CN111384264B - 一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法，所述复合薄膜包括：石墨烯量子点薄膜和烷基硅烷，所述石墨烯量子点薄膜表面具有含氧基团，所述烷基硅烷与所述含氧基团结合。本发明通过在石墨烯量子点薄膜表面连接烷基硅烷，可达到调节石墨烯量子点薄膜的功函数的目的，扩大石墨烯量子点薄膜作为电荷传输材料的适用范围。

Description

一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法
技术领域
本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点发光二极管以及有机发光二极管因其自发光、响应速度快、对比度高、功耗低、可视角大、可柔性等诸多特点，在显示领域表现出极大的应用前景。在这些发光二极管的研究中，各种高性能的发光材料层出不穷，由于不同的发光材料具有不同的能级结构，因此为了充分发挥这些发光材料的性能，需要有效地注入和传输电荷载流子，这就需要不断地开发不同能级结构的电荷传输材料，以匹配不同发光材料的能级结构。但是，这样的开发难度很大且很繁杂。因此，一种可灵活调节自身能级结构的电荷传输材料至关重要。
众所周知，石墨烯是具有超强导电性的二维层状结构材料，其厚度往往为零点几至几个纳米，对应单层或两到三层石墨烯片，平面方向尺寸往往有几到几十微米，而石墨烯量子点平面方向尺寸不超过100纳米，具有量子限制效应，因而具有量子点的一般性质，即能级随尺寸可调。综上所述，石墨烯量子点兼具良好的导电性和随尺寸可调的能级结构（包括导带、价带、功函数等）。此外，石墨烯量子点同石墨烯一样，表面具有大量的含氧基团，例如：平面上具有环氧基、羟基等，侧面具有大量的羧基，这些含氧基团使得石墨烯量子点容易进行表面功能化处理，为进一步扩大能级调节范围提供了一种有效的途径；而且这些含氧基团使得石墨烯量子点在水性溶剂中（例如：去离子水、甲醇、乙醇、异丙醇等）具有优异的溶解性，而不溶于低极性的常用有机溶剂（例如：正己烷、甲苯、氯苯、二氯代苯等），特别适合当前量子点发光二极管、有机发光二极管全溶液法制备的技术方向。因此，石墨烯量子点是一种理想的电荷传输材料。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法，旨在提供一种复合薄膜，所述复合薄膜为经功能化处理的石墨烯量子点薄膜，将其用作电荷传输材料，以匹配不同发光材料的能级结构。
本发明的技术方案如下：
一种复合薄膜，其中，包括：石墨烯量子点薄膜和烷基硅烷，所述石墨烯量子点薄膜表面具有含氧基团，所述烷基硅烷与所述含氧基团结合。
一种复合薄膜的制备方法，其中，包括步骤：
提供石墨烯量子点溶液，石墨烯量子点表面具有含氧基团；
提供基板，将所述石墨烯量子点溶液沉积在所述基板上，在基板上形成石墨烯量子点薄膜；
提供烷基硅烷溶液，将形成有石墨烯量子点薄膜的基板浸入所述烷基硅烷溶液中，使烷基硅烷与石墨烯量子点薄膜表面的含氧基团反应，得到所述复合薄膜。
一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层，其中，还包括：设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，所述空穴传输层为本发明所述的复合薄膜；
或者，设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，所述电子传输层为本发明所述的复合薄膜；
或者，设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，所述空穴传输层和所述电子传输层中的至少一种为本发明所述的复合薄膜。
一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：
提供阳极，在所述阳极上形成空穴传输层，所述空穴传输层为本发明所述的复合薄膜，在所述空穴传输层上形成量子点发光层，在所述量子点发光层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管；或者，
提供阳极，在所述阳极上形成量子点发光层，在所述量子点发光层上形成电子传输层，所述电子传输层为本发明所述的复合薄膜，在所述电子传输层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管；或者，
提供阳极，在所述阳极上形成空穴传输层，在所述空穴传输层上形成量子点发光层，在所述量子点发光层上形成电子传输层，在所述电子传输层上形成阴极，其中，所述空穴传输层和所述电子传输层中的至少一种为本发明所述的复合薄膜。
有益效果：本发明通过在所述石墨烯量子点薄膜表面连接烷基硅烷，达到调节石墨烯量子点薄膜的功函数的目的，扩大石墨烯量子点薄膜作为电荷传输材料的适用范围。
附图说明
图1为本发明实施例中FTS修饰的石墨烯量子点的结构示意图。
图2为本发明实施例中APTS修饰的石墨烯量子点的结构示意图。
图3为本发明实施例提供的一种复合薄膜的制备方法的流程示意图。
图4为本发明实施例中提供的一种量子点发光二极管的结构示意图。
图5为本发明实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。
图6为本发明另一实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。
图7为本发明又一实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
本发明提供一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供一种复合薄膜，其中，包括：石墨烯量子点薄膜和烷基硅烷，所述石墨烯量子点薄膜表面具有含氧基团，所述烷基硅烷与所述含氧基团结合。
本实施例中，石墨烯量子点平面方向尺寸小于100nm，具有量子限域效应，由于量子限域效应，所述石墨烯量子点的半导体特性，尤其是功函数会随石墨烯量子点尺寸的减小而增大，或者随尺寸的增大而减小，从而可以根据发光材料（即量子点发光层材料）的能级结构选择合适尺寸的石墨烯量子点作为电荷传输层材料，进而促进电荷载流子的注入和传输。
尽管可以通过改变尺寸来调节石墨烯量子点的功函数，但其功函数的变化范围比较小，一般在4.5eV至5eV之间，仍无法满足许多量子点发光层材料的需求，故进一步扩大功函数调节范围对石墨烯量子点作为电荷传输层至关重要。由于石墨烯量子点表面具有大量的含氧基团（包括羟基、环氧基、羧基等），含氧基团的存在使石墨烯量子点表面成为可以自组装功能材料的基质，该过程亦可称为表面功能化处理。表面功能化处理是一种能够调节物质功函数、能级结构的有效方法。所述功能化处理的材料可以是烷基硅烷。本实施例通过在所述石墨烯量子点薄膜表面连接烷基硅烷，达到调节石墨烯量子点薄膜的功函数的目的，扩大石墨烯量子点薄膜作为电荷传输材料的适用范围。
在一种优选的实施方式中，所述烷基硅烷包括烷基氯硅烷、烷基烷氧基硅烷和烷基氨基硅烷等中的一种或多种。
进一步在一种优选的实施方式中，为了增大石墨烯量子点的功函数，所述烷基硅烷可以含有吸电子基团，所述吸电子基团与所述石墨烯量子点薄膜表面的含氧基团结合。因为吸电子基团可以使电子自发地从石墨烯量子点向吸电子基团转移，从而使石墨烯量子点的费米能级向价带移动（也即功函数增大），形成P型掺杂。
再进一步在一种优选的实施方式中，所述含有吸电子基团的烷基硅烷为(tridecafluoro-1,1,2,2,-tetrahydrooctyl) trichlorosilane (C8H4F13SiCl3)，中文全称1H,1H,2H,2H-全氟辛基三氯硅烷，简称FTS。其中吸电子基团是tridecafluoro。FTS与石墨烯量子点通过羟基点位结合在一起，如图1所示。
进一步在一种优选的实施方式中，为了减小石墨烯量子点的功函数，所述烷基硅烷可以含有给电子基团，所述给电子基团与所述石墨烯量子点薄膜表面的含氧基团结合。因为给电子基团可以自发地向石墨烯量子点传递电子，使其费米能级向导带移动（也即功函数减小），形成N型掺杂。
再进一步在一种优选的实施方式中，所述含有给电子基团的烷基硅烷为Aminopropyl triethoxysilane(C9H23NO3Si)，中文全称氨基丙基三乙氧基硅烷，简称APTS。其中给电子基团是Amino。APTS与石墨烯量子点通过环氧基结合在一起，如图2所示。
请参阅图3，图3为本发明实施例提供的一种复合薄膜的制备方法的流程示意图，如图所示，其包括步骤：
S10、提供石墨烯量子点溶液，石墨烯量子点表面具有含氧基团；
S20、提供基板，将所述石墨烯量子点溶液沉积在所述基板上，在基板上形成石墨烯量子点薄膜；
S30、提供烷基硅烷溶液，将形成有石墨烯量子点薄膜的基板浸入所述烷基硅烷溶液中，使烷基硅烷与石墨烯量子点薄膜表面的含氧基团反应，得到所述复合薄膜。
本发明实施例提供一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层，其中，还包括：设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，所述空穴传输层为本发明实施例所述的复合薄膜；
或者，设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，所述电子传输层为本发明实施例所述的复合薄膜；
或者，设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，所述空穴传输层和所述电子传输层中的至少一种为本发明实施例所述的复合薄膜。
本实施例中，量子点发光二极管有多种形式，且所述量子点发光二极管分为正式结构和反式结构，本实施例将主要以如图4所示的正式结构的量子点发光二极管为例进行介绍。具体地，如图4所示，所述量子点发光二极管包括从下往上层叠设置的衬底1、阳极2、空穴传输层3、量子点发光层4、电子传输层5和阴极6；其中，所述空穴传输层3和所述电子传输层5中的至少一种为本发明实施例所述的复合薄膜。
本实施例中，所述复合薄膜包括：石墨烯量子点薄膜和结合在所述石墨烯量子点薄膜表面的烷基硅烷，所述石墨烯量子点薄膜表面具有含氧基团，所述烷基硅烷与所述含氧基团结合。其中，石墨烯量子点的厚度为零点几至一点几个纳米，为单层或2到3层石墨烯片；平面方向尺寸小于100nm，具有量子限域效应。由于量子限域效应，所述石墨烯量子点的半导体特性，尤其是功函数会随石墨烯量子点尺寸的减小而增大，或者随尺寸的增大而减小，从而可以根据量子点发光层材料的能级结构选择合适尺寸的石墨烯量子点作为电荷传输层材料，进而促进电荷载流子的注入和传输。进一步地，所述石墨烯量子点薄膜上结合有烷基硅烷，可进一步调节石墨烯量子点的功函数，扩大石墨烯量子点作为电荷传输材料的适用范围。
在一种实施方式中，当所述空穴传输层为所述复合薄膜时，石墨烯量子点的功函数应当尽可能接近发光材料的价带顶能级或HOMO能级，故所述石墨烯量子点的平面方向尺寸优选为2~30nm。
在一种优选的实施方式中，当所述空穴传输层为所述复合薄膜时，所述复合薄膜中烷基硅烷含有吸电子基团，所述吸电子基团与所述石墨烯量子点薄膜表面的含氧基团结合。因为吸电子基团可以使电子自发地从石墨烯量子点向吸电子基团转移，从而使石墨烯量子点的费米能级向价带移动（也即功函数增大）。
在一种实施方式中，当所述电子传输层为所述复合薄膜时，石墨烯量子点的功函数应当尽可能接近发光材料的导带底能级或LUMO能级，故所述石墨烯量子点的平面方向尺寸优选为40~100nm。
在一种优选的实施方式中，当所述电子传输层为所述复合薄膜时，所述烷基硅烷可以含有给电子基团，所述给电子基团与所述石墨烯量子点薄膜表面的含氧基团结合。因为给电子基团可以自发地向石墨烯量子点传递电子，使其费米能级向导带移动（也即功函数减小）。
本实施例中，所述衬底可以为刚性材质的衬底，如玻璃等，也可以为柔性材质的衬底，如PET或PI等中的一种。
本实施例中，所述阳极可以选自铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）、锑掺杂氧化锡（ATO）和铝掺杂氧化锌（AZO）等中的一种或多种。
本实施例中，所述量子点发光层的量子点可以选自常见的红、绿、蓝三种中的一种量子点，也可以为黄光量子点。具体的，所述量子点可以选自CdS、CdSe、CdTe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS、CuInSe、以及各种核壳结构量子点或合金结构量子点中的至少一种。所述量子点可以为含镉或者不含镉。所述量子点发光层具有激发光谱宽并且连续分布，发射光谱稳定性高等特点。
本实施例中，所述阴极可选自铝（Al）电极、银（Ag）电极和金（Au）电极等中的一种，还可选自纳米铝线、纳米银线和纳米金线等中的一种。
需说明的是，本发明量子点发光二极管还可以包含以下功能层的一层或者多层：设置于空穴传输层与阳极之间的空穴注入层，设置于电子传输层与阴极之间的电子注入层。
请参阅图5，图5为本发明实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图，如图所示，其包括步骤：
S11、提供阳极；
S12、在所述阳极上形成空穴传输层，所述空穴传输层为本发明实施例所述的复合薄膜；
S13、在所述空穴传输层上形成量子点发光层；
S14、在所述量子点发光层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管。
请参阅图6，图6为本发明另一实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图，如图所示，其包括步骤：
S21、提供阳极；
S22、在所述阳极上形成量子点发光层；
S23、在所述量子点发光层上形成电子传输层，所述电子传输层为本发明实施例所述的复合薄膜；
S24、在所述电子传输层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管。
请参阅图7，图7为本发明又一实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图，如图所示，其包括步骤：
S31、提供阳极；
S32、在所述阳极上形成空穴传输层；
S33、在所述空穴传输层上形成量子点发光层；
S34、在所述量子点发光层上形成电子传输层；
S35、在所述电子传输层上形成阴极；
其中，所述空穴传输层和所述电子传输层中的至少一种为本发明实施例所述的复合薄膜。
下面将主要以如图4所示正式结构的量子点发光二极管的制备方法为例进行详细介绍。
在一种实施方式中，所述量子点发光二极管的制备方法，具体包括步骤：
提供衬底，在所述衬底上形成阳极；
在所述阳极上沉积石墨烯量子点溶液，形成石墨烯量子点薄膜，所述石墨烯量子点薄膜表面具有含氧基团；
提供烷基硅烷溶液，将形成有石墨烯量子点薄膜的衬底浸入所述烷基硅烷溶液中，使烷基硅烷与石墨烯量子点薄膜表面的含氧基团反应，得到复合薄膜；
在所述复合薄膜上形成量子点发光层；
在所述量子点发光层上形成电子传输层；
在所述电子传输层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管。
在另一种实施方式中，所述量子点发光二极管的制备方法，具体包括步骤：
提供衬底，在所述衬底上形成阳极；
在所述阳极上形成空穴传输层；
在所述空穴传输层上形成量子点发光层；
在所述量子点发光层上沉积石墨烯量子点溶液，形成石墨烯量子点薄膜，所述石墨烯量子点薄膜表面具有含氧基团；
提供烷基硅烷溶液，将形成有石墨烯量子点薄膜的衬底浸入所述烷基硅烷溶液中，使烷基硅烷与石墨烯量子点薄膜表面的含氧基团反应，得到复合薄膜；
在所述复合薄膜上形成阴极，得到所述量子点发光二极管。
在又一种实施方式中，所述量子点发光二极管的制备方法，具体包括步骤：
提供衬底，在所述衬底上形成阳极；
在所述阳极上沉积石墨烯量子点溶液，形成石墨烯量子点薄膜，所述石墨烯量子点薄膜表面具有含氧基团；
提供烷基硅烷溶液，将形成有石墨烯量子点薄膜的衬底浸入所述烷基硅烷溶液中，使烷基硅烷与石墨烯量子点薄膜表面的含氧基团反应，得到复合薄膜；
在所述复合薄膜上形成量子点发光层；
在所述量子点发光层上沉积石墨烯量子点溶液，形成石墨烯量子点薄膜，所述石墨烯量子点薄膜表面具有含氧基团；
提供烷基硅烷溶液，将形成有石墨烯量子点薄膜的衬底浸入所述烷基硅烷溶液中，使烷基硅烷与石墨烯量子点薄膜表面的含氧基团反应，得到复合薄膜；
在所述复合薄膜上形成阴极，得到所述量子点发光二极管。
下面通过具体实施例对本发明石墨烯量子点薄膜表面功能化处理的方法进行详细说明。
实施例1：FTS表面处理石墨烯量子点，提高功函数
制备石墨烯量子点溶液：将石墨烯量子点溶解在乙醇中，浓度为10mg/ml；
制备石墨烯量子点薄膜：在基板上沉积石墨烯量子点溶液，然后在70℃烘烤1小时；
将上述基板放进真空环境中，维持1小时，然后放入氮气环境中备用；
制备FTS溶液：将FTS溶解到正己烷中，浓度为0.5mg/ml；
将沉积有石墨烯量子点薄膜的基板浸入上述FTS溶液中，浸泡两分钟，使tridecafluoro基团与石墨烯量子点的羟基充分反应、结合；
两分钟后，取出该基板，并用正己烷溶剂清洗石墨烯量子点薄膜表面，然后在120℃下烘烤半小时。
实施例2：APTS表面处理石墨烯量子点，减小功函数
制备石墨烯量子点溶液：将石墨烯量子点溶解在乙醇中，浓度为10mg/ml；
制备石墨烯量子点薄膜：在基板上沉积石墨烯量子点溶液，然后在70℃烘烤1小时；
将上述基板放进真空环境中，维持2小时，然后放入氮气环境中备用；
制备APTS溶液：将APTS溶解到正己烷中，浓度为0.5mg/ml；
将沉积有石墨烯量子点薄膜的基板浸入上述APTS溶液中，浸泡两分钟，使amino基团与石墨烯量子点的环氧基充分反应、结合；
两分钟后，取出该基板，并用正己烷溶剂清洗石墨烯量子点薄膜表面，然后在120℃下烘烤半小时。
实施例3：分别应用FTS处理的石墨烯量子点和APTS处理的石墨烯量子点作为空穴传输层和电子传输层，制备量子点发光二极管
以透明导电薄膜ITO作为阳极，50nm厚；
空气环境中，在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，30nm厚，在空气中150℃退火10分钟；
氮气环境中，在空穴注入层上利用溶液法沉积石墨烯量子点作为空穴传输层，30nm厚，在氮气环境中70℃退火1小时，然后将基片浸入FTS溶液中，2分钟后取出，用正己烷清洗基片表面，并在120℃下退火半小时；
氮气环境中，在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点发光层，25nm厚，在氮气环境中80℃退火30分钟；
氮气环境中，在量子点发光层上利用溶液法沉积石墨烯量子点作为电子传输层，40nm厚，在氮气环境中70℃退火1小时，然后将基片浸入APTS溶液中，2分钟后取出，用正己烷清洗基片表面，并在120℃下退火半小时；
在电子传输层上蒸镀Al作为阴极，100nm厚。
综上所述，本发明提供一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法。本发明通过改变石墨烯量子点的尺寸，调节其功函数和能级结构，促进石墨烯量子点的功函数与发光材料的能级匹配。进一步地，本发明还对石墨烯量子点进行表面功能化处理，通过链接给电子基团或者吸电子基团，可进一步向相反两个方向调节石墨烯量子点的功函数，扩大石墨烯量子点作为电荷传输材料的适用范围。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种复合薄膜，其特征在于，包括：石墨烯量子点薄膜和烷基硅烷，所述石墨烯量子点薄膜表面具有含氧基团，所述烷基硅烷与所述含氧基团结合，所述烷基硅烷含有吸电子基团或给电子基团，所述吸电子基团或给电子基团与所述含氧基团结合；当所述烷基硅烷含有吸电子基团时，所述石墨烯量子点薄膜中石墨烯量子点的平面方向尺寸为2～30nm，当所述烷基硅烷含有给电子基团时，所述石墨烯量子点薄膜中石墨烯量子点的平面方向尺寸为40～100nm。
2.根据权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于，所述烷基硅烷包括烷基氯硅烷、烷基烷氧基硅烷和烷基氨基硅烷中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于，所述含有吸电子基团的烷基硅烷为1H,1H,2H,2H-全氟辛基三氯硅烷。
4.根据权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于，所述含有给电子基团的烷基硅烷为氨基丙基三乙氧基硅烷。
5.一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供石墨烯量子点溶液，石墨烯量子点表面具有含氧基团；
提供基板，将所述石墨烯量子点溶液沉积在所述基板上，在基板上形成石墨烯量子点薄膜；
提供烷基硅烷溶液，将形成有石墨烯量子点薄膜的基板浸入所述烷基硅烷溶液中，使烷基硅烷与石墨烯量子点薄膜表面的含氧基团反应，得到所述复合薄膜；所述烷基硅烷含有吸电子基团或给电子基团，所述吸电子基团或给电子基团与所述含氧基团结合；当所述烷基硅烷含有吸电子基团时，所述石墨烯量子点薄膜中石墨烯量子点的平面方向尺寸为2～30nm，当所述烷基硅烷含有给电子基团时，所述石墨烯量子点薄膜中石墨烯量子点的平面方向尺寸为40～100nm。
6.一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层，其特征在于，还包括：设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，所述空穴传输层为权利要求1所述的复合薄膜；
或者，设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，所述电子传输层为权利要求1所述的复合薄膜；
或者，设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，所述空穴传输层和所述电子传输层中的至少一种为权利要求1所述的复合薄膜。
7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，当所述空穴传输层为所述复合薄膜时，所述复合薄膜中烷基硅烷含有吸电子基团；和/或，
所述复合薄膜中石墨烯量子点的平面方向尺寸为2～30nm。
8.根据权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，当所述电子传输层为所述复合薄膜时，所述复合薄膜中烷基硅烷含有给电子基团；和/或，
石墨烯量子点的平面方向尺寸为40～100nm。
9.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供阳极，在所述阳极上形成空穴传输层，所述空穴传输层为权利要求1所述的复合薄膜，在所述空穴传输层上形成量子点发光层，在所述量子点发光层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管；或者，
提供阳极，在所述阳极上形成量子点发光层，在所述量子点发光层上形成电子传输层，所述电子传输层为权利要求1所述的复合薄膜，在所述电子传输层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管；或者，
提供阳极，在所述阳极上形成空穴传输层，在所述空穴传输层上形成量子点发光层，在所述量子点发光层上形成电子传输层，在所述电子传输层上形成阴极，其中，所述空穴传输层和所述电子传输层中的至少一种为权利要求1所述的复合薄膜。
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Boseok Kang等."Work-function-tuned reduced grapheme oxide via direct surface functionalization as source/drain electrodes in bottom-contact organic transistors".《Advanced materials》.2013,第5856页右栏第2行至5861页左栏第10行. *

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