CN106374056A - Qled显示面板制造方法及qled显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种QLED显示面板制造方法，其包括，提供一反应池，反应池包括三个反应槽，且每个反应槽收容具有不同颜色的量子点溶液；将设有像素电极及空穴传输层的基板放入一个反应槽，并根据反应槽内的量子点颜色对相应的像素电极进行通电，形成相应的第一发光层薄膜，对形成第一发光层薄膜的基板进行清洗烘干；将形成第一发光层薄膜的基板分别放入另外两个反应槽，并重复以上两个步骤，依次形成第二发光层薄膜和第三发光层薄膜；采用蒸镀法，在第一、二第三发光层薄膜上依次形成电子传输层和阴极。

Description

QLED显示面板制造方法及QLED显示器
技术领域
本发明涉及液晶面板制造技术领域，尤其涉及一种QLED显示面板制造方法及QLED显示器。
背景技术
量子点发光二极管(QLED)因具有色域广、色纯度高、低功耗、低成本、稳定性好，被誉为继OLED之后新一代显示技术，被逐渐用于液晶显示器中提高像素色彩。
目前制备QLED器件主要有两种方法，一种是采用旋涂法，第二种是喷墨打印，虽然旋涂法制备工艺简单，但是无法实现大面积均匀成膜和全彩显示；喷墨打印虽然可以实现全彩显示，但是受量子点墨水的制约，该方法一直发展缓慢。
发明内容
本发明提供一种QLED显示面板制造方法，可以实现大面积显示。
本发明提供一种QLED显示面板制造方法，包括，提供一反应池，反应池包括三个反应槽，且每个反应槽收容具有不同颜色的量子点溶液；
将设有像素电极及空穴传输层的基板放入一个反应槽，并根据反应槽内的量子点颜色对相应的像素电极进行通电，形成相应的第一发光层薄膜，
对形成第一发光层薄膜的基板进行清洗烘干；
将形成第一发光层薄膜的基板分别放入另外两个反应槽，并重复以上两个步骤，依次形成第二发光层薄膜和第三发光层薄膜；
采用蒸镀法，在第一、二第三发光层薄膜上依次形成电子传输层和阴极。
其中，所述第一发光层薄膜、第二发光层薄膜和第三发光层薄膜的颜色分别为红色发光层薄膜、绿色发光层薄膜和蓝色发光层薄膜。
其中，所述第一发光层薄膜、第二发光层薄膜和第三发光层薄膜的厚度通过通电时间控制。
其中，将形成第一发光层薄膜的基板分别放入另外两个反应槽，并重复以上两个步骤，依次形成第二发光层薄膜和第三发光层薄膜的步骤包括：将形成第一发光层薄膜的基板放入另一反应槽并根据该反应槽内的量子点颜色对相应的像素电极进行通电，形成所述第二发光层薄膜，对所基板进行清洗烘干。
其中，将形成第一发光层薄膜的基板分别放入另外两个反应槽，并重复以上两个步骤，依次形成第二发光层薄膜和第三发光层薄膜的步骤包括：将具有第一、第二发光层薄膜的基板放入第三个反应槽并根据该反应槽内的量子点颜色对相应的像素电极进行通电，形成所述第三发光层薄膜，对所基板进行清洗烘干。
其中，所述量子点溶液内的量子点由发光核，半导体壳和有机配体构成。
其中，所述有机配体为具有电化学活性的有机分子。
其中，所述量子点溶液包括所述量子点和电解液。
其中，所述空穴传输层为可交联的有机材料，且不溶于所述量子点溶液。
其中，所述三个反应槽内的量子点溶液分别为红色量子点溶液、绿色量子点溶液及蓝色量子点溶液。
本发明QLED显示面板制造方法采用电化学聚合原理，通过基板中不同像素区域电极的通断电状态，诱导溶液中QDs分子定向沉积在像素电极上，从而制备出全彩量子点发光层实现大面积显示的优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明所述的QLED显示面板制造方法流程图。
图2-图5为图1所述的QLED显示面板制造方法步骤示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1与图2，本发明提供一种QLED显示面板制造方法，其包括，
步骤S1，提供一反应池10，反应池包括三个反应槽，且每个反应槽收容具有不同颜色的量子点溶液。本实施例中，三个反应槽分别为第一反应槽11、第二反应槽12、第三反应槽13。可以理解，三个反应槽为独立设置。第一反应槽11、第二反应槽12、第三反应槽13分别装有红色量子点溶液111、绿色量子点溶液121及蓝色量子点溶液131。
本实施例中，所述量子点溶液包括所述量子点和电解液。所述量子点溶液内的量子点由发光核，半导体壳和有机配体构成。所述有机配体为具有电化学活性的有机分子。
请参阅图3，步骤S2，将设有像素电极21及空穴传输层的基板20放入一个反应槽，并根据反应槽内的量子点颜色对相应的像素电极21进行通电，形成相应的第一发光层薄膜123。本实施例中，述第一发光层薄膜为红色发光层薄膜。像素电极分别对应红色子像素、绿色子像素及蓝色子像素。其它实施例中也可以包括白色子像素。
本实施例中，所述基板20为TFT(Thin Film Transistor)阵列基板，其设有对应矩阵排列像素区域的像素电极。所述空穴传输层为可交联的有机材料，且不溶于所述量子点溶液。本步骤的反应槽至所述第一反应槽11，将基板20放入第一反应槽11，由于该反应槽的电的溶液为红色量子点溶液111，所以将基板上的红色相应的像素电极通电，所述电解液中包覆有机配体的量子点向所述像素电极运动，并且在有机溶剂中具有较好的的溶解性，且不参与电化学聚合反应。量子点在像素电极表面发生与空穴传输材料发生化学偶联反应，形成量子点发光像素点，即发光层薄膜，也就是红色子像素。
步骤S3，对形成第一发光层薄膜123的基板20进行清洗烘干。
参阅图4与图5，步骤S4，将形成第一发光层薄膜的基板20分别放入另外两个反应槽，并重复以上两个步骤，依次形成第二发光层薄膜和第三发光层薄膜。本实施例中，第二发光层薄膜和第三发光层薄膜的颜色分别为绿色发光层薄膜和蓝色发光层薄膜。
本步骤包括：将形成第一发光层薄膜的基板20放入另一反应槽并根据该反应槽内的量子点颜色对相应的像素电极进行通电，形成所述第二发光层薄膜124，对所基板进行清洗烘干。本步骤的反应槽为所述第二反应槽12，通电的像素电极与绿色相对应，形成的第二发光层薄膜124为绿色子像素。
然后，再将具有第一发光层薄膜123、第二发光层薄膜124的基板20放入第三个反应槽13并根据该反应槽内的量子点颜色对相应的像素电极进行通电，形成所述第三发光层薄膜125，对所基板进行清洗烘干。本步骤的反应槽为所述第三反应槽13，通电的像素电极21与蓝色相对应，形成的第三发光层薄膜124为蓝色子像素。
步骤S5，采用蒸镀法，在量子点发光层上也就是第一发光层薄膜123、第二发光层薄膜124和第三发光层薄膜125依次形成电子传输层和阴极(图未标)。
所述第一发光层薄膜123、第二发光层薄膜124和第三发光层薄膜125的厚度通过通电时间控制。
本发明QLED显示面板制造方法采用电化学聚合原理，通过基板中不同像素区域电极的通断电状态，诱导溶液中QDs分子定向沉积在像素电极上，从而制备出全彩量子点发光层。该方法具有工艺简单，生产成本低、材料利用率高，并且能够制备高分辨率、大面积显示的优点。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种QLED显示面板制造方法，其特征在于，包括，提供一反应池，反应池包括三个反应槽，且每个反应槽收容具有不同颜色的量子点溶液；
将设有像素电极及空穴传输层的基板放入一个反应槽，并根据反应槽内的量子点颜色对相应的像素电极进行通电，形成相应的第一发光层薄膜，
对形成第一发光层薄膜的基板进行清洗烘干；
将形成第一发光层薄膜的基板分别放入另外两个反应槽，并重复以上两个步骤，依次形成第二发光层薄膜和第三发光层薄膜；
采用蒸镀法，在第一、二第三发光层薄膜上依次形成电子传输层和阴极。
2.如权利要求1所述的一种QLED显示面板制造方法，其特征在于，所述第一发光层薄膜、第二发光层薄膜和第三发光层薄膜的颜色分别为红色发光层薄膜、绿色发光层薄膜和蓝色发光层薄膜。
3.如权利要求1所述的一种QLED显示面板制造方法，其特征在于，所述第一发光层薄膜、第二发光层薄膜和第三发光层薄膜的厚度通过通电时间控制。
4.如权利要求1所述的一种QLED显示面板制造方法，其特征在于，将形成第一发光层薄膜的基板分别放入另外两个反应槽，并重复以上两个步骤，依次形成第二发光层薄膜和第三发光层薄膜的步骤包括：将形成第一发光层薄膜的基板放入另一反应槽并根据该反应槽内的量子点颜色对相应的像素电极进行通电，形成所述第二发光层薄膜，对所基板进行清洗烘干。
5.如权利要求1所述的一种QLED显示面板制造方法，其特征在于，将形成第一发光层薄膜的基板分别放入另外两个反应槽，并重复以上两个步骤，依次形成第二发光层薄膜和第三发光层薄膜的步骤包括：将具有第一、第二发光层薄膜的基板放入第三个反应槽并根据该反应槽内的量子点颜色对相应的像素电极进行通电，形成所述第三发光层薄膜，对所基板进行清洗烘干。
6.如权利要求1所述的一种QLED显示面板制造方法，其特征在于，所述量子点溶液内的量子点由发光核，半导体壳和有机配体构成。
7.如权利要求6所述的一种QLED显示面板制造方法，其特征在于，所述有机配体为具有电化学活性的有机分子。
8.如权利要求6所述的一种QLED显示面板制造方法，其特征在于，所述量子点溶液包括所述量子点和电解液。
9.如权利要求1所述的一种QLED显示面板制造方法，其特征在于，所述空穴传输层为可交联的有机材料，且不溶于所述量子点溶液。
10.如权利要求1所述的一种QLED显示面板制造方法，其特征在于，所述三个反应槽内的量子点溶液分别为红色量子点溶液、绿色量子点溶液及蓝色量子点溶液。
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