CN114171708A - Qled显示面板的制备方法及qled显示面板 - Google Patents

Qled显示面板的制备方法及qled显示面板 Download PDF

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CN114171708A CN202111484789.9A CN202111484789A CN114171708A CN 114171708 A CN114171708 A CN 114171708A CN 202111484789 A CN202111484789 A CN 202111484789A CN 114171708 A CN114171708 A CN 114171708A
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陈黎暄
石志清
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Abstract

本申请实施例提供一种QLED显示面板的制备方法及QLED显示面板。本申请实施例提供的QLED显示面板的制备方法，通过采用电沉积的方法制备第一传输层、量子点层和第二传输层，能够使第一传输层、量子点层和第二传输层分别形成厚度均匀的膜层，解决了喷墨打印制程中出现的咖啡环效应导致膜层厚度不均匀的问题，并且该制备方法还具有加工方便、节省原材料、加工效率高、成本低等优点。

Description

QLED显示面板的制备方法及QLED显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种QLED显示面板的制备方法及QLED显示面板。
背景技术
QDs也称半导体纳米晶(nanocrystals，NCs)，是指三维受限的纳米材料，其半径小于或接近于激子波尔半径，具有大小可调的带隙、较长的载流子寿命和可溶液加工的特性，因此QDs是一种很有前景的功能材料，在发展低成本和高性能光电探测器方面具有很大的潜力。
在众多下一代发光显示器设备中，量子点发光二极管(QLED，Quantum Dot LightEmitting Diodes)具有独特的优势，如色域宽、纯度高、亮度高、电压低、外观极薄等，因此具有极大的发展前景。目前，QLED通常采用喷墨印刷工艺制备，但是该技术还处于刚刚起步阶段，喷墨打印过程中存在咖啡环效应、造成膜层不均匀等问题。
发明内容
本申请实施例提供一种QLED显示面板的制备方法及QLED显示面板，以解决喷墨打印制程中出现的咖啡环效应导致膜层厚度不均匀的问题。
第一方面，本申请实施例提供一种QLED显示面板的制备方法，包括：
提供驱动基板，所述驱动基板包括基底以及设于所述基底上的第一电极；
提供第一溶液，所述第一溶液包括第一传输材料和第一溶剂，对所述第一电极施加电场的同时，在所述第一电极远离所述基底的一侧施加所述第一溶液，在电场作用下，所述第一溶液中的所述第一传输材料沉积在所述第一电极上，形成第一传输层；
提供第二溶液，所述第二溶液包括量子点材料和第二溶剂，对所述第一电极施加电场的同时，在所述第一传输层远离所述第一电极的一侧施加所述第二溶液，在电场作用下，所述第二溶液中的所述量子点材料沉积在所述第一传输层上，形成量子点层；
提供第三溶液，所述第三溶液包括第二传输材料和第三溶剂，对所述第一电极施加电场的同时，在所述量子点层远离所述第一传输层的一侧施加所述第三溶液，在电场作用下，所述第三溶液中的所述第二传输材料沉积在所述量子点层上，形成第二传输层；
在所述第二传输层远离所述量子点层的一侧形成第二电极。
在一些实施例中，所述第一电极为阴极，所述第一传输材料为电子传输材料，所述第二传输材料为空穴传输材料，所述第二电极为阳极；或者
所述第一电极为阳极，所述第一传输材料为空穴传输材料，所述第二传输材料为电子传输材料，所述第二电极为阴极。
在一些实施例中，所述电子传输材料包括ZnO、ZnMgO、ZnAlO、ZnGaO、ZnInO、TiO2和SnO2中的一种或多种，所述空穴传输材料包括NiO、MoO3、V2O5、WOx和CuxO中的一种或多种，所述WOx和所述CuxO中，x为大于0的数值。
在一些实施例中，当所述第一传输材料为电子传输材料，所述第二传输材料为空穴传输材料时，所述第一溶液中所述第一传输材料的浓度为5mg/mL～50mg/mL，所述第一传输层的厚度为10nm～100nm；所述第三溶液中所述第二传输材料的浓度为10mg/mL～100mg/mL，所述第二传输层的厚度为20nm～100nm；
当所述第一传输材料为空穴传输材料，所述第二传输材料为电子传输材料时，所述第一溶液中所述第一传输材料的浓度为10mg/mL～100mg/mL，所述第一传输层的厚度为20nm～100nm；所述第三溶液中所述第二传输材料的浓度为5mg/mL～50mg/mL，所述第二传输层的厚度为10nm～100nm。
在一些实施例中，所述第二溶液中所述量子点材料的溶度为10mg/mL～50mg/mL，所述量子点层的厚度为10nm～50nm。
在一些实施例中，所述第一传输材料的表面、所述量子点材料的表面以及所述第二传输材料的表面均修饰有配体，以使所述第一传输材料、所述量子点材料以及所述第二传输材料携带正电荷或负电荷；
所述配体包括正辛硫醇、三辛基膦、PEG-COOH、聚乙二醇、聚乙二醇衍生物、聚硅氧烷、聚硅氧烷衍生物、聚乙烯咔唑、聚乙烯咔唑衍生物、聚乙烯醇、聚乙烯醇衍生物、辛硫醇、十二硫醇、苯硫醇、1，2-苯硫醇、1，3-苯硫醇、1，4-苯硫醇、1，2-乙二硫醇、3-巯基丙酸、油酸、1，2-乙二胺、辛胺、油胺、三正辛基膦、三丁基膦、硫氰酸铵、四丁基碘化铵、四丁基溴化铵、四丁基氯化铵、四丁基氟化铵、有机硫酸盐、十六烷基三甲基溴化铵、金属皂、有机胺、有机磷酸盐和磷酸酯类表面活性剂中的一种或多种。
在一些实施例中，所述量子点材料包括Ⅳ族量子点、Ⅱ-Ⅴ族量子点、Ⅳ-Ⅵ族量子点、Ⅲ-Ⅵ族量子点、Ⅰ-Ⅵ族量子点、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元量子点、金属卤化物钙钛矿族量子点以及石墨烯量子点中的一种或多种。
在一些实施例中，所述Ⅳ族量子点包括Si、Ge、GeSn中的一种或多种，所述Ⅱ-Ⅴ族量子点包括InAs和InSb中的一种或多种，所述Ⅳ-Ⅵ族量子点包括PbS、PbSe和PbTe中的一种或多种，所述Ⅲ-Ⅵ族量子点包括HgCdTe、HgSe和HgTe中的一种或多种，所述Ⅰ-Ⅵ族量子点包括Ag2S和Ag2Se中的一种或多种，所述Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元量子点包括CuInS2、InGaAs、CuInSe2、AgBiS2和AAgInSe2中的一种或多种，所述金属卤化物钙钛矿量子点包括CsSnI3、CsSnxPb1-x、FAPbI3和CsxFA1-xPbI3中的一种或多种，所述CsSnxPb1-x和所述CsxFA1-xPbI3中，x为大于0小于1的数值。
在一些实施例中，所述第一溶剂和所述第三溶剂均为极性溶剂，所述第二溶剂为非极性溶剂；或者
所述第一溶剂和所述第三溶剂均为非极性溶剂，所述第二溶剂为极性溶剂。
第二方面，本申请实施例提供一种QLED显示面板，采用如上所述的制备方法制得。
本申请实施例提供的QLED显示面板的制备方法，通过采用电沉积的方法制备第一传输层、量子点层和第二传输层，能够使第一传输层、量子点层和第二传输层分别形成厚度均匀的膜层，解决了喷墨打印制程中出现的咖啡环效应导致膜层厚度不均匀的问题，并且该制备方法还具有加工方便、节省原材料、加工效率高、成本低等优点。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的QLED显示面板的制备方法的流程图。
图2为本申请实施例提供的驱动基板的结构示意图。
图3A为本申请实施例提供的在蓝色子像素区制备第一传输层的示意图。
图3B为本申请实施例提供的在绿色子像素区制备第一传输层的示意图。
图3C为本申请实施例提供的在红色子像素区制备第一传输层的示意图。
图4A为本申请实施例提供的在蓝色子像素区制备量子点层的示意图。
图4B为本申请实施例提供的在绿色子像素区制备量子点层的示意图。
图4C为本申请实施例提供的在红色子像素区制备量子点层的示意图。
图5为本申请实施例提供的制备第二传输层的示意图。
图6为本申请实施例提供的制备第二电极的示意图暨本申请实施例提供的QLED显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的QLED显示面板的制备方法的流程图。本申请实施例提供一种QLED显示面板的制备方法，包括：
100，请参阅图2，提供驱动基板10，驱动基板10包括基底11以及设于基底11上的第一电极51。
200，请参阅图3A至图3B，提供第一溶液，第一溶液包括第一传输材料和第一溶剂，对第一电极51施加电场的同时，在第一电极51远离基底11的一侧施加第一溶液，在电场作用下，第一溶液中的第一传输材料沉积在第一电极51上，形成第一传输层61。
需要说明的是，第一溶液中的第一传输材料携带的电荷与电场的电性方向相反，也即是说，当第一传输材料携带正电荷时，对第一电极51施加负电压，当第一传输材料携带负电荷时，对第一电极51施加正电压，从而可以使第一传输材料在电场的作用下沉积在第一电极51上形成第一传输层61。
300，请参阅图4A至图4B，提供第二溶液，第二溶液包括量子点材料和第二溶剂，对第一电极51施加电场的同时，在第一传输层61远离第一电极51的一侧施加第二溶液，在电场作用下，第二溶液中的量子点材料沉积在第一传输层61上，形成量子点层70。
需要说明的是，第二溶液中的量子点材料携带的电荷与电场的电性方向相反，也即是说，当量子点材料携带正电荷时，对第一电极51施加负电压，当量子点材料携带负电荷时，对第一电极51施加正电压，从而可以使第一传输材料在电场的作用下沉积在第一传输层61上形成量子点层70。
400，请参阅图5，提供第三溶液，第三溶液包括第二传输材料和第三溶剂，对第一电极51施加电场的同时，在量子点层70远离第一传输层61的一侧施加第三溶液，在电场作用下，第三溶液中的第二传输材料沉积在量子点层70上，形成第二传输层62。
需要说明的是，第三溶液中的第二传输材料携带的电荷与电场的电性方向相反，也即是说，当第二传输材料携带正电荷时，对第一电极51施加负电压，当第二传输材料携带负电荷时，对第一电极51施加正电压，从而可以使第一传输材料在电场的作用下沉积在量子点层70上形成第二传输层62。
500，请参阅图6，在第二传输层62远离量子点层70的一侧形成第二电极52。
示例性地，基底11可以为TFT基板，TFT基板可以包括衬底以及位于衬底上的TFT器件，第一电极51与TFT器件电性连接。衬底可以为柔性基板(例如聚酰亚胺材料)或硬质基板(例如玻璃基板)。
在一些实施例中，第一电极51为阴极，第一传输材料为电子传输材料，第二传输材料为空穴传输材料，第二电极52为阳极。可以理解的是，当第一传输材料为电子传输材料时，第一传输层61即为电子传输层，当第二传输材料为空穴传输材料时，第二传输层62即为空穴传输层。当制备第一传输层61时，第一溶液中第一传输材料的浓度可以设置为5mg/mL～50mg/mL(例如5mg/mL、10mg/mL、20mg/mL、30mg/mL、40mg/mL、50mg/mL等)，第一传输层61的厚度可以设置为10nm～100nm(例如10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm等)；当制备第二传输层62时，第三溶液中第二传输材料的浓度可以设置为10mg/mL～100mg/mL(例如10mg/mL、20mg/mL、40mg/mL、60mg/mL、80mg/mL、100mg/mL等)，第二传输层62的厚度可以设置为20nm～100nm(例如20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm等)。
在另外一些实施例中，第一电极51为阳极，第一传输材料为空穴传输材料，第二传输材料为电子传输材料，第二电极52为阴极。可以理解的是，当第一传输材料为空穴传输材料时，第一传输层61即为空穴传输层，当第二传输材料为电子传输材料时，第二传输层62即为电子传输层。当制备第一传输层61时，第一溶液中第一传输材料的浓度可以设置为10mg/mL～100mg/mL(例如10mg/mL、20mg/mL、40mg/mL、60mg/mL、80mg/mL、100mg/mL等)，第一传输层61的厚度可以设置为20nm～100nm(例如20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm等)；当制备第二传输层62时，第三溶液中第二传输材料的浓度可以设置为5mg/mL～50mg/mL(例如5mg/mL、10mg/mL、20mg/mL、30mg/mL、40mg/mL、50mg/mL等)，第二传输层62的厚度可以设置为10nm～100nm(例如10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm等)。
示例性地，电子传输材料可以包括ZnO、ZnMgO、ZnAlO、ZnGaO、ZnInO、TiO2和SnO2中的一种或多种，空穴传输材料可以包括NiO、MoO3、V2O5、WOx和CuxO中的一种或多种，WOx和CuxO中，x为大于0的数值(例如1、2、3等)。
示例性地，第二溶液中量子点材料的溶度为10mg/mL～50mg/mL，量子点层70的厚度为10nm～50nm。
示例性地，第一传输材料的表面、量子点材料的表面以及第二传输材料的表面均可以修饰配体，通过修饰配体，以使纳米材料(第一传输材料、量子点材料或第二传输材料)带正电或负电，进而在相反的电场的作用下使带正电或负电的材料沉积成膜。也即是说，当纳米材料(第一传输材料、量子点材料或第二传输材料)带正电时，可以给第一电极51施加负电压，从而使纳米材料沉积于第一电极51上方，当纳米材料(第一传输材料、量子点材料或第二传输材料)带负电时，可以给第一电极51施加正电压，从而使纳米材料沉积于第一电极51上方。
需要说明的是，配体需要与相应的溶剂共同作用来决定纳米材料的表面是带正电或负电，例如当溶剂为水时，带有羧基的配体可以使材料带负电，带有胺基的配体可以使材料带正电。
示例性地，配体可以包括正辛硫醇、三辛基膦、PEG-COOH、聚乙二醇、聚乙二醇衍生物、聚硅氧烷、聚硅氧烷衍生物、聚乙烯咔唑、聚乙烯咔唑衍生物、聚乙烯醇、聚乙烯醇衍生物、辛硫醇、十二硫醇、苯硫醇、1，2-苯硫醇、1，3-苯硫醇、1，4-苯硫醇、1，2-乙二硫醇、3-巯基丙酸、油酸、1，2-乙二胺、辛胺、油胺、三正辛基膦、三丁基膦、硫氰酸铵、四丁基碘化铵、四丁基溴化铵、四丁基氯化铵、四丁基氟化铵、有机硫酸盐、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、金属皂、有机胺、有机磷酸盐和磷酸酯类表面活性剂中的一种或多种。
示例性地，有机硫酸盐可以包括十二烷基苯磺酸钙、十二烷基苯磺酸钠、二壬基萘磺酸钡中的一种或多种，金属皂可以包括钴、铝、铁等金属的萘酸盐或硬脂酸盐，有机胺可以包括N-乙烯基吡咯烷酮聚合物。
示例性地，量子点材料可以包括Ⅳ族量子点、Ⅱ-Ⅴ族量子点、Ⅳ-Ⅵ族量子点、Ⅲ-Ⅵ族量子点、Ⅰ-Ⅵ族量子点、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元量子点、金属卤化物钙钛矿族量子点以及石墨烯量子点中的一种或多种。
示例性地，Ⅳ族量子点包括Si、Ge、GeSn中的一种或多种，Ⅱ-Ⅴ族量子点包括InAs和InSb中的一种或多种，Ⅳ-Ⅵ族量子点包括PbS、PbSe和PbTe中的一种或多种，Ⅲ-Ⅵ族量子点包括HgCdTe、HgSe和HgTe中的一种或多种，Ⅰ-Ⅵ族量子点包括Ag2S和Ag2Se中的一种或多种，Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元量子点包括CuInS2、InGaAs、CuInSe2、AgBiS2和AAgInSe2中的一种或多种，金属卤化物钙钛矿量子点包括CsSnI3、CsSnxPb1-x、FAPbI3和CsxFA1-xPbI3中的一种或多种，CsSnxPb1-x和CsxFA1-xPbI3中，x为大于0小于1的数值(例如0.1、0.2、0.5、0.7、0.9等)。
在一些实施例中，第一溶剂和第三溶剂均为极性溶剂，第二溶剂为非极性溶剂。
在另外一些实施例中，第一溶剂和第三溶剂均为非极性溶剂，第二溶剂为极性溶剂。
需要说明的是，通过设置第一溶剂和第二溶剂的极性相反，以及第二溶剂和第三溶剂的极性相反，可以避免第一传输层61、量子点层70和第二传输层62中已经沉积的膜层中的材料被后续的沉积过程中使用的溶剂而溶解，即提高电沉积膜层的稳定性。可以理解的是，当某一膜层的电沉积过程中选用的溶剂为极性溶剂或非极性溶剂，膜层的主体材料(第一传输材料、量子点或第二传输材料)也应该设置为与相应的溶剂相溶。
示例性地，极性溶剂可以包括PGMEA(丙二醇甲醚醋酸酯)、乙酸乙酯、DMF(N,N-二甲基甲酰胺)、DMSO(二甲基亚砜)、乙醇、水和氯仿中的一种或多种；非极性溶剂包括十二烷、辛烷、正己烷和甲苯中的一种或多种。
示例性地，第一传输材料可以为ZnO(电子传输材料)，第一溶剂可以为乙醇或乙醇水溶液(极性溶剂)，第二溶剂可以为辛烷，第二传输材料可以为NiO(空穴传输材料)，第三溶剂可以为氯仿。
请结合图1和图6，驱动基板10上可以定义有红色子像素区、绿色子像素区以及蓝色子像素区，红色子像素区、绿色子像素区以及蓝色子像素区内分别形成有红色QLED器件40、绿色QLED器件30以及蓝色QLED器件20，红色QLED器件40、绿色QLED器件30以及蓝色QLED器件20均包括依次层叠设置的第一电极51、第一传输层61、量子点层70、第二传输层62以及第二电极52，其中，红色QLED器件40中的量子点层70在通电后发射红光，绿色QLED器件30中的量子点层70在通电后发射绿光，蓝色QLED器件20中的量子点层70在通电后发射蓝光。示例性地，红光的波长范围可以为622nm～760nm，绿光的波长范围可以为492nm～577nm，蓝光的波长范围可以为435nm～450nm。
请结合图3A至图3C，红色子像素区、绿色子像素区以及蓝色子像素区内的第一传输层61可以依次制备，或者，当红色子像素区、绿色子像素区以及蓝色子像素区内的第一传输层61(或第二传输层62)的材料和厚度都相同时，红色子像素区、绿色子像素区以及蓝色子像素区内的第一传输层61(或第二传输层62)可以在一次电沉积过程中制备完成；当红色子像素区、绿色子像素区以及蓝色子像素区内的第一传输层61(或第二传输层62)的材料和/或厚度不同时，红色子像素区、绿色子像素区以及蓝色子像素区内的第一传输层61(或第二传输层62)需要经过两次或三次电沉积过程制备完成。在图3A至图3C所示的实施例中，红色子像素区、绿色子像素区以及蓝色子像素区内的第一传输层61中的第一传输材料均携带负电荷，因此在电沉积过程中，对红色子像素区、绿色子像素区以及蓝色子像素区内的第一电极51均施加正电压。
请结合图4A至图4C，由于红色子像素区、绿色子像素区以及蓝色子像素区内的量子点层70的材料和/或厚度不同，因此，红色子像素区、绿色子像素区以及蓝色子像素区内的量子点层70需要经过三次电沉积过程制备完成。在图4A至图4C所示的实施例中，红色子像素区、绿色子像素区以及蓝色子像素区内的量子点层70中的量子点材料均携带负电荷，因此在电沉积过程中，对红色子像素区、绿色子像素区以及蓝色子像素区内的第一电极51均施加正电压。
可以理解的是，在QLED器件的层叠结构中，当上下相邻的两个膜层的电性相同时，在前后两次电沉积过程中，不需要改变电场方向，当当上下相邻的两个膜层的电性相反时，在前后两次电沉积过程中，则需要改变电场方向。
请结合图4C，红色子像素区内的量子点层70的厚度可以大于绿色子像素区内的量子点层70的厚度，绿色子像素区内的量子点层70的厚度可以大于蓝色子像素区内的量子点层70的厚度，从而使红色QLED器件40、绿色QLED器件30以及蓝色QLED器件20能够分别实现最佳的红光发光效率、绿光发光效率和蓝光发光效率。
在一些实施例中，不同厚度的量子点层70可以通过改变电场强度和第二溶液中的量子点浓度来实现。
示例性地，本申请实施例提供的QLED显示面板100的制备方法中，电沉积第一传输层61、量子点层70和第二传输层62时，施加的电场强度均可以为0.01V/μm-100V/μm(例如0.01V/μm、0.1V/μm、1V/μm、10V/μm、20V/μm、40V/μm、60V/μm、80V/μm、100V/μm等)。
示例性地，第二电极52可以采用蒸镀的方式制备。
在一些实施例中，QLED器件可以为顶发射器件，此时，第二电极52为透光电极，示例性地，第二电极52可以为厚度较薄的金属层(例如银等)，或者第二电极52的材料为透明导电金属氧化物(例如ITO等)；第一电极51可以为金属层(例如金、银、铝、钼、铜、钛等)。
在另一些实施例中，QLED器件可以为底发射器件，此时，第一电极51为透光电极，示例性地，第一电极51可以为厚度较薄的金属层(例如银等)，或者第一电极51的材料为透明导电金属氧化物(例如ITO等)；第二电极52可以为金属层(例如金、银、铝、钼、铜、钛等)。
请结合图6，本申请实施例还提供一种QLED显示面板100，该QLED显示面板100可以采用上述任一实施例中的制备方法制得，QLED显示面板100包括基底11以及设于基底11上的QLED器件，QLED器件包括在基底11上依次层叠设置的第一电极51、第一传输层61、量子点层70、第二传输层62以及第二电极52。
示例性地，QLED器件可以包括红色QLED器件40、绿色QLED器件30以及蓝色QLED器件20，其中，红色QLED器件40中的量子点层70在通电后发射红光，绿色QLED器件30中的量子点层70在通电后发射绿光，蓝色QLED器件20中的量子点层70在通电后发射蓝光。
以上对本申请实施例提供的QLED显示面板的制备方法及QLED显示面板进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种QLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供驱动基板，所述驱动基板包括基底以及设于所述基底上的第一电极；
提供第一溶液，所述第一溶液包括第一传输材料和第一溶剂，对所述第一电极施加电场的同时，在所述第一电极远离所述基底的一侧施加所述第一溶液，在电场作用下，所述第一溶液中的所述第一传输材料沉积在所述第一电极上，形成第一传输层；
提供第二溶液，所述第二溶液包括量子点材料和第二溶剂，对所述第一电极施加电场的同时，在所述第一传输层远离所述第一电极的一侧施加所述第二溶液，在电场作用下，所述第二溶液中的所述量子点材料沉积在所述第一传输层上，形成量子点层；
提供第三溶液，所述第三溶液包括第二传输材料和第三溶剂，对所述第一电极施加电场的同时，在所述量子点层远离所述第一传输层的一侧施加所述第三溶液，在电场作用下，所述第三溶液中的所述第二传输材料沉积在所述量子点层上，形成第二传输层；
在所述第二传输层远离所述量子点层的一侧形成第二电极。
2.根据权利要求1所述的QLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一电极为阴极，所述第一传输材料为电子传输材料，所述第二传输材料为空穴传输材料，所述第二电极为阳极；或者
所述第一电极为阳极，所述第一传输材料为空穴传输材料，所述第二传输材料为电子传输材料，所述第二电极为阴极。
3.根据权利要求2所述的QLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述电子传输材料包括ZnO、ZnMgO、ZnAlO、ZnGaO、ZnInO、TiO2和SnO2中的一种或多种，所述空穴传输材料包括NiO、MoO3、V2O5、WOx和CuxO中的一种或多种，所述WOx和所述CuxO中，x为大于0的数值。
4.根据权利要求2所述的QLED显示面板的制备方法，其特征在于，当所述第一传输材料为电子传输材料，所述第二传输材料为空穴传输材料时，所述第一溶液中所述第一传输材料的浓度为5mg/mL～50mg/mL，所述第一传输层的厚度为10nm～100nm；所述第三溶液中所述第二传输材料的浓度为10mg/mL～100mg/mL，所述第二传输层的厚度为20nm～100nm；
当所述第一传输材料为空穴传输材料，所述第二传输材料为电子传输材料时，所述第一溶液中所述第一传输材料的浓度为10mg/mL～100mg/mL，所述第一传输层的厚度为20nm～100nm；所述第三溶液中所述第二传输材料的浓度为5mg/mL～50mg/mL，所述第二传输层的厚度为10nm～100nm。
5.根据权利要求1所述的QLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述第二溶液中所述量子点材料的溶度为10mg/mL～50mg/mL，所述量子点层的厚度为10nm～50nm。
6.根据权利要求1所述的QLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一传输材料的表面、所述量子点材料的表面以及所述第二传输材料的表面均修饰有配体，以使所述第一传输材料、所述量子点材料以及所述第二传输材料携带正电荷或负电荷；
所述配体包括正辛硫醇、三辛基膦、PEG-COOH、聚乙二醇、聚乙二醇衍生物、聚硅氧烷、聚硅氧烷衍生物、聚乙烯咔唑、聚乙烯咔唑衍生物、聚乙烯醇、聚乙烯醇衍生物、辛硫醇、十二硫醇、苯硫醇、1，2-苯硫醇、1，3-苯硫醇、1，4-苯硫醇、1，2-乙二硫醇、3-巯基丙酸、油酸、1，2-乙二胺、辛胺、油胺、三正辛基膦、三丁基膦、硫氰酸铵、四丁基碘化铵、四丁基溴化铵、四丁基氯化铵、四丁基氟化铵、有机硫酸盐、十六烷基三甲基溴化铵、金属皂、有机胺、有机磷酸盐和磷酸酯类表面活性剂中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的QLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述量子点材料包括Ⅳ族量子点、Ⅱ-Ⅴ族量子点、Ⅳ-Ⅵ族量子点、Ⅲ-Ⅵ族量子点、Ⅰ-Ⅵ族量子点、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元量子点、金属卤化物钙钛矿族量子点以及石墨烯量子点中的一种或多种。
8.根据权利要求7所述的QLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述Ⅳ族量子点包括Si、Ge、GeSn中的一种或多种，所述Ⅱ-Ⅴ族量子点包括InAs和InSb中的一种或多种，所述Ⅳ-Ⅵ族量子点包括PbS、PbSe和PbTe中的一种或多种，所述Ⅲ-Ⅵ族量子点包括HgCdTe、HgSe和HgTe中的一种或多种，所述Ⅰ-Ⅵ族量子点包括Ag2S和Ag2Se中的一种或多种，所述Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元量子点包括CuInS2、InGaAs、CuInSe2、AgBiS2和AAgInSe2中的一种或多种，所述金属卤化物钙钛矿量子点包括CsSnI3、CsSnxPb1-x、FAPbI3和CsxFA1-xPbI3中的一种或多种，所述CsSnxPb1-x和所述CsxFA1-xPbI3中，x为大于0小于1的数值。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的QLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一溶剂和所述第三溶剂均为极性溶剂，所述第二溶剂为非极性溶剂；或者
所述第一溶剂和所述第三溶剂均为非极性溶剂，所述第二溶剂为极性溶剂。
10.一种QLED显示面板，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一项所述的制备方法制得。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003100463A (ja) * 2002-09-12 2003-04-04 Seiko Epson Corp Ｅｌ表示体
CN105428546A (zh) * 2016-01-20 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 一种qled及其制备方法、显示装置及其制备方法
CN106340533A (zh) * 2016-11-29 2017-01-18 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN106374056A (zh) * 2016-11-28 2017-02-01 武汉华星光电技术有限公司 Qled显示面板制造方法及qled显示器
CN108091776A (zh) * 2017-11-27 2018-05-29 华南理工大学 基于芯片控制的电化学沉积彩色薄膜制备方法及装置
WO2020136713A1 (ja) * 2018-12-25 2020-07-02 シャープ株式会社 発光デバイスの製造方法
CN113061957A (zh) * 2021-03-10 2021-07-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 纳米颗粒薄膜及其制备方法、显示面板

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003100463A (ja) * 2002-09-12 2003-04-04 Seiko Epson Corp Ｅｌ表示体
CN105428546A (zh) * 2016-01-20 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 一种qled及其制备方法、显示装置及其制备方法
CN106374056A (zh) * 2016-11-28 2017-02-01 武汉华星光电技术有限公司 Qled显示面板制造方法及qled显示器
CN106340533A (zh) * 2016-11-29 2017-01-18 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN108091776A (zh) * 2017-11-27 2018-05-29 华南理工大学 基于芯片控制的电化学沉积彩色薄膜制备方法及装置
WO2020136713A1 (ja) * 2018-12-25 2020-07-02 シャープ株式会社 発光デバイスの製造方法
CN113061957A (zh) * 2021-03-10 2021-07-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 纳米颗粒薄膜及其制备方法、显示面板

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