KR960005331B1 - 측벽을 이용한 전자방출 기판 제조방법 - Google Patents

측벽을 이용한 전자방출 기판 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960005331B1
KR960005331B1 KR1019930027629A KR930027629A KR960005331B1 KR 960005331 B1 KR960005331 B1 KR 960005331B1 KR 1019930027629 A KR1019930027629 A KR 1019930027629A KR 930027629 A KR930027629 A KR 930027629A KR 960005331 B1 KR960005331 B1 KR 960005331B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulating film
electron
emitting
sidewall
cathode
Prior art date
Application number
KR1019930027629A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950023220A (ko
Inventor
안근영
강원구
Original Assignee
재단법인한국전자통신연구소
양승택
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 재단법인한국전자통신연구소, 양승택 filed Critical 재단법인한국전자통신연구소
Priority to KR1019930027629A priority Critical patent/KR960005331B1/ko
Publication of KR950023220A publication Critical patent/KR950023220A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960005331B1 publication Critical patent/KR960005331B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2209/00—Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
    • H01J2209/02—Manufacture of cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02—Electron guns
    • H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

측벽을 이용한 전자방출 기판 제조방법
제1도는 종래 기술에 의한 측벽을 이용한 제1(a)도~제1(d)도로 구성된 전자방출 기판 제작공정도.
제2도는 본 발명에 따른 제2(a)도~제2(g)도로 구성된 제조공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
101, 211 : 게이트 102 : 측벽연결 바닥전극
103 : 절연막 104, 209 : 전자방출 측벽음극
105, 210 : 절연막의 일부가 제거된 영역
201 : 기판 202 : 제1절연막
203 : 게이트재료 204 : 제2절연막
205 : 트렌치 206 : 제3절연막
207 : 절연막 측벽 208 : 전자방출 음극재료
본 발명은 전자방출을 위한 음극을 건식식각에 의해 형성된 측벽을 이용하열 전자방출기판을 제조하는 방법에 관한 것이다. 통상적으로, 전자방출 음극이 전자를 방출하는 효율은 음극선단이 얼마나 뾰족한가에 의해 크게 좌우된다. 따라서 상기 음극이 뾰족할수록 효율이 상승하기 때문에 뾰족한 선단을 갖는 음극을 안정적으로 제작하는 것이 중요하다.
종래기술로, 제1도는 건식식각에 의해 형성되는 측벽(side-wall)을 전자방출 음극으로 사용하고 전자방출 기판을 제작하는 공정 제1(a)도~제1(d)도을 개략적으로 나타내고 있다. 종래의 제조방법에서는 전자방출 음극으로 되는 측벽(side-wall)(104)들이 전기적으로 분리되므로 이들을 연결시켜 주기 위한 구조의 측벽연결 바닥전극(102)이 별도로 필요하므로 공정에 있어 복잡한 문제점이 있다. 또한, 전자방출을 유도하는 게이트(101)를 전기적으로 영역분할하는 데에 또다른 문제점이 있다. 상기 문제점들을 해결하기 위하여 본 발명은 트렌치(trench)를 형성하고, 이 트렌치 내부에 측벽(side-wall)을 형성시키는 방법을 제공함으로써, 증착된 박막의 건식식각에 의해 구현되는 선단이 뾰족한 측벽을 이용한 전자방출 기판 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 첨부된 제2도에 의거하여 그 상세한 설명을 한다. 본 발명에서는 건식식각에 의해 형성되는 측벽(side-wall)을 전자방출 음극으로 사용한다는 것이 주된 내용이다. 이에 따른, 제2도는 본 발명에 따른 제2(a)도~제2(g)도로 구성된 전자방출 기판 제조공정도를 나타낸다. 먼저, 제2(a)도는 기판(201)위에 제1절연막(202), 도전체인 게이트 재료(203), 제2절연막(204)을 차례로 형성한 후 기판의 단면도이다. 상기 기판(201)은 최종적으로 형성될 측벽(side-wall)과 연결된다.
상기 제1절연막(202)은 마지막 공정 제2(g)도의 게이트(211)와 상기 기판(201)을 전기적으로 분리해, 궁극적으로는 전자방출 측벽음극(209)과 게이트(211)의 전기적 절연을 구현한다. 소정 두께의 상기 제3절연막(206)은 측벽제작을 위한 재료가 증착되는 경우 게이트(211)와 전자방출 측벽음극(209)이 충분한 간격을 가지도록 하기 위한 것이다. 다음에 제2(b)도는 건식식각에 의해 소정위치에 있는 상기 제1절연막(202), 게이트재료(203), 제2절연막(204)층까지 제거하여 트렌치(205)를 구성한 것을 나타낸다. 제2(c)도는 상기 형성된 트렌치(205)측벽 및 상부에 제3절연막(206)을 증착한 것이다. 상기 증착된 제3절연막(206)의 두께는 최종구조에서 전자방출 측벽음극(209)과 게이트(211)의 거리를 결저어하게 된다. 제2(d)도는 상기 제2(c)도에서 증착되어 상기 기판(201) 상부 및 상기 제2절연막(204) 상부의 제3절연막(206)을 증착두께만큼 건식식각하열 절연막 측벽(207)을 형성한 단면도를 나타낸다. 제2(e)도는 도전체의 전자방출 음극재료(208)를 선단이 뾰족하게 되도록 상기 게이트 재료(203)보다는 상대적으로 두껍게 상기 절연막 측벽(207) 및 상기 제2절연막(204)위에 증착하는 공정이다.
제2(f)도는 상기 증착된 두께만큼 상기 제2절연막(204)상부에 있는 상기 전자방출 음극재료(208)를 건식식각을 행하여 전자방출 측벽음극(209)을 제작하는 공정이다. 제2(g)도는 게이트(211)와 전자방출 측벽음극(209)간에 위치한 상기 제2절연막(204) 및 상기 절연막 측벽(207)을 제거(210)하여 최종구조를 구현하는 공정이다.
이상과 같이 구성된 본 발명은 추가적이 마스크의 사용없이 선단이 뾰족하고 재현성이 우수한 전자방출 음극의 제작과 게이트(211) 및 전자방출 측벽음극(209)간의 간격이 절연막(206)의 두께조절로 용이하게 되는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 기판(201)위에 제1절연막(202), 도전체(203), 제2절연막(204)을 차례로 형성하는 공정(가)과, 식각에 의해서 소정위치의 상기 제1절연막(202), 도전체(203), 제2절연(204)층을 제거하여 트렌치(205)을 형성하는 공정제2(b)도와, 상기 소정위치에 형성된 트렌치(205)측벽 및 상부에 제3절연막(206)을 증착하는 공정제2(c)도와, 상기 기판(201)상부 및 상기 제2절연막(204) 상부에 남아있는 제3절연막(206)을 증착두께만큼 식각하여 절연막 측벽(207)을 형성하는 공정제2(d)도와, 상기 공정제2(d)도위에 전자방출 음극재료(208)를 선단이 뾰족한 모양이 되도록 상기 도전체(203)보다는 상대적으로 두껍게 증착하는 공정제2(e)도와, 상기 증착된 두께만큼 상기 제2절연막(204)상부에 있는 상기 전자방출 음극재료(208)를 식각에 의해서 전자방출 측벽음극(209)을 형성하는 공정제2(f)도와, 상기 게이트(211)와 전자방출 측벽음극(209)간에 위치한 상기 제2절연막(204) 및 상기 절연막 측벽(207)을 제거(210)하는 공정제2(g)도를 포함하는 측벽을 이용한 전자방출 기판 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공정제2(c)도에서 상기 제3절연막(206)의 두께를 이용하여 상기 게이트(211)와, 상기 전자방출 측벽음극(209)의 간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 측벽을 이용한 전자방출 기판 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 공정제2(g)도에서 상기 트렌치(205)내부에 형성된 측벽을 전자방출 음극(209)으로 사용하는 것을 특징으로 하는 측벽을 이용한 전자방출 기판 제조방법.
KR1019930027629A 1993-12-14 1993-12-14 측벽을 이용한 전자방출 기판 제조방법 KR960005331B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930027629A KR960005331B1 (ko) 1993-12-14 1993-12-14 측벽을 이용한 전자방출 기판 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930027629A KR960005331B1 (ko) 1993-12-14 1993-12-14 측벽을 이용한 전자방출 기판 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950023220A KR950023220A (ko) 1995-07-28
KR960005331B1 true KR960005331B1 (ko) 1996-04-23

Family

ID=19370888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930027629A KR960005331B1 (ko) 1993-12-14 1993-12-14 측벽을 이용한 전자방출 기판 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR960005331B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR950023220A (ko) 1995-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5493173A (en) Field emission cold cathode and method for manufacturing the same
KR100238696B1 (ko) 전계방출형 에미터 및 그 제조방법
US5126287A (en) Self-aligned electron emitter fabrication method and devices formed thereby
KR100205051B1 (ko) 필드 에미션 디스플레이 소자의 제조방법
US5731597A (en) Field emitter array incorporated with metal oxide semiconductor field effect transistors and method for fabricating the same
JP3033179B2 (ja) 電界放出型エミッタ及びその製造方法
KR960005331B1 (ko) 측벽을 이용한 전자방출 기판 제조방법
US5872019A (en) Method for fabricating a field emitter array incorporated with metal oxide semiconductor field effect transistors
KR100441751B1 (ko) 전계 방출 소자의 제조 방법
US5506476A (en) Field emission cathode
KR100257700B1 (ko) 3극 에지형 다이아몬드 필드 에미터의 제조방법
KR100262144B1 (ko) 일체화된 mosfet로 조절되는 fea 및 그 제조방법
JPH03261040A (ja) マイクロ真空管およびその製造方法
JP2846988B2 (ja) 電界放出型電子放出源素子
WO2002080215A3 (en) New design structures of and simplified methods for forming field emission microtip electron emitters
KR100257568B1 (ko) 전계방출표시 소자의 필드 에미터 어레이 형성방법
KR100259826B1 (ko) 전계방출용냉음극제조방법
KR100200193B1 (ko) 실리콘팁형의전계방출소자제조방법
KR0149106B1 (ko) 실리콘-다이아몬드 3극 에미터 및 그 제조방법
KR960000529B1 (ko) 측벽을 이용한 전자방출음극의 제조방법
KR960005679B1 (ko) 전자방출 기판의 제조방법
KR100286479B1 (ko) 다이아몬드 3극 필드 에미터의 제조방법
JPH05242797A (ja) 電子放出素子の製造方法
KR100199295B1 (ko) 전계방출소자 제조 방법
KR100278502B1 (ko) 더블 게이트를 갖는 화산형 금속 fea 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee