CN110970534A - 一种氧化镍薄膜及其制备方法、量子点发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种氧化镍薄膜及其制备方法，量子点发光二极管，其中，所述氧化镍薄膜包括氧化镍膜层以及连接在氧化镍膜层表面的Cl‑Ni键。所述结合在氧化镍膜层表面的Cl‑Ni键可提高氧化镍膜层表面电子的静电势能，从而提高氧化镍薄膜的表面功函数。将所述氧化镍薄膜作为空穴传输层应用到量子点发光二极管中时，具有较高表面功函数的氧化镍薄膜可减小其与量子点发光层之间的空穴注入势垒，从而提高QLED的发光效率；所述Cl‑Ni极性键还可降低氧化镍薄膜表面的粗糙程度，这不仅有利于量子点发光层的沉积，还可减少空穴传输层与量子点发光层之间的界面缺陷，从而减少载流子传输陷阱和非辐射复合中心，有利于提高QLED的发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种氧化镍薄膜及其制备方法、量子点发光二极管。
背景技术
由于量子点具有发光波长随尺寸和成分连续可调，发光光谱窄，荧光效率高、稳定性好等独特的光学性质，使得量子点发光二极管(QLED)得到广泛的关注和研究。此外，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。
当前，QLED从结构上可分为两大类，一类是有机-无机结合的QLED，即空穴传输层材料采用有机物，电子传输层材料采用无机物；另一类是全无机结构的QLED，即空穴传输层材料和电子传输层材料都采用无机物，这是因为无机物具有比有机物更高的载流子迁移率以及更好的稳定性，有利于开发高效、稳定、长寿命的QLED。
在全无机结构QLED中，空穴传输材料常采用NiO，这是一种宽带隙的p型半导体材料，具有优异的空穴传输能力，在可见光范围内的透光率可达90%以上。但NiO也有不足，其价带顶能级（小于5.4eV）与当前主流的Cd族量子点价带顶能级（6.2-7eV）存在较大的差距，不利于空穴的注入，因而也限制了以NiO作为空穴传输层的全无机结构QLED的发展。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种氧化镍薄膜及其制备方法、量子点发光二极管，旨在解决由于NiO功函数较低，使得以NiO作为空穴传输材料的空穴传输层与量子点发光层之间存在空穴注入势垒，导致量子点发光二极管发光效率较低的问题。
本发明的技术方案如下：
一种氧化镍薄膜，其中，所述氧化镍薄膜包括氧化镍膜层以及连接在氧化镍膜层表面的Cl-Ni键。
一种氧化镍薄膜的制备方法，其中，包括步骤：
在基板上制备氧化镍膜层；
在所述氧化镍膜层上覆盖一层有机分子，并对所述覆盖有机分子的氧化镍膜层在臭氧环境下进行紫外光照，得到所述氧化镍薄膜。
一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极之间的叠层，所述叠层包括层叠设置的空穴传输层和量子点发光层，所述空穴传输层靠近阳极一侧设置，所述量子点发光层靠近阴极一侧设置，其中，所述空穴传输层为氧化镍薄膜，所述氧化镍薄膜包括氧化镍膜层以及连接在氧化镍膜层朝向所述量子点发光层表面的Cl-Ni键。
有益效果：本发明提供一种氧化镍薄膜，所述氧化镍薄膜包括氧化镍膜层以及连接在氧化镍膜层表面的Cl-Ni键，所述Cl-Ni键可提高氧化镍膜层表面电子的静电势能，从而提高氧化镍薄膜的表面功函数。将所述氧化镍薄膜应用到量子点发光二极管中时，具有较高表面功函数的氧化镍薄膜可减小其与量子点发光层之间的空穴注入势垒，使氧化镍薄膜表面的价带顶能级与量子点的价带顶能级更加匹配，可以提高NiO薄膜向量子点发光层注入空穴的水平，从而提高QLED的发光效率；所述Cl-Ni极性键还可降低氧化镍薄膜表面的粗糙程度，这不仅有利于量子点发光层的沉积，还可减少空穴传输层与量子点发光层之间的界面缺陷，从而减少载流子传输陷阱和非辐射复合中心，有利于提高QLED的发光效率。
附图说明
图1为本发明具体实施方式中提供的一种量子点发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种氧化镍薄膜及其制备方法、量子点发光二极管，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
NiO作为一种常用的空穴传输材料，其具有优异的空穴传输性能并且在可见光范围内的透光率可达到90%以上，然而，NiO的价带顶能级（小于5.4eV）与当前主流的Cd族量子点价带顶能级（6.2-7eV）存在较大的差距，不利于空穴的注入，因而也限制了以NiO作为空穴传输材料的全无机结构QLED的发展。
基于此，本发明具体实施例提供了一种氧化镍薄膜，所述氧化镍薄膜包括氧化镍膜层以及连接在氧化镍膜层表面的Cl-Ni键。所述Cl-Ni键可以提高氧化镍膜层表面电子的静电势能，且不改变其费米能级，而氧化镍膜层的功函数等于其静电势能与费米能级的差，因此，所述Cl-Ni键可提高氧化镍薄膜的表面功函数。将本实施提供的氧化镍薄膜应用于QLED中，可明显提高空穴传输层向量子点发光层注入空穴的水平，从而提高以氧化镍薄膜作为空穴传输层的QLED的发光效率。
本发明还提供了一种氧化镍薄膜的制备方法，其中，包括以下步骤：
在基板上制备氧化镍膜层；
在所述氧化镍膜层上覆盖一层有机分子，并对所述覆盖有机分子的氧化镍膜层在臭氧环境下进行紫外光照，得到所述氧化镍薄膜。
在一种优选的实施方式中，所述在基板上制备氧化镍膜层的制备方法包括步骤：提供氧化镍纳米颗粒溶液，采用磁控溅射法或喷墨打印法将所述氧化镍纳米颗粒溶液沉积在基板上，在60-200℃下退火10-30min，制得氧化镍膜层。
在一种优选的实施方式中，所述在基板上制备氧化镍膜层的制备方法包括步骤：提供氧化镍前驱体溶液，采用溶胶凝胶法将所述氧化镍前驱体溶液沉积在基板上，在120-300℃下退火10-90min，制得氧化镍膜层。
在一种优选的实施方式中，将有机分子滴加在所述氧化镍膜层表面，并使所述有机分子覆盖所述氧化镍膜层表面，经过在臭氧环境下进行紫外光照后，在所述氧化镍膜层表面生成Cl-Ni极性键。具体来讲，所述有机分子中的Cl通常以Cl-C键的形式存在，为了将Cl自由基从有机分子中分离出来，需要对有机分子进行高能处理以破坏有机分子中的Cl-C键，本实施例优选对所述有机分子进行在臭氧环境下进行紫外光照，从有机分子中分离得到游离的Cl自由基；而所述NiO薄膜表面本身存在少量的镍自由基，且NiO薄膜表面在在臭氧环境下进行紫外光照过程时，所述NiO薄膜中的Ni-O键也发生一定的破坏，从而在NiO薄膜表面生成较多的镍自由基。
进一步的，由于所述镍自由基的电负性为1.9，所述Cl自由基的电负性为3.16，两者之间的电负性相差较大，因此，位于所述NiO薄膜表面的镍自由基与Cl自由基极易形成极性键，所述Cl-Ni键可以提高氧化镍膜层表面电子的静电势能，且不改变其费米能级，而物质的功函数等于静电势能与费米能级的差，因此，所述Cl-Ni键可提高氧化镍薄膜的表面功函数。
在一种优选的实施方式中，所述覆盖有机分子的氧化镍膜层在臭氧环境下进行紫外光照时，紫外光照的功率为50-250W。若紫外光照的功率小于50W，则光照产生的能量不足以破坏有机分子中的Cl-C键以及氧化镍薄膜中的Ni-O键，无法在氧化镍薄膜表面生成Cl-Ni键；若紫外光照的功率大于250W，则光照产生的能量可能破坏氧化镍表面新生成的Cl-Ni键。因此，本实施例设置紫外光照的功率为50-250W，在该范围内，所述紫外光照产生的能量可破坏有机分子中的Cl-C键以及氧化镍膜层表面中的Ni-O键，从而在氧化镍膜层表面生成足够多的Cl-Ni极性键。
在一种优选的实施方式中，所述在臭氧环境下进行紫外光照的时间为1-60min。紫外光照处理的时间长短可以影响NiO薄膜表面Cl-Ni键的数量，二者成正相关。当在臭氧环境下进行紫外光照的时间在1-60min范围内，所述氧化镍膜层表面生成的Cl-Ni极性键数量逐渐增加并趋于饱和，使得所述氧化镍薄膜的表面功函数的逐渐变大直至饱和。
在一种优选的实施方式中，所述有机分子为氯仿、氯苯和邻二氯苯等中的一种或多种，但不限于此。
进一步地，本发明还提供一种量子点发光二极管，其包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极之间的叠层，所述叠层包括层叠设置的空穴传输层和量子点发光层，所述空穴传输层靠近阳极一侧设置，所述量子点发光层靠近阴极一侧设置，其中，所述空穴传输层为氧化镍薄膜，所述氧化镍薄膜包括氧化镍膜层以及连接在氧化镍膜层朝向所述量子点发光层表面的Cl-Ni键。
本实施例中，所述氧化镍薄膜具有较高的表面功函数，将所述氧化镍薄膜作为量子点发光二极管的空穴传输层，可有效降低空穴传输层与量子点发光层之间的空穴注入势垒，使空穴传输层表面的价带顶能级与量子点的价带顶能级更加匹配，从而提高空穴传输层向量子点发光层注入空穴的水平，进而提升QLED的发光效率。
进一步地，所述氧化镍膜层表面生成的Cl-Ni极性键还可降低其表面的粗糙程度，这不仅有利于量子点发光层的沉积，还可减少空穴传输层与量子点发光层之间的界面缺陷，从而减少载流子传输陷阱和非辐射复合中心，有利于提高QLED的发光效率。
在一种优选的实施方式中，所述量子点发光二极管为全无机结构量子点发光二极管。即所述量子点发光二极管各功能层的材料均为无机材料。
本实施例将具有较高表面功函数的氧化镍薄膜作为量子点发光二极管的空穴传输层，可有效降低空穴传输层与量子点发光层之间的空穴注入势垒，使空穴传输层表面的价带顶能级与量子点的价带顶能级更加匹配，从而提高空穴传输层向量子点发光层注入空穴的水平，进而提升QLED的发光效率。所述氧化镍膜层表面生成的Cl-Ni键还可降低其表面的粗糙程度，这不仅有利于量子点发光层的沉积，还可减少空穴传输层与量子点发光层之间的界面缺陷，从而减少载流子传输陷阱和非辐射复合中心，有利于提高QLED的发光效率。
本实施例中，量子点发光二极管有多种形式，且所述量子点发光二极管分为正式结构和反式结构，本实施例将主要以如图1所示的正式结构的量子点发光二极管为例进行介绍。具体地，如图1所示，所述量子点发光二极管包括从下往上依次叠层设置的衬底1、阳极2、空穴传输层3、量子点发光层4以及阴极5，其中，所述空穴传输层3为氧化镍薄膜，所述氧化镍薄膜包括氧化镍膜层以及生长在所述氧化镍膜层表面上的Cl-Ni极性键，所述量子点发光层4设置在所述氧化镍膜层生长有Cl-Ni极性键的表面上。
在一种优选的实施方式中，所述衬底可以为刚性材质的衬底，如玻璃等，也可以为柔性材质的衬底，如PET或PI等中的一种。
在一种优选的实施方式中，所述阳极可以选自铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）、锑掺杂氧化锡（ATO）和铝掺杂氧化锌（AZO）等中的一种或多种。
在一种优选的实施方式中，在所述阳极和空穴传输层之间还设置有空穴注入层。优选的，所述空穴注入层材料为WO3、MoO3和V2O5中的一种或多种，但不限于此。
在一种优选的实施方式中，在所述量子点发光层与阴极之间还设置有电子功能层，所述电子功能层为电子传输层和电子注入层中的一种或两种。优选的，所述量子点发光层与阴极之间设置有电子传输层。更优选的，所述电子传输层材料为ZnO和TiO2中的一种或两种，但不限于此。
在一种优选的实施方式中，所述量子点发光层材料为II-VI族化合物半导体、III-V族化合物半导体、I-III-VI 族化合物半导体和IV族单质半导体中的一种或多种，但不限于此。具体的，所述II-VI族化合物半导体为CdSe 、ZnCdS 、CdSeS 、ZnCdSeS、CdSe/ZnS 、CdSeS/ZnS 、CdSe/CdS 、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdS/ZnS、CdS/ZnS和ZnCdSeS/ZnS中的一种或多种，但不限于此；所述III-V族化合物半导体为GaAs 、GaN 、InP 和InP/ZnS中的一种或多种，但不限于此；所述I-III-VI 族化合物半导体为CuInS 、AgInS 、CuInS/ZnS 和AnInS/ZnS中的一种或多种，但不限于此；所述IV族单质半导体为Si 、C 和石墨烯中的一种或多种，但不限于此。
在一种优选的实施方式中，所述阴极可选自铝（Al）电极、银（Ag）电极和金（Au）电极等中的一种，但不限于此。
本发明实施例还提供一种如图1所示量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：
提供衬底，在所述衬底上制备阳极；
在所述阳极上制备氧化镍膜层，在所述氧化镍膜层上覆盖一层有机分子，并对所述覆盖有机分子的氧化镍膜层进行在臭氧环境下进行紫外光照，所述氧化镍薄膜作为空穴传输层；
在所述空穴传输层表面制备量子点发光层；
在所述量子点发光层表面制备阴极，制得所述量子点发光二极管。
在一种优选的实施方式中，在所述阳极上制备氧化镍膜层的步骤包括：
提供NiO纳米颗粒溶液，采用磁控溅射法或喷墨打印法在阳极上沉积所述NiO纳米颗粒溶液，然后在60-200℃下退火10-30min，制得氧化镍膜层。
优选的，提供氧化镍前驱体溶液，采用溶胶凝胶法在样机上沉积氧化镍前驱体溶液，然后在120-300℃下退火10-90min，制得氧化镍膜层。
在一种优选的实施方式中，将有机分子滴加在所述氧化镍膜层表面，并使所述有机分子覆盖所述氧化镍膜层表面，经过在臭氧环境下进行紫外光照后，在所述氧化镍膜层表面生成Cl-Ni键。具体来讲，所述有机分子中的Cl通常以Cl-C键的形式存在，为了将Cl自由基从有机分子中分离出来，需要对有机分子进行高能处理以破坏有机分子中的Cl-C键，本实施例优选对所述有机分子进行在臭氧环境下进行紫外光照，从有机分子中分离得到游离的Cl自由基；而所述NiO薄膜表面本身存在少量的镍自由基，且NiO薄膜表面在在臭氧环境下进行紫外光照过程时，所述NiO薄膜中的Ni-O键也发生一定的破坏，从而在NiO薄膜表面生成较多的镍自由基。
进一步的，由于所述镍自由基的电负性为1.9，所述Cl自由基的电负性为3.16，两者之间的电负性相差较大，因此，位于所述NiO薄膜表面的镍自由基与Cl自由基极易形成Cl-Ni极性键，所述Cl-Ni键可以提高氧化镍膜层表面电子的静电势能，且不改变其费米能级，而物质的功函数等于静电势能与费米能级的差，因此，所述Cl-Ni键可提高氧化镍薄膜的表面功函数。
在一种优选的实施方式中，在所述空穴传输层表面制备量子点发光层。所述量子点发光层材料为II-VI族化合物半导体、III-V族化合物半导体、I-III-VI 族化合物半导体和IV族单质半导体中的一种或多种，但不限于此。具体的，所述II-VI族化合物半导体为CdSe 、ZnCdS 、CdSeS 、ZnCdSeS、CdSe/ZnS 、CdSeS/ZnS 、CdSe/CdS 、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdS/ZnS、CdS/ZnS和ZnCdSeS/ZnS中的一种或多种，但不限于此；所述III-V族化合物半导体为GaAs 、GaN 、InP 和InP/ZnS中的一种或多种，但不限于此；所述I-III-VI 族化合物半导体为CuInS 、AgInS 、CuInS/ZnS 和AnInS/ZnS中的一种或多种，但不限于此；所述IV族单质半导体为Si 、C 和石墨烯中的一种或多种，但不限于此。
本实施例中，各层制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于溶液法（如旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法或条状涂布法等）、蒸镀法（如热蒸镀法、电子束蒸镀法、磁控溅射法或多弧离子镀膜法等）、沉积法（如物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法等）中的一种或多种。
下面通过实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
一种量子点发光二极管，其包括从下至上依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其具体的制备包括以下步骤：
1、以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
2、在阳极上利用磁控溅射法沉积NiO膜层，厚度为30nm；
3、在所述NiO膜层表面滴上邻二氯苯并使所述邻二氯苯覆盖NiO膜层表面，然后在紫外光照功率为80W，紫外光照时间为3min的条件下进行在臭氧环境下进行紫外光照，使所述NiO膜层表面生长出Cl-Ni极性键，制得氧化镍薄膜，将所述氧化镍薄膜作为空穴传输层；
4、在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；
5、在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，厚度为40nm；
6、在电子传输层上蒸镀Al作为阴极，厚度为100nm。
实施例2
一种量子点发光二极管，其包括从下至上依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其具体的制备包括以下步骤：
1、以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
2、在阳极上利用磁控溅射法沉积NiO膜层，厚度为30nm；
3、在所述NiO膜层表面滴加氯苯并使所述氯苯覆盖所述NiO膜层表面，然后在紫外光照功率为150W，紫外光照时间为5min的条件下进行在臭氧环境下进行紫外光照，使所述NiO膜层表面生长出Cl-Ni极性键，制得氧化镍薄膜，将所述氧化镍薄膜作为空穴传输层；
4、在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；
5、在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，厚度为40nm；
6、在电子传输层上蒸镀Al作为阴极，厚度为100nm。
实施例3
一种量子点发光二极管，其包括从下至上依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其具体的制备包括以下步骤：
1、以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
2、在阳极上利用磁控溅射法沉积NiO膜层，厚度为30nm；
3、在所述NiO膜层表面滴加氯仿并使所述氯仿覆盖所述NiO膜层表面，然后在紫外光照功率为200W，紫外光照时间为10min的条件下进行在臭氧环境下进行紫外光照，使所述NiO膜层表面生长出Cl-Ni极性键，制得氧化镍薄膜，将所述氧化镍薄膜作为空穴传输层；
4、在空穴传输层利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；
5、在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，厚度为40nm；
6、在电子传输层上蒸镀Al作为阴极，厚度为100nm。
实施例4
一种量子点发光二极管，其包括从下至上依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其具体的制备包括以下步骤：
1、以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
2、在阳极上利用磁控溅射法沉积NiO膜层，厚度为30nm；
3、在所述NiO膜层表面滴加邻二氯苯并使所述邻二氯苯覆盖所述NiO膜层表面，然后在紫外光照功率为240W，紫外光照时间为30min的条件下进行在臭氧环境下进行紫外光照，使所述NiO膜层表面生长出Cl-Ni极性键，制得氧化镍薄膜，将所述氧化镍薄膜作为空穴传输层；
4、在Cl处理的NiO薄膜上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；
5、在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，厚度为40nm；
6、在电子传输层上蒸镀Al作为阴极，厚度为100nm。
综上所述，本发明提供一种氧化镍薄膜，所述氧化镍薄膜包括氧化镍膜层以及生长在所述氧化镍膜层表面上的Cl-Ni极性键，所述Cl-Ni极性键可提高氧化镍膜层表面电子的静电势能，从而提高氧化镍薄膜的表面功函数。将所述氧化镍薄膜应用到量子点发光二极管中时，具有较高表面功函数的氧化镍薄膜可减小其与量子点发光层之间的空穴注入势垒，使氧化镍薄膜表面的价带顶能级与量子点的价带顶能级更加匹配，可以提高NiO薄膜向量子点发光层注入空穴的水平，从而提高QLED的发光效率；所述Cl-Ni极性键还可降低氧化镍薄膜表面的粗糙程度，这不仅有利于量子点发光层的沉积，还可减少空穴传输层与量子点发光层之间的界面缺陷，从而减少载流子传输陷阱和非辐射复合中心，有利于提高QLED的发光效率。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种氧化镍薄膜，其特征在于，所述氧化镍薄膜包括氧化镍膜层以及连接在氧化镍膜层表面的Cl-Ni键。
2.根据权利要求1所述的氧化镍薄膜，其特征在于，所述氧化镍薄膜用作量子点发光二极管的空穴传输层。
3.一种氧化镍薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
在基板上制备氧化镍膜层；
在所述氧化镍膜层上覆盖一层有机分子，并对所述覆盖有机分子的氧化镍膜层在臭氧环境下进行紫外光照，得到所述氧化镍薄膜。
4.根据权利要求3所述氧化镍薄膜的制备方法，其特征在于，在基板上制备氧化镍膜层，包括步骤：
提供氧化镍纳米颗粒溶液，并将所述氧化镍纳米颗粒溶液沉积在基板上，在60-200℃下退火10-30min，制得氧化镍膜层；
或者，提供氧化镍前驱体溶液，并将所述氧化镍前驱体溶液沉积在基板上，在120-300℃下退火10-90min，制得氧化镍膜层。
5.根据权利要求3所述氧化镍薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机分子选自氯仿、氯苯和邻二氯苯中的一种或多种。
6.根据权利要求3所述氧化镍薄膜的制备方法，其特征在于，所述在臭氧环境下进行紫外光照的时间为1-60min；
和/或，紫外光照应用的紫外灯功率为50-250W。
7.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极之间的空穴传输层和量子点发光层，所述空穴传输层靠近阳极一侧设置，所述量子点发光层靠近阴极一侧设置，其特征在于，所述空穴传输层为氧化镍薄膜，所述氧化镍薄膜包括氧化镍膜层以及连接在氧化镍膜层朝向所述量子点发光层表面的Cl-Ni键。
8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管为全无机结构量子点发光二极管。
9.根据权利要求8所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阴极和量子点发光层之间还设置有电子传输层，所述电子传输层的材料为ZnO和TiO2中的一种或两种。
10.根据权利要求8所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层和阳极之间还设置有空穴注入层，所属空穴注入层材料选自WO3、MoO3和V2O5中的一种或两种。
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