CN112018250B - 量子点电致发光器件及制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了量子点电致发光器件及制作方法、显示装置。该量子点电致发光器件包括：基板和阴极，阴极设置在基板上；电子传输层，电子传输层设置在阴极远离基板的一侧，电子传输层包括多个像素区；粘结剂层，粘结剂层设置在电子传输层远离阴极的一侧；量子点膜层，量子点膜层设置在粘结剂层远离电子传输层的一侧，量子点膜层和粘结剂层均位于像素区中，其中，粘结剂层通过化学键以及物理缠绕作用的至少之一，分别与电子传输层以及量子点膜层连接。由此，该量子点电致发光器件中的粘结剂层能够显著增加量子点膜层与电子传输层之间的粘附力，可有效缓解制备过程中量子点膜层脱落的问题，使得该量子点电致发光器件具有良好的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及量子点电致发光器件及制作方法、显示装置。
背景技术
随着消费水平的提升，高分辨率产品成为显示产品的重点发展方向。目前，高分辨率的AMOLED(有源矩阵有机发光二极体)产品面临着技术难度高、产品良率低、生产成本高的问题。有机发光显示产品的有机层通常采用掩模蒸发的方法制备，但是掩模蒸发方法存在对位困难、良品率低、无法实现更小面积发光的缺陷，无法满足目前对高分辨率显示的需求，而采用印刷和打印的方法制备有机层，其得到的显示产品的分辨率也极其有限。随着量子点技术的深入发展，量子点电致发光器件(QLED器件)的研究日益深入，量子效率不断提升，QLED器件可以实现更小面积发光，有利于使显示产品实现更高的分辨率。
然而，目前的QLED器件及制作方法、显示装置仍有待改进。
发明内容
本发明是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的：
目前，QLED器件存在显示效果较差的问题。发明人经过深入研究以及大量实验发现，这主要是由于目前制作QLED器件的方法存在缺陷导致的。具体的，目前主要通过曝光显影实现量子点膜层的图形化，然而，在显影过程中量子点膜层会有脱落的现象发生，从而影响QLED器件的显示效果。
本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种量子点电致发光器件。该量子点电致发光器件包括：基板和阴极，所述阴极设置在所述基板上；电子传输层，所述电子传输层设置在所述阴极远离所述基板的一侧，所述电子传输层包括多个像素区；粘结剂层，所述粘结剂层设置在所述电子传输层远离所述阴极的一侧；量子点膜层，所述量子点膜层设置在所述粘结剂层远离所述电子传输层的一侧，所述量子点膜层和所述粘结剂层均位于所述像素区中，其中，所述粘结剂层通过化学键以及物理缠绕作用的至少之一，分别与所述电子传输层以及所述量子点膜层连接。由此，该量子点电致发光器件中的粘结剂层能够显著增加量子点膜层与电子传输层之间的粘附力，可有效缓解制备过程中量子点膜层脱落的问题，使得该量子点电致发光器件具有良好的显示效果。
根据本发明的实施例，构成所述粘结剂层的材料包括硅烷类材料或者亲和素，其中，所述硅烷类材料包括可与所述电子传输层反应的第一官能团，以及可与所述量子点膜层反应的第二官能团，所述第一官能团包括卤原子、羟基、烷基醚键、乙酰氧基、甲氧基、氨基以及亚氨基的至少之一，所述第二官能团包括巯基、氨基、羧基以及甲基的至少之一，所述亲和素含有可与所述电子传输层形成化学键的官能团，以及可与所述量子点膜层形成化学键的官能团。由此，上述材料可以分别与电子传输层以及量子点膜层发生作用，从而显著增加量子点膜层与电子传输层之间的粘附力，有效缓解量子点膜层的脱落。
根据本发明的实施例，所述亲和素包括相连的生物素以及链霉亲和素，所述链霉亲和素含有羟基、氨基，所述生物素含有硫原子、氮原子以及羧基。由此，亲和素中的上述官能团或者杂原子可以分别与电子传输层以及量子点膜层形成化学键，从而显著增加量子点膜层与电子传输层之间的粘附力，有效缓解量子点膜层的脱落。
根据本发明的实施例，所述硅烷类材料中，主链上原子的个数小于7。由此，不会对量子点电致发光器件造成负面影响。
根据本发明的实施例，构成所述电子传输层的材料包括氧化锌、氧化钛以及氧化镍的至少之一。由此，上述材料可以使电子传输层具有良好的电子传输性能。
根据本发明的实施例，该量子点电致发光器件进一步包括：空穴传输层，所述空穴传输层设置在所述量子点膜层远离所述粘结剂层的一侧；空穴注入层，所述空穴注入层设置在所述空穴传输层远离所述量子点膜层的一侧；阳极，所述阳极设置在所述空穴注入层远离所述空穴传输层的一侧。由此，可进一步提高量子点电致发光器件的使用性能。
在本发明的另一方面，本发明提出了一种制作量子点电致发光器件的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：在基板上形成阴极；在阴极远离基板的一侧形成电子传输层，所述电子传输层包括多个像素区；形成粘结剂层以及量子点膜层，所述粘结剂层设置在所述电子传输层远离所述阴极的一侧，所述量子点膜层设置在所述粘结剂层远离所述电子传输层的一侧，且所述量子点膜层和所述粘结剂层均位于所述像素区中，其中，所述粘结剂层通过化学键以及物理缠绕作用的至少之一，分别与所述电子传输层以及所述量子点膜层连接。由此，该方法具有操作简单、生产良率高的优点，且获得的量子点电致发光器件中的粘结剂层能够显著增加量子点膜层与电子传输层之间的粘附力，可有效缓解制备过程中量子点膜层脱落的问题，使得该量子点电致发光器件具有良好的显示效果。
根据本发明的实施例，所述粘结剂层和所述量子点膜层是通过以下步骤形成的：在所述电子传输层远离所述阴极的一侧，且位于所述像素区以外的区域上形成掩膜层；利用浸泡或者旋涂，形成覆盖所述掩膜层以及所述电子传输层的粘结剂材料层；在所述粘结剂材料层远离所述电子传输层的一侧旋涂量子点材料，并剥离所述掩膜层，以便获得所述粘结剂层以及所述量子点膜层。由此，利用简单的方法即可形成粘结剂层以及量子点膜层。
根据本发明的实施例，形成所述粘结剂材料层时，所述浸泡的时间或者所述旋涂的静置时间分别独立的为5-60min。由此，可以使粘结剂材料与构成电子传输层的材料充分反应，增强粘结剂层与电子传输层之间的结合强度。
根据本发明的实施例，所述旋涂的转速为500-3000rpm。由此，将旋涂过程中的转速设置在上述范围内，可以去除未与电子传输层连接的粘结剂材料。
根据本发明的实施例，形成所述粘结剂材料层进一步包括：退火处理，所述退火处理的温度为50-300℃，所述退火处理的时间为5-20min。由此，可以去除粘结剂层中的溶剂，同时使粘结剂材料的分子重排至较低的能量状态。
根据本发明的实施例，用于形成所述粘结剂层的溶液的浓度为10-100mg/ml。由此，可以保证有足够的粘结剂材料与电子传输层反应。
根据本发明的实施例，形成所述量子点膜层时，所述旋涂的静置时间为5-60min。由此，可以使量子点材料与粘结剂材料充分反应，增强粘结剂层与量子点膜层之间的结合强度，使得量子点膜层与电子传输层之间具有较大的粘附力。
在本发明的另一方面，本发明提出了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括壳体以及前面所述的量子点电致发光器件，所述壳体包括前框以及背板，所述前框以及所述背板构成容纳空间，所述量子点电致发光器件位于所述容纳空间内部，且所述量子点电致发光器件的出光侧远离所述背板设置。由此，该显示装置具有前面所述的量子点电致发光器件的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示装置具有良好的显示效果以及较高的分辨率。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1显示了根据本发明一个实施例的量子点电致发光器件的结构示意图；
图2显示了根据本发明一个实施例的量子点电致发光器件的部分结构示意图；
图3显示了根据本发明一个实施例的制备量子点电致发光器件方法的流程示意图；
图4显示了根据本发明另一个实施例的制备量子点电致发光器件方法的流程示意图。
附图标记说明：
100：阴极；200：电子传输层；300：粘结剂层；400：量子点膜层；500：空穴传输层；600：空穴注入层；700：阳极；800：基板；10：像素区；20：掩膜层；21：光刻胶；30：粘结剂材料层；40：量子点材料层。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种量子点电致发光器件。根据本发明的实施例，参考图1，该量子点电致发光器件包括：基板800、阴极100、电子传输层200、粘结剂层300以及量子点膜层400，其中，阴极100设置在基板800上，电子传输层200设置在阴极100远离基板800的一侧，且电子传输层200包括多个像素区10，粘结剂层300设置在电子传输层200远离阴极100的一侧，量子点膜层400设置在粘结剂层300远离电子传输层200的一侧，且量子点膜层400和粘结剂层300均位于电子传输层200的像素区10中，粘结剂层300通过化学键以及物理缠绕作用的至少之一，分别与电子传输层200以及量子点膜层400连接。也即是说，该量子点电致发光器件可以为倒置型量子点电致发光器件。由此，该量子点电致发光器件中的粘结剂层能够显著增加量子点膜层与电子传输层之间的粘附力，可有效缓解制备过程中量子点膜层脱落的问题，使得该量子点电致发光器件具有良好的显示效果。
下面根据本发明的具体实施例，对该量子点电致发光器件的各个结构进行详细说明：
关于阴极的构成材料不受特别限制，本领域技术人员可以根据量子点电致发光器件常用的阴极材料进行选择。例如，根据本发明的实施例，阴极100可以是由氧化铟锡(ITO)构成的。
关于电子传输层的构成材料不受特别限制，只要具有良好的电子传输作用即可，本领域技术人员可以根据具体情况进行选择。例如，根据本发明的实施例，电子传输层200可以是由金属氧化物形成的，具体的，构成电子传输层200的材料可以包括氧化锌、氧化镍以及氧化钛的至少之一。上述金属氧化物表面具有一定的羟基，羟基是较为活泼的基团，可与多种组分形成化学键，且不会影响金属氧化物的电子传输效果。例如，构成粘结剂层的材料可以与金属氧化物表面的羟基反应，以实现粘结剂层与电子传输层的连接。
根据本发明的实施例，在电子传输层200和量子点膜层400之间设置粘结剂层300，粘结剂层300通过化学键以及物理缠绕作用的至少之一，分别与电子传输层200以及量子点膜层400发生连接，以增强量子点膜层与电子传输层之间的粘附力。
根据本发明的实施例，构成粘结剂层300的材料可以包括硅烷类材料，硅烷类材料的Si原子上可以连接4个官能团，因此，可以选择能够同时与电子传输层以及量子点膜层发生化学反应或者物理缠绕的官能团。具体的，上述硅烷类材料中的一个官能团可以与电子传输层发生化学反应，同时另一个官能团可以与量子点膜层发生化学反应，或者，上述硅烷类材料中的一个官能团可以与电子传输层发生化学反应，同时另一个官能团可以与量子点膜层发生物理缠绕(例如甲基、具有直链或者支链的烷基)。
具体的，硅烷类材料包括可与电子传输层反应的第一官能团，以及可与量子点膜层反应的第二官能团，其中，第一官能团包括卤原子、羟基、烷基醚键、乙酰氧基、甲氧基、氨基以及亚氨基的至少之一，第二官能团包括巯基、氨基、羧基以及甲基的至少之一。硅烷类材料通过卤原子、羟基、烷基醚键、乙酰氧基、甲氧基、氨基、亚氨基等官能团，可以与构成电子传输层的金属氧化物表面的羟基发生化学反应，使得电子传输层和粘结剂层通过硅氧键实现连接，同时，硅烷类材料通过巯基、氨基、羧基等官能团，可以与常用的量子点材料发生化学反应，具体的，硅烷类材料利用上述官能团与量子点材料形成配位键，或者，硅烷类材料通过甲基与量子点材料发生物理缠绕，实现粘结剂层与量子点膜层的连接。
根据本发明的实施例，硅烷类材料中，主链上原子的个数小于7。由此，不会对量子点电致发光器件造成负面影响。例如，主链上的硅原子、碳原子、氧原子、氮原子、卤原子等的总个数小于7。
关于硅烷类材料的具体成分不受特别限制，只要硅烷类材料含有上述官能团即可，本领域技术人员可以根据具体情况进行选择。例如，根据本发明的具体实施例，硅烷类材料可以为三甲基氯硅烷、六甲基二硅氮烷、叔丁基二甲基氯硅烷、三异丙氧基硅烷、二甲基二乙酰氧基硅烷、二叔丁基二氯硅烷或者巯丙基三甲氧基硅烷，此处不再一一列举。
根据本发明的实施例，构成粘结剂层300的材料还可以为亲和素，亲和素含有可与电子传输层形成化学键的官能团，以及可与量子点膜层形成化学键的官能团。由此，亲和素可通过上述官能团分别与构成电子传输层的金属氧化物以及量子点材料发生化学反应，实现粘结剂层与电子传输层和量子点膜层的连接。具体的，亲和素可以包括相连的生物素以及链霉亲和素，其中，链霉亲和素含有羟基、氨基，生物素含有硫原子、氮原子以及羧基。链霉亲和素中的羟基、氨基可以与构成电子传输层的金属氧化物表面的羟基反应，使得粘结剂层与电子传输层通过硅氧键实现连接，生物素中的硫原子、氮原子以及羧基可以与量子点材料形成配位键，实现粘结剂层与量子点膜层的连接。
根据本发明的实施例，上述硅烷类材料以及亲和素，不仅可以实现粘结剂层与电子传输层、量子点膜层之间的连接，使得电子传输层与量子点膜层之间具有较强的粘附力，有效缓解制备过程中量子点膜层发生脱落，同时上述材料不会对量子点膜层的发光性能造成不良影响。并且，上述材料中的部分材料还可以减少电子传输层材料界面的空隙，减少器件中的短路，例如含有卤原子的硅烷类材料、含有羟基的硅烷类材料、含有烷基醚键的硅烷类材料、含有乙酰氧基的硅烷类材料、含有甲氧基的硅烷类材料等。
根据本发明的实施例，量子点膜层400可以包括红色量子点、绿色量子点以及蓝色量子点，由此，可以使量子点电致发光器件具有良好的显示色彩。关于红色量子点、绿色量子点、蓝色量子点的材料不受特别限制，本领域技术人员可以根据上述量子点的常用材料进行选择。
根据本发明的实施例，参考图2，该量子点电致发光器件还可以包括：空穴传输层500、空穴注入层600以及阳极700，其中，空穴传输层500设置在量子点层400远离粘结剂层300的一侧，空穴注入层600设置在空穴传输层500远离量子点膜层400的一侧，阳极700设置在空穴注入层600远离空穴传输层500的一侧。由此，可进一步提高量子点电致发光器件的使用性能。
关于空穴传输层、空穴注入层以及阳极的构成材料不受特别限制，本领域技术人员可以根据量子点电致发光器件上述结构的常用材料进行选择。
在本发明的另一方面，本发明提出了一种制作量子点电致发光器件的方法。根据本发明的实施例，由该方法制作的量子点电致发光器件可以为前面所描述的量子点电致发光器件，由此，由该方法制作的量子点电致发光器件可以具有与前面所描述的量子点电致发光器件相同的特征以及优点，在此不再赘述。
根据本发明的实施例，参考图3，该方法包括：
S100：在基板上形成阴极
根据本发明的实施例，在该步骤中，在基板上形成阴极。关于阴极的材料前面已经进行了详细描述，在此不再赘述。
关于阴极的形成方法不受特别限制，本领域技术人员可以根据形成阴极的常用方法进行选择。
S200：在阴极上形成电子传输层
根据本发明的实施例，在该步骤中，在阴极上形成电子传输层。关于电子传输层的具体材料，前面已经进行了详细描述，在此不再赘述。
关于电子传输层的形成方法不受特别限制，本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。例如，根据本发明的实施例，电子传输层可以是通过旋涂并退火形成的。
根据本发明的实施例，电子传输层包括多个像素区，像素区用于承载后续步骤形成的粘结剂层以及量子点膜层。
S300：形成粘结剂层以及量子点膜层
根据本发明的实施例，在该步骤中，形成粘结剂层以及量子点膜层。根据本发明的实施例，粘结剂层设置在电子传输层远离阴极的一侧，量子点膜层设置在粘结剂层远离电子传输层的一侧，且粘结剂层和量子点膜层均位于电子传输层的像素区中，且粘结剂层可通过化学键以及物理缠绕作用的至少之一，分别与电子传输层以及量子点膜层连接。由此，可以显著增强电子传输层与量子点膜层之间的粘附力，有效缓解制备过程中量子点膜层发生脱落的问题，使得最终获得的量子点电致发光器件具有良好的显示效果。
关于构成粘结剂层的材料，前面已经进行了详细描述，在此不再赘述。
根据本发明的实施例，参考图4，粘结剂层300以及量子点膜层400可以是通过以下步骤形成的：首先，在电子传输层200远离阴极100的一侧，且位于像素区10以外的区域上形成掩膜层20。具体的，在电子传输层200的整个表面上旋涂光刻胶21(参考图4中的(a))，并对光刻胶21进行前烘处理，随后，对光刻胶21进行曝光显影，去除光刻胶21位于像素区10中的部分，并对光刻胶21位于像素区10以外区域的部分进行退火处理，以获得掩膜层20(参考图4中的(b))。关于光刻胶的具体种类不受特别限制，只要经曝光显影后可在电子传输层的像素区以外的区域形成掩膜层即可，本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。根据本发明的实施例，前烘处理的温度可以为60-150℃，如85℃、100℃、120℃，前烘处理的时间可以为30-300s，如60s、100s、150s、200s、250s。由此，可以使光刻胶预凝固，便于后续曝光显影的进行。关于曝光显影的时间以及退火处理的温度、时间不受特别限制，只要可在电子传输层的像素区以外的区域形成掩膜层即可，例如，根据本发明的具体实施例，曝光的时间可以为10s，显影的时间可以为60s，退火处理的温度可以为100℃，退火处理的时间可以为5min。
其次，利用浸泡或者旋涂，形成覆盖掩膜层20以及电子传输层200的粘结剂材料层30。具体的，利用浸泡形成粘结剂材料层30时，先将设置有掩膜层20的电子传输层200浸泡在用于形成粘结剂层的溶液中，浸泡一定时间后取出，并用溶剂进行冲洗，以便将多余的粘结剂溶液冲洗干净，获得覆盖掩膜层20以及电子传输层200的粘结剂材料层30(参考图4中的(c))。或者，利用旋涂形成粘结剂材料层30时，先将用于形成粘结剂层的溶液滴在掩膜层20上以及电子传输层200的像素区上，随后，静置一定时间并旋干，以获得覆盖掩膜层20以及电子传输层200的粘结剂材料层30(参考图4中的(c))。
最后，在粘结剂材料层30远离掩膜层20以及电子传输层200的一侧旋涂量子点材料，并剥离掩膜层20，以便获得粘结剂层300以及量子点膜层400。由此，利用简单的方法即可形成粘结剂层以及量子点膜层。具体的，旋涂量子点材料后进行退火处理，以形成量子点材料层40(参考图4中的(d))，且在剥离掩膜层20的过程中，粘结剂材料层30以及量子点材料层40分别位于掩膜层20上的部分，可以同步被去除，由此，可以获得粘结剂层300以及量子点膜层400，且粘结剂层300和量子点膜层400均位于电子传输层200的像素区中(参考图4中的(e))。
根据本发明的实施例，形成粘结剂材料层时，浸泡的时间或者旋涂静置的时间可以分别独立的为5-60min，如20min、30min、40min、50min，由此，可以使粘结剂材料与构成电子传输层的材料充分反应，增强粘结剂层与电子传输层之间的结合强度。
根据本发明的实施例，利用旋涂形成粘结剂材料层时，旋涂的转速可以为500-3000rpm，如1000rpm、1500rpm、2000rpm、2500rpm。由此，将旋涂过程中的转速设置在上述范围内，可以去除未与电子传输层连接的粘结剂材料。
根据本发明的实施例，用于形成粘结剂层的溶液可以是通过将粘结剂材料(如前面所描述的硅烷类材料或者亲和素)溶解在溶剂中形成的，由此，便于粘结剂材料与构成电子传输层的金属氧化物反应。关于上述溶剂的具体成分不受特别限制，只要可以溶解上述粘结剂材料即可，本领域技术人员可以根据具体情况进行选择。例如，根据本发明的具体实施例，溶剂可以为甲苯、二甲苯、氯苯芳烃类溶剂、醇类溶剂(如甲醇、乙醇)、极性非质子溶剂(如N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基亚砜)。
根据本发明的实施例，用于形成粘结剂层的溶液的浓度可以为10-100mg/ml，如20mg/ml、30mg/ml、40mg/ml、50mg/ml、60mg/ml、70mg/ml、80mg/ml、90mg/ml。由此，可以保证有足够的粘结剂材料与构成电子传输层的材料反应。
根据本发明的实施例，在利用浸泡或者旋涂形成粘结剂材料层后，还可以对粘结剂材料层进行退火处理，退火处理的温度可以为50-300℃，如85℃、100℃、200℃、280℃，退火处理的时间可以为5-20min，如10min、15min。由此，可以去除粘结剂层中的溶剂，同时使粘接剂材料的分子重排至较低的能量状态。
根据本发明的实施例，形成量子点膜层时，旋涂量子点材料后静置的时间可以为5-60min，如20min、30min、40min、50min。由此，可以使量子点材料与粘结剂材料充分反应，增强粘结剂层与量子点膜层之间的结合强度，使得量子点膜层与电子传输层之间具有较大的粘附力。根据本发明的实施例，形成量子点膜层时，对量子点材料进行退火处理的温度和时间不受特别限制，本领域技术人员可以根据形成量子点膜层时退火处理常使用的温度和时间进行设计。
根据本发明的实施例，量子点膜层可以包括红色量子点、绿色量子点以及蓝色量子点，按照上述步骤形成一种颜色的量子点以及该量子点与电子传输层相连的粘结剂层之后，可以重复S300的步骤依次形成另一种颜色的量子点以及该量子点与电子传输层相连的粘结剂层，从而完成多种颜色量子点的制备。
根据本发明的实施例，制备好含有多种颜色量子点的量子点膜层之后，该方法还包括在量子点膜层远离粘结剂层的一侧，依次蒸镀空穴传输层、空穴注入层以及阳极。由此，可以完成量子点电致发光器件的制备，使得该量子点电致发光器件具有良好的使用性能。
综上，该方法具有操作简单、生产良率高的优点，且获得的量子点电致发光器件中的粘结剂层能够显著增加量子点膜层与电子传输层之间的粘附力，可有效缓解制备过程中量子点膜层脱落的问题，使得该量子点电致发光器件具有良好的显示效果。
在本发明的另一方面，本发明提出了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括壳体以及前面所描述的量子点电致发光器件，其中，壳体包括前框以及背板，前框以及背板构成容纳空间，量子点电致发光器件位于容纳空间内部，且量子点电致发光器件的出光侧远离背板设置。由此，该显示装置具有前面所描述的量子点电致发光器件的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示装置具有良好的显示效果以及较高的分辨率。
下面通过具体的实施例对本发明的方案进行说明，需要说明的是，下面的实施例仅用于说明本发明，而不应视为限定本发明的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。
实施例1
(1)在基板上形成ITO阴极，并在ITO阴极上旋涂一层氧化锌薄膜，并在85℃下退火20min，形成电子传输层。
(2)称取100mg巯丙基三甲氧基硅烷溶解在10ml的甲苯溶液中，获得粘结剂溶液。
(3)在电子传输层远离阴极的一侧旋涂光刻胶，并在120℃下前烘2min，随后，对光刻胶进行曝光显影，并进行退火处理，在电子传输层像素区以外的区域形成掩膜层。曝光的时间为10s，显影的时间为2min，退火处理的温度为100℃，退火处理的时间为5min。
(4)将设置有掩膜层的电子传输层浸泡在粘结剂溶液中，浸泡30min后取出，并用甲苯冲洗干净，随后进行退火处理，获得覆盖掩膜层以及电子传输层的粘结剂材料层。退火处理的温度为85℃，退火处理的时间为5min。
(5)在粘结剂材料层远离电子传输层以及掩膜层的一侧，旋涂红色量子点材料CdSe/ZnS，静置30min，并退火处理，形成红色量子点材料层，随后，剥离掩膜层，且红色量子点材料层以及粘结剂材料层位于掩膜层上的部分随着掩膜层的剥离被同步去除，以获得粘结剂层以及红色量子点。退火处理的温度为100℃，退火处理的时间为5min。
(6)重复步骤(3)-(5)，获得绿色量子点以及连接绿色量子点和电子传输层的粘结剂层、蓝色量子点以及连接蓝色量子点和电子传输层的粘结剂层。
对比例1
本对比例与实施例1的步骤相同，所不同的是，未在电子传输层和量子点膜层之间形成粘结剂层。
利用荧光显微镜分别对实施例1以及对比例1获得的量子点膜层进行观察，具体的，荧光显微镜使用的参数分别为：汞灯功率为100W，波长选择365nm，选择5倍、10倍、20透镜进行观察，发现对比例1中的量子点膜层脱落严重，膜层残缺不完整，脱落率在20％-90％，实施例1中的量子点膜层无脱落现象。
由此，根据本发明实施例的量子点电致发光器件中的量子点膜层和电子传输层之间具有较强的粘附力，在制备过程中量子点膜层脱落不明显，具有良好的形貌，从而使得量子点电致发光器件具有良好的显示效果。
在本发明的描述中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。另外，需要说明的是，本说明书中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (14)
1.一种量子点电致发光器件，其特征在于，包括：
基板和阴极，所述阴极设置在所述基板上；
电子传输层，所述电子传输层设置在所述阴极远离所述基板的一侧，所述电子传输层包括多个像素区；
粘结剂层，所述粘结剂层设置在所述电子传输层远离所述阴极的一侧；
量子点膜层，所述量子点膜层设置在所述粘结剂层远离所述电子传输层的一侧，所述量子点膜层和所述粘结剂层均位于所述像素区中，
其中，所述粘结剂层通过化学键以及物理缠绕作用的至少之一，分别与所述电子传输层以及所述量子点膜层连接，
构成所述粘结剂层的材料包括硅烷类材料或者亲和素，所述硅烷类材料包括可与所述电子传输层反应的第一官能团，以及可与所述量子点膜层反应的第二官能团，
其中，所述硅烷类材料的所述第一官能团与所述电子传输层通过硅氧键连接，所述硅烷类材料的所述第二官能团与所述量子点膜层通过配位键连接，
或者，所述硅烷类材料与所述量子点膜层通过物理缠绕连接；
所述亲和素含有可与所述电子传输层形成化学键的官能团，以及可与所述量子点膜层形成化学键的官能团。
2.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述第一官能团包括卤原子、羟基、烷基醚键、乙酰氧基、甲氧基、氨基以及亚氨基的至少之一，所述第二官能团包括巯基、氨基、羧基以及甲基的至少之一。
3.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述亲和素包括相连的生物素以及链霉亲和素，所述链霉亲和素含有羟基、氨基，所述生物素含有硫原子、氮原子以及羧基。
4.根据权利要求2所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述硅烷类材料中，主链上原子的个数小于7。
5.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，构成所述电子传输层的材料包括氧化锌、氧化钛以及氧化镍的至少之一。
6.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，进一步包括：
空穴传输层，所述空穴传输层设置在所述量子点膜层远离所述粘结剂层的一侧；
空穴注入层，所述空穴注入层设置在所述空穴传输层远离所述量子点膜层的一侧；
阳极，所述阳极设置在所述空穴注入层远离所述空穴传输层的一侧。
7.一种制作量子点电致发光器件的方法，其特征在于，包括：
在基板上形成阴极；
在阴极远离基板的一侧形成电子传输层，所述电子传输层包括多个像素区；
形成粘结剂层以及量子点膜层，所述粘结剂层设置在所述电子传输层远离所述阴极的一侧，所述量子点膜层设置在所述粘结剂层远离所述电子传输层的一侧，且所述量子点膜层和所述粘结剂层均位于所述像素区中，
其中，所述粘结剂层通过化学键以及物理缠绕作用的至少之一，分别与所述电子传输层以及所述量子点膜层连接，
构成所述粘结剂层的材料包括硅烷类材料或者亲和素，所述硅烷类材料包括可与所述电子传输层反应的第一官能团，以及可与所述量子点膜层反应的第二官能团，
其中，所述硅烷类材料的所述第一官能团与所述电子传输层通过硅氧键连接，所述硅烷类材料的所述第二官能团与所述量子点膜层通过配位键连接，
或者，所述硅烷类材料与所述量子点膜层通过物理缠绕连接；
所述亲和素含有可与所述电子传输层形成化学键的官能团，以及可与所述量子点膜层形成化学键的官能团。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述粘结剂层和所述量子点膜层是通过以下步骤形成的：
在所述电子传输层远离所述阴极的一侧，且位于所述像素区以外的区域上形成掩膜层；
利用浸泡或者旋涂，形成覆盖所述掩膜层以及所述电子传输层的粘结剂材料层；
在所述粘结剂材料层远离所述电子传输层的一侧旋涂量子点材料，并剥离所述掩膜层，以便获得所述粘结剂层以及所述量子点膜层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述粘结剂材料层时，所述浸泡的时间或者所述旋涂的静置时间分别独立的为5-60min。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述旋涂的转速为500-3000rpm。
11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述粘结剂材料层进一步包括：
退火处理，所述退火处理的温度为50-300℃，所述退火处理的时间为5-20min。
12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，用于形成所述粘结剂层的溶液的浓度为10-100mg/ml。
13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述量子点膜层时，所述旋涂的静置时间为5-60min。
14.一种显示装置，其特征在于，包括壳体以及权利要求1-6任一项所述的量子点电致发光器件，所述壳体包括前框以及背板，所述前框以及所述背板构成容纳空间，所述量子点电致发光器件位于所述容纳空间内部，且所述量子点电致发光器件的出光侧远离所述背板设置。
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