WO2010106638A1 - 有機ｅｌパネルの製造方法および有機ｅｌパネル - Google Patents

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WO2010106638A1
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sealing
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竜一 佐藤
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パイオニア株式会社
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    • H10K71/851—Division of substrate

Definitions

  • the present invention relates to a display panel of a display device, and more particularly, to an organic EL panel using an organic light emitting diode (hereinafter also referred to as OLED: Organic light-emitting diode) such as an organic electroluminescence (EL) element and a manufacturing method thereof.
  • OLED organic light emitting diode
  • EL organic electroluminescence
  • a laser repair method (see Patent Document 1) that eliminates a light emission failure caused by foreign matters mixed in a film forming process or the like, and a laser patterning method that uses laser light irradiation when patterning an upper electrode (Patent Document) 2), and a laser welding method (see Patent Document 3) in which the upper electrode and the lead-out wiring portion are connected by laser light irradiation has been used in the manufacturing process of the OLED panel.
  • the laser repair method is a method in which after the upper electrode film is formed, a defective portion of the upper electrode is irradiated with a laser beam to remove foreign matters and normalize the pixel portion.
  • the laser patterning method is a method in which an upper electrode material layer is formed and a part thereof is cut by laser light irradiation to be divided into a plurality of upper electrodes.
  • the laser welding method in preparation for the contact resistance increasing due to corrosion of the surface of the lower electrode or the upper wiring electrode to be electrically connected to the organic EL element electrode and the upper wiring electrode by laser light irradiation. This is a method of reducing the wiring resistance by welding. JP 2001-118684 A JP-A-5-3076 JP2003-264064
  • the conductive material pieces crushed from the upper electrode are scattered on the crushed portion and the upper electrode in the vicinity thereof, and the scattered conductive material pieces are short-circuited between the upper electrode and the lower electrode. There was a problem of short circuit between the matching upper (lower) electrodes. Further, when the organic EL element is spatially sealed, the presence of scattered conductive material pieces in the closed sealing space is one of the serious causes of quality defects such as leakage.
  • the present invention is an example of a problem to deal with such a problem. That is, an example of an object of the present invention is to provide an organic EL panel that can be manufactured in a short time without performing complicated steps, and can improve the yield by suppressing the number of manufacturing steps, and the like. It is.
  • a method for manufacturing an organic EL panel according to the present invention is a method for manufacturing an organic EL panel using an organic EL element as a light emitting pixel, and a lower electrode, an organic EL layer, and an upper electrode are sequentially stacked on the substrate.
  • the hot melt material is a solid material at room temperature mainly composed of a thermoplastic resin, and is an organic solvent-free material that is applied by heating, melting, and solidifying by cooling. Further, even when laser light is irradiated from the substrate side such as glass, when glass or the like is used for the sealing substrate, laser light may be irradiated from the sealing glass side.
  • a sealing substrate is prepared, and a sealing step of sealing the protective film and the organic EL element between the sealing substrate and the substrate in an airtight manner is performed. Can be included.
  • the hot melt material may be wax, and the protective film may contain 50 wt% or more of a desiccant.
  • a hot melt material such as a wax or a polymer organic material that softens at a melting point of 60 to 150 ° C. is used for the protective film formed on the upper electrode.
  • the upper electrode is processed by irradiating a laser beam in a heated molten atmosphere.
  • the protective film can be filled in the entire sealing space formed by the substrate and the sealing substrate.
  • the laser is applied only to a corresponding portion of the upper electrode corresponding to the defective portion. It is possible to execute a laser repair method in which light is irradiated and only a portion irradiated with the laser light is removed.
  • an upper electrode layer having an area corresponding to a plurality of the upper electrodes is formed in the organic EL element forming step, and laser light is emitted from the upper electrode layer in the dispersing step.
  • a laser patterning method in which a part of the upper electrode layer is cut and divided into a plurality of the upper electrodes by scanning with laser light while being positioned inside can be executed.
  • a sealing film or a protective film covering the entire surface of the substrate including the partition wall can be formed.
  • Upper electrode patterning by light can also be performed.
  • the upper electrode is formed so as to overlap with a lead wiring portion formed in advance away from the lower electrode on the substrate, Laser welding that irradiates at least one portion of the upper electrode that overlaps the lead wiring portion in the dispersion step with laser light, and electrically connects the lead wiring portion and the upper electrode in a portion irradiated with the laser light. Can be performed. According to the laser welding, it is possible to reduce the contact resistance caused by the corrosion of the surface of the lead wiring part due to the manufacturing process (particularly, the photolithography process of the insulating film and the partition wall) and the wiring resistance of the upper electrode and the lead wiring part.
  • An organic EL panel according to the present invention includes an organic EL element that is formed by the method of manufacturing an organic EL panel according to the present invention and includes the lower electrode, the organic EL layer, and the upper electrode that are sequentially stacked on the substrate.
  • the upper electrode crushed pieces are dispersed and embedded in the protective film that covers the upper electrode and includes a hot-melt material having a melting point at 60 to 150 ° C. According to the organic EL panel according to the present invention, even if the conductive material piece crushed from the upper electrode is scattered in the crushing portion and the protective film on the upper electrode in the vicinity thereof, it is fixed and buried, so that the electrodes are short-circuited, etc. This problem can be solved and the quality defect of the light emitting pixel can be prevented.
  • FIG. 2 is a schematic sectional view taken along line AA in FIG. It is a typical schematic plan view of the translucent board
  • FIG. 9 is a schematic partial cross-sectional view taken along line AA in FIG. 8.
  • FIG. 9 is a schematic partial cross-sectional view taken along line AA in FIG. 8.
  • FIG. 13 is a schematic sectional view taken along line AA in FIG.
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view taken along line AA in FIG. It is a typical schematic fragmentary sectional view of the adhering body of the translucent board
  • FIG. 1 is a schematic rear view of an organic EL panel according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic schematic cross-sectional view of the organic EL panel 11 taken along line AA in FIG.
  • the organic EL panel 11 includes a light-transmitting substrate 13 that is a light-transmitting flat glass and a sealing substrate 14 having a sealing recess RES inside the sealing recess RES (sealing space S).
  • a sealing substrate 14 having a sealing recess RES inside the sealing recess RES (sealing space S).
  • it is configured to be airtightly bonded through the bonding means 15.
  • the sealing substrate 14 As the material of the sealing substrate 14, a plate-like member made of glass, plastic, metal, or the like can be used.
  • a glass sealing substrate having a recess for sealing formed by press molding, etching, sandblasting, or the like can be used, or a glass (or plastic) spacer using flat glass.
  • a sealed space can be formed between the transparent substrate.
  • On the translucent substrate 13 inside the recess a light emitting region is formed in which a plurality of organic EL elements 19 formed by laminating the lower electrode 16, the organic EL layer 17 and the upper electrode 18 serve as light emitting pixels.
  • a protective film HMP is provided on the upper electrodes 18 of the plurality of organic EL elements 19 so as to contact and cover these.
  • the sealing substrate 14 has a function of further preventing the organic EL element 19 protected by the protective film HMP from deterioration factors.
  • the organic EL panel 11 shown in the figure is a dot matrix in which 12 parallel lines of the lower electrode 16 and 7 parallel lines of the upper electrode 18 are formed, and one organic EL element (an organic EL sandwiched between the upper electrode and the lower electrode).
  • This is an example of displaying an image by controlling the light emission / non-light emission of the layer 17 by the driving IC 12.
  • a partition wall (not shown) may be formed between the organic EL elements 19 adjacent to each other in the light emitting region.
  • the drive IC 12 that controls light emission / non-light emission of the organic EL element 19 is mounted on the back side of the translucent substrate 13. As shown by the broken line in FIG. 1, the drive IC 12 is connected to the lead-out wiring portion 31 outside the sealing substrate 14.
  • the lead-out wiring part 31 is connected to the lower electrode 16 and the upper electrode 18 of the organic EL element 19 on the transparent substrate 13 inside the sealing substrate 14, respectively.
  • a flexible wiring board may be connected for electrical connection with the outside instead of the driving IC 12 fixed to the back surface of the organic EL panel 11.
  • the organic EL panel shown in the figure is obtained by patterning the organic EL elements 19 on the transparent substrate 13 in the form of a passive drive type dot matrix.
  • the present invention is not limited to this, and patterning of icons and segments may be used.
  • the organic EL element 19 may be disposed as at least one light emitting pixel between the light transmitting substrate 13 and the sealing substrate 14.
  • the organic EL element 19 includes an anode, an organic EL layer including a light emitting layer, and a cathode, and excitons generated in the light emitting layer when a current flows between the anode and the cathode transition from an excited state to a ground state.
  • the lower electrode 16 and the upper electrode 18 can be configured as an anode and a cathode, or vice versa.
  • the anode side is made of a material having a higher work function than the cathode side, and a transition metal film such as Cr, Mo, Ni, or Pt, or a transparent conductive film such as ITO or IZO is used.
  • the cathode side is made of a material having a lower work function than the anode side, and has a low work function metal such as alkali metal, alkaline earth metal, rare earth metal, a compound thereof, an alloy containing them, doped polyaniline or doped.
  • a low work function metal such as alkali metal, alkaline earth metal, rare earth metal, a compound thereof, an alloy containing them, doped polyaniline or doped.
  • An amorphous semiconductor such as polyphenylene vinylene or an oxide such as Cr 2 O 3 , NiO, or Mn 2 O 5 can be used.
  • the lower electrode 16 and the upper electrode 18 may be configured on the cathode side and the anode side.
  • the lead-out wiring part 31 connected to the lower electrode 16 and the upper electrode 18 is preferably formed as low resistance as possible, and an electrode layer is laminated with a low-resistance metal such as Ag, Cr, Al or an alloy thereof, or These low resistance metal electrodes can be formed alone.
  • the organic EL layer 17 is composed of a single layer or a multilayer film including at least a light emitting layer, but the layer structure may be formed in any manner.
  • a layer in which a hole transport layer, a light-emitting layer, and an electron transport layer are laminated from the anode side to the cathode side can be used, but the light-emitting layer, the hole transport layer, and the electron transport layer are each one layer.
  • either layer may be omitted or both layers may be omitted. It is also possible to insert an organic material layer such as a hole injection layer or an electron injection layer depending on the application.
  • the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer conventionally used materials (regardless of polymer materials and low molecular materials) can be appropriately selected and employed.
  • the light-emitting material that forms the light-emitting layer uses either light emission (fluorescence) when returning from the singlet excited state to the ground state or light emission (phosphorescence) when returning from the triplet excited state to the ground state. However, they may be mixed or doped.
  • thermosetting type a chemical curing type (two-component mixing), a light (ultraviolet) curing type, or the like
  • materials such as an acrylic resin, an epoxy resin, a polyester, and a polyolefin are used.
  • an ultraviolet curable epoxy resin adhesive that does not require heat treatment and has high immediate curing properties.
  • the organic EL panel 11 may be a single color display or a multi-color display. In order to realize the multi-color display, it is needless to say that a separate coloring method is included.
  • CF method, CCM method color conversion layer using a color filter or a fluorescent material
  • unit display of two or more colors A method in which regions are stacked vertically to form one unit display region (laminated OLED method), low molecular organic materials with different emission colors are formed on different films in advance and transferred onto a single substrate by laser thermal transfer.
  • a laser transfer method or the like can be employed.
  • a passive drive system is shown. However, an active drive system is adopted in which a TFT substrate is employed as the light transmitting substrate 13 and a lower electrode 16 is formed
  • the protective film HMP sealed in the sealing space S of the recess of the sealing substrate 14 is made of, for example, a non-solvent-containing hot melt composition that is melt-applied to the adherend and cooled and solidified in a short time (about several seconds depending on the temperature). Become.
  • the protective film HMP used in the present invention contains a hot melt material having a melting point in the temperature range of 60 to 150 ° C. If the melting point of the hot melt material is lower than 60 ° C., the organic substance used in the organic EL element may be dissolved and swollen. If the melting point exceeds 150 ° C., the hot melt material is softened or melted. There is a possibility that the organic material used may be heated to 100 ° C. or more, and the organic material may be deteriorated.
  • the hot-melt material particularly preferably has a melting point of 90 ° C. or higher and 150 ° C. or lower, and needs to be solid at the use environment temperature of the organic EL panel. This is because the material may flow.
  • hot melt materials are waxes or polymeric organic compounds.
  • wax use organic compounds having properties equivalent to those of waxes such as oils and fats, such as petroleum waxes such as paraffin wax and microcrystalline wax, natural waxes such as plant waxes, animal waxes and mineral waxes. Can do.
  • the components of waxes and fats are hydrocarbons (specifically, alkane-based linear hydrocarbons having 22 or more carbon atoms), fatty acids (specifically, alkane-based linear hydrocarbons having 12 or more carbon atoms).
  • fatty acid ester specifically, methyl ester of saturated fatty acid obtained from saturated fatty acid having 20 or more carbon atoms and lower alcohol such as methyl alcohol
  • fatty acid amide specifically, oleic acid amide, Unsaturated fatty acid amides such as erucic acid amide
  • aliphatic amines specifically, aliphatic primary amines having 16 or more carbon atoms
  • higher alcohols specifically, n-alkyl alcohols having 16 or more carbon atoms
  • Etc examples include polyethylene resin (PE) and polypropylene resin (PP).
  • PE polyethylene resin
  • PP polypropylene resin
  • An ethylene-vinyl acetate copolymer [EVA (vinyl acetate content is about 15 to 50 wt%)] or the like may be used.
  • paraffin wax and microcrystalline wax are preferred as the hot melt material.
  • the protective film HMP may contain a desiccant, and it is preferable to use a non-conductive material that does not react with the hot melt material (the above-mentioned wax or polymer organic compound).
  • Calcium hydride (CaH 2 ), strontium hydride (SrH 2 ), barium hydride (BaH 2 ), lithium aluminum hydride (AlLiH 4 ), sodium oxide (Na 2 O), potassium oxide (K 2 O), oxidation Calcium (CaO), barium oxide (BaO), magnesium oxide (MgO), strontium oxide (SrO), and the like can be given.
  • an organic metal compound known as a transparent moisture supplement may be used as the desiccant.
  • the content of the desiccant is preferably 5 to 90 wt%, particularly 20 to 70 wt%, more preferably 50 wt% to 70 wt%, with respect to all components including the hot melt material. If the content of the desiccant is less than 5 wt%, the water absorption effect by the desiccant will be insufficient, and if it exceeds 70 wt%, it may be difficult to fix and hold the desiccant with the hot melt material. In particular, it is preferable that the desiccant component is 50 wt% or more, thereby obtaining a long-term deterioration preventing effect.
  • a desiccant is normally used in the state disperse
  • the average particle diameter of the desiccant is usually in the range of less than 100 ⁇ m, and preferably about 0.01 to 10 ⁇ m. If the average particle size is less than 100 ⁇ m, the possibility of damaging the organic EL element is reduced, and if the particle size is less than 0.01 ⁇ m, the particle production cost may be increased. Further, in the top emission type that can be displayed from the sealing substrate side and the transparent OLED type that can be displayed from both the substrate side and the sealing substrate side, the balance between the content of the desiccant and the average particle diameter is important. It is necessary to design according to the specifications of each organic EL panel.
  • the protective film HMP may be a sheet formed by mixing a hot melt material and a desiccant, and is laminated on the upper electrode 18 of the organic EL panel. Further, as a coating method, in addition to roll coating, blade coating, brush coating, and printing, a dispenser or the like may be used.
  • the lower electrode 16 such as ITO and the lead-out wiring portion 31 connected to the end portions thereof are formed.
  • a portion where the plurality of lower electrodes 16 are arranged in parallel becomes a display region through a subsequent process.
  • a lead wiring portion 31 for the upper electrode is also formed at a predetermined position.
  • the necessary organic EL layer 17 is sequentially deposited on the surface of the lower electrode 16 (film formation process P2).
  • a plurality of upper electrodes 18 are formed on the organic EL layer 17 (upper electrode forming step P3).
  • the upper electrode 18 is formed so that each of the plurality of parallel upper electrodes 18 is orthogonal to the lower electrode 16.
  • the end portions T of the lead wiring portions 31 to be connected to the respective end portions of the upper electrode 18 are formed so as to overlap each other.
  • the bonding means 15 is supplied in a sealing margin region SMR having a predetermined width that surrounds each light-emitting region on the translucent substrate 13 that is to be formed.
  • an adhesive means may be formed on the sealing substrate side at the edge of the sealing recess of the sealing substrate 14. That is, the bonding means may be formed in advance on either the light-transmitting substrate or the sealing substrate.
  • the sealing substrate 14 with the organic EL element 19 of the translucent substrate 13 inside is affixed and fixed by pressure bonding to form an adhesive body.
  • a photosensitive adhesive is used as the adhesive material of the bonding means 15
  • the light may be irradiated from the light transmitting substrate 13 side, and the bonding means 15 may be cured by light curing.
  • the protective film HMP may be formed.
  • the translucent substrate 13 and the sealing substrate 14 are sealed and bonded by the bonding means 15 (sealing step P4).
  • the bonded body of the transparent substrate 13 and the sealing substrate 14 is heated (cal) so that the melting point temperature of the protective film HMP becomes 60 to 150 ° C., and the protective film HMP is melted or softened.
  • the upper electrode 18 or a foreign substance CT in the vicinity thereof is irradiated with the laser beam LB in a dot shape, and a defective portion of the pixel (organic EL element 19) caused by the foreign substance CT is deleted (dispersion step P5).
  • the laser beam LB is irradiated from the transparent substrate 13 side, but may be irradiated from the sealing substrate side.
  • the conductive material pieces may scatter and cause leakage, or the reaction at the time of scattering may cause interface peeling between the upper electrode and the organic EL layer. is there.
  • a protective film HMP using the hot melt material of this embodiment is formed on the upper electrode 18 at a temperature of 60 to 150 ° C.
  • a part of the upper electrode 18 is dispersed in the protective film HMP of a hot melt material. Since the protective film HMP is softened in a heated atmosphere, energy when the conductive material pieces are scattered by laser light irradiation can be absorbed.
  • this dispersing step as shown in FIG. 10, a plurality of pieces 18a of the upper electrode 18 are dispersed in the protective film HMP, and the protective film HMP is solidified and fixed.
  • the upper electrode layer 18b having the above-described area is formed on the organic EL layer 17, and thereafter, as shown in FIG. 12, the upper electrode layer 18b is disposed on the inner side as in the first embodiment and sealed.
  • the sticking body of the stop substrate 14 is formed.
  • the laser beam LB is scanned while the laser beam LB is positioned in the upper electrode layer 18b, and the upper electrode having a predetermined shape is cut, that is, the upper electrode layer
  • the same process as the first embodiment is performed except that a part of 18b is cut and divided into a plurality of upper electrodes 18. That is, as shown in FIG. 13, by performing laser patterning of the upper electrode layer 18b that scans the laser beam LB in an atmosphere having a melting point of 60 to 150 ° C. of the protective film HMP, each is orthogonal to the lower electrode 16.
  • the upper electrode 18 can be formed on the laser beam (laser beam scanning may be performed from the transparent substrate 13 side or the sealing side).
  • the conductive material pieces of the scattered upper electrode are short-circuited between adjacent electrode lines (the conductive material falls between the electrode lines and energized, etc.) or rebounds when scattered.
  • a protective film HMP using a hot melt material was formed on the upper electrode 18 and irradiated with laser light in an atmosphere of 60 to 150 ° C.
  • the scattered conductive material pieces can be kept in the hot melt material protective film HMP, and further, the space between the upper electrode 18 after patterning is filled with the hot melt material and insulation between the electrodes is possible. become.
  • the protective film HMP is softened in a heated atmosphere, and can absorb energy when the conductive material pieces are scattered by laser light irradiation.
  • the problem that caused it can be solved.
  • a part of the conductive material constituting the upper electrode 18 is dispersed in the hot melt material.
  • the protective film HMP is softened in a heated atmosphere, and the conductive material is irradiated with laser light. It is possible to absorb energy when the pieces are scattered.
  • the sealing substrate 14 having the sealing recess is used.
  • the protective film HMP is formed between the transparent substrate 13 and the sealing substrate 14b. It can also be used as an adhesive means for the sticking body. In this case, flat glass or the like can be used for the sealing substrate 14b.
  • the case where the protective film is filled in all the sealing space S by the sealing concave portion of the sealing substrate 14 is shown.
  • the protective film HMP is provided so as to contact and cover the electrode 18, the present invention can be applied even if the sealing space S is left.
  • the present invention can be used as a display device, and in particular, the organic EL panel of the present invention may be either passive drive or active drive. Further, a bottom emission type that can be displayed from the substrate or a top emission type that can be displayed from the sealing substrate side may be used. A dot matrix type, a segment, or an icon may be used. Moreover, it can utilize suitably not only with a display but with illumination.

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Abstract

【課題】製造工程数を抑え歩留を向上させ得る有機ＥＬパネルの製造方法を提供する。 【解決手段】　有機ＥＬパネルの製造方法は、有機ＥＬ素子を発光画素とする有機ＥＬパネルの製造方法であって、基板上に、下部電極、有機ＥＬ層および上部電極が順に積層して有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬ素子形成工程と、上部電極上に６０～１５０°Cで融点を持つホットメルト材料を含む保護膜を形成する保護膜形成工程と、保護膜の加熱された溶融状態下で、上部電極又はその近傍にレーザ光を点状に照射して上部電極の一部を破砕し、上部電極の破砕片を保護膜内に分散させ保護膜を固化する分散工程と、を含む。

Description

有機ＥＬパネルの製造方法および有機ＥＬパネル
　本発明は表示装置の表示パネルに関し、特に、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子などの有機発光ダイオード（以下、ＯＬＥＤ：Organic light-emitting diodeともいう）を用いた有機ＥＬパネルおよびその製造方法に関する。
　従来から、基板上に、下部電極、有機ＥＬ層および上部電極が順に積層して有機ＥＬ素子を形成して、有機ＥＬ素子のそれぞれを発光画素（発光領域）とするＯＬＥＤパネルの製造方法が知られている。かかる製造方法において、成膜工程などで混入した異物などによる発光不良を解消するレーザリペア方法（特許文献１、参照）、上部電極のパターニングする際にレーザ光照射を利用するレーザパターニング方法（特許文献２、参照）、上部電極と引出配線部とをレーザ光照射により接続するレーザ溶接方法（特許文献３、参照）、がＯＬＥＤパネルの製造プロセスで利用されてきた。レーザリペア方法は上部電極成膜後に、上部電極の不良部をレーザ光照射により、異物などを除去し、画素部を正常にする方法である。レーザパターニング方法は、上部電極材料層を成膜しその一部をレーザ光照射により切削し上部電極の複数に分割する方法である。レーザ溶接方法は、下部電極又は上部電極と電気的接続すべき引出配線部の表面が腐食するなどして接触抵抗が上昇することに備えて、レーザ光照射により有機ＥＬ素子電極と引出配線部との溶接による配線抵抗を下げる方法である。
特開２００１－１１８６８４ 特開平５－３０７６ 特開２００３－２６４０６４
　従来技術のレーザ光照射を利用する際、上部電極から破砕された導電材料片が破砕箇所およびその近傍の上部電極上に飛散し、飛散した導電材料片によって上部電極と下部電極同士の短絡、隣り合う上部（下部）電極同士の短絡といった問題があった。さらに、有機ＥＬ素子の空間封止を行う場合、閉じられた封止空間内の飛散した導電材料片の存在は、リークなどの品質不良を引き起こす重大な原因の１つとなっている。
　本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、煩雑な工程を行うことなく、短時間に製造することができ、製造工程数を抑え歩留を向上させ得る有機ＥＬパネルおよびその製造方法を提供すること、などが本発明の目的の一例である。
　本発明による有機ＥＬパネルの製造方法は、有機ＥＬ素子を発光画素とする有機ＥＬパネルの製造方法であって、基板上に、下部電極、有機ＥＬ層および上部電極が順に積層して有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬ素子形成工程と、前記上部電極上に６０～１５０℃で融点を持つホットメルト材料を含む保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜の加熱された溶融状態下で、前記上部電極又はその近傍にレーザ光を点状に照射して前記上部電極の一部を破砕し、前記上部電極の破砕片を前記保護膜内に分散させ前記保護膜を固化する分散工程と、を含むことを特徴とする。なお、ホットメルト材料は、熱可塑性樹脂を主成分とした常温で固形材料であり、加熱溶融して塗布し、冷却により固化する有機溶剤非含有材料である。更に、ガラスなどの基板側からレーザ光を照射しても、封止基板にガラスなどを利用した場合は封止ガラス側からレーザ光を照射しても良い。
　本発明による有機ＥＬパネルの製造方法においては、封止基板を用意して、前記保護膜および前記有機ＥＬ素子を気密的に前記封止基板と前記基板の間に封止する封止工程、を含むこととすることができる。
　本発明による有機ＥＬパネルの製造方法においては、前記ホットメルト材料はワックスであり、前記保護膜は乾燥剤を５０ｗｔ％以上含むこととすることができる。このように、本発明では上部電極上に形成する保護膜に融点６０～１５０℃で軟化するワックスや高分子有機材料などのホットメルト材料を利用し、保護膜形成後に、保護膜の融点付近の加熱した溶融雰囲気下でレーザ光を照射して上部電極を加工することが特徴である。
　本発明による有機ＥＬパネルの製造方法においては、前記保護膜は、前記基板と前記封止基板とで形成された封止空間内を全て充填していることとすることができる。
　本発明による有機ＥＬパネルの製造方法においては、前記分散工程において、前記有機ＥＬ層の成膜が不十分である欠陥部分があるときに、該欠陥部分に対応する上部電極の相当部分にのみレーザ光を照射し、このレーザ光が照射された部分のみを除去するレーザリペア法を実行することとすることができる。
　本発明による有機ＥＬパネルの製造方法においては、前記有機ＥＬ素子形成工程おいて前記上部電極の複数個数分の面積を有する上部電極層を成膜し、前記分散工程においてレーザ光を前記上部電極層内に位置させつつレーザ光を走査することで前記上部電極層の一部を切削し前記上部電極の複数に分割するレーザパターニング法を実行することとすることができる。本発明の保護膜による固体封止では、上部電極を隔壁で分離する場合に隔壁を含む基板全面を覆うような封止膜又は保護膜を形成することができるが、かかる隔壁を用いずにレーザ光による上部電極パターニングもできる。
　本発明による有機ＥＬパネルの製造方法においては、前記有機ＥＬ素子形成工程おいて、前記基板上の前記下部電極から離れて予め形成されている引出配線部に重なるように前記上部電極を形成し、前記分散工程において前記引出配線部に重なる前記上部電極の少なくとも一箇所以上にレーザ光を照射し、このレーザ光が照射された部分の前記引出配線部と前記上部電極を電気的に接続するレーザ溶接を実行することとすることができる。レーザ溶接によれば、製造プロセス（特に、絶縁膜や隔壁のフォトリソ工程）による引出配線部表面の腐食に起因する接触抵抗、上部電極と引出配線部の配線抵抗を下げることができる。
　本発明による有機ＥＬパネルは、本発明による有機ＥＬパネルの製造方法によって形成され、かつ前記基板上に順に積層された前記下部電極、前記有機ＥＬ層および前記上部電極を含む有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬパネルであって、前記上部電極を覆いかつ６０～１５０℃で融点を持つホットメルト材料を含む前記保護膜内に前記上部電極の破砕片が分散して埋設されていることを特徴とする。本発明による有機ＥＬパネルによれば、上部電極から破砕された導電材料片が破砕箇所およびその近傍の上部電極上保護膜内に飛散しても、固定かつ埋設されるので、電極同士の短絡などの問題が解消し、発光画素の品質不良を防止できる。
本発明の実施形態にかかる有機ＥＬパネルの模式的背面図である。 図１の線Ａ－Ａにおける模式的概略断面図である。 本発明の実施形態にかかる有機ＥＬパネル製造工程における透光基板の模式的概略平面図である。 本発明の実施形態にかかる有機ＥＬパネル製造工程における透光基板の模式的概略平面図である。 本発明の実施形態にかかる有機ＥＬパネル製造工程における透光基板の模式的概略平面図である。 本発明の実施形態にかかる有機ＥＬパネル製造工程における透光基板の模式的概略平面図である。 本発明の実施形態にかかる有機ＥＬパネル製造工程における透光基板の模式的概略平面図である。 本発明の実施形態にかかる有機ＥＬパネル製造工程における透光基板と封止基板の貼着体の模式的概略平面図である。 図８の線Ａ－Ａにおける模式的概略部分断面図である。 図８の線Ａ－Ａにおける模式的概略部分断面図である。 本発明の他の実施形態にかかる有機ＥＬパネル製造工程における透光基板の模式的概略平面図である。 本発明の他の実施形態にかかる有機ＥＬパネル製造工程における透光基板と封止基板の貼着体の模式的概略平面図である。 図１２の線Ａ－Ａにおける模式的概略断面図である。 本発明のさらなる他の実施形態にかかる有機ＥＬパネル製造工程における透光基板と封止基板の貼着体の模式的概略平面図である。 図１４の線Ａ－Ａにおける模式的概略断面図である。 本発明のさらなる他の実施形態にかかる有機ＥＬパネル製造工程における透光基板と封止基板の貼着体の模式的概略部分断面図である。 本発明のさらなる他の実施形態にかかる有機ＥＬパネル製造工程における透光基板と封止基板の貼着体の模式的概略部分断面図である。
符号の説明
　１１　有機ＥＬパネル
　１２　駆動ＩＣ
　１３　透光基板
　１４　封止基板
　１５　接着手段
　１６　下部電極
　１７　有機ＥＬ層
　１８　上部電極
　１８ａ　破砕片
　１８ｂ　上部電極層
　１９　有機ＥＬ素子
　３１　引出配線部
　ＲＥＳ　封止用凹部
　Ｓ　封止空間
発明を実施するための形態
　本発明による有機ＥＬパネルの実施形態について添付の図面を参照しつつ説明する。なお、各図において、同一の構成要素については別の図に示している場合でも同一の符号を与え、その詳細な説明を省略する。さらに、実施形態は例示に過ぎずこれらに本発明は制限されないことはいうまでもない。
　＜有機ＥＬパネルの構成＞
　図１は本発明の実施形態にかかる有機ＥＬパネルの模式的背面図である。図２は図１の線Ａ－Ａにおける有機ＥＬパネル１１の模式的概略断面図である。
　図示するように、有機ＥＬパネル１１は、透光性の平板ガラスである透光基板１３と封止用凹部ＲＥＳを有する封止基板１４とが封止用凹部ＲＥＳ（封止空間Ｓ）を内側にして接着手段１５を介して気密的に貼り合わされて構成されている。
　封止基板１４の材料としては、ガラス製、プラスチック製、金属製等による板状部材を用いることができる。ガラス製の封止基板にプレス成形、エッチング、サンドブラスト処理等の加工によって、封止用凹部を形成したものを用いることもできるし、或いは平板ガラスを使用してガラス（プラスチックでもよい）製のスペーサにより透光基板との間に封止空間を形成するようにすることもできる。該凹部を内側の透光基板１３上には、下部電極１６、有機ＥＬ層１７および上部電極１８が積層されてなる複数の有機ＥＬ素子１９が発光画素となる発光領域が形成されている。さらに、複数の有機ＥＬ素子１９の上部電極１８上にはこれらに接触し覆うように保護膜ＨＭＰが設けられる。封止基板１４は保護膜ＨＭＰで保護された有機ＥＬ素子１９を更に劣化因子から防ぐ機能を有する。
　図示する有機ＥＬパネル１１は、下部電極１６の平行ラインを１２本、上部電極１８の平行ラインを７本形成したドットマトリックスで、一つの有機ＥＬ素子（上部電極と下部電極で挟持された有機ＥＬ層１７で構成）の発光／非発光を駆動用ＩＣ１２で制御して画像を表示する一例である。なお、発光領域の隣接する有機ＥＬ素子１９同士の間には、隔壁（図示せず）を形成してもよい。有機ＥＬ素子１９の発光／非発光を制御する駆動ＩＣ１２は、透光基板１３の背面側に搭載されている。図１の破線に示すように、駆動ＩＣ１２は、封止基板１４外側の引出配線部３１に接続されている。引出配線部３１は封止基板１４内側の透光基板１３上の有機ＥＬ素子１９の下部電極１６および上部電極１８にそれぞれ接続されている。なお、有機ＥＬパネル１１の背面固着の駆動ＩＣ１２に代えてフレキシブル配線基板が外部との電気接続のために接続されてもよい。
　図示する有機ＥＬパネルは透光基板１３上にパッシブ駆動方式ドットマトリックス状に有機ＥＬ素子１９をパターニングしたものであるが、これに限らす、アイコン、セグメントのパターニングでもよい。有機ＥＬパネル１１は、透光基板１３および封止基板１４の間に少なくとも１つの発光画素として有機ＥＬ素子１９が配置されていればよい。
　有機ＥＬ素子１９は、陽極、発光層を含む有機ＥＬ層、陰極を積層し、陽極と陰極間に電流を流す際に発光層にて発生する励起子が、励起状態から基底状態に遷移する際に生じる発光を利用する自発光素子であり、下部電極１６および上部電極１８を陽極および陰極、或いはその逆に構成することができる。陽極側は陰極側より仕事関数の高い材料で構成され、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｔ等の遷移金属の膜やＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電膜が用いられる。逆に陰極側は陽極側より仕事関数の低い材料で構成され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属等、仕事関数の低い金属、その化合物、またはそれらを含む合金、ドープされたポリアニリンやドープされたポリフェニレンビニレン等の非晶質半導体、Ｃｒ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｍｎ2Ｏ5等の酸化物を使用できる。また上記実施形態とは逆に、下部電極１６および上部電極１８を陰極側および陽極側に設定した構成にすることもできる。
　下部電極１６および上部電極１８に接続される引出配線部３１は可能な限り低抵抗に形成することが好ましく、Ａｇ、Ｃｒ、Ａｌ等の低抵抗金属やその合金で電極層を積層するか、或いはこれらの低抵抗金属電極単独で形成することができる。
　有機ＥＬ層１７は、少なくとも発光層を含む単層または多層の成膜層からなるが、層構成はどのように形成されていてもよい。一般には、陽極側から陰極側に向けて、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を積層させたものを用いることができるが、発光層、正孔輸送層、電子輸送層はそれぞれ１層だけでなく複数層積層して設けてもよく、正孔輸送層、電子輸送層についてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略してもよい。また、正孔注入層、電子注入層等の有機材料層を用途に応じて挿入することも可能である。正孔輸送層、発光層、電子輸送層は従来の使用されている材料（高分子材料、低分子材料を問わない）を適宜選択して採用できる。また、発光層を形成する発光材料においては、１重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と３重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（りん光）のどちらを採用し、混合、或いはドープして構成してもよい。
　接着手段１５を構成する接着剤は、熱硬化型、化学硬化型（２液混合）、光（紫外線）硬化型等を使用することができ、材料としてアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリオレフィン等を用いることができる。特には、加熱処理を要さず即硬化性の高い紫外線硬化型のエポキシ樹脂製接着剤の使用が好ましい。
　本発明の実施例である有機ＥＬパネル１１としては、単色表示であっても複数色表示であってもよく、複数色表示を実現するためには、塗り分け方式を含むことは勿論のこと、白色や青色等の単色の発光を有する有機ＥＬ素子を単数または複数備える有機ＥＬパネル１１にカラーフィルタや蛍光材料による色変換層を組み合わせた方式（ＣＦ方式、ＣＣＭ方式）、２色以上の単位表示領域を縦に積層し一つの単位表示領域を形成した方式（積層ＯＬＥＤ方式）、異なる発光色の低分子有機材料を予め異なるフィルム上に成膜してレーザによる熱転写で一つの基板上に転写するレーザ転写方式、等を採用することができる。また、実施の態様ではパッシブ駆動方式を示しているが、透光基板１３としてＴＦＴ基板を採用し、その上に平坦化層を形成した上に下部電極１６を形成するようにして、アクディブ駆動方式を採用したものであってもよい。
　＜保護膜＞
　封止基板１４凹部の封止空間Ｓ内に封入された保護膜ＨＭＰは、例えば、短時間（温度によるが数秒程度）で被着材に溶融塗布され冷却固化する非溶媒含有ホットメルト組成物からなる。
　本発明で使用する保護膜ＨＭＰは、温度６０～１５０℃範囲に融点を持つホットメルト材料を含有している。ホットメルト材料の融点が６０℃を下回ると有機ＥＬ素子に用いられる有機物を溶解、膨潤させる可能性があり、融点が１５０℃を超えるとホットメルト材料を軟化又は溶融させるときに、有機ＥＬ素子に用いられる有機物にも１００℃以上の熱がかかる可能性が生じ、有機物を劣化させる虞がある。ホットメルト材料は、特に９０℃以上１５０℃以下の融点のものが更に好ましく、有機ＥＬパネルの使用環境温度で固体状である必要があり、融点が上記範囲以下であると使用環境によってはホットメルト材料が流動してしまうおそれがあるからである。ホットメルト材料の例は、ワックス、または高分子有機化合物である。ワックスは、パラフィンワックスやマイクロクリスタリンワックスなどの石油系ワックス、植物系ワックス、動物系ワックス、鉱物系ワックスのような天然ワックスなど、油脂などのようにワックスと同等な性質を有する有機化合物を用いることができる。ワックスや油脂の成分は、炭化水素（具体的には、炭素数２２以上のアルカン系の直鎖炭化水素など）、脂肪酸（具体的には、炭素数１２以上のアルカン系の直鎖炭化水素の脂肪酸など）、脂肪酸エステル（具体的には、炭素数２０以上の飽和脂肪酸とメチルアルコールなどの低級アルコールとから得られる飽和脂肪酸のメチルエステルなど）、脂肪酸アミド（具体的には、オレイン酸アミド、エルカ酸アミドなどの不飽和脂肪酸アミドなど）、脂肪族アミン（具体的には、炭素数１６以上の脂肪族第１アミン）、高級アルコール（具体的には、炭素数１６以上のｎ－アルキルアルコール）などである。高分子化合物は、ポリエチレン樹脂（ＰＥ）、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）などが挙げられる。エチレン－酢酸ビニル共重合体〔ＥＶＡ（酢酸ビニル含有率が１５～５０ｗｔ％程度）〕などを用いてもよい。上記材料のうちホットメルト材料として、パラフィンワックスやマイクロクリスタリンワックスが好ましい。
　また、保護膜ＨＭＰは乾燥剤を含んでも良く、ホットメルト材料（上述のワックスや高分子有機化合物）とに反応しない不導体材料を用いることが好ましい。水素化カルシウム（ＣａＨ2）、水素化ストロンチウム（ＳｒＨ2）、水素化バリウム（ＢａＨ2）、水素化アルミニウムリチウム（ＡｌＬｉＨ4）、酸化ナトリウム（Ｎａ2Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ2Ｏ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）などを挙げることができる。また、乾燥剤として透明な水分補足剤として知られる有機金属化合物であっても良い。乾燥剤の含有量としては、上記ホットメルト材料を含めた全成分に対して、好ましくは５～９０ｗｔ％、特に２０～７０ｗｔ％、さらに５０ｗｔ％～７０ｗｔ％である。乾燥剤の含有量が５ｗｔ％に満たないと乾燥剤による吸水効果が十分でなくなり、７０ｗｔ％を超えると乾燥剤をホットメルト材料により固定・保持することが困難となるおそれが生じる。特に、乾燥剤成分が５０ｗｔ％以上であることが好ましく、これにより長期劣化防止効果が得られる。乾燥剤は、通常、上記ホットメルト材料中に粉末状で分散された状態で用いられる。乾燥剤の平均粒子径は通常１００μｍ未満の範囲とすれば良く、好ましくは、０．０１～１０μｍ程度である。平均粒子径が１００μｍ未満であれば、有機ＥＬ素子にダメージを与える可能性が低くなり、また、粒子径が０．０１μｍ未満となると、粒子製造コストが高くなることがある。また、封止基板側から表示できるトップエミッションタイプや基板側と封止基板側の両方から表示できる透明ＯＬＥＤタイプでは、乾燥剤の含有量と平均粒子径のバランスが重要となる。それぞれの有機ＥＬパネルの仕様等に合わせて設計を行う必要がある。
　保護膜ＨＭＰはホットメルト材料と乾燥剤が混合されてシート状に予め形成されたもので良く、有機ＥＬパネルの上部電極１８上にラミネート形成する。また、塗布方法としては、ロールコート、ブレードコート、刷毛塗り、印刷の他、ディスペンサーなどを用いてもよい。
　＜第１実施例＞
　第１の実施例であるレーザリペアを用いる有機ＥＬパネルの製造方法の概略プロセスを図に基づいて説明する。
　図３に示すように、透光基板１３の主面上に、ＩＴＯなどの下部電極１６と、それらの端部に接続された引出配線部３１を形成する。複数の下部電極１６が平行に配列された部分が、後の工程を経て表示領域となる。上部電極用の引出配線部３１をも所定位置にそれぞれ形成する。
　そして、この前処理工程Ｐ１において、透光基板１３上の下部電極１６の有機ＥＬ素子を形成すべき部分を露出させる開口を有する絶縁膜（図示せず）を形成してもよい。
　次に、図４に示すように、下部電極１６表面に必要な有機ＥＬ層１７を順次蒸着する（成膜工程Ｐ２）。
　次に、図５に示すように、有機ＥＬ層１７上に複数の上部電極１８を形成する（上部電極形成工程Ｐ３）。複数の平行な上部電極１８の各々が下部電極１６に直交するように上部電極１８を形成する。そして、この上部電極形成工程Ｐ３において、上部電極１８のそれぞれの端部に接続されるべき引出配線部３１の端部Ｔが重なるように形成する。
　次に、図６に示すように、透光基板１３の主面上で上部電極１８を覆い、更に引出配線部３１の端部Ｔ上にまでホットメルト材料による保護膜ＨＭＰを形成する。次に、図７に示すように、透光基板１３上の各々の発光領域と成るべき部位の周りを囲む所定幅の封止代領域ＳＭＲにて接着手段１５を供給する。なお、図示しないが、封止基板１４の封止用凹部の縁部に封止基板側に接着手段を形成しておくこともできる。すなわち、接着手段は透光基板と封止基板のいずれに予め形成してもよい。
　次に、図８に示すように、透光基板１３の有機ＥＬ素子１９を内側にした封止基板１４とを貼り付け、圧着固定して貼着体を形成する。接着手段１５の接着材料として、感光性接着剤を用いた場合、透光基板１３側から光照射を行い、接着手段１５が光硬化することにより接合を実行してもよい。このとき、透光基板１３と封止基板１４の封止用凹部ＲＥＳで形成される封止空間Ｓ内の全部に保護膜ＨＭＰを充填させても、上部電極１８を形成する画素部分のみに保護膜ＨＭＰを形成しても良い。
　以上のように、透光基板１３と封止基板１４を接着手段１５により封止接合する（封止工程Ｐ４）。
　次に、図９に示すように、成膜工程などで混入した異物ＣＴが有機ＥＬ層１７内にあることを検知した場合、レーザリペアを行う。ここでは、透光基板１３と封止基板１４の貼着体を保護膜ＨＭＰの融点温度６０～１５０℃となるように加熱（ｃａｌ）して、保護膜ＨＭＰを溶融又は軟化状態とし、図１０に示すように、上部電極１８又はその近傍の異物ＣＴにレーザ光ＬＢを点状に照射し、異物ＣＴに起因する画素（有機ＥＬ素子１９）の不良部分を削除する（分散工程Ｐ５）。ここで、透光基板１３側からレーザ光ＬＢを照射しているが、封止基板側から照射してもよい。
　従来技術のレーザリペアでは、上部電極へのレーザ光照射時点で、導電材料片が飛散しリークの原因となったり、飛散時点の反動により上部電極と有機ＥＬ層との界面剥離を生じる可能性がある。この界面剥離により非発光部が広がり有機ＥＬパネルの品質を低下させていたが、本実施例のホットメルト材料を利用した保護膜ＨＭＰを上部電極１８上に形成し、温度６０～１５０℃雰囲気下でレーザ光ＬＢを照射により上部電極１８を加工することで、上記品質低下課題を解決できる。このとき製造された有機ＥＬパネル１１では、図１０に示すように、上部電極１８の一部がホットメルト材料の保護膜ＨＭＰ内に分散されている。加熱雰囲気下で保護膜ＨＭＰが軟化しているので、レーザ光照射による導電材料片の飛散する際のエネルギーを吸収することができる。かかる分散工程により、図１０に示すように、上部電極１８の複数の破砕片１８ａを保護膜ＨＭＰ内に分散させ保護膜ＨＭＰを固化させて定着させる。
　＜第２実施例＞
　第２の実施例であるレーザパターニングを用いる有機ＥＬパネルの製造方法の概略プロセスフローを図に基づいて説明する。
　第２の実施例では、第１実施例の図５に示す上部電極形成工程Ｐ３における複数の平行な上部電極１８のストライプを形成する代わりに、図１１に示すように、上部電極の複数個数分の面積を有する上部電極層１８ｂを有機ＥＬ層１７上に成膜し、後は図１２に示すように、第１実施例と同様に上部電極層１８ｂを内側に配置した透光基板１３と封止基板１４の貼着体を形成する。そして、保護膜融点にまで加熱した状態での分散工程Ｐ５において、レーザ光ＬＢを上部電極層１８ｂ内に位置させつつレーザ光ＬＢを走査して所定形状の上部電極を切り分け、すなわち、上部電極層１８ｂの一部を切削し、上部電極１８の複数に分割する以外、第１の実施例と同一工程を実行する。すなわち、図１３に示すように、保護膜ＨＭＰの融点６０～１５０℃の雰囲気下でレーザ光ＬＢを走査する上部電極層１８ｂのレーザパターニングを実行することにより、各々が下部電極１６に直交するように上部電極１８が形成できる（レーザ光走査は透光基板１３側からでも封止側からでも良い）。
　従来技術のレーザパターニングでは、飛散した上部電極の導電材料片によって、隣り合う電極ライン間が短絡（電極ライン間に導電材料が落ちて通電するなど）したり、飛散するときの反動で上部電極と有機ＥＬ層との界面剥離が生じる課題があったが、本実施例により、ホットメルト材料を利用した保護膜ＨＭＰを上部電極１８上に形成し、温度６０～１５０℃雰囲気下でレーザ光照射により上部電極１８を加工することで、飛散する導電材料片をホットメルト材料保護膜ＨＭＰ内にとどめることができ、更にパターン後の上部電極１８空間にホットメルト材料が充填されて電極間の絶縁が可能になる。加熱雰囲気下で保護膜ＨＭＰが軟化し、レーザ光照射による導電材料片の飛散する際のエネルギーを吸収することができる。
　＜第３実施例＞
　第３の実施例であるレーザ溶接を用いる有機ＥＬパネルの製造方法の概略プロセスフローを図に基づいて説明する。
　第３の実施例は、図１４および図１５に示すように、加熱下のレーザ光照射による分散工程において、上部電極１８のそれぞれの端部と引出配線部３１の端部が重なる部位Ｔに、上部電極１８の少なくとも一箇所以上にレーザ光ＬＢを照射し、このレーザ光が照射された部分の引出配線部と上部電極を電気的に接続するレーザ溶接を実行した以外、第１の実施例と同一である。すなわち、温度６０～１５０℃の加熱雰囲気下での上部電極１８と引出配線部３１のレーザ溶接を実行することにより、従来技術のレーザ溶接でのレーザ光照射時における導電材料片の飛散するというリーク原因となった課題を解決できる。このとき製造された有機ＥＬパネルでは、上部電極１８を構成する導電材料の一部がホットメルト材料内に分散されているが、加熱雰囲気下で保護膜ＨＭＰが軟化し、レーザ光照射による導電材料片の飛散する際のエネルギーを吸収することができる。
　上記第１～３実施例を説明したが、これら実施例を任意に組み合わせ、一時期に、加熱雰囲気内でのレーザ光照射による分散を実行することができる。なお、これら実施例において封止基板を省略した構成としても、保護膜が軟化し、導電材料片の分散を保持できれば、本発明は適用可能である。
　また、上記第１～３実施例では封止用凹部を有する封止基板１４を用いた場合を示したが、図１６に示すように、保護膜ＨＭＰを透光基板１３と封止基板１４ｂの貼着体の接着手段として用いることもできる。この場合、封止基板１４ｂには平板ガラスなどを使用できる。
　さらに、上記第１～３実施例では封止基板１４の封止用凹部による封止空間Ｓすべてに保護膜を充填した場合を示したが、図１7に示すように、有機ＥＬ素子１９の上部電極１８上に接触し覆うように保護膜ＨＭＰが設けられていれば、封止空間Ｓを残しても本発明は適用可能である。
　本発明は、表示デバイスとして利用でき、特に、本発明の有機ＥＬパネルは、パッシブ駆動でもアクティブ駆動でも良い。また基板から表示できるボトムエミッションタイプでも封止基板側から表示できるトップエミッションタイプでも良い。ドットマトリックスタイプでもセグメント、アイコンでも良い。またディスプレイだけではなく、照明でも好適に利用することができる。

Claims (10)

  1. 　有機ＥＬ素子を発光画素とする有機ＥＬパネルの製造方法であって、
    　基板上に、下部電極、有機ＥＬ層および上部電極が順に積層して有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬ素子形成工程と、
    前記上部電極上に６０～１５０℃で融点を持つホットメルト材料を含む保護膜を形成する保護膜形成工程と、
    　前記保護膜の加熱された溶融状態下で、前記上部電極又はその近傍にレーザ光を点状に照射して前記上部電極の一部を破砕し、前記上部電極の破砕片を前記保護膜内に分散させ前記保護膜を固化する分散工程と、
    を含むことを特徴とする製造方法。
  2. 　封止基板を用意して、前記保護膜および前記有機ＥＬ素子を気密的に前記封止基板と前記基板の間に封止する封止工程、を含むことを特徴とする請求項１記載の製造方法。
  3. 　前記ホットメルト材料はワックスまたは高分子有機化合物であることを特徴とする請求項１又は２記載の製造方法。
  4. 　前記保護膜は前記ホットメルト材料に分散した乾燥剤を含み、前記乾燥剤を５０ｗｔ％以上含むことを特徴とする請求項１～４のいずれか１記載の製造方法。
  5. 　前記保護膜は、前記基板と前記封止基板とで形成された封止空間内を全て充填していることを特徴とする請求項２～４のいずれか１記載の製造方法。
  6. 　前記分散工程において、前記有機ＥＬ層の成膜が不十分である欠陥部分があるときに、該欠陥部分に対応する上部電極の相当部分にのみレーザ光を照射し、このレーザ光が照射された部分のみを除去するレーザリペア法を実行することを特徴とする請求項２～５のいずれか１記載の製造方法。
  7. 　前記有機ＥＬ素子形成工程おいて前記上部電極の複数個数分の面積を有する上部電極層を成膜すること、並びに、前記分散工程においてレーザ光を前記上部電極層内に位置させつつレーザ光を走査することで前記上部電極層の一部を切削し前記上部電極の複数に分割するレーザパターニング法を実行すること、を特徴とする請求項２～６のいずれか１記載の製造方法。
  8. 　前記有機ＥＬ素子形成工程おいて、前記基板上の前記下部電極から離れて予め形成されている引出配線部に重なるように前記上部電極を形成すること、並びに、前記分散工程において前記引出配線部に重なる前記上部電極の少なくとも一箇所以上にレーザ光を照射し、このレーザ光が照射された部分の前記引出配線部と前記上部電極を電気的に接続するレーザ溶接を実行すること、を特徴とする請求項２～７のいずれか１記載の製造方法。
  9. 　請求項１～８のいずれか１記載の製造方法によって形成され、かつ前記基板上に順に積層された前記下部電極、前記有機ＥＬ層および前記上部電極を含む有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬパネルであって、
    　前記上部電極を覆いかつ６０～１５０℃で融点を持つホットメルト材料を含む前記保護膜内に前記上部電極の破砕片が分散して埋設されていることを特徴とする有機ＥＬパネル。
  10. 　封止基板を含み、前記封止基板及び前記基板が前記保護膜、前記下部電極、前記有機ＥＬ層および前記上部電極を封止する封止用凹部を有することを特徴とする請求項９記載の有機ＥＬパネル。
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