JP4507557B2 - 電子放出素子の製造方法、及び表示装置の製造方法 - Google Patents
電子放出素子の製造方法、及び表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4507557B2 JP4507557B2 JP2003366993A JP2003366993A JP4507557B2 JP 4507557 B2 JP4507557 B2 JP 4507557B2 JP 2003366993 A JP2003366993 A JP 2003366993A JP 2003366993 A JP2003366993 A JP 2003366993A JP 4507557 B2 JP4507557 B2 JP 4507557B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- insulating film
- cathode electrode
- forming
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
先ず、図3(A)に示すように、ベースとなるガラス基板等の支持基板4上にライン状のカソード電極5を形成する。具体的には、例えば、支持基板4の片面にスパッタリング法、蒸着法等により金属等(例えば、クロム、ニオブ、モリブデン、タングステンなど)の導電材料をスパッタリング法で成膜した後、その導電膜をフォトリソグラフィ技術及びドライエッチング法によってパターニングすることにより、支持基板4上にライン状のカソード電極5を形成する。
次に、支持基板4上にカソード電極5を覆う状態で絶縁膜6を形成することになるが、この絶縁膜6の形成工程は、支持基板4の厚み方向に第1の絶縁層61を積層する第1の積層工程と、同方向に第2の絶縁層62を積層する第2の積層工程とを有するものとなっている。第1の積層工程では、図3(B)に示すように、支持基板4上でカソード電極5を覆うように第1の絶縁層61を基板全面に積層して形成する。また、第2の積層工程では、図3(C)に示すように、支持基板4上で第1の絶縁層61を覆うように第2の絶縁層62を基板全面に積層して形成する。つまり、ライン状のカソード電極5を形成した後の支持基板4に対して、当該支持基板4の厚み方向に第1の絶縁層61と第2の絶縁層62を順に積層するように形成する。これにより、第1の絶縁層61と第2の絶縁層62からなる絶縁膜6が得られる。この場合、第1の絶縁層61を形成するプロセスと、第2の絶縁層62を形成するプロセスは、それぞれ独立したプロセスとして非連続に行われる。
次いで、図3(D)に示すように、支持基板4の絶縁膜6上にライン状のゲート電極7を形成する。具体的には、例えば、支持基板4上で絶縁膜6の表面にスパッタリング法、蒸着法等により金属等(例えば、クロム、ニオブ、モリブデン、タングステンなど)の導電材料をスパッタリング法で成膜した後、その導電膜をフォトリソグラフィ技術及びドライエッチング法によってパターニングすることにより、絶縁膜6上にライン状のゲート電極7を形成する。このゲート電極7については、カソード電極5と交差(直交)する状態で絶縁膜6上に形成する。これにより、カソード電極5とゲート電極7とが交差する部分では、当該2つの電極間に絶縁膜6が介在した状態となる。
Claims (5)
- 基板上にライン状のカソード電極を形成する第1の電極形成工程と、
前記基板上に前記カソード電極を覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜上に前記カソード電極と交差するライン状のゲート電極を形成する第2の電極形成工程と、
前記カソード電極と前記ゲート電極とが交差する部分に電子放出部を形成する工程、
を含む電子放出素子の製造方法であって、
前記絶縁膜形成工程は、前記基板上に前記カソード電極を覆う第1の絶縁層をプラズマCVD法を用いて形成した後、前記第1の絶縁層の形成とは独立して、前記第1の絶縁層を構成する絶縁材料と同じ絶縁材料から成る第2の絶縁層を前記第1の絶縁層上にプラズマCVD法を用いて形成し、以て、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層から成る前記絶縁膜を形成する工程を具備する電子放出素子の製造方法。 - 前記第1の絶縁層を構成する絶縁材料と前記第2の絶縁層を構成する絶縁材料は二酸化シリコンから成る請求項1に記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記電子放出部を形成する工程は、前記カソード電極と交差する前記ゲート電極の部分に第1の開孔部を形成し、前記絶縁膜に前記第1の開孔部と連通する第2の開孔部を形成し、前記第2の開孔部の底部に位置する前記カソード電極上に円錐形の前記電子放出部を形成する工程を具備する請求項1に記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記第1の電極形成工程と前記絶縁膜形成工程との間に、前記カソード電極上に抵抗層を形成する工程を更に備えており、
前記カソード電極上に形成された前記抵抗層上に前記電子放出部を形成する請求項3に記載の電子放出素子の製造方法。 - 基板上に複数の電子放出素子が形成されたカソード基板と、蛍光体層及びアノード電極を備えたアノード基板とが外周部で接合されて成る表示装置の製造方法であって、
前記電子放出素子の製造工程として、
前記基板上にライン状のカソード電極を形成する第1の電極形成工程と、
前記基板上に前記カソード電極を覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜上に前記カソード電極と交差するライン状のゲート電極を形成する第2の電極形成工程と、
前記カソード電極と前記ゲート電極とが交差する部分に電子放出部を形成する電子放出部形成工程、
を含んでおり、
前記絶縁膜形成工程は、前記基板上に前記カソード電極を覆う第1の絶縁層をプラズマCVD法を用いて形成した後、前記第1の絶縁層の形成とは独立して、前記第1の絶縁層を構成する絶縁材料と同じ絶縁材料から成る第2の絶縁層を前記第1の絶縁層上にプラズマCVD法を用いて形成し、以て、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層から成る前記絶縁膜を形成する工程を具備する表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003366993A JP4507557B2 (ja) | 2003-10-28 | 2003-10-28 | 電子放出素子の製造方法、及び表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003366993A JP4507557B2 (ja) | 2003-10-28 | 2003-10-28 | 電子放出素子の製造方法、及び表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005135590A JP2005135590A (ja) | 2005-05-26 |
JP4507557B2 true JP4507557B2 (ja) | 2010-07-21 |
Family
ID=34645125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003366993A Expired - Fee Related JP4507557B2 (ja) | 2003-10-28 | 2003-10-28 | 電子放出素子の製造方法、及び表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4507557B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060095331A (ko) * | 2005-02-28 | 2006-08-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 |
JP4844041B2 (ja) * | 2005-08-15 | 2011-12-21 | ソニー株式会社 | 冷陰極電界電子放出表示装置用カソードパネル、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置 |
JP5102476B2 (ja) * | 2006-10-26 | 2012-12-19 | パナソニック株式会社 | 薄型表示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06162919A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Nec Corp | 電界放出冷陰極素子 |
JPH0765706A (ja) * | 1993-06-14 | 1995-03-10 | Fujitsu Ltd | 陰極装置及びその製造方法 |
JPH0773800A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-03-17 | Futaba Corp | 電界放出カソード素子 |
JPH11167858A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-06-22 | Toppan Printing Co Ltd | 冷電子放出素子及びその製造方法 |
JP2002093308A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Canon Inc | 電子放出素子、電子源、画像形成装置、及び電子放出素子の製造方法 |
JP2002536802A (ja) * | 1999-02-05 | 2002-10-29 | モトローラ・インコーポレイテッド | 誘電集束層を有するフィールド・エミッション・デバイス |
-
2003
- 2003-10-28 JP JP2003366993A patent/JP4507557B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06162919A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Nec Corp | 電界放出冷陰極素子 |
JPH0765706A (ja) * | 1993-06-14 | 1995-03-10 | Fujitsu Ltd | 陰極装置及びその製造方法 |
JPH0773800A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-03-17 | Futaba Corp | 電界放出カソード素子 |
JPH11167858A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-06-22 | Toppan Printing Co Ltd | 冷電子放出素子及びその製造方法 |
JP2002536802A (ja) * | 1999-02-05 | 2002-10-29 | モトローラ・インコーポレイテッド | 誘電集束層を有するフィールド・エミッション・デバイス |
JP2002093308A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Canon Inc | 電子放出素子、電子源、画像形成装置、及び電子放出素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005135590A (ja) | 2005-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7156715B2 (en) | Triode structure of field emission display and fabrication method thereof | |
US6137213A (en) | Field emission device having a vacuum bridge focusing structure and method | |
US5603649A (en) | Structure and method of making field emission displays | |
JP2003331712A (ja) | 電界放出型電子源およびその製造方法ならびに表示装置 | |
JP3526673B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出素子アレイ、カソード板及びそれらの製造方法並びに平面表示装置 | |
JP4507557B2 (ja) | 電子放出素子の製造方法、及び表示装置の製造方法 | |
JP3630036B2 (ja) | 薄膜型電子源、およびそれを用いた表示装置 | |
JP2006164835A (ja) | 微小電子源装置及び平面型表示装置 | |
US20060197435A1 (en) | Emissive flat panel display device | |
US20070114926A1 (en) | Image display device | |
US7545088B2 (en) | Field emission device | |
JP4401245B2 (ja) | 冷陰極電子源の製造方法 | |
KR100740829B1 (ko) | 전계 방출 표시장치의 게터와 그 제조방법 | |
US7556550B2 (en) | Method for preventing electron emission from defects in a field emission device | |
KR100504791B1 (ko) | 전계방출소자 및 그의 제조방법 | |
JP4345448B2 (ja) | 冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法 | |
US20060214558A1 (en) | Image display device | |
JP2000268703A (ja) | 電界放出デバイス | |
JP2009076206A (ja) | 画像表示装置及びその製造方法 | |
JP2005116231A (ja) | 冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法 | |
JP2007287426A (ja) | 画像表示装置及びその製造方法 | |
JP2008282758A (ja) | 画像表示装置 | |
JP2009032619A (ja) | 画像表示装置及びその製造方法 | |
JPH09245620A (ja) | 電子放出素子及び電子放出素子アレイの製造方法、並びに電子放出素子 | |
JP2006066201A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060628 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091008 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091008 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091020 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091028 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100304 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100413 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100426 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |