WO2013128621A1 - 有機ｅｌ装置及びその製造方法 - Google Patents

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秀隆 大峡
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パイオニア株式会社
東北パイオニア株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an organic EL device and a manufacturing method thereof.
  • a self-luminous device (organic EL device) including an organic EL element includes, for example, a display screen of a mobile phone, a monitor screen of an in-vehicle or household electronic device, an information display screen of a personal computer or a television receiver, a lighting panel for advertisement
  • a display screen of a mobile phone a monitor screen of an in-vehicle or household electronic device
  • an information display screen of a personal computer or a television receiver a lighting panel for advertisement
  • various display devices used in various applications as various light sources used in scanners, printers, etc., as illumination devices used in general illumination and backlights of liquid crystal display devices, etc., and as an optical communication device utilizing a photoelectric conversion function It can be used for various applications and models.
  • an organic EL element is disposed on a substrate, and the organic EL element is disposed in a sealing region that is hermetically sealed by a sealing member.
  • the electrode of the organic EL element is connected to an extraction electrode drawn out of the sealing region, and the extraction electrode is connected to the driving element and the wiring board in a connection space provided at the periphery of the substrate.
  • an ACF (Anisotropic Conductive Film) method or an eutectic method is generally employed.
  • a circuit pattern connected to an organic EL element is formed on a substrate outside a sealing member, and an IC chip mounting (COG) or flexible print is applied to the circuit pattern. It is shown that a substrate is mounted (FPC) and a resin is applied to an exposed portion of a circuit pattern.
  • an element formation space where an organic EL element on a substrate is arranged is an effective space for obtaining light emission
  • the outer space is a so-called frame space where light emission cannot be obtained.
  • connection space outside the sealing region In order to narrow the frame space described above in the organic EL device, the connection space outside the sealing region must be narrowed.
  • the connection space In COG or FPC mounting using an anisotropic conductive layer, the conductive particles flow from the connection region where the connection terminal exists within the narrow connection space to the non-connection region where the connection terminal does not exist, Densification of the conductive particles in the non-connected region occurs.
  • the conductive particles are connected in the non-connection region, and there is a problem that a short circuit failure is likely to occur between adjacent terminals in the connection space. Such a short circuit between adjacent terminals causes a further problem when the electrode interval of the organic EL element is made dense in order to obtain high resolution.
  • connection space in the connection space described above, COG and FPC can be mounted by pulling out and exposing the connection terminal from the sealing region.
  • a mask pattern that covers the connection space is formed prior to the sealing film forming step in order to expose the connection terminals of the connection space.
  • a separate process for exposing the connection terminal is required, and equipment for performing the process is required. There is an unavoidable problem that extension and increase in manufacturing cost are inevitable.
  • the present invention is an example of a problem to deal with such a problem. That is, in the organic EL device, the risk of a short circuit between adjacent terminals in the connection space on the substrate can be reduced, and when the organic EL element is sealed with a sealing film, the connection terminal is exposed in the connection space. It is an object of the present invention to eliminate necessary processes and equipment, avoiding an increase in tact time and an increase in manufacturing cost.
  • the organic EL device and the manufacturing method thereof according to the present invention have at least the following configurations.
  • a substrate one or a plurality of organic EL elements formed on the substrate, a plurality of connection terminals provided on the substrate and electrically connected to electrodes of the organic EL elements, and the connection terminals;
  • An insulating cover layer that covers the substrate between the connection terminals, and a mounting component that is mounted via an anisotropic conductive layer and includes a connected terminal that is electrically connected to the connection terminal,
  • the anisotropic conductive layer includes conductive particles that electrically connect the connection terminals and the connected terminals, and the conductive particles pass through the cover layer to electrically connect the connection terminals and the connected terminals.
  • Forming an organic EL element on the substrate forming a connection terminal connected to an electrode of the organic EL element in a connection space on the substrate, and covering the connection terminal and the substrate in the connection space;
  • FIG. 1 is an explanatory diagram showing an overall configuration of an organic EL device according to an embodiment of the present invention (FIG. 1A is an example of COG mounting, and FIG. 1B is an example of FPC mounting).
  • 1 is a partial cross-sectional view of an organic EL device according to an embodiment of the present invention, and shows an XX cross-sectional view in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line X1-X1 in FIG. It is explanatory drawing which showed typically the form example of the preferable electroconductive particle in embodiment of this invention. It is explanatory drawing which showed the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning embodiment of this invention. It is explanatory drawing which showed the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning embodiment of this invention.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram showing the overall configuration of an organic EL device according to an embodiment of the present invention (FIG. 1A is an example of COG mounting, and FIG. 1B is an example of FPC mounting. ).
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the organic EL device according to the embodiment of the present invention, and shows an XX cross-sectional view in FIG. 2A and 2B show cross-sectional views of different embodiments.
  • the organic EL device 1 includes a substrate 2, one or a plurality of organic EL elements 1 U formed on the substrate 2, and a mounting component 3 mounted on the substrate 2.
  • the mounting component 3 include a semiconductor chip 3-1 as illustrated in FIG. 1A and a flexible printed circuit board 3-2 as illustrated in FIG. 1B. It is not limited.
  • connection space 2b On the substrate 2, an element formation space 2a in which the organic EL element 1U is formed is provided, and a connection space 2b is provided outside the element formation space 2a.
  • a plurality of connection terminals 4 that are electrically connected to the electrodes (lower electrode 11 or upper electrode 13) of the organic EL element 1U are provided.
  • the connection terminal 4 is electrically connected to the electrode (lower electrode 11 or upper electrode 13) of the organic EL element 1U in the element formation space 2a via the lead wiring 5, the auxiliary electrode, or the like.
  • the plurality of connection terminals connected to the electrodes of the organic EL element mentioned here include connection terminals connected to the TFTs in the active matrix driving type organic EL device.
  • connection terminal is indirectly connected to the organic EL element via the TFT.
  • connection terminal 4 may have a multi-layer structure in which a treatment such as plating is performed with gold or copper. Thereby, the resistance of the wiring by the connection terminal 4 can be reduced.
  • the organic EL element 1U formed in the element formation space 2a on the substrate 2 is hermetically sealed between the substrate 2 and the sealing member 6.
  • a sealing substrate 6A as shown in FIG. 2A is used, and the substrate 2 and the sealing substrate 6A are bonded to each other with the adhesive layer 7 interposed therebetween.
  • the sealing space 6S may be formed between them (hollow sealing), or the sealing film 6B as shown in FIG. 2B is used, and the sealing film 6B has no space in the organic EL element 1U. What covers a component (film
  • the organic EL element 1U is laminated on the substrate 2 as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b).
  • the organic EL element 1U includes at least a lower electrode 11, an organic layer 12, and an upper electrode 13.
  • the lower electrode 11 is formed on the substrate 2, the organic layer 12 is formed thereon, and the upper electrode 13 is further formed thereon.
  • Several film-forming layers may exist between them, and other layers may be laminated between the lower electrode 11, the organic layer 12, and the upper electrode 13.
  • the organic layer 12 is composed of one light emitting layer or several functional layers for emitting light (hole injection / transport layer, light emitting layer, electron injection / transport layer, etc.).
  • the organic EL element 1U includes an insulating film 14 that insulates a light emitting region of each organic EL element 1U on the lower electrode 11, and a partition wall 15 that is formed on the insulating film 14 and insulates the upper electrode 13 from each other.
  • the configuration example of the illustrated organic EL element 1U is an example, and the driving method of the organic EL element 1U in the embodiment of the present invention may be either a passive driving method or an active driving method.
  • connection space 2 b on the substrate 2 an insulating cover layer 10 covering the substrate 2 between the connection terminals 4 and the connection terminals 4 is provided.
  • the cover layer 10 is formed alone in the connection space 2b.
  • the cover layer 10 is formed by extending a sealing film 6B.
  • the cover layer 10 can be formed in the connection space 2b by forming the sealing film 6B on the entire substrate 2.
  • the mounting component 3 is mounted via the anisotropic conductive layer 20, and the connection terminal 4 and the connected terminal 3A of the mounting component 3 are conductive particles of the anisotropic conductive layer 20. Is electrically connected.
  • connection terminal 4 can have a multi-layer structure in which a treatment such as plating is performed with gold or copper.
  • a treatment such as plating is performed with gold or copper.
  • cover layer 10 since the surface of the connection terminal 4 is covered with the cover layer 10, it is possible to actively reduce the resistance of the terminal by using a metal such as gold which is easily corroded as the surface layer of the connection terminal 4.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line X1-X1 in FIG. 2, and is an explanatory diagram showing an enlarged connection structure in the connection space.
  • the anisotropic conductive layer 20 interposed between the substrate 2 and the mounting component 3 has a bonding layer 21 for physically bonding the substrate 2 and the mounting component 3, and a conductive material dispersed in the bonding layer 21.
  • grains 22 are provided.
  • a thermocompression-bonding anisotropic conductive film (ACF) a material in which conductive particles 22 are dispersed in a bonding layer 21 made of a photocurable resin, or the like can be used.
  • connection terminals 4 in the connection space 2b are in an insulated compartment by being individually covered with an insulating cover layer 10.
  • the anisotropic conductive layer 20 is formed on the cover layer 10 and the substrate 2 and the mounting component 3 are pressure-bonded, between the connection terminal 4 of the substrate 2 and the connected terminal 3A of the mounting component 3.
  • the cover layer 10 is penetrated by the sandwiched conductive particles 22.
  • the electrical connection with the connecting terminal 4 and the to-be-connected terminal 3A is made
  • connection space 2b narrowed for narrowing the frame and the density of the conductive particles 22 is increased in the connected region of the connection space 2b, Since the side surface of the connection terminal 4 is covered with the insulating cover layer 10, even if the conductive particles 22 are in a continuous state, a short circuit failure between the adjacent connection terminals 4 and 4 should be avoided. Can do.
  • the condition for the conductive particles 22 sandwiched between the connection terminals 4 of the substrate 2 and the connected terminals 3A of the mounting component 3 to penetrate the cover layer 10 by the pressure contact between the substrate 2 and the mounting component 3 is that the conductive particles
  • the hardness, particle size, and shape of 22 can be set experimentally in a relative relationship between the material of the cover layer 10 and the film thickness.
  • the diameter of the conductive particles 22 is preferably larger than the layer thickness of the cover layer 10.
  • the conductive particles 22 sandwiched between the connection terminal 4 and the connection terminal 3A can be covered with the cover layer without satisfying this condition. It is possible to penetrate 10.
  • FIG. 4 schematically shows a preferred embodiment of the conductive particles 22.
  • the overall shape is a triangle or a polygon, and the overall shape has corners.
  • the example shown in FIGS. 4C, 4D, and 4E has a shape having protrusions on the surface, and has partial corners on the surface.
  • the substrate 2 is light transmissive and is formed of a base material that can support the organic EL element 1U, such as glass or plastic.
  • the transparent conductive film layer forming the lower electrode 11 is a transparent metal such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), zinc oxide-based transparent conductive film, SnO 2 -based transparent conductive film, titanium dioxide-based transparent conductive film, etc. An oxide can be used.
  • an insulating film 14 is provided to ensure insulation between the electrodes.
  • the insulating film 14 is made of a material such as polyimide resin, acrylic resin, silicon oxide, or silicon nitride.
  • the insulating film 14 is formed by forming the material of the insulating film 14 on the substrate 2 on which the lower electrode 11 is patterned, and then forming an opening for forming a light emitting region for each organic EL element 1U on the lower electrode 11. Patterning is performed.
  • a film is formed on the substrate 2 on which the lower electrode 11 is formed to have a predetermined coating thickness by spin coating, and an exposure process and a development process are performed using an exposure mask, whereby an organic EL element is obtained.
  • a layer of insulating film 14 having an opening pattern shape of 1U is formed. The insulating film 14 is formed so as to fill the space between the patterns of the lower electrode 11 and partially cover the side end portion thereof, and is formed in a lattice shape when the organic EL elements 1U are arranged in a dot matrix.
  • the partition wall 15 is formed in a stripe shape in a direction intersecting the lower electrode 11 in order to form a pattern of the upper electrode 13 without using a mask or the like, or to completely electrically insulate the adjacent upper electrode 13.
  • an insulating material such as a photosensitive resin is formed on the above-described insulating film 14 so that the film thickness is larger than the total thickness of the organic layer 12 and the upper electrode 13 that form the organic EL element 1U.
  • the photosensitive resin film is irradiated with ultraviolet rays or the like through a photomask having a stripe pattern intersecting with the lower electrode 11, and the development speed resulting from the difference in the exposure amount in the thickness direction of the layer is applied.
  • the partition wall 15 having a taper surface whose side faces downward is formed.
  • the organic layer 12 has a laminated structure of light emitting functional layers including a light emitting layer.
  • a hole injection layer and a hole transport are sequentially formed from the anode side.
  • a layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like are selectively formed.
  • a vacuum deposition method or the like is used as a dry film formation, and coating or various printing methods are used as a wet film formation.
  • NPB N, N-di (naphtalence) -N, N-dipheneyl-benzidene
  • This hole transport layer has a function of transporting holes injected from the anode to the light emitting layer.
  • the hole transport layer may be a single layer or a stack of two or more layers.
  • the hole transport layer is not formed by a single material, but a single layer may be formed by a plurality of materials, and a guest material having a high charge donating (accepting) property may be formed on a host material having a high charge transport capability. Doping may be performed.
  • red (R), green (G), and blue (B) light-emitting layers are formed in respective film formation regions by using a resistance heating vapor deposition method using a coating mask.
  • red (R) an organic material that emits red light such as a styryl dye such as DCM1 (4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (4'-dimethylaminostyryl) -4H-pyran) is used.
  • An organic material that emits green light such as aluminum quinolinol complex (Alq3), is used as green (G).
  • blue (B) an organic material emitting blue light such as a distyryl derivative or a triazole derivative is used.
  • the emission form may be a fluorescent light emitting material or a phosphorescent light emitting material.
  • the electron transport layer formed on the light emitting layer is formed by using various materials such as an aluminum quinolinol complex (Alq3) by various film forming methods such as resistance heating vapor deposition.
  • the electron transport layer has a function of transporting electrons injected from the cathode to the light emitting layer.
  • This electron transport layer may have a multilayer structure in which only one layer is stacked or two or more layers are stacked.
  • the electron transport layer may be formed of a plurality of materials instead of a single material, and a guest material having a high charge donating (accepting) property may be formed on a host material having a high charge transport capability. It may be formed by doping.
  • a material (metal, metal oxide, metal fluoride, alloy, etc.) having a work function smaller than that of the anode (for example, 4 eV or less) is used.
  • metal films such as aluminum (Al), indium (In), magnesium (Mg), amorphous semiconductors such as doped polyaniline and doped polyphenylene vinylene, Cr 2 O 3 , NiO , Oxides such as Mn 2 O 5 can be used.
  • a single layer structure made of a metal material, a laminated structure such as LiO 2 / Al, or the like can be adopted.
  • a glass substrate or a metal substrate is used as the sealing substrate 6A that performs hollow sealing.
  • the sealing film 6B for film sealing for example, a single layer or a multilayer film of metal, silicon oxide, nitride, or oxynitride formed by an atomic layer growth method can be used.
  • an aluminum oxide film for example, Al 2 O
  • an alkyl metal such as TMA (trimethylaluminum), TEA (triethylaluminum), DMAH (dimethylaluminum hydride) and water, oxygen, or alcohols.
  • a silicon oxide film for example, SiO 2 film
  • a silicon oxide film for example, SiO 2 film
  • the cover layer 10 preferably contains an inorganic material, particularly an aluminum oxide film such as Al 2 O 3 .
  • a layer formed by atomic layer deposition (ALD) is preferable.
  • 5 and 6 are explanatory views showing a method for manufacturing the organic EL device according to the embodiment of the present invention.
  • the example shown in FIG. 5 shows a manufacturing process corresponding to the embodiment shown in FIG.
  • the organic EL element 1U is formed on the substrate 2, and the connection terminals 4 connected to the electrodes (upper electrode 11 and lower electrode 13) of the organic EL element 1U are formed in the connection space 2b on the substrate 2 (S1). Process).
  • the organic EL element 1U is sealed (step S2). In this step, the organic EL element 1U is sealed in the sealing space 6S by bonding the substrate 2 and the sealing substrate 6A together.
  • the cover layer 10 is formed in the connection space 2b (step S3), and the anisotropic conductive layer 20 is formed thereon (step S4).
  • the anisotropic conductive layer 20 is formed integrally with the mounting component 3 such as a flexible wiring board
  • the anisotropic conductive layer 20 is formed by arranging the connected terminal 3A of the mounting component 3 in the connection space 2b.
  • an anisotropic conductive film (ACF) is disposed in the connection space 2b where the cover layer 10 is formed.
  • the bonding layer 21 in which the conductive particles 22 are dispersed is applied to the connection space 2b in which the cover layer 10 is formed, or the conductive particles 22 are dispersed in the bonding layer 21 after the bonding layer 21 is applied. .
  • the substrate 2 and the mounting component 3 are pressure-bonded in the connection space 2b (step S5).
  • the bonding layer 21 of the anisotropic conductive layer 20 interposed between the substrate 2 and the mounting component 3 is heat-meltable, the substrate 2 and the mounting component 3 are pressure-bonded while being heated.
  • the bonding layer 21 is a photo-curing resin, the substrate 2 and the mounting component 3 are pressure-bonded under conditions where the resin is not cured.
  • the cover layer 10 is penetrated by the conductive particles 22 sandwiched between the connection terminal 4 of the substrate 2 and the connection terminal 3A of the mounting component 3, and the connection terminal 4 and the connection terminal 3A face each other.
  • connection terminal 4 and the connected terminal 3A are electrically connected via the conductive particles 22.
  • the bonding layer 21 is cured (step S6).
  • the bonding layer 21 is a photocurable resin
  • the bonding layer 21 is cured by irradiating the bonding layer 21 with light such as ultraviolet rays while maintaining the pressure-bonded state.
  • the example shown in FIG. 6 shows a manufacturing process corresponding to the embodiment shown in FIG.
  • the organic EL element 1U is formed on the substrate 2, and the connection terminals 4 connected to the electrodes (upper electrode 11 and lower electrode 13) of the organic EL element 1U are connected to the substrate 2.
  • a sealing film 6B for sealing the organic EL element 1U is formed on the entire substrate.
  • the organic EL element 1U is sealed by the sealing film 6B, and the cover layer 10 is formed in the connection space 2b by the sealing film 6B.
  • the subsequent anisotropic conductive film forming step (S3-1), mounting component crimping step (S4-1), and bonding layer curing step (S5-1) are the same as the above-described S4 step, S5 step, and S6 step. .

Abstract

　有機ＥＬ装置において、基板上の接続スペース内で隣接端子間短絡のリスクを低減させることができる。　基板２と、基板２上に形成された一つ又は複数の有機ＥＬ素子１Ｕと、基板２上に設けられ、有機ＥＬ素子１Ｕの電極に電気的に接続された複数の接続端子４と、接続端子４と接続端子４間の基板２上を覆う絶縁性のカバー層１０と、異方性導電層２０を介して実装され、接続端子４と電気的に接続される被接続端子３Ａを備える実装部品３とを備え、異方性導電層２０は、接続端子４と被接続端子３Ａを電気的に接続する導電性粒子２２を備え、導電性粒子２２は、カバー層１０を貫通して接続端子４と被接続端子３Ａを電気的に接続する。

Description

有機ＥＬ装置及びその製造方法
　本発明は、有機ＥＬ装置及びその製造方法に関するものである。
　有機ＥＬ素子を備えた自発光装置（有機ＥＬ装置）は、例えば携帯電話の表示画面，車載用或いは家庭用電子機器のモニタ画面，パーソナルコンピュータやテレビジョン受像装置の情報表示画面，宣伝用点灯パネルなどに用いられる各種表示装置として、スキャナやプリンタなどに用いられる各種光源として、一般照明や液晶表示装置のバックライトなどに用いられる照明装置として、また、光電変換機能を利用した光通信用デバイスとして、各種用途及び機種に利用可能なものである。
　有機ＥＬ装置は、基板上に有機ＥＬ素子が配置されており、有機ＥＬ素子は封止部材によって気密に封止される封止領域内に配置されている。有機ＥＬ素子の電極は、封止領域の外に引き出された引出電極に接続されており、引出電極は基板の周縁に設けられる接続スペースで駆動素子や配線基板に接続される。
　引出電極と駆動素子や配線基板との接続は、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電フィルム）工法や共晶工法が一般に採用されている。下記特許文献１に記載された従来技術では、封止部材の外側における基板上に有機ＥＬ素子に接続される回路パターンが形成され、この回路パターンに対してＩＣチップの実装（ＣＯＧ）やフレキシブルプリント基板の実装（ＦＰＣ）を行い、回路パターンの露出する部分に樹脂を塗布することが示されている。
特開２００９－２８９６１５号公報
　有機ＥＬ装置においては、基板上の有機ＥＬ素子が配置されている素子形成スペースが発光を得るための有効スペースであり、その外側のスペースは発光が得られない所謂額縁スペースになる。有機ＥＬ装置を電子機器や自動車内などの限られたスペースに搭載させる際には、有効スペースである素子形成スペースをできるだけ大きくし、額縁スペースをできるだけ狭くすることが求められる。
　有機ＥＬ装置において前述した額縁スペースを狭くするためには、封止領域外側の接続スペースを狭くせざるを得ない。接続スペースを狭くすると、異方性導電層を用いたＣＯＧやＦＰＣ実装において、導電性粒子が狭い接続スペース内で接続端子の存在する接続領域から接続端子の存在しない非接続領域に流動して、非接続領域での導電性粒子の過密化が生じる。これによると、非接続領域内で導電性粒子が連なり、接続スペース内の隣接端子間で短絡不良が生じ易くなる問題が生じる。これのような隣接端子間短絡は、高解像度を得るために有機ＥＬ素子の電極間隔を密にした場合には更に問題が顕在化することになる。
　一方、前述した接続スペースにおいては、封止領域から接続端子を引き出して露出させることで、ＣＯＧやＦＰＣ実装が可能になる。これに対して、有機ＥＬ素子の封止を封止膜によって行う場合には、接続スペースの接続端子を露出させるために、封止膜の成膜工程に先立って接続スペースを覆うマスクパターンを形成するか、或いは、封止膜の成膜工程後に接続スペース上の封止膜を除去（リフトオフ）することが必要になる。何れの方法による場合も、封止膜の成膜工程に加えて接続端子を露出させるための別工程が必要になり、その工程を実行するための設備が必要になるので、これによってタクト時間の延長と製造コストの高額化が避けられない問題が生じる。
　本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、有機ＥＬ装置において、基板上の接続スペース内で隣接端子間短絡のリスクを低減させることができること、有機ＥＬ素子の封止を封止膜によって行う場合に、接続スペースにおける接続端子の露出に要する工程と設備を排除し、タクト時間の延長と製造コストの高額化を避けることができること、等が本発明の目的である。
　このような目的を達成するために、本発明による有機ＥＬ装置及びその製造方法は、以下の構成を少なくとも具備するものである。
　基板と、前記基板上に形成された一つ又は複数の有機ＥＬ素子と、前記基板上に設けられ、前記有機ＥＬ素子の電極に電気的に接続された複数の接続端子と、前記接続端子と前記接続端子間の前記基板上を覆う絶縁性のカバー層と、異方性導電層を介して実装され、前記接続端子と電気的に接続される被接続端子を備える実装部品とを備え、前記異方性導電層は、前記接続端子と前記被接続端子を電気的に接続する導電性粒子を備え、前記導電性粒子は、前記カバー層を貫通して前記接続端子と前記被接続端子を電気的に接続することを特徴とする有機ＥＬ装置。
　基板上に有機ＥＬ素子を形成すると共に、該有機ＥＬ素子の電極に接続される接続端子を前記基板上の接続スペースに形成する工程と、前記接続端子と前記接続スペース内の前記基板上を覆う絶縁性のカバー層を形成する工程と、前記接続スペースに異方性導電層を介して実装部品を実装する実装工程を有し、前記実装工程では、前記基板と前記実装部品とを圧着することで、前記異方性導電層の導電性粒子が前記カバー層を貫通して前記接続端子と前記実装部品の被接続端子を電気的に接続することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置の全体構成を示した説明図である（図１（ａ）がＣＯＧ実装の例であり、図１（ｂ）がＦＰＣ実装の例である）。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の部分断面図であり、図１（ａ）におけるＸ－Ｘ断面図を示している。 図２におけるＸ１－Ｘ１断面図であり、接続スペース内の接続構造を拡大して示した説明図である。 本発明の実施形態における好ましい導電性粒子の形態例を模式的に示した説明図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示した説明図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示した説明図である。
　以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。本発明の実施形態は図示の内容を含むがこれのみに限定されるものではない。図１は本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置の全体構成を示した説明図である（図１（ａ）がＣＯＧ実装の例であり、図１（ｂ）がＦＰＣ実装の例である）。図２は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の部分断面図であり、図１（ａ）におけるＸ－Ｘ断面図を示している。図２（ａ），（ｂ）はそれぞれ異なる形態例の断面図を示している。
　有機ＥＬ装置１は、基板２と、基板２上に形成された一つ又は複数の有機ＥＬ素子１Ｕと、基板２上に実装された実装部品３を備える。実装部品３としては、例えば、図１（ａ）に例示すような半導体チップ３－１や図１（ｂ）に例示すようなフレキシブルプリント基板３－２を挙げることができるが、特にこれらに限定されるものではない。
　基板２上には、有機ＥＬ素子１Ｕが形成される素子形成スペース２ａが設けられ、その素子形成スペース２ａの外側に接続スペース２ｂが設けられる。接続スペース２ｂには、有機ＥＬ素子１Ｕの電極（下部電極１１又は上部電極１３）に電気的に接続される複数の接続端子４が設けられる。接続端子４は、素子形成スペース２ａ内の有機ＥＬ素子１Ｕの電極（下部電極１１又は上部電極１３）と引出配線５や補助電極などを介して電気的に接続されている。また、ここで言う有機ＥＬ素子の電極に接続される複数の接続端子には、アクティブマトリックス駆動方式の有機ＥＬ装置におけるＴＦＴに接続された接続端子も含まれる。この場合は、接続端子はＴＦＴを介して有機ＥＬ素子に間接的に接続されている。また、接続端子４は、金や銅などでメッキ等の処理がなされた複数層構造でもよい。これによって接続端子４による配線の低抵抗化を実現できる。
　基板２上の素子形成スペース２ａ内に形成される有機ＥＬ素子１Ｕは、基板２と封止部材６との間で気密に封止されている。封止部材６としては、図２（ａ）に示すような封止基板６Ａを用い、接着層７を介して基板２と封止基板６Ａとを貼り合わせて基板２と封止基板６Ａとの間に封止空間６Ｓを形成するもの（中空封止）であってもよいし、図２（ｂ）に示すような封止膜６Ｂを用い、封止膜６Ｂが空間無く有機ＥＬ素子１Ｕの構成要素を覆うもの（膜封止）であってもよい。
　有機ＥＬ素子１Ｕは、図２（ａ），（ｂ）に示すように、基板２上に積層されている。この有機ＥＬ素子１Ｕは、下部電極１１と有機層１２と上部電極１３を少なくとも備えている。図示の例では、基板２上に下部電極１１が成膜され、その上に有機層１２が成膜され、さらにその上に上部電極１３が成膜されているが、基板２と下部電極１１の間にはいくつかの成膜層が存在していてもよく、下部電極１１、有機層１２、上部電極１３の間に他の層が積層されていてもよい。有機層１２は、一つの発光層によって構成されるか、発光するためのいくつかの機能層（正孔注入・輸送層，発光層，電子注入・輸送層など）によって構成される。図示の例では、有機ＥＬ素子１Ｕは、下部電極１１上における有機ＥＬ素子１Ｕ毎の発光領域を絶縁区画する絶縁膜１４と、絶縁膜１４上に形成され上部電極１３を絶縁区画する隔壁１５を備える。図示した有機ＥＬ素子１Ｕの構成例は一例であって、本発明の実施形態における有機ＥＬ素子１Ｕの駆動方式は、パッシブ駆動方式、アクティブ駆動方式のいずれであってもよい。
　基板２上の接続スペース２ｂ内には、接続端子４と接続端子４間の基板２上を覆う絶縁性のカバー層１０が設けられる。図２（ａ）に示した例では、カバー層１０は接続スペース２ｂ内に単独で形成されている。図２（ｂ）に示した例では、カバー層１０は封止膜６Ｂを延設することで形成されている。この例では、封止膜６Ｂを基板２の全体に形成することで、接続スペース２ｂ内にカバー層１０を形成することができる。接続スペース２ｂ内においては、異方性導電層２０を介して実装部品３が実装されており、接続端子４と実装部品３の被接続端子３Ａとは異方性導電層２０の導電性粒子を介して電気的に接続されている。この際、接続端子４は金や銅などでメッキ等の処理がなされた複数層構造にすることができる。この場合、接続端子４の表面がカバー層１０によって覆われているため、腐食し易い金などの金属を接続端子４の表層に使用して積極的に端子の低抵抗化を図ることができる。
　図３は、図２におけるＸ１－Ｘ１断面図であり、接続スペース内の接続構造を拡大して示した説明図である。接続スペース２ｂにおいて、基板２と実装部品３との間に介在する異方性導電層２０は、基板２と実装部品３を物理的に接合させる接合層２１と接合層２１内に分散される導電性粒子２２を備える。異方性導電層２０としては、熱圧着性の異方性導電フィルム（ＡＣＦ）や、光硬化性樹脂からなる接合層２１に導電性粒子２２を分散させたものなどを用いることができる。
　基板２と実装部品３との圧着が行われる前には、接続スペース２ｂにおける接続端子４は、絶縁性のカバー層１０で個別に覆われることで絶縁区画された状態になっている。そのカバー層１０の上に異方性導電層２０が形成されて、基板２と実装部品３とが圧着されると、基板２の接続端子４と実装部品３の被接続端子３Ａとの間に挟まる導電性粒子２２によってカバー層１０が貫通されることになる。これによって、接続端子４と被接続端子３Ａが対面した接続領域において、導電性粒子２２がカバー層１０を貫通した箇所で接続端子４と被接続端子３Ａとの電気的な接続がなされる。
　この際、隣接する接続端子４，４の間、或いは被接続端子３Ａ，３Ａの間の被接続領域では、導電性粒子２２に直接圧接力が加わることがないので、この領域では導電性粒子２２がカバー層１０を貫通することはない。
　このような構成を備えた有機ＥＬ装置１は、狭額縁化のために接続スペース２ｂが狭められて接続スペース２ｂの被接続領域内で導電性粒子２２の密度が高まる場合であっても、個々の接続端子４の側面は絶縁性のカバー層１０で覆われているので、導電性粒子２２が連なった状態になったとしても、隣接する接続端子４，４間での短絡不具合を回避することができる。
　基板２と実装部品３との圧接によって、基板２の接続端子４と実装部品３の被接続端子３Ａとの間に挟まる導電性粒子２２がカバー層１０を貫通するための条件は、導電性粒子２２の硬度，粒径，形態とカバー層１０の材質，膜厚との相対関係で試験的に設定することができる。一つの条件としては、導電性粒子２２の直径がカバー層１０の層厚よりも大きいことが好ましい。しかしながら、接続端子４の表面や被接続端子３Ａの表面に微細な突起を設けることで、この条件を満たさなくても接続端子４と被接続端子３Ａとの間に挟まる導電性粒子２２がカバー層１０を貫通することは可能である。
　導電性粒子２２の形態の一条件としては、導電性粒子２２の表面又は全体形状に角部を有することが好ましい。図４は、好ましい導電性粒子２２の形態例を模式的に示している。図４（ａ），（ｂ）に示した例は、全体形状が三角形状又は多角形状であって、全体形状に角部を有している。図４（ｃ），（ｄ），（ｅ）に示した例は、表面に突起を有した形状であって、表面に部分的な角部を有している。
　以下に、前述した有機ＥＬ素子１Ｕの具体的な構成例について説明する。
　基板２は、光透過性であり、ガラスやプラスチックなど、有機ＥＬ素子１Ｕを支持することができる基材によって形成される。下部電極１１を形成する透明導電膜層は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide），ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide），酸化亜鉛系透明導電膜，ＳｎＯ2系透明導電膜，二酸化チタン系透明導電膜などの透明金属酸化物を用いることができる。
　下部電極１１が複数の電極にパターン形成されている場合は、各電極間の絶縁性を確保するために絶縁膜１４が設けられる。この絶縁膜１４は、ポリイミド樹脂，アクリル系樹脂，酸化シリコン，窒化シリコンなどの材料が用いられる。絶縁膜１４の形成は、絶縁膜１４の材料を下部電極１１がパターン形成された基板２上に成膜した後、下部電極１１上に有機ＥＬ素子１Ｕ毎の発光領域を形成する開口を形成するパターニングがなされる。具体的には、下部電極１１が形成された基板２にスピンコート法により所定の塗布厚となるように膜を形成し、露光マスクを用いて露光処理，現像処理を施すことにより、有機ＥＬ素子１Ｕの開口パターン形状を有する絶縁膜１４の層が形成される。この絶縁膜１４は、下部電極１１のパターン間を埋めると共にその側端部分を一部覆うように形成され、有機ＥＬ素子１Ｕをドットマトリクス状に配置する場合は格子状に形成される。
　隔壁１５が、マスク等を用いることなく上部電極１３のパターンを形成するため、或いは隣り合う上部電極１３を完全に電気的に絶縁するために、下部電極１１と交差する方向にストライプ状に形成される。具体的には、前述した絶縁膜１４の上に感光性樹脂等の絶縁材料を、有機ＥＬ素子１Ｕを形成する有機層１２と上部電極１３の膜厚の総和より厚い膜厚にスピンコート法等で塗布形成した後、この感光性樹脂膜上に下部電極１１に交差するストライプ状パターンを有するフォトマスクを介して紫外線等を照射し、層の厚さ方向の露光量の違いから生じる現像速度の差を利用して、側部が下向きのテーパ面を有する隔壁１５を形成する。
　有機層１２は、発光層を含む発光機能層の積層構造を有し、下部電極１１と上部電極１３の一方を陽極とし他方を陰極とすると、陽極側から順次、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などが選択的に形成される。有機層１２の成膜は乾式の成膜として真空蒸着法などが用いられ、湿式の成膜としては塗布や各種の印刷法が用いられる。
　有機層１２の形成例を以下に説明する。例えば先ず、ＮＰＢ（N,N-di(naphtalence)-N,N-dipheneyl-benzidene）を正孔輸送層として成膜する。この正孔輸送層は、陽極から注入される正孔を発光層に輸送する機能を有する。この正孔輸送層は、１層だけ積層したものでも２層以上積層したものであってもよい。また正孔輸送層は、単一の材料による成膜ではなく、複数の材料により一つの層を形成しても良く、電荷輸送能力の高いホスト材料に電荷供与（受容）性の高いゲスト材料をドーピングしてもよい。
　次に、正孔輸送層の上に発光層を成膜する。一例としては、抵抗加熱蒸着法により、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光層を、塗分け用マスクを利用してそれぞれの成膜領域に成膜する。赤（Ｒ）としてＤＣＭ１（４－（ジシアノメチレン）－２－メチル－６－（４’－ジメチルアミノスチリル）－４Ｈ－ピラン）等のスチリル色素等の赤色を発光する有機材料を用いる。緑（Ｇ）としてアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ3） 等の緑色を発光する有機材料を用いる。青（Ｂ）としてジスチリル誘導体、トリアゾール誘導体等の青色を発光する有機材料を用いる。勿論、他の材料でも、ホスト－ゲスト系の層構成でも良く、発光形態も蛍光発光材料を用いてもりん光発光材料を用いたものであってもよい。
　発光層の上に成膜される電子輸送層は、抵抗加熱蒸着法等の各種成膜方法により、例えばアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ3 ）等の各種材料を用いて成膜する。電子輸送層は、陰極から注入される電子を発光層に輸送する機能を有する。この電子輸送層は、１層だけ積層したものでも２層以上積層した多層構造を有してもよい。また、電子輸送層は、単一の材料による成膜ではなく、複数の材料により一つの層を形成しても良く、電荷輸送能力の高いホスト材料に電荷供与（受容）性の高いゲスト材料をドーピングして形成してもよい。
　有機層１２上に形成される上部電極１３は、こちらが陰極の場合には、陽極より仕事関数の小さい（例えば４ｅＶ以下）材料（金属，金属酸化物，金属フッ化物，合金等）を用いることができ、具体的には、アルミニウム（Ａｌ），インジウム（Ｉｎ），マグネシウム（Ｍｇ）等の金属膜、ドープされたポリアニリンやドープされたポリフェニレンビニレン等の非晶質半導体、Ｃｒ2Ｏ3，ＮｉＯ，Ｍｎ2Ｏ5等の酸化物を使用できる。構造としては、金属材料による単層構造、ＬｉＯ2／Ａｌ等の積層構造等が採用できる。
　有機ＥＬ素子１Ｕを封止する封止部材６は、中空封止を行う封止基板６Ａとしては、ガラス基板や金属基板が用いられる。また、膜封止を行う封止膜６Ｂとしては、一例として、原子層成長法によって成膜される金属やケイ素の酸化物，窒化物，酸窒化物の単層又は多層膜を用いることができる。例えば、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）やＴＥＡ（トリエチルアルミニウム）、ＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウム水素化物）等のアルキル系金属と、水や酸素、アルコール類との反応で得られるアルミニウム酸化物膜（例えば、Ａｌ2Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3膜）、ケイ素系材料の気化ガスと水の気化ガスとの反応で得られるケイ素酸化物膜（例えば、ＳｉＯ2膜）などを用いることができる。
　カバー層１０は、前述したように、導電性粒子２２の硬度，直径，形態との関係で適正な材料及び膜厚が選択されるが、封止膜６Ｂによってカバー層１０を形成する場合には、カバー層１０は、無機物、特に、Ａｌ2Ｏ3などのアルミニウム酸化物膜を含むことが好ましい。また、原子層成長法（ＡＬＤ）によって成膜された層であることが好ましい。
　図５及び図６は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示した説明図である。
　図５に示した例は、図２（ａ）に示した形態例に対応する製造工程を示している。先ず、基板２上に有機ＥＬ素子１Ｕを形成すると共に、有機ＥＬ素子１Ｕの電極（上部電極１１，下部電極１３）に接続される接続端子４を基板２上の接続スペース２ｂに形成する（Ｓ１工程）。次に、有機ＥＬ素子１Ｕの封止を行う（Ｓ２工程）。この工程では、基板２と封止基板６Ａとを貼り合わせることで、封止空間６Ｓ内で有機ＥＬ素子１Ｕを封止する。
　次に、接続スペース２ｂにカバー層１０を形成し（Ｓ３工程）、その上に異方性導電層２０を形成する（Ｓ４工程）。異方性導電層２０の形成は、異方性導電層２０がフレキシブル配線基板など実装部品３と一体に形成されている場合は、実装部品３の被接続端子３Ａを接続スペース２ｂに配置することで行われる。異方性導電層２０を別途形成する場合には、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）をカバー層１０が形成された接続スペース２ｂに配置する。または、カバー層１０が形成された接続スペース２ｂに導電性粒子２２が分散された接合層２１を塗布するか、或いは接合層２１を塗布した後に、接合層２１内に導電性粒子２２を分散させる。
　次に、接続スペース２ｂにおいて、基板２と実装部品３とを圧着する（Ｓ５工程）。基板２と実装部品３との間に介在する異方性導電層２０の接合層２１が熱溶融性の場合には、加熱しながら基板２と実装部品３との圧着を行う。接合層２１が光硬化性樹脂の場合には、樹脂が硬化しない条件下で基板２と実装部品３との圧着を行う。この圧着によって、基板２の接続端子４と実装部品３の被接続端子３Ａとの間に挟まる導電性粒子２２によってカバー層１０が貫通されることになり、接続端子４と被接続端子３Ａが対面した接続領域において導電性粒子２２を介して接続端子４と被接続端子３Ａとの電気的な接続がなされる。その後は、接合層２１を硬化させる（Ｓ６工程）。接合層２１が光硬化性樹脂の場合には、圧着状態を維持したまま、接合層２１に紫外線等の光を照射して接合層２１を硬化させる。
　図６に示した例は、図２（ｂ）に示した形態例に対応する製造工程を示している。先ず、前述した例と同様に、基板２上に有機ＥＬ素子１Ｕを形成すると共に、有機ＥＬ素子１Ｕの電極（上部電極１１，下部電極１３）に接続される接続端子４を基板２上の接続スペース２ｂに形成する（Ｓ１工程）。次に、有機ＥＬ素子１Ｕを封止する封止膜６Ｂを基板全体に成膜する。この際、有機ＥＬ素子１Ｕの封止が封止膜６Ｂによって成されると共に、封止膜６Ｂによって接続スペース２ｂにカバー層１０が形成される。以後の異方性導電膜形成工程（Ｓ３－１），実装部品圧着工程（Ｓ４－１），接合層硬化工程（Ｓ５－１）は、前述したＳ４工程，Ｓ５工程，Ｓ６工程と同様である。
　図６に示した製造方法によると、封止膜６Ｂによって有機ＥＬ素子１Ｕの封止を行うに際して、接続スペース２ｂにおいて接続端子４を露出させるための工程が不要になる。これによって、接続スペース２ｂにおける接続端子４の露出に要するタクト時間を削除することができると共に、その工程に要する設備を排除できるので、膜封止を行う有機ＥＬ装置１の製造工程の短縮化と製造コストの低減化が可能になる。
　以上、本発明の実施の形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。上述の各図で示した実施の形態は、その目的及び構成等に特に矛盾や問題がない限り、互いの記載内容を組み合わせることが可能である。また、各図の記載内容はそれぞれ独立した実施形態になり得るものであり、本発明の実施形態は各図を組み合わせた一つの実施形態に限定されるものではない。

Claims (15)

  1. 　基板と、
    　前記基板上に形成された一つ又は複数の有機ＥＬ素子と、
    　前記基板上に設けられ、前記有機ＥＬ素子の電極に電気的に接続された複数の接続端子と、
    　前記接続端子と前記接続端子間の前記基板上を覆う絶縁性のカバー層と、
    　異方性導電層を介して実装され、前記接続端子と電気的に接続される被接続端子を備える実装部品とを備え、
    　前記異方性導電層は、前記接続端子と前記被接続端子を電気的に接続する導電性粒子を備え、
    　前記導電性粒子は、前記カバー層を貫通して前記接続端子と前記被接続端子を電気的に接続することを特徴とする有機ＥＬ装置。
  2. 　前記異方性導電層は、前記基板と前記実装部品を物理的に接合させる絶縁性の接合層を備え、前記導電性粒子は該接合層内に分散されていることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置。
  3. 　前記基板と前記実装部品の圧着によって、前記導電性粒子が前記カバー層を貫通して前記接続端子と前記被接続端子を電気的に接続することを特徴とする請求項２記載の有機ＥＬ装置。
  4. 　前記接続端子及び前記カバー層は、前記基板と前記実装部品が接続されている接続スペースに配置されていることを特徴とする請求項３記載の有機ＥＬ装置。
  5. 　前記カバー層は、前記有機ＥＬ素子を前記基板との間で封止する封止膜によって形成されることを特徴とする請求項４記載の有機ＥＬ装置。
  6. 　前記カバー層は、無機物を含むことを特徴とする請求項５記載の有機ＥＬ装置。
  7. 　前記カバー層は、アルミニウム酸化物膜を含むことを特徴とする請求項６記載の有機ＥＬ装置。
  8. 　前記カバー層は、原子層成長法（ＡＬＤ）によって成膜された層であることを特徴とする請求項５記載の有機ＥＬ装置。
  9. 　前記異方性導電層は、熱圧着性の異方性導電フィルムであることを特徴とする請求項３記載の有機ＥＬ装置。
  10. 　前記異方性導電層の接合層は、光硬化性樹脂であることを特徴とする請求項２記載の有機ＥＬ装置。
  11. 　前記導電性粒子の直径が前記カバー層の層厚よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置。
  12. 　前記導電性粒子は、表面又は全体形状に角部を有することを特徴とする請求項１１記載の有機ＥＬ装置。
  13. 　前記接続端子は複数層の積層構造であることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置。
  14. 　基板上に有機ＥＬ素子を形成すると共に、該有機ＥＬ素子の電極に接続される接続端子を前記基板上の接続スペースに形成する工程と、
    　前記接続端子と前記接続スペース内の前記基板上を覆う絶縁性のカバー層を形成する工程と、
    　前記接続スペースに異方性導電層を介して実装部品を実装する実装工程を有し、
    　前記実装工程では、前記基板と前記実装部品とを圧着することで、前記異方性導電層の導電性粒子が前記カバー層を貫通して前記接続端子と前記実装部品の被接続端子を電気的に接続することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
  15. 　基板上に有機ＥＬ素子を形成すると共に、該有機ＥＬ素子の電極に接続される接続端子を前記基板上の接続スペースに形成する工程と、
    　前記有機ＥＬ素子を前記基板との間で封止する封止膜を形成することで、該封止膜によって、前記接続端子と前記接続スペース内の前記基板上を覆う絶縁性のカバー層を形成する工程と、
    　前記接続スペースに異方性導電層を介して実装部品を実装する実装工程を有し、
    　前記実装工程では、前記基板と前記実装部品とを圧着することで、前記異方性導電層の導電性粒子が前記カバー層を貫通して前記接続端子と前記実装部品の被接続端子を電気的に接続することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104201189B (zh) * 2014-08-22 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示装置及有机发光二极管的封装方法
DE102019129832A1 (de) * 2019-11-05 2021-05-06 Heliatek Gmbh Optoelektronisches Bauelement, sowie Verfahren zur Kontaktierung eines optoelektronischen Bauelements

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006040589A (ja) * 2004-07-22 2006-02-09 Asahi Glass Co Ltd 積層体、有機ｅｌ表示素子、及び、有機ｅｌ表示素子の製造方法
JP2008083365A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Citizen Miyota Co Ltd 液晶表示装置
JP2009224321A (ja) * 2008-02-18 2009-10-01 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌディスプレイ
JP2010244850A (ja) * 2009-04-06 2010-10-28 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機ｅｌ表示装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2003220088A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-22 Sundew Technologies, Llc Ald method and apparatus
JP4692544B2 (ja) * 2005-04-14 2011-06-01 パナソニック株式会社 電子回路装置およびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006040589A (ja) * 2004-07-22 2006-02-09 Asahi Glass Co Ltd 積層体、有機ｅｌ表示素子、及び、有機ｅｌ表示素子の製造方法
JP2008083365A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Citizen Miyota Co Ltd 液晶表示装置
JP2009224321A (ja) * 2008-02-18 2009-10-01 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌディスプレイ
JP2010244850A (ja) * 2009-04-06 2010-10-28 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機ｅｌ表示装置

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