CN103733373A - 有机发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有纳米复合层的有机发光元件。有机发光元件通过在元件的内部采用包括绝缘体及发光纳米粒子的纳米复合层，同时执行对控制电极实施绝缘的作用和对由发光层呈现的光的颜色进行转换的作用，从而能够提升外部量子效率。并且，通过施加于控制电极的电压，对注入到发光层的空穴和电子的量进行调节，从而能够确保在驱动元件时的电流稳定性，相比于以往的发光元件，缩小了阳极及阴极的面积，从而能够减少对外部光的反射率。

Description

有机发光元件
技术领域
本发明涉及一种发光元件，更具体地涉及一种有机发光元件。
背景技术
光电元件（photoelectric device）在广义上是指，将光能转换为电能或将电能转换为光能的元件。作为一例，这种光电元件有有机发光元件、无机发光元件或太阳能电池等。
在这种光电元件中，尤其有机发光元件（Organic Light Emitting Diode：OLED）近年来随着平板显示器（flat panel display）的需求增加而受到关注。
这种有机发光元件是将电流施加到有机发光材料而将电能转换为光能的元件。有机发光元件以在阳极（anode）和阴极（cathode）之间插入有功能性有机物薄膜层的结构所构成。
图1是简要表示以往的有机发光元件的一例的剖视图。
参照图1，根据以往的有机发光元件，在透明基板10上形成作为透明电极层的阳极（Anode）20。在上述阳极20上沉积有依次包括空穴注入层31及空穴传输层33、有机发光层35、电子传输层37及电子注入层39的有机薄膜层30。在上述有机薄膜层30上形成阴极（Cathode）40。此时，当上述阳极20和阴极40之间施加电压时，由阴极40产生的电子（e-）通过电子注入层39及电子传输层37移动到有机发光层35。并且，由阳极20产生的空穴（H+）通过空穴注入层31及空穴传输层33移动到有机发光层35。由此，在有机发光层35中，通过电子和空穴的冲突和重新结合，从而产生光。
如此，以往的有机发光元件是通过使用用于控制电子和空穴的传输的数十纳米的有机薄膜层，进而对发光效率进行调节的电流驱动元件，它采用二极管结构。然而，很难准确调节构成有机薄膜层的各层的厚度，由于有机薄膜层的厚度不均匀，从而导致出现发光特性低下的问题。
并且，作为阴极用电极使用的金属薄膜，由于金属特性的原因，其表面光反射率大，因此，对于流入元件内部的外部光，将起到反射的作用。上述反射的外部光与在有机发光元件中产生的光形成干扰，从而导致出现色彩表现力低下的问题。
为了解决这种存在问题，公开了相关方法，如将追加附着偏光板或使用非反射电极减少与在有机发光元件中产生的光形成的干扰。但，由于上述方法对由偏光板内部产生的光进行一定部分的屏蔽，因此，存在显示效率低下的问题。
此外，以往的上述有机发光元件形成于制作有驱动元件的基板上，作为电流驱动元件需要附加驱动电路，用于稳定地驱动元件。但，上述附加驱动电路存在着因减少元件的发光面积而导致开口率缩小的问题。并且，为了补偿因发光面积的减少导致的亮度减少，提升驱动电压，这将导致出现元件使用寿命缩短的问题。
发明内容
技术问题
本发明所要解决的问题是提供一种通过结构及性能的改善来实现自主灵活驱动并且转换发光颜色的有机发光元件。
技术方案
为了解决上述问题，根据本发明的一实施方式，提供有机发光元件。上述有机发光元件包括：基板；控制电极，形成于上述基板上；纳米复合层，形成于上述控制电极上；发光层，形成于上述纳米复合层上；阳极，形成于上述发光层；以及阴极，与上述阳极相分隔，形成于上述发光层上，上述纳米复合层用于对上述控制电极进行绝缘，用于改变由上述发光层产生的光的颜色，上述控制电极用于对注入到上述发光层内的电荷的量进行调节。
上述纳米复合层能够包括绝缘体及发光纳米粒子。
上述绝缘体能够包括聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA，polymethyl methacrylate）、聚酰亚胺（PI，polyimide）、聚乙烯醇（PVA，PolyVinyl Alcohol）或聚乙烯吡咯烷酮（PVP，polyvinylpyrrolidone）。
上述绝缘体能够包括LiF、SiO2、SiN、WO3、Al2O3、BaTiO2、ZrTiO2、PbTiO3、Ba(ZrxTi1-x)O3(≤X≤)或Pb(ZrxTi1-x)O3(≤X≤)。
上述发光纳米粒子能够包括量子点或荧光体。
上述荧光体能够包括选自黄色、红色、绿色及蓝色荧光体中的至少一种。
上述控制电极能够由金属构成。
上述控制电极能够由选自碳纳米管（CNT）、石墨烯、石墨烯氧化物、铝（Al）掺杂氧化锌（ZnO）、镓（Ga）掺杂氧化锌（ZnO）、铟（In）掺杂氧化锌（ZnO）、铟（In）和镓（Ga）掺杂氧化锌（ZnO）、镁（Mg）掺杂氧化锌（ZnO）、铝（Al）或镓（Ga）掺杂氧化镁（MgO）、锡（Sn）掺杂三氧化二铟（In2O3）、氟（F）掺杂二氧化锡（SnO2）及铌（Nb）掺杂二氧化钛（TiO2）中的至少一种构成。
上述有机发光元件还能够包括：空穴传输层，夹在上述发光层上的部分区域和阳极之间；以及电子传输层，夹在上述发光层上的部分区域和阴极之间，与上述空穴传输层相分隔而形成。
有益效果
根据本发明，通过采用晶体管结构，能够实现自主灵活的驱动，从而能够减少周边线路的晶体管数量，由此达到增加元件的开口率并减少驱动电压的效果。
并且，通过控制电极的电压对注入到发光层的电荷进行调节，从而达到在驱动元件时易于确保电流稳定性的效果。此外，元件内部采用可执行绝缘及光色转换作用的光色转换绝缘层，从而达到减少外部量子效率的衰减和节省制造工序费用的效果。
本发明的技术效果不限于上述提及的内容，本领域技术人员能够通过下述记载明确了解未提及的其他技术效果。
附图说明
图1是简要表示以往的有机发光元件的一例的剖视图。
图2是表示根据本发明的一实施例的有机发光元件的剖视图。
图3a至图3e是表示根据本发明的一实施例的有机发光元件的制造方法的流程图。
具体实施方式
以下，将参照附图对本发明的优选实施例进行详细说明。然而，本发明不限于下述实施例，而是能够以其他形态具体化，本发明的保护范围应包括在本发明的思想及技术范围内实施的所有等同技术方案以及代替技术方案。
在本说明书中提及到一层在另一层或基板“上”，在这种情况下，上述一层能够直接形成于上述另一层或基板上，或者能够作为第三层夹在它们之间。并且，在本说明书中，上侧、上（部）、上面等方向性表达，按照其标准能够理解为下侧、下（部）、下面等意思。即，空间层面的方向性表达应理解为相对的方向，不应有限地解释为绝对性方向。
在附图中，为了明确说明，层及区域的厚度能够是夸张的或进行省略。在说明书全文中，相同的附图标记表示相同的结构要素。
图2是表示根据本发明的一实施例的有机发光元件的剖视图。
参照图2，本发明的有机发光元件具有从下部开始依次层叠的基板100、控制电极200、包含有发光纳米粒子300a的纳米复合层300、发光层400、空穴传输层500、电子传输层600、阳极700及阴极800的结构。
配置于下部的基板100能够是透明基板。例如，上述基板100能够是玻璃、石英（quartz）、三氧化二铝（Al2O3）、SiC或GaAs等的非磁性无机物基板，能够是具有柔韧（flexible）特性的聚对苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）、聚苯乙烯（polystyrene，PS）、聚酰亚胺（polyimide，PI）、聚氯乙烯（polyvinyl chloride，PVC）、聚乙烯吡咯烷酮（polyvinylpyrrolidone，PVP）或聚乙烯（polyethlene，PE）等的非磁性有机物基板。
控制电极200形成于上述基板100上。上述控制电极200执行对注入到发光层400内的电荷进行控制的作用。即，上述控制电极200从外部接收电源并与选自阳极700和阴极800中的其中一个形成电场。例如，上述控制电极200接收负电压，与上述阳极700形成电场，帮助空穴的移动变得容易。并且，上述控制电极200接收正电压，与上述阴极800形成电场，帮助电子的移动变得容易。
另外，上述控制电极200接收高电压，限制电子和空穴中的其中一个的移动，从而能够控制由发光层400释放的光的生成。例如，上述控制电极200从外部接收高的正电压，吸引电子并妨碍其与空穴的结合，从而能够限制在上述发光层400生成光。并且，上述控制电极200从外部接收高的负电压，吸引空穴并妨碍其与电子的结合，从而能够限制在发光层400生成光。
如上所述，控制电极200通过执行对注入到发光层400的电荷进行控制的作用，从而具有在驱动元件时能够确保电流的稳定性的优点。
上述控制电极200能够对由发光层400释放的光进行反射或透射，能够由导电性优秀的材质所构成。例如，上述控制电极200为了反射上述光，能够由铝（Al）、银（Ag）或钛（Ti）等具有高光反射率的金属构成。并且，上述控制电极200为了透射上述光，能够由碳纳米管（CNT）、石墨烯、石墨烯氧化物、被掺杂的ZnO（AZO：掺杂Al，GZO：掺杂Ga，IZO：掺杂In，IGZO：掺杂In及Ga，MZO：掺杂Mg）、Al或Ga掺杂MgO、Sn掺杂In2O3、F掺杂SnO2及Nb掺杂TiO2构成。
另外，上述控制电极200根据使用目的，能够由多个层层叠的多层电极构成。例如，上述控制电极200能够如AZO/Ag/AZO、AZO/Au/AZO、AZO/Ti/AZO、GZO/Ag/GZO、GZO/Au/GZO、GZO/Ti/GZO、IZO/Ag/IZO、IZO/Au/IZO、IZO/Ti/IZO、CuAlO2/Ag/CuAlO2、CuAlO2/Au/CuAlO2、CuAlO2/Ti/CuAlO2、ITO/Ag/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ITO/Ti/ITO、ZnO/Au/ZnO、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Au/ZnS、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Au/TiO2、WO3/Ag/WO3、WO3/Au/WO3、MoO3/Ag/MoO3或MoO3/Au/MoO3等，具有在透明氧化物薄膜之间夹着金属薄膜的结构。
纳米复合层300形成于上述控制电极200上。上述纳米复合层300包括绝缘体和发光纳米粒子300a。由此，上述纳米复合层300对上述控制电极200进行绝缘的同时，能够将由发光层400呈现的光的颜色变成其他颜色。
上述绝缘体能够是PMMA（polymethyl methacrylate）、PI（polyimide）、PVA（PolyVinyl Alcohol）或PVP（polyvinylpyrrolidone）等的有机物高分子绝缘体，或者能够是LiF、SiO2、SiN、WO3、Al2O3、BaTiO2、ZrTiO2、PbTiO3、Ba(ZrxTi1-x)O3或Pb(ZrxTi1-x)O3等的无机物绝缘体。
上述发光纳米粒子300a能够包括量子点或荧光体。上述量子点表示具有量子限域效应的规定大小的粒子，能够具有约1nm至10nm左右的直径。并且，上述量子点能够具有均质的（homogeneous）单一结构或核壳结构（core-shell）的双重结构。通过调节上述量子点的大小，能够将由发光层呈现的光的颜色改变成红色、绿色或蓝色等各种颜色。并且，在由发光层400释放蓝色光或紫外线光的情况下，通过包含在上述纳米复合层300的各种大小的量子点，能够呈现出混合有黄色或红色、绿色及蓝色的白色光。
例如，上述具有单一结构的量子点能够选自包括MgO、MgS、MgSe、MgTe、CaO、CaS、CaSe、CaTe、SrO、SrS、SrSe、SrTe、BaO、BaS、BaSe、BaTE、ZnO、CuO、Cu2O、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、HgO、HgS、HgSe、HgTe、Al2S3、Al2Se3、Al2Te3、Ga2O3、Ga2S3、Ga2Se3、Ga2Te3、In2O3、In2S3、In2Se3、In2Te3、GeO2、SnO2、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbO2、PbS、PbSe、PbTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs及InSb的组的至少一种。
并且，上述具有核壳结构的量子点能够选自包括CdTe/CdSe、CdSe/ZnTe、CdTe/ZnS、CdSe/ZnS、CdTe/ZnSe、InP/ZnSe、InP/ZnS、InP/ZnTe、CdSe/ZnSe、InP/GaAs、InGaAs/GaAs、PbTe/PbS、CuInS2/ZnS、Co/CdSe、Zn/ZnO及Ag/TiO2的组的至少一种。
另外，上述荧光体能够是黄色、红色、绿色或蓝色的有机荧光体或无机荧光体。作为一例，在由上述发光层释放蓝色光的情况下，上述荧光体能够包括黄色的荧光体而呈现白色光。并且，在由上述发光层释放紫外线光的情况下，上述荧光体能够包括红色的荧光体、绿色的荧光体及蓝色的荧光体而呈现白色光。
例如，黄色的荧光体能够是选自YAG:Ce、TbYAG:Ce、GdYAG:Ce及GdTbYAG:Ce中的至少一种的YAG类荧光体，能够是选自甲基硅酸盐、乙基硅酸盐、硅酸镁铝和硅酸铝中的至少一种硅酸盐类荧光体。
红色的荧光体能够是选自(Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu2+、CaLa2S4:Ce3+、SrY2S4:Eu2+、(Ca,Sr)S:Eu2+、SrS:Eu2+、Y2O3:Eu3+、YVO4:Eu3+及Y2O2S:Eu3+中的至少一种。
绿色的荧光体能够是选自YBO3:Ce3+、BaMgAl10O17:Eu2+、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu2+、Ca8Mg(SiO4)4C12:Eu2+、Ba2SiO4:Eu2+、(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+、Ba2(Mg,Zn)Si2O7:Eu2+及(Ba,Sr)Al2O4:Eu2+中的至少一种。
蓝色的荧光体能够是选自(Sr,Mg,Ca)10(PO4)6C12:Eu2+及BaMgAl10O17:Eu2+、BaMg2Al16O27:Eu2+中的至少一种。
如上所述，在元件内形成用于发挥绝缘及光颜色转换作用的纳米复合层300的情况下，由于外部量子效率的衰减将减少，从而具有方便呈现照明用发光元件的优点。
发光层400形成于上述纳米复合层300上。上述发光层400从阳极700接收空穴、从阴极800接收电子，从而能够释放将空穴和电子相结合而生成的光。
上述发光层400根据需要可单独使用发光物质或使用处于掺杂到主体材料的状态的发光物质。例如，上述发光物质能够是通常使用的Alq3、MADN、mCP、Irppy3、FIrpic、UGH2、UGH3、UGH4、DPVBi、rubrene、DCM、DCM2、TPBi、PtOEP或红荧烯（rubrene）等有机化合物。并且，上述发光物质能够是将Alq3作为主体材料掺杂了Nmethylquinacridone（MQD）等的物质。
空穴传输层500配置于上述发光层400上的部分区域。上述空穴传输层500能够从阳极700接收空穴并传输到发光层400。
电子传输层600形成于与上述空穴传输层500相隔规定距离的位置。上述电子传输层600能够从阴极800接收电子并传输到发光层400。
此时，上述空穴传输层500通过调节空穴的移动速度，电子传输层600通过调节电子的移动速度，从而能够方便空穴或电子注入到发光层400内。
例如，上述空穴传输层500能够包括选自通常使用的α-NPB、TPD、s-TAD或MTADATA等低分子有机物及PEDOT、PSS、PPV、PVK等高分子有机物中的任意一种。并且，上述电子传输层600能够包括选自通常使用的PBD、TAZ及spiro-PBD等中的任意一种。
阳极700配置于上述空穴传输层500上。上述阳极700能够从外部接收电源并向空穴传输层500供应空穴。
阴极800配置于电子传输层600上。上述阴极800能够从外部接收电源并向电子传输层600供应电子。
另外，上述阳极700及阴极800在与控制电极200的关系中能够形成用于诱导空穴或电子的移动的电场。
上述阳极700由具有高功函数（work function）的物质形成来确保实现空穴的注入，上述阴极800能够由具有相比于阳极700小的功函数的物质形成。
作为一例，上述阳极700及阴极800能够由导电性优秀的金属或金属氧化物形成。例如，上述金属能够是Al、Mo、Au或Ag等易于电荷注入的金属。上述金属氧化物能够是ITO、IGO或IZO等透明氧化物。
另外，为了方便地向阳极700和空穴传输层500之间注入空穴，能够夹有空穴注入层（未图示），为了方便地向阴极800和电子传输层600之间注入电子，能够夹有电子注入层（未图示）。
图3a至图3e是表示根据本发明的一实施例的有机发光元件的制造方法的流程图。
参照图3a，在基板100上形成控制电极200。优选地，上述基板100是透明的。例如，上述基板100能够是透明且坚硬的（solid）非磁性无机物基板或透明且柔韧的（flexible）非磁性有机物基板。
为了去除上述基板100的不纯物，能够经过洗涤工序。此时，能够利用按照丙酮、乙醇及去离子水洗涤的顺序进行的超声波洗涤工序。
接着，在上述基板100上形成控制电极200。上述控制电极200能够由光透射率高的透明电极或光反射率高的金属形成。
上述控制电极200根据使用目的，能够由多个层层叠的多层电极构成。此时，上述多层电极能够是在透明氧化物之间夹着金属薄膜的结构。上述控制电极200能够通过旋涂（spin coating）形成。
参照图3b，在控制电极200上形成纳米复合层300。
上述纳米复合层300能够包括发光纳米粒子300a，上述发光纳米粒子300a能够包括量子点或荧光体。上述量子点表示具有量子限域效应的规定大小的粒子，能够具有约1nm至10nm左右的直径。上述量子点能够具有均质的（homogeneous）单一结构或核壳结构（core-shell）的双重结构。
上述荧光体能够包含黄色、红色、绿色或蓝色的有机荧光体或无机荧光体。
作为制造例的一例，上述纳米复合层300通过将含有绝缘体的有机溶剂和发光纳米粒子300a的混合溶液经旋涂或转印工序形成于控制电极200上，再经脱水（dehydration）或脱离（elimination）过程凝固形成。
参照图3c，在纳米复合层300上形成发光层400。上述发光层400能够单独使用发光物质，或者以掺杂到主体材料的状态使用。上述发光物质能够是有机化合物。
上述发光层400在上述发光物质为有机化合物的情况下，能够利用气相沉淀法形成。相反，在上述发光物质为高分子化合物的情况下，能够利用喷管涂布、旋涂、喷墨印刷或滚动印刷方式形成。
参照图3d，在发光层400上的部分区域形成空穴传输层500，在与上述空穴传输层500相隔规定距离的位置形成电子传输层600。上述空穴传输层500和电子传输层600能够利用气相沉淀法、旋涂法等形成。
作为制造例的一例，在以如PPV高分子有机物形成空穴传输层500的情况下，旋涂包含有PPV前驱体聚合物和有机溶剂的前驱体溶液，在氮气条件下以规定温度进行热处理后，利用掩模图案，通过光刻工序及蚀刻工序形成图案，从而能够形成于发光层400上的部分区域。
参照图3e，在空穴传输层500的上部形成阳极700并在电子传输层600的上部形成阴极800。
上述阳极700由具有高功函数（work function）的物质形成来确保实现空穴的注入，上述阴极800能够由具有相比于阳极700小的功函数的物质形成。
作为制造例的一例，上述阳极700及阴极800能够通过利用气相沉淀法或旋涂法沉积金属或金属氧化层后，利用掩模图案，通过光刻工序及蚀刻工序形成图案。

Claims (9)

1.一种有机发光元件，其包括：
基板；
控制电极，形成于上述基板上；
纳米复合层，形成于上述控制电极上；
发光层，形成于上述纳米复合层上；
阳极，形成于上述发光层；以及
阴极，与上述阳极相分隔，形成于上述发光层上，
上述纳米复合层用于对上述控制电极进行绝缘，用于转换由上述发光层产生的光的颜色，上述控制电极用于对注入到上述发光层内的电荷的量进行调节。
2.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，上述纳米复合层包括绝缘体及发光纳米粒子。
3.根据权利要求2所述的有机发光元件，其中，上述绝缘体包括聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA，polymethyl methacrylate）、聚酰亚胺（PI，polyimide）、聚乙烯醇（PVA，PolyVinyl Alcohol）或聚乙烯吡咯烷酮（PVP，polyvinylpyrrolidone）。
4.根据权利要求2所述的有机发光元件，其中，上述绝缘体包括LiF、SiO2、SiN、WO3、Al2O3、BaTiO2、ZrTiO2、PbTiO3、Ba(ZrxTi1-x)O3(≤X≤)或Pb(ZrxTi1-x)O3(≤X≤)。
5.根据权利要求2所述的有机发光元件，其中，上述发光纳米粒子包括量子点或荧光体。
6.根据权利要求5所述的有机发光元件，其中，上述荧光体包括选自黄色、红色、绿色及蓝色荧光体中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，上述控制电极由金属构成。
8.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，上述控制电极由选自碳纳米管（CNT）、石墨烯、石墨烯氧化物、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、铟和镓掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌、铝或镓掺杂氧化镁、锡掺杂三氧化二铟、氟掺杂二氧化锡及铌掺杂二氧化钛中的至少一种构成。
9.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，还包括：
空穴传输层，夹在上述发光层上的部分区域和阳极之间；以及
电子传输层，夹在上述发光层上的部分区域和阴极之间，与上述空穴传输层相分隔而形成。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105161626A (zh) * 2015-06-23 2015-12-16 广东茵坦斯能源科技有限公司 一种掺杂的纳米锡化物有机发光器件
CN105742320A (zh) * 2014-12-29 2016-07-06 乐金显示有限公司 具有量子点的有机发光二极管显示器
CN105932172A (zh) * 2016-05-11 2016-09-07 吉林大学 一种可定量调节功函数的透明叠层电极及其制备工艺
CN107667428A (zh) * 2015-05-27 2018-02-06 三星电子株式会社 显示装置
US10838266B2 (en) 2015-05-27 2020-11-17 Samsung Electronics Co., Ltd Display device

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2833428A4 (en) * 2012-03-31 2015-11-25 Oceans King Lighting Science ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
GB2516930A (en) * 2013-08-07 2015-02-11 Cambridge Display Tech Ltd Organic Light-Emitting Device
KR102099877B1 (ko) 2013-11-05 2020-04-10 삼성전자 주식회사 질화물 반도체 디바이스의 제조 방법
CN104241330B (zh) * 2014-09-05 2017-05-03 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示装置及其制作方法
JP6428089B2 (ja) * 2014-09-24 2018-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN105810792B (zh) * 2014-12-31 2018-05-22 清华大学 发光二极管
CN106356463B (zh) * 2016-10-11 2017-12-29 深圳市华星光电技术有限公司 Qled显示装置的制作方法
US11538948B2 (en) * 2019-06-26 2022-12-27 University Of South Carolina Quantum dot photovoltaic junctions
KR20210098590A (ko) 2020-01-31 2021-08-11 삼성디스플레이 주식회사 정공 수송 영역이 11족 금속 칼코젠 화합물을 포함하는 발광 소자
CN112420477B (zh) * 2020-10-30 2022-09-06 北方夜视技术股份有限公司 高增益、低发光ald-mcp及其制备方法与应用
CN112420971B (zh) * 2020-11-25 2023-04-18 合肥福纳科技有限公司 一种优化发光二极管的方法
CN113421886B (zh) * 2021-06-02 2022-12-06 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1851953A (zh) * 2005-04-22 2006-10-25 株式会社半导体能源研究所 半导体元件,有机晶体管,发光器件,和电子器件
CN1860828A (zh) * 2003-10-01 2006-11-08 出光兴产株式会社 色变换层和发光元件
KR100878225B1 (ko) * 2007-08-06 2009-01-13 성균관대학교산학협력단 유기-무기 나노 복합 절연층을 포함하여 이루어진 유기물반도체 소자, 유기-무기 나노 복합 절연체 용액 및 이들의제조 방법
US20100084674A1 (en) * 2007-02-27 2010-04-08 Ralph Paetzold OLED with Color Conversion

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3297619B2 (ja) * 1996-12-18 2002-07-02 ティーディーケイ株式会社 有機ｅｌカラーディスプレイ
KR100460281B1 (ko) * 2002-03-08 2004-12-04 박병주 액티브 매트릭스형 유기 발광 표시 장치
US7521710B2 (en) * 2006-02-16 2009-04-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic thin film transistor
KR101496846B1 (ko) * 2008-12-24 2015-03-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 트랜지스터를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1860828A (zh) * 2003-10-01 2006-11-08 出光兴产株式会社 色变换层和发光元件
CN1851953A (zh) * 2005-04-22 2006-10-25 株式会社半导体能源研究所 半导体元件,有机晶体管,发光器件,和电子器件
US20100084674A1 (en) * 2007-02-27 2010-04-08 Ralph Paetzold OLED with Color Conversion
KR100878225B1 (ko) * 2007-08-06 2009-01-13 성균관대학교산학협력단 유기-무기 나노 복합 절연층을 포함하여 이루어진 유기물반도체 소자, 유기-무기 나노 복합 절연체 용액 및 이들의제조 방법

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105742320A (zh) * 2014-12-29 2016-07-06 乐金显示有限公司 具有量子点的有机发光二极管显示器
CN105742320B (zh) * 2014-12-29 2019-01-15 乐金显示有限公司 具有量子点的有机发光二极管显示器
CN107667428A (zh) * 2015-05-27 2018-02-06 三星电子株式会社 显示装置
US10838266B2 (en) 2015-05-27 2020-11-17 Samsung Electronics Co., Ltd Display device
CN107667428B (zh) * 2015-05-27 2020-12-18 三星电子株式会社 显示装置
CN105161626A (zh) * 2015-06-23 2015-12-16 广东茵坦斯能源科技有限公司 一种掺杂的纳米锡化物有机发光器件
CN105161626B (zh) * 2015-06-23 2017-05-24 广东茵坦斯能源科技有限公司 一种掺杂的纳米锡化物有机发光器件
CN105932172A (zh) * 2016-05-11 2016-09-07 吉林大学 一种可定量调节功函数的透明叠层电极及其制备工艺

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