JP5409854B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
本発明は電極間に発光物質を含む薄膜を挟んでなり、電流を流すことで発光する発光素
子及び当該発光素子を用いた表示装置、ひいては当該発光素子を用いた電子機器に関する
。
子及び当該発光素子を用いた表示装置、ひいては当該発光素子を用いた電子機器に関する
。
電流を流すことで自身が発光する自発光型の薄膜発光素子を用いたディスプレイの開発
が盛んに進められている。
が盛んに進められている。
これらの薄膜発光素子は有機、無機もしくはその両方を用いて形成された単層、多層薄
膜に電極を接続し、電流を流すことで発光する。このような薄膜発光素子は、低消費電力
化、省スペース化、視認性などが有望視されており、今後市場のさらなる拡大も期待され
ている。
膜に電極を接続し、電流を流すことで発光する。このような薄膜発光素子は、低消費電力
化、省スペース化、視認性などが有望視されており、今後市場のさらなる拡大も期待され
ている。
このうち、多層構造を有する発光素子は層毎にその機能を分けることで、それ以前と比
較して高効率に発光する素子を作製することができようになった（例えば非特許文献１参
照）。
較して高効率に発光する素子を作製することができようになった（例えば非特許文献１参
照）。
Ｃ．Ｗ．タンら、アプライド フィジクス レターズ、Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．１２，９１３−９１５（１９８７）
多層構造を有する薄膜発光素子は、一対の電極の間に、正孔注入層、正孔輸送層、発光
層、電子輸送層、電子注入層などにより構成される発光積層体をはさんでなり、一方の電
極に他方の電極よりも高い電圧をかけることによって発光を得ることができる。このうち
正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層は素子構成によっては用いない層があ
っても良い。
層、電子輸送層、電子注入層などにより構成される発光積層体をはさんでなり、一方の電
極に他方の電極よりも高い電圧をかけることによって発光を得ることができる。このうち
正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層は素子構成によっては用いない層があ
っても良い。
上記構成の発光積層体を形成するためには、それぞれに適した特性を有する材料を選択
するが、発光積層体を挟む電極もそれぞれに適した特性を有する材料を選ぶことが必要と
なる。
するが、発光積層体を挟む電極もそれぞれに適した特性を有する材料を選ぶことが必要と
なる。
具体的には、他方の電極より高い電圧をかける必要がある電極には仕事関数の大きい材
料（約４．０ｅＶ以上）、もう一方の電極には仕事関数の小さい材料（約３．８ｅＶ以下
）の材料を選ぶ必要があった。
料（約４．０ｅＶ以上）、もう一方の電極には仕事関数の小さい材料（約３．８ｅＶ以下
）の材料を選ぶ必要があった。
しかし、これらの電極は成膜特性、成膜方法、透光性の有る無し及び導電性なども考慮
して選択を行わなければいけない為、非常に選択の幅が狭いのが現状である。
して選択を行わなければいけない為、非常に選択の幅が狭いのが現状である。
そこで本発明では電極の仕事関数を考慮しなくとも良くなるような発光素子又は発光装
置を提供することを課題とする。また、電極材料の選択の幅を広げることが可能な発光素
子又は発光装置を提供することを課題とする。
置を提供することを課題とする。また、電極材料の選択の幅を広げることが可能な発光素
子又は発光装置を提供することを課題とする。
上記課題を解決する為の本発明の発光装置における構成の一は、対向して設けられた第
１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層とを有し、第１の層
とはドナー準位を有する層であり、第２の層は発光物質を含む層もしくは少なくとも発光
物質を含む層を有する積層体であり、第３の層はアクセプタ準位を有する層であり、第１
の層、第２の層、第３の層及び第４の層は順番に積層されており、第１の電極は第１の層
に接して設けられており、第２の電極は第３の層に接して設けられており、第１の電極の
電位を第２の電極の電位より高くなるようにかけた際、第２の層から発生した正孔が第３
の層に注入されるように接合されていることを特徴とする。
１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層とを有し、第１の層
とはドナー準位を有する層であり、第２の層は発光物質を含む層もしくは少なくとも発光
物質を含む層を有する積層体であり、第３の層はアクセプタ準位を有する層であり、第１
の層、第２の層、第３の層及び第４の層は順番に積層されており、第１の電極は第１の層
に接して設けられており、第２の電極は第３の層に接して設けられており、第１の電極の
電位を第２の電極の電位より高くなるようにかけた際、第２の層から発生した正孔が第３
の層に注入されるように接合されていることを特徴とする。
上記課題を解決する為の本発明の発光装置における構成の一は、対向して設けられた第
１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層と、第４の層とを有
し、第１の層と第４の層とはドナー準位を有する層であり、第２の層は発光物質を含む層
もしくは少なくとも発光物質を含む層を有する積層体であり、第３の層はアクセプタ準位
を有する層であり、第１の層、第２の層、第３の層及び第４の層は順番に積層されており
、第１の電極は第１の層に接して設けられており、第２の電極は第４の層に接して設けら
れており、第１の電極の電位を第２の電極の電位より高くなるようにかけた際、第２の層
から発生した正孔と、第４の層から発生した電子が第３の層に注入されるように接合され
ていることを特徴とする。
１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層と、第４の層とを有
し、第１の層と第４の層とはドナー準位を有する層であり、第２の層は発光物質を含む層
もしくは少なくとも発光物質を含む層を有する積層体であり、第３の層はアクセプタ準位
を有する層であり、第１の層、第２の層、第３の層及び第４の層は順番に積層されており
、第１の電極は第１の層に接して設けられており、第２の電極は第４の層に接して設けら
れており、第１の電極の電位を第２の電極の電位より高くなるようにかけた際、第２の層
から発生した正孔と、第４の層から発生した電子が第３の層に注入されるように接合され
ていることを特徴とする。
上記課題を解決する為の本発明の発光装置における構成の一は、対向して設けられた第
１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層と、第４の層と、第
５の層とを有し、第１の層と第４の層とはドナー準位を有する層であり、第２の層は発光
物質を含む層もしくは少なくとも発光物質を含む層を有する積層体であり、第３の層と第
５の層はアクセプタ準位を有する層であり、第１の層、第２の層、第３の層、第４の層及
び第５の層は順番に積層されており、第１の電極は第１の層に接して設けられており、第
２の電極は第５の層に接して設けられており、第１の電極の電位を第２の電極の電位より
高くなるようにかけた際、第２の層から発生した正孔と、第４の層から発生した電子が第
３の層に注入されるように接合されていることを特徴とする。
１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層と、第４の層と、第
５の層とを有し、第１の層と第４の層とはドナー準位を有する層であり、第２の層は発光
物質を含む層もしくは少なくとも発光物質を含む層を有する積層体であり、第３の層と第
５の層はアクセプタ準位を有する層であり、第１の層、第２の層、第３の層、第４の層及
び第５の層は順番に積層されており、第１の電極は第１の層に接して設けられており、第
２の電極は第５の層に接して設けられており、第１の電極の電位を第２の電極の電位より
高くなるようにかけた際、第２の層から発生した正孔と、第４の層から発生した電子が第
３の層に注入されるように接合されていることを特徴とする。
上記課題を解決する為の本発明の発光装置における構成の一は、対向して設けられた第
１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層とを有し、前記第１
の層は正孔よりも電子の移動度が高い第１の物質と前記第１の物質に電子を供与すること
が可能な第２の物質を含む層であり、前記第２の層は電子よりも正孔の移動度が高い第３
の物質と前記第３の物質から電子を受容することが可能な第４の物質を含む層であり、前
記第３の層は発光物質を含む層もしくは少なくとも発光物質を含む層を有する積層体であ
り、前記第１の層、第２の層、第３の層は順番に積層されており、前記第１の電極は前記
第１の層に接して設けられており、前記第２の電極は前記第３の層に接して設けられてお
り、前記第１の電極の電位を前記第２の電極の電位より高くした際、前記第２の層から発
生した正孔が前記第３の層に注入されるように接合されていることを特徴とする。
１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層とを有し、前記第１
の層は正孔よりも電子の移動度が高い第１の物質と前記第１の物質に電子を供与すること
が可能な第２の物質を含む層であり、前記第２の層は電子よりも正孔の移動度が高い第３
の物質と前記第３の物質から電子を受容することが可能な第４の物質を含む層であり、前
記第３の層は発光物質を含む層もしくは少なくとも発光物質を含む層を有する積層体であ
り、前記第１の層、第２の層、第３の層は順番に積層されており、前記第１の電極は前記
第１の層に接して設けられており、前記第２の電極は前記第３の層に接して設けられてお
り、前記第１の電極の電位を前記第２の電極の電位より高くした際、前記第２の層から発
生した正孔が前記第３の層に注入されるように接合されていることを特徴とする。
上記課題を解決する為の本発明の発光装置における構成の一は、対向して設けられた第
１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層と、第４の層とを有
し、前記第１の層は正孔よりも電子の移動度が高い第１の物質と前記第１の物質に電子を
供与することが可能な第２の物質を含む層であり、前記第２の層は電子よりも正孔の移動
度が高い第３の物質と前記第３の物質から電子を受容することが可能な第４の物質を含む
層であり、前記第３の層は発光物質を含む層もしくは少なくとも発光物質を含む層を有す
る積層体であり、前記第４の層は正孔よりも電子の移動度が高い第５の物質と前記第５の
物質に電子を供与することが可能な第６の物質を含む層であり、前記第１の層、第２の層
、第３の層及び第４の層は順番に積層されており、前記第１の電極は前記第１の層に接し
て設けられており、前記第２の電極は前記第４の層に接して設けられており、前記第１の
電極の電位を前記第２の電極の電位より高くした際、前記第２の層から発生した正孔と、
前記第４の層から発生した電子が前記第３の層に注入されるように接合されていることを
特徴とする。
１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層と、第４の層とを有
し、前記第１の層は正孔よりも電子の移動度が高い第１の物質と前記第１の物質に電子を
供与することが可能な第２の物質を含む層であり、前記第２の層は電子よりも正孔の移動
度が高い第３の物質と前記第３の物質から電子を受容することが可能な第４の物質を含む
層であり、前記第３の層は発光物質を含む層もしくは少なくとも発光物質を含む層を有す
る積層体であり、前記第４の層は正孔よりも電子の移動度が高い第５の物質と前記第５の
物質に電子を供与することが可能な第６の物質を含む層であり、前記第１の層、第２の層
、第３の層及び第４の層は順番に積層されており、前記第１の電極は前記第１の層に接し
て設けられており、前記第２の電極は前記第４の層に接して設けられており、前記第１の
電極の電位を前記第２の電極の電位より高くした際、前記第２の層から発生した正孔と、
前記第４の層から発生した電子が前記第３の層に注入されるように接合されていることを
特徴とする。
上記課題を解決する為の本発明の発光装置における構成の一は、対向して設けられた第
１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層と、第４の層と、第
５の層とを有し、前記第１の層は正孔よりも電子の移動度が高い第１の物質と前記第１の
物質に電子を供与することが可能な第２の物質を含む層であり、前記第２の層は電子より
も正孔の移動度が高い第３の物質と前記第３の物質から電子を受容することが可能な第４
の物質を含む層であり、前記第３の層は発光物質を含む層もしくは少なくとも発光物質を
含む層を有する積層体であり、前記第４の層は正孔よりも電子の移動度が高い第５の物質
と前記第５の物質に電子を供与することが可能な第６の物質を含む層であり、前記第５の
層は電子よりも正孔の移動度が高い第７の物質と前記第７の物質から電子を受容すること
が可能な第８の物質を含む層であり、前記第１の層、第２の層、第３の層、第４の層及び
第５の層は順番に積層されており、前記第１の電極は前記第１の層に接して設けられてお
り、前記第２の電極は前記第５の層に接して設けられており、前記第１の電極の電位を前
記第２の電極の電位より高くした際、前記第２の層から発生した正孔と、前記第４の層か
ら発生した電子が前記第３の層に注入されるように接合されていることを特徴とする。
１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層と、第４の層と、第
５の層とを有し、前記第１の層は正孔よりも電子の移動度が高い第１の物質と前記第１の
物質に電子を供与することが可能な第２の物質を含む層であり、前記第２の層は電子より
も正孔の移動度が高い第３の物質と前記第３の物質から電子を受容することが可能な第４
の物質を含む層であり、前記第３の層は発光物質を含む層もしくは少なくとも発光物質を
含む層を有する積層体であり、前記第４の層は正孔よりも電子の移動度が高い第５の物質
と前記第５の物質に電子を供与することが可能な第６の物質を含む層であり、前記第５の
層は電子よりも正孔の移動度が高い第７の物質と前記第７の物質から電子を受容すること
が可能な第８の物質を含む層であり、前記第１の層、第２の層、第３の層、第４の層及び
第５の層は順番に積層されており、前記第１の電極は前記第１の層に接して設けられてお
り、前記第２の電極は前記第５の層に接して設けられており、前記第１の電極の電位を前
記第２の電極の電位より高くした際、前記第２の層から発生した正孔と、前記第４の層か
ら発生した電子が前記第３の層に注入されるように接合されていることを特徴とする。
上記構成を有する本発明の発光装置は、電極の材料を選択する際、仕事関数を考慮しな
くとも良い。また、電極材料の選択の幅を広げることが可能となる。
くとも良い。また、電極材料の選択の幅を広げることが可能となる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多く
の異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱すること
なくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従っ
て、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
の異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱すること
なくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従っ
て、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
（実施の形態１）
本実施の形態では、図１を参照しながら本発明の発光装置の構成について説明する。本
発明の発光装置は発光材料を含む発光積層体１０４とアクセプタ準位を有する層１０５と
ドナー準位を有する層１０３が接して積層されている。また、第１の電極１０１は発光積
層体１０４に、第２の電極１０６はドナー準位を有する層１０３に接して設けられ、発光
積層体１０４とアクセプタ準位を有する層１０５とドナー準位を有する層１０３の積層体
は第１の電極１０１と第２の電極１０６に挟まれている構造を有する発光素子を有してい
る。当該発光素子は基板や絶縁膜など平坦な面を有する絶縁物１００の上に設けられるが
、平坦な面を有する絶縁物１００からの積層順は第１の電極１０１から積層しても（図１
（Ａ））、第２の電極１０６から積層しても（図１（Ｂ））どちらでも良い。
本実施の形態では、図１を参照しながら本発明の発光装置の構成について説明する。本
発明の発光装置は発光材料を含む発光積層体１０４とアクセプタ準位を有する層１０５と
ドナー準位を有する層１０３が接して積層されている。また、第１の電極１０１は発光積
層体１０４に、第２の電極１０６はドナー準位を有する層１０３に接して設けられ、発光
積層体１０４とアクセプタ準位を有する層１０５とドナー準位を有する層１０３の積層体
は第１の電極１０１と第２の電極１０６に挟まれている構造を有する発光素子を有してい
る。当該発光素子は基板や絶縁膜など平坦な面を有する絶縁物１００の上に設けられるが
、平坦な面を有する絶縁物１００からの積層順は第１の電極１０１から積層しても（図１
（Ａ））、第２の電極１０６から積層しても（図１（Ｂ））どちらでも良い。
そして当該構成を有する発光素子に第１の電極１０１の電位が第２の電極の電位より低
くなるように電圧を印可することによって発光積層体１０４より発光を得ることができる
。
くなるように電圧を印可することによって発光積層体１０４より発光を得ることができる
。
ドナー準位を有する層１０３は電子輸送性の材料と当該電子輸送性の材料に電子を供与
することができる電子供与性の材料の両方を含む層やＮ型半導体の層、もしくはＮ型半導
体を含む層により形成する。上記電子輸送性の材料としては例えば、トリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ3）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）ア
ルミニウム（略称：Ａｌｍｑ3）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）
ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ2）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニ
ルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等キノリン骨格またはベンゾキノリン骨
格を有する金属錯体等からなる材料を用いることができる。また、この他、ビス［２−（
２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）2）、ビス
［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）2）
などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体などの材料も用いることが
できる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５
−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベン
ゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５
−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１
，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰ
ｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）等を用いることができる。また、これら電
子輸送性の材料に電子を与えることができる電子供与性の材料としては、例えば、リチウ
ム、セシウムなどのアルカリ金属、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類金属、
エルビウム、イッテルビウムなどの希土類金属、及びそれら金属を含む合金、金属化合物
などを用いることができるが、電子輸送性の材料との組み合わせによってそれぞれ電子供
与が可能な電子供与性の材料を選択する。また、これら電子輸送性の材料と電子供与性の
材料とを含む層にモリブデン酸化物、亜鉛酸化物及びチタン酸化物に代表される金属酸化
物を含ませても良い。また、Ｎ型半導体としては金属酸化物などの金属化合物も用いるこ
とができ、亜鉛酸化物、亜鉛硫化物、亜鉛セレン化物、チタン酸化物などがを用いること
ができる。
することができる電子供与性の材料の両方を含む層やＮ型半導体の層、もしくはＮ型半導
体を含む層により形成する。上記電子輸送性の材料としては例えば、トリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ3）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）ア
ルミニウム（略称：Ａｌｍｑ3）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）
ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ2）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニ
ルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等キノリン骨格またはベンゾキノリン骨
格を有する金属錯体等からなる材料を用いることができる。また、この他、ビス［２−（
２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）2）、ビス
［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）2）
などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体などの材料も用いることが
できる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５
−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベン
ゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５
−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１
，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰ
ｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）等を用いることができる。また、これら電
子輸送性の材料に電子を与えることができる電子供与性の材料としては、例えば、リチウ
ム、セシウムなどのアルカリ金属、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類金属、
エルビウム、イッテルビウムなどの希土類金属、及びそれら金属を含む合金、金属化合物
などを用いることができるが、電子輸送性の材料との組み合わせによってそれぞれ電子供
与が可能な電子供与性の材料を選択する。また、これら電子輸送性の材料と電子供与性の
材料とを含む層にモリブデン酸化物、亜鉛酸化物及びチタン酸化物に代表される金属酸化
物を含ませても良い。また、Ｎ型半導体としては金属酸化物などの金属化合物も用いるこ
とができ、亜鉛酸化物、亜鉛硫化物、亜鉛セレン化物、チタン酸化物などがを用いること
ができる。
アクセプタ準位を有する層１０５は、正孔輸送性の材料と当該正孔輸送性の材料から電
子を受け取ることができる電子受容性の材料の両方を含む層やＰ型半導体の層、もしくは
Ｐ型半導体を含む層により形成する。上記正孔輸送性の材料としては例えば、４，４’−
ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ
）や４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニ
ル（略称：ＴＰＤ）や４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリ
フェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフ
ェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）や４，
４’−ビス（Ｎ−（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）などの芳香族アミン系（即ち、ベンゼン環−窒素
の結合を有する）の化合物やフタロシアニン（略称：Ｈ2Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略
称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等のフタロシアニン化合物
を用いることができる。また、これら正孔輸送性の材料から電子を受け取ることができる
電子受容性の材料としては、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、７，７，８
，８，−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、２，３−ジシアノナフトキノン
（略称：ＤＣＮＮＱ）、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８，−テトラシ
アノキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）等が挙げられるが、正孔輸送性の材料との組
み合わせによってそれぞれ電子受容が可能な電子受容性の材料を選択する。また、Ｐ型半
導体としてはモリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、コバルト酸化物
、ニッケル酸化物及び銅酸化物などの金属酸化物を用いることができる。
子を受け取ることができる電子受容性の材料の両方を含む層やＰ型半導体の層、もしくは
Ｐ型半導体を含む層により形成する。上記正孔輸送性の材料としては例えば、４，４’−
ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ
）や４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニ
ル（略称：ＴＰＤ）や４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリ
フェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフ
ェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）や４，
４’−ビス（Ｎ−（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）などの芳香族アミン系（即ち、ベンゼン環−窒素
の結合を有する）の化合物やフタロシアニン（略称：Ｈ2Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略
称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等のフタロシアニン化合物
を用いることができる。また、これら正孔輸送性の材料から電子を受け取ることができる
電子受容性の材料としては、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、７，７，８
，８，−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、２，３−ジシアノナフトキノン
（略称：ＤＣＮＮＱ）、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８，−テトラシ
アノキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）等が挙げられるが、正孔輸送性の材料との組
み合わせによってそれぞれ電子受容が可能な電子受容性の材料を選択する。また、Ｐ型半
導体としてはモリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、コバルト酸化物
、ニッケル酸化物及び銅酸化物などの金属酸化物を用いることができる。
発光積層体１０４は少なくとも発光層を含む複数層で形成され、発光積層体１０４にお
ける発光層と第１の電極１０１との間に電子輸送層、発光積層体１０４における発光材料
が分散された層とアクセプタ準位を有する層１０５との間に正孔輸送層を設けても良い。
これらの層は設けられていても設けられていなくても良く、そのどちらかのみが設けられ
ていても良い。また、正孔輸送層、電子輸送層の材料としては、それぞれ上記アクセプタ
準位を有する層における正孔輸送性の材料、上記ドナー準位を有する層における電子輸送
性の材料に準じるため、ここでは説明を省略する。各々の記載を参照されたい。なお、発
光積層体１０４は発光層のみよりなる単層構造であっても良い。
ける発光層と第１の電極１０１との間に電子輸送層、発光積層体１０４における発光材料
が分散された層とアクセプタ準位を有する層１０５との間に正孔輸送層を設けても良い。
これらの層は設けられていても設けられていなくても良く、そのどちらかのみが設けられ
ていても良い。また、正孔輸送層、電子輸送層の材料としては、それぞれ上記アクセプタ
準位を有する層における正孔輸送性の材料、上記ドナー準位を有する層における電子輸送
性の材料に準じるため、ここでは説明を省略する。各々の記載を参照されたい。なお、発
光積層体１０４は発光層のみよりなる単層構造であっても良い。
発光積層体１０４における発光層には大きく分けて２つの種類ある。一つは発光物質の有
するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する材料からなる層に発光
中心となる発光材料を分散して含む層と、もう一つは発光材料のみで発光層を構成する層
であるが、前者は濃度消光が起こりにくく、好ましい構成である。発光中心となる発光物
質としては、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（１，１，７，７−テトラメチル
ジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノメチレン
−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−
４Ｈ−ピラン、ペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス（１０−メトキシ−１
，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル
キナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６、クマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ3）、９，９’−ビアントリル、９，１０−ジフェ
ニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）や９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略
称：ＤＮＡ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）等が挙
げられる。また、上記発光材料を分散してなる層を形成する場合に母体となる材料として
は、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−Ｂ
ｕＤＮＡ）等のアントラセン誘導体、４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（
略称：ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略
称：Ａｌｑ3）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍ
ｑ3）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢ
ｑ2）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウ
ム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ピリジナト］亜鉛（略称
：Ｚｎｐｐ2）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略
称：ＺｎＢＯＸ）などの金属錯体等を用いることができる。また、発光物質のみで発光積
層体１０４を構成することのできる材料としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニ
ウム（略称：Ａｌｑ3）、９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ
）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（
略称：ＢＡｌｑ）などがある。
するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する材料からなる層に発光
中心となる発光材料を分散して含む層と、もう一つは発光材料のみで発光層を構成する層
であるが、前者は濃度消光が起こりにくく、好ましい構成である。発光中心となる発光物
質としては、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（１，１，７，７−テトラメチル
ジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノメチレン
−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−
４Ｈ−ピラン、ペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス（１０−メトキシ−１
，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル
キナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６、クマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ3）、９，９’−ビアントリル、９，１０−ジフェ
ニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）や９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略
称：ＤＮＡ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）等が挙
げられる。また、上記発光材料を分散してなる層を形成する場合に母体となる材料として
は、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−Ｂ
ｕＤＮＡ）等のアントラセン誘導体、４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（
略称：ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略
称：Ａｌｑ3）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍ
ｑ3）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢ
ｑ2）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウ
ム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ピリジナト］亜鉛（略称
：Ｚｎｐｐ2）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略
称：ＺｎＢＯＸ）などの金属錯体等を用いることができる。また、発光物質のみで発光積
層体１０４を構成することのできる材料としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニ
ウム（略称：Ａｌｑ3）、９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ
）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（
略称：ＢＡｌｑ）などがある。
第１の電極１０１は仕事関数の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝
導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。なお、陰極材料の具体
例としては、元素周期律の１族または２族に属する元素、すなわちＬｉやＣｓ等のアルカ
リ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ
：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）や化合物（ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ2）の他、希土類金属を含む遷
移金属を用いて形成することができるが、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ等の金属（合金を含む）と
の積層により形成することもできる。
導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。なお、陰極材料の具体
例としては、元素周期律の１族または２族に属する元素、すなわちＬｉやＣｓ等のアルカ
リ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ
：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）や化合物（ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ2）の他、希土類金属を含む遷
移金属を用いて形成することができるが、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ等の金属（合金を含む）と
の積層により形成することもできる。
また、第２の電極１０６はアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐ
ｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、
鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、リチウム（Ｌｉ）、
セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ
）、チタン（Ｔｉ）などの導電性を有する金属、又はそれらの合金、または金属材料の窒
化物（ＴｉＮ）、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、珪素を含有するＩＴＯ
、酸化インジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕ
ｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物などの導電膜により形成することができる。
ｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、
鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、リチウム（Ｌｉ）、
セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ
）、チタン（Ｔｉ）などの導電性を有する金属、又はそれらの合金、または金属材料の窒
化物（ＴｉＮ）、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、珪素を含有するＩＴＯ
、酸化インジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕ
ｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物などの導電膜により形成することができる。
また、第２の電極の方から発光を取り出す場合は透明性を有する導電膜により形成すれ
ば良く、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、珪素を含有するＩＴＯ、酸化イ
ンジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉ
ｎｃ ｏｘｉｄｅ）などの金属酸化物の他、Ａｌ、Ａｇ等金属の極薄膜を用いる。また、
第１の電極の方から発光を取り出す場合は反射率の高い材料（Ａｌ、Ａｇ等）を用いるこ
とができる。
ば良く、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、珪素を含有するＩＴＯ、酸化イ
ンジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉ
ｎｃ ｏｘｉｄｅ）などの金属酸化物の他、Ａｌ、Ａｇ等金属の極薄膜を用いる。また、
第１の電極の方から発光を取り出す場合は反射率の高い材料（Ａｌ、Ａｇ等）を用いるこ
とができる。
本実施の形態における本発明の発光装置は、第２のドナー準位を有する層１０３が第２
の電極に接して設けられていることから、第２の電極を作製する材料を選択する際、仕事
関数を考慮しなくとも良い。第２の電極を作製する材料を選択する際、材料選択の幅が広
がる。これにより、より当該発光装置が有する構成に適した材料を使用することが出来る
ようになる。
の電極に接して設けられていることから、第２の電極を作製する材料を選択する際、仕事
関数を考慮しなくとも良い。第２の電極を作製する材料を選択する際、材料選択の幅が広
がる。これにより、より当該発光装置が有する構成に適した材料を使用することが出来る
ようになる。
なお、上に例示した材料に関してはあくまで例示にすぎず、本発明の効果を維持できる
範囲内において実施者が適宜選択できるものである。
範囲内において実施者が適宜選択できるものである。
上記構成を有する本発明の発光装置は、第２の電極１０６の電位が第１の電極１０１の電位より高くなるように電圧をかけると、ドナー準位を有する層１０３より第２の電極に電子が注入される。また、アクセプタ準位を有する層１０５より正孔が発光積層体１０４に注入される。さらに、第１の電極１０１より発光積層体１０４に電子が注入され、発光積層体において注入された電子と正孔が再結合し、励起状態となった発光材料が基底状態と戻る際に発光が得られる。ここで本発明の発光装置では、第２の電極１０６がドナー準位を有する層１０３に正孔を注入するのではなく、ドナー準位を有する層１０３が第２の電極に電子を注入することによって動作するため、第２の電極１０６が有する仕事関数に関しては考慮しなくても良くなる。これにより、第２の電極を作製する材料を選択する際、仕事関数を考慮しなくとも良い。第２の電極を作製する材料を選択する際、材料選択の幅が広がる。これにより、より当該発光装置が有する構成に適した材料を使用することが出来るようになる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、図２を参照しながら本発明の発光装置の構成について説明する。本
発明の発光装置は第１のドナー準位を有する層１０２、発光積層体１０４、アクセプタ準
位を有する層１０５及び第２のドナー準位を有する層１０３が接して積層されている。ま
た、第１の電極１０１は第１のドナー準位を有する層１０２に、第２の電極１０６は第２
のドナー準位を有する層１０３に接して設けられ、第１のドナー準位を有する層１０２と
発光積層体１０４とアクセプタ準位を有する層１０５と第２のドナー準位を有する層１０
３の積層体は第１の電極１０１と第２の電極１０６に挟まれている構造を有する発光素子
を有している。また、当該発光素子は基板や絶縁膜など絶縁物１００の上に積層されてい
る。基板や絶縁膜など絶縁物１００の上に積層される順番は順に第１の電極１０１、第１
のドナー準位を有する層１０２、発光積層体１０４、アクセプタ準位を有する層１０５、
第２のドナー準位を有する層１０３、第２の電極１０６の順（図２（Ａ））か、もしくは
順に第２の電極１０６、第２のドナー準位を有する層１０３、アクセプタ準位を有する層
１０５、発光積層体１０４、第１のドナー準位を有する層１０２、第１の電極１０１の順
（図２（Ｂ））となる。
本実施の形態では、図２を参照しながら本発明の発光装置の構成について説明する。本
発明の発光装置は第１のドナー準位を有する層１０２、発光積層体１０４、アクセプタ準
位を有する層１０５及び第２のドナー準位を有する層１０３が接して積層されている。ま
た、第１の電極１０１は第１のドナー準位を有する層１０２に、第２の電極１０６は第２
のドナー準位を有する層１０３に接して設けられ、第１のドナー準位を有する層１０２と
発光積層体１０４とアクセプタ準位を有する層１０５と第２のドナー準位を有する層１０
３の積層体は第１の電極１０１と第２の電極１０６に挟まれている構造を有する発光素子
を有している。また、当該発光素子は基板や絶縁膜など絶縁物１００の上に積層されてい
る。基板や絶縁膜など絶縁物１００の上に積層される順番は順に第１の電極１０１、第１
のドナー準位を有する層１０２、発光積層体１０４、アクセプタ準位を有する層１０５、
第２のドナー準位を有する層１０３、第２の電極１０６の順（図２（Ａ））か、もしくは
順に第２の電極１０６、第２のドナー準位を有する層１０３、アクセプタ準位を有する層
１０５、発光積層体１０４、第１のドナー準位を有する層１０２、第１の電極１０１の順
（図２（Ｂ））となる。
そして当該構成を有する発光素子に第１の電極１０１の電位が第２の電極の電位より低
くなるように電圧を印可することによって発光積層体１０４より発光を得ることができる
。
くなるように電圧を印可することによって発光積層体１０４より発光を得ることができる
。
第１のドナー準位を有する層１０２と第２のドナー準位を有する層１０３は異なる材料
で形成しても良いが同じ材料で形成しても良く、実施の形態１におけるドナー準位を有す
る層１０３と同じ材料を用いて形成することができる。実施の形態１におけるドナー準位
を有する層１０３を構成する材料の記載を参照されたい。
で形成しても良いが同じ材料で形成しても良く、実施の形態１におけるドナー準位を有す
る層１０３と同じ材料を用いて形成することができる。実施の形態１におけるドナー準位
を有する層１０３を構成する材料の記載を参照されたい。
アクセプタ準位を有する層１０５も、実施の形態１におけるアクセプタ準位を有する層
１０５と同じ材料を用いて形成することができる。実施の形態１におけるアクセプタ準位
を有する層１０５を構成する材料の記載を参照されたい。
１０５と同じ材料を用いて形成することができる。実施の形態１におけるアクセプタ準位
を有する層１０５を構成する材料の記載を参照されたい。
発光材料を含む発光積層体１０４についても同様であるが、発光積層体における電子注
入層及び電子輸送層は第１のドナー準位を有する層１０２と発光層との間に設けるように
なる。その他の構成については実施の形態１における発光積層体１０４に関する記載を参
照されたい。
入層及び電子輸送層は第１のドナー準位を有する層１０２と発光層との間に設けるように
なる。その他の構成については実施の形態１における発光積層体１０４に関する記載を参
照されたい。
第１の電極１０１は仕事関数の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝
導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。なお、陰極材料の具体
例としては、元素周期律の１族または２族に属する元素、すなわちＬｉやＣｓ等のアルカ
リ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ
：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）や化合物（ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ2）の他、希土類金属を含む遷
移金属を用いて形成することができるが、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ等の金属（合金を含む）と
の積層により形成することもできる。
導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。なお、陰極材料の具体
例としては、元素周期律の１族または２族に属する元素、すなわちＬｉやＣｓ等のアルカ
リ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ
：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）や化合物（ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ2）の他、希土類金属を含む遷
移金属を用いて形成することができるが、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ等の金属（合金を含む）と
の積層により形成することもできる。
また、第２の電極１０６はアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐ
ｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、
鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、リチウム（Ｌｉ）、
セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ
）、チタン（Ｔｉ）などの導電性を有する金属、又はそれらの合金、または金属材料の窒
化物（ＴｉＮ）、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、珪素を含有するＩＴＯ
、酸化インジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕ
ｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物などの導電膜により形成することができる。
ｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、
鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、リチウム（Ｌｉ）、
セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ
）、チタン（Ｔｉ）などの導電性を有する金属、又はそれらの合金、または金属材料の窒
化物（ＴｉＮ）、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、珪素を含有するＩＴＯ
、酸化インジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕ
ｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物などの導電膜により形成することができる。
また、第２の電極の方から発光を取り出す場合は透明性を有する導電膜により形成すれ
ば良く、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、珪素を含有するＩＴＯ、酸化イ
ンジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉ
ｎｃ ｏｘｉｄｅ）などの金属酸化物の他、Ａｌ、Ａｇ等金属の極薄膜を用いる。また、
第１の電極の方から発光を取り出す場合は反射率の高い材料（Ａｌ、Ａｇ等）を用いるこ
とができる。
ば良く、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、珪素を含有するＩＴＯ、酸化イ
ンジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉ
ｎｃ ｏｘｉｄｅ）などの金属酸化物の他、Ａｌ、Ａｇ等金属の極薄膜を用いる。また、
第１の電極の方から発光を取り出す場合は反射率の高い材料（Ａｌ、Ａｇ等）を用いるこ
とができる。
本実施の形態における本発明の発光装置は、第２のドナー準位を有する層１０３が第２
の電極に接して設けられていることから、第２の電極を作製する材料を選択する際、仕事
関数を考慮しなくとも良い。第２の電極を作製する材料を選択する際、材料選択の幅が広
がる。これにより、より当該発光装置が有する構成に適した材料を使用することが出来る
ようになる。
の電極に接して設けられていることから、第２の電極を作製する材料を選択する際、仕事
関数を考慮しなくとも良い。第２の電極を作製する材料を選択する際、材料選択の幅が広
がる。これにより、より当該発光装置が有する構成に適した材料を使用することが出来る
ようになる。
なお、上に例示した材料に関してはあくまで例示にすぎず、本発明の効果を維持できる
範囲内において実施者が適宜選択できるものである。
範囲内において実施者が適宜選択できるものである。
上記構成を有する本発明の発光装置は、第２の電極１０６の電位が第１の電極１０１の電位より高くなるように電圧をかけると、第２のドナー準位を有する層１０３より第２の電極に電子が注入される。また、アクセプタ準位を有する層１０５より正孔が発光積層体１０４に注入される。さらに、第１のドナー準位を有する層１０２より発光積層体１０４に電子が注入され、発光積層体において注入された電子と正孔が再結合し、励起状態となった発光材料が基底状態と戻る際に発光が得られる。ここで本発明の発光装置では、第２の電極１０６が第２のドナー準位を有する層１０３に正孔を注入するのではなく、第２のドナー準位を有する層１０３が第２の電極に電子を注入することによって動作するため、第２の電極１０６が有する仕事関数に関しては考慮しなくても良くなる。これにより、第２の電極を作製する材料を選択する際、仕事関数を考慮しなくとも良い。第２の電極を作製する材料を選択する際、材料選択の幅が広がる。これにより、より当該発光装置が有する構成に適した材料を使用することが出来るようになる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、図３を参照しながら本発明の発光装置の構成について説明する。本
発明の発光装置は第１のアクセプタ準位を有する層１１０、第１のドナー準位を有する層
１０２、発光積層体１０４、第２のアクセプタ準位を有する層１０５及び第２のドナー準
位を有する層１０３が接して積層されている。また、第１の電極１０１は第１のアクセプ
タ準位を有する層１１０に、第２の電極１０６は第２のドナー準位を有する層１０３に接
して設けられ、第１のアクセプタ準位を有する層１１０と、第１の電子発生層１０２と、
発光積層体１０４と、第２のアクセプタ準位を有する層１０５と、第２のドナー準位を有
する層１０３との積層体は第１の電極１０１と第２の電極１０６に挟まれている構造を有
する発光素子を有している。また、当該発光素子は基板や絶縁膜など絶縁物１００の上に
積層されている。基板や絶縁膜など絶縁物１００の上に積層される順番は順に第１の電極
１０１、第１のアクセプタ準位を有する層１１０、第１のドナー準位を有する層１０２、
発光積層体１０４、第２のアクセプタ準位を有する層１０５、第２のドナー準位を有する
層１０３、第２の電極１０６の順（図３（Ａ））か、もしくは順に第２の電極１０６、第
２のドナー準位を有する層１０３、第２のアクセプタ準位を有する層１０５、発光積層体
１０４、第１のドナー準位を有する層１０２、第１のアクセプタ準位を有する層１１０、
第１の電極１０１の順（図３（Ｂ））となる。
本実施の形態では、図３を参照しながら本発明の発光装置の構成について説明する。本
発明の発光装置は第１のアクセプタ準位を有する層１１０、第１のドナー準位を有する層
１０２、発光積層体１０４、第２のアクセプタ準位を有する層１０５及び第２のドナー準
位を有する層１０３が接して積層されている。また、第１の電極１０１は第１のアクセプ
タ準位を有する層１１０に、第２の電極１０６は第２のドナー準位を有する層１０３に接
して設けられ、第１のアクセプタ準位を有する層１１０と、第１の電子発生層１０２と、
発光積層体１０４と、第２のアクセプタ準位を有する層１０５と、第２のドナー準位を有
する層１０３との積層体は第１の電極１０１と第２の電極１０６に挟まれている構造を有
する発光素子を有している。また、当該発光素子は基板や絶縁膜など絶縁物１００の上に
積層されている。基板や絶縁膜など絶縁物１００の上に積層される順番は順に第１の電極
１０１、第１のアクセプタ準位を有する層１１０、第１のドナー準位を有する層１０２、
発光積層体１０４、第２のアクセプタ準位を有する層１０５、第２のドナー準位を有する
層１０３、第２の電極１０６の順（図３（Ａ））か、もしくは順に第２の電極１０６、第
２のドナー準位を有する層１０３、第２のアクセプタ準位を有する層１０５、発光積層体
１０４、第１のドナー準位を有する層１０２、第１のアクセプタ準位を有する層１１０、
第１の電極１０１の順（図３（Ｂ））となる。
そして当該構成を有する発光素子に第１の電極１０１の電位が第２の電極の電位より低
くなるように電圧を印可することによって発光積層体１０４より発光を得ることができる
。
くなるように電圧を印可することによって発光積層体１０４より発光を得ることができる
。
第１のドナー準位を有する層１０２と第２のドナー準位を有する層１０３は異なる材料
で形成しても良いが同じ材料で形成しても良く、実施の形態１におけるドナー準位を有す
る層１０３と同じ材料を用いて形成することができる。実施の形態１におけるドナー準位
を有する層１０３を構成する材料の記載を参照されたい。
で形成しても良いが同じ材料で形成しても良く、実施の形態１におけるドナー準位を有す
る層１０３と同じ材料を用いて形成することができる。実施の形態１におけるドナー準位
を有する層１０３を構成する材料の記載を参照されたい。
第１のアクセプタ準位を有する層１１０と第２のアクセプタ準位を有する層１０５も異
なる材料で形成しても良いが同じ材料で形成しても良く、実施の形態１におけるアクセプ
タ準位を有する層１０５と同じ材料を用いて形成することができる。実施の形態１におけ
るアクセプタ準位を有する層１０５を構成する材料の記載を参照されたい。
なる材料で形成しても良いが同じ材料で形成しても良く、実施の形態１におけるアクセプ
タ準位を有する層１０５と同じ材料を用いて形成することができる。実施の形態１におけ
るアクセプタ準位を有する層１０５を構成する材料の記載を参照されたい。
発光材料を含む発光積層体１０４についても同様であるが、発光積層体における電子注
入層及び電子輸送層は第１のドナー準位を有する層１０２と発光層との間に設けるように
なる。その他の構成については実施の形態１における発光積層体１０４に関する記載を参
照されたい。
入層及び電子輸送層は第１のドナー準位を有する層１０２と発光層との間に設けるように
なる。その他の構成については実施の形態１における発光積層体１０４に関する記載を参
照されたい。
第１の電極１０１及び第２の電極１０６はアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（
Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、リ
チウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、スト
ロンチウム（Ｓｒ）、チタン（Ｔｉ）などの導電性を有する金属、又はそれらの合金、ま
たは金属材料の窒化物（ＴｉＮ）、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、珪素
を含有するＩＴＯ、酸化インジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩ
ＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物などの導電膜により形成す
ることができる。
Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、リ
チウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、スト
ロンチウム（Ｓｒ）、チタン（Ｔｉ）などの導電性を有する金属、又はそれらの合金、ま
たは金属材料の窒化物（ＴｉＮ）、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、珪素
を含有するＩＴＯ、酸化インジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩ
ＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物などの導電膜により形成す
ることができる。
また、発光を取り出す方の電極は透明性を有する導電膜により形成すれば良く、ＩＴＯ
（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、珪素を含有するＩＴＯ、酸化インジウムに２〜
２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄ
ｅ）などの金属酸化物の他、Ａｌ、Ａｇ等金属の極薄膜を用いる。また、第１の電極の方
から発光を取り出す場合は反射率の高い材料（Ａｌ、Ａｇ等）を用いることができる。
（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、珪素を含有するＩＴＯ、酸化インジウムに２〜
２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄ
ｅ）などの金属酸化物の他、Ａｌ、Ａｇ等金属の極薄膜を用いる。また、第１の電極の方
から発光を取り出す場合は反射率の高い材料（Ａｌ、Ａｇ等）を用いることができる。
本実施の形態における本発明の発光装置は、第１のアクセプタ準位を有する層１１０が
第１の電極１０１に接して設けられていること及び第２のドナー準位を有する層１０３が
第２の電極に接して設けられていることから、第１の電極１０１及び第２の電極１０６を
作製する材料を選択する際、仕事関数を考慮しなくとも良い。また、第１の電極１０１及
び第２の電極１０６を作製する材料を選択する際、材料選択の幅が広がる。これにより、
より当該発光装置が有する構成に適した材料を使用することが出来るようになる。
第１の電極１０１に接して設けられていること及び第２のドナー準位を有する層１０３が
第２の電極に接して設けられていることから、第１の電極１０１及び第２の電極１０６を
作製する材料を選択する際、仕事関数を考慮しなくとも良い。また、第１の電極１０１及
び第２の電極１０６を作製する材料を選択する際、材料選択の幅が広がる。これにより、
より当該発光装置が有する構成に適した材料を使用することが出来るようになる。
なお、上に例示した材料に関してはあくまで例示にすぎず、本発明の効果を維持できる
範囲内において実施者が適宜選択できるものである。
範囲内において実施者が適宜選択できるものである。
上記構成を有する本発明の発光装置は、第２の電極１０６の電位が第１の電極１０１の
電位より高くなるように電圧をかけると、第１のアクセプタ準位を有する層１１０より第
１の電極１０１に正孔が注入され、第２のドナー準位を有する層１０３より第２の電極に
電子が注入される。また、第２のアクセプタ準位を有する層１０５より正孔が発光積層体
１０４に注入される。さらに、第１のドナー準位を有する層１０２より発光積層体１０４
に電子が注入され、発光積層体において注入された電子と正孔が再結合し、励起状態とな
った発光材料が基底状態と戻る際に発光が得られる。ここで本発明の発光装置では、第１
の電極１０１が第１のアクセプタ準位を有する層１１０に電子を注入するのではなく、第
１のアクセプタ準位を有する層１１０が第１の電極１０１に正孔を注入し、第２の電極１
０６が第２のドナー準位を有する層１０３に正孔を注入するのではなく、第２のドナー準
位を有する層１０３が第２の電極に電子を注入することによって動作するため、第１の電
極１０１及び第２の電極１０６が有する仕事関数に関しては考慮しなくても良くなる。こ
れにより、第１の電極１０１及び第２の電極１０６を作製する材料を選択する際、仕事関
数を考慮しなくとも良い。第１の電極１０１及び第２の電極を作製する材料を選択する際
、材料選択の幅が広がる。これにより、より当該発光装置が有する構成に適した材料を使
用することが出来るようになる。
電位より高くなるように電圧をかけると、第１のアクセプタ準位を有する層１１０より第
１の電極１０１に正孔が注入され、第２のドナー準位を有する層１０３より第２の電極に
電子が注入される。また、第２のアクセプタ準位を有する層１０５より正孔が発光積層体
１０４に注入される。さらに、第１のドナー準位を有する層１０２より発光積層体１０４
に電子が注入され、発光積層体において注入された電子と正孔が再結合し、励起状態とな
った発光材料が基底状態と戻る際に発光が得られる。ここで本発明の発光装置では、第１
の電極１０１が第１のアクセプタ準位を有する層１１０に電子を注入するのではなく、第
１のアクセプタ準位を有する層１１０が第１の電極１０１に正孔を注入し、第２の電極１
０６が第２のドナー準位を有する層１０３に正孔を注入するのではなく、第２のドナー準
位を有する層１０３が第２の電極に電子を注入することによって動作するため、第１の電
極１０１及び第２の電極１０６が有する仕事関数に関しては考慮しなくても良くなる。こ
れにより、第１の電極１０１及び第２の電極１０６を作製する材料を選択する際、仕事関
数を考慮しなくとも良い。第１の電極１０１及び第２の電極を作製する材料を選択する際
、材料選択の幅が広がる。これにより、より当該発光装置が有する構成に適した材料を使
用することが出来るようになる。
（実施の形態４）
本発明の他の実施の形態について説明する。本実施の形態ではアクセプタ準位を有する
層の膜厚を適当に調整することによって発光装置の視野角特性を改善する例について説明
する。本実施の形態において、発光素子の積層構造、材料については実施の形態１と同様
であるので説明を割愛する。実施の形態１乃至実施の形態３を参照されたい。
本発明の他の実施の形態について説明する。本実施の形態ではアクセプタ準位を有する
層の膜厚を適当に調整することによって発光装置の視野角特性を改善する例について説明
する。本実施の形態において、発光素子の積層構造、材料については実施の形態１と同様
であるので説明を割愛する。実施の形態１乃至実施の形態３を参照されたい。
発光素子より射出する光には、発光積層体１０４で発光し直接出てくる光と、一度、も
しくは複数度反射されて出てくる光とがある。この直接射出される光と反射されて出てく
る光とは位相の関係により干渉し強めあったり弱めあったりし、発光素子より射出される
光は当該干渉の結果として合成された光である。
しくは複数度反射されて出てくる光とがある。この直接射出される光と反射されて出てく
る光とは位相の関係により干渉し強めあったり弱めあったりし、発光素子より射出される
光は当該干渉の結果として合成された光である。
屈折率の小さな媒体から大きな媒体へ入射する際に反射した光はその位相が反転するた
め、実施の形態１に示した構成を有する発光装置における発光素子において第１の電極１
０１や第２の電極１０６等の電極と当該電極と接する層の界面における反射では反射光の
位相は反転する。この電極において反射した光と発光層で発光した光とが干渉する際、発
光層と当該電極との間の光学的距離（屈折率×物理的距離）が（２ｍ−１）λ／４（ｍは
１以上の自然数、λは当該発光層から発する光の中心波長）である場合、発光取り出し面
を見る角度に依存して発生するスペクトル形状の変化を低減することができ且つ発光素子
の電流効率も向上する。電流効率とは流した電流に対して輝度がどれだけ得られたかを表
すものであり、この効率が良いほど小さい電流であっても規定の輝度を得ることができる
。また素子の劣化も少ない傾向にある。
め、実施の形態１に示した構成を有する発光装置における発光素子において第１の電極１
０１や第２の電極１０６等の電極と当該電極と接する層の界面における反射では反射光の
位相は反転する。この電極において反射した光と発光層で発光した光とが干渉する際、発
光層と当該電極との間の光学的距離（屈折率×物理的距離）が（２ｍ−１）λ／４（ｍは
１以上の自然数、λは当該発光層から発する光の中心波長）である場合、発光取り出し面
を見る角度に依存して発生するスペクトル形状の変化を低減することができ且つ発光素子
の電流効率も向上する。電流効率とは流した電流に対して輝度がどれだけ得られたかを表
すものであり、この効率が良いほど小さい電流であっても規定の輝度を得ることができる
。また素子の劣化も少ない傾向にある。
反射は屈折率の差が小さい膜間では少ないことから、電極と電極に接する膜との界面で
起こる反射以外は無視できるため、本実施の形態では電極と電極に接する膜間で起こる反
射にのみ注目する。
起こる反射以外は無視できるため、本実施の形態では電極と電極に接する膜間で起こる反
射にのみ注目する。
第１の電極１０１側から発光を取り出す発光装置の場合、反射は第２の電極１０６で起
こる。そのため、当該発光装置における発光素子の電流効率を向上させ、発光取り出し面
を見る角度に依存して発生するスペクトル形状の変化を低減させる為には発光が起こった
位置から第２の電極１０６表面までの光学的距離（屈折率×物理的距離）を（２ｍ−１）
λ／４（ｍは１以上の自然数、λは当該発光層から発する光の中心波長）とすればよい。
こる。そのため、当該発光装置における発光素子の電流効率を向上させ、発光取り出し面
を見る角度に依存して発生するスペクトル形状の変化を低減させる為には発光が起こった
位置から第２の電極１０６表面までの光学的距離（屈折率×物理的距離）を（２ｍ−１）
λ／４（ｍは１以上の自然数、λは当該発光層から発する光の中心波長）とすればよい。
発光積層体１０４は発光材料を含む発光層の単層で形成されていてもよいが、電子輸送
層、正孔輸送層などの層と発光層との複数構造であっても良い。発光層は発光中心となる
発光材料が分散された層であっても良いし、発光材料のみで形成された層であっても良い
。
層、正孔輸送層などの層と発光層との複数構造であっても良い。発光層は発光中心となる
発光材料が分散された層であっても良いし、発光材料のみで形成された層であっても良い
。
さて、当該発光が起こった位置から第２の電極１０６までにはいくつかの異なる材料に
よる層が設けられている。本実施の形態においてはアクセプタ準位を有する層１０５及び
第２のドナー準位を有する層１０３である。また、発光積層体１０４もその膜厚のうち発
光位置からが発光がおこった位置から第２の電極１０６までの間に位置する層と言うこと
ができる。また、発光積層体１０４が複数層で形成される場合にはさらに異なる層が含ま
れる場合もある。このような構成において発光が起こった位置から第２の電極１０６まで
の光学的距離を求めるには各々の膜の屈折率と膜厚を掛け合わせたものを合計すればよく
、その合計が（２ｍ−１）λ／４（ｍは１以上の自然数、λは当該発光層から発する光の
中心波長）となるようにする。すなわち、発光層を１、第２の電極１０６をｊ（ｊは４以
上の整数）として発光材料を含む層から第２の電極１０６の間に存在する層に発光材料を
含む層側から順に番号をつけ、ある番号を付した屈折率ｎ、膜厚ｄを同じ番号が振られた
層の屈折率、膜厚とした場合（すなわちｎ1と言ったら発光材料を含む層の屈折率、ｄjと
言ったら第２の電極１０６の膜厚となる）、以下の式（１）を満たすものとする。
よる層が設けられている。本実施の形態においてはアクセプタ準位を有する層１０５及び
第２のドナー準位を有する層１０３である。また、発光積層体１０４もその膜厚のうち発
光位置からが発光がおこった位置から第２の電極１０６までの間に位置する層と言うこと
ができる。また、発光積層体１０４が複数層で形成される場合にはさらに異なる層が含ま
れる場合もある。このような構成において発光が起こった位置から第２の電極１０６まで
の光学的距離を求めるには各々の膜の屈折率と膜厚を掛け合わせたものを合計すればよく
、その合計が（２ｍ−１）λ／４（ｍは１以上の自然数、λは当該発光層から発する光の
中心波長）となるようにする。すなわち、発光層を１、第２の電極１０６をｊ（ｊは４以
上の整数）として発光材料を含む層から第２の電極１０６の間に存在する層に発光材料を
含む層側から順に番号をつけ、ある番号を付した屈折率ｎ、膜厚ｄを同じ番号が振られた
層の屈折率、膜厚とした場合（すなわちｎ1と言ったら発光材料を含む層の屈折率、ｄjと
言ったら第２の電極１０６の膜厚となる）、以下の式（１）を満たすものとする。
発光層はある程度の厚みを有しており、さらに発光中心は無数に存在しているため厳密
に発光が起こった位置を決定することはできないため、発光層の膜厚分、範囲を持った式
となっている。
に発光が起こった位置を決定することはできないため、発光層の膜厚分、範囲を持った式
となっている。
ここで、上記式（１）を満足させる為に膜厚を調整する必要が出てくる。有機物を主成
分とする層は電子の移動度が小さく、キャリアが電子である電子輸送性の材料及びドナー
準位を有する層の膜厚を厚くすると駆動電圧が上昇してしまう。そこで本実施の形態では
有機物を主成分とする層において比較的導電性の高いアクセプタ準位を有する層１０５の
膜厚を調節することで駆動電圧を大きく上昇させることなく上記式（１）を満足させるこ
とが可能となる。なお、キャリアが電子であるドナー準位を有する層であっても、リチウ
ムなどの電子輸送性の材料に電子を供与出来る物質が多く含まれている場合は上記式を満
足させる為に膜厚を調整する層として用いることが可能である。
分とする層は電子の移動度が小さく、キャリアが電子である電子輸送性の材料及びドナー
準位を有する層の膜厚を厚くすると駆動電圧が上昇してしまう。そこで本実施の形態では
有機物を主成分とする層において比較的導電性の高いアクセプタ準位を有する層１０５の
膜厚を調節することで駆動電圧を大きく上昇させることなく上記式（１）を満足させるこ
とが可能となる。なお、キャリアが電子であるドナー準位を有する層であっても、リチウ
ムなどの電子輸送性の材料に電子を供与出来る物質が多く含まれている場合は上記式を満
足させる為に膜厚を調整する層として用いることが可能である。
第２の電極１０６側から発光を取り出す発光素子の場合、反射は第１の電極１０１で起
こる。そのため、当該発光素子の電流効率を向上させ、発光取り出し面を見る角度に依存
して発生するスペクトル形状の変化を低減させる為には発光が起こった位置から第１の電
極１０１表面までの光学的距離（屈折率×物理的距離）を（２ｍ−１）λ／４（ｍは１以
上の自然数、λは当該発光層から発する光の中心波長）とすればよい。
こる。そのため、当該発光素子の電流効率を向上させ、発光取り出し面を見る角度に依存
して発生するスペクトル形状の変化を低減させる為には発光が起こった位置から第１の電
極１０１表面までの光学的距離（屈折率×物理的距離）を（２ｍ−１）λ／４（ｍは１以
上の自然数、λは当該発光層から発する光の中心波長）とすればよい。
発光積層体１０４は発光材料を含む発光層の単層で形成されていてもよいが、電子輸送
層、正孔輸送層などの層と発光層との複数構造であっても良い。発光層は発光中心となる
発光材料が分散された層であっても良いし、発光材料のみで形成された層であっても良い
。
層、正孔輸送層などの層と発光層との複数構造であっても良い。発光層は発光中心となる
発光材料が分散された層であっても良いし、発光材料のみで形成された層であっても良い
。
さて、当該発光が起こった位置から第１の電極１０１までにはいくつかの異なる材料に
よる層が設けられている。本実施の形態においては第１のアクセプタ準位を有する層１０
２である。また、発光材料を含む層もその膜厚の半分は発光がおこった位置から第１の電
極１０１までの間に位置する層と言うことができる。また、発光層が複数層で形成される
場合にはさらに異なる層が含まれる場合もある。このような構成において発光が起こった
位置から第１の電極１０１までの光学的距離を求めるには各々の膜の屈折率と膜厚を掛け
合わせたものを合計すればよい。すなわち、発光材料を含む層を１、第１の電極１０１を
ｊ（ｊは４以上の整数）として発光材料を含む層から第１の電極１０１の間に存在する層
に発光材料を含む層側から順に番号をつけ、ある番号を付した屈折率ｎ、膜厚ｄを同じ番
号が振られた層の屈折率、膜厚とした場合（すなわちｎ1と言ったら発光材料を含む層の
屈折率、ｄjと言ったら第２の電極１０６の膜厚となる）、以下の式（２）を満たすもの
とする。
よる層が設けられている。本実施の形態においては第１のアクセプタ準位を有する層１０
２である。また、発光材料を含む層もその膜厚の半分は発光がおこった位置から第１の電
極１０１までの間に位置する層と言うことができる。また、発光層が複数層で形成される
場合にはさらに異なる層が含まれる場合もある。このような構成において発光が起こった
位置から第１の電極１０１までの光学的距離を求めるには各々の膜の屈折率と膜厚を掛け
合わせたものを合計すればよい。すなわち、発光材料を含む層を１、第１の電極１０１を
ｊ（ｊは４以上の整数）として発光材料を含む層から第１の電極１０１の間に存在する層
に発光材料を含む層側から順に番号をつけ、ある番号を付した屈折率ｎ、膜厚ｄを同じ番
号が振られた層の屈折率、膜厚とした場合（すなわちｎ1と言ったら発光材料を含む層の
屈折率、ｄjと言ったら第２の電極１０６の膜厚となる）、以下の式（２）を満たすもの
とする。
この式において、発光層はある程度の厚みを有しており、さらに発光中心は無数に存在
しているため厳密に発光が起こった位置を決定することはできないため、発光層の膜厚分
、範囲を持った式となっている。
しているため厳密に発光が起こった位置を決定することはできないため、発光層の膜厚分
、範囲を持った式となっている。
ここで、上記式（２）を満足させる為に膜厚を調整する必要が出てくる。本実施の形態
では有機物を主成分とする層において比較的導電性の高い第１のアクセプタ準位を有する
層１１０の膜厚を調節することで駆動電圧を上昇させることなく上記式（２）を満足させ
ることが可能となる。なお、第１のアクセプタ準位を有する層１１０が設けられていない
構造である場合は、キャリアが電子であるドナー準位を有する層であっても、リチウムな
どの電子輸送性の材料に電子を供与出来る物質が多く含まれている場合は上記式を満足さ
せる為に膜厚を調整する層として用いることが可能であるため、ドナー準位を有する層に
よって膜厚調整を行うことができる。
では有機物を主成分とする層において比較的導電性の高い第１のアクセプタ準位を有する
層１１０の膜厚を調節することで駆動電圧を上昇させることなく上記式（２）を満足させ
ることが可能となる。なお、第１のアクセプタ準位を有する層１１０が設けられていない
構造である場合は、キャリアが電子であるドナー準位を有する層であっても、リチウムな
どの電子輸送性の材料に電子を供与出来る物質が多く含まれている場合は上記式を満足さ
せる為に膜厚を調整する層として用いることが可能であるため、ドナー準位を有する層に
よって膜厚調整を行うことができる。
また、第１の電極１０１及び第２の電極１０６の両方から光を取り出す構造である場合
には上記式（１）、（２）を同時に満たす様にすればよい。
には上記式（１）、（２）を同時に満たす様にすればよい。
発光素子を本実施の形態のような構造とすることで、発光取り出し面を見る角度に依存
して発光のスペクトルが変化してしまうことを低減した発光装置を提供することが可能と
なる。
して発光のスペクトルが変化してしまうことを低減した発光装置を提供することが可能と
なる。
本実施の形態は実施の形態１乃至実施の形態３の適当な構成と組み合わせて用いること
が可能である。
が可能である。
（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態１もしくは実施の形態２に記載の本発明の表示装置につ
いて図４、図５を参照し、作製方法を示しながら説明する。なお、本実施の形態ではアク
ティブマトリクス型の表示装置を作製する例を示したが、パッシブマトリクス型の表示装
置であっても本発明の発光装置を適用することができるのはもちろんである。
本実施の形態では、実施の形態１もしくは実施の形態２に記載の本発明の表示装置につ
いて図４、図５を参照し、作製方法を示しながら説明する。なお、本実施の形態ではアク
ティブマトリクス型の表示装置を作製する例を示したが、パッシブマトリクス型の表示装
置であっても本発明の発光装置を適用することができるのはもちろんである。
まず、基板５０上に第１の下地絶縁層５１ａ、第２の下地絶縁層５１ｂを形成した後、
さらに半導体層を第２の下地絶縁層５１ｂ上に形成する。（図４（Ａ））
さらに半導体層を第２の下地絶縁層５１ｂ上に形成する。（図４（Ａ））
基板５０の材料としてはガラス、石英やプラスチック（ポリイミド、アクリル、ポリエ
チレンテレフタラート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルスルホンな
ど）等を用いることができる。これら基板は必要に応じてＣＭＰ等により研磨してから使
用しても良い。本実施の形態においてはガラス基板を用いる。
チレンテレフタラート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルスルホンな
ど）等を用いることができる。これら基板は必要に応じてＣＭＰ等により研磨してから使
用しても良い。本実施の形態においてはガラス基板を用いる。
第１の下地絶縁層５１ａ、第２の下地絶縁層５１ｂは基板５０中のアルカリ金属やアル
カリ土類金属など、半導体膜の特性に悪影響を及ぼすような元素が半導体層中に拡散する
のを防ぐ為に設ける。材料としては酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含
む窒化珪素などを用いることができる。本実施の形態では第１の下地絶縁層５１ａを窒化
珪素で、第２の下地絶縁層５１ｂを酸化珪素で形成する。本実施の形態では、下地絶縁層
を第１の下地絶縁層５１ａ、第２の下地絶縁層５１ｂの２層で形成したが、単層で形成し
てもかまわないし、２層以上の多層であってもかまわない。また、基板からの不純物の拡
散が気にならないようであれば下地絶縁層は設ける必要がない。
カリ土類金属など、半導体膜の特性に悪影響を及ぼすような元素が半導体層中に拡散する
のを防ぐ為に設ける。材料としては酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含
む窒化珪素などを用いることができる。本実施の形態では第１の下地絶縁層５１ａを窒化
珪素で、第２の下地絶縁層５１ｂを酸化珪素で形成する。本実施の形態では、下地絶縁層
を第１の下地絶縁層５１ａ、第２の下地絶縁層５１ｂの２層で形成したが、単層で形成し
てもかまわないし、２層以上の多層であってもかまわない。また、基板からの不純物の拡
散が気にならないようであれば下地絶縁層は設ける必要がない。
続いて形成される半導体層は本実施の形態では非晶質珪素膜をレーザ結晶化して得る。
第２の下地絶縁層５１ｂ上に非晶質珪素膜を２５〜１００ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎ
ｍ）の膜厚で形成する。作製方法としては公知の方法、例えばスパッタ法、減圧ＣＶＤ法
またはプラズマＣＶＤ法などが使用できる。その後、５００℃で１時間の加熱処理を行い
水素出しをする。
第２の下地絶縁層５１ｂ上に非晶質珪素膜を２５〜１００ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎ
ｍ）の膜厚で形成する。作製方法としては公知の方法、例えばスパッタ法、減圧ＣＶＤ法
またはプラズマＣＶＤ法などが使用できる。その後、５００℃で１時間の加熱処理を行い
水素出しをする。
続いてレーザ照射装置を用いて非晶質珪素膜を結晶化して結晶質珪素膜を形成する。本
実施の形態のレーザ結晶化ではエキシマレーザを使用し、発振されたレーザビームを光学
系を用いて線状のビームスポットに加工し非晶質珪素膜に照射することで結晶質珪素膜と
し、半導体層として用いる。
実施の形態のレーザ結晶化ではエキシマレーザを使用し、発振されたレーザビームを光学
系を用いて線状のビームスポットに加工し非晶質珪素膜に照射することで結晶質珪素膜と
し、半導体層として用いる。
非晶質珪素膜の他の結晶化の方法としては、他に、熱処理のみにより結晶化を行う方法
や結晶化を促進する触媒元素を用い加熱処理を行う事によって行う方法もある。結晶化を
促進する元素としてはニッケル、鉄、パラジウム、スズ、鉛、コバルト、白金、銅、金な
どが挙げられ、このような元素を用いることによって熱処理のみで結晶化を行った場合に
比べ、低温、短時間で結晶化が行われるため、ガラス基板などへのダメージが少ない。熱
処理のみにより結晶化をする場合は、基板５０を熱に強い石英基板などにすればよい。
や結晶化を促進する触媒元素を用い加熱処理を行う事によって行う方法もある。結晶化を
促進する元素としてはニッケル、鉄、パラジウム、スズ、鉛、コバルト、白金、銅、金な
どが挙げられ、このような元素を用いることによって熱処理のみで結晶化を行った場合に
比べ、低温、短時間で結晶化が行われるため、ガラス基板などへのダメージが少ない。熱
処理のみにより結晶化をする場合は、基板５０を熱に強い石英基板などにすればよい。
続いて、必要に応じて半導体層にしきい値をコントロールする為に微量の不純物添加、
いわゆるチャネルドーピングを行う。要求されるしきい値を得る為にＮ型もしくはＰ型を
呈する不純物（リン、ボロンなど）をイオンドーピング法などにより添加する。
いわゆるチャネルドーピングを行う。要求されるしきい値を得る為にＮ型もしくはＰ型を
呈する不純物（リン、ボロンなど）をイオンドーピング法などにより添加する。
その後、図４（Ａ）に示すように半導体層を所定の形状にパターニングし、島状の半導
体層５２を得る。パターニングは半導体層にフォトレジストを塗布し、所定のマスク形状
を露光し、焼成して、半導体層上にレジストマスクを形成し、このマスクを用いてエッチ
ングをすることにより行われる。
体層５２を得る。パターニングは半導体層にフォトレジストを塗布し、所定のマスク形状
を露光し、焼成して、半導体層上にレジストマスクを形成し、このマスクを用いてエッチ
ングをすることにより行われる。
続いて半導体層５２を覆うようにゲート絶縁層５３を形成する。ゲート絶縁層５３はプラ
ズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用いて膜厚を４０〜１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁層
で形成する。本実施の形態では酸化珪素を用いて形成する。
ズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用いて膜厚を４０〜１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁層
で形成する。本実施の形態では酸化珪素を用いて形成する。
次いで、ゲート絶縁層５３上にゲート電極５４を形成する。ゲート電極５４はタンタル
、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、クロム、ニオブから選ばれた
元素、または元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、
リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい
。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。
、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、クロム、ニオブから選ばれた
元素、または元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、
リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい
。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。
また、本実施の形態ではゲート電極５４は単層で形成されているが、下層にタングステ
ン、上層にモリブデンなどの２層以上の積層構造でもかまわない。積層構造としてゲート
電極を形成する場合であっても前段で述べた材料を使用するとよい。また、その組み合わ
せも適宜選択すればよい。ゲート電極５４の加工はフォトレジストを用いたマスクを利用
し、エッチングをして行う。
ン、上層にモリブデンなどの２層以上の積層構造でもかまわない。積層構造としてゲート
電極を形成する場合であっても前段で述べた材料を使用するとよい。また、その組み合わ
せも適宜選択すればよい。ゲート電極５４の加工はフォトレジストを用いたマスクを利用
し、エッチングをして行う。
続いて、ゲート電極５４をマスクとして半導体層５２に高濃度の不純物を添加する。こ
れによって半導体層５２、ゲート絶縁層５３、及びゲート電極５４を含む薄膜トランジス
タ７０が形成される。
れによって半導体層５２、ゲート絶縁層５３、及びゲート電極５４を含む薄膜トランジス
タ７０が形成される。
なお、薄膜トランジスタの作製工程については特に限定されず、所望の構造のトランジ
スタを作製できるように適宜変更すればよい。
スタを作製できるように適宜変更すればよい。
本実施の形態では、レーザ結晶化を使用して結晶化した結晶性シリコン膜を用いたトッ
プゲートの薄膜トランジスタを用いたが、非晶質半導体膜を用いたボトムゲート型の薄膜
トランジスタを画素部に用いることも可能である。非晶質半導体は珪素だけではなくシリ
コンゲルマニウムも用いることができ、シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウ
ムの濃度は０．０１〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度であることが好ましい。
プゲートの薄膜トランジスタを用いたが、非晶質半導体膜を用いたボトムゲート型の薄膜
トランジスタを画素部に用いることも可能である。非晶質半導体は珪素だけではなくシリ
コンゲルマニウムも用いることができ、シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウ
ムの濃度は０．０１〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度であることが好ましい。
また非晶質半導体中に０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶を粒観察することができる微結晶半
導体膜（セミアモルファス半導体）を用いてもよい。また０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶を
粒観察することができる微結晶はいわゆるマイクロクリスタル（μｃ）とも呼ばれている
。
導体膜（セミアモルファス半導体）を用いてもよい。また０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶を
粒観察することができる微結晶はいわゆるマイクロクリスタル（μｃ）とも呼ばれている
。
セミアモルファス半導体であるセミアモルファスシリコン（ＳＡＳとも表記する）は、
珪化物気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪化物気体とし
ては、ＳｉＨ4であり、その他にもＳｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＣｌ4、
ＳｉＦ4などを用いることができる。この珪化物気体を水素、水素とヘリウム、アルゴン
、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して用いること
でＳＡＳの形成を容易なものとすることができる。希釈率は１０倍〜１０００倍の範囲で
珪化物気体を希釈することが好ましい。グロー放電分解による被膜の反応生成は０．１Ｐ
ａ〜１３３Ｐａの範囲の圧力で行えば良い。グロー放電を形成するための電力は１ＭＨｚ
〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚの高周波電力を供給すれば良い。基
板加熱温度は３００度以下が好ましく、１００〜２５０度の基板加熱温度が好適である。
珪化物気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪化物気体とし
ては、ＳｉＨ4であり、その他にもＳｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＣｌ4、
ＳｉＦ4などを用いることができる。この珪化物気体を水素、水素とヘリウム、アルゴン
、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して用いること
でＳＡＳの形成を容易なものとすることができる。希釈率は１０倍〜１０００倍の範囲で
珪化物気体を希釈することが好ましい。グロー放電分解による被膜の反応生成は０．１Ｐ
ａ〜１３３Ｐａの範囲の圧力で行えば良い。グロー放電を形成するための電力は１ＭＨｚ
〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚの高周波電力を供給すれば良い。基
板加熱温度は３００度以下が好ましく、１００〜２５０度の基板加熱温度が好適である。
このようにして形成されたＳＡＳはラマンスペクトルが５２０ｃｍ-1よりも低波数側に
シフトしており、Ｘ線回折ではＳｉ結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）
の回折ピークが観測される。未結合手（ダングリングボンド）を終端するために水素また
はハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。膜中の不純物元素として
、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は１×１０20ｃｍ-1以下とすることが望まし
く、特に、酸素濃度は５×１０19／ｃｍ3以下、好ましくは１×１０19／ｃｍ3以下とする
。ＴＦＴにしたときのμ＝１〜１０ｃｍ2／Ｖｓｅｃとなる。
シフトしており、Ｘ線回折ではＳｉ結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）
の回折ピークが観測される。未結合手（ダングリングボンド）を終端するために水素また
はハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。膜中の不純物元素として
、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は１×１０20ｃｍ-1以下とすることが望まし
く、特に、酸素濃度は５×１０19／ｃｍ3以下、好ましくは１×１０19／ｃｍ3以下とする
。ＴＦＴにしたときのμ＝１〜１０ｃｍ2／Ｖｓｅｃとなる。
また、このＳＡＳをレーザでさらに結晶化して用いても良い。
続いて、ゲート電極５４、ゲート絶縁層５３を覆って絶縁膜（水素化膜）５９を窒化珪
素により形成する。絶縁膜（水素化膜）５９を形成したら４８０℃で１時間程度加熱を行
って、不純物元素の活性化及び半導体層５２の水素化を行う。
素により形成する。絶縁膜（水素化膜）５９を形成したら４８０℃で１時間程度加熱を行
って、不純物元素の活性化及び半導体層５２の水素化を行う。
続いて、絶縁膜（水素化膜）５９を覆う第１の層間絶縁層６０を形成する。第１の層間
絶縁層６０を形成する材料としては酸化珪素、アクリル、ポリイミドやシロキサン、Ｉｏ
ｗ−ｋ材料等にをもちいるとよい。本実施の形態では酸化珪素膜を第１の層間絶縁層とし
て形成した。（図４（Ｂ））
絶縁層６０を形成する材料としては酸化珪素、アクリル、ポリイミドやシロキサン、Ｉｏ
ｗ−ｋ材料等にをもちいるとよい。本実施の形態では酸化珪素膜を第１の層間絶縁層とし
て形成した。（図４（Ｂ））
次に、半導体層５２に至るコンタクトホールを開口する。コンタクトホールはレジスト
マスクを用いて、半導体層５２が露出するまでエッチングを行うことで形成することがで
き、ウエットエッチング、ドライエッチングどちらでも形成することができる。なお、条
件によって一回でエッチングを行ってしまっても良いし、複数回に分けてエッチングを行
っても良い。また、複数回でエッチングする際は、ウエットエッチングとドライエッチン
グの両方を用いても良い。（図４（Ｃ））
マスクを用いて、半導体層５２が露出するまでエッチングを行うことで形成することがで
き、ウエットエッチング、ドライエッチングどちらでも形成することができる。なお、条
件によって一回でエッチングを行ってしまっても良いし、複数回に分けてエッチングを行
っても良い。また、複数回でエッチングする際は、ウエットエッチングとドライエッチン
グの両方を用いても良い。（図４（Ｃ））
そして、当該コンタクトホールや第１の層間絶縁層６０を覆う導電層を形成する。当該導
電層を所望の形状に加工し、接続部６１ａ、配線６１ｂなどが形成される。この配線はア
ルミニウム、銅等の単層でも良いが、本実施の形態では積層順にモリブデン、アルミニウ
ム、モリブデンの積層構造とする。積層配線としてはチタン、アルミニウム、チタンやチ
タン、窒化チタン、アルミニウム、チタンといった構造でも良い。（図４（Ｄ））
電層を所望の形状に加工し、接続部６１ａ、配線６１ｂなどが形成される。この配線はア
ルミニウム、銅等の単層でも良いが、本実施の形態では積層順にモリブデン、アルミニウ
ム、モリブデンの積層構造とする。積層配線としてはチタン、アルミニウム、チタンやチ
タン、窒化チタン、アルミニウム、チタンといった構造でも良い。（図４（Ｄ））
その後、接続部６１ａ、配線６１ｂ、第１の層間絶縁層６０を覆って第２の層間絶縁層
６３を形成する。第２の層間絶縁層６３の材料としては自己平坦性を有するアクリル、ポ
リイミド、シロキサンなどの塗布膜が好適に利用できる。本実施の形態ではシロキサンを
第２の層間絶縁層６３として用いる。（図４（Ｅ））
６３を形成する。第２の層間絶縁層６３の材料としては自己平坦性を有するアクリル、ポ
リイミド、シロキサンなどの塗布膜が好適に利用できる。本実施の形態ではシロキサンを
第２の層間絶縁層６３として用いる。（図４（Ｅ））
続いて第２の層間絶縁層６３上に窒化珪素などで絶縁層を形成してもよい。これは後の
画素電極のエッチングにおいて、第２の層間絶縁層６３が必要以上にエッチングされてし
まうのを防ぐ為に形成する。そのため、画素電極と第２の層間絶縁層のエッチングレート
の比が大きい場合には特に設けなくとも良い。続いて、第２の層間絶縁層６３を貫通して
接続部６１ａに至るコンタクトホールを形成する。
画素電極のエッチングにおいて、第２の層間絶縁層６３が必要以上にエッチングされてし
まうのを防ぐ為に形成する。そのため、画素電極と第２の層間絶縁層のエッチングレート
の比が大きい場合には特に設けなくとも良い。続いて、第２の層間絶縁層６３を貫通して
接続部６１ａに至るコンタクトホールを形成する。
そして当該コンタクトホールと第２の層間絶縁層６３（もしくは絶縁層）を覆って、透
光性を有する導電層を形成したのち、当該透光性を有する導電層を加工して薄膜発光素子
の第２の電極１０６を形成する。ここで第２の電極１０６は接続部６１ａと電気的に接触
している。
光性を有する導電層を形成したのち、当該透光性を有する導電層を加工して薄膜発光素子
の第２の電極１０６を形成する。ここで第２の電極１０６は接続部６１ａと電気的に接触
している。
第１の電極１０１の材料としてはアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白
金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、リチウム（Ｌ
ｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム
（Ｓｒ）、チタン（Ｔｉ）などの導電性を有する金属、又はそれらの合金、または金属材
料の窒化物（ＴｉＮ）、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、珪素を含有する
ＩＴＯ、酸化インジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎ
ｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物などの導電膜により形成することがで
きる。
金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、リチウム（Ｌ
ｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム
（Ｓｒ）、チタン（Ｔｉ）などの導電性を有する金属、又はそれらの合金、または金属材
料の窒化物（ＴｉＮ）、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、珪素を含有する
ＩＴＯ、酸化インジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎ
ｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物などの導電膜により形成することがで
きる。
また、発光を取り出す方の電極は透明性を有する導電膜により形成すれば良く、ＩＴＯ（
ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、珪素を含有するＩＴＯ、酸化インジウムに２〜２
０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ
）などの金属酸化物の他、Ａｌ、Ａｇ等金属の極薄膜を用いる。また、第１の電極の方か
ら発光を取り出す場合は反射率の高い材料（Ａｌ、Ａｇ等）を用いることができる。本実
施の形態ではＩＴＳＯを第２の電極１０６として用いた（図５（Ａ））。
ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、珪素を含有するＩＴＯ、酸化インジウムに２〜２
０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ
）などの金属酸化物の他、Ａｌ、Ａｇ等金属の極薄膜を用いる。また、第１の電極の方か
ら発光を取り出す場合は反射率の高い材料（Ａｌ、Ａｇ等）を用いることができる。本実
施の形態ではＩＴＳＯを第２の電極１０６として用いた（図５（Ａ））。
次に第２の層間絶縁層６３（もしくは絶縁層）及び第２の電極１０６を覆って有機材料
もしくは無機材料からなる絶縁層を形成する。続いて当該絶縁層を第２の電極１０６の一
部が露出するように加工し、隔壁６５を形成する。隔壁６５の材料としては、感光性を有
する有機材料（アクリル、ポリイミドなど）が好適に用いられるが、感光性を有さない有
機材料や無機材料で形成してもかまわない。また、隔壁６５の材料にチタンブラックやカ
ーボンナイトライドなどの黒色顔料や染料を分散材などを用いて分散し、隔壁６５を黒く
することでブラックマトリクス様に用いても良い。隔壁６５の第１の電極に向かう端面は
曲率を有し、当該曲率が連続的に変化するテーパー形状をしていることが望ましい（図５
（Ｂ））。
もしくは無機材料からなる絶縁層を形成する。続いて当該絶縁層を第２の電極１０６の一
部が露出するように加工し、隔壁６５を形成する。隔壁６５の材料としては、感光性を有
する有機材料（アクリル、ポリイミドなど）が好適に用いられるが、感光性を有さない有
機材料や無機材料で形成してもかまわない。また、隔壁６５の材料にチタンブラックやカ
ーボンナイトライドなどの黒色顔料や染料を分散材などを用いて分散し、隔壁６５を黒く
することでブラックマトリクス様に用いても良い。隔壁６５の第１の電極に向かう端面は
曲率を有し、当該曲率が連続的に変化するテーパー形状をしていることが望ましい（図５
（Ｂ））。
次に、隔壁６５から露出した第２の電極１０６を覆って、第２のドナー準位を有する層
１０３、アクセプタ準位を有する層１０５、発光積層体１０４、第１のドナー準位を有す
る層１０２、の順に積層する。これらの層は蒸着法により形成すればよい。
１０３、アクセプタ準位を有する層１０５、発光積層体１０４、第１のドナー準位を有す
る層１０２、の順に積層する。これらの層は蒸着法により形成すればよい。
第１のドナー準位を有する層１０２と第２のドナー準位を有する層１０３は異なる材料
で形成しても良いが同じ材料で形成しても良く、電子輸送性の材料と当該電子輸送性の材
料に電子を供与することができる電子供与性の材料の両方を含む層やＮ型半導体の層、も
しくはＮ型半導体を含む層により形成する。上記電子輸送性の材料としては例えば、トリ
ス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ3）、トリス（４−メチル−８−キ
ノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ3）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］
−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ2）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト
）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等キノリン骨格またはベ
ンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる材料を用いることができる。また、この他
、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯ
Ｘ）2）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ
（ＢＴＺ）2）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体などの材料
も用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（
４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１
，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−
２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４
−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、
３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフ
ェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリ
ン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）等を用いることができる。
また、これら電子輸送性の材料に電子を与えることができる電子供与性の材料としては、
例えば、リチウム、セシウムなどのアルカリ金属、マグネシウム、カルシウムなどのアル
カリ土類金属、エルビウム、イッテルビウムなどの希土類金属、及びそれら金属を含む合
金、金属化合物などを用いることができるが、電子輸送性の材料との組み合わせによって
それぞれ電子供与が可能な電子供与性の材料を選択する。また、これら電子輸送性の材料
と電子供与性の材料とを含む層にモリブデン酸化物、亜鉛酸化物及びチタン酸化物に代表
される金属酸化物を含ませても良い。また、Ｎ型半導体としては酸化亜鉛、硫化亜鉛、セ
レン化亜鉛、酸化チタン、酸化チタンなどを用いることができる。
で形成しても良いが同じ材料で形成しても良く、電子輸送性の材料と当該電子輸送性の材
料に電子を供与することができる電子供与性の材料の両方を含む層やＮ型半導体の層、も
しくはＮ型半導体を含む層により形成する。上記電子輸送性の材料としては例えば、トリ
ス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ3）、トリス（４−メチル−８−キ
ノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ3）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］
−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ2）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト
）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等キノリン骨格またはベ
ンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる材料を用いることができる。また、この他
、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯ
Ｘ）2）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ
（ＢＴＺ）2）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体などの材料
も用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（
４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１
，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−
２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４
−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、
３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフ
ェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリ
ン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）等を用いることができる。
また、これら電子輸送性の材料に電子を与えることができる電子供与性の材料としては、
例えば、リチウム、セシウムなどのアルカリ金属、マグネシウム、カルシウムなどのアル
カリ土類金属、エルビウム、イッテルビウムなどの希土類金属、及びそれら金属を含む合
金、金属化合物などを用いることができるが、電子輸送性の材料との組み合わせによって
それぞれ電子供与が可能な電子供与性の材料を選択する。また、これら電子輸送性の材料
と電子供与性の材料とを含む層にモリブデン酸化物、亜鉛酸化物及びチタン酸化物に代表
される金属酸化物を含ませても良い。また、Ｎ型半導体としては酸化亜鉛、硫化亜鉛、セ
レン化亜鉛、酸化チタン、酸化チタンなどを用いることができる。
なお、電子輸送性の材料と電子供与性の材料とを含む層等、複数の材料を含む層は、各
々の材料を同時に成膜することにより形成することが出来、抵抗加熱蒸着同士による共蒸
着法、電子ビーム蒸着同士による共蒸着法、抵抗加熱蒸着と電子ビーム蒸着による共蒸着
法、抵抗加熱蒸着とスパッタリングによる成膜、電子ビーム蒸着とスパッタリングによる
成膜など、同種、異種方法を組み合わせて形成すればよい。また、上記例は２種の材料を
含む層を想定しているが、３種以上の材料を含む場合も同様に形成することができる。
々の材料を同時に成膜することにより形成することが出来、抵抗加熱蒸着同士による共蒸
着法、電子ビーム蒸着同士による共蒸着法、抵抗加熱蒸着と電子ビーム蒸着による共蒸着
法、抵抗加熱蒸着とスパッタリングによる成膜、電子ビーム蒸着とスパッタリングによる
成膜など、同種、異種方法を組み合わせて形成すればよい。また、上記例は２種の材料を
含む層を想定しているが、３種以上の材料を含む場合も同様に形成することができる。
電子輸送性を有する材料と当該電子輸送性を有する材料に電子供与可能な材料の混合比
はモル比で１：０．５〜１：２程度、好ましくは１：１であれば良い。本実施の形態にお
けるドナー準位を有する層では電子輸送性を有する材料としてＡｌｑ3、Ａｌｑ3に電子を
供与することが可能な電子供与性の材料としてリチウム（Ｌｉ）を使用し、重量比でＡｌ
ｑ3：Ｌｉ＝１：０．０１となるように共蒸着法により蒸着を行う。なお、膜厚は１０ｎ
ｍとする。
はモル比で１：０．５〜１：２程度、好ましくは１：１であれば良い。本実施の形態にお
けるドナー準位を有する層では電子輸送性を有する材料としてＡｌｑ3、Ａｌｑ3に電子を
供与することが可能な電子供与性の材料としてリチウム（Ｌｉ）を使用し、重量比でＡｌ
ｑ3：Ｌｉ＝１：０．０１となるように共蒸着法により蒸着を行う。なお、膜厚は１０ｎ
ｍとする。
発光積層体１０４は単層で形成しても複数層で形成しても構わず、発光積層体１０４に
おける発光層と第１の電極１０１との間に電子輸送層、発光積層体１０４における発光材
料が分散された層とアクセプタ準位を有する層１０５との間に正孔輸送層を設けても良い
。これらの層は設けられていても設けられていなくても良く、そのどちらかのみが設けら
れていても良い。また、正孔輸送層、電子輸送層の材料としては、それぞれ上記アクセプ
タ準位を有する層における正孔輸送性の材料、上記ドナー準位を有する層における電子輸
送性の材料に準じるため、ここでは説明を省略する。各々の記載を参照されたい。
おける発光層と第１の電極１０１との間に電子輸送層、発光積層体１０４における発光材
料が分散された層とアクセプタ準位を有する層１０５との間に正孔輸送層を設けても良い
。これらの層は設けられていても設けられていなくても良く、そのどちらかのみが設けら
れていても良い。また、正孔輸送層、電子輸送層の材料としては、それぞれ上記アクセプ
タ準位を有する層における正孔輸送性の材料、上記ドナー準位を有する層における電子輸
送性の材料に準じるため、ここでは説明を省略する。各々の記載を参照されたい。
発光積層体１０４における発光層には大きく分けて２つの種類ある。一つは発光物質の有
するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する材料からなる層に発光
中心となる発光材料を分散して含む層と、もう一つは発光材料のみで発光層を構成する層
であるが、前者は濃度消光が起こりにくく、好ましい構成である。発光中心となる発光物
質としては、例えば、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（１，１，７，７−テト
ラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノ
メチレン−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エ
ニル）−４Ｈ−ピラン、ペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス（１０−メト
キシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’−
ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６、クマリン５４５Ｔ、トリス（８
−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ3）、９，９’−ビアントリル、９，１０
−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）や９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラ
セン（略称：ＤＮＡ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ
）、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−Ｂ
ｕＤＮＡ）等が挙げられる。また、上記発光材料を分散してなる層を形成する場合に母体
となる材料としては、例えば、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルア
ントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）等のアントラセン誘導体、４，４’−ビス（Ｎ−カ
ルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体、トリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ3）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）ア
ルミニウム（略称：Ａｌｍｑ3）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）
ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ2）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニ
ルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル
）ピリジナト］亜鉛（略称：Ｚｎｐｐ2）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベン
ゾオキサゾラト］亜鉛（略称：ＺｎＢＯＸ）などの金属錯体等を用いることができる。ま
た、発光物質のみで発光積層体１０４を構成することのできる材料としては、トリス（８
−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ3）、９，１０−ビス（２−ナフチル）ア
ントラセン（略称：ＤＮＡ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフ
ェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）などがある。
するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する材料からなる層に発光
中心となる発光材料を分散して含む層と、もう一つは発光材料のみで発光層を構成する層
であるが、前者は濃度消光が起こりにくく、好ましい構成である。発光中心となる発光物
質としては、例えば、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（１，１，７，７−テト
ラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノ
メチレン−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エ
ニル）−４Ｈ−ピラン、ペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス（１０−メト
キシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’−
ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６、クマリン５４５Ｔ、トリス（８
−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ3）、９，９’−ビアントリル、９，１０
−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）や９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラ
セン（略称：ＤＮＡ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ
）、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−Ｂ
ｕＤＮＡ）等が挙げられる。また、上記発光材料を分散してなる層を形成する場合に母体
となる材料としては、例えば、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルア
ントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）等のアントラセン誘導体、４，４’−ビス（Ｎ−カ
ルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体、トリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ3）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）ア
ルミニウム（略称：Ａｌｍｑ3）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）
ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ2）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニ
ルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル
）ピリジナト］亜鉛（略称：Ｚｎｐｐ2）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベン
ゾオキサゾラト］亜鉛（略称：ＺｎＢＯＸ）などの金属錯体等を用いることができる。ま
た、発光物質のみで発光積層体１０４を構成することのできる材料としては、トリス（８
−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ3）、９，１０−ビス（２−ナフチル）ア
ントラセン（略称：ＤＮＡ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフ
ェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）などがある。
本実施の形態では、アクセプタ準位を有する層１０５上に発光積層体１０４として、順
に正孔輸送層、発光材料が分散された発光層、電子輸送層を形成する。正孔輸送層として
はα−ＮＰＤを膜厚１０ｎｍ、発光材料が分散された層としてはＡｌｑ3にクマリン６を
重量比１：０．００５、膜厚３５ｎｍ、電子輸送層としてはＡｌｑ3を膜厚１０ｎｍとな
るように蒸着する。
に正孔輸送層、発光材料が分散された発光層、電子輸送層を形成する。正孔輸送層として
はα−ＮＰＤを膜厚１０ｎｍ、発光材料が分散された層としてはＡｌｑ3にクマリン６を
重量比１：０．００５、膜厚３５ｎｍ、電子輸送層としてはＡｌｑ3を膜厚１０ｎｍとな
るように蒸着する。
アクセプタ準位を有する層１０５は、正孔輸送性の材料と当該正孔輸送性の材料から電
子を受け取ることができる電子受容性の材料の両方を含む層やＰ型半導体の層、もしくは
Ｐ型半導体を含む層により形成する。上記正孔輸送性の材料としては例えば、４，４’−
ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ
）や４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニ
ル（略称：ＴＰＤ）や４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリ
フェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフ
ェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）や４，
４’−ビス（Ｎ−（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）などの芳香族アミン系（即ち、ベンゼン環−窒素
の結合を有する）の化合物やフタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略
称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等のフタロシアニン化合物
を用いることができる。また、これら正孔輸送性の材料から電子を受け取ることができる
電子受容性の材料としては、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、７，７，８
，８，−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、２，３−ジシアノナフトキノン
（略称：ＤＣＮＮＱ）、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８，−テトラシ
アノキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）等が挙げられるが、正孔輸送性の材料との組
み合わせによってそれぞれ電子受容が可能な電子受容性の材料を選択する。また、Ｐ型半
導体としてはモリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、コバルト酸化物
、ニッケル酸化物及び銅酸化物などを用いることができる。なお、これに挙げた材料に関
してはあくまで例示にすぎず、実施者が適宜選択できるものである。正孔輸送性を有する
材料と当該正孔輸送性を有する材料から電子受容可能な材料の正孔輸送性の材料に対する
電子受容可能な材料の混合比はモル比で０．５以上であれば良く、好ましくは０．５〜２
であることが望ましい。本実施の形態における第１のアクセプタ準位を有する層、及び第
２のアクセプタ準位を有する層では電子輸送性を有する材料としてα−ＮＰＤ、α−ＮＰ
Ｄから電子を受容することが可能な電子受容性の材料として酸化モリブデン（ＭｏＯX）
を使用し、重量比でα−ＮＰＤ：ＭｏＯX＝４：０．２（モル比で１に相当）となるよう
に成膜を行う。なお、本実施の形態における膜厚は第１のアクセプタ準位を有する層が膜
が５０ｎｍ、第２のアクセプタ準位を有する層が２０ｎｍとする。
子を受け取ることができる電子受容性の材料の両方を含む層やＰ型半導体の層、もしくは
Ｐ型半導体を含む層により形成する。上記正孔輸送性の材料としては例えば、４，４’−
ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ
）や４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニ
ル（略称：ＴＰＤ）や４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリ
フェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフ
ェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）や４，
４’−ビス（Ｎ−（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）などの芳香族アミン系（即ち、ベンゼン環−窒素
の結合を有する）の化合物やフタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略
称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等のフタロシアニン化合物
を用いることができる。また、これら正孔輸送性の材料から電子を受け取ることができる
電子受容性の材料としては、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、７，７，８
，８，−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、２，３−ジシアノナフトキノン
（略称：ＤＣＮＮＱ）、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８，−テトラシ
アノキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）等が挙げられるが、正孔輸送性の材料との組
み合わせによってそれぞれ電子受容が可能な電子受容性の材料を選択する。また、Ｐ型半
導体としてはモリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、コバルト酸化物
、ニッケル酸化物及び銅酸化物などを用いることができる。なお、これに挙げた材料に関
してはあくまで例示にすぎず、実施者が適宜選択できるものである。正孔輸送性を有する
材料と当該正孔輸送性を有する材料から電子受容可能な材料の正孔輸送性の材料に対する
電子受容可能な材料の混合比はモル比で０．５以上であれば良く、好ましくは０．５〜２
であることが望ましい。本実施の形態における第１のアクセプタ準位を有する層、及び第
２のアクセプタ準位を有する層では電子輸送性を有する材料としてα−ＮＰＤ、α−ＮＰ
Ｄから電子を受容することが可能な電子受容性の材料として酸化モリブデン（ＭｏＯX）
を使用し、重量比でα−ＮＰＤ：ＭｏＯX＝４：０．２（モル比で１に相当）となるよう
に成膜を行う。なお、本実施の形態における膜厚は第１のアクセプタ準位を有する層が膜
が５０ｎｍ、第２のアクセプタ準位を有する層が２０ｎｍとする。
なお、正孔輸送性の材料と電子受容性の材料とを含む層等、複数の材料を含む層は、各
々の材料を同時に成膜することにより形成することが出来、抵抗加熱蒸着同士による共蒸
着法、電子ビーム蒸着同士による共蒸着法、抵抗加熱蒸着と電子ビーム蒸着による共蒸着
法、抵抗加熱蒸着とスパッタリングによる成膜、電子ビーム蒸着とスパッタリングによる
成膜など、同種、異種方法を組み合わせて形成すればよい。また、上記例は２種の材料を
含む層を想定しているが、３種以上の材料を含む場合も同様に形成することができる。
々の材料を同時に成膜することにより形成することが出来、抵抗加熱蒸着同士による共蒸
着法、電子ビーム蒸着同士による共蒸着法、抵抗加熱蒸着と電子ビーム蒸着による共蒸着
法、抵抗加熱蒸着とスパッタリングによる成膜、電子ビーム蒸着とスパッタリングによる
成膜など、同種、異種方法を組み合わせて形成すればよい。また、上記例は２種の材料を
含む層を想定しているが、３種以上の材料を含む場合も同様に形成することができる。
発光素子は発光波長帯の異なる発光素子を画素毎に形成して、カラー表示を行う構成と
しても良い。典型的には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した発光素子を形
成する。この場合にも、画素の光放射側にその発光波長帯の光を透過するフィルター（着
色層）を設けた構成とすることで、色純度の向上や、画素部の鏡面化（映り込み）の防止
を図ることができる。フィルター（着色層）を設けることで、従来必要であるとされてい
た円偏光板などを省略することが可能となり、発光素子から放射される光の損失を無くす
ことができる。さらに、斜方から画素部（表示画面）を見た場合に起こる色調の変化を低
減すことができる。
しても良い。典型的には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した発光素子を形
成する。この場合にも、画素の光放射側にその発光波長帯の光を透過するフィルター（着
色層）を設けた構成とすることで、色純度の向上や、画素部の鏡面化（映り込み）の防止
を図ることができる。フィルター（着色層）を設けることで、従来必要であるとされてい
た円偏光板などを省略することが可能となり、発光素子から放射される光の損失を無くす
ことができる。さらに、斜方から画素部（表示画面）を見た場合に起こる色調の変化を低
減すことができる。
また、発光素子は単色又は白色の発光を呈する構成とすることができる。白色発光材料
を用いる場合には、画素の光放射側に特定の波長の光を透過するフィルター（着色層）を
設けた構成としてカラー表示を可能にすることができる。
を用いる場合には、画素の光放射側に特定の波長の光を透過するフィルター（着色層）を
設けた構成としてカラー表示を可能にすることができる。
白色に発光する発光層を形成するには、例えば、Ａｌｑ3、部分的に赤色発光色素であ
るナイルレッドをドープしたＡｌｑ3、Ａｌｑ3、ｐ−ＥｔＴＡＺ、ＴＰＤ（芳香族ジアミ
ン）を蒸着法により順次積層することで白色を得ることができる。
るナイルレッドをドープしたＡｌｑ3、Ａｌｑ3、ｐ−ＥｔＴＡＺ、ＴＰＤ（芳香族ジアミ
ン）を蒸着法により順次積層することで白色を得ることができる。
さらに、発光層は、一重項励起発光材料の他、金属錯体などを含む三重項励起材料を用
いても良い。例えば、赤色の発光性の画素、緑色の発光性の画素及び青色の発光性の画素
のうち、輝度半減時間が比較的短い赤色の発光性の画素を三重項励起発光材料で形成し、
他を一重項励起発光材料で形成する。三重項励起発光材料は発光効率が良いので、同じ輝
度を得るのに消費電力が少なくて済むという特徴がある。すなわち、赤色画素に適用した
場合、発光素子に流す電流量が少なくて済むので、信頼性を向上させることができる。低
消費電力化として、赤色の発光性の画素と緑色の発光性の画素とを三重項励起発光材料で
形成し、青色の発光性の画素を一重項励起発光材料で形成しても良い。人間の視感度が高
い緑色の発光素子も三重項励起発光材料で形成することで、より低消費電力化を図ること
ができる。
いても良い。例えば、赤色の発光性の画素、緑色の発光性の画素及び青色の発光性の画素
のうち、輝度半減時間が比較的短い赤色の発光性の画素を三重項励起発光材料で形成し、
他を一重項励起発光材料で形成する。三重項励起発光材料は発光効率が良いので、同じ輝
度を得るのに消費電力が少なくて済むという特徴がある。すなわち、赤色画素に適用した
場合、発光素子に流す電流量が少なくて済むので、信頼性を向上させることができる。低
消費電力化として、赤色の発光性の画素と緑色の発光性の画素とを三重項励起発光材料で
形成し、青色の発光性の画素を一重項励起発光材料で形成しても良い。人間の視感度が高
い緑色の発光素子も三重項励起発光材料で形成することで、より低消費電力化を図ること
ができる。
三重項励起発光材料の一例としては、金属錯体をドーパントとして用いたものがあり、
第三遷移系列元素である白金を中心金属とする金属錯体、イリジウムを中心金属とする金
属錯体などが知られている。三重項励起発光材料としては、これらの化合物に限られるこ
とはなく、上記構造を有し、且つ中心金属に周期表の８〜１０属に属する元素を有する化
合物を用いることも可能である。
第三遷移系列元素である白金を中心金属とする金属錯体、イリジウムを中心金属とする金
属錯体などが知られている。三重項励起発光材料としては、これらの化合物に限られるこ
とはなく、上記構造を有し、且つ中心金属に周期表の８〜１０属に属する元素を有する化
合物を用いることも可能である。
上記のような材料で形成した発光素子は、順方向にバイアスすることで発光する。発光
素子を用いて形成する表示装置の画素は、単純マトリクス方式、若しくはアクティブマト
リクス方式で駆動することができる。いずれにしても、個々の画素は、ある特定のタイミ
ングで順方向バイアスを印加して発光させることとなるが、ある一定期間は非発光状態と
なっている。この非発光時間に逆方向のバイアスを印加することで発光素子の信頼性を向
上させることができる。発光素子では、一定駆動条件下で発光強度が低下する劣化や、画
素内で非発光領域が拡大して見かけ上輝度が低下する劣化モードがあるが、順方向及び逆
方向にバイアスを印加する交流的な駆動を行うことで、劣化の進行を遅くすることができ
、発光装置の信頼性を向上させることができる。
素子を用いて形成する表示装置の画素は、単純マトリクス方式、若しくはアクティブマト
リクス方式で駆動することができる。いずれにしても、個々の画素は、ある特定のタイミ
ングで順方向バイアスを印加して発光させることとなるが、ある一定期間は非発光状態と
なっている。この非発光時間に逆方向のバイアスを印加することで発光素子の信頼性を向
上させることができる。発光素子では、一定駆動条件下で発光強度が低下する劣化や、画
素内で非発光領域が拡大して見かけ上輝度が低下する劣化モードがあるが、順方向及び逆
方向にバイアスを印加する交流的な駆動を行うことで、劣化の進行を遅くすることができ
、発光装置の信頼性を向上させることができる。
続いて発光積層体６６を覆う第１の電極１０１を形成する。これによって第１の電極１
０１と発光積層体６６と第２の電極１０６とからなる発光素子９３を作製することができ
る。第１の電極１０１の形成に用いられる陰極材料としては、仕事関数の小さい（仕事関
数３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いる
ことが好ましい。なお、陰極材料の具体例としては、元素周期律の１族または２族に属す
る元素、すなわちＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土
類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）や化合物（ＬｉＦ、ＣｓＦ
、ＣａＦ2）の他、希土類金属を含む遷移金属を用いて形成することができるが、Ａｌ、
Ａｇ、ＩＴＯ等の金属（合金を含む）との積層により形成することもできる。本実施の形
態ではアルミニウムを陰極として用いた。
０１と発光積層体６６と第２の電極１０６とからなる発光素子９３を作製することができ
る。第１の電極１０１の形成に用いられる陰極材料としては、仕事関数の小さい（仕事関
数３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いる
ことが好ましい。なお、陰極材料の具体例としては、元素周期律の１族または２族に属す
る元素、すなわちＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土
類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）や化合物（ＬｉＦ、ＣｓＦ
、ＣａＦ2）の他、希土類金属を含む遷移金属を用いて形成することができるが、Ａｌ、
Ａｇ、ＩＴＯ等の金属（合金を含む）との積層により形成することもできる。本実施の形
態ではアルミニウムを陰極として用いた。
上記のような構成を有する発光素子は、第２のドナー準位を有する層１０３が第２の電
極に接して設けられていることから、第２の電極を作製する材料を選択する際、仕事関数
を考慮しなくとも良い。第２の電極を作製する材料を選択する際、材料選択の幅が広がる
。これにより、より当該発光装置が有する構成に適した材料を使用することが出来るよう
になる。
極に接して設けられていることから、第２の電極を作製する材料を選択する際、仕事関数
を考慮しなくとも良い。第２の電極を作製する材料を選択する際、材料選択の幅が広がる
。これにより、より当該発光装置が有する構成に適した材料を使用することが出来るよう
になる。
なお、本実施の形態では、接続部６１ａに電気的に接触している電極は第２の電極１０
６であったが、接続部６１ａに電気的に接触している電極は第１の電極１０１であっても
良い。この場合は第１の電極１０１を覆って第１のドナー準位を有する層１０２、発光積
層体１０４、アクセプタ準位を有する層１０５、第２のドナー準位を有する層１０３の順
各々の層を積層すればよい。
６であったが、接続部６１ａに電気的に接触している電極は第１の電極１０１であっても
良い。この場合は第１の電極１０１を覆って第１のドナー準位を有する層１０２、発光積
層体１０４、アクセプタ準位を有する層１０５、第２のドナー準位を有する層１０３の順
各々の層を積層すればよい。
その後、プラズマＣＶＤ法により窒素を含む酸化珪素膜を第２のパッシベーション膜と
して形成する。窒素を含む酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、
Ｎ2Ｏ、ＮＨ3から作製される酸化窒化ケイ素膜、またはＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸
化窒化ケイ素膜、あるいはＳｉＨ4、Ｎ2ＯをＡｒで希釈したガスから形成される酸化窒化
ケイ素膜を形成すれば良い。
して形成する。窒素を含む酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、
Ｎ2Ｏ、ＮＨ3から作製される酸化窒化ケイ素膜、またはＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸
化窒化ケイ素膜、あるいはＳｉＨ4、Ｎ2ＯをＡｒで希釈したガスから形成される酸化窒化
ケイ素膜を形成すれば良い。
また、第１のパッシベーション膜としてＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、Ｈ2から作製される酸化窒化
水素化ケイ素膜を適用しても良い。もちろん、第１のパッシベーション膜は単層構造に限
定されるものではなく、他のケイ素を含む絶縁層を単層構造、もしくは積層構造として用
いても良い。また、窒化炭素膜と窒化ケイ素膜の多層膜やスチレンポリマーの多層膜、窒
化ケイ素膜やダイヤモンドライクカーボン膜を窒素を含む酸化珪素膜の代わりに形成して
もよい。
水素化ケイ素膜を適用しても良い。もちろん、第１のパッシベーション膜は単層構造に限
定されるものではなく、他のケイ素を含む絶縁層を単層構造、もしくは積層構造として用
いても良い。また、窒化炭素膜と窒化ケイ素膜の多層膜やスチレンポリマーの多層膜、窒
化ケイ素膜やダイヤモンドライクカーボン膜を窒素を含む酸化珪素膜の代わりに形成して
もよい。
続いて発光素子を水などの劣化を促進する物質から保護するために、表示部の封止を行
う。対向基板を封止に用いる場合は、絶縁性のシール材により、外部接続部が露出するよ
うに貼り合わせる。対向基板と素子基板との間の空間には乾燥した窒素などの不活性気体
を充填しても良いし、シール材を画素部全面に塗布しそれにより対向基板を貼り合わせて
も良い。シール材には紫外線硬化樹脂などを用いると好適である。シール材には乾燥材や
基板間のギャップを一定に保つための粒子を混入しておいても良い。続いて外部接続部に
フレキシブル配線基板を貼り付けることによって、表示装置が完成する。
う。対向基板を封止に用いる場合は、絶縁性のシール材により、外部接続部が露出するよ
うに貼り合わせる。対向基板と素子基板との間の空間には乾燥した窒素などの不活性気体
を充填しても良いし、シール材を画素部全面に塗布しそれにより対向基板を貼り合わせて
も良い。シール材には紫外線硬化樹脂などを用いると好適である。シール材には乾燥材や
基板間のギャップを一定に保つための粒子を混入しておいても良い。続いて外部接続部に
フレキシブル配線基板を貼り付けることによって、表示装置が完成する。
以上のように作製した表示装置の構成の１例を図６参照しながら説明する。なお、形が
異なっていても同様の機能を示す部分には同じ符号を付し、その説明を省略する部分もあ
る。本実施の形態では、ＬＤＤ構造を有する薄膜トランジスタ７０が接続部６１ａを介し
て発光素子９３に接続している。
異なっていても同様の機能を示す部分には同じ符号を付し、その説明を省略する部分もあ
る。本実施の形態では、ＬＤＤ構造を有する薄膜トランジスタ７０が接続部６１ａを介し
て発光素子９３に接続している。
図６（Ａ）は第１の電極１０１が透光性を有する導電膜により形成されており、基板５
０側に発光積層体６６より発せられた光が取り出される構造である。なお９４は対向基板
であり、発光素子９３が形成された後、シール材などを用い、基板５０に固着される。対
向基板９４と素子との間に透光性を有する樹脂８８等を充填し、封止することによって発
光素子９３が水分により劣化することを防ぐ事ができる。また、樹脂８８が吸湿性を有し
ていることが望ましい。さらに樹脂８８中に透光性の高い乾燥材８９を分散させるとさら
に水分の影響を抑えることが可能になるためさらに望ましい形態である。
０側に発光積層体６６より発せられた光が取り出される構造である。なお９４は対向基板
であり、発光素子９３が形成された後、シール材などを用い、基板５０に固着される。対
向基板９４と素子との間に透光性を有する樹脂８８等を充填し、封止することによって発
光素子９３が水分により劣化することを防ぐ事ができる。また、樹脂８８が吸湿性を有し
ていることが望ましい。さらに樹脂８８中に透光性の高い乾燥材８９を分散させるとさら
に水分の影響を抑えることが可能になるためさらに望ましい形態である。
図６（Ｂ）は第１の電極１０１と第２の電極１０６両方が透光性を有する導電膜により
形成されており、基板５０及び対向基板９４の両方に光を取り出すことが可能な構成とな
っている。また、この構成では基板５０と対向基板９４の外側に偏光板９０を設けること
によって画面が透けてしまうことを防ぐことができ、視認性が向上する。偏光板９０の外
側には保護フィルム９１を設けると良い。
形成されており、基板５０及び対向基板９４の両方に光を取り出すことが可能な構成とな
っている。また、この構成では基板５０と対向基板９４の外側に偏光板９０を設けること
によって画面が透けてしまうことを防ぐことができ、視認性が向上する。偏光板９０の外
側には保護フィルム９１を設けると良い。
なお、表示機能を有する本発明の表示装置には、アナログのビデオ信号、デジタルのビ
デオ信号のどちらを用いてもよい。デジタルのビデオ信号を用いる場合はそのビデオ信号
が電圧を用いているものと、電流を用いているものとに分けられる。発光素子の発光時に
おいて、画素に入力されるビデオ信号は、定電圧のものと、定電流のものがあり、ビデオ
信号が定電圧のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発光素子に流れる
電流が一定のものとがある。またビデオ信号が定電流のものには、発光素子に印加される
電圧が一定のものと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。この発光素子に印加
される電圧が一定のものは定電圧駆動であり、発光素子に流れる電流が一定のものは定電
流駆動である。定電流駆動は、発光素子の抵抗変化によらず、一定の電流が流れる。本発
明の発光表示装置及びその駆動方法は、上記したいずれの方法でも良い。
デオ信号のどちらを用いてもよい。デジタルのビデオ信号を用いる場合はそのビデオ信号
が電圧を用いているものと、電流を用いているものとに分けられる。発光素子の発光時に
おいて、画素に入力されるビデオ信号は、定電圧のものと、定電流のものがあり、ビデオ
信号が定電圧のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発光素子に流れる
電流が一定のものとがある。またビデオ信号が定電流のものには、発光素子に印加される
電圧が一定のものと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。この発光素子に印加
される電圧が一定のものは定電圧駆動であり、発光素子に流れる電流が一定のものは定電
流駆動である。定電流駆動は、発光素子の抵抗変化によらず、一定の電流が流れる。本発
明の発光表示装置及びその駆動方法は、上記したいずれの方法でも良い。
本実施の形態のような方法で形成された本発明の表示装置は当該発光装置が有する発光
素子の第２の電極１０６の材料を選択する際、仕事関数を考慮しなくとも良い。また、第
２の電極１０６を作製する材料を選択する際、材料選択の幅が広がる。これにより、より
当該発光素子が有する構成に適した材料を使用することが出来るようになる。
素子の第２の電極１０６の材料を選択する際、仕事関数を考慮しなくとも良い。また、第
２の電極１０６を作製する材料を選択する際、材料選択の幅が広がる。これにより、より
当該発光素子が有する構成に適した材料を使用することが出来るようになる。
本実施の形態は実施の形態１乃至実施の形態４の適当な構成と組み合わせて用いること
が可能である。
が可能である。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一形態に相当する発光装置のパネルの外観について図７を
用いて説明する。図７は基板上に形成されたトランジスタおよび発光素子を対向基板４０
０６との間に形成したシール材によって封止したパネルの上面図であり、図７（Ｂ）は図
７（Ａ）の断面図に相応する。また、このパネルに搭載されている発光素子の有する構造
は、電極に接する層がドナー準位を有する層であり、発光積層体とアクセプタ準位を有す
る層がドナー準位を有する層で挟まれた構造となっている。
本実施の形態では、本発明の一形態に相当する発光装置のパネルの外観について図７を
用いて説明する。図７は基板上に形成されたトランジスタおよび発光素子を対向基板４０
０６との間に形成したシール材によって封止したパネルの上面図であり、図７（Ｂ）は図
７（Ａ）の断面図に相応する。また、このパネルに搭載されている発光素子の有する構造
は、電極に接する層がドナー準位を有する層であり、発光積層体とアクセプタ準位を有す
る層がドナー準位を有する層で挟まれた構造となっている。
基板４００１上に設けられた画素部４００２と信号線駆動回路４００３と走査線駆動回
路４００４とを囲むようにして、シール材４００５が設けられている。また、画素部４０
０２と信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４の上に対向基板４００６が設
けられている。よって画素部４００２と信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４０
０４とは基板４００１とシール材４００５と対向基板４００６とによって充填材４００７
と共に密封されている。
路４００４とを囲むようにして、シール材４００５が設けられている。また、画素部４０
０２と信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４の上に対向基板４００６が設
けられている。よって画素部４００２と信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４０
０４とは基板４００１とシール材４００５と対向基板４００６とによって充填材４００７
と共に密封されている。
また、基板４００１上に設けられた画素部４００２と信号線駆動回路４００３と走査線
駆動回路４００４とは薄膜トランジスタを複数有しており、図７（Ｂ）では信号線駆動回
路４００３に含まれる薄膜トランジスタ４００８と、画素部４００２に含まれる薄膜トラ
ンジスタ４０１０とを示す。
駆動回路４００４とは薄膜トランジスタを複数有しており、図７（Ｂ）では信号線駆動回
路４００３に含まれる薄膜トランジスタ４００８と、画素部４００２に含まれる薄膜トラ
ンジスタ４０１０とを示す。
また、発光素子４０１１は、薄膜トランジスタ４０１０と電気的に接続されている。
また、引き回し配線４０１４は画素部４００２と信号線駆動回路４００３と、走査線駆
動回路４００４とに、信号、または電源電圧を層供給する為の配線に相当する。引き回し
配線４０１４は、引き回し配線４０１５ａ及び引き回し配線４０１５ｂを介して接続端子
４０１６と接続されている。接続端子４０１６はフレキシブルプリントサーキット（ＦＰ
Ｃ）４０１８が有する端子と異方性導電膜４０１９を介して電気的に接続されている。
動回路４００４とに、信号、または電源電圧を層供給する為の配線に相当する。引き回し
配線４０１４は、引き回し配線４０１５ａ及び引き回し配線４０１５ｂを介して接続端子
４０１６と接続されている。接続端子４０１６はフレキシブルプリントサーキット（ＦＰ
Ｃ）４０１８が有する端子と異方性導電膜４０１９を介して電気的に接続されている。
なお、充填材４００７としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化
樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ポリビニルクロライド、アクリル、ポリイミ
ド、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルブチラル、またはエチレンビニレンアセテ
ートを用いる事ができる。
樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ポリビニルクロライド、アクリル、ポリイミ
ド、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルブチラル、またはエチレンビニレンアセテ
ートを用いる事ができる。
なお、本発明の発光装置は発光素子を有する画素部が形成されたパネルと、該パネルに
ＩＣが実装されたモジュールとをその範疇に含む。
ＩＣが実装されたモジュールとをその範疇に含む。
本実施の形態のような構成のパネル及びモジュールは、当該パネル及びモジュールが有
する発光素子の第２の電極１０６の材料を選択する際、仕事関数を考慮しなくとも良い。
また、第２の電極１０６を作製する材料を選択する際、材料選択の幅が広がる。これによ
り、当該発光素子が有する構成及び求める性能に適した材料を使用することが出来、簡便
に表示品質の高いパネル及びモジュールとすることができる。
する発光素子の第２の電極１０６の材料を選択する際、仕事関数を考慮しなくとも良い。
また、第２の電極１０６を作製する材料を選択する際、材料選択の幅が広がる。これによ
り、当該発光素子が有する構成及び求める性能に適した材料を使用することが出来、簡便
に表示品質の高いパネル及びモジュールとすることができる。
本実施の形態は実施の形態１乃至実施の形態５の適当な構成と組み合わせて用いること
が可能である。
が可能である。
（実施の形態７）
実施の形態６にその一例を示したようなモジュールを搭載した本発明の電子機器として
、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレ
イ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオコンポ等）、コンピュー
タ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機また
は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓ
ａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプ
レイを備えた装置）などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図８に示す。
実施の形態６にその一例を示したようなモジュールを搭載した本発明の電子機器として
、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレ
イ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオコンポ等）、コンピュー
タ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機また
は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓ
ａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプ
レイを備えた装置）などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図８に示す。
図８（Ａ）は発光表示装置でありテレビ受像器やパーソナルコンピュータのモニターな
どがこれに当たる。筐体２００１、表示部２００３、スピーカー部２００４等を含む。本
発明の発光表示装置は表示部２００３の有する発光素子の電極として当該発光素子が有す
る構成及び求める性能に適した材料を使用することが出来、表示品質の高い発光表示装置
である。画素部にはコントランスを高めるため、偏光板、又は円偏光板を備えるとよい。
例えば、封止基板へ１／４λ板、１／２λ板、偏光板の順にフィルムを設けるとよい。さ
らに偏光板上に反射防止膜を設けてもよい。
どがこれに当たる。筐体２００１、表示部２００３、スピーカー部２００４等を含む。本
発明の発光表示装置は表示部２００３の有する発光素子の電極として当該発光素子が有す
る構成及び求める性能に適した材料を使用することが出来、表示品質の高い発光表示装置
である。画素部にはコントランスを高めるため、偏光板、又は円偏光板を備えるとよい。
例えば、封止基板へ１／４λ板、１／２λ板、偏光板の順にフィルムを設けるとよい。さ
らに偏光板上に反射防止膜を設けてもよい。
図８（Ｂ）は携帯電話であり、本体２１０１、筐体２１０２、表示部２１０３、音声入
力部２１０４、音声出力部２１０５、操作キー２１０６、アンテナ２１０８等を含む。本
発明の携帯電話は表示部２１０３の有する発光素子の電極として当該発光素子が有する構
成及び求める性能に適した材料を使用することが出来、表示品質の高い携帯電話である。
力部２１０４、音声出力部２１０５、操作キー２１０６、アンテナ２１０８等を含む。本
発明の携帯電話は表示部２１０３の有する発光素子の電極として当該発光素子が有する構
成及び求める性能に適した材料を使用することが出来、表示品質の高い携帯電話である。
図８（Ｃ）はコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キ
ーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。
本発明のコンピュータは表示部２２０３の有する発光素子の電極として当該発光素子が有
する構成及び求める性能に適した材料を使用することが出来、表示品質の高いコンピュー
タである。図８（Ｃ）ではノート型のコンピュータを例示したが、ハードディスクと表示
部が一体化したデスクトップ型のコンピュータなどにも適用することが可能である。
ーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。
本発明のコンピュータは表示部２２０３の有する発光素子の電極として当該発光素子が有
する構成及び求める性能に適した材料を使用することが出来、表示品質の高いコンピュー
タである。図８（Ｃ）ではノート型のコンピュータを例示したが、ハードディスクと表示
部が一体化したデスクトップ型のコンピュータなどにも適用することが可能である。
図８（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ
２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明のモバイルコンピ
ュータは表示部２３０２の有する発光素子の電極として当該発光素子が有する構成及び求
める性能に適した材料を使用することが出来、表示品質の高いモバイルコンピュータであ
る。
２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明のモバイルコンピ
ュータは表示部２３０２の有する発光素子の電極として当該発光素子が有する構成及び求
める性能に適した材料を使用することが出来、表示品質の高いモバイルコンピュータであ
る。
図８（Ｅ）は携帯型のゲーム機であり、筐体２４０１、表示部２４０２、スピーカー部
２４０３、操作キー２４０４、記録媒体挿入部２４０５等を含む。本発明の携帯型ゲーム
機は表示部２４０２の有する発光素子の電極として当該発光素子が有する構成及び求める
性能に適した材料を使用することが出来、表示品質の高い携帯型ゲーム機である。
２４０３、操作キー２４０４、記録媒体挿入部２４０５等を含む。本発明の携帯型ゲーム
機は表示部２４０２の有する発光素子の電極として当該発光素子が有する構成及び求める
性能に適した材料を使用することが出来、表示品質の高い携帯型ゲーム機である。
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが
可能である。
（実施の形態８）
可能である。
（実施の形態８）
図９には下面発光、両面発光、上面発光の例を示した。実施の形態２に作製工程を記載
した構造は図９（Ｃ）の構造に相当する。図９（Ａ）、（Ｂ）は図９（Ｃ）における第１
の層間絶縁層９００を自己平坦性を有する材料で形成し、薄膜トランジスタ９０１に接続
する配線と発光素子の第１の電極１０１を同じ層間絶縁層上に形成した場合の構成である
。図９（Ａ）は発光素子の第１の電極１０１のみを透光性を有する材料で形成し、発光装
置の下部に向かって光が射出する下面発光の構成、図９（Ｂ）はＩＴＯやＩＴＳＯ、ＩＺ
Ｏなど透光性を有する材料を第２の電極１０６として形成することで図９（Ｂ）のように
両面より光を取り出すことのできる両面発光の発光表示装置を得ることが可能となる。な
お、アルミニウムや銀など厚膜で形成すると非透光性であるが、薄膜化すると透光性を有
するようになるため、アルミニウムや銀の透光性を有する程度の薄膜で第２の電極１０６
を形成しても両面発光とすることができる。
した構造は図９（Ｃ）の構造に相当する。図９（Ａ）、（Ｂ）は図９（Ｃ）における第１
の層間絶縁層９００を自己平坦性を有する材料で形成し、薄膜トランジスタ９０１に接続
する配線と発光素子の第１の電極１０１を同じ層間絶縁層上に形成した場合の構成である
。図９（Ａ）は発光素子の第１の電極１０１のみを透光性を有する材料で形成し、発光装
置の下部に向かって光が射出する下面発光の構成、図９（Ｂ）はＩＴＯやＩＴＳＯ、ＩＺ
Ｏなど透光性を有する材料を第２の電極１０６として形成することで図９（Ｂ）のように
両面より光を取り出すことのできる両面発光の発光表示装置を得ることが可能となる。な
お、アルミニウムや銀など厚膜で形成すると非透光性であるが、薄膜化すると透光性を有
するようになるため、アルミニウムや銀の透光性を有する程度の薄膜で第２の電極１０６
を形成しても両面発光とすることができる。
（実施の形態９）
本実施の形態では、実施の形態６で示したパネル、モジュールが有する画素回路、保護
回路及びそれらの動作について説明する。なお、図４、図５に示してきた断面図は駆動用
ＴＦＴ１４０３と発光素子１４０５の断面図となっている。
回路及びそれらの動作について説明する。なお、図４、図５に示してきた断面図は駆動用
ＴＦＴ１４０３と発光素子１４０５の断面図となっている。
図１０（Ａ）に示す画素は、列方向に信号線１４１０及び電源線１４１１、１４１２、
行方向に走査線１４１４が配置される。また、スイッチング用ＴＦＴ１４０１、駆動用Ｔ
ＦＴ１４０３、電流制御用ＴＦＴ１４０４、容量素子１４０２及び発光素子１４０５を有
する。
行方向に走査線１４１４が配置される。また、スイッチング用ＴＦＴ１４０１、駆動用Ｔ
ＦＴ１４０３、電流制御用ＴＦＴ１４０４、容量素子１４０２及び発光素子１４０５を有
する。
図１０（Ｃ）に示す画素は、駆動用ＴＦＴ１４０３のゲート電極が、行方向に配置され
た電源線１４１２に接続される点が異なっており、それ以外は図１０（Ａ）に示す画素と
同じ構成である。つまり、図１０（Ａ）（Ｃ）に示す両画素は、同じ等価回路図を示す。
しかしながら、行方向に電源線１４１２が配置される場合（図１０（Ａ））と、列方向に
電源線１４１２が配置される場合（図１０（Ｃ））とでは、各電源線は異なるレイヤーの
導電膜で形成される。ここでは、駆動用ＴＦＴ１４０３のゲート電極が接続される配線に
注目し、これらを作製するレイヤーが異なることを表すために、図１０（Ａ）（Ｃ）とし
て分けて記載する。
た電源線１４１２に接続される点が異なっており、それ以外は図１０（Ａ）に示す画素と
同じ構成である。つまり、図１０（Ａ）（Ｃ）に示す両画素は、同じ等価回路図を示す。
しかしながら、行方向に電源線１４１２が配置される場合（図１０（Ａ））と、列方向に
電源線１４１２が配置される場合（図１０（Ｃ））とでは、各電源線は異なるレイヤーの
導電膜で形成される。ここでは、駆動用ＴＦＴ１４０３のゲート電極が接続される配線に
注目し、これらを作製するレイヤーが異なることを表すために、図１０（Ａ）（Ｃ）とし
て分けて記載する。
図１０（Ａ）（Ｃ）に示す画素の特徴として、画素内に駆動用ＴＦＴ１４０３と電流制
御用ＴＦＴ１４０４が直列に接続されており、駆動用ＴＦＴ１４０３のチャネル長Ｌ（１
４０３）、チャネル幅Ｗ（１４０３）、電流制御用ＴＦＴ１４０４のチャネル長Ｌ（１４
０４）、チャネル幅Ｗ（１４０４）は、Ｌ（１４０３）／Ｗ（１４０３）：Ｌ（１４０４
）／Ｗ（１４０４）＝５〜６０００：１を満たすように設定するとよい。
御用ＴＦＴ１４０４が直列に接続されており、駆動用ＴＦＴ１４０３のチャネル長Ｌ（１
４０３）、チャネル幅Ｗ（１４０３）、電流制御用ＴＦＴ１４０４のチャネル長Ｌ（１４
０４）、チャネル幅Ｗ（１４０４）は、Ｌ（１４０３）／Ｗ（１４０３）：Ｌ（１４０４
）／Ｗ（１４０４）＝５〜６０００：１を満たすように設定するとよい。
なお、駆動用ＴＦＴ１４０３は、飽和領域で動作し発光素子１４０５に流れる電流値を
制御する役目を有し、電流制御用ＴＦＴ１４０４は線形領域で動作し発光素子１４０５に
対する電流の供給を制御する役目を有する。両ＴＦＴは同じ導電型を有していると作製工
程上好ましく、本実施の形態ではｎチャネル型ＴＦＴとして形成する。また駆動用ＴＦＴ
１４０３には、エンハンスメント型だけでなく、ディプリーション型のＴＦＴを用いても
よい。上記構成を有する本発明は、電流制御用ＴＦＴ１４０４が線形領域で動作するため
に、電流制御用ＴＦＴ１４０４のＶｇｓの僅かな変動は、発光素子１４０５の電流値に影
響を及ぼさない。つまり、発光素子１４０５の電流値は、飽和領域で動作する駆動用ＴＦ
Ｔ１４０３により決定することができる。上記構成により、ＴＦＴの特性バラツキに起因
した発光素子の輝度ムラを改善して、画質を向上させた表示装置を提供することができる
。
制御する役目を有し、電流制御用ＴＦＴ１４０４は線形領域で動作し発光素子１４０５に
対する電流の供給を制御する役目を有する。両ＴＦＴは同じ導電型を有していると作製工
程上好ましく、本実施の形態ではｎチャネル型ＴＦＴとして形成する。また駆動用ＴＦＴ
１４０３には、エンハンスメント型だけでなく、ディプリーション型のＴＦＴを用いても
よい。上記構成を有する本発明は、電流制御用ＴＦＴ１４０４が線形領域で動作するため
に、電流制御用ＴＦＴ１４０４のＶｇｓの僅かな変動は、発光素子１４０５の電流値に影
響を及ぼさない。つまり、発光素子１４０５の電流値は、飽和領域で動作する駆動用ＴＦ
Ｔ１４０３により決定することができる。上記構成により、ＴＦＴの特性バラツキに起因
した発光素子の輝度ムラを改善して、画質を向上させた表示装置を提供することができる
。
図１０（Ａ）〜（Ｄ）に示す画素において、スイッチング用ＴＦＴ１４０１は、画素に
対するビデオ信号の入力を制御するものであり、スイッチング用ＴＦＴ１４０１がオンと
なると、画素内にビデオ信号が入力される。すると、容量素子１４０２にそのビデオ信号
の電圧が保持される。なお図１０（Ａ）（Ｃ）には、容量素子１４０２を設けた構成を示
したが、本発明はこれに限定されず、ビデオ信号を保持する容量がゲート容量などでまか
なうことが可能な場合には、容量素子１４０２を設けなくてもよい。
対するビデオ信号の入力を制御するものであり、スイッチング用ＴＦＴ１４０１がオンと
なると、画素内にビデオ信号が入力される。すると、容量素子１４０２にそのビデオ信号
の電圧が保持される。なお図１０（Ａ）（Ｃ）には、容量素子１４０２を設けた構成を示
したが、本発明はこれに限定されず、ビデオ信号を保持する容量がゲート容量などでまか
なうことが可能な場合には、容量素子１４０２を設けなくてもよい。
図１０（Ｂ）に示す画素は、ＴＦＴ１４０６と走査線１４１４を追加している以外は、
図１０（Ａ）に示す画素構成と同じである。同様に、図１０（Ｄ）に示す画素は、ＴＦＴ
１４０６と走査線１４１４を追加している以外は、図１０（Ｃ）に示す画素構成と同じで
ある。
図１０（Ａ）に示す画素構成と同じである。同様に、図１０（Ｄ）に示す画素は、ＴＦＴ
１４０６と走査線１４１４を追加している以外は、図１０（Ｃ）に示す画素構成と同じで
ある。
ＴＦＴ１４０６は、新たに配置された走査線１４１４によりオン又はオフが制御される
。ＴＦＴ１４０６がオンとなると、容量素子１４０２に保持された電荷は放電し、電流制
御用ＴＦＴ１４０４がオフとなる。つまり、ＴＦＴ１４０６の配置により、強制的に発光
素子１４０５に電流が流れない状態を作ることができる。そのためＴＦＴ１４０６を消去
用ＴＦＴと呼ぶことができる。従って、図１０（Ｂ）（Ｄ）の構成は、全ての画素に対す
る信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時又は直後に点灯期間を開始
することができるため、デューティ比を向上することが可能となる。
。ＴＦＴ１４０６がオンとなると、容量素子１４０２に保持された電荷は放電し、電流制
御用ＴＦＴ１４０４がオフとなる。つまり、ＴＦＴ１４０６の配置により、強制的に発光
素子１４０５に電流が流れない状態を作ることができる。そのためＴＦＴ１４０６を消去
用ＴＦＴと呼ぶことができる。従って、図１０（Ｂ）（Ｄ）の構成は、全ての画素に対す
る信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時又は直後に点灯期間を開始
することができるため、デューティ比を向上することが可能となる。
図１０（Ｅ）に示す画素は、列方向に信号線１４１０、電源線１４１１、行方向に走査
線１４１４が配置される。また、スイッチング用ＴＦＴ１４０１、駆動用ＴＦＴ１４０３
、容量素子１４０２及び発光素子１４０５を有する。図１０（Ｆ）に示す画素は、ＴＦＴ
１４０６と走査線１４１５を追加している以外は、図７（Ｅ）に示す画素構成と同じであ
る。なお、図１０（Ｆ）の構成も、ＴＦＴ１４０６の配置により、デューティ比を向上す
ることが可能となる。
線１４１４が配置される。また、スイッチング用ＴＦＴ１４０１、駆動用ＴＦＴ１４０３
、容量素子１４０２及び発光素子１４０５を有する。図１０（Ｆ）に示す画素は、ＴＦＴ
１４０６と走査線１４１５を追加している以外は、図７（Ｅ）に示す画素構成と同じであ
る。なお、図１０（Ｆ）の構成も、ＴＦＴ１４０６の配置により、デューティ比を向上す
ることが可能となる。
以上のように、多様な画素回路を採用することができる。特に、非晶質半導体膜から薄
膜トランジスタを形成する場合、駆動用ＴＦＴ１４０３の半導体膜を大きくすると好まし
い。そのため、上記画素回路において、電界発光層からの光が封止基板側から射出する上
面発光型とすると好ましい。
膜トランジスタを形成する場合、駆動用ＴＦＴ１４０３の半導体膜を大きくすると好まし
い。そのため、上記画素回路において、電界発光層からの光が封止基板側から射出する上
面発光型とすると好ましい。
このようなアクティブマトリクス型の発光装置は、画素密度が増えた場合、各画素にＴ
ＦＴが設けられているため低電圧駆動でき、有利であると考えられている。
ＦＴが設けられているため低電圧駆動でき、有利であると考えられている。
本実施の形態では、一画素に各ＴＦＴが設けられるアクティブマトリクス型の発光装置
について説明したが、一列毎にＴＦＴが設けられるパッシブマトリクス型の発光装置を形
成することもできる。パッシブマトリクス型の発光装置は、各画素にＴＦＴが設けられて
いないため、高開口率となる。発光が電界発光層の両側へ射出する発光装置の場合、パッ
シブマトリクス型の表示装置を用いる透過率が高まる。
について説明したが、一列毎にＴＦＴが設けられるパッシブマトリクス型の発光装置を形
成することもできる。パッシブマトリクス型の発光装置は、各画素にＴＦＴが設けられて
いないため、高開口率となる。発光が電界発光層の両側へ射出する発光装置の場合、パッ
シブマトリクス型の表示装置を用いる透過率が高まる。
これらのような画素回路をさらに有する本発明の表示装置は、当該表示装置の有する発
光素子の電極として当該発光素子が有する構成及び求める性能に適した材料を使用するこ
とが出来る上、上記各々の特徴を有する表示装置とすることができる。
光素子の電極として当該発光素子が有する構成及び求める性能に適した材料を使用するこ
とが出来る上、上記各々の特徴を有する表示装置とすることができる。
続いて、図１０（Ｅ）に示す等価回路を用い、走査線及び信号線に保護回路としてダイ
オードを設ける場合について説明する。
オードを設ける場合について説明する。
図１１には、画素部１５００にスイッチング用ＴＦＴ１４０１、１４０３、容量素子１
４０２、発光素子１４０５が設けられている。信号線１４１０には、ダイオード１５６１
と１５６２が設けられている。ダイオード１５６１と１５６２は、スイッチング用ＴＦＴ
１４０１又は１４０３と同様に、上記実施の形態に基づき作製され、ゲート電極、半導体
層、ソース電極及びドレイン電極等を有する。ダイオード１５６１と１５６２は、ゲート
電極と、ドレイン電極又はソース電極とを接続することによりダイオードとして動作させ
ている。
４０２、発光素子１４０５が設けられている。信号線１４１０には、ダイオード１５６１
と１５６２が設けられている。ダイオード１５６１と１５６２は、スイッチング用ＴＦＴ
１４０１又は１４０３と同様に、上記実施の形態に基づき作製され、ゲート電極、半導体
層、ソース電極及びドレイン電極等を有する。ダイオード１５６１と１５６２は、ゲート
電極と、ドレイン電極又はソース電極とを接続することによりダイオードとして動作させ
ている。
ダイオードと接続する共通電位線１５５４、１５５５はゲート電極と同じレイヤーで形
成している。従って、ダイオードのソース電極又はドレイン電極と接続するには、ゲート
絶縁層にコンタクトホールを形成する必要がある。
成している。従って、ダイオードのソース電極又はドレイン電極と接続するには、ゲート
絶縁層にコンタクトホールを形成する必要がある。
走査線１４１４に設けられるダイオードも同様な構成である。
このように、本発明によれば、入力段に設けられる保護ダイオードを同時に形成するこ
とができる。なお、保護ダイオードを形成する位置は、これに限定されず、駆動回路と画
素との間に設けることもできる。
とができる。なお、保護ダイオードを形成する位置は、これに限定されず、駆動回路と画
素との間に設けることもできる。
このような保護回路を有する本発明の表示装置は、当該表示装置の有する発光素子の電極
として当該発光素子が有する構成及び求める性能に適した材料を使用することが出来る上
、上記、表示装置としての信頼性も高めることが可能となる。
として当該発光素子が有する構成及び求める性能に適した材料を使用することが出来る上
、上記、表示装置としての信頼性も高めることが可能となる。
本実施例では実施の形態２（図２（Ｂ））に記載の発光素子を作製し、測定を行った結
果を示す。本実施例では緑色の発光を示す発光素子を作製した。
果を示す。本実施例では緑色の発光を示す発光素子を作製した。
まず、本実施例における発光素子の作製方法を示す。本実施例における発光素子はガラ
ス基板上に形成され、ガラス基板側から順に第１の電極としてＩＴＳＯが１１０ｎｍの膜
厚で形成されている。前記ＩＴＳＯはスパッタリング法によって成膜した。なお、本発明
において第１の電極の形状は２ｍｍ×２ｍｍとした。次に第１の電極上に発光素子を形成
するための前処理として、多孔質の樹脂（代表的にはＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製
、ナイロン製など）で基板表面を洗浄し、２００℃で１時間熱処理を行い、ＵＶオゾン処
理を３７０秒行った。
ス基板上に形成され、ガラス基板側から順に第１の電極としてＩＴＳＯが１１０ｎｍの膜
厚で形成されている。前記ＩＴＳＯはスパッタリング法によって成膜した。なお、本発明
において第１の電極の形状は２ｍｍ×２ｍｍとした。次に第１の電極上に発光素子を形成
するための前処理として、多孔質の樹脂（代表的にはＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製
、ナイロン製など）で基板表面を洗浄し、２００℃で１時間熱処理を行い、ＵＶオゾン処
理を３７０秒行った。
次に、ドナー準位を有する層としてＡｌｑ3とリチウムの共蒸着膜（質量比で１：０．
０１となるように成膜した）を１０ｎｍ、続いてアクセプタ準位を有する層としてＤＮＴ
ＰＤとモリブデン（ＶＩ）酸化物の共蒸着膜（質量比で４：２となるように成膜した）を
４０ｎｍ、正孔輸送層としてα―ＮＰＤを１０ｎｍ成膜した。これらの積層膜上に、発光
層としてＡｌｑ3とクマリン６の共蒸着膜（質量比で１：０．０１となるように成膜した
）を４０ｎｍ成膜した。さらに電子輸送層としてＡｌｑ3を１０ｎｍ成膜した後、ドナー
準位を有する層としてＡｌｑ3とリチウムの共蒸着膜（質量比で１：０．０１となるよう
に成膜した）を１０ｎｍ成膜した。最後に第２の電極としてアルミニウムを２００ｎｍで
成膜し、素子を完成させた。なお、第１の電極以外はいずれも抵抗加熱による真空蒸着法
によって成膜した。
０１となるように成膜した）を１０ｎｍ、続いてアクセプタ準位を有する層としてＤＮＴ
ＰＤとモリブデン（ＶＩ）酸化物の共蒸着膜（質量比で４：２となるように成膜した）を
４０ｎｍ、正孔輸送層としてα―ＮＰＤを１０ｎｍ成膜した。これらの積層膜上に、発光
層としてＡｌｑ3とクマリン６の共蒸着膜（質量比で１：０．０１となるように成膜した
）を４０ｎｍ成膜した。さらに電子輸送層としてＡｌｑ3を１０ｎｍ成膜した後、ドナー
準位を有する層としてＡｌｑ3とリチウムの共蒸着膜（質量比で１：０．０１となるよう
に成膜した）を１０ｎｍ成膜した。最後に第２の電極としてアルミニウムを２００ｎｍで
成膜し、素子を完成させた。なお、第１の電極以外はいずれも抵抗加熱による真空蒸着法
によって成膜した。
上記のようにして作製した発光素子の電流密度―輝度特性、輝度―電流効率特性、電圧
―輝度特性、電圧―電流特性を測定した結果を図１２乃至図１５に示した。このように本
発明の発光素子は良好に動作することが分かる。なお、１０００ｃｄ／ｍ2時のＣＩＥ色
度座標は、（ｘ、ｙ）＝（０．３１、０．６２）であり、良好な緑色発光を示した。
―輝度特性、電圧―電流特性を測定した結果を図１２乃至図１５に示した。このように本
発明の発光素子は良好に動作することが分かる。なお、１０００ｃｄ／ｍ2時のＣＩＥ色
度座標は、（ｘ、ｙ）＝（０．３１、０．６２）であり、良好な緑色発光を示した。
本実施例では実施の形態３（図３（Ｂ））に記載の発光素子を作製し、測定を行った結
果を示す。本実施例では緑色の発光を示す発光素子を作製した。
果を示す。本実施例では緑色の発光を示す発光素子を作製した。
まず、本実施例における発光素子の作製方法を示す。本実施例における発光素子はガラ
ス基板上に形成され、ガラス基板側から順に第１の電極としてＩＴＳＯが１１０ｎｍの膜
厚で形成されている。前記ＩＴＳＯはスパッタリング法によって成膜した。なお、本発明
において第１の電極の形状は２ｍｍ×２ｍｍとした。次に第１の電極上に発光素子を形成
するための前処理として、多孔質の樹脂（代表的にはＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製
、ナイロン製など）で基板表面を洗浄し、２００℃で１時間熱処理を行い、ＵＶオゾン処
理を３７０秒行った。
ス基板上に形成され、ガラス基板側から順に第１の電極としてＩＴＳＯが１１０ｎｍの膜
厚で形成されている。前記ＩＴＳＯはスパッタリング法によって成膜した。なお、本発明
において第１の電極の形状は２ｍｍ×２ｍｍとした。次に第１の電極上に発光素子を形成
するための前処理として、多孔質の樹脂（代表的にはＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製
、ナイロン製など）で基板表面を洗浄し、２００℃で１時間熱処理を行い、ＵＶオゾン処
理を３７０秒行った。
次に、ドナー準位を有する層としてＡｌｑ3とリチウムの共蒸着膜（質量比で１：０．
０１となるように成膜した）を１０ｎｍ、続いてアクセプタ準位を有する層としてＤＮＴ
ＰＤとモリブデン（ＶＩ）酸化物の共蒸着膜（質量比で４：２となるように成膜した）を
４０ｎｍ、正孔輸送層としてα―ＮＰＤを１０ｎｍ成膜した。これらの積層膜上に、発光
層としてＡｌｑ3とクマリン６の共蒸着膜（質量比で１：０．０１となるように成膜した
）を４０ｎｍ成膜した。さらに電子輸送層としてＡｌｑ3を１０ｎｍ成膜した後、ドナー
準位を有する層としてＡｌｑ3とリチウムの共蒸着膜（質量比で１：０．０１となるよう
に成膜した）を１０ｎｍ成膜し、続いてアクセプタ準位を有する層としてＤＮＴＰＤとモ
リブデン（ＶＩ）酸化物の共蒸着膜（質量比で４：２となるように成膜した）を２０ｎｍ
成膜した。最後に第２の電極としてアルミニウムを２００ｎｍで成膜し、素子を完成させ
た。なお、第１の電極以外はいずれも抵抗加熱による真空蒸着法によって成膜した。
０１となるように成膜した）を１０ｎｍ、続いてアクセプタ準位を有する層としてＤＮＴ
ＰＤとモリブデン（ＶＩ）酸化物の共蒸着膜（質量比で４：２となるように成膜した）を
４０ｎｍ、正孔輸送層としてα―ＮＰＤを１０ｎｍ成膜した。これらの積層膜上に、発光
層としてＡｌｑ3とクマリン６の共蒸着膜（質量比で１：０．０１となるように成膜した
）を４０ｎｍ成膜した。さらに電子輸送層としてＡｌｑ3を１０ｎｍ成膜した後、ドナー
準位を有する層としてＡｌｑ3とリチウムの共蒸着膜（質量比で１：０．０１となるよう
に成膜した）を１０ｎｍ成膜し、続いてアクセプタ準位を有する層としてＤＮＴＰＤとモ
リブデン（ＶＩ）酸化物の共蒸着膜（質量比で４：２となるように成膜した）を２０ｎｍ
成膜した。最後に第２の電極としてアルミニウムを２００ｎｍで成膜し、素子を完成させ
た。なお、第１の電極以外はいずれも抵抗加熱による真空蒸着法によって成膜した。
上記のようにして作製した発光素子の電流密度―輝度特性、輝度―電流効率特性、電圧
―輝度特性、電圧―電流特性を測定した結果を図１６乃至図１９に示した。このように本
発明の発光素子は良好に動作することが分かる。なお、１０００ｃｄ／ｍ2時のＣＩＥ色
度座標は、（ｘ、ｙ）＝（０．３１、０．６２）であり、良好な緑色発光を示した。
―輝度特性、電圧―電流特性を測定した結果を図１６乃至図１９に示した。このように本
発明の発光素子は良好に動作することが分かる。なお、１０００ｃｄ／ｍ2時のＣＩＥ色
度座標は、（ｘ、ｙ）＝（０．３１、０．６２）であり、良好な緑色発光を示した。
また、図２８に当該素子を初期輝度３０００ｃｄ／ｍ2とし、電流密度を一定として駆
動させた場合の輝度変化を示したグラフを示す。グラフは初期輝度を１００として規格化
して示している。グラフから、本実施の形態における発光素子は、初期輝度３０００ｃｄ
において輝度２０％減までの時間が約２７０時間と良好な特性を示した。
動させた場合の輝度変化を示したグラフを示す。グラフは初期輝度を１００として規格化
して示している。グラフから、本実施の形態における発光素子は、初期輝度３０００ｃｄ
において輝度２０％減までの時間が約２７０時間と良好な特性を示した。
本実施例では実施の形態３（図３（Ｂ））に記載の発光素子を作製し、測定を行った結
果を示す。本実施例では青色の発光を示す発光素子を作製した。
果を示す。本実施例では青色の発光を示す発光素子を作製した。
まず、本実施例における発光素子の作製方法を示す。本実施例における発光素子はガラ
ス基板上に形成され、ガラス基板側から順に第１の電極としてＩＴＳＯが１１０ｎｍの膜
厚で形成されている。前記ＩＴＳＯはスパッタリング法によって成膜した。なお、本発明
において第１の電極の形状は２ｍｍ×２ｍｍとした。次に第１の電極上に発光素子を形成
するための前処理として、多孔質の樹脂（代表的にはＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製
、ナイロン製など）で基板表面を洗浄し、２００℃で１時間熱処理を行い、ＵＶオゾン処
理を３７０秒行った。
ス基板上に形成され、ガラス基板側から順に第１の電極としてＩＴＳＯが１１０ｎｍの膜
厚で形成されている。前記ＩＴＳＯはスパッタリング法によって成膜した。なお、本発明
において第１の電極の形状は２ｍｍ×２ｍｍとした。次に第１の電極上に発光素子を形成
するための前処理として、多孔質の樹脂（代表的にはＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製
、ナイロン製など）で基板表面を洗浄し、２００℃で１時間熱処理を行い、ＵＶオゾン処
理を３７０秒行った。
次に、ドナー準位を有する層としてＡｌｑ3とリチウムの共蒸着膜（質量比で１：０．
０１となるように成膜した）を１０ｎｍ、続いてアクセプタ準位を有する層としてＤＮＴ
ＰＤとモリブデン（ＶＩ）酸化物の共蒸着膜（質量比で４：２となるように成膜した）を
４０ｎｍ、正孔輸送層としてα―ＮＰＤを１０ｎｍ成膜した。これらの積層膜上に、発光
層としてｔ−ＢｕＤＮＡを４０ｎｍ成膜した。さらに電子輸送層としてＡｌｑ3を１０ｎ
ｍ成膜した後、ドナー準位を有する層としてＡｌｑ3とリチウムの共蒸着膜（質量比で１
：０．０１となるように成膜した）を１０ｎｍ成膜し、続いてアクセプタ準位を有する層
としてＤＮＴＰＤとモリブデン（ＶＩ）酸化物の共蒸着膜（質量比で４：２となるように
成膜した）を２０ｎｍ成膜した。最後に第２の電極としてアルミニウムを２００ｎｍで成
膜し、素子を完成させた。なお、第１の電極以外はいずれも抵抗加熱による真空蒸着法に
よって成膜した。
０１となるように成膜した）を１０ｎｍ、続いてアクセプタ準位を有する層としてＤＮＴ
ＰＤとモリブデン（ＶＩ）酸化物の共蒸着膜（質量比で４：２となるように成膜した）を
４０ｎｍ、正孔輸送層としてα―ＮＰＤを１０ｎｍ成膜した。これらの積層膜上に、発光
層としてｔ−ＢｕＤＮＡを４０ｎｍ成膜した。さらに電子輸送層としてＡｌｑ3を１０ｎ
ｍ成膜した後、ドナー準位を有する層としてＡｌｑ3とリチウムの共蒸着膜（質量比で１
：０．０１となるように成膜した）を１０ｎｍ成膜し、続いてアクセプタ準位を有する層
としてＤＮＴＰＤとモリブデン（ＶＩ）酸化物の共蒸着膜（質量比で４：２となるように
成膜した）を２０ｎｍ成膜した。最後に第２の電極としてアルミニウムを２００ｎｍで成
膜し、素子を完成させた。なお、第１の電極以外はいずれも抵抗加熱による真空蒸着法に
よって成膜した。
上記のようにして作製した発光素子の電流密度―輝度特性、輝度―電流効率特性、電圧
―輝度特性、電圧―電流特性を測定した結果を図２０乃至図２３に示した。このように本
発明の発光素子は良好に動作することが分かる。なお、１０００ｃｄ／ｍ2時のＣＩＥ色
度座標は、（ｘ、ｙ）＝（０．１６、０．１３）であり、良好な青色発光を示した。
―輝度特性、電圧―電流特性を測定した結果を図２０乃至図２３に示した。このように本
発明の発光素子は良好に動作することが分かる。なお、１０００ｃｄ／ｍ2時のＣＩＥ色
度座標は、（ｘ、ｙ）＝（０．１６、０．１３）であり、良好な青色発光を示した。
本実施例では実施の形態１（図１（Ｂ））に記載の発光素子を作製し、測定を行った結
果を示す。本実施例では緑色の発光を示す発光素子を作製した。
果を示す。本実施例では緑色の発光を示す発光素子を作製した。
まず、本実施例における発光素子の作製方法を示す。本実施例における発光素子はガラ
ス基板上に形成され、ガラス基板側から順に第１の電極としてＩＴＳＯが１１０ｎｍの膜
厚で形成されている。前記ＩＴＳＯはスパッタリング法によって成膜した。なお、本発明
において第１の電極の形状は２ｍｍ×２ｍｍとした。次に第１の電極上に発光素子を形成
するための前処理として、多孔質の樹脂（代表的にはＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製
、ナイロン製など）で基板表面を洗浄し、２００℃で１時間熱処理を行い、ＵＶオゾン処
理を３７０秒行った。
ス基板上に形成され、ガラス基板側から順に第１の電極としてＩＴＳＯが１１０ｎｍの膜
厚で形成されている。前記ＩＴＳＯはスパッタリング法によって成膜した。なお、本発明
において第１の電極の形状は２ｍｍ×２ｍｍとした。次に第１の電極上に発光素子を形成
するための前処理として、多孔質の樹脂（代表的にはＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製
、ナイロン製など）で基板表面を洗浄し、２００℃で１時間熱処理を行い、ＵＶオゾン処
理を３７０秒行った。
次に、ドナー準位を有する層としてＡｌｑ3とリチウムの共蒸着膜（質量比で１：０．
０１となるように成膜した）を１０ｎｍ、続いてアクセプタ準位を有する層としてＤＮＴ
ＰＤとモリブデン（ＶＩ）酸化物の共蒸着膜（質量比で４：２となるように成膜した）を
４０ｎｍ、正孔輸送層としてα―ＮＰＤを１０ｎｍ成膜した。これらの積層膜上に、発光
層としてＡｌｑ3とクマリン６の共蒸着膜（質量比で１：０．０１となるように成膜した
）を４０ｎｍ成膜した。さらに電子輸送層としてＡｌｑ3を４０ｎｍ成膜した。最後に第
２の電極としてフッ化リチウムを１０ｎｍとアルミニウムを２００ｎｍ積層し、素子を完
成させた。なお、第１の電極以外はいずれも抵抗加熱による真空蒸着法によって成膜した
。
０１となるように成膜した）を１０ｎｍ、続いてアクセプタ準位を有する層としてＤＮＴ
ＰＤとモリブデン（ＶＩ）酸化物の共蒸着膜（質量比で４：２となるように成膜した）を
４０ｎｍ、正孔輸送層としてα―ＮＰＤを１０ｎｍ成膜した。これらの積層膜上に、発光
層としてＡｌｑ3とクマリン６の共蒸着膜（質量比で１：０．０１となるように成膜した
）を４０ｎｍ成膜した。さらに電子輸送層としてＡｌｑ3を４０ｎｍ成膜した。最後に第
２の電極としてフッ化リチウムを１０ｎｍとアルミニウムを２００ｎｍ積層し、素子を完
成させた。なお、第１の電極以外はいずれも抵抗加熱による真空蒸着法によって成膜した
。
上記のようにして作製した発光素子の電流密度―輝度特性、輝度―電流効率特性、電圧
―輝度特性、電圧―電流特性を測定した結果をそれぞれ図２４乃至図２７に示した。この
ように本発明の発光素子は良好に動作することが分かる。なお、１０００ｃｄ／ｍ2時の
ＣＩＥ色度座標は、（ｘ、ｙ）＝（０．２９、０．６４）であり、良好な緑色発光を示し
た。
―輝度特性、電圧―電流特性を測定した結果をそれぞれ図２４乃至図２７に示した。この
ように本発明の発光素子は良好に動作することが分かる。なお、１０００ｃｄ／ｍ2時の
ＣＩＥ色度座標は、（ｘ、ｙ）＝（０．２９、０．６４）であり、良好な緑色発光を示し
た。
また、図２９に本実施の形態における素子を初期輝度３０００ｃｄ／ｍ2とし、電流密
度を一定として駆動させた場合の輝度変化を示したグラフを示す。グラフは初期輝度を１
００として規格化して示している。グラフから、本実施例における発光素子は、初期輝度
３０００ｃｄ／ｍ2において輝度２０％減までの時間が約２８０時間と良好な特性を示し
た。
度を一定として駆動させた場合の輝度変化を示したグラフを示す。グラフは初期輝度を１
００として規格化して示している。グラフから、本実施例における発光素子は、初期輝度
３０００ｃｄ／ｍ2において輝度２０％減までの時間が約２８０時間と良好な特性を示し
た。
また、図２９には比較例として本実施例における素子とほぼ同様の構成であるが、第１
の電極上にドナー準位を有する層を設けない素子の特性も同時に示した。なお、比較例の
素子の作製方法は以下である。
の電極上にドナー準位を有する層を設けない素子の特性も同時に示した。なお、比較例の
素子の作製方法は以下である。
第１の電極を作製するところまでは実施例４と同じであるため割愛する。第１の電極を
実施例４と同様に形成したら、アクセプタ準位を有する層としてＤＮＴＰＤとモリブデン
（ＶＩ）酸化物の共蒸着膜（質量比で４：２となるように成膜した）を５０ｎｍ、正孔輸
送層としてα―ＮＰＤを１０ｎｍ成膜した。これらの積層膜上に、発光層としてＡｌｑ3
とクマリン６の共蒸着膜（質量比で１：０．０１となるように成膜した）を４０ｎｍ成膜
した。さらに電子輸送層としてＡｌｑ3を４０ｎｍ成膜した。最後に第２の電極としてフ
ッ化リチウムを１０ｎｍとアルミニウムを２００ｎｍ積層し、素子を完成させた。なお、
第１の電極以外はいずれも抵抗加熱による真空蒸着法によって成膜した。
実施例４と同様に形成したら、アクセプタ準位を有する層としてＤＮＴＰＤとモリブデン
（ＶＩ）酸化物の共蒸着膜（質量比で４：２となるように成膜した）を５０ｎｍ、正孔輸
送層としてα―ＮＰＤを１０ｎｍ成膜した。これらの積層膜上に、発光層としてＡｌｑ3
とクマリン６の共蒸着膜（質量比で１：０．０１となるように成膜した）を４０ｎｍ成膜
した。さらに電子輸送層としてＡｌｑ3を４０ｎｍ成膜した。最後に第２の電極としてフ
ッ化リチウムを１０ｎｍとアルミニウムを２００ｎｍ積層し、素子を完成させた。なお、
第１の電極以外はいずれも抵抗加熱による真空蒸着法によって成膜した。
比較例の素子は初期輝度３０００ｃｄ／ｍ2、電流密度一定で駆動した際、輝度２０％
減までの時間が約１４０時間であった。本実施例における発光素子は比較例との比較で約
２倍もの信頼性を得ることができている。これは、駆動開始直後の劣化が比較例の素子よ
り抑えられたことが要因と考えられる。このように、本発明の発光素子は駆動開始直後の
劣化を低減することも可能である。
減までの時間が約１４０時間であった。本実施例における発光素子は比較例との比較で約
２倍もの信頼性を得ることができている。これは、駆動開始直後の劣化が比較例の素子よ
り抑えられたことが要因と考えられる。このように、本発明の発光素子は駆動開始直後の
劣化を低減することも可能である。
５０ 基板
５１ａ 下地絶縁層
５１ｂ 下地絶縁層
５２ 半導体層
５３ ゲート絶縁層
５４ ゲート電極
５９ 絶縁膜（水素化膜）
６０ 層間絶縁層
６１ａ 接続部
６１ｂ 配線
６３ 層間絶縁層
６５ 隔壁
６６ 発光積層体
７０ 薄膜トランジスタ
８８ 樹脂
８９ 乾燥材
９０ 偏光板
９１ 保護フィルム
９３ 発光素子
９４ 対向基板
１００ 絶縁物
１０１ 電極
１０２ 層
１０３ 層
１０４ 発光積層体
１０５ 層
１０６ 電極
１１０ 層
９００ 層間絶縁層
９０１ 薄膜トランジスタ
１４０１ スイッチング用ＴＦＴ
１４０２ 容量素子
１４０３ 駆動用ＴＦＴ
１４０４ 電流制御用ＴＦＴ
１４０５ 発光素子
１４０６ ＴＦＴ
１４１０ 信号線
１４１１ 電源線
１４１２ 電源線
１４１４ 走査線
１４１５ 走査線
１５００ 画素部
１５５４ 共通電位線
１５６１ ダイオード
２００１ 筐体
２００３ 表示部
２００４ スピーカー部
２１０１ 本体
２１０２ 筐体
２１０３ 表示部
２１０４ 音声入力部
２１０５ 音声出力部
２１０６ 操作キー
２１０８ アンテナ
２２０１ 本体
２２０２ 筐体
２２０３ 表示部
２２０４ キーボード
２２０５ 外部接続ポート
２２０６ ポインティングマウス
２３０１ 本体
２３０２ 表示部
２３０３ スイッチ
２３０４ 操作キー
２３０５ 赤外線ポート
２４０１ 筐体
２４０２ 表示部
２４０３ スピーカー部
２４０４ 操作キー
２４０５ 記録媒体挿入部
４００１ 基板
４００２ 画素部
４００３ 信号線駆動回路
４００４ 走査線駆動回路
４００５ シール材
４００６ 対向基板
４００７ 充填材
４００８ 薄膜トランジスタ
４０１０ 薄膜トランジスタ
４０１１ 発光素子
４０１４ 配線
４０１６ 接続端子
４０１８ フレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）
４０１９ 異方性導電膜
４０１５ａ 配線
４０１５ｂ 配線
５１ａ 下地絶縁層
５１ｂ 下地絶縁層
５２ 半導体層
５３ ゲート絶縁層
５４ ゲート電極
５９ 絶縁膜（水素化膜）
６０ 層間絶縁層
６１ａ 接続部
６１ｂ 配線
６３ 層間絶縁層
６５ 隔壁
６６ 発光積層体
７０ 薄膜トランジスタ
８８ 樹脂
８９ 乾燥材
９０ 偏光板
９１ 保護フィルム
９３ 発光素子
９４ 対向基板
１００ 絶縁物
１０１ 電極
１０２ 層
１０３ 層
１０４ 発光積層体
１０５ 層
１０６ 電極
１１０ 層
９００ 層間絶縁層
９０１ 薄膜トランジスタ
１４０１ スイッチング用ＴＦＴ
１４０２ 容量素子
１４０３ 駆動用ＴＦＴ
１４０４ 電流制御用ＴＦＴ
１４０５ 発光素子
１４０６ ＴＦＴ
１４１０ 信号線
１４１１ 電源線
１４１２ 電源線
１４１４ 走査線
１４１５ 走査線
１５００ 画素部
１５５４ 共通電位線
１５６１ ダイオード
２００１ 筐体
２００３ 表示部
２００４ スピーカー部
２１０１ 本体
２１０２ 筐体
２１０３ 表示部
２１０４ 音声入力部
２１０５ 音声出力部
２１０６ 操作キー
２１０８ アンテナ
２２０１ 本体
２２０２ 筐体
２２０３ 表示部
２２０４ キーボード
２２０５ 外部接続ポート
２２０６ ポインティングマウス
２３０１ 本体
２３０２ 表示部
２３０３ スイッチ
２３０４ 操作キー
２３０５ 赤外線ポート
２４０１ 筐体
２４０２ 表示部
２４０３ スピーカー部
２４０４ 操作キー
２４０５ 記録媒体挿入部
４００１ 基板
４００２ 画素部
４００３ 信号線駆動回路
４００４ 走査線駆動回路
４００５ シール材
４００６ 対向基板
４００７ 充填材
４００８ 薄膜トランジスタ
４０１０ 薄膜トランジスタ
４０１１ 発光素子
４０１４ 配線
４０１６ 接続端子
４０１８ フレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）
４０１９ 異方性導電膜
４０１５ａ 配線
４０１５ｂ 配線
Claims (6)
- 第１の電極上の第１の層と、
前記第１の層上の第２の層と、
前記第２の層上の第３の層と、
前記第３の層上の第２の電極と、を有し、
前記第１の層は、電子輸送性を有する第１の物質と、電子供与性を有する第２の物質と、を有し、
前記第２の層は、正孔輸送性を有する第３の物質と、電子受容性を有する第４の物質と、を有し、
前記第３の層は、発光物質を有し、
前記第１の電極は、陽極としての機能を有し、
前記第２の電極は、陰極としての機能を有することを特徴とする発光装置。 - 第１の電極上の第１の層と、
前記第１の層上の第２の層と、
前記第２の層上の第３の層と、
前記第３の層上の第４の層と、
前記第４の層上の第２の電極と、を有し、
前記第１の層は、電子輸送性を有する第１の物質と、電子供与性を有する第２の物質と、を有し、
前記第２の層は、正孔輸送性を有する第３の物質と、電子受容性を有する第４の物質と、を有し、
前記第３の層は、発光物質を有し、
前記第４の層は、電子輸送性を有する第５の物質と、電子供与性を有する第６の物質と、を有し、
前記第１の電極は、陽極としての機能を有し、
前記第２の電極は、陰極としての機能を有することを特徴とする発光装置。 - 第１の電極上の第１の層と、
前記第１の層上の第２の層と、
前記第２の層上の第３の層と、
前記第３の層上の第４の層と、
前記第４の層上の第５の層と、
前記第５の層上の第２の電極と、を有し、
前記第１の層は、電子輸送性を有する第１の物質と、電子供与性を有する第２の物質と、を有し、
前記第２の層は、正孔輸送性を有する第３の物質と、電子受容性を有する第４の物質と、を有し
前記第３の層は、発光物質を有し、
前記第４の層は、電子輸送性を有する第５の物質と、電子供与性を有する第６の物質と、を有し、
前記第５の層は、正孔輸送性を有する第７の物質と、電子受容性を有する第８の物質と、を有し、
前記第１の電極は、陽極としての機能を有し、
前記第２の電極は、陰極としての機能を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項２において、
前記第１の物質と前記第５の物質は同一の物質であり、
前記第２の物質と前記第６の物質は同一の物質であることを特徴とする発光装置。 - 請求項３において、
前記第１の物質と前記第５の物質は同一の物質であり、
前記第２の物質と前記第６の物質は同一の物質であり、
前記第３の物質と前記第７の物質は同一の物質であり、
前記第４の物質と前記第８の物質は同一の物質であることを特徴とする発光装置。 - 請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第３の層は、正孔輸送層と、前記発光物質を有する層と、電子輸送層と、を有し、
前記正孔輸送層は、前記発光物質を有する層と接する領域を有し、
前記電子輸送層は、前記発光物質を有する層と接する領域を有することを特徴とする発光装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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| JP2004278259 | 2004-09-24 | ||
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| JP2005194617 | 2005-07-04 | ||
| JP2012174916A JP5409854B2 (ja) | 2004-09-24 | 2012-08-07 | 発光装置 |
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Related Child Applications (1)
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Family
ID=47528109
Family Applications (2)
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| JP3556258B2 (ja) * | 1992-12-18 | 2004-08-18 | 株式会社リコー | 複数のキャリヤー注入層を有する有機薄膜ｅｌ素子 |
| JP4198253B2 (ja) * | 1999-02-02 | 2008-12-17 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| US6392250B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-05-21 | Xerox Corporation | Organic light emitting devices having improved performance |
| JP3742054B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2006-02-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US6872472B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-03-29 | Eastman Kodak Company | Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units |
| DE10261609B4 (de) * | 2002-12-20 | 2007-05-03 | Novaled Ag | Lichtemittierende Anordnung |
| JP2004207000A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Denso Corp | 有機ｅｌ素子 |
| WO2005109542A1 (en) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Lg Chem. Ltd. | Organic electronic device |
-
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- 2013-09-20 JP JP2013195729A patent/JP5648108B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP5648108B2 (ja) | 2015-01-07 |
| JP2012256920A (ja) | 2012-12-27 |
| JP2014017511A (ja) | 2014-01-30 |
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