JP4066547B2 - 表示装置 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 102
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 71
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 26
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- WXAIEIRYBSKHDP-UHFFFAOYSA-N 4-phenyl-n-(4-phenylphenyl)-n-[4-[4-(4-phenyl-n-(4-phenylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 WXAIEIRYBSKHDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光素子の発光により情報を表示する表示装置で、特に発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の表示装置について、図7(a),(b)を用いて説明する。
【0003】
図7(a),(b)において、21は基板であり、通常光を取り出すため透明又は半透明な物が用いられる。一般的にはガラス基板等のセラミック基板もしくはフレキシブル性のある高分子フイルム等やプラスチック基板等が用いられる。22は陽極であり、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入を行う。通常光を取り出すため透明又は半透明な材料が用いられる。また有機エレクトロルミネッセンス素子に効率よく正孔を注入するため、仕事関数が大きいITOが一般的に用いられる。また陽極は有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極であると同時に駆動回路との配線の一部を兼ねており、パネルの省電力化の観点から、より抵抗の低い材料、素材が好ましい。一般的に金属膜に対してITOは比抵抗で1桁以上高くなっており、さらなる低抵抗化が望まれている。23は有機層であり、正孔を輸送する正孔輸送層、発光層、電子を輸送する電子輸送層、またはそれらのいくつかの混合層を含んでいる。有機層の構成は多色化や高効率化の観点からいろいろな検討が進められており、目的に沿った素子構成が採用される。発光層のみでも発光するが、効率の点から積層構造が一般的に用いられている。24は陰極であり、有機エレクトロルミネッセンス素子の電子の注入を行う。有機エレクトロルミネッセンス素子に効率よく電子を注入するため、仕事関数が小さいAl−LiやMg/Ag等の合金が一般的に用いられる。これらの金属は酸素や水分等によって酸化されやすく、更に上部に保護膜としてGeO,SiO,SiO2,MgO等の無機酸化物を真空蒸着法等により保護膜としてカバーすることがある。また陰極は有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極であると同時に駆動回路との配線の一部を兼ねている。陰極は配線抵抗に関しては良好だが、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる陰極材料は特に水分等の耐環境性能に劣るため、気密シールド材中に封入して、外部との接触を遮断する等の方法が用いられる場合がある。その場合プロセスの省力化の観点から配線をITOにスイッチして気密シールド材を外部に引き出したりする方法を取ったりしている。有機層23、陰極24は通常真空蒸着法等により成膜され、有機層が30nm〜150nm、陰極が数100nm程度の膜厚で形成されている。さらに保護膜等を真空中で連続して成膜する場合もある。25は表示部であり、発光を行う表示部分である。ドットマトリクスパネルの場合、複数のストライプで構成される陽極と複数のストライプで構成される陰極が有機層を挟んで交差して形成されており、交差した点が各々発光素子となり表示ドットを形成している。特開平6−301355号公報に開示されるような単純マトリクス駆動の場合、マトリクス状に配置した陽極と陰極の各交点の発光素子を配置して、陰極を一定時間間隔で走査駆動し、これに同期して陽極を駆動することにより任意の発光素子を選択発光させる。他にも目的に応じた構成が採用される。26は気密シールド材であり、基板21と接着剤27により接着されている。気密シールド材26は水分等の外部環境から表示部25を遮断する目的で配置され、水分やガスを通さないガラスやセラミックなどの無機物、金属材料、もしくはそれらを表面にコーティングしたプラスティック等の複合材料、またはセラミックと金属の複合材料等が用いられる。接着剤も水分等を通しにくい熱硬化、紫外線硬化の樹脂や耐湿性を向上するために無機物をフィラーとして混合した樹脂等や低融点ガラス等が用いられる。又外部との遮断のみならず、気密シールド材中の環境も重要であり、十分管理された窒素置換したグローブボックス中や真空チャンバー中により接着作業を行う必要がある。また気密シールド材中に乾燥剤等を封入する場合もある。気密シールド材26により表示部25はシールドされ、配線の引き出しはシールド材の外側に出される。外側の配線は通常ITOを介して他の配線材との接続等が行われる。28はFPC(フレキシブル基板)であり、29の異方性導電膜を熱圧着等を行うことにより基板上の表示部の配線とFPCの配線30とが接合されている。31は駆動回路部であり、ICやトランジスタ等が配線30と接続され、制御を行う。図中では30のFPC上に載った状態で接続されているが、制御の関係から他の基板上に集積された駆動回路部をさらに介して配線がつながっている場合もある。32はコネクターであり、これと他のモジュールや電源装置と接続されている。有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置は他の方式の表示装置と比較して、自発光であり、軽量、薄型で多くのメリットがある。その利点を生かして、小型パネルや携帯機器への応用が図られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の構成では、有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する駆動回路が基板上外に設けられているので、表示装置自体が大きくなり、小型化が困難であり、特に、この表示装置を他の装置(カーナビゲーション,無線電話装置,携帯型コンピュータ)などに組み込む場合には、配線や駆動回路等が邪魔になることがあり、他の装置の小型化等を妨げることもある。
【0005】
さらに、基板上外に駆動回路を設けることで、駆動回路と各電極との間の配線距離が長くなり、配線抵抗が増し、余計に電力が必要になるという問題点もある。
【0006】
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、小型な表示装置を提供する事を目的とする。
【0007】
また、本発明は、配線抵抗を減らし、電力の削減を行うことができる表示装置を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板上に電気的に非接触となるように設けられた一対の電極の間に有機層を設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子と、有機エレクトロルミネッセンス素子を覆うように前記基板上に設けられたシールド材とを備えた表示装置であって、基板上に電子部品あるいは、その電子部品で構成された駆動回路を設けた。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の表示装置は、基板と、基板上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子と、この有機エレクトロルミネッセンス素子を覆うように基板上に設けられ、有機エレクトロルミネッセンス素子を外界から遮断する、金属および絶縁膜で構成されたシールド材とを備えた表示装置であって、このシールド材の内表面の絶縁膜上に有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する、少なくともICを含む電子部品で構成された駆動回路を設けたものである。これによってICチップ等の電子部品によって構成される駆動回路を基板外に設けなくても良いので装置全体の小型化や薄型化を図ることができ、更に駆動回路の発熱を効率よく外部に放出することができる。
【0010】
また本発明は、シールド材の内表面に駆動回路を実装するための配線を形成するようにしたものである。これによってシールド材に駆動回路を実装することができる。
【0011】
また本発明は、シールド材の内表面に絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に駆動回路を実装するための配線を形成するようにしたものである。これによってシールド材が金属などの導電体であっても、シールド材上に駆動回路を実装することができる。
【0012】
また本発明は、シールド材を筒状体と駆動回路基板の2ピースにするとともに、駆動回路基板に駆動回路を設け、筒状体と駆動回路基板を組み合わせて、シールド材を構成するようにしたものである。これによって回路基板に駆動回路を実装した後に、筒状体をその回路基板に取り付けてシールド部材を構成することができるので、駆動回路の実装が容易になり、生産性を向上させることができる。
【0014】
また本発明は、冷却手段の構成として、シールド材にフィンを立設するか、シールド材に凹凸を設けたものである。これによって簡単な構成で冷却手段を設けることができるので、生産性などが向上する。
【0015】
また本発明は、冷却手段の構造として、シールド材にヒートパイプなどの伝熱部材を当接させ、シールド材の熱を外部に輸送するようにしたものである。これによってシールド材の熱を効率的に外部に排出させることができるので、表示装置の周りの雰囲気などの温度上昇を防止することができ、熱による装置の誤動作などを防止する事ができる。
【0016】
また本発明は、シールド材と前記基板が構成する空間内に前記空間内を乾燥させる乾燥剤を設けるようにしたものである。これによってシールド材と基板で構成される空間内の水分を極力無くすることができるので、シールド材内の部材が水分で特性が劣化することはない。
【0017】
また本発明は、基板上に複数の陽極をストライプ状に設け、複数の陽極に交差する複数の陰極をストライプ状に設け、複数の陽極と複数の陰極が交わる部分に有機層を設けたものである。これによって複数の発光素子をドットマトリックス状に形成できるので、良好な表示を行うことができる。
【0023】
以下に本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置の実施の形態において、図1〜図6を用いて、具体的に説明する。
【0024】
図1(a),(b)はそれぞれ本発明による表示装置の一実施の形態を示す平面図及び側断面図である。図1(a),(b)において、1は基板で、基板1は透明または半透明のガラス基板等により構成されている。2は陽極で、陽極2は透明導電膜であるITO等により構成されており、そのシート抵抗は5〜30Ω程度有している。3は有機層で、有機層3は正孔輸送層と発光層の積層構成となっている。有機層3の具体的構造としては、陽極2上に抵抗加熱蒸着法等により形成されたN,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミン(TPDと略称する。)からなる正孔輸送層と、正孔輸送層に抵抗加熱蒸着法等により形成された8−Hydroxyquinoline Aluminum(Alqと略称する。)からなる発光層を設けるものが挙げられる。
【0025】
4は有機層3上に設けられた陰極で、陰極4は例えば、有機層3上に抵抗加熱蒸着法等により形成され、その膜厚は100nm〜300nmの膜厚の金属膜から構成される。この様に、陽極2,有機層3,陰極4で有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する。
【0026】
図1(a)において、5は表示部で、表示部5は上記有機エレクトロルミネッセンス素子がドットマトリックス状に形成されている。すなわち、表示部5においては、複数の陽極2がストライプ状に配置され、しかも陽極2と非接触に複数の陰極4がストライプ状にしかも陽極2と交差(好ましくは略直交)するように設けられている。しかも陽極2と陰極4の交差する多数の部分には有機層3が設けられており、陽極2と陰極4間に電圧を加えることによって、有機層3の少なくとも一部が発光する(なお、有機層3を前述した材料で構成すると緑色の発光を得ることができる)。
【0027】
図1(b)においては、構造を説明しやすくするために、表示部5に存在する多数の有機エレクトロルミネッセンス素子の内一つを拡大して図示している。
【0028】
6は少なくとも表示部5を覆う様に基板1に接着剤7等で接合されたシールド材、8は配線で、配線8はシールド材6内に配置された駆動回路9を搭載した駆動回路基板11と陽極2,陰極4との間を電気的に接続している。
【0029】
10はシールド材6上に設けられたコネクタで、コネクタ10と駆動回路基板11との間は配線11aで電気的に接続されている。
【0030】
以上の様な構成によって、駆動回路基板11をシールド材6内に収納することによって、シールド材6外に設けられていた従来例よりも表示装置自体が小型化される。これによって、他の装置に本実施の形態の表示装置を組み込む際に、設計の自由度が飛躍的に向上し、しかも他の装置における表示装置の収納部分をより小さくすることができるので、他の装置をより小型化する事ができる。
【0031】
また、駆動回路基板11をシールド材6内に収納することによって、駆動回路基板11と陽極2,陰極4間の配線8の長さを従来よりも飛躍的に短くする事ができるので、配線抵抗を小さくすることができ、電力を低減させることができる。また、例えば、陽極2を従来の様に、基板1の端部まで延在させる必要がないので、陽極2の引き回しの長さを短くすることができ、陽極2の配線抵抗を小さくすることができ、省電力化を行うことができる。
【0032】
更に、シールド材6内に駆動回路基板11を設けることによって、駆動回路基板11の耐候性を向上させることができる。すなわち、シールド材6で外界と遮断された空間の中に駆動回路基板11を設けた事によって、湿気等によって、駆動回路基板11に搭載された電子部品などが劣化することはほとんど発生しないので、駆動回路基板11の寿命を長くすることができる。また、耐候性の小さな電子部品等(比較的安価)で駆動回路10を構成することができるので、安価な駆動回路10を構成することができる。
【0033】
次に各部材について、詳細に説明する。
【0034】
基板1としては、略多角形状の板状体、あるいは、円形,楕円形状の板状体が用いられる。特に基板1の形状を略四角形状の板状体とした場合には、効率よく基板1を切り出せるので、コストの面等から好ましい。
【0035】
また、基板1は少なくとも表示部5で放出された光を通過させる透明度を有する材質で構成することが好ましく、具体的には、透明或いは半透明なガラス基板や透明或いは半透明の高分子フィルム等で構成する事が好ましい。基板1にガラス基板を用いると、ガラス基板は透明度が高く、しかも扱い易い。又、基板1に高分子フィルムを用いると、割れなどが発生しにくく、しかも所望の形状に加工しやすい。また、基板1をガラス基板で構成する場合には、基板1の厚さとしては、0.5mm〜2mm程度とする事が好ましい。ガラス基板の厚さが0.2mmより薄いと、製造途中で割れる確率が高くなり、厚さが2mmを超えると、表示装置自体が厚くなり薄型にならない。
【0036】
また、基板1上に直接陽極2を形成する場合には、基板1自体を非導電材料で構成する事が好ましい。また、基板1上にシリカなどの絶縁膜を所定量膜付けして、その上に陽極2を形成する場合には、基板1は導電性を有する材料で構成しても良い。
【0037】
また、基板1の外表面1aには偏光膜や拡散膜等を設けることによって、表示を見やすくする事ができる。外表面1aに偏光膜を設けた場合には、外部から進入し素子内で反射してきた光が偏光膜で再度外部に放出されるのを防止でき、画質を向上させることができる。また、外表面1aに拡散膜を設ける事によって、有機エレクトロルミネッセンス素子にダークスポットが形成されたとして、拡散膜で、発光した光が拡散されることになるので、画質がよく見える。また、拡散膜の代わりに、外表面1aを粗面としても良い。
【0038】
更に、外表面1aを凸状或いは凹状のレンズ状とすることによって、視野を広くしたり、視野を狭めたりする事ができる。
【0039】
次に陽極2について説明する。
【0040】
陽極2としては、有機層3で放出した光が通過可能な材料で構成することが好ましく、特にITO等の透明或いは半透明な導電性材料で構成することが好ましい。陽極2としてITOを用いる場合には、陽極2の厚さとしては500Å〜4000Å(更に好ましくは1000Å〜3000Å)とする事が好ましく、厚さが500Åより小さいと、配線抵抗が大きくなって、多くの電力が必要となり、厚さが4000Åを超えるとITOの形成時間が長くなり、製造時間が長くなるので、生産性が悪くなる事があり、また、陽極2上に形成される他の薄膜に大きな段差が形成されることになり、良好な成膜を行うことは難しい。また、陽極2にITOを用いる場合には、ITO中にはFe,Si等の不純物を添加しても良い。
【0041】
更に、陽極2としては、Al,Au,Ag,Cu,Cの少なくとも一つ或いはそれらの合金、或いはそれら金属と他の金属などとの合金を用いる事ができる。それら金属材料を陽極2として用いる場合には、厚さは100Å〜200Åとすることが好ましく。陽極2の厚さが100Åより小さいと、配線抵抗が小さくなり、大きな電力が必要となり、陽極2の厚さが200Åを超えると、陽極2の透明度が低下するので、好ましくない。
【0042】
また、陽極2をストライプ構造とする場合には、陽極2自体の幅を100μm〜300μmとし、ピッチ(隣接する陽極2の端部と端部の間隔)は10μm〜30μmとする事が、好ましい。この様な関係で陽極2をストライプ状に形成することで、作りやすくしかも高解像度の表示装置を提供できる。
【0043】
次に、有機層3について説明する。
【0044】
有機層3については、下記の構造が考えられる。
【0045】
・発光層
・正孔輸送層+発光層
・正孔輸送層+正孔輸送層と発光層の混合層+発光層
・正孔輸送層+発光層+電子輸送層
・正孔輸送層+正孔輸送層と発光層の混合層+発光層+電子輸送層
・正孔輸送層+発光層+電子輸送層と発光層の混合層+電子輸送層
・正孔輸送層+正孔輸送層と発光層の混合層+発光層+電子輸送層と発光層の混合層+電子輸送層
・発光層+電子輸送層
・発光層+電子輸送層と発光層の混合層+電子輸送層
有機層3としては、上述の様な構成が考えられ、正孔輸送層,発光層,電子輸送層は公知の材料を用いる事ができる。
【0046】
なお、陽極2と有機層3の間には、例えばカーボン膜(ダイヤモンドライクカーボン膜やダイヤモンド膜)を設けても良い。
【0047】
次に陰極4について説明する。
【0048】
陰極4としては、仕事関数の小さな(電子を放出しやすい)導電性材料が好適に用いられる。具体的な材料としては、Li,Mg,Ca,Na,Kの少なくとも一つを含む合金(AgやAl等との合金)材料が好適に用いられる。これらの金属材料で陰極4を形成する場合には、膜厚としては200Å〜1μmとする事が好ましく、200Åより薄いと、配線抵抗が大きくなり多くの電力が必要となり、1μmを超えると、成膜時間がかかり生産性が向上しないと共に、応力によって、有機層3等に余分な応力が加わり、特性が劣化することがある。
【0049】
なお、陰極4としてLi,Mg,Ca,Na,Kの少なくとも一つを含む合金を用いた場合には、前記合金は酸化しやすいので、それら合金膜の上に、Ti,Cr,W等の耐食性のある導電性金属単体或いはそれらの耐食性金属を含む合金を積層する事によって、陰極4の耐食性を向上させることができる。
【0050】
陰極4には透明性はあまり考慮しなくても良く、導電性を重視して、材質などを選択する事が重要となる。
【0051】
また、上述の様に陽極2から陰極4まで形成した積層体を覆う保護材を設けても良い。この保護材は図示して言えないが、積層体の耐環境性を向上させ目的で形成される。保護材としては、絶縁性を有する材料が好ましく用いられ、有機材料としてはフッ素樹脂等が、或いは無機材料としては酸化物絶縁材料などが好適に用いられる。
【0052】
次にシールド材6について説明する。
【0053】
シールド材6としては、例えば、ガラス材料,セラミック材料,金属材料等で構成される事が好ましい。シールド材6を作製する方法としては、例えば、上記材料で成形加工を施したり、上記材料の板状体をサンドブラスト等によって、凹部を形成して構成される。また、シールド材6として金属材料を用いる場合には他の加工方法として、プレス加工などによって、凹部を形成する方法がある。
【0054】
更に、シールド材6として、金属材料を用いる場合には、具体的材料としては、ステンレス材や、銅材、鉄材、アルミ材等が用いられる。
【0055】
また、シールド材6としては、有機層3や駆動回路9等で発生した熱を外部に放出しやすくするように、熱伝導性の良い材質(好ましくは金属材料)で構成する事が好ましい。
【0056】
シールド材6は接着剤7によって、基板1に接着される事によって、有機層3などを外界と遮断することができ、有機層3等の耐候性を向上させることができる。接着剤7としては、外部からの水分の透過を妨げたり、ガスを放出しにくい材料で構成することが好ましい。具体的材料としては、ガラス材料(好ましくは低融点ガラス),光硬化樹脂(紫外線硬化樹脂など)が好適に用いられる。他の接着剤7の材料として、瞬間接着剤やエポキシ樹脂などが好適に用いられる。
【0057】
シールド材6で囲まれた領域には、不活性ガスや窒素ガス等の気体が1.3気圧以下となるように封入されており、内部気圧が1.3気圧を超えると、内圧によって、シールド材6内の気体が外に出やすくなり、その結果、外界との遮断がうまくいかず、外部の水分などが内部に入りやすくなる。内圧が低い方が、前述の様な問題は起こりにくい。
【0058】
次に駆動回路9について説明する。
【0059】
本実施の形態では、駆動回路9はIC,抵抗,コンデンサ,インダクタ等の電子部品で構成されている。駆動回路9は図1(b)に示すようにシールド材6で外部と遮断された領域内に設けられている事によって、耐候性を向上させているとともに、配線抵抗を小さくすることができるが、例えば、配線抵抗を低くするだけであれば、駆動回路9はシールド材6内に配置せずに、基板1上に配置すれば良く、この場合には、駆動回路9をシールド材6の外表面上,基板1の外表面1a上(表示部5を除く部分に設ける事が好ましい。),基板1の外表面1aと反対側の面上等に配置することが好ましい。
【0060】
また、本実施の形態では、図1(b)に示すように駆動回路9を駆動回路基板11上に構成し、この駆動回路基板11をシールド材6と基板1で構成された空間の中に配置したが、図2に示すように、配線などをシールド材6の内表面に直接(好ましくは、図2に示している通り、シールド材6の底面に)形成し、その配線上にICや他の電子部品などを実装して構成することによって、図1(b)に示す駆動回路基板11を省略し、表示装置の高さを低くして薄型で着ると共に、部品点数の削減を行うことができる。なお、図2に示す構造の場合には、シールド材6は絶縁性を有する材料で構成する事が好ましい。また、シールド材6に熱伝導性を必要とするために、シールド材6に導電性が必要な場合には、例えば、SiO2等の絶縁材料で構成された絶縁膜をシールド材6の内表面に薄く形成したのち、その絶縁膜の上に配線などを形成し、その配線上に駆動回路9等を構成する電子部品を実装することが好ましい。図2に示す様な実施の形態では、駆動回路9等で発生した熱の大部分がシールド材6に伝わるので、シールド材6の放熱効果を向上させるために、シールド材6にフィンを立設したり、あるいは、シールド材6の外表面或いは内表面に凹凸(波状等)を形成し、放熱効果を高めたり、或いは、ヒートパイプ等の伝熱部材をシールド材6に接続し、そのヒートパイプ等により、熱を他の部分に導いて、冷却効率を向上させることができる。
【0061】
又、他の駆動回路9の実装方法としては、図3に示すように、シールド材6を筒状体6aと基板12とを組み合わせて構成し、基板12上に駆動回路9を実装する方法がある。筒状体6aとこの基板12を接着剤などで張り合わせてシールド材6を構成する。この様な方法によって、基板12上に駆動回路9等を構成した後に、基板12と筒状体6aを組み合わせてシールド材6を構成できるので、基板12上に駆動回路9等を簡単に構成でき生産性が向上する。また、基板12を金属基板(アルミ,チタン,銅等)で構成することによって、駆動会を9等で発生した熱を効率よく逃がすことができる。この時基板12を金属基板で構成することによって、配線などが直接基板12上に形成できない場合には、アルミナやSiO2等の絶縁層13を基板12上に形成して、その上に配線などを形成することが好ましい。また、図4に示すように、基板12の外表面にフィン14などを基板12と一体に立設したり、或いは別部材のフィン14を張り付けなどで基板12上に立設したりすることで、更に放熱効果を向上させることができる。又、フィン14を用いずにヒートパイプなどの伝熱手段を用いて、熱を他の部分に導いて冷却する事もできる。
【0062】
なお、本実施の形態では、駆動回路9をシールド材6の中に設ける事について説明したが、他の回路でも同様であり、しかも回路を構成する電子部品についても同様の事が言える。
【0063】
すなわち、更なる上位概念としては、基板1上に電子部品(IC,薄膜トランジスタ,コンデンサ,インダクタ,抵抗の少なくとも一つ)を設けることで、駆動回路9と同じように配線を短くでき、配線抵抗を減らすことができ、しかも上記電子部品をシールド材6の中に配置することで、電子部品の耐候性を向上させることができる。
【0064】
電子部品としてインダクタ,コンデンサ,抵抗(以下LCRと略す)を用いた場合には、チップ部品が好ましく、チップ部品の大きさを高さ×幅×長さで表した場合、0.2mm〜0.9mm×0.2mm〜0.9mm×0.5mm〜1.7mmの範囲のチップ部品が行程に用いられる。
【0065】
また、図5に示す様に電子部品として、薄膜トランジスタを用いた場合には、基板1上に薄膜トランジスタ15を実装した構成となっている。薄膜トランジスタ15は各発光素子毎に配置され、自発光型の有機エレクトロルミネッセンス素子に用いる事で、省電力化を図ることができる。また、薄膜トランジスタ15をシールド材6内に配置することで、薄膜トランジスタ15の耐候性を向上させることができ、駆動回路の集積化がはかれ、更なる小型化、省スペース化を図ることができる。
【0066】
次に、配線8について説明する。
【0067】
配線8としては、フレキシブルプリント基板(以下FPC),リード線,金線等を用いたワイヤボンディング等が用いられる。配線8にFPCを用いた場合には、熱圧着等によって、陰極4或いは陽極2に駆動回路9や電子部品と接合される。
【0068】
また、図6に示すように、シールド材6内に乾燥剤16を封入してもよい。乾燥剤16としては、酸化バリウムを用いた。特に化学吸着による乾燥剤16は一度トラップした水分を再放出せず、より効果が得られる。乾燥剤16を用いることにより、外部から侵入した水分や、気密シールド中の構成部品より放出される水分等をトラップし、水分に弱い有機エレクトロルミネッセンス素子の劣化を防ぎ、長期間、表示部の性能が安定する。
【0069】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、有機エレクトロルミネッセンスを用いた表示装置において、小型、省スペース化、高効率化が行え、また耐環境性に優れ、長期にわたって性能が安定するという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態における表示装置を示す図
【図2】本発明の一実施の形態における表示装置を示す図
【図3】本発明の一実施の形態における表示装置を示す図
【図4】本発明の一実施の形態における表示装置を示す図
【図5】本発明の一実施の形態における表示装置を示す図
【図6】本発明の一実施の形態における表示装置を示す図
【図7】従来の技術による表示装置を示す構成図
【符号の説明】
1 基板
1a 外表面
2 陽極
3 有機層
4 陰極
5 表示部
6 シールド材
7 接着剤
8 配線
9 駆動回路
11 駆動回路基板
12 基板
13 絶縁層
14 フィン
15 薄膜トランジスタ
16 乾燥剤
Claims (8)
- 基板と、前記基板上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を覆うように前記基板上に設けられ、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を外界から遮断する、金属および絶縁膜で構成されたシールド材とを備えた表示装置であって、このシールド材の内表面の前記絶縁膜上に前記有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する、少なくともICを含む電子部品で構成された駆動回路を設け、かつ前記シールド材に冷却手段を設けた事を特徴とする表示装置。
- 前記シールド材の内表面に前記駆動回路を実装するための配線を形成したことを特徴とする請求項1記載の表示装置。
- 前記シールド材の内表面に形成された絶縁膜上に前記駆動回路を実装するための配線を形成したことを特徴とする請求項1記載の表示装置。
- 前記シールド材を筒状体と駆動回路基板の2ピースにするとともに、前記駆動回路基板に駆動回路を設け、前記筒状体と前記駆動回路基板を組み合わせて、シールド材を構成したことを特徴とする請求項1記載の表示装置。
- 前記冷却手段の構成として、前記シールド材にフィンを立設するか、シールド材に凹凸を設けた事を特徴とする請求項1記載の表示装置。
- 前記冷却手段の構造として、前記シールド材にヒートパイプなどの伝熱部材を当接させ、前記シールド材の熱を外部に輸送する事を特徴とする請求項1記載の表示装置。
- 前記シールド材と前記基板が構成する空間内に前記空間内を乾燥させる乾燥剤を設けた事を特徴とする請求項1記載の表示装置。
- 前記基板上に複数の陽極をストライプ状に設け、前記複数の陽極に交差する複数の陰極をストライプ状に設け、前記複数の陽極と前記複数の陰極が交わる部分に有機層を設けた事を特徴とする請求項1記載の表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01558699A JP4066547B2 (ja) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01558699A JP4066547B2 (ja) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000215982A JP2000215982A (ja) | 2000-08-04 |
JP4066547B2 true JP4066547B2 (ja) | 2008-03-26 |
Family
ID=11892842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP01558699A Expired - Fee Related JP4066547B2 (ja) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | 表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4066547B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3860793B2 (ja) * | 2000-11-08 | 2006-12-20 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電気光学装置 |
US7495390B2 (en) | 2000-12-23 | 2009-02-24 | Lg Display Co., Ltd. | Electro-luminescence device with improved thermal conductivity |
TWI286044B (en) | 2002-02-22 | 2007-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus |
JP4558277B2 (ja) * | 2002-02-22 | 2010-10-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP2003332049A (ja) * | 2002-05-15 | 2003-11-21 | Toyota Industries Corp | 有機el表示装置 |
JP4272447B2 (ja) * | 2003-02-21 | 2009-06-03 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機発光表示装置 |
JP2004303522A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Fujitsu Display Technologies Corp | 表示装置及びその製造方法 |
US6967439B2 (en) * | 2004-02-24 | 2005-11-22 | Eastman Kodak Company | OLED display having thermally conductive backplate |
KR100629180B1 (ko) | 2004-12-31 | 2006-09-28 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광 표시소자 |
JP2006202610A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Tohoku Pioneer Corp | 自発光パネル及びその製造方法 |
WO2006117717A2 (en) * | 2005-04-29 | 2006-11-09 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Electroluminescent device |
JP2008244182A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Kaneka Corp | 高輝度発光の有機el発光装置 |
US7923924B2 (en) | 2007-04-03 | 2011-04-12 | Tsinghua University | Organic electroluminescent display/source with anode and cathode leads |
DE102009046755A1 (de) * | 2009-11-17 | 2011-05-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Organisches photoelektrisches Bauelement |
JP5407819B2 (ja) * | 2009-12-07 | 2014-02-05 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 |
JP5874059B2 (ja) * | 2011-11-21 | 2016-03-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 有機el照明モジュール及びそれを用いた照明器具 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0793195B2 (ja) * | 1986-05-28 | 1995-10-09 | 沖電気工業株式会社 | Elデイスプレイパネル |
JPH01137589A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elディスプレイ装置 |
JPH02170392A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Ricoh Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JPH0710395B2 (ja) * | 1989-06-12 | 1995-02-08 | 日立プラント建設株式会社 | 汚水処理装置 |
US5650640A (en) * | 1995-04-05 | 1997-07-22 | Motorola | Integrated electro-optic package |
JPH10125463A (ja) * | 1995-12-28 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子、液晶照明装置、表示デバイス装置、および、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
JP3290584B2 (ja) * | 1996-02-07 | 2002-06-10 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
US5703394A (en) * | 1996-06-10 | 1997-12-30 | Motorola | Integrated electro-optical package |
JPH113048A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Canon Inc | エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 |
JP2000040585A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-08 | Tdk Corp | 有機el素子モジュール |
-
1999
- 1999-01-25 JP JP01558699A patent/JP4066547B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000215982A (ja) | 2000-08-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050629 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071231 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110118 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110118 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110118 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120118 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130118 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130118 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140118 Year of fee payment: 6 |
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