JP3860793B2 - 電気光学装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
本発明は、
光透過性基板と、
この基板上の積層体の層であって、この積層体が、前記基板付近の光透過性の第１電極層と、第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電極層との間の有機エレクトロルミネセンス層とを有する積層体の層と、
この積層体上に配置されている中空のカバーであって、このカバーが、前記基板に気密に連結され、前記積層体に沿って延在している第１壁部を有するカバーと、
前記第１壁部に対接するように前記カバー内に収納された水分結合ゲッタと
を有する電気光学装置に関するものである。
【０００２】
このような電気光学装置は米国特許第5882761号明細書に開示されている。
電子を、一方の電極層を通して発光層内へ注入し、正孔を、他方の電極層を通して発光層内へ注入することによって、正孔及び電子を結合させて、発光層で光を発生させる。電極間の電圧を高くすると、光放出が強くなる。しかし、この効果は、製造工程から生じる水分、又は環境から生じる水分によって無効にされるおそれがある。
【０００３】
この理由のため、既知の装置では、基板とカバーとによって形成された気密な空間内に積層体の層が配置され、水分結合ゲッタが用いられている。
【０００４】
この装置は、例えばプリント回路板上の、例えば、電極間の電圧を制御又は変化しうる制御電子機器によって動作される。
【０００５】
従って、この既知の装置の欠点は、この装置と制御電子機器との組み合わせ体が場所をとりすぎるということにある。
【０００６】
本発明の目的は、頭書に記載した種類の電気光学装置であって、この装置と、これと関連した制御電子機器とによって占められた空間を制限しうるように設計された電気光学装置を提供することにある。
【０００７】
本発明によれば、この目的は、前記カバーの前記第１壁部にくぼみを設け、このくぼみの内部に制御電子機器を、前記第１電極層及び前記第２電極層に電気接続するように収納させることによって達成される。
【０００８】
この装置設計によって、コンパクトな構造を達成する。更に、この装置は、それにより、動作すべき装置の電気光学素子付近に制御電子機器が存在するモジュールを得るという利点を有する。このモジュールは、電話のような大型の装置の組み立てラインに供給することができる完成した基本構造である。
【０００９】
この装置は、連続的な第１電極層と連続的な第２電極層とを有することができる。このことによって、この装置を光源例えばバックライトとして用いることができる。或いは又、第１電極層及び第２電極層の双方又はいずれか一方をセグメント化することができ、その結果として、セグメントを附勢することによって画像又は文字を形成することができる。このことによって、この装置を表示装置として用いることができる。セグメント化に対して、一方の層に実質的に平行なラインを有し、このラインに対して直交する方向に延在する実質的に平行なラインを他方の層に有することも可能であり、その結果として、文字及び画像は点から成る。この装置を、白黒、又は表示カラー例えば、赤色、緑色、青色及び、これらを混合した色例えば白色やオレンジ色とすることができる。
【００１０】
第１電極層は、例えば、金又はプラチナ又は銀のような、薄い層厚で光透過性の金属から成る正孔注入電極層とすることができるが、好ましくは例えば酸化インジウム錫を用いる。その理由はこの材料の光透過性が高いためである。或いは又、ポリアニリンやポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）や、これらから得られる高分子のような有機導電性高分子を用いることができる。第１電極層を、例えば、酸化インジウム錫及びＰＥＤＯＴより成る二重層とすることができる。一般に、この二重層によって正孔注入を改善する。
【００１１】
第２電極層は、例えば、Yb，Ca，Mg:Ag，Li:Al，Baのような、低い仕事関数を有する金属又は金属合金から成る電子注入電極層とすることができ、或いは、この層は、Ba/Al又はBa/Agのような種々の層の積層体である。
【００１２】
エレクトロルミネセンス層は基本的に、比較的高いか比較的低い分子量の有機エレクトロルミネセンス材料を有することができる。このような材料は、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリチオフェンビニレンのような実質的に共役の骨格を有する材料、特に、例えば、青色発光ポリ（アルキル）フルオレンと、赤色、緑色又は黄色発光ポリ−ｐ−フェニレンビニレンとの双方又はいずれか一方の材料とすることができる。
【００１３】
基板は、例えば、熱可塑性物質のような合成樹脂、又は石英ガラスのようなガラス、又はセラミック材料とすることができる。
ゲッタには吸湿性基板を用いることができ、これは、例えば圧縮又は焼結によってカバー内に固定される。このような基板の例には、BaＯ，CaＯ，CaＳＯ4 ，Ba（ClＯ4 ）及びCa（ClＯ4 ）が含まれる。
【００１４】
既知の装置で用いられるガラス製カバーの欠点は、充分な機械的強度に必要な壁厚が比較的厚いということである。しかも、この壁厚によって装置が比較的重くなる。
【００１５】
従って、金属例えば、アルミニウム又はクロムニッケル鋼からカバーを製造するのが好ましい。クロムニッケル鋼には魅力がある。その理由は、ガラス基板との組み合わせで、クロムニッケル鋼製カバーの熱膨張率が基板の熱膨張率に近いので、カバー−基板連結部は、比較的高い温度変化に耐えうるのためである。更に、この場合、シート材料又は細条材料から、例えば深絞り成形によって、カバーを容易に製造できる。
【００１６】
好ましくは、制御電子機器を第１及び第２電極層に連結させる導体細条を有する軟質（可撓性）ホイル上に制御電子機器を存在させる。このことは、導体細条を被覆するように、従って、これらをカバーから分離するようにホイルを２つに容易に折り曲げることができるので優れている。その結果として、追加の絶縁体を設ける必要がない。
【００１７】
制御電子機器、一般にＩＣ（集積回路）を、接着剤によってくぼみ内に固定することができる。この手段は、これにより、容易に取り扱える堅牢なユニットを得るという利点を有する。
【００１８】
カバーが金属で造られている場合、例えば、電気絶縁性粉末が分散されている封止手段によって、カバーを基板に連結させることができる。前記粉末は、例えばガラスビーズをもって構成することができる。このことによって、金属カバーが、基板上に配置され且つ電極層まで延在する導体に短絡しないようにする特別な手段を用いる必要がなく、接着剤例えばエポキシ系接着剤をカバー及び基板上に直接に作用させることができる。この場合、この粉末はスペーサとして作用する。
【００１９】
本発明の上述した観点及びその他の観点は、以下の実施例に関する説明から明らかとなるであろう。
図１及び図２では、電気光学装置は光透過性基板１を有し、図面では、この基板はガラスより成る。基板１上には積層体２の層が設けられており、この積層体は基板１付近の光透過性の第１電極層３と、第２電極層４と、第１電極層３と第２電極層４との間の有機エレクトロルミネセンス層５とを有する。図１では、第１電極層３は、酸化インジウム錫より成る層３ａと、ポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェンより成る層３ｂとを有する二重層である。第２電極層４はバリウム及びアルミニウムより成り、エレクトロルミネセンス層５はポリ−ｐ−フェニレンビニレンより成る。積層体２上には中空のカバー10が、基板１に気密に連結されるように設けられている。カバー10は、積層体２に沿って延在している第１壁部11を有する。水分結合ゲッタ12はカバー10内に、第１壁部11に対接するように収納されている。図１では、このゲッタはCaＯを有する。
【００２０】
カバー10の第１壁部11はくぼみ13を有し、このくぼみ内には、第１電極層３及び第２電極層４に電気接続されている制御電子機器14が収納されている。制御電子機器14は集積回路を有する。図面に示すカバー10は金属すなわちクロムニッケル鋼より成る。
【００２１】
制御電子機器14は軟質ホイル15上にあり、このホイルは、図面ではポリイミドより成り、制御電子機器14を第１電極層３及び第２電極層４に連結させる銅製導体細条16を有する。
制御電子機器14は、接着剤17すなわち、図面ではエポキシ系接着剤によってくぼみ13内に固定されている。
【００２２】
電気絶縁性粉末が分散されている封止剤６、すなわち、図１では、ガラスビーズを有するエポキシ系接着剤によってカバー10が基板１に連結されている。
【００２３】
ホイル15のフラップ15ａ及び15ｂをそれぞれ折り畳み線15ｃ及び15ｄについて折り曲げることによって、図２に示す半完成製品から、図１に示す装置を得る。必要であれば、接着剤を用いて折り畳み部分を取り付けることができる。フラップ15ｂは導体パターン（銅製導体細条）16を被覆し、フラップ15ａは導体18を被覆する。すでにホイル15は、図１にも示す連結細条15ｅを介して基板１に、熱的に硬化される異方導電性接着剤によって連結されている。次に、カバー10上にホイル15を設け、制御電子機器14を接着剤17によってくぼみ13内に固着させる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 装置の線図的断面図である。
【図２】 製造中の図１の装置の平面図である。
本発明は、
光透過性基板と、
この基板上の積層体の層であって、この積層体が、前記基板付近の光透過性の第１電極層と、第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電極層との間の有機エレクトロルミネセンス層とを有する積層体の層と、
この積層体上に配置されている中空のカバーであって、このカバーが、前記基板に気密に連結され、前記積層体に沿って延在している第１壁部を有するカバーと、
前記第１壁部に対接するように前記カバー内に収納された水分結合ゲッタと
を有する電気光学装置に関するものである。
【０００２】
このような電気光学装置は米国特許第5882761号明細書に開示されている。
電子を、一方の電極層を通して発光層内へ注入し、正孔を、他方の電極層を通して発光層内へ注入することによって、正孔及び電子を結合させて、発光層で光を発生させる。電極間の電圧を高くすると、光放出が強くなる。しかし、この効果は、製造工程から生じる水分、又は環境から生じる水分によって無効にされるおそれがある。
【０００３】
この理由のため、既知の装置では、基板とカバーとによって形成された気密な空間内に積層体の層が配置され、水分結合ゲッタが用いられている。
【０００４】
この装置は、例えばプリント回路板上の、例えば、電極間の電圧を制御又は変化しうる制御電子機器によって動作される。
【０００５】
従って、この既知の装置の欠点は、この装置と制御電子機器との組み合わせ体が場所をとりすぎるということにある。
【０００６】
本発明の目的は、頭書に記載した種類の電気光学装置であって、この装置と、これと関連した制御電子機器とによって占められた空間を制限しうるように設計された電気光学装置を提供することにある。
【０００７】
本発明によれば、この目的は、前記カバーの前記第１壁部にくぼみを設け、このくぼみの内部に制御電子機器を、前記第１電極層及び前記第２電極層に電気接続するように収納させることによって達成される。
【０００８】
この装置設計によって、コンパクトな構造を達成する。更に、この装置は、それにより、動作すべき装置の電気光学素子付近に制御電子機器が存在するモジュールを得るという利点を有する。このモジュールは、電話のような大型の装置の組み立てラインに供給することができる完成した基本構造である。
【０００９】
この装置は、連続的な第１電極層と連続的な第２電極層とを有することができる。このことによって、この装置を光源例えばバックライトとして用いることができる。或いは又、第１電極層及び第２電極層の双方又はいずれか一方をセグメント化することができ、その結果として、セグメントを附勢することによって画像又は文字を形成することができる。このことによって、この装置を表示装置として用いることができる。セグメント化に対して、一方の層に実質的に平行なラインを有し、このラインに対して直交する方向に延在する実質的に平行なラインを他方の層に有することも可能であり、その結果として、文字及び画像は点から成る。この装置を、白黒、又は表示カラー例えば、赤色、緑色、青色及び、これらを混合した色例えば白色やオレンジ色とすることができる。
【００１０】
第１電極層は、例えば、金又はプラチナ又は銀のような、薄い層厚で光透過性の金属から成る正孔注入電極層とすることができるが、好ましくは例えば酸化インジウム錫を用いる。その理由はこの材料の光透過性が高いためである。或いは又、ポリアニリンやポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）や、これらから得られる高分子のような有機導電性高分子を用いることができる。第１電極層を、例えば、酸化インジウム錫及びＰＥＤＯＴより成る二重層とすることができる。一般に、この二重層によって正孔注入を改善する。
【００１１】
第２電極層は、例えば、Yb，Ca，Mg:Ag，Li:Al，Baのような、低い仕事関数を有する金属又は金属合金から成る電子注入電極層とすることができ、或いは、この層は、Ba/Al又はBa/Agのような種々の層の積層体である。
【００１２】
エレクトロルミネセンス層は基本的に、比較的高いか比較的低い分子量の有機エレクトロルミネセンス材料を有することができる。このような材料は、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリチオフェンビニレンのような実質的に共役の骨格を有する材料、特に、例えば、青色発光ポリ（アルキル）フルオレンと、赤色、緑色又は黄色発光ポリ−ｐ−フェニレンビニレンとの双方又はいずれか一方の材料とすることができる。
【００１３】
基板は、例えば、熱可塑性物質のような合成樹脂、又は石英ガラスのようなガラス、又はセラミック材料とすることができる。
ゲッタには吸湿性基板を用いることができ、これは、例えば圧縮又は焼結によってカバー内に固定される。このような基板の例には、BaＯ，CaＯ，CaＳＯ4 ，Ba（ClＯ4 ）及びCa（ClＯ4 ）が含まれる。
【００１４】
既知の装置で用いられるガラス製カバーの欠点は、充分な機械的強度に必要な壁厚が比較的厚いということである。しかも、この壁厚によって装置が比較的重くなる。
【００１５】
従って、金属例えば、アルミニウム又はクロムニッケル鋼からカバーを製造するのが好ましい。クロムニッケル鋼には魅力がある。その理由は、ガラス基板との組み合わせで、クロムニッケル鋼製カバーの熱膨張率が基板の熱膨張率に近いので、カバー−基板連結部は、比較的高い温度変化に耐えうるのためである。更に、この場合、シート材料又は細条材料から、例えば深絞り成形によって、カバーを容易に製造できる。
【００１６】
好ましくは、制御電子機器を第１及び第２電極層に連結させる導体細条を有する軟質（可撓性）ホイル上に制御電子機器を存在させる。このことは、導体細条を被覆するように、従って、これらをカバーから分離するようにホイルを２つに容易に折り曲げることができるので優れている。その結果として、追加の絶縁体を設ける必要がない。
【００１７】
制御電子機器、一般にＩＣ（集積回路）を、接着剤によってくぼみ内に固定することができる。この手段は、これにより、容易に取り扱える堅牢なユニットを得るという利点を有する。
【００１８】
カバーが金属で造られている場合、例えば、電気絶縁性粉末が分散されている封止手段によって、カバーを基板に連結させることができる。前記粉末は、例えばガラスビーズをもって構成することができる。このことによって、金属カバーが、基板上に配置され且つ電極層まで延在する導体に短絡しないようにする特別な手段を用いる必要がなく、接着剤例えばエポキシ系接着剤をカバー及び基板上に直接に作用させることができる。この場合、この粉末はスペーサとして作用する。
【００１９】
本発明の上述した観点及びその他の観点は、以下の実施例に関する説明から明らかとなるであろう。
図１及び図２では、電気光学装置は光透過性基板１を有し、図面では、この基板はガラスより成る。基板１上には積層体２の層が設けられており、この積層体は基板１付近の光透過性の第１電極層３と、第２電極層４と、第１電極層３と第２電極層４との間の有機エレクトロルミネセンス層５とを有する。図１では、第１電極層３は、酸化インジウム錫より成る層３ａと、ポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェンより成る層３ｂとを有する二重層である。第２電極層４はバリウム及びアルミニウムより成り、エレクトロルミネセンス層５はポリ−ｐ−フェニレンビニレンより成る。積層体２上には中空のカバー10が、基板１に気密に連結されるように設けられている。カバー10は、積層体２に沿って延在している第１壁部11を有する。水分結合ゲッタ12はカバー10内に、第１壁部11に対接するように収納されている。図１では、このゲッタはCaＯを有する。
【００２０】
カバー10の第１壁部11はくぼみ13を有し、このくぼみ内には、第１電極層３及び第２電極層４に電気接続されている制御電子機器14が収納されている。制御電子機器14は集積回路を有する。図面に示すカバー10は金属すなわちクロムニッケル鋼より成る。
【００２１】
制御電子機器14は軟質ホイル15上にあり、このホイルは、図面ではポリイミドより成り、制御電子機器14を第１電極層３及び第２電極層４に連結させる銅製導体細条16を有する。
制御電子機器14は、接着剤17すなわち、図面ではエポキシ系接着剤によってくぼみ13内に固定されている。
【００２２】
電気絶縁性粉末が分散されている封止剤６、すなわち、図１では、ガラスビーズを有するエポキシ系接着剤によってカバー10が基板１に連結されている。
【００２３】
ホイル15のフラップ15ａ及び15ｂをそれぞれ折り畳み線15ｃ及び15ｄについて折り曲げることによって、図２に示す半完成製品から、図１に示す装置を得る。必要であれば、接着剤を用いて折り畳み部分を取り付けることができる。フラップ15ｂは導体パターン（銅製導体細条）16を被覆し、フラップ15ａは導体18を被覆する。すでにホイル15は、図１にも示す連結細条15ｅを介して基板１に、熱的に硬化される異方導電性接着剤によって連結されている。次に、カバー10上にホイル15を設け、制御電子機器14を接着剤17によってくぼみ13内に固着させる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 装置の線図的断面図である。
【図２】 製造中の図１の装置の平面図である。
Claims (4)
- 光透過性基板と、
この基板上の積層体の層であって、この積層体が、前記基板付近の光透過性の第１電極層と、第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電極層との間の有機エレクトロルミネセンス層とを有する積層体の層と、
この積層体上に配置されている中空のカバーであって、このカバーが、前記基板に気密に連結され、前記積層体に沿って延在している第１壁部を有するカバーと、
前記第１壁部に対接するように前記カバー内に収納された水分結合ゲッタと
を有する電気光学装置において、
前記カバーの前記第１壁部にはくぼみが設けられており、このくぼみの内部に、制御電子機器が、前記第１電極層及び前記第２電極層に電気接続されるように収納されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１に記載の電気光学装置において、前記カバーが金属より成っていることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項２に記載の電気光学装置において、前記制御電子機器が、導体細条を有する軟質ホイル上に配置され、前記導体細条が前記制御電子機器を前記第１電極層及び前記第２電極層に連結するようになっており、前記軟質ホイルがフラップを有し、このフラップがこの軟質ホイルに折り返されて前記導体細条を前記カバーから分離させていることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項３に記載の電気光学装置において、前記制御電子機器が前記くぼみ内に接着剤によって固定されていることを特徴とする電気光学装置。
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| US7332416B2 (en) * | 2005-03-28 | 2008-02-19 | Intel Corporation | Methods to manufacture contaminant-gettering materials in the surface of EUV optics |
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| JP2009523297A (ja) * | 2005-04-29 | 2009-06-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | エレクトロルミネセント装置 |
| EP1911110A2 (en) | 2005-07-27 | 2008-04-16 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Light-emitting device with a sealing integrated driver circuit |
| US8040587B2 (en) | 2006-05-17 | 2011-10-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Desiccant in a MEMS device |
| TWI421607B (zh) * | 2006-08-24 | 2014-01-01 | Creator Technology Bv | 可撓性裝置上的滲透阻障 |
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| DE102006059168B4 (de) * | 2006-10-25 | 2022-03-17 | Pictiva Displays International Limited | Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Vorrichtung |
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| US7973473B2 (en) * | 2007-03-02 | 2011-07-05 | Global Oled Technology Llc | Flat panel OLED device having deformable substrate |
| US7977877B2 (en) * | 2007-03-02 | 2011-07-12 | Global Oled Technology Llc | Flat panel OLED device having deformable substrate |
| US20080265356A1 (en) * | 2007-04-27 | 2008-10-30 | Jin-Chyuan Biar | Chip size image sensing chip package |
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