DE10261609B4 - Lichtemittierende Anordnung - Google Patents

Lichtemittierende Anordnung Download PDF

Info

Publication number
DE10261609B4
DE10261609B4 DE10261609A DE10261609A DE10261609B4 DE 10261609 B4 DE10261609 B4 DE 10261609B4 DE 10261609 A DE10261609 A DE 10261609A DE 10261609 A DE10261609 A DE 10261609A DE 10261609 B4 DE10261609 B4 DE 10261609B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
doped
circuit board
printed circuit
arrangement according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE10261609A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10261609A1 (de
Inventor
Jan Dr. Blochwitz-Nimoth
Karl Prof. Dr. Leo
Martin Dr. Pfeiffer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NovaLED GmbH
Original Assignee
NovaLED GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to DE10262143A priority Critical patent/DE10262143B4/de
Application filed by NovaLED GmbH filed Critical NovaLED GmbH
Priority to DE10261609A priority patent/DE10261609B4/de
Priority to PCT/DE2003/004295 priority patent/WO2004057687A2/de
Priority to PCT/DE2003/004188 priority patent/WO2004057686A2/de
Priority to US10/488,586 priority patent/US20050236973A1/en
Priority to KR1020047009418A priority patent/KR100654579B1/ko
Priority to TW092136327A priority patent/TWI231059B/zh
Priority to AU2003298073A priority patent/AU2003298073A1/en
Priority to EP03795765A priority patent/EP1552569A2/de
Priority to CNB2003801002112A priority patent/CN100536192C/zh
Priority to JP2004561052A priority patent/JP3838518B2/ja
Priority to AU2003303088A priority patent/AU2003303088A1/en
Publication of DE10261609A1 publication Critical patent/DE10261609A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10261609B4 publication Critical patent/DE10261609B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0366—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement reinforced, e.g. by fibres, fabrics
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Abstract

Anordnung mit einer Leiterplatte (1; 21) und einem auf der Leiterplatte (1; 21) angeordneten, lichtemittierenden Bauelement mit organischen Schichten, wobei die organischen Schichten eine lichtemittierende Schicht (7; 27) aus einem organischen Material umfassen, dadurch gekennzeichnet, dass das lichtemittierende Bauelement eine organische Zwischenschicht (3; 23) mit einer die elektrische Leitfähigkeit steigernden Dotierung aufweist, die Ladungsträger injizierend und transportierend ausgeführt und auf einer Kontaktschicht (2; 22) der Leiterplatte (1; 21) angeordnet ist, wobei die Zwischenschicht für den Fall einer als Kathode gebildeten Kontaktschicht (2) der Leiterplatte (1) eine n-dotierte, Elektronen injizierende und transportierende Schicht oder für den Fall einer als Anode gebildeten Kontaktschicht (22) der Leiterplatte (21) eine p-dotierte, Löcher injizierende und transportierende Schicht ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine lichtemittierende Anordnung, bestehend aus einer Leiterplatte und einem lichtemittierenden Bauelement mit organischen Schichten, insbesondere organische Leuchtdiode nach dem Oberbegriff des Anspruches 1.
  • Organische Leuchtdioden sind seit der Demonstration niedriger Arbeitsspannungen von Tang et al. 1987 [C.W. Tang et al., Appl. Phys. Lett. 51 (12), 913 (1987)] aussichtsreiche Kandidaten für die Realisierung großflächiger Displays. Sie bestehen aus einer Reihenfolge dünner (typischerweise 1nm bis 1μm) Schichten aus organischen Materialien, welche bevorzugt im Vakuum aufgedampft oder in ihrer polymeren Form aufgeschleudert oder gedruckt werden. Nach elektrischer Kontaktierung durch Metallschichten bilden sie vielfältige elektronische oder optoelektronische Bauelemente, wie z.B. Dioden, Leuchtdioden, Photodioden und Transistoren, die mit ihren Eigenschaften den etablierten Bauelementen auf der Basis anorganischer Schichten Konkurrenz machen. Im Falle der organischen Leuchtdioden (OLEDs) wird durch die Injektion von Ladungsträgern (Elektronen von der einen, Löcher von der anderen Seite) aus den Kontakten in die dazwischen befindlichen organischen Schichten infolge einer äußeren angelegten Spannung, der folgenden Bildung von Exzitonen (Elektron-Loch-Paaren) in einer aktiven Zone und der strahlenden Rekombination dieser Exzitonen, Licht erzeugt und von der Leuchtdiode emittiert.
  • Der Vorteil solcher Bauelemente auf organischer Basis gegenüber den konventionellen Bauelementen auf anorganischer Basis (Halbleiter wie Silizium, Galliumarsenid) besteht darin, dass es möglich ist, sehr großflächige Anzeigeelemente (Bildschirme, Screens) herzustellen. Die organischen Ausgangsmaterialien sind gegenüber den anorganischen Materialien relativ preiswert (geringer Material- und Energieaufwand). Obendrein können diese Materialien aufgrund ihrer gegenüber anorganischen Materialien geringen Prozesstemperatur auf flexible Substrate aufgebracht werden, was eine ganze Reihe von neuartigen Anwendungen in der Display- und Beleuchtungstechnik eröffnet.
  • Übliche Bauelemente stellen eine Anordnung aus einer oder mehrerer der folgenden Schichten dar:
    • a) Träger, Substrat,
    • b) Basiselektrode, löcherinjizierend (Pluspol), transparent,
    • c) Löcher injizierende Schicht,
    • d) Löcher transportierende Schicht (HTL),
    • e) Licht emittierende Schicht (EL),
    • f) Elektronen transportierende Schicht (ETL),
    • g) Elektronen injizierende Schicht,
    • h) Deckelektrode, meist ein Metall mit niedriger Austrittsarbeit, elektroneninjizierend (Minuspol),
    • i) Kapselung, zum Ausschluss von Umwelteinflüssen.
  • Dies ist der allgemeinste Fall, meistens werden einige Schichten weggelassen (außer b, e und h), oder aber eine Schicht kombiniert in sich mehrere Eigenschaften.
  • Der Lichtaustritt erfolgt bei der beschriebenen Schichtfolge durch die transparente Basiselektrode und das Substrat, während die Deckelektrode aus nicht transparenten Metallschichten besteht. Gängige Materialien für die Löcherinjektion sind fast ausschließlich Indium-Zinn-Oxid (ITO) als Injektionskontakt für Löcher (ein transparenter entarteter Halbleiter). Für die Elektroneninjektion kommen Materialien wie Aluminium (Al), Al in Kombination mit einer dünnen Schicht Lithiumfluorid (LiF), Magnesium (Mg), Kalzium (Ca) oder eine Mischschicht aus Mg und Silber (Ag) zum Einsatz.
  • Für viele Anwendungen ist es wünschenswert, dass die Lichtemission nicht zum Substrat hin, sondern durch die Deckelektrode erfolgt. Ein besonders wichtiges Beispiel hierfür sind z.B. Displays oder andere Leuchtelemente auf der Basis organischer Leuchtdioden, die auf intransparenten Substraten wie beispielsweise Leiterplatten aufgebaut werden. Da viele Anwendungen mehrere Funktionalitäten wir beispielsweise elektronische Bauelemente, Tastaturen und Displayfunktionen vereinen, wäre es außerordentlich vorteilhaft, wenn diese alle mit möglichst geringem Aufwand auf der Leiterplatte integriert werden könnten. Leiterplatten können mit hohem Durchsatz vollautomatisch bestückt werden, was enorme Kosteneinsparungen bei der Produktion eines großflächigen integrierten Displays bedeutet. Unter Leiterplatten im Sinne der hier vorliegenden Erfindung verstehen wir also alle Vorrichtungen bzw. Substrate, bei denen andere Funktionelle Bauelemente als die OLEDs in einfacher Weise (z.B. durch Bonden, Löten, Kleben, Steckverbindungen) integriert werden können. Dies können herkömmliche Leiterplatten sein, aber auch keramische Leiterplattenähnliche Susbtrate auf deren einer Seite sich die OLEDs und auf deren anderer Seite und elektrisch verbunden mit den OLED sich verschiedene elektrische Funktionselemente befinden. Die Leiterplattenähnlichen Substrate können flach aber auch gebogen ausgeführt sein.
  • Die hierfür notwendige Emission durch die Deckelektrode kann für die oben beschriebene Reihenfolge der organischen Schichten (Deckelektrode ist die Kathode) dadurch erreicht werden, dass eine sehr dünne herkömmliche Metallelektrode aufgebracht wird. Da diese bei einer Dicke, welche hinreichend hohe Transmission aufweist, noch keine hohe Querleitfähigkeit erreicht, muss darauf noch ein transparentes Kontaktmaterial aufgebracht werden, z.B. ITO oder Zink dotiertes Indium-Oxid (z.B. US Patent Nr. 5,703,436 (S.R. Forrest et al.), eingereicht am 6.3.1996; US Patent Nr. 5,757,026 (S.R. Forrest et al.), eingereicht am 15.4.1996; US Patent Nr. 5,969,474 (M. Arai), eingereicht am 24.10.1997). Weitere bekannte Realisierungen dieser Struktur sehen eine organische Zwischenschicht zur Verbesserung der Elektronen-Injektion vor (z.B. G. Parthasarathy et al., Appl. Phys. Lett. 72, 2138 (1997); G. Parthasarathy et al., Adv. Mater. 11, 907 (1997)), welche teilweise durch Metallatome wie Lithium dotiert sein kann (G. Parthasarathy et al., Appl. Phys. Lett., 76, 2128 (2000)). Auf diese wird dann eine transparente Kontaktschicht (meistens ITO) aufgebracht. Allerdings ist ITO ohne Beimischung von Lithium o.a. Atomen der ersten Hauptgruppe in die Elektroneninjizierende Schicht an der Kathode schlecht zur Elektroneninjektion geeignet, was die Betriebsspannungen einer solchen LED erhöht. Die Beimischung von Li oder ähnlichen Atomen führt auf der anderen Seite zu Instabilitäten des Bauelementes wegen Diffusion der Atome durch die organischen Schichten.
  • Die alternative Möglichkeit zur transparenten Kathode besteht im Umkehren der Schichtreihenfolge, also der Ausführung des löcherinjizierenden transparenten Kontaktes (Anode) als Deckelektrode. Die Realisierung solcher invertierter Strukturen mit der Anode auf der LED bereitet in der Praxis jedoch erhebliche Schwierigkeiten. Wenn die Schichtfolge durch die löcherinjizierende Schicht abgeschlossen wird, so ist es erforderlich, das gebräuchliche Material für die Löcherinjektion, Indium-Zinn-Oxid (oder ein alternatives Material), auf die organische Schichtfolge aufzubringen (z.B. US Patent Nr. 5,981,306 (P.
  • Burrows et al.), eingereicht am 12.9.1997). Dies verlangt meist Prozeßtechnologien, die mit den organischen Schichten schlecht verträglich sind und unter Umständen zur Beschädigung führen.
  • Ein entscheidender Nachteil der invertierten OLED auf vielen intransparenten Substraten ist die Tatsache, dass effiziente Elektronen-Injektion typischischerweise Materialien mit sehr niedriger Austrittsarbeit verlangt. Bei nichtinvertierten Strukturen kann dies teilweise dadurch umgangen werden, dass zwischen der Elektrode und der elektronenleitenden Schicht Zwischenschichten wie LiF eingebracht werden (Hung et al. 1997 US5677572 , Hung et al. Appl. Phys. Lett. 70, 152 (1997)). Es wurde jedoch gezeigt, dass diese Zwischenschichten nur wirksam werden, wenn die Elektrode anschließend aufgedampft wird (M.G. Mason, J. Appl. Phys. 89, 2756 (2001)). Damit ist ihre Verwendung bei invertierten OLEDs nicht möglich. Dies betrifft insbesondere auch invertierte Strukturen, welche auf Leiterplatten aufgebracht werden. Die auf Leiterplatten üblichen Kontaktmetalle (Kupfer, Nickel, Gold, Palladium, Zinn und Aluminium) erlauben aufgrund Ihrer größeren Austrittsarbeiten keine effiziente Elektroneninjektion bzw. sind wegen der Bildung einer Oxidschicht nicht zur Ladungsträgerinjektion geeignet.
  • Eine weitere Problematik bei der Realisierung von organischen Leuchtdioden besteht in der vergleichsweise großen Rauhigkeit von Leiterplatten. Dies führt dazu, dass häufig Defekte auftreten, da in den organischen Leuchtdioden an Stellen mit geringerer Schichtdicke Feldspitzen und Kurzschlüsse auftreten. Das Kurzschluss-Problem liesse sich durch OLEDs mit dicken Transportschichten mindern. Dies führt aber im Allgemeinen zu einer höheren Betriebsspannung und verringerter Effizienz der OLED.
  • In der Literatur sind schon Verbindungen von organischen Leuchtdioden und Leiterplatten, auf denen sich die Treiberchips zum Ansteuern der OLEDs befinden, vorgeschlagen worden. Ein Ansatz ist der von Chingping Wei et al. ( US 5703394 , 1996; US 5747363 , 1997, Motorola Inc.), Juang Dar-Chang et al. ( US 6333603 , 2000) und E.Y. Park (US 2002/44441, 2001) vorgeschlagene, bei dem das Substrat auf dem die OLEDs hergestellt werden und die Leiterplatte auf dem sich die elektrischen Bauteile zum Ansteuern der OLEDs befinden zwei getrennte Teile sind und diese nachher miteinander verbunden werden.
  • In der Patentanmeldung von Kusaka Teruo ( US 6201346 , 1998, NEC Corp.) wird die Verwendung von ,Heat sinks' (also Wärmeableitenden Elementen) auf der Rückseite der Leiterplatte (auf der Vorderseite befinden sich die OLEDs) während der Herstellung der OLEDs vorgeschlagen. Diese Heat Sinks sollen ein Aufheizen der OLED und des Substrates während des Herstellungsprozesses der OLED verhindern.
  • In dem Dokument EP 1 220 339 A2 werden ein lichtemittierendes Bauelement in verschiedenen Ausführungsformen und ein Verfahren zum Herstellen des Bauelementes beschrieben. Das lichtemittierende Bauelement umfaßt in einer Ausführungsform organische Schichten zwischen einer Anode und einer Kathode, welche die Elektroden bilden. Die organischen Schichten ihrerseits umfassen Ladungsträger injizierende und transportierende Schichten.
  • In dem Dokument DE 101 35 513 A1 ist ein lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten beschrieben, wobei eine von den organischen Schichten umfaßte Löchertransportschicht mit einem organischen Material p-dotiert ist.
    •
  • Aufgabe der hier vorliegenden Erfindung ist es, eine Leiterplatte mit Display- oder Leuchtfunktion auf Basis organischer Leuchtdioden anzugeben, wobei die Lichtemission mit hoher Leistungseffizienz und Langlebigkeit (hohe Stabilität) erfolgen soll.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe mit den in dem Anspruch 1 genannten Merkmalen gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen sind Gegenstand von abhängigen Unteransprüchen.
  • Die Kompatibilität der organischen Leuchtdioden wird durch eine geeignete neuartige Schichtenfolge gemäß Anspruch 1 erreicht. Hierzu wird eine dünne hochdotierte organische Zwischenschicht verwendet, die für eine effiziente Injektion von Ladungsträgern sorgt, wobei im Sinne der Erfindung bevorzugt eine Schicht verwendet wird, die eine Morphologie mit kristallinen Anteilen bildet. Anschließend kann zur Glättung eine organische Zwischenschicht mit hoher Glastemperatur verwendet werden, wobei diese wiederum zu effizienten Injektion und zur Herstellung einer hohen Leitfähigkeit dotiert ist. Im folgenden kann der Schichtaufbau einer konventionellen (Anode auf der Substratseite) oder invertierten (Kathode auf der Substratseite) organischen Leuchtdiode gleichen.
  • Eine bevorzugte Ausführung für eine invertierte OLED mit dotierten Transportschichten und Blockschichten ist beispielsweise in der deutschen Patentanmeldung DE 101 35 513.0 (2001), X. Zhou et al., Appl. Phys. Lett. 81, 922 (2002) gegeben. Vorteilhaft ist ebenfalls die Verwendung einer hochdotierten Schutzschicht bevor die transparente Anode (oder Kathode bei normalem Schicht-Aufbau) auf das Bauelement aufgebracht wird. Unter Dotierung im Sinne der Erfindung verstehen wir die Beimischung von organischen oder anorganischen Molekülen zur Steigerung der Leitfähigkeit der Schicht. Dazu werden für die p-Dotierung eines Löchertransportmaterials Akzeptorartige Moleküle und für die n-Dotierung der Elektronentransportschicht Donatorartige Moleküle verwendet. Dies ist in der Patentanmeldung DE 10 13 551.3 ausführlich dargestellt.
  • Zur elektrischen Verbindung der einzelnen OLED-Kontakte auf der einen Seite des Substrates (z.B. Leiterplatte) mit den auf der anderen Seite des Substrates (z.B. Leiterplatte) aufgebrachten Elektronikbausteinen sind Durchkontaktierungen notwendig. Diese sollen in bekannter Technik ausgeführt werden.
  • Ein Aufheizen der OLED und des Substrates stellt bei der hier vorgeschlagenen Lösung kein Problem dar, da die dotierten Schichten sehr stabil gegenüber Wärmeentwicklung sind und diese auch sehr gut ableiten können. Heat Sinks wie in US 6201346 beschrieben sind daher nicht notwendig.
    •
  • Eine vorteilhafte Ausführung einer Struktur einer erfindungsgemäßen Darstellung einer organischen Leuchtdiode (in invertierter Form) auf einer Leiterplatte beinhaltet folgende Schichten, wenn das Leiterplattenmaterial als solches bereits eine genügend geringe Permeabilität gegenüber Sauerstoff und Wasser aufweist, oder durch andere Mittel diese aufweist:
  • Ausführungsbeispiel 1:
    • 1. Leiterplatte,
    • 2. Elektrode aus einem in der Leiterplattenfertigung üblichen Material (Kathode=Minuspol),
    • 3. n-dotierte Elektronen injizierende und transportierende Schicht,
    • 4. n-dotierte Glättungsschicht
    • 5. n-dotierte Elektronentransportschicht
    • 6. dünnere elektronenseitige Blockschicht aus einem Material dessen Bandlagen zu den Bandlagen der sie umgebenden Schichten passt,
    • 7. lichtemittierende Schicht,
    • 8. löcherseitige Blockschicht (typischerweise dünner als Schicht 7) aus einem Material, dessen Bandlagen zu den Bandlagen der sie umgebenden Schichten passt,
    • 9. p-dotierte Löcher injizierende und transportierende Schicht,
    • 10. Schutzschicht (typischerweise dünner als Schicht 7), Morphologie mit hohem kristallinem Anteil, hoch p-dotiert
    • 11. Elektrode, löcherinjizierend (Anode=Pluspol), vorzugsweise transparent,
    • 12. Kapselung, zum Ausschluß von Umwelteinflüssen.
  • Eine vorteilhafte Ausführung einer Struktur einer erfindungsgemäßen OLED mit der üblichen Schichtfolge (Anode unten auf nichttransparentem Substrat) ist:
  • Ausführungsbeispiel 2:
    • 21. Leiterplatte
    • 22. Elektrode aus einem in der Leiterplattenfertigung üblichen Material (Anode=Pluspol),
    • 23. p-dotierte Löcher injizierende und transportierende Schicht,
    • 24. p-dotierte Glättungsschicht
    • 25. p-dotierte Löchertransportschicht
    • 26. dünnere löcherseitige Blockschicht aus einem Material dessen Bandlagen zu den Bandlagen der sie umgebenden Schichten passt,
    • 27. lichtemittierende Schicht,
    • 28. elektronenseitige Blockschicht (typischerweise dünner als Schicht 7) aus einem Material, dessen Bandlagen zu den Bandlagen der sie umgebenden Schichten passt,
    • 29. n-dotierte Elektronen injizierende und transportierende Schicht,
    • 30. Schutzschicht (typischerweise dünner als Schicht 7), Morphologie mit hohem kristallinem Anteil, hoch n-dotiert
    • 31. Elektrode, elektroneninjizierend (Kathode=Minuspol), vorzugsweise transparent,
    • 32. Kapselung, zum Ausschluß von Umwelteinflüssen.
  • Es ist auch im Sinne der Erfindung, wenn die Glättungsschicht (4, 24) weggelassen wird oder aus einem zum Material der injizierenden Schicht (3, 23) oder der transportierenden Schichten (5, 25) und (6, 26) identischen oder ähnlichen Material besteht. Eine solche vorteilhafte Ausführung ist (normaler Schichtaufbau, invertierter Schichtaufbau mit dann zwei Elektronentransportschichten analog zu erschließen):
  • Ausführungsbeispiel 3
    • 21. Leiterplatte
    • 22. Elektrode aus einem in der Leiterplattenfertigung üblichen Material (Anode=Pluspol),
    • 23. p-dotierte Löcher injizierende und transportierende Schicht,
    • 25. p-dotierte Löchertransportschicht
    • 26. dünnere löcherseitige Blockschicht aus einem Material dessen Bandlagen zu den Bandlagen der sie umgebenden Schichten passt,
    • 27. lichtemittierende Schicht,
    • 28. elektronenseitige Blockschicht (typischerweise dünner als Schicht 7) aus einem Material, dessen Bandlagen zu den Bandlagen der sie umgebenden Schichten passt,
    • 29. n-dotierte Elektronen injizierende und transportierende Schicht,
    • 30. Schutzschicht (typischerweise dünner als Schicht 7), Morphologie mit hohem kristallinem Anteil, hoch n-dotiert
    • 31. Elektrode, elektroneninjizierend (Kathode=Minuspol), vorzugsweise transparent,
    • 32. Kapselung, zum Ausschluß von Umwelteinflüssen.
  • Unter Umständen kann die Löcherinjizierende Schicht und die Löchertransportierende Schicht auch zusammengefasst werden. Eine solche vorteilhafte Ausführung ist (normaler Schichtaufbau, invertierter Schichtaufbau mit dann nur einer Elektronentransportschicht analog zu erschließen):
  • Ausführungsbeispiel 4:
    • 21. Leiterplatte
    • 22. Elektrode aus einem in der Leiterplattenfertigung üblichen Material (Anode=Pluspol),
    • 23. p-dotierte Löcher injizierende und transportierende Schicht,
    • 26. dünnere löcherseitige Blockschicht aus einem Material dessen Bandlagen zu den Bandlagen der sie umgebenden Schichten passt,
    • 27. lichtemittierende Schicht,
    • 28. elektronenseitige Blockschicht (typischerweise dünner als Schicht 7) aus einem Material, dessen Bandlagen zu den Bandlagen der sie umgebenden Schichten passt,
    • 29. n-dotierte Elektronen injizierende und transportierende Schicht,
    • 30. Schutzschicht (typischerweise dünner als Schicht 7), Morphologie mit hohem kristallinem Anteil, hoch n-dotiert
    • 31. Elektrode, elektroneninjizierend (Kathode=Minuspol), vorzugsweise transparent,
    • 32. Kapselung, zum Ausschluß von Umwelteinflüssen.
  • Weiterhin ist es auch im Sinne der Erfindung, wenn nur eine Seite (löcher- oder elektronenleitende) dotiert sein. Die molaren Dotierungskonzentrationen liegen typischerweise im Bereich von 1:10 bis 1:10000. Falls die Dotanden wesentlich kleiner sind als die Matrixmoleküle, können in Ausnahmefällen auch mehr Dotanden als Matrixmoleküle in der Schicht sein (bis 5:1). Die Dotanden können organische oder anorganische Moleküle sein.
  • Die Erfindung wird nachfolgend an Hand von Beispielen mit Materialien noch näher erläutert.
  • In der Zeichnung zeigt:
  • Bild 1 eine Schichtfolge für den Fall einer invertierten dotierten OLED mit Schutzschicht, wobei sich die Zahlenangaben auf die oben beschriebene invertierte OLED beziehen.
  • Eine konventionelle OLED (ohne umgekehrte Schichtenfolge) mit Schutzschicht kann analog erschlossen werden.
  • Als ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel soll hier eine Lösung für einen Aufbau mit invertierter Schichtfolge angegeben werden.
  • Ausführungsbeispiel 5
    • 41. Substrat (Leiterplatte)
    • 42. Elektrode: Kupfer (Kathode)
    • 43. 5nm Alq3 (Aluminium-tris-quinolate), dotiert mit Cäsium 5:1
    • 44. 40nm Bathophenanthrolin (Bphen), dotiert mit Cäsium 5:1
    • 45. 5nm BPhen, undotiert
    • 47. elektrolumineszierende und elektronenleitende Schicht: 20nm Alq3,
    • 48. löcherseitige Blockschicht: 5nm Triphenyldiamin (TPD),
    • 49. p-dotierte Schicht: 100nm Starburst 2-TNATA 50:1 dotiert mit F4-TCNQ,
    • 50. Schutzschicht: 20nm Zink-Phthalocyanin, multikristallin, 50:1 dotiert mit F4-TCNQ, alternativ: 20nm Pentacen, multikristallin, 50:1 dotiert mit F4-TCNQ,
    • 51. transparente Elektrode (Anode): Indium-Zinn-Oxid (ITO).
  • Hier wirkt die Schicht 45 als Elektronenleitende und als Blockschicht. Im Beispiel 6 wurden die dotierten Elektronenleitenden Schichten (43, 44) mit einem molekularen Dotanden (Cäsium) dotiert. Im folgenden Beispiel wird diese Dotierung mit einem molekularen Dotanden vorgenommen:
  • Ausführungsbeispiel 6:
    • 41. Substrat (Leiterplatte)
    • 42. Elektrode: Kupfer (Kathode)
    • 43. 5nm Alq3 (Aluminium-tris-quinolate), dotiert mit Pyronin B 50:1
    • 44. 40nm Bathophenanthrolin (Bphen), dotiert mit Pyronin B 50:1
    • 45. 5nm BPhen, undotiert
    • 47. elektrolumineszierende und elektronenleitende Schicht: 20nm Alq3,
    • 48. löcherseitige Blockschicht: 5nm Triphenyldiamin (TPD),
    • 49. p-dotierte Schicht: 100nm Starburst 2-TNATA 50:1 dotiert mit F4-TCNQ,
    • 50. Schutzschicht: 20nm Zink-Phthalocyanin, multikristallin, 50:1 dotiert mit F4-TCNQ, alternativ: 20nm Pentacen, multikristallin, 50:1 dotiert mit F4-TCNQ,
    • 51. transparente Elektrode (Anode): Indium-Zinn-Oxid (ITO).
  • Die gemischten Schichten (43, 44, 49, 50) werden in einem Aufdampfprozeß im Vakuum in Mischverdampfung hergestellt. Prinzipiell können solche Schichten auch durch andere Verfahren hergestellt werden, wie z.B. einem Aufeinanderdampfen der Substanzen mit anschließender möglicherweise temperaturgesteuerter Diffusion der Substanzen ineinander; oder durch anderes Aufbringen (z.B. Aufschleudern oder Drucken) der bereits gemischten Substanzen im oder außerhalb des Vakuums. Unter Umständen muss der Dotand während des Herstellungsprozesses oder in der Schicht durch geeignete physikalische und/oder chemische Massnahmen (z.B. Licht, elektrische, magnetische Felder) noch aktiviert werden Die Schichten (45), (47), (48) wurden ebenfalls im Vakuum aufgedampft, können aber auch anders hergestellt werden, z.B. durch Aufschleudern innerhalb oder außerhalb des Vakuums.
  • Diese erseteen oder/und ergänzen die Kapselung der fertigen OLED auf dem Leiterplattensubstrat vor Umwelteinflüssen (Schicht 12 in Bild 1) Ein Beispiel hierzu ist die Abdichtung mittels SiOx-Schichten (Siliziumoxid), hergestellt durch eine Plasmaglasur (CVD-Verfahren, ,chemical vapour deposition'-Verfahren) von SiOx-Schichten erreicht werden, die vergleichbare Eigenschaften wie Farblosigkeit und Transparenz zum Glas besitzt. Ebenso können Stickoxid-Schichten (NOx) Verwendung finden, die ebenso durch ein plasmaunterstütztes Verfahren hergestellt werden.

Claims (9)

  1. Anordnung mit einer Leiterplatte (1; 21) und einem auf der Leiterplatte (1; 21) angeordneten, lichtemittierenden Bauelement mit organischen Schichten, wobei die organischen Schichten eine lichtemittierende Schicht (7; 27) aus einem organischen Material umfassen, dadurch gekennzeichnet, dass das lichtemittierende Bauelement eine organische Zwischenschicht (3; 23) mit einer die elektrische Leitfähigkeit steigernden Dotierung aufweist, die Ladungsträger injizierend und transportierend ausgeführt und auf einer Kontaktschicht (2; 22) der Leiterplatte (1; 21) angeordnet ist, wobei die Zwischenschicht für den Fall einer als Kathode gebildeten Kontaktschicht (2) der Leiterplatte (1) eine n-dotierte, Elektronen injizierende und transportierende Schicht oder für den Fall einer als Anode gebildeten Kontaktschicht (22) der Leiterplatte (21) eine p-dotierte, Löcher injizierende und transportierende Schicht ist.
  2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der organischen Zwischenschicht (3; 23) und einer substratseitigen dotierten Ladungsträgertransportschicht (5; 25) eine dotierte Glättungsschicht (4; 24) aufgebracht ist.
  3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die dotierte Glättungsschicht (4; 24) aus einem Material mit einer hohen Glastemperatur ist.
  4. Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (3; 23) eine Morphologie mit kristallinen Anteilen aufweist.
  5. Anordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass eine molare Konzentration einer Beimischung in der Zwischenschicht (3; 23), der dotierten Glättungsschicht (4; 24) und der substratseitigen dotierten Ladungsträgertransportschicht (5; 25) im Bereich von 1:100.000 bis 5:1 bezogen auf ein Verhältnis von Dotierungsmolekülen zu Hauptsubstanzmolekülen liegt.
  6. Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine als Anode oder Kathode ausgeführte Deckelelektrode (11; 31) transparent oder semitransparent und mit einer Kapselung (12; 32) versehen ist.
  7. Anordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die als Anode oder Kathode ausgeführte Deckelelektrode (11; 31) aus einem Metall und semitransparent ist.
  8. Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass über der als Anode oder Kathode ausgeführten, semitransparenten Deckelelektrode (11; 31) aus Metall eine weitere transparente Kontaktschicht zur Querleitung aufgebracht ist.
  9. Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterplatte (1; 21) aus einem Substrat ist, auf dem das lichtemittierende Bauelement mit elektrischen Bauelementen kombiniert und elektrisch verbunden ist.
DE10261609A 2002-12-20 2002-12-20 Lichtemittierende Anordnung Expired - Lifetime DE10261609B4 (de)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10261609A DE10261609B4 (de) 2002-12-20 2002-12-20 Lichtemittierende Anordnung
DE10262143A DE10262143B4 (de) 2002-12-20 2002-12-20 Lichtemittierende Anordnung
CNB2003801002112A CN100536192C (zh) 2002-12-20 2003-12-19 发光装置
US10/488,586 US20050236973A1 (en) 2002-12-20 2003-12-19 Electroluminescent assembly
KR1020047009418A KR100654579B1 (ko) 2002-12-20 2003-12-19 발광 장치
TW092136327A TWI231059B (en) 2002-12-20 2003-12-19 Light emitting apparatus
PCT/DE2003/004295 WO2004057687A2 (de) 2002-12-20 2003-12-19 Lichtemittierende anordnung
EP03795765A EP1552569A2 (de) 2002-12-20 2003-12-19 Lichtemittierende anordnung
PCT/DE2003/004188 WO2004057686A2 (de) 2002-12-20 2003-12-19 Lichtemittierende anordnung
JP2004561052A JP3838518B2 (ja) 2002-12-20 2003-12-19 発光構造
AU2003303088A AU2003303088A1 (en) 2002-12-20 2003-12-19 Light-emitting arrangement
AU2003298073A AU2003298073A1 (en) 2002-12-20 2003-12-19 Electroluminescent assembly

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10261609A DE10261609B4 (de) 2002-12-20 2002-12-20 Lichtemittierende Anordnung
DE10262143A DE10262143B4 (de) 2002-12-20 2002-12-20 Lichtemittierende Anordnung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10261609A1 DE10261609A1 (de) 2004-07-08
DE10261609B4 true DE10261609B4 (de) 2007-05-03

Family

ID=32478092

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10261609A Expired - Lifetime DE10261609B4 (de) 2002-12-20 2002-12-20 Lichtemittierende Anordnung
DE10262143A Expired - Lifetime DE10262143B4 (de) 2002-12-20 2002-12-20 Lichtemittierende Anordnung

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10262143A Expired - Lifetime DE10262143B4 (de) 2002-12-20 2002-12-20 Lichtemittierende Anordnung

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20050236973A1 (de)
EP (1) EP1552569A2 (de)
JP (1) JP3838518B2 (de)
KR (1) KR100654579B1 (de)
CN (1) CN100536192C (de)
AU (2) AU2003298073A1 (de)
DE (2) DE10261609B4 (de)
TW (1) TWI231059B (de)
WO (2) WO2004057686A2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007059887A1 (de) * 2007-09-26 2009-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes organisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4445925B2 (ja) * 2003-12-25 2010-04-07 富士フイルム株式会社 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ素子の製造装置
US7540978B2 (en) * 2004-08-05 2009-06-02 Novaled Ag Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component
JP5409854B2 (ja) * 2004-09-24 2014-02-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
EP1803172B1 (de) 2004-09-24 2017-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierendes bauelement
KR101197690B1 (ko) * 2004-09-30 2012-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자 및 그 발광 소자를 이용하는 표시장치
JP4785483B2 (ja) * 2004-09-30 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子および表示装置
EP1648042B1 (de) * 2004-10-07 2007-05-02 Novaled AG Verfahren zur Dotierung von einem Halbleitermaterial mit Cäsium
US20070181874A1 (en) * 2004-12-30 2007-08-09 Shiva Prakash Charge transport layers and organic electron devices comprising same
DE102005015359B4 (de) * 2005-03-30 2010-05-20 Samsung Mobile Display Co. Ltd., Suwon Invertierte Schichtstruktur für organische Leuchtdioden und Photolumineszenz-Quenching-Elemente
EP1818996A1 (de) * 2005-04-13 2007-08-15 Novaled AG Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen
EP1727221B1 (de) * 2005-05-27 2010-04-14 Novaled AG Transparente organische Leuchtdiode
KR100646795B1 (ko) * 2005-09-08 2006-11-23 한양대학교 산학협력단 불순물이 계단형 농도로 첨가되는 정공수송층을 포함하는유기발광소자 및 그 제조방법
TW200721478A (en) * 2005-10-14 2007-06-01 Pioneer Corp Light-emitting element and display apparatus using the same
EP1780816B1 (de) 2005-11-01 2020-07-01 Novaled GmbH Methode zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit einer Schichtstruktur und elektronisches Bauelement
EP1798306B1 (de) 2005-12-07 2008-06-11 Novaled AG Verfahren zum Abscheiden eines Aufdampfmaterials
TWI353677B (en) 2006-03-21 2011-12-01 Novaled Ag Method for preparing doped organic semiconductor m
EP1848049B1 (de) * 2006-04-19 2009-12-09 Novaled AG Lichtemittierendes Bauelement
DE102007045518B4 (de) * 2007-09-24 2010-12-16 Siemens Ag Lösungsprozessiertes organisches elektronisches Bauelement mit verbesserter Elektrodenschicht
DE102008030821A1 (de) * 2008-06-30 2009-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektroluminieszierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer elektroluminieszierenden Vorrichtung
DE102010039956A1 (de) 2010-08-30 2012-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquellenvorrichtung und Lichtquellenanordnung
FR2992097B1 (fr) 2012-06-18 2015-03-27 Astron Fiamm Safety Diode electroluminescente organique de type pin
EP3258516A1 (de) 2016-06-15 2017-12-20 odelo GmbH Leuchteinheit mit organischer leuchtdiode (oled) sowie verfahren zu deren herstellung
EP3258515A1 (de) 2016-06-15 2017-12-20 odelo GmbH Leuchteinheit mit organischer leuchtdiode (oled) für fahrzeuganwendungen sowie verfahren zu deren herstellung

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5677572A (en) * 1996-07-29 1997-10-14 Eastman Kodak Company Bilayer electrode on a n-type semiconductor
US5703394A (en) * 1996-06-10 1997-12-30 Motorola Integrated electro-optical package
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5757026A (en) * 1994-12-13 1998-05-26 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5969474A (en) * 1996-10-24 1999-10-19 Tdk Corporation Organic light-emitting device with light transmissive anode and light transmissive cathode including zinc-doped indium oxide
US5981306A (en) * 1997-09-12 1999-11-09 The Trustees Of Princeton University Method for depositing indium tin oxide layers in organic light emitting devices
US6201346B1 (en) * 1997-10-24 2001-03-13 Nec Corporation EL display device using organic EL element having a printed circuit board
US6333603B1 (en) * 2000-06-19 2001-12-25 Sunplus Technology Co., Ltd. Organic light emission device display module
EP1220339A2 (de) * 2000-12-28 2002-07-03 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung und Herstellungsverfahren
DE10135513A1 (de) * 2001-07-20 2003-02-06 Univ Dresden Tech Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0786736A (ja) * 1993-09-14 1995-03-31 Fujitsu Ltd 薄膜多層回路基板
US6741085B1 (en) * 1993-11-16 2004-05-25 Formfactor, Inc. Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts
US5644327A (en) * 1995-06-07 1997-07-01 David Sarnoff Research Center, Inc. Tessellated electroluminescent display having a multilayer ceramic substrate
US5693565A (en) * 1996-07-15 1997-12-02 Dow Corning Corporation Semiconductor chips suitable for known good die testing
US6046543A (en) * 1996-12-23 2000-04-04 The Trustees Of Princeton University High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same
JP2000196140A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
US6498592B1 (en) * 1999-02-16 2002-12-24 Sarnoff Corp. Display tile structure using organic light emitting materials
US6760497B1 (en) * 1999-02-23 2004-07-06 Ppc Electronic Ag Printed circuit board for electrical and optical signals and method for producing the same
US6468638B2 (en) * 1999-03-16 2002-10-22 Alien Technology Corporation Web process interconnect in electronic assemblies
US6593690B1 (en) * 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
JP3589960B2 (ja) * 1999-09-16 2004-11-17 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子
DE19959084B4 (de) * 1999-12-08 2005-05-12 Schott Ag Organisches LED-Display und Verfahren zu seiner Herstellung
US6515417B1 (en) * 2000-01-27 2003-02-04 General Electric Company Organic light emitting device and method for mounting
TWI226205B (en) * 2000-03-27 2005-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and method of manufacturing the same
KR100477101B1 (ko) * 2000-10-06 2005-03-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자
DE50103348D1 (de) * 2000-10-13 2004-09-23 Ppc Electronic Ag Cham Leiterplatte sowie verfahren zum herstellen einer solchen leiterplatte und eines schichtverbundmaterials für eine solche leiterplatte
JP3860793B2 (ja) * 2000-11-08 2006-12-20 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 電気光学装置
JP4040249B2 (ja) * 2000-11-16 2008-01-30 富士フイルム株式会社 発光素子
US6787249B2 (en) * 2001-03-28 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting element and light emitting device using the same
US6856086B2 (en) * 2001-06-25 2005-02-15 Avery Dennison Corporation Hybrid display device
US6891326B2 (en) * 2002-11-15 2005-05-10 Universal Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5757026A (en) * 1994-12-13 1998-05-26 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5703394A (en) * 1996-06-10 1997-12-30 Motorola Integrated electro-optical package
US5747363A (en) * 1996-06-10 1998-05-05 Motorola, Inc. Method of manufacturing an integrated electro-optical package
US5677572A (en) * 1996-07-29 1997-10-14 Eastman Kodak Company Bilayer electrode on a n-type semiconductor
US5969474A (en) * 1996-10-24 1999-10-19 Tdk Corporation Organic light-emitting device with light transmissive anode and light transmissive cathode including zinc-doped indium oxide
US5981306A (en) * 1997-09-12 1999-11-09 The Trustees Of Princeton University Method for depositing indium tin oxide layers in organic light emitting devices
US6201346B1 (en) * 1997-10-24 2001-03-13 Nec Corporation EL display device using organic EL element having a printed circuit board
US6333603B1 (en) * 2000-06-19 2001-12-25 Sunplus Technology Co., Ltd. Organic light emission device display module
EP1220339A2 (de) * 2000-12-28 2002-07-03 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung und Herstellungsverfahren
DE10135513A1 (de) * 2001-07-20 2003-02-06 Univ Dresden Tech Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
C.W.Tang et al in Appl. Phys. Lett. 51 (12), pp. 913ff., 1987 *
G.Parthasarathy et al in Adv. Mat. 11, pp. 907ff., 1997
G.Parthasarathy et al in Adv. Mat. 11, pp. 907ff.,1997 *
G.Parthasarathy et al in Appl. Phys. Lett. 72, pp. 2138ff., 1997 *
G.Parthasarathy et al. in Appl. Phys. Lett. 76, pp. 2128ff., 2000 *
Hung et al. in Appl. Phys. Lett. 70, pp. 152ff., 1997 *
M.G.Mason et al. in J. Appl. Phys. 89, pp. 2756ff, 2001
M.G.Mason et al. in J. Appl. Phys. 89, pp. 2756ff,2001 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007059887A1 (de) * 2007-09-26 2009-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes organisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
KR100654579B1 (ko) 2006-12-08
JP3838518B2 (ja) 2006-10-25
TWI231059B (en) 2005-04-11
WO2004057687A3 (de) 2004-12-16
WO2004057686A3 (de) 2005-01-06
WO2004057686A2 (de) 2004-07-08
KR20040077676A (ko) 2004-09-06
AU2003303088A1 (en) 2004-07-14
CN1692507A (zh) 2005-11-02
AU2003298073A1 (en) 2004-07-14
TW200423447A (en) 2004-11-01
JP2005524966A (ja) 2005-08-18
DE10262143B4 (de) 2011-01-20
WO2004057687A2 (de) 2004-07-08
EP1552569A2 (de) 2005-07-13
CN100536192C (zh) 2009-09-02
US20050236973A1 (en) 2005-10-27
DE10261609A1 (de) 2004-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10261609B4 (de) Lichtemittierende Anordnung
EP1410450B1 (de) Lichtemittierendes bauelement mit organischen schichten
DE10215210B4 (de) Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
EP1511094B1 (de) Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10058578C2 (de) Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
EP1508176B1 (de) Phosphoreszentes lichtemittierendes bauelement mit organischen schichten
DE69531509T2 (de) Organisch/anorganische legierungen zur verbesserung organischer elektroluminiszierender vorrichtungen
DE102013017361B4 (de) Organisches Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht ermittierenden Bauelements
DE112006002463T5 (de) Grenzflächenkonditionierung zur Verbesserung der Effizienz und Lebensdauer von organischen Elektrolumineszenz-Vorrichtungen
DE102013107113A1 (de) Organisches Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements
EP1848049B1 (de) Lichtemittierendes Bauelement
DE102012208235B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE112014007311B9 (de) Organisches lichtemittierendes Bauelement
DE102016106917A1 (de) Organisches elektronisches Bauteil mit Ladungsträgergenerationsschicht
DE102015102371B4 (de) Organisches Licht emittierendes Bauelement
DE10326725A1 (de) OLED-Bauelement und Display auf Basis von OLED-Bauelementen mit verbesserter Effizienz
DE102012025879B3 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE10351822B4 (de) OLED-Bauelement und Display auf Basis von OLED-Bauelementen mit verbesserter Effizienz
WO2007090390A1 (de) Elektrolumineszente lichtemissionsvorrichtung
WO2016150687A1 (de) Verfahren zur herstellung einer organischen ladungsträgererzeugungsschicht und eines organischen licht emittierenden bauelements mit einer organischen ladungsträgererzeugungsschicht
DE20320925U1 (de) OLED-Bauelement und Display auf Basis von OLED-Bauelementen mit verbesserter Effizienz
DE102007059887A1 (de) Lichtemittierendes organisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: NOVALED GMBH, 01069 DRESDEN, DE

8181 Inventor (new situation)

Inventor name: BLOCHWITZ-NIMOTH, JAN, DR., 01097 DRESDEN, DE

Inventor name: PFEIFFER, MARTIN, DR., 01069 DRESDEN, DE

Inventor name: LEO, KARL, PROF. DR., 01219 DRESDEN, DE

8172 Supplementary division/partition in:

Ref document number: 10262143

Country of ref document: DE

Kind code of ref document: P

Q171 Divided out to:

Ref document number: 10262143

Country of ref document: DE

Kind code of ref document: P

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: NOVALED AG, 01307 DRESDEN, DE

8364 No opposition during term of opposition
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0051520000

Ipc: H10K0050800000

R071 Expiry of right