JPH02177234A - 蛍光表示パネルの製造方法 - Google Patents
蛍光表示パネルの製造方法Info
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- JPH02177234A JPH02177234A JP20544688A JP20544688A JPH02177234A JP H02177234 A JPH02177234 A JP H02177234A JP 20544688 A JP20544688 A JP 20544688A JP 20544688 A JP20544688 A JP 20544688A JP H02177234 A JPH02177234 A JP H02177234A
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Landscapes
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
本発明は1例えば計測塁1重搭載メータまたは自動事務
機器の端末機等に用いられて文字表示、グラフィック表
示する蛍光表示パネルの製造方法の改良に関し、特にパ
ネル内部を真空置市する方法の改良に関するものである
。
機器の端末機等に用いられて文字表示、グラフィック表
示する蛍光表示パネルの製造方法の改良に関し、特にパ
ネル内部を真空置市する方法の改良に関するものである
。
本出願人は、先に、多数本の陽極電極を有するセル型蛍
光表示パネルを提案している(特願昭63−11163
3号参照)、この蛍光表示パネルは、内面に蛍光体層が
設けられた陽極基板と、この陽極基板の上にスペーサ板
を介して81層された制御電極基板及び陰極基板を含む
電極基板群と、陰極基板の上にスペーサ板を介して設け
られたガラスまたはセラミラフの裏面基板とから成って
いるが、蛍光体層及び各種電極部品の薄膜は、透孔な有
し絶縁処理された金属基板の上に積層され、透孔の壁で
ある隔壁によって区分されたセル中に陰極(フィラメン
ト)、2つの制御電極(グソット)及び蛍光体層で覆わ
れた陽極を有している。この蛍光表示パネルは、従来の
蛍光表示管と異なり、セル構造を有するので大面積化が
可能であり、また陽極には常に一定の直流電圧を印加し
Itつグリッドには数10vの低電圧パルスをかけるの
みであるの°C高価な駆動ICが不要であり安価に製造
することができる。また、陽極に印加する直流電圧の電
圧レベルを変えることによって輝度の階調を付加するこ
とができる。−力、この蛍光表j−、パネルは、裏面基
板とそれ以外の部品組立体、pHlち陽極基板を兼ねる
フェースガラス基板とスペーサ板を含む電極基板群との
組立体とに分けられ、この組立体と1面基板とはそれら
の間と組立体の部品相りの間に設けられたソリッドガラ
ス等の低融点シール材を用いて大気あるいは不活性ガス
中で封11ニされ一体化されている。
光表示パネルを提案している(特願昭63−11163
3号参照)、この蛍光表示パネルは、内面に蛍光体層が
設けられた陽極基板と、この陽極基板の上にスペーサ板
を介して81層された制御電極基板及び陰極基板を含む
電極基板群と、陰極基板の上にスペーサ板を介して設け
られたガラスまたはセラミラフの裏面基板とから成って
いるが、蛍光体層及び各種電極部品の薄膜は、透孔な有
し絶縁処理された金属基板の上に積層され、透孔の壁で
ある隔壁によって区分されたセル中に陰極(フィラメン
ト)、2つの制御電極(グソット)及び蛍光体層で覆わ
れた陽極を有している。この蛍光表示パネルは、従来の
蛍光表示管と異なり、セル構造を有するので大面積化が
可能であり、また陽極には常に一定の直流電圧を印加し
Itつグリッドには数10vの低電圧パルスをかけるの
みであるの°C高価な駆動ICが不要であり安価に製造
することができる。また、陽極に印加する直流電圧の電
圧レベルを変えることによって輝度の階調を付加するこ
とができる。−力、この蛍光表j−、パネルは、裏面基
板とそれ以外の部品組立体、pHlち陽極基板を兼ねる
フェースガラス基板とスペーサ板を含む電極基板群との
組立体とに分けられ、この組立体と1面基板とはそれら
の間と組立体の部品相りの間に設けられたソリッドガラ
ス等の低融点シール材を用いて大気あるいは不活性ガス
中で封11ニされ一体化されている。
裏面基板と部品組立体との間は10−’〜1O−6To
rrの高真空丁で部品表面に吸着されている水分、空気
等のガスを除去するために350〜450°Cの温度に
加熱され、封止面に設けられたシール材を加熱溶融して
封止し、その後パネル内部を従来の蛍光表示管に用いら
れるゲッター処理を施していた。このゲッター処理は、
部品組立体の内部でパネルの表示部外に配こされたリン
グ状のバリウムゲッター材料を高周波誘導または通電加
熱によって局部加熱しバリウムを飛散して蛍光表示パネ
ルを安定に動作するのに必要な10 ”’Torr以上
の真空度を得ていた。尚このゲッター材料は、数mgの
B a A i s合金粉末に還元性金属であるNi粉
末を約1=1の割合で混合したものを0.2〜0.3m
m厚みのニッケルメッキを施した鉄袈容器内に入れて形
成され、高周波発生源からのパワーは常温でフェースガ
ラス基板あるいは裏面基板を貫通するカーボンロッドな
通してゲッター材料のみに吸収されるように印加され、
これによってゲッター材料を800〜1100℃に加熱
しBaA1.中のAIとNiとを反応させることにより
Baを蒸発させ、裏面基板−ヒのSnO,またはフェー
スガラス基板上のI To (I n2 owl・5n
O3)の如き導電性膜に堆積させる。このゲッター作用
には、Baがゲッター容重から裏面基板に蒸着する行程
中にパネル(真空容器)内に残留している酸素、炭酸ガ
ス、水、外気等を吸着する分散ゲッター作用とBaのA
着後に多孔性である膜がガスを吸着する接触ゲッター作
用とがあり、蛍光表示パネルを安定に動作するには前作
用を効果的に用いることが必要である。
rrの高真空丁で部品表面に吸着されている水分、空気
等のガスを除去するために350〜450°Cの温度に
加熱され、封止面に設けられたシール材を加熱溶融して
封止し、その後パネル内部を従来の蛍光表示管に用いら
れるゲッター処理を施していた。このゲッター処理は、
部品組立体の内部でパネルの表示部外に配こされたリン
グ状のバリウムゲッター材料を高周波誘導または通電加
熱によって局部加熱しバリウムを飛散して蛍光表示パネ
ルを安定に動作するのに必要な10 ”’Torr以上
の真空度を得ていた。尚このゲッター材料は、数mgの
B a A i s合金粉末に還元性金属であるNi粉
末を約1=1の割合で混合したものを0.2〜0.3m
m厚みのニッケルメッキを施した鉄袈容器内に入れて形
成され、高周波発生源からのパワーは常温でフェースガ
ラス基板あるいは裏面基板を貫通するカーボンロッドな
通してゲッター材料のみに吸収されるように印加され、
これによってゲッター材料を800〜1100℃に加熱
しBaA1.中のAIとNiとを反応させることにより
Baを蒸発させ、裏面基板−ヒのSnO,またはフェー
スガラス基板上のI To (I n2 owl・5n
O3)の如き導電性膜に堆積させる。このゲッター作用
には、Baがゲッター容重から裏面基板に蒸着する行程
中にパネル(真空容器)内に残留している酸素、炭酸ガ
ス、水、外気等を吸着する分散ゲッター作用とBaのA
着後に多孔性である膜がガスを吸着する接触ゲッター作
用とがあり、蛍光表示パネルを安定に動作するには前作
用を効果的に用いることが必要である。
(発明か解決しようとする課題)
しかし、セル型蛍光表示パネルに従来技術のゲッター処
理を行なうと、次のような欠点をイIする。即ち、ゲッ
ター材料を表示部外に配置すると、パネルの面積に占め
る表示部の大きさが小さいためにスペースファクタか小
さく、また高周波誘導加熱を用いているのでカーボンロ
ッドを用いて加熱領域をゲッター材料付近に絞っても部
品111層体内の電極基板である絶縁処理された金属基
板が誘導加熱されるためにゲッター効果か不充分となり
、フェースガラス基板から裏面基板の間に隔壁があるの
でガスの拡散が悪いためにガス吸着効果が悪い欠点があ
った。
理を行なうと、次のような欠点をイIする。即ち、ゲッ
ター材料を表示部外に配置すると、パネルの面積に占め
る表示部の大きさが小さいためにスペースファクタか小
さく、また高周波誘導加熱を用いているのでカーボンロ
ッドを用いて加熱領域をゲッター材料付近に絞っても部
品111層体内の電極基板である絶縁処理された金属基
板が誘導加熱されるためにゲッター効果か不充分となり
、フェースガラス基板から裏面基板の間に隔壁があるの
でガスの拡散が悪いためにガス吸着効果が悪い欠点があ
った。
本発明の[1的は、上記の欠点を回避し、表示部の占め
る割合を小さくすることなく、11つ高いゲッター効果
で内部を真空にすることかてきる蛍光表示パネルを製造
する方法を提供することにある。
る割合を小さくすることなく、11つ高いゲッター効果
で内部を真空にすることかてきる蛍光表示パネルを製造
する方法を提供することにある。
(:X1題を解決するための手段)
本発明は、上記の課題を解決するために、内面に蛍光体
層が設けられた陽極基板と、この陽極基板の上にスペー
サ板を介して端層された制御電極基板及び陰極基板を含
む電極基板群と。
層が設けられた陽極基板と、この陽極基板の上にスペー
サ板を介して端層された制御電極基板及び陰極基板を含
む電極基板群と。
陰極基板の上にスペーサ板を介して設けられた裏面基板
とから成り、内部が真空封止された蛍光表示パネルを製
造する方法において、陰極基板と裏面基板との間に絶縁
して設けられた薄膜状または多数個の小片状ゲッタ材料
を配とし、このゲッター材料をレーザで局部的に加熱し
てゲッター材料中のBaを裏面基板に蒸着させてゲラタ
ー処理することを特徴とする蛍光表示パネルの装造方法
を提供することにある。
とから成り、内部が真空封止された蛍光表示パネルを製
造する方法において、陰極基板と裏面基板との間に絶縁
して設けられた薄膜状または多数個の小片状ゲッタ材料
を配とし、このゲッター材料をレーザで局部的に加熱し
てゲッター材料中のBaを裏面基板に蒸着させてゲラタ
ー処理することを特徴とする蛍光表示パネルの装造方法
を提供することにある。
(作用)
このようゲッター材料を裏面基板と陰極電極との間に配
置したので高いゲッター作用を得ることができる上に表
示部の占める割合を小さくすることがなく、またレーザ
でゲッター材料を加熱するので加熱領域がゲッター材料
に限定され、従ってゲッター効果が充分で所定の真空度
を得ることができる。
置したので高いゲッター作用を得ることができる上に表
示部の占める割合を小さくすることがなく、またレーザ
でゲッター材料を加熱するので加熱領域がゲッター材料
に限定され、従ってゲッター効果が充分で所定の真空度
を得ることができる。
(実施例)
本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明すると、R
1図及び第2図は本発明の方法によって蛍光表示パネル
10を製造する方法の一実施例を示し、この蛍光表示パ
ネルlOは、内面に蛍光体層12が設けられた陽極基板
14と。
1図及び第2図は本発明の方法によって蛍光表示パネル
10を製造する方法の一実施例を示し、この蛍光表示パ
ネルlOは、内面に蛍光体層12が設けられた陽極基板
14と。
この陽極基板14の上にスペーサ板16を介して積層さ
れた2つの制御電極基板18A、18B及び陰極基板2
0を含む電極基板群22と。
れた2つの制御電極基板18A、18B及び陰極基板2
0を含む電極基板群22と。
陰極基板20の上にスペーサ板24を介して設けられた
裏面基板26とから虞っている。蛍光体fi12は、陽
極基板14の上に設けられた複数本の陽極電極28の七
に成膜して形成されている。制御電極基板18A、18
Bは、厚みが100μmの426合金基板のトにリフト
オフ法によってSin、の絶縁膜を形成した絶縁基板の
上にストライブ状メウシュパターンを有する導電箔を取
付けて形成される。また、陰極基板20は、制御電極基
板と同様に金属基板を絶縁処理して形成された絶縁基板
にフィラメントパターンを有するタングステンを形成し
、フィラメントパターンに相応する絶縁基板の一部をエ
ツチングによって処理して透孔にフィラメントが懸架さ
れるようにして形成される。制御電極基板18A、18
Bの間はスペーサ板29によって相互に隔離されている
。スペーサ板16.24及び29は厚さ100終mの4
26合金板をエツチング処理してストライブ状パターン
に形成し、その後その両面に約1.5μmの厚みの5i
ftの絶縁膜を両面スパッタ法によって施して形成され
る。
裏面基板26とから虞っている。蛍光体fi12は、陽
極基板14の上に設けられた複数本の陽極電極28の七
に成膜して形成されている。制御電極基板18A、18
Bは、厚みが100μmの426合金基板のトにリフト
オフ法によってSin、の絶縁膜を形成した絶縁基板の
上にストライブ状メウシュパターンを有する導電箔を取
付けて形成される。また、陰極基板20は、制御電極基
板と同様に金属基板を絶縁処理して形成された絶縁基板
にフィラメントパターンを有するタングステンを形成し
、フィラメントパターンに相応する絶縁基板の一部をエ
ツチングによって処理して透孔にフィラメントが懸架さ
れるようにして形成される。制御電極基板18A、18
Bの間はスペーサ板29によって相互に隔離されている
。スペーサ板16.24及び29は厚さ100終mの4
26合金板をエツチング処理してストライブ状パターン
に形成し、その後その両面に約1.5μmの厚みの5i
ftの絶縁膜を両面スパッタ法によって施して形成され
る。
本発明の方法では、陰極基板20のスペーサ板24と裏
面基板26との間に絶縁して設けられた薄膜状のゲッタ
材料(ゲッター基板)30Aを配置する。陽極基板14
、電極基板群22及びこの電極基板群22に薄膜状ゲッ
ター材料30Aを挟んで配置された裏面基板26にはそ
の間の封止面にフリットガラス等の封止材を配置し、こ
の封止材を適宜に加熱して全体を封止し、その後ガラス
に吸収されることがないYAGレーザを用いてゲッター
材$43OAを局部的に加熱してゲッター材料30A中
のBa?裏面基板に蒸着させてゲッター処理する。この
ようにしてパネル内部をパネルの安定な動作に必要な1
O−6程度の真空度を得る。第1図の実施例では、ゲッ
ター材料(ゲッター基板)30Aは、厚みが1100p
Lの426合金板にフォトレジストをPI3布し、51
s光と塩化第2鉄硝酸水溶液中でのエツチングとによっ
て直径が2mmの透孔を形成し、その上にニッケルメッ
キを施し、次にこの基板の片面にB a A 1 a金
属粉末とNi粉末にニトロセルロース等を結合材として
ペースト化したものを第2図に示すように透孔のまわり
に円形パターンを描いて塗布してゲラター膜30aを形
成し、その後基板を400〜450″Cの温度に加熱し
て結合材を昇華させて形成される。ゲッター材料30A
を裏面基板26から隔離するためにスペーサ板16.2
4及び29と同様のゲッター用スペーサ板32が用いら
れる。このゲッター用スペーサ板32は、5m m x
5 m mで幅が1mmの格子パターンを有し、ゲッ
ター膜30aはこの格子の間から露出するようになって
いる。
面基板26との間に絶縁して設けられた薄膜状のゲッタ
材料(ゲッター基板)30Aを配置する。陽極基板14
、電極基板群22及びこの電極基板群22に薄膜状ゲッ
ター材料30Aを挟んで配置された裏面基板26にはそ
の間の封止面にフリットガラス等の封止材を配置し、こ
の封止材を適宜に加熱して全体を封止し、その後ガラス
に吸収されることがないYAGレーザを用いてゲッター
材$43OAを局部的に加熱してゲッター材料30A中
のBa?裏面基板に蒸着させてゲッター処理する。この
ようにしてパネル内部をパネルの安定な動作に必要な1
O−6程度の真空度を得る。第1図の実施例では、ゲッ
ター材料(ゲッター基板)30Aは、厚みが1100p
Lの426合金板にフォトレジストをPI3布し、51
s光と塩化第2鉄硝酸水溶液中でのエツチングとによっ
て直径が2mmの透孔を形成し、その上にニッケルメッ
キを施し、次にこの基板の片面にB a A 1 a金
属粉末とNi粉末にニトロセルロース等を結合材として
ペースト化したものを第2図に示すように透孔のまわり
に円形パターンを描いて塗布してゲラター膜30aを形
成し、その後基板を400〜450″Cの温度に加熱し
て結合材を昇華させて形成される。ゲッター材料30A
を裏面基板26から隔離するためにスペーサ板16.2
4及び29と同様のゲッター用スペーサ板32が用いら
れる。このゲッター用スペーサ板32は、5m m x
5 m mで幅が1mmの格子パターンを有し、ゲッ
ター膜30aはこの格子の間から露出するようになって
いる。
このよう基板上に薄膜状に形成されたゲッター材料(ゲ
ッター基板)30Aを裏面基板26と陰極型ai20と
の間に配置すると、高いゲラター作用を得ることができ
、またこのゲッター材料30の加熱は、高周波誘導加熱
ではなくレーザによって行なうので加熱領域がゲッター
材料に限定され、従ってゲッター効果が充分で所定の真
空度を得ることができる。
ッター基板)30Aを裏面基板26と陰極型ai20と
の間に配置すると、高いゲラター作用を得ることができ
、またこのゲッター材料30の加熱は、高周波誘導加熱
ではなくレーザによって行なうので加熱領域がゲッター
材料に限定され、従ってゲッター効果が充分で所定の真
空度を得ることができる。
!113図は本発明の他の実施例を示し、この実施例で
は、ゲッター材料はゲッタmmスペーサ32の透孔32
a内に配aされた多数個の小片状スペーサ材$430
Bから成っていることを除いて第11Aの実施例と全く
同じである。このゲッター材料30Bの各小片は、第4
図に示すように1例えば、厚みか0.2mmで外径が4
mmのの縁+1きの鉄製リング34にニッケルメッキを
施し、BaA1<とNi粉末とのペースト30bを縁の
間の環状空間内に塗布し、400〜450℃の温度に加
熱してペーストの結合材を飛散して形成される。ゲッタ
ー用スペーサ板32は、厚みが1mmのアルミナ基板か
ら成り2この基板に5mmx5rnrnで幅か2mmの
格子を形成して得られる。この実施例でも部品全体の封
l・vk2 レーザによってゲッター材料30Bを加
熱して処理される。
は、ゲッター材料はゲッタmmスペーサ32の透孔32
a内に配aされた多数個の小片状スペーサ材$430
Bから成っていることを除いて第11Aの実施例と全く
同じである。このゲッター材料30Bの各小片は、第4
図に示すように1例えば、厚みか0.2mmで外径が4
mmのの縁+1きの鉄製リング34にニッケルメッキを
施し、BaA1<とNi粉末とのペースト30bを縁の
間の環状空間内に塗布し、400〜450℃の温度に加
熱してペーストの結合材を飛散して形成される。ゲッタ
ー用スペーサ板32は、厚みが1mmのアルミナ基板か
ら成り2この基板に5mmx5rnrnで幅か2mmの
格子を形成して得られる。この実施例でも部品全体の封
l・vk2 レーザによってゲッター材料30Bを加
熱して処理される。
A:発明によれば、l二足のように、薄膜状または小片
状のゲッター材料を裏面基板と陰極電極との間に配置し
たので高いゲッター作用を得ることができる上に表示部
の占める割合を小さくすることがなく、またレーザでゲ
ッター材料を加熱するので加熱望域がゲッター材料に限
定され、従ってゲッター効果が充分で所定の真空度を得
ることかできる実益がある。
状のゲッター材料を裏面基板と陰極電極との間に配置し
たので高いゲッター作用を得ることができる上に表示部
の占める割合を小さくすることがなく、またレーザでゲ
ッター材料を加熱するので加熱望域がゲッター材料に限
定され、従ってゲッター効果が充分で所定の真空度を得
ることかできる実益がある。
第1UAは本発明の方法によって製造される蛍光表示パ
ネルの製造途中の分解側視図、ff12図はゲッター基
板とゲッター用スペーサの一部の拡大分解斜視図、第3
図は第1図と同様であるが本発明の他の実施例の分解斜
視図である。 10−−−−一蛍光表示パネル、12−−−−−蛍光体
層、14−一−−−陽極基板、16゜24.29−−−
−−スペーサ板、18A、18B−−−−一制at極基
板、20−−−−−陰極基板、22−−−−一電極基板
群、26−−−−−裏面基板、28−−一−−陽極電極
、30A、30B−−−−−ゲッター材車ヰ、32−一
一一一ゲツター用スペーサ。
ネルの製造途中の分解側視図、ff12図はゲッター基
板とゲッター用スペーサの一部の拡大分解斜視図、第3
図は第1図と同様であるが本発明の他の実施例の分解斜
視図である。 10−−−−一蛍光表示パネル、12−−−−−蛍光体
層、14−一−−−陽極基板、16゜24.29−−−
−−スペーサ板、18A、18B−−−−一制at極基
板、20−−−−−陰極基板、22−−−−一電極基板
群、26−−−−−裏面基板、28−−一−−陽極電極
、30A、30B−−−−−ゲッター材車ヰ、32−一
一一一ゲツター用スペーサ。
Claims (1)
- 内面に蛍光体層が設けられた陽極基板と前記陽極基板の
上にスペーサ板を介して積層された制御電極基板及び陰
極基板を含む電極基板群と前記陰極基板の上にスペーサ
板を介して設けられた裏面基板とから成り内部が真空に
封止された蛍光表示パネルを製造する方法において、前
記陰極基板と裏面基板との間に絶縁して設けられた薄膜
状または多数個の小片状ゲッタ材料を配置し、前記ゲッ
ター材料をレーザで局部的に加熱してゲッター材料中の
Baを裏面基板に蒸着させてゲッター処理することを特
徴とする蛍光表示パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20544688A JPH02177234A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 蛍光表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20544688A JPH02177234A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 蛍光表示パネルの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02177234A true JPH02177234A (ja) | 1990-07-10 |
Family
ID=16507015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20544688A Pending JPH02177234A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 蛍光表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02177234A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1993016484A1 (en) * | 1992-02-10 | 1993-08-19 | Seiko Epson Corporation | Fluorescent display and method of forming fluorescent layer therein, and vacuum sealing method and vacuum level accelerating method for space in the display |
US5751107A (en) * | 1993-02-09 | 1998-05-12 | Seiko Epson Corporation | Field-discharge fluorescent-display with fluorescent layer including glass |
KR100484815B1 (ko) * | 2002-09-19 | 2005-04-22 | 엘지전자 주식회사 | 평판 디스플레이 장치의 전극구조 |
JP2005209594A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Futaba Corp | 自発光素子及びその製造方法。 |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP20544688A patent/JPH02177234A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1993016484A1 (en) * | 1992-02-10 | 1993-08-19 | Seiko Epson Corporation | Fluorescent display and method of forming fluorescent layer therein, and vacuum sealing method and vacuum level accelerating method for space in the display |
US5751107A (en) * | 1993-02-09 | 1998-05-12 | Seiko Epson Corporation | Field-discharge fluorescent-display with fluorescent layer including glass |
KR100484815B1 (ko) * | 2002-09-19 | 2005-04-22 | 엘지전자 주식회사 | 평판 디스플레이 장치의 전극구조 |
JP2005209594A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Futaba Corp | 自発光素子及びその製造方法。 |
US7459842B2 (en) | 2004-01-26 | 2008-12-02 | Futaba Corporation | Self-luminous elements and method for producing the same |
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