JPH02119094A - 直流電界発光装置及びその製造方法 - Google Patents
直流電界発光装置及びその製造方法Info
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- JPH02119094A JPH02119094A JP1232686A JP23268689A JPH02119094A JP H02119094 A JPH02119094 A JP H02119094A JP 1232686 A JP1232686 A JP 1232686A JP 23268689 A JP23268689 A JP 23268689A JP H02119094 A JPH02119094 A JP H02119094A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、直流電界発光装置及び直流電界発光ｖｌ置の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
［従来の技術１
イギリス特許第１３００５４８号の明細書には、直流電
界発光装置が、通常の使用に供される以前に、装置に直
流電流を予備的に通電する形成過程によって、直流電界
発光装置の性能がどのように高められるかが記載されて
いる。
界発光装置が、通常の使用に供される以前に、装置に直
流電流を予備的に通電する形成過程によって、直流電界
発光装置の性能がどのように高められるかが記載されて
いる。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の［］的は、コントラストの高い発光面を有する
直流電界発光装置を提供することにある。
直流電界発光装置を提供することにある。
また、本発明の別の目的はコントラストの高い発光面を
有する直流電界発光装置の製造方法を提供することにあ
る。
有する直流電界発光装置の製造方法を提供することにあ
る。
Ｆ問題点を解決するだめの手段１
本発明によれば、前述の目的は、２つの電極と、当該２
つの電極間に配置された螢光体層と、前述の２つの電極
の少なくともる特許請求と前述の螢光体層との間に挾持
された絶縁層とを備えており、前述の少なくともる特許
請求の電極が平坦且つ半透明であり、前）ホの絶縁層が
、１マイクロメータ以下の厚みを有Ｊると共に、密に且
つ不連続的に間隔を置いて配置され且つ電気的に不伝導
性物質からなる点状物を含む直流電界発光装置により達
成される。
つの電極間に配置された螢光体層と、前述の２つの電極
の少なくともる特許請求と前述の螢光体層との間に挾持
された絶縁層とを備えており、前述の少なくともる特許
請求の電極が平坦且つ半透明であり、前）ホの絶縁層が
、１マイクロメータ以下の厚みを有Ｊると共に、密に且
つ不連続的に間隔を置いて配置され且つ電気的に不伝導
性物質からなる点状物を含む直流電界発光装置により達
成される。
また、本発明の別の目的は、平坦且つ半透明な電極を準
備する段階と、 電気的に不伝導性物質からなる粒子を蒸発さける段階と
、 密に且つ不連続的に間隔を置いて配置された孔を有する
有孔マスクで前述の電極の一方の表面を覆う段階と、 前述のマスクの前述の孔を介して前述の電極の前記一方
の表面上に前述の蒸発した粒子を蒸着させ、１マイクロ
メータ以下の厚みを有すると共に、密に且つ不連続的に
間隔を置いて配ＩＮされ且つ前述の電気的に不伝導性物
質からなる点状物を含む絶縁層を形成する段階と、 前述の形成された絶縁層上に螢光体層を形成づ−る段階
と、 前述の形成された螢光体層の表面に他の電極を設ける段
階とを右した直流電界発光装置の製造方法により達成さ
れる。
備する段階と、 電気的に不伝導性物質からなる粒子を蒸発さける段階と
、 密に且つ不連続的に間隔を置いて配置された孔を有する
有孔マスクで前述の電極の一方の表面を覆う段階と、 前述のマスクの前述の孔を介して前述の電極の前記一方
の表面上に前述の蒸発した粒子を蒸着させ、１マイクロ
メータ以下の厚みを有すると共に、密に且つ不連続的に
間隔を置いて配ＩＮされ且つ前述の電気的に不伝導性物
質からなる点状物を含む絶縁層を形成する段階と、 前述の形成された絶縁層上に螢光体層を形成づ−る段階
と、 前述の形成された螢光体層の表面に他の電極を設ける段
階とを右した直流電界発光装置の製造方法により達成さ
れる。
［作 用１
本発明の直流電界発光装置は、絶縁層が、１マイクロメ
ータ以下の厚みを有すると共に、密に且つ不連続的に間
隔を置いて配置され且つ電気的に不伝導性物質からなる
点状物を含んでいるが故に、発光面の」ントラストを高
め得る。
ータ以下の厚みを有すると共に、密に且つ不連続的に間
隔を置いて配置され且つ電気的に不伝導性物質からなる
点状物を含んでいるが故に、発光面の」ントラストを高
め得る。
また、本発明の直流電界発光装置の製造方法は、密に且
つ不連続的に間隔を置いて配置された孔を有する有孔マ
スクで電極の一方の表面を覆う段階と、前述のマスクの
孔を介して前述の電極の前述の−・方の表面上に蒸発し
た粒子を蒸着させ、１マイクロメータ以下の厚みを有す
ると共に、密に且つ不連続的に間隔を置いて配置され且
つ電気的に不伝導性物質からなる点状物を含む絶縁層を
形成する段階とを有するが故に、コントラストの高い発
光面を有する直流電界発光装置を製造すること流電界発
光装置（ＤＣＥＬ装＠）は、螢光体層と電極のうち少な
くとも１つどの間に、電気的に不伝導性物質でできた薄
い非平坦層を有している。
つ不連続的に間隔を置いて配置された孔を有する有孔マ
スクで電極の一方の表面を覆う段階と、前述のマスクの
孔を介して前述の電極の前述の−・方の表面上に蒸発し
た粒子を蒸着させ、１マイクロメータ以下の厚みを有す
ると共に、密に且つ不連続的に間隔を置いて配置され且
つ電気的に不伝導性物質からなる点状物を含む絶縁層を
形成する段階とを有するが故に、コントラストの高い発
光面を有する直流電界発光装置を製造すること流電界発
光装置（ＤＣＥＬ装＠）は、螢光体層と電極のうち少な
くとも１つどの間に、電気的に不伝導性物質でできた薄
い非平坦層を有している。
この非平坦層は、間隔をへだてて密に配置された不伝導
性物質からなる点状物の形状をした不連続層である。
性物質からなる点状物の形状をした不連続層である。
非平坦層の最大の厚さはおよそ１マイクロメータ、また
最小の厚さはおよそ５０ミリマイクロメータである。
最小の厚さはおよそ５０ミリマイクロメータである。
好ましくは非平坦層は螢光体層と半透明電極との聞に置
かれる。
かれる。
非平坦層は、たとえば、一酸化珪素、二酸化珪素、二酸
化ゲルマニウム、弗化マグネシウム、弗化カドミウム、
弗化イツトリウム、酸化イツトリウム、硫化亜鉛、硫化
銅のうちの少なくとも一種から成るものであり得る。
化ゲルマニウム、弗化マグネシウム、弗化カドミウム、
弗化イツトリウム、酸化イツトリウム、硫化亜鉛、硫化
銅のうちの少なくとも一種から成るものであり得る。
また本発明に係る直流電界発光装置の製造方法は、所定
の不伝導性物質の粒子を蒸発さけ、製造されるべき装置
の一部をなす導電層上に、蒸発粒子の分布を制御しつつ
導くことによって行われる５本発明の参考例における製
造方法においては、蒸発粒子を、導電層策に対して実買
上直角とは異なる角度でＳ電層上に導くことによって、
波状層が導電層上にＩＩ造される。好ましくは、蒸発粒
子は導Ｗｂに垂直な方向に対して約１０°から約４０゜
の鞘囲内の角度をな１方向から導電層に導かれ、この導
電層上に蒸着される。
の不伝導性物質の粒子を蒸発さけ、製造されるべき装置
の一部をなす導電層上に、蒸発粒子の分布を制御しつつ
導くことによって行われる５本発明の参考例における製
造方法においては、蒸発粒子を、導電層策に対して実買
上直角とは異なる角度でＳ電層上に導くことによって、
波状層が導電層上にＩＩ造される。好ましくは、蒸発粒
子は導Ｗｂに垂直な方向に対して約１０°から約４０゜
の鞘囲内の角度をな１方向から導電層に導かれ、この導
電層上に蒸着される。
本発明の実施例における製造方法においては、間隔をへ
だでて密に配置された不伝導性物質からなる点状物の形
状の不連続層は、たとえば金属線のメツシュあるいはブ
ラスチックフイラメン１〜などの、孔を有するマスクを
通して、蒸発粒子を導電層上に導くことによって、導電
層上に形成される。
だでて密に配置された不伝導性物質からなる点状物の形
状の不連続層は、たとえば金属線のメツシュあるいはブ
ラスチックフイラメン１〜などの、孔を有するマスクを
通して、蒸発粒子を導電層上に導くことによって、導電
層上に形成される。
以下、添付図面を参照しながら本発明を更に詳細に説明
する。
する。
［実施例］
第１図には、本発明の参考例に係るＤＣＥＬ装置１０の
一部の断面が示されている。この装置１０は２つの電極
を有する。電極の１つは金属１２でできており、これは
この装置１０の、取り付けおよび固定のための基礎とな
る。電極１２に接して、たとえば螢光体物質の粒子１６
を豊富に含む螢光体層１４がある。螢光体物質は弗型的
には硫化亜鉛〈マンガンマ銅であるが、異なった組成の
ものでもよい。
一部の断面が示されている。この装置１０は２つの電極
を有する。電極の１つは金属１２でできており、これは
この装置１０の、取り付けおよび固定のための基礎とな
る。電極１２に接して、たとえば螢光体物質の粒子１６
を豊富に含む螢光体層１４がある。螢光体物質は弗型的
には硫化亜鉛〈マンガンマ銅であるが、異なった組成の
ものでもよい。
装置１０はまた板ガラス１Ｂをも含んでいる。板ガラス
１８上には、第２の電極を構成するべく、透明な導電層
２０が配置されている。この導電層２０はたとえば酸化
すずまたは酸化インジウムすずなどでできたものであり
得る。電極としての導電層２０の上には電気的に不伝導
性物質あるいは絶縁性物質からなる非平ｊ！１層２２が
置かれている。この非平坦層２２は輪郭が波状である横
断面を有することがわがる。螢光体層１４は非平坦層２
２上に置かれ、この螢光体層１４上に電極１２が置かれ
る；あるいは螢光体層１４は、装置１０の組立の際に外
部からの力によつて電極１２上に置かれ、非平坦Ｂ２２
と接触した状態に保たれる。
１８上には、第２の電極を構成するべく、透明な導電層
２０が配置されている。この導電層２０はたとえば酸化
すずまたは酸化インジウムすずなどでできたものであり
得る。電極としての導電層２０の上には電気的に不伝導
性物質あるいは絶縁性物質からなる非平ｊ！１層２２が
置かれている。この非平坦層２２は輪郭が波状である横
断面を有することがわがる。螢光体層１４は非平坦層２
２上に置かれ、この螢光体層１４上に電極１２が置かれ
る；あるいは螢光体層１４は、装置１０の組立の際に外
部からの力によつて電極１２上に置かれ、非平坦Ｂ２２
と接触した状態に保たれる。
第２図は本発明の直流電界発光装置の実施例を示す図で
ある。第２図において、第１図にお【ノるど同じ参照番
号は、同じ部材を示す。しかしながら、第２図における
本発明の実施例においては、絶縁層としての非平坦層２
２は、相互に間隔をへだてて密に列状（配置された不伝
導性物質からなる点状物２４から構成されている。
ある。第２図において、第１図にお【ノるど同じ参照番
号は、同じ部材を示す。しかしながら、第２図における
本発明の実施例においては、絶縁層としての非平坦層２
２は、相互に間隔をへだてて密に列状（配置された不伝
導性物質からなる点状物２４から構成されている。
本実施例において用いるのに適切な電気的に不伝導性物
質は次のものを含む、すなわちａ、一酸化珪素 す、二酸化珪素、二酸化ゲルマニウム Ｃ１弗化マグネシウム、弗化カドミウムＪ３よび弗化イ
ツトリウム ｄ、酸化イツトリウム ｅ、硫化亜鉛、硫化銅 これらの物質のうち一酸化珪素は、どのような実質上の
厚さにおいても、可視光線に対し不透明である。従って
一酸化珪素は、約５００ミリマイクロ々 メータよりも少ない平均の厚饗を有する間隔をおいて並
べられた不伝導性物質からなる点状物の形で用いられる
。他の上記不伝導性物質はずべて、可視光線に対し、少
なくとも約１マイクロメータの厚さまでは通園である。
質は次のものを含む、すなわちａ、一酸化珪素 す、二酸化珪素、二酸化ゲルマニウム Ｃ１弗化マグネシウム、弗化カドミウムＪ３よび弗化イ
ツトリウム ｄ、酸化イツトリウム ｅ、硫化亜鉛、硫化銅 これらの物質のうち一酸化珪素は、どのような実質上の
厚さにおいても、可視光線に対し不透明である。従って
一酸化珪素は、約５００ミリマイクロ々 メータよりも少ない平均の厚饗を有する間隔をおいて並
べられた不伝導性物質からなる点状物の形で用いられる
。他の上記不伝導性物質はずべて、可視光線に対し、少
なくとも約１マイクロメータの厚さまでは通園である。
第３図は本発明製造方法の参考例を説明する図である。
参考例の製造方法においては、高度の真空状態（ｔなわ
ち低ル状態）を作り出すための通常の設備を備えた従来
の蒸発装置（図示されでいない）中で不伝導性物の蒸発
と蒸着が行なわれる。
ち低ル状態）を作り出すための通常の設備を備えた従来
の蒸発装置（図示されでいない）中で不伝導性物の蒸発
と蒸着が行なわれる。
蒸発すべき所定の不伝導性物質２６は、３０でアースに
接続されている炭素製のるつぼ２８中に配置される。
接続されている炭素製のるつぼ２８中に配置される。
るつぼ２８の近くには、環状のフィラメント３２が配置
され、このフィラメン１−３２は開口３６をその中に有
する集束電穫３４と同一平面上にあり、その開口３６中
にフィラメント３２が置かれている。るつぼ２８からみ
てフィラメント３２の反対側に導電層２０が配置される
。導電層２０は板ガラス１８上に配置されている。
され、このフィラメン１−３２は開口３６をその中に有
する集束電穫３４と同一平面上にあり、その開口３６中
にフィラメント３２が置かれている。るつぼ２８からみ
てフィラメント３２の反対側に導電層２０が配置される
。導電層２０は板ガラス１８上に配置されている。
フィラメント３２は、たとえばモリブデンあるいはタン
グステンといった材料から作られ、熱ぜられてそこから
等熱電子放出を生ずる。この参考例では、約３０アンペ
アのヒータ電流が使用される。
グステンといった材料から作られ、熱ぜられてそこから
等熱電子放出を生ずる。この参考例では、約３０アンペ
アのヒータ電流が使用される。
集束電極３４は、アースに関して約−３００ボルトの電
圧に保たれている。フィラメント３２からの電子は、る
つぼ２８へ飛び、不伝導性物質２６を衝撃によって加熱
して蒸発させる。フィラメント３２とるつぼ２８の間の
適切な電圧差は、約２０００ボルト乃至３０００ボルト
の範囲内である。るつぼ２８から不伝導性物質２６が蒸
発させられた時、蒸発粒子は矢印３８の方向へ、蒸発粒
子の平均的な方向に対して傾斜した角度で配置されてい
る導′ａｆ層２０に向かって進む。蒸発粒子の平均的な
方向と、粒子が蒸着される導電層２０に対する垂直面と
の間の角度θは、好ましくは約１０°乃至約４０°の範
囲内である。これは導・４層２０上に、第１図に図示さ
れているように、波状の横断面を有する非平坦層２２を
生ぜしめる。
圧に保たれている。フィラメント３２からの電子は、る
つぼ２８へ飛び、不伝導性物質２６を衝撃によって加熱
して蒸発させる。フィラメント３２とるつぼ２８の間の
適切な電圧差は、約２０００ボルト乃至３０００ボルト
の範囲内である。るつぼ２８から不伝導性物質２６が蒸
発させられた時、蒸発粒子は矢印３８の方向へ、蒸発粒
子の平均的な方向に対して傾斜した角度で配置されてい
る導′ａｆ層２０に向かって進む。蒸発粒子の平均的な
方向と、粒子が蒸着される導電層２０に対する垂直面と
の間の角度θは、好ましくは約１０°乃至約４０°の範
囲内である。これは導・４層２０上に、第１図に図示さ
れているように、波状の横断面を有する非平坦層２２を
生ぜしめる。
非平坦層の厚みは、るつぼ２８内に初めにそこからの蒸
発のために置かれていた電気的に不伝導性物質の吊によ
って制御される。典型的には、最大の厚さは１マイクロ
メータ以下であり、一方最小の厚さはＪ３よそ５０ミリ
マイクロメータである。
発のために置かれていた電気的に不伝導性物質の吊によ
って制御される。典型的には、最大の厚さは１マイクロ
メータ以下であり、一方最小の厚さはＪ３よそ５０ミリ
マイクロメータである。
第４図は本発明製造方法の実施例を説明する図である。
第４図は、間隔をへだてて方に１ｊＩｊ状に並べられた
電気的に不伝導付物質の点状物からなる層 不連続的な絶縁層としての非平ｉｎ叛を形成させる方法
とその形成袋ぽを図示したものである。６つぼ２８、フ
ィラメント３２および集束電極３４は、第３図に開運し
て既に説明されているような方法で配置される。本実施
例においては電極としての導電層２０は、矢印３８で示
された蒸発した粒子の平均的方向に対して垂直面である
ように配置されている。
電気的に不伝導付物質の点状物からなる層 不連続的な絶縁層としての非平ｉｎ叛を形成させる方法
とその形成袋ぽを図示したものである。６つぼ２８、フ
ィラメント３２および集束電極３４は、第３図に開運し
て既に説明されているような方法で配置される。本実施
例においては電極としての導電層２０は、矢印３８で示
された蒸発した粒子の平均的方向に対して垂直面である
ように配置されている。
さらに、導電層２０と蒸発粒子の供給源との間には、導
電層２０と接しあるいはそれに非常に接近して、有孔マ
スク４０が配置されている。有孔マスク４０における孔
は、その孔を蒸発粒子が通過することにより導電層２０
上に、所定の寸法と間隔を有１６列状配列状態の点状物
（第２図中の点状物２２）を形成できるような寸法と間
隔を持つよう配列されている。なお、有孔マスク４０は
、密に且つ不連続的に間隔を買いて配置された孔を有す
る。適切な有孔マスク４０は、たとえばステンレス・ス
チールのような金属で、あるいはナイロン・モノフィラ
メントのようなプラスチック材料で編まれたメッシｌか
ら作られる。有孔マスク４０中の喪の適当な１法くある
いはメツシュ、の寸法）は、約１０乃〒５０マイクロメ
ータの範囲内である。有孔マスク４０は、導電層２０か
ら０乃至約５ミリメー１−ルの距離の位置に配置し得る
。
電層２０と接しあるいはそれに非常に接近して、有孔マ
スク４０が配置されている。有孔マスク４０における孔
は、その孔を蒸発粒子が通過することにより導電層２０
上に、所定の寸法と間隔を有１６列状配列状態の点状物
（第２図中の点状物２２）を形成できるような寸法と間
隔を持つよう配列されている。なお、有孔マスク４０は
、密に且つ不連続的に間隔を買いて配置された孔を有す
る。適切な有孔マスク４０は、たとえばステンレス・ス
チールのような金属で、あるいはナイロン・モノフィラ
メントのようなプラスチック材料で編まれたメッシｌか
ら作られる。有孔マスク４０中の喪の適当な１法くある
いはメツシュ、の寸法）は、約１０乃〒５０マイクロメ
ータの範囲内である。有孔マスク４０は、導電層２０か
ら０乃至約５ミリメー１−ルの距離の位置に配置し得る
。
本発明の実施例及び参考例に関するテストわれた。、参
考例の揚台の電気的に不払り性物質は一酸化珪素（Ｓｉ
ｎ）であった。非平坦層２２を導。
考例の揚台の電気的に不払り性物質は一酸化珪素（Ｓｉ
ｎ）であった。非平坦層２２を導。
平坦層２２の厚さは約１００ミリ？イク［１メータ以Ｔ
’であった。従来公知のＤＣＥＬ装置を形成するために
要する電力は約１ワット備−２であった。
’であった。従来公知のＤＣＥＬ装置を形成するために
要する電力は約１ワット備−２であった。
酸化珪素の蒸着フィルムに関しては、形成電力は、０．
６６ワツトα−２（前記角度が０°の時）乃至ｏ、 ｏ
ｏｏｏｓワットｃｊｔ−”（４０°の時）であって、蒸
着見出された。
６６ワツトα−２（前記角度が０°の時）乃至ｏ、 ｏ
ｏｏｏｓワットｃｊｔ−”（４０°の時）であって、蒸
着見出された。
伝導性物質が一酸化珪１ｉＩＱ（ＳｉＯ）である時、Ｄ
ＣＥ Ｌ装置において」ントラストを高めるという効
果を奏する。５０マイクロメータの孔を有するナイロン
・メツシュからなる有孔マスク４０を通して導電層２０
上に前述の不伝導性物質を蒸着さけ、そしてＺｎＳ：Ｍ
ｒｌ：Ｃｕからなる螢光体層を使用した例においては、
コントラス１−増強比率は約１．２５：１であった。
ＣＥ Ｌ装置において」ントラストを高めるという効
果を奏する。５０マイクロメータの孔を有するナイロン
・メツシュからなる有孔マスク４０を通して導電層２０
上に前述の不伝導性物質を蒸着さけ、そしてＺｎＳ：Ｍ
ｒｌ：Ｃｕからなる螢光体層を使用した例においては、
コントラス１−増強比率は約１．２５：１であった。
［発明の効果］
本発明の直流電界発光装置は、絶縁層が、１マイクロメ
ータ以下の厚みを有すると共に、密にＢつ不連続的に間
隔を置いて配置され且つ電気的に不伝導性物質からなる
点状物を含んでいるが故に、発光面のコントラストを高
め得る。
ータ以下の厚みを有すると共に、密にＢつ不連続的に間
隔を置いて配置され且つ電気的に不伝導性物質からなる
点状物を含んでいるが故に、発光面のコントラストを高
め得る。
また、本発明の直流電界発光装置の製造方法は、密に且
つ不連続的に間隔を置いて配置された孔をイｊする有孔
マスクで電極の一方の表面を覆う段階と、前述のマスク
の孔を介して前述の電極の前述の一方の表面上に蒸発し
た粒子を蒸着させ、１マイクロメータ以ドの厚みを右す
ると共に、密に１１つ不連続的に間隔を置いて配置され
且つ電気的に不伝導性物質からなる点状物を含む絶縁層
を形成づる段階とを有するが故に、コントラストの高い
発光面を有する直流電界発光装置を製造することができ
る。
つ不連続的に間隔を置いて配置された孔をイｊする有孔
マスクで電極の一方の表面を覆う段階と、前述のマスク
の孔を介して前述の電極の前述の一方の表面上に蒸発し
た粒子を蒸着させ、１マイクロメータ以ドの厚みを右す
ると共に、密に１１つ不連続的に間隔を置いて配置され
且つ電気的に不伝導性物質からなる点状物を含む絶縁層
を形成づる段階とを有するが故に、コントラストの高い
発光面を有する直流電界発光装置を製造することができ
る。
第１図は本発明の参考例にょるＤＣＦＬ装置の断面図、
第２図は本発明の実施例のＤＣＥ ｌ−装置の断面図、
第３図は本発明の参考例の方法を説明する図、第４図は
本発明の実施例の方法を説明する図である。 １０・・・・・・ＤＣＥＬ装置、 １２・・・・・・電
極、１４・・・・・・螢光体層、 １６・・・・・・
螢光体物質の粒子、１８・・・・・・板ガラス、 ２０
・・・・・・導電層、２２・・・・・・非平坦層、 ２
４・・・・・・不伝導性物質の点状物、２６・・・・・
・不伝導性物質、 ２８・・・・・・るつぼ、３０・・
・・・・アース、 ３２・・・・・・フィラメント、３
４・・・・・・集束電極、 ３６・・・・・・開 口、
３８・・・・・・矢 印、 ４０・・・・・・有孔マ
スク。
第２図は本発明の実施例のＤＣＥ ｌ−装置の断面図、
第３図は本発明の参考例の方法を説明する図、第４図は
本発明の実施例の方法を説明する図である。 １０・・・・・・ＤＣＥＬ装置、 １２・・・・・・電
極、１４・・・・・・螢光体層、 １６・・・・・・
螢光体物質の粒子、１８・・・・・・板ガラス、 ２０
・・・・・・導電層、２２・・・・・・非平坦層、 ２
４・・・・・・不伝導性物質の点状物、２６・・・・・
・不伝導性物質、 ２８・・・・・・るつぼ、３０・・
・・・・アース、 ３２・・・・・・フィラメント、３
４・・・・・・集束電極、 ３６・・・・・・開 口、
３８・・・・・・矢 印、 ４０・・・・・・有孔マ
スク。
Claims (7)
- （１） ２つの電極と、当該２つの電極間に配置された
螢光体層と、前記２つの電極の少なくとも一方と前記螢
光体層との間に挟持された絶縁層とを備えており、前記
少なくとも一方の電極が平坦且つ半透明であり、前記絶
縁層が、１マイクロメータ以下の厚みを有すると共に、
密に且つ不連続的に間隔を置いて配置され且つ電気的に
不伝導性物質からなる点状物を含む直流電界発光装置。 - （２） 前記絶縁層が少なくとも５０ミリマイクロメー
タの厚みを有する特許請求の範囲第１項に記載の装置。 - （３） 前記絶縁層が半透明であり、前記少なくともる
特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の装置。 - （４） 前記絶縁層が、一酸化珪素、二酸化珪素、二酸
化ゲルマニウム、弗化マグネシウム、弗化カドミウム、
弗化イットリウム、酸化イツトリウム、硫化亜鉛及び硫
化銅からなる群から選択された少なくとも一つの物質か
らなる特許請求の範囲第１項から第３項のいずれか一項
に記載の装置。 - （５） 平坦且つ半透明な電極を準備する段階と、電気
的に不伝導性物質からなる粒子を蒸発させる段階と、 密に且つ不連続的に間隔を置いて配置された孔を有する
有孔マスクで前記電極の一方の表面を覆う段階と、 前記マスクの前記孔を介して前記電極の前記一方の表
面上に前記蒸発した粒子を蒸着させ、１マイクロメータ
以下の厚みを有すると共に、密に且一方の電極と前記螢
光体層との間に配置されていつ不連続的に間隔を置いて
配置され且つ前記電気的に不伝導性物質からなる点状物
を含む絶縁層を形成する段階と、 前記形成された絶縁層上に螢光体層を形成する段階と、 前記形成された螢光体層の表面に他の電極を設ける段階
とを有した直流電界発光装置の製造方法。 - （６） 前記蒸発段階が、一酸化珪素、二酸化珪素、二
酸化ゲルマニウム、弗化マグネシウム、弗化カドミウム
、弗化イットリウム、酸化イツトリウム、硫化亜鉛及び
硫化銅からなる群から選択された少なくとも一つの物質
を蒸発させる段階を含む特許請求の範囲第５項に記載の
方法。 - （７） 前記孔の各々が１０〜５０マイクロメータの直
径を有しており、マスクが前記準備した電極から０〜５
０ミリメートルの距離に配置される特許請求の範囲第６
項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8136678 | 1981-12-04 | ||
| GB8136678 | 1981-12-04 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57212053A Division JPS58117677A (ja) | 1981-12-04 | 1982-12-02 | 直流電界発光装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02119094A true JPH02119094A (ja) | 1990-05-07 |
| JPH0440836B2 JPH0440836B2 (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=10526388
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57212053A Granted JPS58117677A (ja) | 1981-12-04 | 1982-12-02 | 直流電界発光装置とその製造方法 |
| JP1232686A Granted JPH02119094A (ja) | 1981-12-04 | 1989-09-07 | 直流電界発光装置及びその製造方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57212053A Granted JPS58117677A (ja) | 1981-12-04 | 1982-12-02 | 直流電界発光装置とその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4529885A (ja) |
| JP (2) | JPS58117677A (ja) |
| FR (1) | FR2517921B1 (ja) |
| NL (1) | NL8204697A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4529885A (en) * | 1981-12-04 | 1985-07-16 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Direct current electroluminescent devices |
| US4634639A (en) * | 1984-04-30 | 1987-01-06 | Hoya Corporation | Electroluminescent panel having a light absorption layer of germanium oxide |
| NL8502570A (nl) * | 1985-09-20 | 1987-04-16 | Philips Nv | Roentgenbeeldversterkerbuis met geoeptimaliseerde microstructuur. |
| JPH0744069B2 (ja) * | 1985-12-18 | 1995-05-15 | キヤノン株式会社 | 電場発光素子の製造方法 |
| US4902567A (en) * | 1987-12-31 | 1990-02-20 | Loctite Luminescent Systems, Inc. | Electroluminescent lamp devices using monolayers of electroluminescent materials |
| US6613455B1 (en) * | 1999-01-14 | 2003-09-02 | 3M Innovative Properties Company | Electroluminescent device and method for producing same |
| JP2007297608A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-11-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透光性導電塗料及び透光性導電膜並びに分散型エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR102369676B1 (ko) * | 2017-04-10 | 2022-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS532177U (ja) * | 1976-06-23 | 1978-01-10 | ||
| JPS58117677A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-07-13 | イギリス国 | 直流電界発光装置とその製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2829265A (en) * | 1954-11-23 | 1958-04-01 | Westinghouse Electric Corp | Electrode structrue for imaging device |
| US3731353A (en) * | 1972-02-16 | 1973-05-08 | A Vecht | Method of making electroluminescent devices |
| US4015166A (en) * | 1972-09-06 | 1977-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | X-Y matrix type electroluminescent display panel |
| GB1407098A (en) * | 1972-12-08 | 1975-09-24 | Inst Poluprovodnikov | Electroluminescent device |
| CH559096A5 (ja) * | 1973-06-13 | 1975-02-28 | Netstal Ag Maschf Giesserei | |
| GB1568111A (en) * | 1975-07-22 | 1980-05-29 | Phosphor Prod Co Ltd | Electroluminescent devices |
| JPS6042600B2 (ja) * | 1975-07-22 | 1985-09-24 | フオスフアー プロダクツ カンパニー リミテツド | エレクトロミネツサンス装置 |
| JPS53138751A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-04 | Hitachi Ltd | Manufacture of liquid crystal display element |
| JPS5814556Y2 (ja) * | 1979-01-22 | 1983-03-23 | オムロン株式会社 | 電界発光素子 |
| JPS5937555B2 (ja) * | 1979-11-09 | 1984-09-10 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 両面発光形電界発光灯の製造方法 |
| JPS57123684A (en) * | 1981-01-23 | 1982-08-02 | Sumitomo Electric Industries | Method of producing thin film light emitting element |
| JPS57165996A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-13 | Alps Electric Co Ltd | Electric field light emitting device and method of producing same |
-
1982
- 1982-12-01 US US06/445,752 patent/US4529885A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-12-02 JP JP57212053A patent/JPS58117677A/ja active Granted
- 1982-12-03 FR FR8220330A patent/FR2517921B1/fr not_active Expired
- 1982-12-03 NL NL8204697A patent/NL8204697A/nl not_active Application Discontinuation
-
1989
- 1989-09-07 JP JP1232686A patent/JPH02119094A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS532177U (ja) * | 1976-06-23 | 1978-01-10 | ||
| JPS58117677A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-07-13 | イギリス国 | 直流電界発光装置とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58117677A (ja) | 1983-07-13 |
| FR2517921B1 (fr) | 1987-03-06 |
| NL8204697A (nl) | 1983-07-01 |
| JPH0440836B2 (ja) | 1992-07-06 |
| US4529885A (en) | 1985-07-16 |
| JPH0231474B2 (ja) | 1990-07-13 |
| FR2517921A1 (fr) | 1983-06-10 |
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