JPH03208299A - 薄膜ｅｌ端部発光モジュール及びその製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ端部発光モジュール及びその製造方法Info
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- JPH03208299A JPH03208299A JP2291677A JP29167790A JPH03208299A JP H03208299 A JPH03208299 A JP H03208299A JP 2291677 A JP2291677 A JP 2291677A JP 29167790 A JP29167790 A JP 29167790A JP H03208299 A JPH03208299 A JP H03208299A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は薄膜ＥＬ端部発光構造に関し、さらに詳細には
、多層薄膜Ｅ Ｌ端部発光モジュール及びその製造方法
に関する。
、多層薄膜Ｅ Ｌ端部発光モジュール及びその製造方法
に関する。
（従来の技術）
ＥＬ（電界発光）はある物質に電流が流れると生じる現
象である。電流が発光物質内のドーバントの電子を高い
エネルギーレベルへ励起スる。
象である。電流が発光物質内のドーバントの電子を高い
エネルギーレベルへ励起スる。
その後、電子が励起エネルギーを放出して低いエネルギ
ーレベルへ戻る時放射現象が起こる。かかる電子はある
特定の不連続なエネルギーを持つことができるに過ぎな
い。従って、励起エネルギーはその特定の物質により特
定の波長で放出又は放射される。
ーレベルへ戻る時放射現象が起こる。かかる電子はある
特定の不連続なエネルギーを持つことができるに過ぎな
い。従って、励起エネルギーはその特定の物質により特
定の波長で放出又は放射される。
電界発光現象を利用する薄膜ＥＬ装置は当該分野で既に
開発されている。薄膜ＥＬ装置を用いて電子制御式高分
解能の光源を製造できることも周知である。薄膜ＥＬ装
置を光源として働かせる１つの方式はフラットパネル表
示装置であり、これは例えばＡｓａｒｓ ｅｔ ａｌへ
の米国特許第４，１１０．６６４号及びＬｕｏｅｔ ａ
ｌヘの米国特許第４，００６，３８３号に開示されてい
る。薄膜Ｅ Ｌフラットパネル表示装置では、光の放出
が装置の面に実質的に垂直な方向に生じるため装置の表
面か光源となる。薄膜ＥＬ装置を用いて光源を形成する
もうｔつの方式として、これも本願の出願人に譲渡され
た米国特許第４、５３５．３４．１号（発明者Ｋｕｎ
ｅｔ ａｌ）に開示されたような直線アレー又は端部発
光装置かある。薄膜ＥＬ端部発光装置では、光の放出が
薄膜ＥＬ装置の端部に実質的に垂直な方向に生じるため
装置の端部が光源となる。薄膜ＥＬ端部発光装置による
端部からの発光は通常、ほぼ同じ励起状態のもとて薄膜
ＥＬフラットパネル表示装置の面発光の３０乃至４０倍
の明るさを有する。
開発されている。薄膜ＥＬ装置を用いて電子制御式高分
解能の光源を製造できることも周知である。薄膜ＥＬ装
置を光源として働かせる１つの方式はフラットパネル表
示装置であり、これは例えばＡｓａｒｓ ｅｔ ａｌへ
の米国特許第４，１１０．６６４号及びＬｕｏｅｔ ａ
ｌヘの米国特許第４，００６，３８３号に開示されてい
る。薄膜Ｅ Ｌフラットパネル表示装置では、光の放出
が装置の面に実質的に垂直な方向に生じるため装置の表
面か光源となる。薄膜ＥＬ装置を用いて光源を形成する
もうｔつの方式として、これも本願の出願人に譲渡され
た米国特許第４、５３５．３４．１号（発明者Ｋｕｎ
ｅｔ ａｌ）に開示されたような直線アレー又は端部発
光装置かある。薄膜ＥＬ端部発光装置では、光の放出が
薄膜ＥＬ装置の端部に実質的に垂直な方向に生じるため
装置の端部が光源となる。薄膜ＥＬ端部発光装置による
端部からの発光は通常、ほぼ同じ励起状態のもとて薄膜
ＥＬフラットパネル表示装置の面発光の３０乃至４０倍
の明るさを有する。
（発明が解決しようとする課題）
以上より、上述のＫｕｎｅｔ ａｌの米国特許に開示さ
れた薄膜ＥＬ端部発光装置は、発光輝度の点で薄膜ＥＬ
フラットパネル面発光装置と比べて格段に性能の向上し
た高分解能光源を提供できる可能性が大きいことか分か
る。しかしながら、総合性能を向上させるため薄膜ＥＬ
端部発光モジュールの全体構造及びその製造方法に対す
る改善の必要性が存在する。
れた薄膜ＥＬ端部発光装置は、発光輝度の点で薄膜ＥＬ
フラットパネル面発光装置と比べて格段に性能の向上し
た高分解能光源を提供できる可能性が大きいことか分か
る。しかしながら、総合性能を向上させるため薄膜ＥＬ
端部発光モジュールの全体構造及びその製造方法に対す
る改善の必要性が存在する。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上述の要求を満足させるべく設計された構造
的特徴を幾つか組合わせた薄膜ＥＬ多層構造に関する。
的特徴を幾つか組合わせた薄膜ＥＬ多層構造に関する。
本発明はまた、薄膜ＥＴ一端部発光モジュールを提供す
るための多層薄膜ＥＬ構造の製造方法に関する。
るための多層薄膜ＥＬ構造の製造方法に関する。
本発明による多層薄膜ＥＬ構造の構造的特徴の組合わせ
にはいずれも、底部基材層、下部電極層、中間Ｅ Ｌス
タック及び上部電極層が含まれる。
にはいずれも、底部基材層、下部電極層、中間Ｅ Ｌス
タック及び上部電極層が含まれる。
ＥＩ、スタックは底部基材層の上にある。下部電極層は
底部基材層とＥＬスタックとの間に介在する。
底部基材層とＥＬスタックとの間に介在する。
薄膜ＥＬ多層構造の構造的特徴の１つの組合わせとして
、ＥＬスタックと下部電極層との前部には底部基材層の
深さまで、一連の縦方向チャンネルとかかるチャンネル
を連結して底部基材層の前方端縁に沿って延びる横方向
ストリートとが形成され、これにより複数の横方向に離
隔した縦方向要素が画定される。上部電極層は、ＥＬス
タツクと下部電極層との前部の縦方向要素の上にある複
数の横方向に離隔した縦方向電極よりなる前部を有し、
これにより底部基材層の前方端縁からストリートの幅だ
け後退した発光する前方端縁を有する複数のピクセルが
画定される。
、ＥＬスタックと下部電極層との前部には底部基材層の
深さまで、一連の縦方向チャンネルとかかるチャンネル
を連結して底部基材層の前方端縁に沿って延びる横方向
ストリートとが形成され、これにより複数の横方向に離
隔した縦方向要素が画定される。上部電極層は、ＥＬス
タツクと下部電極層との前部の縦方向要素の上にある複
数の横方向に離隔した縦方向電極よりなる前部を有し、
これにより底部基材層の前方端縁からストリートの幅だ
け後退した発光する前方端縁を有する複数のピクセルが
画定される。
（以 下 余 白）
多層薄膜Ｅ Ｌ構造の構造的特徴の第２の組合わせては
、Ｅ Ｌスタックと下部電極層との前部の縦方向要素か
縦方向に交互に離隔した前壁と横方向に離隔し前壁を連
結する側壁とにより形成される。前壁及び側壁は底部基
材層の深さまで延び、縦方向要素間に複数の横方向に離
隔した縦方向チャンネルを画定する。ＥＬスタックは下
部電極層の上にある光エネルギー発生層と、光エネルギ
ー発生層の上にある誘電層とを有する。誘電層は光エネ
ルギー発生層、縦方向要素の前壁及び側壁、並びにチャ
ンネル内に露出した底部基材層の部分を密封状態に覆っ
て、底部基材層上の下部電極層及びＥＴ−スタック光エ
ネルギー発生層の前部を密封カプセル内に封じ込める。
、Ｅ Ｌスタックと下部電極層との前部の縦方向要素か
縦方向に交互に離隔した前壁と横方向に離隔し前壁を連
結する側壁とにより形成される。前壁及び側壁は底部基
材層の深さまで延び、縦方向要素間に複数の横方向に離
隔した縦方向チャンネルを画定する。ＥＬスタックは下
部電極層の上にある光エネルギー発生層と、光エネルギ
ー発生層の上にある誘電層とを有する。誘電層は光エネ
ルギー発生層、縦方向要素の前壁及び側壁、並びにチャ
ンネル内に露出した底部基材層の部分を密封状態に覆っ
て、底部基材層上の下部電極層及びＥＴ−スタック光エ
ネルギー発生層の前部を密封カプセル内に封じ込める。
多層薄膜Ｅ Ｌ構造の構造的特徴のさらに別の組合わせ
では、下部電極層の後部が底部基材層上の第１領域だけ
占有するようにそして第２領域はｒＩｊ有しないように
覆う。上部電極層の縦方向電極の後部は、下部電極層と
上部電極層の後部間に電気的隔離が得られるように、下
部電極層の後部により占有されない底部基材層上の第２
の領域上にあるＥ Ｌスタックの後部の部分の上だけに
ある。
では、下部電極層の後部が底部基材層上の第１領域だけ
占有するようにそして第２領域はｒＩｊ有しないように
覆う。上部電極層の縦方向電極の後部は、下部電極層と
上部電極層の後部間に電気的隔離が得られるように、下
部電極層の後部により占有されない底部基材層上の第２
の領域上にあるＥ Ｌスタックの後部の部分の上だけに
ある。
底部基材層の第１の領域は第２の領域よりも実質的に狭
い。底部基材層の第２の領域は底部基材層とＥＬスタッ
クとの間に介在する接着材のような充填層により占有さ
れる。
い。底部基材層の第２の領域は底部基材層とＥＬスタッ
クとの間に介在する接着材のような充填層により占有さ
れる。
多層薄膜ＥＬ構造の構造的特徴のさらに別の組合わせで
は、一連の縦方向に離隔した横方向導体よりなるバスバ
ー層がＥＬスタックの後部の上にあって上部電極層の縦
方向の電極の後部を横切る。バスバー層と上部電極層の
後部電極部分との間には絶縁層が介在する。バスバー層
と上部電極層のうちの一方が他方の上にあってそれらの
間に絶縁層が介在する。
は、一連の縦方向に離隔した横方向導体よりなるバスバ
ー層がＥＬスタックの後部の上にあって上部電極層の縦
方向の電極の後部を横切る。バスバー層と上部電極層の
後部電極部分との間には絶縁層が介在する。バスバー層
と上部電極層のうちの一方が他方の上にあってそれらの
間に絶縁層が介在する。
本発明はまた、薄膜ＥＬ端部発光モジュールを提供する
薄膜ＥＬ多層構造を製造する方法に関する。製造方法は
基本的には、底部基材層上に下部電極層を形成し、下部
電極層上にＥＬスタックを形成し、ＥＬスタック上に上
部電極層を形成するステップよりなる。上部電極層を形
成する前に一連の縦方向チャンネル及び該チャンネルを
連結して底部基材層の前方端縁に沿って延びる横方向ス
トリートをＥＬスタック及び下部電極層の前部において
底部基材層の深さまで形成して、それにより底部基材層
の前方端縁からストリートの幅だけ後退した発光する前
方端縁を有する複数の横方向に離隔した縦方向要素がＥ
Ｌスタック及び下部電極層の前部上に画定されるように
する。複数の横方向に離隔した縦方向電極よりなる上部
電極層を次にＥＬスタック上に形成するが、縦方向電極
の前部がＥＬスタック及び下部電極層の前部上の縦方向
要素上に来るようにする。
薄膜ＥＬ多層構造を製造する方法に関する。製造方法は
基本的には、底部基材層上に下部電極層を形成し、下部
電極層上にＥＬスタックを形成し、ＥＬスタック上に上
部電極層を形成するステップよりなる。上部電極層を形
成する前に一連の縦方向チャンネル及び該チャンネルを
連結して底部基材層の前方端縁に沿って延びる横方向ス
トリートをＥＬスタック及び下部電極層の前部において
底部基材層の深さまで形成して、それにより底部基材層
の前方端縁からストリートの幅だけ後退した発光する前
方端縁を有する複数の横方向に離隔した縦方向要素がＥ
Ｌスタック及び下部電極層の前部上に画定されるように
する。複数の横方向に離隔した縦方向電極よりなる上部
電極層を次にＥＬスタック上に形成するが、縦方向電極
の前部がＥＬスタック及び下部電極層の前部上の縦方向
要素上に来るようにする。
さらに、ＥＬスタック上に上部電極層を形成する前に、
その光エネルギー発生層の上のＥＬスタックの誘電層を
除去し、次いで光エネルギー発生層上に新しい誘電層を
形成する。しかしながら、Ｅ Ｌスタックの新しく形成
した誘電層は光エネルギー発生層、間にチャンネルを画
定する縦方向要素の前壁及び側壁、さらにチャンネル内
に露出する底部基材層の部分を密封状態に覆って、ＥＬ
スタック光エネルギー発生層と底部基材層上の下部電極
層の前部が密封カプセル内に封じ込めるようにする。
その光エネルギー発生層の上のＥＬスタックの誘電層を
除去し、次いで光エネルギー発生層上に新しい誘電層を
形成する。しかしながら、Ｅ Ｌスタックの新しく形成
した誘電層は光エネルギー発生層、間にチャンネルを画
定する縦方向要素の前壁及び側壁、さらにチャンネル内
に露出する底部基材層の部分を密封状態に覆って、ＥＬ
スタック光エネルギー発生層と底部基材層上の下部電極
層の前部が密封カプセル内に封じ込めるようにする。
さらに、下部電極層を底部基材層上において、下部電極
層の後部が底部基材層上の第工の部分を占有するか第２
の部分は占有しないように形成する。後で、上部電極層
をＥＬスタック上において、上部電極層の後部が下部電
極層の後部によって占有されない底部基材層上の第２の
領域上に来るＥＬスタックの部分の上だけに来るように
形成する。
層の後部が底部基材層上の第工の部分を占有するか第２
の部分は占有しないように形成する。後で、上部電極層
をＥＬスタック上において、上部電極層の後部が下部電
極層の後部によって占有されない底部基材層上の第２の
領域上に来るＥＬスタックの部分の上だけに来るように
形成する。
このようにして、下部及び上部電極層の後部間に電気的
隔離が得られる。
隔離が得られる。
さらに、バスバー層と絶縁層をＥＬスタック上に形成す
る。■つの実施例では、バスバー層は上部電極層上に形
成され、それらの間に絶縁層が介在する。もう１つの実
施例では、上部電極層がバスバー層上にそれらの間に絶
縁層が介在するように形成される。いづれの実施例でも
、上部電極層とバスバー層の選択部分が絶縁層を介して
電気的に接触する。
る。■つの実施例では、バスバー層は上部電極層上に形
成され、それらの間に絶縁層が介在する。もう１つの実
施例では、上部電極層がバスバー層上にそれらの間に絶
縁層が介在するように形成される。いづれの実施例でも
、上部電極層とバスバー層の選択部分が絶縁層を介して
電気的に接触する。
以下、添付図面を参照して本発明を実施例につき詳細に
説明する。
説明する。
（実施例）
第ＩＡ及び１Ｂ図を参照して、図示の本発明による多層
薄膜ＥＬ構造或いは積層構造１ｏは多数の薄膜ＥＬ端部
発光モジュール１２を提供する。
薄膜ＥＬ構造或いは積層構造１ｏは多数の薄膜ＥＬ端部
発光モジュール１２を提供する。
この構造１０から得られる各モジュールは、ソリッドス
テイトの電子制御式高分解能光源である。
テイトの電子制御式高分解能光源である。
第１Ａ及びＩＢ図は、個々の薄膜ＥＬ端部発光モジュー
ル１２を形成するよう分離する前と後の段階の多層薄膜
ＥＬ構造１０をそれぞれ示している。この構造１０は多
数のモジュール１２を含む（図示の例では２個だけ）。
ル１２を形成するよう分離する前と後の段階の多層薄膜
ＥＬ構造１０をそれぞれ示している。この構造１０は多
数のモジュール１２を含む（図示の例では２個だけ）。
第ＩＡ図から分かるように、モジュールエ２は、線Ｓに
沿って切断するなどして切り離すと、第１Ｂ図に示すよ
うに前方端縁１２Ａとなる所で一体的につながっている
。第ＩＡ図に示したモジュール１２はまた、後方端縁と
なる所で他のモジュール（図示せず）と一体的につなが
っている。図示を簡単にするために、第２−７８図はモ
ジュールエ２を提供する構造１０の製造方法をステップ
毎に示す。しかしながら、実際は複数のモジュール１２
が一つの構造１０から同時に得られる。
沿って切断するなどして切り離すと、第１Ｂ図に示すよ
うに前方端縁１２Ａとなる所で一体的につながっている
。第ＩＡ図に示したモジュール１２はまた、後方端縁と
なる所で他のモジュール（図示せず）と一体的につなが
っている。図示を簡単にするために、第２−７８図はモ
ジュールエ２を提供する構造１０の製造方法をステップ
毎に示す。しかしながら、実際は複数のモジュール１２
が一つの構造１０から同時に得られる。
第２及び３図は、薄膜ＥＬ構造工０の１つのモジュール
１２に用いる底部基材層１４を示す。
１２に用いる底部基材層１４を示す。
この底部基材層１４はガラス材料で作られていることが
好ましい。構造１０の構成に用いるガラス製の基材層ｌ
４を調製するために、最初に従来のプラズマ清浄法によ
るなどして清浄化し、次いで例えば約６２０°Ｃの高い
温度で数時間ベーキングする方法によるなどしてそのサ
イズを減縮させる。
好ましい。構造１０の構成に用いるガラス製の基材層ｌ
４を調製するために、最初に従来のプラズマ清浄法によ
るなどして清浄化し、次いで例えば約６２０°Ｃの高い
温度で数時間ベーキングする方法によるなどしてそのサ
イズを減縮させる。
第４及び５図は、薄膜ＥＬ構造１０の１つのモジュール
１２に用いる下部共通電極層１６を示す。下部電極層１
６を形成するにはクロム・パラジウムよりなるような適
当な金属層を最初に底部基材層１４上に付着させて基材
層が完全に覆われるようにする。この付着は公知の電子
ビーム蒸発金属付着法を用いる従来の真空装置により行
うことができる。或いは、公知の熱源またはスパッタリ
ング法を用いることができる。次いで、金属層全体の上
に適当なホトレジスト材料を付着させる。
１２に用いる下部共通電極層１６を示す。下部電極層１
６を形成するにはクロム・パラジウムよりなるような適
当な金属層を最初に底部基材層１４上に付着させて基材
層が完全に覆われるようにする。この付着は公知の電子
ビーム蒸発金属付着法を用いる従来の真空装置により行
うことができる。或いは、公知の熱源またはスパッタリ
ング法を用いることができる。次いで、金属層全体の上
に適当なホトレジスト材料を付着させる。
そして、下部電極層↓６の所望パターンを有するマスク
を金属層上に配置してマスクにより覆われないホトレジ
スト材料を露光する。その後、露光されたホトレジスト
材料を硬化させる。硬化したホトレジストをその下の材
料を露出させる現像溶液内に浸して除去する。次いで、
その下の金属を適当な腐食材を用いて除去する。前にマ
スクにより覆われていたホトレジスト材料がこれで剥ぎ
取られる、即ち除去される。この状態で、所望の最終パ
ターンを持つ金属層が現れ、これが底部基材層１４上の
下部電極層１６となる。ここに説明した方法は従来のウ
エット腐食プロセスである。従来の乾いた腐食プロセス
を用いてもよい。
を金属層上に配置してマスクにより覆われないホトレジ
スト材料を露光する。その後、露光されたホトレジスト
材料を硬化させる。硬化したホトレジストをその下の材
料を露出させる現像溶液内に浸して除去する。次いで、
その下の金属を適当な腐食材を用いて除去する。前にマ
スクにより覆われていたホトレジスト材料がこれで剥ぎ
取られる、即ち除去される。この状態で、所望の最終パ
ターンを持つ金属層が現れ、これが底部基材層１４上の
下部電極層１６となる。ここに説明した方法は従来のウ
エット腐食プロセスである。従来の乾いた腐食プロセス
を用いてもよい。
第６−９図は、第４図の下部電極層１６が第２図の底部
基材層１４上に所望のパターンを形成するよう付着され
た未完成の薄膜ＥＬ構造１０Ａを示す。第４及び６図か
ら分かるように、下部電極層１６の前部１６Ａはそれに
よる覆われる底部基材層１４の前部１４Ａと長さ及び幅
において同延であることが分かる。一方、下部電極層↓
６の後部１６Ｂは、その前部１６Ａと連結して基材層１
４の後部１４Ｂの長さ方向に延びる。しかしながら、下
部電極層１６の後部１６Ｂはその幅が底部基材層１４の
後部１４Ｂと比べ実質的に狭い。
基材層１４上に所望のパターンを形成するよう付着され
た未完成の薄膜ＥＬ構造１０Ａを示す。第４及び６図か
ら分かるように、下部電極層１６の前部１６Ａはそれに
よる覆われる底部基材層１４の前部１４Ａと長さ及び幅
において同延であることが分かる。一方、下部電極層↓
６の後部１６Ｂは、その前部１６Ａと連結して基材層１
４の後部１４Ｂの長さ方向に延びる。しかしながら、下
部電極層１６の後部１６Ｂはその幅が底部基材層１４の
後部１４Ｂと比べ実質的に狭い。
第１０及び１１図は、薄膜ＥＬ構造ＩＯの１つのモジュ
ール１２の製造につき次に用いる二酸化珪素のような接
着層１８を示す。第１６図のＥＬスタック２０をＦ部電
極層１８及び底部基材層１４に固着するための未完戊の
薄膜ＥＬ構造１．０を調製する目的で、接着層１８を最
初に第６図の未完成の薄膜ＥＬ構造１０Ａ上にその全体
を覆うように付着させる。第１２−１５図は、第１０図
の接着層〕−８が第６図の下部電極層１６及び底部基材
層１４上に付着された未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造１０Ｂを
示す。
ール１２の製造につき次に用いる二酸化珪素のような接
着層１８を示す。第１６図のＥＬスタック２０をＦ部電
極層１８及び底部基材層１４に固着するための未完戊の
薄膜ＥＬ構造１．０を調製する目的で、接着層１８を最
初に第６図の未完成の薄膜ＥＬ構造１０Ａ上にその全体
を覆うように付着させる。第１２−１５図は、第１０図
の接着層〕−８が第６図の下部電極層１６及び底部基材
層１４上に付着された未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造１０Ｂを
示す。
第１６及び１７図は、薄膜ＥＬ構造の１つのモジュール
↓２に用いるＥ Ｌ光エネルギー発生スタック２０を示
す。ＥＬスタック２０は、下部誘電層２２、上部誘電層
２４、及び中間光エネルギー発生層２６よりなる。これ
らの層２２−２６は第１２図の未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造
１０Ｂ上に従来の真空蒸着法を用いる３つの逐次段にお
いて形成する。第１９−２１図から分かるように、好ま
しくは酸化窒化珪素（または酸化イットリウム、または
五酸化タンタル、または窒化珪素、または二酸化珪素も
しくはこれらの等価物質）よりなる下部誘電層２２を下
部共通電極層ｌ６及び底部基材層１４上に来るように接
着層１８上に付着させる。
↓２に用いるＥ Ｌ光エネルギー発生スタック２０を示
す。ＥＬスタック２０は、下部誘電層２２、上部誘電層
２４、及び中間光エネルギー発生層２６よりなる。これ
らの層２２−２６は第１２図の未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造
１０Ｂ上に従来の真空蒸着法を用いる３つの逐次段にお
いて形成する。第１９−２１図から分かるように、好ま
しくは酸化窒化珪素（または酸化イットリウム、または
五酸化タンタル、または窒化珪素、または二酸化珪素も
しくはこれらの等価物質）よりなる下部誘電層２２を下
部共通電極層ｌ６及び底部基材層１４上に来るように接
着層１８上に付着させる。
次に、好ましくはマンガンをドープした硫化亜鉛のよう
な蛍光物質よりなる光エネルギー発生層２６を下部誘電
層２２上に付着させる。次いで、誘電層２２と同じ材料
よりなる上部誘電層２４を光エネルギー発生層２６上に
付着させる。マンガンのドーパントを硫化亜鉛の格子構
造内にさらに均−に分布させるために、ＥＬスタック２
０の焼きなましを行う。
な蛍光物質よりなる光エネルギー発生層２６を下部誘電
層２２上に付着させる。次いで、誘電層２２と同じ材料
よりなる上部誘電層２４を光エネルギー発生層２６上に
付着させる。マンガンのドーパントを硫化亜鉛の格子構
造内にさらに均−に分布させるために、ＥＬスタック２
０の焼きなましを行う。
第１７図のＥＬスタック２０は下部及び上部誘電層２２
、２４を有するが、いずれかの誘電層２２、２４を所望
てあればＥＬスタック２０から省略してもよい。下部誘
電層２２と接着層がＥＬスタック２０にない場合、蛍光
層２６が下部共通電極及び底部基材層１６と上部誘電層
２４との間に介在することが明らかである。
、２４を有するが、いずれかの誘電層２２、２４を所望
てあればＥＬスタック２０から省略してもよい。下部誘
電層２２と接着層がＥＬスタック２０にない場合、蛍光
層２６が下部共通電極及び底部基材層１６と上部誘電層
２４との間に介在することが明らかである。
第１８−２１図は、第１２図の未完成の構造１０Ｂの接
着層ｌ８上に直接付着させた第１６図のＥＬスタック２
０を有するこれも未完成の薄膜ＥＬ構造１０Ｃを示す。
着層ｌ８上に直接付着させた第１６図のＥＬスタック２
０を有するこれも未完成の薄膜ＥＬ構造１０Ｃを示す。
第２１−２７図は、第１８−２ｌ図の未完成の構造↑Ｏ
Ｃと同様な未完成の薄膜ＥＬ構造１０Ｄを示すが、これ
は一連の縦方向チャンネル２８及びこれらのチャンネル
を連結する横方向ストリート１４Ｃを底部基材層１４の
レベルまで構造ＩＯの前部に形成し、それにより複数の
未完成端部発光ピクセル３０を画定させた後の状態を示
す。チャンネル２８は、光学的クロストークを防止する
ため隣接するピクセル３０を互いに光学的に隔離する。
Ｃと同様な未完成の薄膜ＥＬ構造１０Ｄを示すが、これ
は一連の縦方向チャンネル２８及びこれらのチャンネル
を連結する横方向ストリート１４Ｃを底部基材層１４の
レベルまで構造ＩＯの前部に形成し、それにより複数の
未完成端部発光ピクセル３０を画定させた後の状態を示
す。チャンネル２８は、光学的クロストークを防止する
ため隣接するピクセル３０を互いに光学的に隔離する。
ピクセル３０は内側及び外側の前壁３０Ａおよび対向す
る側壁３０Ｂを有し、これらがほぼ矩形のチャンネル２
８及びストリー１・１４Ｃを画定する。チャンネル２８
及びス１・リート１４Ｃを形成すると、事実上ピクセル
３０の発光する前方端縁３０Ａか画定される。
る側壁３０Ｂを有し、これらがほぼ矩形のチャンネル２
８及びストリー１・１４Ｃを画定する。チャンネル２８
及びス１・リート１４Ｃを形成すると、事実上ピクセル
３０の発光する前方端縁３０Ａか画定される。
未完成の端部発光ピクセル３０は、ホ１−レジスｌ・材
料と第１８図の未完成の薄膜ＥＬ構造１０Ｃ全体を覆う
ピクセル画定マスクとを用いて形成させる。ここでは、
前述したようにマスクを露光し、ホトレジスト材料を硬
化させ、マスクにより覆われていない材料部分をエッチ
ングにより除去する同し：ステップを用いてチャンネル
２８及びストリート］． ４ Ｃを形成するため、再び
詳細な説明の要はないであろう。図示を簡単にするため
に４個のピクセル３０だけを示したが、通常、単一の薄
膜Ｅ Ｌ端部発光モジュール１２上には５個以上のビク
セルか形成される。また、底部基材層１４の後部１４Ｂ
上において、その前部１４Ｂから離隔した位置で且つ下
部電極層］，６の後部１６Ｂのドッグレッグ１６Ｃの直
ぐ後においてＥＬスタック２０の元の部分が除去されて
いることが分かるであろう。
料と第１８図の未完成の薄膜ＥＬ構造１０Ｃ全体を覆う
ピクセル画定マスクとを用いて形成させる。ここでは、
前述したようにマスクを露光し、ホトレジスト材料を硬
化させ、マスクにより覆われていない材料部分をエッチ
ングにより除去する同し：ステップを用いてチャンネル
２８及びストリート］． ４ Ｃを形成するため、再び
詳細な説明の要はないであろう。図示を簡単にするため
に４個のピクセル３０だけを示したが、通常、単一の薄
膜Ｅ Ｌ端部発光モジュール１２上には５個以上のビク
セルか形成される。また、底部基材層１４の後部１４Ｂ
上において、その前部１４Ｂから離隔した位置で且つ下
部電極層］，６の後部１６Ｂのドッグレッグ１６Ｃの直
ぐ後においてＥＬスタック２０の元の部分が除去されて
いることが分かるであろう。
第１Ａ図から理解されるように、底部基材層１４上のス
トリート１４Ｃは２つの薄膜Ｅ Ｌ端部発光モジュール
１２が一体的につながっている所にある。構造１−Ｏの
基材層１４を線Ｓに沿って切離すことによって２つの別
個のモジュール１２が得られる。ピクセル３０の発光す
る前方端縁または前壁３０Ａをストリート１４Ｃの幅だ
け切断線Ｓから後退させることにより、２つのモジュー
ル１２を切離した結果基材層１４の前方端縁１４Ａか不
規則な形状になっていても、これはピクセル３０の発光
する前方端縁３０Ａの品質に悪影響を与えない。
トリート１４Ｃは２つの薄膜Ｅ Ｌ端部発光モジュール
１２が一体的につながっている所にある。構造１−Ｏの
基材層１４を線Ｓに沿って切離すことによって２つの別
個のモジュール１２が得られる。ピクセル３０の発光す
る前方端縁または前壁３０Ａをストリート１４Ｃの幅だ
け切断線Ｓから後退させることにより、２つのモジュー
ル１２を切離した結果基材層１４の前方端縁１４Ａか不
規則な形状になっていても、これはピクセル３０の発光
する前方端縁３０Ａの品質に悪影響を与えない。
チャンネル２８及びストリート１４Ｃを形成した後で、
もとの上部絶縁層２４を第２２図の未完成の薄膜ＥＬ構
造１０Ｄから除去して第２８３３図の未完成の薄膜ＥＬ
構造１０Ｅを形成する。
もとの上部絶縁層２４を第２２図の未完成の薄膜ＥＬ構
造１０Ｄから除去して第２８３３図の未完成の薄膜ＥＬ
構造１０Ｅを形成する。
もとの上部誘電層２４を真空チェンバ内において行う反
応イオンエッチング法により除去すると蛍光層２６か露
出する。その後、蛍光層２６上に従来の真空蒸着法によ
り新しい誘電層２４Ａを付着させる。
応イオンエッチング法により除去すると蛍光層２６か露
出する。その後、蛍光層２６上に従来の真空蒸着法によ
り新しい誘電層２４Ａを付着させる。
第３４図はＥＬスタック２０の新しい上部誘電層２ ４
． Ａを示す。第３５−４２図は、第２２図と同様であ
るが、第３４図の上部誘電層２４Ａを第２８図の未完成
の薄膜Ｅ Ｌ構造１０Ｅ上に付着させた後の状態におけ
る未完成の薄膜ＥＬ構造王ＯＦを示す。従来の真空蒸着
法によるなどして上部誘電層２４Ａを付着させると、Ｅ
Ｌスタック２０の構造が完成し、未完成のピクセルの
ストリート１４Ｃ及び未完成のピクセルの前壁３０Ａ及
び側壁３０Ｂが密到状態に覆われ、底部基材層１４上の
Ｅ Ｌスタック２０及び下部電極層１６が密封カプセル
内に封じ込まれる。
． Ａを示す。第３５−４２図は、第２２図と同様であ
るが、第３４図の上部誘電層２４Ａを第２８図の未完成
の薄膜Ｅ Ｌ構造１０Ｅ上に付着させた後の状態におけ
る未完成の薄膜ＥＬ構造王ＯＦを示す。従来の真空蒸着
法によるなどして上部誘電層２４Ａを付着させると、Ｅ
Ｌスタック２０の構造が完成し、未完成のピクセルの
ストリート１４Ｃ及び未完成のピクセルの前壁３０Ａ及
び側壁３０Ｂが密到状態に覆われ、底部基材層１４上の
Ｅ Ｌスタック２０及び下部電極層１６が密封カプセル
内に封じ込まれる。
Ｅ Ｌスタック２０のカプセル内への封じ込めが完了す
ると、第５１図に示した一連の縦方向に離隔した導体３
２よりなるバスバー層を第３５図の未完成の薄膜ＥＬ構
造１０Ｆに付着させる。好ましくは、このバスバー導体
３２はクロムーパラジウムー金で作られている。しかし
ながら、バスバー導体３２を付着させる前に第４３、４
４図に示した下部絶縁層３４をＥＬスタック２０の後部
クロスオーバー領域上のＥＬスタックの前方ピクセル部
分の後方に付着させる。絶縁層３４としては、前述した
ホトレジストとマスク付着法により付着されるポリアミ
ド材料が考えられる。
ると、第５１図に示した一連の縦方向に離隔した導体３
２よりなるバスバー層を第３５図の未完成の薄膜ＥＬ構
造１０Ｆに付着させる。好ましくは、このバスバー導体
３２はクロムーパラジウムー金で作られている。しかし
ながら、バスバー導体３２を付着させる前に第４３、４
４図に示した下部絶縁層３４をＥＬスタック２０の後部
クロスオーバー領域上のＥＬスタックの前方ピクセル部
分の後方に付着させる。絶縁層３４としては、前述した
ホトレジストとマスク付着法により付着されるポリアミ
ド材料が考えられる。
第４５−５０図は、未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造１０Ｇであ
って第３５図の未完成の薄膜ＥＬ構造１０Ｆのクロスオ
ーバー領域上に第４３図の下部絶縁層３４を付着させた
後の状態を示す。第５２５７図は、第５１図の一連のバ
スバー導体３２が下部絶縁層３２上の第４５図の未完成
の薄膜ＥＬ構造ＬＯＧのクロスオーバー領域において付
着された未完成の薄膜ＥＬ構造１０■｛を示す。バスバ
ー導体３２は前述したと同じ普通のホトレジスト及びマ
スク付着法により形成させる。
って第３５図の未完成の薄膜ＥＬ構造１０Ｆのクロスオ
ーバー領域上に第４３図の下部絶縁層３４を付着させた
後の状態を示す。第５２５７図は、第５１図の一連のバ
スバー導体３２が下部絶縁層３２上の第４５図の未完成
の薄膜ＥＬ構造ＬＯＧのクロスオーバー領域において付
着された未完成の薄膜ＥＬ構造１０■｛を示す。バスバ
ー導体３２は前述したと同じ普通のホトレジスト及びマ
スク付着法により形成させる。
（以 下 余 白）
次いで、第５８及び５９図に示すように上部絶縁層３６
を第５２図の未完成の薄膜ＥＬ構造１０ ＩＴに付着さ
せる。第６０−６６図は、第５８図の上部絶縁層３６を
バスバー導体３２とＦ部絶縁層３４上の、第５２図の未
完成の薄膜Ｅ Ｌ構造１０ １−１のクロスオーバー領
域の所に付着させた、未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造↓ＯＩを
示す。上部絶縁層３６は下部絶縁層３４に用いるのと同
じ材料で作られる。また、上部絶縁層３６は前述したと
同じ普通のホトレジスト及びマスク付着法により形成す
る。さらに、横方向にづれ且っ縦方向に離隔した一連の
孔部３８を関連のピクセル３０及びバスバー導体３２と
一致するよう上部絶縁層３６に形成する。孔部３８が、
上部絶縁層３６を介して薄膜ＥＬ構造１０の上部電極層
と横方向に延び且つ縦方向に離隔したバスバー導体３２
との電気的接続の形成を可能にする。
を第５２図の未完成の薄膜ＥＬ構造１０ ＩＴに付着さ
せる。第６０−６６図は、第５８図の上部絶縁層３６を
バスバー導体３２とＦ部絶縁層３４上の、第５２図の未
完成の薄膜Ｅ Ｌ構造１０ １−１のクロスオーバー領
域の所に付着させた、未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造↓ＯＩを
示す。上部絶縁層３６は下部絶縁層３４に用いるのと同
じ材料で作られる。また、上部絶縁層３６は前述したと
同じ普通のホトレジスト及びマスク付着法により形成す
る。さらに、横方向にづれ且っ縦方向に離隔した一連の
孔部３８を関連のピクセル３０及びバスバー導体３２と
一致するよう上部絶縁層３６に形成する。孔部３８が、
上部絶縁層３６を介して薄膜ＥＬ構造１０の上部電極層
と横方向に延び且つ縦方向に離隔したバスバー導体３２
との電気的接続の形成を可能にする。
第６７図は、複数の縦方向制御電極４０よりなる薄膜Ｅ
Ｌ構造１０の上部電極層を示す。制御電極４０は、アル
ミニウム材料製で前述したのと同じホトレジスト及びマ
スク付着法により形成するのが好ましい。第６８−７７
図は、第６７図の複数の制御電極４０か上部絶縁層３６
及び第６０図の一部未完成の薄膜ＥＬ構造１０Ｉの対応
する未完成のピクセル３０上に付着された状態の完成し
た薄膜Ｅ Ｌ構造１−Ｏの一実施例を示す。また、第７
５図に最も良く示されるように、上部制御電極４０の部
分４ＯＡは上部絶縁層３６の孔部３８を下方に延びてバ
スバー導体３２の対応部分と電気的接続をする。バスバ
ー導体３２（図示せず）の反対端は他の電子コンポーネ
ン１・（図示せず）に繋がっている。第６８図から分か
るように、下部共通電極層ｌ６及び複数の上部制御電極
４０の後部１． ６ Ｂは底部基材層１４の別々の領域
に沿ってその上を延びる。かかる構成では、いずれの上
部縦方向電極４０も下部電極層１６の後部の直上には来
ない。従って、上部電極層と下部電極層との間に電気的
隔離が得られてその関係が維持され、モジュール１２の
各ピクセル３０に同じ大きさの容量が形成される。
Ｌ構造１０の上部電極層を示す。制御電極４０は、アル
ミニウム材料製で前述したのと同じホトレジスト及びマ
スク付着法により形成するのが好ましい。第６８−７７
図は、第６７図の複数の制御電極４０か上部絶縁層３６
及び第６０図の一部未完成の薄膜ＥＬ構造１０Ｉの対応
する未完成のピクセル３０上に付着された状態の完成し
た薄膜Ｅ Ｌ構造１−Ｏの一実施例を示す。また、第７
５図に最も良く示されるように、上部制御電極４０の部
分４ＯＡは上部絶縁層３６の孔部３８を下方に延びてバ
スバー導体３２の対応部分と電気的接続をする。バスバ
ー導体３２（図示せず）の反対端は他の電子コンポーネ
ン１・（図示せず）に繋がっている。第６８図から分か
るように、下部共通電極層ｌ６及び複数の上部制御電極
４０の後部１． ６ Ｂは底部基材層１４の別々の領域
に沿ってその上を延びる。かかる構成では、いずれの上
部縦方向電極４０も下部電極層１６の後部の直上には来
ない。従って、上部電極層と下部電極層との間に電気的
隔離が得られてその関係が維持され、モジュール１２の
各ピクセル３０に同じ大きさの容量が形成される。
第７８−９２図は、薄膜ＥＬ構造１０の別の実施例を示
す。この実施例と前に説明した実施例との顕著な差異は
、バスバー導体３２及び上部縦方向電極４０の位置が逆
転していることである。
す。この実施例と前に説明した実施例との顕著な差異は
、バスバー導体３２及び上部縦方向電極４０の位置が逆
転していることである。
これにより第４３及び第４４図の下部絶縁層３４を省略
できる。詳しく説明すると、第７９−８３図は未完成の
薄膜ＥＬ構造１０Ｊを示し、この図では第７８図の複数
の制御電極４０がＥＬスタック２０の上部誘電層２４Ａ
及び第３５図の未完成の薄膜ＥＬ構造１０Ｆの同じ数の
未完成ピクセル３０の直上に付着させてある。第８４及
び８５図はこの構造の別の実施例に用いる単一の絶縁層
３６を示す。第８６−９０図は、第８４図の絶縁層３６
を上部制御電極４０上の第７９図の未完成の薄膜ＥＬ構
造１１Ａのクロスオーバー領域に付着させた、未完成の
薄膜ＥＬ構造１０Ｋを示す。第９１図は第５１図に示し
たと同じバスバー導体３２を示す。第９２−９８図は、
第９１図の一連のバスバー導体３２を単一の絶縁層３６
及び上部制力訂Ｍｆ５．Ａｎｌ− け ｈ十拳番青
，一一各２５貫ケス１的暫 ロ Ｔ 七寥ノヒ １ ＾
Ａを示す。さて、第９６図に最も良く示されるように、
バスバー導体３２の部分３２Ａは絶縁層３６の孔部３８
を下方に延びて上部電極４０の対応部分と電気的接触す
る。
できる。詳しく説明すると、第７９−８３図は未完成の
薄膜ＥＬ構造１０Ｊを示し、この図では第７８図の複数
の制御電極４０がＥＬスタック２０の上部誘電層２４Ａ
及び第３５図の未完成の薄膜ＥＬ構造１０Ｆの同じ数の
未完成ピクセル３０の直上に付着させてある。第８４及
び８５図はこの構造の別の実施例に用いる単一の絶縁層
３６を示す。第８６−９０図は、第８４図の絶縁層３６
を上部制御電極４０上の第７９図の未完成の薄膜ＥＬ構
造１１Ａのクロスオーバー領域に付着させた、未完成の
薄膜ＥＬ構造１０Ｋを示す。第９１図は第５１図に示し
たと同じバスバー導体３２を示す。第９２−９８図は、
第９１図の一連のバスバー導体３２を単一の絶縁層３６
及び上部制力訂Ｍｆ５．Ａｎｌ− け ｈ十拳番青
，一一各２５貫ケス１的暫 ロ Ｔ 七寥ノヒ １ ＾
Ａを示す。さて、第９６図に最も良く示されるように、
バスバー導体３２の部分３２Ａは絶縁層３６の孔部３８
を下方に延びて上部電極４０の対応部分と電気的接触す
る。
以上の説明から本発明及びその多くの利点が理解された
ものと思われる。また本明細書において開示した発明の
各部分の構造、構成及び配置については、本発明の精神
及び範囲から逸脱すること無く或いは重要な利点の全て
を犠牲にすること無く種々の変形例及び設計変更が可能
であることが分かる。そして、本発明の実施例は単に例
示的な好ましい実施例であるにすぎないことを理解され
たい。
ものと思われる。また本明細書において開示した発明の
各部分の構造、構成及び配置については、本発明の精神
及び範囲から逸脱すること無く或いは重要な利点の全て
を犠牲にすること無く種々の変形例及び設計変更が可能
であることが分かる。そして、本発明の実施例は単に例
示的な好ましい実施例であるにすぎないことを理解され
たい。
第ＩＡ及び１Ｂ図は、個々の薄膜Ｅ Ｌ端部発光モジュ
ールに分離する前と後の状態を示す本発明の多層薄膜Ｅ
Ｌ構造の概略的な平面図である。 第２図は、１個の薄膜ＥＬ端部発光モジュールを提供す
る薄膜ＥＬ構造の底部基材層の断片的第３図は、第２図
の線３−３に沿う底部基材層の横断面図である。 第４図は、薄膜ＥＬ構造の下部共通電極層の断片的な平
面図である。 第５図は、第４図の線５−５に沿う下部共通電極層の横
断面図である。 第６図は、第４図の下部電極層を第２図の底部基材層上
に付着させた未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造の断片的な平面図
である。 第７−９図は、第６図の線７−７乃至９−９にそれぞれ
沿う第６図の未完成の薄膜ＥＬ構造の横断面図である。 第１０図は、薄膜ＥＬ構造の接着層の断片的な平面図で
ある。 第１１図は、第１０図の線１、１−１１に沿う接着層の
横断面図である。 第１２図は、第１０図の接着層を第６図の下部電極層及
び底部基材層上に付着させた未完成の薄膜ＥＬ構造の断
片的な平面図である。 第１− ３ − １ ５図は、第１２図の線１３−１３
乃至１ ５−１ ５にそれぞれ沿う未完或の薄膜ＥＬ構
造の横断面図である。 第↑６図は、薄膜ＥＬ構造のＥＬ発光スタックの断片的
な平面図である。 第１７図は、第ｌ６図の線１ ７−１ ７に沿うＥ Ｌ
スタックの横断面図である。 第１８図は、第１−６図のＥＬスタックを第１２図の接
着層、下部電極層及び底部基材層上に付着させた未完成
の薄膜ＥＬ構造の断片的な平面図である。 第１９−２１図は、第１８図の線１９−１９乃至２１−
２１にそれぞれ沿う未完成の薄膜ＥＬ構造の横断面図で
ある。 第２２図は、第１８図に示したものと同様の未完成の薄
膜ＥＬ構造の断片的な平面図であるが、この構造に底部
基材層のレベルまで一連の縦方向チャンネル及びこれら
のチャンネルを連結する横方向ストリートを形成して複
数の未完成の端部発光ピクセルを画定した状態を示す。 第２３−２７図は、第２２図の線２３−２３乃至２’ｌ
−２７にそれぞれ沿う未完成の薄膜ＥＬ構造の横断面図
である。 第２８図は、第２２図と同様であるがＥＬスタックの上
部絶縁層を除去した後の状態を示す未完成の薄膜Ｅ Ｌ
構造の断片的な平面図である。 第２９−３３図は、第２８図の線２９−２９乃至３：３
−３３にそれぞれ沿う未完成の薄膜ＥＬ構造の横断面図
である。 第３４図は、ＥＬスタックの上部絶縁層の断片的な平面
図である。 第３５図は、第２２図と同様な未完成な薄膜Ｅ Ｌ構造
の断片的な平面図であるが、第３４図の上部絶縁層が第
２８図の未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造上に付着されてＥＬス
タックの構造が完成し、未完成のピクセルの側方端縁及
び前方端縁並びにこの構造の底部基材層上に画定された
ストリート及びチャンネルの表面が密封状態に覆われた
状態を示す。 第３６−４０図は、第３５図の線３６−３６７′Ｉ７Ｅ
Ｅ４（１−ｉｎにそれぞれ沿う来完成のＮ膜ＥＬ構造の
横断面図である。 第４１及び４２図は、第３５図の線４１−４１及び４２
−４２にそれぞれ沿う第３５図の未完成の薄膜ＥＬ構造
のピクセル及びチャンネルの断片的な横断面図である。 第４３図は、薄膜Ｅ Ｌ構造の下部絶縁層の断片的な平
面図である。 第４４図は、第４３図の線４４−４４に沿う下部絶縁層
の横断面図である。 第４５図は、第４３図の下部絶縁層を第３５図の未完成
な薄膜ＥＬ構造のクロスオーバー領域上に付着させた状
態を示す未完成な薄膜ＥＬ構造の断片的な平面図である
。 第４６−５０図は、第４５図の線４６−４６乃至５０−
５０にそれぞれ沿う未完成の薄膜ＥＬ構造の横断面図で
ある。 第５１図は、薄膜ＥＬ構造の一連の縦方向に離隔した導
体よりなるバスバー層の断片的な平面図である。 第５２図は、第５１図の一連のバスバー導体を下部絶縁
層上の第４５図の未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造のクロスオー
バー領域に付着させた状態を示す未完成の薄膜ＥＬ構造
の断片的な平面図である。 第５３−５７図は、第５２図の線５３−５３乃至５７−
５７にそれぞれ沿う未完成の薄膜Ｅ Ｔ−構造の横断面
図である。 第５８図は、薄膜Ｅ Ｔ，構造の上部絶縁層の断片的な
平面図である。 第５９図は、第５８図の線５９−５９に沿う上部絶縁層
の横断面図である。 第６０図は、第５８図の上部絶縁層を第５２図の未完成
の薄膜Ｅ Ｌ構造のバスバー導体及び下部絶縁層上に付
着させた状態を示す未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造の断片的な
平面図である。 第６１−６６図は、第４５図の線６ １−６ ］−乃至
６５−６５にそれぞれ沿う第６０図の未完成の薄膜Ｅ
Ｌ構造の横断面図である。 第６７図は、薄膜Ｅ Ｌ構造の複数の制御電極よりなる
上部電極層の断片的な平面図である。 第６８図は、第６７図の複数の制御電極を第６０図の未
完成の薄膜Ｅ Ｌ構造の上部絶縁層及び同数の未完成の
ピクセル上に付着させた状態を示す完成した薄膜ＥＬ構
造の１つの実施例の断片的な平面図である。 第６９−７６図は、第６８図の線６９−６９乃至７６−
７６にそれぞれ沿う第６８図の薄膜ＥＬ構造の完成した
ー実施例の横断面図である。 第７７図は、第６８図の線７７−７７に沿う薄膜ＥＬ構
造の完成した一実施例を示す縦方向断面図である。 第７８図は、薄膜ＥＬ構造の複数の制御電極よりなる別
の上部電極層の断片的な平面図である。 第７９図は、第７８図の複数の制御電極を第３５図の未
完成の薄膜ＥＬ構造のＥＬスタックの上部絶縁層及び同
数の未完成のピクセル上に付着させた状態を示す未完成
の薄膜ＥＬ構造の断片的な平面図である。 第８ ０−８ ３図は、第７９図の線８０−８０乃至８
３−８３にそれぞれ沿う未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造の横断
面図である。 第８４図は、薄膜Ｅ Ｌ構造の単一・の絶縁層の断片的
な平面図である。 第８５図は、第８４図の線８５−８５に沿う絶縁層の横
断面図である。 第８６図は、第８４図の絶縁層を複数の制御電極」二の
第７９図の未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造のクロスオーバー領
域上に付着させた状態を示す未完成の薄膜ＥＬ構造の断
片的な平面図である。 第８７−９０図は、第８６図の線８７−８７乃至９０−
９０にそれぞれ沿う未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造の横断面図
である。 第９１。図は、薄膜ＥＬ構造の一連の縦方向に離隔した
導体よりなるバスバー層の断片的な平面図である。 第９２図は、第９１図の一連のバスバー導体を第８６図
の未完成な薄膜ＥＬ構造の絶縁層及び複数の制御電極上
に付着させた状態を示す完成薄膜ＥＬ構造の別の実施例
の断片的な平面図である。 第９３−９７図は、第９２図の線９３−９３■，構造の
完成した別の実施例を示す横断面図である。 第９８図は、第９２図の線９８−９８に沿う薄膜ＥＬ構
造の完成した別の実施例を示す縦方向断面図である。 １０・・・多層薄膜Ｅ Ｌ構造 １２・・・薄膜Ｅ Ｌ端部発光モジュール１４・・・底
部基材層 １４Ｃ・・ストリート １６・・・下部共通電極層 １８・・・接着材層 ２０・・・ＥＬ光エネルギー発生スタック２２・・・下
部誘電層 ２４・・・土部誘電層 ２６・・・中間光エネルギー発生層 ２８・・・チャンネル ３０・・・端部発光ピクセル
ールに分離する前と後の状態を示す本発明の多層薄膜Ｅ
Ｌ構造の概略的な平面図である。 第２図は、１個の薄膜ＥＬ端部発光モジュールを提供す
る薄膜ＥＬ構造の底部基材層の断片的第３図は、第２図
の線３−３に沿う底部基材層の横断面図である。 第４図は、薄膜ＥＬ構造の下部共通電極層の断片的な平
面図である。 第５図は、第４図の線５−５に沿う下部共通電極層の横
断面図である。 第６図は、第４図の下部電極層を第２図の底部基材層上
に付着させた未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造の断片的な平面図
である。 第７−９図は、第６図の線７−７乃至９−９にそれぞれ
沿う第６図の未完成の薄膜ＥＬ構造の横断面図である。 第１０図は、薄膜ＥＬ構造の接着層の断片的な平面図で
ある。 第１１図は、第１０図の線１、１−１１に沿う接着層の
横断面図である。 第１２図は、第１０図の接着層を第６図の下部電極層及
び底部基材層上に付着させた未完成の薄膜ＥＬ構造の断
片的な平面図である。 第１− ３ − １ ５図は、第１２図の線１３−１３
乃至１ ５−１ ５にそれぞれ沿う未完或の薄膜ＥＬ構
造の横断面図である。 第↑６図は、薄膜ＥＬ構造のＥＬ発光スタックの断片的
な平面図である。 第１７図は、第ｌ６図の線１ ７−１ ７に沿うＥ Ｌ
スタックの横断面図である。 第１８図は、第１−６図のＥＬスタックを第１２図の接
着層、下部電極層及び底部基材層上に付着させた未完成
の薄膜ＥＬ構造の断片的な平面図である。 第１９−２１図は、第１８図の線１９−１９乃至２１−
２１にそれぞれ沿う未完成の薄膜ＥＬ構造の横断面図で
ある。 第２２図は、第１８図に示したものと同様の未完成の薄
膜ＥＬ構造の断片的な平面図であるが、この構造に底部
基材層のレベルまで一連の縦方向チャンネル及びこれら
のチャンネルを連結する横方向ストリートを形成して複
数の未完成の端部発光ピクセルを画定した状態を示す。 第２３−２７図は、第２２図の線２３−２３乃至２’ｌ
−２７にそれぞれ沿う未完成の薄膜ＥＬ構造の横断面図
である。 第２８図は、第２２図と同様であるがＥＬスタックの上
部絶縁層を除去した後の状態を示す未完成の薄膜Ｅ Ｌ
構造の断片的な平面図である。 第２９−３３図は、第２８図の線２９−２９乃至３：３
−３３にそれぞれ沿う未完成の薄膜ＥＬ構造の横断面図
である。 第３４図は、ＥＬスタックの上部絶縁層の断片的な平面
図である。 第３５図は、第２２図と同様な未完成な薄膜Ｅ Ｌ構造
の断片的な平面図であるが、第３４図の上部絶縁層が第
２８図の未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造上に付着されてＥＬス
タックの構造が完成し、未完成のピクセルの側方端縁及
び前方端縁並びにこの構造の底部基材層上に画定された
ストリート及びチャンネルの表面が密封状態に覆われた
状態を示す。 第３６−４０図は、第３５図の線３６−３６７′Ｉ７Ｅ
Ｅ４（１−ｉｎにそれぞれ沿う来完成のＮ膜ＥＬ構造の
横断面図である。 第４１及び４２図は、第３５図の線４１−４１及び４２
−４２にそれぞれ沿う第３５図の未完成の薄膜ＥＬ構造
のピクセル及びチャンネルの断片的な横断面図である。 第４３図は、薄膜Ｅ Ｌ構造の下部絶縁層の断片的な平
面図である。 第４４図は、第４３図の線４４−４４に沿う下部絶縁層
の横断面図である。 第４５図は、第４３図の下部絶縁層を第３５図の未完成
な薄膜ＥＬ構造のクロスオーバー領域上に付着させた状
態を示す未完成な薄膜ＥＬ構造の断片的な平面図である
。 第４６−５０図は、第４５図の線４６−４６乃至５０−
５０にそれぞれ沿う未完成の薄膜ＥＬ構造の横断面図で
ある。 第５１図は、薄膜ＥＬ構造の一連の縦方向に離隔した導
体よりなるバスバー層の断片的な平面図である。 第５２図は、第５１図の一連のバスバー導体を下部絶縁
層上の第４５図の未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造のクロスオー
バー領域に付着させた状態を示す未完成の薄膜ＥＬ構造
の断片的な平面図である。 第５３−５７図は、第５２図の線５３−５３乃至５７−
５７にそれぞれ沿う未完成の薄膜Ｅ Ｔ−構造の横断面
図である。 第５８図は、薄膜Ｅ Ｔ，構造の上部絶縁層の断片的な
平面図である。 第５９図は、第５８図の線５９−５９に沿う上部絶縁層
の横断面図である。 第６０図は、第５８図の上部絶縁層を第５２図の未完成
の薄膜Ｅ Ｌ構造のバスバー導体及び下部絶縁層上に付
着させた状態を示す未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造の断片的な
平面図である。 第６１−６６図は、第４５図の線６ １−６ ］−乃至
６５−６５にそれぞれ沿う第６０図の未完成の薄膜Ｅ
Ｌ構造の横断面図である。 第６７図は、薄膜Ｅ Ｌ構造の複数の制御電極よりなる
上部電極層の断片的な平面図である。 第６８図は、第６７図の複数の制御電極を第６０図の未
完成の薄膜Ｅ Ｌ構造の上部絶縁層及び同数の未完成の
ピクセル上に付着させた状態を示す完成した薄膜ＥＬ構
造の１つの実施例の断片的な平面図である。 第６９−７６図は、第６８図の線６９−６９乃至７６−
７６にそれぞれ沿う第６８図の薄膜ＥＬ構造の完成した
ー実施例の横断面図である。 第７７図は、第６８図の線７７−７７に沿う薄膜ＥＬ構
造の完成した一実施例を示す縦方向断面図である。 第７８図は、薄膜ＥＬ構造の複数の制御電極よりなる別
の上部電極層の断片的な平面図である。 第７９図は、第７８図の複数の制御電極を第３５図の未
完成の薄膜ＥＬ構造のＥＬスタックの上部絶縁層及び同
数の未完成のピクセル上に付着させた状態を示す未完成
の薄膜ＥＬ構造の断片的な平面図である。 第８ ０−８ ３図は、第７９図の線８０−８０乃至８
３−８３にそれぞれ沿う未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造の横断
面図である。 第８４図は、薄膜Ｅ Ｌ構造の単一・の絶縁層の断片的
な平面図である。 第８５図は、第８４図の線８５−８５に沿う絶縁層の横
断面図である。 第８６図は、第８４図の絶縁層を複数の制御電極」二の
第７９図の未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造のクロスオーバー領
域上に付着させた状態を示す未完成の薄膜ＥＬ構造の断
片的な平面図である。 第８７−９０図は、第８６図の線８７−８７乃至９０−
９０にそれぞれ沿う未完成の薄膜Ｅ Ｌ構造の横断面図
である。 第９１。図は、薄膜ＥＬ構造の一連の縦方向に離隔した
導体よりなるバスバー層の断片的な平面図である。 第９２図は、第９１図の一連のバスバー導体を第８６図
の未完成な薄膜ＥＬ構造の絶縁層及び複数の制御電極上
に付着させた状態を示す完成薄膜ＥＬ構造の別の実施例
の断片的な平面図である。 第９３−９７図は、第９２図の線９３−９３■，構造の
完成した別の実施例を示す横断面図である。 第９８図は、第９２図の線９８−９８に沿う薄膜ＥＬ構
造の完成した別の実施例を示す縦方向断面図である。 １０・・・多層薄膜Ｅ Ｌ構造 １２・・・薄膜Ｅ Ｌ端部発光モジュール１４・・・底
部基材層 １４Ｃ・・ストリート １６・・・下部共通電極層 １８・・・接着材層 ２０・・・ＥＬ光エネルギー発生スタック２２・・・下
部誘電層 ２４・・・土部誘電層 ２６・・・中間光エネルギー発生層 ２８・・・チャンネル ３０・・・端部発光ピクセル
Claims (27)
- （１） 前方端縁を有する底部基材層と、底部基材層上
にあり前部を有するＥＬスタツクと、底部基材層とＥＬ
スタツクとの間に介在し、その前部とＥＬスタツクの前
部に底部基材層の深さまで形成された一連の縦方向チヤ
ンネルおよび前記チヤンネルを連結して底部基材層の前
方端縁に沿って延びる横方向ストリートにより複数の横
方向に離隔した縦方向要素が画定され下部電極層と、底
部基材層の前方端縁より前記ストリートの幅だけ後退し
た発光する前方端縁を有する複数のピクセルを形成する
ためＥＬスタツク及び下部電極層の前部の縦方向要素上
にある複数の横方向に離隔した縦方向電極よりなる前部
を有する上部電極層とからなることを特徴とする多層薄
膜ＥＬ端部発光モジユール。 - （２） ＥＬスタツクが、下部電極層と上部電極層との
間に介在する少なくとも１つの誘電層を有することを特
徴とする請求項第１項に記載のモジユール。 - （３） ＥＬスタツクがさらに、前記少なくとも１つの
誘電層と下部又は上部電極層との間に介在する光エネル
ギー発生層を有することを特徴とする請求項第２項に記
載のモジユール。 - （４） 光エネルギー発生層が蛍光層であることを特徴
とする請求項第３項に記載のモジユール。 - （５） 底部基材層と、底部基材層上に在り前部を有す
るＥＬスタツクと、底部基材層とＥＬスタツクとの間に
介在し、その前部とＥＬスタツクの前部とに形成された
縦方向に交互に離隔した前壁とその前壁を相互に連結す
る横方向に離隔した側壁とにより複数の横方向に離隔し
た縦方向要素が形成され、側壁が底部基材層の深さまで
延びて縦方向要素間に複数の横方向に離隔した縦方向チ
ヤンネルを画定する下部電極層とよりなり、前記ＥＬス
タツクが下部電極層の上にある光エネルギー発生層と光
エネルギー発生層の上にある誘電層とを有し、誘電層が
光エネルギー発生層及び前記縦方向要素の前壁及び側壁
並びにチャンネル内に露出した底部基材層の部分を密封
状態に覆って底部基材層上の下部電極層及びＥＬスタッ
ク光エネルギー発生層の前部を密封カプセル内に封じる
ことを特徴とする多層薄膜ＥＬ端部発光モジュール。 - （６） 発光する前方端縁を有する複数のピクセルを画
定するために、ＥＬスタックと下部電極層の前部の縦方
向要素上に複数の横方向に離隔した縦方向電極よりなる
前部を有する上部電極層をさらに備えたことを特徴とす
る請求項第５項に記載のモジュール。 - （７） ＥＬスタックには光エネルギー発生層と下部電
極層との間に介在する第２の誘電層が含まれることを特
徴とする請求項第５項に記載のモジュール。 - （８） 底部基材層と、前部と、底部基材層上にあり底
部基材層上の第１の領域は占有するが第２の領域は占有
しない後部とを有する下部電極層と、底部基材層とその
上の下部電極層との上にあるＥＬスタックと、前部と後
部とを有する複数の横方向に離隔した縦方向電極よりな
る上部電極層とにより構成され、上部電極層の後部が下
部電極層と上部電極層の後部間に電気的隔離が得られる
ように下部電極層の後部により占有されない底部基材層
上の前記第２の領域上にあるＥＬスタックの後部の一部
の上にのみ存在することを特徴とする多層薄膜ＥＬ端部
発光モジュール。 - （９） ＥＬスタックは発光する前方端縁を備えた複数
の横方向に離隔した要素よりなる前部を有し、下部電極
層の前部が底部基材層とＥＬスタックの前部の横方向に
離隔した要素との間にあるそれらと実質的に同延の横方
向に離隔した電極要素を有することを特徴とする請求項
第８項に記載のモジュール。 - （１０） 上部電極層の縦方向電極の前部がＥＬスタッ
ク及び下部電極層の前部の縦方向要素上にあることを特
徴とする請求項第９項に記載のモジュール。 - （１１） 底部基材層とＥＬスタックとの間に介在して
底部基材層上の前記第２の領域を占有する充填材層をさ
らに備えてなることを特徴とする請求項第８項に記載の
モジュール。 - （１２） 充填材層が接着材であることを特徴とする請
求項第１１項に記載のモジュール。 - （１３） 底部基材層上の前記第１の領域がその上の第
２の領域よりも実質的に狭いことを特徴とする請求項第
８項に記載のモジュール。 - （１４） 底部基材層とＥＬスタックとが縦方向に対向
して延びる複数対の側端縁部を有し、底部基材層上の前
記第１の領域と底部基材層上の第１の領域を占有する下
部電極層の後部とが底部基材層とＥＬスタックのと縦方
向側端縁部の複数対１つに沿って延びることを特徴とす
る請求項第８項に記載のモジュール。 - （１５） ＥＬスタックの後部上に有り、上部電極層の
縦方向電極の後部を横切る一連の縦方向に離隔した横方
向導体よりなるバスバー層をさらに備えてなることを特
徴とする請求項第８項に記載のモジュール。 - （１６） バスバー層と上部電極層との間に介在する絶
縁層を有し、バスバー層と上部電極層のうちの一方が他
方の上に在ってそれらの間に絶縁層が介在することを特
徴とする請求項第１５項に記載のモジュール。 - （１７） 底部基材層と、底部基材層上にあって前部と
後部とを有するＥＬスタックと、底部基材層とＥＬスタ
ックとの間に介在してそれぞれ底部電極層とＥＬスタッ
クの後部間及び前部間に位置する後部及び前部を有する
下部電極層と、それぞれＥＬスタックの後部及び前部の
上にある後部及び前部を有する複数の横方向に離隔した
縦方向電極よりなる上部電極層と、ＥＬスタックの後部
上にあって上部電極層の縦方向電極の後部を横切る一連
の縦方向に離隔した横方向導体よりなるバスバー層と、
バスバー層と上部電極層の後部の間に介在する絶縁層と
よりなり、バスバー層と上部電極層のうちの一方が他方
の上にあってそれらの間に絶縁層が介在し、バスバー層
と上部電極層のうちの前記一方の選択部分が絶縁層を貫
通してバスバー層と上部電極層のうちの前記他方の選択
部分と電気的接触するすることを特徴とする多層薄膜Ｅ
Ｌ端部発光モジュール。 - （１８） バスバー層が上部電極層の後部電極部分上に
あってそれらの間に絶縁層が介在し、バスバー層の選択
部分が絶縁層を貫通して上部電極層の選択部分と電気的
接触することを特徴とする請求項第１７項に記載のモジ
ュール。 - （１９） 上部電極層の後部電極部分がバスバー層の上
にあってそれらの間に絶縁層が介在し、上部電極層の選
択部分が絶縁層を貫通してバスバー層の選択部分と電気
的接触することを特徴とする請求項第１７項に記載のモ
ジュール。 - （２０） 横方向前方端縁と該前方端縁から延びる一対
の離隔した縦方向側端縁とを有する細長い底部基材層と
、底部基材層上にあってその離隔した縦方向側端縁間を
延び、後部及び前部を有し、前部において底部基材層の
深さまで形成された一連の縦方向チャンネルと前記チャ
ンネルを連結して底部基材層の前方端縁に沿って延びる
横方向ストリートとにより底部基材層の前方端縁からス
トリートの幅だけ後退した発光する前方端縁を有する複
数の横方向に離隔した要素が画定されたＥＬスタックと
、底部基材層とＥＬスタックとの間に介在し、その前部
が前記ＥＬスタックの前部の縦方向要素と長さ及び幅に
おいて同延である横方向に離隔した縦方向要素を有し、
その後部がＥＬスタックの後部と長さにおいて同延であ
るがＥＬスタックの後部の幅より小さい幅を有してその
縦方向側端縁の１つに沿って延びる下部電極層と、ＥＬ
スタックの後部及びその前部の縦方向要素の上にある複
数の横方向に離隔した縦方向制御電極よりなりこれらの
制御電極はいずれも下部電極層とオーバラップしない上
部電極層と、ＥＬスタックの後部と下部電極層の後部と
の上にある一連の縦方向に離隔した横方向導体よりなる
バスバー層と、バスバー層と上部電極層との間に介在す
る絶縁層とよりなり、バスバー層と上部電極層のうちの
一方が他方の上にあってそれらの間に絶縁層が介在し、
バスバー層と上部電極層のうちの一方の選択部分が絶縁
層を貫通してバスバー層と上部電極層のうちの前記他方
の選択部分と電気的接触することを特徴とする多層薄膜
ＥＬ端部発光モジュール。 - （２１） 多層薄膜ＥＬ端部発光モジュールを製造する
方法であって、底部基材層上に下部電極層を形成し、下
部電極層上にＥＬスタックを形成し、ＥＬスタック及び
下部電極層の前部に、一連の縦方向チャンネルと該チャ
ンネルを連結し底部基材層の前方端縁に沿って延びる横
方向ストリートとを、発光する前方端縁が底部基材層の
前方端縁から前記ストリートの幅だけ後退した複数の横
方向に離隔した縦方向要素がＥＬスタック及び下部電極
層の前部上に画定されるように形成するステップよりな
ることを特徴とする製造方法。 - （２２） ＥＬスタック上に複数の横方向に離隔した縦
方向電極よりなる上部電極層を、縦方向電極の前部がＥ
Ｌスタック及び底部電極層の前部上の縦方向要素の上に
来るように形成するステップをさらに含んでなることを
特徴とする請求項第２１項に記載の方法。 - （２３） 多層薄膜ＥＬ端部発光モジュールの製造方法
であって、底部基材層上に下部電極層を形成し、下部電
極層上に光エネルギー発生層と光エネルギー発生層上の
誘電層とよりなるＥＬスタックを形成し、ＥＬスタック
及び下部電極層の前部上に複数の横方向に離隔した縦方
向要素を形成して、前記縦方向要素が縦方向に交互に離
隔した前壁と前壁を連結する横方向に離隔した側壁とよ
りなり前記縦方向要素の間に複数の横方向に離隔した縦
方向チャンネルが底部基材層の深さまで画定されるよう
にし、ＥＬスタックの光エネルギー発生層から前記誘電
層を除去し、ＥＬスタックの光エネルギー発生層上に新
しい誘電層を形成して光エネルギー発生層、縦方向要素
の前壁及び側壁、並びにチャンネル内に露出した底部基
材層の部分を密封状態に覆ってそれにより底部基材層上
のＥＬスタック光エネルギー発生層と下部電極層との前
部が密封カプセル内に封じ込まれるようにするステップ
よりなることを特徴とする方法。 - （２４） ＥＬスタック上に複数の横方向に離隔した縦
方向電極よりなる上部電極層を、縦方向電極の前部がＥ
Ｌスタック及び下部電極層の前部上の縦方向要素上に来
るように形成することを特徴とする請求項第２３項に記
載の方法。 - （２５） 多層薄膜ＥＬ端部発光モジュールの製造方法
であって、底部基材層上に下部電極層を、下部電極層の
後部が底部基材層上の第１の領域を占有するが第２の領
域は占有しないように形成し、底部基材層とその上の下
部電極層上にＥＬスタックを形成し、ＥＬスタック上に
上部電極層を、上部電極層の後部が下部電極層の後部に
より占有されない底部基材層上の第２の領域上にあるＥ
Ｌスタックの部分の上だけに来るように形成して下部及
び上部電極層の後部間に電気的隔離が得られるようにす
るステップよりなることを特徴とする製造方法。 - （２６） 多層薄膜ＥＬ端部発光モジュールの製造方法
であって、底部基材層上に下部電極層を形成し、下部電
極層上にＥＬスタックを形成し、ＥＬスタック上に上部
電極層を形成し、上部電極層上に絶縁層を形成し、絶縁
層上にバスバー層を、バスバー層が上部電極層上にあっ
てそれらの間に絶縁層が介在するように、またバスバー
層の選択部分が絶縁層を貫通して上部電極層の選択部分
と電気的接触するように形成するステップよりなること
を特徴とする製造方法。 - （２７） 多層薄膜ＥＬ端部発光モジュールの製造方法
であって、底部基材層上に下部電極層を形成し、下部電
極層上にＥＬスタックを形成し、ＥＬスタック上にバス
バー層を形成し、バスバー層上に絶縁層を形成し、絶縁
層上に上部電極層を、上部電極層がバスバー層上にあっ
てそれらの間に絶縁層が介在し上部電極層の選択部分が
絶縁層を貫通してバスバー層の選択部分と電気的接触す
るように形成するステップよりなることを特徴とする製
造方法。
Applications Claiming Priority (2)
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