RU2603434C2 - Усовершенствованное маскирование для рисунков на светоизлучающих устройствах - Google Patents
Усовершенствованное маскирование для рисунков на светоизлучающих устройствах Download PDFInfo
- Publication number
- RU2603434C2 RU2603434C2 RU2014121098/28A RU2014121098A RU2603434C2 RU 2603434 C2 RU2603434 C2 RU 2603434C2 RU 2014121098/28 A RU2014121098/28 A RU 2014121098/28A RU 2014121098 A RU2014121098 A RU 2014121098A RU 2603434 C2 RU2603434 C2 RU 2603434C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- anode
- region
- organic
- Prior art date
Links
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 115
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 11
- 239000011149 active material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/19—Tandem OLEDs
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Настоящее изобретение относится к светоизлучающему устройству по меньшей мере с двумя активными областями и к более надежному способу изготовления такого устройства, в котором слой первого электрода осаждают через маску, покрывающую активный материал. Второй активный материал осаждают через другую маску таким образом, чтобы область, которая покрывает и простирается за пределы слоя первого электрода, была покрыта органическим материалом. Затем слой второго электрода покрывают через маску таким образом, чтобы он покрывал весь второй активный материал. Изобретение обеспечивает улучшение рабочих характеристик устройства. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 11 ил.
Description
ОБЛАСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Изобретение относится к устройству органического светоизлучающего диода (ОСИД) и способу изготовления такого устройства.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
ОСИД представляют собой эффективные светоизлучающие диоды, изготовленные из полупроводниковых органических материалов. Они в настоящее время еще находятся в стадии разработки и находят возможное применение во множестве областей. Первые сверхтонкие и низковольтные ОСИД были описаны в работе C.W. Tang и S.A. VanSlyke, «Органические электролюминесцентные диоды» («Organic electroluminescent diodes», Appl. Phys. Lett., Vol. 51, pp.913-915 (1987)). Начиная с этого, было сделано много разработок для усовершенствования этих устройств для применения в дисплеях с плоским экраном, а также в твердотельном освещении.
Типичный ОСИД состоит из слоя органических материалов, расположенных между двумя электродами - анодом и катодом, оба из которых осаждены на подложке. В ходе эксплуатации напряжение прикладывают к ОСИД таким образом, чтобы анод был положительным по отношению к катоду. Поток электронов течет через устройство от катода к аноду, поскольку электроны вводят в LUMO органического слоя на катоде и выводят из HOMO на аноде. Этот последний процесс также может быть описан как ввод электронных дырок в HOMO. Электростатические силы притягивают электроны и дырки друг к другу, и они рекомбинируют с образованием экситона - связанного состояния электрона и дырки. Это происходит ближе к испускающему слою, поскольку в органических полупроводниках дырки могут быть более мобильными, чем электроны. Распад этого возбужденного состояния приводит к релаксации уровней энергии электрона, сопровождающейся испусканием излучения, частота которого находится в видимой области.
Исследования, связанные с тем, как повысить эффективность испускания устройства, продолжаются с особым вниманием. Как правило, повышенная эффективность может быть достигнута за счет использования высокоэффективных люминесцентных материалов и проектирования новых структур устройства. Более высокая эффективность тока может быть достигнута при использовании многофотонных устройств, содержащих пакетированные блоки ОСИД. Эффективность тока может быть усилена благодаря рециркуляции электронов и дырок.
Если изготавливаются ОСИД со специально предназначенными областями, это делается с использованием технологии, в которой органический материал ОСИД и катодный материал каждого сегмента осаждают с отдельными масками таким образом, чтобы этими материалами покрывались только те области, которые предназначены для испускания света. Это приводит к ситуации, когда маски, предназначенные для нанесения на область второго слоя излучения, перекрывают или касаются области с уже осажденными слоями. Это может привести к микроповреждениям этих слоев и, таким образом, к видимым повреждениям или к коротким замыканиям. Эта проблема не ограничена ОСИД-устройствами и может также возникнуть в других светоизлучающих устройствах с нанесенным рисунком, имеющих слоистые структуры.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Задачей изобретения является обеспечение светоизлучающего устройства и способа изготовления светоизлучающего устройства, посредством которого можно достигнуть улучшенных рабочих характеристик устройства.
Эта задача достигается посредством светоизлучающего устройства по п. 1 формулы изобретения и посредством способа изготовления по п. 8 формулы изобретения.
Следовательно, никакой слой маски не касается осажденных слоев (помимо слоя анода и необязательных изоляционных слоев). Более того, в дополнение к усовершенствованному изготовлению, повышается выход по однородности излучения света. В отличие от случая, когда проводящим катодным слоем покрыта только светоизлучающая область, катодным слоем может быть покрыта значительно большая область, что приводит к понижению поверхностного сопротивления слоя и, следовательно, к лучшему распределение тока.
Согласно первой особенности могут быть обеспечены по меньшей мере две активные области с нанесенным рисунком, причем слой первого электрода простирается до края подложки с обеспечением первого контактного участка светоизлучающего устройства, причем слой второго электрода исключает по меньшей мере часть первого контактного участка и простирается до края светоизлучающего устройства с обеспечением второго контактного участка, и при этом первая и вторая активные области могут иметь индивидуальный доступ через первый и второй контактные участки. Таким образом, пакетированные активные области могут иметь электрический индивидуальный доступ через их соответствующие контактные участки электродных слоев.
Согласно второй особенности слои первого и второго электродов представляют собой катодные слои. Таким образом, световое излучение первой и второй активной областей можно регулировать индивидуально через первый и второй катодные слои. Способ пакетирования с протяженными катодными слоями обеспечивает структуру ОСИД с нанесенным рисунком, со сниженными видимыми повреждениями и/или короткими замыканиями.
Согласно третьей особенности, которая может сочетаться с первой особенностью, светоизлучающее устройство может представлять собой устройство ОСИД, в котором первый и второй активные слои представляют собой органические слои.
Согласно четвертой особенности, которая может сочетаться с любой из особенностей, первой или второй, область, покрытая вторым катодным слоем, является (значительно) большей, чем вторая активная область. Следовательно, поверхностное сопротивление слоя может быть снижено, а распределение тока может быть повышено.
Согласно пятой особенности, которая может сочетаться с любой из особенностей, с первой по третью, процесс маскирования может содержать теневое маскирование. Следовательно, может быть достигнуто нанесение рисунка с высокой эксплуатационной гибкостью, особенно для органических материалов.
Согласно шестой особенности, которая может сочетаться с любой из особенностей, с первой по пятую, слой первого электрода может быть адаптирован для формирования прозрачного промежуточного электрода. В этом случае подложка может содержать первый анод и второй анод, разделенные изоляционной областью, причем первая активная область покрывает первый анод и простирается до изоляционной области, и при этом вторая активная область покрывает промежуточный электрод выше первого анода и простирается через второй анод. Следовательно, может быть обеспечен структурированный анод, что позволяет селективно активировать две активные области, причем в перекрытой области (областях) испускается смесь излучаемых длин волн.
Согласно седьмой особенности, которая может сочетаться с шестой особенностью, промежуточный электрод может содержать вывод для подачи электроэнергии для изменения его свойств пропускания света. Таким образом, смешение цветов можно регулировать через напряжение, подаваемое к промежуточному электроду.
Согласно восьмой особенности, которая может сочетаться с шестой или седьмой особенностью, промежуточный электрод может быть адаптирован для обеспечения характеристик цветного фильтра. Таким образом, на выходной цвет может влиять цвет, характерный для цветового фильтра.
Дополнительные предпочтительные варианты воплощения заданы ниже.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Эти и другие особенности изобретения станут ясными и будут освещены со ссылкой на варианты воплощения, описанные ниже.
НА ЧЕРТЕЖАХ:
Фиг. 1 показывает схематический вид сверху первой органической области, нанесенной на подложку согласно первому варианту воплощения настоящего изобретения;
Фиг. 2 показывает схематический вид сверху протяженного первого катодного слоя, нанесенного на подложку и первую органическую область, согласно первому варианту воплощения;
Фиг. 3 показывает схематический вид сверху второй органической области, нанесенной на подложку поверх первого пакета слоев ОСИД, согласно первому варианту воплощения;
Фиг. 4 показывает схематический вид сверху протяженного второго катодного слоя второго пакета ОСИД, нанесенного на подложку поверх первого пакета ОСИД, согласно первому варианту воплощения;
Фиг. 5 показывает схематический вид сверху светового излучения первой органической области и второй органической области согласно первому варианту воплощения;
Фиг. 6 показывает схематический вид сверху первой органической области, нанесенной на подложку, согласно второму варианту воплощения настоящего изобретения;
Фиг. 7 показывает схематический вид сверху прозрачного промежуточного электрода, осажденного на подложку и первую органическую область, согласно второму варианту воплощения;
Фиг. 8 показывает схематический вид сверху второй органической области, нанесенной на подложку поверх первого пакета слоев ОСИД, согласно второму варианту воплощения;
Фиг. 9 показывает схематический вид сверху катодного слоя второго пакета ОСИД, нанесенного на подложку поверх первого пакета ОСИД, согласно второму варианту воплощения;
Фиг. 10 показывает схематический вид сверху светового излучения первой органической области и второй органической области согласно второму варианту воплощения и
Фиг. 11 показывает схематический вид сверху структурированного анода, который может быть использован во втором варианте воплощения.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ВОПЛОЩЕНИЯ
Различные варианты воплощения далее будут описаны исходя из устройства пакетированных ОСИД по меньшей мере с двумя излучающими областями и протяженным электродным слоем (слоями). Однако следует отметить, что настоящее изобретение может быть применено для любого типа светоизлучающего устройства со структурой пакетированных слоев с нанесенными рисунками и с двумя или более активными областями. Износ или повреждения маски предотвращаются за счет осаждения структурированного верхнего слоя поверх структурированного нижнего слоя, причем верхний слой является большим, чем нижний слой, и, таким образом, верхний слой покрывает нижний слой.
Устройство ОСИД содержит материал подложки, который может быть сформирован в виде стеклянной панели или панели, изготовленной из органического материала или металла. Таким образом, материал подложки образует базовую структуру, на которую наложены различные слои. Эти слои представляют собой по меньшей мере анодный слой, который может быть выполнен в виде слоя оксида индия и олова (Indium-Tin-Oxide, ITO-слоя) и на который нанесено множество различных функциональных органических слоев, образующих активную область, вследствие чего функциональные органические слои могут выглядеть лишь в виде одиночного органического или люминесцентного слоя для упрощения сущности. Эти функциональные органические слои могут содержать по меньшей мере слой для дырочной инжекции, слой для переноса дырок, излучающие слои (флуоресцентный и/или фосфоресцирующий эмиттер), в которых реализовано излучение света, и по меньшей мере один слой для блокирования дырок, слой для переноса электронов и по меньшей мере один слой для инжекции электронов, при том, что различные слои обычно бывают очень тонкими, ограниченными толщиной, например, приблизительно 10 нм каждый. Верхний слой представляет собой катодный слой, который расположен между различными функциональными слоями между анодными слоями. Источник электропитания подключен между анодным слоем и катодным слоем.
В дальнейшем усовершенствованная технология изготовления для многослойной структуры ОСИД с двумя активными областями (т.е. светоизлучающими органическими областями) согласно первому варианту воплощения настоящего изобретения будут описаны со ссылкой на Фиг. 1-5. Следовательно, для устройств ОСИД, состоящих из двух или более активных областей, может быть реализован более надежный способ изготовления. Устройство ОСИД согласно первому варианту воплощения содержит по меньшей мере две излучающие области с отдельным доступом с протяженными катодными слоями, обеспечивающими электрические контактные участки на ободе или на краю устройства ОСИД, таким образом, чтобы два завершенных ОСИД были уложены поверх друг друга. Для предотвращения каких-либо коротких замыканий между анодными и катодными слоями анодный слой может представлять собой структурированный анодный слой, с которым имеется контакт с его обратной стороны или через проводящую дорожку, покрытую слоем изоляции на тех областях, на которых нет никаких функциональных органических слоев или областей. В качестве другой возможности анодный слой может представлять собой неструктурированный анодный слой, который покрыт слоем изоляции на тех областях, которые не покрыты функциональным органическим слоем или областью. С неструктурированным анодным слоем может иметься контакт с его обратной стороны или на краевом участке устройства ОСИД, где нет никакого слоя изоляции и где анодный слой не может входить в контакт с каким-либо верхним катодным слоем.
Фиг. 1 показывает вид сверху структуры ОСИД после прохождения первого этапа, когда первую органическую область 10 наносят через теневую маску на подложку 12 таким образом, чтобы она частично покрывала структурированный или неструктурированный анодный слой (не показан) подложки 12. Таким образом, на первом этапе первую органическую область 10 активного устройства ОСИД с нанесенным рисунком осаждают через теневую маску на подложку 12. Это может быть достигнуто путем мелкомасштабной технологии, называемой испарением из-под теневой маски, где осаждают светоизлучающие органические молекулы, которые образуют пиксели. Альтернативная технология осаждения может представлять собой струйную печать или другие технологии, в которых могут сочетаться признаки печати через теневую маску и струйной печати, с достижением высококачественных пикселей ОСИД, расположенных на большой области. Кроме того, для обеспечения изоляции между последовательно осажденными катодным слоем 20 и анодным слоем подложки 12 осаждают электроизолирующую область 99. Без изолирующей области 99 можно обойтись, если первая органическая область 10 где-либо доходит до края устройства ОСИД, вследствие чего можно избежать прямого контакта между анодным слоем и катодным слоем 20.
Фиг. 2 показывает вид сверху структуры ОСИД после прохождения второго этапа, когда первый катодный слой 20, который простирается до контактного участка или до выступа на ободе устройства ОСИД, наносят или осаждают через теневую маску на подложке 12 таким образом, что он покрывает первую органическую область 10 и изолирующую область 99. Таким образом, после прохождения этого этапа катодный слой 20 покрывает первую органическую область 10 и простирается до точек контакта на ободе устройства ОСИД, вследствие чего образуется первая активная область с индивидуальным доступом. Катодный слой должен быть несколько меньше, чем изолирующая область 99, для снижения риска каких-либо коротких замыканий с анодным слоем.
Фиг. 3 показывает вид сверху структуры ОСИД после прохождения третьего этапа, когда вторую органическую область 30 наносят через теневую маску на подложку 12 поверх первой нанесенной структуры первой активной области. Вторую органическую область 30 осаждают и маску изготавливают таким образом, чтобы первый пакет ОСИД первой активной области был покрыт органическим материалом второй органической области 30 структуры ОСИД.
Фиг. 4 показывает вид сверху структуры ОСИД после прохождения четвертого этапа, когда второй катодный слой 40 второго пакета ОСИД второй активной области наносят через первый пакет ОСИД. Второй катодный слой 40 второго диода наносят или осаждают через теневую маску таким образом, чтобы он покрывал всю вторую органическую область 30, за исключением только тех частей катода, которые контактируют с выступом или участком первого пакета ОСИД первой активной области. Более того, второй контактный слой 40 расширяют до такой степени, чтобы он достигал обода, если необходимо, чтобы структура ОСИД могла иметь электрический контакт с этим слоем за счет соответствующего контактного участка на ободе структуры ОСИД или устройства.
Фиг. 5 показывает вид сверху светового излучения, достигаемого структурой ОСИД с верхним излучением, изготавливаемой согласно вышеописанным четырем этапам. Первая органическая (ОСИД) область 10 может излучать, например, зеленый свет, а окружающая вторая органическая (ОСИД) область 30 может излучать синий свет. Контактный слой 20 первого катода первой активной области не испускает света и, таким образом, показан черным цветом. Две органические области 10, 30 могут теперь иметь отдельный электрический доступ для регулирования излучения из соответствующих активных областей.
Таким образом, по меньшей мере в некоторых областях два пакета или структур ОСИД могут быть осаждены один поверх другого. В области, где световое излучение верхней активной области не может выходить, верхний органический слой или область служит для изоляции друг от друга двух контактных слоев катода таким образом, чтобы размер верхнего катода можно было бы повысить для обеспечения повышенной проводимости.
Далее, усовершенствованная технология изготовления для многослойной структуры ОСИД с двумя активными областями (т.е. со светоизлучающими органическими областями) согласно второму варианту воплощения настоящего изобретения будет описана со ссылкой на Фиг. 6-11. Следовательно, для устройств ОСИД, состоящих из двух активных областей, может быть реализован более надежный способ изготовления. Устройство ОСИД согласно второму варианту воплощения содержит две отдельные излучающие области с промежуточным электродом и одним верхним катодным слоем.
Фиг. 6 показывает вид сверху структуры ОСИД после прохождения первого этапа, когда первый органический слой или область 10 наносят или осаждают через теневую маску на подложку 12 аналогично первому варианту воплощения. Это также может быть достигнуто путем мелкомасштабной технологии, называемой испарением из-под теневой маски, или путем альтернативной технологии осаждения, такой как струйная печать, или с использованием других технологий, которые могут сочетать в себе признаки печати через теневую маску и струйной печати с достижением высококачественных пикселей ОСИД, нанесенных на большой области. Первая органическая область 10 является пригодной для испускания света определенного цвета, например синего, если катод будет присутствовать, а напряжение будет приложено между анодом и катодом.
Фиг. 7 показывает вид сверху структуры ОСИД после прохождения второго этапа, когда прозрачный промежуточный электрод 50 осаждают или наносят через теневую маску поверх первой органической области 10. Таким образом, после прохождения этого этапа промежуточный электрод 50 покрывает первую органическую область 10.
Фиг. 8 показывает вид сверху структуры ОСИД после прохождения третьего этапа, когда второй органический слой или область 60 наносят через теневую маску на подложку 12 поверх промежуточного электрода 50. Вторую органическую область 50 осаждают, а маску изготавливают таким образом, чтобы первый пакет ОСИД первой активной области 10 был покрыт органическим материалом второй органической области 60 структуры ОСИД. Вторая органическая область 60, нанесенная таким образом на промежуточный электрод 50 и по меньшей мере частично - поверх или на анодный слой (не показан на Фиг. 3) подложки 12, является пригодной для испускания света определенного цвета, например желтого. Поэтому вторая органическая область 60 простирается поверх первой органической области 10.
Фиг. 9 показывает вид сверху структуры ОСИД после прохождения четвертого этапа, когда катодный слой 70 второго пакета ОСИД второй активной области наносят на первый пакет ОСИД. Катодный слой 70 второго диода наносят или осаждают через теневую маску таким образом, чтобы он простирался поверх органических областей 10 и 60.
Фиг. 10 показывает вид сверху для светового излучения, достигаемого с использованием структуры ОСИД с верхним излучением, изготовленной посредством вышеописанных четырех этапов. Если напряжение приложено между анодом и анодным слоем (не показан) подложки 12 и катодного слоя 70, ток вытягивается через органический материал. Первый органический пакет будет испускать свет определенной длины волны (например, синий), а второй органический материал будет испускать свет другой длины волны (например, желтый). На области, где оба слоя перекрывают друг друга, испускается смесь длин волн от двух отдельных органических областей 10, 60 (например, синий + желтый = белый).
Во втором варианте воплощения, в отличие от первого варианта воплощения, требуется структурированный анод, поскольку катодный слой используется, как для излучающих областей, так и для батарей различной толщины, управляемых различными напряжениями.
Фиг. 11 показывает схематический вид сверху структурированного анода, который может быть использован во втором варианте воплощения. Первая и вторая анодные секции, или аноды A1, A2, обеспечены в или на подложке и изолированы изолирующей областью I таким образом, чтобы первая органическая область 10 была расположена выше первого анода A1 и простиралась до изоляционной области I между первым анодом A1 и вторым анодом A2. Первый и второй аноды Al и A2 могут быть приведены в контакт за счет контактирования через обратные стороны или посредством контактных полос, покрытых структурированным слоем изоляции. Прозрачный промежуточный электрод (слой) 50, который покрывает первую органическую область 10, также простирается до изоляционной области I. Вторая органическая область 60 покрывает промежуточный электрод 50 выше первого анода A1 и простирается по второму аноду A2. Следовательно, первый анод A1 контролирует нижний пакет ОСИД с помощью первой органической области 10, а второй анод A2 контролирует верхний пакет ОСИД с помощью второй органической области 60.
Подытоживая, было описано светоизлучающее устройство с двумя активными областями и более надежный способ изготовления такого устройства, в котором слой первого электрода осаждают через маску, покрывающую активный материал. Второй активный материал осаждают через другую маску таким образом, чтобы область, которая покрывает и простирается за пределы слоя первого электрода, была нанесена поверх органического материала. Затем, слой второго электрода наносят через маску таким образом, чтобы он покрывал весь второй активный материал.
Тогда как изобретение было проиллюстрировано и подробно описано на чертежах и в вышеприведенном описании, такую иллюстрацию и описание следует рассматривать как иллюстративное или примерное, а не ограничивающее. Изобретение не ограничено раскрытым вариантом воплощения и может быть использовано для различных типов структур пакетированных светоизлучающих устройств с тремя или даже большим количеством пакетированных органических слоев с промежуточными катодными слоями и полученными в результате «покрытыми пикселями». Эта концепция может быть, таким образом, обобщена до трех или более активных областей. Размер активных областей может быть адаптирован для эффективного использования активных материалов (например, органических или других светоизлучающих материалов) и предполагаемого применения (белый свет, цветной свет, создание дисплея). Вместо катодных слоев можно использовать другие типы электродных слоев (например, анодные слои), например местоположения анодов и катодов можно заменить, например, на обратную последовательность осажденных слоев. Более того, промежуточный электрод можно сделать прозрачным и регулируемым. Кроме того, другие видоизменения раскрытого варианта воплощения могут быть поняты и осуществлены специалистами в данной области техники при реализации заявленного изобретения исходя из изучения чертежей, раскрытия и прилагаемой формулы изобретения. В формуле изобретения слово «содержит» не исключает наличие других элементов или этапов и единственное число не исключает множественности. Сам факт, что определенные меры перечислены в отличных друг от друга зависимых пунктах формулы изобретения, не означает, что сочетания этих мер не могут быть успешно использованы. Никакие ссылочные обозначения в формуле изобретения не следует рассматривать как ограничивающие его объем.
Claims (12)
1. Светоизлучающее устройство, содержащее:
a) подложку (12), содержащую первый анод (A1) и второй анод (A2), разделенные изоляционной областью (I);
b) первый активный слой, расположенный поверх упомянутой подложки (12) и образующий первую активную область (10), которая покрывает первый анод (A1) и простирается до изоляционной области I;
c) слой первого электрода (20; 50), покрывающий упомянутую первую активную область (10) для формирования первой диодной структуры, адаптированной для испускания света первого цвета, причем слой первого электрода адаптирован для формирования прозрачного промежуточного электрода (50);
d) второй активный слой, покрывающий упомянутую первую диодную структуру таким образом, что он простирается за пределы упомянутой первой диодной структуры, и образующий вторую активную область (30;60), которая покрывает промежуточный электрод (50) выше первого анода (A1) и простирается через второй анод (A2); и
e) слой второго электрода (40; 70), покрывающий упомянутую вторую активную область (30) с образованием второй диодной структуры, адаптированной для испускания света второго цвета.
a) подложку (12), содержащую первый анод (A1) и второй анод (A2), разделенные изоляционной областью (I);
b) первый активный слой, расположенный поверх упомянутой подложки (12) и образующий первую активную область (10), которая покрывает первый анод (A1) и простирается до изоляционной области I;
c) слой первого электрода (20; 50), покрывающий упомянутую первую активную область (10) для формирования первой диодной структуры, адаптированной для испускания света первого цвета, причем слой первого электрода адаптирован для формирования прозрачного промежуточного электрода (50);
d) второй активный слой, покрывающий упомянутую первую диодную структуру таким образом, что он простирается за пределы упомянутой первой диодной структуры, и образующий вторую активную область (30;60), которая покрывает промежуточный электрод (50) выше первого анода (A1) и простирается через второй анод (A2); и
e) слой второго электрода (40; 70), покрывающий упомянутую вторую активную область (30) с образованием второй диодной структуры, адаптированной для испускания света второго цвета.
2. Устройство по п. 1, в котором упомянутое устройство содержит по меньшей мере упомянутые две активные области с нанесенным рисунком (10, 30; 10, 60), причем упомянутый слой первого электрода (20) простирается до края упомянутой подложки (12) для обеспечения первого контактного участка упомянутого светоизлучающего устройства, причем упомянутый слой второго электрода (40) исключает по меньшей мере часть упомянутого первого контактного участка и простирается до края упомянутого светоизлучающего устройства для обеспечения второго контактного участка, и при этом упомянутые первая и вторая активные области (10, 30; 10, 60) могут иметь индивидуальный доступ через упомянутые первый и второй контактные участки.
3. Устройство по п. 2, в котором упомянутые слои первого и второго электрода представляют собой катодные слои (20, 40).
4. Устройство по п. 1, в котором упомянутое светоизлучающее устройство представляет собой устройство органического светоизлучающего диода и в котором упомянутые первый и второй активные слои представляют собой органические слои или пакеты органических слоев.
5. Устройство по п. 1, в котором область, покрытая упомянутым вторым катодным слоем (40), является большей, чем упомянутая вторая активная область (30; 60).
6. Устройство по п. 1, в котором упомянутый промежуточный электрод (50) содержит вывод для подачи электроэнергии для изменения его свойств пропускания света.
7. Устройство по п. 1, в котором упомянутый промежуточный электрод (50) адаптирован для обеспечения характеристик цветного фильтра.
8. Способ изготовления светоизлучающего устройства, причем упомянутый способ содержит:
a) обеспечение подложки (12);
b) обеспечение упомянутой подложки (12) первым анодом (A1) и вторым анодом (A2), разделенными изоляционной областью (I);
c) осаждение первого органического слоя, образующего первую активную область (10), поверх упомянутой подложки (12), покрывающей упомянутый первый анод (A1) и простирающейся до упомянутой изоляционной области (I), с использованием первого процесса маскирования;
d) осаждение слоя первого электрода (20; 50), покрывающего упомянутую первую активную область (10), с использованием второго процесса маскирования, с образованием первой диодной структуры, адаптированной для испускания света первого цвета, причем слой первого электрода адаптирован для формирования прозрачного промежуточного электрода (50);
e) осаждение второго органического слоя, образующего вторую активную область (30; 60), покрывающую промежуточный электрод (50) выше упомянутого первого анода (A1) и простирающуюся через упомянутый второй анод (A2), и покрывающего упомянутую первую диодную структуру таким образом, чтобы он простирался за пределы упомянутой первой диодной структуры, с использованием третьего процесса маскирования; и
f) осаждение слоя второго электрода (40; 70), покрывающего упомянутую вторую активную область (30; 60), для формирования второй диодной структуры, адаптированной для испускания света второго цвета, с использованием четвертого процесса маскирования.
a) обеспечение подложки (12);
b) обеспечение упомянутой подложки (12) первым анодом (A1) и вторым анодом (A2), разделенными изоляционной областью (I);
c) осаждение первого органического слоя, образующего первую активную область (10), поверх упомянутой подложки (12), покрывающей упомянутый первый анод (A1) и простирающейся до упомянутой изоляционной области (I), с использованием первого процесса маскирования;
d) осаждение слоя первого электрода (20; 50), покрывающего упомянутую первую активную область (10), с использованием второго процесса маскирования, с образованием первой диодной структуры, адаптированной для испускания света первого цвета, причем слой первого электрода адаптирован для формирования прозрачного промежуточного электрода (50);
e) осаждение второго органического слоя, образующего вторую активную область (30; 60), покрывающую промежуточный электрод (50) выше упомянутого первого анода (A1) и простирающуюся через упомянутый второй анод (A2), и покрывающего упомянутую первую диодную структуру таким образом, чтобы он простирался за пределы упомянутой первой диодной структуры, с использованием третьего процесса маскирования; и
f) осаждение слоя второго электрода (40; 70), покрывающего упомянутую вторую активную область (30; 60), для формирования второй диодной структуры, адаптированной для испускания света второго цвета, с использованием четвертого процесса маскирования.
9. Способ по п. 8, в котором упомянутый способ адаптирован для формирования по меньшей мере упомянутых двух активных областей с нанесенным рисунком (10, 30; 10, 60), причем упомянутый слой первого электрода (20) формируют таким образом, чтобы он простирался до края упомянутой подложки (12) для обеспечения первого контактного участка упомянутого светоизлучающего устройства, причем упомянутый слой второго электрода (40) сформирован, чтобы он исключал по меньшей мере часть упомянутого первого контактного участка и чтобы он простирался до края упомянутого светоизлучающего устройства для обеспечения второго контактного участка, и при этом упомянутые первая и вторая активные области (10, 30; 10, 60) сформированы таким образом, чтобы их можно было достичь индивидуально через упомянутый первый и второй контактные участки.
10. Способ по п. 8, дополнительно содержащий формирование упомянутого промежуточного электрода (50) с выводом для подачи электроэнергии для изменения его свойств пропускания света.
11. Способ по п. 8, дополнительно содержащий формирование упомянутого промежуточного электрода (50) для обеспечения характеристик цветного фильтра.
12. Способ по п. 8, в котором упомянутый процесс маскирования содержит теневое маскирование.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161551471P | 2011-10-26 | 2011-10-26 | |
| US61/551,471 | 2011-10-26 | ||
| US201261661445P | 2012-06-19 | 2012-06-19 | |
| US61/661,445 | 2012-06-19 | ||
| PCT/IB2012/055532 WO2013061197A1 (en) | 2011-10-26 | 2012-10-12 | Improved masking for light emitting device patterns |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014121098A RU2014121098A (ru) | 2015-12-10 |
| RU2603434C2 true RU2603434C2 (ru) | 2016-11-27 |
Family
ID=47428772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014121098/28A RU2603434C2 (ru) | 2011-10-26 | 2012-10-12 | Усовершенствованное маскирование для рисунков на светоизлучающих устройствах |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9806297B2 (ru) |
| EP (1) | EP2745325A1 (ru) |
| JP (1) | JP6143763B2 (ru) |
| CN (1) | CN103890950B (ru) |
| IN (1) | IN2014CN03096A (ru) |
| RU (1) | RU2603434C2 (ru) |
| WO (1) | WO2013061197A1 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102014112879A1 (de) | 2014-09-08 | 2016-03-10 | Osram Oled Gmbh | Strahlungsemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben |
| FR3032066A1 (fr) * | 2015-01-28 | 2016-07-29 | Astron Fiamm Safety | Diode electroluminescente organique comprenant une couche d'injection d'electrons |
| JP6665856B2 (ja) * | 2015-04-02 | 2020-03-13 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2160470C2 (ru) * | 1994-12-13 | 2000-12-10 | Де Трастиз ов Принстон Юниверсити | Многоцветные органические светоизлучающие устройства |
| WO2010016446A1 (en) * | 2008-08-06 | 2010-02-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence display apparatus |
| EP2264768A2 (en) * | 2000-06-19 | 2010-12-22 | LG Electronics, Inc. | Full color organic el display panel. |
| RU2427058C1 (ru) * | 2007-09-18 | 2011-08-20 | Кэнон Кабусики Кайся | Органическое светоизлучающее устройство и прибор отображения |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5703436A (en) | 1994-12-13 | 1997-12-30 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
| US5757139A (en) * | 1997-02-03 | 1998-05-26 | The Trustees Of Princeton University | Driving circuit for stacked organic light emitting devices |
| JP2003303683A (ja) | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US20060152150A1 (en) * | 2002-10-01 | 2006-07-13 | Herbert Boerner | Electroluminescent display with improved light outcoupling |
| CN100557667C (zh) | 2004-04-22 | 2009-11-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置及其驱动方法 |
| KR20070095430A (ko) * | 2005-01-21 | 2007-09-28 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 고분자 발광 다이오드 및 그 형성 방법 |
| WO2006087654A1 (en) | 2005-02-17 | 2006-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Oled-device with patterned light emitting layer thickness |
| KR100624126B1 (ko) * | 2005-04-27 | 2006-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| TWI537900B (zh) | 2008-08-19 | 2016-06-11 | 索爾維美國有限公司 | 使用者可組態之鑲嵌發光裝置 |
| US8053770B2 (en) | 2008-10-14 | 2011-11-08 | Universal Display Corporation | Emissive layer patterning for OLED |
| JP2011034901A (ja) | 2009-08-05 | 2011-02-17 | Canon Inc | 発光装置 |
| US8786188B2 (en) * | 2009-09-07 | 2014-07-22 | Koninklijke Philips N.V. | Wireless electroluminescent device |
| WO2011117771A1 (en) * | 2010-03-22 | 2011-09-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing an oled device with spatially isolated light-emitting areas |
| WO2011117814A1 (en) | 2010-03-25 | 2011-09-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A light emitting device, a color tunable light, an animation presentation device and a luminaire |
-
2012
- 2012-10-12 EP EP12805760.1A patent/EP2745325A1/en not_active Withdrawn
- 2012-10-12 RU RU2014121098/28A patent/RU2603434C2/ru active
- 2012-10-12 US US14/353,963 patent/US9806297B2/en active Active
- 2012-10-12 WO PCT/IB2012/055532 patent/WO2013061197A1/en active Application Filing
- 2012-10-12 CN CN201280052616.2A patent/CN103890950B/zh active Active
- 2012-10-12 IN IN3096CHN2014 patent/IN2014CN03096A/en unknown
- 2012-10-12 JP JP2014537757A patent/JP6143763B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2160470C2 (ru) * | 1994-12-13 | 2000-12-10 | Де Трастиз ов Принстон Юниверсити | Многоцветные органические светоизлучающие устройства |
| EP2264768A2 (en) * | 2000-06-19 | 2010-12-22 | LG Electronics, Inc. | Full color organic el display panel. |
| RU2427058C1 (ru) * | 2007-09-18 | 2011-08-20 | Кэнон Кабусики Кайся | Органическое светоизлучающее устройство и прибор отображения |
| WO2010016446A1 (en) * | 2008-08-06 | 2010-02-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence display apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2014121098A (ru) | 2015-12-10 |
| US20140306208A1 (en) | 2014-10-16 |
| IN2014CN03096A (ru) | 2015-07-03 |
| WO2013061197A1 (en) | 2013-05-02 |
| JP6143763B2 (ja) | 2017-06-07 |
| EP2745325A1 (en) | 2014-06-25 |
| US9806297B2 (en) | 2017-10-31 |
| CN103890950B (zh) | 2017-05-03 |
| CN103890950A (zh) | 2014-06-25 |
| JP2014531124A (ja) | 2014-11-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8927325B2 (en) | Method for producing an organic radiation-emitting component and organic radiation-emitting component | |
| JP5543441B2 (ja) | 有機発光素子とその製造方法、有機表示パネル、有機表示装置 | |
| KR101997571B1 (ko) | 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| TW200818978A (en) | Organic light-emitting transistor and display device | |
| JP2007012623A (ja) | 有機発光ダイオードおよびいくつかの有機発光ダイオードの配列 | |
| TW200803004A (en) | Organic light emitting transistor element and its manufacturing method | |
| EP3331039B1 (en) | Lighting apparatus using organic light-emitting diode and method of fabricating the same | |
| EP3016161B1 (en) | Organic light emitting device | |
| RU2603434C2 (ru) | Усовершенствованное маскирование для рисунков на светоизлучающих устройствах | |
| KR20110138020A (ko) | 전기광학장치 및 이의 제작 방법 | |
| JP6482080B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、ディスプレイパネル、および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| US9123682B2 (en) | Light-emitting device | |
| KR102304282B1 (ko) | 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트의 제조 방법 | |
| JP2019016496A (ja) | 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 | |
| US9082736B2 (en) | Organic EL panel and method of manufacturing the same | |
| EP2267818B1 (en) | Organic lighting device | |
| TW201004470A (en) | Electro-optic device and method for manufacturing the same | |
| US11152446B2 (en) | OLED panel for lighting device and method of manufacturing the same | |
| KR100612117B1 (ko) | 보조 전극을 덮는 절연막이 형성된 유기 전계 발광 소자및 그 제조 방법 | |
| JP2008123882A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| US20180019433A1 (en) | Masking for light emitting device patterns | |
| TW201415685A (zh) | 有機發光二極體照明裝置 | |
| EP3018725B1 (en) | Method for manufacturing organic light-emitting device | |
| CN109786571B (zh) | Oled发光器件、显示基板及显示装置 | |
| KR101861257B1 (ko) | 유기 발광 다이오드 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20190313 |