PL179550B1 - i sposób wytwarzania struktury wielobarwnego,organicznego urzadzenia elektroluminescencyjnego PL PL PL PL PL - Google Patents

i sposób wytwarzania struktury wielobarwnego,organicznego urzadzenia elektroluminescencyjnego PL PL PL PL PL

Info

Publication number
PL179550B1
PL179550B1 PL95320750A PL32075095A PL179550B1 PL 179550 B1 PL179550 B1 PL 179550B1 PL 95320750 A PL95320750 A PL 95320750A PL 32075095 A PL32075095 A PL 32075095A PL 179550 B1 PL179550 B1 PL 179550B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
electrically conductive
conductive layer
layer
transparent
substrate
Prior art date
Application number
PL95320750A
Other languages
English (en)
Other versions
PL320750A1 (en
Inventor
Linda S Sapochak
Paul E Burrows
Mark E Thompson
Stephen R Forrest
Dennis M Mccarty
Original Assignee
Univ Princeton
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Univ Princeton filed Critical Univ Princeton
Publication of PL320750A1 publication Critical patent/PL320750A1/xx
Publication of PL179550B1 publication Critical patent/PL179550B1/pl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
    • H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12033—Gunn diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • H10K85/146—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE poly N-vinylcarbazol; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/322—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/611—Charge transfer complexes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

1. Struktura wielobarwnego, organicznego urzadzenia elektroluminescencyjnego majaca podloze, posiadajace osadzona na powierzchni powloke przewodzaca elektrycznie, co najmniej pierwsze i drugie organiczne urzadzenie ele- ktroluminescencyjne na tym podlozu oraz war- stwe przewodzaca elektrycznie osadzona na tych organicznych urzadzeniach elektrolumines- cencyjnych, znamienna tym, ze organiczne urzadzenia elektroluminescencyjne (20, 21) sa umieszczone w stosie jedno na drugim tworzac strukture warstwowa na podlozu (37), zas kazde urzadzenie elektroluminescencyjne (20, 21) za- wiera material emisyjny (20H, 20E, 20T; 21H, 21E, 21T) do emitowania swiatla o zadanej bar- wie, przy czym organiczne urzadzenia elektrolu- minescencyjne (20, 21) sa oddzielone od siebie przezroczysta warstwa przewodzaca elektrycz- nie (26) tak, aby kazde urzadzenie (20, 21) moglo otrzymac oddzielny potencjal polaryzacyjny (31, 32) by dzialac emitujac swiatlo, natomiast podloze (37) z powloka przewodzaca elektrycz- nie (35) i/lub warstwa przewodzaca elektrycznie (26) osadzona na stosie, sa przezroczyste. FIG. 1A PL PL PL PL PL

Description

Przedmiotem wynalazkujest struktura wielobarwnego, organicznego urządzenia elektroluminescencyjnego i sposób wytwarzania struktury wielobarwnego, organicznego urządzenia elektroluminescencyjnego.
Wyświetlacz elektroniczny jest niezbędny w nowoczesnym społeczeństwie do dostarczania informacji i jest wykorzystywany w odbiornikach telewizyjnych, terminalach komputerowych oraz w wielu innych zastosowaniach. Żadne inne środki nie dają takiej prędkości, wszechstronności i interaktywności. Znane technologie wyświetlania zawierają wyświetlacze plazmowe, diody elektroluminescencyjne, wyświetlacze elektroluminescencyjne cienkowarstwowe itd.
Podstawowa technika nieemisyjna wykorzystuje elektrooptyczne właściwości pewnej klasy cząsteczek organicznych, znanych jako ciekłe kryształy lub wyświetlacze ciekłokrystaliczne. Wyświetlacze ciekłokrystaliczne działajądość niezawodnie, ale mają stosunkowo słaby kontrast i rozdzielczość i wymagają silnego przeciwoświetlenia. Aktywne wyświetlacze mozaikowe wykorzystują pole tranzystorów, z których każdy jest zdolny do uaktywniania pojedynczego ciekłokrystalicznego elementu obrazu. Nie ma żadnych wątpliwości, że technika płaskich wyświetlaczy panelowych jest bardzo interesująca i odbywa się tu ciągły postęp - patrz artykuł zatytułowany „Fiat Panel Displays”, Scientific American, marzec 1993, str. 90-97, S. W. Depp i W.E.Howard. W artykule tym podano, że oczekuje się, że do 1995 roku same płaskie wyświetlacze panelowe utworzą rynek na 4-5 miliardów dolarów. Dla każdej techniki wyświetlania pożądana jest możliwość zapewnienia pełnego zobrazowania barw o wysokiej rozdzielczości przy dobrym poziomie światła i przy konkurencyjnej cenie.
Wyświetlacze barwne działają z trzema podstawowymi barwami: czerwoną (R), zieloną (G) i niebieską(B). Nastąpił znaczny postęp w demonstrowaniu urządzeń elektroluminescencyjnych na światło czerwone, zielone i niebieskie z zastosowaniem organicznych materiałów cień6
179 550 kowarstwowych. Te materiały cienkowarstwowe są osadzane w warunkach wysokie próżni. Techniki takie rozwinęły się w wielu instytucjach badawczych.
Obecnie najkorzystniejsza, wysoce skuteczna organiczna struktura emisyjna nazywana jest urządzeniem elektroluminescencyjnym z podwójną heterostrukturą, które jest pokazane na fig. 1A jako stan techniki. Struktura ta jest bardzo podobna do konwencjonalnych, nieorganicznych urządzeń elektroluminescencyjnych stosujących materiały takie jak GaAs lub InP.
W urządzeniu pokazanym na fig. 1A warstwa wsporcza ze szkła 10 jest powleczona cienką warstwą z tlenku indu i cyny 11, które to warstwy 10 i 11 tworzą podłoże 8. Następnie cienka (10-50 nm) organiczna, warstwa 12 o przewodnictwie głównie typu p jest osadzana na tej warstwie 11 tlenku indu i cyny. Na powierzchni warstwy 12 o przewodnictwie typu p osadzona jest cienka (typowo 5-10 nm) warstwa emisyjna 13. Jeżeli warstwy są zbyt cienkie, może być brak ciągłości cienkiej warstwy, a grubsze warstwy mają tendencję do posiadania dużej rezystancji wewnętrznej, co wymaga stosowania większej mocy. Warstwa emisyjna 13 stanowi miejsce rekombinacji dla elektronów wstrzykiwań z mającej grubość 10-50 nm warstwy 14 o przewodnictwie typu n z dziurami pochodzącymi z warstwy 12 o przewodnictwie typu p. Materiał o przewodnictwie typu n charakteryzuje się znacznie większą ruchliwością elektronów niż dziur. Przykłady materiałów o przewodnictwie typu n, materiałów emisyjnych i materiałów o przewodnictwie typu p podano w patencie USA nr 5 294 870 zatytułowanym „Organie electroluminescent MultiColor Image Display Device”, wydanym 15 marca 1994 (Tang i inni).
Często warstwa emisyjna 13 jest domieszkowana barwnikiem silnie fluorescencyjnym w celu dostrojenia barwy i zwiększenia skuteczności elektroluminescencyjnej urządzenia elektroluminescencyjnego. Urządzenie pokazane na fig. 1A jest uzupełnione przez osadzenie metalowych styków 15, 16 i górnej elektrody 17. Styki 15 i 16 są typowo wytwarzane z indu lub Ti/Pt/Au. Elektroda 17 jest często strukturą dwuwarstwową złożoną ze stopu takiego jak Mg/Ag 17' bezpośrednio stykającego się z organiczną warstwą 14 o przewodnictwie typu n i z grubej roboczej warstwy 17, takiej jak złoto (Au) lub srebro (Ag) na Mg/Ag. Gruba metaliczna warstwa 17 jest nieprzezroczysta. Kiedy odpowiednie napięcie polaryzujące jest przyłożone pomiędzy górną elektrodę 17 a styki 15 i 1, następuje emisja światła przez szklane podłoże 10. Urządzenie elektroluminescencyjne z fig. 1A typowo ma luminescencyjne, zewnętrzne sprawności kwantowe od 0,05% do 4%m zależnie od barwy emisji i od jego struktury.
Inna znana organiczna struktura emisyjna nazywana pojedyncząheterostrukturąjest pokazana na fig. IB i jest traktowana jako stan techniki. Struktura ta różni się od struktury z fig. 1A tym, że emisyjna warstwa 13 służy również jako warstwa o przewodnictwie typu n, dzięki czemu eliminuje się warstwę 14 o przewodnictwie typu n z fig. 14. Jednakże urządzenie z fig. IB dla skutecznego działania musi zawierać warstwę emisyjną 13 dobrze przewodzącą elektrony, ponieważ w przeciwnym razie musi być zawarta oddzielna warstwa 14 o przewodnictwie typu n, jak pokazano w przypadku urządzenia z fig. 1 A.
Obecnie największe skuteczności obserwuje się w zielonych urządzeniach elektroluminescencyjnych. Ponadto osiągnięto napięcia sterowania 3-10 V. Te wczesne i bardzo obiecujące demonstracje wykorzystywały amorficzne lub wysoce polikrystaliczne warstwy organiczne. Struktury te niewątpliwie ograniczająruchliwość nośników ładunku w cienkiej warstwie, co z kolei ogranicza natężenie prądu i zwiększa napięcie sterowania. Migracja i wzrost krystalitów wynikających ze stanu polikrystalicznego jest wybitnie niekorzystną cechą tych urządzeń. Mechanizmem powodującym usterkijest również degradacja styków elektrodowych.
Jeszcze inne znane urządzenie elektroluminescencyjne jest pokazane na fig. 1C, gdzie pokazano typowy przekrój poprzeczny urządzenia elektroluminescencyjnego jednowarstwowego (polimer). Jak pokazano, urządzenie to zawiera szklaną warstwę wsporczą 1 powleczoną cienką warstwą 3 z tlenku indu i cyny tworzona jest cienka organiczna warstwa 5 na przykład polimeru nakładanego wirowo, która realizuje wszystkie funkcje warstwy o przewodnictwie typu p, warstw o przewodnictwie typu n i warstwy emisyjnej z poprzednio opisanych urządzeń. Na warstwie organicznej 5 tworzona jest metaliczna warstwa elektrodowa 6. Metalem tym jest typowo Mg, Ca lub inne konwencjonalnie stosowane metale.
179 550
Przykład wielobarwnego elektroluminescencyjnego urządzenia zobrazowania z wykorzystaniem związków organicznych na elementy obrazu emitujące światło przedstawiono w opisie patentowym US nr 5 294 870 (Tang i inni). Publikacja ta opisuje wiele elektroluminescencyjnych elementów obrazu, które zawierają medium organiczne do emitowania światła niebieskiego w obszarach subelementów obrazu emitującego światło niebieskie. Media fluorescencyjne są przedstawione bocznie od obszaru subelementu obrazu emitującego światło niebieskie. Te media fluorescencyjne absorbują światło emitowane przez medium organiczne i emitują światło czerwone i zielone w innych regionach subelementów obrazu. Zastosowanie materiałów domieszkowanych barwnikami fluorescencyjnymi do emitowania światłą zielonego lub barwnikami o absorbowaniu światła niebieskiego z obszaru subelementu obrazu emitującego światło niebieskie jest mniej skuteczne niż bezpośrednie wytwarzanie przez zielone lub czerwone urządzenia elektroluminescencyjne. Powodem tego jest to, że skuteczność będzie iloczynem (sprawność kwantowa warstwy emisyjnej)*(sprawność kwantowa fluorescencji)*(l-transmitancja).
Wadą tego wyświetlacza jest zatem to, że dla każdego emitowanego koloru potrzebne są różne przesunięte bocznie regiony subelementów obrazu.
Celem przedmiotowego wynalazku jest opracowanie wielobarwnego organicznego urządzenia elektroluminescencyjnego wykorzystującego kilka typów organicznych mediów elektroluminescencyjnych, każdy do emitowania innej barwy.
Dalszym celem tego wynalazku jest opracowanie takiego urządzenia w wielobarwnym wyświetlaczu o dużej rozdzielczości, gdzie te media organiczne są usytuowane w konfiguracji stosu, tak że każda barwa może być emitowana ze wspólnego obszaru wyświetlacza.
Innym celem przedmiotowego wynalazku jest opracowanie trójbarwnego, organicznego urządzenia elektroluminescencyjnego, które jest bardzo niezawodne i stosunkowo niedrogie w produkcji.
Dalszym celem jest opracowanie takiego urządzenia, które jest realizowane przez hodowanie materiałów organicznych, podobnych do materiałów używanych w diodach elektroluminescencyjnych, w celu otrzymania organicznego urządzenia elektroluminescencyjnego, które jest wysoce niezawodne, miniaturowe, wydajne i wymaga niskich napięć sterowania do stosowania w wyświetlaczach RGB.
Struktura wielobarwnego, organicznego urządzenia elektroluminescencyjnego mająca podłoże, posiadające osadzoną na powierzchni powłokę przewodzącą elektrycznie, co najmniej pierwsze i drugie organiczne urządzenie elektroluminescencyjne na tym podłożu oraz warstwę przewodzącą elektrycznie osadzoną na tych organicznych urządzeniach elektroluminescencyjnych, według wynalazku charakteryzuje się tym, że organiczne urządzenia elektroluminescencyjne sąumieszczone w stosie jedno na drugim tworząc strukturę warstwową na podłożu, zaś każde urządzenie elektroluminescencyjne zawiera materiał emisyjny do emitowania światła o żądanej barwie, przy czym organiczne urządzenia elektroluminescencyjne są oddzielone od siebie przezroczystą warstwą przewodzącą elektrycznie tak, aby każde urządzenie mogło otrzymać oddzielny potencjał polaryzacyjny by działać emitując światło, natomiast podłoże z powłoką przewodzącą elektrycznie i/lub warstwa przewodzącą elektrycznie osadzona na stosie, są przezroczyste.
Korzystnie, co najmniej jedno z organicznych urządzeń elektroluminescencyjnych jest urządzeniem o heterostrukturze mającym co najmniej jedną warstwę przewodzącą dziury oraz co najmniej jedną warstwę przewodzącą elektrony.
W szczególności, heterostruktura jest pojedynczą heterostrukturą.
Ewentualnie, heterostruktura jest podwójną heterostrukturą.
Struktura korzystnie ma trzecie organiczne urządzenie elektroluminescencyjne ułożone w stosie nad drugim organicznym urządzeniem elektroluminescencyjnym.
Podłoże z powłoką przewodzącą elektrycznie i górna warstwa przewodząca elektrycznie, korzystnie, są przezroczyste.
Ewentualnie, podłoże z powłoką przewodzącą elektrycznie jest przezroczyste, natomiast górna warstwa przewodząca elektrycznie zawiera warstwę metaliczną.
179 550
Ewentualnie, górna warstwa przewodząca elektrycznie jest przezroczysta, natomiast powłoka przewodząca elektrycznie usytuowana na podłożu zawiera warstwę metaliczną.
Korzystnie, co najmniej jedna z przezroczystych, przewodzących elektrycznie warstw, oddzielających organiczne urządzenia elektroluminescencyjne, zawiera warstwę metaliczną przy czym metal w tej warstwie metalicznej ma grubość mniejszą niż 10 nm.
Korzystnie, warstwa metaliczna zawiera metal o potencjale elektrodynamicznym mniejszym niż 4 eV.
W szczególności warstwa metaliczna zawiera Mg lub zawiera Mg i Ag.
Korzystnie, przezroczysta, przewodząca elektrycznie warstwa, zawierająca warstwę metaliczną ponadto zawiera warstwę tlenku indu i cyny osadzonąn tej warstwie metalicznej.
Korzystnie, każda warstwa co najmniej jednego z organicznych urządzeń elektroluminescencyjnych jest osadzona parowo, a zwłaszcza każda warstwa każdego z organicznych urządzeń elektroluminescencyjnych jest osadzona parowo.
Korzystnie, materiał emisyjny w każdym urządzeniu elektroluminescencyjnym jest wybrany z grupy złożonej z: chinolanowego związku kompleksowego z metalem trójwartościowym,· kompleksowego związku chinolanowego zmostkowanego metalem trójwartościowym, kompleksowego związku dwuwartościowego metalu z zasadą Schiffa, kompleksowego związku czterowartościowej cyny, kompleksowego związku metalu z acetyloacetonianem, kompleksowego związku metalu z ligandem dwudonorowym, bisfosfonianu, kompleksowego związku dwuwartościowego metalu z maleonitrylodwutiolanem, kompleksowego związku przenoszącego ładunek cząsteczkowy, aromatycznego heterocyklicznego polimeru oraz mieszanego chelatu pierwiastka ziem rzadkich.
Sposób wytwarzania struktury wielobarwnego, organicznego urządzenia elektroluminescencyjnego, mającego podłoże z przewodzącą elektrycznie powłoką co najmniej dwie organiczne struktury emisyjne i warstwę przewodzącą po przeciwnej stronie niż podłoże, według wynalazku charakteryzuje się tym, że na podłożu tworzy się pierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie, osadza się pierwszą przezroczystą organiczną warstwę, zawierającą pierwszy organiczny materiał emisyjny na pierwszej warstwie przewodzącej elektrycznie, osadza się drugą przezroczystą warstwę przewodzącą elektrycznie na pierwszym organicznym materiale emisyjnym, przeznaczoną do przyjmowania pierwszego potencjału polaryzacji, osadza się drugą warstwę organiczną zawierającą drugi organiczny materiał emisyjny na drugiej warstwie przewodzącej elektrycznie oraz osadza się trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie na drugim organicznym materiale emisyjnym, przeznaczoną do przyjmowania drugiego potencjału polaryzacji.
Korzystnie, osadza się trzecią warstwę organiczną zawierającą trzeci organiczny materiał emisyjny na trzeciej warstwie przewodzącej elektrycznie oraz osadza się czwartą warstwę przewodzącą elektrycznie na trzecim organicznym materiale emisyjnym, przeznaczoną do przyjmowania trzeciego potencjału polaryzacji.
W szczególności, maskuje się pewien obszar pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie przed osadzeniem pierwszego organicznego materiału emisyjnego lub wytrawia się pewien obszar pierwszego materiału emisyjnego.
Korzystnie, tworzy się warstwę materiału przeciwodbiciowego pomiędzy pierwszą warstwą przewodzącą elektrycznie a podłożem.
Korzystnie, podczas etapu osadzania pierwszej przezroczystej organicznej warstwy, zawierającej pierwszy organiczny materiał emisyjny na pierwszej warstwie przewodzącej elektrycznie, osadza się pojedynczą warstwę przewodzącą dziury oraz pojedynczą warstwę przewodzącą elektrony.
Ewentualnie, podczas etapu osadzania drugiej przezroczystej organicznej warstwy, zawierającej drugi organiczny materiał emisyjny na drugiej warstwie przewodzącej elektrycznie, osadza się pojedynczą warstwę przewodzącą dziury oraz pojedynczą warstwę przewodzącą elektrony.
Ewentualnie, podczas etapu osadzania pierwszej przezroczystej organicznej warstwy, zawierającej pierwszy organiczny materiał emisyjny na pierwszej warstwie przewodzącej elektry
179 550 cznie, osadza się pojedynczą warstwę przewodzącą dziury oraz dwie warstwy przewodzące elektrony, składające się zasadniczo z warstwy przewodzącej elektrony, połączonej z odrębną warstwą emisyjną.
Ewentualnie, podczas etapu osadzania drugiej przezroczystej organicznej warstwy, zawierającej drugi organiczny materiał emisyjny na drugiej warstwie przewodzącej elektrycznie, osadza się pojedynczą warstwę przewodzącą dziury oraz dwie warstwy przewodzące elektrony, składające się zasadniczo z warstwy przewodzącej elektrony, połączonej z odrębną warstwą emisyjną.
Ewentualnie, podczas etapu tworzenia pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie na podłożu tworzy się pierwszą przezroczystą warstwę przewodzącą elektrycznie na przezroczystym podłożu, natomiast podczas etapu osadzania trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie osadza się przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie.
Ewentualnie, podczas etapu tworzenia pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie na podłożu tworzy się pierwszą przezroczystą warstwę przewodzącą elektrycznie na przezroczystym podłożu, natomiast podczas etapu osadzania trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie osadza się metaliczną trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie.
Ewentualnie, podczas etapu tworzenia pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie na podłożu tworzy się metaliczną pierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie na podłożu, natomiast podczas etapu osadzania trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie osadza się przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie.
Ewentualnie, podczas etapu tworzenia trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie na podłożu tworzy się pierwszą przezroczystą warstwę przewodzącą elektrycznie na przezroczystym podłożu, natomiast podczas etapu osadzania trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie osadza się przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie, przy czym co najmniej jedną z warstw: przezroczystąpierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie, przezroczystą drugą warstwę przewodzącą elektrycznie lub przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie tworzy się jako warstwę metaliczną mającą grubość mniejszą niż 10 nm.
Ewentualnie, podczas etapu tworzenia pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie na podłożu tworzy się pierwszą przezroczystą warstwę przewodzącą elektrycznie na przezroczystym podłożu, natomiast podczas etapu osadzania trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie osadza, się przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie, przy czym co najmniej jednąz warstw: przezroczystąpierwszą warstwęprzewodzącą elektrycznie, przezroczystą drugą warstwę przewodzącą elektrycznie lub przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie formuje się jako warstwę metaliczną zawierającą Mg.
Ewentualnie, podczas etapu tworzenia pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie na podłożu tworzy się przezroczystą pierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie na przezroczystym podłożu, natomiast podczas etapu osadzania trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie osadza się przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie, przy czym co najmniej jednąz warstw: przezroczystąpierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie, przezroczystą drugą warstwę przewodzącą elektrycznie i przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie formuje się jako warstwę metaliczną zawierającą Mg i Ag.
Ewentualnie, podczas etapu tworzenia pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie na podłożu tworzy się przezroczystą pierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie na przezroczystym podłożu, podczas etapu osadzania trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie osadza się przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie, natomiast podczas etapu osadzania czwartej warstwy przewodzącej elektrycznie osadza się przezroczystą czwartą warstwę przewodzącą elektrycznie.
Ewentualnie, podczas etapu tworzenia pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie na podłożu tworzy się przezroczystą pierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie na przezroczystym podłożu, podczas etapu osadzania trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie osadza się przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie, natomiast podczas etapu osadzania
179 550 czwartej warstwy przewodzącej elektrycznie osadza się metaliczną czwartą warstwę przewodzącą elektrycznie.
Ewentualnie, podczas etapu tworzenia pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie na podłożu tworzy się metaliczną pierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie na podłożu, podczas etapu osadzania trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie osadza się przezroczystą trzeciąwarstwę przewodzącą elektrycznie, natomiast podczas etapu osadzania czwartej warstwy przewodzącej elektrycznie osadza się przezroczystą czwartą warstwę przewodzącą elektrycznie.
Drugi wariant sposobu wytwarzania struktury wielobarwnego organicznego urządzenia elektroluminescencyjnego, mającego podłoże z przewodzącą elektrycznie powłoką co najmniej dwie organiczne struktury emisyjne i warstwę przewodzącą po przeciwnej stronie niż podłoże, według wynalazku charakteryzuje się tym, że tworzy się pierwsze organiczne urządzenie elektroluminescencyjne, przy czym tworzy się pierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie na podłożu, osadza się co najmniej jedną pierwszą warstwę przewodzącą dziury na pierwszej warstwie przewodzącej elektrycznie i osadza się co najmniej jedną warstwę przewodzącą elektrony na co najmniej jednej pierwszej warstwie przewodzącej dziury, następnie tworzy się drugie organiczne urządzenie elektroluminescencyjne na pierwszym organicznym urządzeniu elektroluminescencyjnym, przy czym osadza się przezroczystą drugą warstwę przewodzącą elektrycznie na co najmniej jednej pierwszej warstwie przewodzącej elektrony, przeznaczoną do przyjmowania pierwszego potencjału polaryzacji, osadza się co najmniej jedną drugą warstwę przenoszącą dziury na drugiej warstwie przewodzącej elektrycznie i osadza się co najmniej jedną drugą warstwę przenoszącą elektrony na co najmniej jednej warstwie transportującej dziury, a następnie osadza się trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie na co najmniej jednej drugiej warstwie transportującej elektrony, przeznaczoną do przyjmowania drugiego potencjału polaryzacji
Struktura według wynalazku, tworząca stos, umożliwia uzyskanie wyższej rozdzielczości i wyższej wydajności niż rozwiązania znane, na przykład wyświetlacze z ciekłych kryształów, ponieważ w rozwiązaniu według wynalazku piksele mogąbyć nakładane jeden na drugim. Struktura według wynalazku jest niezawodna i stosunkowo niedroga w wytwarzaniu.
Przedmiot wynalazku jest przedstawionym w przykładach wykonania, na rysunkach, na których: fig. 1A jest przekrojem typowego organicznego urządzenia elektroluminescencyjnego o podwójnej heterostruktorze według stanu techniki, fig. IB jest przekrojem typowego organicznego urządzenia elektroluminescencyjnego o pojedynczej heterostrukturze według stanu techniki, fig. 1C jest przekrojem znanej jednowarstwowej polimerowej struktury urządzenia elektroluminescencyjnego według stanu techniki, fig. 2A, 2B i 2C są przekrojami scalonych, trójbarwnych, krystalicznych, organicznych urządzeń elektroluminescencyjnych według przykładów realizacji przedmiotowego wynalazku, fig. 3-11 przedstawiają różne związki organiczne, które mogąbyć stosowane do utworzenia aktywnych warstw emisyjnych w celu generowania różnych barw, fig. 12(A-E) przedstawia proces maskowania przy wytwarzaniu wielobarwnego urządzenia elektroluminescencyjnego według wynalazku, fig. 13(A-F) przedstawiają proces suchego wytrawiania przy wytwarzaniu wielobarwnego urządzenia elektroluminescencyjnego według wynalazku, fig. 14A przedstawia wielobarwne urządzenie elektroluminescencyjne w jednym przykładzie realizacji wynalazku skonfigurowane w celu ułatwienia pakowania go, fig. 14B przedstawia przekrój hermetycznego pakietu dla innego przykładu realizacji wynalazku, fig. 14Cjest przekrojem wzdłuż linii 14C-14Czfig. 14B,fig. 15 jest schematem blokowym wyświetlacza RGB wykorzystującego urządzenia elektroluminescencyjne według niniejszego wynalazku wraz z obwodem sterowania zobrazowania, natomiast fig. 16 przedstawia urządzenie elektroluminescencyjne według innego przykładu realizacji wynalazku powiększające liczbę ułożonych w stos urządzeń elektroluminescencyjnych do N, gdzie N jest liczbą całkowitą 1,2,3.....N.
Figurę 1A już opisano i jest to podwójne, heterostrukturalne, organiczne urządzenie elektroluminescencyjne według stanu techniki. Podstawowa konstrukcja urządzenia z fig. 1A jest zastosowana w przedmiotowym wynalazku, jak to zostanie opisane.
179 550
Na fig. 2A pokazano schematyczny przekrój silnie zminiaturyzowanej, scalonej struktury z elementami obrazu RGB, która jest zrealizowana w jednym przykładzie wykonania wynalazku [przez holowanie lub osadzanie próżniowe warstw organicznych. Dzięki możliwości hodowania materiałów organicznych na wielu różnych materiałach (łącznie z metalami i tlenkiem indu i cyny) można konstruować stos elektroluminescencyjnych, podwójnych heterostruktur (DH) oznaczonych jako 20,21 i 22 w jednym przykładzie realizacji wynalazku. Dla celów ilustracyjnych w przykładzie z fig. 2A urządzenie elektroluminescencyjne 20 jest rozważane w dolnej części stosu, urządzenie elektroluminescencyjne 21 w środkowej części stosu, a urządzenie elektroluminescencyjne 22 w górnej części stosu. Ponadto na fig. 2A pokazano, że stos jest zorientowany pionowo, ale urządzenia elektroluminescencyjne mogą być inaczej zorientowane. W innych przykładach realizacji stos urządzeń elektroluminescencyjnych o pojedynczej heterostrukturze (patrz fig. IB) lub stos urządzeń elektroluminescencyjnych na bazie polimerów (patrz fig. 1C) stanowią ważne alternatywy dla podwójnych heterostrukturalnych urządzeń elektroluminescencyjnych, przy czym urządzenia z pojedyncząheterostrukturą są tak samo ważne jak urządzenia z podwójną heterostrukturą dla emiterów światła. Ponadto pojedyncze urządzenia heterostrukturalne i podwójne urządzenia heterostrukturałne, zawierające połączenie elektroluminescencyjnych materiałów osadzanych próżniowo i polimerowych są traktowane jako mieszczące się w ramach ducha i zakresu przedmiotowego wynalazku.
Każda struktura urządzenia, jak urządzenie 20, złożona jest z warstwy 20H o przewodnictwie typu p, osadzonej próżniowo lub wyhodowanej albo inaczej osadzonej na powierzchni warstwy 35 tlenku indu i cyny. Górna warstwa 20T o przewodnictwie typu n przykrywa emisyjną warstwę 20E usytuowanąpomiędzy nią a warstwą 20H o przewodnictwie typu p, na przykładjak pokazano w konstrukcji urządzenia z fig. 2 A: Warstwa 20T o przewodnictwie typu n i inne warstwy o przewodnictwie typu n, które będą opisane, sązłożone z materiałów organicznych, takich jakM(8-hydroksychinolan)n (M=jon metalu; n=2-4). Przykłady takich odpowiednich organicznych materiałów o przewodnictwie typu n można znaleźć w patencie USA nr 5 294 870 (Tang i inni). Na wierzchu warstwy 20T o przewodnictwie typu n utworzona jest cienka, półprzezroczysta, mająca mały potencjał termodynamiczny (korzystnie <4 eV) metalowa warstwa 26M o grubości typowo mniejszej niż 5 nm. Odpowiednimi kandydatami sąMg, Mg/Ag i As. Na wierzchu warstwy 26M metalu osadzona jest inna przezroczysta, cienka, przewodząca warstwa 261 tlenku indu i cyny. (Dla wygody dwuwarstwowa struktura z metalicznej warstwy 26M i warstwy 261 tlenku indu i cyny jest tu nazywana warstwami 26 tlenku indu i cyny i metalu). Każde z urządzeń o podwójnych heterostrukturach, takich jak urządzenia 20,21 i 22, ma dolną warstwę o przewodnictwie typu p utworzoną na przezroczystej przewodzącej warstwie 261 lub 35 z tlenku indu i cyny. Następnie osadzana jest warstwa emitująca światło i druga warstwa o przewodnictwie typu n. Każda z tych warstw o przewodnictwie typu p, o przewodnictwie typu n, metalu i organicznych warstw emitujących światło jest przezroczysta/dzięki swemu składowi i minimalnej grubości. Każda warstwa o przewodnictwie typu p może mieć grubość 5-100 nm; każda warstwa emitująca światło może mieć grubość 5-20 nm; każda warstwa o przewodnictwie typu n może mieć grubość 5-100 nm; każda warstwa metaliczna 26M możemieć grubość 5-10 nm; a każda warstwa 261 i 3 5 tlenku indu i cyny może mieć grubość 100-400 nm. Dla optymalnego działania każda z tych warstw powinna korzystnie być utrzymywana przy dolnych końcach powyższych zakresów. Każde urządzenie elektroluminescencyjne 20, 21 i 22 (oprócz warstw tlenku cyny i indu oraz warstw metalicznych) ma korzystnie grubość bliską 20 nm.
Jeżeli do utworzenia urządzeń elektroluminescencyjnych 20, 21, 22 są użyte raczej urządzenia elektroluminescencyjne o pojedynczej heterostrukturze, a nie urządzenia elektroluminescencyjne o podwójnej heterostrukturze, warstwy o przewodnictwie typu n i warstwy emitujące światło są utworzone przez pojedynczą warstwę, taką jak warstwa 13, jak to poprzednio opisano w przypadku pojedynczej heterostruktury z fig. IB. Ta warstwa 13 jest typowo z chinolanu glinu. Pokazano to na fig. 2B, gdzie warstwy 20Ε, 21E i 22E emitujące światło spełniają zarówno funkcje warstwy emitującej światło jak i warstwy o przewodnictwie typu n. Jednakże zaleta stosu urządzeń elektroluminescencyjnych z podwójnych heterostruktur z fig. 2A
179 550 w stosunku do stosu urządzeń elektroluminescencyjnych z pojedynczych heterostruktur z fig. 2B polega na tym, że stos urządzeń elektroluminescencyjnych z podwójnych heterostruktur umożliwia uzyskanie cieńszej całkowitej konstrukcji o wysokiej skuteczności.
Na fig. 2A i 2B, chociaż środki każdego z urządzeń elektroluminescencyjnych są przesunięte względem siebie, całkowita wiązka światła z każdego urządzenia jest zasadniczo koincydencyjna pomiędzy elektroluminescencyjnymi urządzeniami 20,21 i 22. Chociaż wiązki światła są koincydencyjne w konfiguracji koncentrycznej, urządzenie emitujące lub nieemitujące bliższe szklanemu podłożu będzie przezroczyste dla urządzenia lub urządzeń emitujących usytuowanych dalej od podłoża szklanego. Jednakże urządzenia 20, 21 122 nie muszą być przesunięte względem siebie i mogą być alternatywnie ułożone w stos koncentrycznie jedna na drugiej, po czym wiązka światła z każdego urządzenia jest całkowicie koincydencyjna z pozostałymi. Na fig. 12E pokazano konfigurację koncentryczną która zostanie opisana poniżej w odniesieniu do procesów wytwarzania urządzenia. Należy zauważyć, że nie ma żadnej różnicy działania pomiędzy konfiguracją przestawioną a konfiguracją koncentryczną. Każde urządzenie emituje światło poprzez szklane podłoże 37 zasadniczo w układzie wszechkierunkowym. Napięcia na trzech urządzeniach elektroluminescencyjnych w stosie 29 są sterowane tak, aby otrzymać żądaną wynikowąbarwę emisji i jaskrawość dla danego elementu obrazu i w dowolnej chwili w czasie. Każde urządzenie elektroluminescencyjne 22, 21 i 20 może być zatem pobudzane równocześnie z wiązkami promieniowania odpowiednio R, G i B kierowanymi przykładowo poprzez warstwy przezroczyste i widocznymi poprzez te warstwy, jak pokazano schematycznie na fig. 2A i fig. 2B. Każda podwójnie heterostrukturalna struktura 20,21 i 22 jest po przyłożeniu odpowiednio spolaryzowanego napięcia zdolna do emitowania światła innej barwy. Urządzenie 20 z podwójnąheterostrukturą emituje światło niebieskie. Urządzenie 21 z podwójną hetero strukturą emituje światło zielone, natomiast urządzenie 22 z podwójną heterostrukturą emituje światło czerwone. Różne kombinacje urządzeń elektroluminescencyjnych lub różne oddzielne urządzenia elektroluminescencyjne 20,21 i 22 mogą być uaktywniane, by selektywnie otrzymać żądaną barwę światła dla odpowiedniego elementu obrazu częściowo zależnie od wartości natężenia prądu w każdym z tych urządzeń elektroluminescencyjnych 20, 21 i 22.
W przykładzie z fig. 2A i 2B elektroluminescencyjne urządzenia 20, 21 i 22 są spolaryzowane przepustowo odpowiednio przez baterie 32,31 i 30. Prąd przepływa od dodatniego zacisku każdej baterii 32,31 i 30 do anodowego zacisku 40,41,42 przyporządkowanego elektroluminescencyjnego urządzenia 20,21 i 22 poprzez warstwy każdego odpowiedniego urządzenia i od zacisków 21,21 i 43, służących jako zaciski katodowe, do zacisków ujemnych każdej baterii 32,31 i 30. W rezultacie z każdego z elektroluminescencyjnych urządzeń 20, 21 i 22 emitowane jest światło. Elektroluminescencyjne urządzenia 20,21 i 22 są wykonane jako selektywnie pobudzane przez zastosowanie środków (nie pokazano) do selektywnego dołączania i odłączania baterii 32, 31 i 30 od odpowiednich urządzeń elektroluminescencyjnych.
W przykładach realizacji wynalazku pokazanych na fig. 2A i 2B wykonany z tlenku indu i cyny styk 261 elektroluminescencyjnego urządzenia 22 jest przezroczysty, dzięki czemu pokazane trójbarwne urządzenie nadaje się do stosowania w wyświetlaczach refleksyjnych. Jednakże w innym przykładzie realizacji wynalazku górny styk 261 jest wykonany z grubego metalu, takiego j ak Gag, In., A lub U, w celu odbij ania światła emitowanego do góry z powrotem poprzez podłoże 13, by znacznie zwiększyć sprawność urządzenia. Ponadto całkowitą sprawność urządzenia można zwiększyć przez utworzenie wielowarstwowej dielektrycznej powłoki cienkowarstwowej pomiędzy szklanym podłożem 37 a warstwą 35 tlenku indu i cyny, by powstała powierzchnia przeciwodbiciowa. Potrzebne są trzy zestawy warstw przeciwodbiciowych, po jednym w celu utworzenia powłoki przeciwodbiciowej przy każdej długości fali emitowanej z różnych warstw.
W innym przykładzie wykonania urządzenie z fig. 2A jest skonstruowane w przeciwny lub odwrócony sposób, aby umożliwić emisję światła raczej z wierzchu stosu, a nie ze spodu, jak poprzednio. Przykład struktury odwróconej w odniesieniu do fig. 2C polega na zastąpieniu warstwy 35 tlenku indu i cyny grubą, odbijającą metaliczną warstwą 38. Niebieskie elektroluminescencyjne urządzenie 20 zostaje następnie utworzone przez zamianę warstwy 20H o przewodnie
179 550 twie typu p i warstwy 20T o przewodnictwie typu n, przy czym emisyjna warstwa 20E pozostaje usytuowana pomiędzy tymi dwiema warstwami. Ponadto metaliczna stykowa warstwa 26M jest teraz osadzona na wierzchu warstwy 261 z tlenku indu i cyny. Zielone elektroluminescencyjne urządzenie 21 i czerwone elektroluminescencyjne urządzenie 22, stanowiące części stosu, są skonstruowane każde z odwróconych warstw (warstwa o przewodnictwie typu p i warstwa emisyjna każdego z nich są zamienione, po czym następuje odwrócenie warstw metalicznych i warstw z tlenku indu i cyny), jak opisano w przypadku odwróconego niebieskiego urządzenia elektroluminescencyjnego 20. Należy zauważyć, że w strukturze odwróconej niebieskie urządzenie 20 musi być usytuowane na wierzchu, a czerwone urządzenie 22 na spodzie. Również biegunowości baterii 30, 31 i 32 sąodwrócone. W rezultacie prąd poprzez urządzenia 20,21 i 22 płynie w przeciwnym kierunku w porównaniu z urządzeniem z fig. 2A przy polaryzacji przepustowej dla emitowania światła.
W tym przykładzie urządzenie w przekroju ma profil stopniowany lub schodkowy. Przezroczyste obszary stykowe 261 (tlenek indu i cyny) umożliwiają oddzielne polaryzowanie każdego elementu obrazu w stosie, a ponadto materiał ten może być wykorzystywany jako materiał zatrzymujący trawienie podczas etapów obróbki. Oddzielna polaryzacja każdego elektroluminescencyjnego urządzenia 20, 21 i 22 o podwójnej heterostrukturze umożliwia pod względem długości fali dostrojenie sygnału wyjściowego elementu obrazu do każdej z różnych żądanych barw widma widzialnego zgodnie z normą chromatyczności CIE (Commission Internationale de l'Eclairage/Międzynarodowa Komisja Oświetlenia). Elektroluminescencyjne urządzenie 20 emitujące światło niebieskie jestumieszczone na spodzie stosu i jest to największe z tych trzech urządzeń. Urządzenie niebieskie jest na spodzie, ponieważ jest ono przezroczyste dla światła czerwonego i zielonego. Wreszcie rozdzielenie materiałów za pomocą warstw 26 z metalu/przezroczystego tlenku indu i cyny ułatwia wytwarzanie tego urządzenia, jak to zostanie opisane. Wykonanie urządzeń elektroluminescencyjnych, pokazanych na fig. 2A, 2B i 2C, tworzących elementy obrazu umożliwione jest przez bardzo unikatowe aspekty procesów próżniowego hodowania i wytwarzania związków organicznych. Pionowe uwarstwienie pokazane na fig. 2A, 2B i 2C umożliwia wytworzenie trójbarwnych elementów obrazu zajmujących najmniejszy możliwy obszar, a zatem wykonanie ich w snosób idealny do stosowania w wyświetlaczach o dużej rozdzielczości.
Jak pokazano na fig. 2A, 2B i 2C, każde urządzenie 20,21 i 22 o podwójnej heterostrukturze może emitować światło oznaczone odpowiednio przez strzałki B, G i R, albo równocześnie, albo oddzielnie. Należy zauważyć, że światło jest emitowane zasadniczo z całej poprzecznej części każdego elektroluminescencyjnego urządzenia 20,21 i 22, przy czym strzałki R, G i B nie są reprezentatywne dla szerokości rzeczywiście emitowanego światła. W ten sposób dodanie lub odjęcie barw, takich jak barwa czerwona, zielona i niebieska, jest integrowane przez oko, co powoduje odbiór różnych barw i odcieni. Jest to zjawisko dobrze znane w dziedzinie barwnego zobrazowania i kolorymetrii obrazów. W pokazanej konfiguracji przesuniętej wiązki światła czerwonego, zielonego i niebieskiego sązasadniczo koincydencyjne. Jeżeli urządzenia są wystarczająco małe, tzn. około 50 mm lub mniejsze, z takiego stosu można uzyskać dowolną z wielu barw. Będzie to jednak wyglądało jak jedna barwa pochodząca z pojedynczego elementu obrazu.
Materiały organiczne stosowane w podwójnych heterostrukturach są hodowane jeden na drugim lub są usytuowane w pionowym stosie, przy czym urządzenie 22 o największej długości fali, czyli emitujące światło czerwone, jest usytuowane na wierzchu, a element 22 o najmniejszej długości fali, czyli emitujący światło niebieskie, jest usytuowany na spodzie. W ten sposób zmniejsza się do minimum absorpcję światła w elemencie obrazu lub w urządzeniach. Każde z urządzeń elektroluminescencyjnych o podwójnej heterostrukturze oddzielone jest warstwą 26 metalu/tlenku indu i cyny (półprzezroczyste metaliczne warstwy 26M i warstwy 261 tlenku indu i cyny). Warstwy 261 tlenku indu i cyny mogą być ponadto poddawane osadzaniu metalu w celu utworzenia oddzielnych obszarów stykowych na odsłoniętych powierzchniach tlenku indu i cyny, takich jak przykładowo styki 40,41,42 i 43. Te styki 40,41,42 i 43 są wytwarzane z indu, platyny, złota, srebra lub stopów takich jak Ti/Pt/Au, Cr/ Au lub Mg/Ag. Sposoby osadzania styków
179 550 przy zastosowaniu konwencjonalnego osadzania metalu lub naparowywania sąznane. Styki, takie jak 40, 41, 42 i 43, umożliwiają oddzielne polaryzowanie każdego urządzenia elektroluminescencyjnego w stosie. Znaczne różnice chemiczne pomiędzy organicznym materiałem urządzeń elektroluminescencyjnych a przezroczystymi elektrodami 261 umożliwiają działanie elektrod jako warstw zatrzymujących trawienie. Umożliwia to selektywne trawienie i odsłanianie każdego elementu obrazu podczas wytwarzania urządzenia.
Każde elektroluminescencyjne urządzenie 20,21,22 ma swe własne źródło potencjału polaryzacji, w tym przykładzie pokazane schematycznie jako baterie 32,31 i 30, co umożliwia emitowanie światła przez każde urządzenie elektroluminescencyjne. Jest zrozumiałe, że odpowiednie sygnały mogą być wykorzystywane zamiast baterii 30, 31, 32. Jak wiadomo, urządzenie elektroluminescencyjne wymaga minimalnego napięcia progowego do emitowania światła (każde urządzenie elektroluminescencyjne o podwójnej heterostrukturze), a zatem to napięcie aktywujące pokazano schematycznie za pomocą symbolu baterii.
Emisyjne warstwy 20E, 21E, 22E mogą być wykonane ze związków organicznych wybranych w zależności od swej zdolności wytwarzania wszystkich podstawowych barw i barw pośrednich. Te związki organiczne są zwykle wybierane spośród kompleksowych związków chinolanowych z metalem trójwartościowym, kompleksowych chinolanowych związków mostkowanych z metalem trójwartościowym, kompleksowych związków metalu dwuwartościowego na bazie Schiffa, kompleksowych związków czterowartościowej cyny, kompleksowych acetyloacetonianowych związków metali, kompleksowych związków metali z dwudonorowym ligandem, fosfonianów bis, kompleksowych związków maleonitrylodwutiolanowych z dwuwartościowym metalem, kompleksowych związków przenoszących ładunki cząsteczkowe, polimerów aromatycznych i heterocyklicznych oraz mieszanych chelatów metali ziem rzadkich, jak to zostanie opisane poniżej.
Kompleksowe chinolanowe związki z metalem trójwartościowym reprezentowane są przez wzór strukturalny z fig. 3, gdzie M oznacza jon trójwartościowego metalu wybranego z grupy 3-13 układu okresowego pierwiastków lub z lantanowców. Al+3, Ga+3 i In+3 sąkorzystnymi jonami metali trójwartościowych.
R z fig. 3 obejmuje wodór, podstawione i nie podstawione grupy alkilowe, arylowe i heterocykliczne. Grupa alkilowa może być prostym lub rozgałęzionym łańcuchem i korzystnie ma 1-8 atomów węgla. Przykładami odpowiednich grup alkilowych są metal i etyl. Korzystną grupąarylowąjest fenyl, a przykłady grupy heterocyklicznej dla R obejmująpirydyl, imidazyl, furan i tiofen.
Alkil, aryl i grupy heterocykliczne oznaczone przez R mogą być podstawione przynajmniej jednym podstawnikiem wybranym spośród arylu, chlorowca, grupy cyjano i grupy alkoksy, korzystnie zawierających 1-8 atomów węgla. Korzystnym chlorowcem jest chlor.
Grupa L z fig. 3 reprezentuje ligand, zawierający keton pikolilmetylowy, podstawiony i nie podstawiony aldehyd salicylowy (np. aldehyd salicylowy podstawiony kwasem barbiturowym), grupę o wzorze (R(O)CO-, gdzie R jest jak zdefiniowano powyżej, chlorowcem, grupą o wzorze RO-, gdzie Rjest jak zdefiniowano powyżej oraz chinolanami (np. 8-hydroksychinolan) i ich pochodnymi (np. chinolanami podstawionymi kwasem barbiturowym). Korzystne związki kompleksowe objęte wzorem pokazanym na fig. 3 są to związki, w których M jest Ga+3, a L jest chlorem. Związki takie dająemisję światła niebieskiego. Kiedy M jest Ga+3, a L jest karboksylanem metylu, powstają związki kompleksowe emitujące światło od niebieskiego do niebieskozielonego. Emisji żółtej lub czerwonej oczekuje się przy użyciu albo aldehydu salicylowego podstawionego kwasem barbiturowym zamiast grupy L. Emisję światła zielonego uzyskuje się przy stosowaniu zamiast grupy L chinolanu.
Chinolanowe związki kompleksowe zmostkowane z metalem trójwartościowym, które mogą być stosowane według przedmiotowego wynalazku, pokazano na fig. 4A i 4B. Te związki kompleksowe wytwarzają światło zielone i wykazują większą stabilność w środowisku w porównaniu z chinolanami tris (związki kompleksowe z fig. 3, gdzie grupąL jest chinolan) używanymi w urządzeniach według stanu techniki. Jon M trójwartościowego metalu użyty w tych
179 550 związkach kompleksowych jest jak zdefiniowano powyżej, przy czym korzystne są Al+3, Ga+3 lub In+3. Grupa Z pokazana na fig. 4A ma wzór SiR, gdzie R jest jak zdefiniowano powyżej. Z może być również grupą o wzorze P=O, która tworzy fosforan.
Związki kompleksowe metali dwuwartościowych z zasadami Schiffa obejmują związki pokazane na fig. 5A i 5B, gdzie M1 jest metalem dwuwartościowym wybranym z grup 2-12 układu okresowego pierwiastków, korzystnie Zn (patrz Y. Hanada i in. „Blue Electroluminescence inThinFilms of Axomethin - Zinc Complexes”, Japanese Journal of Applied Physics, wol. 32, s. L511-L513 (1993). Grupa R1 jest wybrana spośród wzorów strukturalnych pokazanych na fig. 5A i 5B. Grupa R1 jest korzystnie skoordynowana z metalem związku kompleksowego poprzez aminę lub azot grupy pirydylowej. X j est wybrane spośród wodoru, grupy alkilowej, grupy alkoksy, z których każda ma 1-8 atomów węgla, grupy arylowej, grupy heterocyklicznej, fosfino, halogenku i aminy. Korzystną grupą arylową jest fenyl, a korzystna grupa heterocykliczna jest wybrana spośród piry dylu, amidazolu, furanu i tiofenu. Grupy X mają wpływ na rozpuszczalność związków kompleksowych metalu dwuwartościowego z zasadami Schiffa w rozpuszczalnikach organicznych. Szczególny związek kompleksowy metalu dwuwartościowego z zasadą Schiffa, pokazany na fig. 5B, emituje światło o długości fali 520 nm.
Kompleksowe związki czterowartościowej cyny wykorzystywane w przedmiotowym wynalazku w warstwach emisyjnych dają emisje zielone. Wśród tych związków kompleksowych znajdująsię związki o wzorze SnL'2L22, gdzie L1 wybrane jest spośród aldehydów salicylowych, kwasu salicylowego lub chinolanów (np. 8-hydroksychinolina). L2 obejmuje wszystkie grupy poprzednio zdefiniowane dla R za wyjątkiem wodoru. Przykładowo kompleksowe związki czterowartościowej cyny, gdzie L1 jest chinolanem, aL2 jest fenylem, mają długość fali emitowanego światła (Xem) 504 nm, która wynika z pomiarów fotoluminescencji w stanie stałym.
Kompleksowe związki czterowartościowej cyny obejmująrównież związki o wzorze strukturalnym pokazanym na fig. 6, gdzie Y jest siarką lub NR2, gdzie R2 wybrane jest spośród wodoru i podstawionego lub nie podstawionego alkilu i arylu. Grupa alkilowa może być prostym lub rozgałęzionym łańcuchem i korzystnie ma od 1 do 8 atomów węgla. Korzystną grupą arylową jest fenyl. Podstawniki dla grupy alkilowej i arylowej obejmująalkil i alkoksy z 1-8 atomami węgla, grupę cyjano i chlorowiec. L3 może być wybrane spośród alkilu, arylu, halogenku, chinolanów (np. 8-hydroksychinolina), aldehydów salicylowych, kwasu salicylowego i maleonitrylodwutiolanu (mnt). Kiedy A jest S, a Y jest CN, zaś L3jestmnt, oczekiwana jest emisja światła od czerwieni do barwy pomarańczowej.
Związki kompleksowe M(acetyloacetonian)3, pokazane na fig. 7, generują światło niebieskie. Jon metalu M wybrany jest spośród metali trójwartościowych z grup 3-13 układu okresowego pierwiastków i spośród lantanowców. Korzystnymi jonami metali są Al+3, Ga+3 i In+3. Grupa R na fig. 7 jest taka sama jak zdefiniowana dla R na fig. 3. Przykładowo, kiedy R jest metylem, a M jest wybrane spośród Al+3, Ga+3 i In+3, długości fali uzyskane z pomiarów fotoluminescencji w ciele stałym wynoszą odpowiednio 415 nm, 445 nm i 457 nm (patrz J. Kido i in., „Organie Electroluminescent Devices using Lanthanide Complexes”, Journal of Alloys and Compounds, wol. 92, s. 30-33 (1993).
Dwudonorowe związki kompleksowe metali wykorzystywane w przedmiotowym wynalazku wytwarzają na ogół światło niebieskie.
Takie związki kompleksowe mają wzór MDL4 2, gdzie M jest wybrane spośród trójwartościowych metali grup 3-13 układu okresowego pierwiastków i spośród lantanowców. Korzystnymi jonami metali są Al+3, Ga+3 i In+3 i Sc+3. D jest dwudonorowym ligandem, którego przykłady pokazano na fig. 8A. Dokładniej dwudonorowy ligandD zawiera 2-pikolilketony, 2-chinaldylketony i ketony 2-(o-fenoksy)pirydynowe, gdzie grupy R na fig. 8 A są jak zdefiniowano powyżej.
Korzystne grupy dla L4 obejmują acetyloacetonian; związki o wzorze OR3R, gdzie R3 jest wybrane spośród Si, C, a R jest wybrane z tych samych grup, jak opisano powyżej; 3,5-dwu(t-bu)fenol; 2,6-dwu(t-bu)fenol; 2,6-dwu(t-bu)krezol i H2Bpz2, przy czym te ostatnie związki pokazane są odpowiednio na fig. 8B-8E.
179 550
Dla przykładu długość fali (Xem) uzyskana z pomiaru fotoluminescencj i w stanie stałym glino(pikolimetyloketon)bis[2,6-dwu(t-bu)fenoksyd] wynosi 420 nm. Dla pochodnej krezolowej powyższego związku również zmierzono 420 nm. Dla glino(pikolilmetyloketon)bis(OSiPh3) i skand(4-metoksy-pikolilmetyloketon)bis(acetyloacetonian) zmierzono 433 nm, natomiast dla glino[2-(O-fenoksy)pirydyno]bis[2,6-dwu(t-bu)fenoksyd] zmierzono 450 nm.
Związki fosfonianowe bis są inną klasą związków, które mogą być stosowane według przedmiotowego wynalazku na warstwy emisyjne. Fosfoniany bis są reprezentowane przez ogólny wzór:
M2 x(O3P-związek organiczny-PO3)y
M2 jest jonem metalu. Jest to jon metalu czterowartościowego (np. Zr+4, Ti+4 i Hf-4, kiedy zarówno xjak i y sąrówne 1. Kiedy x jest 3, a y jest 2, jon metalu M2 jest w stanie dwuwartościowym i zawiera np. Zn+2, Cu+2 i Cd+2. Określenie „związek organiczny” zastosowane w powyższym wzorze oznacza dowolny związek fluorescencyjny aromatyczny lub heterocykliczny, który może być uczyniony dwufunkcyjnym przez grupy fosfonianowe.
Korzystne związki fosfonianowe bis obejmują fenylenowinylenobisfosfoniany, np. takie jak pokazano na fig. 9A i 9B. W szczególności fig. 9A przedstawia β-styrenylostylbenobisfosfoniany, a fig. 9B przedstawia 4,4-dwufenylodwu(winylofosfoniany), gdzie R jest jak opisano poprzednio, a R4 jest wybrane z podstawionych i nie podstawionych grup alkilowych, korzystnie zawierających 1-8 atomów węgla, i arylu. Korzystnymi grupami alkilowymi są metal i etyl. Korzystną grupą arylowąjest fenyl. Korzystne podstawniki dla grup alkilowych i arylowych obejmują przynajmniej jeden podstawnik wybrany spośród arylu, chlorowca, grupy cyjano, grupy alkoksy, korzystnie zawierającej 1-8 atomów węgla.
Związek kompleksowy maleonitrylodwutiolanu (mnt) z dwuwartościowym metalem ma wzór strukturalny pokazany na fig. 10. Jon dwuwartościowego metalu M3 obejmuje wszystkie jony metali mające ładunek+2, korzystnie jony metali przejściowych, takich jak Pt+2, Zn+2 i Pd+2. Y1 jest wybrane spośród grupy cyjanowej i podstawionej lub nie podstawionej grupy fenylowej. Korzystne podstawniki dla grupy fenylowej sąwybrane spośród alkilu, grupy cyjanowej, chloru i grupy 1,2,2-trójcyjanowinylowej.
L5 oznacza grupę nie posiadającą żadnego ładunku. Korzystne grupy dla L5 obejmują P(OR)3 i P(R)3, gdzie R jest jak opisano powyżej, albo też L5 może być chelatującym ligandem, takim jak np. 2,2'-dwupirydyl; fenentrolina; 1,5-cyklooktadien lub bis(dwufenylofosfino)metan.
Ilustracyjne przykłady długości fal emitowanego światła różnych kombinacji tych związków pokazano w tabeli 1 pochodzącej z pracy C.E. Johnson i in., „Luminescent Iridium(I), Rhodium(I), and Platinum(II) Dithiolate Complexes”, Journal of the American Chemical Society, wol 105, s. 1795 (1983).
Tabela 1
Związek kompleksowy Długość fali*
[platyno(l,5-cyklooktadien) (mn)] 560 nm
[platyno(P(OEt)3)2 (mnt)] 566 nm
[platyno(P(OPh)3)2 (mnt)] 605 nm
[platyno(bis(dwufenylofosfino)metan) (mnt)] 610 nm
[platyno(PPh3)2 (mnt)] 652 nm
* długość fali uzyskana z pomiaru fitiluminescencji w stanie stałym
Związki kompleksowe przenoszące ładunek cząsteczkowy, zastosowane w przedmiotowym wynalazku na warstwy emisyjne, sąto związki zawierające strukturę akceptora elektronów połączoną kompleksowo ze strukturą donora elektronów. Fig. 11 A-l 1E przedstawiają różne odpowiednie akceptory elektronów, które mogą tworzyć związek kompleksowy przenoszący ładu
179 550 nek z jedną ze struktur donorowych pokazanych na fig. 11F-1 U. Grupa R z fig. 11A i 1IH jest taka sama jak opisano powyżej.
Cienkie warstwy tych materiałów przenoszących ładunek są wytwarzane albo przez naparowanie cząsteczek akceptowanych i donorowych z oddzielnych komór na podłoże, albo przez bezpośrednie naparowanie wstępnie przygotowanego kompleksowego związku przenoszącego ładunek. Długości fali emitowanego światła mogą być w zakresie od barwy czerwonej do niebieskiej w zależności od tego jaki akceptor jest sprzężony z jakim donorem.
Polimery związków aromatycznych i heterocyklicznych, które są fluorescencyjne w stanie stałym, mogąbyć wykorzystywane w przedmiotowym wynalazku na warstwy emisyjne. Polimery takie mogąbyć wykorzystywane do generowania światła o wielu różnych barwach. Tabela 2 podaj e przykłady odpowiednich polimerów oraz barwę emitowanego przez nie światła.
Tabela 2
Polimer Barwa emisji
polipara-fenylowinyliden od niebieskiej do zielonej
polidwualkoksyfenylenowinylen czerwona/pomarańczowa
politiofen czerwona
polifenylen niebieska
polifenyloacetylen żółta do czerwonej
poli(N-winylokarbazol) niebieska
Mieszane chelaty pierwiastków ziem rzadkich do stosowania według przedmiotowego wynalazku obejmują dowolne lantanowce (np. La, Pr, Nd, Sm, Eu i Tb) połączone z aromatycznym lub heterocyklicznym ligandem dwudonorowym. Ten ligand dwudonorowy służy do transportowania nośników ładunku (np. elektronów), ale nie pochłania emitowanej energii. Ligandy dwudonorowe służą zatem do przenoszenia energii do metalu. Przykłady tego ligandu w mieszanych chelatach pierwiastków ziem rzadkich obejmują salicyloaldehydy i ich pochodne, kwas salicylowy, chinolany, ligandy zasady Schiffa, acetyloacetoniany, fenantrolinę, bipirydynę, chinolinę i pirydynę.
Przenoszące dziury warstwy 20H, 21H i 22H mogąbyć wykonane ze związku porforynowego. Ponadto przenoszące dziury warstwy 20H, 21H i 22H mogąmieć przynajmniej jednąprzenoszącą dziury aromatyczną aminę czwartorzędową, która jest związkiem zawierającym przynajmniej jeden atom trójwartościowego azotu, który jest połączony tylko z atomami węgla, z których przynajmniej jeden jest członem pierścienia aromatycznego. Przykładowo aromatyczna amina czwartorzędowa może być aryloaminą, taką jak monoaryloamina, dwuaryloamina, trójaryloamina lub poliaryloaminą. Inne odpowiednie aromatyczne aminy czwartorzędowe, jak również wszystkie związki porfirynowe, opisane są w patencie USA nr 5 294 870 (Tang i in.), na który przedmiotowe zgłoszenie powołuje się w całości pod warunkiem, że zawarte tam wskazania nie są niezgodne zw wskazaniami przedmiotowego zgłoszenia.
Wytwarzanie trójbarwnego elementu obrazu z ułożonych w stos organicznych urządzeń elektroluminescencyjnych według przedmiotowego wynalazku może być realizowane przez jeden z dwóch procesów: proces maskowania lub proces suchego trawienia, oba te opisywane procesy zakładają, dla celów ilustracyjnych, konstrukcję urządzenia elektroluminescencyjnego z podwójnąheterostrukturą, tzn. wykorzystywanie tylko jednej warstwy związku organicznego na każdą skuteczną warstwę emisyjną, przy czym światło wychodzi z dolnej powierzchni podłoża szklanego. Należy rozumieć, że organiczne urządzenie elektroluminescencyjne z wieloma heterozłączami, posiadające wiele warstw związków organicznych dla każdej aktywnej warstwy emisyjnej i/lub odwrotne struktury (ze światłem wychodzącym z górnej powierzchni stosu) mogą również być wytwarzane przez fachowca przy niewielkich modyfikacjach opisanych procesów.
179 550
Etapy procesu maskowania według przedmiotowego wynalazku są przedstawione na fig. 12(A-E). Szklane podłoże 50, które ma być powleczone warstwą 52 tlenku indu i cyny, jest najpierw czyszczone przez zanurzenie podłoża 50 na około 5 minut we wrzącym trójchloroetylenie lub podobnym chlorowcowany węglowodorze. Potem następuje płukanie w acetonie przez około 5 minut i następnie w alkoholu metylowym przez około 5 minut. Następnie podłoże 50 jest suszone nadmuchem ultraczystego azotu. Wszystkie rozpuszczalniki stosowane do czyszczenia są korzystnie „gatunku elektronicznego”, po procedurze oczyszczania na podłożu 50 tworzy się w próżni warstwę 52 tlenku indu i cyny stosując konwencjonalne sposoby napylania lub powlekania warstwą elektronów.
Emitujące światło niebieskie urządzenie elektroluminescencyjne 55 (patrz fig. 12B) jest następnie wytwarzane na tej warstwie 52 z tlenku indu i cyny w następujący sposób. Maskę 73 umieszcza się na określonych zewnętrznych częściach warstwy 52 tlenku indu i cyny. Maskę 73i inne maski używane w trakcie procesu maskowania należy wprowadzać i usuwać pomiędzy etapami tego procesu bez wystawiania urządzenia na działanie wilgoci, tlenu i innych zanieczyszczeń, które powodowałyby skrócenie żywotności urządzenia. Można to realizować przez zmienianie masek w środowisku azotu lub gazu obojętnego lub przez umieszczanie masek zdalnie na powierzchni urządzenia w środowisku próżni sposobami zdalnej manipulacji. Poprzez otwór maski 73 kolejno osadza się bez wystawiania na działanie powietrza, tzn. w próżni, warstwę 54 o przewodnictwie typu p, mającą grubość 5-10 nm i wytwarzającą światło niebieskie emisyjną warstwę 56 o grubości 5-20 nm (pokazane na fig. 12B). Następnie na emisyjnej warstwie 56 osadza się warstwę 58 o przewodnictwie typu n mającą grubość 5-100 nm. Warstwa 58 o przewodnictwie typu n zostaje następnie pokryta półprzezroczystą metaliczną warstwą 60M, która może korzystnie być złożona z 10% Ag i 90% Mg, albo z innego metalu o niskim potencjale termodynamicznym lub np. warstw stopu metali. Warstwa 60M jest bardzo cienka, korzystnie cieńsza niż 10 nm. Warstwy 54, 56, 58 i 60M mogą być osadzane za pomocą dowolnego z wielu konwencjonalnych sposobów kierunkowego osadzania, takich jak naparowywanie, osadzanie za pomocą wiązki jonów, osadzanie za pomocą wiązki elektronów, napylanie i ablacja laserowa.
Stykowa warstwa 601 z tlenku indu i cyny o grubości około 1000-400 nm jest następnie tworzona na metalicznej warstwie 60M za pomocą konwencjonalnego napylania lub z wykorzystaniem wiązki elektronów. Dla wygody umieszczone jedna na drugiej warstwy 60M i 601 będą traktowane tu i pokazane jako jedna warstwa 60, która jest zasadniczo taka sama jak warstwa 26 z fig. 2. Część 60M każdej warstwy 60, złożona z metalu o słabym potencjale termodynamicznym, styka się bezpośrednio z warstwą o przewodnictwie typu n, usytuowaną poniżej, natomiast warstwa 601 z tlenku indu i cyny styka się z warstwą o przewodnictwie typu p, usytuowaną bezpośrednio nad nią. Należy zauważyć, że cały proces wytwarzania urządzenia najlepiej jest przeprowadzać przy utrzymywaniu przez cały czas próżni bez naruszania próżni pomiędzy poszczególnymi etapami.
Figura 12C przedstawia emitujące światło zielone elektroluminescencyjne urządzenie 65, które jest wytworzone na wierzchu warstwy 60 przy zastosowaniu zasadniczo takich samych technik maskowania i osadzania, jak użyte do wytworzenia elektroluminescencyjnego urządzenia 55 emitującego światło niebieskie. Elektroluminescencyjne urządzenie 65 zawiera warstwę 62 o przewodnictwie typu p, wytwarzającą światło zielone emisyjną warstwę 64 oraz warstwę 66 o przewodnictwie typun. Druga cienka (grubość mniejsza niż 10 nm, wystarczająca mała dla zapewnienia półprzezroczystości, ale nie taka mała, by utracić ciągłość elektryczną) metaliczna warstwa 60M jest osadzana na warstwie 66 o przewodnictwie typu n, po czym osadzana jest druga warstwa 601 z tlenku indu i cyny o grubości 100-300 nm, by utworzyć drugą warstwę 60.
Na fig. 12D pokazano wytwarzające światło czerwone elektroluminescencyjne urządzenie 75 wykonane na warstwie 60 (dokładniej na warstwie 601) przy użyciu podobnych sposobów maskowania i osadzania metalu. Wytwarzające światło czerwone elektroluminescencyjne urządzenie 75 złożone jest z warstwy 70 o przewodnictwie typu p, wytwarzającej światło czerwone emisyjnej warstwy 72 i warstwy 74 o przewodnictwie typu n. Wierzchnia warstwa 60 złożona z warstw 601 i 60M zostaje następnie utworzona na elektroluminescencyjnym urządzeniu 75.
179 550
Jak opisano powyżej dla przykładu realizacji z fig. 2, podobnie wierzchnia przezroczysta warstwa 601 z tlenku indu i cyny może w alternatywnym przykładzie realizacji być zastąpiona przez odpowiednią metaliczną elektrodę służącą również jako zwierciadło odbijające skierowane do góry światło z powrotem poprzez podłoże 50 przez co maleją straty światła z wierzchu urządzenia. Każda warstwa 74, 66 i 58 o przewodnictwie typu n ma grubość 5-20 nm. Każda warstwa 54, 62 i 70 o przewodnictwie typu p ma grubość 10-50 nm, a każda emisyjna warstwa 56, 64 i 72 ma grubość 5-100 nm. Dla optymalnej jaskrawości i sprawności każda z warstw zawierających warstwy metalu i tlenku indu i cyny powinna być utrzymywana możliwie blisko dolnego końca powyższych zakresów.
Tworzenie elektrycznych styków 51 i 59 na warstwie 52 tlenku indu i cyny oraz elektrycznych styków 88,89,92,94 i 96 na części 601, wykonanej z tlenku indu i cyny, należącej do warstw 60 z metalu i tlenku indu i cyny jest następnie przeprowadzane korzystnie w jednym etapie. Te styki elektryczne mogą być z indu, platyny, złota, srebra lub ich kombinacji, takich jak Ti/Pt/Au, Cr/Au lub Mg/Ag. Mogą być one osadzane przez naparowanie lub innymi odpowiednimi sposobami osadzania metali po maskowaniu reszty urządzenia.
Końcowy etap procesu maskowania polega na powleczeniu całego urządzenia izolującą warstwą97,jakpokazanonafig. 12E, za wyjątkiem wszystkich metalicznych styków51,59,88, 89,92,94, i 96, które są zamaskowane. Izolująca warstwa 97 jest nieprzepuszczalna dla wilgoci, tlenu i innych zanieczyszczeń, przez co unika się zanieczyszczenia urządzeń elektroluminescencyjnych. Izolującą warstwą 97 może być SiO2, azotek krzemu, takjak Si2N3, lub inny izolator osadzony za pomocą wiązki elektronów, napylania lub pirolitycznie wzmocnionej lub plazmowo wzmocnionej metody CVD (osadzanie chemiczne z fazy gazowej). Użyty sposób osadzania nie powinien podwyższać temperatury urządzenia powyżej 120°C, ponieważ takie wysokie temperatury mogą pogorszyć właściwości urządzenia elektroluminescencyjnego.
Proces trawienia na sucho przy wytwarzaniu stosu urządzeń elektroluminescencyjnych według wynalazku przedstawiono na fig. 13(A-F). Jak pokazano na fig. 13A, szklane podłoże 102 jest najpierw czyszczone w taki sam sposób jak przy opisanym powyżej procesie maskowania. Następnie warstwa 101 z tlenku indu i cyny jest osadzana na szklanym podłożu 102 w próżni przy zastosowaniu konwencjonalnych sposobów napylania lub przy użyciu wiązki elektronów, następnie na całej powierzchni warstwy 101 z tlenku indu i cyny przy użyciu albo konwencjonalnego osadzania w próżni, albo w przypadku polimerów za pomocą techniki wirowania lub powlekania natryskowego nakładana jest warstwa 104 o przewodnictwie typu p, wytwarzająca światło niebieskie emisyjna warstwa 105, warstwa 106 o przewodnictwie typu n oraz złożona warstwa zawierająca metaliczną warstwę 107M i warstwę 1071 z tlenku indu maskowania. Złożona warstwa 107 z tlenku indu i cyny i metalu zawiera mającą grubość mniejszą niż 10 nm warstwę 107M z metalu o małym potencjale termodynamicznym osadzonąbezpośrednio na warstwie 106 o przewodnictwie typu n i mającą grubość 100-400 nm warstwę 1071 z tlenku indu i cyny na metalicznej warstwie 107M. Na całej wierzchniej powierzchni warstwy 1071 z tlenku indu i cyny za pomocą niskotemperaturowej plazmowej techniki osadzania z fazy gazowej osadzona zostaje z azotku krzemu lub dwutlenku krzemu. Następnie na warstwie 108 azotku krzemu osadzana jest wirowo pozytywowa fotorezystywna warstwa 109, taka jak HPR 1400 J. Jak pokazano na fig. 13B zewnętrzne części 110 (patrz fig. 13A) fotorezystywnej warstwy 109 są odsłaniane i usuwane przy użyciu standardowych procesów fotolitograficznych. Odsłonięte zewnętrzne części 110 odpowiadajątym obszarom, gdzie spodnia warstwa 101 z tlenku indu i cyny ma być odsłonięta i umożliwiać styk elektryczny. Jak pokazano na fig. 13C, zewnętrzne obszary 111 (zdefiniowane na fig. 13B) warstwy 108 z azotku krzemu, odpowiadające usuniętym obszarom fotorezystywnym, zostająusunięte zapomocąplazmy CF4:O2. Następnie sposobem obróbki jonami lub innym sposobem trawienia plazmowego usuwane są odsłonięte zewnętrzne części warstw 1071 oraz 107M tlenku indu i cyny oraz metalu. Plazma O2 jest następnie wykorzystywana do kolejnego usuwania odpowiednich odsłoniętym zewnętrznych części warstwy 106 o przewodnictwie typu n, emisyjnej warstwy 105 i warstwy 104 o przewodnictwie typu p, jak również do usunięcia poźostałej fotorezystywnej warstwy 109 pokazanej na fig. 13D. Wreszcie plazma
179 550
CF4:O2 jest ponownie wykorzystywana do usunięcia maski 108 z azotku krzemu, aby w wyniku otrzymać konfigurację urządzenia elektroluminescencyjnego wytwarzającego światło niebieskie, pokazano na fig. 13D.
Ta sama sekwencja etapów procesu trawienia na sucho jest wykorzystywana do wytworzenia zielonego elektroluminescencyjnego urządzenia 115 na wierzchu niebieskiego urządzenia elektroluminescencyjnego z tym wyjątkiem, że po nałożeniu SiNx 150, jak pokazano, następuje nałożenie fotorezystywnej maski 113, j ak pokazano na fig. 13 E, aby maskować zewnętrzną część warstwy 101 z tlenku indu i cyny. Potem przeprowadzane jest osadzanie warstwy 114 o przewodnictwie typu n, zielonej emisyjnej warstwy 116 itd. (patrz fig. 13F). Takie same techniki fotolitograficzne i techniki trawienia, wykorzystywane do wytworzenia niebieskiego urządzenia elektroluminescencyjnego, są następnie wykorzystywane do zakończenia wytwarzania zielonego urządzenia elektroluminescencyjnego 115. Czerwone elektroluminescencyjne urządzenie 117 jest następnie wytwarzane na wierzchu zielonego urządzenia elektroluminescencyjnego przy użyciu zasadniczo takiego samego procesu trawienia na sucho. Pasywacyjna warstwa 119, podobna do warstwy 97 z fig. 12E, jest następnie osadzana na tym stosie urządzeń elektroluminescencyjnych z odpowiednim ukształtowaniem, aby odsłonić styki elektryczne, jak to opisano dla procesu maskowania. Maska fotorezystywna jest wykorzystywana do umożliwienia wytrawienia otworów w pasywacyjnej warstwie 119. Następnie w otworach tych osadzany jest metal 152. Końcowąwarstwę fotorezystywnąi nadmiar metalu usuwa się w procesie „podnoszenia”.
Po wytwarzaniu stosu urządzeń elektroluminescencyjnych niezależnie od tego, czy stosuje się sposób maskowania, sposób trawienia na sucho czy też inny sposób, stos musi być odpowiednio zapakowany, aby uzyskać możliwe do zaakceptowania działania działanie urządzenia i jego niezawodność. Fig. 14(A-C) i lustrują przykłady realizacji wynalazku dla ułatwienia pakowania i dla zapewnienia hermetycznego pakietu dla maksimum czterech wielobarwnych urządzeń elektroluminescencyjnych według wynalazku. Te same oznaczenia, które użyto na fig. 14(A-B), odnoszą się do odpowiednich identycznych cech na fig. 12E. Pakiet ten może być również użyty z prawie identyczną strukturą z fig. 13F. Jak pokazano na fig. 14A, po powleczeniu całego urządzenia izolującąwarstwą97, takąjaknp. SiNx, wykonywane sąznanymi technikami trawienia/fotomaskowania otwory 120,122 i 124 w celu odsłonięcia wierzchnich metalicznych warstw 60M', 60M i 60M' odpowiednio dla niebieskiego, zielonego i czerwonego urządzenia elektroluminescencyjnego (organiczna dioda elektroluminescencyjna) w tym przykładzie. Następnie odpowiednie metalowe ścieżki 126, 128 i 130 obwodu (typowo ze złota) są osadzane na drodze od odsłoniętych metalicznych warstw 60M', 60M'' i 60M''' do usytuowanych przy krawędzi lutownicznych końcówek 132,133 i 134 z indu przy zastosowaniu konwencjonalnych etapów obróbki. Podobnie zakończenie elektrody anodowej jest utworzone przez metaliczną (np. Au) ścieżkę 135 obwodu wykonaną tak, aby jej wewnętrzny koniec stykał się z warstwą52 tlenku indu i cyny, a zewnętrzny koniec był zakończony przy krawędziowe usytuowanej lutowniczej końcówce 136 z indu, przy czym wszystko to realizowane jest konwencjonalnymi sposobami. Następnie urządzenie jest powlekane dodatkowym materiałem izolującym, takim jak SiNx, aby wytworzyć izolujące pokrycie, przy czym lutownicze końcówki 132, 133, 134 i 136 są odsłonięte wzdłuż jednej krawędzi. W ten sposób organiczne urządzenie elektroluminescencyjne może być łatwo opakowane przy użyciu konwencjonalnych sposobów lub przykładu realizacji opakowania według wynalazku, jak opisano bezpośrednio poniżej.
Obecnie zostanie opisany na podstawie fig. 14A, 14B i 14C sposób wytwarzania czterech wielobarwnych urządzeń elektroluminescencyjnych na wspólnym podłożu 50 w konfiguracji pakietowej według innego przykładu realizacji wynalazku. Materiałem początkowym jest szklane podłoże 50 powleczone warstwą 152 tlenku indu i cyny. W celu otrzymania pakietowego pola wielobarwnych organicznych urządzeń elektroluminescencyjnych zastosowana następujące etapy:
1. Maskowanie warstwy 52 tlenku indu i cyny w celu osadzenia warstwy 138 SiO2 w tym przykładzie w koncentrycznym układzie pierścieniowym pasów (może być stosowany inny układ) na wierzchu warstwy 52 tlenku indu i cyny przy zastosowaniu konwencjonalnych technik.
179 550
2. Utworzenie czterech trójbarwnych stosów urządzeń elektroluminescencyjnych mających wspólne warstwy w obszarze 140 na warstwie 138 SiO2 przy użyciu sposobów podanych powyżej dla otrzymania na przykład jednej ze struktur z fig. 12E lub 13F i 14A.
3. Osadzanie poprzez maskowanie metalicznych styków 170-181, z których każdy jest przy zewnętrznym końcu zakończony na warstwie 138 z SiO2, aby zapewnić zewnętrzne dołączenie elektryczne lub łączące elementy 170-181'. Należy zauważyć, że styki 126,128 i 130 z fig. 14A są takie same jak każde kolejne trzy ze styków 170-181. Każda grupa trzech styków, mianowicie 170-172,173-175,176-178 i 179-181 kończy się przy swych wewnętrznych lub drugich końcach tworząc połączenie elektryczne z metalicznymi warstwami 60M', 60M, 60M' każdego z czterech organicznych urządzeń elektroluminescencyjnych. Drugi metaliczny styk 182 jest osadzany przez maskę na krawędzi warstwy 52 z tlenku indu i cyny wspólnej dla wszystkich czterech urządzeń elektroluminescencyjnych, aby zapewnić wspólne połączenie anodowe w tym przykładzie. Należy zauważyć, że jeżeli przez odpowiednie maskowanie i trawienie cztery urządzenia elektroluminescencyjne są wykonane w całkowicie niezależnych warstwach, wówczas dla takiego zestawu, który może działać w sposób zwielokrotniony, trzeba będzie zapewnić cztery styki anodowe. Wielobarwne pole urządzeń elektroluminescencyjnych opisane w tym przykładzie jest polem zwielokrotnionym.
4. Osadzanie poprzez maskę na przykład drugiej warstwy 184 z SiO2 w ciągłej wstędze lub pierścieniu, pozostawiając odsłonięte końcówki 170'-181', przy użyciu napylania, wspomaganego plazmowo osadzania z fazy gazowej lub osadzania za pomocą wiązki elektronów.
5. Osadzanie stopu Pb-Sn lub innego lutowia o niskiej temperaturze topnienia w ciągłej wstędze lub pierścieniu 186 na wierzchu drugiej warstwy lub wstęgi 184 z SiO2.
6. Osadzanie na spodzie przykrywającej szkła 188 metalicznego pierścienia 190 usytuowanego zgodnie z pierścieniem 186 lutowia.
7. Zamontowanie przykrywającego szkła 188 na tym zespole, jak pokazano na fig. 14B, przy czym metaliczny pierścień 190 jest oparty na pierścieniu 186 lutowia.
8. Umieszczenie tego zespołu w atmosferze gazu obojętnego, takiego jak suchy azot, i doprowadzenie ciepła w celu roztopienia pierścienia 186 lutowia, by otrzymać szczelność dla powietrza, przy czym obojętny gaz jest zamknięty w wewnętrznym obszarze 192. Na fig. 15 pokazano wyświetlacz 194, który jest wyświetlaczem z organicznych urządzeń elektroluminescencyjnych emitujących światło czerwone, zielone i niebieskie. Punkty 195 są eliptyczne. Kompletny wyświetlacz 194 zawiera wiele elementów obrazu, takich jak 196. Te elementy obrazu są rozmieszczone w macierzy XY, przykrywając całe pole powierzchni arkusza szklanego powleczonego tlenkiem indu i cyny. Każdy element obrazu zawiera ułożoną w stos strukturę urządzeń elektroluminescencyjnych, takich jak pokazane na fig, 2. Zamiast stałych elementów polaryzujących, takich jak baterie 30,31 i 32 (fig. 2) każdy z przewodów zacisków, oznaczonych na fig. 2 jako niebieski (B), zielony (G) i czerwony (R) jest wyprowadzany i dołączony do odpowiednich procesorów 196 i 198 odchylania poziomego i pionowego, wszystko to pod kontrolą generatora 199 zobrazowania, który może być zespołem telewizyjnym. Każda macierz urządzeń elektroluminescencyjnych ma przynajmniej dwie osie (x, y), a każde urządzenie elektroluminescencyjne jest usytuowane w punkcie przecięcia przynajmniej dwóch osi. Ponadto oś x może reprezentować oś poziomą a oś y może reprezentować ś pionową. Znane jest przetwarzanie sygnałów telewizyjnych, takich jak sygnały NTSC, w składowe barw R, G i B dla wyświetlaczy kolorowych. Monitory komputerowe, które wykorzystują czerwień, zieleń i barwę niebieską jako barwy podstawowe, sąrównież znane. Znane jest również sterowanie takich urządzeń sposobami odchylania pionowego i poziomego. Całe pole struktur elementów obrazu osadzonych na powierzchni wyświetlacza jest analizowane przy wykorzystaniu typowych technik analizowania XY, takich jak wykorzystywanie adresowania XY. Techniki te są wykorzystywane w aktywnych wyświetlaczach mozaikowych.
Do selektywnego pobudzania wejść barwy czerwonej, zielonej i niebieskiej każdego z elementów obrazu zbudowanych na urządzeniach elektroluminescencyjnych z podwójną heterostrukturą zgodnie z żądaną zawartością sygnału można stosować modulację szerokości impulsu.
179 550
W ten sposób każde z urządzeń elektroluminescencyjnych w każdym wierszu wyświetlacza ma selektywny dostęp i jest selektywnie adresowane i sąone polaryzowane przez różne środki, takie jak sygnały z modulacjąszerokości impulsu lub przez schodkowo generowane napięcia, by umożliwić emitowanie przez te urządzenia pojedynczych barw lub wielokrotnych barw, tak że światło emitowane z wymienionych struktur tworzy obraz posiadający określony kształt i barwę. Ponadto można szeregowo analizować każdą z osi xy i szeregowo pobudzać wybrane z urządzeń elektroluminescencyjnych w macierzy w celu emitowania światła, by wytworzyć obraz barwami tworzonymi szeregowo pionowo. Wybrane urządzenia elektroluminescencyjne mogąbyć pobudzane równocześnie.
Jakpokazano powyżej, pionowa technika układania warstw, pokazana na fig. 2, umożliwia wytwarzanie elementu obrazowego złożonego z trójbarwnych urządzeń elektroluminescencyjnych z podwójnąheterostrukturą w bardzo niewielkich obszarach. Umożliwia to osiągnięcie wyświetlaczy o wysokiej rozdzielczości, takich jak wyświetlacze posiadające rozdzielczość 300-600 linii na 2,54 cm lub większą. Takiej wysokiej rozdzielczości nie można by uzyskać przy stosowaniu konwencjonalnych sposobów, przy których organiczne warstwy emisyjne lub media fluorescencyjne wytwarzające różne barwy sąusytuowane w odstępach bocznych od siebie.
Zgodnie z nowoczesnymi normami możliwe jest utworzenie urządzenia elektroluminescencyjnego, jak pokazano na fig. 2, o skutecznym obszarze dostatecznie małym, by możliwe było ułożenie pionowo w stosie i poziomo setek diod elementów obrazu na powierzchni 6,45 cm2. Techniki wytwarzania umożliwiają zatem osiągnięcie bardzo dużej rozdzielczości przy dużym natężeniu światła.
Na fig. 16 pokazano inny przykład wykonania wielobarwnego urządzenia elektroluminescencyjnego, zawierającego ułożone w stos N oddzielnych urządzeń elektroluminescencyjnych, gdzie N j est liczbą całkowitą 1,2,3... .N. Zależnie od stanu techniki w przyszłości liczba N będzie mieć praktycznie ograniczenie. Przykładowo N poziomów ułożonych w stos urządzeń elektroluminescencyjnych można utworzyć stosując albo etapy procesu maskowania, poprzednio opisane w odniesieniu do fig. 12(A-E), albo proces trawienia na sucho, przedstawiony na fig. 13A-13F. Podstawą lub spodnią częścią stosu z fig. 16 jest szklane podłoże 102, jakpokazano na fig. 13F, np. z warstwą 101 tlenku indu i cyny utworzonąna podłożu 102. Bezpośrednio przykrywające pierwsze urządzenie elektroluminescencyjne i dalsze urządzenia elektroluminescencyjne w tym przykładzie zawierają każde kolejno na warstwie 101 z tlenku indu i cyny warstwę 154 o przewodzeniu typu p, emisyjną warstwę 156, warstwę 158 o przewodnictwie typu n, metaliczną warstwę 160 oraz warstwę 162 tlenku indu i cyny. N-tego poziomu urządzenie elektroluminescencyjne 164 zawiera ponadto wierzchnią metaliczną warstwę (patrz warstwa 152 na fig. 13F) utworzonąna swej najwyższej warstwie 162 tlenku indu i cyny. Na stosie tym osadzona jest pasywacyjna warstwa 119, jak w barwnym stosie z fig. 13F. Materiał każdej emisyjnej warstwy 156 każdego urządzenia elektroluminescencyjnego jest wybrany w celu uzyskania określonego koloru danego urządzenia elektroluminescencyjnego. Podobnie jak w urządzeniu trójbarwnym urządzenia o mniejszej długości fali (niebieskie) muszą leżeć niżej w stosie niż urządzenia o większej długości fali (czerwone), aby uniknąć optycznego pochłaniania przez warstwy emitujące światło czerwone. Barwa wybrana dla każdego odpowiedniego urządzenia elektroluminescencyjnego i rzeczywista liczba urządzeń elektroluminescencyjnych umieszczonych w stosie zależą od konkretnego zastosowania oraz od potrzebnych barw i możliwości maskowania. Takie wielobarwne urządzenia mogąbyć również używane w sieciach łączności optycznej, gdzie transmisja w każdym kanale optycznym realizowana jest na innej długości fali emitowanej z danego urządzenia w stosie. Samoistnie koncentryczna natura emitowanego światła umożliwia wprowadzenie kilku długości fal w pojedyncze włókno światłowodowe. W praktycznym stosowaniu takich pól ułożonych w stos otwory dostępu są wykonane do dołu aż do warstwy 162 z tlenku indu i cyny w każdym urządzeniu, po czym przeprowadzane jest osadzanie odpowiedniej metalizacji w celu ułatwienia pakowania i elektrycznego dołączania każdego z urządzeń elektroluminescency
179 550 jnych w stosie w sposób podobny do opisanego w przypadku wielobarwnego stosu urządzeń elektroluminescencyjnych np. z fig. 14A, 14B i 14C.
Urządzenie to może być wykorzystywane do utworzenia taniego, charakteryzującego się dużą rozdzielczością i pełnymi barwami o wysokiej jaskrawości, płaskiego, panelowego wyświetlacza o dowolnych rozmiarach. Rozszerza to zakres przedmiotowego wynalazku na wyświetlacze od wymiarów rzędu milimetrów do wymiarów rzędu budynku. Obrazy wytwarzane na wyświetlaczu mogą być tekstowe lub też mogą być to ilustracje w pełnych barwach z dowolną rozdzielczością zależnie od rozmiaru poszczególnych urządzeń elektroluminescencyjnych. Fachowcy mogą wprowadzić różne modyfikacje do przykładów realizacji wynalazku opisanych i przedstawionych tu. Modyfikacje takie są traktowane jako objęte duchem i zakresem załączonych zastrzeżeń patentowych. Przykładowo wielobarwny stos urządzeń elektroluminescencyjnych, taki jak opisano powyżej trójbarwne urządzenie z fig. 2, w innym przykładzie realizacji wynalazku może być utworzony przez wykonanie urządzenia elektroluminescencyjnego 20 z urządzenia polimerowego, jak pokazano na fig. 1C, albo z osadzonej cienkiej warstwy z fosfonianu metalu zamiast osadzania wszystkich trzech warstw w próżni. Dwa pozostałe urządzenia elektroluminescencyjne stosu byłyby utworzone przez naparowanie.
179 550
179 550
179 550
179 550
179 550
3,5-dwu(t-bu)fenol
FIG. 8B
3,6- dwu(t-bu)fenol
FIG. 8C
2,6-dwu(t-bu)krezol
FIG. 8D
H2BPZ2
FIG. 8E
P(0)(0R4)2
FIG. 9A
FIG. 9B
FIG. 10
179 550
179 550
FIG. 12C
179 550
FIG. 12E
179 550
FIG. 13A
FIG. 13B
179 550
179 550
179 550
FIG. 14C
179 550
179 550
FIG. 16
179 550
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 70 egz. Cena 6,00 zł.

Claims (35)

  1. Zastrzeżenia patentowe
    1. Struktura wielobarwnego, organicznego urządzenia elektroluminescencyjnego mająca podłoże, posiadające osadzoną na powierzchni powłokę przewodzącą elektrycznie, co najmniej pierwsze i drugie organiczne urządzenie elektroluminescencyjne na tym podłożu oraz warstwę przewodzącą elektrycznie osadzoną na tych organicznych urządzeniach elektroluminescencyjnych, znamienna tym, że organiczne urządzenia elektroluminescencyjne (20,21) sąumieszczone w stosie jedno na drugim tworząc strukturę warstwową na podłożu (37), zaś każde urządzenie elektroluminescencyjne (20,21) zawiera materiał emisyjny (20H, 20E, 20T; 21H, 21E, 21T) do emitowania światła o żądanej barwie, przy czym organiczne urządzenia elektroluminescencyjne (20, 21) są oddzielone od siebie przezroczystą warstwą przewodzącą elektrycznie (26) tak, aby każde urządzenie (20,21) mogło otrzymać oddzielny potencjał polaryzacyjny (31,32) by działać emitując światło, natomiast podłoże (37) z powłokąprzewodzącą elektrycznie (35) i/lub warstwa przewodząca elektrycznie (26) osadzona na stosie, są przezroczyste.
  2. 2. Struktura według zastrz. 1, znamienna tym, że co najmniej jedno z organicznych urządzeń elektroluminescencyjnych (20, 21) jest urządzeniem o heterostrukturze mającym co najmniej jedną warstwę przewodzącą dziury (20H) oraz co najmniej jedną warstwę przewodzącą elektrony (20T, 21E).
  3. 3. Struktura według zastrz. 2, znamienna tym, że heterostruktura jest pojedynczą heterostrukturą (20).
  4. 4. Struktura według zastrz. 2, znamienna tym, że heterostruktura jest podwójnąheterostrukturą (20).
  5. 5. Struktura według zastrz. 1, znamienna tym, że ma trzecie organiczne urządzenie elektroluminescencyjne (22) ułożone w stosie nad drugim organicznym urządzeniem elektroluminescencyjnym (21).
  6. 6. Struktura według zastrz. 1, znamienna tym, że podłoże (37) z powłokąprzewodzącą elektrycznie (35) i górna warstwa przewodząca elektrycznie (26) są przezroczyste.
  7. 7. Struktura według zastrz. 1, znamienna tym, że podłoże (37) z powłokąprzewodzącą elektrycznie (35) jest przezroczyste, natomiast górna warstwa przewodząca elektrycznie (26) zawiera warstwę metaliczną (26M).
  8. 8. Struktura według zastrz. 1, znamienna tym, że górna warstwa przewodząca elektrycznie (26) jest przezroczysta, natomiast powłoka przewodząca elektrycznie usytuowana na podłożu zawiera warstwę metaliczną (26M).
  9. 9. Struktura według zastrz. 1, znamienna tym, że co najmniej jedna z przezroczystych, przewodzących elektrycznie warstw (26), oddzielających organiczne urządzenia elektroluminescencyjne, zawiera warstwę metaliczną (26M), przy czym metal w tej warstwie metalicznej (26M) ma grubość mniejszą niż 10 nm.
  10. 10. Struktura według zastrz. 9, znamienna tym, że warstwa metaliczna (26M) zawiera metal o potencjale elektrodynamicznym mniejszym niż 4 eV.
  11. 11. Struktura według zastrz. 9, znamienna tym, że warstwa metaliczna (26M) zawiera Mg.
  12. 12. Struktura według zastrz. 9, znamienna tym, że warstwa metaliczna (26M) zawiera Mg i Ag.
  13. 13. Struktura według zastrz. 9, znamienna tym, że przezroczysta, przewodząca elektrycznie warstwa (26), zawierająca warstwę metaliczną(26M) ponadto zawiera warstwę tlenku indu i cyny osadzoną n tej warstwie metalicznej (26M).
    179 550
  14. 14. Struktura według zastrz. 1, znamienna tym, że każda warstwa co najmniej jednego z organicznych urządzeń elektroluminescencyjnych (20,21) jest osadzona parowo.
  15. 15. Struktura według zastrz. 1, znamienna tym, że każda warstwa każdego z organicznych urządzeń elektroluminescencyjnych (20,21) jest osadzona parowo.
  16. 16. Struktura według zastrz. 1, znamienna tym, że materiał emisyjny w każdym urządzeniu elektroluminescencyjnym (20,21) jest wybrany z grupy złożonej z: chinolanowego związku kompleksowego z metalem trójwartościowym, kompleksowego związku chinolanowego zmostkowanego metalem trójwartościowym, kompleksowego związku dwuwartościowego metalu z zasadą Schiffa, kompleksowego związku czterowartościowej cyny, kompleksowego związku metalu z acetyloacetonianem, kompleksowego związku metalu z ligandem dwudonorowym, bis fosfonianu, kompleksowego związku dwuwartościowego metalu z maleonitrylodwutiolanem, kompleksowego związku przenoszącego ładunek cząsteczkowy, aromatycznego heterocyklicznego polimeru oraz mieszanego chelatu pierwiastka ziem rzadkich.
  17. 17. Sposób wytwarzania struktury wielobarwnego, organicznego urządzenia elektroluminescencyjnego, mającego podłoże z przewodzącą elektrycznie powłoką co najmniej dwie organiczne struktury emisyjne i warstwę przewodzącą po przeciwnej stronie niż podłoże, znamienny tym, że na podłożu (37) tworzy się pierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie (35), osadza się pierwszą przezroczystą organiczną warstwę, zawierającą pierwszy organiczny materiał emisyjny (20H, 20E, 20T) na pieiwszej warstwie przewodzącej elektrycznie (35), osadza się drugą przezroczystą warstwę przewodzącą elektrycznie (261) na pierwszym organicznym materiale emisyjnym (20H, 20E, 20T), przeznaczoną do przyjmowania pierwszego potencjału polaryzacji, osadza się drugą warstwę organiczną zawierającą drugi organiczny materiał emisyjny (21H, 21E, 21T) na drugiej warstwie przewodzącej elektrycznie (261) oraz osadza się trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie (261) na drugim organicznym materiale emisyjnym (21H, 21E, 21T), przeznaczoną do przyjmowania drugiego potencjału polaryzacji.
  18. 18. Sposób według zastrz. 17, znamienny tym, że osadza się trzecią warstwę organiczną zawierającą trzeci organiczny materiał emisyjny (22H, 22E, 22T) na trzeciej warstwie przewodzącej elektrycznie (261) oraz osadza się czwartą warstwę przewodzącą elektrycznie (261) na trzecim organicznym materiale emisyjnym (22H, 22E, 22T), przeznaczoną do przyjmowania trzeciego potencjału polaryzacji.
  19. 19. Sposób według zastrz. 17, znamienny tym, że maskuje się pewien obszar pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie (35) przed osadzeniem pierwszego organicznego materiału emisyjnego (20H, 20E, 20T).
  20. 20. Sposób według zastrz. 17, znamienny tym, że wytrawia się pewien obszar pierwszego materiału emisyjnego (20H, 20E, 20T).
  21. 21. Sposób według zastrz. 17, znamienny tym, że tworzy się warstwę materiału przeciw odbiciowego pomiędzy pierwszą warstwą przewodzącą elektrycznie (35) a podłożem (37).
  22. 22. Sposób według zastrz. 17, znamienny tym, że podczas etapu osadzania pierwszej przezroczystej organicznej warstwy, zawierającej pierwszy organiczny materiał emisyjny (20H, 20E,20T) na pierwszej warstwie przewodzącej elektrycznie (35), osadza się pojedynczą warstwę przewodzącą dziury (20H) oraz pojedynczą warstwę przewodzącą elektrony (20T).
  23. 23. Sposób według zastrz. 17, znamienny tym, że podczas etapu osadzania drugiej przezroczystej organicznej warstwy, zawierającej drugi organiczny materiał emisyjny (21H, 21E, 21T) na drugiej warstwie przewodzącej elektrycznie (261), osadza się pojedynczą warstwę przewodzącą dziury (21H) oraz pojedynczą warstwę przewodzącą elektrony (21T).
  24. 24. Sposób według zastrz. 17, znamienny tym, że podczas etapu osadzania pierwszej przezroczystej organicznej warstwy, zawierającej pierwszy organiczny materiał emisyjny (20H, 20E, 20T) na pierwszej warstwie przewodzącej elektrycznie (35), osadza się pojedynczą warstwę przewodzącą dziury (20H) oraz dwie warstwy przewodzące elektrony, składające się zasadniczo z warstwy przewodzącej elektrony (20T), połączonej z odrębną warstwą emisyjną (20E).
  25. 25. Sposób według zastrz. 17, znamienny tym, że podczas etapu osadzania drugiej przezroczystej organicznej warstwy, zawierającej drugi organiczny materiał emisyjny (21H, 21E, 21T) na
    179 550 drugiej warstwie przewodzącej elektrycznie (261), osadza się pojedynczą warstwę przewodzącą dziury (21H) oraz dwie warstwy przewodzące elektrony, składające się zasadniczo z warstwy przewodzącej elektrony (21T), połączonej z odrębną warstwą emisyjną (21E).
  26. 26. Sposób według zastrz. 17, znamienny tym, że podczas etapu tworzenia pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie (35) na podłożu (37) tworzy się pierwszą przezroczystą warstwę przewodzącą elektrycznie na przezroczystym podłożu, natomiast podczas etapu osadzania trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie (26) osadza się przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie (261).
  27. 27. Sposób według zastrz. 17, znamienny tym, że podczas etapu tworzenia pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie (35) na podłożu (37) tworzy się pierwsząprzezroczystąwarstwę przewodzącą elektrycznie na przezroczystym podłożu, natomiast podczas etapu osadzania trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie (26) osadza się metaliczną trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie (26M).
  28. 28. Sposób według zastrz. 17, znamienny tym, że podczas etapu tworzenia pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie (35) na podłożu (37) tworzy się metaliczną pierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie na podłożu, natomiast podczas etapu osadzania trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie (26) osadza się przezroczystą trzecią elektrycznie przewodzącą warstwę (261).
  29. 29. Sposób według zastrz. 17, znamienny tym, że podczas etapu tworzenia pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie (35) na podłożu (37) tworzy się pierwsząprzezroczystą warstwę przewodzącą elektrycznie na przezroczystym podłożu, natomiast podczas etapu osadzania trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie (26) osadza się przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie (261), przy czym co najmniej jedną z warstw: przezroczystą pierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie, przezroczystą drugą warstwę przewodzącą elektrycznie lub przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie tworzy się jako warstwę metaliczną mającą grubość mniejszą niż 10 nm.
  30. 30. Sposób według zastrz. 17, znamienny tym, że podczas etapu tworzenia pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie (35) na podłożu (37) tworzy się pierwsząprzezroczystą warstwę przewodzącą elektrycznie na przezroczystym podłożu, natomiast podczas etapu osadzania trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie (26) osadza się przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie (261), przy czym co najmniej jedną z warstw: przezroczystą pierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie, przezroczystą drugą warstwę przewodzącą elektrycznie lub przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie formuje się jako warstwę metaliczną zawierającą Mg.
  31. 31. Sposób według zastrz. 17, znamienny tym, że podczas etapu tworzenia pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie (35) na podłożu (37) tworzy się przezroczystąpierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie na przezroczystym podłożu, natomiast podczas etapu osadzania trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie (26) osadza się przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie (261), przy czym co najmniej jedną z warstw: przezroczystą pierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie, przezroczystą drugą warstwę przewodzącą elektrycznie i przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie formuje się jako warstwę metaliczną zawierającą Mg i Ag.
  32. 32. Sposób według zastrz. 18, znamienny tym, że podczas etapu tworzenia pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie (35) na podłożu (37) tworzy się przezroczystąpierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie na przezroczystym podłożu, podczas etapu osadzania trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie (26) osadza się przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie (261), natomiast podczas etapu osadzania czwartej warstwy przewodzącej elektrycznie (26) osadza się przezroczystą czwartą warstwę przewodzącą elektrycznie (261).
  33. 33. Sposób według zastrz. 18, znamienny tym, że podczas etapu tworzenia pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie (35) na podłożu (37) tworzy się przezroczystąpierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie na przezroczystym podłożu, podczas etapu osadzania trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie (26) osadza się przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą
    179 550 elektrycznie (261), natomiast podczas etapu osadzania czwartej warstwy przewodzącej elektrycznie (26) osadza się metaliczną czwartą warstwę przewodzącą elektrycznie (26M).
  34. 34. Sposób według zastrz. 18, znamienny tym, że podczas etapu tworzenia pierwszej warstwy przewodzącej elektrycznie (35) na podłożu (37) tworzy się metaliczną pierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie na podłożu, podczas etapu osadzania trzeciej warstwy przewodzącej elektrycznie (26) osadza się przezroczystą trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie (261), natomiast podczas etapu osadzania czwartej warstwy przewodzącej elektrycznie (26) osadza się przezroczystą czwartą warstwę przewodzącą elektrycznie (261).
  35. 35. Sposób wytwarzania struktury wielobarwnego organicznego urządzenia elektroluminescencyjnego, mającego podłoże z przewodzącą elektrycznie powłoką co najmniej dwie organiczne struktury emisyjne i warstwę przewodzącą po przeciwnej stronie niż podłoże, znamienny tym, że tworzy się pierwsze organiczne urządzenie elektroluminescencyjne (20), przy czym tworzy się pierwszą warstwę przewodzącą elektrycznie (35) na podłożu (37), osadza się co najmniej jedną pierwszą warstwę przewodzącą dziury (20H) na pierwszej warstwie przewodzącej elektrycznie (35) i osadza się co najmniej jedną warstwę przewodzącą elektrony (20T) na co najmniej jednej pierwszej warstwie przewodzącej dziury (20H), następnie tworzy się drugie organiczne urządzenie elektroluminescencyjne (21) na pierwszym organicznym urządzeniu elektroluminescencyjnym (20), przy czym osadza się przezroczystą drugą warstwę przewodzącą elektrycznie (261) na co najmniej jednej pierwszej warstwie przewodzącej elektrony (20T), przeznaczoną do przyjmowania pierwszego potencjału polaryzacji, osadza się co najmniej jedną drugą warstwę przenoszącą dziury (21H) na drugiej warstwie przewodzącej elektrycznie (261) i osadza się co najmniej jedną drugą warstwę przenoszącą elektrony (26T) na co najmniej jednej warstwie transportującej dziury (21H), a następnie osadza się trzecią warstwę przewodzącą elektrycznie (261) na co najmniej jednej drugiej warstwie transportującej elektrony (21T), przeznaczoną do przyjmowania drugiego potencjału polaryzacji.
    * * *
PL95320750A 1994-12-13 1995-12-06 i sposób wytwarzania struktury wielobarwnego,organicznego urzadzenia elektroluminescencyjnego PL PL PL PL PL PL179550B1 (pl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/354,674 US5707745A (en) 1994-12-13 1994-12-13 Multicolor organic light emitting devices
PCT/US1995/015790 WO1996019792A2 (en) 1994-12-13 1995-12-06 Multicolor organic light emitting devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL320750A1 PL320750A1 (en) 1997-10-27
PL179550B1 true PL179550B1 (pl) 2000-09-29

Family

ID=23394434

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL95320750A PL179550B1 (pl) 1994-12-13 1995-12-06 i sposób wytwarzania struktury wielobarwnego,organicznego urzadzenia elektroluminescencyjnego PL PL PL PL PL

Country Status (21)

Country Link
US (5) US5707745A (pl)
EP (2) EP1119059A3 (pl)
JP (2) JP3496681B2 (pl)
KR (1) KR100419020B1 (pl)
CN (3) CN1236410C (pl)
AR (1) AR001331A1 (pl)
AT (1) ATE220246T1 (pl)
AU (1) AU690413B2 (pl)
BR (1) BR9510076A (pl)
CA (1) CA2206769A1 (pl)
DE (2) DE19581862T1 (pl)
ES (1) ES2117590B1 (pl)
FI (1) FI972176A7 (pl)
FR (3) FR2728082B1 (pl)
GB (1) GB2313478B (pl)
IT (1) IT1277977B1 (pl)
NO (1) NO972706L (pl)
PL (1) PL179550B1 (pl)
RU (1) RU2160470C2 (pl)
TW (1) TW294842B (pl)
WO (1) WO1996019792A2 (pl)

Families Citing this family (1846)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6358631B1 (en) 1994-12-13 2002-03-19 The Trustees Of Princeton University Mixed vapor deposited films for electroluminescent devices
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US6548956B2 (en) 1994-12-13 2003-04-15 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
GB2312326B (en) 1995-04-18 1999-07-28 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent device
JP2982699B2 (ja) * 1995-08-04 1999-11-29 東洋インキ製造株式会社 多層型有機エレクトロルミネッセンス素子の電子注入層形成用材料
US5940683A (en) * 1996-01-18 1999-08-17 Motorola, Inc. LED display packaging with substrate removal and method of fabrication
JP3552435B2 (ja) * 1996-12-04 2004-08-11 株式会社日立製作所 有機発光素子及びその作成方法
JP3537591B2 (ja) * 1996-04-26 2004-06-14 パイオニア株式会社 有機ｅｌディスプレイの製造方法
US6048630A (en) 1996-07-02 2000-04-11 The Trustees Of Princeton University Red-emitting organic light emitting devices (OLED's)
US5998085A (en) * 1996-07-23 1999-12-07 3M Innovative Properties Process for preparing high resolution emissive arrays and corresponding articles
JPH1055887A (ja) * 1996-08-08 1998-02-24 Denso Corp マトリクス表示装置
BR9711155B1 (pt) * 1996-08-12 2009-05-05 dispositivo de emissão de luz orgánico flexìvel não-polimérico.
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
US6002206A (en) * 1996-11-28 1999-12-14 Cambridge Display Technology Limited Organic EL devices and operation thereof
CA2223167C (en) 1996-12-04 2004-04-27 Hitachi, Ltd. Organic light emitting element and producing method thereof
US5874803A (en) * 1997-09-09 1999-02-23 The Trustees Of Princeton University Light emitting device with stack of OLEDS and phosphor downconverter
US6091195A (en) * 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US5811833A (en) * 1996-12-23 1998-09-22 University Of So. Ca Electron transporting and light emitting layers based on organic free radicals
US5861219A (en) * 1997-04-15 1999-01-19 The Trustees Of Princeton University Organic light emitting devices containing a metal complex of 5-hydroxy-quinoxaline as a host material
US5981306A (en) * 1997-09-12 1999-11-09 The Trustees Of Princeton University Method for depositing indium tin oxide layers in organic light emitting devices
US6046543A (en) * 1996-12-23 2000-04-04 The Trustees Of Princeton University High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same
US6125226A (en) * 1997-04-18 2000-09-26 The Trustees Of Princeton University Light emitting devices having high brightness
US6045930A (en) * 1996-12-23 2000-04-04 The Trustees Of Princeton University Materials for multicolor light emitting diodes
US6013982A (en) * 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
US5986401A (en) * 1997-03-20 1999-11-16 The Trustee Of Princeton University High contrast transparent organic light emitting device display
US5739545A (en) * 1997-02-04 1998-04-14 International Business Machines Corporation Organic light emitting diodes having transparent cathode structures
US6111902A (en) 1997-05-09 2000-08-29 The Trustees Of Princeton University Organic semiconductor laser
US5932895A (en) * 1997-05-20 1999-08-03 The Trustees Of Princeton University Saturated full color stacked organic light emitting devices
WO1998053644A1 (en) * 1997-05-22 1998-11-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Organic electroluminescent device
GB9711237D0 (en) * 1997-06-02 1997-07-23 Isis Innovation Organomettallic Complexes
US6452218B1 (en) * 1997-06-10 2002-09-17 Uniax Corporation Ultra-thin alkaline earth metals as stable electron-injecting electrodes for polymer light emitting diodes
US6215244B1 (en) * 1997-06-16 2001-04-10 Canon Kabushiki Kaisha Stacked organic light emitting device with specific electrode arrangement
GB9712483D0 (en) 1997-06-17 1997-08-20 Kathirgamanathan Poopathy Fabrication of light emitting devices from chelates of transition metals, lanthanides and actinides
WO1999002277A1 (en) * 1997-07-11 1999-01-21 Fed Corporation Sealing structure for organic light emitting devices
US6198220B1 (en) * 1997-07-11 2001-03-06 Emagin Corporation Sealing structure for organic light emitting devices
US6337492B1 (en) * 1997-07-11 2002-01-08 Emagin Corporation Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer
CN1151563C (zh) * 1997-07-11 2004-05-26 Fed公司 有机发光器件和提供有机发光器件中的发光子象素的方法
JP3994482B2 (ja) * 1997-08-27 2007-10-17 双葉電子工業株式会社 マルチカラー有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
US6043550A (en) * 1997-09-03 2000-03-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Photodiode and photodiode module
US5965907A (en) * 1997-09-29 1999-10-12 Motorola, Inc. Full color organic light emitting backlight device for liquid crystal display applications
US6150043A (en) * 1998-04-10 2000-11-21 The Trustees Of Princeton University OLEDs containing thermally stable glassy organic hole transporting materials
US6469437B1 (en) 1997-11-03 2002-10-22 The Trustees Of Princeton University Highly transparent organic light emitting device employing a non-metallic cathode
US6303238B1 (en) * 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US6451455B1 (en) 1998-04-01 2002-09-17 The Trustees Of Princeton University Metal complexes bearing both electron transporting and hole transporting moieties
DE69833385T2 (de) 1997-10-09 2006-09-28 The Trustees Of Princeton University Verfahren zur herstellung hochtransparenter nichtmetallischer kathoden
US6420031B1 (en) 1997-11-03 2002-07-16 The Trustees Of Princeton University Highly transparent non-metallic cathodes
US6030715A (en) * 1997-10-09 2000-02-29 The University Of Southern California Azlactone-related dopants in the emissive layer of an OLED
US6413656B1 (en) 1998-09-14 2002-07-02 The University Of Southern California Reduced symmetry porphyrin molecules for producing enhanced luminosity from phosphorescent organic light emitting devices
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
GB9724682D0 (en) 1997-11-21 1998-01-21 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent device
US6013538A (en) * 1997-11-24 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Method of fabricating and patterning OLEDs
US5953587A (en) * 1997-11-24 1999-09-14 The Trustees Of Princeton University Method for deposition and patterning of organic thin film
US6075316A (en) * 1997-12-15 2000-06-13 Motorola, Inc. Full color organic electroluminescent display device and method of fabrication
US6209118B1 (en) * 1998-01-21 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Method for modifying an integrated circuit
US5994836A (en) * 1998-02-02 1999-11-30 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Organic light emitting diode (OLED) structure and method of making same
US6106352A (en) * 1998-03-18 2000-08-22 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for fabrication of organic electroluminescent device
US6316098B1 (en) 1998-03-27 2001-11-13 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Molecular layer epitaxy method and compositions
US6783849B2 (en) * 1998-03-27 2004-08-31 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Molecular layer epitaxy method and compositions
US6312836B1 (en) 1998-04-10 2001-11-06 The Trustees Of Princeton University Color-tunable organic light emitting devices
US6287712B1 (en) 1998-04-10 2001-09-11 The Trustees Of Princeton University Color-tunable organic light emitting devices
US6387544B1 (en) 1998-04-10 2002-05-14 The Trustees Of Princeton University OLEDS containing thermally stable glassy organic hole transporting materials
US6210814B1 (en) 1998-04-10 2001-04-03 The University Of Southern California Color-tunable organic light emitting devices
US6120857A (en) * 1998-05-18 2000-09-19 The Regents Of The University Of California Low work function surface layers produced by laser ablation using short-wavelength photons
JP3884564B2 (ja) * 1998-05-20 2007-02-21 出光興産株式会社 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置
EP0966050A3 (de) * 1998-06-18 2004-11-17 Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Organische Leuchtdiode
JP4264994B2 (ja) * 1998-07-10 2009-05-20 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法
DE69930646T2 (de) * 1998-09-02 2007-01-18 Seiko Epson Corp. Lichtquelle und anzeige-vorrichtung
US6830828B2 (en) 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US6097147A (en) * 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6166489A (en) * 1998-09-15 2000-12-26 The Trustees Of Princeton University Light emitting device using dual light emitting stacks to achieve full-color emission
JP2000098116A (ja) * 1998-09-18 2000-04-07 Canon Inc 素子又は素子作製用モールド型の作製方法
US6214631B1 (en) 1998-10-30 2001-04-10 The Trustees Of Princeton University Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask
GB9823761D0 (en) * 1998-11-02 1998-12-23 South Bank Univ Entpr Ltd Novel electroluminescent materials
US6037190A (en) * 1998-11-13 2000-03-14 Industrial Technology Research Institute Method for fabricating an organic electro-luminescent device
DE19854899C1 (de) * 1998-11-27 1999-12-30 Siemens Ag Beleuchtungseinheit
GB9826407D0 (en) 1998-12-02 1999-01-27 South Bank Univ Entpr Ltd Novel electroluminescent materials
GB9826405D0 (en) 1998-12-02 1999-01-27 South Bank Univ Entpr Ltd Method for forming films or layers
JP2000195664A (ja) 1998-12-24 2000-07-14 Rohm Co Ltd 発光装置
WO2000041893A1 (en) 1999-01-15 2000-07-20 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element and process for forming organic electroluminescent devices
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
GB9901971D0 (en) 1999-02-01 1999-03-17 South Bank Univ Entpr Ltd Electroluminescent material
JP3887984B2 (ja) * 1999-02-05 2007-02-28 松下電器産業株式会社 多色発光分散型ｅｌランプ
JP3594826B2 (ja) 1999-02-09 2004-12-02 パイオニア株式会社 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
DE69904137T2 (de) 1999-02-26 2004-03-18 Agfa-Gevaert Schicht auf Basis eines leitfähigen Metalloxids
US7001536B2 (en) * 1999-03-23 2006-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
JP4619546B2 (ja) 1999-03-23 2011-01-26 ザ ユニバーシティー オブ サザン カリフォルニア 有機ｌｅｄの燐光性ドーパントとしてのシクロメタル化金属錯体
US6262710B1 (en) * 1999-05-25 2001-07-17 Intel Corporation Performing color conversion in extended color polymer displays
JP4136185B2 (ja) * 1999-05-12 2008-08-20 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法
US6597110B1 (en) 1999-05-13 2003-07-22 The University Of Southern California Titanium nitride anode for use in organic light emitting devices
US6727521B2 (en) * 2000-09-25 2004-04-27 Foveon, Inc. Vertical color filter detector group and array
TW437104B (en) * 1999-05-25 2001-05-28 Wang Tien Yang Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same
JP2001035660A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
US6310360B1 (en) 1999-07-21 2001-10-30 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices
DE19934963B4 (de) * 1999-07-26 2004-04-29 Giesecke & Devrient Gmbh Display für Chipkarten
US6506505B1 (en) 1999-08-16 2003-01-14 The University Of Southern California Cyclooctatetraenes as electron transporters in organic light emitting diodes
AU6643800A (en) 1999-08-16 2001-03-13 University Of Southern California Synthesis of cyclooctatetraene derivatives and their use as electron transporters in organic light emitting diodes
US6611096B1 (en) 1999-09-03 2003-08-26 3M Innovative Properties Company Organic electronic devices having conducting self-doped polymer buffer layers
US6593690B1 (en) * 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
JP2001111109A (ja) * 1999-10-07 2001-04-20 Sharp Corp 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US6214151B1 (en) 1999-11-05 2001-04-10 International Business Machines Corporation Thermal dye transfer process for preparing opto-electronic devices
JP2001135479A (ja) * 1999-11-08 2001-05-18 Canon Inc 発光素子、並びにそれを用いた画像読取装置、情報処理装置及びディスプレイ装置
US7202506B1 (en) * 1999-11-19 2007-04-10 Cree, Inc. Multi element, multi color solid state LED/laser
US8829546B2 (en) * 1999-11-19 2014-09-09 Cree, Inc. Rare earth doped layer or substrate for light conversion
US6294398B1 (en) 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
US6458475B1 (en) 1999-11-24 2002-10-01 The Trustee Of Princeton University Organic light emitting diode having a blue phosphorescent molecule as an emitter
EP2278637B2 (en) 1999-12-01 2021-06-09 The Trustees of Princeton University Complexes of form L2MX
US6537607B1 (en) 1999-12-17 2003-03-25 Texas Instruments Incorporated Selective deposition of emissive layer in electroluminescent displays
US6639357B1 (en) 2000-02-28 2003-10-28 The Trustees Of Princeton University High efficiency transparent organic light emitting devices
KR20010095429A (ko) * 2000-03-30 2001-11-07 윤덕용 단일 이온 전도체를 전자 혹은 정공 주입층으로 이용하는유기/고분자 전기 발광 소자
JP2001284631A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Toshiba Corp 光検出器及び光検出システム
JP2001341296A (ja) * 2000-03-31 2001-12-11 Seiko Epson Corp インクジェット法による薄膜形成方法、インクジェット装置、有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子
US6661029B1 (en) * 2000-03-31 2003-12-09 General Electric Company Color tunable organic electroluminescent light source
US6913713B2 (en) * 2002-01-25 2005-07-05 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic fibers
US6645645B1 (en) 2000-05-30 2003-11-11 The Trustees Of Princeton University Phosphorescent organic light emitting devices
EP1297060B2 (en) * 2000-06-12 2012-04-04 Sumitomo Chemical Company Limited Polymer matrix electroluminescent materials and devices
US6840999B2 (en) * 2000-07-25 2005-01-11 Board Of Regents The University Of Texas System In situ regrowth and purification of crystalline thin films
DE10037391A1 (de) * 2000-08-01 2002-02-14 Covion Organic Semiconductors Strukturierbare Materialien, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
TW528967B (en) 2000-08-29 2003-04-21 Ibm System and method for locating on a physical document items referenced in an electronic document
TW494323B (en) * 2000-08-29 2002-07-11 Ibm System and method for locating on a physical document items referenced in another physical document
US6525464B1 (en) * 2000-09-08 2003-02-25 Unity Opto Technology Co., Ltd. Stacked light-mixing LED
JP3560150B2 (ja) * 2000-09-14 2004-09-02 日本精機株式会社 有機ｅｌ素子
US6358664B1 (en) 2000-09-15 2002-03-19 3M Innovative Properties Company Electronically active primer layers for thermal patterning of materials for electronic devices
US6855384B1 (en) 2000-09-15 2005-02-15 3M Innovative Properties Company Selective thermal transfer of light emitting polymer blends
JP4067286B2 (ja) * 2000-09-21 2008-03-26 富士フイルム株式会社 発光素子及びイリジウム錯体
US6617186B2 (en) 2000-09-25 2003-09-09 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for producing electroluminescent element
US6884093B2 (en) * 2000-10-03 2005-04-26 The Trustees Of Princeton University Organic triodes with novel grid structures and method of production
US6612889B1 (en) * 2000-10-27 2003-09-02 Science Applications International Corporation Method for making a light-emitting panel
US6801001B2 (en) * 2000-10-27 2004-10-05 Science Applications International Corporation Method and apparatus for addressing micro-components in a plasma display panel
US6935913B2 (en) * 2000-10-27 2005-08-30 Science Applications International Corporation Method for on-line testing of a light emitting panel
US6764367B2 (en) * 2000-10-27 2004-07-20 Science Applications International Corporation Liquid manufacturing processes for panel layer fabrication
US6796867B2 (en) * 2000-10-27 2004-09-28 Science Applications International Corporation Use of printing and other technology for micro-component placement
US6570335B1 (en) 2000-10-27 2003-05-27 Science Applications International Corporation Method and system for energizing a micro-component in a light-emitting panel
US6822626B2 (en) * 2000-10-27 2004-11-23 Science Applications International Corporation Design, fabrication, testing, and conditioning of micro-components for use in a light-emitting panel
US6620012B1 (en) * 2000-10-27 2003-09-16 Science Applications International Corporation Method for testing a light-emitting panel and the components therein
US6545422B1 (en) * 2000-10-27 2003-04-08 Science Applications International Corporation Socket for use with a micro-component in a light-emitting panel
US6762566B1 (en) 2000-10-27 2004-07-13 Science Applications International Corporation Micro-component for use in a light-emitting panel
US7288014B1 (en) 2000-10-27 2007-10-30 Science Applications International Corporation Design, fabrication, testing, and conditioning of micro-components for use in a light-emitting panel
US20030129299A1 (en) * 2000-11-16 2003-07-10 Swanson Leland S. Selective deposition of emissive layer in electroluminescent displays
GB0028436D0 (en) * 2000-11-21 2001-01-10 South Bank Univ Entpr Ltd Electroluminescent device incorporating conjugated polymer
GB0028317D0 (en) * 2000-11-21 2001-01-03 South Bank Univ Entpr Ltd Electroluminescent device incorporating polyaniline
GB0028439D0 (en) * 2000-11-21 2001-01-10 South Bank Univ Entpr Ltd Elecroluminescent device
US6844957B2 (en) * 2000-11-29 2005-01-18 International Business Machines Corporation Three level stacked reflective display
US6537688B2 (en) 2000-12-01 2003-03-25 Universal Display Corporation Adhesive sealed organic optoelectronic structures
DE10061299A1 (de) 2000-12-08 2002-06-27 Siemens Ag Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses, Herstellungsverfahren und Verwendung dazu
DE10061297C2 (de) 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
US6573651B2 (en) * 2000-12-18 2003-06-03 The Trustees Of Princeton University Highly efficient OLEDs using doped ambipolar conductive molecular organic thin films
KR100685917B1 (ko) * 2000-12-27 2007-02-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
US6614175B2 (en) 2001-01-26 2003-09-02 Xerox Corporation Organic light emitting devices
JP4292245B2 (ja) 2001-02-05 2009-07-08 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光体、発光素子、及び発光表示装置
US6614057B2 (en) 2001-02-07 2003-09-02 Universal Display Corporation Sealed organic optoelectronic structures
DE10105914C1 (de) 2001-02-09 2002-10-10 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung
US20020110673A1 (en) 2001-02-14 2002-08-15 Ramin Heydarpour Multilayered electrode/substrate structures and display devices incorporating the same
US6762124B2 (en) 2001-02-14 2004-07-13 Avery Dennison Corporation Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure
US6576351B2 (en) 2001-02-16 2003-06-10 Universal Display Corporation Barrier region for optoelectronic devices
US6692662B2 (en) * 2001-02-16 2004-02-17 Elecon, Inc. Compositions produced by solvent exchange methods and uses thereof
JP4116260B2 (ja) * 2001-02-23 2008-07-09 株式会社東芝 半導体発光装置
WO2002071813A1 (en) * 2001-03-02 2002-09-12 The Trustees Of Princeton University Double doped-layer, phosphorescent organic light emitting devices
US6596443B2 (en) 2001-03-12 2003-07-22 Universal Display Corporation Mask for patterning devices
US6407408B1 (en) 2001-03-12 2002-06-18 Universal Display Corporation Method for patterning devices
WO2002074015A2 (en) * 2001-03-14 2002-09-19 The Trustees Of Princeton University Materials and devices for blue phosphorescence based organic light emitting diodes
US6624568B2 (en) 2001-03-28 2003-09-23 Universal Display Corporation Multilayer barrier region containing moisture- and oxygen-absorbing material for optoelectronic devices
US6664137B2 (en) * 2001-03-29 2003-12-16 Universal Display Corporation Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers
DE10117663B4 (de) * 2001-04-09 2004-09-02 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien
US6895667B2 (en) * 2001-04-13 2005-05-24 The Trustees Of Princeton University Transfer of patterned metal by cold-welding
GB0109755D0 (en) * 2001-04-20 2001-06-13 Elam T Ltd Devices incorporating mixed metal organic complexes
US6485884B2 (en) 2001-04-27 2002-11-26 3M Innovative Properties Company Method for patterning oriented materials for organic electronic displays and devices
EP1390962B2 (en) 2001-05-16 2023-07-05 The Trustees Of Princeton University High efficiency multi-color electro-phosphorescent oleds
US20040131882A1 (en) * 2001-05-24 2004-07-08 Masahide Matsuura Organic electroluminescence element
GB2376555B (en) * 2001-06-14 2003-05-28 Charles Eickhoff Three dimensional solid colour display
TWI303533B (en) * 2001-06-15 2008-11-21 Oled T Ltd Electroluminescent devices
DE10132329B4 (de) * 2001-06-29 2005-02-24 Schrader, Karl-Heinz Sigurd, Dr. Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
GB0116644D0 (en) * 2001-07-09 2001-08-29 Elam T Ltd Electroluminescent materials and devices
US6664730B2 (en) 2001-07-09 2003-12-16 Universal Display Corporation Electrode structure of el device
US6984934B2 (en) * 2001-07-10 2006-01-10 The Trustees Of Princeton University Micro-lens arrays for display intensity enhancement
ITRM20010471A1 (it) * 2001-08-02 2003-02-03 Enea Ente Nuove Tec Stabilizzazione della luminescenza da materiali organici con compostidi origine fenolica.
WO2003014256A1 (en) * 2001-08-04 2003-02-20 Elam-T Limited Electroluminescent device
US6569697B2 (en) * 2001-08-20 2003-05-27 Universal Display Corporation Method of fabricating electrodes
US7071615B2 (en) * 2001-08-20 2006-07-04 Universal Display Corporation Transparent electrodes
US6888307B2 (en) * 2001-08-21 2005-05-03 Universal Display Corporation Patterned oxygen and moisture absorber for organic optoelectronic device structures
JP4409942B2 (ja) 2001-08-29 2010-02-03 ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ 金属錯体を含むキャリア輸送層を有する有機発光デバイス
EP2256838B1 (en) 2001-08-29 2018-12-12 The Trustees of Princeton University Organic light emitting devices having charge carrier blocking layers comprising metalcomplexes
GB2379317A (en) * 2001-08-30 2003-03-05 Cambridge Display Tech Ltd Optoelectronic display operating by photoluminescence quenching
US6716656B2 (en) 2001-09-04 2004-04-06 The Trustees Of Princeton University Self-aligned hybrid deposition
US7431968B1 (en) * 2001-09-04 2008-10-07 The Trustees Of Princeton University Process and apparatus for organic vapor jet deposition
US8535759B2 (en) * 2001-09-04 2013-09-17 The Trustees Of Princeton University Method and apparatus for depositing material using a dynamic pressure
US7744957B2 (en) * 2003-10-23 2010-06-29 The Trustees Of Princeton University Method and apparatus for depositing material
CN1287002C (zh) 2001-09-04 2006-11-29 普林斯顿大学理事会 喷射沉积有机物蒸汽的方法和装置
US7404862B2 (en) * 2001-09-04 2008-07-29 The Trustees Of Princeton University Device and method for organic vapor jet deposition
US20030054197A1 (en) * 2001-09-20 2003-03-20 Raymond Kwong Annealing modified interface in organic light emitting devices
RU2226293C2 (ru) * 2001-10-02 2004-03-27 ОПТИВА, Инк. Панель дисплея и многослойная пластина для ее изготовления
US7071613B2 (en) * 2001-10-10 2006-07-04 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent device
DE10151036A1 (de) 2001-10-16 2003-05-08 Siemens Ag Isolator für ein organisches Elektronikbauteil
US6835469B2 (en) 2001-10-17 2004-12-28 The University Of Southern California Phosphorescent compounds and devices comprising the same
DE10151440C1 (de) 2001-10-18 2003-02-06 Siemens Ag Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
US20050156839A1 (en) * 2001-11-02 2005-07-21 Webb Homer L. Field sequential display device and methods of fabricating same
US6888305B2 (en) * 2001-11-06 2005-05-03 Universal Display Corporation Encapsulation structure that acts as a multilayer mirror
US7530023B2 (en) * 2001-11-13 2009-05-05 International Business Machines Corporation System and method for selecting electronic documents from a physical document and for displaying said electronic documents over said physical document
US6734457B2 (en) 2001-11-27 2004-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6597111B2 (en) 2001-11-27 2003-07-22 Universal Display Corporation Protected organic optoelectronic devices
WO2003047316A1 (en) * 2001-11-29 2003-06-05 The Trustees Of Princeton University Increased emission efficiency in organic light-emitting devices on high-index substrates
US7956349B2 (en) 2001-12-05 2011-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor element
CN100392873C (zh) * 2001-12-07 2008-06-04 张修恒 叠置晶片全彩色发光二极管的封装结构及方法
US7050835B2 (en) 2001-12-12 2006-05-23 Universal Display Corporation Intelligent multi-media display communication system
US6765351B2 (en) * 2001-12-20 2004-07-20 The Trustees Of Princeton University Organic optoelectronic device structures
US20030117378A1 (en) 2001-12-21 2003-06-26 International Business Machines Corporation Device and system for retrieving and displaying handwritten annotations
US6555284B1 (en) * 2001-12-27 2003-04-29 Eastman Kodak Company In situ vacuum method for making OLED devices
US6863997B2 (en) * 2001-12-28 2005-03-08 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
US6869695B2 (en) 2001-12-28 2005-03-22 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
US7012363B2 (en) * 2002-01-10 2006-03-14 Universal Display Corporation OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies
US20030153240A1 (en) * 2002-02-14 2003-08-14 Dejule Aaron M. Hanging mobile device with electronic display
US6872472B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
US6876143B2 (en) * 2002-11-19 2005-04-05 John James Daniels Organic light active devices and methods for fabricating the same
DE10212640B4 (de) 2002-03-21 2004-02-05 Siemens Ag Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren
DE10215210B4 (de) * 2002-03-28 2006-07-13 Novaled Gmbh Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
US20100026176A1 (en) 2002-03-28 2010-02-04 Jan Blochwitz-Nomith Transparent, Thermally Stable Light-Emitting Component Having Organic Layers
US6951694B2 (en) * 2002-03-29 2005-10-04 The University Of Southern California Organic light emitting devices with electron blocking layers
US20030189215A1 (en) * 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
US8294172B2 (en) 2002-04-09 2012-10-23 Lg Electronics Inc. Method of fabricating vertical devices using a metal support film
JP2003308968A (ja) * 2002-04-12 2003-10-31 Rohm Co Ltd エレクトロルミネッセンス発光素子及びその製法
US6897474B2 (en) * 2002-04-12 2005-05-24 Universal Display Corporation Protected organic electronic devices and methods for making the same
US6835950B2 (en) 2002-04-12 2004-12-28 Universal Display Corporation Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer
US7282275B2 (en) * 2002-04-19 2007-10-16 3M Innovative Properties Company Materials for organic electronic devices
JP4544811B2 (ja) * 2002-05-09 2010-09-15 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子の製造方法
DE10224021B4 (de) * 2002-05-24 2006-06-01 Novaled Gmbh Phosphoreszentes lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
TW589915B (en) * 2002-05-24 2004-06-01 Sanyo Electric Co Electroluminescence display device
US7416791B1 (en) 2002-06-11 2008-08-26 University Of Washington Osmium complexes and related organic light-emitting devices
US6811815B2 (en) 2002-06-14 2004-11-02 Avery Dennison Corporation Method for roll-to-roll deposition of optically transparent and high conductivity metallic thin films
US20040004433A1 (en) * 2002-06-26 2004-01-08 3M Innovative Properties Company Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
DE10231140A1 (de) * 2002-07-10 2004-01-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Optoelektronisches Bauelement mit elektrisch leitfähigem organischem Material sowie Verfahren zur Herstellung des Bauelementes
US6642092B1 (en) * 2002-07-11 2003-11-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. Thin-film transistors formed on a metal foil substrate
TWI338528B (pl) * 2002-07-19 2011-03-01 Au Optronics Corp
US6693296B1 (en) * 2002-08-07 2004-02-17 Eastman Kodak Company OLED apparatus including a series of OLED devices
US6689628B1 (en) * 2002-08-15 2004-02-10 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Method for dense pixel fabrication
CN1681828B (zh) * 2002-08-16 2012-05-30 南加利福尼亚大学 含阴离子配体的有机发光材料
US6916554B2 (en) * 2002-11-06 2005-07-12 The University Of Southern California Organic light emitting materials and devices
US7061175B2 (en) * 2002-08-16 2006-06-13 Universal Display Corporation Efficiency transparent cathode
CN100340630C (zh) * 2002-08-16 2007-10-03 南加利福尼亚大学 有机发光材料和器件
US7663300B2 (en) 2002-08-16 2010-02-16 Universal Display Corporation Organic light emitting devices for illumination
AU2003261758A1 (en) * 2002-08-27 2004-03-19 Fujitsu Limited Organometallic complexes, organic el devices, and organic el displays
US20040191567A1 (en) * 2002-09-03 2004-09-30 Caballero Gabriel Joseph Light emitting molecules and organic light emitting devices including light emitting molecules
WO2004034015A2 (en) * 2002-09-03 2004-04-22 Coled Technologies, Inc. Light emitting molecules and organic light emitting devices including light emitting molecules
EP1550057A1 (en) * 2002-10-10 2005-07-06 International Business Machines Corporation System and method for selecting, ordering and accessing copyrighted information from physical documents
US6911961B2 (en) * 2002-10-11 2005-06-28 Eastman Kodak Company Method of designing an OLED display with lifetime optimized primaries
US6853660B2 (en) * 2002-10-16 2005-02-08 Eastman Kodak Company Organic laser cavity arrays
RU2222847C1 (ru) * 2002-10-21 2004-01-27 Государственное предприятие "Центр технологий микроэлектроники" Наносенсорная система
US7049636B2 (en) * 2002-10-28 2006-05-23 Universal Display Corporation Device including OLED controlled by n-type transistor
US20040086743A1 (en) * 2002-11-06 2004-05-06 Brown Cory S. Organometallic compounds for use in electroluminescent devices
US6687266B1 (en) 2002-11-08 2004-02-03 Universal Display Corporation Organic light emitting materials and devices
US6858327B2 (en) 2002-11-08 2005-02-22 Universal Display Corporation Organic light emitting materials and devices
US6717176B1 (en) * 2002-11-12 2004-04-06 Opto Tech Corporation White light emitting organic electro-luminescent device and method for fabricating the same
DE10253154A1 (de) 2002-11-14 2004-05-27 Siemens Ag Messgerät zur Bestimmung eines Analyten in einer Flüssigkeitsprobe
US6891326B2 (en) * 2002-11-15 2005-05-10 Universal Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices
US20040096570A1 (en) * 2002-11-15 2004-05-20 Michael Weaver Structure and method of fabricating organic devices
US6982179B2 (en) * 2002-11-15 2006-01-03 University Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices
WO2004047144A2 (de) 2002-11-19 2004-06-03 Polyic Gmbh & Co.Kg Organisches elektronisches bauelement mit stukturierter halbleitender funktionsschicht und herstellungsverfahren dazu
JP4072422B2 (ja) 2002-11-22 2008-04-09 三星エスディアイ株式会社 蒸着用マスク構造体とその製造方法、及びこれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法
US6947459B2 (en) * 2002-11-25 2005-09-20 Eastman Kodak Company Organic vertical cavity laser and imaging system
US7368659B2 (en) * 2002-11-26 2008-05-06 General Electric Company Electrodes mitigating effects of defects in organic electronic devices
JP4173722B2 (ja) * 2002-11-29 2008-10-29 三星エスディアイ株式会社 蒸着マスク、これを利用した有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子
US7086918B2 (en) * 2002-12-11 2006-08-08 Applied Materials, Inc. Low temperature process for passivation applications
US7492092B2 (en) * 2002-12-17 2009-02-17 Seiko Epson Corporation Self-emitting element, display panel, display apparatus, and method of manufacturing self-emitting element
US6975067B2 (en) * 2002-12-19 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
US7338820B2 (en) * 2002-12-19 2008-03-04 3M Innovative Properties Company Laser patterning of encapsulated organic light emitting diodes
US7964439B2 (en) 2002-12-20 2011-06-21 The Trustees Of Princeton University Methods of fabricating devices by transfer of organic material
DE10261609B4 (de) * 2002-12-20 2007-05-03 Novaled Ag Lichtemittierende Anordnung
US8222072B2 (en) 2002-12-20 2012-07-17 The Trustees Of Princeton University Methods of fabricating devices by low pressure cold welding
US7063900B2 (en) 2002-12-23 2006-06-20 General Electric Company White light-emitting organic electroluminescent devices
DE10302149A1 (de) 2003-01-21 2005-08-25 Siemens Ag Verwendung leitfähiger Carbon-black/Graphit-Mischungen für die Herstellung von low-cost Elektronik
JP2004226795A (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 Pioneer Electronic Corp 立体画像表示装置
US6900458B2 (en) * 2003-02-21 2005-05-31 Universal Display Corporation Transflective display having an OLED backlight
US6995445B2 (en) * 2003-03-14 2006-02-07 The Trustees Of Princeton University Thin film organic position sensitive detectors
KR101391117B1 (ko) 2003-03-24 2014-04-30 유니버시티 오브 써던 캘리포니아 Ｉｒ의 페닐-피라졸 착물
US6727660B1 (en) 2003-03-27 2004-04-27 General Electric Company Organic electroluminescent devices and method for improving energy efficiency and optical stability thereof
US7465678B2 (en) * 2003-03-28 2008-12-16 The Trustees Of Princeton University Deformable organic devices
US20050227389A1 (en) * 2004-04-13 2005-10-13 Rabin Bhattacharya Deformable organic devices
US6902833B2 (en) * 2003-04-01 2005-06-07 University Of Southern California Materials and structures for enhancing the performance or organic light emitting devices
US20040199052A1 (en) 2003-04-01 2004-10-07 Scimed Life Systems, Inc. Endoscopic imaging system
US7090928B2 (en) 2003-04-01 2006-08-15 The University Of Southern California Binuclear compounds
US7018713B2 (en) * 2003-04-02 2006-03-28 3M Innovative Properties Company Flexible high-temperature ultrabarrier
CN1768556A (zh) * 2003-04-08 2006-05-03 皇家飞利浦电子股份有限公司 双面发光设备
US7271406B2 (en) * 2003-04-15 2007-09-18 3M Innovative Properties Company Electron transport agents for organic electronic devices
US7192657B2 (en) * 2003-04-15 2007-03-20 3M Innovative Properties Company Ethynyl containing electron transport dyes and compositions
US6831302B2 (en) * 2003-04-15 2004-12-14 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with improved extraction efficiency
US20040209115A1 (en) * 2003-04-21 2004-10-21 Thompson Mark E. Organic light emitting devices with wide gap host materials
US20040209116A1 (en) * 2003-04-21 2004-10-21 Xiaofan Ren Organic light emitting devices with wide gap host materials
US7029765B2 (en) * 2003-04-22 2006-04-18 Universal Display Corporation Organic light emitting devices having reduced pixel shrinkage
JP3902566B2 (ja) * 2003-04-24 2007-04-11 富士電機ホールディングス株式会社 有機ｅｌ発光素子
US6853134B2 (en) * 2003-05-20 2005-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Anode structure for organic light emitting device
US7535017B2 (en) * 2003-05-30 2009-05-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Flexible multilayer packaging material and electronic devices with the packaging material
US20040259070A1 (en) * 2003-06-20 2004-12-23 Goodstein Shelley R. Child/infant play and entertainment devices including electronic displays
US7553355B2 (en) * 2003-06-23 2009-06-30 Matheson Tri-Gas Methods and materials for the reduction and control of moisture and oxygen in OLED devices
US7310779B2 (en) * 2003-06-26 2007-12-18 International Business Machines Corporation Method for creating and selecting active regions on physical documents
US7053412B2 (en) 2003-06-27 2006-05-30 The Trustees Of Princeton University And Universal Display Corporation Grey scale bistable display
US6885025B2 (en) * 2003-07-10 2005-04-26 Universal Display Corporation Organic light emitting device structures for obtaining chromaticity stability
US7211823B2 (en) * 2003-07-10 2007-05-01 Universal Display Corporation Organic light emitting device structure for obtaining chromaticity stability
US6953705B2 (en) 2003-07-22 2005-10-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for removing an organic layer during fabrication of an organic electronic device
US7002292B2 (en) 2003-07-22 2006-02-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device
US7018723B2 (en) * 2003-07-25 2006-03-28 The University Of Southern California Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices
US7198859B2 (en) * 2003-07-25 2007-04-03 Universal Display Corporation Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices
US20050025993A1 (en) 2003-07-25 2005-02-03 Thompson Mark E. Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices
US20050023974A1 (en) * 2003-08-01 2005-02-03 Universal Display Corporation Protected organic electronic devices and methods for making the same
US20060232992A1 (en) * 2003-08-12 2006-10-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Circuit arrangement for ac driving of organic diodes
US7275972B2 (en) * 2003-08-22 2007-10-02 3M Innovative Properties Company Method of making an electroluminescent device having a patterned emitter layer and non-patterned emitter layer
JP4123106B2 (ja) * 2003-08-22 2008-07-23 ソニー株式会社 有機ｅｌ素子
DE10339036A1 (de) 2003-08-25 2005-03-31 Siemens Ag Organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung und Herstellungsverfahren dazu
US6998648B2 (en) * 2003-08-25 2006-02-14 Universal Display Corporation Protected organic electronic device structures incorporating pressure sensitive adhesive and desiccant
DE10340644B4 (de) 2003-09-03 2010-10-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Mechanische Steuerelemente für organische Polymerelektronik
DE10342408B4 (de) * 2003-09-10 2008-09-11 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Duales Photolumineszenzanzeigeelement, Display und Verfahren
JP4823478B2 (ja) * 2003-09-19 2011-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US7179543B2 (en) * 2003-10-06 2007-02-20 The Trustees Of Princeton University Doping of organic opto-electronic devices to extend reliability
US8884845B2 (en) * 2003-10-28 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and telecommunication system
JP4243237B2 (ja) * 2003-11-10 2009-03-25 淳二 城戸 有機素子、有機ｅｌ素子、有機太陽電池、及び、有機ｆｅｔ構造、並びに、有機素子の製造方法
US7061011B2 (en) * 2003-11-26 2006-06-13 The Trustees Of Princeton University Bipolar organic devices
WO2005055331A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Pixel arrangement for an emissive device
KR100987451B1 (ko) * 2003-12-04 2010-10-13 엘지전자 주식회사 면발광 소자
US7070867B2 (en) * 2003-12-05 2006-07-04 The University Of Southern California OLEDs having n-type doping
US20050137459A1 (en) 2003-12-17 2005-06-23 Scimed Life Systems, Inc. Medical device with OLED illumination light source
JP2005190768A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Toyota Industries Corp 照明装置
CN100551187C (zh) 2003-12-26 2009-10-14 株式会社半导体能源研究所 发光元件
US20050164031A1 (en) * 2004-01-26 2005-07-28 Thompson Mark E. Dual emitting dyads of heavy metal complexes as broad band emitters for organic LEDs
US7279232B2 (en) * 2004-01-26 2007-10-09 Universal Display Corporation Electroluminescent stability
US7151339B2 (en) * 2004-01-30 2006-12-19 Universal Display Corporation OLED efficiency by utilization of different doping concentrations within the device emissive layer
US7332232B2 (en) * 2004-02-03 2008-02-19 Universal Display Corporation OLEDs utilizing multidentate ligand systems
US7030554B2 (en) * 2004-02-06 2006-04-18 Eastman Kodak Company Full-color organic display having improved blue emission
JP4608637B2 (ja) * 2004-02-09 2011-01-12 株式会社豊田自動織機 フルカラーｏｌｅｄバックライトを有する半透過型ディスプレイ
US20050179046A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Kopin Corporation P-type electrodes in gallium nitride-based light-emitting devices
US20050189164A1 (en) * 2004-02-26 2005-09-01 Chang Chi L. Speaker enclosure having outer flared tube
US7045952B2 (en) * 2004-03-04 2006-05-16 Universal Display Corporation OLEDs with mixed host emissive layer
US7393598B2 (en) * 2004-03-10 2008-07-01 Hcf Partners, L.P. Light emitting molecules and organic light emitting devices including light emitting molecules
US7737625B2 (en) * 2004-03-25 2010-06-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device with carrier blocking layer interposed between two emitting layers
JP2005294058A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Dainippon Printing Co Ltd 補償回路を有する有機エレクトロルミネッセンス素子
US7419846B2 (en) * 2004-04-13 2008-09-02 The Trustees Of Princeton University Method of fabricating an optoelectronic device having a bulk heterojunction
US7279704B2 (en) 2004-05-18 2007-10-09 The University Of Southern California Complexes with tridentate ligands
US7445855B2 (en) * 2004-05-18 2008-11-04 The University Of Southern California Cationic metal-carbene complexes
US7582365B2 (en) * 2005-01-10 2009-09-01 Universal Display Corporation Reversibly reducible metal complexes as electron transporting materials for OLEDs
US7601436B2 (en) * 2004-05-18 2009-10-13 The University Of Southern California Carbene metal complexes as OLED materials
US7534505B2 (en) * 2004-05-18 2009-05-19 The University Of Southern California Organometallic compounds for use in electroluminescent devices
US7491823B2 (en) * 2004-05-18 2009-02-17 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
US7393599B2 (en) * 2004-05-18 2008-07-01 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
US7598388B2 (en) 2004-05-18 2009-10-06 The University Of Southern California Carbene containing metal complexes as OLEDs
US7655323B2 (en) * 2004-05-18 2010-02-02 The University Of Southern California OLEDs utilizing macrocyclic ligand systems
US7154114B2 (en) * 2004-05-18 2006-12-26 Universal Display Corporation Cyclometallated iridium carbene complexes for use as hosts
US7629695B2 (en) * 2004-05-20 2009-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Stacked electronic component and manufacturing method thereof
DE102004025578B4 (de) * 2004-05-25 2009-04-23 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Herstellen von organischen, Licht emittierenden Flächenelementen und Verwendung dieses Verfahrens
US7196835B2 (en) * 2004-06-01 2007-03-27 The Trustees Of Princeton University Aperiodic dielectric multilayer stack
US20050269943A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Michael Hack Protected organic electronic devices and methods for making the same
JP4631316B2 (ja) * 2004-06-07 2011-02-16 パナソニック株式会社 エレクトロルミネセンス素子
US20060008670A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Chun Lin Organic light emitting materials and devices
US7709100B2 (en) * 2004-07-07 2010-05-04 Universal Display Corporation Electroluminescent efficiency
US20060008671A1 (en) * 2004-07-07 2006-01-12 Raymond Kwong Electroluminescent efficiency
JP5009154B2 (ja) 2004-07-07 2012-08-22 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 安定で効率的なエレクトロルミネセンス材料
KR100659057B1 (ko) 2004-07-15 2006-12-21 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 유기 전계 발광표시장치
US7194173B2 (en) * 2004-07-16 2007-03-20 The Trustees Of Princeton University Organic devices having a fiber structure
US7449831B2 (en) * 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having inorganic material containing anode capping layer
US7449830B2 (en) 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having improved luminance stability
US7540978B2 (en) * 2004-08-05 2009-06-02 Novaled Ag Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component
US7196366B2 (en) * 2004-08-05 2007-03-27 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive devices
US8241467B2 (en) * 2004-08-10 2012-08-14 Global Oled Technology Llc Making a cathode structure for OLEDs
KR101027896B1 (ko) 2004-08-13 2011-04-07 테크니셰 유니베르시테트 드레스덴 발광 컴포넌트를 위한 층 어셈블리
DE102004040005A1 (de) * 2004-08-18 2006-02-23 Basf Ag In Polymermatrices eingebettete Übergangsmetallcarbenkomplexe zur Verwendung in OLEDs
JP4510735B2 (ja) * 2004-09-22 2010-07-28 統寶光電股▲ふん▼有限公司 設計手法、パネル及びその電子素子
KR101251622B1 (ko) 2004-09-24 2013-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치
EP1648042B1 (en) * 2004-10-07 2007-05-02 Novaled AG A method for doping a semiconductor material with cesium
US20060088728A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Raymond Kwong Arylcarbazoles as hosts in PHOLEDs
US20060086020A1 (en) * 2004-10-27 2006-04-27 Eastman Kodak Company Multi-mode flat-panel light-emitting sign
US7564052B2 (en) * 2004-11-05 2009-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and light emitting device using the same
DE102004054893A1 (de) * 2004-11-12 2006-05-24 Micronas Gmbh Verfahren und Schaltungsanordnung zur Kanalfilterung analog oder digital modulierter TV-Signale
TW200634801A (en) * 2004-11-17 2006-10-01 Hitachi Maxell Optical information-recording medium
US8128753B2 (en) 2004-11-19 2012-03-06 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
US8986780B2 (en) 2004-11-19 2015-03-24 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
US7776456B2 (en) * 2004-12-03 2010-08-17 Universal Display Corporation Organic light emitting devices with an emissive region having emissive and non-emissive layers and method of making
US7538756B2 (en) * 2004-12-17 2009-05-26 Eastman Kodak Company Methods for making display
US7515149B2 (en) * 2004-12-17 2009-04-07 Eastman Kodak Company Display with wirelessly controlled illumination
US20060131505A1 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 Eastman Kodak Company Imaging element
US20060136997A1 (en) * 2004-12-21 2006-06-22 Eastman Kodak Company Authentication system and method
US20060136734A1 (en) * 2004-12-21 2006-06-22 Eastman Kodak Company Identification display device
US20060131393A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Eastman Kodak Company Multi-role transaction card
US8350238B2 (en) 2004-12-30 2013-01-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Device patterning using irradiation
JP4939809B2 (ja) 2005-01-21 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7630029B2 (en) * 2005-02-16 2009-12-08 Industrial Technology Research Institute Conductive absorption layer for flexible displays
DE102005009820A1 (de) 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen
KR100721571B1 (ko) 2005-03-07 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법
US7990349B2 (en) 2005-04-22 2011-08-02 The Invention Science Fund I, Llc Superimposed displays
US9153163B2 (en) 2005-03-11 2015-10-06 The Invention Science Fund I, Llc Self assembly of elements for displays
EP1701395B1 (de) 2005-03-11 2012-09-12 Novaled AG Transparentes lichtemittierendes Bauelement
DE502005002342D1 (de) * 2005-03-15 2008-02-07 Novaled Ag Lichtemittierendes Bauelement
US20060251921A1 (en) * 2005-05-06 2006-11-09 Stephen Forrest OLEDs utilizing direct injection to the triplet state
US7683536B2 (en) * 2005-03-31 2010-03-23 The Trustees Of Princeton University OLEDs utilizing direct injection to the triplet state
JP4965553B2 (ja) * 2005-04-01 2012-07-04 ドルビー ラボラトリーズ ライセンシング コーポレイション ３次元色合成ディスプレイおよび方法
US20060222886A1 (en) * 2005-04-04 2006-10-05 Raymond Kwong Arylpyrene compounds
ATE381117T1 (de) 2005-04-13 2007-12-15 Novaled Ag Anordnung für eine organische leuchtdiode vom pin-typ und verfahren zum herstellen
US9070884B2 (en) 2005-04-13 2015-06-30 Universal Display Corporation Hybrid OLED having phosphorescent and fluorescent emitters
US7807275B2 (en) 2005-04-21 2010-10-05 Universal Display Corporation Non-blocked phosphorescent OLEDs
US8487527B2 (en) * 2005-05-04 2013-07-16 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
US7777407B2 (en) * 2005-05-04 2010-08-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer
US8586204B2 (en) * 2007-12-28 2013-11-19 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters and host materials with improved stability
US7902374B2 (en) * 2005-05-06 2011-03-08 Universal Display Corporation Stability OLED materials and devices
US9051344B2 (en) 2005-05-06 2015-06-09 Universal Display Corporation Stability OLED materials and devices
JP4636501B2 (ja) * 2005-05-12 2011-02-23 株式会社沖データ 半導体装置、プリントヘッド及び画像形成装置
US20060265278A1 (en) * 2005-05-18 2006-11-23 Napster Llc System and method for censoring randomly generated character strings
US7851072B2 (en) * 2005-05-19 2010-12-14 Universal Display Corporation Stable and efficient electroluminescent materials
US7750561B2 (en) * 2005-05-20 2010-07-06 Lg Display Co., Ltd. Stacked OLED structure
US7943244B2 (en) * 2005-05-20 2011-05-17 Lg Display Co., Ltd. Display device with metal-organic mixed layer anodes
US7811679B2 (en) * 2005-05-20 2010-10-12 Lg Display Co., Ltd. Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers
US7728517B2 (en) * 2005-05-20 2010-06-01 Lg Display Co., Ltd. Intermediate electrodes for stacked OLEDs
US7795806B2 (en) 2005-05-20 2010-09-14 Lg Display Co., Ltd. Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML)
GB0510282D0 (en) * 2005-05-20 2005-06-29 Cambridge Display Tech Ltd Top-electroluminescent devices comprising cathode bus bars
EP1727221B1 (de) * 2005-05-27 2010-04-14 Novaled AG Transparente organische Leuchtdiode
WO2006130598A2 (en) 2005-05-31 2006-12-07 Universal Display Corporation Triphenylene hosts in phosphorescent light emitting diodes
US7474048B2 (en) * 2005-06-01 2009-01-06 The Trustees Of Princeton University Fluorescent filtered electrophosphorescence
EP2045843B1 (de) * 2005-06-01 2012-08-01 Novaled AG Lichtemittierendes Bauteil mit einer Elektrodenanordnung
US20070001927A1 (en) * 2005-07-01 2007-01-04 Eastman Kodak Company Tiled display for electronic signage
EP1739765A1 (de) * 2005-07-01 2007-01-03 Novaled AG Organische Leuchtdiode und Anordnung mit mehreren organischen Leuchtdioden
US20070018189A1 (en) * 2005-07-22 2007-01-25 Unity Opto Technology Co., Ltd. Light emitting diode
KR100721907B1 (ko) * 2005-07-25 2007-05-28 삼성전자주식회사 디스플레이장치
DE102005037289A1 (de) * 2005-08-08 2007-02-22 Siemens Ag Fotodetektor, Röntgenstrahlenflachbilddetektor und Verfahren zur Herstellung dergleichen
TWI279165B (en) * 2005-08-09 2007-04-11 Au Optronics Corp White organic light emitting diode
CN100454594C (zh) * 2005-08-11 2009-01-21 璨圆光电股份有限公司 发光二极管元件及其驱动方法
CN100444425C (zh) * 2005-08-26 2008-12-17 中华映管股份有限公司 堆叠式有机电致发光元件及其制造方法
TWI326379B (en) * 2005-09-20 2010-06-21 Au Optronics Corp A double-sided liquid crystal display
CN101263610B (zh) * 2005-09-30 2013-03-13 首尔Opto仪器股份有限公司 具有竖直堆叠发光二极管的发光器件
US8148891B2 (en) * 2005-10-04 2012-04-03 Universal Display Corporation Electron impeding layer for high efficiency phosphorescent OLEDs
US20070085837A1 (en) * 2005-10-17 2007-04-19 Eastman Kodak Company Touch input device with display front
US20070085838A1 (en) * 2005-10-17 2007-04-19 Ricks Theodore K Method for making a display with integrated touchscreen
US7731409B2 (en) * 2005-10-31 2010-06-08 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Illumination device and method for producing a spatial pattern of light at different wavelengths
US20070103066A1 (en) * 2005-11-04 2007-05-10 D Andrade Brian W Stacked OLEDs with a reflective conductive layer
US8021763B2 (en) * 2005-11-23 2011-09-20 The Trustees Of Princeton University Phosphorescent OLED with interlayer
US7709105B2 (en) * 2005-12-14 2010-05-04 Global Oled Technology Llc Electroluminescent host material
EP1806795B1 (de) * 2005-12-21 2008-07-09 Novaled AG Organisches Bauelement
DE602006001930D1 (de) * 2005-12-23 2008-09-04 Novaled Ag tur von organischen Schichten
EP1804308B1 (en) * 2005-12-23 2012-04-04 Novaled AG An organic light emitting device with a plurality of organic electroluminescent units stacked upon each other
EP1808909A1 (de) 2006-01-11 2007-07-18 Novaled AG Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung
EP2987450B1 (en) * 2006-02-07 2019-06-05 Boston Scientific Limited Medical device light source
BRPI0707552B8 (pt) 2006-02-10 2020-05-05 Universal Display Corp complexos metálicos de ligantes imidazo [1,2-f] fenantridina e diimizado [1,2-a:1', 2'-c] quinazolina ciclometalados e análogos isoeletrônicos e benzanulados dos mesmos e dispositivos oled que os englobam
US8142909B2 (en) * 2006-02-10 2012-03-27 Universal Display Corporation Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials
WO2007097149A1 (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、白色発光素子、表示装置、及び照明装置
EP1994120A1 (en) * 2006-03-06 2008-11-26 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Luminescent material using (y, gd)-containing nanoparticle and surface bound organic ligands
US20070234611A1 (en) * 2006-03-15 2007-10-11 Steven Ochs Multi-laminate three-dimensional video display and methods therefore
JP4977391B2 (ja) * 2006-03-27 2012-07-18 日本電気株式会社 レーザ切断方法、表示装置の製造方法、および表示装置
US7790298B2 (en) 2006-04-13 2010-09-07 The University Of Southern California Organic electronic devices using phthalimide compounds
EP1848049B1 (de) * 2006-04-19 2009-12-09 Novaled AG Lichtemittierendes Bauelement
US8330351B2 (en) * 2006-04-20 2012-12-11 Universal Display Corporation Multiple dopant emissive layer OLEDs
US20070247061A1 (en) * 2006-04-20 2007-10-25 Vadim Adamovich Multiple dopant emissive layer OLEDs
KR20090013826A (ko) * 2006-05-15 2009-02-05 닛토덴코 가부시키가이샤 발광 소자 및 조성물
US7579773B2 (en) * 2006-06-05 2009-08-25 The Trustees Of Princeton University Organic light-emitting device with a phosphor-sensitized fluorescent emission layer
TWI317182B (en) * 2006-07-07 2009-11-11 Au Optronics Corp Tandem organic electroluminescent elements and uses of the same
RU2310676C1 (ru) * 2006-07-10 2007-11-20 Некоммерческая организация Учреждение Институт проблем химической физики Российской академии наук (статус государственного учреждения) (ИПХФ РАН) Электролюминесцентный материал, содержащий органическое люминесцентное вещество
EP2041815A2 (en) 2006-07-18 2009-04-01 The University Of Southern California Organic optoelectronic device electrodes with nanotubes
JP2006344606A (ja) * 2006-07-31 2006-12-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置
US7670450B2 (en) * 2006-07-31 2010-03-02 3M Innovative Properties Company Patterning and treatment methods for organic light emitting diode devices
US7724796B2 (en) * 2006-08-29 2010-05-25 The Trustees Of Princeton University Organic laser
JP2008059791A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Canon Inc 有機ｅｌ素子アレイ
US7710017B2 (en) * 2006-09-08 2010-05-04 Universal Display Corporation Organic light emitting device having a transparent microcavity
US7598381B2 (en) * 2006-09-11 2009-10-06 The Trustees Of Princeton University Near-infrared emitting organic compounds and organic devices using the same
JP4739155B2 (ja) * 2006-09-12 2011-08-03 富士フイルム株式会社 表示媒体
US7800295B2 (en) * 2006-09-15 2010-09-21 Universal Display Corporation Organic light emitting device having a microcavity
US9018619B2 (en) * 2006-10-09 2015-04-28 Cree, Inc. Quantum wells for light conversion
US7826693B2 (en) * 2006-10-26 2010-11-02 The Trustees Of Princeton University Monolithically integrated reconfigurable optical add-drop multiplexer
US8945722B2 (en) * 2006-10-27 2015-02-03 The University Of Southern California Materials and architectures for efficient harvesting of singlet and triplet excitons for white light emitting OLEDs
US8519130B2 (en) * 2006-12-08 2013-08-27 Universal Display Corporation Method for synthesis of iriduim (III) complexes with sterically demanding ligands
DE102006059509B4 (de) * 2006-12-14 2012-05-03 Novaled Ag Organisches Leuchtbauelement
RU2333508C1 (ru) * 2006-12-18 2008-09-10 Открытое акционерное общество "Головное научно-производственное объединение по ремонту и обслуживанию вооружения и военной техники "Гранит" (ОАО "ГНПО "Гранит") Устройство отображения радиолокационных сигналов
US7879401B2 (en) * 2006-12-22 2011-02-01 The Regents Of The University Of Michigan Organic vapor jet deposition using an exhaust
JP5262104B2 (ja) * 2006-12-27 2013-08-14 住友化学株式会社 金属錯体、高分子化合物及びこれらを含む素子
US8866377B2 (en) * 2006-12-28 2014-10-21 Universal Display Corporation Long lifetime phosphorescent organic light emitting device (OLED) structures
GB0625865D0 (en) * 2006-12-29 2007-02-07 Oled T Ltd Electro-optical or opto-electronic device
KR101359632B1 (ko) * 2007-01-19 2014-02-19 삼성디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
WO2008090492A1 (en) * 2007-01-24 2008-07-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting device comprising at least one lamp and at least one oled
US7728512B2 (en) * 2007-03-02 2010-06-01 Universal Display Corporation Organic light emitting device having an external microcavity
EP2489716B1 (en) 2007-03-08 2017-12-27 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
US9130177B2 (en) 2011-01-13 2015-09-08 Universal Display Corporation 5-substituted 2 phenylquinoline complexes materials for light emitting diode
US20130032785A1 (en) 2011-08-01 2013-02-07 Universal Display Corporation Materials for organic light emitting diode
DE102007011637A1 (de) * 2007-03-09 2008-09-18 Ivoclar Vivadent Ag Lichtemissionsvorrichtung
JP5662141B2 (ja) 2007-03-30 2015-01-28 ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミシガン 光のアウトカップリングが改良されたｏｌｅｄ
JP2008263127A (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Toshiba Corp Ｌｅｄ装置
DE102007019260B4 (de) * 2007-04-17 2020-01-16 Novaled Gmbh Nichtflüchtiges organisches Speicherelement
EP2145355B1 (en) * 2007-04-27 2013-06-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of forming an organic light emitting device with anodized metallization
US7993763B2 (en) 2007-05-10 2011-08-09 Universal Display Corporation Organometallic compounds having host and dopant functionalities
US8556389B2 (en) 2011-02-04 2013-10-15 Kateeva, Inc. Low-profile MEMS thermal printhead die having backside electrical connections
CN101754859B (zh) * 2007-06-14 2012-05-30 麻省理工学院 用于沉积膜的方法和设备
US8257793B2 (en) 2007-06-29 2012-09-04 The Regents Of The University Of Michigan Roll to roll fabrication of microlens arrays for low cost light outcoupling from OLEDs
RU2350049C1 (ru) * 2007-07-16 2009-03-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ставропольский государственный университет Устройство возбуждения электролюминесценции
US7782191B2 (en) * 2007-07-25 2010-08-24 Tomas Flores Portable alarm apparatus for warning persons
US8149183B2 (en) * 2007-07-31 2012-04-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Display
EP3159333B1 (en) 2007-08-08 2020-04-22 Universal Display Corporation Benzo-fused thiophene or furan compounds comprising a triphenylene group
KR102189768B1 (ko) 2007-08-08 2020-12-14 유니버셜 디스플레이 코포레이션 인광성 발광 다이오드의 단일 트리페닐렌 발색단
KR100899423B1 (ko) * 2007-08-16 2009-05-27 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
JP2009048811A (ja) * 2007-08-16 2009-03-05 Sony Corp 転写用基板および有機電界発光素子の製造方法
US8498464B2 (en) * 2007-09-27 2013-07-30 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Intrinsic co-registration for modular multimodality medical imaging systems
US8383249B2 (en) * 2007-10-04 2013-02-26 Universal Display Corporation Complexes with tridentate ligands
KR20090034412A (ko) * 2007-10-04 2009-04-08 삼성전자주식회사 발광 칩 및 이의 제조 방법
US8067100B2 (en) * 2007-10-04 2011-11-29 Universal Display Corporation Complexes with tridentate ligands
US8003008B1 (en) 2007-10-08 2011-08-23 Clemson University Color-tailored polymer light emitting diodes including emissive colloidal particles and method of forming same
US20090243468A1 (en) * 2007-10-16 2009-10-01 Thompson Mark E Arylimino-isoindoline complexes for use in organic light emitting diodes
GB2453766A (en) * 2007-10-18 2009-04-22 Novalia Ltd Method of fabricating an electronic device
WO2009053856A1 (en) * 2007-10-23 2009-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Device, method and system for lighting
GB2454867B (en) 2007-11-09 2010-02-03 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices comprising bus bar
US8476822B2 (en) 2007-11-09 2013-07-02 Universal Display Corporation Saturated color organic light emitting devices
US8815411B2 (en) * 2007-11-09 2014-08-26 The Regents Of The University Of Michigan Stable blue phosphorescent organic light emitting devices
CN101163358B (zh) * 2007-11-14 2012-01-04 清华大学 一种显示装置
WO2009064661A1 (en) 2007-11-15 2009-05-22 Nitto Denko Corporation Light emitting devices and compositions
WO2009067678A2 (en) * 2007-11-24 2009-05-28 Display Photonics, Inc. Projection system based on self emitting display panel
WO2009073245A1 (en) 2007-12-06 2009-06-11 Universal Display Corporation Light-emitting organometallic complexes
TWI374556B (en) 2007-12-12 2012-10-11 Au Optronics Corp White light emitting device and producing method thereof
US20090153034A1 (en) * 2007-12-13 2009-06-18 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emittinig diodes
US8221905B2 (en) * 2007-12-28 2012-07-17 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
WO2009085344A2 (en) 2007-12-28 2009-07-09 Universal Display Corporation Dibenzothiophene-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
TWI479714B (zh) * 2008-01-29 2015-04-01 Koninkl Philips Electronics Nv 具整合式之鄰近感測器的有機發光二極體照明裝置
US8492781B2 (en) * 2008-01-31 2013-07-23 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device
US8040053B2 (en) * 2008-02-09 2011-10-18 Universal Display Corporation Organic light emitting device architecture for reducing the number of organic materials
JP2009259628A (ja) * 2008-04-17 2009-11-05 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機発光素子
KR101115154B1 (ko) * 2008-05-23 2012-02-24 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
DE102008025160A1 (de) * 2008-05-26 2009-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Projektor für kleinste Projektionsflächen und Verwendung einer Mehrfarben-LED in einem Projektor
US8383202B2 (en) * 2008-06-13 2013-02-26 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
US9048344B2 (en) 2008-06-13 2015-06-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US8899171B2 (en) 2008-06-13 2014-12-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US12018857B2 (en) 2008-06-13 2024-06-25 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US12064979B2 (en) 2008-06-13 2024-08-20 Kateeva, Inc. Low-particle gas enclosure systems and methods
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US9604245B2 (en) 2008-06-13 2017-03-28 Kateeva, Inc. Gas enclosure systems and methods utilizing an auxiliary enclosure
US11975546B2 (en) 2008-06-13 2024-05-07 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US20110121738A1 (en) * 2008-06-20 2011-05-26 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus
JP5053956B2 (ja) * 2008-06-20 2012-10-24 キヤノン株式会社 有機ｅｌ表示装置
WO2010002031A1 (en) * 2008-06-30 2010-01-07 Canon Kabushiki Kaisha Light emitting display apparatus
CN102077385A (zh) * 2008-06-30 2011-05-25 佳能株式会社 发光装置
US8440326B2 (en) * 2008-06-30 2013-05-14 Universal Display Corporation Hole transport materials containing triphenylene
EP2628778B1 (en) 2008-06-30 2016-03-16 Universal Display Corporation Hole transport materials having a sulfur-containing group
FR2933536B1 (fr) * 2008-07-03 2013-05-10 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'affichage electronique polychrome a ecran electroluminescent
JP5522991B2 (ja) * 2008-07-11 2014-06-18 キヤノン株式会社 有機ｅｌ表示装置
US8385436B2 (en) * 2008-07-16 2013-02-26 Honeywell International Inc. Apparatus and method for modifying transmissions on specified wireless channels to reduce interference with higher-priority transmitters
US8372526B2 (en) 2008-07-16 2013-02-12 Universal Display Corporation Intermediate connector for stacked organic light emitting devices
DE102008036063B4 (de) * 2008-08-04 2017-08-31 Novaled Gmbh Organischer Feldeffekt-Transistor
DE102008036062B4 (de) 2008-08-04 2015-11-12 Novaled Ag Organischer Feldeffekt-Transistor
WO2010027583A1 (en) 2008-09-03 2010-03-11 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
JP5698135B2 (ja) * 2008-09-04 2015-04-08 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 白色燐光有機発光装置
KR101618588B1 (ko) * 2008-09-09 2016-05-09 코닌클리케 필립스 엔.브이. 디바이스와 도체의 접촉
TWI555734B (zh) 2008-09-16 2016-11-01 環球展覽公司 磷光物質
DE102008048336A1 (de) * 2008-09-22 2010-03-25 Merck Patent Gmbh Einkernige neutrale Kupfer(I)-Komplexe und deren Verwendung zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen
CN102160206B (zh) * 2008-09-25 2014-06-11 通用显示公司 有机硒物质及其在有机发光装置中的用途
US9385167B2 (en) 2008-10-01 2016-07-05 Universal Display Corporation OLED display architecture
US20100225252A1 (en) * 2008-10-01 2010-09-09 Universal Display Corporation Novel amoled display architecture
US8827488B2 (en) 2008-10-01 2014-09-09 Universal Display Corporation OLED display architecture
US8053770B2 (en) * 2008-10-14 2011-11-08 Universal Display Corporation Emissive layer patterning for OLED
WO2010062643A1 (en) 2008-10-28 2010-06-03 The Regents Of The University Of Michigan Stacked white oled having separate red, green and blue sub-elements
CN103396455B (zh) * 2008-11-11 2017-03-01 通用显示公司 磷光发射体
CN102215997B (zh) * 2008-11-18 2016-08-31 都美工业株式会社 筒状部件的制造方法
US8686660B2 (en) * 2008-12-05 2014-04-01 Koninklijke Philips N.V. OLED with integrated delay structure
US8815415B2 (en) * 2008-12-12 2014-08-26 Universal Display Corporation Blue emitter with high efficiency based on imidazo[1,2-f] phenanthridine iridium complexes
KR101932823B1 (ko) 2008-12-12 2018-12-27 유니버셜 디스플레이 코포레이션 도핑된 정공 수송층을 통한 ｏｌｅｄ 안정성 향상
US20100188457A1 (en) * 2009-01-05 2010-07-29 Madigan Connor F Method and apparatus for controlling the temperature of an electrically-heated discharge nozzle
US9067947B2 (en) 2009-01-16 2015-06-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US8310150B2 (en) * 2009-02-04 2012-11-13 The Regents Of The University Of Michigan Light emitting device with high outcoupling
US11910700B2 (en) 2009-03-23 2024-02-20 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complexes as dopants
US8722205B2 (en) 2009-03-23 2014-05-13 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complex
US8709615B2 (en) 2011-07-28 2014-04-29 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complexes as dopants
WO2010111495A1 (en) 2009-03-25 2010-09-30 The Regents Of The University Of Michigan Concave-hemisphere-patterned organic top-light emitting device
US20100244735A1 (en) * 2009-03-26 2010-09-30 Energy Focus, Inc. Lighting Device Supplying Temporally Appropriate Light
US8569744B2 (en) * 2009-03-30 2013-10-29 Universal Display Corporation OLED display architecture
TWI680132B (zh) 2009-04-06 2019-12-21 美商環球展覽公司 包含新穎配位體結構之金屬錯合物
US8373439B2 (en) 2009-04-14 2013-02-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8362800B2 (en) 2010-10-13 2013-01-29 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device including field repairable logics
US9509313B2 (en) 2009-04-14 2016-11-29 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8058137B1 (en) 2009-04-14 2011-11-15 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8384426B2 (en) 2009-04-14 2013-02-26 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8427200B2 (en) 2009-04-14 2013-04-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US9711407B2 (en) * 2009-04-14 2017-07-18 Monolithic 3D Inc. Method of manufacturing a three dimensional integrated circuit by transfer of a mono-crystalline layer
US8669778B1 (en) 2009-04-14 2014-03-11 Monolithic 3D Inc. Method for design and manufacturing of a 3D semiconductor device
US7986042B2 (en) 2009-04-14 2011-07-26 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8258810B2 (en) 2010-09-30 2012-09-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US20110031997A1 (en) * 2009-04-14 2011-02-10 NuPGA Corporation Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US9577642B2 (en) 2009-04-14 2017-02-21 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device
US8362482B2 (en) * 2009-04-14 2013-01-29 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8378715B2 (en) 2009-04-14 2013-02-19 Monolithic 3D Inc. Method to construct systems
US8405420B2 (en) * 2009-04-14 2013-03-26 Monolithic 3D Inc. System comprising a semiconductor device and structure
US8754533B2 (en) * 2009-04-14 2014-06-17 Monolithic 3D Inc. Monolithic three-dimensional semiconductor device and structure
US8395191B2 (en) 2009-10-12 2013-03-12 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
TWI730274B (zh) 2009-04-28 2021-06-11 美商環球展覽公司 具有甲基-d3取代之銥錯合物
CN102414863B (zh) * 2009-05-01 2015-06-03 卡帝瓦公司 用于有机蒸汽印刷的方法和设备
TWI541234B (zh) 2009-05-12 2016-07-11 環球展覽公司 用於有機發光二極體之２－氮雜聯伸三苯材料
US8586203B2 (en) 2009-05-20 2013-11-19 Universal Display Corporation Metal complexes with boron-nitrogen heterocycle containing ligands
US9270086B2 (en) 2009-07-29 2016-02-23 The Regents Of The University Of Michigan Organic laser
WO2011015265A2 (en) 2009-08-04 2011-02-10 Merck Patent Gmbh Electronic devices comprising multi cyclic hydrocarbons
US20110097495A1 (en) * 2009-09-03 2011-04-28 Universal Display Corporation Organic vapor jet printing with chiller plate
JP2011060483A (ja) 2009-09-08 2011-03-24 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置
US8801856B2 (en) * 2009-09-08 2014-08-12 Universal Display Corporation Method and system for high-throughput deposition of patterned organic thin films
US8466455B2 (en) * 2009-09-17 2013-06-18 Universal Display Corporation Device structure
DE102009048604A1 (de) 2009-10-02 2011-04-07 Technische Universität Dresden Organische Leuchtdiodenvorrichtung
US20110248244A1 (en) * 2009-10-05 2011-10-13 Emagin Corporation Independently controlled stacked inverted organic light emitting diodes and a method of manufacturing same
US8742476B1 (en) 2012-11-27 2014-06-03 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8536023B2 (en) 2010-11-22 2013-09-17 Monolithic 3D Inc. Method of manufacturing a semiconductor device and structure
US10354995B2 (en) 2009-10-12 2019-07-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US11984445B2 (en) 2009-10-12 2024-05-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with metal layers
US10157909B2 (en) 2009-10-12 2018-12-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11374118B2 (en) 2009-10-12 2022-06-28 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D integrated circuit
US8476145B2 (en) 2010-10-13 2013-07-02 Monolithic 3D Inc. Method of fabricating a semiconductor device and structure
US8450804B2 (en) 2011-03-06 2013-05-28 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US8148728B2 (en) 2009-10-12 2012-04-03 Monolithic 3D, Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US9099424B1 (en) 2012-08-10 2015-08-04 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system, device and structure with heat removal
US11018133B2 (en) 2009-10-12 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D integrated circuit
US12027518B1 (en) 2009-10-12 2024-07-02 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with metal layers
US8581349B1 (en) 2011-05-02 2013-11-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor device and structure
US10043781B2 (en) 2009-10-12 2018-08-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10910364B2 (en) 2009-10-12 2021-02-02 Monolitaic 3D Inc. 3D semiconductor device
US10388863B2 (en) 2009-10-12 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US10366970B2 (en) 2009-10-12 2019-07-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US8545996B2 (en) 2009-11-02 2013-10-01 The University Of Southern California Ion-pairing soft salts based on organometallic complexes and their applications in organic light emitting diodes
US8580394B2 (en) 2009-11-19 2013-11-12 Universal Display Corporation 3-coordinate copper(I)-carbene complexes
WO2011062857A2 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Universal Display Corporation Oleds with low-index islands to enhance outcoupling of light
US8330152B2 (en) 2009-12-02 2012-12-11 Universal Display Corporation OLED display architecture with improved aperture ratio
EP2517537B1 (en) 2009-12-22 2019-04-03 Merck Patent GmbH Electroluminescent functional surfactants
WO2011076323A1 (en) 2009-12-22 2011-06-30 Merck Patent Gmbh Formulations comprising phase-separated functional materials
WO2011076314A1 (en) 2009-12-22 2011-06-30 Merck Patent Gmbh Electroluminescent formulations
JP2011165653A (ja) 2010-01-14 2011-08-25 Canon Inc 有機ｅｌ素子およびそれを用いた発光装置
US8288187B2 (en) 2010-01-20 2012-10-16 Universal Display Corporation Electroluminescent devices for lighting applications
DE102010006280A1 (de) 2010-01-30 2011-08-04 Merck Patent GmbH, 64293 Farbkonvertierung
WO2011096923A1 (en) 2010-02-03 2011-08-11 Universal Display Corporation Organic light emitting device with conducting cover
US8541819B1 (en) 2010-12-09 2013-09-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8492886B2 (en) 2010-02-16 2013-07-23 Monolithic 3D Inc 3D integrated circuit with logic
US9099526B2 (en) 2010-02-16 2015-08-04 Monolithic 3D Inc. Integrated circuit device and structure
US8298875B1 (en) 2011-03-06 2012-10-30 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8026521B1 (en) 2010-10-11 2011-09-27 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8461035B1 (en) 2010-09-30 2013-06-11 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8373230B1 (en) 2010-10-13 2013-02-12 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US9156870B2 (en) * 2010-02-25 2015-10-13 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters
US9175211B2 (en) 2010-03-03 2015-11-03 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
RU2434045C1 (ru) * 2010-03-04 2011-11-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московская государственная академия тонкой химической технологии имени М.В. Ломоносова" Термостойкий полимерный нанокомпозит, обладающий яркой фотолюминесценцией
JP2013522816A (ja) 2010-03-11 2013-06-13 メルク パテント ゲーエムベーハー 発光ファイバー
JP6246468B2 (ja) 2010-03-11 2017-12-13 メルク パテント ゲーエムベーハー 治療および化粧品におけるファイバー
TWI488540B (zh) * 2010-03-24 2015-06-11 Au Optronics Corp 白色有機發光二極體
US8334545B2 (en) 2010-03-24 2012-12-18 Universal Display Corporation OLED display architecture
CN102823013B (zh) 2010-03-25 2016-08-03 通用显示公司 可溶液处理的掺杂的三芳基胺空穴注入材料
US8450730B2 (en) 2010-03-31 2013-05-28 The Regents Of The University Of Michigan Light emitting device having peripheral emissive region
US8227801B2 (en) 2010-04-26 2012-07-24 Universal Display Corporation Bicarbzole containing compounds for OLEDs
US8968887B2 (en) 2010-04-28 2015-03-03 Universal Display Corporation Triphenylene-benzofuran/benzothiophene/benzoselenophene compounds with substituents joining to form fused rings
US9040962B2 (en) 2010-04-28 2015-05-26 Universal Display Corporation Depositing premixed materials
JP2013530135A (ja) 2010-04-30 2013-07-25 アリゾナ ボード オブ リージェンツ アクティング フォー アンド オン ビハーフ オブ アリゾナ ステイト ユニバーシティ 四配位パラジウム錯体の合成およびその発光素子におけるその適用
US9073948B2 (en) 2010-05-14 2015-07-07 Universal Display Corporation Azaborine compounds as host materials and dopants for PHOLEDs
US8564001B2 (en) 2010-05-21 2013-10-22 Universal Display Corporation Organic light emitting device lighting panel
EP3309236B1 (en) 2010-05-27 2019-11-27 Merck Patent GmbH Electroluminescent device comprising quantum dots and use of a formulation comprising quantum dots
US8742657B2 (en) 2010-06-11 2014-06-03 Universal Display Corporation Triplet-Triplet annihilation up conversion (TTA-UC) for display and lighting applications
US8673458B2 (en) 2010-06-11 2014-03-18 Universal Display Corporation Delayed fluorescence OLED
CN103003464B (zh) 2010-07-22 2015-03-25 通用显示公司 有机气相喷射印刷
US9435021B2 (en) 2010-07-29 2016-09-06 University Of Southern California Co-deposition methods for the fabrication of organic optoelectronic devices
US9219005B2 (en) 2011-06-28 2015-12-22 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system and device
US9953925B2 (en) 2011-06-28 2018-04-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system and device
US8901613B2 (en) 2011-03-06 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US10217667B2 (en) 2011-06-28 2019-02-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device, fabrication method and system
US8642416B2 (en) 2010-07-30 2014-02-04 Monolithic 3D Inc. Method of forming three dimensional integrated circuit devices using layer transfer technique
KR102004629B1 (ko) 2010-08-20 2019-07-26 유니버셜 디스플레이 코포레이션 Ｏｌｅｄ를 위한 바이카르바졸 화합물
US20120049168A1 (en) 2010-08-31 2012-03-01 Universal Display Corporation Cross-Linked Charge Transport Layer Containing an Additive Compound
US11482440B2 (en) 2010-12-16 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with a built-in test circuit for repairing faulty circuits
US8163581B1 (en) 2010-10-13 2012-04-24 Monolith IC 3D Semiconductor and optoelectronic devices
US10497713B2 (en) 2010-11-18 2019-12-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US12362219B2 (en) 2010-11-18 2025-07-15 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US8273610B2 (en) 2010-11-18 2012-09-25 Monolithic 3D Inc. Method of constructing a semiconductor device and structure
US8932734B2 (en) 2010-10-08 2015-01-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11600667B1 (en) 2010-10-11 2023-03-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US11257867B1 (en) 2010-10-11 2022-02-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with oxide bonds
US9240563B2 (en) 2010-10-11 2016-01-19 Koninklijke Philips N.V. Multi-device OLED
US11227897B2 (en) 2010-10-11 2022-01-18 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11018191B1 (en) 2010-10-11 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US8114757B1 (en) 2010-10-11 2012-02-14 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11315980B1 (en) 2010-10-11 2022-04-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with transistors
US10896931B1 (en) 2010-10-11 2021-01-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11158674B2 (en) 2010-10-11 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. Method to produce a 3D semiconductor device and structure
US11024673B1 (en) 2010-10-11 2021-06-01 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11469271B2 (en) 2010-10-11 2022-10-11 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US10290682B2 (en) 2010-10-11 2019-05-14 Monolithic 3D Inc. 3D IC semiconductor device and structure with stacked memory
US10833108B2 (en) 2010-10-13 2020-11-10 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US12360310B2 (en) 2010-10-13 2025-07-15 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US9197804B1 (en) 2011-10-14 2015-11-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic devices
US11855114B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11929372B2 (en) 2010-10-13 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US10943934B2 (en) 2010-10-13 2021-03-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11694922B2 (en) 2010-10-13 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US10998374B1 (en) 2010-10-13 2021-05-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11164898B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11063071B1 (en) 2010-10-13 2021-07-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US11327227B2 (en) 2010-10-13 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US11605663B2 (en) 2010-10-13 2023-03-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US10679977B2 (en) 2010-10-13 2020-06-09 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US12094892B2 (en) 2010-10-13 2024-09-17 Monolithic 3D Inc. 3D micro display device and structure
US10978501B1 (en) 2010-10-13 2021-04-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US8283215B2 (en) 2010-10-13 2012-10-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic devices
US8379458B1 (en) 2010-10-13 2013-02-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US12080743B2 (en) 2010-10-13 2024-09-03 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11869915B2 (en) 2010-10-13 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11404466B2 (en) 2010-10-13 2022-08-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11133344B2 (en) 2010-10-13 2021-09-28 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11437368B2 (en) 2010-10-13 2022-09-06 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11043523B1 (en) 2010-10-13 2021-06-22 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11984438B2 (en) 2010-10-13 2024-05-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11163112B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US11855100B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US8269317B2 (en) 2010-11-11 2012-09-18 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
US11854857B1 (en) 2010-11-18 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11804396B2 (en) 2010-11-18 2023-10-31 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US12272586B2 (en) 2010-11-18 2025-04-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure with memory and metal layers
US11018042B1 (en) 2010-11-18 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11569117B2 (en) 2010-11-18 2023-01-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11508605B2 (en) 2010-11-18 2022-11-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11355381B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US12154817B1 (en) 2010-11-18 2024-11-26 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11211279B2 (en) 2010-11-18 2021-12-28 Monolithic 3D Inc. Method for processing a 3D integrated circuit and structure
US11923230B1 (en) 2010-11-18 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11031275B2 (en) 2010-11-18 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US12144190B2 (en) 2010-11-18 2024-11-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding and memory cells preliminary class
US12100611B2 (en) 2010-11-18 2024-09-24 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11164770B1 (en) 2010-11-18 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11355380B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. Methods for producing 3D semiconductor memory device and structure utilizing alignment marks
US11615977B2 (en) 2010-11-18 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US12068187B2 (en) 2010-11-18 2024-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding and DRAM memory cells
US11121021B2 (en) 2010-11-18 2021-09-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11094576B1 (en) 2010-11-18 2021-08-17 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11495484B2 (en) 2010-11-18 2022-11-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with at least two single-crystal layers
US11443971B2 (en) 2010-11-18 2022-09-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US12125737B1 (en) 2010-11-18 2024-10-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US12033884B2 (en) 2010-11-18 2024-07-09 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11784082B2 (en) 2010-11-18 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US12243765B2 (en) 2010-11-18 2025-03-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US12136562B2 (en) 2010-11-18 2024-11-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11004719B1 (en) 2010-11-18 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11482438B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11901210B2 (en) 2010-11-18 2024-02-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11521888B2 (en) 2010-11-18 2022-12-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with high-k metal gate transistors
US11482439B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device comprising charge trap junction-less transistors
US11107721B2 (en) 2010-11-18 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with NAND logic
US11862503B2 (en) 2010-11-18 2024-01-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11735462B2 (en) 2010-11-18 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11610802B2 (en) 2010-11-18 2023-03-21 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with single crystal transistors and metal gate electrodes
US20120138906A1 (en) 2010-12-07 2012-06-07 The University of Southern California USC Stevens Institute for Innovation Capture agents for unsaturated metal complexes
US12463076B2 (en) 2010-12-16 2025-11-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
CN106847863B (zh) 2011-01-12 2021-01-01 环球展览公司 具有短路容许结构的oled照明装置
US9698140B2 (en) 2011-01-12 2017-07-04 Universal Display Corporation OLED lighting device with short tolerant structure
US10008677B2 (en) 2011-01-13 2018-06-26 Universal Display Corporation Materials for organic light emitting diode
US8415031B2 (en) 2011-01-24 2013-04-09 Universal Display Corporation Electron transporting compounds
WO2012112853A1 (en) 2011-02-18 2012-08-23 Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University Four coordinated platinum and palladium complexes with geometrically distorted charge transfer state and their applications in light emitting devices
US8748011B2 (en) 2011-02-23 2014-06-10 Universal Display Corporation Ruthenium carbene complexes for OLED material
US9005772B2 (en) 2011-02-23 2015-04-14 Universal Display Corporation Thioazole and oxazole carbene metal complexes as phosphorescent OLED materials
TWI560191B (en) 2011-02-23 2016-12-01 Universal Display Corp Novel tetradentate platinum complexes
US8563737B2 (en) 2011-02-23 2013-10-22 Universal Display Corporation Methods of making bis-tridentate carbene complexes of ruthenium and osmium
US8492006B2 (en) 2011-02-24 2013-07-23 Universal Display Corporation Germanium-containing red emitter materials for organic light emitting diode
US8975670B2 (en) 2011-03-06 2015-03-10 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US8883322B2 (en) 2011-03-08 2014-11-11 Universal Display Corporation Pyridyl carbene phosphorescent emitters
US8664970B2 (en) 2011-03-14 2014-03-04 Universal Display Corporation Method for accelerated lifetesting of large area OLED lighting panels
US8902245B2 (en) 2011-04-07 2014-12-02 Universal Display Corporation Method for driving quad-subpixel display
WO2012138366A1 (en) 2011-04-08 2012-10-11 Kateeva, Inc. Method and apparatus for printing using a facetted drum
US8580399B2 (en) 2011-04-08 2013-11-12 Universal Display Corporation Substituted oligoazacarbazoles for light emitting diodes
US8866416B2 (en) 2011-05-04 2014-10-21 Universal Display Corporation Illumination source using LEDs and OLEDs
US8564192B2 (en) 2011-05-11 2013-10-22 Universal Display Corporation Process for fabricating OLED lighting panels
US8981640B2 (en) 2011-05-11 2015-03-17 Universal Display Corporation Simplified patterned light panel
US8432095B2 (en) 2011-05-11 2013-04-30 Universal Display Corporation Process for fabricating metal bus lines for OLED lighting panels
US8927308B2 (en) 2011-05-12 2015-01-06 Universal Display Corporation Method of forming bus line designs for large-area OLED lighting
US8907560B2 (en) 2011-05-12 2014-12-09 Universal Display Corporation Dynamic OLED lighting
US8710518B2 (en) 2011-05-12 2014-04-29 Universal Display Corporation Flexible lighting devices
US8773013B2 (en) 2011-05-12 2014-07-08 Universal Display Corporation Three dimensional OLED lamps
US8835945B2 (en) 2013-01-11 2014-09-16 Lighting Science Group Corporation Serially-connected light emitting diodes, methods of forming same, and luminaires containing same
US9360202B2 (en) 2011-05-13 2016-06-07 Lighting Science Group Corporation System for actively cooling an LED filament and associated methods
US9212197B2 (en) 2011-05-19 2015-12-15 Universal Display Corporation Phosphorescent heteroleptic phenylbenzimidazole dopants
US8795850B2 (en) 2011-05-19 2014-08-05 Universal Display Corporation Phosphorescent heteroleptic phenylbenzimidazole dopants and new synthetic methodology
TWI505524B (zh) 2011-05-20 2015-10-21 Au Optronics Corp 有機電激發光光源
US8748012B2 (en) 2011-05-25 2014-06-10 Universal Display Corporation Host materials for OLED
US9238668B2 (en) 2011-05-26 2016-01-19 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Synthesis of platinum and palladium complexes as narrow-band phosphorescent emitters for full color displays
EP2715825B1 (en) 2011-05-27 2017-10-25 Universal Display Corporation Oled having multi-component emissive layer
US10158089B2 (en) 2011-05-27 2018-12-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10079349B2 (en) 2011-05-27 2018-09-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102003060B1 (ko) 2011-06-08 2019-07-24 유니버셜 디스플레이 코포레이션 헤테로렙틱 이리듐 카르벤 착물 및 이를 사용한 발광 디바이스
TWI452671B (zh) * 2011-06-10 2014-09-11 長庚大學 Production Method and Device of Stereo Stacked Light Emitting Diode
US8884316B2 (en) 2011-06-17 2014-11-11 Universal Display Corporation Non-common capping layer on an organic device
US8659036B2 (en) 2011-06-17 2014-02-25 Universal Display Corporation Fine tuning of emission spectra by combination of multiple emitter spectra
US10388568B2 (en) 2011-06-28 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and system
US9397310B2 (en) 2011-07-14 2016-07-19 Universal Display Corporation Organice electroluminescent materials and devices
US9252377B2 (en) 2011-07-14 2016-02-02 Universal Display Corporation Inorganic hosts in OLEDs
US9023420B2 (en) 2011-07-14 2015-05-05 Universal Display Corporation Composite organic/inorganic layer for organic light-emitting devices
US8502445B2 (en) 2011-07-18 2013-08-06 Universal Display Corporation RGBW OLED display for extended lifetime and reduced power consumption
US9783564B2 (en) 2011-07-25 2017-10-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP6234666B2 (ja) 2011-07-25 2017-11-22 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 四座配位白金錯体
US8409729B2 (en) 2011-07-28 2013-04-02 Universal Display Corporation Host materials for phosphorescent OLEDs
US8926119B2 (en) 2011-08-04 2015-01-06 Universal Display Corporation Extendable light source with variable light emitting area
US8552420B2 (en) 2011-08-09 2013-10-08 Universal Display Corporation OLED light panel with controlled brightness variation
WO2013022434A1 (en) 2011-08-09 2013-02-14 Universal Display Corporation Light emitters with series connection
US8764239B2 (en) 2011-08-16 2014-07-01 Universal Display Corporation Dynamic stretchable OLED lamp
US8963420B2 (en) 2011-08-29 2015-02-24 Lg Display Co., Ltd. Organic electro-luminescence display panel for preventing the display panel from degrading and a method for fabricating the same
KR101352121B1 (ko) * 2011-08-29 2014-01-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
US9493698B2 (en) 2011-08-31 2016-11-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2013043197A1 (en) 2011-09-23 2013-03-28 Universal Display Corporation Digitized oled light source
US9559314B2 (en) 2011-09-29 2017-01-31 Universal Display Corporation Lamp with multiple flexible OLEDs
US8687399B2 (en) 2011-10-02 2014-04-01 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9123667B2 (en) 2011-10-04 2015-09-01 Universal Display Corporation Power-efficient RGBW OLED display
US9029173B2 (en) 2011-10-18 2015-05-12 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
RU2603434C2 (ru) * 2011-10-26 2016-11-27 Конинклейке Филипс Н.В. Усовершенствованное маскирование для рисунков на светоизлучающих устройствах
US9231227B2 (en) 2011-10-28 2016-01-05 Universal Display Corporation OLED display architecture
KR101976104B1 (ko) 2011-11-01 2019-05-09 유니버셜 디스플레이 코포레이션 저휘도에서의 ｏｌｅｄ 디바이스 효율 감소
US8652656B2 (en) 2011-11-14 2014-02-18 Universal Display Corporation Triphenylene silane hosts
US9193745B2 (en) 2011-11-15 2015-11-24 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complex
US9217004B2 (en) 2011-11-21 2015-12-22 Universal Display Corporation Organic light emitting materials
US9512355B2 (en) 2011-12-09 2016-12-06 Universal Display Corporation Organic light emitting materials
US20130146875A1 (en) 2011-12-13 2013-06-13 Universal Display Corporation Split electrode for organic devices
US20150001560A1 (en) * 2011-12-30 2015-01-01 Purelux Inc. Light emitting devices
US9461254B2 (en) 2012-01-03 2016-10-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US8987451B2 (en) 2012-01-03 2015-03-24 Universal Display Corporation Synthesis of cyclometallated platinum(II) complexes
US9163174B2 (en) 2012-01-04 2015-10-20 Universal Display Corporation Highly efficient phosphorescent materials
KR102012047B1 (ko) 2012-01-06 2019-08-19 유니버셜 디스플레이 코포레이션 효율이 큰 인광 물질
US8969592B2 (en) 2012-01-10 2015-03-03 Universal Display Corporation Heterocyclic host materials
US10211413B2 (en) 2012-01-17 2019-02-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US8969116B2 (en) 2012-01-23 2015-03-03 Universal Display Corporation Selective OLED vapor deposition using electric charges
JP6271442B2 (ja) 2012-01-30 2018-01-31 メルク パテント ゲーエムベーハー ファイバー上のナノ結晶
CN102655219A (zh) * 2012-02-23 2012-09-05 京东方科技集团股份有限公司 多色oled、多色oled单元及显示器件
US9118017B2 (en) 2012-02-27 2015-08-25 Universal Display Corporation Host compounds for red phosphorescent OLEDs
US20130273239A1 (en) 2012-03-13 2013-10-17 Universal Display Corporation Nozzle design for organic vapor jet printing
CN102617762B (zh) * 2012-03-14 2013-11-13 同济大学 基于咪唑分子桥连接稀土高分子复合发光材料的制备方法
US9386657B2 (en) 2012-03-15 2016-07-05 Universal Display Corporation Organic Electroluminescent materials and devices
US9054323B2 (en) 2012-03-15 2015-06-09 Universal Display Corporation Secondary hole transporting layer with diarylamino-phenyl-carbazole compounds
US8933468B2 (en) 2012-03-16 2015-01-13 Princeton University Office of Technology and Trademark Licensing Electronic device with reduced non-device edge area
US9312511B2 (en) 2012-03-16 2016-04-12 Universal Display Corporation Edge barrier film for electronic devices
US9000557B2 (en) 2012-03-17 2015-04-07 Zvi Or-Bach Semiconductor device and structure
WO2013141057A1 (ja) 2012-03-21 2013-09-26 コニカミノルタ株式会社 有機電界発光素子
US11594473B2 (en) 2012-04-09 2023-02-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11616004B1 (en) 2012-04-09 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11088050B2 (en) 2012-04-09 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers
US11164811B2 (en) 2012-04-09 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers and oxide-to-oxide bonding
US8557632B1 (en) 2012-04-09 2013-10-15 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US11735501B1 (en) 2012-04-09 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11476181B1 (en) 2012-04-09 2022-10-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11881443B2 (en) 2012-04-09 2024-01-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11410912B2 (en) 2012-04-09 2022-08-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with vias and isolation layers
US11694944B1 (en) 2012-04-09 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US10600888B2 (en) 2012-04-09 2020-03-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8836223B2 (en) 2012-04-18 2014-09-16 Universal Display Corporation OLED panel with fuses
SG10201608512QA (en) 2012-04-19 2016-12-29 Intevac Inc Dual-mask arrangement for solar cell fabrication
US8835948B2 (en) 2012-04-19 2014-09-16 Phostek, Inc. Stacked LED device with diagonal bonding pads
TWI518832B (zh) 2012-04-26 2016-01-21 因特瓦克公司 真空處理系統架構
US10062600B2 (en) 2012-04-26 2018-08-28 Intevac, Inc. System and method for bi-facial processing of substrates
US8723209B2 (en) 2012-04-27 2014-05-13 Universal Display Corporation Out coupling layer containing particle polymer composite
US9184399B2 (en) 2012-05-04 2015-11-10 Universal Display Corporation Asymmetric hosts with triaryl silane side chains
US9773985B2 (en) 2012-05-21 2017-09-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9741968B2 (en) 2012-05-30 2017-08-22 Universal Display Corporation Luminaire and individually replaceable components
US9655199B2 (en) 2012-05-30 2017-05-16 Universal Display Corporation Four component phosphorescent OLED for cool white lighting application
US9670404B2 (en) 2012-06-06 2017-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9991463B2 (en) 2012-06-14 2018-06-05 Universal Display Corporation Electronic devices with improved shelf lives
US9502672B2 (en) 2012-06-21 2016-11-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9685585B2 (en) 2012-06-25 2017-06-20 Cree, Inc. Quantum dot narrow-band downconverters for high efficiency LEDs
US9725476B2 (en) 2012-07-09 2017-08-08 Universal Display Corporation Silylated metal complexes
US9231218B2 (en) 2012-07-10 2016-01-05 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters containing dibenzo[1,4]azaborinine structure
US9210810B2 (en) 2012-07-12 2015-12-08 Universal Display Corporation Method of fabricating flexible devices
US9540329B2 (en) 2012-07-19 2017-01-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9059412B2 (en) 2012-07-19 2015-06-16 Universal Display Corporation Transition metal complexes containing substituted imidazole carbene as ligands and their application in OLEDs
US9663544B2 (en) 2012-07-25 2017-05-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9318710B2 (en) 2012-07-30 2016-04-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9306096B2 (en) 2012-08-16 2016-04-05 E-Ray Optoelectronics Technology Co., Ltd. Electrically conducting compositions for organic electronic devices
US9246036B2 (en) 2012-08-20 2016-01-26 Universal Display Corporation Thin film deposition
US9978958B2 (en) 2012-08-24 2018-05-22 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters with phenylimidazole ligands
WO2014030666A1 (ja) 2012-08-24 2014-02-27 コニカミノルタ株式会社 透明電極、電子デバイス、および透明電極の製造方法
WO2014031977A1 (en) 2012-08-24 2014-02-27 Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University Metal compounds and methods and uses thereof
US8728858B2 (en) 2012-08-27 2014-05-20 Universal Display Corporation Multi-nozzle organic vapor jet printing
DE102012108129A1 (de) * 2012-08-31 2014-03-06 Sensient Imaging Technologies Gmbh Neue Platin(II)komplexe als Triplett-Emitter für OLED Anwendungen
US8940568B2 (en) 2012-08-31 2015-01-27 Universal Display Corporation Patterning method for OLEDs
US8952362B2 (en) 2012-08-31 2015-02-10 The Regents Of The University Of Michigan High efficiency and brightness fluorescent organic light emitting diode by triplet-triplet fusion
US10957870B2 (en) 2012-09-07 2021-03-23 Universal Display Corporation Organic light emitting device
US9170665B2 (en) 2012-09-14 2015-10-27 Universal Display Corporation Lifetime OLED display
US8957579B2 (en) 2012-09-14 2015-02-17 Universal Display Corporation Low image sticking OLED display
US9412947B2 (en) 2012-09-14 2016-08-09 Universal Display Corporation OLED fabrication using laser transfer
US9379169B2 (en) 2012-09-14 2016-06-28 Universal Display Corporation Very high resolution AMOLED display
US9257665B2 (en) 2012-09-14 2016-02-09 Universal Display Corporation Lifetime OLED display
US9882150B2 (en) 2012-09-24 2018-01-30 Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University Metal compounds, methods, and uses thereof
US9287513B2 (en) 2012-09-24 2016-03-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9312505B2 (en) 2012-09-25 2016-04-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10862073B2 (en) 2012-09-25 2020-12-08 The Trustees Of Princeton University Barrier film for electronic devices and substrates
US9577221B2 (en) 2012-09-26 2017-02-21 Universal Display Corporation Three stack hybrid white OLED for enhanced efficiency and lifetime
JP6113993B2 (ja) * 2012-10-03 2017-04-12 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US9252363B2 (en) 2012-10-04 2016-02-02 Universal Display Corporation Aryloxyalkylcarboxylate solvent compositions for inkjet printing of organic layers
US9120290B2 (en) 2012-10-10 2015-09-01 Universal Display Corporation Flexible screen backed with rigid ribs
US8764255B2 (en) 2012-10-10 2014-07-01 Universal Display Corporation Semi-rigid electronic device with a flexible display
US9385340B2 (en) 2012-10-19 2016-07-05 Universal Display Corporation Transparent display and illumination device
US9385172B2 (en) 2012-10-19 2016-07-05 Universal Display Corporation One-way transparent display
US9384691B2 (en) 2012-10-19 2016-07-05 Universal Display Corporation Transparent display and illumination device
US20150274762A1 (en) 2012-10-26 2015-10-01 Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University Metal complexes, methods, and uses thereof
WO2014069256A1 (ja) * 2012-10-31 2014-05-08 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2014071518A1 (en) * 2012-11-06 2014-05-15 Oti Lumionics Inc. Method for depositing a conductive coating on a surface
US8692241B1 (en) 2012-11-08 2014-04-08 Universal Display Corporation Transition metal complexes containing triazole and tetrazole carbene ligands
US9685617B2 (en) 2012-11-09 2017-06-20 Universal Display Corporation Organic electronuminescent materials and devices
WO2014073300A1 (ja) 2012-11-09 2014-05-15 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8946697B1 (en) 2012-11-09 2015-02-03 Universal Display Corporation Iridium complexes with aza-benzo fused ligands
US9748500B2 (en) 2015-01-15 2017-08-29 Universal Display Corporation Organic light emitting materials
US9634264B2 (en) 2012-11-09 2017-04-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US8686428B1 (en) 2012-11-16 2014-04-01 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8574929B1 (en) 2012-11-16 2013-11-05 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US9190623B2 (en) 2012-11-20 2015-11-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10069090B2 (en) 2012-11-20 2018-09-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9512136B2 (en) 2012-11-26 2016-12-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9166175B2 (en) 2012-11-27 2015-10-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9196860B2 (en) 2012-12-04 2015-11-24 Universal Display Corporation Compounds for triplet-triplet annihilation upconversion
US8716484B1 (en) 2012-12-05 2014-05-06 Universal Display Corporation Hole transporting materials with twisted aryl groups
US9209411B2 (en) 2012-12-07 2015-12-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9653691B2 (en) 2012-12-12 2017-05-16 Universal Display Corporation Phosphorescence-sensitizing fluorescence material system
US9159945B2 (en) 2012-12-13 2015-10-13 Universal Display Corporation System and method for matching electrode resistances in OLED light panels
US8766531B1 (en) 2012-12-14 2014-07-01 Universal Display Corporation Wearable display
US20140166990A1 (en) 2012-12-17 2014-06-19 Universal Display Corporation Manufacturing flexible organic electronic devices
US20140166989A1 (en) 2012-12-17 2014-06-19 Universal Display Corporation Manufacturing flexible organic electronic devices
US8912018B2 (en) 2012-12-17 2014-12-16 Universal Display Corporation Manufacturing flexible organic electronic devices
US9502681B2 (en) 2012-12-19 2016-11-22 Universal Display Corporation System and method for a flexible display encapsulation
US11916045B2 (en) 2012-12-22 2024-02-27 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US8674470B1 (en) 2012-12-22 2014-03-18 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11309292B2 (en) 2012-12-22 2022-04-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11967583B2 (en) 2012-12-22 2024-04-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11018116B2 (en) 2012-12-22 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11961827B1 (en) 2012-12-22 2024-04-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11063024B1 (en) 2012-12-22 2021-07-13 Monlithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US12051674B2 (en) 2012-12-22 2024-07-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11217565B2 (en) 2012-12-22 2022-01-04 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11784169B2 (en) 2012-12-22 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US10600657B2 (en) 2012-12-29 2020-03-24 Monolithic 3D Inc 3D semiconductor device and structure
US11177140B2 (en) 2012-12-29 2021-11-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11430668B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US9385058B1 (en) 2012-12-29 2016-07-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US12249538B2 (en) 2012-12-29 2025-03-11 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure including power distribution grids
US10903089B1 (en) 2012-12-29 2021-01-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11087995B1 (en) 2012-12-29 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11430667B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US10115663B2 (en) 2012-12-29 2018-10-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9871034B1 (en) 2012-12-29 2018-01-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10651054B2 (en) 2012-12-29 2020-05-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11004694B1 (en) 2012-12-29 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10892169B2 (en) 2012-12-29 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9424772B2 (en) 2013-01-18 2016-08-23 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US9385168B2 (en) 2013-01-18 2016-07-05 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US10243023B2 (en) 2013-01-18 2019-03-26 Universal Display Corporation Top emission AMOLED displays using two emissive layers
US10229956B2 (en) 2013-01-18 2019-03-12 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US10580832B2 (en) 2013-01-18 2020-03-03 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US10304906B2 (en) 2013-01-18 2019-05-28 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US9590017B2 (en) 2013-01-18 2017-03-07 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US9252397B2 (en) 2013-02-07 2016-02-02 Universal Display Corporation OVJP for printing graded/stepped organic layers
US10400163B2 (en) 2013-02-08 2019-09-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP2769982B1 (en) 2013-02-21 2017-11-22 Universal Display Corporation Deuterated heteroleptic iridium complexes as phosphorescent material in OLEDS
US9178184B2 (en) 2013-02-21 2015-11-03 Universal Display Corporation Deposition of patterned organic thin films
US10367154B2 (en) 2013-02-21 2019-07-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US8927749B2 (en) 2013-03-07 2015-01-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10325651B2 (en) 2013-03-11 2019-06-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with stacked memory
US11935949B1 (en) 2013-03-11 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US11869965B2 (en) 2013-03-11 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US8902663B1 (en) 2013-03-11 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Method of maintaining a memory state
US12094965B2 (en) 2013-03-11 2024-09-17 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US12100646B2 (en) 2013-03-12 2024-09-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11398569B2 (en) 2013-03-12 2022-07-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11088130B2 (en) 2014-01-28 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US8994404B1 (en) 2013-03-12 2015-03-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11923374B2 (en) 2013-03-12 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US9000459B2 (en) 2013-03-12 2015-04-07 Universal Display Corporation OLED display architecture having some blue subpixel components replaced with non-emissive volume containing via or functional electronic component and method of manufacturing thereof
US10840239B2 (en) 2014-08-26 2020-11-17 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9419225B2 (en) 2013-03-14 2016-08-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9117749B1 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10224279B2 (en) 2013-03-15 2019-03-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10514136B2 (en) 2013-03-25 2019-12-24 Universal Display Corporation Lighting devices
US9018660B2 (en) 2013-03-25 2015-04-28 Universal Display Corporation Lighting devices
US9997712B2 (en) 2013-03-27 2018-06-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP2980876B1 (en) 2013-03-29 2019-05-08 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescent element, lighting device and display device
WO2014157618A1 (ja) 2013-03-29 2014-10-02 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを具備した照明装置及び表示装置
US10193094B2 (en) * 2013-04-08 2019-01-29 Merck Patent Gmbh Organic light-emitting device having delayed fluorescence
US11720736B2 (en) 2013-04-15 2023-08-08 Monolithic 3D Inc. Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US9021414B1 (en) 2013-04-15 2015-04-28 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11270055B1 (en) 2013-04-15 2022-03-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11487928B2 (en) 2013-04-15 2022-11-01 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11341309B1 (en) 2013-04-15 2022-05-24 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11574109B1 (en) 2013-04-15 2023-02-07 Monolithic 3D Inc Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US11030371B2 (en) 2013-04-15 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
EP2993963A4 (en) 2013-05-01 2016-12-14 Konica Minolta Inc ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
US8979291B2 (en) 2013-05-07 2015-03-17 Universal Display Corporation Lighting devices including transparent organic light emitting device light panels and having independent control of direct to indirect light
US9537106B2 (en) 2013-05-09 2017-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9484546B2 (en) 2013-05-15 2016-11-01 Universal Display Corporation OLED with compact contact design and self-aligned insulators
US9865672B2 (en) 2013-05-15 2018-01-09 Universal Display Corporation Macro-image OLED lighting system
US9041297B2 (en) 2013-05-20 2015-05-26 Universal Display Corporation Large area lighting system with wireless control
US10468633B2 (en) 2013-06-05 2019-11-05 Universal Display Corporation Microlens array architectures for enhanced light outcoupling from an OLED array
US9093658B2 (en) 2013-06-07 2015-07-28 Universal Display Corporation Pre-stressed flexible OLED
US9735373B2 (en) 2013-06-10 2017-08-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN110003279A (zh) 2013-06-10 2019-07-12 代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会 具有改进的发射光谱的磷光四齿金属络合物
US9818967B2 (en) 2013-06-28 2017-11-14 Universal Display Corporation Barrier covered microlens films
US9673401B2 (en) 2013-06-28 2017-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10199581B2 (en) 2013-07-01 2019-02-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10121975B2 (en) 2013-07-03 2018-11-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9761807B2 (en) 2013-07-15 2017-09-12 Universal Display Corporation Organic light emitting diode materials
US9553274B2 (en) 2013-07-16 2017-01-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9324949B2 (en) 2013-07-16 2016-04-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9224958B2 (en) 2013-07-19 2015-12-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20150028290A1 (en) 2013-07-25 2015-01-29 Universal Display Corporation Heteroleptic osmium complex and method of making the same
TWI688850B (zh) 2013-08-13 2020-03-21 飛利斯有限公司 具有電子顯示器之物品
US9823482B2 (en) 2013-08-19 2017-11-21 Universal Display Corporation Autostereoscopic displays
US10074806B2 (en) 2013-08-20 2018-09-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9831437B2 (en) 2013-08-20 2017-11-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2015031426A1 (en) 2013-08-27 2015-03-05 Polyera Corporation Flexible display and detection of flex state
WO2015031501A1 (en) 2013-08-27 2015-03-05 Polyera Corporation Attachable device having a flexible electronic component
US9374872B2 (en) 2013-08-30 2016-06-21 Universal Display Corporation Intelligent dimming lighting
US9932359B2 (en) 2013-08-30 2018-04-03 University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US10199582B2 (en) 2013-09-03 2019-02-05 University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US8981363B1 (en) 2013-09-03 2015-03-17 Universal Display Corporation Flexible substrate for OLED device
US9735378B2 (en) 2013-09-09 2017-08-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2015038684A1 (en) 2013-09-10 2015-03-19 Polyera Corporation Attachable article with signaling, split display and messaging features
US9748503B2 (en) 2013-09-13 2017-08-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9496522B2 (en) 2013-12-13 2016-11-15 Universal Display Corporation OLED optically coupled to curved substrate
US20150090960A1 (en) 2013-09-30 2015-04-02 Universal Display Corporation Methods to Fabricate Flexible OLED Lighting Devices
US10003034B2 (en) 2013-09-30 2018-06-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9831447B2 (en) 2013-10-08 2017-11-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9293712B2 (en) 2013-10-11 2016-03-22 Universal Display Corporation Disubstituted pyrene compounds with amino group containing ortho aryl group and devices containing the same
JP6804823B2 (ja) 2013-10-14 2020-12-23 アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・オン・ビハーフ・オブ・アリゾナ・ステイト・ユニバーシティーＡｒｉｚｏｎａ Ｂｏａｒｄ ｏｆ Ｒｅｇｅｎｔｓ ｏｎ ｂｅｈａｌｆ ｏｆ Ａｒｉｚｏｎａ Ｓｔａｔｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ 白金錯体およびデバイス
JP6396147B2 (ja) 2013-10-22 2018-09-26 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 有機エレクトロルミネセンス材料、及びデバイス
US9853229B2 (en) 2013-10-23 2017-12-26 University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US20150115250A1 (en) 2013-10-29 2015-04-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JPWO2015068779A1 (ja) * 2013-11-07 2017-03-09 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンスモジュール
US9306179B2 (en) 2013-11-08 2016-04-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9395072B2 (en) 2013-11-13 2016-07-19 Industrial Technology Research Institute Illumination device
US9647218B2 (en) 2013-11-14 2017-05-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9905784B2 (en) 2013-11-15 2018-02-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9142778B2 (en) 2013-11-15 2015-09-22 Universal Display Corporation High vacuum OLED deposition source and system
EP2874195B1 (en) 2013-11-15 2017-05-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10056565B2 (en) 2013-11-20 2018-08-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9130195B2 (en) 2013-11-22 2015-09-08 Universal Display Corporation Structure to enhance light extraction and lifetime of OLED devices
US10062738B2 (en) 2013-11-27 2018-08-28 The Regents Of The University Of Michigan Devices combining thin film inorganic LEDs with organic LEDs and fabrication thereof
US9390649B2 (en) 2013-11-27 2016-07-12 Universal Display Corporation Ruggedized wearable display
US10644251B2 (en) 2013-12-04 2020-05-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9224963B2 (en) 2013-12-09 2015-12-29 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Stable emitters
US9876173B2 (en) 2013-12-09 2018-01-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10355227B2 (en) 2013-12-16 2019-07-16 Universal Display Corporation Metal complex for phosphorescent OLED
US9666822B2 (en) 2013-12-17 2017-05-30 The Regents Of The University Of Michigan Extended OLED operational lifetime through phosphorescent dopant profile management
US9847496B2 (en) 2013-12-23 2017-12-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10839734B2 (en) 2013-12-23 2020-11-17 Universal Display Corporation OLED color tuning by driving mode variation
US9397314B2 (en) 2013-12-23 2016-07-19 Universal Display Corporation Thin-form light-enhanced substrate for OLED luminaire
CN106030688B (zh) 2013-12-24 2020-01-24 飞利斯有限公司 可挠性电子物品
WO2015100333A1 (en) 2013-12-24 2015-07-02 Polyera Corporation Support structures for an attachable, two-dimensional flexible electronic device
TWI676880B (zh) 2013-12-24 2019-11-11 美商飛利斯有限公司 動態可撓物品
WO2015100224A1 (en) 2013-12-24 2015-07-02 Polyera Corporation Flexible electronic display with user interface based on sensed movements
CN105900258A (zh) 2013-12-26 2016-08-24 科迪华公司 电子装置的热加工
KR102135474B1 (ko) * 2013-12-31 2020-07-17 에스케이하이닉스 주식회사 광통신부를 가지는 반도체 패키지
US10135008B2 (en) 2014-01-07 2018-11-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10020455B2 (en) 2014-01-07 2018-07-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum and palladium complex emitters containing phenyl-pyrazole and its analogues
US9978961B2 (en) 2014-01-08 2018-05-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN107611287A (zh) 2014-01-21 2018-01-19 科迪华公司 用于电子装置封装的设备和技术
US9755159B2 (en) 2014-01-23 2017-09-05 Universal Display Corporation Organic materials for OLEDs
US10297586B2 (en) 2015-03-09 2019-05-21 Monolithic 3D Inc. Methods for processing a 3D semiconductor device
US12094829B2 (en) 2014-01-28 2024-09-17 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11031394B1 (en) 2014-01-28 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11107808B1 (en) 2014-01-28 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9935277B2 (en) 2014-01-30 2018-04-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20150227245A1 (en) 2014-02-10 2015-08-13 Polyera Corporation Attachable Device with Flexible Electronic Display Orientation Detection
US9590194B2 (en) 2014-02-14 2017-03-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10003033B2 (en) 2014-02-18 2018-06-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9847497B2 (en) 2014-02-18 2017-12-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10707423B2 (en) 2014-02-21 2020-07-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9502656B2 (en) 2014-02-24 2016-11-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9647217B2 (en) 2014-02-24 2017-05-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10403825B2 (en) 2014-02-27 2019-09-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9673407B2 (en) 2014-02-28 2017-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9590195B2 (en) 2014-02-28 2017-03-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9181270B2 (en) 2014-02-28 2015-11-10 Universal Display Corporation Method of making sulfide compounds
WO2015131158A1 (en) 2014-02-28 2015-09-03 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Chiral metal complexes as emitters for organic polarized electroluminescent devices
US9190620B2 (en) 2014-03-01 2015-11-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2015134017A1 (en) 2014-03-05 2015-09-11 Universal Display Corporation Phosphorescent oled devices
US9853247B2 (en) 2014-03-11 2017-12-26 The Regents Of The University Of Michigan Electrophosphorescent organic light emitting concentrator
US9397309B2 (en) 2014-03-13 2016-07-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent devices
US10208026B2 (en) 2014-03-18 2019-02-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9748504B2 (en) 2014-03-25 2017-08-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10749123B2 (en) 2014-03-27 2020-08-18 Universal Display Corporation Impact resistant OLED devices
US10261634B2 (en) 2014-03-27 2019-04-16 Flexterra, Inc. Infrared touch system for flexible displays
US10910590B2 (en) 2014-03-27 2021-02-02 Universal Display Corporation Hermetically sealed isolated OLED pixels
US9661709B2 (en) 2014-03-28 2017-05-23 Universal Display Corporation Integrated LED/OLED lighting system
KR102151412B1 (ko) * 2014-03-31 2020-10-27 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
US9685622B2 (en) * 2014-03-31 2017-06-20 Lg Display Co., Ltd. White organic light emitting device
US9929353B2 (en) 2014-04-02 2018-03-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9691993B2 (en) 2014-04-09 2017-06-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9331299B2 (en) 2014-04-11 2016-05-03 Universal Display Corporation Efficient white organic light emitting diodes with high color quality
US9847498B2 (en) 2014-04-14 2017-12-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10008679B2 (en) 2014-04-14 2018-06-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9337441B2 (en) 2014-04-15 2016-05-10 Universal Display Corporation OLED lighting panel and methods for fabricating thereof
US10256427B2 (en) 2014-04-15 2019-04-09 Universal Display Corporation Efficient organic electroluminescent devices
US9450198B2 (en) 2014-04-15 2016-09-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9380675B2 (en) 2014-04-17 2016-06-28 Universal Display Corporation Energy saving OLED lighting system and method
US9741941B2 (en) 2014-04-29 2017-08-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9586226B2 (en) 2014-04-30 2017-03-07 Kateeva, Inc. Gas cushion apparatus and techniques for substrate coating
US10457699B2 (en) 2014-05-02 2019-10-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2015171627A1 (en) 2014-05-08 2015-11-12 Universal Display Corporation Stabilized imidazophenanthridine materials
US10636983B2 (en) 2014-05-08 2020-04-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10301338B2 (en) 2014-05-08 2019-05-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10403830B2 (en) 2014-05-08 2019-09-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN106463480B (zh) 2014-05-12 2019-03-15 环球展览公司 屏障组合物和性质
US9572232B2 (en) 2014-05-15 2017-02-14 Universal Display Corporation Biosensing electronic devices
US9640781B2 (en) 2014-05-22 2017-05-02 Universal Display Corporation Devices to increase OLED output coupling efficiency with a high refractive index substrate
US10700134B2 (en) 2014-05-27 2020-06-30 Universal Display Corporation Low power consumption OLED display
WO2015183954A1 (en) 2014-05-27 2015-12-03 Universal Display Corporation High resolution low power consumption oled display with extended lifetime
US9997716B2 (en) 2014-05-27 2018-06-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2015184045A2 (en) 2014-05-28 2015-12-03 Polyera Corporation Device with flexible electronic components on multiple surfaces
US9929365B2 (en) 2014-05-28 2018-03-27 The Regents Of The University Of Michigan Excited state management
WO2015183567A1 (en) 2014-05-28 2015-12-03 Polyera Corporation Low power display updates
US9941479B2 (en) 2014-06-02 2018-04-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate cyclometalated platinum complexes containing 9,10-dihydroacridine and its analogues
US10461260B2 (en) 2014-06-03 2019-10-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11220737B2 (en) 2014-06-25 2022-01-11 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
EP2960059B1 (en) 2014-06-25 2018-10-24 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US11267012B2 (en) 2014-06-25 2022-03-08 Universal Display Corporation Spatial control of vapor condensation using convection
US9911931B2 (en) 2014-06-26 2018-03-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10115930B2 (en) 2014-07-08 2018-10-30 Universal Display Corporation Combined internal and external extraction layers for enhanced light outcoupling for organic light emitting device
US10297762B2 (en) 2014-07-09 2019-05-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10566546B2 (en) 2014-07-14 2020-02-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9929357B2 (en) 2014-07-22 2018-03-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
RU2583267C2 (ru) * 2014-07-23 2016-05-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук Фотолюминесцентный полимерный композиционный материал для светоизлучающих систем
US9923155B2 (en) 2014-07-24 2018-03-20 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum (II) complexes cyclometalated with functionalized phenyl carbene ligands and their analogues
CN106663740B (zh) 2014-07-24 2018-08-14 环球展览公司 具有增强层的oled装置
US9502671B2 (en) 2014-07-28 2016-11-22 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tridentate cyclometalated metal complexes with six-membered coordination rings
US9818959B2 (en) 2014-07-29 2017-11-14 Arizona Board of Regents on behlaf of Arizona State University Metal-assisted delayed fluorescent emitters containing tridentate ligands
TWI662646B (zh) 2014-08-05 2019-06-11 美商因特瓦克公司 植入用遮罩及其對準
US11108000B2 (en) 2014-08-07 2021-08-31 Unniversal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10411200B2 (en) 2014-08-07 2019-09-10 Universal Display Corporation Electroluminescent (2-phenylpyridine)iridium complexes and devices
US9343695B2 (en) 2014-08-13 2016-05-17 Universal Display Corporation Method of fabricating organic light emitting device (OLED) panel of arbitrary shape
US10793546B2 (en) 2014-08-15 2020-10-06 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Non-platinum metal complexes for excimer based single dopant white organic light emitting diodes
US9825243B2 (en) 2014-08-18 2017-11-21 Udc Ireland Limited Methods for fabricating OLEDs on non-uniform substrates and devices made therefrom
WO2016029137A1 (en) 2014-08-22 2016-02-25 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Organic light-emitting diodes with fluorescent and phosphorescent emitters
US9920242B2 (en) 2014-08-22 2018-03-20 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal-assisted delayed fluorescent materials as co-host materials for fluorescent OLEDs
US9583707B2 (en) 2014-09-19 2017-02-28 Universal Display Corporation Micro-nozzle and micro-nozzle array for OVJP and method of manufacturing the same
US10135007B2 (en) 2014-09-29 2018-11-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10043987B2 (en) 2014-09-29 2018-08-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10749113B2 (en) 2014-09-29 2020-08-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9356249B2 (en) 2014-09-30 2016-05-31 Industrial Technology Research Institute Organic electronic device and electric field-induced carrier generation layer
US10361375B2 (en) 2014-10-06 2019-07-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9397302B2 (en) 2014-10-08 2016-07-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10854826B2 (en) 2014-10-08 2020-12-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent compounds, compositions and devices
US10950803B2 (en) 2014-10-13 2021-03-16 Universal Display Corporation Compounds and uses in devices
US9484541B2 (en) 2014-10-20 2016-11-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102299838B1 (ko) * 2014-10-31 2021-09-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법
US10868261B2 (en) 2014-11-10 2020-12-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9865825B2 (en) 2014-11-10 2018-01-09 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Emitters based on octahedral metal complexes
US10033003B2 (en) 2014-11-10 2018-07-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate metal complexes with carbon group bridging ligands
US10411201B2 (en) 2014-11-12 2019-09-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10038151B2 (en) 2014-11-12 2018-07-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9882151B2 (en) 2014-11-14 2018-01-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9871212B2 (en) 2014-11-14 2018-01-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102294413B1 (ko) * 2014-11-18 2021-08-27 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US9761814B2 (en) 2014-11-18 2017-09-12 Universal Display Corporation Organic light-emitting materials and devices
US9741956B2 (en) 2014-11-25 2017-08-22 Industrial Technology Research Institute Organic light-emitting diode apparatus
US10381569B2 (en) 2014-11-25 2019-08-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9444075B2 (en) 2014-11-26 2016-09-13 Universal Display Corporation Emissive display with photo-switchable polarization
US9843024B2 (en) 2014-12-03 2017-12-12 Universal Display Corporation Methods for fabricating OLEDs
US10177126B2 (en) 2014-12-16 2019-01-08 Universal Display Corporation Tunable OLED lighting source
US11145837B2 (en) 2014-12-17 2021-10-12 Universal Display Corporation Color stable organic light emitting diode stack
US10510973B2 (en) 2014-12-17 2019-12-17 Universal Display Corporation Color-stable organic light emitting diode stack
US9450195B2 (en) 2014-12-17 2016-09-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9761842B2 (en) 2014-12-19 2017-09-12 The Regents Of The University Of Michigan Enhancing light extraction of organic light emitting diodes via nanoscale texturing of electrode surfaces
US10636978B2 (en) 2014-12-30 2020-04-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10253252B2 (en) 2014-12-30 2019-04-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9312499B1 (en) 2015-01-05 2016-04-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9406892B2 (en) 2015-01-07 2016-08-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10038167B2 (en) 2015-01-08 2018-07-31 The Regents Of The University Of Michigan Thick-ETL OLEDs with sub-ITO grids with improved outcoupling
DE102015000819A1 (de) * 2015-01-22 2015-12-17 Diehl Aerospace Gmbh Leuchtelement mit mehreren OLEDs, dessen Verwendung und Fahrzeug
US9711730B2 (en) 2015-01-25 2017-07-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10418569B2 (en) 2015-01-25 2019-09-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN105826478B (zh) * 2015-01-26 2018-01-16 财团法人工业技术研究院 发光元件
TWI543423B (zh) 2015-01-26 2016-07-21 財團法人工業技術研究院 發光元件
TWI596816B (zh) * 2015-03-10 2017-08-21 財團法人工業技術研究院 發光元件
US10355222B2 (en) 2015-02-06 2019-07-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10418562B2 (en) 2015-02-06 2019-09-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10644247B2 (en) 2015-02-06 2020-05-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10177316B2 (en) 2015-02-09 2019-01-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10144867B2 (en) 2015-02-13 2018-12-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680183B2 (en) 2015-02-15 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9929361B2 (en) 2015-02-16 2018-03-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2016138356A1 (en) 2015-02-26 2016-09-01 Polyera Corporation Attachable device having a flexible electronic component
US11056657B2 (en) 2015-02-27 2021-07-06 University Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10600966B2 (en) 2015-02-27 2020-03-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10686143B2 (en) 2015-03-05 2020-06-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10270046B2 (en) 2015-03-06 2019-04-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102354019B1 (ko) 2015-03-06 2022-01-21 유니버셜 디스플레이 코포레이션 고효율 oled 소자를 위한 신규 기판 및 공정
US9780316B2 (en) 2015-03-16 2017-10-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9911928B2 (en) 2015-03-19 2018-03-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9871214B2 (en) 2015-03-23 2018-01-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10529931B2 (en) 2015-03-24 2020-01-07 Universal Display Corporation Organic Electroluminescent materials and devices
US10297770B2 (en) 2015-03-27 2019-05-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10147360B2 (en) 2015-03-31 2018-12-04 Universal Display Corporation Rugged display device architecture
KR20170117591A (ko) * 2015-03-31 2017-10-23 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. Oled 조명 적용을 위한 다기능성 기판
US11495749B2 (en) 2015-04-06 2022-11-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20160293855A1 (en) 2015-04-06 2016-10-06 Universal Display Corporation Organic Electroluminescent Materials and Devices
US11818949B2 (en) 2015-04-06 2023-11-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11011507B1 (en) 2015-04-19 2021-05-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10825779B2 (en) 2015-04-19 2020-11-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11056468B1 (en) 2015-04-19 2021-07-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10381328B2 (en) 2015-04-19 2019-08-13 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9899457B2 (en) 2015-04-24 2018-02-20 Universal Display Corporation Flexible OLED display having increased lifetime
CN107810083A (zh) 2015-04-28 2018-03-16 康宁股份有限公司 使用出口牺牲覆盖层在衬底中激光钻取通孔的工件和方法
KR102584846B1 (ko) 2015-05-05 2023-10-04 유니버셜 디스플레이 코포레이션 유기 전계발광 재료 및 디바이스
US10254795B2 (en) 2015-05-06 2019-04-09 Flexterra, Inc. Attachable, flexible display device with flexible tail
US10777749B2 (en) 2015-05-07 2020-09-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10403826B2 (en) 2015-05-07 2019-09-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9478758B1 (en) 2015-05-08 2016-10-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9859510B2 (en) 2015-05-15 2018-01-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10109799B2 (en) 2015-05-21 2018-10-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10256411B2 (en) 2015-05-21 2019-04-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10033004B2 (en) 2015-06-01 2018-07-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10418568B2 (en) 2015-06-01 2019-09-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9711739B2 (en) 2015-06-02 2017-07-18 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate metal complexes containing indoloacridine and its analogues
US9879039B2 (en) 2015-06-03 2018-01-30 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate and octahedral metal complexes containing naphthyridinocarbazole and its analogues
US11925102B2 (en) 2015-06-04 2024-03-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10818853B2 (en) 2015-06-04 2020-10-27 University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US10243162B2 (en) 2015-06-17 2019-03-26 Universal Display Corporation Close illumination system
US9978965B2 (en) 2015-06-17 2018-05-22 Universal Display Corporation Rollable OLED display
US9947895B2 (en) 2015-06-17 2018-04-17 Universal Display Corporation Flexible AMOLED display
US9496523B1 (en) 2015-06-19 2016-11-15 Universal Display Corporation Devices and methods to improve light outcoupling from an OLED array
US10825997B2 (en) 2015-06-25 2020-11-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10686159B2 (en) 2015-06-26 2020-06-16 Universal Display Corporation OLED devices having improved efficiency
US10873036B2 (en) 2015-07-07 2020-12-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9899631B2 (en) 2015-07-08 2018-02-20 Universal Display Corporation Flexible multilayer scattering substrate used in OLED
US9978956B2 (en) 2015-07-15 2018-05-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11127905B2 (en) 2015-07-29 2021-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11018309B2 (en) 2015-08-03 2021-05-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10158091B2 (en) 2015-08-04 2018-12-18 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum (II) and palladium (II) complexes, devices, and uses thereof
US11522140B2 (en) 2015-08-17 2022-12-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10522769B2 (en) 2015-08-18 2019-12-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11956952B2 (en) 2015-08-23 2024-04-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US9947728B2 (en) 2015-08-25 2018-04-17 Universal Display Corporation Hybrid MEMS OLED display
US10211411B2 (en) 2015-08-25 2019-02-19 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Thermally activated delayed fluorescent material based on 9,10-dihydro-9,9-dimethylacridine analogues for prolonging device longevity
US10181564B2 (en) 2015-08-26 2019-01-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10672996B2 (en) 2015-09-03 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11706972B2 (en) 2015-09-08 2023-07-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11302872B2 (en) 2015-09-09 2022-04-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9818804B2 (en) 2015-09-18 2017-11-14 Universal Display Corporation Hybrid display
US10263050B2 (en) 2015-09-18 2019-04-16 Universal Display Corporation Hybrid display
US12250830B2 (en) 2015-09-21 2025-03-11 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory devices and structures
US12178055B2 (en) 2015-09-21 2024-12-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory devices and structures
US12477752B2 (en) 2015-09-21 2025-11-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory devices and structures
US11937422B2 (en) 2015-11-07 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US12100658B2 (en) 2015-09-21 2024-09-24 Monolithic 3D Inc. Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure
US11114427B2 (en) 2015-11-07 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor processor and memory device and structure
WO2017053329A1 (en) 2015-09-21 2017-03-30 Monolithic 3D Inc 3d semiconductor device and structure
US10770664B2 (en) 2015-09-21 2020-09-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11978731B2 (en) 2015-09-21 2024-05-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce a multi-level semiconductor memory device and structure
US20170092880A1 (en) 2015-09-25 2017-03-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10593892B2 (en) 2015-10-01 2020-03-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10847728B2 (en) 2015-10-01 2020-11-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10522225B1 (en) 2015-10-02 2019-12-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device with non-volatile memory
US10991895B2 (en) 2015-10-06 2021-04-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102406606B1 (ko) * 2015-10-08 2022-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 이의 제조 방법
US10566534B2 (en) 2015-10-12 2020-02-18 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP)
US12382777B2 (en) 2015-10-12 2025-08-05 The Regents Of The University Of Michigan Organic light emitting diode having a mixed blocking layer
US10704144B2 (en) 2015-10-12 2020-07-07 Universal Display Corporation Apparatus and method for printing multilayer organic thin films from vapor phase in an ultra-pure gas ambient
US11296115B1 (en) 2015-10-24 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10418369B2 (en) 2015-10-24 2019-09-17 Monolithic 3D Inc. Multi-level semiconductor memory device and structure
US12219769B2 (en) 2015-10-24 2025-02-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US10847540B2 (en) 2015-10-24 2020-11-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11114464B2 (en) 2015-10-24 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US12016181B2 (en) 2015-10-24 2024-06-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US12120880B1 (en) 2015-10-24 2024-10-15 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US12035531B2 (en) 2015-10-24 2024-07-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US11991884B1 (en) 2015-10-24 2024-05-21 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US10177318B2 (en) 2015-10-29 2019-01-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10388893B2 (en) 2015-10-29 2019-08-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10388892B2 (en) 2015-10-29 2019-08-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN106710524A (zh) * 2015-11-13 2017-05-24 小米科技有限责任公司 Oled面板、终端及感光控制方法
US10290816B2 (en) 2015-11-16 2019-05-14 The Regents Of The University Of Michigan Organic electroluminescent materials and devices
US10998507B2 (en) 2015-11-23 2021-05-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10476010B2 (en) 2015-11-30 2019-11-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN108431981B (zh) 2015-12-16 2022-05-24 Oti领英有限公司 用于光电子器件的屏障涂层
US11024808B2 (en) 2015-12-29 2021-06-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10957861B2 (en) 2015-12-29 2021-03-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10135006B2 (en) 2016-01-04 2018-11-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP6788314B2 (ja) 2016-01-06 2020-11-25 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置
US10707427B2 (en) 2016-02-09 2020-07-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20170229663A1 (en) 2016-02-09 2017-08-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10457864B2 (en) 2016-02-09 2019-10-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10600967B2 (en) 2016-02-18 2020-03-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
TWI573493B (zh) 2016-02-19 2017-03-01 財團法人工業技術研究院 發光元件
US10170701B2 (en) 2016-03-04 2019-01-01 Universal Display Corporation Controlled deposition of materials using a differential pressure regime
US11094891B2 (en) 2016-03-16 2021-08-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9692955B1 (en) 2016-03-21 2017-06-27 Universal Display Corporation Flash optimized using OLED display
KR102513080B1 (ko) * 2016-04-04 2023-03-24 삼성전자주식회사 Led 광원 모듈 및 디스플레이 장치
US10276809B2 (en) 2016-04-05 2019-04-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11014386B2 (en) 2016-04-11 2021-05-25 Universal Display Corporation Actuation mechanism for accurately controlling distance in OVJP printing
US11168391B2 (en) 2016-04-11 2021-11-09 Universal Display Corporation Nozzle exit contours for pattern composition
US10236456B2 (en) 2016-04-11 2019-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10566552B2 (en) 2016-04-13 2020-02-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11335865B2 (en) 2016-04-15 2022-05-17 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University OLED with multi-emissive material layer
US11228003B2 (en) 2016-04-22 2022-01-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10483498B2 (en) 2016-04-22 2019-11-19 Universal Display Corporation High efficiency vapor transport sublimation source using baffles coated with source material
US11081647B2 (en) 2016-04-22 2021-08-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11228002B2 (en) 2016-04-22 2022-01-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
RU2631015C1 (ru) * 2016-04-29 2017-09-15 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" Высоковольтное органическое люминесцентное устройство
US20170324049A1 (en) 2016-05-05 2017-11-09 Universal Display Corporation Organic Electroluminescent Materials and Devices
US10522776B2 (en) 2016-05-23 2019-12-31 Universal Display Corporation OLED device structures
US10985328B2 (en) 2016-05-25 2021-04-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10460663B2 (en) 2016-05-31 2019-10-29 Universal Display Corporation Architecture for very high resolution AMOLED display backplane
US10468609B2 (en) 2016-06-02 2019-11-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2017214469A1 (en) * 2016-06-10 2017-12-14 University Of Pittsburgh-Of The Commonwealth System Of Higher Education Optically transparent polymeric actuator and display apparatus employing same
US10672997B2 (en) 2016-06-20 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10686140B2 (en) 2016-06-20 2020-06-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11482683B2 (en) 2016-06-20 2022-10-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10651403B2 (en) 2016-06-20 2020-05-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10862054B2 (en) 2016-06-20 2020-12-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10727423B2 (en) 2016-06-20 2020-07-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN105914279A (zh) * 2016-06-28 2016-08-31 无锡宏纳科技有限公司 一种底部发光的二极管
US10957866B2 (en) 2016-06-30 2021-03-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9929360B2 (en) 2016-07-08 2018-03-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680184B2 (en) 2016-07-11 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10153443B2 (en) 2016-07-19 2018-12-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10720587B2 (en) 2016-07-19 2020-07-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10756141B2 (en) 2016-07-28 2020-08-25 Universal Display Corporation Very high resolution stacked OLED display
CN112941465A (zh) 2016-07-29 2021-06-11 环球展览公司 沉积喷嘴
US10229960B2 (en) 2016-08-02 2019-03-12 Universal Display Corporation OLED displays with variable display regions
US10483489B2 (en) 2016-08-12 2019-11-19 Universal Display Corporation Integrated circular polarizer and permeation barrier for flexible OLEDs
US10205105B2 (en) 2016-08-15 2019-02-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2018033860A1 (en) 2016-08-15 2018-02-22 Oti Lumionics Inc. Light transmissive electrode for light emitting devices
US10177323B2 (en) 2016-08-22 2019-01-08 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum (II) and palladium (II) complexes and octahedral iridium complexes employing azepine functional groups and their analogues
US10608186B2 (en) 2016-09-14 2020-03-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10505127B2 (en) 2016-09-19 2019-12-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680187B2 (en) 2016-09-23 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11127906B2 (en) 2016-10-03 2021-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11081658B2 (en) 2016-10-03 2021-08-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11189804B2 (en) 2016-10-03 2021-11-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11183642B2 (en) 2016-10-03 2021-11-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20180097202A1 (en) 2016-10-03 2018-04-05 Regents Of The University Of Michigan Enhanced oled outcoupling by suppressing surface plasmon modes
US11196010B2 (en) 2016-10-03 2021-12-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11011709B2 (en) 2016-10-07 2021-05-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11812620B2 (en) 2016-10-10 2023-11-07 Monolithic 3D Inc. 3D DRAM memory devices and structures with control circuits
US11869591B2 (en) 2016-10-10 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11711928B2 (en) 2016-10-10 2023-07-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11930648B1 (en) 2016-10-10 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with metal layers
US11251149B2 (en) 2016-10-10 2022-02-15 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US11329059B1 (en) 2016-10-10 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with thinned single crystal substrates
US12225704B2 (en) 2016-10-10 2025-02-11 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with memory arrays and metal layers
US10822363B2 (en) 2016-10-12 2020-11-03 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Narrow band red phosphorescent tetradentate platinum (II) complexes
US11239432B2 (en) 2016-10-14 2022-02-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10608185B2 (en) 2016-10-17 2020-03-31 Univeral Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11751426B2 (en) 2016-10-18 2023-09-05 Universal Display Corporation Hybrid thin film permeation barrier and method of making the same
US10236458B2 (en) 2016-10-24 2019-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12317745B2 (en) 2016-11-09 2025-05-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10340464B2 (en) 2016-11-10 2019-07-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680188B2 (en) 2016-11-11 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10897016B2 (en) 2016-11-14 2021-01-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10964893B2 (en) 2016-11-17 2021-03-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10662196B2 (en) 2016-11-17 2020-05-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10833276B2 (en) 2016-11-21 2020-11-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10153445B2 (en) 2016-11-21 2018-12-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11223032B2 (en) 2016-11-29 2022-01-11 Universal Display Corporation Thin film barrier structure
US11555048B2 (en) 2016-12-01 2023-01-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11545636B2 (en) 2016-12-15 2023-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10490753B2 (en) 2016-12-15 2019-11-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11548905B2 (en) 2016-12-15 2023-01-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11183670B2 (en) 2016-12-16 2021-11-23 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Organic light emitting diode with split emissive layer
US10811618B2 (en) 2016-12-19 2020-10-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11152579B2 (en) 2016-12-28 2021-10-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20180190915A1 (en) 2017-01-03 2018-07-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10783823B2 (en) 2017-01-04 2020-09-22 Universal Display Corporation OLED device with controllable brightness
US11201298B2 (en) 2017-01-09 2021-12-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11780865B2 (en) 2017-01-09 2023-10-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10804475B2 (en) 2017-01-11 2020-10-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11545637B2 (en) 2017-01-13 2023-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10629820B2 (en) 2017-01-18 2020-04-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10964904B2 (en) 2017-01-20 2021-03-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11053268B2 (en) 2017-01-20 2021-07-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11765968B2 (en) 2017-01-23 2023-09-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11050028B2 (en) 2017-01-24 2021-06-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2018140765A1 (en) 2017-01-27 2018-08-02 Jian Li Metal-assisted delayed fluorescent emitters employing pyrido-pyrrolo-acridine and analogues
US12089486B2 (en) 2017-02-08 2024-09-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10978647B2 (en) 2017-02-15 2021-04-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10822361B2 (en) 2017-02-22 2020-11-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10745431B2 (en) 2017-03-08 2020-08-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10741780B2 (en) 2017-03-10 2020-08-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10672998B2 (en) 2017-03-23 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10910577B2 (en) 2017-03-28 2021-02-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10873037B2 (en) 2017-03-28 2020-12-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10844085B2 (en) 2017-03-29 2020-11-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11056658B2 (en) 2017-03-29 2021-07-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11158820B2 (en) 2017-03-29 2021-10-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10862046B2 (en) 2017-03-30 2020-12-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11139443B2 (en) 2017-03-31 2021-10-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11276829B2 (en) 2017-03-31 2022-03-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10777754B2 (en) 2017-04-11 2020-09-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11038117B2 (en) 2017-04-11 2021-06-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2018187966A1 (en) * 2017-04-12 2018-10-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Stacked organic light emitting apparatus, organic light emitting diode display apparatus, and method of fabricating a stacked organic light emitting apparatus
US10975113B2 (en) 2017-04-21 2021-04-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11101434B2 (en) 2017-04-21 2021-08-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11084838B2 (en) 2017-04-21 2021-08-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and device
US11038137B2 (en) 2017-04-28 2021-06-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10910570B2 (en) 2017-04-28 2021-02-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11117897B2 (en) 2017-05-01 2021-09-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10941170B2 (en) 2017-05-03 2021-03-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11201299B2 (en) 2017-05-04 2021-12-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10870668B2 (en) 2017-05-05 2020-12-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20180323373A1 (en) 2017-05-05 2018-11-08 Universal Display Corporation Capacitive sensor for positioning in ovjp printing
US10862055B2 (en) 2017-05-05 2020-12-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10818840B2 (en) 2017-05-05 2020-10-27 Universal Display Corporation Segmented print bar for large-area OVJP deposition
CN108865819A (zh) * 2017-05-08 2018-11-23 广州康昕瑞基因健康科技有限公司 基因测序反应小室
US10930864B2 (en) 2017-05-10 2021-02-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10944060B2 (en) 2017-05-11 2021-03-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10822362B2 (en) 2017-05-11 2020-11-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
RU2657497C1 (ru) * 2017-05-12 2018-06-14 Сиа Эволед Способ получения эмиссионного слоя на основе соединений редкоземельных элементов и органический светоизлучающий диод
US10840459B2 (en) 2017-05-18 2020-11-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10944062B2 (en) 2017-05-18 2021-03-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10790455B2 (en) 2017-05-18 2020-09-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11038115B2 (en) 2017-05-18 2021-06-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and device
US10934293B2 (en) 2017-05-18 2021-03-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10615349B2 (en) 2017-05-19 2020-04-07 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Donor-acceptor type thermally activated delayed fluorescent materials based on imidazo[1,2-F]phenanthridine and analogues
US11101435B2 (en) 2017-05-19 2021-08-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum and palladium complexes based on biscarbazole and analogues
US10516117B2 (en) 2017-05-19 2019-12-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal-assisted delayed fluorescent emttters employing benzo-imidazo-phenanthridine and analogues
US11946131B2 (en) 2017-05-26 2024-04-02 Universal Display Corporation Sublimation cell with time stability of output vapor pressure
US11201288B2 (en) 2017-05-26 2021-12-14 Universal Display Corporation Generalized organic vapor jet depositor capable of high resolution printing and method for OVJP printing
US10930862B2 (en) 2017-06-01 2021-02-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11725022B2 (en) 2017-06-23 2023-08-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10968226B2 (en) 2017-06-23 2021-04-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11495757B2 (en) 2017-06-23 2022-11-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11802136B2 (en) 2017-06-23 2023-10-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11814403B2 (en) 2017-06-23 2023-11-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11552261B2 (en) 2017-06-23 2023-01-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11608321B2 (en) 2017-06-23 2023-03-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11678565B2 (en) 2017-06-23 2023-06-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12098157B2 (en) 2017-06-23 2024-09-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11832510B2 (en) 2017-06-23 2023-11-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11758804B2 (en) 2017-06-23 2023-09-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11174259B2 (en) 2017-06-23 2021-11-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3425690B1 (en) * 2017-07-03 2025-06-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting device
US11469382B2 (en) 2017-07-12 2022-10-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11968883B2 (en) 2017-07-26 2024-04-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11765970B2 (en) 2017-07-26 2023-09-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11322691B2 (en) 2017-07-26 2022-05-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11239433B2 (en) 2017-07-26 2022-02-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11917843B2 (en) 2017-07-26 2024-02-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11228010B2 (en) 2017-07-26 2022-01-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11678499B2 (en) 2017-07-27 2023-06-13 Universal Display Corporation Use of singlet-triplet gap hosts for increasing stability of blue phosphorescent emission
US11744141B2 (en) 2017-08-09 2023-08-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11349083B2 (en) 2017-08-10 2022-05-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11744142B2 (en) 2017-08-10 2023-08-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11910699B2 (en) 2017-08-10 2024-02-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11508913B2 (en) 2017-08-10 2022-11-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11723269B2 (en) 2017-08-22 2023-08-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10998506B2 (en) 2017-08-22 2021-05-04 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Boron containing heterocyclic compound for OLEDs, an organic light-emitting device, and a formulation comprising the boron-containing heterocyclic compound
US11462697B2 (en) 2017-08-22 2022-10-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11437591B2 (en) 2017-08-24 2022-09-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10600981B2 (en) 2017-08-24 2020-03-24 Universal Display Corporation Exciplex-sensitized fluorescence light emitting system
KR20250016465A (ko) 2017-08-25 2025-02-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 패널 및 표시 장치
US11605791B2 (en) 2017-09-01 2023-03-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11839147B2 (en) 2017-09-04 2023-12-05 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Hole injection layer and charge generation layer containing a truxene based compound
US11696492B2 (en) 2017-09-07 2023-07-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11444249B2 (en) 2017-09-07 2022-09-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11424420B2 (en) 2017-09-07 2022-08-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10608188B2 (en) 2017-09-11 2020-03-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11177446B2 (en) 2017-09-14 2021-11-16 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Silicon containing organic fluorescent materials
US11778897B2 (en) 2017-09-20 2023-10-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12389791B2 (en) 2017-09-21 2025-08-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN109575083A (zh) 2017-09-29 2019-04-05 北京夏禾科技有限公司 含环烷基辅助配体的有机发光材料
US10923660B2 (en) 2017-09-29 2021-02-16 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Liquid formulation and a method for making electronic devices by solution process
US11325934B2 (en) 2017-09-29 2022-05-10 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic luminescent materials containing tetraphenylene ligands
US12459946B2 (en) 2017-10-05 2025-11-04 Universal Display Corporation Organic host materials for electroluminescent devices
CN109651065B (zh) 2017-10-12 2022-11-29 北京夏禾科技有限公司 四邻亚苯蒽化合物
US11647643B2 (en) 2017-10-17 2023-05-09 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Hole-blocking materials for organic light emitting diodes
WO2019079508A2 (en) 2017-10-17 2019-04-25 Jian Li PREFERRED MOLECULAR ORIENTATED PHOSPHORESCENT EXCIMERS AS MONOCHROMATIC TRANSMITTERS FOR DISPLAY AND LIGHTING APPLICATIONS
US10978645B2 (en) 2017-10-20 2021-04-13 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Indolocarbazole tetraphenylene compounds
US11214587B2 (en) 2017-11-07 2022-01-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11910702B2 (en) 2017-11-07 2024-02-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent devices
US11183646B2 (en) 2017-11-07 2021-11-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11349081B2 (en) 2017-11-14 2022-05-31 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Azaindolocarbazole compounds
US10770690B2 (en) 2017-11-15 2020-09-08 The Regents Of The University Of Michigan OLED with minimal plasmonic losses
US11168103B2 (en) 2017-11-17 2021-11-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11362311B2 (en) 2017-11-17 2022-06-14 The Regents Of The University Of Michigan Sub-electrode microlens array for organic light emitting devices
US12289984B2 (en) 2017-11-17 2025-04-29 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Metal complex containing azabenzothiazole
US11362310B2 (en) 2017-11-20 2022-06-14 The Regents Of The University Of Michigan Organic light-emitting devices using a low refractive index dielectric
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US12100696B2 (en) 2017-11-27 2024-09-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode for display and display apparatus having the same
US10777125B2 (en) 2017-11-27 2020-09-15 Universal Display Corporation Multi-mode OLED display
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US11282981B2 (en) 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US11825735B2 (en) 2017-11-28 2023-11-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10770673B2 (en) 2017-11-28 2020-09-08 The Regents Of The University Of Michigan Highly reliable stacked white organic light emitting device
US12180230B2 (en) 2017-11-28 2024-12-31 University Of Southern California Carbene compounds and organic electroluminescent devices
EP3492480B1 (en) 2017-11-29 2021-10-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11937503B2 (en) 2017-11-30 2024-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10431631B2 (en) * 2017-12-04 2019-10-01 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Stacked OLED device and method of making the same
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11145692B2 (en) 2017-12-12 2021-10-12 Universal Display Corporation Hybrid wearable organic light emitting diode (OLED) illumination devices
US10998531B2 (en) 2017-12-12 2021-05-04 Universal Display Corporation Segmented OVJP print bar
US11139444B2 (en) 2017-12-12 2021-10-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent devices containing a near-infrared down-conversion layer
US11897896B2 (en) 2017-12-13 2024-02-13 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent materials and devices
US11466026B2 (en) 2017-12-13 2022-10-11 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent materials and devices
US11466009B2 (en) 2017-12-13 2022-10-11 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent materials and devices
CN119504783A (zh) 2017-12-13 2025-02-25 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料和器件
US11233205B2 (en) 2017-12-14 2022-01-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12075690B2 (en) 2017-12-14 2024-08-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11233204B2 (en) 2017-12-14 2022-01-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10971687B2 (en) 2017-12-14 2021-04-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US10992252B2 (en) 2017-12-19 2021-04-27 Universal Display Corporation Integrated photovoltaic window and light source
CN109928885B (zh) 2017-12-19 2022-11-29 北京夏禾科技有限公司 四邻亚苯三芳胺化合物
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11239430B2 (en) 2018-01-05 2022-02-01 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Boron and nitrogen containing heterocyclic compounds
US11081659B2 (en) 2018-01-10 2021-08-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11700765B2 (en) 2018-01-10 2023-07-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11271177B2 (en) 2018-01-11 2022-03-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11108027B2 (en) 2018-01-11 2021-08-31 Universal Display Corporation Printed metal gasket
US11515493B2 (en) 2018-01-11 2022-11-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11588140B2 (en) 2018-01-12 2023-02-21 Universal Display Corporation Organic vapor jet print head for depositing thin film features with high thickness uniformity
US10654272B2 (en) 2018-01-12 2020-05-19 Universal Display Corporation Valved micronozzle array for high temperature MEMS application
US11367840B2 (en) 2018-01-26 2022-06-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11845764B2 (en) 2018-01-26 2023-12-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11542289B2 (en) 2018-01-26 2023-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12029055B2 (en) 2018-01-30 2024-07-02 The University Of Southern California OLED with hybrid emissive layer
US11033924B2 (en) 2018-01-31 2021-06-15 Universal Display Corporation Organic vapor jet print head with orthogonal delivery and exhaust channels
US11342509B2 (en) 2018-02-09 2022-05-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11239434B2 (en) 2018-02-09 2022-02-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11180519B2 (en) 2018-02-09 2021-11-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11957050B2 (en) 2018-02-09 2024-04-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11104988B2 (en) 2018-02-22 2021-08-31 Universal Display Corporation Modular confined organic print head and system
US11362306B2 (en) * 2018-03-06 2022-06-14 Sony Semiconductor Solutions Corporation Light emitting element unit
US12037348B2 (en) 2018-03-09 2024-07-16 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Blue and narrow band green and red emitting metal complexes
US11217757B2 (en) 2018-03-12 2022-01-04 Universal Display Corporation Host materials for electroluminescent devices
US11557733B2 (en) 2018-03-12 2023-01-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11142538B2 (en) 2018-03-12 2021-10-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11279722B2 (en) 2018-03-12 2022-03-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11165028B2 (en) 2018-03-12 2021-11-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10916704B2 (en) 2018-04-03 2021-02-09 Universal Display Corporation Vapor jet printing
US11062205B2 (en) 2018-04-06 2021-07-13 Universal Display Corporation Hybrid neuromorphic computing display
US11038121B2 (en) 2018-04-09 2021-06-15 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. 9 membered ring carbazole compounds
US11882759B2 (en) 2018-04-13 2024-01-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11390639B2 (en) 2018-04-13 2022-07-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11616203B2 (en) 2018-04-17 2023-03-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11753427B2 (en) 2018-05-04 2023-09-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11342513B2 (en) 2018-05-04 2022-05-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11515494B2 (en) 2018-05-04 2022-11-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11793073B2 (en) 2018-05-06 2023-10-17 Universal Display Corporation Host materials for electroluminescent devices
US11552278B2 (en) 2018-05-08 2023-01-10 Universal Display Corporation Integrated photobiomodulation device
GB201808439D0 (en) 2018-05-23 2018-07-11 Savvy Science Ltd Stacked perovskite light emitting device
US11450822B2 (en) 2018-05-25 2022-09-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11459349B2 (en) 2018-05-25 2022-10-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11716900B2 (en) 2018-05-30 2023-08-01 Universal Display Corporation Host materials for electroluminescent devices
US11404653B2 (en) 2018-06-04 2022-08-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11925103B2 (en) 2018-06-05 2024-03-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11339182B2 (en) 2018-06-07 2022-05-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11121320B2 (en) 2018-06-18 2021-09-14 Universal Display Corporation Organic vapor jet print head with redundant groups of depositors
US11552159B2 (en) 2018-06-18 2023-01-10 Universal Display Corporation OLED display with all organic thin film layers patterned
US20190386256A1 (en) 2018-06-18 2019-12-19 Universal Display Corporation Sequential material sources for thermally challenged OLED materials
US11228004B2 (en) 2018-06-22 2022-01-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11261207B2 (en) 2018-06-25 2022-03-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11753425B2 (en) 2018-07-11 2023-09-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12378197B2 (en) 2018-07-13 2025-08-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2020018476A1 (en) 2018-07-16 2020-01-23 Jian Li Fluorinated porphyrin derivatives for optoelectronic applications
US10797112B2 (en) 2018-07-25 2020-10-06 Universal Display Corporation Energy efficient OLED TV
US12453279B2 (en) 2018-08-22 2025-10-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11233203B2 (en) 2018-09-06 2022-01-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12171137B2 (en) 2018-09-10 2024-12-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11485706B2 (en) 2018-09-11 2022-11-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11718634B2 (en) 2018-09-14 2023-08-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN110903321B (zh) 2018-09-15 2023-12-12 北京夏禾科技有限公司 含有氟取代的金属配合物
CN113169289A (zh) 2018-09-17 2021-07-23 佩罗莱德有限公司 通过喷墨印刷制造钙钛矿发光器件的方法
CN109244259A (zh) * 2018-09-18 2019-01-18 厦门多彩光电子科技有限公司 一种qd-led封装体及其制作方法
US11903305B2 (en) 2018-09-24 2024-02-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10879487B2 (en) 2018-10-04 2020-12-29 Universal Display Corporation Wearable OLED illumination device
US11469383B2 (en) 2018-10-08 2022-10-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11495752B2 (en) 2018-10-08 2022-11-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11476430B2 (en) 2018-10-15 2022-10-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
TWI692471B (zh) 2018-10-23 2020-05-01 昱鐳光電科技股份有限公司 苯基聯苯嘧啶類化合物及其有機電激發光元件
US11515482B2 (en) 2018-10-23 2022-11-29 Universal Display Corporation Deep HOMO (highest occupied molecular orbital) emitter device structures
CN111087416B (zh) 2018-10-24 2024-05-14 北京夏禾科技有限公司 含硅的电子传输材料及其应用
US11469384B2 (en) 2018-11-02 2022-10-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11825736B2 (en) 2018-11-19 2023-11-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11963441B2 (en) 2018-11-26 2024-04-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11672165B2 (en) 2018-11-28 2023-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11672176B2 (en) 2018-11-28 2023-06-06 Universal Display Corporation Host materials for electroluminescent devices
US11716899B2 (en) 2018-11-28 2023-08-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11889708B2 (en) 2019-11-14 2024-01-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11690285B2 (en) 2018-11-28 2023-06-27 Universal Display Corporation Electroluminescent devices
US11515489B2 (en) 2018-11-28 2022-11-29 Universal Display Corporation Host materials for electroluminescent devices
US11201313B2 (en) 2018-11-29 2021-12-14 Universal Display Corporation Enhanced outcoupling from surface plasmon modes in corrugated OLEDs
US11217762B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Universal Display Corporation Surface-plasmon-pumped light emitting devices
US11623936B2 (en) 2018-12-11 2023-04-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12281129B2 (en) 2018-12-12 2025-04-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11737349B2 (en) 2018-12-12 2023-08-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11834459B2 (en) 2018-12-12 2023-12-05 Universal Display Corporation Host materials for electroluminescent devices
US12167673B2 (en) 2018-12-19 2024-12-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102720125B1 (ko) * 2018-12-27 2024-10-18 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN109768175A (zh) * 2019-01-09 2019-05-17 泉州市康电光电科技有限公司 一种qled的新型封装方法
RU194965U1 (ru) * 2019-01-10 2020-01-09 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Курская государственная сельскохозяйственная академия имени И.И. Иванова" Светодиодный осветительный прибор с цветными светодиодами
US11895853B2 (en) 2019-01-17 2024-02-06 The Regents Of The University Of Michigan Organic photovoltaic device having a lateral charge transport channel
US11088325B2 (en) 2019-01-18 2021-08-10 Universal Display Corporation Organic vapor jet micro-print head with multiple gas distribution orifice plates
US11878988B2 (en) 2019-01-24 2024-01-23 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Blue phosphorescent emitters employing functionalized imidazophenthridine and analogues
US11594691B2 (en) 2019-01-25 2023-02-28 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Light outcoupling efficiency of phosphorescent OLEDs by mixing horizontally aligned fluorescent emitters
US11349099B2 (en) 2019-01-25 2022-05-31 The Regents Of The University Of Michigan Method of fabricating a light emitting device having a polymer film with a specified surface rouggness
US11342526B2 (en) 2019-01-29 2022-05-24 The Regents Of The University Of Michigan Hybrid organic light emitting device
US11812624B2 (en) 2019-01-30 2023-11-07 The University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US11780829B2 (en) 2019-01-30 2023-10-10 The University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US11683973B2 (en) 2019-01-31 2023-06-20 Universal Display Corporation Use of thin film metal with stable native oxide for solder wetting control
CN111518139B (zh) 2019-02-01 2023-12-12 北京夏禾科技有限公司 一种含有氰基取代配体的有机发光材料
US12477890B2 (en) 2019-02-01 2025-11-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12137605B2 (en) 2019-02-08 2024-11-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11370809B2 (en) 2019-02-08 2022-06-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11325932B2 (en) 2019-02-08 2022-05-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11773320B2 (en) 2019-02-21 2023-10-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11557738B2 (en) 2019-02-22 2023-01-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11871653B2 (en) 2019-02-22 2024-01-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12250872B2 (en) 2019-02-22 2025-03-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN111620853B (zh) 2019-02-28 2023-07-28 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料及其器件
US11512093B2 (en) 2019-03-04 2022-11-29 Universal Display Corporation Compound used for organic light emitting device (OLED), consumer product and formulation
US11739081B2 (en) 2019-03-11 2023-08-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11245086B2 (en) 2019-03-12 2022-02-08 Universal Display Corporation Nano-objects for purcell enhancement, out-coupling and engineering radiation pattern
US11569480B2 (en) 2019-03-12 2023-01-31 Universal Display Corporation Plasmonic OLEDs and vertical dipole emitters
US12082428B2 (en) 2019-03-12 2024-09-03 Universal Display Corporation OLED with triplet emitter and excited state lifetime less than 200 ns
US11056540B2 (en) 2019-03-12 2021-07-06 Universal Display Corporation Plasmonic PHOLED arrangement for displays
US11637261B2 (en) 2019-03-12 2023-04-25 Universal Display Corporation Nanopatch antenna outcoupling structure for use in OLEDs
US12082439B2 (en) 2019-03-12 2024-09-03 Universal Display Corporation Purcell enhancement via Tamm plasmon stack in OLED structures
US11139442B2 (en) 2019-03-12 2021-10-05 Universal Display Corporation Nanopatch antenna outcoupling structure for use in OLEDs
US11380863B2 (en) * 2019-03-19 2022-07-05 Nanosys, Inc. Flexible electroluminescent devices
US11552247B2 (en) 2019-03-20 2023-01-10 The Regents Of The University Of Michigan Organic vapor jet nozzle with shutter
US11963438B2 (en) 2019-03-26 2024-04-16 The University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
JP2020158491A (ja) 2019-03-26 2020-10-01 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス
US12122793B2 (en) 2019-03-27 2024-10-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12240865B2 (en) 2019-03-27 2025-03-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11222928B2 (en) 2019-04-01 2022-01-11 Universal Display Corporation Display architecture with reduced number of data line connections
US10892016B1 (en) 2019-04-08 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11763864B2 (en) 2019-04-08 2023-09-19 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars
US11296106B2 (en) 2019-04-08 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11018156B2 (en) 2019-04-08 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11158652B1 (en) 2019-04-08 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11639363B2 (en) 2019-04-22 2023-05-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12075691B2 (en) 2019-04-30 2024-08-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11613550B2 (en) 2019-04-30 2023-03-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices comprising benzimidazole-containing metal complexes
US11495756B2 (en) 2019-05-07 2022-11-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11560398B2 (en) 2019-05-07 2023-01-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN118063520A (zh) 2019-05-09 2024-05-24 北京夏禾科技有限公司 一种含有3-氘取代异喹啉配体的有机发光材料
CN111909212B (zh) 2019-05-09 2023-12-26 北京夏禾科技有限公司 一种含有6-硅基取代异喹啉配体的有机发光材料
CN111909213B (zh) 2019-05-09 2024-02-27 北京夏禾科技有限公司 一种含有三个不同配体的金属配合物
US12103942B2 (en) 2019-05-13 2024-10-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11827651B2 (en) 2019-05-13 2023-11-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP7682101B2 (ja) * 2019-05-14 2025-05-23 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド 発光パッケージ
US11634445B2 (en) 2019-05-21 2023-04-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20200373360A1 (en) 2019-05-23 2020-11-26 Universal Display Corporation Oled display panel with unpatterned emissive stack
US12010859B2 (en) 2019-05-24 2024-06-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11647667B2 (en) 2019-06-14 2023-05-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent compounds and organic light emitting devices using the same
KR102213343B1 (ko) * 2019-07-01 2021-02-08 한국과학기술원 다색 픽셀 어레이를 갖는 마이크로 led 디스플레이 및 그의 구동 회로와 결합에 따른 제조 방법
US12077550B2 (en) 2019-07-02 2024-09-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11920070B2 (en) 2019-07-12 2024-03-05 The University Of Southern California Luminescent janus-type, two-coordinated metal complexes
US11825687B2 (en) 2019-07-17 2023-11-21 The Regents Of The University Of Michigan Organic light emitting device
US11685754B2 (en) 2019-07-22 2023-06-27 Universal Display Corporation Heteroleptic organic electroluminescent materials
US11926638B2 (en) 2019-07-22 2024-03-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20210036065A1 (en) 2019-07-29 2021-02-04 Universal Display Corporation Color stable multicolor OLED device structures
US12281128B2 (en) 2019-07-30 2025-04-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12295251B2 (en) 2019-08-01 2025-05-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11708355B2 (en) 2019-08-01 2023-07-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11985888B2 (en) 2019-08-12 2024-05-14 The Regents Of The University Of Michigan Organic electroluminescent device
US11374181B2 (en) 2019-08-14 2022-06-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12227525B2 (en) 2019-08-14 2025-02-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11930699B2 (en) 2019-08-15 2024-03-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12139501B2 (en) 2019-08-16 2024-11-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12234249B2 (en) 2019-08-21 2025-02-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN112430190B (zh) 2019-08-26 2023-04-18 北京夏禾科技有限公司 芳香族胺衍生物及包含其的有机电致发光器件
US11925105B2 (en) 2019-08-26 2024-03-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11937494B2 (en) 2019-08-28 2024-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11600787B2 (en) 2019-08-30 2023-03-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN112457349B (zh) 2019-09-06 2024-10-15 环球展览公司 有机电致发光材料和装置
US11820783B2 (en) 2019-09-06 2023-11-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12144244B2 (en) 2019-09-10 2024-11-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12331237B2 (en) 2019-09-26 2025-06-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12331065B2 (en) 2019-09-26 2025-06-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12486296B2 (en) 2019-10-02 2025-12-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11785838B2 (en) 2019-10-02 2023-10-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Green and red organic light-emitting diodes employing excimer emitters
US11864458B2 (en) 2019-10-08 2024-01-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11950493B2 (en) 2019-10-15 2024-04-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN112679548B (zh) 2019-10-18 2023-07-28 北京夏禾科技有限公司 具有部分氟取代的取代基的辅助配体的有机发光材料
US11697653B2 (en) 2019-10-21 2023-07-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
DE102019128752A1 (de) * 2019-10-24 2021-04-29 Apeva Se Verfahren zur Herstellung übereinander gestapelter OLEDs
US11919914B2 (en) 2019-10-25 2024-03-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN120463731A (zh) 2019-10-25 2025-08-12 环球展览公司 有机电致发光材料和装置
US11765965B2 (en) 2019-10-30 2023-09-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20210135130A1 (en) 2019-11-04 2021-05-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP7488091B2 (ja) 2019-11-14 2024-05-21 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス
US11903300B2 (en) 2019-11-18 2024-02-13 Universal Display Corporation Pixel configurations for high resolution OVJP printed OLED displays
US11832504B2 (en) 2019-11-25 2023-11-28 The Regents Of The University Of Michigan System and method for organic electronic device patterning
CN112876489B (zh) 2019-11-29 2022-11-15 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料及其器件
CN112909188B (zh) 2019-12-03 2023-09-01 北京夏禾科技有限公司 一种有机电致发光器件
CN110957347A (zh) * 2019-12-13 2020-04-03 苏州星烁纳米科技有限公司 一种发光结构、显示装置及照明装置
KR102784888B1 (ko) * 2019-12-24 2025-03-20 엘지디스플레이 주식회사 Led 표시장치 및 led소자 제조방법
WO2021137888A1 (en) 2020-01-03 2021-07-08 Trustees Of Boston University Microelectromechanical shutters for organic vapor jet printing
US20210217969A1 (en) 2020-01-06 2021-07-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12187751B2 (en) 2020-01-08 2025-01-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN113087711B (zh) 2020-01-08 2023-02-10 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料和器件
US12201013B2 (en) 2020-01-08 2025-01-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
DE102021100230A1 (de) 2020-01-10 2021-07-15 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organisches lichtemittierendes Material
CN118084980A (zh) 2020-01-10 2024-05-28 北京夏禾科技有限公司 有机发光材料
US11778895B2 (en) 2020-01-13 2023-10-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN113121609B (zh) 2020-01-16 2024-03-29 北京夏禾科技有限公司 一种金属配合物、包含其的电致发光器件及其用途
US11917900B2 (en) 2020-01-28 2024-02-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12426495B2 (en) 2020-01-28 2025-09-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11932660B2 (en) 2020-01-29 2024-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12245502B2 (en) 2020-02-03 2025-03-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12156463B2 (en) 2020-02-07 2024-11-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN113278033B (zh) 2020-02-20 2023-04-28 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料及器件
US12168661B2 (en) 2020-02-21 2024-12-17 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Functional materials based on stable chemical structure
US12084465B2 (en) 2020-02-24 2024-09-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12324348B2 (en) 2020-02-28 2025-06-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN113321620A (zh) 2020-02-28 2021-08-31 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料和器件
US12234251B2 (en) 2020-03-04 2025-02-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12018035B2 (en) 2020-03-23 2024-06-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN113527315B (zh) 2020-04-13 2024-08-02 北京夏禾科技有限公司 一种电致发光材料及器件
US12129269B2 (en) 2020-04-13 2024-10-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN115700058A (zh) 2020-04-21 2023-02-03 默克专利有限公司 包含有机功能材料的乳液
US12279520B2 (en) 2020-04-22 2025-04-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11970508B2 (en) 2020-04-22 2024-04-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN119930701A (zh) 2020-04-30 2025-05-06 北京夏禾科技有限公司 一种具有多环配体的发光材料
US12227831B2 (en) 2020-05-01 2025-02-18 The Regents Of The University Of Michigan, Innovation Partnerships Pneumatic shutters to control organic vapor jet printing
US12065728B2 (en) 2020-05-11 2024-08-20 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor jet printing (OVJP)
US11716863B2 (en) 2020-05-11 2023-08-01 Universal Display Corporation Hybrid display architecture
US11751466B2 (en) 2020-05-11 2023-09-05 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor jet printing (OVJP)
US12466844B2 (en) 2020-05-13 2025-11-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12286410B2 (en) 2020-05-18 2025-04-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN119080843A (zh) 2020-05-19 2024-12-06 北京夏禾科技有限公司 一种有机发光材料
CN113683643B (zh) 2020-05-19 2024-10-15 北京夏禾科技有限公司 一种有机发光材料
US11945985B2 (en) 2020-05-19 2024-04-02 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal assisted delayed fluorescent emitters for organic light-emitting diodes
US12035613B2 (en) 2020-05-26 2024-07-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12275747B2 (en) 2020-06-02 2025-04-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102728159B1 (ko) 2020-06-05 2024-11-11 베이징 썸머 스프라우트 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 전계발광소자
CN117362298A (zh) 2020-06-05 2024-01-09 北京夏禾科技有限公司 一种电致发光材料及器件
US12247043B2 (en) 2020-06-11 2025-03-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent material and formulations, and its various uses as hosts, fluorescent dopants, and acceptors in organic light emitting diodes
US12279516B2 (en) 2020-06-17 2025-04-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN113816996B (zh) 2020-06-20 2024-10-18 北京夏禾科技有限公司 一种磷光有机金属配合物及其应用
CN113816997B (zh) 2020-06-20 2024-05-28 北京夏禾科技有限公司 一种磷光有机金属配合物及其应用
US12052918B2 (en) 2020-06-24 2024-07-30 The Regents Of The University Of Michigan Organic electroluminescent device comprising two-dimensional emissive layer
US12419188B2 (en) 2020-06-30 2025-09-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
GB202010088D0 (en) 2020-07-01 2020-08-12 Savvy Science Novel light emitting device architectures
GB202010090D0 (en) 2020-07-01 2020-08-12 Savvy Science Improved light emitting devices
US12336427B2 (en) 2020-07-09 2025-06-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3937268B1 (en) 2020-07-10 2025-05-07 Universal Display Corporation Plasmonic oleds and vertical dipole emitters
US11778889B2 (en) 2020-07-20 2023-10-03 Universal Display Corporation Height measurement and control in confined spaces for vapor deposition system
CN119490466A (zh) 2020-07-20 2025-02-21 北京夏禾科技有限公司 一种新型有机电致发光材料及其器件
US12302753B2 (en) 2020-07-20 2025-05-13 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent materials and devices
US12157748B2 (en) 2020-07-30 2024-12-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12369487B2 (en) 2020-08-05 2025-07-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN112117356B (zh) * 2020-08-13 2021-09-17 厦门大学 一种全彩有源寻址Micro-LED芯片结构及其制作方法
US12065451B2 (en) 2020-08-19 2024-08-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12211414B2 (en) 2020-08-20 2025-01-28 Universal Display Corporation Display correction scheme using an under-display camera
US12289986B2 (en) 2020-08-25 2025-04-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12369488B2 (en) 2020-09-09 2025-07-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12486295B2 (en) 2020-09-14 2025-12-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12221455B2 (en) 2020-09-24 2025-02-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11877489B2 (en) 2020-09-29 2024-01-16 Universal Display Corporation High color gamut OLED displays
US12252499B2 (en) 2020-09-29 2025-03-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12426433B2 (en) 2020-10-02 2025-09-23 Universal Display Corporation Application of nanoparticles for plasmon energy extraction in organic devices
US12460128B2 (en) 2020-10-02 2025-11-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12497420B2 (en) 2020-10-02 2025-12-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12435102B2 (en) 2020-10-02 2025-10-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12486451B2 (en) 2020-10-02 2025-12-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12286447B2 (en) 2020-10-06 2025-04-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12016231B2 (en) 2020-10-09 2024-06-18 Universal Display Corporation Simplified high-performance AMOLED
US12312365B2 (en) 2020-10-12 2025-05-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12486288B2 (en) 2020-10-12 2025-12-02 University Of Southern California Fast phosphors utilizing HP2H ligands
US12137606B2 (en) 2020-10-20 2024-11-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12501766B2 (en) 2020-10-26 2025-12-16 The Regents Of The University Of Michigan Optoelectronic device including charge generation layer stack
US12391873B2 (en) 2020-10-26 2025-08-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12247042B2 (en) 2020-10-26 2025-03-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12187748B2 (en) 2020-11-02 2025-01-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12262631B2 (en) 2020-11-10 2025-03-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220158096A1 (en) 2020-11-16 2022-05-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN119192248A (zh) 2020-11-18 2024-12-27 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料及其器件
US20220165968A1 (en) 2020-11-23 2022-05-26 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent material and device thereof
US12325717B2 (en) 2020-11-24 2025-06-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220165967A1 (en) 2020-11-24 2022-05-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12185557B2 (en) 2020-12-04 2024-12-31 The Regents Of The University Of Michigan Optoelectronic device including ultrathin dopant layers
JP7007449B2 (ja) * 2020-12-04 2022-01-24 株式会社キーエンス 光電スイッチ
US12331064B2 (en) 2020-12-09 2025-06-17 University Of Southern California Tandem carbene phosphors
CN114605473A (zh) 2020-12-09 2022-06-10 北京夏禾科技有限公司 一种磷光有机金属配合物及其器件
US12342716B2 (en) 2020-12-09 2025-06-24 University Of Southern California Tandem-carbene phosphors
US12466848B2 (en) 2020-12-10 2025-11-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN119735581A (zh) 2020-12-11 2025-04-01 北京夏禾科技有限公司 一种有机电致发光材料及其器件
CN114628601B (zh) 2020-12-11 2024-10-15 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光器件
CN114621198B (zh) 2020-12-11 2025-01-21 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料及其器件
US11903302B2 (en) 2020-12-16 2024-02-13 Universal Display Corporation Organic vapor jet printing system
US12150321B2 (en) 2020-12-17 2024-11-19 The Regents Of The University Of Michigan Optoelectronic device including morphological stabilizing layer
US12213331B2 (en) 2021-01-29 2025-01-28 The Regents Of The University Of Michigan Hybrid organic-inorganic light emitting device
US12398164B2 (en) 2021-02-01 2025-08-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12459966B2 (en) 2021-02-02 2025-11-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220271241A1 (en) 2021-02-03 2022-08-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220359832A1 (en) 2021-02-06 2022-11-10 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent device
CN119823187A (zh) 2021-02-06 2025-04-15 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料及其器件
US12497419B2 (en) 2021-02-22 2025-12-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4059915B1 (en) 2021-02-26 2025-12-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12484437B2 (en) 2021-02-26 2025-11-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4060758A3 (en) 2021-02-26 2023-03-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12207535B2 (en) 2021-03-01 2025-01-21 The Regents Of The University Of Michigan Peel-off patterning method for fabrication of organic optoelectronic devices
US20220298192A1 (en) 2021-03-05 2022-09-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12428599B2 (en) 2021-03-09 2025-09-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220298190A1 (en) 2021-03-12 2022-09-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12421262B2 (en) 2021-03-15 2025-09-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220340607A1 (en) 2021-04-05 2022-10-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12480042B2 (en) 2021-04-09 2025-11-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4075531A1 (en) 2021-04-13 2022-10-19 Universal Display Corporation Plasmonic oleds and vertical dipole emitters
US20220352478A1 (en) 2021-04-14 2022-11-03 Universal Display Corporation Organic eletroluminescent materials and devices
US20220407020A1 (en) 2021-04-23 2022-12-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230006149A1 (en) 2021-04-23 2023-01-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230051087A1 (en) * 2021-05-27 2023-02-16 Lg Display Co., Ltd. Organometallic compound and organic electroluminescent device including the same
US12473317B2 (en) 2021-06-04 2025-11-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230133787A1 (en) 2021-06-08 2023-05-04 University Of Southern California Molecular Alignment of Homoleptic Iridium Phosphors
US12492461B2 (en) 2021-06-16 2025-12-09 Universal Display Corporation OVJP injection block
US20240349591A1 (en) 2023-05-26 2024-10-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20250002778A1 (en) 2023-05-26 2025-01-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12495715B2 (en) 2021-06-29 2025-12-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20250228122A1 (en) 2023-12-27 2025-07-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12183280B2 (en) 2021-07-01 2024-12-31 Universal Display Corporation Means to reduce OLED transient response
US12442070B2 (en) 2021-07-01 2025-10-14 Universal Display Corporation Gas bearing plate with integrated OVJP vacuum source
CN115666146B (zh) 2021-07-10 2025-12-09 北京夏禾科技有限公司 一种有机电致发光器件
JP2023015701A (ja) * 2021-07-20 2023-02-01 キヤノン株式会社 有機発光素子及び有機化合物
WO2023012084A1 (en) 2021-08-02 2023-02-09 Merck Patent Gmbh A printing method by combining inks
US20230189629A1 (en) 2021-08-20 2023-06-15 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent material and device thereof
EP4151699A1 (en) 2021-09-17 2023-03-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12473318B2 (en) 2021-10-08 2025-11-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4174078B1 (en) 2021-10-29 2024-12-04 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Electroluminescent material and device thereof
US20230157058A1 (en) 2021-11-12 2023-05-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent devices
CN117343078A (zh) 2021-11-25 2024-01-05 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料和器件
US20240343970A1 (en) 2021-12-16 2024-10-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12414433B2 (en) 2022-02-11 2025-09-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent devices
EP4231804A3 (en) 2022-02-16 2023-09-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4286555A1 (en) 2022-02-23 2023-12-06 Universal Display Corporation Organic vapor jet printing system
US20230292605A1 (en) 2022-03-09 2023-09-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230292592A1 (en) 2022-03-09 2023-09-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230337516A1 (en) 2022-04-18 2023-10-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230357918A1 (en) 2022-05-09 2023-11-09 Universal Display Corporation Organic vapor jet printing system
US20230363244A1 (en) 2022-05-09 2023-11-09 Universal Display Corporation Organic vapor jet printing system
US20230389421A1 (en) 2022-05-24 2023-11-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
TW202411366A (zh) 2022-06-07 2024-03-16 德商麥克專利有限公司 藉由組合油墨來印刷電子裝置功能層之方法
EP4293001A1 (en) 2022-06-08 2023-12-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230413590A1 (en) 2022-06-17 2023-12-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent devices
US20240016051A1 (en) 2022-06-28 2024-01-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4335846A1 (en) 2022-06-30 2024-03-13 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent material and device thereof
US20240107880A1 (en) 2022-08-17 2024-03-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4328285A1 (en) 2022-08-25 2024-02-28 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent material and device thereof
US20240188419A1 (en) 2022-10-27 2024-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240180025A1 (en) 2022-10-27 2024-05-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240206208A1 (en) 2022-10-27 2024-06-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240188316A1 (en) 2022-10-27 2024-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240188319A1 (en) 2022-10-27 2024-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240196730A1 (en) 2022-10-27 2024-06-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240247017A1 (en) 2022-12-14 2024-07-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240268139A1 (en) 2023-01-30 2024-08-08 The Regents Of The University Of Michigan Organic electroluminescent devices
US20240407253A1 (en) 2023-05-09 2024-12-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20250008764A1 (en) 2023-06-27 2025-01-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent devices
EP4541802A1 (en) 2023-08-28 2025-04-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20250204238A1 (en) 2023-12-15 2025-06-19 Universal Display Corporation Organic electroluminscent materials and devices
US20250204239A1 (en) 2023-12-15 2025-06-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN120814359A (zh) * 2024-01-26 2025-10-17 京东方科技集团股份有限公司 发光器件、显示面板及显示装置
US20250261503A1 (en) 2024-02-12 2025-08-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20250311612A1 (en) 2024-03-26 2025-10-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20250331360A1 (en) 2024-04-19 2025-10-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2025248745A1 (ja) * 2024-05-31 2025-12-04 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 露光ヘッド及び電子写真装置
WO2025248746A1 (ja) * 2024-05-31 2025-12-04 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 露光ヘッド及び電子写真装置

Family Cites Families (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3261844A (en) 1964-08-05 1966-07-19 Du Pont Pyrazolyl, triazolyl and tetrazolyl derivatives of group iii-a elements and their compounds with metals and preparation thereof
US3681381A (en) 1968-08-02 1972-08-01 Du Pont Symmetrical and unsymmetrical pyrazaboles
US3611069A (en) * 1969-11-12 1971-10-05 Gen Electric Multiple color light emitting diodes
JPS48102585A (pl) * 1972-04-04 1973-12-22
GB1407908A (en) * 1972-04-14 1975-10-01 Sony Corp Alpha-numeric character display devices
US3840793A (en) * 1972-08-09 1974-10-08 Giddings & Lewis Recoordination of common axis positioning
US3783353A (en) * 1972-10-27 1974-01-01 Rca Corp Electroluminescent semiconductor device capable of emitting light of three different wavelengths
US4020389A (en) 1976-04-05 1977-04-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electrode construction for flexible electroluminescent lamp
JPS5541707A (en) 1978-09-16 1980-03-24 Fujitsu Ltd Multi-wavelength radiation element
US4365260A (en) * 1978-10-13 1982-12-21 University Of Illinois Foundation Semiconductor light emitting device with quantum well active region of indirect bandgap semiconductor material
US4281053A (en) 1979-01-22 1981-07-28 Eastman Kodak Company Multilayer organic photovoltaic elements
US4298769A (en) * 1979-12-14 1981-11-03 Standard Microsystems Corp. Hermetic plastic dual-in-line package for a semiconductor integrated circuit
US4291815B1 (en) * 1980-02-19 1998-09-29 Semiconductor Packaging Materi Ceramic lid assembly for hermetic sealing of a semiconductor chip
JPS5956391A (ja) 1982-09-27 1984-03-31 株式会社東芝 Ｅｌデイスプレイ装置
US4577207A (en) * 1982-12-30 1986-03-18 At&T Bell Laboratories Dual wavelength optical source
SU1566403A1 (ru) * 1983-11-09 1990-05-23 Институт кибернетики им.В.М.Глушкова Элемент индикации
GB2162356A (en) * 1984-07-09 1986-01-29 Tektronix Inc Improved liquid crystal optical switch with reduced cross talk
US4605942A (en) * 1984-10-09 1986-08-12 At&T Bell Laboratories Multiple wavelength light emitting devices
US4558171A (en) * 1984-10-12 1985-12-10 General Electric Company Hermetic enclosure for electronic components with an optionally transparent cover and a method of making the same
US4693777A (en) 1984-11-30 1987-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for producing semiconductor devices
JPS61284091A (ja) * 1985-06-07 1986-12-15 アルプス電気株式会社 薄膜ｅｌ表示素子
US4900584A (en) * 1987-01-12 1990-02-13 Planar Systems, Inc. Rapid thermal annealing of TFEL panels
US4885211A (en) * 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
JP2814435B2 (ja) 1987-03-02 1998-10-22 イーストマン・コダック・カンパニー 改良薄膜発光帯をもつ電場発光デバイス
US4791075A (en) * 1987-10-05 1988-12-13 Motorola, Inc. Process for making a hermetic low cost pin grid array package
JPH01225092A (ja) 1988-03-04 1989-09-07 Yokogawa Electric Corp Ｅｌ発光素子の駆動方法
JPH028290A (ja) 1988-06-28 1990-01-11 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子
DE69011167T2 (de) * 1989-03-31 1994-12-22 Toshiba Kawasaki Kk Anzeigeelement mit organischem Dünnschichtfilm.
JP2647194B2 (ja) * 1989-04-17 1997-08-27 住友電気工業株式会社 半導体用パッケージの封止方法
US4950950A (en) 1989-05-18 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone
US5075743A (en) * 1989-06-06 1991-12-24 Cornell Research Foundation, Inc. Quantum well optical device on silicon
US5118986A (en) 1989-06-30 1992-06-02 Ricoh Company, Ltd. Electroluminescent device
JPH0393736A (ja) 1989-09-06 1991-04-18 Idemitsu Kosan Co Ltd 新規なジオレフィン芳香族化合物及びその製造方法
US5077588A (en) * 1989-09-29 1991-12-31 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Multiple wavelength light emitting device
JPH03187192A (ja) 1989-12-18 1991-08-15 Seiko Epson Corp 発光素子
KR910017908A (ko) 1990-03-14 1991-11-05 이헌조 El표시소자
US5047687A (en) * 1990-07-26 1991-09-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilized cathode
US5059861A (en) * 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer
US5315129A (en) * 1990-08-20 1994-05-24 University Of Southern California Organic optoelectronic devices and methods
JPH04137485A (ja) 1990-09-28 1992-05-12 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
KR930010129B1 (ko) 1990-10-31 1993-10-14 주식회사 금성사 박막 el 표시소자의 제조방법 및 구조
US5231049A (en) * 1990-11-05 1993-07-27 California Institute Of Technology Method of manufacturing a distributed light emitting diode flat-screen display for use in televisions
JP2780880B2 (ja) 1990-11-28 1998-07-30 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および該素子を用いた発光装置
EP0566736B1 (en) 1990-11-30 1998-07-29 Idemitsu Kosan Company Limited Organic electroluminescence device
US5286296A (en) 1991-01-10 1994-02-15 Sony Corporation Multi-chamber wafer process equipment having plural, physically communicating transfer means
US5166761A (en) * 1991-04-01 1992-11-24 Midwest Research Institute Tunnel junction multiple wavelength light-emitting diodes
JPH07110940B2 (ja) 1991-06-05 1995-11-29 住友化学工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5324604A (en) 1991-06-17 1994-06-28 Eastman Kodak Company Multi-active electrophotographic element and imaging process using free radicals as charge transport material
US5150006A (en) * 1991-08-01 1992-09-22 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (II)
JP3490727B2 (ja) 1991-11-28 2004-01-26 三洋電機株式会社 電界発光素子
DE4139852A1 (de) 1991-12-03 1993-06-09 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften Ev, 3400 Goettingen, De Optische einrichtung mit einem lumineszenten material und verfahren zu ihrer herstellung
US5416494A (en) 1991-12-24 1995-05-16 Nippondenso Co., Ltd. Electroluminescent display
US5294870A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5294869A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5276380A (en) * 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
US5343050A (en) 1992-01-07 1994-08-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescent device with low barrier height
US5429884A (en) * 1992-01-17 1995-07-04 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescent element
JP3454532B2 (ja) 1992-03-31 2003-10-06 三洋電機株式会社 電界発光素子
US5456988A (en) 1992-01-31 1995-10-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent device having improved durability
US5275698A (en) 1992-03-09 1994-01-04 Hercules Incorporated Enhancement of tissue paper softness with minimal effect on strength
JP3445315B2 (ja) 1992-07-13 2003-09-08 イーストマン コダック カンパニー アルミニウムキレート化合物及び内部接合型有機電界発光素子
JPH0668977A (ja) 1992-08-13 1994-03-11 Konica Corp 多色電界発光表示装置
US5391896A (en) * 1992-09-02 1995-02-21 Midwest Research Institute Monolithic multi-color light emission/detection device
US5449564A (en) 1992-10-29 1995-09-12 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent element having improved durability
JP3300069B2 (ja) * 1992-11-19 2002-07-08 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06212153A (ja) 1993-01-14 1994-08-02 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3253404B2 (ja) 1993-03-25 2002-02-04 三洋電機株式会社 電界発光素子
US5329540A (en) 1993-03-31 1994-07-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Silicate gel dye laser
JPH06302383A (ja) * 1993-04-16 1994-10-28 Sharp Corp Ｅｌ素子および液晶表示装置
JP3234936B2 (ja) 1993-08-20 2001-12-04 松下電器産業株式会社 有機発光素子および画像表示装置
JP2642849B2 (ja) 1993-08-24 1997-08-20 株式会社フロンテック 薄膜の製造方法および製造装置
GB9317932D0 (en) 1993-08-26 1993-10-13 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
JP3332491B2 (ja) 1993-08-27 2002-10-07 三洋電機株式会社 有機ｅｌ素子
JP3534445B2 (ja) 1993-09-09 2004-06-07 隆一 山本 ポリチオフェンを用いたｅｌ素子
US5405709A (en) * 1993-09-13 1995-04-11 Eastman Kodak Company White light emitting internal junction organic electroluminescent device
US5449432A (en) 1993-10-25 1995-09-12 Applied Materials, Inc. Method of treating a workpiece with a plasma and processing reactor having plasma igniter and inductive coupler for semiconductor fabrication
US5405710A (en) * 1993-11-22 1995-04-11 At&T Corp. Article comprising microcavity light sources
US5409783A (en) * 1994-02-24 1995-04-25 Eastman Kodak Company Red-emitting organic electroluminescent device
US5598059A (en) 1994-04-28 1997-01-28 Planar Systems, Inc. AC TFEL device having a white light emitting multilayer phosphor
DE69531477T2 (de) 1994-05-16 2004-07-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Halbleiteranordnung aus halbleitendem, organischem material
US5478658A (en) * 1994-05-20 1995-12-26 At&T Corp. Article comprising a microcavity light source
DE69530654T2 (de) 1994-05-26 2004-03-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Organische elektroluminizente elemente
US5424560A (en) * 1994-05-31 1995-06-13 Motorola, Inc. Integrated multicolor organic led array
KR0146491B1 (ko) 1994-09-16 1998-10-01 양승택 적층구조로 구성된 유기고분자 전계발광소자
US5486406A (en) 1994-11-07 1996-01-23 Motorola Green-emitting organometallic complexes for use in light emitting devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5552547A (en) 1995-02-13 1996-09-03 Shi; Song Q. Organometallic complexes with built-in fluorescent dyes for use in light emitting devices
US5663573A (en) 1995-03-17 1997-09-02 The Ohio State University Bipolar electroluminescent device
US5617445A (en) 1995-06-07 1997-04-01 Picolight Incorporated Quantum cavity light emitting element
US5719467A (en) 1995-07-27 1998-02-17 Hewlett-Packard Company Organic electroluminescent device
US5641611A (en) 1995-08-21 1997-06-24 Motorola Method of fabricating organic LED matrices
US5672938A (en) 1995-09-29 1997-09-30 Fed Corporation Light emission device comprising light emitting organic material and electron injection enhancement structure
US5583350A (en) * 1995-11-02 1996-12-10 Motorola Full color light emitting diode display assembly
US5834893A (en) 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US5994835A (en) 1997-01-13 1999-11-30 Xerox Corporation Thin film organic light emitting diode with edge emitter waveguide and electron injection layer
US5917280A (en) 1997-02-03 1999-06-29 The Trustees Of Princeton University Stacked organic light emitting devices
US5757139A (en) 1997-02-03 1998-05-26 The Trustees Of Princeton University Driving circuit for stacked organic light emitting devices
US5881089A (en) 1997-05-13 1999-03-09 Lucent Technologies Inc. Article comprising an organic laser

Also Published As

Publication number Publication date
AU690413B2 (en) 1998-04-23
US6365270B2 (en) 2002-04-02
DE69527308D1 (de) 2002-08-08
NO972706D0 (no) 1997-06-12
JP4053734B2 (ja) 2008-02-27
ITMI952610A0 (pl) 1995-12-13
US5707745A (en) 1998-01-13
ES2117590A1 (es) 1998-08-01
FI972176A7 (fi) 1997-07-17
CN1293425A (zh) 2001-05-02
FR2732480B1 (fr) 1999-02-19
DE19581862T1 (de) 1997-12-11
WO1996019792A2 (en) 1996-06-27
GB2313478A (en) 1997-11-26
CN1170383A (zh) 1998-01-14
CN1096936C (zh) 2002-12-25
US6030700A (en) 2000-02-29
FR2728082B1 (fr) 1999-05-28
RU2160470C2 (ru) 2000-12-10
ATE220246T1 (de) 2002-07-15
AU4509396A (en) 1996-07-10
WO1996019792A3 (en) 1996-08-29
EP1119059A2 (en) 2001-07-25
ES2117590B1 (es) 1999-03-01
GB2313478B (en) 1999-04-14
ITMI952610A1 (it) 1997-06-13
NO972706L (no) 1997-08-11
US5757026A (en) 1998-05-26
US5721160A (en) 1998-02-24
EP0808244A4 (en) 1998-04-29
CN1291068A (zh) 2001-04-11
FR2732480A1 (fr) 1996-10-04
JP3496681B2 (ja) 2004-02-16
KR100419020B1 (ko) 2004-06-26
EP0808244B1 (en) 2002-07-03
EP0808244A2 (en) 1997-11-26
AR001331A1 (es) 1997-10-22
CN1236410C (zh) 2006-01-11
FR2732481B1 (fr) 1999-02-19
CA2206769A1 (en) 1996-06-27
US20010014391A1 (en) 2001-08-16
EP1119059A3 (en) 2002-07-31
FR2728082A1 (fr) 1996-06-14
BR9510076A (pt) 1997-12-30
JPH10503878A (ja) 1998-04-07
MX9704442A (es) 1998-07-31
IT1277977B1 (it) 1997-11-12
KR987000634A (ko) 1998-03-30
TW294842B (pl) 1997-01-01
FI972176A0 (fi) 1997-05-21
DE69527308T2 (de) 2003-03-06
PL320750A1 (en) 1997-10-27
FR2732481A1 (fr) 1996-10-04
JP2001273979A (ja) 2001-10-05
GB9712218D0 (en) 1997-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL179550B1 (pl) i sposób wytwarzania struktury wielobarwnego,organicznego urzadzenia elektroluminescencyjnego PL PL PL PL PL
US6358631B1 (en) Mixed vapor deposited films for electroluminescent devices
KR100457498B1 (ko) 유기성발광장치의구조
US6548956B2 (en) Transparent contacts for organic devices
CA2248283C (en) Transparent contacts for organic devices
MXPA97004442A (en) Organic devices emitters of light of colorsmultip

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Decisions on the lapse of the protection rights

Effective date: 20091206