituiti e aventi preferibilmente da 1 a 8 atomi di carbonio, e fra i gruppi arile. I gruppi alchile preferiti sono il metile e l'etile. Il gruppo arile preferito è il fenile. I sostituenti preferiti per i gruppi alchile ed arile comprendono almeno un sostituente scelto fra arile, alogeni, ciano, alcossi, aventi preferibilmente da 1 a 8 atomi di carbonio.
I complessi metallici divalenti di maleonitrileditiolato ("mnt") hanno la formula di struttura illustrata in figura 10. Lo ione metallico divalente comprende tutti gli ioni metallici aventi carica 2, preferibilmente ioni di metalli di transizione quali viene scelto fra ciano e fenile sostituito o non sostituito. I sostituenti preferiti del fenile sono selezionati fra alchile, ciano, cloro e 1,2,2-tricianovinile. rappresenta un gruppo che non ha carica. Gruppi preferiti per comprendono in cui R corrisponde a quello sopra descritto oppure ove può essere un legante chelante quale, ad esempio, 2,2'-dipiridile; fenantrolina; 1,5-cicloottadiene; oppure bis(difenilfosfino)metano.
Esempi illustrativi delle lunghezze d’onda di emissione di svariate combinazioni di questi composti vengono illustrati in tabella 1, tratti da C.E.Johnson et al., "Luminescent Iridium (I), Rhodìura (I). e Platinum (II) Dithiolate Complexes", (Complessi luminescenti di ditiolato di iridio (I), rodio (I) e platino (I)), Journal of thè American Chemical Society. Vol. 105, pagina 1795 (1983)·
Tabella 1
Complesso Lunghezza d'onda [(mnt) di 1,5-cicloottadiene di platino] 560 nm [(mnt) di 566 nm [(mnt) di 605 nm [(mnt) di bis(difenilfosfino)metano di platino] 610 nm [(mnt) di 652 nm
* lunghezza d'onda risultante da misure di fotoluminescenza fatte allo stato solido.
Complessi molecolari a trasferimento di carica utilizzati nella presente invenzione per gli strati EL sono quelli che comprendono una struttura elettron-accettrice complessata con una struttura elettron-donatrice. Le figure 11A-11E mostrano una varietà di elettron-accettori adatti che possono formare un complesso a trasferimento di carica con una delle strutture elettrondonatrici mostrate nelle figure 11F-11J. Il gruppo R mostrato nelle figure HA e 11H è lo stesso gruppo che è stato sopra descritto.
Le pellicole di queste sostanze a trasferimento di carica vengono preparate o evaporando le molecole di donatore ed accettore da cellule separate sul substrato, o evaporando direttamente il complesso a trasferimento di carica pre-costituito. Le lunghezze d'onda di emissione possono variare nell'intervallo fra rosso e blu, a seconda di quale accettore e di quale donatore risultano accoppiati.
Polimeri di composti aromatici ed eterociclici che siano fluorescenti allo stato solido possono essere impiegati nella presente invenzione per gli strati EL. Tali polimeri possono essere usati per generare una varietà di differenti emissioni colorati. La tabella II fornisce esempi di polimeri adatti ed il coloredelle emissioni ad essi associati.
Tabella II
POLIMERO COLORE DELL'EMISSIONE Poli(para-fenilenevinilene) dablu averde
poli(dialcossifenilenevinilene) rosso/arancio
poli(tiofene) rosso
poli(fenilene) blu
poli(fenilacetilene) dagiallo a rosso poli{N-vinilcarbazolo) blu
I chelati misti di terre rare che devono essere usati nella presente invenzione comprendono qualsiasi elemento lantanidico (ad esempio La, Pr. Nd, Sm, Eu, e Tb) legato ad un legante bidentato aromatico o eterociclico. Il legante bidentato serve a trasportare portatori di carica (ad esempio elettroni) ma non assorbe l'energia di emissione. Così, i leganti bidentati servono a trasferire energia al metallo. Esempi di legante per chelati misti di terre rare comprendono aldeide saliciliche e loro derivati, acido salicilico, chinolati, leganti di basi di Schiff, acetilacetonati, fenantrolina, bipiridina, chinolina e piridina. Gli strati a trasporto di lacune 20H, 21H e 22H possono comprendere un composto porforinico . In più , gli strati a trasporto di lacune 20H, 21H e 22H possono avere almeno un 'ammina terziaria aromatica a trasporto di lacune che è un composto che contiene almeno un atomo di azoto trivalente che è legato solo ad atomi di carbonio, almeno uno dei quali è un elemento di un anello aromatico. Ad esempio, l 'ammina terziaria aromatica può essere un’arilammina, quale una monoarilammina , una diarilammina, una triarilammina, oppure una arilammina polimerica. Altre ammine terziarie aromatiche adatte, nonché tutti i composti porfirinici, vengono descritti in Tang et al. , brevetto U.S. n. 5.294 ,870, i cui insegnamenti vengono qui incorporati nella loro interezza come riferimento, a patto che qualcuno di questi insegnamenti non sia inconsistente con qualche insegnamento di questo brevetto. La Fabbricazione di un pixel tricolore a LED di tipo organico ed impilato secondo la presente invenzione può essere compiuta secondo uno fra due processi: un processo di mascheramento ad ombre oppure un processo di incisione a secco. Ambedue i processi da descriversi assumono, a scopo illustrativo, che la costruzione del LED sia a doppia eterostruttura, cioè, che si utilizzi un solo strato di composto organico per ogni strato attivo di emissione , con la luce che emerge dalla superficie inferiore del substrato di vetro. Si deve capire che i LED di tipo organico a etero-giunzioni multiple aventi strati di composti organici per ogni strato di emissione attivo, e/o strutture invertite {con la luce che emerge dalla superficie superiore della pila) possono essere anche fabbricati da un tecnico esperto del ramo con leggere variazioni ai processi qui descritti.
Le fasi del processo di mascheramento ad ombre secondo la presente invenzione vengono illustrate nelle figure 12(A-E). Un substrato 50 di vetro che deve essere rivestita con uno strato di ITO 52 viene dapprima pulito per immersione del substrato 50 stesso in tricloroetilene bollente o in un idrocarburo clorurato simile per circa cinque minuti. Questa operazione viene seguita da un lavaggio in acetone per circa cinque minuti e poi in alcool metilico per approssimativamente cinque minuti. Il substrato 50 viene poi reso asciutto investendolo con una corrente di azoto ad altissima purezza (UHP). Tutti i solventi di lavaggio usati sono preferibilmente "a gradazione per elettronica". Dopo la procedura di lavaggio, viene creato lo strato 52 di ITO sullo strato 50 in un impianto a vuoto utilizzando i metodi convenzionali di spruzzo o raggio elettronico.
Un LED 55 emettitore di blu (vedi figura 12B) viene poi fabbricato sullo strato 52 di ITO nel modo seguente. Una maschera 73 ad ombre viene posta su porzioni esterne predeterminate dello strato 52 di ITO. La maschera 73 ad ombre e altre maschere usate durante il processo di mascheramento ad ombre dovrebbero essere introdotte e rimosse fra i vari stadi del processo senza esporre il dispositivo a umidità, ossigeno ed altre sostanze contaminanti che ridurrebbero la durata di vita operativa del dispositivo. Questa procedura può essere effettuata cambiando le maschere in un ambiente pervaso da azoto o da un gas inerte, oppure mettendo le maschere in posizione remota sulla superficie del dispositivo nell'ambiente sotto vuoto tramite tecniche di manipolazione a distanza. Attraverso l'apertura della maschera 73 vengono depositati in seguenza uno strato 54 a trasporto di lacune (HTL) spesso 50-100 A e uno strato 56 (mostrato in figura 12B) ad emissione di blu (EL) spesso 50-200 A senza esporli all'aria, cioè sotto vuoto. Sullo strato EL 56 viene poi depositato uno strato 58 a trasporto di elettroni (ETL) che ha preferibilmente uno spessore di 50 - 1000 A. Lo strato ETL 58 viene poi chiuso superiormente con uno strato 60M di metallo semitrasparente che può essere preferibilmente costituito da uno strato al 10 % di Ag e al 90 % di Mg, oppure, ad esempio da uno strato di metallo a bassa funzione di lavoro o di lega metallica. Lo strato 60M è molto sottile, preferibilmente meno di 100 A. Gli strati 54. 56.
58 e 60M possono venir depositati secondo una qualsiasi tecnica convenzionale di deposizione direzionata quale deposizione in fase vapore, deposizione con raggio ionico, deposizione con raggio elettronico, spruzzo e ablazione con laser.
Uno strato 60I di contatto di ITO spesso circa 1000-4000 A viene poi formato sullo strato metallico 60M per mezzo di metodi convenzionali a spruzzo o a raggio elettronico. Per attuale convenienza, si farà riferimento agli strati a sandwich 60M e 60I. e di essi verrà data illustrazione, come un singolo strato 60, che è sostanzialmente lo stesso strato 26 della figura 2. La porzione 60M di metallo a bassa funzione di lavoro di ogni strato 60 è direttamente a contatto con lo strato ETL che si trova al di sotto di esso, mentre lo strato 601 di ITO è a contatto con lo strato HTL immediatamente al di sotto dello stesso. Si noti che l'intero processo di fabbricazione del dispositivo viene compiuto al meglio mantenendo il vuoto per tutta la sua durata senza interrompere lo stato di vuoto fra una fase e l'altra.
La figura 12C mostra un LED 65 ad emissione verde che viene fabbricato al di sopra dello strato 60 usando sostanzialmente le stesse tecniche di mascheramento ad ombre e di deposizione che vengono usate per fabbricare il LED 55 ad emissione 55- Il LED 65 comprende lo strato 62 HTL, lo strato 64 ad emissione verde e lo strato ETL 66. Un secondo strato 60M di metallo sottile {spesso meno di 100 A, abbastanza sottile per essere semi-trasparente ma non cosi sottile da perdere la continuità elettrica) viene depositato sullo strato 66 ETL, seguito da un altro strato 601 di ITO spesso 1000-4000 A per formare un secondo strato 60 a sandwich.
In figura 12D viene mostrato un LED 75 emettitore di rosso fabbricato sullo strato 60 (sullo strato 60I per essere precisi) usando metodi simili di mascheramento ad ombre oppure di deposizione metallica. Il LED 75 emettitore di rosso comprende uno strato HTL 70. uno strato EL 72 emettitore di rosso e uno strato ETL 74. Uno strato 60 a sandwich di strati 601 e 60M viene poi ad essere formato sul LED 75. Come è stato sopra descritto per la forma di realizzazione di figura 2, similmente, lo strato 601 trasparente di ITO posto in cima può in una forma di realizzazione alternativa essere sostituito da un appropriato elettrodo metallico che serve anche per funzionare come specchio per riflettere indietro verso l'alto attraverso il substrato 50 la luce, diminuendo cosi le perdite di luce dalla parte superiore del dispositivo. Ogni strato ETL 74 , 66 e 58 ha uno spessore di 50-200 A; ogni strato HTL 54, 62 e 70 è spesso 100-500 A; e ogni stato EL 56, 64 e 72 è spesso 50-1000 A. Per una brillantezza ed efficienza ottimale lo spessore di ogni strato che include gli strati di ITO/metallo dovrebbe essere tenuto più vicino possibile verso la estremità inferiore degli intervalli di cui sopra.
La formazione dei contatti elettrici 51 e 59 sullo strato 52 di ITO e dei contatti elettrici 88, 89, 92, 94 e 96 sulla porzione 601 di ITO degli strati 60 di ITO/metallo viene poi effettuata preferibilmente in un unico stadio. Questi contatti elettrici possono essere di indio, platino, oro, argento oppure loro combinazioni quali Ti/Pt/Au, Cr/Au o Mg/Ag. Essi possono essere depositati tramite tecniche di deposizione a vapore o altre tecniche di deposizione di metallo adatte, dopo aver coperto con maschera il resto del dispositivo.
La fase finale del processo di mascheramento ad ombre consiste nel rivestire l'intero dispositivo con uno strato isolante 97 così come mostrato in figura 12E, con l'eccezione di tutti i contatti metallici 51, 59. 88.89. 92, 94 e 96 che vengono coperti con la maschera. Lo strato isolante 97 è impervio nei confronti di umidità, ossigeno ed altri contaminanti, in modo da prevenire la contaminazione dei LED. Lo strato isolante 97 può essere di SiCO2. un nitruro di silicio quale oppure un altro isolante depositato tramite raggio elettronico, spruzzo oppure CVD intensificato con pirolisi o con plasma. La tecnica di deposizione usata non dovrebbe elevare la temperatura del dispositivo al di sopra dei 120 °C dal momento che queste alte temperature possono degradare le caratteristiche del LED.
Il processo di incisione a secco per fabbricare la pila di LED secondo la presente invenzione viene illustrato nelle figure 13(A-F). Facendo riferimento alla figura 13A, un substrato di vetro 102 viene dapprima lavato nello stesso modo con cui veniva lavato nel processo di mascheramento ad ombre sopra descritto. Uno strato 101 di ITO viene poi depositato sul substrato di vetro 102 in una apparecchiatura sotto vuoto usando metodi convenzionali di spruzzo o di raggio elettronico. Uno strato HTL 104 , uno EL blu 105, uno ETL 106 ed uno strato a sandwich comprendente uno strato di metallo 107M e uno strato di ITO 107I. tutti aventi in generale gli stessi spessori di quelli del processo di mascheramento ad ombre, vengono poi depositati sulla superficie intera dello strato 101 di ITO, usando o la convenzionale deposizione sotto vuoto oppure nel caso di polimeri tecniche di rivestimento a spin o a spray. Lo strato 107 a sandwich di ITO/metallo comprende uno strato 107M di metallo a bassa funzione di lavoro spesso meno di 100 A depositato direttamente sullo strato ETL 106, ed uno strato 107I di ITO spesso 1000-4000 A sullo strato metallico 107M. Sull'intera superficie superiore dello strato 107I di ITO. viene depositato uno strato spesso 1000-2000 A di nitruro di silicio oppure di diossido di silicio come sostanza di mascheramento, usando CVD a plasma a bassa temperatura. Uno strato 109 di fotoresist positivo quale il HPR 1400 J viene poi spalmato sullo strato 108 di nitruro di silicio. Come viene illustrato in figura 13B, le porzioni esterne 110 (vedi figura 13A) dello strato 109 di fotoresist vengono esposte e rimosse usando processi fotolitografici standard. Le porzioni esterne 110 esposte corrispondono alle aree in cui lo strato 101 di ITO che sta sul fondo deve essere esposto e posto in contatto elettrico. Facendo riferimento a figura 13C, le regioni esterne 111 (definite in figura 13B) dello strato 108 di nitruro di silicio corrispondenti alle aree di fotoresist rimosse, vengono rimosse usando un plasma Poi, usando una tecnica di macinazione a ioni oppure un'altra incisione a plasma, le porzioni esterne esposte degli strati 107I e 107M di ITO/metallo vengono rimosse. Un plasma di O2 viene poi impiegato per rimuovere in sequenza la corrispondente porzione esterna rispettivamente dello strato ETL 106, dello strato EL 105 e dello strato HTL 104, e anche per rimuovere lo strato 109 di fotoresist rimanente mostrato in figura 13D. Infine, si applica ancora un plasma per rimuovere la maschera 108 di nitruro di silicio, ottenendosi la configurazione risultante di LED blu illustrata in figura 13D. La stessa sequenza di stadi di processo ad incisione a secco viene utilizzata per fabbricare un LED 115 verde al di sopra del LED blu, con l'eccezione che il SiNx 150 viene sovrapposto come mostrato, seguito da una maschera 113 di fotoresist come mostrato in figura 13E per mascherare la porzione esterna dello strato 101 di ITO. Poi si compie la deposizione dello strato HTL 114, dello strato EL verde 116, e così via (vedi figura 13F). La stessa fotolitografia e le tecniche di incisione usate per la fabbricazione del LED blu vengono poi impiegate per completare la formazione del LED 115 verde. Il LED 117 rosso viene poi formato al di sopra del LED verde usando sostanzialmente lo stesso processo di incisione a secco. Uno strato 119 di passivazione simile allo strato 97 della figura 12E viene poi depositato al di sopra della pila di LED con un disegno adatto ad esporre i contatti elettrici, cosi come veniva descritto per il processo di mascheramento ad ombre. Viene usata una maschera di fotoresist per permettere la incisione a secco di buchi nello strato 119 di passivazione. Successivamente, del metallo 152 viene depositato nei buchi. Uno strato finale di fotoresist e il metallo in eccesso vengono rimossi tramite un processo di "lift-off".
Successivamente alla fabbricazione della pila di LED, sia che essa sia stata effettuata con un metodo a mascheramento ad ombre, con un metodo ad incisione a secco o con un altro metodo, la pila deve essere imballata in modo appropriato per conseguire una accettabile performance e affidabilità da parte del dispositivo. Le figure l4 (A-C) illustrano forme di realizzazione dell ' invenzione che facilitano l'operazione di imballaggio e rendono possibile un imballaggio ermetico per un numero ad esempio fino a quattro di dispositivi LED multicolori dell ' invenzione . Gli stessi numeri di riferimento usati nelle figure l4(A-B) indicano le rispettive caratteristiche che sono identiche di figura 12E. L'imballaggio può essere usato anche con la struttura pressoché identica di figura 13F. Riferendoci a figura l4A, dopo aver ricoperto l'intero dispositivo con uno strato isolante 97. quale ad esempio SiNx. vengono creati dei buchi di accesso 120, 122 e 124 usando tecniche note di incisione/mascheramento per esporre gli strati metallici più in alto 60M', 60M" e 60M'", rispettivamente dei dispositivi LED (diodo emettitore di luce di tipo organico) blu, verde e rosso di questo esempio. Dopo questa operazione, dei percorsi circuitali 126, 128 e 130 in metallo adatto (tipicamente in oro), vengono depositati in un percorso che va rispettivamente dagli strati metallici 60Μ', 60M" e 60M'" a rispettivi cordoni di saldatura in indio 132, 133 e 134, ben delimitati per quanto riguarda il loro contorno, usando stadi di processo convenzionali. Similmente, una terminazione elettrodica con funzione di anodo viene fornita dal percorso circuitale 135 in metallo (ad esempio Au), configurato in modo da avere una estremità interna che è a contatto con lo strato 52 di ITO, ed una estremità esterna che finisce in corrispondenza di un cordone di saldatura 136 in indio a bordi delimitati, il tutto conseguito per mezzo di un processo di lavorazione convenzionale. Il dispositivo viene poi ricoperto con ulteriore materiale isolante quale SiNx per fermare una copertura isolata con cordoni di saldatura 132, 133, 134 e 136 che risultano esposti lungo un bordo. In questo modo, il dispositivo LED di tipo organico può essere velocemente imballato usando tecniche convenzionali, ovvero la forma di realizzazione dell'imballaggio secondo la presente invenzione cosi come viene descritto immediatamente qui di seguito.
Verrà ora descritto un metodo per fabbricare quattro dispositivi LED multicolore su di un substrato comune 50 in una configurazione imballata, riferendosi alle figure 14A, 14B e 14C, rispettivamente, per descrivere un'altra forma di realizzazione della presente invenzione. Il materiale di partenza comprende un substrato 50 di vetro rivestito da uno strato 152 soprastante di ossido di stagno e di indio (ITO) . Si utilizzano le seguenti fasi di lavorazione per ottenere la matrice di LED organici multicolore imballata:
1. Si maschera lo strato 52 di ITO per depositarvi uno strato 138 di SÌO2 in una configurazione che in questo esempio è ad anelli a nastro quadrati concentrici (si possono impiegare altre tipologie di disegno), sulla parte superiore dello strato 52 di ITO usando tecniche convenzionali.
2. Si formano quattro pile di LED a tre colori che condividono strati comuni nella regione 140 dello strato 138 di SiO2 usando metodi quali quelli sopra insegnati per ottenere, ad esempio, una delle strutture secondo le figure 12E oppure 13F. e 14A.
3- Si depositano tramite mascheramento ad ombre i contatti metallici 170 fino a 181; ognuno terminante in corrispondenza della sua estremità più esterna sullo strato 138 di Si02, per dar luogo a cuscinetti di connessione o di legame elettrico esterno indicati rispettivamente coi numeri da 170 a l8l. Si noti che i contatti 126, 128 e 130 di figura 14A sono gli stessi contatti 170-181 che si trovano rispettivamente in successione di tre a tre. Ogni gruppo di tre contatti, nella fattispecie da 170 a 172, da 173 a 175. da 176 a 178, e da 179 a 181, termina in corrispondenza della propria estremità o esterna o di altro genere, in modo da dar luogo ad una connessione elettrica con gli strati metallici 6θΜ', 60M", 6θΜ'", rispettivamente, di ognuno dei quattro dispositivi LED organici. Un altro contatto metallico 182 viene depositato per mezzo di mascheramento ad ombre su di un bordo dello strato 52 di ITO comune a tutti e quattro i dispositivi LED, per dar luogo, in questo esempio, ad una comune connessione di tipo anodico. Si noti che se, attraverso un appropriato mascheramento ed una appropriata incisione, i quattro dispositivi LED vengono creati in strati completamente indipendenti, dovranno essere previsti rispettivamente quattro contatti di tipo anodico, per quest'ultima matrice, la quale può essere fatta funzionare in modalità multiplex. La matrice di LED multicolori che viene descritta in questo esempio, è una matrice di tipo non multiplex.
4. Si deposita, ad esempio per mezzo di mascheramento ad ombre, un secondo strato 184 di SiO2 in un nastro o anello continuo, lasciando esposti cuscinetti leganti indicati da 170' fino a 180 usando, ad esempio, o tecnica a spruzzo, oppure CVD intensificato con plasma, oppure deposizione con raggio elettronico.
5. Si deposita del Pb-Sn oppure un altro saldante basso-fondente in un nastro o anello continuo 186 sulla parte superiore del secondo strato o nastro 184 di SiCO2·
6. Si deposita sul fondo di un vetro di copertura 188 un anello di metallo 190 che deve essere coincidente con l’anello sigillante 186 di saldante.
7- Si appone il vetro 188 di copertura sull'intera costruzione, come viene mostrato in figura 14B, con l'anello metallico 190 che confina con l' anello 186 di saldante.
8. Si pone l'intera costruzione in un'atmosfera di gas inerte, quale azoto secco, e si applica calore per far fondere l'anello 186 di saldante in modo tale da ottenere una guarnizione a tenuta contro l'ingresso di aria, con il gas inerte che resta intrappolato nella regione più interna 192.
Facendo riferimento alla figura 15. in essa viene mostrato un display 194 che è un display a LED di tipo organico RGB. I puntini 195 sono delle ellissi. Un display completo quale quello indicato con 194 comprende una pluralità di pixel quali i 196. I pixel sono organizzati sotto forma di una matrice XY per coprire l'intera area superficiale di un foglio di vetro rivestito con ITO. Ogni pixel comprende una struttura di LED a pila quale quella mostrata in figura 2. Invece di avere mezzi di polarizzazione fissi quali batterie 30. 31 e 32, (figura 2), ognuna delle linee di terminali indicate in figura 2 come blu (0), verde (G) e rossa (R) viene portata verso l'esterno e accoppiata rispettivamente con opportuni processori 197 e 198 a scansione verticale ed orizzontale, il tutto sotto il controllo di un generatore 199 di display che può essere un unità televisiva. In accordo con ciò, ogni matrice di LED ha almeno due assi (x.y) e ogni LED è situato in corrispondenza dell'intersezione di almeno due degli assi. Inoltre l'asse x può rappresentare un asse orizzontale e l'asse y un asse verticale. Ora è cosa ora ben nota la conversione dei segnali televisivi quali i segnali NTSC nei componenti di colore R, G e B per display a colori. I monitor per computer che usano il rosso, il verde ed il blu come colori primari, sono anch'essi ben noti. Risulta parimenti noto l'azionamento ed il controllo di tali dispositivi per mezzo di tecniche di scansione verticale ed orizzontale. L'intera matrice delle strutture di pixel depositate sulla superficie dello schermo viene scansionata impiegando tecniche tipiche di scansione XY così come usando tecniche ad indirizzamento XY. Queste tecniche vengono usate in display a matrice attiva.
Si può usare la modulazione dell'ampiezza dell'impulso per dare un valore di energia differente agli input nel rosso, nel verde e nel blu di ognuno dei pixel a LED DH secondo il contenuto del segnale desiderato. In questo modo, si accede e ci si indirizza ad ogni LED in ogni linea del display in maniera selettiva, ove questi vengono eccitati per mezzo di molti mezzi, quali segnali a modulazione di ampiezza di impulso, oppure tensioni generate secondo un profilo a scala per permettere a questi dispositivi di emettere colori singoli o colori multipli, in modo tale che la luce emessa a partire da dette strutture crei un'immagine avente una forma ed un colore predeterminati. Inoltre, si può scansionare in maniera seriale ogni asse x e y, e fornire energia in maniera seriale a LED scelti nella matrice in modo tale che essi emettano luce e producano un'immagine con colori creati in modo seriale secondo linee verticali. Ai LED selezionati si può fornire energia simultaneamente.
Come indicato sopra, la tecnica di stratificazione verticale mostrata in figura 2 permette la fabbricazione di pixel a LED DH a tre colori in aree estremamente ridotte. Questo permette di dar vita a display ad alta definizione come i display che hanno da 300 a 600 linee per pollice di risoluzione o valori ancora superiori. Tale alta definizione non sarebbe ottenibile usando le tecnica dello stato dell'arte in cui gli strati organici ad emissione ovvero i mezzi fluorescenti che generano i differenti colori sono disposti lateralmente a distanza l'uno dagli altri. In base agli standard moderni, si può dar vita ad un dispositivo LED quale quello mostrato in figura 2, con un'area efficace piccola abbastanza per permettere a centinaia di diodi pixel di essere impilati verticalmente e orizzontalmente in un'area pari a un pollice quadro. Perciò, le tecniche di fabbricazione rendono possibile il raggiungimento di una risoluzione estremamente alta con una intensità di luce molto alta.
In figura 16 viene mostrata un’altra forma di realizzazione della presente invenzione per un dispositivo LED multicolore che comprende la disposizione in pila di un numero fino ad N di LED singoli, ove N è un numero intero 1, 2, In un qualsiasi momento futuro N avrà un limite pratico che sarà funzione del corrispondente stato della tecnologia. I livelli N impilati di LED possono, ad esempio, essere creati usando o gli stadi di processo con mascheramento ad ombre precedentemente descritti per le Figure 12(A-E) oppure il processo di incisione a secco illustrato nelle figure 13A fino a 13F. La porzione di base o di fondo della matrice impilata di figura 16 è un substrato 102 di vetro come viene ad esempio mostrato in figura 13F, con uno strato 101 di ITO che viene costituito al di sopra del substrato 102. In questo esempio il primo dispositivo LED immediatamente sovrastante ed i dispositivi LED successivi comprendono in successione al di sopra dello strato 101 di ITO uno strato HTL 154, uno strato EL 156, uno strato 158 ETL, uno strato di metallo l60, ed uno strato 162 di ITO. Il dispositivo LED 164 del livello N-esimo comprende inoltre uno strato metallico che viene a trovarsi in cima (vedi lo strato 152 di figura 13F) creato al di sopra del suo strato 162 di ITO che si trova più in alto di tutti. Uno strato 119 di passivazione viene depositato al di sopra della pila, come nella pila colorata di figura 13F. La sostanza di ogni strato EL 156 di ogni dispositivo LED viene scelta in modo tale da fornire un colore particolare al LED associato. Cosi come nel dispositivo a tre colori, i dispositivi a lunghezza d'onda minore (blu) devono essere posizionati nella pila al di sotto dei dispositivi a lunghezza d'onda maggiore (rosso) per evitare l'assorbimento ottico da parte degli strati emettitori di rosso. Il colore scelto per ogni LED e il numero effettivo di LED impilati dipendono dalla applicazione specifica, e dai colori e dalla capacità di ombreggiamento che si desidera siano conseguiti. Tali dispositivi multicolore possono essere usati anche in reti di comunicazione ottica, in cui ogni differente canale ottico viene trasmesso usando una differente lunghezza d'onda emessa da un dato dispositivo nella pila. La natura inerente concentrica della luce emessa permette l'accoppiamento di parecchie lunghezze d'onda in una singola fibra ottica per trasmissione. In tali matrici impilate, vengono creati dei buchi d'accesso giù fino allo strato 162 di ITO di ogni dispositivo, lavorazione seguita dalla deposizione di un appropriato strato di metallo per facilitare l'imballaggio e la connessione elettrica ad ognuno dei dispositivi LED nella pila, in maniera simile, ad esempio, a quella descritta per il dispositivo LED multicolore a pila delle figure 14A, 14B e 14C.
Questo dispositivo può essere usato per creare un display a pannello piatto a colore pieno di qualsiasi dimensione, a basso costo, ad alta risoluzione e ad alta brillantezza. Questo amplia l'ambito della presente invenzione a display grandi come un edificio o della dimensione di qualche millimetro. Le immagini create sul display possono corrispondere ad un testo oppure ad illustrazioni a colore pieno, in una qualsiasi risoluzione a seconda della dimensione del singolo LED.
Persone esperte nel ramo possono individuare svariate modifiche alle forme di realizzazione della presente invenzione qui descritte ed illustrate. Si intende che tali modifiche sono coperte dallo spirito e dall'ambito delle rivendicazioni qui allegate. Ad esempio un dispositivo a LED multicolore a pila, come quello innanzi descritto a tre colori di figura 2, in un'altra forma di realizzazione della presente invenzione, può essere creato formando il LED 20 da un dispositivo polimerico quale quello mostrato in figura 1C, oppure da un film di fosfonato di metallo depositato piuttosto che depositare tutti e tre gli strati sotto vuoto. I due rimanenti due LED impilati verrebbero creati tramite deposizione da fase vapore.
Claims (111)
- RIVENDICAZIONI 1. Una struttura di dispositivo emettitore di luce multicolore (LED), comprendente: una pluralità di almeno un primo ed un secondo dispositivo organico emettitore di luce (LED) impilati uno sopra l'altro, per formare una struttura a strati, con ogni LED separato dall'altro da una strato conduttivo trasparente per abilitare ogni dispositivo a ricevere un potenziale di polarizzazione per funzionare ad emettere luce attraverso la pila.
- 2. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 1, in cui ognuno dei detti LED emette una luce di lunghezza d’onda differente e quindi un colore diverso quando polarizzato.
- 3- La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 1, comprendente almeno da un primo ad un terzo dispositivo emettitore di luce posti rispettivamente uno sull'altro.
- 4. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 3, in cui detto primo dispositivo emette il colore blu (B), detto secondo dispositivo emette il colore verde (G) ed il terzo dispositivo emette il colore rosso (R).
- 5- La struttura del diodo emettitore di luce multicolore della rivendicazione 4, in cui detti dispositivi sono impilati nella seguente sequenza lungo l'asse verticale partendo da un punto in fondo e diretti verso l'alto, in cui il primo dispositivo emette un colore blu, ed ha il secondo dispositivo, per emettere un colore verde, situato nella parte superiore della superficie superiore di detto dispositivo emettente blu, con il terzo dispositivo per emettere un colore rosso situato in cima alla superficie superiore di detto dispositivo che emette il verde, ove detto dispositivo emettitore di blu della lunghezza d'onda più corta è in fondo ed il dispositivo emettitore di rosso della lunghezza d'onda maggiore è in cima quando la struttura è allineata verticalmente.
- 6. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 1, in cui ogni dispositivo LED è un dispositivo a doppia eterostruttura trasparente (DH) fabbricato a partire da sostanze organiche.
- 7. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 1, in cui ogni dispositivo LED è un dispositivo a eterostruttura singola trasparente fabbricato a partire da sostanze organiche.
- 8. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 6, in cui detto strato conduttore trasparente comprende ossido di indio e stagno (ITO).
- 9- La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 7. in cui il sovracitato strato conduttore trasparente comprende ossido di indio e stagno (ITO).
- 10. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 3. in cui almeno detti primo, secondo e terzo LED organici sono impilati in ordine successivo sopra un substrato comune.
- 11. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 10, in cui detto substrato è alla base di detta struttura del LED, ed uno strato superiore di detto terzo LED organico incluso è costituito da materiale di ossido di stagno di indio (ITO) che serve come contatto per uno strato di materiale metallico sottostante.
- 12. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 6, in cui detto strato conduttivo trasparente comprende uno strato metallico avente una funzione di lavoro inferiore a circa quattro elettron volt, e uno strato di ITO su detto strato metallico.
- 13. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 6, in cui detto materiale organico è scelto dal gruppo comprendente complessi metallici trivalenti di chinolato, da complessi a ponte metallici trivalenti di chinolato, da complessi divalenti di metallo di basi di Schiff, da complessi metallici di stagno (iv), da complessi metallici di acetilacetonato, da complessi metallici a legante bidentato, da bifosfonati, da complessi metallici divalenti di maleonitrileditiolato, da complessi molecolari a trasferimento di carica, da polimeri aromatici ed eterociclici, e da chelati misti di terre rare.
- 14. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 13, in cui i complessi metallici trivalenti di quinolato hanno la formula seguente: in cui R è scelto dal gruppo comprendente idrogeno, alchile sostituito e non sostituito, arile ed un gruppo eterociclico, L rappresenta un legante selezionato dal gruppo comprendente picolilmetilchetone; aldeide salicilica sostituita e non sostituita; un gruppo della formula R(0)C0- in cui R è come definito sopra; alogeno; un gruppo della formula R0- in cui R è come definito sopra;e quinolati e loro derivati.
- 15· La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 13, in cui i complessi metallici di legante bidentato hanno la seguente formula: in cui M è selezionato dai metalli trivalenti dei Gruppi 3 - 13 della Tavola Periodica e dei Lantanidi, D è un legante bidentato e L4 è selezionato dal gruppo comprendente acetonato; composti della formula in cui è Si o C e R è scelto dal gruppo comprendente idrogeno, alchile sostituito e non sostituto, arile, ed un gruppo eterociclico; 3, 5-di(t-butil) fenolo; 2, 6-di(tbutil) fenolo; 2. 6-di(t-butil) cresolo ed un composto di formula
- 16. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 15, in cui D è scelto dal gruppo comprendente di 2-picolilchetoni, 2-chinaldilchetoni e chetoni di 2-(o-fenossi) piridina.
- 17. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 13, in cui i complessi metallici divalenti di basi di Shiff vengono scelti tra quelli aventi la formula: in cui M1 è un metallo divalente scelto dai Gruppi 2-12 della Tavola Periodica, è scelto dal gruppo comprendente: in cui X è scelto dal gruppo comprendente idrogeno, alchile, alcossi ognuno avente da 1 a 8 atomi di carbonio, arile, un gruppo eterociclico, fosfino, alogeno e ammina.
- 18. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 13 in cui i polimeri aromatici ed eterociclici vengono scelti dal gruppo comprendente poli(parafenilene vinilene), poli(dialcossifenilene vinilene), poli(tiofene), poli(fenilene), poli(fenilacetilene) e poli(N-vinilcarbazolo).
- 19- La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 13. in cui i chelati misti di terre rare comprendono un lantanide legato ad un gruppo aromatico bidentato oppure eterociclico.
- 20. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 19 , in cui il gruppo aromatico bidentato oppure eterociclico viene scelto dal gruppo comprendente aldeidi saliciliche e loro derivati , acido salicilico , chinolati , leganti di basi di Schiff , acetilacetonati , fenantrolina, bipiridina, chinolina e piridina.
- 21. La struttura del dispositivo emettitore di luce secondo la rivendicazione 19 , in cui i complessi metallici divalenti di maleonitrileditiolato hanno la formula in cui è un metallo avente carica 2, Y<1 >viene scelto dal gruppo comprendente ciano e fenile sostituito e non sostituito, e e un gruppo senza carica.
- 22. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 21, in cui è un gruppo dalla formula P(0R)3 oppure P(R)3 in cui R viene scelto dal gruppo comprendente idrogeno, alchile sostituito e non sostituito, arile ed un gruppo eterociclico.
- 23- La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 13. in cui i bifosfonati hanno la formula in cui è uno ione metallico e organico rappresenta un composto fluorescente aromatico o eterociclico reso bifunzionale con gruppi di fosfonato.
- 24. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 13. in cui i complessi metallici trivalenti a ponte di chinolato hanno la formula in cui M è uno ione metallico trivalente e Z è scelto fra SiR oppure P=0 in cui R viene scelto dal gruppo comprendente idrogeno, alchile sostituito o non sostituito, arile oppure un gruppo eterociclico.
- 25. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 13, in cui i complessi metallici di stagno (iv) hanno la formula in cui viene scelto dal gruppo comprendente aldeidi saliciliche, acido salicilico, e chinolati e viene scelto dal gruppo che comprende alchile sostituito e non sostituito, arile ed un gruppo eterociclico.
- 26. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 13. in cui i complessi molecolari a trasferimento di carica comprendono un elettron accettore complessato con un elettron donatore.
- 27. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 1, in cui detti dispositivi vengono impilati in un ordine che dipende ed è in accordo con la loro rispettiva lunghezza d'onda di emissione e la loro caratteristica di assorbimento.
- 28. Il dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 2, in cui il LED a lunghezza d'onda maggiore sta in cima alla pila secondo la direzione verticale seguito in successione da LED a lunghezza d'onda più corta, con il LED a lunghezza d'onda minore posto in fondo alla pila.
- 29. Una struttura di dispositivo emettitore di luce emettitore comprendente: uno strato di substrato trasparente su una delle cui superfici è stato depositato un primo rivestimento conduttore trasparente; un primo dispositivo emettitore di luce depositato su detto primo rivestimento conduttore trasparente; un secondo rivestimento conduttore trasparente depositato sulla superficie di detto primo dispositivo non in contatto con detto primo rivestimento; un secondo dispositivo emettitore di luce depositato sulla superficie di detto secondo rivestimento; un terzo rivestimento conduttore trasparente depositato sulla superficie di detto secondo dispositivo non in contatto con detto secondo rivestimento; un terzo dispositivo emettitore di luce depositato sulla superficie di detto terzo rivestimento; e un ulteriore rivestimento conduttore depositato sulla superficie di detto terzo dispositivo non in contatto con detto terzo rivestimento.
- 30. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 29. in cui detto primo, secondo, terzo e quarto rivestimento conduttore sono adattati per ricevere ognuno sorgenti separate di potenziale di polarizzazione.
- 31. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 29, in cui detti dispositivi e strati conduttori sono depositati in modo tale da formare un profilo a scalino, ove detto substrato trasparente è di lunghezza maggiore rispetto a detto primo dispositivo, detto primo dispositivo essendo di lunghezza maggiore rispetto a detto secondo dispositivo, detto secondo dispositivo essendo di lunghezza maggiore rispetto a detto terzo dispositivo, in cui ogni gradino è coperto da detto rispettivo rivestimento conduttore adattato per applicare tensioni di funzionamento a dette strutture di dispositivo, e in cui detto primo fino a detto terzo rivestimento conduttore trasparente permettono alla luce emessa da uno qualsiasi di detti dispositivi di passare attraverso detto strato di substrato trasparente.
- 32. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 29, in cui detto ulteriore rivestimento conduttore comprende un terzo metallo che riflette la luce diretta verso l'alto indietro verso detto substrato.
- 33- La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 32, in cui detto ulteriore rivestimento conduttore comprende ulteriormente uno strato relativamente sottile di ossido di indio e stagno (ITO) fra detto metallo spesso e detta superficie di detto terzo dispositivo non in contatto con detto terzo rivestimento, detto strato di ITO servendo come da contatto per lo strato di materiale metallico sottostante di detto terzo dispositivo a diodo emettitore di luce.
- 34. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 29, in cui detto substrato trasparente è vetro, detto primo rivestimento conduttore è ossido di indio e stagno (ITO), e ognuno di detti secondo, terzo e ulteriore rivestimento conduttore sono costituiti da uno strato di ITO disposto su di uno strato metallico che a bassa funzione di lavoro.
- 35. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 29 , in cui ognuno di detti dispositivi è una doppia eterostruttura {DH) , ove detto primo dispositivo è funzionante quando lo si polarizzi per fargli emettere luce blu (B ) , detto secondo dispositivo è funzionante quando lo si polarizzi per fargli emettere luce verde ( G ) , detto terzo dispositivo è funzionante quando lo si polarizzi per fargli emettere luce rossa (R).
- 36. La struttura del dispositivo di luce multicolore secondo la rivendicazione 35. in cui ogni struttura DH è costituita da compostiorganici.
- 37- La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 29,in cui ognuno di detti dispositivi è una eterostruttura singola (SH),ove detto primo dispositivo è funzionante quando lo si polarizzi per fargli emettere luce blu (B), detto secondo dispositivo è funzionante quando lo si polarizzi per fargli emettere luce verde (G), detto terzo dispositivo è funzionante quando lo si polarizzi per fargli emettere luce rossa (R).
- 38. La struttura del dispositivo emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 29, in cui ognuno di detti dispositivi è una struttura polimerica, ove detto primo dispositivo è funzionante quando lo si polarizzi per fargli emettere luce blu (B), detto secondo dispositivo è funzionante quando lo si polarizzi per fargli emettere luce verde (G), detto terzo dispositivo è funzionante quando lo si polarizzi per fargli emettere luce rossa (R).
- 39-Un display multicolore comprendente: una pluralità di strutture di pixel di dispositivi emettitori di luce multicolore, organizzate in righe e colonne per dar luogo ad una superficie di display costituita da almeno una struttura di dispositivo di luce multicolore, in cui ogni struttura di dispositivo comprende primi, secondi e terzi dispositivi emettitori di luce (LED) impilati l'uno sull'altro a formare una struttura stratificata, ogni LED essendo separato da uno strato conduttore trasparente ed ove detto display può essere polarizzato per mezzo di detti strati conduttori per far sì che detti dispositivi emettitori di luce multicolore emettano luce quando sono polarizzati.
- 40. Il display multicolore secondo la rivendicazione 39. in cui detto primo LED emette luce blu (B), detto secondo LED emette luce verde (G) e detto terzo LED emette luce rossa (R).
- 41. Il display multicolore secondo la rivendicazione 39. in cui ogni dispositivo LED è un dispositivo a eterostruttura doppia (DH) capace di emettere luce in funzione di un composto organico impiegato in detto dispositivo.
- 42. Il display multicolore secondo la rivendicazione 39. in cui ognuno di detti dispositivi LED è un dispositivo a eterostruttura singola (SH) capace di emettere luce in funzione di un composto organico impiegato in detto dispositivo.
- 43. Il display multicolore secondo la rivendicazione 39. in cui ognuno di detti dispositivi LED è un dispositivo strutturato a polimeri capace di emettere luce in funzione di un composto organico impiegato in detto dispositivo.
- 44. Il display secondo la rivendicazione 39. in cui detta pluralità di strutture di dispositivo multicolore è organizzata in righe e colonne su di un substrato di vetro ricoperto con un sottile strato trasparente di ITO e ognuno di detti primo, secondo e terzo dispositivo LED di ogni pixel essendo posto in pila su detto substrato per formare una locazione di pixel separata.
- 45- Un metodo di fabbricazione di una struttura di dispositivo emettitore di luce (LED) multicolore comprendente le fasi di: formare un primo strato conduttore trasparente al di sopra di un substrato trasparente; depositare un primo strato a trasporto di lacune al di sopra di detto strato conduttore trasparente; depositare un primo strato emissivo di tipo organico al di sopra di detto primo strato a trasporto di lacune per dar vita ad un primo colore di emissione; depositare un primo strato a trasporto di elettroni al di sopra di detto primo strato emissivo; depositare un secondo strato conduttore trasparente al di sopra di detto primo strato a trasporto di elettroni, detto secondo strato conduttore trasparente essendo adattato per ricevere un primo potenziale di polarizzazione: depositare un secondo strato a trasporto di lacune al di sopra di detto secondo strato conduttore trasparente; depositare un secondo strato emissivo di tipo organico al di sopra di detto secondo strato a trasporto di lacune per fornire un secondo colore di emissione; depositare un secondo strato a trasporto di elettroni al di sopra di detto secondo strato emissivo; e depositare un terzo strato conduttore trasparente al di sopra di detto secondo strato a trasporto di elettroni, detto terzo strato conduttore trasparente essendo adattato per ricevere un secondo potenziale di polarizzazione.
- 46. Il metodo secondo la rivendicazione 45. che comprende ulteriormente la fase di mascherare ad ombra una regione di detto primo strato conduttore trasparente prima di depositarvi detto primo strato a trasporto di lacune in modo tale da esporre detta regione di detto primo strato conduttore trasparente, rendendo così possibile l'applicazione di detto primo potenziale di polarizzazione fra detto secondo strato conduttore trasparente e detta regione di detto primo strato conduttore trasparente.
- 47. Il metodo secondo la rivendicazione 45. che comprende ulteriormente lo stadio di asportare per incisione una regione di detto primo strato a trasporto di lacune per esporre una porzione di detto primo strato conduttore trasparente, così rendendo possibile l'applicazione di detto primo potenziale di polarizzazione fra detto secondo strato conduttore trasparente e detta porzione esposta di detto primo strato conduttore trasparente.
- 48. Un metodo di fabbricazione di un dispositivo emettitore di luce (LED) multicolore imballato ermeticamente, comprendente le fasi di: formare un primo strato conduttore trasparente al di sopra di un substrato trasparente: coprire con maschera detto primo strato conduttore per depositarvi sopra uno strato di Si02 secondo una configurazione concentrica: formare su di una porzione di detto primo strato di Si02 almeno un LED multicolore, ognuno di questi comprendendo almeno un primo ed un secondo dispositivo emettitore di luce (LED) di tipo organico impilati l'uno sull'altro per formare una struttura stratificata al di sopra di detto primo strato di Si02; depositare per mezzo di mascheramento ad ombre una pluralità di contatti metallici o percorsi circuitali ognuno avente una estremità che termina vicino ad un bordo esterno di detto primo strato Si02, e ognuno avente un'altra estremità che termina su di un singolo elettrodo di eccitazione di detto almeno un LED multicolore; depositare per mezzo di mascheramento ad ombre un secondo strato di Si02 sotto forma di un anello concentrico rispetto a detto primo strato di Si02 e al di sopra di porzioni esterne di detta pluralità di contatti metallici ma lasciandone esposte dette una estremità; depositare un anello di saldante fondente a bassa temperatura su detto secondo anello di Si02, in modo concentrico rispetto ad esso depositare sul fondo di un vetro di copertura un anello metallico posizionato in modo tale da essere coincidente con detto anello di saldante; applicare detto vetro di copertura su detto substrato e su almeno un LED multicolore, detto anello di saldante confinando con detto anello metallico su detto vetro di copertura; porre detta costruzione in un'atmosfera di gas inerte; e scaldare detto anello di saldante in modo tale da farlo fondere sia per dar vita ad una guarnizione a tenuta contro l'ingresso di aria che per intrappolare detto gas inerte in una regione interna fra il fondo di detto vetro di copertura ed il substrato sottostante.
- 49- Il metodo secondo la rivendicazione 48, in cui detta fase di formazione del LED multicolore comprende inoltre la formazione di una pluralità di dispositivi LED multicolore su detto primo strato di
- 50. Il metodo secondo la rivendicazione 48, in cui detto gas inerte comprende azoto secco.
- 51. Il metodo secondo la rivendicazione 48, in cui detto primo strato trasparente comprende ossido di stagno e indio (ITO).
- 52. Il metodo secondo la rivendicazione 51. comprendente ulteriormente la fase in cui si deposita un contatto metallico in prossimità di un bordo, andandovi sopra, di detto strato di ITO in modo tale che funzioni come elettrodo catodico.
- 53. Il metodo secondo la rivendicazione 49, comprendente ulteriormente la fase in cui si deposita un contatto metallico in prossimità di un bordo, andandovi sopra, di detto primo strato conduttore trasparente in modo tale che funzioni come elettrodo catodico.
- 54. Il metodo secondo la rivendicazione 53, in cui detto primo strato conduttore trasparente comprende ossido di indio e stagno (ITO).
- 55. Una struttura emettitrice di luce multicolore, cui si può fornire energia, comprendente: almeno tre strati di materiale conduttore: un dispositivo emettitore di luce (LED) trasparente, a cui si può fornire energia, collocato fra due rispettivi strati adiacenti di detti strati di materiale conduttore, in modo tale che detti LED siano impilati l'uno sull'altro, uno di detti strati di materiale conduttore essendo collocato fra ogni coppia di detti LED e gli altri strati di materiale conduttore essendo collocati all'esterno di detti LED; detti strati di materiale conduttore collocati fra i LED suddetti adiacenti e uno di detti strati esterni essendo sostanzialmente trasparente; e mezzi su ognuno di detti strati di materiale conduttore per permettere la connessione ad un mezzo di polarizzazione per la energicizzazione selettiva di ognuno di detti LED,
- 56. La struttura secondo la rivendicazione 55, in cui ognuno di detti LED emette un colore differente.
- 57- La struttura secondo la rivendicazione 56, in cui detti LED sono impilati in una matrice verticale.
- 58. La struttura secondo la rivendicazione 57, comprendente ulteriormente: un terzo LED in detta pila; il LED di mezzo di detti LED essendo funzionante per emettere luce ad una lunghezza d'onda predeterminata; uno degli altri LED essendo funzionante per emettere luce ad una lunghezza d’onda più lunga; e il più in basso di detti LED essendo funzionante per emettere luce di una lunghezza d'onda più corta.
- 59. La struttura secondo la rivendicazione 57, comprendente ulteriormente: un substrato trasparente; detta pila di LED e di strati materiale conduttore essendo supportata da detto substrato trasparente in un ordine che corrisponde alla lunghezza dell'onda luminosa che detti LED emettono;e in cui detto LED che emette la lunghezza d'onda più corta è il più vicino a detto substrato trasparente in modo tale che la luce emessa da ognuno di detti LED quando ad esso viene fornita energia, venga trasmessa attraverso gli altri LED e attraverso detto substrato trasparente.
- 60. La struttura secondo la rivendicazione 59, comprendente ulteriormente: uno strato di materiale anti-riflesso collocato fra detto LED che emette la lunghezza d'onda più corta e detto substrato trasparente in modo tale che la luce emessa da ognuno di detti LED quando ad esso viene fornita energia non venga riflessa da detto substrato trasparente.
- 61. La struttura secondo la rivendicazione 59. comprendente ulteriormente: uno strato di materiale riflettente adiacente a detto LED che emette la lunghezza d'onda più lunga in modo tale da riflettere la luce emessa da detto LED indietro attraverso detto substrato.
- 62. La struttura secondo la rivendicazione 55. in cui detto strato di materiale conduttore comprende ossido di indio e stagno (ITO) ed un metallo.
- 63- La struttura secondo la rivendicazione 62, in cui detto metallo ha una funzione di lavoro inferiore a quattro elettron volts.
- 64. La struttura secondo la rivendicazione 55. comprendente ulteriormente: un substrato trasparente: detta pila di LED e di strati di materiale conduttore essendo supportata da detto substrato trasparente in un ordine che corrisponde alla lunghezza dell ' onda luminosa che det to LED emette: e in cui detto LED che emette la lunghezza d'onda più corta è il più vicino a detto substrato trasparente in modo tale che la luce emessa da ognuno di detti LED quando ad esso viene fornita energia venga trasmessa attraverso l' altro LED e attraverso detto substrato trasparente con un assorbimento sostanzialmente ridotto.
- 65. La struttura secondo la rivendicazione 64, comprendente ulteriormente: uno strato di materiale anti-riflesso collocato fra detto LED che emette la lunghezza d'onda più corta e detto substrato trasparente in modo tale che la luce emessa da ognuno di detti LED quando ad esso viene fornita energia, non venga riflessa da detto substrato trasparente.
- 66. La struttura secondo la rivendicazione 64, in cui detto strato di materiale conduttore comprende ossido di indio e stagno (ITO) ed un metallo.
- 67. La struttura secondo la rivendicazione 66, in cui detto metallo ha una funzione di lavoro inferiore a quattro elettron volts.
- 68. La struttura secondo la rivendicazione 64, comprendente ulteriormente uno strato di materiale riflettente adiacente a detto LED che emette la lunghezza d'onda più lunga per riflettere la luce emessa da detto LED indietro attraverso detto substrato.
- 69. La struttura secondo la rivendicazione 55, in cui ognuno di detti LED è una eterostruttura doppia.
- 70. La struttura secondo la rivendicazione 55, in cui ognuno di detti LED è una eterostruttura singola.
- 71. Una struttura emettitrice di luce, cui può essere fornita energia, comprendente: un substrato trasparente; un primo strato di materiale conduttore dal punto di vista elettrico sostanzialmente trasparente supportato sul suddetto substrato; un dispositivo emettitore di luce (LED), trasparente cui si può fornire energia, supportato su detto primo strato di materiale conduttore dal punto di vista elettrico, ove detto LED comprende uno strato emissivo; un secondo strato conduttore dal punto di vista elettrico supportato da detto LED; e detto LED essendo funzionante per produrre luce e trasmetterla attraverso detto strato trasparente quando gli viene trasmessa energia.
- 72. La struttura secondo la rivendicazione 71, in cui detti primo e secondo strato comprendono ossido di indio e stagno.
- 73. La struttura secondo la rivendicazione 72, in cui detto secondo strato comprende ulteriormente un secondo strato di metallo che ha una funzione di lavoro inferiore a quattro elettron volt.
- 74. La struttura secondo la rivendicazione 73, in cui detto metallo è del gruppo che comprende magnesio, arsenico e lega magnesio e oro.
- 75. La struttura secondo la rivendicazione 71, ulteriormente comprendente: detto secondo strato di materiale conduttore da un punto di vista elettrico essendo sostanzialmente trasparente; un secondo dispositivo emettitore di luce (LED), trasparente, cui si può Fornire energia, supportato su detto secondo strato di materiale conduttore da un punto di vista elettrico ove detto secondo LED comprende uno strato emissivo; un terzo strato di materiale conduttore da un punto di vista elettrico supportato da detto secondo LED; e detto secondo LED essendo funzionante per produrre luce e trasmetterla attraverso detto primo LED e attraverso detto substrato trasparente quando gli si fornisca energia.
- 76. La struttura emettitrice di luce cui può essere fornita energia secondo la rivendicazione 71. in cui detto strato emissivo comprende almeno un materiale scelto dal gruppo che è costituito da complessi metallici trivalenti di chinolato, complessi metallici trivalenti a ponte di chinolato, complessi metallici divalenti di basi di Schiff, complessi metallici di stagno (iv), complessi di metil acetilacetonato, complessi metallici di leganti bidentati, bifosfonati, complessi metallici divalenti di maleonitrileditiolato. complessi molecolari a trasferimento di carica, polimeri aromatici ed eterociclici e chelati misti di terre rare.
- 77. Un visualizzatore emettitore di luce multicolore, cui si può fornire energia, comprendente: una pluralità di strutture emettitrici di luce cui si può fornire energia; ognuna di dette strutture comprendenti una pluralità di dispositivi emettitori di luce (LED) trasparenti, che vengono impilati l’uno sull'altro; ognuno di detti LED in ognuna di dette strutture essendo funzionante per emettere una luce di colore diverso quando gli si fornisca energia; e mezzi per fornire energia in modo selettivo ad almeno uno di detti LED in ognuna di dette strutture in modo tale che il colore prodotto da ognuna di dette strutture emettitrici di luce venga determinato da quale LED o da quali LED in ogni struttura emettitrice di luce vengano energicizzati in modo tale che la luce emessa da dette strutture crei un'immagine che ha una forma ed un colore predeterminato.
- 78. Il visualizzatore secondo la rivendicazione 77, in cui dette strutture emettitrici di luce cui si può fornire energia sono organizzate in una matrice, ove detta matrice comprende almeno due assi, ed ognuna di dette strutture emettitrici di luce è collocata in corrispondenza dell'intersezione di almeno due di detti assi.
- 79. Il visualizzatore secondo la rivendicazione 78, in cui detti assi definiscono un asse orizzontale ed un asse verticale.
- 80. Il visualizzatore secondo la rivendicazione 78, in cui detti mezzi per fornire energia in modo selettivo ad almeno uno di detti LED in ognuna di dette strutture comprendono: mezzi per selezionare le strutture ed i LED cui in quelle strutture deve essere fornita energia: e mezzi per scansionare in maniera seriale ognuno di detti assi in modo tale che detti mezzi per fornire energia in modo selettivo ad almeno uno di detti LED scansionino lungo detti assi in maniera tale che a detti LED selezionati fra detti LED all'intersezione di detti assi venga data energia in maniera seriale per emettere luce in modo tale che detta immagine e detti colori vengano creati in serie.
- 81. Il visualizzatore secondo la rivendicazione 77, in cui detti mezzi per fornire energia in maniera selettiva ad almeno uno di detti LED in ognuna di dette strutture comprendono: mezzi per fornire energia in modo sostanzialmente seriale a detti LED che si trovano in dette strutture in modo tale che detta immagine e detti colori vengano creati in modo seriale da dette strutture.
- 82. Il visualizzatore secondo la rivendicazione 77. in cui detti mezzi per fornire energia in modo selettivo a detti LED funzionino in modo tale da fornire energia simultaneamente ad alcuni LED selezionati fra detti LED in alcune strutture selezione fra dette strutture in modo tale che detta immagine e detti colori vengano creati simultaneamente da detti alcuni LED selezionati fra detti LED in dette alcune strutture selezionate fra dette strutture.
- 83- Il visualizzatore secondo la rivendicazione 77, in cui ognuna di dette strutture comprende inoltre: un substrato trasparente; detti LED, ognuno avente un fondo ed una cima, definendo una pila di LED che hanno un fondo ed una cima, detta pila essendo supportata da detto substrato trasparente; un primo strato di materiale conduttore dal punto di vista elettrico sostanzialmente trasparente, detto primo strato essendo collocato fra detto LED in fondo e detto substrato trasparente; almeno un secondo strato di materiale conduttore dal punto di vista elettrico sostanzialmente trasparente, detti secondi strati essendo collocati fra LED adiacenti; un primo strato di materiale conduttore dal punto vista elettrico, detto primo strato essendo collocato adiacente alla cima di detto LED in cima; e mezzi su ognuno di detti strati di materiale conduttore dal punto di vista elettrico da collegarsi ad una tensione per fornire energia in modo selettivo ad ognuno di detti LED.
- 84. Il visualizzatore secondo la rivendicazione 83, in cui ognuno di detti strati di materiale conduttore dal punto di vista elettrico, sostanzialmente trasparente e detto strato di materiale conduttore dal punto di vista elettrico comprende uno strato di ossido di indio-stagno.
- 85. Il visualizzatore secondo la rivendicazione 83. in cui ognuno di detti strati di materiale conduttore sostanzialmente trasparente, e detto strato di materiale conduttore dal punto di vista elettrico, comprende uno strato di metallo ed uno strato di ossido di indio e stagno.
- 86. Il visualizzatore secondo la rivendicazione 85, in cui detto metallo ha una funzione di lavoro inferiore a circa quattro elettron volt.
- 87. Il visualizzatore secondo la rivendicazione 83.comprendente ulteriormente: uno strato di materiale riflettente disposto sullo strato di materiale conduttore dal punto di vista elettrico adiacente alla cima di detto LED in cima in modo tale che la luce che proviene da detti LED venga riflessa attraverso detto substrato trasparente da detto strato dimateriale riflettente.
- 88. Il visualizzatore secondo la rivendicazione 87, comprendente ulteriormente: detta pila di LED è supportata da detto substrato trasparente in un ordine che corrisponde alla lunghezza d'onda della luce che detti LED emettono; e in cui detto LED che emette la lunghezza d'onda più corta è il più vicino a detto substrato trasparente in modo tale che la luce emessa da ognuno di detti LED quando gli si fornisce energia venga trasmessa attraverso gli altri LED e attraverso detto substrato trasparente.
- 89. Il visualizzatore secondo la rivendicazione 88, comprendente ulteriormente uno strato di materiale anti-riflesso collocato fra detto LED che emette la lunghezza d'onda più corta e detto substrato trasparente in modo tale che la luce emessa da ognuno di detti LED quando gli si fornisce energia non venga riflesso da detto substrato trasparente.
- 90. Il visualizzatore secondo la rivendicazione 77, ulteriormente comprendente: un substrato trasparente; ognuno di detti LED avendo una cima ed un fondo; almeno due strati di materiale conduttore dal punto di vista elettrico sostanzialmente trasparente, uno di detti strati essendo collocato su detto substrato trasparente; il fondo di uno di detti LED in ognuna di dette strutture essendo supportato su detto uno strato di materiale conduttore dal punto di vista elettrico sostanzialmente trasparente; gli altri di detti strati di materiale conduttore dal punto di vista elettrico sostanzialmente trasparente essendo collocati fra il rimanente di detti LED in modo tale che detti LED definiscano una pila; uno strato di materiale conduttore dal punto di vista elettrico supportato sulla cima di detto LED in detta pila che è il più lontano da detto substrato trasparente; e mezzi su ognuno di detti strati di materiale conduttore dal punto di vista elettrico e su detto strato di materiale conduttore dal punto di vista elettrico da connettersi ad una tensione per fornire energia in modo selettivo ad ognuno di detti LED.
- 91. Il visualizzatore secondo la rivendicazione 90, in cui ognuno di detti strati di materiale conduttore dal punto di vista elettrico sostanzialmente trasparente, e detto strato di materiale conduttore dal punto di vista elettrico comprende uno strato di ossido di indio e stagno.
- 92. Il visualizzatore secondo la rivendicazione 90, in cui detti strati di materiale conduttore dal punto di vista elettrico sostanzialmente trasparente e ognuno di detti strati di materiale conduttore dal punto di vista elettrico comprendono uno strato di metallo ed uno strato di ossido di indio e stagno.
- 93. Il visualizzatore secondo la rivendicazione 92, in cui detto metallo ha una funzione di lavoro inferiore a circa quattro elettron Volts.
- 94 Il visualizzatore secondo la rivendicazione 90, ulteriormente comprendente: uno strato di materiale riflettente collocato su detto strato di materiale conduttore dal punto di vista elettrico sostanzialmente trasparente, adiacente alla cima di detto LED che sta in cima, in modo tale che la luce venga riflessa attraverso detto substrato trasparente da detto strato di materiale riflettente.
- 95. La struttura secondo la rivendicazione 94. in cui detta pila di LED è supportata da detto substrato trasparente in un ordine che corrisponde alla lunghezza d'onda della luce che detti LED emettono, e in cui detto LED che emette la lunghezza d'onda più corta è il più vicino a detto substrato trasparente in modo tale che la luce emessa da ognuno di detti LED quando gli viene fornita energia venga trasmessa attraverso gli altri LED e attraverso il substrato trasparente.
- 96. La struttura secondo la rivendicazione 95, ulteriormente comprendente: uno strato di materiale antiriflesso collocato fra detto LED che emette la lunghezza d'onda più corta e detto substrato trasparente in modo tale che la luce emessa da ognuno di detti LED quando gli viene fornita energia non venga riflessa da detto substrato trasparente.
- 97. Il visualizzatore secondo la rivendicazione 77, in cui detta pluralità di LED comprende: tre LED; ognuno di detti LED essendo una eterostruttura doppia (DH); detto LED più vicino a detto substrato trasparente essendo funzionante quando gli viene fornita energia ad emettere luce blu; detto LED più lontano da detto substrato trasparente essendo funzionante quando gli viene fornita energia ad emettere luce rossa: e detto altro LED essendo funzionante quando gli viene fornita energia ad emettere luce verde.
- 98. Il visualizzatore emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 97, in cui ognuno di detti LED comprende uno strato emissivo contenente una sostanza organica selezionata dal gruppo comprendente complessi metallici trivalenti di chinolato, complessi metallici trivalenti a ponte di chinolato, complessi metallici divalenti di basi di Schiff, complessi metallici di stagno (iv), complessi metallici di acetilacetonato, complessi metallici di legante bidentato, bifosfonati, complessi metallici divalenti di maleonitrileditiolato, complessi molecolari a trasferimento di carica, polimeri aromatici ed eterociclici, chelati misti di terre rare.
- 99- Il display secondo la rivendicazione 77, in cui detta pluralità' di LED comprende : tre LED; essendo ognuno di detti LED ad eterostruttura singola (SH); essendo detto LED piu' vicino a detto substrato trasparente. Funzionante quando gli si fornisce energia per emettere luce blu; essendo detto LED piu' lontano da detto substrato trasparente, funzionante quando gli si fornisce energia per emettere luce rossa; e essendo detto altro LED funzionante quando gli si fornisce energia per emettere luce verde.
- 100. Il visualizzatore emettitore di luce multicolore secondo la rivendicazione 99, in cui ognuno di detti LED comprende uno strato emissivo contenente una sostanza organica selezionata dal gruppo comprendente complessi metallici trivalenti di chinolato, complessi metallici trivalenti a ponte di chinolato, complessi metallici divalenti di basi di Schiff, complessi metallici di stagno (iv), complessi metallici di acetilacetonato, complessi metallici di legante bidentato, bifosfonati, complessi metallici divalenti di maleonitrileditiolato, complessi molecolari a trasferimento di carica, polimeri aromatici ed eterociclici, chelati misti di terre rare.
- 101. Un metodo di fabbricazione di una struttura emissiva di luce, multicolore, cui si può' fornire energia, comprendente le fasi di : rendere disponibile un substrato trasparente; rendere disponibile un primo strato conduttore dal punto di vista elettrico sostanzialmente trasparente su detto substrato trasparente; rendere disponibile un primo diodo emettitore di luce (LED) trasparente su detto substrato trasparente, potendo detto primo LED funzionare quando gli si fornisce energia per emettere una luce di una prima lunghezza d'onda predeterminata; rendere disponibile un secondo strato conduttore dal punto di vista elettrico, sostanzialmente trasparente su detto primo LED; rendere disponibile un secondo diodo emettitore di luce (LED), trasparente su detto secondo strato conduttore dal punto di vista elettrico, sostanzialmente trasparente, potendo detto secondo LED funzionare quando gli si trasmette energia per emettere una luce di una seconda lunghezza d’onda predeterminata, che e' piu' lunga della prima lunghezza d'onda predeterminata; e uno strato conduttore dal punto di vista elettrico su detto secondo (LED) .
- 102. Un metodo secondo la rivendicazione 101, in cui dette fasi per rendere disponibili detti primo e secondo LED comprendono le fasi in cui si formano ognuno di detti LED per; deposito di uno strato a trasporto di lacune su detti primo e secondo strato conduttore dal punto di vista elettrico, sostanzialmente trasparenti; deposito di uno strato emissivo su ognuno di detti strati a trasporto di lacune; e deposito di uno strato a trasporto di elettroni su ognuno di detti strati emissivi.
- 103. Il metodo secondo la rivendicazione 102, in cui ognuno di detti strati emissivi comprende una sostanza scelta dal gruppo composto da complessi metallici trivalenti dì chinolato, complessi metallici trivalenti a ponte di chinolato, complessi metallici divalenti di basi di Schiff, complessi metallici di stagno (iv), complessi metallici di acetilacetonato, complessi metallici di legante bidentato, bifosfonati, complessi metallici divalenti di maleonitrileditiolato, complessi molecolari a trasferimento di carica, polimeri aromatici ed eterociclici, chelati misti di terre rare.
- 104. Un metodo secondo la rivendicazione 103, in cui ognuno di detti strati conduttori dal punto di vista elettrico sostanzialmente trasparenti e detto strato di strato conduttore dal punto di vista elettrico sono composti da ossido di indio e stagno.
- 105. Un metodo secondo la rivendicazione; 102, comprendente inoltre : la fase in cui si rende disponibile uno strato di metallo sostanzialmente trasparente fra detti LED; e uno strato di detto materiale conduttore dal punto di vista elettrico sostanzialmente trasparente su ognuno di detti strati di metallo sostanzialmente trasparente.
- 106. Un metodo secondo la rivendicazione 105. in cui detto metallo ha una funzione di lavoro inferiore a circa quattro elettron volts.
- 107. Un metodo secondo la rivendicazione 105 in cui detto metallo è scelto dal gruppo comprendente magnesio, arsenico e lega magnesio/oro.
- 108. Un metodo secondo la rivendicazione 101, in cui detto strato di materiale conduttore dal punto di vista elettrico ha una superficie riflettente per riflettere la luce emessa da detti LED attraverso detto substrato trasparente.
- 109- Un metodo secondo la rivendicazione 101, comprendente inoltre la fase di : rendere disponibile un contatto elettrico su ognuno di detti strati di materiale conduttore dal punto di vista elettrico, sostanzialmente trasparente e su detto strato di materiale conduttore dal punto di vista elettrico così che ognuno di detti strati possa essere collegato ad una sorgente di potenziale di polarizzazione.
- 110. Un dispositivo emettitore di luce (LED), trasparente a cui si può fornire energia, comprendente : uno strato emissivo, uno strato a trasporto di lacune e uno strato a trasporto di elettroni; essendo detto strato emissivo disposto fra detto strato a trasporto di lacune e detto strato a trasporto di elettroni; un primo strato di materiale conduttore dal punto di vista elettrico sostanzialmente trasparente ed un secondo strato di materiale conduttore dal punto di vista elettrico, essendo detto primo strato sopra detto strato a trasporto di lacune, essendo detto secondo strato su detto strato a trasporto di elettroni; e detto strato emissivo comprende materiale scelto dal gruppo composto da complessi metallici trivalenti di chinolato, complessi metallici trivalenti a ponte di chinolato, complessi metallici divalenti di basi di Schiff, complessi metallici di stagno (iv), complessi metallici di acetilacetonato, complessi metallici di legante bidentato, bifosfonati, complessi metallici divalenti di maleonitrileditiolato, complessi molecolari a trasferimento di carica, polimeri aromatici ed eterociclici, chelati misti di terre rare.
- 111. Il dispositivo secondo la rivendicazione 110, in cui detto strato di emissione non è più spesso di circa 200 A; detto strato a trasporto a lacune non è più spesso di circa 1000 A; e detto strato a trasporto di elettroni non è più spesso di 1000 A.
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JP2982699B2 (ja) * | 1995-08-04 | 1999-11-29 | 東洋インキ製造株式会社 | 多層型有機エレクトロルミネッセンス素子の電子注入層形成用材料 |
US5940683A (en) * | 1996-01-18 | 1999-08-17 | Motorola, Inc. | LED display packaging with substrate removal and method of fabrication |
JP3552435B2 (ja) * | 1996-12-04 | 2004-08-11 | 株式会社日立製作所 | 有機発光素子及びその作成方法 |
JP3537591B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2004-06-14 | パイオニア株式会社 | 有機elディスプレイの製造方法 |
US6048630A (en) | 1996-07-02 | 2000-04-11 | The Trustees Of Princeton University | Red-emitting organic light emitting devices (OLED's) |
US5998085A (en) * | 1996-07-23 | 1999-12-07 | 3M Innovative Properties | Process for preparing high resolution emissive arrays and corresponding articles |
JPH1055887A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Denso Corp | マトリクス表示装置 |
CA2263150C (en) * | 1996-08-12 | 2005-06-21 | The Trustees Of Princeton University | Non-polymeric flexible organic light emitting device |
JP3899566B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
US6002206A (en) * | 1996-11-28 | 1999-12-14 | Cambridge Display Technology Limited | Organic EL devices and operation thereof |
CA2223167C (en) | 1996-12-04 | 2004-04-27 | Hitachi, Ltd. | Organic light emitting element and producing method thereof |
US5986401A (en) * | 1997-03-20 | 1999-11-16 | The Trustee Of Princeton University | High contrast transparent organic light emitting device display |
US6046543A (en) * | 1996-12-23 | 2000-04-04 | The Trustees Of Princeton University | High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same |
US6045930A (en) * | 1996-12-23 | 2000-04-04 | The Trustees Of Princeton University | Materials for multicolor light emitting diodes |
US6013982A (en) | 1996-12-23 | 2000-01-11 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor display devices |
US5861219A (en) * | 1997-04-15 | 1999-01-19 | The Trustees Of Princeton University | Organic light emitting devices containing a metal complex of 5-hydroxy-quinoxaline as a host material |
US5811833A (en) * | 1996-12-23 | 1998-09-22 | University Of So. Ca | Electron transporting and light emitting layers based on organic free radicals |
US6091195A (en) * | 1997-02-03 | 2000-07-18 | The Trustees Of Princeton University | Displays having mesa pixel configuration |
US5981306A (en) * | 1997-09-12 | 1999-11-09 | The Trustees Of Princeton University | Method for depositing indium tin oxide layers in organic light emitting devices |
US6125226A (en) * | 1997-04-18 | 2000-09-26 | The Trustees Of Princeton University | Light emitting devices having high brightness |
US5874803A (en) * | 1997-09-09 | 1999-02-23 | The Trustees Of Princeton University | Light emitting device with stack of OLEDS and phosphor downconverter |
US5739545A (en) * | 1997-02-04 | 1998-04-14 | International Business Machines Corporation | Organic light emitting diodes having transparent cathode structures |
US6111902A (en) | 1997-05-09 | 2000-08-29 | The Trustees Of Princeton University | Organic semiconductor laser |
US5932895A (en) * | 1997-05-20 | 1999-08-03 | The Trustees Of Princeton University | Saturated full color stacked organic light emitting devices |
EP0917810B1 (en) * | 1997-05-22 | 2003-08-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Organic electroluminescent device |
GB9711237D0 (en) * | 1997-06-02 | 1997-07-23 | Isis Innovation | Organomettallic Complexes |
US6452218B1 (en) * | 1997-06-10 | 2002-09-17 | Uniax Corporation | Ultra-thin alkaline earth metals as stable electron-injecting electrodes for polymer light emitting diodes |
US6215244B1 (en) | 1997-06-16 | 2001-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Stacked organic light emitting device with specific electrode arrangement |
GB9712483D0 (en) | 1997-06-17 | 1997-08-20 | Kathirgamanathan Poopathy | Fabrication of light emitting devices from chelates of transition metals, lanthanides and actinides |
US6198220B1 (en) * | 1997-07-11 | 2001-03-06 | Emagin Corporation | Sealing structure for organic light emitting devices |
EP1021839A1 (en) * | 1997-07-11 | 2000-07-26 | Fed Corporation | Laser ablation method to fabricate color organic light emitting diode displays |
US6337492B1 (en) * | 1997-07-11 | 2002-01-08 | Emagin Corporation | Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer |
WO1999002277A1 (en) * | 1997-07-11 | 1999-01-21 | Fed Corporation | Sealing structure for organic light emitting devices |
JP3994482B2 (ja) * | 1997-08-27 | 2007-10-17 | 双葉電子工業株式会社 | マルチカラー有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
US6043550A (en) * | 1997-09-03 | 2000-03-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodiode and photodiode module |
US5965907A (en) * | 1997-09-29 | 1999-10-12 | Motorola, Inc. | Full color organic light emitting backlight device for liquid crystal display applications |
US6420031B1 (en) | 1997-11-03 | 2002-07-16 | The Trustees Of Princeton University | Highly transparent non-metallic cathodes |
US6469437B1 (en) | 1997-11-03 | 2002-10-22 | The Trustees Of Princeton University | Highly transparent organic light emitting device employing a non-metallic cathode |
US6030715A (en) * | 1997-10-09 | 2000-02-29 | The University Of Southern California | Azlactone-related dopants in the emissive layer of an OLED |
US6451455B1 (en) | 1998-04-01 | 2002-09-17 | The Trustees Of Princeton University | Metal complexes bearing both electron transporting and hole transporting moieties |
US6413656B1 (en) | 1998-09-14 | 2002-07-02 | The University Of Southern California | Reduced symmetry porphyrin molecules for producing enhanced luminosity from phosphorescent organic light emitting devices |
EP1044586B1 (en) | 1997-10-09 | 2006-02-01 | The Trustees of Princeton University | Method for fabricating highly transparent non-metallic cathodes |
US6303238B1 (en) * | 1997-12-01 | 2001-10-16 | The Trustees Of Princeton University | OLEDs doped with phosphorescent compounds |
US6150043A (en) * | 1998-04-10 | 2000-11-21 | The Trustees Of Princeton University | OLEDs containing thermally stable glassy organic hole transporting materials |
US6337102B1 (en) | 1997-11-17 | 2002-01-08 | The Trustees Of Princeton University | Low pressure vapor phase deposition of organic thin films |
GB9724682D0 (en) | 1997-11-21 | 1998-01-21 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent device |
US5953587A (en) * | 1997-11-24 | 1999-09-14 | The Trustees Of Princeton University | Method for deposition and patterning of organic thin film |
US6013538A (en) * | 1997-11-24 | 2000-01-11 | The Trustees Of Princeton University | Method of fabricating and patterning OLEDs |
US6075316A (en) * | 1997-12-15 | 2000-06-13 | Motorola, Inc. | Full color organic electroluminescent display device and method of fabrication |
US6209118B1 (en) * | 1998-01-21 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Method for modifying an integrated circuit |
US5994836A (en) * | 1998-02-02 | 1999-11-30 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | Organic light emitting diode (OLED) structure and method of making same |
US6106352A (en) * | 1998-03-18 | 2000-08-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for fabrication of organic electroluminescent device |
US6783849B2 (en) | 1998-03-27 | 2004-08-31 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem | Molecular layer epitaxy method and compositions |
US6316098B1 (en) | 1998-03-27 | 2001-11-13 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem | Molecular layer epitaxy method and compositions |
US6287712B1 (en) | 1998-04-10 | 2001-09-11 | The Trustees Of Princeton University | Color-tunable organic light emitting devices |
US6210814B1 (en) | 1998-04-10 | 2001-04-03 | The University Of Southern California | Color-tunable organic light emitting devices |
US6387544B1 (en) | 1998-04-10 | 2002-05-14 | The Trustees Of Princeton University | OLEDS containing thermally stable glassy organic hole transporting materials |
US6312836B1 (en) | 1998-04-10 | 2001-11-06 | The Trustees Of Princeton University | Color-tunable organic light emitting devices |
US6120857A (en) * | 1998-05-18 | 2000-09-19 | The Regents Of The University Of California | Low work function surface layers produced by laser ablation using short-wavelength photons |
JP3884564B2 (ja) * | 1998-05-20 | 2007-02-21 | 出光興産株式会社 | 有機el発光素子およびそれを用いた発光装置 |
EP0966050A3 (de) * | 1998-06-18 | 2004-11-17 | Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG | Organische Leuchtdiode |
JP4264994B2 (ja) * | 1998-07-10 | 2009-05-20 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法 |
ATE322143T1 (de) * | 1998-09-02 | 2006-04-15 | Seiko Epson Corp | Lichtquelle und anzeige-vorrichtung |
US6097147A (en) * | 1998-09-14 | 2000-08-01 | The Trustees Of Princeton University | Structure for high efficiency electroluminescent device |
US6830828B2 (en) | 1998-09-14 | 2004-12-14 | The Trustees Of Princeton University | Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs |
US6166489A (en) * | 1998-09-15 | 2000-12-26 | The Trustees Of Princeton University | Light emitting device using dual light emitting stacks to achieve full-color emission |
JP2000098116A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Canon Inc | 素子又は素子作製用モールド型の作製方法 |
US6214631B1 (en) | 1998-10-30 | 2001-04-10 | The Trustees Of Princeton University | Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask |
GB9823761D0 (en) * | 1998-11-02 | 1998-12-23 | South Bank Univ Entpr Ltd | Novel electroluminescent materials |
US6037190A (en) * | 1998-11-13 | 2000-03-14 | Industrial Technology Research Institute | Method for fabricating an organic electro-luminescent device |
DE19854899C1 (de) * | 1998-11-27 | 1999-12-30 | Siemens Ag | Beleuchtungseinheit |
GB9826407D0 (en) | 1998-12-02 | 1999-01-27 | South Bank Univ Entpr Ltd | Novel electroluminescent materials |
GB9826405D0 (en) | 1998-12-02 | 1999-01-27 | South Bank Univ Entpr Ltd | Method for forming films or layers |
JP2000195664A (ja) | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Rohm Co Ltd | 発光装置 |
US6114088A (en) | 1999-01-15 | 2000-09-05 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element for forming multilayer devices |
WO2000041893A1 (en) | 1999-01-15 | 2000-07-20 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element and process for forming organic electroluminescent devices |
GB9901971D0 (en) | 1999-02-01 | 1999-03-17 | South Bank Univ Entpr Ltd | Electroluminescent material |
JP3887984B2 (ja) * | 1999-02-05 | 2007-02-28 | 松下電器産業株式会社 | 多色発光分散型elランプ |
JP3594826B2 (ja) | 1999-02-09 | 2004-12-02 | パイオニア株式会社 | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
DE69904137T2 (de) | 1999-02-26 | 2004-03-18 | Agfa-Gevaert | Schicht auf Basis eines leitfähigen Metalloxids |
JP4619546B2 (ja) | 1999-03-23 | 2011-01-26 | ザ ユニバーシティー オブ サザン カリフォルニア | 有機ledの燐光性ドーパントとしてのシクロメタル化金属錯体 |
US7001536B2 (en) * | 1999-03-23 | 2006-02-21 | The Trustees Of Princeton University | Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs |
US6262710B1 (en) * | 1999-05-25 | 2001-07-17 | Intel Corporation | Performing color conversion in extended color polymer displays |
JP4136185B2 (ja) * | 1999-05-12 | 2008-08-20 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法 |
AU4833800A (en) | 1999-05-13 | 2000-12-05 | University Of Southern California | Titanium nitride anode for use in organic light emitting devices |
US6727521B2 (en) * | 2000-09-25 | 2004-04-27 | Foveon, Inc. | Vertical color filter detector group and array |
TW437104B (en) * | 1999-05-25 | 2001-05-28 | Wang Tien Yang | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same |
JP2001035660A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
US6310360B1 (en) | 1999-07-21 | 2001-10-30 | The Trustees Of Princeton University | Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices |
DE19934963B4 (de) * | 1999-07-26 | 2004-04-29 | Giesecke & Devrient Gmbh | Display für Chipkarten |
US6506505B1 (en) | 1999-08-16 | 2003-01-14 | The University Of Southern California | Cyclooctatetraenes as electron transporters in organic light emitting diodes |
WO2001012576A1 (en) | 1999-08-16 | 2001-02-22 | The University Of Southern California | Synthesis of cyclooctatetraene derivatives and their use as electron transporters in organic light emitting diodes |
US6593690B1 (en) | 1999-09-03 | 2003-07-15 | 3M Innovative Properties Company | Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same |
US6611096B1 (en) | 1999-09-03 | 2003-08-26 | 3M Innovative Properties Company | Organic electronic devices having conducting self-doped polymer buffer layers |
JP2001111109A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
US6214151B1 (en) | 1999-11-05 | 2001-04-10 | International Business Machines Corporation | Thermal dye transfer process for preparing opto-electronic devices |
JP2001135479A (ja) * | 1999-11-08 | 2001-05-18 | Canon Inc | 発光素子、並びにそれを用いた画像読取装置、情報処理装置及びディスプレイ装置 |
US8829546B2 (en) * | 1999-11-19 | 2014-09-09 | Cree, Inc. | Rare earth doped layer or substrate for light conversion |
US7202506B1 (en) * | 1999-11-19 | 2007-04-10 | Cree, Inc. | Multi element, multi color solid state LED/laser |
US6294398B1 (en) | 1999-11-23 | 2001-09-25 | The Trustees Of Princeton University | Method for patterning devices |
US6458475B1 (en) | 1999-11-24 | 2002-10-01 | The Trustee Of Princeton University | Organic light emitting diode having a blue phosphorescent molecule as an emitter |
AU1807201A (en) * | 1999-12-01 | 2001-06-12 | Trustees Of Princeton University, The | Complexes of form L2MX as phosphorescent dopants for organic leds |
US6537607B1 (en) | 1999-12-17 | 2003-03-25 | Texas Instruments Incorporated | Selective deposition of emissive layer in electroluminescent displays |
US6639357B1 (en) | 2000-02-28 | 2003-10-28 | The Trustees Of Princeton University | High efficiency transparent organic light emitting devices |
KR20010095429A (ko) * | 2000-03-30 | 2001-11-07 | 윤덕용 | 단일 이온 전도체를 전자 혹은 정공 주입층으로 이용하는유기/고분자 전기 발광 소자 |
JP2001284631A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | 光検出器及び光検出システム |
US6661029B1 (en) * | 2000-03-31 | 2003-12-09 | General Electric Company | Color tunable organic electroluminescent light source |
JP2001341296A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-12-11 | Seiko Epson Corp | インクジェット法による薄膜形成方法、インクジェット装置、有機el素子の製造方法、有機el素子 |
US6913713B2 (en) * | 2002-01-25 | 2005-07-05 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic fibers |
US6645645B1 (en) | 2000-05-30 | 2003-11-11 | The Trustees Of Princeton University | Phosphorescent organic light emitting devices |
CN102516719B (zh) * | 2000-06-12 | 2016-03-23 | 住友化学株式会社 | 聚合物基质电致发光材料及装置 |
US6840999B2 (en) * | 2000-07-25 | 2005-01-11 | Board Of Regents The University Of Texas System | In situ regrowth and purification of crystalline thin films |
DE10037391A1 (de) * | 2000-08-01 | 2002-02-14 | Covion Organic Semiconductors | Strukturierbare Materialien, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung |
TW528967B (en) | 2000-08-29 | 2003-04-21 | Ibm | System and method for locating on a physical document items referenced in an electronic document |
TW494323B (en) * | 2000-08-29 | 2002-07-11 | Ibm | System and method for locating on a physical document items referenced in another physical document |
US6525464B1 (en) * | 2000-09-08 | 2003-02-25 | Unity Opto Technology Co., Ltd. | Stacked light-mixing LED |
JP3560150B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2004-09-02 | 日本精機株式会社 | 有機el素子 |
US6855384B1 (en) | 2000-09-15 | 2005-02-15 | 3M Innovative Properties Company | Selective thermal transfer of light emitting polymer blends |
US6358664B1 (en) | 2000-09-15 | 2002-03-19 | 3M Innovative Properties Company | Electronically active primer layers for thermal patterning of materials for electronic devices |
JP4067286B2 (ja) * | 2000-09-21 | 2008-03-26 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子及びイリジウム錯体 |
US6617186B2 (en) | 2000-09-25 | 2003-09-09 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for producing electroluminescent element |
US6884093B2 (en) * | 2000-10-03 | 2005-04-26 | The Trustees Of Princeton University | Organic triodes with novel grid structures and method of production |
US6796867B2 (en) * | 2000-10-27 | 2004-09-28 | Science Applications International Corporation | Use of printing and other technology for micro-component placement |
US7288014B1 (en) | 2000-10-27 | 2007-10-30 | Science Applications International Corporation | Design, fabrication, testing, and conditioning of micro-components for use in a light-emitting panel |
US6545422B1 (en) | 2000-10-27 | 2003-04-08 | Science Applications International Corporation | Socket for use with a micro-component in a light-emitting panel |
US6620012B1 (en) | 2000-10-27 | 2003-09-16 | Science Applications International Corporation | Method for testing a light-emitting panel and the components therein |
US6822626B2 (en) | 2000-10-27 | 2004-11-23 | Science Applications International Corporation | Design, fabrication, testing, and conditioning of micro-components for use in a light-emitting panel |
US6801001B2 (en) * | 2000-10-27 | 2004-10-05 | Science Applications International Corporation | Method and apparatus for addressing micro-components in a plasma display panel |
US6935913B2 (en) * | 2000-10-27 | 2005-08-30 | Science Applications International Corporation | Method for on-line testing of a light emitting panel |
US6762566B1 (en) | 2000-10-27 | 2004-07-13 | Science Applications International Corporation | Micro-component for use in a light-emitting panel |
US6764367B2 (en) * | 2000-10-27 | 2004-07-20 | Science Applications International Corporation | Liquid manufacturing processes for panel layer fabrication |
US6570335B1 (en) | 2000-10-27 | 2003-05-27 | Science Applications International Corporation | Method and system for energizing a micro-component in a light-emitting panel |
US6612889B1 (en) | 2000-10-27 | 2003-09-02 | Science Applications International Corporation | Method for making a light-emitting panel |
US20030129299A1 (en) * | 2000-11-16 | 2003-07-10 | Swanson Leland S. | Selective deposition of emissive layer in electroluminescent displays |
GB0028439D0 (en) * | 2000-11-21 | 2001-01-10 | South Bank Univ Entpr Ltd | Elecroluminescent device |
GB0028436D0 (en) * | 2000-11-21 | 2001-01-10 | South Bank Univ Entpr Ltd | Electroluminescent device incorporating conjugated polymer |
GB0028317D0 (en) * | 2000-11-21 | 2001-01-03 | South Bank Univ Entpr Ltd | Electroluminescent device incorporating polyaniline |
US6844957B2 (en) * | 2000-11-29 | 2005-01-18 | International Business Machines Corporation | Three level stacked reflective display |
US6537688B2 (en) | 2000-12-01 | 2003-03-25 | Universal Display Corporation | Adhesive sealed organic optoelectronic structures |
US6573651B2 (en) * | 2000-12-18 | 2003-06-03 | The Trustees Of Princeton University | Highly efficient OLEDs using doped ambipolar conductive molecular organic thin films |
KR100685917B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2007-02-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 전계발광소자 및 그 제조방법 |
US6614175B2 (en) | 2001-01-26 | 2003-09-02 | Xerox Corporation | Organic light emitting devices |
JP4292245B2 (ja) | 2001-02-05 | 2009-07-08 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 発光体、発光素子、及び発光表示装置 |
US6614057B2 (en) | 2001-02-07 | 2003-09-02 | Universal Display Corporation | Sealed organic optoelectronic structures |
US6762124B2 (en) | 2001-02-14 | 2004-07-13 | Avery Dennison Corporation | Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure |
US20020110673A1 (en) | 2001-02-14 | 2002-08-15 | Ramin Heydarpour | Multilayered electrode/substrate structures and display devices incorporating the same |
US6576351B2 (en) | 2001-02-16 | 2003-06-10 | Universal Display Corporation | Barrier region for optoelectronic devices |
US6692662B2 (en) * | 2001-02-16 | 2004-02-17 | Elecon, Inc. | Compositions produced by solvent exchange methods and uses thereof |
JP4116260B2 (ja) * | 2001-02-23 | 2008-07-09 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
WO2002071813A1 (en) | 2001-03-02 | 2002-09-12 | The Trustees Of Princeton University | Double doped-layer, phosphorescent organic light emitting devices |
US6407408B1 (en) | 2001-03-12 | 2002-06-18 | Universal Display Corporation | Method for patterning devices |
US6596443B2 (en) | 2001-03-12 | 2003-07-22 | Universal Display Corporation | Mask for patterning devices |
JP5265840B2 (ja) * | 2001-03-14 | 2013-08-14 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 有機発光ダイオード類に基づく青色リン光用の材料および素子 |
US6624568B2 (en) | 2001-03-28 | 2003-09-23 | Universal Display Corporation | Multilayer barrier region containing moisture- and oxygen-absorbing material for optoelectronic devices |
US6664137B2 (en) | 2001-03-29 | 2003-12-16 | Universal Display Corporation | Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers |
DE10117663B4 (de) * | 2001-04-09 | 2004-09-02 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien |
US6895667B2 (en) * | 2001-04-13 | 2005-05-24 | The Trustees Of Princeton University | Transfer of patterned metal by cold-welding |
GB0109755D0 (en) * | 2001-04-20 | 2001-06-13 | Elam T Ltd | Devices incorporating mixed metal organic complexes |
US6485884B2 (en) | 2001-04-27 | 2002-11-26 | 3M Innovative Properties Company | Method for patterning oriented materials for organic electronic displays and devices |
JP4493915B2 (ja) * | 2001-05-16 | 2010-06-30 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 高効率多色電界リン光oled |
EP1391495B2 (en) * | 2001-05-24 | 2021-07-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence element |
GB2376555B (en) * | 2001-06-14 | 2003-05-28 | Charles Eickhoff | Three dimensional solid colour display |
TWI303533B (en) * | 2001-06-15 | 2008-11-21 | Oled T Ltd | Electroluminescent devices |
DE10132329B4 (de) * | 2001-06-29 | 2005-02-24 | Schrader, Karl-Heinz Sigurd, Dr. | Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US6664730B2 (en) | 2001-07-09 | 2003-12-16 | Universal Display Corporation | Electrode structure of el device |
GB0116644D0 (en) * | 2001-07-09 | 2001-08-29 | Elam T Ltd | Electroluminescent materials and devices |
US6984934B2 (en) * | 2001-07-10 | 2006-01-10 | The Trustees Of Princeton University | Micro-lens arrays for display intensity enhancement |
ITRM20010471A1 (it) * | 2001-08-02 | 2003-02-03 | Enea Ente Nuove Tec | Stabilizzazione della luminescenza da materiali organici con compostidi origine fenolica. |
EP1414927A1 (en) * | 2001-08-04 | 2004-05-06 | Elam-T Limited | Electroluminescent device |
US7071615B2 (en) * | 2001-08-20 | 2006-07-04 | Universal Display Corporation | Transparent electrodes |
US6569697B2 (en) * | 2001-08-20 | 2003-05-27 | Universal Display Corporation | Method of fabricating electrodes |
US6888307B2 (en) * | 2001-08-21 | 2005-05-03 | Universal Display Corporation | Patterned oxygen and moisture absorber for organic optoelectronic device structures |
EP1421827B1 (en) * | 2001-08-29 | 2012-02-22 | The Trustees Of Princeton University | Organic light emitting devices having carrier blocking layers comprising metal complexes |
WO2003022008A1 (en) | 2001-08-29 | 2003-03-13 | The Trustees Of Princeton University | Organic light emitting devices having carrier transporting layers comprising metal complexes |
US7431968B1 (en) * | 2001-09-04 | 2008-10-07 | The Trustees Of Princeton University | Process and apparatus for organic vapor jet deposition |
US8535759B2 (en) * | 2001-09-04 | 2013-09-17 | The Trustees Of Princeton University | Method and apparatus for depositing material using a dynamic pressure |
EP2275587B1 (en) | 2001-09-04 | 2020-03-18 | The Trustees of Princeton University | Process for organic vapor jet deposition |
US6716656B2 (en) | 2001-09-04 | 2004-04-06 | The Trustees Of Princeton University | Self-aligned hybrid deposition |
US7744957B2 (en) * | 2003-10-23 | 2010-06-29 | The Trustees Of Princeton University | Method and apparatus for depositing material |
US7404862B2 (en) * | 2001-09-04 | 2008-07-29 | The Trustees Of Princeton University | Device and method for organic vapor jet deposition |
US20030054197A1 (en) * | 2001-09-20 | 2003-03-20 | Raymond Kwong | Annealing modified interface in organic light emitting devices |
US7071613B2 (en) * | 2001-10-10 | 2006-07-04 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US6835469B2 (en) | 2001-10-17 | 2004-12-28 | The University Of Southern California | Phosphorescent compounds and devices comprising the same |
US20050156839A1 (en) * | 2001-11-02 | 2005-07-21 | Webb Homer L. | Field sequential display device and methods of fabricating same |
US6888305B2 (en) * | 2001-11-06 | 2005-05-03 | Universal Display Corporation | Encapsulation structure that acts as a multilayer mirror |
US7530023B2 (en) * | 2001-11-13 | 2009-05-05 | International Business Machines Corporation | System and method for selecting electronic documents from a physical document and for displaying said electronic documents over said physical document |
US6597111B2 (en) | 2001-11-27 | 2003-07-22 | Universal Display Corporation | Protected organic optoelectronic devices |
US6734457B2 (en) | 2001-11-27 | 2004-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
WO2003047316A1 (en) * | 2001-11-29 | 2003-06-05 | The Trustees Of Princeton University | Increased emission efficiency in organic light-emitting devices on high-index substrates |
SG176316A1 (en) | 2001-12-05 | 2011-12-29 | Semiconductor Energy Lab | Organic semiconductor element |
CN100392873C (zh) * | 2001-12-07 | 2008-06-04 | 张修恒 | 叠置晶片全彩色发光二极管的封装结构及方法 |
US7050835B2 (en) | 2001-12-12 | 2006-05-23 | Universal Display Corporation | Intelligent multi-media display communication system |
US6765351B2 (en) * | 2001-12-20 | 2004-07-20 | The Trustees Of Princeton University | Organic optoelectronic device structures |
US20030117378A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-06-26 | International Business Machines Corporation | Device and system for retrieving and displaying handwritten annotations |
US6555284B1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-04-29 | Eastman Kodak Company | In situ vacuum method for making OLED devices |
US6869695B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-03-22 | The Trustees Of Princeton University | White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission |
US6863997B2 (en) * | 2001-12-28 | 2005-03-08 | The Trustees Of Princeton University | White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission |
US7012363B2 (en) * | 2002-01-10 | 2006-03-14 | Universal Display Corporation | OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies |
US20030153240A1 (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-14 | Dejule Aaron M. | Hanging mobile device with electronic display |
US6872472B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-03-29 | Eastman Kodak Company | Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units |
US6876143B2 (en) * | 2002-11-19 | 2005-04-05 | John James Daniels | Organic light active devices and methods for fabricating the same |
DE10215210B4 (de) * | 2002-03-28 | 2006-07-13 | Novaled Gmbh | Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
US20100026176A1 (en) | 2002-03-28 | 2010-02-04 | Jan Blochwitz-Nomith | Transparent, Thermally Stable Light-Emitting Component Having Organic Layers |
US6951694B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-10-04 | The University Of Southern California | Organic light emitting devices with electron blocking layers |
US20030189215A1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-10-09 | Jong-Lam Lee | Method of fabricating vertical structure leds |
US8294172B2 (en) | 2002-04-09 | 2012-10-23 | Lg Electronics Inc. | Method of fabricating vertical devices using a metal support film |
JP2003308968A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-10-31 | Rohm Co Ltd | エレクトロルミネッセンス発光素子及びその製法 |
US6835950B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-12-28 | Universal Display Corporation | Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer |
US6897474B2 (en) * | 2002-04-12 | 2005-05-24 | Universal Display Corporation | Protected organic electronic devices and methods for making the same |
US7282275B2 (en) * | 2002-04-19 | 2007-10-16 | 3M Innovative Properties Company | Materials for organic electronic devices |
JP4544811B2 (ja) * | 2002-05-09 | 2010-09-15 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
TW589915B (en) * | 2002-05-24 | 2004-06-01 | Sanyo Electric Co | Electroluminescence display device |
DE10224021B4 (de) * | 2002-05-24 | 2006-06-01 | Novaled Gmbh | Phosphoreszentes lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
US7416791B1 (en) | 2002-06-11 | 2008-08-26 | University Of Washington | Osmium complexes and related organic light-emitting devices |
US6811815B2 (en) * | 2002-06-14 | 2004-11-02 | Avery Dennison Corporation | Method for roll-to-roll deposition of optically transparent and high conductivity metallic thin films |
US6841802B2 (en) | 2002-06-26 | 2005-01-11 | Oriol, Inc. | Thin film light emitting diode |
US20040004433A1 (en) * | 2002-06-26 | 2004-01-08 | 3M Innovative Properties Company | Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use |
DE10231140A1 (de) * | 2002-07-10 | 2004-01-29 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Optoelektronisches Bauelement mit elektrisch leitfähigem organischem Material sowie Verfahren zur Herstellung des Bauelementes |
US6642092B1 (en) * | 2002-07-11 | 2003-11-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Thin-film transistors formed on a metal foil substrate |
TWI338528B (it) * | 2002-07-19 | 2011-03-01 | Au Optronics Corp | |
US6693296B1 (en) * | 2002-08-07 | 2004-02-17 | Eastman Kodak Company | OLED apparatus including a series of OLED devices |
US6689628B1 (en) * | 2002-08-15 | 2004-02-10 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Method for dense pixel fabrication |
US7061175B2 (en) * | 2002-08-16 | 2006-06-13 | Universal Display Corporation | Efficiency transparent cathode |
AU2003263929A1 (en) * | 2002-08-16 | 2004-03-03 | The University Of Southern California | Organic light emitting materials and devices |
US7663300B2 (en) * | 2002-08-16 | 2010-02-16 | Universal Display Corporation | Organic light emitting devices for illumination |
JP4578970B2 (ja) | 2002-08-16 | 2010-11-10 | ザ ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア | アニオン性リガンドを有する有機発光材料 |
US6916554B2 (en) * | 2002-11-06 | 2005-07-12 | The University Of Southern California | Organic light emitting materials and devices |
AU2003261758A1 (en) * | 2002-08-27 | 2004-03-19 | Fujitsu Limited | Organometallic complexes, organic el devices, and organic el displays |
US20040191567A1 (en) * | 2002-09-03 | 2004-09-30 | Caballero Gabriel Joseph | Light emitting molecules and organic light emitting devices including light emitting molecules |
US20040108509A1 (en) * | 2002-09-03 | 2004-06-10 | Caballero Gabriel Joseph | Light emitting molecules and organic light emitting devices including light emitting molecules |
EP1550057A1 (en) * | 2002-10-10 | 2005-07-06 | International Business Machines Corporation | System and method for selecting, ordering and accessing copyrighted information from physical documents |
US6911961B2 (en) * | 2002-10-11 | 2005-06-28 | Eastman Kodak Company | Method of designing an OLED display with lifetime optimized primaries |
US6853660B2 (en) * | 2002-10-16 | 2005-02-08 | Eastman Kodak Company | Organic laser cavity arrays |
US7049636B2 (en) * | 2002-10-28 | 2006-05-23 | Universal Display Corporation | Device including OLED controlled by n-type transistor |
US20040086743A1 (en) * | 2002-11-06 | 2004-05-06 | Brown Cory S. | Organometallic compounds for use in electroluminescent devices |
US6858327B2 (en) | 2002-11-08 | 2005-02-22 | Universal Display Corporation | Organic light emitting materials and devices |
US6687266B1 (en) * | 2002-11-08 | 2004-02-03 | Universal Display Corporation | Organic light emitting materials and devices |
US6717176B1 (en) * | 2002-11-12 | 2004-04-06 | Opto Tech Corporation | White light emitting organic electro-luminescent device and method for fabricating the same |
US6891326B2 (en) * | 2002-11-15 | 2005-05-10 | Universal Display Corporation | Structure and method of fabricating organic devices |
US6982179B2 (en) * | 2002-11-15 | 2006-01-03 | University Display Corporation | Structure and method of fabricating organic devices |
US20040096570A1 (en) * | 2002-11-15 | 2004-05-20 | Michael Weaver | Structure and method of fabricating organic devices |
JP4072422B2 (ja) | 2002-11-22 | 2008-04-09 | 三星エスディアイ株式会社 | 蒸着用マスク構造体とその製造方法、及びこれを用いた有機el素子の製造方法 |
US6947459B2 (en) * | 2002-11-25 | 2005-09-20 | Eastman Kodak Company | Organic vertical cavity laser and imaging system |
US7368659B2 (en) * | 2002-11-26 | 2008-05-06 | General Electric Company | Electrodes mitigating effects of defects in organic electronic devices |
JP4173722B2 (ja) | 2002-11-29 | 2008-10-29 | 三星エスディアイ株式会社 | 蒸着マスク、これを利用した有機el素子の製造方法及び有機el素子 |
US7086918B2 (en) * | 2002-12-11 | 2006-08-08 | Applied Materials, Inc. | Low temperature process for passivation applications |
US7492092B2 (en) * | 2002-12-17 | 2009-02-17 | Seiko Epson Corporation | Self-emitting element, display panel, display apparatus, and method of manufacturing self-emitting element |
US7338820B2 (en) * | 2002-12-19 | 2008-03-04 | 3M Innovative Properties Company | Laser patterning of encapsulated organic light emitting diodes |
US6975067B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-12-13 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device and encapsulation method |
US7964439B2 (en) | 2002-12-20 | 2011-06-21 | The Trustees Of Princeton University | Methods of fabricating devices by transfer of organic material |
US8222072B2 (en) * | 2002-12-20 | 2012-07-17 | The Trustees Of Princeton University | Methods of fabricating devices by low pressure cold welding |
DE10261609B4 (de) * | 2002-12-20 | 2007-05-03 | Novaled Ag | Lichtemittierende Anordnung |
US7063900B2 (en) | 2002-12-23 | 2006-06-20 | General Electric Company | White light-emitting organic electroluminescent devices |
JP2004226795A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Pioneer Electronic Corp | 立体画像表示装置 |
US6900458B2 (en) * | 2003-02-21 | 2005-05-31 | Universal Display Corporation | Transflective display having an OLED backlight |
US6995445B2 (en) * | 2003-03-14 | 2006-02-07 | The Trustees Of Princeton University | Thin film organic position sensitive detectors |
KR101391117B1 (ko) | 2003-03-24 | 2014-04-30 | 유니버시티 오브 써던 캘리포니아 | Ir의 페닐-피라졸 착물 |
US6727660B1 (en) | 2003-03-27 | 2004-04-27 | General Electric Company | Organic electroluminescent devices and method for improving energy efficiency and optical stability thereof |
US20050227389A1 (en) * | 2004-04-13 | 2005-10-13 | Rabin Bhattacharya | Deformable organic devices |
US7465678B2 (en) * | 2003-03-28 | 2008-12-16 | The Trustees Of Princeton University | Deformable organic devices |
US20040199052A1 (en) | 2003-04-01 | 2004-10-07 | Scimed Life Systems, Inc. | Endoscopic imaging system |
US7090928B2 (en) | 2003-04-01 | 2006-08-15 | The University Of Southern California | Binuclear compounds |
US6902833B2 (en) * | 2003-04-01 | 2005-06-07 | University Of Southern California | Materials and structures for enhancing the performance or organic light emitting devices |
US7018713B2 (en) * | 2003-04-02 | 2006-03-28 | 3M Innovative Properties Company | Flexible high-temperature ultrabarrier |
KR20050119685A (ko) * | 2003-04-08 | 2005-12-21 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 양면 발광 디바이스 |
US6831302B2 (en) | 2003-04-15 | 2004-12-14 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting devices with improved extraction efficiency |
US7271406B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-09-18 | 3M Innovative Properties Company | Electron transport agents for organic electronic devices |
US7192657B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-03-20 | 3M Innovative Properties Company | Ethynyl containing electron transport dyes and compositions |
US20040209116A1 (en) * | 2003-04-21 | 2004-10-21 | Xiaofan Ren | Organic light emitting devices with wide gap host materials |
US20040209115A1 (en) * | 2003-04-21 | 2004-10-21 | Thompson Mark E. | Organic light emitting devices with wide gap host materials |
US7029765B2 (en) * | 2003-04-22 | 2006-04-18 | Universal Display Corporation | Organic light emitting devices having reduced pixel shrinkage |
JP3902566B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2007-04-11 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機el発光素子 |
US6853134B2 (en) * | 2003-05-20 | 2005-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Anode structure for organic light emitting device |
US7535017B2 (en) * | 2003-05-30 | 2009-05-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Flexible multilayer packaging material and electronic devices with the packaging material |
US20040259070A1 (en) * | 2003-06-20 | 2004-12-23 | Goodstein Shelley R. | Child/infant play and entertainment devices including electronic displays |
US7553355B2 (en) * | 2003-06-23 | 2009-06-30 | Matheson Tri-Gas | Methods and materials for the reduction and control of moisture and oxygen in OLED devices |
US7310779B2 (en) * | 2003-06-26 | 2007-12-18 | International Business Machines Corporation | Method for creating and selecting active regions on physical documents |
US7053412B2 (en) | 2003-06-27 | 2006-05-30 | The Trustees Of Princeton University And Universal Display Corporation | Grey scale bistable display |
US6885025B2 (en) * | 2003-07-10 | 2005-04-26 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device structures for obtaining chromaticity stability |
US7211823B2 (en) * | 2003-07-10 | 2007-05-01 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device structure for obtaining chromaticity stability |
US7002292B2 (en) | 2003-07-22 | 2006-02-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Organic electronic device |
US6953705B2 (en) | 2003-07-22 | 2005-10-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for removing an organic layer during fabrication of an organic electronic device |
US7018723B2 (en) * | 2003-07-25 | 2006-03-28 | The University Of Southern California | Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices |
US20050025993A1 (en) | 2003-07-25 | 2005-02-03 | Thompson Mark E. | Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices |
US7198859B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-04-03 | Universal Display Corporation | Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices |
US20050023974A1 (en) * | 2003-08-01 | 2005-02-03 | Universal Display Corporation | Protected organic electronic devices and methods for making the same |
WO2005015640A1 (en) * | 2003-08-12 | 2005-02-17 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Circuit arrangement for ac driving of organic diodes |
US7275972B2 (en) * | 2003-08-22 | 2007-10-02 | 3M Innovative Properties Company | Method of making an electroluminescent device having a patterned emitter layer and non-patterned emitter layer |
JP4123106B2 (ja) * | 2003-08-22 | 2008-07-23 | ソニー株式会社 | 有機el素子 |
US6998648B2 (en) * | 2003-08-25 | 2006-02-14 | Universal Display Corporation | Protected organic electronic device structures incorporating pressure sensitive adhesive and desiccant |
DE10342408B4 (de) * | 2003-09-10 | 2008-09-11 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Duales Photolumineszenzanzeigeelement, Display und Verfahren |
JP4823478B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2011-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
US7179543B2 (en) * | 2003-10-06 | 2007-02-20 | The Trustees Of Princeton University | Doping of organic opto-electronic devices to extend reliability |
US8884845B2 (en) * | 2003-10-28 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and telecommunication system |
JP4243237B2 (ja) * | 2003-11-10 | 2009-03-25 | 淳二 城戸 | 有機素子、有機el素子、有機太陽電池、及び、有機fet構造、並びに、有機素子の製造方法 |
US7061011B2 (en) * | 2003-11-26 | 2006-06-13 | The Trustees Of Princeton University | Bipolar organic devices |
WO2005055331A1 (en) * | 2003-12-02 | 2005-06-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Pixel arrangement for an emissive device |
KR100987451B1 (ko) * | 2003-12-04 | 2010-10-13 | 엘지전자 주식회사 | 면발광 소자 |
US7070867B2 (en) * | 2003-12-05 | 2006-07-04 | The University Of Southern California | OLEDs having n-type doping |
US20050137459A1 (en) * | 2003-12-17 | 2005-06-23 | Scimed Life Systems, Inc. | Medical device with OLED illumination light source |
JP2005190768A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Toyota Industries Corp | 照明装置 |
CN100551187C (zh) * | 2003-12-26 | 2009-10-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件 |
US7279232B2 (en) * | 2004-01-26 | 2007-10-09 | Universal Display Corporation | Electroluminescent stability |
US20050164031A1 (en) * | 2004-01-26 | 2005-07-28 | Thompson Mark E. | Dual emitting dyads of heavy metal complexes as broad band emitters for organic LEDs |
US7151339B2 (en) * | 2004-01-30 | 2006-12-19 | Universal Display Corporation | OLED efficiency by utilization of different doping concentrations within the device emissive layer |
US7332232B2 (en) * | 2004-02-03 | 2008-02-19 | Universal Display Corporation | OLEDs utilizing multidentate ligand systems |
US7030554B2 (en) * | 2004-02-06 | 2006-04-18 | Eastman Kodak Company | Full-color organic display having improved blue emission |
JP4608637B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2011-01-12 | 株式会社豊田自動織機 | フルカラーoledバックライトを有する半透過型ディスプレイ |
US20050179046A1 (en) * | 2004-02-13 | 2005-08-18 | Kopin Corporation | P-type electrodes in gallium nitride-based light-emitting devices |
US20050189164A1 (en) * | 2004-02-26 | 2005-09-01 | Chang Chi L. | Speaker enclosure having outer flared tube |
US7045952B2 (en) * | 2004-03-04 | 2006-05-16 | Universal Display Corporation | OLEDs with mixed host emissive layer |
US7393598B2 (en) * | 2004-03-10 | 2008-07-01 | Hcf Partners, L.P. | Light emitting molecules and organic light emitting devices including light emitting molecules |
KR101194468B1 (ko) * | 2004-03-25 | 2012-10-24 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 소자 |
JP2005294058A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 補償回路を有する有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US7419846B2 (en) * | 2004-04-13 | 2008-09-02 | The Trustees Of Princeton University | Method of fabricating an optoelectronic device having a bulk heterojunction |
US7491823B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-02-17 | The University Of Southern California | Luminescent compounds with carbene ligands |
US7598388B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-10-06 | The University Of Southern California | Carbene containing metal complexes as OLEDs |
US7445855B2 (en) * | 2004-05-18 | 2008-11-04 | The University Of Southern California | Cationic metal-carbene complexes |
US7534505B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-05-19 | The University Of Southern California | Organometallic compounds for use in electroluminescent devices |
US7279704B2 (en) | 2004-05-18 | 2007-10-09 | The University Of Southern California | Complexes with tridentate ligands |
US7582365B2 (en) * | 2005-01-10 | 2009-09-01 | Universal Display Corporation | Reversibly reducible metal complexes as electron transporting materials for OLEDs |
US7655323B2 (en) * | 2004-05-18 | 2010-02-02 | The University Of Southern California | OLEDs utilizing macrocyclic ligand systems |
US7154114B2 (en) * | 2004-05-18 | 2006-12-26 | Universal Display Corporation | Cyclometallated iridium carbene complexes for use as hosts |
US7393599B2 (en) | 2004-05-18 | 2008-07-01 | The University Of Southern California | Luminescent compounds with carbene ligands |
US7601436B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-10-13 | The University Of Southern California | Carbene metal complexes as OLED materials |
US7629695B2 (en) * | 2004-05-20 | 2009-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Stacked electronic component and manufacturing method thereof |
DE102004025578B4 (de) * | 2004-05-25 | 2009-04-23 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Herstellen von organischen, Licht emittierenden Flächenelementen und Verwendung dieses Verfahrens |
US7196835B2 (en) * | 2004-06-01 | 2007-03-27 | The Trustees Of Princeton University | Aperiodic dielectric multilayer stack |
US20050269943A1 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-08 | Michael Hack | Protected organic electronic devices and methods for making the same |
JP4631316B2 (ja) * | 2004-06-07 | 2011-02-16 | パナソニック株式会社 | エレクトロルミネセンス素子 |
US20060008670A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Chun Lin | Organic light emitting materials and devices |
US20060008671A1 (en) * | 2004-07-07 | 2006-01-12 | Raymond Kwong | Electroluminescent efficiency |
US7709100B2 (en) * | 2004-07-07 | 2010-05-04 | Universal Display Corporation | Electroluminescent efficiency |
WO2006014599A2 (en) | 2004-07-07 | 2006-02-09 | Universal Display Corporation | Stable and efficient electroluminescent materials |
KR100659057B1 (ko) | 2004-07-15 | 2006-12-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 유기 전계 발광표시장치 |
US7194173B2 (en) * | 2004-07-16 | 2007-03-20 | The Trustees Of Princeton University | Organic devices having a fiber structure |
US7449830B2 (en) | 2004-08-02 | 2008-11-11 | Lg Display Co., Ltd. | OLEDs having improved luminance stability |
US7449831B2 (en) * | 2004-08-02 | 2008-11-11 | Lg Display Co., Ltd. | OLEDs having inorganic material containing anode capping layer |
US7196366B2 (en) * | 2004-08-05 | 2007-03-27 | The Trustees Of Princeton University | Stacked organic photosensitive devices |
US7540978B2 (en) * | 2004-08-05 | 2009-06-02 | Novaled Ag | Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component |
US8241467B2 (en) * | 2004-08-10 | 2012-08-14 | Global Oled Technology Llc | Making a cathode structure for OLEDs |
US8653537B2 (en) | 2004-08-13 | 2014-02-18 | Novaled Ag | Layer assembly for a light-emitting component |
DE102004040005A1 (de) * | 2004-08-18 | 2006-02-23 | Basf Ag | In Polymermatrices eingebettete Übergangsmetallcarbenkomplexe zur Verwendung in OLEDs |
JP4510735B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2010-07-28 | 統寶光電股▲ふん▼有限公司 | 設計手法、パネル及びその電子素子 |
KR101251622B1 (ko) | 2004-09-24 | 2013-04-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 |
EP1648042B1 (en) * | 2004-10-07 | 2007-05-02 | Novaled AG | A method for doping a semiconductor material with cesium |
US20060088728A1 (en) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Raymond Kwong | Arylcarbazoles as hosts in PHOLEDs |
US20060086020A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Eastman Kodak Company | Multi-mode flat-panel light-emitting sign |
US7564052B2 (en) | 2004-11-05 | 2009-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light emitting device using the same |
DE102004054893A1 (de) * | 2004-11-12 | 2006-05-24 | Micronas Gmbh | Verfahren und Schaltungsanordnung zur Kanalfilterung analog oder digital modulierter TV-Signale |
TW200634801A (en) * | 2004-11-17 | 2006-10-01 | Hitachi Maxell | Optical information-recording medium |
US20080308037A1 (en) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for thermal jet printing |
US8128753B2 (en) | 2004-11-19 | 2012-03-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for depositing LED organic film |
US8986780B2 (en) | 2004-11-19 | 2015-03-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for depositing LED organic film |
US7776456B2 (en) * | 2004-12-03 | 2010-08-17 | Universal Display Corporation | Organic light emitting devices with an emissive region having emissive and non-emissive layers and method of making |
US7538756B2 (en) * | 2004-12-17 | 2009-05-26 | Eastman Kodak Company | Methods for making display |
US20060131505A1 (en) * | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Eastman Kodak Company | Imaging element |
US7515149B2 (en) * | 2004-12-17 | 2009-04-07 | Eastman Kodak Company | Display with wirelessly controlled illumination |
US20060136997A1 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-22 | Eastman Kodak Company | Authentication system and method |
US20060136734A1 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-22 | Eastman Kodak Company | Identification display device |
US20060131393A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Eastman Kodak Company | Multi-role transaction card |
KR20070097085A (ko) | 2004-12-30 | 2007-10-02 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 조사를 사용하는 장치 패턴화 |
JP4939809B2 (ja) | 2005-01-21 | 2012-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US7630029B2 (en) * | 2005-02-16 | 2009-12-08 | Industrial Technology Research Institute | Conductive absorption layer for flexible displays |
KR100721571B1 (ko) * | 2005-03-07 | 2007-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법 |
EP1701395B1 (de) | 2005-03-11 | 2012-09-12 | Novaled AG | Transparentes lichtemittierendes Bauelement |
US9153163B2 (en) | 2005-03-11 | 2015-10-06 | The Invention Science Fund I, Llc | Self assembly of elements for displays |
US7990349B2 (en) | 2005-04-22 | 2011-08-02 | The Invention Science Fund I, Llc | Superimposed displays |
DE502005002342D1 (de) * | 2005-03-15 | 2008-02-07 | Novaled Ag | Lichtemittierendes Bauelement |
US7683536B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-03-23 | The Trustees Of Princeton University | OLEDs utilizing direct injection to the triplet state |
US20060251921A1 (en) * | 2005-05-06 | 2006-11-09 | Stephen Forrest | OLEDs utilizing direct injection to the triplet state |
WO2006102769A1 (en) * | 2005-04-01 | 2006-10-05 | Dolby Canada Corporation | 3-d color synthesis displays and methods |
US20060222886A1 (en) * | 2005-04-04 | 2006-10-05 | Raymond Kwong | Arylpyrene compounds |
US9070884B2 (en) | 2005-04-13 | 2015-06-30 | Universal Display Corporation | Hybrid OLED having phosphorescent and fluorescent emitters |
EP2264806B1 (de) | 2005-04-13 | 2019-03-27 | Novaled GmbH | Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen |
US7807275B2 (en) | 2005-04-21 | 2010-10-05 | Universal Display Corporation | Non-blocked phosphorescent OLEDs |
US7777407B2 (en) * | 2005-05-04 | 2010-08-17 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer |
US8487527B2 (en) * | 2005-05-04 | 2013-07-16 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting devices |
US9051344B2 (en) * | 2005-05-06 | 2015-06-09 | Universal Display Corporation | Stability OLED materials and devices |
US7902374B2 (en) * | 2005-05-06 | 2011-03-08 | Universal Display Corporation | Stability OLED materials and devices |
US8586204B2 (en) | 2007-12-28 | 2013-11-19 | Universal Display Corporation | Phosphorescent emitters and host materials with improved stability |
JP4636501B2 (ja) * | 2005-05-12 | 2011-02-23 | 株式会社沖データ | 半導体装置、プリントヘッド及び画像形成装置 |
US20060265278A1 (en) * | 2005-05-18 | 2006-11-23 | Napster Llc | System and method for censoring randomly generated character strings |
US7851072B2 (en) * | 2005-05-19 | 2010-12-14 | Universal Display Corporation | Stable and efficient electroluminescent materials |
US7811679B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-10-12 | Lg Display Co., Ltd. | Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers |
GB0510282D0 (en) * | 2005-05-20 | 2005-06-29 | Cambridge Display Tech Ltd | Top-electroluminescent devices comprising cathode bus bars |
US7943244B2 (en) * | 2005-05-20 | 2011-05-17 | Lg Display Co., Ltd. | Display device with metal-organic mixed layer anodes |
US7795806B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-09-14 | Lg Display Co., Ltd. | Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML) |
US7728517B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-06-01 | Lg Display Co., Ltd. | Intermediate electrodes for stacked OLEDs |
US7750561B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-07-06 | Lg Display Co., Ltd. | Stacked OLED structure |
DE502005009415D1 (de) * | 2005-05-27 | 2010-05-27 | Novaled Ag | Transparente organische Leuchtdiode |
WO2006130598A2 (en) | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Universal Display Corporation | Triphenylene hosts in phosphorescent light emitting diodes |
EP1729346A1 (de) * | 2005-06-01 | 2006-12-06 | Novaled AG | Lichtemittierendes Bauteil mit einer Elektrodenanordnung |
US7474048B2 (en) * | 2005-06-01 | 2009-01-06 | The Trustees Of Princeton University | Fluorescent filtered electrophosphorescence |
US20070001927A1 (en) * | 2005-07-01 | 2007-01-04 | Eastman Kodak Company | Tiled display for electronic signage |
EP1739765A1 (de) * | 2005-07-01 | 2007-01-03 | Novaled AG | Organische Leuchtdiode und Anordnung mit mehreren organischen Leuchtdioden |
US20070018189A1 (en) * | 2005-07-22 | 2007-01-25 | Unity Opto Technology Co., Ltd. | Light emitting diode |
KR100721907B1 (ko) * | 2005-07-25 | 2007-05-28 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이장치 |
DE102005037289A1 (de) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Siemens Ag | Fotodetektor, Röntgenstrahlenflachbilddetektor und Verfahren zur Herstellung dergleichen |
TWI279165B (en) * | 2005-08-09 | 2007-04-11 | Au Optronics Corp | White organic light emitting diode |
CN100454594C (zh) * | 2005-08-11 | 2009-01-21 | 璨圆光电股份有限公司 | 发光二极管元件及其驱动方法 |
CN100444425C (zh) * | 2005-08-26 | 2008-12-17 | 中华映管股份有限公司 | 堆叠式有机电致发光元件及其制造方法 |
TWI326379B (en) * | 2005-09-20 | 2010-06-21 | Au Optronics Corp | A double-sided liquid crystal display |
CN101263610B (zh) * | 2005-09-30 | 2013-03-13 | 首尔Opto仪器股份有限公司 | 具有竖直堆叠发光二极管的发光器件 |
US8148891B2 (en) * | 2005-10-04 | 2012-04-03 | Universal Display Corporation | Electron impeding layer for high efficiency phosphorescent OLEDs |
US20070085837A1 (en) * | 2005-10-17 | 2007-04-19 | Eastman Kodak Company | Touch input device with display front |
US20070085838A1 (en) | 2005-10-17 | 2007-04-19 | Ricks Theodore K | Method for making a display with integrated touchscreen |
US7731409B2 (en) * | 2005-10-31 | 2010-06-08 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Illumination device and method for producing a spatial pattern of light at different wavelengths |
US20070103066A1 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-10 | D Andrade Brian W | Stacked OLEDs with a reflective conductive layer |
US8021763B2 (en) * | 2005-11-23 | 2011-09-20 | The Trustees Of Princeton University | Phosphorescent OLED with interlayer |
US7709105B2 (en) * | 2005-12-14 | 2010-05-04 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent host material |
EP1806795B1 (de) * | 2005-12-21 | 2008-07-09 | Novaled AG | Organisches Bauelement |
EP1804308B1 (en) * | 2005-12-23 | 2012-04-04 | Novaled AG | An organic light emitting device with a plurality of organic electroluminescent units stacked upon each other |
EP1804309B1 (en) * | 2005-12-23 | 2008-07-23 | Novaled AG | Electronic device with a layer structure of organic layers |
EP1808909A1 (de) | 2006-01-11 | 2007-07-18 | Novaled AG | Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung |
EP2987450B1 (en) | 2006-02-07 | 2019-06-05 | Boston Scientific Limited | Medical device light source |
KR20210130847A (ko) | 2006-02-10 | 2021-11-01 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 시클로금속화 이미다조[1,2-f]페난트리딘 및 디이미다조[1,2-a:1',2'-c]퀴나졸린 리간드, 및 이의 등전자성 및 벤즈고리화된 유사체의 금속 착체 |
US8142909B2 (en) * | 2006-02-10 | 2012-03-27 | Universal Display Corporation | Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials |
EP1988143A4 (en) * | 2006-02-20 | 2009-11-25 | Konica Minolta Holdings Inc | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, WHITE LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE, AND LIGHTING DEVICE |
US20070234611A1 (en) * | 2006-03-15 | 2007-10-11 | Steven Ochs | Multi-laminate three-dimensional video display and methods therefore |
JP4977391B2 (ja) * | 2006-03-27 | 2012-07-18 | 日本電気株式会社 | レーザ切断方法、表示装置の製造方法、および表示装置 |
EP2378586B1 (en) | 2006-04-13 | 2012-11-21 | The University of Southern California | Organic electronic devices using phthalimide compounds |
EP1848049B1 (de) * | 2006-04-19 | 2009-12-09 | Novaled AG | Lichtemittierendes Bauelement |
US8330351B2 (en) * | 2006-04-20 | 2012-12-11 | Universal Display Corporation | Multiple dopant emissive layer OLEDs |
US20070247061A1 (en) * | 2006-04-20 | 2007-10-25 | Vadim Adamovich | Multiple dopant emissive layer OLEDs |
WO2007136588A1 (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-29 | Nitto Denko Corporation | Light emitting devices and compositions |
US7579773B2 (en) * | 2006-06-05 | 2009-08-25 | The Trustees Of Princeton University | Organic light-emitting device with a phosphor-sensitized fluorescent emission layer |
TWI317182B (en) * | 2006-07-07 | 2009-11-11 | Au Optronics Corp | Tandem organic electroluminescent elements and uses of the same |
RU2310676C1 (ru) * | 2006-07-10 | 2007-11-20 | Некоммерческая организация Учреждение Институт проблем химической физики Российской академии наук (статус государственного учреждения) (ИПХФ РАН) | Электролюминесцентный материал, содержащий органическое люминесцентное вещество |
DE202007018948U1 (de) | 2006-07-18 | 2009-12-31 | University Of Southern California, Los Angeles | Elektroden mit Nanoröhrchen für organische optoelektronische Einrichtung |
JP2006344606A (ja) * | 2006-07-31 | 2006-12-21 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el発光素子およびそれを用いた発光装置 |
US7670450B2 (en) * | 2006-07-31 | 2010-03-02 | 3M Innovative Properties Company | Patterning and treatment methods for organic light emitting diode devices |
US7724796B2 (en) * | 2006-08-29 | 2010-05-25 | The Trustees Of Princeton University | Organic laser |
JP2008059791A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Canon Inc | 有機el素子アレイ |
US7710017B2 (en) * | 2006-09-08 | 2010-05-04 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device having a transparent microcavity |
US7598381B2 (en) * | 2006-09-11 | 2009-10-06 | The Trustees Of Princeton University | Near-infrared emitting organic compounds and organic devices using the same |
JP4739155B2 (ja) * | 2006-09-12 | 2011-08-03 | 富士フイルム株式会社 | 表示媒体 |
US7800295B2 (en) * | 2006-09-15 | 2010-09-21 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device having a microcavity |
US9018619B2 (en) * | 2006-10-09 | 2015-04-28 | Cree, Inc. | Quantum wells for light conversion |
US7826693B2 (en) * | 2006-10-26 | 2010-11-02 | The Trustees Of Princeton University | Monolithically integrated reconfigurable optical add-drop multiplexer |
US8945722B2 (en) * | 2006-10-27 | 2015-02-03 | The University Of Southern California | Materials and architectures for efficient harvesting of singlet and triplet excitons for white light emitting OLEDs |
US8519130B2 (en) * | 2006-12-08 | 2013-08-27 | Universal Display Corporation | Method for synthesis of iriduim (III) complexes with sterically demanding ligands |
US8778508B2 (en) * | 2006-12-08 | 2014-07-15 | Universal Display Corporation | Light-emitting organometallic complexes |
DE102006059509B4 (de) * | 2006-12-14 | 2012-05-03 | Novaled Ag | Organisches Leuchtbauelement |
US7879401B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-02-01 | The Regents Of The University Of Michigan | Organic vapor jet deposition using an exhaust |
JP5262104B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2013-08-14 | 住友化学株式会社 | 金属錯体、高分子化合物及びこれらを含む素子 |
KR101118808B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2012-03-22 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 긴 수명의 인광 유기 발광 소자(oled) 구조체 |
GB0625865D0 (en) * | 2006-12-29 | 2007-02-07 | Oled T Ltd | Electro-optical or opto-electronic device |
KR101359632B1 (ko) | 2007-01-19 | 2014-02-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 |
CN101595341B (zh) * | 2007-01-24 | 2013-05-29 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 包括至少一个灯和至少一个oled的照明设备 |
US7728512B2 (en) * | 2007-03-02 | 2010-06-01 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device having an external microcavity |
KR101634508B1 (ko) | 2007-03-08 | 2016-06-28 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 인광성 물질 |
US20130032785A1 (en) | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Universal Display Corporation | Materials for organic light emitting diode |
US9130177B2 (en) | 2011-01-13 | 2015-09-08 | Universal Display Corporation | 5-substituted 2 phenylquinoline complexes materials for light emitting diode |
DE102007011637A1 (de) * | 2007-03-09 | 2008-09-18 | Ivoclar Vivadent Ag | Lichtemissionsvorrichtung |
EP2132802B1 (en) | 2007-03-30 | 2013-01-09 | The Regents of the University of Michigan | Oled with improved light outcoupling |
JP2008263127A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Toshiba Corp | Led装置 |
DE102007019260B4 (de) * | 2007-04-17 | 2020-01-16 | Novaled Gmbh | Nichtflüchtiges organisches Speicherelement |
US8004188B2 (en) * | 2007-04-27 | 2011-08-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting device with anodized metallization |
US7993763B2 (en) * | 2007-05-10 | 2011-08-09 | Universal Display Corporation | Organometallic compounds having host and dopant functionalities |
US8556389B2 (en) | 2011-02-04 | 2013-10-15 | Kateeva, Inc. | Low-profile MEMS thermal printhead die having backside electrical connections |
US8257793B2 (en) | 2007-06-29 | 2012-09-04 | The Regents Of The University Of Michigan | Roll to roll fabrication of microlens arrays for low cost light outcoupling from OLEDs |
US7782191B2 (en) * | 2007-07-25 | 2010-08-24 | Tomas Flores | Portable alarm apparatus for warning persons |
US8149183B2 (en) * | 2007-07-31 | 2012-04-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Display |
KR102073400B1 (ko) * | 2007-08-08 | 2020-02-05 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 인광성 발광 다이오드의 단일 트리페닐렌 발색단 |
KR101565724B1 (ko) | 2007-08-08 | 2015-11-03 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 트리페닐렌기를 포함하는 벤조 융합 티오펜 또는 벤조 융합 푸란 화합물 |
JP2009048811A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Sony Corp | 転写用基板および有機電界発光素子の製造方法 |
KR100899423B1 (ko) * | 2007-08-16 | 2009-05-27 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
US8498464B2 (en) * | 2007-09-27 | 2013-07-30 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Intrinsic co-registration for modular multimodality medical imaging systems |
US8067100B2 (en) | 2007-10-04 | 2011-11-29 | Universal Display Corporation | Complexes with tridentate ligands |
US8383249B2 (en) * | 2007-10-04 | 2013-02-26 | Universal Display Corporation | Complexes with tridentate ligands |
KR20090034412A (ko) * | 2007-10-04 | 2009-04-08 | 삼성전자주식회사 | 발광 칩 및 이의 제조 방법 |
US8003008B1 (en) | 2007-10-08 | 2011-08-23 | Clemson University | Color-tailored polymer light emitting diodes including emissive colloidal particles and method of forming same |
US20090243468A1 (en) * | 2007-10-16 | 2009-10-01 | Thompson Mark E | Arylimino-isoindoline complexes for use in organic light emitting diodes |
GB2453766A (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-22 | Novalia Ltd | Method of fabricating an electronic device |
RU2467433C2 (ru) * | 2007-10-23 | 2012-11-20 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Устройство, способ и система для освещения |
US8476822B2 (en) | 2007-11-09 | 2013-07-02 | Universal Display Corporation | Saturated color organic light emitting devices |
GB2454867B (en) | 2007-11-09 | 2010-02-03 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices comprising bus bar |
US8815411B2 (en) * | 2007-11-09 | 2014-08-26 | The Regents Of The University Of Michigan | Stable blue phosphorescent organic light emitting devices |
CN101163358B (zh) * | 2007-11-14 | 2012-01-04 | 清华大学 | 一种显示装置 |
JP5481385B2 (ja) | 2007-11-15 | 2014-04-23 | 日東電工株式会社 | 発光素子および発光組成物 |
CN101971637B (zh) * | 2007-11-24 | 2013-06-19 | 王勇竞 | 基于自发光显示芯片的投影设备 |
TWI374556B (en) | 2007-12-12 | 2012-10-11 | Au Optronics Corp | White light emitting device and producing method thereof |
US20090153034A1 (en) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Universal Display Corporation | Carbazole-containing materials in phosphorescent light emittinig diodes |
WO2009085344A2 (en) | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Universal Display Corporation | Dibenzothiophene-containing materials in phosphorescent light emitting diodes |
US8221905B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-07-17 | Universal Display Corporation | Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes |
TWI479714B (zh) * | 2008-01-29 | 2015-04-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | 具整合式之鄰近感測器的有機發光二極體照明裝置 |
ATE542243T1 (de) * | 2008-01-31 | 2012-02-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Lichtemittierende vorrichtung |
US8040053B2 (en) * | 2008-02-09 | 2011-10-18 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device architecture for reducing the number of organic materials |
JP2009259628A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機発光素子 |
KR101115154B1 (ko) * | 2008-05-23 | 2012-02-24 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 |
DE102008025160A1 (de) * | 2008-05-26 | 2009-12-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Projektor für kleinste Projektionsflächen und Verwendung einer Mehrfarben-LED in einem Projektor |
US10434804B2 (en) | 2008-06-13 | 2019-10-08 | Kateeva, Inc. | Low particle gas enclosure systems and methods |
US9048344B2 (en) | 2008-06-13 | 2015-06-02 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
US11975546B2 (en) | 2008-06-13 | 2024-05-07 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
US8899171B2 (en) | 2008-06-13 | 2014-12-02 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
US8383202B2 (en) | 2008-06-13 | 2013-02-26 | Kateeva, Inc. | Method and apparatus for load-locked printing |
US9604245B2 (en) | 2008-06-13 | 2017-03-28 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure systems and methods utilizing an auxiliary enclosure |
JP5053956B2 (ja) * | 2008-06-20 | 2012-10-24 | キヤノン株式会社 | 有機el表示装置 |
WO2009154310A1 (en) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus |
JP2011018451A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-01-27 | Canon Inc | 発光表示装置 |
JP2011526719A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-10-13 | キヤノン株式会社 | 発光装置 |
JP5591800B2 (ja) | 2008-06-30 | 2014-09-17 | ユニバーサル・ディスプレイ・コーポレーション | トリフェニレンを含有するホール輸送材料 |
KR20160140980A (ko) | 2008-06-30 | 2016-12-07 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 황 함유 그룹을 포함하는 정공 수송 물질 |
FR2933536B1 (fr) | 2008-07-03 | 2013-05-10 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'affichage electronique polychrome a ecran electroluminescent |
JP5522991B2 (ja) * | 2008-07-11 | 2014-06-18 | キヤノン株式会社 | 有機el表示装置 |
US8372526B2 (en) | 2008-07-16 | 2013-02-12 | Universal Display Corporation | Intermediate connector for stacked organic light emitting devices |
US8385436B2 (en) * | 2008-07-16 | 2013-02-26 | Honeywell International Inc. | Apparatus and method for modifying transmissions on specified wireless channels to reduce interference with higher-priority transmitters |
DE102008036063B4 (de) * | 2008-08-04 | 2017-08-31 | Novaled Gmbh | Organischer Feldeffekt-Transistor |
DE102008036062B4 (de) | 2008-08-04 | 2015-11-12 | Novaled Ag | Organischer Feldeffekt-Transistor |
WO2010027583A1 (en) | 2008-09-03 | 2010-03-11 | Universal Display Corporation | Phosphorescent materials |
JP5698135B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2015-04-08 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 白色燐光有機発光装置 |
CN102150294B (zh) * | 2008-09-09 | 2013-12-18 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 利用导体接触器件 |
TWI482756B (zh) | 2008-09-16 | 2015-05-01 | Universal Display Corp | 磷光物質 |
DE102008048336A1 (de) * | 2008-09-22 | 2010-03-25 | Merck Patent Gmbh | Einkernige neutrale Kupfer(I)-Komplexe und deren Verwendung zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen |
US8426035B2 (en) * | 2008-09-25 | 2013-04-23 | Universal Display Corporation | Organoselenium materials and their uses in organic light emitting devices |
US20100225252A1 (en) | 2008-10-01 | 2010-09-09 | Universal Display Corporation | Novel amoled display architecture |
US8827488B2 (en) | 2008-10-01 | 2014-09-09 | Universal Display Corporation | OLED display architecture |
US9385167B2 (en) | 2008-10-01 | 2016-07-05 | Universal Display Corporation | OLED display architecture |
US8053770B2 (en) * | 2008-10-14 | 2011-11-08 | Universal Display Corporation | Emissive layer patterning for OLED |
US8766291B2 (en) | 2008-10-28 | 2014-07-01 | The Regents Of The University Of Michigan | Stacked white OLED having separate red, green and blue sub-elements |
CN102272261B (zh) * | 2008-11-11 | 2014-02-26 | 通用显示公司 | 磷光发射体 |
KR20110053224A (ko) * | 2008-11-18 | 2011-05-19 | 토피 고교 가부시키가이샤 | 통 형상 부재의 제조 방법 |
EP2374121B1 (en) * | 2008-12-05 | 2019-09-04 | Beijing Xiaomi Mobile Software Co., Ltd. | Oled with integrated delay structure |
US8815415B2 (en) | 2008-12-12 | 2014-08-26 | Universal Display Corporation | Blue emitter with high efficiency based on imidazo[1,2-f] phenanthridine iridium complexes |
KR101932823B1 (ko) | 2008-12-12 | 2018-12-27 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 도핑된 정공 수송층을 통한 oled 안정성 향상 |
US20100188457A1 (en) * | 2009-01-05 | 2010-07-29 | Madigan Connor F | Method and apparatus for controlling the temperature of an electrically-heated discharge nozzle |
US9067947B2 (en) * | 2009-01-16 | 2015-06-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US8310150B2 (en) * | 2009-02-04 | 2012-11-13 | The Regents Of The University Of Michigan | Light emitting device with high outcoupling |
US8722205B2 (en) | 2009-03-23 | 2014-05-13 | Universal Display Corporation | Heteroleptic iridium complex |
US11910700B2 (en) | 2009-03-23 | 2024-02-20 | Universal Display Corporation | Heteroleptic iridium complexes as dopants |
US8709615B2 (en) | 2011-07-28 | 2014-04-29 | Universal Display Corporation | Heteroleptic iridium complexes as dopants |
US8633497B2 (en) * | 2009-03-25 | 2014-01-21 | The Regents Of The University Of Michigan | Concave-hemisphere-patterned organic top-light emitting device |
US20100244735A1 (en) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Energy Focus, Inc. | Lighting Device Supplying Temporally Appropriate Light |
US8569744B2 (en) * | 2009-03-30 | 2013-10-29 | Universal Display Corporation | OLED display architecture |
CN105820192B (zh) | 2009-04-06 | 2020-04-07 | 通用显示公司 | 包含新的配体结构的金属配合物 |
US8362800B2 (en) | 2010-10-13 | 2013-01-29 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device including field repairable logics |
US8395191B2 (en) * | 2009-10-12 | 2013-03-12 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US8405420B2 (en) * | 2009-04-14 | 2013-03-26 | Monolithic 3D Inc. | System comprising a semiconductor device and structure |
US8378715B2 (en) | 2009-04-14 | 2013-02-19 | Monolithic 3D Inc. | Method to construct systems |
US9711407B2 (en) * | 2009-04-14 | 2017-07-18 | Monolithic 3D Inc. | Method of manufacturing a three dimensional integrated circuit by transfer of a mono-crystalline layer |
US8669778B1 (en) | 2009-04-14 | 2014-03-11 | Monolithic 3D Inc. | Method for design and manufacturing of a 3D semiconductor device |
US8384426B2 (en) | 2009-04-14 | 2013-02-26 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US9577642B2 (en) | 2009-04-14 | 2017-02-21 | Monolithic 3D Inc. | Method to form a 3D semiconductor device |
US8258810B2 (en) | 2010-09-30 | 2012-09-04 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device |
US7986042B2 (en) | 2009-04-14 | 2011-07-26 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US8427200B2 (en) | 2009-04-14 | 2013-04-23 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device |
US20110031997A1 (en) * | 2009-04-14 | 2011-02-10 | NuPGA Corporation | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US8362482B2 (en) * | 2009-04-14 | 2013-01-29 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US9509313B2 (en) | 2009-04-14 | 2016-11-29 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device |
US8754533B2 (en) * | 2009-04-14 | 2014-06-17 | Monolithic 3D Inc. | Monolithic three-dimensional semiconductor device and structure |
US8373439B2 (en) | 2009-04-14 | 2013-02-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device |
US8058137B1 (en) | 2009-04-14 | 2011-11-15 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
TWI638808B (zh) * | 2009-04-28 | 2018-10-21 | 美商環球展覽公司 | 具有甲基-d3取代之銥錯合物 |
EP2425470A2 (en) * | 2009-05-01 | 2012-03-07 | Kateeva, Inc. | Method and apparatus for organic vapor printing |
TWI541234B (zh) * | 2009-05-12 | 2016-07-11 | 環球展覽公司 | 用於有機發光二極體之2-氮雜聯伸三苯材料 |
US8586203B2 (en) | 2009-05-20 | 2013-11-19 | Universal Display Corporation | Metal complexes with boron-nitrogen heterocycle containing ligands |
RU2490832C2 (ru) * | 2009-06-18 | 2013-08-20 | Шарп Кабусики Кайся | Органический электролюминесцентный элемент и способ его изготовления |
US9270086B2 (en) | 2009-07-29 | 2016-02-23 | The Regents Of The University Of Michigan | Organic laser |
JP5778148B2 (ja) | 2009-08-04 | 2015-09-16 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 多環式炭水化物を含む電子デバイス |
US20110097495A1 (en) * | 2009-09-03 | 2011-04-28 | Universal Display Corporation | Organic vapor jet printing with chiller plate |
US8801856B2 (en) * | 2009-09-08 | 2014-08-12 | Universal Display Corporation | Method and system for high-throughput deposition of patterned organic thin films |
JP2011060483A (ja) | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Canon Inc | 有機el表示装置 |
US8466455B2 (en) * | 2009-09-17 | 2013-06-18 | Universal Display Corporation | Device structure |
DE102009048604A1 (de) | 2009-10-02 | 2011-04-07 | Technische Universität Dresden | Organische Leuchtdiodenvorrichtung |
US20110248244A1 (en) * | 2009-10-05 | 2011-10-13 | Emagin Corporation | Independently controlled stacked inverted organic light emitting diodes and a method of manufacturing same |
US8581349B1 (en) | 2011-05-02 | 2013-11-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor device and structure |
US11984445B2 (en) | 2009-10-12 | 2024-05-14 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor devices and structures with metal layers |
US8476145B2 (en) | 2010-10-13 | 2013-07-02 | Monolithic 3D Inc. | Method of fabricating a semiconductor device and structure |
US10366970B2 (en) | 2009-10-12 | 2019-07-30 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10354995B2 (en) | 2009-10-12 | 2019-07-16 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor memory device and structure |
US11018133B2 (en) | 2009-10-12 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D integrated circuit |
US11374118B2 (en) | 2009-10-12 | 2022-06-28 | Monolithic 3D Inc. | Method to form a 3D integrated circuit |
US8742476B1 (en) | 2012-11-27 | 2014-06-03 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US10388863B2 (en) | 2009-10-12 | 2019-08-20 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory device and structure |
US8536023B2 (en) | 2010-11-22 | 2013-09-17 | Monolithic 3D Inc. | Method of manufacturing a semiconductor device and structure |
US10910364B2 (en) | 2009-10-12 | 2021-02-02 | Monolitaic 3D Inc. | 3D semiconductor device |
US8450804B2 (en) | 2011-03-06 | 2013-05-28 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure for heat removal |
US10043781B2 (en) | 2009-10-12 | 2018-08-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10157909B2 (en) | 2009-10-12 | 2018-12-18 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US9099424B1 (en) | 2012-08-10 | 2015-08-04 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor system, device and structure with heat removal |
US8294159B2 (en) | 2009-10-12 | 2012-10-23 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US8545996B2 (en) | 2009-11-02 | 2013-10-01 | The University Of Southern California | Ion-pairing soft salts based on organometallic complexes and their applications in organic light emitting diodes |
US8580394B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-11-12 | Universal Display Corporation | 3-coordinate copper(I)-carbene complexes |
WO2011062857A2 (en) | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Universal Display Corporation | Oleds with low-index islands to enhance outcoupling of light |
US8330152B2 (en) * | 2009-12-02 | 2012-12-11 | Universal Display Corporation | OLED display architecture with improved aperture ratio |
JP5968786B2 (ja) | 2009-12-22 | 2016-08-10 | メルク パテント ゲーエムベーハー | エレクトロルミネッセンス配合物 |
JP5897472B2 (ja) | 2009-12-22 | 2016-03-30 | メルク パテント ゲーエムベーハー | エレクトロルミネセンス機能性界面活性剤 |
WO2011076323A1 (en) | 2009-12-22 | 2011-06-30 | Merck Patent Gmbh | Formulations comprising phase-separated functional materials |
JP2011165653A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-08-25 | Canon Inc | 有機el素子およびそれを用いた発光装置 |
US8288187B2 (en) | 2010-01-20 | 2012-10-16 | Universal Display Corporation | Electroluminescent devices for lighting applications |
DE102010006280A1 (de) | 2010-01-30 | 2011-08-04 | Merck Patent GmbH, 64293 | Farbkonvertierung |
WO2011096923A1 (en) | 2010-02-03 | 2011-08-11 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device with conducting cover |
US8026521B1 (en) | 2010-10-11 | 2011-09-27 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US8298875B1 (en) | 2011-03-06 | 2012-10-30 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US8541819B1 (en) | 2010-12-09 | 2013-09-24 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US8461035B1 (en) | 2010-09-30 | 2013-06-11 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US8492886B2 (en) | 2010-02-16 | 2013-07-23 | Monolithic 3D Inc | 3D integrated circuit with logic |
US8373230B1 (en) | 2010-10-13 | 2013-02-12 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US9099526B2 (en) | 2010-02-16 | 2015-08-04 | Monolithic 3D Inc. | Integrated circuit device and structure |
US9156870B2 (en) * | 2010-02-25 | 2015-10-13 | Universal Display Corporation | Phosphorescent emitters |
US9175211B2 (en) * | 2010-03-03 | 2015-11-03 | Universal Display Corporation | Phosphorescent materials |
JP2013522816A (ja) | 2010-03-11 | 2013-06-13 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 発光ファイバー |
WO2011110277A1 (en) | 2010-03-11 | 2011-09-15 | Merck Patent Gmbh | Fibers in therapy and cosmetics |
US8334545B2 (en) * | 2010-03-24 | 2012-12-18 | Universal Display Corporation | OLED display architecture |
TWI488540B (zh) * | 2010-03-24 | 2015-06-11 | Au Optronics Corp | 白色有機發光二極體 |
KR101910331B1 (ko) | 2010-03-25 | 2018-10-19 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 용액 처리 가능한 도핑된 트리아릴아민 정공 주입 물질 |
US8450730B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-05-28 | The Regents Of The University Of Michigan | Light emitting device having peripheral emissive region |
US8227801B2 (en) | 2010-04-26 | 2012-07-24 | Universal Display Corporation | Bicarbzole containing compounds for OLEDs |
EP2564438B1 (en) | 2010-04-28 | 2016-10-19 | Universal Display Corporation | Depositing premixed materials |
US8968887B2 (en) | 2010-04-28 | 2015-03-03 | Universal Display Corporation | Triphenylene-benzofuran/benzothiophene/benzoselenophene compounds with substituents joining to form fused rings |
CN102971396B (zh) | 2010-04-30 | 2016-06-22 | 代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会 | 四配位钯络合物的合成及其在光发射设备中的应用 |
US9073948B2 (en) | 2010-05-14 | 2015-07-07 | Universal Display Corporation | Azaborine compounds as host materials and dopants for PHOLEDs |
US8564001B2 (en) | 2010-05-21 | 2013-10-22 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device lighting panel |
US10190043B2 (en) | 2010-05-27 | 2019-01-29 | Merck Patent Gmbh | Compositions comprising quantum dots |
US8742657B2 (en) | 2010-06-11 | 2014-06-03 | Universal Display Corporation | Triplet-Triplet annihilation up conversion (TTA-UC) for display and lighting applications |
US8673458B2 (en) | 2010-06-11 | 2014-03-18 | Universal Display Corporation | Delayed fluorescence OLED |
KR101626646B1 (ko) | 2010-07-22 | 2016-06-01 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 유기 증기 제트 인쇄 |
WO2012016074A1 (en) | 2010-07-29 | 2012-02-02 | University Of Southern California | Co-deposition methods for the fabrication of organic optoelectronic devices |
US8642416B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-02-04 | Monolithic 3D Inc. | Method of forming three dimensional integrated circuit devices using layer transfer technique |
US9219005B2 (en) | 2011-06-28 | 2015-12-22 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor system and device |
US10217667B2 (en) | 2011-06-28 | 2019-02-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device, fabrication method and system |
US8901613B2 (en) | 2011-03-06 | 2014-12-02 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure for heat removal |
US9953925B2 (en) | 2011-06-28 | 2018-04-24 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor system and device |
KR101753172B1 (ko) | 2010-08-20 | 2017-07-04 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | Oled를 위한 바이카르바졸 화합물 |
US20120049168A1 (en) | 2010-08-31 | 2012-03-01 | Universal Display Corporation | Cross-Linked Charge Transport Layer Containing an Additive Compound |
US8273610B2 (en) | 2010-11-18 | 2012-09-25 | Monolithic 3D Inc. | Method of constructing a semiconductor device and structure |
US10497713B2 (en) | 2010-11-18 | 2019-12-03 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
US11482440B2 (en) | 2010-12-16 | 2022-10-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with a built-in test circuit for repairing faulty circuits |
US8163581B1 (en) | 2010-10-13 | 2012-04-24 | Monolith IC 3D | Semiconductor and optoelectronic devices |
US8932734B2 (en) | 2010-10-08 | 2015-01-13 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9240563B2 (en) | 2010-10-11 | 2016-01-19 | Koninklijke Philips N.V. | Multi-device OLED |
US8114757B1 (en) | 2010-10-11 | 2012-02-14 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US11315980B1 (en) | 2010-10-11 | 2022-04-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with transistors |
US11018191B1 (en) | 2010-10-11 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10290682B2 (en) | 2010-10-11 | 2019-05-14 | Monolithic 3D Inc. | 3D IC semiconductor device and structure with stacked memory |
US11227897B2 (en) | 2010-10-11 | 2022-01-18 | Monolithic 3D Inc. | Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
US11257867B1 (en) | 2010-10-11 | 2022-02-22 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with oxide bonds |
US11024673B1 (en) | 2010-10-11 | 2021-06-01 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11600667B1 (en) | 2010-10-11 | 2023-03-07 | Monolithic 3D Inc. | Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory |
US10896931B1 (en) | 2010-10-11 | 2021-01-19 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11469271B2 (en) | 2010-10-11 | 2022-10-11 | Monolithic 3D Inc. | Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory |
US11158674B2 (en) | 2010-10-11 | 2021-10-26 | Monolithic 3D Inc. | Method to produce a 3D semiconductor device and structure |
US11869915B2 (en) | 2010-10-13 | 2024-01-09 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding |
US11984438B2 (en) | 2010-10-13 | 2024-05-14 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding |
US11404466B2 (en) | 2010-10-13 | 2022-08-02 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors |
US11694922B2 (en) | 2010-10-13 | 2023-07-04 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding |
US11929372B2 (en) | 2010-10-13 | 2024-03-12 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding |
US10943934B2 (en) | 2010-10-13 | 2021-03-09 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure |
US8379458B1 (en) | 2010-10-13 | 2013-02-19 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US11164898B2 (en) | 2010-10-13 | 2021-11-02 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure |
US10679977B2 (en) | 2010-10-13 | 2020-06-09 | Monolithic 3D Inc. | 3D microdisplay device and structure |
US10978501B1 (en) | 2010-10-13 | 2021-04-13 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with waveguides |
US11855114B2 (en) | 2010-10-13 | 2023-12-26 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding |
US11163112B2 (en) | 2010-10-13 | 2021-11-02 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators |
US10998374B1 (en) | 2010-10-13 | 2021-05-04 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure |
US11437368B2 (en) | 2010-10-13 | 2022-09-06 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding |
US10833108B2 (en) | 2010-10-13 | 2020-11-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D microdisplay device and structure |
US11855100B2 (en) | 2010-10-13 | 2023-12-26 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding |
US11605663B2 (en) | 2010-10-13 | 2023-03-14 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding |
US11327227B2 (en) | 2010-10-13 | 2022-05-10 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators |
US9197804B1 (en) | 2011-10-14 | 2015-11-24 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor and optoelectronic devices |
US11133344B2 (en) | 2010-10-13 | 2021-09-28 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors |
US8283215B2 (en) | 2010-10-13 | 2012-10-09 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor and optoelectronic devices |
US11063071B1 (en) | 2010-10-13 | 2021-07-13 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with waveguides |
US11043523B1 (en) | 2010-10-13 | 2021-06-22 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors |
US8269317B2 (en) | 2010-11-11 | 2012-09-18 | Universal Display Corporation | Phosphorescent materials |
US11901210B2 (en) | 2010-11-18 | 2024-02-13 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with memory |
US11862503B2 (en) | 2010-11-18 | 2024-01-02 | Monolithic 3D Inc. | Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers |
US11521888B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-12-06 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with high-k metal gate transistors |
US11121021B2 (en) | 2010-11-18 | 2021-09-14 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11107721B2 (en) | 2010-11-18 | 2021-08-31 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with NAND logic |
US11482438B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-10-25 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
US11355380B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-06-07 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing 3D semiconductor memory device and structure utilizing alignment marks |
US11004719B1 (en) | 2010-11-18 | 2021-05-11 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
US11569117B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-01-31 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers |
US11735462B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-08-22 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers |
US11508605B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-11-22 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
US11784082B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-10-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with bonding |
US11615977B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-03-28 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
US11495484B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-11-08 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor devices and structures with at least two single-crystal layers |
US11804396B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-10-31 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers |
US11355381B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-06-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
US11094576B1 (en) | 2010-11-18 | 2021-08-17 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
US11443971B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-09-13 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with memory |
US11482439B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-10-25 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor memory device comprising charge trap junction-less transistors |
US11164770B1 (en) | 2010-11-18 | 2021-11-02 | Monolithic 3D Inc. | Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
US11031275B2 (en) | 2010-11-18 | 2021-06-08 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with memory |
US11854857B1 (en) | 2010-11-18 | 2023-12-26 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers |
US11018042B1 (en) | 2010-11-18 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
US11211279B2 (en) | 2010-11-18 | 2021-12-28 | Monolithic 3D Inc. | Method for processing a 3D integrated circuit and structure |
US11610802B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-03-21 | Monolithic 3D Inc. | Method for producing a 3D semiconductor device and structure with single crystal transistors and metal gate electrodes |
US11923230B1 (en) | 2010-11-18 | 2024-03-05 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with bonding |
US20120138906A1 (en) | 2010-12-07 | 2012-06-07 | The University of Southern California USC Stevens Institute for Innovation | Capture agents for unsaturated metal complexes |
US9698140B2 (en) | 2011-01-12 | 2017-07-04 | Universal Display Corporation | OLED lighting device with short tolerant structure |
CN103348477B (zh) | 2011-01-12 | 2017-02-08 | 环球展览公司 | 具有短路容许结构的oled照明装置 |
US10008677B2 (en) | 2011-01-13 | 2018-06-26 | Universal Display Corporation | Materials for organic light emitting diode |
US8415031B2 (en) | 2011-01-24 | 2013-04-09 | Universal Display Corporation | Electron transporting compounds |
US8816080B2 (en) | 2011-02-18 | 2014-08-26 | Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Four coordinated platinum and palladium complexes with geometrically distorted charge transfer state and their applications in light emitting devices |
US8748011B2 (en) | 2011-02-23 | 2014-06-10 | Universal Display Corporation | Ruthenium carbene complexes for OLED material |
US8563737B2 (en) | 2011-02-23 | 2013-10-22 | Universal Display Corporation | Methods of making bis-tridentate carbene complexes of ruthenium and osmium |
CN111732611B (zh) | 2011-02-23 | 2022-08-23 | 通用显示公司 | 新型的四齿铂络合物 |
US9005772B2 (en) | 2011-02-23 | 2015-04-14 | Universal Display Corporation | Thioazole and oxazole carbene metal complexes as phosphorescent OLED materials |
US8492006B2 (en) | 2011-02-24 | 2013-07-23 | Universal Display Corporation | Germanium-containing red emitter materials for organic light emitting diode |
US8975670B2 (en) | 2011-03-06 | 2015-03-10 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure for heat removal |
US8883322B2 (en) | 2011-03-08 | 2014-11-11 | Universal Display Corporation | Pyridyl carbene phosphorescent emitters |
US8664970B2 (en) | 2011-03-14 | 2014-03-04 | Universal Display Corporation | Method for accelerated lifetesting of large area OLED lighting panels |
US8902245B2 (en) | 2011-04-07 | 2014-12-02 | Universal Display Corporation | Method for driving quad-subpixel display |
US8580399B2 (en) | 2011-04-08 | 2013-11-12 | Universal Display Corporation | Substituted oligoazacarbazoles for light emitting diodes |
CN103229325B (zh) | 2011-04-08 | 2018-02-16 | 卡帝瓦公司 | 用于利用面式滚筒印制的方法和设备 |
US8866416B2 (en) | 2011-05-04 | 2014-10-21 | Universal Display Corporation | Illumination source using LEDs and OLEDs |
US8927308B2 (en) | 2011-05-12 | 2015-01-06 | Universal Display Corporation | Method of forming bus line designs for large-area OLED lighting |
US8564192B2 (en) | 2011-05-11 | 2013-10-22 | Universal Display Corporation | Process for fabricating OLED lighting panels |
US8981640B2 (en) | 2011-05-11 | 2015-03-17 | Universal Display Corporation | Simplified patterned light panel |
US8432095B2 (en) | 2011-05-11 | 2013-04-30 | Universal Display Corporation | Process for fabricating metal bus lines for OLED lighting panels |
US8773013B2 (en) | 2011-05-12 | 2014-07-08 | Universal Display Corporation | Three dimensional OLED lamps |
US8907560B2 (en) | 2011-05-12 | 2014-12-09 | Universal Display Corporation | Dynamic OLED lighting |
WO2012155099A1 (en) | 2011-05-12 | 2012-11-15 | Universal Display Corporation | Flexible lighting devices |
US8835945B2 (en) | 2013-01-11 | 2014-09-16 | Lighting Science Group Corporation | Serially-connected light emitting diodes, methods of forming same, and luminaires containing same |
US9360202B2 (en) | 2011-05-13 | 2016-06-07 | Lighting Science Group Corporation | System for actively cooling an LED filament and associated methods |
US8795850B2 (en) | 2011-05-19 | 2014-08-05 | Universal Display Corporation | Phosphorescent heteroleptic phenylbenzimidazole dopants and new synthetic methodology |
US9212197B2 (en) | 2011-05-19 | 2015-12-15 | Universal Display Corporation | Phosphorescent heteroleptic phenylbenzimidazole dopants |
TWI505524B (zh) | 2011-05-20 | 2015-10-21 | Au Optronics Corp | 有機電激發光光源 |
US8748012B2 (en) | 2011-05-25 | 2014-06-10 | Universal Display Corporation | Host materials for OLED |
WO2012162488A1 (en) | 2011-05-26 | 2012-11-29 | Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Synthesis of platinum and palladium complexes as narrow-band phosphorescent emitters for full color displays |
US10079349B2 (en) | 2011-05-27 | 2018-09-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
WO2012166101A1 (en) | 2011-05-27 | 2012-12-06 | Universal Display Corporation | Oled having multi-component emissivie layer |
US10158089B2 (en) | 2011-05-27 | 2018-12-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP2718302B1 (en) | 2011-06-08 | 2017-02-01 | Universal Display Corporation | Heteroleptic iridium carbene complexes and light emitting device using them |
TWI452671B (zh) * | 2011-06-10 | 2014-09-11 | Univ Chang Gung | Production Method and Device of Stereo Stacked Light Emitting Diode |
US8659036B2 (en) | 2011-06-17 | 2014-02-25 | Universal Display Corporation | Fine tuning of emission spectra by combination of multiple emitter spectra |
US8884316B2 (en) | 2011-06-17 | 2014-11-11 | Universal Display Corporation | Non-common capping layer on an organic device |
US10388568B2 (en) | 2011-06-28 | 2019-08-20 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and system |
US9252377B2 (en) | 2011-07-14 | 2016-02-02 | Universal Display Corporation | Inorganic hosts in OLEDs |
US9023420B2 (en) | 2011-07-14 | 2015-05-05 | Universal Display Corporation | Composite organic/inorganic layer for organic light-emitting devices |
US9397310B2 (en) | 2011-07-14 | 2016-07-19 | Universal Display Corporation | Organice electroluminescent materials and devices |
US8502445B2 (en) | 2011-07-18 | 2013-08-06 | Universal Display Corporation | RGBW OLED display for extended lifetime and reduced power consumption |
TWI561527B (en) | 2011-07-25 | 2016-12-11 | Universal Display Corp | Tetradentate platinum complexes |
US9783564B2 (en) | 2011-07-25 | 2017-10-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US8409729B2 (en) | 2011-07-28 | 2013-04-02 | Universal Display Corporation | Host materials for phosphorescent OLEDs |
US8926119B2 (en) | 2011-08-04 | 2015-01-06 | Universal Display Corporation | Extendable light source with variable light emitting area |
US8552420B2 (en) | 2011-08-09 | 2013-10-08 | Universal Display Corporation | OLED light panel with controlled brightness variation |
US9318536B2 (en) | 2011-08-09 | 2016-04-19 | Universal Display Corporation | Light emitters with series connection |
US8764239B2 (en) | 2011-08-16 | 2014-07-01 | Universal Display Corporation | Dynamic stretchable OLED lamp |
KR101352121B1 (ko) * | 2011-08-29 | 2014-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 |
US8963420B2 (en) | 2011-08-29 | 2015-02-24 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electro-luminescence display panel for preventing the display panel from degrading and a method for fabricating the same |
US9493698B2 (en) | 2011-08-31 | 2016-11-15 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9184420B2 (en) | 2011-09-23 | 2015-11-10 | Universal Display Corporation | Digitized OLED light source |
WO2013048419A1 (en) | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Universal Display Corporation | LAMP WITH MULTIPLE FLEXIBLE OLEDs |
US8687399B2 (en) | 2011-10-02 | 2014-04-01 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US9123667B2 (en) | 2011-10-04 | 2015-09-01 | Universal Display Corporation | Power-efficient RGBW OLED display |
US9029173B2 (en) | 2011-10-18 | 2015-05-12 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
IN2014CN03096A (it) * | 2011-10-26 | 2015-07-03 | Koninkl Philips Nv | |
US9231227B2 (en) | 2011-10-28 | 2016-01-05 | Universal Display Corporation | OLED display architecture |
KR101976104B1 (ko) | 2011-11-01 | 2019-05-09 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 저휘도에서의 oled 디바이스 효율 감소 |
US8652656B2 (en) | 2011-11-14 | 2014-02-18 | Universal Display Corporation | Triphenylene silane hosts |
US9193745B2 (en) | 2011-11-15 | 2015-11-24 | Universal Display Corporation | Heteroleptic iridium complex |
US9217004B2 (en) | 2011-11-21 | 2015-12-22 | Universal Display Corporation | Organic light emitting materials |
US9512355B2 (en) | 2011-12-09 | 2016-12-06 | Universal Display Corporation | Organic light emitting materials |
US20130146875A1 (en) | 2011-12-13 | 2013-06-13 | Universal Display Corporation | Split electrode for organic devices |
WO2013102178A1 (en) * | 2011-12-30 | 2013-07-04 | Purelux Inc. | Light emitting devices |
US9461254B2 (en) | 2012-01-03 | 2016-10-04 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US8987451B2 (en) | 2012-01-03 | 2015-03-24 | Universal Display Corporation | Synthesis of cyclometallated platinum(II) complexes |
US9163174B2 (en) | 2012-01-04 | 2015-10-20 | Universal Display Corporation | Highly efficient phosphorescent materials |
KR102012047B1 (ko) | 2012-01-06 | 2019-08-19 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 효율이 큰 인광 물질 |
US8969592B2 (en) | 2012-01-10 | 2015-03-03 | Universal Display Corporation | Heterocyclic host materials |
US10211413B2 (en) | 2012-01-17 | 2019-02-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US8969116B2 (en) | 2012-01-23 | 2015-03-03 | Universal Display Corporation | Selective OLED vapor deposition using electric charges |
EP2810315A1 (en) | 2012-01-30 | 2014-12-10 | Merck Patent GmbH | Nanocrystals on fibers |
CN102655219A (zh) * | 2012-02-23 | 2012-09-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 多色oled、多色oled单元及显示器件 |
US9118017B2 (en) | 2012-02-27 | 2015-08-25 | Universal Display Corporation | Host compounds for red phosphorescent OLEDs |
US20130273239A1 (en) | 2012-03-13 | 2013-10-17 | Universal Display Corporation | Nozzle design for organic vapor jet printing |
CN102617762B (zh) * | 2012-03-14 | 2013-11-13 | 同济大学 | 基于咪唑分子桥连接稀土高分子复合发光材料的制备方法 |
US9054323B2 (en) | 2012-03-15 | 2015-06-09 | Universal Display Corporation | Secondary hole transporting layer with diarylamino-phenyl-carbazole compounds |
US9386657B2 (en) | 2012-03-15 | 2016-07-05 | Universal Display Corporation | Organic Electroluminescent materials and devices |
US8933468B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-01-13 | Princeton University Office of Technology and Trademark Licensing | Electronic device with reduced non-device edge area |
US9312511B2 (en) | 2012-03-16 | 2016-04-12 | Universal Display Corporation | Edge barrier film for electronic devices |
US9000557B2 (en) | 2012-03-17 | 2015-04-07 | Zvi Or-Bach | Semiconductor device and structure |
JP6137170B2 (ja) | 2012-03-21 | 2017-05-31 | コニカミノルタ株式会社 | 有機電界発光素子 |
US11594473B2 (en) | 2012-04-09 | 2023-02-28 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
US11694944B1 (en) | 2012-04-09 | 2023-07-04 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
US11476181B1 (en) | 2012-04-09 | 2022-10-18 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US11881443B2 (en) | 2012-04-09 | 2024-01-23 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
US8557632B1 (en) | 2012-04-09 | 2013-10-15 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US10600888B2 (en) | 2012-04-09 | 2020-03-24 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device |
US11410912B2 (en) | 2012-04-09 | 2022-08-09 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device with vias and isolation layers |
US11735501B1 (en) | 2012-04-09 | 2023-08-22 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
US11164811B2 (en) | 2012-04-09 | 2021-11-02 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device with isolation layers and oxide-to-oxide bonding |
US11616004B1 (en) | 2012-04-09 | 2023-03-28 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
US11088050B2 (en) | 2012-04-09 | 2021-08-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device with isolation layers |
US8836223B2 (en) | 2012-04-18 | 2014-09-16 | Universal Display Corporation | OLED panel with fuses |
EP2839052A4 (en) | 2012-04-19 | 2015-06-10 | Intevac Inc | DOUBLE MASK ARRANGEMENT FOR MANUFACTURING SOLAR CELL |
US8835948B2 (en) | 2012-04-19 | 2014-09-16 | Phostek, Inc. | Stacked LED device with diagonal bonding pads |
PT2852469T (pt) | 2012-04-26 | 2019-07-31 | Intevac Inc | Arquitetura de sistema para processamento sob vácuo |
US10062600B2 (en) | 2012-04-26 | 2018-08-28 | Intevac, Inc. | System and method for bi-facial processing of substrates |
US8723209B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-05-13 | Universal Display Corporation | Out coupling layer containing particle polymer composite |
US9184399B2 (en) | 2012-05-04 | 2015-11-10 | Universal Display Corporation | Asymmetric hosts with triaryl silane side chains |
US9773985B2 (en) | 2012-05-21 | 2017-09-26 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9741968B2 (en) | 2012-05-30 | 2017-08-22 | Universal Display Corporation | Luminaire and individually replaceable components |
US9655199B2 (en) | 2012-05-30 | 2017-05-16 | Universal Display Corporation | Four component phosphorescent OLED for cool white lighting application |
US9670404B2 (en) | 2012-06-06 | 2017-06-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9991463B2 (en) | 2012-06-14 | 2018-06-05 | Universal Display Corporation | Electronic devices with improved shelf lives |
US9502672B2 (en) | 2012-06-21 | 2016-11-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9685585B2 (en) | 2012-06-25 | 2017-06-20 | Cree, Inc. | Quantum dot narrow-band downconverters for high efficiency LEDs |
US9725476B2 (en) | 2012-07-09 | 2017-08-08 | Universal Display Corporation | Silylated metal complexes |
US9231218B2 (en) | 2012-07-10 | 2016-01-05 | Universal Display Corporation | Phosphorescent emitters containing dibenzo[1,4]azaborinine structure |
US9210810B2 (en) | 2012-07-12 | 2015-12-08 | Universal Display Corporation | Method of fabricating flexible devices |
US9059412B2 (en) | 2012-07-19 | 2015-06-16 | Universal Display Corporation | Transition metal complexes containing substituted imidazole carbene as ligands and their application in OLEDs |
US9540329B2 (en) | 2012-07-19 | 2017-01-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9663544B2 (en) | 2012-07-25 | 2017-05-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9318710B2 (en) | 2012-07-30 | 2016-04-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9306096B2 (en) | 2012-08-16 | 2016-04-05 | E-Ray Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Electrically conducting compositions for organic electronic devices |
US9246036B2 (en) | 2012-08-20 | 2016-01-26 | Universal Display Corporation | Thin film deposition |
WO2014031977A1 (en) | 2012-08-24 | 2014-02-27 | Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University | Metal compounds and methods and uses thereof |
US9978958B2 (en) | 2012-08-24 | 2018-05-22 | Universal Display Corporation | Phosphorescent emitters with phenylimidazole ligands |
JP6217642B2 (ja) | 2012-08-24 | 2017-10-25 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、電子デバイス、および透明電極の製造方法 |
US8728858B2 (en) | 2012-08-27 | 2014-05-20 | Universal Display Corporation | Multi-nozzle organic vapor jet printing |
DE102012108129A1 (de) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | Sensient Imaging Technologies Gmbh | Neue Platin(II)komplexe als Triplett-Emitter für OLED Anwendungen |
US8940568B2 (en) | 2012-08-31 | 2015-01-27 | Universal Display Corporation | Patterning method for OLEDs |
US8952362B2 (en) | 2012-08-31 | 2015-02-10 | The Regents Of The University Of Michigan | High efficiency and brightness fluorescent organic light emitting diode by triplet-triplet fusion |
US10957870B2 (en) | 2012-09-07 | 2021-03-23 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device |
US8957579B2 (en) | 2012-09-14 | 2015-02-17 | Universal Display Corporation | Low image sticking OLED display |
US9257665B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-02-09 | Universal Display Corporation | Lifetime OLED display |
US9170665B2 (en) | 2012-09-14 | 2015-10-27 | Universal Display Corporation | Lifetime OLED display |
US9412947B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-08-09 | Universal Display Corporation | OLED fabrication using laser transfer |
US9379169B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-06-28 | Universal Display Corporation | Very high resolution AMOLED display |
US9882150B2 (en) | 2012-09-24 | 2018-01-30 | Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University | Metal compounds, methods, and uses thereof |
US9287513B2 (en) | 2012-09-24 | 2016-03-15 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10862073B2 (en) | 2012-09-25 | 2020-12-08 | The Trustees Of Princeton University | Barrier film for electronic devices and substrates |
US9312505B2 (en) | 2012-09-25 | 2016-04-12 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9577221B2 (en) | 2012-09-26 | 2017-02-21 | Universal Display Corporation | Three stack hybrid white OLED for enhanced efficiency and lifetime |
JP6113993B2 (ja) * | 2012-10-03 | 2017-04-12 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US9252363B2 (en) | 2012-10-04 | 2016-02-02 | Universal Display Corporation | Aryloxyalkylcarboxylate solvent compositions for inkjet printing of organic layers |
US8764255B2 (en) | 2012-10-10 | 2014-07-01 | Universal Display Corporation | Semi-rigid electronic device with a flexible display |
US9120290B2 (en) | 2012-10-10 | 2015-09-01 | Universal Display Corporation | Flexible screen backed with rigid ribs |
US9385340B2 (en) | 2012-10-19 | 2016-07-05 | Universal Display Corporation | Transparent display and illumination device |
US9384691B2 (en) | 2012-10-19 | 2016-07-05 | Universal Display Corporation | Transparent display and illumination device |
US9385172B2 (en) | 2012-10-19 | 2016-07-05 | Universal Display Corporation | One-way transparent display |
US20150274762A1 (en) | 2012-10-26 | 2015-10-01 | Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Metal complexes, methods, and uses thereof |
WO2014069256A1 (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-08 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
EP2917382A4 (en) | 2012-11-06 | 2016-07-06 | Oti Lumionics Inc | METHOD OF DEPOSITING A CONDUCTIVE COATING ON A SURFACE |
US8692241B1 (en) | 2012-11-08 | 2014-04-08 | Universal Display Corporation | Transition metal complexes containing triazole and tetrazole carbene ligands |
US8946697B1 (en) | 2012-11-09 | 2015-02-03 | Universal Display Corporation | Iridium complexes with aza-benzo fused ligands |
US9685617B2 (en) | 2012-11-09 | 2017-06-20 | Universal Display Corporation | Organic electronuminescent materials and devices |
US9748500B2 (en) | 2015-01-15 | 2017-08-29 | Universal Display Corporation | Organic light emitting materials |
JP6225915B2 (ja) | 2012-11-09 | 2017-11-08 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US9634264B2 (en) | 2012-11-09 | 2017-04-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US8686428B1 (en) | 2012-11-16 | 2014-04-01 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US8574929B1 (en) | 2012-11-16 | 2013-11-05 | Monolithic 3D Inc. | Method to form a 3D semiconductor device and structure |
US10069090B2 (en) | 2012-11-20 | 2018-09-04 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9190623B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-11-17 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9512136B2 (en) | 2012-11-26 | 2016-12-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9166175B2 (en) | 2012-11-27 | 2015-10-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9196860B2 (en) | 2012-12-04 | 2015-11-24 | Universal Display Corporation | Compounds for triplet-triplet annihilation upconversion |
US8716484B1 (en) | 2012-12-05 | 2014-05-06 | Universal Display Corporation | Hole transporting materials with twisted aryl groups |
US9209411B2 (en) | 2012-12-07 | 2015-12-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9653691B2 (en) | 2012-12-12 | 2017-05-16 | Universal Display Corporation | Phosphorescence-sensitizing fluorescence material system |
US9159945B2 (en) | 2012-12-13 | 2015-10-13 | Universal Display Corporation | System and method for matching electrode resistances in OLED light panels |
US8766531B1 (en) | 2012-12-14 | 2014-07-01 | Universal Display Corporation | Wearable display |
US8912018B2 (en) | 2012-12-17 | 2014-12-16 | Universal Display Corporation | Manufacturing flexible organic electronic devices |
US20140166989A1 (en) | 2012-12-17 | 2014-06-19 | Universal Display Corporation | Manufacturing flexible organic electronic devices |
US20140166990A1 (en) | 2012-12-17 | 2014-06-19 | Universal Display Corporation | Manufacturing flexible organic electronic devices |
US9502681B2 (en) | 2012-12-19 | 2016-11-22 | Universal Display Corporation | System and method for a flexible display encapsulation |
US11018116B2 (en) | 2012-12-22 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | Method to form a 3D semiconductor device and structure |
US11217565B2 (en) | 2012-12-22 | 2022-01-04 | Monolithic 3D Inc. | Method to form a 3D semiconductor device and structure |
US11916045B2 (en) | 2012-12-22 | 2024-02-27 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US11063024B1 (en) | 2012-12-22 | 2021-07-13 | Monlithic 3D Inc. | Method to form a 3D semiconductor device and structure |
US11784169B2 (en) | 2012-12-22 | 2023-10-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US11961827B1 (en) | 2012-12-22 | 2024-04-16 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US11967583B2 (en) | 2012-12-22 | 2024-04-23 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US8674470B1 (en) | 2012-12-22 | 2014-03-18 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US11309292B2 (en) | 2012-12-22 | 2022-04-19 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US11177140B2 (en) | 2012-12-29 | 2021-11-16 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US9871034B1 (en) | 2012-12-29 | 2018-01-16 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US9385058B1 (en) | 2012-12-29 | 2016-07-05 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US11430668B2 (en) | 2012-12-29 | 2022-08-30 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with bonding |
US11430667B2 (en) | 2012-12-29 | 2022-08-30 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with bonding |
US10115663B2 (en) | 2012-12-29 | 2018-10-30 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10651054B2 (en) | 2012-12-29 | 2020-05-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10892169B2 (en) | 2012-12-29 | 2021-01-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11087995B1 (en) | 2012-12-29 | 2021-08-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11004694B1 (en) | 2012-12-29 | 2021-05-11 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10903089B1 (en) | 2012-12-29 | 2021-01-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10600657B2 (en) | 2012-12-29 | 2020-03-24 | Monolithic 3D Inc | 3D semiconductor device and structure |
US9385168B2 (en) | 2013-01-18 | 2016-07-05 | Universal Display Corporation | High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime |
US10580832B2 (en) | 2013-01-18 | 2020-03-03 | Universal Display Corporation | High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime |
US10304906B2 (en) | 2013-01-18 | 2019-05-28 | Universal Display Corporation | High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime |
US9590017B2 (en) | 2013-01-18 | 2017-03-07 | Universal Display Corporation | High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime |
US9424772B2 (en) | 2013-01-18 | 2016-08-23 | Universal Display Corporation | High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime |
US10243023B2 (en) | 2013-01-18 | 2019-03-26 | Universal Display Corporation | Top emission AMOLED displays using two emissive layers |
US10229956B2 (en) | 2013-01-18 | 2019-03-12 | Universal Display Corporation | High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime |
US9252397B2 (en) | 2013-02-07 | 2016-02-02 | Universal Display Corporation | OVJP for printing graded/stepped organic layers |
US10400163B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-09-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP3882254B1 (en) | 2013-02-21 | 2023-10-04 | Universal Display Corporation | Phosphorescent homoleptic tris-[deuterated-2(2-pyridinyl)phenyl]-iridium complexes for use in light-emitting devices |
US9178184B2 (en) | 2013-02-21 | 2015-11-03 | Universal Display Corporation | Deposition of patterned organic thin films |
US10367154B2 (en) | 2013-02-21 | 2019-07-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US8927749B2 (en) | 2013-03-07 | 2015-01-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11869965B2 (en) | 2013-03-11 | 2024-01-09 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells |
US11935949B1 (en) | 2013-03-11 | 2024-03-19 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells |
US10325651B2 (en) | 2013-03-11 | 2019-06-18 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device with stacked memory |
US8902663B1 (en) | 2013-03-11 | 2014-12-02 | Monolithic 3D Inc. | Method of maintaining a memory state |
US8994404B1 (en) | 2013-03-12 | 2015-03-31 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US11923374B2 (en) | 2013-03-12 | 2024-03-05 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US11398569B2 (en) | 2013-03-12 | 2022-07-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US9000459B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-04-07 | Universal Display Corporation | OLED display architecture having some blue subpixel components replaced with non-emissive volume containing via or functional electronic component and method of manufacturing thereof |
US10840239B2 (en) | 2014-08-26 | 2020-11-17 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11088130B2 (en) | 2014-01-28 | 2021-08-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US9419225B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-08-16 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10224279B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-03-05 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US9117749B1 (en) | 2013-03-15 | 2015-08-25 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US9018660B2 (en) | 2013-03-25 | 2015-04-28 | Universal Display Corporation | Lighting devices |
US10514136B2 (en) | 2013-03-25 | 2019-12-24 | Universal Display Corporation | Lighting devices |
US9997712B2 (en) | 2013-03-27 | 2018-06-12 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
WO2014157610A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置、有機ルミネッセンス素子用発光性薄膜と組成物及び発光方法 |
EP2980878B1 (en) | 2013-03-29 | 2019-05-01 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element, and lighting device and display device which are provided with same |
US10193094B2 (en) * | 2013-04-08 | 2019-01-29 | Merck Patent Gmbh | Organic light-emitting device having delayed fluorescence |
US11487928B2 (en) | 2013-04-15 | 2022-11-01 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
US11030371B2 (en) | 2013-04-15 | 2021-06-08 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
US9021414B1 (en) | 2013-04-15 | 2015-04-28 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
US11270055B1 (en) | 2013-04-15 | 2022-03-08 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
US11720736B2 (en) | 2013-04-15 | 2023-08-08 | Monolithic 3D Inc. | Automation methods for 3D integrated circuits and devices |
US11341309B1 (en) | 2013-04-15 | 2022-05-24 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
US11574109B1 (en) | 2013-04-15 | 2023-02-07 | Monolithic 3D Inc | Automation methods for 3D integrated circuits and devices |
EP2993963A4 (en) * | 2013-05-01 | 2016-12-14 | Konica Minolta Inc | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT |
US8979291B2 (en) | 2013-05-07 | 2015-03-17 | Universal Display Corporation | Lighting devices including transparent organic light emitting device light panels and having independent control of direct to indirect light |
US9537106B2 (en) | 2013-05-09 | 2017-01-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9865672B2 (en) | 2013-05-15 | 2018-01-09 | Universal Display Corporation | Macro-image OLED lighting system |
US9484546B2 (en) | 2013-05-15 | 2016-11-01 | Universal Display Corporation | OLED with compact contact design and self-aligned insulators |
US9041297B2 (en) | 2013-05-20 | 2015-05-26 | Universal Display Corporation | Large area lighting system with wireless control |
US10468633B2 (en) | 2013-06-05 | 2019-11-05 | Universal Display Corporation | Microlens array architectures for enhanced light outcoupling from an OLED array |
US9093658B2 (en) | 2013-06-07 | 2015-07-28 | Universal Display Corporation | Pre-stressed flexible OLED |
US9735373B2 (en) | 2013-06-10 | 2017-08-15 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
JP6603445B2 (ja) | 2013-06-10 | 2019-11-06 | アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・オン・ビハーフ・オブ・アリゾナ・ステイト・ユニバーシティー | 改変された発光スペクトルを有する蛍光性四座配位金属錯体 |
US9673401B2 (en) | 2013-06-28 | 2017-06-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9818967B2 (en) | 2013-06-28 | 2017-11-14 | Universal Display Corporation | Barrier covered microlens films |
US10199581B2 (en) | 2013-07-01 | 2019-02-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10121975B2 (en) | 2013-07-03 | 2018-11-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9761807B2 (en) | 2013-07-15 | 2017-09-12 | Universal Display Corporation | Organic light emitting diode materials |
US9553274B2 (en) | 2013-07-16 | 2017-01-24 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9324949B2 (en) | 2013-07-16 | 2016-04-26 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9224958B2 (en) | 2013-07-19 | 2015-12-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20150028290A1 (en) | 2013-07-25 | 2015-01-29 | Universal Display Corporation | Heteroleptic osmium complex and method of making the same |
CN105659310B (zh) | 2013-08-13 | 2021-02-26 | 飞利斯有限公司 | 电子显示区域的优化 |
US9823482B2 (en) | 2013-08-19 | 2017-11-21 | Universal Display Corporation | Autostereoscopic displays |
US10074806B2 (en) | 2013-08-20 | 2018-09-11 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9831437B2 (en) | 2013-08-20 | 2017-11-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
TWI655807B (zh) | 2013-08-27 | 2019-04-01 | 飛利斯有限公司 | 具有可撓曲電子構件之可附接裝置 |
WO2015031426A1 (en) | 2013-08-27 | 2015-03-05 | Polyera Corporation | Flexible display and detection of flex state |
US9932359B2 (en) | 2013-08-30 | 2018-04-03 | University Of Southern California | Organic electroluminescent materials and devices |
US9374872B2 (en) | 2013-08-30 | 2016-06-21 | Universal Display Corporation | Intelligent dimming lighting |
US8981363B1 (en) | 2013-09-03 | 2015-03-17 | Universal Display Corporation | Flexible substrate for OLED device |
US10199582B2 (en) | 2013-09-03 | 2019-02-05 | University Of Southern California | Organic electroluminescent materials and devices |
US9735378B2 (en) | 2013-09-09 | 2017-08-15 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
WO2015038684A1 (en) | 2013-09-10 | 2015-03-19 | Polyera Corporation | Attachable article with signaling, split display and messaging features |
US9748503B2 (en) | 2013-09-13 | 2017-08-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10003034B2 (en) | 2013-09-30 | 2018-06-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20150090960A1 (en) | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Universal Display Corporation | Methods to Fabricate Flexible OLED Lighting Devices |
US9496522B2 (en) | 2013-12-13 | 2016-11-15 | Universal Display Corporation | OLED optically coupled to curved substrate |
US9831447B2 (en) | 2013-10-08 | 2017-11-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9293712B2 (en) | 2013-10-11 | 2016-03-22 | Universal Display Corporation | Disubstituted pyrene compounds with amino group containing ortho aryl group and devices containing the same |
JP6804823B2 (ja) | 2013-10-14 | 2020-12-23 | アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・オン・ビハーフ・オブ・アリゾナ・ステイト・ユニバーシティーArizona Board of Regents on behalf of Arizona State University | 白金錯体およびデバイス |
JP6396147B2 (ja) | 2013-10-22 | 2018-09-26 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機エレクトロルミネセンス材料、及びデバイス |
US9853229B2 (en) | 2013-10-23 | 2017-12-26 | University Of Southern California | Organic electroluminescent materials and devices |
US20150115250A1 (en) | 2013-10-29 | 2015-04-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
JPWO2015068779A1 (ja) * | 2013-11-07 | 2017-03-09 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンスモジュール |
US9306179B2 (en) | 2013-11-08 | 2016-04-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9395072B2 (en) | 2013-11-13 | 2016-07-19 | Industrial Technology Research Institute | Illumination device |
US9647218B2 (en) | 2013-11-14 | 2017-05-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP2874195B1 (en) | 2013-11-15 | 2017-05-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9142778B2 (en) | 2013-11-15 | 2015-09-22 | Universal Display Corporation | High vacuum OLED deposition source and system |
US10033000B2 (en) | 2013-11-15 | 2018-07-24 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10056565B2 (en) | 2013-11-20 | 2018-08-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9130195B2 (en) | 2013-11-22 | 2015-09-08 | Universal Display Corporation | Structure to enhance light extraction and lifetime of OLED devices |
US9390649B2 (en) | 2013-11-27 | 2016-07-12 | Universal Display Corporation | Ruggedized wearable display |
WO2015081289A1 (en) | 2013-11-27 | 2015-06-04 | The Regents Of The University Of Michigan | Devices combining thin film inorganic leds with organic leds and fabrication thereof |
US10644251B2 (en) | 2013-12-04 | 2020-05-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9224963B2 (en) | 2013-12-09 | 2015-12-29 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Stable emitters |
US9876173B2 (en) | 2013-12-09 | 2018-01-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10355227B2 (en) | 2013-12-16 | 2019-07-16 | Universal Display Corporation | Metal complex for phosphorescent OLED |
US9666822B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-05-30 | The Regents Of The University Of Michigan | Extended OLED operational lifetime through phosphorescent dopant profile management |
US9847496B2 (en) | 2013-12-23 | 2017-12-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10839734B2 (en) | 2013-12-23 | 2020-11-17 | Universal Display Corporation | OLED color tuning by driving mode variation |
US9397314B2 (en) | 2013-12-23 | 2016-07-19 | Universal Display Corporation | Thin-form light-enhanced substrate for OLED luminaire |
EP3087812B9 (en) | 2013-12-24 | 2021-06-09 | Flexterra, Inc. | Support structures for an attachable, two-dimensional flexible electronic device |
WO2015100224A1 (en) | 2013-12-24 | 2015-07-02 | Polyera Corporation | Flexible electronic display with user interface based on sensed movements |
TWI676880B (zh) | 2013-12-24 | 2019-11-11 | 美商飛利斯有限公司 | 動態可撓物品 |
TWI653522B (zh) | 2013-12-24 | 2019-03-11 | 美商飛利斯有限公司 | 動態可撓物品 |
KR101878084B1 (ko) | 2013-12-26 | 2018-07-12 | 카티바, 인크. | 전자 장치의 열 처리를 위한 장치 및 기술 |
KR102135474B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2020-07-17 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 광통신부를 가지는 반도체 패키지 |
US10135008B2 (en) | 2014-01-07 | 2018-11-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10020455B2 (en) | 2014-01-07 | 2018-07-10 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate platinum and palladium complex emitters containing phenyl-pyrazole and its analogues |
US9978961B2 (en) | 2014-01-08 | 2018-05-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP3975229A1 (en) | 2014-01-21 | 2022-03-30 | Kateeva, Inc. | Apparatus and techniques for electronic device encapsulation |
US9755159B2 (en) | 2014-01-23 | 2017-09-05 | Universal Display Corporation | Organic materials for OLEDs |
US11031394B1 (en) | 2014-01-28 | 2021-06-08 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10297586B2 (en) | 2015-03-09 | 2019-05-21 | Monolithic 3D Inc. | Methods for processing a 3D semiconductor device |
US11107808B1 (en) | 2014-01-28 | 2021-08-31 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US9935277B2 (en) | 2014-01-30 | 2018-04-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20150227245A1 (en) | 2014-02-10 | 2015-08-13 | Polyera Corporation | Attachable Device with Flexible Electronic Display Orientation Detection |
US9590194B2 (en) | 2014-02-14 | 2017-03-07 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9847497B2 (en) | 2014-02-18 | 2017-12-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10003033B2 (en) | 2014-02-18 | 2018-06-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10707423B2 (en) | 2014-02-21 | 2020-07-07 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9647217B2 (en) | 2014-02-24 | 2017-05-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9502656B2 (en) | 2014-02-24 | 2016-11-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10403825B2 (en) | 2014-02-27 | 2019-09-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9673407B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-06-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9590195B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-03-07 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9181270B2 (en) | 2014-02-28 | 2015-11-10 | Universal Display Corporation | Method of making sulfide compounds |
WO2015131158A1 (en) | 2014-02-28 | 2015-09-03 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Chiral metal complexes as emitters for organic polarized electroluminescent devices |
US9190620B2 (en) | 2014-03-01 | 2015-11-17 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
WO2015134017A1 (en) | 2014-03-05 | 2015-09-11 | Universal Display Corporation | Phosphorescent oled devices |
US9853247B2 (en) | 2014-03-11 | 2017-12-26 | The Regents Of The University Of Michigan | Electrophosphorescent organic light emitting concentrator |
US9397309B2 (en) | 2014-03-13 | 2016-07-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent devices |
US10208026B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-02-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9748504B2 (en) | 2014-03-25 | 2017-08-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10910590B2 (en) | 2014-03-27 | 2021-02-02 | Universal Display Corporation | Hermetically sealed isolated OLED pixels |
US10261634B2 (en) | 2014-03-27 | 2019-04-16 | Flexterra, Inc. | Infrared touch system for flexible displays |
US10749123B2 (en) | 2014-03-27 | 2020-08-18 | Universal Display Corporation | Impact resistant OLED devices |
US9661709B2 (en) | 2014-03-28 | 2017-05-23 | Universal Display Corporation | Integrated LED/OLED lighting system |
KR102151412B1 (ko) * | 2014-03-31 | 2020-10-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 |
EP4240126A3 (en) * | 2014-03-31 | 2023-11-01 | LG Display Co., Ltd. | White organic light emitting device |
US9929353B2 (en) | 2014-04-02 | 2018-03-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9691993B2 (en) | 2014-04-09 | 2017-06-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9331299B2 (en) | 2014-04-11 | 2016-05-03 | Universal Display Corporation | Efficient white organic light emitting diodes with high color quality |
US10008679B2 (en) | 2014-04-14 | 2018-06-26 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9905785B2 (en) | 2014-04-14 | 2018-02-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9337441B2 (en) | 2014-04-15 | 2016-05-10 | Universal Display Corporation | OLED lighting panel and methods for fabricating thereof |
US10256427B2 (en) | 2014-04-15 | 2019-04-09 | Universal Display Corporation | Efficient organic electroluminescent devices |
US9450198B2 (en) | 2014-04-15 | 2016-09-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9380675B2 (en) | 2014-04-17 | 2016-06-28 | Universal Display Corporation | Energy saving OLED lighting system and method |
US9741941B2 (en) | 2014-04-29 | 2017-08-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN110265326B (zh) | 2014-04-30 | 2024-03-08 | 科迪华公司 | 用于衬底涂覆的气垫设备和技术 |
US10457699B2 (en) | 2014-05-02 | 2019-10-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
JP6759108B2 (ja) | 2014-05-08 | 2020-09-23 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 安定化されたイミダゾフェナントリジン材料 |
US10403830B2 (en) | 2014-05-08 | 2019-09-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10301338B2 (en) | 2014-05-08 | 2019-05-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10636983B2 (en) | 2014-05-08 | 2020-04-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9876192B2 (en) | 2014-05-12 | 2018-01-23 | Universal Display Corporation | Barrier composition and properties |
US9572232B2 (en) | 2014-05-15 | 2017-02-14 | Universal Display Corporation | Biosensing electronic devices |
US9640781B2 (en) | 2014-05-22 | 2017-05-02 | Universal Display Corporation | Devices to increase OLED output coupling efficiency with a high refractive index substrate |
US9997716B2 (en) | 2014-05-27 | 2018-06-12 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10700134B2 (en) | 2014-05-27 | 2020-06-30 | Universal Display Corporation | Low power consumption OLED display |
WO2015183954A1 (en) | 2014-05-27 | 2015-12-03 | Universal Display Corporation | High resolution low power consumption oled display with extended lifetime |
TWI692272B (zh) | 2014-05-28 | 2020-04-21 | 美商飛利斯有限公司 | 在多數表面上具有可撓性電子組件之裝置 |
WO2015183567A1 (en) | 2014-05-28 | 2015-12-03 | Polyera Corporation | Low power display updates |
US9929365B2 (en) | 2014-05-28 | 2018-03-27 | The Regents Of The University Of Michigan | Excited state management |
US9941479B2 (en) | 2014-06-02 | 2018-04-10 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate cyclometalated platinum complexes containing 9,10-dihydroacridine and its analogues |
US10461260B2 (en) | 2014-06-03 | 2019-10-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11220737B2 (en) | 2014-06-25 | 2022-01-11 | Universal Display Corporation | Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials |
US11267012B2 (en) | 2014-06-25 | 2022-03-08 | Universal Display Corporation | Spatial control of vapor condensation using convection |
EP2960059B1 (en) | 2014-06-25 | 2018-10-24 | Universal Display Corporation | Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials |
US9911931B2 (en) | 2014-06-26 | 2018-03-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10115930B2 (en) | 2014-07-08 | 2018-10-30 | Universal Display Corporation | Combined internal and external extraction layers for enhanced light outcoupling for organic light emitting device |
US10297762B2 (en) | 2014-07-09 | 2019-05-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10566546B2 (en) | 2014-07-14 | 2020-02-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9929357B2 (en) | 2014-07-22 | 2018-03-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
RU2583267C2 (ru) * | 2014-07-23 | 2016-05-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук | Фотолюминесцентный полимерный композиционный материал для светоизлучающих систем |
KR102606560B1 (ko) | 2014-07-24 | 2023-11-24 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 향상층(들)을 갖는 oled 디바이스 |
US9923155B2 (en) | 2014-07-24 | 2018-03-20 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate platinum (II) complexes cyclometalated with functionalized phenyl carbene ligands and their analogues |
US9502671B2 (en) | 2014-07-28 | 2016-11-22 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tridentate cyclometalated metal complexes with six-membered coordination rings |
US9818959B2 (en) | 2014-07-29 | 2017-11-14 | Arizona Board of Regents on behlaf of Arizona State University | Metal-assisted delayed fluorescent emitters containing tridentate ligands |
JP6607923B2 (ja) | 2014-08-05 | 2019-11-20 | インテヴァック インコーポレイテッド | 注入マスク及びアライメント |
US10411200B2 (en) | 2014-08-07 | 2019-09-10 | Universal Display Corporation | Electroluminescent (2-phenylpyridine)iridium complexes and devices |
US11108000B2 (en) | 2014-08-07 | 2021-08-31 | Unniversal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9343695B2 (en) | 2014-08-13 | 2016-05-17 | Universal Display Corporation | Method of fabricating organic light emitting device (OLED) panel of arbitrary shape |
WO2016025921A1 (en) | 2014-08-15 | 2016-02-18 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Non-platinum metal complexes for excimer based single dopant white organic light emitting diodes |
US9825243B2 (en) | 2014-08-18 | 2017-11-21 | Udc Ireland Limited | Methods for fabricating OLEDs on non-uniform substrates and devices made therefrom |
US9920242B2 (en) | 2014-08-22 | 2018-03-20 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Metal-assisted delayed fluorescent materials as co-host materials for fluorescent OLEDs |
US11329244B2 (en) | 2014-08-22 | 2022-05-10 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Organic light-emitting diodes with fluorescent and phosphorescent emitters |
US9583707B2 (en) | 2014-09-19 | 2017-02-28 | Universal Display Corporation | Micro-nozzle and micro-nozzle array for OVJP and method of manufacturing the same |
US10749113B2 (en) | 2014-09-29 | 2020-08-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10043987B2 (en) | 2014-09-29 | 2018-08-07 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10135007B2 (en) | 2014-09-29 | 2018-11-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9356249B2 (en) | 2014-09-30 | 2016-05-31 | Industrial Technology Research Institute | Organic electronic device and electric field-induced carrier generation layer |
US10361375B2 (en) | 2014-10-06 | 2019-07-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9397302B2 (en) | 2014-10-08 | 2016-07-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10854826B2 (en) | 2014-10-08 | 2020-12-01 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent compounds, compositions and devices |
US10950803B2 (en) | 2014-10-13 | 2021-03-16 | Universal Display Corporation | Compounds and uses in devices |
US9484541B2 (en) | 2014-10-20 | 2016-11-01 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
KR102299838B1 (ko) * | 2014-10-31 | 2021-09-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
US10868261B2 (en) | 2014-11-10 | 2020-12-15 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10033003B2 (en) | 2014-11-10 | 2018-07-24 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate metal complexes with carbon group bridging ligands |
US9865825B2 (en) | 2014-11-10 | 2018-01-09 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Emitters based on octahedral metal complexes |
US10411201B2 (en) | 2014-11-12 | 2019-09-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10038151B2 (en) | 2014-11-12 | 2018-07-31 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9871212B2 (en) | 2014-11-14 | 2018-01-16 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9882151B2 (en) | 2014-11-14 | 2018-01-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9761814B2 (en) | 2014-11-18 | 2017-09-12 | Universal Display Corporation | Organic light-emitting materials and devices |
KR102294413B1 (ko) * | 2014-11-18 | 2021-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
US9741956B2 (en) | 2014-11-25 | 2017-08-22 | Industrial Technology Research Institute | Organic light-emitting diode apparatus |
US9444075B2 (en) | 2014-11-26 | 2016-09-13 | Universal Display Corporation | Emissive display with photo-switchable polarization |
US9843024B2 (en) | 2014-12-03 | 2017-12-12 | Universal Display Corporation | Methods for fabricating OLEDs |
US10177126B2 (en) | 2014-12-16 | 2019-01-08 | Universal Display Corporation | Tunable OLED lighting source |
US11145837B2 (en) | 2014-12-17 | 2021-10-12 | Universal Display Corporation | Color stable organic light emitting diode stack |
US9450195B2 (en) | 2014-12-17 | 2016-09-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10510973B2 (en) | 2014-12-17 | 2019-12-17 | Universal Display Corporation | Color-stable organic light emitting diode stack |
US9761842B2 (en) | 2014-12-19 | 2017-09-12 | The Regents Of The University Of Michigan | Enhancing light extraction of organic light emitting diodes via nanoscale texturing of electrode surfaces |
US10253252B2 (en) | 2014-12-30 | 2019-04-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10636978B2 (en) | 2014-12-30 | 2020-04-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9312499B1 (en) | 2015-01-05 | 2016-04-12 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9406892B2 (en) | 2015-01-07 | 2016-08-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10038167B2 (en) | 2015-01-08 | 2018-07-31 | The Regents Of The University Of Michigan | Thick-ETL OLEDs with sub-ITO grids with improved outcoupling |
DE102015000819A1 (de) * | 2015-01-22 | 2015-12-17 | Diehl Aerospace Gmbh | Leuchtelement mit mehreren OLEDs, dessen Verwendung und Fahrzeug |
US10418569B2 (en) | 2015-01-25 | 2019-09-17 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9711730B2 (en) | 2015-01-25 | 2017-07-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN105826478B (zh) * | 2015-01-26 | 2018-01-16 | 财团法人工业技术研究院 | 发光元件 |
TWI596816B (zh) * | 2015-03-10 | 2017-08-21 | 財團法人工業技術研究院 | 發光元件 |
TWI543423B (zh) * | 2015-01-26 | 2016-07-21 | 財團法人工業技術研究院 | 發光元件 |
US10418562B2 (en) | 2015-02-06 | 2019-09-17 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10644247B2 (en) | 2015-02-06 | 2020-05-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10355222B2 (en) | 2015-02-06 | 2019-07-16 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10177316B2 (en) | 2015-02-09 | 2019-01-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10144867B2 (en) | 2015-02-13 | 2018-12-04 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10680183B2 (en) | 2015-02-15 | 2020-06-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9929361B2 (en) | 2015-02-16 | 2018-03-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
WO2016138356A1 (en) | 2015-02-26 | 2016-09-01 | Polyera Corporation | Attachable device having a flexible electronic component |
US11056657B2 (en) | 2015-02-27 | 2021-07-06 | University Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10600966B2 (en) | 2015-02-27 | 2020-03-24 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10686143B2 (en) | 2015-03-05 | 2020-06-16 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
KR102354019B1 (ko) | 2015-03-06 | 2022-01-21 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 고효율 oled 소자를 위한 신규 기판 및 공정 |
US10270046B2 (en) | 2015-03-06 | 2019-04-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9780316B2 (en) | 2015-03-16 | 2017-10-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9911928B2 (en) | 2015-03-19 | 2018-03-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9871214B2 (en) | 2015-03-23 | 2018-01-16 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10529931B2 (en) | 2015-03-24 | 2020-01-07 | Universal Display Corporation | Organic Electroluminescent materials and devices |
US10297770B2 (en) | 2015-03-27 | 2019-05-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10147360B2 (en) | 2015-03-31 | 2018-12-04 | Universal Display Corporation | Rugged display device architecture |
US20180076399A1 (en) * | 2015-03-31 | 2018-03-15 | Sabic Global Technologies B.V. | Multi-functional substrate for oled lighting application |
US11495749B2 (en) | 2015-04-06 | 2022-11-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11818949B2 (en) | 2015-04-06 | 2023-11-14 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20160293855A1 (en) | 2015-04-06 | 2016-10-06 | Universal Display Corporation | Organic Electroluminescent Materials and Devices |
US10381328B2 (en) | 2015-04-19 | 2019-08-13 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US11011507B1 (en) | 2015-04-19 | 2021-05-18 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11056468B1 (en) | 2015-04-19 | 2021-07-06 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10825779B2 (en) | 2015-04-19 | 2020-11-03 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US9899457B2 (en) | 2015-04-24 | 2018-02-20 | Universal Display Corporation | Flexible OLED display having increased lifetime |
WO2016176171A1 (en) | 2015-04-28 | 2016-11-03 | Corning Incorporated | Method of laser drilling through holes in substrates using an exit sacrificial cover layer; corresponding workpiece |
KR102584846B1 (ko) | 2015-05-05 | 2023-10-04 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 유기 전계발광 재료 및 디바이스 |
US10254795B2 (en) | 2015-05-06 | 2019-04-09 | Flexterra, Inc. | Attachable, flexible display device with flexible tail |
US10403826B2 (en) | 2015-05-07 | 2019-09-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10777749B2 (en) | 2015-05-07 | 2020-09-15 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9478758B1 (en) | 2015-05-08 | 2016-10-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9859510B2 (en) | 2015-05-15 | 2018-01-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10109799B2 (en) | 2015-05-21 | 2018-10-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10256411B2 (en) | 2015-05-21 | 2019-04-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10418568B2 (en) | 2015-06-01 | 2019-09-17 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10033004B2 (en) | 2015-06-01 | 2018-07-24 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9711739B2 (en) | 2015-06-02 | 2017-07-18 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate metal complexes containing indoloacridine and its analogues |
US9879039B2 (en) | 2015-06-03 | 2018-01-30 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate and octahedral metal complexes containing naphthyridinocarbazole and its analogues |
US10818853B2 (en) | 2015-06-04 | 2020-10-27 | University Of Southern California | Organic electroluminescent materials and devices |
US11925102B2 (en) | 2015-06-04 | 2024-03-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9978965B2 (en) | 2015-06-17 | 2018-05-22 | Universal Display Corporation | Rollable OLED display |
US10243162B2 (en) | 2015-06-17 | 2019-03-26 | Universal Display Corporation | Close illumination system |
US9947895B2 (en) | 2015-06-17 | 2018-04-17 | Universal Display Corporation | Flexible AMOLED display |
US9496523B1 (en) | 2015-06-19 | 2016-11-15 | Universal Display Corporation | Devices and methods to improve light outcoupling from an OLED array |
US10825997B2 (en) | 2015-06-25 | 2020-11-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10686159B2 (en) | 2015-06-26 | 2020-06-16 | Universal Display Corporation | OLED devices having improved efficiency |
US10873036B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-12-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9899631B2 (en) | 2015-07-08 | 2018-02-20 | Universal Display Corporation | Flexible multilayer scattering substrate used in OLED |
US9978956B2 (en) | 2015-07-15 | 2018-05-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11127905B2 (en) | 2015-07-29 | 2021-09-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11018309B2 (en) | 2015-08-03 | 2021-05-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10158091B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-12-18 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate platinum (II) and palladium (II) complexes, devices, and uses thereof |
US11522140B2 (en) | 2015-08-17 | 2022-12-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10522769B2 (en) | 2015-08-18 | 2019-12-31 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11956952B2 (en) | 2015-08-23 | 2024-04-09 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor memory device and structure |
US9947728B2 (en) | 2015-08-25 | 2018-04-17 | Universal Display Corporation | Hybrid MEMS OLED display |
US10211411B2 (en) | 2015-08-25 | 2019-02-19 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Thermally activated delayed fluorescent material based on 9,10-dihydro-9,9-dimethylacridine analogues for prolonging device longevity |
US10181564B2 (en) | 2015-08-26 | 2019-01-15 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10361381B2 (en) | 2015-09-03 | 2019-07-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11706972B2 (en) | 2015-09-08 | 2023-07-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11302872B2 (en) | 2015-09-09 | 2022-04-12 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10263050B2 (en) | 2015-09-18 | 2019-04-16 | Universal Display Corporation | Hybrid display |
US9818804B2 (en) | 2015-09-18 | 2017-11-14 | Universal Display Corporation | Hybrid display |
US11114427B2 (en) | 2015-11-07 | 2021-09-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor processor and memory device and structure |
US11978731B2 (en) | 2015-09-21 | 2024-05-07 | Monolithic 3D Inc. | Method to produce a multi-level semiconductor memory device and structure |
US11937422B2 (en) | 2015-11-07 | 2024-03-19 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor memory device and structure |
CN108401468A (zh) | 2015-09-21 | 2018-08-14 | 莫诺利特斯3D有限公司 | 3d半导体器件和结构 |
US10770664B2 (en) | 2015-09-21 | 2020-09-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20170092880A1 (en) | 2015-09-25 | 2017-03-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10847728B2 (en) | 2015-10-01 | 2020-11-24 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10593892B2 (en) | 2015-10-01 | 2020-03-17 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10522225B1 (en) | 2015-10-02 | 2019-12-31 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device with non-volatile memory |
US10991895B2 (en) | 2015-10-06 | 2021-04-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
KR102406606B1 (ko) * | 2015-10-08 | 2022-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 이의 제조 방법 |
US10566534B2 (en) | 2015-10-12 | 2020-02-18 | Universal Display Corporation | Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP) |
US10704144B2 (en) | 2015-10-12 | 2020-07-07 | Universal Display Corporation | Apparatus and method for printing multilayer organic thin films from vapor phase in an ultra-pure gas ambient |
US12016181B2 (en) | 2015-10-24 | 2024-06-18 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with logic and memory |
US11296115B1 (en) | 2015-10-24 | 2022-04-05 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11114464B2 (en) | 2015-10-24 | 2021-09-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10418369B2 (en) | 2015-10-24 | 2019-09-17 | Monolithic 3D Inc. | Multi-level semiconductor memory device and structure |
US11991884B1 (en) | 2015-10-24 | 2024-05-21 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with logic and memory |
US10847540B2 (en) | 2015-10-24 | 2020-11-24 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
US10388892B2 (en) | 2015-10-29 | 2019-08-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10388893B2 (en) | 2015-10-29 | 2019-08-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10177318B2 (en) | 2015-10-29 | 2019-01-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN106710524A (zh) * | 2015-11-13 | 2017-05-24 | 小米科技有限责任公司 | Oled面板、终端及感光控制方法 |
US10290816B2 (en) | 2015-11-16 | 2019-05-14 | The Regents Of The University Of Michigan | Organic electroluminescent materials and devices |
US10998507B2 (en) | 2015-11-23 | 2021-05-04 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10476010B2 (en) | 2015-11-30 | 2019-11-12 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
WO2017100944A1 (en) | 2015-12-16 | 2017-06-22 | Oti Lumionics Inc. | Barrier coating for opto-electronic devices |
US10957861B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-03-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11024808B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-06-01 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10135006B2 (en) | 2016-01-04 | 2018-11-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
JP6788314B2 (ja) | 2016-01-06 | 2020-11-25 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置 |
US10457864B2 (en) | 2016-02-09 | 2019-10-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20170229663A1 (en) | 2016-02-09 | 2017-08-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10707427B2 (en) | 2016-02-09 | 2020-07-07 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10600967B2 (en) | 2016-02-18 | 2020-03-24 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
TWI573493B (zh) | 2016-02-19 | 2017-03-01 | 財團法人工業技術研究院 | 發光元件 |
US10170701B2 (en) | 2016-03-04 | 2019-01-01 | Universal Display Corporation | Controlled deposition of materials using a differential pressure regime |
US11094891B2 (en) | 2016-03-16 | 2021-08-17 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9692955B1 (en) | 2016-03-21 | 2017-06-27 | Universal Display Corporation | Flash optimized using OLED display |
KR102513080B1 (ko) * | 2016-04-04 | 2023-03-24 | 삼성전자주식회사 | Led 광원 모듈 및 디스플레이 장치 |
US10276809B2 (en) | 2016-04-05 | 2019-04-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11168391B2 (en) | 2016-04-11 | 2021-11-09 | Universal Display Corporation | Nozzle exit contours for pattern composition |
US11014386B2 (en) | 2016-04-11 | 2021-05-25 | Universal Display Corporation | Actuation mechanism for accurately controlling distance in OVJP printing |
US10236456B2 (en) | 2016-04-11 | 2019-03-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10566552B2 (en) | 2016-04-13 | 2020-02-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11335865B2 (en) | 2016-04-15 | 2022-05-17 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | OLED with multi-emissive material layer |
US11081647B2 (en) | 2016-04-22 | 2021-08-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10483498B2 (en) | 2016-04-22 | 2019-11-19 | Universal Display Corporation | High efficiency vapor transport sublimation source using baffles coated with source material |
US11228002B2 (en) | 2016-04-22 | 2022-01-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11228003B2 (en) | 2016-04-22 | 2022-01-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
RU2631015C1 (ru) * | 2016-04-29 | 2017-09-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" | Высоковольтное органическое люминесцентное устройство |
US10522776B2 (en) | 2016-05-23 | 2019-12-31 | Universal Display Corporation | OLED device structures |
US10840458B2 (en) | 2016-05-25 | 2020-11-17 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10460663B2 (en) | 2016-05-31 | 2019-10-29 | Universal Display Corporation | Architecture for very high resolution AMOLED display backplane |
US10468609B2 (en) | 2016-06-02 | 2019-11-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11084982B2 (en) * | 2016-06-10 | 2021-08-10 | University Of Pittsburgh-Of The Commonwealth System Of Higher Education | Optically transparent polymeric actuator and display apparatus employing same |
US11482683B2 (en) | 2016-06-20 | 2022-10-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10686140B2 (en) | 2016-06-20 | 2020-06-16 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10672997B2 (en) | 2016-06-20 | 2020-06-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10727423B2 (en) | 2016-06-20 | 2020-07-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10862054B2 (en) | 2016-06-20 | 2020-12-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10651403B2 (en) | 2016-06-20 | 2020-05-12 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN105914279A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-08-31 | 无锡宏纳科技有限公司 | 一种底部发光的二极管 |
US10957866B2 (en) | 2016-06-30 | 2021-03-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9929360B2 (en) | 2016-07-08 | 2018-03-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10680184B2 (en) | 2016-07-11 | 2020-06-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10720587B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10153443B2 (en) | 2016-07-19 | 2018-12-11 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10756141B2 (en) | 2016-07-28 | 2020-08-25 | Universal Display Corporation | Very high resolution stacked OLED display |
CN112941465A (zh) | 2016-07-29 | 2021-06-11 | 环球展览公司 | 沉积喷嘴 |
US10229960B2 (en) | 2016-08-02 | 2019-03-12 | Universal Display Corporation | OLED displays with variable display regions |
US10483489B2 (en) | 2016-08-12 | 2019-11-19 | Universal Display Corporation | Integrated circular polarizer and permeation barrier for flexible OLEDs |
US10205105B2 (en) | 2016-08-15 | 2019-02-12 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
WO2018033860A1 (en) | 2016-08-15 | 2018-02-22 | Oti Lumionics Inc. | Light transmissive electrode for light emitting devices |
US10177323B2 (en) | 2016-08-22 | 2019-01-08 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate platinum (II) and palladium (II) complexes and octahedral iridium complexes employing azepine functional groups and their analogues |
US10608186B2 (en) | 2016-09-14 | 2020-03-31 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10505127B2 (en) | 2016-09-19 | 2019-12-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10680187B2 (en) | 2016-09-23 | 2020-06-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11196010B2 (en) | 2016-10-03 | 2021-12-07 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11183642B2 (en) | 2016-10-03 | 2021-11-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11081658B2 (en) | 2016-10-03 | 2021-08-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11127906B2 (en) | 2016-10-03 | 2021-09-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11189804B2 (en) | 2016-10-03 | 2021-11-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20180097202A1 (en) | 2016-10-03 | 2018-04-05 | Regents Of The University Of Michigan | Enhanced oled outcoupling by suppressing surface plasmon modes |
US11011709B2 (en) | 2016-10-07 | 2021-05-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11869591B2 (en) | 2016-10-10 | 2024-01-09 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory devices and structures with control circuits |
US11711928B2 (en) | 2016-10-10 | 2023-07-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory devices and structures with control circuits |
US11329059B1 (en) | 2016-10-10 | 2022-05-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory devices and structures with thinned single crystal substrates |
US11251149B2 (en) | 2016-10-10 | 2022-02-15 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory device and structure |
US11930648B1 (en) | 2016-10-10 | 2024-03-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory devices and structures with metal layers |
US11812620B2 (en) | 2016-10-10 | 2023-11-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D DRAM memory devices and structures with control circuits |
CN110291094A (zh) | 2016-10-12 | 2019-09-27 | 亚利桑那州立大学董事会 | 窄带红色磷光四配位基铂(ii)络合物 |
US11239432B2 (en) | 2016-10-14 | 2022-02-01 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10608185B2 (en) | 2016-10-17 | 2020-03-31 | Univeral Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11751426B2 (en) | 2016-10-18 | 2023-09-05 | Universal Display Corporation | Hybrid thin film permeation barrier and method of making the same |
US10236458B2 (en) | 2016-10-24 | 2019-03-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20180130956A1 (en) | 2016-11-09 | 2018-05-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10340464B2 (en) | 2016-11-10 | 2019-07-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10680188B2 (en) | 2016-11-11 | 2020-06-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10897016B2 (en) | 2016-11-14 | 2021-01-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10662196B2 (en) | 2016-11-17 | 2020-05-26 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10964893B2 (en) | 2016-11-17 | 2021-03-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10833276B2 (en) | 2016-11-21 | 2020-11-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10153445B2 (en) | 2016-11-21 | 2018-12-11 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11223032B2 (en) | 2016-11-29 | 2022-01-11 | Universal Display Corporation | Thin film barrier structure |
US11555048B2 (en) | 2016-12-01 | 2023-01-17 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10490753B2 (en) | 2016-12-15 | 2019-11-26 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11545636B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-01-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11548905B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-01-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11183670B2 (en) | 2016-12-16 | 2021-11-23 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Organic light emitting diode with split emissive layer |
US10811618B2 (en) | 2016-12-19 | 2020-10-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11152579B2 (en) | 2016-12-28 | 2021-10-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10783823B2 (en) | 2017-01-04 | 2020-09-22 | Universal Display Corporation | OLED device with controllable brightness |
US11780865B2 (en) | 2017-01-09 | 2023-10-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11201298B2 (en) | 2017-01-09 | 2021-12-14 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10804475B2 (en) | 2017-01-11 | 2020-10-13 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11545637B2 (en) | 2017-01-13 | 2023-01-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10629820B2 (en) | 2017-01-18 | 2020-04-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10964904B2 (en) | 2017-01-20 | 2021-03-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11053268B2 (en) | 2017-01-20 | 2021-07-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11765968B2 (en) | 2017-01-23 | 2023-09-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11050028B2 (en) | 2017-01-24 | 2021-06-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
WO2018140765A1 (en) | 2017-01-27 | 2018-08-02 | Jian Li | Metal-assisted delayed fluorescent emitters employing pyrido-pyrrolo-acridine and analogues |
US10978647B2 (en) | 2017-02-15 | 2021-04-13 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10844084B2 (en) | 2017-02-22 | 2020-11-24 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10745431B2 (en) | 2017-03-08 | 2020-08-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10741780B2 (en) | 2017-03-10 | 2020-08-11 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10672998B2 (en) | 2017-03-23 | 2020-06-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10873037B2 (en) | 2017-03-28 | 2020-12-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10910577B2 (en) | 2017-03-28 | 2021-02-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11056658B2 (en) | 2017-03-29 | 2021-07-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10844085B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-11-24 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11158820B2 (en) | 2017-03-29 | 2021-10-26 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10862046B2 (en) | 2017-03-30 | 2020-12-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11276829B2 (en) | 2017-03-31 | 2022-03-15 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11139443B2 (en) | 2017-03-31 | 2021-10-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10777754B2 (en) | 2017-04-11 | 2020-09-15 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11038117B2 (en) | 2017-04-11 | 2021-06-15 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP3610511B1 (en) | 2017-04-12 | 2023-09-06 | BOE Technology Group Co., Ltd. | Stacked organic light emitting apparatus, organic light emitting diode display apparatus, and method of fabricating a stacked organic light emitting apparatus |
US11084838B2 (en) | 2017-04-21 | 2021-08-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and device |
US10975113B2 (en) | 2017-04-21 | 2021-04-13 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11101434B2 (en) | 2017-04-21 | 2021-08-24 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10910570B2 (en) | 2017-04-28 | 2021-02-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11038137B2 (en) | 2017-04-28 | 2021-06-15 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11117897B2 (en) | 2017-05-01 | 2021-09-14 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10941170B2 (en) | 2017-05-03 | 2021-03-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11201299B2 (en) | 2017-05-04 | 2021-12-14 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10862055B2 (en) | 2017-05-05 | 2020-12-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20180323373A1 (en) | 2017-05-05 | 2018-11-08 | Universal Display Corporation | Capacitive sensor for positioning in ovjp printing |
US10870668B2 (en) | 2017-05-05 | 2020-12-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10818840B2 (en) | 2017-05-05 | 2020-10-27 | Universal Display Corporation | Segmented print bar for large-area OVJP deposition |
CN108865819A (zh) * | 2017-05-08 | 2018-11-23 | 广州康昕瑞基因健康科技有限公司 | 基因测序反应小室 |
US10930864B2 (en) | 2017-05-10 | 2021-02-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10944060B2 (en) | 2017-05-11 | 2021-03-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10822362B2 (en) | 2017-05-11 | 2020-11-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
RU2657497C1 (ru) * | 2017-05-12 | 2018-06-14 | Сиа Эволед | Способ получения эмиссионного слоя на основе соединений редкоземельных элементов и органический светоизлучающий диод |
US10944062B2 (en) | 2017-05-18 | 2021-03-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10934293B2 (en) | 2017-05-18 | 2021-03-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11038115B2 (en) | 2017-05-18 | 2021-06-15 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and device |
US10790455B2 (en) | 2017-05-18 | 2020-09-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10840459B2 (en) | 2017-05-18 | 2020-11-17 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10516117B2 (en) | 2017-05-19 | 2019-12-24 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Metal-assisted delayed fluorescent emttters employing benzo-imidazo-phenanthridine and analogues |
US11101435B2 (en) | 2017-05-19 | 2021-08-24 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate platinum and palladium complexes based on biscarbazole and analogues |
US11946131B2 (en) | 2017-05-26 | 2024-04-02 | Universal Display Corporation | Sublimation cell with time stability of output vapor pressure |
US11201288B2 (en) | 2017-05-26 | 2021-12-14 | Universal Display Corporation | Generalized organic vapor jet depositor capable of high resolution printing and method for OVJP printing |
US10930862B2 (en) | 2017-06-01 | 2021-02-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11608321B2 (en) | 2017-06-23 | 2023-03-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11802136B2 (en) | 2017-06-23 | 2023-10-31 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11678565B2 (en) | 2017-06-23 | 2023-06-13 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11495757B2 (en) | 2017-06-23 | 2022-11-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11552261B2 (en) | 2017-06-23 | 2023-01-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20180370999A1 (en) | 2017-06-23 | 2018-12-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10968226B2 (en) | 2017-06-23 | 2021-04-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11174259B2 (en) | 2017-06-23 | 2021-11-16 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11814403B2 (en) | 2017-06-23 | 2023-11-14 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11725022B2 (en) | 2017-06-23 | 2023-08-15 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11832510B2 (en) | 2017-06-23 | 2023-11-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11758804B2 (en) | 2017-06-23 | 2023-09-12 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20190006608A1 (en) * | 2017-07-03 | 2019-01-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
US11469382B2 (en) | 2017-07-12 | 2022-10-11 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11239433B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-02-01 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11917843B2 (en) | 2017-07-26 | 2024-02-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11322691B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-05-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11228010B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-01-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11765970B2 (en) | 2017-07-26 | 2023-09-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11968883B2 (en) | 2017-07-26 | 2024-04-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11678499B2 (en) | 2017-07-27 | 2023-06-13 | Universal Display Corporation | Use of singlet-triplet gap hosts for increasing stability of blue phosphorescent emission |
US11744141B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-08-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11508913B2 (en) | 2017-08-10 | 2022-11-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11910699B2 (en) | 2017-08-10 | 2024-02-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11744142B2 (en) | 2017-08-10 | 2023-08-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11349083B2 (en) | 2017-08-10 | 2022-05-31 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11462697B2 (en) | 2017-08-22 | 2022-10-04 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10998506B2 (en) | 2017-08-22 | 2021-05-04 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Boron containing heterocyclic compound for OLEDs, an organic light-emitting device, and a formulation comprising the boron-containing heterocyclic compound |
US11723269B2 (en) | 2017-08-22 | 2023-08-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11437591B2 (en) | 2017-08-24 | 2022-09-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10600981B2 (en) | 2017-08-24 | 2020-03-24 | Universal Display Corporation | Exciplex-sensitized fluorescence light emitting system |
CN114497170A (zh) | 2017-08-25 | 2022-05-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示面板及显示装置 |
US11605791B2 (en) | 2017-09-01 | 2023-03-14 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11839147B2 (en) | 2017-09-04 | 2023-12-05 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Hole injection layer and charge generation layer containing a truxene based compound |
US11444249B2 (en) | 2017-09-07 | 2022-09-13 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11424420B2 (en) | 2017-09-07 | 2022-08-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11696492B2 (en) | 2017-09-07 | 2023-07-04 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10608188B2 (en) | 2017-09-11 | 2020-03-31 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11177446B2 (en) | 2017-09-14 | 2021-11-16 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Silicon containing organic fluorescent materials |
US11778897B2 (en) | 2017-09-20 | 2023-10-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11325934B2 (en) | 2017-09-29 | 2022-05-10 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic luminescent materials containing tetraphenylene ligands |
CN109575083A (zh) | 2017-09-29 | 2019-04-05 | 北京夏禾科技有限公司 | 含环烷基辅助配体的有机发光材料 |
US10923660B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-02-16 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Liquid formulation and a method for making electronic devices by solution process |
CN109651065B (zh) | 2017-10-12 | 2022-11-29 | 北京夏禾科技有限公司 | 四邻亚苯蒽化合物 |
WO2019079508A2 (en) | 2017-10-17 | 2019-04-25 | Jian Li | PREFERRED MOLECULAR ORIENTATED PHOSPHORESCENT EXCIMERS AS MONOCHROMATIC TRANSMITTERS FOR DISPLAY AND LIGHTING APPLICATIONS |
US11647643B2 (en) | 2017-10-17 | 2023-05-09 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Hole-blocking materials for organic light emitting diodes |
US10978645B2 (en) | 2017-10-20 | 2021-04-13 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Indolocarbazole tetraphenylene compounds |
US11214587B2 (en) | 2017-11-07 | 2022-01-04 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11183646B2 (en) | 2017-11-07 | 2021-11-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11910702B2 (en) | 2017-11-07 | 2024-02-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent devices |
US11349081B2 (en) | 2017-11-14 | 2022-05-31 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Azaindolocarbazole compounds |
US10770690B2 (en) | 2017-11-15 | 2020-09-08 | The Regents Of The University Of Michigan | OLED with minimal plasmonic losses |
US11362311B2 (en) | 2017-11-17 | 2022-06-14 | The Regents Of The University Of Michigan | Sub-electrode microlens array for organic light emitting devices |
US11168103B2 (en) | 2017-11-17 | 2021-11-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11362310B2 (en) | 2017-11-20 | 2022-06-14 | The Regents Of The University Of Michigan | Organic light-emitting devices using a low refractive index dielectric |
US10892296B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected LED sub-units |
US11282981B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-03-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Passivation covered light emitting unit stack |
US20190164945A1 (en) * | 2017-11-27 | 2019-05-30 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode for display and display apparatus having the same |
US11527519B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US10892297B2 (en) * | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
US10777125B2 (en) | 2017-11-27 | 2020-09-15 | Universal Display Corporation | Multi-mode OLED display |
US20190161504A1 (en) | 2017-11-28 | 2019-05-30 | University Of Southern California | Carbene compounds and organic electroluminescent devices |
US11825735B2 (en) | 2017-11-28 | 2023-11-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10770673B2 (en) | 2017-11-28 | 2020-09-08 | The Regents Of The University Of Michigan | Highly reliable stacked white organic light emitting device |
EP3492480B1 (en) | 2017-11-29 | 2021-10-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11937503B2 (en) | 2017-11-30 | 2024-03-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10431631B2 (en) * | 2017-12-04 | 2019-10-01 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Stacked OLED device and method of making the same |
US10748881B2 (en) | 2017-12-05 | 2020-08-18 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US11145692B2 (en) | 2017-12-12 | 2021-10-12 | Universal Display Corporation | Hybrid wearable organic light emitting diode (OLED) illumination devices |
US10998531B2 (en) | 2017-12-12 | 2021-05-04 | Universal Display Corporation | Segmented OVJP print bar |
US11139444B2 (en) | 2017-12-12 | 2021-10-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent devices containing a near-infrared down-conversion layer |
US11466026B2 (en) | 2017-12-13 | 2022-10-11 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent materials and devices |
CN109912619B (zh) | 2017-12-13 | 2022-05-20 | 北京夏禾科技有限公司 | 有机电致发光材料和器件 |
US11466009B2 (en) | 2017-12-13 | 2022-10-11 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent materials and devices |
US11897896B2 (en) | 2017-12-13 | 2024-02-13 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent materials and devices |
US10886327B2 (en) | 2017-12-14 | 2021-01-05 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US10971687B2 (en) | 2017-12-14 | 2021-04-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11233204B2 (en) | 2017-12-14 | 2022-01-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11233205B2 (en) | 2017-12-14 | 2022-01-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10992252B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-04-27 | Universal Display Corporation | Integrated photovoltaic window and light source |
CN109928885B (zh) | 2017-12-19 | 2022-11-29 | 北京夏禾科技有限公司 | 四邻亚苯三芳胺化合物 |
US11552057B2 (en) * | 2017-12-20 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US11522006B2 (en) | 2017-12-21 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11552061B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US11114499B2 (en) | 2018-01-02 | 2021-09-07 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Display device having light emitting stacked structure |
US10784240B2 (en) | 2018-01-03 | 2020-09-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US11329237B2 (en) | 2018-01-05 | 2022-05-10 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Boron and nitrogen containing heterocyclic compounds |
US11081659B2 (en) | 2018-01-10 | 2021-08-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11700765B2 (en) | 2018-01-10 | 2023-07-11 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11108027B2 (en) | 2018-01-11 | 2021-08-31 | Universal Display Corporation | Printed metal gasket |
US11515493B2 (en) | 2018-01-11 | 2022-11-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11271177B2 (en) | 2018-01-11 | 2022-03-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10654272B2 (en) | 2018-01-12 | 2020-05-19 | Universal Display Corporation | Valved micronozzle array for high temperature MEMS application |
US11588140B2 (en) | 2018-01-12 | 2023-02-21 | Universal Display Corporation | Organic vapor jet print head for depositing thin film features with high thickness uniformity |
US11367840B2 (en) | 2018-01-26 | 2022-06-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11845764B2 (en) | 2018-01-26 | 2023-12-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11542289B2 (en) | 2018-01-26 | 2023-01-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11033924B2 (en) | 2018-01-31 | 2021-06-15 | Universal Display Corporation | Organic vapor jet print head with orthogonal delivery and exhaust channels |
US11957050B2 (en) | 2018-02-09 | 2024-04-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11180519B2 (en) | 2018-02-09 | 2021-11-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11239434B2 (en) | 2018-02-09 | 2022-02-01 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11342509B2 (en) | 2018-02-09 | 2022-05-24 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11104988B2 (en) | 2018-02-22 | 2021-08-31 | Universal Display Corporation | Modular confined organic print head and system |
WO2019172121A1 (ja) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光素子ユニット |
US11557733B2 (en) | 2018-03-12 | 2023-01-17 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11217757B2 (en) | 2018-03-12 | 2022-01-04 | Universal Display Corporation | Host materials for electroluminescent devices |
US11279722B2 (en) | 2018-03-12 | 2022-03-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11142538B2 (en) | 2018-03-12 | 2021-10-12 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11165028B2 (en) | 2018-03-12 | 2021-11-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10916704B2 (en) | 2018-04-03 | 2021-02-09 | Universal Display Corporation | Vapor jet printing |
US11062205B2 (en) | 2018-04-06 | 2021-07-13 | Universal Display Corporation | Hybrid neuromorphic computing display |
US11038121B2 (en) | 2018-04-09 | 2021-06-15 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | 9 membered ring carbazole compounds |
US11882759B2 (en) | 2018-04-13 | 2024-01-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11390639B2 (en) | 2018-04-13 | 2022-07-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11616203B2 (en) | 2018-04-17 | 2023-03-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11342513B2 (en) | 2018-05-04 | 2022-05-24 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11515494B2 (en) | 2018-05-04 | 2022-11-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11753427B2 (en) | 2018-05-04 | 2023-09-12 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11793073B2 (en) | 2018-05-06 | 2023-10-17 | Universal Display Corporation | Host materials for electroluminescent devices |
US11552278B2 (en) | 2018-05-08 | 2023-01-10 | Universal Display Corporation | Integrated photobiomodulation device |
GB201808439D0 (en) | 2018-05-23 | 2018-07-11 | Savvy Science Ltd | Stacked perovskite light emitting device |
US11459349B2 (en) | 2018-05-25 | 2022-10-04 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11450822B2 (en) | 2018-05-25 | 2022-09-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11716900B2 (en) | 2018-05-30 | 2023-08-01 | Universal Display Corporation | Host materials for electroluminescent devices |
US11296283B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-04-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11925103B2 (en) | 2018-06-05 | 2024-03-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11339182B2 (en) | 2018-06-07 | 2022-05-24 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20190386256A1 (en) | 2018-06-18 | 2019-12-19 | Universal Display Corporation | Sequential material sources for thermally challenged OLED materials |
US11552159B2 (en) | 2018-06-18 | 2023-01-10 | Universal Display Corporation | OLED display with all organic thin film layers patterned |
US11121320B2 (en) | 2018-06-18 | 2021-09-14 | Universal Display Corporation | Organic vapor jet print head with redundant groups of depositors |
US11228004B2 (en) | 2018-06-22 | 2022-01-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11261207B2 (en) | 2018-06-25 | 2022-03-01 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11753425B2 (en) | 2018-07-11 | 2023-09-12 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10797112B2 (en) | 2018-07-25 | 2020-10-06 | Universal Display Corporation | Energy efficient OLED TV |
US20200075870A1 (en) | 2018-08-22 | 2020-03-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11233203B2 (en) | 2018-09-06 | 2022-01-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11485706B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-11-01 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11718634B2 (en) | 2018-09-14 | 2023-08-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN117447526A (zh) | 2018-09-15 | 2024-01-26 | 北京夏禾科技有限公司 | 含有氟取代的金属配合物 |
CN113169289A (zh) | 2018-09-17 | 2021-07-23 | 佩罗莱德有限公司 | 通过喷墨印刷制造钙钛矿发光器件的方法 |
CN109244259A (zh) * | 2018-09-18 | 2019-01-18 | 厦门多彩光电子科技有限公司 | 一种qd-led封装体及其制作方法 |
US11903305B2 (en) | 2018-09-24 | 2024-02-13 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10879487B2 (en) | 2018-10-04 | 2020-12-29 | Universal Display Corporation | Wearable OLED illumination device |
US11469383B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-10-11 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11495752B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-11-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11476430B2 (en) | 2018-10-15 | 2022-10-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11515482B2 (en) | 2018-10-23 | 2022-11-29 | Universal Display Corporation | Deep HOMO (highest occupied molecular orbital) emitter device structures |
TWI692471B (zh) | 2018-10-23 | 2020-05-01 | 昱鐳光電科技股份有限公司 | 苯基聯苯嘧啶類化合物及其有機電激發光元件 |
CN111087416B (zh) | 2018-10-24 | 2024-05-14 | 北京夏禾科技有限公司 | 含硅的电子传输材料及其应用 |
US11469384B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-10-11 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11825736B2 (en) | 2018-11-19 | 2023-11-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11963441B2 (en) | 2018-11-26 | 2024-04-16 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11706980B2 (en) | 2018-11-28 | 2023-07-18 | Universal Display Corporation | Host materials for electroluminescent devices |
US11672176B2 (en) | 2018-11-28 | 2023-06-06 | Universal Display Corporation | Host materials for electroluminescent devices |
US11672165B2 (en) | 2018-11-28 | 2023-06-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11690285B2 (en) | 2018-11-28 | 2023-06-27 | Universal Display Corporation | Electroluminescent devices |
US11889708B2 (en) | 2019-11-14 | 2024-01-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11716899B2 (en) | 2018-11-28 | 2023-08-01 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11201313B2 (en) | 2018-11-29 | 2021-12-14 | Universal Display Corporation | Enhanced outcoupling from surface plasmon modes in corrugated OLEDs |
US11217762B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Universal Display Corporation | Surface-plasmon-pumped light emitting devices |
US11623936B2 (en) | 2018-12-11 | 2023-04-11 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11834459B2 (en) | 2018-12-12 | 2023-12-05 | Universal Display Corporation | Host materials for electroluminescent devices |
US11737349B2 (en) | 2018-12-12 | 2023-08-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
KR20200080741A (ko) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
CN109768175A (zh) * | 2019-01-09 | 2019-05-17 | 泉州市康电光电科技有限公司 | 一种qled的新型封装方法 |
RU194965U1 (ru) * | 2019-01-10 | 2020-01-09 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Курская государственная сельскохозяйственная академия имени И.И. Иванова" | Светодиодный осветительный прибор с цветными светодиодами |
US11895853B2 (en) | 2019-01-17 | 2024-02-06 | The Regents Of The University Of Michigan | Organic photovoltaic device having a lateral charge transport channel |
US11088325B2 (en) | 2019-01-18 | 2021-08-10 | Universal Display Corporation | Organic vapor jet micro-print head with multiple gas distribution orifice plates |
US11878988B2 (en) | 2019-01-24 | 2024-01-23 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Blue phosphorescent emitters employing functionalized imidazophenthridine and analogues |
US11349099B2 (en) | 2019-01-25 | 2022-05-31 | The Regents Of The University Of Michigan | Method of fabricating a light emitting device having a polymer film with a specified surface rouggness |
US11594691B2 (en) | 2019-01-25 | 2023-02-28 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Light outcoupling efficiency of phosphorescent OLEDs by mixing horizontally aligned fluorescent emitters |
US11342526B2 (en) | 2019-01-29 | 2022-05-24 | The Regents Of The University Of Michigan | Hybrid organic light emitting device |
US11812624B2 (en) | 2019-01-30 | 2023-11-07 | The University Of Southern California | Organic electroluminescent materials and devices |
US11780829B2 (en) | 2019-01-30 | 2023-10-10 | The University Of Southern California | Organic electroluminescent materials and devices |
US11683973B2 (en) | 2019-01-31 | 2023-06-20 | Universal Display Corporation | Use of thin film metal with stable native oxide for solder wetting control |
US20200251664A1 (en) | 2019-02-01 | 2020-08-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN117402190A (zh) | 2019-02-01 | 2024-01-16 | 北京夏禾科技有限公司 | 一种含有氰基取代配体的有机发光材料 |
US11370809B2 (en) | 2019-02-08 | 2022-06-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11325932B2 (en) | 2019-02-08 | 2022-05-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11773320B2 (en) | 2019-02-21 | 2023-10-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11871653B2 (en) | 2019-02-22 | 2024-01-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11758807B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-09-12 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN111620853B (zh) | 2019-02-28 | 2023-07-28 | 北京夏禾科技有限公司 | 有机电致发光材料及其器件 |
US11512093B2 (en) | 2019-03-04 | 2022-11-29 | Universal Display Corporation | Compound used for organic light emitting device (OLED), consumer product and formulation |
US11739081B2 (en) | 2019-03-11 | 2023-08-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11056540B2 (en) | 2019-03-12 | 2021-07-06 | Universal Display Corporation | Plasmonic PHOLED arrangement for displays |
US11139442B2 (en) | 2019-03-12 | 2021-10-05 | Universal Display Corporation | Nanopatch antenna outcoupling structure for use in OLEDs |
US11569480B2 (en) | 2019-03-12 | 2023-01-31 | Universal Display Corporation | Plasmonic OLEDs and vertical dipole emitters |
US11245086B2 (en) | 2019-03-12 | 2022-02-08 | Universal Display Corporation | Nano-objects for purcell enhancement, out-coupling and engineering radiation pattern |
US11637261B2 (en) | 2019-03-12 | 2023-04-25 | Universal Display Corporation | Nanopatch antenna outcoupling structure for use in OLEDs |
US20200295291A1 (en) | 2019-03-12 | 2020-09-17 | Universal Display Corporation | OLED WITH TRIPLET EMITTER AND EXCITED STATE LIFETIME LESS THAN 200 ns |
US11552247B2 (en) | 2019-03-20 | 2023-01-10 | The Regents Of The University Of Michigan | Organic vapor jet nozzle with shutter |
JP2020158491A (ja) | 2019-03-26 | 2020-10-01 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス |
US11963438B2 (en) | 2019-03-26 | 2024-04-16 | The University Of Southern California | Organic electroluminescent materials and devices |
US11222928B2 (en) | 2019-04-01 | 2022-01-11 | Universal Display Corporation | Display architecture with reduced number of data line connections |
US11296106B2 (en) | 2019-04-08 | 2022-04-05 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures |
US11158652B1 (en) | 2019-04-08 | 2021-10-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures |
US11018156B2 (en) | 2019-04-08 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures |
US10892016B1 (en) | 2019-04-08 | 2021-01-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures |
US11763864B2 (en) | 2019-04-08 | 2023-09-19 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars |
US11639363B2 (en) | 2019-04-22 | 2023-05-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11613550B2 (en) | 2019-04-30 | 2023-03-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices comprising benzimidazole-containing metal complexes |
US11495756B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-11-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11560398B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-01-24 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN111909213B (zh) | 2019-05-09 | 2024-02-27 | 北京夏禾科技有限公司 | 一种含有三个不同配体的金属配合物 |
CN111909214B (zh) | 2019-05-09 | 2024-03-29 | 北京夏禾科技有限公司 | 一种含有3-氘取代异喹啉配体的有机发光材料 |
CN111909212B (zh) | 2019-05-09 | 2023-12-26 | 北京夏禾科技有限公司 | 一种含有6-硅基取代异喹啉配体的有机发光材料 |
US11827651B2 (en) | 2019-05-13 | 2023-11-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11634445B2 (en) | 2019-05-21 | 2023-04-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20200373360A1 (en) | 2019-05-23 | 2020-11-26 | Universal Display Corporation | Oled display panel with unpatterned emissive stack |
US12010859B2 (en) | 2019-05-24 | 2024-06-11 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11647667B2 (en) | 2019-06-14 | 2023-05-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent compounds and organic light emitting devices using the same |
KR102213343B1 (ko) * | 2019-07-01 | 2021-02-08 | 한국과학기술원 | 다색 픽셀 어레이를 갖는 마이크로 led 디스플레이 및 그의 구동 회로와 결합에 따른 제조 방법 |
US11920070B2 (en) | 2019-07-12 | 2024-03-05 | The University Of Southern California | Luminescent janus-type, two-coordinated metal complexes |
US11825687B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-11-21 | The Regents Of The University Of Michigan | Organic light emitting device |
US11685754B2 (en) | 2019-07-22 | 2023-06-27 | Universal Display Corporation | Heteroleptic organic electroluminescent materials |
US11926638B2 (en) | 2019-07-22 | 2024-03-12 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20210036065A1 (en) | 2019-07-29 | 2021-02-04 | Universal Display Corporation | Color stable multicolor OLED device structures |
US20210032278A1 (en) | 2019-07-30 | 2021-02-04 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11708355B2 (en) | 2019-08-01 | 2023-07-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11985888B2 (en) | 2019-08-12 | 2024-05-14 | The Regents Of The University Of Michigan | Organic electroluminescent device |
US11374181B2 (en) | 2019-08-14 | 2022-06-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11930699B2 (en) | 2019-08-15 | 2024-03-12 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20210047354A1 (en) | 2019-08-16 | 2021-02-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11925105B2 (en) | 2019-08-26 | 2024-03-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN112430190B (zh) | 2019-08-26 | 2023-04-18 | 北京夏禾科技有限公司 | 芳香族胺衍生物及包含其的有机电致发光器件 |
US11937494B2 (en) | 2019-08-28 | 2024-03-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11600787B2 (en) | 2019-08-30 | 2023-03-07 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11820783B2 (en) | 2019-09-06 | 2023-11-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11999886B2 (en) | 2019-09-26 | 2024-06-04 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11785838B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-10-10 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Green and red organic light-emitting diodes employing excimer emitters |
US11864458B2 (en) | 2019-10-08 | 2024-01-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11950493B2 (en) | 2019-10-15 | 2024-04-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN112679548B (zh) | 2019-10-18 | 2023-07-28 | 北京夏禾科技有限公司 | 具有部分氟取代的取代基的辅助配体的有机发光材料 |
US11697653B2 (en) | 2019-10-21 | 2023-07-11 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
DE102019128752A1 (de) * | 2019-10-24 | 2021-04-29 | Apeva Se | Verfahren zur Herstellung übereinander gestapelter OLEDs |
US11919914B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-03-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11765965B2 (en) | 2019-10-30 | 2023-09-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20210135130A1 (en) | 2019-11-04 | 2021-05-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
JP7488091B2 (ja) | 2019-11-14 | 2024-05-21 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス |
US11903300B2 (en) | 2019-11-18 | 2024-02-13 | Universal Display Corporation | Pixel configurations for high resolution OVJP printed OLED displays |
US11832504B2 (en) | 2019-11-25 | 2023-11-28 | The Regents Of The University Of Michigan | System and method for organic electronic device patterning |
CN112909188B (zh) | 2019-12-03 | 2023-09-01 | 北京夏禾科技有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
US11292245B2 (en) | 2020-01-03 | 2022-04-05 | Trustees Of Boston University | Microelectromechanical shutters for organic vapor jet printing |
US20210217969A1 (en) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
DE102021100230A1 (de) | 2020-01-10 | 2021-07-15 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organisches lichtemittierendes Material |
US11778895B2 (en) | 2020-01-13 | 2023-10-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11917900B2 (en) | 2020-01-28 | 2024-02-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220336759A1 (en) | 2020-01-28 | 2022-10-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11932660B2 (en) | 2020-01-29 | 2024-03-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US12018035B2 (en) | 2020-03-23 | 2024-06-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
KR20230002860A (ko) | 2020-04-21 | 2023-01-05 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 유기 기능성 재료를 포함하는 에멀젼 |
US11970508B2 (en) | 2020-04-22 | 2024-04-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220109118A1 (en) | 2020-04-30 | 2022-04-07 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Light-emitting material with a polycyclic ligand |
US11751466B2 (en) | 2020-05-11 | 2023-09-05 | Universal Display Corporation | Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor jet printing (OVJP) |
US11716863B2 (en) | 2020-05-11 | 2023-08-01 | Universal Display Corporation | Hybrid display architecture |
DE102021112841A1 (de) | 2020-05-19 | 2021-11-25 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organisches, Licht emittierendes Material |
US11945985B2 (en) | 2020-05-19 | 2024-04-02 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Metal assisted delayed fluorescent emitters for organic light-emitting diodes |
CN117362298A (zh) | 2020-06-05 | 2024-01-09 | 北京夏禾科技有限公司 | 一种电致发光材料及器件 |
CN113816997B (zh) | 2020-06-20 | 2024-05-28 | 北京夏禾科技有限公司 | 一种磷光有机金属配合物及其应用 |
CN113816996A (zh) | 2020-06-20 | 2021-12-21 | 北京夏禾科技有限公司 | 一种磷光有机金属配合物及其应用 |
GB202010088D0 (en) | 2020-07-01 | 2020-08-12 | Savvy Science | Novel light emitting device architectures |
GB202010090D0 (en) | 2020-07-01 | 2020-08-12 | Savvy Science | Improved light emitting devices |
EP3937268A1 (en) | 2020-07-10 | 2022-01-12 | Universal Display Corporation | Plasmonic oleds and vertical dipole emitters |
US20220020935A1 (en) | 2020-07-20 | 2022-01-20 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent materials and devices |
US11778889B2 (en) | 2020-07-20 | 2023-10-03 | Universal Display Corporation | Height measurement and control in confined spaces for vapor deposition system |
CN112117356B (zh) * | 2020-08-13 | 2021-09-17 | 厦门大学 | 一种全彩有源寻址Micro-LED芯片结构及其制作方法 |
US11877489B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-01-16 | Universal Display Corporation | High color gamut OLED displays |
US20220112232A1 (en) | 2020-10-02 | 2022-04-14 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US12016231B2 (en) | 2020-10-09 | 2024-06-18 | Universal Display Corporation | Simplified high-performance AMOLED |
US20220158096A1 (en) | 2020-11-16 | 2022-05-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220162244A1 (en) | 2020-11-18 | 2022-05-26 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent material and device thereof |
US20220165968A1 (en) | 2020-11-23 | 2022-05-26 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent material and device thereof |
US20220162243A1 (en) | 2020-11-24 | 2022-05-26 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220165967A1 (en) | 2020-11-24 | 2022-05-26 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN114621198A (zh) | 2020-12-11 | 2022-06-14 | 北京夏禾科技有限公司 | 有机电致发光材料及其器件 |
JP7335640B2 (ja) | 2020-12-11 | 2023-08-30 | 北京夏禾科技有限公司 | 有機エレクトロルミネッセンス材料およびその素子 |
US11903302B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-02-13 | Universal Display Corporation | Organic vapor jet printing system |
US20220271241A1 (en) | 2021-02-03 | 2022-08-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN114907412A (zh) | 2021-02-06 | 2022-08-16 | 北京夏禾科技有限公司 | 有机电致发光材料及其器件 |
US20220359832A1 (en) | 2021-02-06 | 2022-11-10 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
EP4060758A3 (en) | 2021-02-26 | 2023-03-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4059915A3 (en) | 2021-02-26 | 2022-12-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220298192A1 (en) | 2021-03-05 | 2022-09-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220298190A1 (en) | 2021-03-12 | 2022-09-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220298193A1 (en) | 2021-03-15 | 2022-09-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220340607A1 (en) | 2021-04-05 | 2022-10-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4075531A1 (en) | 2021-04-13 | 2022-10-19 | Universal Display Corporation | Plasmonic oleds and vertical dipole emitters |
US20220352478A1 (en) | 2021-04-14 | 2022-11-03 | Universal Display Corporation | Organic eletroluminescent materials and devices |
US20220407020A1 (en) | 2021-04-23 | 2022-12-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20230006149A1 (en) | 2021-04-23 | 2023-01-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20230133787A1 (en) | 2021-06-08 | 2023-05-04 | University Of Southern California | Molecular Alignment of Homoleptic Iridium Phosphors |
CN115666146A (zh) | 2021-07-10 | 2023-01-31 | 北京夏禾科技有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
CN117730638A (zh) | 2021-08-02 | 2024-03-19 | 默克专利有限公司 | 通过组合油墨进行的印刷方法 |
US20230189629A1 (en) | 2021-08-20 | 2023-06-15 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent material and device thereof |
EP4151699A1 (en) | 2021-09-17 | 2023-03-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4174078A1 (en) | 2021-10-29 | 2023-05-03 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Electroluminescent material and device thereof |
US20230157058A1 (en) | 2021-11-12 | 2023-05-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent devices |
CN117343078A (zh) | 2021-11-25 | 2024-01-05 | 北京夏禾科技有限公司 | 有机电致发光材料和器件 |
EP4212539A1 (en) | 2021-12-16 | 2023-07-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4231804A3 (en) | 2022-02-16 | 2023-09-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4286555A1 (en) | 2022-02-23 | 2023-12-06 | Universal Display Corporation | Organic vapor jet printing system |
US20230292592A1 (en) | 2022-03-09 | 2023-09-14 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20230292605A1 (en) | 2022-03-09 | 2023-09-14 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20230337516A1 (en) | 2022-04-18 | 2023-10-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20230363244A1 (en) | 2022-05-09 | 2023-11-09 | Universal Display Corporation | Organic vapor jet printing system |
US20230357918A1 (en) | 2022-05-09 | 2023-11-09 | Universal Display Corporation | Organic vapor jet printing system |
US20230389421A1 (en) | 2022-05-24 | 2023-11-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
TW202411366A (zh) | 2022-06-07 | 2024-03-16 | 德商麥克專利有限公司 | 藉由組合油墨來印刷電子裝置功能層之方法 |
EP4293001A1 (en) | 2022-06-08 | 2023-12-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20230413590A1 (en) | 2022-06-17 | 2023-12-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent devices |
US20240016051A1 (en) | 2022-06-28 | 2024-01-11 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4335846A1 (en) | 2022-06-30 | 2024-03-13 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent material and device thereof |
US20240107880A1 (en) | 2022-08-17 | 2024-03-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4328285A1 (en) | 2022-08-25 | 2024-02-28 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent material and device thereof |
US20240188319A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-06-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20240196730A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-06-13 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20240180025A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-05-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20240188316A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-06-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20240188419A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-06-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20240206208A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-06-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4386065A1 (en) | 2022-12-14 | 2024-06-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
Family Cites Families (98)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3261844A (en) | 1964-08-05 | 1966-07-19 | Du Pont | Pyrazolyl, triazolyl and tetrazolyl derivatives of group iii-a elements and their compounds with metals and preparation thereof |
US3681381A (en) | 1968-08-02 | 1972-08-01 | Du Pont | Symmetrical and unsymmetrical pyrazaboles |
US3611069A (en) * | 1969-11-12 | 1971-10-05 | Gen Electric | Multiple color light emitting diodes |
JPS48102585A (it) * | 1972-04-04 | 1973-12-22 | ||
GB1407908A (en) * | 1972-04-14 | 1975-10-01 | Sony Corp | Alpha-numeric character display devices |
US3840793A (en) * | 1972-08-09 | 1974-10-08 | Giddings & Lewis | Recoordination of common axis positioning |
US3783353A (en) * | 1972-10-27 | 1974-01-01 | Rca Corp | Electroluminescent semiconductor device capable of emitting light of three different wavelengths |
US4020389A (en) | 1976-04-05 | 1977-04-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Electrode construction for flexible electroluminescent lamp |
JPS5541707A (en) | 1978-09-16 | 1980-03-24 | Fujitsu Ltd | Multi-wavelength radiation element |
US4365260A (en) * | 1978-10-13 | 1982-12-21 | University Of Illinois Foundation | Semiconductor light emitting device with quantum well active region of indirect bandgap semiconductor material |
US4281053A (en) | 1979-01-22 | 1981-07-28 | Eastman Kodak Company | Multilayer organic photovoltaic elements |
US4298769A (en) * | 1979-12-14 | 1981-11-03 | Standard Microsystems Corp. | Hermetic plastic dual-in-line package for a semiconductor integrated circuit |
US4291815B1 (en) * | 1980-02-19 | 1998-09-29 | Semiconductor Packaging Materi | Ceramic lid assembly for hermetic sealing of a semiconductor chip |
JPS5956391A (ja) | 1982-09-27 | 1984-03-31 | 株式会社東芝 | Elデイスプレイ装置 |
US4577207A (en) * | 1982-12-30 | 1986-03-18 | At&T Bell Laboratories | Dual wavelength optical source |
US4605942A (en) * | 1984-10-09 | 1986-08-12 | At&T Bell Laboratories | Multiple wavelength light emitting devices |
US4558171A (en) * | 1984-10-12 | 1985-12-10 | General Electric Company | Hermetic enclosure for electronic components with an optionally transparent cover and a method of making the same |
US4693777A (en) | 1984-11-30 | 1987-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for producing semiconductor devices |
JPS61284091A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-15 | アルプス電気株式会社 | 薄膜el表示素子 |
US4900584A (en) * | 1987-01-12 | 1990-02-13 | Planar Systems, Inc. | Rapid thermal annealing of TFEL panels |
US4885211A (en) * | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
US4720432A (en) | 1987-02-11 | 1988-01-19 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with organic luminescent medium |
US4769292A (en) | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
JP2814435B2 (ja) | 1987-03-02 | 1998-10-22 | イーストマン・コダック・カンパニー | 改良薄膜発光帯をもつ電場発光デバイス |
US4791075A (en) * | 1987-10-05 | 1988-12-13 | Motorola, Inc. | Process for making a hermetic low cost pin grid array package |
JPH01225092A (ja) | 1988-03-04 | 1989-09-07 | Yokogawa Electric Corp | El発光素子の駆動方法 |
JPH028290A (ja) | 1988-06-28 | 1990-01-11 | Nec Corp | 有機薄膜el素子 |
DE69011167T2 (de) * | 1989-03-31 | 1994-12-22 | Toshiba Kawasaki Kk | Anzeigeelement mit organischem Dünnschichtfilm. |
JP2647194B2 (ja) * | 1989-04-17 | 1997-08-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体用パッケージの封止方法 |
US4950950A (en) | 1989-05-18 | 1990-08-21 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone |
US5075743A (en) * | 1989-06-06 | 1991-12-24 | Cornell Research Foundation, Inc. | Quantum well optical device on silicon |
US5118986A (en) | 1989-06-30 | 1992-06-02 | Ricoh Company, Ltd. | Electroluminescent device |
JPH0393736A (ja) | 1989-09-06 | 1991-04-18 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 新規なジオレフィン芳香族化合物及びその製造方法 |
DE69014188T2 (de) * | 1989-09-29 | 1995-05-18 | Shinetsu Handotai Kk | Vorrichtung zur Lichtemission bei mehreren Wellenlängen. |
JPH03187192A (ja) | 1989-12-18 | 1991-08-15 | Seiko Epson Corp | 発光素子 |
KR910017908A (ko) | 1990-03-14 | 1991-11-05 | 이헌조 | El표시소자 |
US5059861A (en) * | 1990-07-26 | 1991-10-22 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer |
US5047687A (en) * | 1990-07-26 | 1991-09-10 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with stabilized cathode |
US5315129A (en) * | 1990-08-20 | 1994-05-24 | University Of Southern California | Organic optoelectronic devices and methods |
JPH04137485A (ja) | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Ricoh Co Ltd | 電界発光素子 |
KR930010129B1 (ko) | 1990-10-31 | 1993-10-14 | 주식회사 금성사 | 박막 el 표시소자의 제조방법 및 구조 |
US5231049A (en) * | 1990-11-05 | 1993-07-27 | California Institute Of Technology | Method of manufacturing a distributed light emitting diode flat-screen display for use in televisions |
JP2780880B2 (ja) | 1990-11-28 | 1998-07-30 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子および該素子を用いた発光装置 |
DE69129907T2 (de) | 1990-11-30 | 1998-12-10 | Idemitsu Kosan Co | Organische elektroluminszente vorrichtung |
US5286296A (en) | 1991-01-10 | 1994-02-15 | Sony Corporation | Multi-chamber wafer process equipment having plural, physically communicating transfer means |
US5166761A (en) * | 1991-04-01 | 1992-11-24 | Midwest Research Institute | Tunnel junction multiple wavelength light-emitting diodes |
JPH07110940B2 (ja) | 1991-06-05 | 1995-11-29 | 住友化学工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US5324604A (en) | 1991-06-17 | 1994-06-28 | Eastman Kodak Company | Multi-active electrophotographic element and imaging process using free radicals as charge transport material |
US5150006A (en) * | 1991-08-01 | 1992-09-22 | Eastman Kodak Company | Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (II) |
JP3490727B2 (ja) | 1991-11-28 | 2004-01-26 | 三洋電機株式会社 | 電界発光素子 |
DE4139852A1 (de) | 1991-12-03 | 1993-06-09 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften Ev, 3400 Goettingen, De | Optische einrichtung mit einem lumineszenten material und verfahren zu ihrer herstellung |
US5416494A (en) | 1991-12-24 | 1995-05-16 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroluminescent display |
US5276380A (en) | 1991-12-30 | 1994-01-04 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent image display device |
US5294869A (en) * | 1991-12-30 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent multicolor image display device |
US5294870A (en) * | 1991-12-30 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent multicolor image display device |
US5343050A (en) | 1992-01-07 | 1994-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electroluminescent device with low barrier height |
US5429884A (en) * | 1992-01-17 | 1995-07-04 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electroluminescent element |
JP3454532B2 (ja) | 1992-03-31 | 2003-10-06 | 三洋電機株式会社 | 電界発光素子 |
US5456988A (en) | 1992-01-31 | 1995-10-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic electroluminescent device having improved durability |
US5275698A (en) | 1992-03-09 | 1994-01-04 | Hercules Incorporated | Enhancement of tissue paper softness with minimal effect on strength |
DE69305262T2 (de) | 1992-07-13 | 1997-04-30 | Eastman Kodak Co | Einen inneren Übergang aufweisende organisch elektrolumineszierende Vorrichtung mit einer neuen Zusammensetzung |
JPH0668977A (ja) | 1992-08-13 | 1994-03-11 | Konica Corp | 多色電界発光表示装置 |
US5391896A (en) * | 1992-09-02 | 1995-02-21 | Midwest Research Institute | Monolithic multi-color light emission/detection device |
US5449564A (en) | 1992-10-29 | 1995-09-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic electroluminescent element having improved durability |
JP3300069B2 (ja) * | 1992-11-19 | 2002-07-08 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH06212153A (ja) | 1993-01-14 | 1994-08-02 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3253404B2 (ja) | 1993-03-25 | 2002-02-04 | 三洋電機株式会社 | 電界発光素子 |
US5329540A (en) | 1993-03-31 | 1994-07-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Silicate gel dye laser |
JPH06302383A (ja) * | 1993-04-16 | 1994-10-28 | Sharp Corp | El素子および液晶表示装置 |
JP3234936B2 (ja) | 1993-08-20 | 2001-12-04 | 松下電器産業株式会社 | 有機発光素子および画像表示装置 |
JP2642849B2 (ja) | 1993-08-24 | 1997-08-20 | 株式会社フロンテック | 薄膜の製造方法および製造装置 |
GB9317932D0 (en) | 1993-08-26 | 1993-10-13 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
JP3332491B2 (ja) | 1993-08-27 | 2002-10-07 | 三洋電機株式会社 | 有機el素子 |
JP3534445B2 (ja) | 1993-09-09 | 2004-06-07 | 隆一 山本 | ポリチオフェンを用いたel素子 |
US5405709A (en) * | 1993-09-13 | 1995-04-11 | Eastman Kodak Company | White light emitting internal junction organic electroluminescent device |
US5449432A (en) | 1993-10-25 | 1995-09-12 | Applied Materials, Inc. | Method of treating a workpiece with a plasma and processing reactor having plasma igniter and inductive coupler for semiconductor fabrication |
US5405710A (en) * | 1993-11-22 | 1995-04-11 | At&T Corp. | Article comprising microcavity light sources |
US5409783A (en) * | 1994-02-24 | 1995-04-25 | Eastman Kodak Company | Red-emitting organic electroluminescent device |
US5598059A (en) | 1994-04-28 | 1997-01-28 | Planar Systems, Inc. | AC TFEL device having a white light emitting multilayer phosphor |
WO1995031833A2 (en) | 1994-05-16 | 1995-11-23 | Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with an organic semiconductor material |
US5478658A (en) * | 1994-05-20 | 1995-12-26 | At&T Corp. | Article comprising a microcavity light source |
TW421668B (en) | 1994-05-26 | 2001-02-11 | Sumitomo Electric Industries | Organic electroluminescent device |
US5424560A (en) * | 1994-05-31 | 1995-06-13 | Motorola, Inc. | Integrated multicolor organic led array |
KR0146491B1 (ko) | 1994-09-16 | 1998-10-01 | 양승택 | 적층구조로 구성된 유기고분자 전계발광소자 |
US5486406A (en) | 1994-11-07 | 1996-01-23 | Motorola | Green-emitting organometallic complexes for use in light emitting devices |
US5707745A (en) | 1994-12-13 | 1998-01-13 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor organic light emitting devices |
US5552547A (en) | 1995-02-13 | 1996-09-03 | Shi; Song Q. | Organometallic complexes with built-in fluorescent dyes for use in light emitting devices |
US5663573A (en) | 1995-03-17 | 1997-09-02 | The Ohio State University | Bipolar electroluminescent device |
US5617445A (en) | 1995-06-07 | 1997-04-01 | Picolight Incorporated | Quantum cavity light emitting element |
US5719467A (en) | 1995-07-27 | 1998-02-17 | Hewlett-Packard Company | Organic electroluminescent device |
US5641611A (en) | 1995-08-21 | 1997-06-24 | Motorola | Method of fabricating organic LED matrices |
US5672938A (en) | 1995-09-29 | 1997-09-30 | Fed Corporation | Light emission device comprising light emitting organic material and electron injection enhancement structure |
US5583350A (en) * | 1995-11-02 | 1996-12-10 | Motorola | Full color light emitting diode display assembly |
US5834893A (en) | 1996-12-23 | 1998-11-10 | The Trustees Of Princeton University | High efficiency organic light emitting devices with light directing structures |
US5994835A (en) | 1997-01-13 | 1999-11-30 | Xerox Corporation | Thin film organic light emitting diode with edge emitter waveguide and electron injection layer |
US5917280A (en) | 1997-02-03 | 1999-06-29 | The Trustees Of Princeton University | Stacked organic light emitting devices |
US5757139A (en) | 1997-02-03 | 1998-05-26 | The Trustees Of Princeton University | Driving circuit for stacked organic light emitting devices |
US5881089A (en) | 1997-05-13 | 1999-03-09 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising an organic laser |
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