CN109037464B - 量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法 - Google Patents
量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109037464B CN109037464B CN201810833743.5A CN201810833743A CN109037464B CN 109037464 B CN109037464 B CN 109037464B CN 201810833743 A CN201810833743 A CN 201810833743A CN 109037464 B CN109037464 B CN 109037464B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- magnetic
- quantum dot
- dot light
- substrate
- emitting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 188
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000009471 action Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 85
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 11
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims description 11
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N ferrosoferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 15
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002122 magnetic nanoparticle Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- XJWSAJYUBXQQDR-UHFFFAOYSA-M dodecyltrimethylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C XJWSAJYUBXQQDR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 2
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 2
- -1 (4-phenyl) (4-butylphenyl) amine Chemical class 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005855 NiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法，属于液晶显示领域。该制备方法包括：提供磁性量子点和磁性阵列基板；在磁性阵列基板的磁力作用下，使分散于溶剂中的磁性量子点吸附在溶剂中的衬底上；除去溶剂，在衬底上形成阵列化的量子点发光层。采用外部磁场来对具有磁性的量子点发光材料进行定向分布，使其聚集在与磁区对应的位置，仅通过提供磁性量子点和磁性阵列基板即可实现量子点发光层阵列化，并且，其操作简单，量子点材料利用率高，对于规模化推广量子点材料的阵列化具有重要的意义。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，特别涉及量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法。
背景技术
量子点发光层基于其高色域被广泛用于量子点发光器件，例如量子点发光二极管，为了实现可控发光，将量子点以阵列化方式形成于量子点发光层内是十分必要的。
相关技术中，通过喷墨打印技术形成阵列化的量子点发光层，具体包括：配制包括以下组分的量子点油墨：量子点、溶剂、粘度调节剂、表面张力调节剂，使形成的量子点油墨满足喷墨打印机对粘度和表面张力的要求，进而通过喷墨打印方式获得阵列化的量子点发光层。
发明人发现现有技术中至少存在以下问题：
量子点油墨须满足喷墨打印机对粘度和表面张力的要求，配制难度较大，且性质不稳定，使得量子点发光层的阵列化制备具有高难度。
发明内容
鉴于此，本发明提供一种量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法。
具体而言，包括以下的技术方案：
一方面，提供了量子点发光层的制备方法，所述制备方法包括：提供磁性量子点和磁性阵列基板；
在所述磁性阵列基板的磁力作用下，使分散于溶剂中的所述磁性量子点吸附在所述溶剂中的衬底上；
除去所述溶剂，在所述衬底上形成阵列化的量子点发光层。
在一种可能的实现方式中，所述在所述磁性阵列基板的磁力作用下，使分散于溶剂中的所述磁性量子点吸附在所述溶剂中的衬底上，包括：
提供反应容器，将所述溶剂和所述衬底置于所述反应容器中；
向所述反应容器中滴加所述磁性量子点，使所述磁性量子点分散于所述溶剂中，随后在所述磁性阵列基板的磁力作用下被吸附在所述衬底上。
在一种可能的实现方式中，所述磁性阵列基板相对于所述衬底固定。
在一种可能的实现方式中，通过控制所述磁性量子点的滴加量，来控制所述量子点发光层的厚度。
在一种可能的实现方式中，所述磁性量子点包括：磁性纳米材料、以及与所述磁性纳米复合的量子点。
在一种可能的实现方式中，所述磁性纳米材料为四氧化三铁；
所述量子点包括：硒化镉类的II-VI族量子点、磷化铟类的III-V族量子点、钙钛矿量子点、或者碳量子点。
在一种可能的实现方式中，所述溶剂为醇类溶剂。
另一方面，提供了一种量子点发光层，所述量子点发光层通过上述的任一种方法制备得到。
再一方面，提供了一种量子点发光器件，所述量子点发光器件包括上述的量子点发光层。
还一方面，提供了一种量子点发光器件的制备方法，所述制备方法包括：提供衬底；
按照上述量子点发光层的制备方法，在所述衬底上形成量子点发光层；
在所述量子点发光层上形成其他功能层。
本发明实施例提供的技术方案的有益效果至少包括：
本发明实施例提供的量子点发光层的制备方法，利用磁性阵列基板来对磁性量子点进行定向分布，使其阵列化，形成阵列化的量子点发光层。可见，该方法采用外部磁场来对具有磁性的量子点发光材料进行定向分布，使其聚集在与磁区对应的位置，仅通过提供磁性量子点和磁性阵列基板即可实现量子点发光层阵列化，并且，其操作简单，量子点材料利用率高，对于规模化推广量子点材料的阵列化具有重要的意义。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的用于示意量子点发光层在磁力作用下定向分布的荧光图片；
图2为本发明实施例提供的用于示意量子点发光层在磁力作用下聚集的荧光图片。
具体实施方式
为使本发明的技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
一方面，本发明实施例提供了量子点发光层的制备方法，该制备方法包括：提供磁性量子点和磁性阵列基板。
在磁性阵列基板的磁力作用下，使分散于溶剂中的磁性量子点吸附在溶剂中的衬底上。
除去溶剂，在衬底上形成阵列化的量子点发光层。
本发明实施例提供的量子点发光层的制备方法，利用磁性阵列基板来对磁性量子点进行定向分布，使其阵列化，形成阵列化的量子点发光层。可见，该方法采用外部磁场来对具有磁性的量子点发光材料进行定向分布，使其聚集在与磁区对应的位置，仅通过提供磁性量子点和磁性阵列基板即可实现量子点发光层阵列化，并且，其操作简单，量子点材料利用率高，对于规模化推广量子点材料的阵列化具有重要的意义。
需要说明的是，本发明实施例所涉及的磁性阵列基板，具有多个磁区和多个非磁区，并且磁区和非磁区配合形成特定的阵列结构，该阵列结构根据实际发光需求来确定。举例来说，磁区和非磁区可配合成棋盘格状阵列结构、竖排状阵列结构、圆环状阵列结构等。
磁区和非磁区可分别以具有磁性和非磁性的板体存在，并且，它们可通过粘接、焊接等方式结合在一起，或者，还可以提供基板，在其对应的磁区设置磁性板体，以及在其对应的非磁区设置非磁性板体，以形成磁性阵列基板。其中，该设置方式可以为粘接、卡接、插接等，优选采用可拆卸的插接等方式，以便于在基板上调整阵列结构。
另外，磁性阵列基板所形成的磁场强度以确保分散于溶剂中的磁性量子点尽可能全部吸附于衬底上即可，可通过正交试验的方式来确定所需要的磁场强度，进而提供具有对应磁场强度的磁性阵列基板。
具体地，在磁性阵列基板的磁力作用下，使分散于溶剂中的磁性量子点吸附在溶剂中的衬底上，包括：提供反应容器，将溶剂和衬底置于反应容器中，向反应容器中滴加磁性量子点，使磁性量子点分散于溶剂中，随后在磁性阵列基板的磁力作用下被吸附在衬底上。
通过向反应容器中滴加磁性量子点的方式，使其吸附于衬底上，该方式对量子点发光层的厚度形成可控性强，利于获得期望厚度的量子点发光层。其中，可通过滴管进行上述滴加，并且磁性量子点的滴加速度可控制在0.1-0.5毫升/秒。以上操作过程在常温下即可进行。
可以理解的是，磁性量子点与衬底之间的吸附机理是：磁场对各种金属都有作用力，没有例外，以此将金属分为三种：顺磁体、逆磁体和铁磁体，顺磁体可被磁铁轻微吸引，逆磁体会被磁铁轻微排斥，铁磁体会被磁铁强烈吸引。以四氧化三铁举例来说，其是铁的氧化物，具有铁磁性，靠近磁性阵列基板上的磁铁时会被强烈吸引，从而形成与磁性阵列基板对应的阵列。
为了确保量子点发光层的阵列化的精确性，使磁性阵列基板相对于衬底固定。对于实现两者相对固定的方式，以下给出示例说明：
作为一种示例，可以将磁性阵列基板设置于反应容器底部下方，使反应容器座于磁性阵列基板上保持固定，以确保其内部的衬底与磁性阵列基板之间的相对固定。进一步地，可通过定位件将磁性阵列基板与反应容器进行固定，并且，该定位件可以为开设于磁性阵列基板上的定位槽，或者，将磁性阵列基板与反应容器进行绑接的弹性绳等。
作为另一种示例，可以将磁性阵列基板与衬底直接绑定，一同置于反应容器中，举例来说，通过卡扣将两者的边缘对接，或者，直接将两者粘接等。
在磁性量子点滴加过程中，通过控制磁性量子点的滴加量，来控制量子点发光层的厚度，可以理解的是，磁性量子点的滴加量越多，所形成的量子点发光层的厚度就越厚。磁性量子点的滴加量可通过每次滴加体积或者滴加时间来控制，本发明实施例在此对其不作详述。
本发明实施例中，所使用的磁性量子点至少具有以下功能：量子点发光功能和磁性。作为一种示例，可通过将磁性纳米材料和量子点进行复合(也称为自组装)，来获得上述磁性量子点。即，磁性量子点包括：磁性纳米材料、以及与磁性纳米复合的量子点。所使用的磁性纳米材料的粒径一般控制在5-20nm之间。
举例来说，磁性纳米材料可包括：四氧化三铁，量子点包括：硒化镉类的II-VI族量子点(例如硒化镉)、磷化铟类的III-V族量子点、钙钛矿量子点、或碳量子点。
以四氧化三铁和硒化镉构成的磁性量子点举例来说，可以选择四氧化三铁作为内核，而硒化镉包覆在四氧化三铁外部，形成核壳结构的磁性量子点。该磁性量子点的制备过程为本领域所常见的，举例来说，可如下所示：将硒化镉量子点与磁性纳米粒子四氧化三铁混合在溶剂中，溶剂中含有有机配体十二烷基三甲基溴化铵(简称DTAB)，在有机配体作用下，量子点与磁性纳米粒子发生自组装，形成以磁性四氧化三铁作为内核，而硒化镉包覆在四氧化三铁外部的复合磁性量子点。进一步地，为了改善磁性量子点的溶解性，可以在其表面引入聚乙烯吡咯烷酮(简称PVP)作为配体。本发明实施例中，量子点的质量可以大于磁性纳米粒子的质量，例如两者的质量比可以为1.5-10:1等。
溶剂，在本发明实施例中用作分散剂，以将磁性量子点均匀分散，形成厚度均一的量子点发光层。考虑到醇类具有挥发性好(便于去除)，毒性好(环保)，表面张力低(易于分散)等优点，所使用的溶剂可以为醇类溶剂，例如乙醇、甲醇、丙醇等。
在一种可能的实现方式中，在反应容器的下部设置磁性阵列基板，并通过向含有乙醇溶剂和衬底的反应容器中滴加磁性量子点，该磁性量子点采用四氧化三铁和硒化镉复合构成。如附图1所示，利用磁性阵列基板可对磁性量子点进行定向分布，如附图2所示，该磁性阵列基板提供外部磁场来对具有磁性的量子点发光材料进行定向分布，使其聚集在与磁区对应的位置。
待磁性量子点以阵列化方式吸附于衬底上之后，除去溶剂，并可干燥衬底及其上的磁性量子点，以在衬底上形成阵列化的量子点发光层。该干燥过程可以通过自然风干的方式，也可通过置于干燥箱中的方式进行。
上述提及，将量子点发光层形成于衬底上，其中，该衬底可以是不具有功能层的衬底，例如玻璃，或者是具有部分功能层的衬底，例如，透明导电电极，例如氧化铟锡(简称ITO)，或者，进一步地在透明导电电极上形成有空穴传输层或电子传输层的衬底。
另一方面，基于上述制备方法，本发明实施例还提供了一种量子点发光层，该量子点发光层通过上述的任一种方法制备得到。
再一方面，本发明实施例还提供了一种量子点发光器件，该量子点发光器件包括上述的量子点发光层。
该量子点发光器件采用了上述阵列化量子点发光层，能够可控发光，对于提高发光效率具有重要的意义。
其中，量子点发光器件可以为量子点发光二极管。考虑到其还可包括其他功能层，并且基于功能层的排布方式不同，所形成的量子点发光器件的器件也有所不同，以下分别给予阐述：
作为示例一，该量子点发光器件包括：在衬底上依次层叠的透明导电电极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、金属电极。此时，该量子点发光器件为正式电致发光器件。
作为示例二，该量子点发光器件包括：在衬底上依次层叠的透明导电电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、金属电极。此时，该量子点发光器件为倒置式电致发光器件。
作为示例三，该量子点发光器件包括：在衬底上依次层叠的透明导电电极、量子点发光层、金属电极。此时，该量子点发光器件为无传输层结构的电致发光器件。
其中，上述各量子点发光器件中，所涉及的空穴传输层可以为PEDOT:PSS(其中，PEDOT是EDOT(3，4-乙烯二氧噻吩单体)的聚合物，PSS是聚苯乙烯磺酸盐。)、PVK(聚乙烯基咔唑)、Poly-TPD(聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺])、TFB(聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺))、CBP(4,4′-N,N′-dicarbazole-biphenyl)、或者NiOx等。
所涉及的透明导电电极可以为ITO(氧化铟锡)、FTO(掺杂氟的SnO2透明导电玻璃(SnO2：F))、或者银纳米线网络等。
所涉及的电子传输层可以为ZnO、ZnMgO、ZnAlO等无机纳米粒子，或电子传输性有机小分子，如TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)等。
所涉及的金属电极的电极材料可以为金Au、银Ag、铝Al等。
还一方面，本发明实施例还提供了一种量子点发光器件的制备方法，该制备方法包括：提供衬底；按照上述的制备量子点发光层的方法，在衬底上形成量子点发光层；在量子点发光层上形成其他功能层。
可以理解的是，根据衬底的成分，来确定其他功能层的具体成分，以下分别结合不同量子点发光器件的制备方法分别给予阐述：
针对示例一所涉及的量子点发光器件，所涉及的制备方法包括：提供衬底，该衬底包括：设置有空穴传输层的透明导电电极；
按照制备量子点发光层的阵列化制备方法，在空穴传输层上形成量子点发光层；
在量子点发光层上形成电子传输层；
在电子传输层上形成金属电极。
其中，设置有空穴传输层的透明导电电极可通过下述方法制备得到：将用于制备空穴传输层的材料，通过旋涂、蒸镀、溅射等方法沉积在透明导电电极上，形成空穴传输层。
此时，电子传输层和金属电极即为上述的“其他功能层”。
针对示例二所涉及的量子点发光器件，所涉及的制备方法包括：提供衬底，该衬底包括：设置有电子传输层的透明导电电极；
按照制备量子点发光层的阵列化制备方法，在电子传输层上形成量子点发光层；
在量子点发光层上形成空穴传输层；
在空穴传输层上形成金属电极。
可以理解的是，示例二所涉及的量子点发光器件的具体制备步骤与示例一的具体制备步骤基本相同，区别在于将空穴传输层和电子传输层对调即可。
此时，空穴传输层和金属电极即为上述的“其他功能层”。
针对示例三所涉及的量子点发光器件，所涉及的制备方法可包括：提供衬底，该衬底包括：透明导电电极；
按照制备量子点发光层的阵列化制备方法，在透明导电电极形成量子点发光层；
在量子点发光层上形成金属电极。
此时，金属电极即为上述的“其他功能层”。
以上所述仅是为了便于本领域的技术人员理解本发明的技术方案，并不用以限制本发明。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供磁性量子点和磁性阵列基板；
在所述磁性阵列基板的磁力作用下，使分散于溶剂中的所述磁性量子点吸附在所述溶剂中的衬底上；
除去所述溶剂，在所述衬底上形成阵列化的量子点发光层。
2.根据权利要求1所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述在所述磁性阵列基板的磁力作用下，使分散于溶剂中的所述磁性量子点吸附在所述溶剂中的衬底上，包括：
提供反应容器，将所述溶剂和所述衬底置于所述反应容器中；
向所述反应容器中滴加所述磁性量子点，所述磁性量子点分散于所述溶剂中，随后在所述磁性阵列基板的磁力作用下被吸附在所述衬底上。
3.根据权利要求2所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述磁性阵列基板相对于所述衬底固定。
4.根据权利要求2所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，通过控制所述磁性量子点的滴加量，来控制所述量子点发光层的厚度。
5.根据权利要求1-4任一项所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述磁性量子点包括：磁性纳米材料、以及与所述磁性纳米材料复合的量子点。
6.根据权利要求5所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述磁性纳米材料为四氧化三铁；
所述量子点包括：硒化镉类的II-VI族量子点、磷化铟类的III-V族量子点、钙钛矿量子点、或者碳量子点。
7.根据权利要求5所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述溶剂为醇类溶剂。
8.一种量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层通过权利要求1-7任一项所述的方法制备得到。
9.一种量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件包括权利要求8所述的量子点发光层。
10.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供衬底；
按照权利要求1-7任一项所述的方法，在所述衬底上形成量子点发光层；
在所述量子点发光层上形成其他功能层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810833743.5A CN109037464B (zh) | 2018-07-26 | 2018-07-26 | 量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810833743.5A CN109037464B (zh) | 2018-07-26 | 2018-07-26 | 量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109037464A CN109037464A (zh) | 2018-12-18 |
| CN109037464B true CN109037464B (zh) | 2020-06-23 |
Family
ID=64646509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810833743.5A Expired - Fee Related CN109037464B (zh) | 2018-07-26 | 2018-07-26 | 量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109037464B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110164947B (zh) | 2019-06-12 | 2021-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| CN110600625B (zh) * | 2019-08-26 | 2020-12-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种发光器件及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014175485A1 (ko) * | 2013-04-25 | 2014-10-30 | 동우화인켐 주식회사 | 광학 적층체 |
| CN105428552A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-03-23 | 昆山国显光电有限公司 | Oled器件发光层形成方法 |
| CN105679806A (zh) * | 2016-04-13 | 2016-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其母板、制备方法、柔性显示面板及其母板 |
| CN106784360A (zh) * | 2017-01-20 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管器件及其封装方法、封装设备 |
| CN107394062A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100996374B1 (ko) * | 2008-02-25 | 2010-11-24 | 한국과학기술연구원 | 광 여기 발광시트 및 그의 제조방법 |
-
2018
- 2018-07-26 CN CN201810833743.5A patent/CN109037464B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014175485A1 (ko) * | 2013-04-25 | 2014-10-30 | 동우화인켐 주식회사 | 광학 적층체 |
| CN105428552A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-03-23 | 昆山国显光电有限公司 | Oled器件发光层形成方法 |
| CN105679806A (zh) * | 2016-04-13 | 2016-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其母板、制备方法、柔性显示面板及其母板 |
| CN106784360A (zh) * | 2017-01-20 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管器件及其封装方法、封装设备 |
| CN107394062A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109037464A (zh) | 2018-12-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Xuan et al. | Inkjet-printed quantum dot color conversion films for high-resolution and full-color micro light-emitting diode displays | |
| CN111607234B (zh) | 一种量子点组合物及其制备方法、量子点图案化方法以及图案化量子点固态膜 | |
| Liu et al. | Efficient all-solution processed quantum dot light emitting diodes based on inkjet printing technique | |
| CN108389785B (zh) | 一种转印基板、显示基板、显示面板及其制作方法 | |
| JP6223417B2 (ja) | 異方性平坦コロイド半導体ナノ結晶を含む発光素子およびその製造方法 | |
| CN109037464B (zh) | 量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法 | |
| CN109698215B (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| TW201947006A (zh) | 量子點材料及其製備方法 | |
| CN112599714B (zh) | 一种转印图案化量子点制备纳米led的方法 | |
| CN105870346A (zh) | Led显示屏的制造方法和led显示屏 | |
| US20220277983A1 (en) | Method for manufacturing display device, and transfer substrate for manufacturing display device | |
| CN105449110A (zh) | 基于有机无机复合传输层的量子点发光二极管及制备方法 | |
| CN109686864A (zh) | 有机发光装置、显示装置 | |
| US11312898B2 (en) | Quantum dot and preparation method thereof | |
| KR101863277B1 (ko) | 양자점 실리카복합체를 구비하는 디스플레이용 부품, 및 이를 포함하는 디스플레이 | |
| CN113314678B (zh) | 量子点发光器件、其制作方法及显示装置 | |
| CN100557845C (zh) | 一种场致发光器件及其制造方法 | |
| Ishida et al. | How NanoLED Will Enable Next‐Generation Displays | |
| CN114479560A (zh) | 一种纳米晶喷墨打印墨水、制备方法及应用 | |
| CN113314675B (zh) | 一种量子点发光器件及制备方法、显示装置 | |
| CN108054285B (zh) | 量子点薄膜的制备方法、电致发光器件及其制备方法 | |
| Okamoto et al. | 61‐1: Invited Paper: Development of Active‐Matrix nanoLED Display with Cadmium Free QDs Patterned by Photolithography Process in the Atmosphere | |
| CN113054115A (zh) | 量子点发光二极管的制备方法 | |
| CN113122241A (zh) | 量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管和发光装置 | |
| CN111816780B (zh) | 一种电致发光器件及其制备方法、显示装置及照明装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20200623 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |