JP2008282758A - 画像表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電子源と走査信号配線間の導通の信頼性の確保を図り、表示特性の優れた長寿命の画像表示装置を提供する。
【解決手段】電子源１０と上部電極１１に接して補助電極１７を配置した。
【選択図】図４

Description

本発明は、自発光型フラットパネル型画像表示装置に係り、特に電子源をマトリクス状に配列した画像表示装置に関する。

マトリクス状に配置した電子源を有する自発光型フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の一つとして、微少で集積可能な冷陰極を利用する電界放出型画像表示装置（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）や電子放出型画像表示装置が知られている。

これらの冷陰極には、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源、金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型、金属―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型、あるいは金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型電子源などがある。

一般的な自発光型ＦＰＤは、上記のような電子源をガラス板からなる背面基板上に備えた背面パネルと、蛍光体層及びこの蛍光体層に前記電子源から放出される電子を射突させるための電界を形成する陽極とをガラスを好適とする光透過性の材料からなる前面基板上に備えた前面パネルと、両パネルの対向する内部空間を所定の間隔に保持する枠体とを備え、前記両パネルと枠体で形成される表示領域を含む内部空間を真空状態に保持する構成とし、この表示パネルに駆動回路を組み合わせて構成される。

又、前記背面パネルの前記背面基板上には、一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された複数の映像信号配線と、この映像信号配線を覆って形成された絶縁膜と、この絶縁膜上で前記他方向に延在し前記映像信号配線に交差する如く前記一方向に並設され走査信号が順次印加される複数の走査信号配線を備えている。加えて前記走査信号配線と画像信号配線の交差部付近に上記の電子源がそれぞれ設けられ、走査信号配線と電子源とはこの電子源の一部を構成する上部電極で接続され、走査信号配線から電子源に電流が供給される構成が一般的である。

更に、前記個々の電子源は対応する蛍光体層と対になって単位画素を構成する。通常は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の単位画素で一つの画素（カラー画素、ピクセル）が構成される。なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素（サブピクセル）とも呼ばれる。

上述の構成に加え、前述したような画像表示装置では、背面パネルと前面パネル間の前記枠体で囲繞された表示領域を含む減圧領域内に複数の間隔保持部材（スペーサ）が配置固定され、前記両パネル間の間隔を前記枠体と協働して所定間隔に保持している。このスペーサは、一般にはガラスやセラミックスなどの絶縁材あるいは幾分かの導電性を有する部材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。

又、封止枠となる枠体は背面基板と前面基板との内周縁にフリットガラスなどの封着部材で固着され、この固着部が気密封着され封止領域となっている。両基板と枠体とで形成される減圧領域内部の真空度は、例えば１０^-5〜１０^-7Ｔｏｒｒ程度である。

枠体と基板との封止領域には、背面基板に形成された走査信号配線につながる走査信号配線引出端子や画像信号配線につながる画像信号配線引出端子がそれぞれ貫通する。

前述したＭＩＭ型電子源については、例えば特許文献１、２に開示されている。ＭＩＭ型電子源の構造と動作は以下のとおりである。すなわち、上部電極と下部電極との間に絶縁層を介在させた構造を有し、上部電極と下部電極との間に電圧を印加することで、下部電極中のフェルミ準位近傍の電子がトンネル現象により障壁を透過し、電子加速層である絶縁層の伝導帯へ注入されホットエレクトロンとなり、上部電極の伝導帯へ流入する。これらのホットエレクトロンのうち、上部電極の仕事関数φ以上のエネルギーをもって上部電極表面に達したものが真空中に放出される。
特開２００４−３６３０７５号公報 特開２００６−１０７７４１号公報

特許文献１、２に示すような画像表示装置では、前記走査信号配線から電子源上面に亘って薄膜の上部電極が配置されている。この上部電極は前記走査信号配線と前記電子源との導通を図ると共に電子源ではその表面から電子が放出される構成となっている。前記上部電極は通常スパッタリングによって成膜する。このため、被覆面の膜質、膜厚を略同一仕様とする操作がなされる。一方、前記電子源は前記上部電極の膜厚が大であると電子放出量が減少し、所望の明るさが得られない問題がある。又、前記走査信号配線と前記電子源との導通の信頼性確保には、前記上部電極の膜厚が大であることが望ましい。

このような相反する要求に対し、画像表示装置本来の目的である画面の明るさの向上を達成するため、前記上部電極膜厚は数ｎｍ程度に薄く設定される傾向にあった。ところが、前記数ｎｍ程度の金属薄膜を介して前記電子源と接続される走査信号配線の膜厚は数μｍ程度有り、この走査信号配線頂面から前記電子源間には膜厚差による大きな段差が存在する。

更に、前記走査信号配線と基板表面間には、例えば層間絶縁膜や画像信号配線表面のフィールド絶縁膜等が介挿される構成で、これらの各膜にも段差が発生する。これらの段差の存在は、前記上部電極の断線を招き易く、この結果、電子源と走査信号配線間の導通の確保に問題が発生する恐れがあった。

本発明の目的は、上述した問題を解決し、電子源と走査信号配線間の導通の確保を図り、表示特性の優れた長寿命の画像表示装置を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明は走査信号配線と電子源間の導通を補助する別の補助電極を上部電極に接して配置した構成を特徴とする。又、本発明は走査信号配線をアルミを主成分とするアルミ合金膜からなる上層膜と、下層にアルミを主成分とするアルミ合金膜を備えた下層膜との積層構造とし、前記上層膜を前記下層膜頂面から一方の側面を経て電子源方向に延びる延在部を備えた構成を特徴とする。

補助電極を上部電極に接して配置したことにより、電子源と走査信号配線間の導通の信頼性を確保でき、表示特性の優れた長寿命の画像表示装置の実現が可能となる。又、前記段差の解消のみに要する工程は不要となり、製造工程の簡略化が可能となる。

更に、走査信号配線の上層膜をアルミ合金膜で形成し、この上層膜を電子源側に延びる延在部を備えた構成とし、この延在部で絶縁膜等の縁端部を覆って延在部上面の段差を軽減できる構成としたことで上部電極の断線を防止でき、前記補助電極の効果と相俟って前記走査信号配線と電子源との導通の信頼性の向上が図れ、電子放射特性の信頼性が確保され、長寿命化を達成できる。

更に又、下層膜のアンダーカット部に接する膜をアルミ合金膜で形成したことにより、庇部分の崩落を防止でき、アンダーカット部の形状保持の信頼性が向上して画素分離の信頼性が確保できる。

以下、本発明の最良の実施携帯につき、実施例の図面を参照して詳細に説明する。

図１乃至図４は、本発明による画像表示装置の実施例の構成を説明する模式図で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の側面図、図２は図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図、図３は、図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の断面図、図４は、図３の要部拡大図である。図１乃至図４において、参照符号１は背面基板、２は前面基板、３は枠体、４は排気管、５は封着部材、６は表示領域を含む減圧領域、７は貫通孔、８は映像信号配線、８１はフィールド絶縁膜、８２はトンネル絶縁膜、９は走査信号配線、９１は走査信号配線９の上層膜、９２は走査信号配線９の下層膜、１０は電子源、１１は上部電極、１２はスペーサ、１３は接着部材、１４は層間絶縁膜、１５は絶縁膜、１６はアンダーカット部、１７は補助電極、１８は蛍光体層、１９は遮光用のＢＭ（ブラックマトリクス）膜、２０は金属薄膜からなるメタルバック（陽極電極）である。

参照符号１で示す背面基板と前面基板２は略矩形状を呈し、厚さ数ｍｍ、例えば１〜１０ｍｍ程度のガラス板からそれぞれ構成されている。３は枠状を呈する枠体で、この枠体３は例えばフリットガラスの燒結体或いはガラス板等から構成され、単体で若しくは複数部材の組み合わせで略矩形状とされ、前記両基板１、２間に介挿されている。この枠体３は、前記両基板１、２間の周縁部に介挿され、両端面を両基板１、２と気密接合されている。この枠体３の厚さは数ｍｍ〜数十ｍｍ、その高さは両基板１、２間の前記間隔に略等しい寸法に設定されている。４は排気管で、この排気管４は前記背面基板１に固着されている。５は封着部材で、この封着部材５は例えば低融点フリットガラス、例えばＰｂＯ：７５〜８０ｗｔ％、Ｂ２ Ｏ３ ：約１０ｗｔ％、その他：１０〜１５ｗｔ％等の組成からなり、かつ非晶質タイプのフリットガラスを含むガラス材料からなるもの等が知られており、前記枠体３と両基板１、２間を接合して気密封着している。

前記枠体３と両基板１、２及び封着部材５で囲まれた表示領域を含む減圧領域６は前記排気管４を介して排気され、例えば１０^-5〜１０^-7Ｔｏｒｒの真空度を保持している。又、前記排気管４は前述のように前記背面基板１の外表面に取り付けられ、この背面基板１を貫通して穿設された貫通孔７に連通しており、排気完了後前記排気管４は封止される。

参照符号８はストライプ状の映像信号配線で、この映像信号配線８は例えばアルミニウム（Ａｌ）膜、アルミニウムーネオジム（Ａｌ−Ｎｄ）膜等からなり、前記背面基板１の内面に一方向（Ｙ方向）に延在し他方向（Ｘ方向）に並設されている。この映像信号配線８の材料としてＡｌを用いるのは陽極酸化により良質の絶縁膜を形成できる特性を利用できることが一つの要因である。ここでは、ネオジム（Ｎｄ）を２原子量％ドープしたＡｌ―Ｎｄ合金を用いた。膜厚は６００ｎｍとした。

映像信号配線８の配線幅は画像表示装置のサイズや解橡度により異なるが、そのサブピクセルのピッチ程度、大体１００〜２００ミクロン（μｍ）程度とする。この映像信号配線８は上面に映像信号配線８のエッジヘの電界集中を防止するフィールド絶縁膜８１及び電子源の一部を構成し電子放出部を制限するトンネル絶縁膜８２をそれぞれ備えている。

この構成は、先ず映像信号配線８上の膜幅の略中央部で将来電子放出部となる部分に相当する部位をレジスト膜でマスクし、その他の部分を選択的に厚く陽極酸化して保護絶縁膜となるフィールド絶縁膜８１を形成する。この作業では化成電圧を２００ｖとすれば、厚さ約２７０ｎｍのフィールド絶縁膜８１が形成される。

その後、前記レジスト膜を除去して残りの映像信号配線８の表面を陽極酸化する。例えば、化成電圧を６ｖとすれば、映像信号配線８上に厚さ約１０ｎｍのトンネル絶縁膜８２が形成される。更に、この映像信号配線８は減圧領域６から枠体３と背面基板１との接合領域を気密に貫通して背面基板１の長辺側の端部まで延在し、その先端部を映像信号配線引出端子８ａとしている。

次に、参照符号９はストライプ状の走査信号配線で、この走査信号配線９は前記映像信号配線８上でこれと交差する前記他方向（Ｘ方向）に延在し前記一方向（Ｙ方向）に並設されている。走査信号配線９はアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜からなる上層膜９１と下層膜９２との積層膜構造からなり、更にこの下層膜９２はアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜からなる第１下層素膜９２１と、この上側で前記上層膜９１側に積層されたアルミニウム膜からなる第２下層素膜９２２との積層膜から構成されている。これら各下層素膜の膜厚さは配線抵抗を考慮して第１下層素膜９２１＜第２下層素膜９２２の関係にある。

一方、前記上層膜９１は前記下層膜９２の頂面９２３から一方の側面９２４を通り後述の導通する電子源１０側へ延在する延在部９１１を備えている。更に、この走査信号配線９は表示領域を含む減圧領域６から枠体３と背面基板１との接合領域を気密に貫通して背面基板１の短辺側の端部まで延在し、その先端部を走査信号配線引出端子９ａとしている。

参照符号１０は電子源で、この電子源１０は例えば特許文献１、２に開示された電子源の一種のＭＩＭ型電子源で、この電子源１０は前記走査信号配線９と映像信号配線８の交差部近傍で、前記映像信号配線８の前記トンネル絶縁膜８２に設けられている。この電子源１０は前記トンネル絶縁膜８２上に配置された上部電極１１で前記走査信号配線９と接続されている。上部電極１１は、例えばＩｒ、Ｐｔ、Ａｕの積層膜からなり、膜厚は例えば３ｎｍとした。形成は例えばスパッタ成膜を用いる。上部電極１１は、トンネル絶縁膜８２からフィールド絶縁膜８１、走査信号配線９の延在部９１１を含む上層膜９１を連続して覆う形状に成膜され、隣接する走査信号配線とは後述するアンダーカット部１６で成膜時に自動的に分断される構成となっている。

次に、参照符号１２はスペーサで、このスペーサ１２はセラミックス材等の絶縁材料からなり、抵抗値の偏在が少なく、かつ長方形の薄板形状に整形された絶縁性基体１２１と、この絶縁性基体１２１の表面を覆い、かつ抵抗値の偏在の少ない被膜層１２２から構成されている。スペーサ１２は１０⁸〜１０⁹Ω・ｃｍ程度の抵抗値を有し、全体として抵抗値の偏在の少ない構成となっている。スペーサ１２は前記枠体３と略平行で走査信号配線９上に１本おきに直立配置され、接着部材１３で両基板１、２と接着固定している。スペーサ１２の基板との接着固定は一端側のみでも良く、更にその配置は通常、複数の画素毎に画素の動作を妨げない位置に設置される。

スペーサ１２の寸法は基板寸法、枠体３の高さ、基板素材、スペーサの配置間隔、スペーサ素材等により設定されるが、一般的には高さは前述した枠体３と略同一寸法、厚さは数十μｍ〜数ｍｍ以下、長さは２０ｍｍ乃至１０００ｍｍ程度、更にはそれ以上の長尺も可能であるが、好ましくは８０ｍｍ乃至３００ｍｍ程度が実用的な値となる。

参照符号１４、１５で示す層間絶縁膜及び絶縁膜は、前記映像信号配線８と前記走査信号配線９間を含む基板表面に積層配置されている。これら２層の絶縁膜１４、１５は前記映像信号配線８を含む基板全面を覆って被着形成され、その上面に前記走査信号配線９が所定のパターンで被着形成された構成となっている。積層配置された絶縁膜の内、下側に配置された層間絶縁膜１４は、前記映像信号配線８の表面に陽極酸化で形成される前記フィールド絶縁膜８１にピンホールがあった揚合、その欠陥を埋め、映像信号配線８と走査信号配線９問の絶縁を保つ役割も果たす。

上側に配置される絶縁膜１５は、前記層間絶縁膜１４とエッチングレートの異なる材料から構成され、前記走査信号配線９の一端側の配線々端、すなわち前述した他方の側面９２５の下部にアンダーカット部１６を備えている。アンダーカット部１６は、絶縁膜１５の当該部分をドライエッチングで除去して形成したもので、このアンダーカット部１６は前記走査信号配線９の延在方向と略平行に枠体３まで延びている。アンダーカット部１６で前述した上部電極１１を分断して画素分離を行う構成である。

前記層間絶縁膜１４としては、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化物、シリコンなどを用いることができ、又絶縁膜１５は前記層間絶縁膜１４とはエッチングレートの異なる材料から構成され、例えばシリコン等を用いることが出来る。層間絶縁膜１４としては、絶縁膜１５にＳｉを用いる場合は、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化膜など絶縁膜１５とはエッチングレートの異なる材料を用いる。これは絶縁膜１５をドライエッチングで加工しアンダーカット部１６を形成する際に層間絶縁膜１４のエッチング量がこの絶縁膜１５に比べて少なくなるようにエッチング選択性を確保できる材料とするためである。ここでは、前記層間絶縁膜１４をＡｒとＮ₂雰囲気中で反応性スパッタにより成膜したシリコン窒化膜ＳｉＮを用い膜厚は２００ｎｍとした。

一方、絶縁膜１５のＳｉはＢやＰ等をドープしたＳｉターゲットを用い、Ａｒ雰囲気中でスパッタリングにより成膜した。膜厚は２００ｎｍとした。スパッタリング方法で形成したドープＳｉはドープ材が活性化されていないため、ほぼ真性半導体の場合と伺様に非常に高抵抗の半絶縁材料として用いることが可能である。

又、前記層間絶縁膜１４に酸化Ｓｉや酸窒化Ｓｉを用いた場合は、ＳｉＮを用いた揚合よりさらにエッチング速度が低下するため絶縁膜１５との間に高い選択性を得ることができる。

この実施例では、下層の層間絶縁膜１４にシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を配置し、その上層の絶縁膜１５に前記ＳｉＮ膜に比べてエッチングレートの早いシリコン膜（Ｓｉ膜）を積層し、選択ドライエッチングによりＳｉ膜を除去してアンダーカット部１６を形成したものである。このＳｉの選択ドライエッチングは、ＣＦ₄とＯ₂の混合ガス、又はＳＦ₆とＯ₂の混合ガス等により行う。これらのガスはＳｉとＳｉＮをともにエッチングするが、Ｏ₂の比率を最適化することにより、Ｓｉのエッチング選択比を高めることができる。このドライエッチングにより、ＳｉＮからなる層間絶縁膜１４上に配置されているＳｉからなる絶縁膜１５の一部を選択的に除去してアンダーカット部１６を形成するものである。

又、これら２層の絶縁膜１４、１５のうち、前記上側の絶縁膜１５は前記アンダーカット部１６と反対側の縁端部１５１が上層膜９１の延在部９１１で覆われた構成となっている。又、前記延在部９１１は前記縁端部１５１より更に突出している前記層間絶縁膜１４の縁端部１４１も合わせて覆う構成となっている。これら縁端部１５１、１４１は前記延在部９１１上に配置される上部電極１１に段切れが生じないように滑らかな傾斜した面を備えていることが望ましい。又、前記絶縁膜１５に代えて例えばクロム（Ｃｒ）層とすることも可能である。

参照符号１７は補助電極で、その一例の詳細を更に図５乃至図７に示す。図５は、図２の一部を拡大して示す模式平面図である。図６は、図５のＣ−Ｃ線に沿った模式断面図である。図７は、図５のＤ−Ｄ線に沿った模式断面図である。これら各図は前述した図と同一機能部分は同一記号を付してある。補助電極１７は、前記上部電極１１と同じ材料或いはシート抵抗で数１００Ω程度以下の低抵抗材料から構成され、この実施例では前記延在部９１１上から電子源１０に亘る範囲で上部電極１７上に短冊状に被着配置されている。

この補助電極１７の形成方法としては、例えば印刷方法、インクジェット、ワイヤボンディング等が利用できる。補助電極１７の膜厚は数ｎｍ〜数１００ｎｍ程度で、これを超えると上部電極１１の膜厚との差が大となって上部電極１１に破断が発生する恐れがある等の問題があり、上記範囲が望ましい。

又、この補助電極１７の配置位置は、段差や表面凹凸により上部電極１１の段切れの発生が生じやすい段差部分を経由する位置や抵抗が高くなる部位に配置することが望ましく、複数の補助電極１７を分散配置することも可能である。

更に、電子源１０上に占める補助電極１７の面積は、電子放出面積確保の点から電子源１０表面積の１０％程度以下が望ましい。

一方、前記スペーサ１２の一端側が固定された前面基板２の内面には、赤色、緑色、青色用の蛍光体層１８が遮光用のＢＭ（ブラックマトリクス）膜１９で区画された窓部に配置され、これらを覆うように金属薄膜からなるメタルバック（陽極電極）２０が例えば蒸着方法で設けられて蛍光面を形成している。メタルバック２０は前面基板２と反対側、つまり背面基板１側への発光を前面基板２側へ向け反射させ、発光の取り出し効率を上げる為の光反射膜であると共に蛍光体粒子の表面の帯電を防ぐ機能も合わせ持っている。又、このメタルバック２０は面電極として示してあるが、走査信号配線９と交差して画素列ごとに分割されたストライプ状電極とすることもできる。

前記蛍光体としては、例えば赤色用としてＹ₂Ｏ₃：Ｅｕ、Ｙ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕを、又、緑色用としてＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｙ₂ＳｉＯ₅：Ｔｂ、更に、青色用としてＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ等を用いることができる。この蛍光体層１５は蛍光体粒子の平均粒径は例えば４μｍ〜９μｍ、膜厚は例えば１０μｍ〜２０μｍ程度となっている。

実施例１における画素分離は、前記走査信号配線９がこの走査信号配線９を挟んでその両側に配置されている前記電子源１０の一方とは導通し、他方とは非導通とする構成で実施されている。前記アンダーカット部１６は、前記走査信号配線９が前記電子源１０と非導通となる側で前記走査信号配線９が庇状を呈する形状となって構成されている。アンダーカット部１６で、前記電子源１０を構成するトンネル絶縁層８２と前記走査信号配線９とを繋ぐ上部電極１１を分断し、前記他方の電子源と非導通として画素分離を図っている。

図８は、本発明の画像表示装置の他の実施例を示す図４に対応した模式断面図で、前述した図と同一機能部分は同一記号を付してある。図８に示すように、この実施例２における補助電極１７は、前記上部電極１１の下側に配置した構成である。実施例２では、予め上層膜９１の延在部９１１上からトンネル絶縁膜８２の端部上に連続して補助電極１７を被着形成した後、上部電極１１を全面に被着して形成した構成である。

この実施例２の構成では、上部電極１１に与えるストレスを軽減できる特徴を備えている。

図９は、本発明の画像表示装置の更に他の実施例の構成を説明する模式平面図で、特に補助電極配置例を示す図５に対応した図であり、かつ前述した図と同一機能部分は同一記号を付してある。図９に示す構成例は、電子源１０の一部を跨いで短冊状の補助電極１７を配置した構成を示している。

図１０は、本発明の画像表示装置の更に他の実施例の構成を説明する模式平面図で、特に補助電極配置例を示す図５に対応した図であり、かつ前述した図と同一機能部分は同一記号を付してある。図１０に示す構成例は、図５と図９の補助電極を合体させた逆Ｔ字形状の補助電極１７を配置した構成を示している。この構成ではＴ字を縦線部分と横線部分に分割してそれぞれ形成し、合体させて一体化させることも可能である。

図１１は、本発明の画像表示装置の更に他の実施例の構成を説明する模式平面図で、特に補助電極配置例を示す図５に対応した図であり、かつ前述した図と同一機能部分は同一記号を付してある。図１１に示す構成例は、Ｖ字形状の補助電極１７を配置した構成を示している。この構成でも前記実施例４と同様にＶ字形状を２本の斜線の組み合わせから一体化させることも可能である。

図１２は、本発明の画像表示装置の更に他の実施例の構成を説明する模式平面図で、特に補助電極配置例を示す図５に対応した図であり、かつ前述した図と同一機能部分は同一記号を付してある。図１２に示す構成例は、扇状の補助電極１７を配置した構成を示している。特に扇部分で上部電極１１との接触面積を確保し、電子源１０側では電子放射面積の確保を図る構成となっている。この構成も扇部分と縦線部分を別々に形成し、一体化して形成することも可能である。

これら実施例３〜６に示す補助電極１７は、何れも電子源１０のトンネル絶縁膜８２の一部に重畳する配置構成となっている。

次に、図１３は、本発明の画像表示装置の更に他の実施例の構成を説明する模式断面図で、特に補助電極配置例を示す図４に対応した図であり、かつ前述した図と同一機能部分は同一記号を付してある。図１３に示す例は、補助電極１７を上部電極１１上の一部、この例では層間絶縁膜１４の縁端部１４１および絶縁膜１５の縁端部１５１に対応する段差の発生し易い部分に配置した構成である。この構成であると、上部電極１１自体の導通の確保の信頼性が向上する。

本発明による画像表示装置の実施例の構成を説明する模式図で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の側面図である。 図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う模式断面図である。 図２のＢ−Ｂ線に沿う模式断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の模式断面図である。 図３の要部を拡大して示す模式断面図である。 図２の一部を拡大して示す模式平面図である。 図５のＣ−Ｃ線に沿う模式断面図である。 図５のＤ−Ｄ線に沿う模式断面図である。 本発明による画像表示装置の他の実施例の構成を説明する模式平面図である。 本発明による画像表示装置の他の実施例の構成を説明する模式平面図である。 本発明による画像表示装置の他の実施例の構成を説明する模式平面図である。 本発明による画像表示装置の他の実施例の構成を説明する模式平面図である。 本発明による画像表示装置の他の実施例の構成を説明する模式平面図である。 本発明による画像表示装置の他の実施例の構成を説明する模式平面図である。

符号の説明

１・・・背面基板、２・・・前面基板、３・・・枠体、４・・・排気管、５・・・封着部材、６・・・表示領域を含む減圧領域、７・・・貫通孔、８・・・映像信号配線、８１・・・フィールド絶縁膜、８２・・・トンネル絶縁膜、９・・・走査信号配線、９１・・・上層膜、９１１・・・延在部、９２・・・下層膜、１０・・・電子源、１１・・・上部電極、１２・・・スペーサ、１３・・・接着部材、１４・・・層間絶縁膜、１５・・・絶縁膜、１６・・・アンダーカット部、１７・・・補助電極、１８・・・蛍光体層、１９・・・遮光用のＢＭ（ブラックマトリクス）膜、２０・・・金属薄膜からなるメタルバック（陽極電極）。

Claims (6)

1. 一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された複数の映像信号配線と、前記他方向に延在し前記映像信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の走査信号配線と、この走査信号配線と前記映像信号配線間に配置された層間絶縁膜及び絶縁膜と、前記映像信号配線と前記走査信号配線の交差部近傍に設けられ前記映像信号配線と上部電極間に絶縁体や半導体からなる電子加速層を有し前記上部電極を介して前記走査信号配線と接続され前記上部電極から電子を放出する電子源と、前記走査信号配線相互間で前記上部電極を分断し画素分離するアンダーカット部を前記走査信号配線の線端下部近傍に備えた背面基板と、
   前記電子源に対応して設けられた蛍光体層と、前記電子源から放出される電子を前記蛍光体層に指向する如く加速電圧を印加するための陽極とを備えた前面基板と、
   前記前面基板と前記背面基板間に配置され前記両基板を所定の間隔に保持する枠体と、
   前記枠体と前記両基板の少なくとも一方と気密封着する封着部材とを備えた画像表示装置であって、
   前記上部電極に接して別の補助電極を配置したことを特徴とする画像表示装置。
2. 前記補助電極は前記電子源と上部電極とを接続したことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
3. 前記補助電極は前記上部電極と同一組成金属から構成されてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
4. 前記補助電極はその膜厚さが１ｎｍ〜数１００ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の画像表示装置。
5. 前記走査信号配線は下層膜と上層膜の積層構造で、前記下層膜はアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜からなる第１下層素膜とその上側に配置されたアルミニウム膜からなる第２下層素膜の積層膜からなり、前記上層膜は前記アルミニウム合金膜から構成され前記下層膜の頂面から片側側面を通り前記下層膜と前記層間絶縁膜間に配置された絶縁膜の前記電子源方向に延在した縁端部を覆って連続して前記電子源方向に延びる延在部を備えてなることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の画像表示装置。
6. 前記上層膜は前記下層膜より膜厚さが小であることを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。

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