JP2009123587A - 画像表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】上部電極の切断を防止して電子源への給電の信頼性の向上を図り、表示特性の優れた長寿命の画像表示装置を提供する。
【解決手段】 映像信号配線８の表面に複数層のフィールド絶縁膜８１、８３を配置した。
【選択図】 図４

Description

本発明は、自発光型フラットパネル型画像表示装置に係り、特に薄膜型電子源をマトリクス状に配列した画像表示装置に関する。

マトリクス状に配置した電子源を有する自発光型フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の一つとして、微少で集積可能な冷陰極を利用する電界放出型画像表示装置（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）や電子放出型画像表示装置が知られている。
この冷陰極には、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源、金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型、金属―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型、あるいは金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型電子源などがある。

一般的な自発光型ＦＰＤは、上記のような電子源をガラス板からなる背面基板上に備えた背面パネルと、蛍光体層及びこの蛍光体層に前記電子源から放出される電子を射突させるための電界を形成する陽極とをガラスを好適とする光透過性の材料からなる前面基板上に備えた前面パネルと、両パネルの対向する内部空間を所定の間隔に保持する枠体とを備え、前記両パネルと枠体で形成される表示領域を含む内部空間を真空状態に保持する構成とし、この表示パネルに駆動回路を組み合わせて構成される。

又、前記背面パネルの前記背面基板上には、一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された複数の映像信号配線と、この映像信号配線を覆って形成された絶縁膜と、この絶縁膜上で前記他方向に延在し前記映像信号配線に交差する如く前記一方向に並設され走査信号が順次印加される複数の走査信号配線を備えている。加えて前記走査信号配線と映像信号配線の交差部付近に上記の電子源がそれぞれ設けられ、走査信号配線と電子源とは給電電極で接続され、走査信号配線から電子源に電流が供給される構成が一般的である。

更に、前記個々の電子源は対応する蛍光体層と対になって単位画素を構成する。通常は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の単位画素で一つの画素（カラー画素、ピクセル）が構成される。なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素（サブピクセル）とも呼ばれる。

上述の構成に加え、前述したような画像表示装置では、背面パネルと前面パネル間の前記枠体で囲繞された表示領域を含む減圧領域内に複数の間隔保持部材（スペーサ）が配置固定され、前記両パネル間の間隔を前記枠体と協働して所定間隔に保持している。このスペーサは、一般にはガラスやセラミックスなどの絶縁材あるいは幾分かの導電性を有する部材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。

又、封止枠となる枠体は背面基板と前面基板との内周縁にフリットガラスなどの封着部材で固着され、この固着部が気密封着され封止領域となっている。両基板と枠体とで形成される減圧領域内部の真空度は、例えば１０^-5〜１０^-7Ｔｏｒｒ程度である。

枠体と基板との封止領域には、背面基板に形成された走査信号配線につながる走査信号配線引出端子や画像信号配線につながる画像信号配線引出端子がそれぞれ貫通する。

前述したＭＩＭ型電子源については、例えば特許文献１、２に開示されている。ＭＩＭ型電子源の構造と動作は以下のとおりである。すなわち、上部電極と下部電極との間に絶縁層を介在させた構造を有し、上部電極と下部電極との間に電圧を印加することで、下部電極中のフェルミ準位近傍の電子がトンネル現象により障壁を透過し、電子加速層である絶縁層の伝導帯へ注入されホットエレクトロンとなり、上部電極の伝導帯へ流入する。これらのホットエレクトロンのうち、上部電極の仕事関数φ以上のエネルギーをもって上部電極表面に達したものが真空中に放出される。
特開２００４−３６３０７５号公報 特開２００６−１０７７４６号公報

前述した特許文献２に開示された画像表示装置に関し、図６及び図７にその構成及び製造工程の抜粋を示す。
先ず、図６（ａ）〜（ｃ）は画像表示装置の製造工程を説明するための模式断面図、又、図７（ａ）〜（ｃ）は画像表示装置の製造工程を説明するための模式図で、図７（ａ）は平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図、図７（ｃ）は図７（ａ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。
図６（ａ）〜（ｃ）において、背面基板１上に映像信号配線８を備え、この映像信号配線８と略直交して走査信号配線９を配置し、これら両信号配線８、９間に層間絶縁膜１４を介在させ前記両信号配線８、９間の絶縁を確保する構成となっている。この特許文献２では前記走査信号配線９は下層膜９１、中間膜９２及び上層膜９３の積層構造を呈している。
映像信号配線８の表面には陽極酸化膜からなるフィールド絶縁膜８１と、同じく陽極酸化膜からなるトンネル絶縁膜８２がそれぞれ形成されている。
フィールド絶縁膜８１は前記両信号配線８、９間の絶縁を確保する機能を備え２００ｎｍ程度の膜厚としている。
一方、トンネル絶縁膜８２は前記フィールド絶縁膜８１より薄膜で電子源１０の前記絶縁層を構成する。このトンネル絶縁膜８２は例えば１０ｎｍ程度の膜厚を有している。
これらの絶縁膜８１、８２は図７にその一例を示すようにトンネル絶縁膜８２が配置される部位を予めレジスト１８で覆い、この状態で陽極酸化処理を行ってフィールド絶縁膜８１を形成する。次に前記レジスト１８を取り除き異なる条件の下で再度陽極酸化処理を行い、トンネル絶縁膜８２を形成する。
これらの絶縁膜８１、８２は製造工程の初期に形成され、その後の工程中は図６（ａ）に示すように層間絶縁膜１４等で覆われ、この状態で種々の処理工程を経た後、上部電極１１の形成前に図６（ｂ）に示すように前記層間絶縁膜１４等を除去してトンネル絶縁膜８２を露呈させる。
この状態で上部電極１１を構成する金属材料を蒸着し、トンネル絶縁膜８２から走査信号配線９までを連続した薄膜で覆い上部電極１１を形成する。

このような製造工程を経て形成された従来の画像表示装置において、前記フィールド絶縁膜８１の一部に所定厚さの絶縁膜が形成されず、前記両信号配線８、９間で耐電圧不良が発生する問題があった。

又、前記上部電極１１が断線し、電子源１０と前記走査信号配線９間の導通が損なわれ、電子源への給電不良が発生する問題があった。

上述した問題の内、前記フィールド絶縁膜８１の一部に所定厚さの絶縁膜が形成されない問題は、前記フィールド絶縁膜８１の形成時に工程中のレジスト塗布や露光時の異物の発生、更には現像異常等により前述の図７に示すようにレジスト片１８１が残存し、これがマスクとなって当該部分に所定膜厚さの絶縁膜が形成できないことに一因がある。

又、上述した問題の内、上部電極１１が断線する問題は、前述したように絶縁膜８１、８２は製造工程の初期に形成され、その後種々の処理工程を経ることでフィールド絶縁膜８１表面に処理荒れによる例えば５０μｍ程度の凹凸が発生すること、更には積層される層間絶縁膜１４との段差の発生等により、薄膜の上部電極１１が断切れを起こすことに一因がある。

本発明の目的は、上述した問題を解決し、耐電圧及び給電の信頼性の確保を図り、表示特性の優れた長寿命の画像表示装置を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明は、一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された複数の映像信号配線と、前記他方向に延在し前記映像信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の走査信号配線と、この走査信号配線と前記映像信号配線間に配置された層間絶縁膜と、前記映像信号配線と前記走査信号配線の交差部近傍に設けられ前記走査信号配線と接続された電子源とを備えた背面基板と、前記電子源に対応して設けられた蛍光体層と、前記電子源から放出される電子を前記蛍光体層に指向する如く加速電圧を印加するための陽極を備えた前面基板と、前記前面基板と前記背面基板間に配置され前記両基板を所定の間隔に保持する枠体と、前記枠体と前記両基板を気密封着する封着部材とを備えた画像表示装置であって、前記映像信号配線は前記電子源に対応する部位に陽極酸化膜からなるトンネル絶縁膜を有し、このトンネル絶縁膜に隣接して陽極酸化膜からなる複数層のフィールド絶縁膜を備えたことを特徴とする。

映像信号配線のトンネル絶縁膜に隣接して陽極酸化膜からなる複数層のフィールド絶縁膜を備えた構造としたことにより、フィールド絶縁膜の耐電圧が確保可能となり、又フィールド絶縁膜表面の凹凸を解消し、更には段差も解消されて上部電極の断線の発生を回避でき、表示特性の優れた長寿命の画像表示装置を提供できる。

以下、本発明を実施例の図面を参照して詳細に説明する。

図１乃至図４は、本発明による画像表示装置の実施例の構成を説明する模式図で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の側面図、図２は図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図、図３は図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の断面図、図４は図２の一部を拡大して示す断面図である。この電子源はＭＩＭ型電子源である。
図１乃至図４において、参照符号１は背面基板、２は前面基板、３は枠体、４は排気管、５は封着部材、６は表示領域を含む真空領域、７は貫通孔、８は映像信号配線、９は走査信号配線、１０は電子源、１１は接続配線（上部電極）、１２はスペーサ、１３は接着部材、１４は層間絶縁膜、１５は蛍光体層、１６は遮光用のＢＭ（ブラックマトリクス）膜、１７は金属薄膜からなるメタルバック（陽極電極）である。

参照符号１で示す背面基板と前面基板２は略矩形状を呈し、厚さ数ｍｍ、例えば１〜１０ｍｍ程度のガラス板からそれぞれ構成されている。
３は枠状を呈する枠体で、この枠体３は例えばフリットガラスの燒結体或いはガラス板等から構成され、単体で若しくは複数部材の組み合わせで略矩形状とされ、前記両基板１、２間に介挿されている。
この枠体３は、前記両基板１、２間の周縁部に介挿され、両端面が両基板１、２と気密接合されている。この枠体３の厚さは数ｍｍ〜数十ｍｍ、その高さは両基板１、２間の前記間隔に略等しい寸法に設定されている。
４は排気管で、この排気管４は前記背面基板１に固着されている。
５は封着部材で、この封着部材５は例えば低融点フリットガラス、例えばＰｂＯ：７５〜８０ｗｔ％、Ｂ２ Ｏ３ ：約１０ｗｔ％、その他：１０〜１５ｗｔ％等の組成からなり、かつ非晶質タイプのフリットガラスを含むガラス材料からなるもの等が知られており、前記枠体３と両基板１、２間を接合して気密封着している。

前記枠体３と両基板１、２及び封着部材５で囲まれた表示領域を含む真空領域６は前記排気管４を介して排気され、例えば１０^-5〜１０^-7Ｔｏｒｒの真空度を保持している。又、前記排気管４は前述のように前記背面基板１の外表面に取り付けられ、この背面基板１を貫通して穿設された貫通孔７に連通しており、排気完了後前記排気管４は封止される。

参照符号８はストライプ状の映像信号配線で、この映像信号配線８は例えばアルミニウム（Ａｌ）膜、アルミニウムとネオジムの合金（Ａｌ−Ｎｄ）膜等からなり、前記背面基板１の内面に一方向（Ｙ方向）に延在し他方向（Ｘ方向）に並設されている。
この映像信号配線８の上面にはトンネル絶縁膜８２とこれと隣接して２層のフィールド絶縁膜８１、８３とがそれぞれ配置されている。これらの詳細は後述する。
更に、この映像信号配線８は真空領域６から枠体３と背面基板１との接合領域を気密に貫通し、背面基板１の長辺側の端部まで延在し、その先端部を映像信号配線引出端子８ａとしている。

参照符号９はストライプ状の走査信号配線で、この走査信号配線９は例えばアルミニウム（Ａｌ）膜、アルミニウムとネオジムの合金（Ａｌ−Ｎｄ）膜等からなり、前記映像信号配線８上でこれと交差する前記他方向（Ｘ方向）に延在し前記一方向（Ｙ方向）に並設されている。この走査信号配線９は真空領域６から枠体３と背面基板１との接合領域を気密に貫通し、背面基板１の短辺側の端部まで延在し、その先端部を走査信号配線引出端子９ａとしている。

参照符号１０は電子源で、この電子源１０は例えば特許文献１、２に開示された電子源の一種のＭＩＭ型電子源で、この電子源１０は前記走査信号配線９と映像信号配線８の交差部近傍で、前記映像信号配線８の前記トンネル絶縁層８２に設けられている。この電子源１０は前記走査信号配線９と接続配線（上部電極）１１で接続されている。

この上部電極１１は例えばイリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）の積層膜を例えばスパッタ成膜により形成している。膜厚は例えば３ｎｍ程度である。
この上部電極１１は、トンネル絶縁層８２からフィールド絶縁膜８３、更には２層の絶縁膜１４，２４の傾斜端面を通り走査信号配線９を連続して覆う形状に成膜されている。
一方、隣接する走査信号配線９とはアンダーカット部２５で分断され、隔絶する構成となっている。

又、前記映像信号配線８と、前記走査信号配線９間には前述した層間絶縁膜１４とその上部に第２の絶縁膜２４とが積層配置され、第２の絶縁膜２４の一部を除去してアンダーカット部２５が形成されている。
このアンダーカット部２５の配置により、この部分で上部電極１１が分断され、素子分離を図っている。

前記層間絶縁膜１４としては、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化物、シリコンなどを用いることができる。
この層間絶縁膜１４とその上部の第２の絶縁膜２４はスパッタリング方法でそれぞれ成膜できる。又、この成膜はＣＶＤを利用することも可能である。
前記層間絶縁膜１４としては、第２の絶縁膜２４にシリコン（Ｓｉ）を用いる場合は、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化物など第２の絶縁膜２４とはエッチングレートの異なる材料を用いる。
これは第２の絶縁膜２４をドライエッチで加工しアンダーカット部２５を形成する際に層間絶縁膜１４のエッチング量がこの第２の絶縁膜２４に比べて少なくなるようにエッチング選択性を確保できる材料とするためである。
ここでは、前記層間絶縁膜１４をアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ₂）雰囲気中で反応性スパッタにより成膜した窒化シリコンＳｉＮを用い膜厚は２００ｎｍとした。
この層間絶縁膜１４は、陽極酸化で形成する前記フィールド絶縁膜８１にピンホールがあった揚合、その欠陥を埋め、映像信号配線８と走査信号配線９間の絶縁を保つ役割を果たす。

一方、第２の絶縁膜２４のＳｉは、Ａｒ雰囲気中でスパッタリングにより成膜することが出来、膜厚は１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。
層間絶縁膜１４に酸化Ｓｉや酸窒化Ｓｉを用いた場合は、ＳｉＮを用いた揚合よりさらにエッチング速度が低下するため第２の絶縁膜２４との間に高い選択性を得ることができる。
又、前記アンダーカット部２５は、第２の絶縁膜２４のＳｉの選択ドライエッチングにより行うことが出来る。このＳｉの選択ドライエッチングは、ＣＦ₄とＯ₂の混合ガス、又はＳＦ₆とＯ₂の混合ガスにより行うことが出来る。
これらのガスはＳｉとＳｉＮをともにエッチングするが、Ｏ₂の比率を最適化することにより、Ｓｉのエッチング選択比を高めることができる。
このドライエッチングにより、ＳｉＮからなる層間絶縁膜１４上に配置されているＳｉからなる第２の絶縁膜２４の一部を選択的に除去し、前記走査信号配線９が庇状を呈してこの部分がアンダーカット部２５となっている。

次に、参照符号１２はスペーサで、このスペーサ１２はセラミックス材等の絶縁材料からなり、抵抗値の偏在が少なく、かつ長方形の薄板形状に整形された絶縁性基体１２１と、この絶縁性基体１２１の表面を覆い、かつ抵抗値の偏在の少ない被膜層１２２から構成されている。
このスペーサ１２は１０⁸〜１０⁹Ω・ｃｍ程度の抵抗値を有し、全体として抵抗値の偏在の少ない構成となっている。
このスペーサ１２は前記枠体３と略平行で走査信号配線９上に１本おきに直立配置され、接着部材１３で両基板１、２と接着固定している。
このスペーサ１２の基板との接着固定は一端側のみでも良く、更にその配置は通常、複数の画素毎に画素の動作を妨げない位置に設置される。

このスペーサ１２の寸法は基板寸法、枠体３の高さ、基板素材、スペーサの配置間隔、スペーサ素材等により設定されるが、一般的には高さは前述した枠体３と略同一寸法、厚さは数十μｍ〜数ｍｍ以下、長さは２０ｍｍ乃至１０００ｍｍ程度、更にはそれ以上の長尺も可能であるが、好ましくは８０ｍｍ乃至３００ｍｍ程度が実用的な値となる。

一方、前記スペーサ１２の一端側が固定された前面基板２の内面には、赤色、緑色、青色用の蛍光体層１５が遮光用のＢＭ（ブラックマトリクス）膜１６で区画された窓部に配置され、これらを覆うように金属薄膜からなるメタルバック（陽極電極）１７が例えば蒸着方法で設けられて、蛍光面を形成している。
このメタルバック１７は前面基板２と反対側、つまり背面基板１側への発光を前面基板２側へ向け反射させ、発光の取り出し効率を上げる為の光反射膜であると共に蛍光体粒子の表面の帯電を防ぐ機能も合わせ持っている。
又、このメタルバック１７は面電極として示してあるが、走査信号配線９と交差して画素列ごとに分割されたストライプ状電極とすることもできる。

前記蛍光体としては、例えば赤色用としてＹ₂Ｏ₃：Ｅｕ、Ｙ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕを、又、緑色用としてＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｙ₂ＳｉＯ₅：Ｔｂ、更に、青色用としてＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ等を用いることができる。この蛍光体層１５は蛍光体粒子の平均粒径は例えば４μｍ〜９μｍ、膜厚は例えば１０μｍ〜２０μｍ程度となっている。

次に、前記映像信号配線８の詳細を説明する。
この映像信号配線８は前述したようにアルミニウム（Ａｌ）又はアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金を用いている。このＡｌを用いるのは陽極酸化により良質の絶縁膜を形成できる特性を利用できることが一つの要因である。ここでは、ネオジム（Ｎｄ）を２原子量％ドープしたＡｌ―Ｎｄ合金を用い、成膜は、スパッタリング方法を用いた。

この映像信号配線８は次のような工程で形成できる。
すなわち、先ず、背面基板１を構成するガラス等の絶縁性基板上の略全面に前述のような材料からなる映像信号配線８用金属薄膜を成膜する。
成膜後、パターニング工程、エッチング工程によりストライプ形状の映像信号配線８を形成する。
この映像信号配線８の配線幅は画像表示装置のサイズや解橡度により異なるが、そのサブピクセルのピッチ程度、大体１００〜２００ミクロン(μｍ)程度とする。前記エッチングは例えば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でのウェットエッチングを用いる。
この配線は幅の広い簡易なストライプ構造のため、レジストのパターニングは安価なプロキシミティ露光や、印刷法などで行うこともできる。

次に、前記映像信号配線８表面に、電子放出部を制限し、映像信号配線８のエッジヘの電界集中を防止するフィールド絶縁膜８１と、前記電子放出部に該当する部位にトンネル絶縁膜８２をそれぞれ形成する。
これは、映像信号配線８上の膜幅の略中央部で将来電子放出部となる部分に相当する部位をレジスト膜でマスクし、その他の部分を選択的に厚く陽極酸化して保護絶縁膜となるフィールド絶縁膜８１を形成する。この作業では化成電圧を１００ｖ〜２００ｖとすれば、厚さは約１４０ｎｍ〜２８０ｎｍ程度のフィールド絶縁膜８１が形成される。
その後、前記レジスト膜を除去して残りの映像信号配線８の表面を陽極酸化する。例えば、化成電圧を６ｖとすれば、映像信号配線８上に厚さ約１０ｎｍのトンネル絶縁膜８２が形成される。

次に、前記トンネル絶縁膜８２上を再度レジスト膜でマスクし、フィールド絶縁膜８１が形成された部分を選択的に厚く陽極酸化して保護絶縁膜となる第２のフィールド絶縁膜８３を形成する。
この第２のフィールド絶縁膜８３の形成作業は、前記フィールド絶縁膜８１形成と同一条件でも可能であるが、化成電圧をやや高めに設定し厚膜とすることが好ましい。

この第２のフィールド絶縁膜８３の形成により、例え前記フィールド絶縁膜８１の一部に前述した原因により耐電圧に問題のある薄肉の絶縁膜８１１が存在しても、当該部分を第２のフィールド絶縁膜８３が重畳する構成となっており、耐電圧の信頼性が確保できる。

図５は本発明の画像表示装置の他の実施例を説明する図４に対応する模式図で、前述した図と同一部分には同一記号を付してある。

この実施例２における前記第２のフィールド絶縁膜８３の形成は、上部電極１１の形成直前の工程で行うことが好ましい。
この工程では、前記前記トンネル絶縁膜８２、走査信号配線９等をレジストで覆ってフィールド絶縁膜８１の陽極酸化を行う。作業条件は実施例１と同一条件で可能である。

この実施例２の構成では、製造工程中にフィールド絶縁膜８１表面が受けた損傷により発生した凹凸は、前記第２のフィールド絶縁膜８３によって覆われて略平滑な表面となり、上部電極の断切れを防止して給電の信頼性を確保できる。

又、他の実施例として第１の実施例に第２の実施例を付加した組み合わせ構造とすれば更に効果的である。

以上の実施例では、電子源にＭＩＭ型を用いた構造を例としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、前記した各種の電子源を用いた自発光型ＦＰＤに対しても同様に適用できるものである。
又、アルミニウム合金としてネオジムを含む例を示したが、これに限定されることなく例えば数％以下でＴａ、Ｃｕ、Ｓｉ等必要により種々のものが用いられる。

本発明による画像表示装置の実施例の構成を説明する模式図で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の側面図である。 図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う模式断面図である。 図２のＢ−Ｂ線に沿う模式断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の模式断面図である。 図２の一部を拡大して示す模式断面図である。 本発明による画像表示装置の他の実施例の構成を説明する図４に対応する模式断面図である。 従来の画像表示装置の製造工程を説明する模式断面図である。 従来の画像表示装置の製造工程を説明する模式図で、図７（ａ）は平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＣ−Ｃ線に沿う断面図、図７（ｃ）は図７（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。

符号の説明

１・・・背面基板、２・・・前面基板、３・・・枠体、４・・・排気管、５・・・封着部材、６・・・表示領域を含む真空領域、７・・・貫通孔、８・・・映像信号配線、８１、８３・・・フィールド絶縁膜、８２・・・トンネル絶縁膜、９・・・走査信号配線、１０・・・電子源、１１・・・接続配線（上部電極）、１２・・・スペーサ、１３・・・接着部材、１４・・・層間絶縁膜、１５・・・蛍光体層、１６・・・遮光用のＢＭ（ブラックマトリクス）膜、１７・・・金属薄膜からなるメタルバック（陽極電極）、１８・・・レジスト、２４・・・第２の絶縁膜、２５・・・アンダーカット部。

Claims (5)

1. 一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された複数の映像信号配線と、前記他方向に延在し前記映像信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の走査信号配線と、この走査信号配線と前記映像信号配線間に配置された層間絶縁膜と、前記映像信号配線と前記走査信号配線の交差部近傍に設けられ前記走査信号配線と接続された電子源とを備えた背面基板と、
   前記電子源に対応して設けられた蛍光体層と、前記電子源から放出される電子を前記蛍光体層に指向する如く加速電圧を印加するための陽極とを備えた前面基板と、
   前記前面基板と前記背面基板間に配置され前記両基板を所定の間隔に保持する枠体と、
   前記枠体と前記両基板を気密封着する封着部材とを備えた画像表示装置であって、
   前記映像信号配線は前記電子源に対応する部位に陽極酸化膜からなるトンネル絶縁膜を有し、このトンネル絶縁膜に隣接して陽極酸化膜からなる複数層のフィールド絶縁膜を備えたことを特徴とする画像表示装置。
2. 前記複数層のフィールド絶縁膜は前記トンネル絶縁膜を除く残部の略全面に配置したことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
3. 前記複数層のフィールド絶縁膜は外側の層の膜厚が内側の層の膜厚より大であることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
4. 前記複数層のフィールド絶縁膜の各層の膜厚は前記トンネル絶縁膜の膜厚より大であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の画像表示装置。
5. 前記映像信号配線はアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜からなることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の画像表示装置。

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