CN105259683A - Coa型阵列基板的制备方法及coa型阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种COA型阵列基板的制备方法及COA型阵列基板。本发明的COA型阵列基板的制备方法，利用TFT基板上的像素电极图案、以及壳聚糖的溶解度随pH值变化而改变的性质，使用电化学沉积的方法在TFT基板上形成包括红色滤光层、绿色滤光层、及蓝色滤光层的量子点彩色滤光膜，量子点在成膜前分散在电解液中，成膜前后除电解液的量子点浓度降低外无其他性质变化，补充量子点后电解液仍可继续使用，故可实现量子点的零浪费，与现有的彩色滤光膜的制备方法相比，无需使用高温工序，有效提高了量子点利用率，同时能够节省两到三次光刻工艺，从而降低成本、保护环境。

Description

COA型阵列基板的制备方法及COA型阵列基板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种COA型阵列基板的制备方法及COA型阵列基板。
背景技术
随着显示技术的不断发展，人们对显示装置的显示质量要求也越来越高。量子点(QuantumDots，简称QDs)通常是由Ⅱ-Ⅵ、或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的球形或类球形的半导体纳米微粒，粒径一般在几纳米至数十纳米之间。由于量子点的粒径尺寸小于或者接近相应体材料的激子波尔半径，会产生量子限域效应，其能级结构从体材料的准连续变为量子点材料的离散结构，导致量子点展示出特殊的受激辐射发光的性能。随着量子点的尺寸减小，其能级带隙增加，相应的量子点受激所需要的能量以及量子点受激后回到基态放出的能量都相应的增大，表现为量子点的激发与荧光光谱的“蓝移”现象，通过控制量子点的尺寸，使其发光光谱可以覆盖整个可见光区域。如硒化镉(CdSe)的尺寸从6.6nm减小至2.0nm，其发光波长从红光区域635nm“蓝移”至蓝光区域的460nm。
利用量子点材料具有发光光谱集中，色纯度高、且发光颜色可通过量子点材料的尺寸、结构或成分进行简易调节等这些优点，将其应用在显示装置中可有效地提升显示装置的色域及色彩还原能力。目前，已有多篇文献和专利报道了量子点在薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)中的应用，其中使用量子点替代传统TFT-LCD的彩膜材料尤为受到人们的关注。使用量子点代替传统的彩色光阻，可以大幅度的提高TFT-LCD的色域和穿透率，带来更好的显示效果。
然而，使用量子点复合树脂制成光刻胶，进而用于制造量子点彩膜存在以下几个问题：首先，量子点耐热性能较差，而传统的TFT光刻制程需经历200度以上的高温，因而为使量子点光刻胶成为可能，必须要将量子点光刻胶的烘烤温度降低，这使得量子点光刻胶的成分势必与传统的光刻胶材料有很大不同，需要大量的研发成本；其次，量子点价格昂贵且多有毒性，而光刻制程中大量的量子点在显影过程中被洗去，造成浪费和环境污染；再次，使用量子点光刻胶仍需使用两到三次成本高昂的光刻制程。
COA(ColorFilteronArray)技术是将彩色层制备在阵列基板上的技术，以形成彩色滤光片。由于COA结构的显示面板不存在彩膜基板与阵列基板的对位问题，因此可以降低显示面板制备过程中对盒制程的难度，避免了对盒时的误差，因此黑色矩阵可以设计为窄线宽，提高了开口率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种COA型阵列基板的制备方法，通过电化学沉积方法在TFT基板上形成包括红色、绿色、及蓝色滤光层的量子点彩色滤光膜，与现有的量子点彩色滤光膜的制备方法相比，节约量子点使用量，成本低，且保护环境。
本发明的的目的还在于提供一种COA型阵列基板，将彩色滤光膜制作于阵列基板一侧，色彩显示效果好，可避免传统的CF基板与TFT基板的对位问题，降低显示面板制备过程中对盒制程的难度，提高像素开口率。
为实现上述目的，本发明提供了一种COA型阵列基板的制备方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一TFT基板，所述TFT基板包括衬底基板、设于衬底基板上的TFT层、以及设于TFT层上的像素电极层，其中，所述像素电极层包括间隔设置的数个红色子像素电极、数个绿色子像素电极、及数个蓝色子像素电极；
在所述TFT层上位于数个红、绿、蓝子像素电极的间隔区域内形成黑色矩阵；
步骤2、提供对电极、第一电解液、第二电解液、及第三电解液；所述对电极包括绝缘基板、及设于所述绝缘基板上的数个对电极单元，所述数个对电极单元分别与所述TFT基板上的数个红、绿、蓝子像素电极相对应设置；所述第一电解液为包含红色量子点和壳聚糖的混合弱酸性溶液，所述第二电解液为包含绿色量子点和壳聚糖的混合弱酸性溶液，所述第三电解液为包含散射颗粒和壳聚糖的混合弱酸性溶液；
步骤3、将对电极与所述TFT基板一同浸入到第一电解液中，使用导线、电源在所述TFT基板上的红色子像素电极与对电极上与红色子像素电极相对应的对电极单元之间形成连接电路，所述TFT基板作为负极，所述对电极作为正极，通电后，所述TFT基板上的红色子像素电极附近的第一电解液的pH值升高，使得第一电解液内的壳聚糖沉积于红色子像素电极上，所述壳聚糖带动红色量子点沉积于红色子像素电极上，从而分别在数个红色子像素电极上形成数个红色滤光层；控制电化学沉积时间，待所述红色滤光层的厚度达到一定值后，断电，取出TFT基板和对电极，并进行清洗；
步骤4、将所述TFT基板与对电极一同浸入到第二电解液中，使用导线、电源在所述TFT基板上的绿色子像素电极和对电极上与绿色子像素电极相对应的对电极单元之间形成连接电路，所述TFT基板作为负极，所述对电极作为正极，通电后，所述TFT基板上的绿色子像素电极附近的第二电解液的pH值升高，使得第二电解液内的壳聚糖沉积于绿色子像素电极上，所述壳聚糖带动绿色量子点沉积于绿色子像素电极上，从而分别在数个绿色子像素电极上形成数个绿色滤光层；控制电化学沉积时间，待所述绿色滤光层的厚度达到一定值后，断电，取出TFT基板和对电极，并进行清洗；
步骤5、将所述TFT基板与对电极一同浸入到第三电解液中，使用导线、电源在所述TFT基板上的数个蓝色子像素电极与对电极上与蓝色子像素电极相对应的对电极单元之间形成连接电路，所述TFT基板作为负极，所述对电极作为正极，通电后，所述TFT基板上的蓝色子像素电极附近的第三电解液的pH值升高，使得第三电解液内的壳聚糖沉积于蓝色子像素电极上，所述壳聚糖带动散射颗粒沉积于蓝色子像素电极上，从而在数个蓝色子像素电极上形成数个蓝色滤光层；控制电化学沉积时间，待所述蓝色滤光层的厚度达到一定值后，断电，取出基板和对电极，并进行清洗；
所述步骤3、步骤4、和步骤5可以按任意顺序进行；经过所述步骤3-5后，在所述像素电极层上得到包括数个红色滤光层、数个绿色滤光层、及数个蓝色滤光层的量子点彩色滤光膜，从而制得一COA型阵列基板。
所述第一电解液、第二电解液、及第三电解液中壳聚糖的质量分数为0.001％～10％；所述第一电解液中红色量子点、及所述第二电解液中绿色量子点的浓度为10-6M～1M；所述第三电解液中散射颗粒的浓度为10-6M～1M；所述第一电解液、第二电解液、及第三电解液的pH值为2.0～7.0。
所述第一电解液、第二电解液、及第三电解液中壳聚糖的质量分数为1％；所述第一电解液中红色量子点、及所述第二电解液中绿色量子点的浓度为0.5mM；所述第三电解液中散射颗粒的浓度为0.5mM；所述第一电解液、第二电解液、及第三电解液的pH值为5.2。
所述红色量子点、绿色量子点、及散射颗粒的粒径为2nm～10nm。
所述红色量子点为包覆ZnS的InP量子点；所述绿色量子点为包覆ZnS的InAs量子点；所述散射颗粒为白色、蓝色、或透明的颗粒。
所述步骤3-5中，对所述TFT基板上的红/绿/蓝子像素电极和对电极上相对应的对电极单元之间施加的电压为0.01V～30V，通电时间为0.01s到1h。
所述步骤3-5中，对所述TFT基板上的红/绿/蓝子像素电极和对电极上相对应的对电极单元之间施加的电压为2V，通电时间应为150s。
所述对电极单元的材料为氧化铟锡、掺铝氧化锌、镍、不锈钢、银、金或铂。
所述对电极单元的材料为金或铂。
本发明还提供一种COA型阵列基板包括衬底基板、设于衬底基板上的TFT层、设于TFT层上的像素电极层与黑色矩阵、以及设于所述像素电极层上的量子点彩色滤光膜；
所述像素电极层包括间隔设置的数个红色子像素电极、数个绿色子像素电极、及数个蓝色子像素电极；所述量子点彩色滤光膜包括分别与数个红、绿、蓝色子像素电极相对应的数个红、绿、蓝色滤光层；
其中，所述红色滤光层的材料为红色量子点与壳聚糖的混合物；所述绿色滤光层的材料为绿色量子点与壳聚糖的混合物；所述蓝色滤光层的材料为散射颗粒与壳聚糖的混合物。
本发明的有益效果：本发明的COA型阵列基板的制备方法，利用TFT基板上的像素电极图案、以及壳聚糖的溶解度随pH值变化而改变的性质，使用电化学沉积的方法在TFT基板上形成包括红色滤光层、绿色滤光层、及蓝色滤光层的量子点彩色滤光膜，量子点在成膜前分散在电解液中，成膜前后除电解液的量子点浓度降低外无其他性质变化，补充量子点后电解液仍可继续使用，故可实现量子点的零浪费，且与现有的彩色滤光膜的制备方法相比，无需使用高温工序，有效提高了量子点利用率，同时能够节省两到三次光刻工艺，从而降低成本、保护环境。本发明的COA型阵列基板，在像素电极层上形成量子点彩色滤光膜，色彩显示效果好，可避免传统的CF基板与TFT基板成盒后因对位误差而出现的漏光现象。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的COA型阵列基板的制备方法的示意流程图；
图2-3为本发明的COA型阵列基板的制备方法的步骤1的示意图；
图4-5为本发明的COA型阵列基板的制备方法的步骤3的示意图；
图6-7为本发明的COA型阵列基板的制备方法的步骤4的示意图；
图8-9为本发明的COA型阵列基板的制备方法的步骤5的示意图；
图10为本发明制得的COA型阵列基板用于彩色显示的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
本发明基于以下原理实现：
壳聚糖(chitosan)又称脱乙酰甲壳素，是由几丁质(chitin)经过脱乙酰作用得到的，化学名称为(1,4)-2-氨基-2-脱氧-β-D-葡聚糖，其分子结构如下：
壳聚糖在弱酸性条件下可溶于水，在中性和碱性条件下不溶于水。因而，如果配制含壳聚糖和量子点的溶液，将电极沉浸于其中，通过电化学反应改变电极附近溶液的pH值，则可以将壳聚糖与量子点共沉淀于电极表面；而在TFT-LCD中，TFT阵列基板上布满了像素电极，每个像素电极对应一个子像素，通过控制相应TFT中栅极的电压和源极的电压、电流，可以精确控制每个子像素对应的像素电极的电压、电流；因此，利用现有TFT阵列基板本身的像素电极图案，通过电化学沉积的方法可实现各子像素对应的像素电极上形成对应颜色的单色量子点膜，从而形成量子点彩色滤光膜。
请参阅图1，本发明提供一种COA型阵列基板的制备方法，包括如下步骤：
步骤1、如图2所示，提供一TFT基板10，所述TFT基板10包括衬底基板11、设于衬底基板11上的TFT层21、以及设于TFT层21上的像素电极层22，其中，所述像素电极层22包括间隔设置的数个红色子像素电极221、数个绿色子像素电极222、及数个蓝色子像素电极223；
如图3所示，在所述TFT层21上位于数个红、绿、蓝子像素电极221、222、223的间隔区域内形成黑色矩阵23。
具体的，所述TFT层21包括分别与数个红、绿、蓝子像素电极221、222、223相对应的数个TFT。
步骤2、如图4、图6、及图8所示，提供对电极50、第一电解液61、第二电解液62、及第三电解液63；所述对电极50包括绝缘基板51、及设于所述绝缘基板51上的数个对电极单元52，所述数个对电极单元52分别与所述TFT基板10上的数个红、绿、蓝子像素电极221、222、223相对应设置；所述第一电解液61为包含红色量子点和壳聚糖的混合弱酸性溶液，所述第二电解液62为包含绿色量子点和壳聚糖的混合弱酸性溶液，所述第三电解液63为包含散射颗粒和壳聚糖的混合弱酸性溶液。
具体的，所述对电极单元52的材料可以是可以耐弱酸性氧化环境水溶液的导电材料，包括但不限于氧化铟锡(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)、镍(Ni)、不锈钢、银、金或铂；优选的，所述对电极50的材料为金或铂。
优选的，所述对电极单元52与所述红、绿、蓝子像素电极221、222、223的大小和形状相同。
具体的，所述第一电解液61、第二电解液62、及第三电解液63的pH值为2.0～7.0，优选为5.2。
具体的，所述第一电解液61、第二电解液62、及第三电解液63中壳聚糖的质量分数为0.001％～10％，优选为1％。
具体的，所述第一电解液61中红色量子点、及所述第二电解液62中绿色量子点的浓度为10-6M～1M，优选为0.5mM。
具体的，所述第三电解液63中散射颗粒的浓度为10-6M～1M，优选为0.5mM。
具体的，所述红色量子点为能发射红色荧光的量子点，优选的，为包覆ZnS的InP量子点；所述绿色量子点为能发射绿色荧光的量子点，优选的，为包覆ZnS的InAs量子点；所述散射颗粒为白色、蓝色、或透明的颗粒，优选的，所述散射颗粒的材料为树脂。
具体的，所述红色量子点、绿色量子点、及散射颗粒的粒径为2nm～10nm。
步骤3、如图4-5所示，将对电极50与所述TFT基板10一同浸入到第一电解液61中，使用导线、电源在所述TFT基板10上的数个红色子像素电极221与对电极50上与红色子像素电极221相对应的对电极单元52之间形成连接电路，所述TFT基板10作为负极，所述对电极50作为正极，通电后，所述TFT基板10上的红色子像素电极221附近的第一电解液61的pH值升高，使得第一电解液61内的壳聚糖沉积于红色子像素电极221上，所述壳聚糖带动红色量子点沉积于红色子像素电极221上，从而分别在数个红色子像素电极221上形成数个红色滤光层31；控制电化学沉积时间，待所述红色滤光层31的厚度达到一定值后，断电，取出TFT基板10和对电极50，并进行清洗。
步骤4、如图6-7所示，将沉积了红色滤光层31的TFT基板10与对电极50一同浸入到第二电解液62中，使用导线、电源在所述TFT基板10上的数个绿色子像素电极222和对电极50与绿色子像素电极222相对应的对电极单元52之间形成连接电路，所述TFT基板10作为负极，所述对电极50作为正极，通电后，所述TFT基板10上的绿色子像素电极222附近的第二电解液62的pH值升高，使得第二电解液62内的壳聚糖沉积于绿色子像素电极222上，所述壳聚糖带动绿色量子点沉积于绿色子像素电极222上，从而分别在数个绿色子像素电极222上形成数个绿色滤光层32；控制电化学沉积时间，待所述绿色滤光层32的厚度达到一定值后，断电，取出TFT基板10和对电极50，并进行清洗。
步骤5、如图8-9所示，将沉积了红色滤光层31与绿色滤光层32的TFT基板10与对电极50一同浸入到第三电解液63中，使用导线、电源在所述TFT基板10上的数个蓝色子像素电极223与对电极50上与蓝色子像素电极223相对应的对电极单元52之间形成连接电路，所述TFT基板10作为负极，所述对电极50作为正极，通电后，所述TFT基板10上的蓝色子像素电极223附近的第三电解液63的pH值升高，使得第三电解液63内的壳聚糖沉积于蓝色子像素电极223上，所述壳聚糖带动散射颗粒沉积于蓝色子像素电极223上，从而在数个蓝色子像素电极223上形成数个蓝色滤光层33；控制电化学沉积时间，待所述蓝色滤光层33的厚度达到一定值后，断电，取出基板10和对电极50，并进行清洗。
具体的，所述步骤3、步骤4、和步骤5可以按任意顺序进行；经过所述步骤3-5后，在所述像素电极层22上得到包括数个红色滤光层31、数个绿色滤光层32、及数个蓝色滤光层33的量子点彩色滤光膜30，从而制得一COA型阵列基板。
具体的，所述步骤3-5中，对所述TFT基板10上的红/绿/蓝子像素电极221/222/223和对电极50上相对应的对电极单元52之间施加的电压为0.01V～30V，优选为2V，通电时间为0.01s到1h，优选为150s。
如图10所示，所得到的量子点彩色滤光膜30用于彩色显示时，所述红光滤光层31内的红色量子点在蓝光背光的光激发下发出红光而显红色，所述绿光滤光层32内的绿色量子点在蓝光背光的光激发下发出绿光而显绿色，所述蓝色滤光层33不发光，蓝光背光穿过所述蓝色滤光层33而显蓝色，从而实现了彩色显示。
请参阅图9-10，基于上述制作方法，本发明还提供一种COA型阵列基板，包括衬底基板11、设于衬底基板11上的TFT层21、设于TFT层21上的像素电极层22与黑色矩阵23、以及设于所述像素电极层22上的量子点彩色滤光膜30；
所述像素电极层22包括间隔设置的数个红色子像素电极221、数个绿色子像素电极222、及数个蓝色子像素电极223；所述量子点彩色滤光膜30包括分别与数个红、绿、蓝色子像素电极221、222、223相对应的数个红、绿、蓝色滤光层31、32、33。
具体的，所述黑色矩阵23位于所述TFT层21上数个红、绿、蓝色子像素电极221、222、223之间。
具体的，所述红色滤光层31的材料为红色量子点与壳聚糖的混合物；所述绿色滤光层32的材料为绿色量子点与壳聚糖的混合物；所述蓝色滤光层33的材料为散射颗粒与壳聚糖的混合物。
具体的，所述红色量子点为能发射红色荧光的量子点，优选的，为包覆ZnS的InP量子点；所述绿色量子点为能发射绿色荧光的量子点，优选的，为包覆ZnS的InAs量子点；所述散射颗粒为白色、蓝色、或透明的颗粒，优选的，所述散射颗粒的材料为树脂。
具体的，所述红色量子点、绿色量子点、及散射颗粒的粒径为2nm～10nm。
综上所述，本发明的COA型阵列基板的制备方法，利用TFT基板上的像素电极图案、以及壳聚糖的溶解度随pH值变化而改变的性质，使用电化学沉积的方法在TFT基板上形成包括红色滤光层、绿色滤光层、及蓝色滤光层的量子点彩色滤光膜，量子点在成膜前分散在电解液中，成膜前后除电解液的量子点浓度降低外无其他性质变化，补充量子点后电解液仍可继续使用，故可实现量子点的零浪费，且与现有的量子点彩色滤光膜的制备方法相比，无需使用高温工序，有效提高了量子点利用率，同时能够节省两到三次光刻工艺，从而降低成本、保护环境。本发明的COA型阵列基板，在像素电极层上形成量子点彩色滤光膜，色彩显示效果好，可避免传统的CF基板与TFT基板的对位问题，降低显示面板制备过程中对盒制程的难度，提高像素开口率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种COA型阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一TFT基板(10)，所述TFT基板(10)包括衬底基板(11)、设于衬底基板(11)上的TFT层(21)、以及设于TFT层(21)上的像素电极层(22)，其中，所述像素电极层(22)包括间隔设置的数个红色子像素电极(221)、数个绿色子像素电极(222)、及数个蓝色子像素电极(223)；
在所述TFT层(21)上位于数个红、绿、蓝子像素电极(221、222、223)的间隔区域内形成黑色矩阵(23)；
步骤2、提供对电极(50)、第一电解液(61)、第二电解液(62)、及第三电解液(63)；所述对电极(50)包括绝缘基板(51)、及设于所述绝缘基板(51)上的数个对电极单元(52)，所述数个对电极单元(52)分别与所述TFT基板(10)上的数个红、绿、蓝子像素电极(221、222、223)相对应设置；所述第一电解液(61)为包含红色量子点和壳聚糖的混合弱酸性溶液，所述第二电解液(62)为包含绿色量子点和壳聚糖的混合弱酸性溶液，所述第三电解液(63)为包含散射颗粒和壳聚糖的混合弱酸性溶液；
步骤3、将对电极(50)与所述TFT基板(10)一同浸入到第一电解液(61)中，使用导线、电源在所述TFT基板(10)上的红色子像素电极(221)与对电极(50)上与红色子像素电极(221)相对应的对电极单元(52)之间形成连接电路，所述TFT基板(10)作为负极，所述对电极(50)作为正极，通电后，所述TFT基板(10)上的红色子像素电极(221)附近的第一电解液(61)的pH值升高，使得第一电解液(61)内的壳聚糖沉积于红色子像素电极(221)上，所述壳聚糖带动红色量子点沉积于红色子像素电极(221)上，从而分别在数个红色子像素电极(221)上形成数个红色滤光层(31)；控制电化学沉积时间，待所述红色滤光层(31)的厚度达到一定值后，断电，取出TFT基板(10)和对电极(50)，并进行清洗；
步骤4、将所述TFT基板(10)与对电极(50)一同浸入到第二电解液(62)中，使用导线、电源在所述TFT基板(10)上的绿色子像素电极(222)和对电极(50)上与绿色子像素电极(222)相对应的对电极单元(52)之间形成连接电路，所述TFT基板(10)作为负极，所述对电极(50)作为正极，通电后，所述TFT基板(10)上的绿色子像素电极(222)附近的第二电解液(62)的pH值升高，使得第二电解液(62)内的壳聚糖沉积于绿色子像素电极(222)上，所述壳聚糖带动绿色量子点沉积于绿色子像素电极(222)上，从而分别在数个绿色子像素电极(222)上形成数个绿色滤光层(32)；控制电化学沉积时间，待所述绿色滤光层(32)的厚度达到一定值后，断电，取出TFT基板(10)和对电极(50)，并进行清洗；
步骤5、将所述TFT基板(10)与对电极(50)一同浸入到第三电解液(63)中，使用导线、电源在所述TFT基板(10)上的数个蓝色子像素电极(223)与对电极(50)上与蓝色子像素电极(223)相对应的对电极单元(52)之间形成连接电路，所述TFT基板(10)作为负极，所述对电极(50)作为正极，通电后，所述TFT基板(10)上的蓝色子像素电极(223)附近的第三电解液(63)的pH值升高，使得第三电解液(63)内的壳聚糖沉积于蓝色子像素电极(223)上，所述壳聚糖带动散射颗粒沉积于蓝色子像素电极(223)上，从而在数个蓝色子像素电极(223)上形成数个蓝色滤光层(33)；控制电化学沉积时间，待所述蓝色滤光层(33)的厚度达到一定值后，断电，取出基板(10)和对电极(50)，并进行清洗；
所述步骤3、步骤4、和步骤5可以按任意顺序进行；经过所述步骤3-5后，在所述像素电极层(22)上得到包括数个红色滤光层(31)、数个绿色滤光层(32)、及数个蓝色滤光层(33)的量子点彩色滤光膜(30)，从而制得一COA型阵列基板。
2.如权利要求1所述的COA型阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一电解液(61)、第二电解液(62)、及第三电解液(63)中壳聚糖的质量分数为0.001％～10％；所述第一电解液(61)中红色量子点、及所述第二电解液(62)中绿色量子点的浓度为10-6M～1M；所述第三电解液(63)中散射颗粒的浓度为10-6M～1M；所述第一电解液(61)、第二电解液(62)、及第三电解液(63)的pH值为2.0～7.0。
3.如权利要求2所述的COA型阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一电解液(61)、第二电解液(62)、及第三电解液(63)中壳聚糖的质量分数为1％；所述第一电解液(61)中红色量子点、及所述第二电解液(62)中绿色量子点的浓度为0.5mM；所述第三电解液(63)中散射颗粒的浓度为0.5mM；所述第一电解液(61)、第二电解液(62)、及第三电解液(63)的pH值为5.2。
4.如权利要求1所述的COA型阵列基板的制备方法，其特征在于，所述红色量子点、绿色量子点、及散射颗粒的粒径为2nm～10nm。
5.如权利要求1所述的COA型阵列基板的制备方法，其特征在于，所述红色量子点为包覆ZnS的InP量子点；所述绿色量子点为包覆ZnS的InAs量子点；所述散射颗粒为白色、蓝色、或透明的颗粒。
6.如权利要求1所述的COA型阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤3-5中，对所述TFT基板(10)上的红/绿/蓝子像素电极(221/222/223)和对电极(50)上相对应的对电极单元(52)之间施加的电压为0.01V～30V，通电时间为0.01s到1h。
7.如权利要求6所述的COA型阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤3-5中，对所述TFT基板(10)上的红/绿/蓝子像素电极(221/222/223)和对电极(50)上相对应的对电极单元(52)之间施加的电压为2V，通电时间应为150s。
8.如权利要求1所述的COA型阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对电极单元(52)的材料为氧化铟锡、掺铝氧化锌、镍、不锈钢、银、金或铂。
9.如权利要求1所述的COA型阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对电极单元(52)的材料为金或铂。
10.一种COA型阵列基板，其特征在于，包括衬底基板(11)、设于衬底基板(11)上的TFT层(21)、设于TFT层(21)上的像素电极层(22)与黑色矩阵(23)、以及设于所述像素电极层(22)上的量子点彩色滤光膜(30)；
所述像素电极层(22)包括间隔设置的数个红色子像素电极(221)、数个绿色子像素电极(222)、及数个蓝色子像素电极(223)；所述量子点彩色滤光膜(30)包括分别与数个红、绿、蓝色子像素电极(221、222、223)相对应的数个红、绿、蓝色滤光层(31、32、33)；
其中，所述红色滤光层(31)的材料为红色量子点与壳聚糖的混合物；所述绿色滤光层(32)的材料为绿色量子点与壳聚糖的混合物；所述蓝色滤光层(33)的材料为散射颗粒与壳聚糖的混合物。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106374056A (zh) * 2016-11-28 2017-02-01 武汉华星光电技术有限公司 Qled显示面板制造方法及qled显示器
CN108008565A (zh) * 2017-12-04 2018-05-08 福州大学 一种基于自组装的量子点滤色膜的制备方法
CN108292060A (zh) * 2016-03-24 2018-07-17 三星Sdi株式会社 彩色滤光片、其制造方法以及包括其的显示设备
CN110277425A (zh) * 2018-03-14 2019-09-24 Tcl集团股份有限公司 阵列基板、图案化量子点薄膜的制备方法
CN112542536A (zh) * 2019-09-04 2021-03-23 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板的制作方法
CN112652649A (zh) * 2020-12-21 2021-04-13 深圳扑浪创新科技有限公司 一种量子点显示装置及其制备方法与应用
CN112736212A (zh) * 2019-10-28 2021-04-30 Tcl华星光电技术有限公司 一种纳米粒子图案化装置及纳米粒子图案化方法
CN112820190A (zh) * 2019-11-18 2021-05-18 Tcl华星光电技术有限公司 量子点基板制作方法
CN113359347A (zh) * 2021-05-28 2021-09-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种量子点沉积装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105185790B (zh) * 2015-09-24 2019-03-12 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法
CN105353555B (zh) * 2015-12-08 2018-08-14 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜基板的制作方法
CN107452758B (zh) * 2017-08-08 2020-05-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法和显示装置
KR102548864B1 (ko) 2018-01-02 2023-06-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 구동 방법
CN111257983A (zh) * 2018-12-03 2020-06-09 中华映管股份有限公司 彩色滤光片及其制造方法
US11377723B2 (en) * 2020-03-30 2022-07-05 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method of patterning quantum dots, device using same, and system thereof
CN112877740A (zh) * 2021-01-08 2021-06-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 纳米材料薄膜的制作方法及显示面板

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110021745A1 (en) * 2007-07-06 2011-01-27 Swadeshmukul Santra Ultra-small chitosan nanoparticles useful as bioimaging agents and methods of making same
CN103412435A (zh) * 2013-07-24 2013-11-27 北京京东方光电科技有限公司 一种液晶显示屏及显示装置
CN103554925A (zh) * 2013-10-09 2014-02-05 北京理工大学 一种量子点掺杂的凝胶、其制备及应用
CN103730472A (zh) * 2013-12-25 2014-04-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103911142A (zh) * 2014-03-26 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 蓝色量子点复合颗粒、其制备方法、光电元件和光电设备
CN105068343A (zh) * 2015-05-25 2015-11-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110158901A1 (en) * 2009-12-29 2011-06-30 Swadeshmukul Santra Chitosan-based nanoparticles and methods for making and using the same
US20130224282A1 (en) * 2010-09-21 2013-08-29 Massachusetts Institute Of Technology Multistage Nanoparticles

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110021745A1 (en) * 2007-07-06 2011-01-27 Swadeshmukul Santra Ultra-small chitosan nanoparticles useful as bioimaging agents and methods of making same
CN103412435A (zh) * 2013-07-24 2013-11-27 北京京东方光电科技有限公司 一种液晶显示屏及显示装置
CN103554925A (zh) * 2013-10-09 2014-02-05 北京理工大学 一种量子点掺杂的凝胶、其制备及应用
CN103730472A (zh) * 2013-12-25 2014-04-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103911142A (zh) * 2014-03-26 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 蓝色量子点复合颗粒、其制备方法、光电元件和光电设备
CN105068343A (zh) * 2015-05-25 2015-11-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108292060A (zh) * 2016-03-24 2018-07-17 三星Sdi株式会社 彩色滤光片、其制造方法以及包括其的显示设备
CN106374056A (zh) * 2016-11-28 2017-02-01 武汉华星光电技术有限公司 Qled显示面板制造方法及qled显示器
CN108008565A (zh) * 2017-12-04 2018-05-08 福州大学 一种基于自组装的量子点滤色膜的制备方法
CN110277425B (zh) * 2018-03-14 2021-10-12 Tcl科技集团股份有限公司 阵列基板、图案化量子点薄膜的制备方法
CN110277425A (zh) * 2018-03-14 2019-09-24 Tcl集团股份有限公司 阵列基板、图案化量子点薄膜的制备方法
CN112542536A (zh) * 2019-09-04 2021-03-23 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板的制作方法
CN112542536B (zh) * 2019-09-04 2024-02-27 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板的制作方法
CN112736212A (zh) * 2019-10-28 2021-04-30 Tcl华星光电技术有限公司 一种纳米粒子图案化装置及纳米粒子图案化方法
CN112820190A (zh) * 2019-11-18 2021-05-18 Tcl华星光电技术有限公司 量子点基板制作方法
CN112820190B (zh) * 2019-11-18 2022-07-12 Tcl华星光电技术有限公司 量子点基板制作方法
CN112652649A (zh) * 2020-12-21 2021-04-13 深圳扑浪创新科技有限公司 一种量子点显示装置及其制备方法与应用
WO2022134308A1 (zh) * 2020-12-21 2022-06-30 深圳扑浪创新科技有限公司 一种量子点显示装置及其制备方法与应用
CN112652649B (zh) * 2020-12-21 2023-06-16 深圳扑浪量子半导体有限公司 一种量子点显示装置及其制备方法与应用
CN113359347A (zh) * 2021-05-28 2021-09-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种量子点沉积装置
CN113359347B (zh) * 2021-05-28 2022-12-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种量子点沉积装置

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