JP2837558B2 - エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法Info
- Publication number
- JP2837558B2 JP2837558B2 JP3154932A JP15493291A JP2837558B2 JP 2837558 B2 JP2837558 B2 JP 2837558B2 JP 3154932 A JP3154932 A JP 3154932A JP 15493291 A JP15493291 A JP 15493291A JP 2837558 B2 JP2837558 B2 JP 2837558B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- forming
- electrode material
- electroluminescent
- forming step
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 34
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 6
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 105
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 4
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】本発明は、電界の印加によって発光するエ
レクトロルミネッセンス層（以下、ＥＬ層という）を備
えたエレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と
いう）の製造方法に関する。
レクトロルミネッセンス層（以下、ＥＬ層という）を備
えたエレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と
いう）の製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】かかるＥＬ素子は構造で分類すると、電極
とＥＬ層との間に絶縁層又は誘電層をもたない直流形
と、電極とＥＬ層との間に絶縁層をもつ交流形とに分類
されている。また、ＥＬ素子を発光するＥＬ層構造で分
類すると、分散形と、薄膜形とに分けられる。さらにま
た、ＥＬ素子を発光するＥＬ層材質で分類すると、無機
物からなる無機ＥＬ層を有する無機ＥＬ素子と有機物か
らなる有機ＥＬ層を有する有機ＥＬ素子とに分けられ
る。
とＥＬ層との間に絶縁層又は誘電層をもたない直流形
と、電極とＥＬ層との間に絶縁層をもつ交流形とに分類
されている。また、ＥＬ素子を発光するＥＬ層構造で分
類すると、分散形と、薄膜形とに分けられる。さらにま
た、ＥＬ素子を発光するＥＬ層材質で分類すると、無機
物からなる無機ＥＬ層を有する無機ＥＬ素子と有機物か
らなる有機ＥＬ層を有する有機ＥＬ素子とに分けられ
る。
【０００３】例えば、有機ＥＬ素子には図３及び図４に
示すように、Ｘ，Ｙマトリクス型がある。図４は図３の
Ｉ−Ｉ線の断面図を示す。該有機ＥＬ素子は、ガラス透
明基板１上に、ＩＴＯ等の複数の透明電極２（アノー
ド）、正孔輸送層３、有機ＥＬ層４、透明電極２に交差
する複数の背面電極５（カソード）を順に積層、形成し
たものである。有機有機ＥＬ素子には、図示する正孔輸
送層３及び有機ＥＬ層４からなる２層構造のものや、図
示しないが有機ＥＬ層４及びカソード５間に有機電子輸
送層がさらに配された３層構造のものが知られている。
また、カソード５の上には、通常これを保護し短絡を防
ぐ保護層が被覆されている。
示すように、Ｘ，Ｙマトリクス型がある。図４は図３の
Ｉ−Ｉ線の断面図を示す。該有機ＥＬ素子は、ガラス透
明基板１上に、ＩＴＯ等の複数の透明電極２（アノー
ド）、正孔輸送層３、有機ＥＬ層４、透明電極２に交差
する複数の背面電極５（カソード）を順に積層、形成し
たものである。有機有機ＥＬ素子には、図示する正孔輸
送層３及び有機ＥＬ層４からなる２層構造のものや、図
示しないが有機ＥＬ層４及びカソード５間に有機電子輸
送層がさらに配された３層構造のものが知られている。
また、カソード５の上には、通常これを保護し短絡を防
ぐ保護層が被覆されている。
【０００４】このマトリクス方式の有機ＥＬ素子を作成
する場合、図５に示すように、ＩＴＯ層を一様に担持し
たガラス基板上に複数の平行アノードを整列し配すべ
く、ストライプ状（帯状）のパターンマスクをＩＴＯ層
上に配置してエッチングにより形成する（Ｓ1）。この
アノード上に正孔輸送層、ＥＬ層の有機層を順次積層す
る（Ｓ2）。その後、複数の平行カソードをアノードの
ストライプの伸長方向に対して垂直方向に延在するスト
ライプ状に整列させるために有機層上にパターンマスク
を被せ（Ｓ3）、カソード用の金属を蒸着して（Ｓ4）、
パターンマスクを剥離して（Ｓ5）、ストライプ状のカ
ソードを作成する。
する場合、図５に示すように、ＩＴＯ層を一様に担持し
たガラス基板上に複数の平行アノードを整列し配すべ
く、ストライプ状（帯状）のパターンマスクをＩＴＯ層
上に配置してエッチングにより形成する（Ｓ1）。この
アノード上に正孔輸送層、ＥＬ層の有機層を順次積層す
る（Ｓ2）。その後、複数の平行カソードをアノードの
ストライプの伸長方向に対して垂直方向に延在するスト
ライプ状に整列させるために有機層上にパターンマスク
を被せ（Ｓ3）、カソード用の金属を蒸着して（Ｓ4）、
パターンマスクを剥離して（Ｓ5）、ストライプ状のカ
ソードを作成する。
【０００５】しかしながら、上記した従来の方法では、
正孔輸送層、ＥＬ層の有機層上にカソードのパターンマ
スクを載置する時、一度真空槽をリークしなければなら
ない手間がある上、パターンマスクの位置合せが困難
で、パターンマスクの位置ずれによる不良や、パターン
マスクの密着不良によるカソード間の短絡等のパターン
不良が発生するという問題点があった。
正孔輸送層、ＥＬ層の有機層上にカソードのパターンマ
スクを載置する時、一度真空槽をリークしなければなら
ない手間がある上、パターンマスクの位置合せが困難
で、パターンマスクの位置ずれによる不良や、パターン
マスクの密着不良によるカソード間の短絡等のパターン
不良が発生するという問題点があった。
【０００６】
【発明の目的】本発明は上記問題点に鑑みなされ、本発
明の目的はＥＬ素子を簡素な工程で製造する製造方法を
提供することにある。
明の目的はＥＬ素子を簡素な工程で製造する製造方法を
提供することにある。
【０００７】
【発明の構成】第１の本発明のＥＬ素子製造方法は、基
板上における互いに対向する複数のカソード電極及びア
ノード電極の電極対と前記電極対間に配置されたＥＬ層
とを有し、前記ＥＬ層の前記電極対によって挟まれる複
数の部分を発光領域とするＥＬ素子の製造方法であっ
て、基板上に第１電極材料層からなる複数のアノード電
極を形成するアノード電極形成工程と、前記アノード電
極上にＥＬ層を形成するＥＬ層形成工程と、前記ＥＬ層
上に第２電極材料層を形成する第２電極材料層形成工程
と、集光レーザビームを前記第２電極材料層内に位置さ
せつつ集光レーザビームを走査することで前記第２電極
材料層の一部を切削して、複数のカソード電極を形成す
るカソード電極形成工程とを含むことを特徴とする。
板上における互いに対向する複数のカソード電極及びア
ノード電極の電極対と前記電極対間に配置されたＥＬ層
とを有し、前記ＥＬ層の前記電極対によって挟まれる複
数の部分を発光領域とするＥＬ素子の製造方法であっ
て、基板上に第１電極材料層からなる複数のアノード電
極を形成するアノード電極形成工程と、前記アノード電
極上にＥＬ層を形成するＥＬ層形成工程と、前記ＥＬ層
上に第２電極材料層を形成する第２電極材料層形成工程
と、集光レーザビームを前記第２電極材料層内に位置さ
せつつ集光レーザビームを走査することで前記第２電極
材料層の一部を切削して、複数のカソード電極を形成す
るカソード電極形成工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】第２の本発明のＥＬ素子製造方法は、基板
上における互いに対向する複数のカソード電極及びアノ
ード電極の電極対と前記電極対間に配置されたＥＬ層と
を有し、前記ＥＬ層の前記電極対によって挟まれる複数
の部分を発光領域とするＥＬ素子の製造方法であって、
基板上に第１電極材料層を形成する第１電極材料層形成
工程と、前記第１電極材料層上にＥＬ層を形成するＥＬ
層形成工程と、集光レーザビームの焦点を前記基板の前
記第１電極材料層側境界面から前記ＥＬ層の外側境界面
までに位置させつつ集光レーザビームを走査して、少な
くとも前記エレクトロルミネッセンス層及び前記第１電
極材料層の一部を切削して複数のアノード電極を形成す
るアノード電極形成工程と、前記ＥＬ層上に第２電極材
料層を形成する第２電極材料層形成工程と、集光レーザ
ビームを前記第２電極材料層内に位置させつつ集光レー
ザビームを走査することで前記第２電極材料層の一部を
切削して、複数のカソード電極を形成するカソード電極
形成工程とを含むことを特徴とする。
上における互いに対向する複数のカソード電極及びアノ
ード電極の電極対と前記電極対間に配置されたＥＬ層と
を有し、前記ＥＬ層の前記電極対によって挟まれる複数
の部分を発光領域とするＥＬ素子の製造方法であって、
基板上に第１電極材料層を形成する第１電極材料層形成
工程と、前記第１電極材料層上にＥＬ層を形成するＥＬ
層形成工程と、集光レーザビームの焦点を前記基板の前
記第１電極材料層側境界面から前記ＥＬ層の外側境界面
までに位置させつつ集光レーザビームを走査して、少な
くとも前記エレクトロルミネッセンス層及び前記第１電
極材料層の一部を切削して複数のアノード電極を形成す
るアノード電極形成工程と、前記ＥＬ層上に第２電極材
料層を形成する第２電極材料層形成工程と、集光レーザ
ビームを前記第２電極材料層内に位置させつつ集光レー
ザビームを走査することで前記第２電極材料層の一部を
切削して、複数のカソード電極を形成するカソード電極
形成工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
【発明の作用】本発明によれば、パターン不良の少ない
ＥＬ素子を簡素な工程で得られる。
ＥＬ素子を簡素な工程で得られる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明による実施例を図面を参照しつ
つ説明する。実施例のＥＬ素子製造によって正孔輸送層
を有する二層構造の有機ＥＬ素子を製造する。まず、図
１（ａ）に示すように、ガラス基板１の主面上にＩＴＯ
からなる複数の帯状の透明アノード２を各々が平行とな
るようにスパッタリング法及びリソグラフィ法などによ
って積層する。次に、図１（ｂ）に示すように、複数の
透明電極２上に正孔輸送層３及びＥＬ層４を蒸着法など
によって均一に一様に積層し順に形成する。次に、図１
（ｃ）に示すように、ＥＬ層４上に蒸着法などによって
カソード用金属層５を均一に一様に形成する。最後に、
図１（ｄ）に示すように、キセノンレーザビームカッタ
を用い、金属層を、この層内に焦点を一致させて走査す
る集光レーザビーム６によってカッティングし、これら
を複数の平行溝にて分割するパターニングを行ないカソ
ードを各々が平行となるように形成する。このようにし
て、有機ＥＬ素子が得られる。
つ説明する。実施例のＥＬ素子製造によって正孔輸送層
を有する二層構造の有機ＥＬ素子を製造する。まず、図
１（ａ）に示すように、ガラス基板１の主面上にＩＴＯ
からなる複数の帯状の透明アノード２を各々が平行とな
るようにスパッタリング法及びリソグラフィ法などによ
って積層する。次に、図１（ｂ）に示すように、複数の
透明電極２上に正孔輸送層３及びＥＬ層４を蒸着法など
によって均一に一様に積層し順に形成する。次に、図１
（ｃ）に示すように、ＥＬ層４上に蒸着法などによって
カソード用金属層５を均一に一様に形成する。最後に、
図１（ｄ）に示すように、キセノンレーザビームカッタ
を用い、金属層を、この層内に焦点を一致させて走査す
る集光レーザビーム６によってカッティングし、これら
を複数の平行溝にて分割するパターニングを行ないカソ
ードを各々が平行となるように形成する。このようにし
て、有機ＥＬ素子が得られる。
【００１１】本実施例では、図１に示すように、有機層
３，４さらにはカソード用金属層５の形成までは従来の
製造工程で積層してもよい。カソード用金属層５の形成
までおこなった素子部材を真空槽から取り出し、集束レ
ーザビーム光６を用いて、金属層５をカッティングし、
パターニングを行なう。図に示すように、集光レーザビ
ーム６の焦点を金属層５内に位置するように制御して、
集光レーザビーム６を平行に走査して、これによって金
属層５の一部を切削してアノード２と交差する複数の帯
状カソード５を互いに平行に形成する。かかる集光レー
ザビームを発生させて切削する装置としては、キセノン
レーザビームカッタが好ましい。このように、カソード
用金属層５からカソードをマスクを用いることなく形成
する。
３，４さらにはカソード用金属層５の形成までは従来の
製造工程で積層してもよい。カソード用金属層５の形成
までおこなった素子部材を真空槽から取り出し、集束レ
ーザビーム光６を用いて、金属層５をカッティングし、
パターニングを行なう。図に示すように、集光レーザビ
ーム６の焦点を金属層５内に位置するように制御して、
集光レーザビーム６を平行に走査して、これによって金
属層５の一部を切削してアノード２と交差する複数の帯
状カソード５を互いに平行に形成する。かかる集光レー
ザビームを発生させて切削する装置としては、キセノン
レーザビームカッタが好ましい。このように、カソード
用金属層５からカソードをマスクを用いることなく形成
する。
【００１２】本実施例によれば、従来の作成方法による
欠点を解決できると共に、カソードのラインが非常に微
細でかつピクセルサイズが小さくなる。他の実施例とし
て正孔輸送層を有する二層構造の有機ＥＬ素子を製造す
る。まず、図２（ａ）に示すように、ガラス基板１の主
面一面にＩＴＯからなるアノード用ＩＴＯ層２を均一に
一様になるようにスパッタリング法及びリソグラフィ法
などによって積層する。さらに、このＩＴＯ２層上に正
孔輸送層３、ＥＬ層４を蒸着法などによって均一に一様
に順次形成する。このようにＩＴＯ層、正孔輸送層及び
ＥＬ層を一様に担持した基板を真空槽から取り出し、図
２（ｂ）に示すように、これらの層２，３，４を、キセ
ノンレーザビームカッタを用い集光レーザビーム６によ
ってストライプ状にカッティングし、これらを複数の平
行溝にて分割する。次に、図２（ｃ）に示すように、分
割されたＥＬ層４上に蒸着法などによってカソード用金
属層５を均一に一様に形成する。最後に、再びキセノン
レーザビームカッタを用い、この金属層５のみを、スト
ライプ状のＩＴＯ層、正孔輸送層及びＥＬ層に直角方向
に沿ってカッティングし、これらを複数の平行溝にて分
割する。このとき集光レーザビーム６は、この金属層５
内に焦点を一致させて走査する。このようにしても、有
機ＥＬ素子が得られる。
欠点を解決できると共に、カソードのラインが非常に微
細でかつピクセルサイズが小さくなる。他の実施例とし
て正孔輸送層を有する二層構造の有機ＥＬ素子を製造す
る。まず、図２（ａ）に示すように、ガラス基板１の主
面一面にＩＴＯからなるアノード用ＩＴＯ層２を均一に
一様になるようにスパッタリング法及びリソグラフィ法
などによって積層する。さらに、このＩＴＯ２層上に正
孔輸送層３、ＥＬ層４を蒸着法などによって均一に一様
に順次形成する。このようにＩＴＯ層、正孔輸送層及び
ＥＬ層を一様に担持した基板を真空槽から取り出し、図
２（ｂ）に示すように、これらの層２，３，４を、キセ
ノンレーザビームカッタを用い集光レーザビーム６によ
ってストライプ状にカッティングし、これらを複数の平
行溝にて分割する。次に、図２（ｃ）に示すように、分
割されたＥＬ層４上に蒸着法などによってカソード用金
属層５を均一に一様に形成する。最後に、再びキセノン
レーザビームカッタを用い、この金属層５のみを、スト
ライプ状のＩＴＯ層、正孔輸送層及びＥＬ層に直角方向
に沿ってカッティングし、これらを複数の平行溝にて分
割する。このとき集光レーザビーム６は、この金属層５
内に焦点を一致させて走査する。このようにしても、有
機ＥＬ素子が得られる。
【００１３】本実施例によれば、従来の製造方法の欠点
であったカソードのパターン不良などの欠陥が解決でき
るとともに、アノード２をストライプ状に形成するため
エッチング等の作業が省略でき、ドットサイズの極めて
小さい高密度なＥＬ素子を容易に作成できる。また、正
孔輸送層及びＥＬ層をＩＴＯ層と同時に切断するため、
これら有機層を介しての漏洩電流が少なくなり、クロス
トークの少ないマトリクス方式の有機ＥＬ素子を提供で
きる。
であったカソードのパターン不良などの欠陥が解決でき
るとともに、アノード２をストライプ状に形成するため
エッチング等の作業が省略でき、ドットサイズの極めて
小さい高密度なＥＬ素子を容易に作成できる。また、正
孔輸送層及びＥＬ層をＩＴＯ層と同時に切断するため、
これら有機層を介しての漏洩電流が少なくなり、クロス
トークの少ないマトリクス方式の有機ＥＬ素子を提供で
きる。
【００１４】上記実施例では二層構造の有機ＥＬ素子に
ついて説明したが、上記工程において、ＥＬ層を形成
後、電子輸送層を成膜する電子輸送層形成工程を加え
て、その後カソードを形成して、正孔輸送層、ＥＬ層及
び電子輸送層を有する三層構造の有機ＥＬ素子を得るこ
とが出来る。上記実施例では有機ＥＬ素子について説明
したが、上記工程において、ＥＬ層を無機化合物から形
成し、アノードとＥＬ層との間に第１絶縁層を成膜する
ような第１絶縁層形成工程を加え、ＥＬ層とカソードと
の間に第２絶縁層を成膜するような第２絶縁層形成工程
を加えれば無機ＥＬ素子を得ることが出来る。また、こ
の場合、電極とＥＬ層との間に絶縁層又は誘電層を有す
る交流形としても、電極とＥＬ層との間に絶縁層を有さ
ない直流形のＥＬ素子にしても適用できる。
ついて説明したが、上記工程において、ＥＬ層を形成
後、電子輸送層を成膜する電子輸送層形成工程を加え
て、その後カソードを形成して、正孔輸送層、ＥＬ層及
び電子輸送層を有する三層構造の有機ＥＬ素子を得るこ
とが出来る。上記実施例では有機ＥＬ素子について説明
したが、上記工程において、ＥＬ層を無機化合物から形
成し、アノードとＥＬ層との間に第１絶縁層を成膜する
ような第１絶縁層形成工程を加え、ＥＬ層とカソードと
の間に第２絶縁層を成膜するような第２絶縁層形成工程
を加えれば無機ＥＬ素子を得ることが出来る。また、こ
の場合、電極とＥＬ層との間に絶縁層又は誘電層を有す
る交流形としても、電極とＥＬ層との間に絶縁層を有さ
ない直流形のＥＬ素子にしても適用できる。
【００１５】
【発明の効果】以上の如く、本発明によれば、電極材料
層の積層後、集光レーザビームを電極材料層内に位置す
るようにして、集光レーザビームを走査して、これによ
って電極材料層の一部を切削して複数の電極を形成する
ので、パターン不良が少なく微細なドットを有する高密
度なＥＬ素子を簡素な工程で得られる。ＥＬ素子を発光
させる時においても発光領域のみが発光し、発光領域の
周囲のクロストークや発光の「にじみ」が減少し、精細
な画像が得られる。
層の積層後、集光レーザビームを電極材料層内に位置す
るようにして、集光レーザビームを走査して、これによ
って電極材料層の一部を切削して複数の電極を形成する
ので、パターン不良が少なく微細なドットを有する高密
度なＥＬ素子を簡素な工程で得られる。ＥＬ素子を発光
させる時においても発光領域のみが発光し、発光領域の
周囲のクロストークや発光の「にじみ」が減少し、精細
な画像が得られる。
【図１】本発明による実施例のＥＬ素子製造方法におけ
る素子部材を示す拡大部分斜視図である。
る素子部材を示す拡大部分斜視図である。
【図２】本発明による他の実施例のＥＬ素子製造方法に
おける素子部材を示す拡大部分斜視図である。
おける素子部材を示す拡大部分斜視図である。
【図３】有機ＥＬ素子の部分切欠拡大斜視図である。
【図４】図４の有機ＥＬ素子の部分拡大断面図である。
【図５】従来のＥＬ素子製造方法を示すフローチャート
である。
である。
１……透明基板 ２……透明アノード電極 ３……正孔輸送層 ４……有機ＥＬ層 ５……カソード電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−17484（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−43391（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 33/10 H05B 33/22 H05B 33/26
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上における互いに対向する複数のカ
ソード電極及びアノード電極の電極対と前記電極対間に
配置されたエレクトロルミネッセンス層とを有し、前記
エレクトロルミネッセンス層の前記電極対によって挟ま
れる複数の部分を発光領域とするエレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法であって、 基板上に第１電極材料層からなる複数のアノード電極を
形成するアノード電極形成工程と、 前記アノード電極上にエレクトロルミネッセンス層を形
成するエレクトロルミネッセンス層形成工程と、 前記エレクトロルミネッセンス層上に第２電極材料層を
形成する第２電極材料層形成工程と、 集光レーザビームを前記第２電極材料層内に位置させつ
つ集光レーザビームを走査することで前記第２電極材料
層の一部を切削して、複数のカソード電極を形成するカ
ソード電極形成工程とを含むことを特徴とするエレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記エレクトロルミネッセンス層は有機
化合物からなり、前記アノード電極形成工程と前記エレ
クトロルミネッセンス層形成工程との間に有機化合物か
らなる正孔輸送層を形成する正孔輸送層形成工程を有す
ることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッ
センス素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記エレクトロルミネッセンス層形成工
程と前記第２電極材料層形成工程との間に有機化合物か
らなる電子輸送層を形成する電子輸送層形成工程を有す
ることを特徴とする請求項２記載のエレクトロルミネッ
センス素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記エレクトロルミネッセンス層は無機
化合物からなり、前記アノード電極形成工程と前記エレ
クトロルミネッセンス層形成工程との間に第１絶縁層を
形成する第１絶縁層系背工程を有し、前記エレクトロル
ミネッセンス層形成工程と前記第２電極材料層形成工程
との間に第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程を有
することを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法。 - 【請求項５】 基板上における互いに対向する複数のカ
ソード電極及びアノード電極の電極対と前記電極対間に
配置されたエレクトロルミネッセンス層とを有し、前記
エレクトロルミネッセンス層の前記電極対によって挟ま
れる複数の部分を発光領域とするエレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法であって、 基板上に第１電極材料層を形成する第１電極材料層形成
工程と、 前記第１電極材料層上にエレクトロルミネッセンス層を
形成するエレクトロルミネッセンス層形成工程と、 集光レーザビームの焦点を前記基板の前記第１電極材料
層側境界面から前記エレクトロルミネッセンス層の外側
境界面までに位置させつつ集光レーザビームを走査し
て、少なくとも前記エレクトロルミネッセンス層及び前
記第１電極材料層の一部を切削して複数のアノード電極
を形成するアノード電極形成工程と、 前記エレクトロルミネッセンス層上に第２電極材料層を
形成する第２電極材料層形成工程と、 集光レーザビームを前記第２電極材料層内に位置させつ
つ集光レーザビームを走査することで前記第２電極材料
層の一部を切削して、複数のカソード電極を形成するカ
ソード電極形成工程とを含むことを特徴とするエレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記エレクトロルミネッセンス層は有機
化合物からなり、前記第１電極材料層形成工程と前記エ
レクトロルミネッセンス層形成工程との間に有機化合物
からなる正孔輸送層を形成する正孔輸送層形成工程を有
することを特徴とする請求項５記載のエレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記アノード電極形成工程と前記第２電
極材料層形成工程との間に有機化合物からなる電子輸送
層を形成する電子輸送層形成工程を有することを特徴と
する請求項６記載のエレクトロルミネッセンス素子の製
造方法。 - 【請求項８】 前記エレクトロルミネッセンス層は無機
化合物からなり、前記第１電極材料層形成工程と前記エ
レクトロルミネッセンス層形成工程との間に第１絶縁層
を形成する第１絶縁層系背工程を有し、前記アノード電
極形成工程と前記第２電極材料層形成工程との間に第２
絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程を有することを特
徴とする請求項５記載のエレクトロルミネッセンス素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3154932A JP2837558B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3154932A JP2837558B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053076A JPH053076A (ja) | 1993-01-08 |
| JP2837558B2 true JP2837558B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=15595096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3154932A Expired - Fee Related JP2837558B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2837558B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4124379B2 (ja) * | 1995-08-08 | 2008-07-23 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| KR100282393B1 (ko) * | 1998-06-17 | 2001-02-15 | 구자홍 | 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법 |
| JP3692844B2 (ja) * | 1998-07-24 | 2005-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電界発光素子、及び電子機器 |
| KR100606444B1 (ko) * | 1999-04-08 | 2006-07-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 전기발광소자 제조방법 |
| JP5105681B2 (ja) * | 1999-09-22 | 2012-12-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 有機エレクトロルミネセント装置 |
| WO2010106638A1 (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-23 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネルの製造方法および有機ｅｌパネル |
-
1991
- 1991-06-26 JP JP3154932A patent/JP2837558B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH053076A (ja) | 1993-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5814417A (en) | Organic electroluminescent element | |
| JP3641963B2 (ja) | 有機ｅｌ素子とその製造方法 | |
| KR100804921B1 (ko) | 유기 전계발광 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 | |
| KR100345972B1 (ko) | 유기전자발광표시장치및그제조방법 | |
| US6429585B1 (en) | Organic thin film EL panel and method of manufacturing the same | |
| JP2004103269A (ja) | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| JP2837559B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| KR20020025917A (ko) | 유기 전계발광 소자 제조 방법 | |
| JP2760347B2 (ja) | 有機薄膜電界発光素子およびその製造方法 | |
| US6570323B1 (en) | Organic thin-film light-emitting device | |
| JP2837558B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JP2845233B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| US8258505B2 (en) | Organic electroluminescence display apparatus and manufacturing method therefor | |
| JP2911552B2 (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
| JPH11307270A (ja) | 電界発光素子及びその製造方法 | |
| US6617254B2 (en) | Method for manufacturing cathode electrodes of electroluminescent display device | |
| JP4134361B2 (ja) | 薄膜型電子源およびそれを用いた表示装置 | |
| JPH11307268A (ja) | 有機薄膜発光素子およびその製造方法 | |
| JPH03208299A (ja) | 薄膜ｅｌ端部発光モジュール及びその製造方法 | |
| JP2848384B1 (ja) | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 | |
| JP2007503686A (ja) | 有機電子デバイスの製造方法および有機電子デバイス | |
| JP2002164167A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP2000195669A (ja) | 発光素子の製造方法 | |
| JP2004103268A (ja) | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| JP2000100557A (ja) | 電場発光ディスプレイパネル及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980922 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071009 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081009 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091009 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |